專利名稱：清洗方法、器件制造方法、曝光裝置、以及器件制造系統(tǒng)的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及清洗方法、器件制造方法、曝光裝置、以及器件制造系統(tǒng)。本申請根據在2010年4月2日申請的美國專利臨時申請第61/320，451號、以及第61/320，469號、以及在2011年4月I日申請的美國申請主張優(yōu)先權，并在此援用其內容。
背景技術：
在半導體器件、電子器件等微型器件的制造工序中，使用經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的浸液曝光裝置。在浸液曝光裝置中，與曝光液體接觸的接液構件有可能被污染。因此，提出了例如下述專利文獻公開那樣的使用清洗用的液體對接液構件進行清洗的技術。
專利文獻I :美國專利申請公開第2008/0273181號專利文獻2 :美國專利申請公開第2009/0195761號

發(fā)明內容
例如，在清洗中使用的液體(廢液)的處理中需要時間的情況、或者處理煩雜的情況下，包括曝光裝置的器件制造系統(tǒng)的運轉率有可能降低、或其處理的成本有可能增大。因此，期望提出能夠順利地執(zhí)行該處理的技術。本發(fā)明的方式的目的在于提供一種能夠良好地清洗接液構件，能夠順利地執(zhí)行清洗中使用的液體的處理的清洗方法、器件制造方法、曝光裝置、以及器件制造系統(tǒng)。根據本發(fā)明的第I方式，提供一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，包括將清洗用的第I液體供給到接液構件而對接液構件進行清洗；回收供給到接液構件的第I液體；在用第I液體對接液構件進行了清洗之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；回收供給到接液構件的第2液體；以及執(zhí)行使回收的第2液體中包含的第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理。根據本發(fā)明的第2方式，提供一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置內的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，包括將清洗用的第I液體供給到接液構件而對接液構件進行清洗；在用第I液體對接液構件進行了清洗之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件并且進行回收；以及在第2液體的回收中，從第I排出口排出第2液體，并且接著從第I排出口的排出，從與第I排出口不同的第2排出口排出第2液體。根據本發(fā)明的第3方式，提供一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置內的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，包括將清洗用的第I液體供給到接液構件而對接液構件進行清洗；在用第I液體對接液構件進行了清洗之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件并且進行回收；對在第2液體的回收動作的第I期間回收的第2液體執(zhí)行第I處理；以及對在第I期間之后的、第2液體的回收動作的第2期間回收的第2液體執(zhí)行與第I處理不同的第2處理。 根據本發(fā)明的第4方式，提供一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，包括將第I清洗液體供給到接液構件而對接液構件進行清洗；回收供給到接液構件的第I清洗液體并從第I排出口排出；在用第I清洗液體對接液構件進行了清洗之后，將與第I清洗液體不同的第2清洗液體供給到接液構件而對接液構件進行清洗；回收供給到接液構件的第2清洗液體并從第2排出口排出；以及在第I清洗液體的供給停止之后并且第2清洗液體的供給開始之前，將與第I、第2清洗液體不同的沖洗液體供給到接液構件，并且回收供給的沖洗液體，以抑制第I清洗液體從第2排出口排出。根據本發(fā)明的第5方式，提供一種器件制造方法，包括使用第廣第4中的任意一個方式所述的清洗方法對接液構件進行清洗；經由曝光液體對基板進行曝光；以及使曝光的基板顯影。
根據本發(fā)明的第6方式，提供一種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，具備接液構件，與曝光液體接觸 ’第I供給口，將清洗用的第I液體供給到接液構件；第I回收口，回收供給到接液構件的第I液體；第2供給口，在第I液體的供給之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；以及第2回收口，回收供給到接液構件的第2液體，所述曝光裝置執(zhí)行使從第2回收口回收的第2液體中包含的第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理。根據本發(fā)明的第7方式，提供一種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，具備接液構件，與曝光液體接觸;第I供給口，將清洗用的第I液體供給到接液構件；第2供給口，在第I液體的供給之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；以及回收口，在從第2供給口供給第2液體時回收第2液體，在第2液體的回收中，從第I排出口排出第2液體，并且接著從第I排出口的排出而從與第I排出口不同的第2排出口排出第2液體。根據本發(fā)明的第8方式，提供一種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，具備接液構件，與曝光液體接觸 ’第I供給口，將清洗用的第I液體供給到接液構件；第2供給口，在第I液體的供給之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；回收口，在從第2供給口供給第2液體時回收第2液體，所述曝光裝置對在第2液體的回收動作的第I期間回收的第2液體執(zhí)行第I處理，對在第I期間之后的、第2液體的回收動作的第2期間回收的第2液體執(zhí)行與第I處理不同的第2處理。根據本發(fā)明的第9方式，提供一種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，具備接液構件，與曝光液體接觸；第I供給口，將第I清洗液體供給到接液構件；第I回收口，回收供給到接液構件的第I清洗液體；第2供給口，在第I清洗液體的供給之后，將與第I清洗液體不同的第2清洗液體供給到接液構件；第2回收口，回收供給到接液構件的第2清洗液體；第3供給口，在第I清洗液體的供給停止之后并且第2清洗液體的供給開始之前，將與第I、第2清洗液體不同的沖洗液體供給到接液構件，以抑制第I清洗液體從排出從第2回收口回收的第2清洗液體的排出口排出；以及第3回收口，回收供給到接液構件的沖洗液體。根據本發(fā)明的第10方式，提供一種器件制造方法，包括使用第6 第9中的任意一個方式所述的曝光裝置對基板進行曝光；以及使曝光的基板顯影。根據本發(fā)明的第11方式，提供一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，具備第I供給口，向與曝光液體接觸的曝光裝置內的接液構件供給清洗用的第I液體；第I回收口，回收供給到接液構件的第I液體；第2供給口，在第I液體的供給之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；第2回收口，回收供給到接液構件的第2液體；以及處理裝置,執(zhí)行使從第2回收口回收的第2液體中包含的第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理。根據本發(fā)明的第12方式，提供一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，具備第I供給口，向與曝光液體接觸的曝光裝置內的接液構件供給清洗用的第I液體 ’第2供給口，在第I液體的供給之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；回收口，在從第2供給口供給第2液體時回收第2液體；第I排出口，能夠排出從回收口回收的第2液體；以及第2排出口，與第I排出口不同，能夠排出從回收口回收的第2液體，在第2液體的回收中，從第I排出口排出第2液體，并且接著從第I排出口的排出而從第2排出口排出第2液體?！じ鶕景l(fā)明的第13方式，提供一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，具備第I供給口，向與曝光液體接觸的曝光裝置內的接液構件供給清洗用的第I液體;第2供給口，在第I液體的供給之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；回收口，在從第2供給口供給第2液體時回收第2液體；第I處理裝置，對在第2液體的回收動作的第I期間回收的第2液體執(zhí)行第I處理；以及第2處理裝置，對在第I期間之后的、第2液體的回收動作的第2期間回收的第2液體執(zhí)行與第I處理不同的第2處理。根據本發(fā)明的第14方式，提供一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，具備第I供給口，向與曝光液體接觸的曝光裝置內的接液構件供給第I清洗液體；第I回收口，回收供給到接液構件的第I清洗液體;第2供給口，在第I清洗液體的供給之后，將與第I清洗液體不同的第2清洗液體供給到接液構件；第2回收口，回收供給到接液構件的第2清洗液體；第3供給口，在第I清洗液體的供給停止之后并且第2清洗液體的供給開始之前，將與第I、第2清洗液體不同的沖洗液體供給到接液構件，以抑制第I清洗液體從排出從第2回收口回收的第2清洗液體的排出口排出；以及第3回收口，回收供給到接液構件的沖洗液體。根據本發(fā)明的第15方式，提供一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，包括將清洗用的第I液體供給到接液構件而對接液構件進行清洗；回收供給到接液構件的第I液體；在用第I液體對接液構件進行了清洗之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；回收供給到接液構件的第2液體；以及直至第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將回收的第2液體收容到第I收容構件。根據本發(fā)明的第16方式，提供一種器件制造方法，包括使用第I方式的清洗方法對接液構件進行清洗；經由曝光液體對基板進行曝光；以及使曝光的基板顯影。根據本發(fā)明的第17方式，提供一種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，具備接液構件，與曝光液體接觸；第I供給口，將清洗用的第I液體供給到接液構件；第I回收口，回收供給到接液構件的第I液體；第2供給口，在第I液體的供給之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；第2回收口，回收供給到接液構件的第2液體，所述曝光裝置直至第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將從第2回收口回收的第2液體收容到第I收容構件。根據本發(fā)明的第18方式，提供一種器件制造方法，包括使用第3方式的曝光裝置對基板進行曝光；以及使曝光的基板顯影。根據本發(fā)明的第19方式，提供一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，具備第I供給口，向與曝光液體接觸的曝光裝置內的接液構件供給清洗用的第I液體；第I回收口，回收供給到接液構件的第I液體；第2供給口，在第I液體的供給之后，將與第I液體不同的第2液體供給到接液構件；第2回收口，回收供給到接液構件的第2液體；第I收容構件，收容從第2回收口回收的第2液體；以及控制裝置，直至第I收容構件中的第2液體中包含的第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將第2液 體收容到第I收容構件。根據本發(fā)明的方式，能夠良好地清洗接液構件，能夠順利地執(zhí)行清洗中使用的液體的處理。


圖I是示出第I實施方式的器件制造系統(tǒng)的一個例子的圖。圖2是示出第I實施方式的曝光裝置的一個例子的概略結構圖。圖3是示出第I實施方式的浸液構件的一個例子的圖。圖4是示出第I實施方式的浸液構件的一個例子的圖。圖5是示出第I實施方式的浸液構件的一個例子的圖。圖6是示出第I實施方式的浸液構件的一個例子的圖。圖7是示出第I實施方式的液體系統(tǒng)的一個例子的圖。圖8是示出第I實施方式的曝光處理的一個例子的圖。圖9是示出第I實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖10是示出第I實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖11是示出第I實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖12是示出第I實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖13是示出第I實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖14是示出第I實施方式的清洗方法的一個例子的流程圖。圖15是示出第I實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖16是示出第2實施方式的清洗方法的一個例子的示意圖。圖17是示出第2實施方式的清洗方法的一個例子的示意圖。圖18是示出第3實施方式的清洗裝置的一個例子的圖。圖19是示出第3實施方式的清洗裝置的一個例子的圖。圖20是示出第3實施方式的液體系統(tǒng)的一個例子的圖。圖21是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖22是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。
圖23是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖24是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖25是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖26是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖27是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖28是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的流程圖。圖29是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。
圖30是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖31是示出第3實施方式的清洗方法的一個例子的圖。圖32是示出器件制造方法的一個例子的流程圖。(符號說明)2 :基板載臺；3 :測量載臺；7 :浸液構件；8 :控制裝置；19 :多孔構件；20 :回收口；21 :第I供給口 ；22 :第2供給口 ；31 :第I排出口 ；32 :第2排出口 ；33 :第3排出口 ；40 :檢測裝置；41 第I收容構件；42 :第2收容構件；43 :第3收容構件；50 :超聲波發(fā)生裝置；64 :供給口 ；65 :回收口 ；67 :吸引口 ；100 :液體系統(tǒng)；600 :清洗裝置；DP :虛設基板；EL :曝光光；EX :曝光裝置；LC1 :第I清洗液體；LC2 第2清洗液體；LH :沖洗液體；LQ :曝光液體；LS :浸液空間；LSh :浸液空間；LT1 :浸液空間；LT2 :浸液空間；P :基板；SYS :器件制造系統(tǒng)。
具體實施例方式以下，參照附圖，說明本發(fā)明的實施方式，但本發(fā)明不限于此。在以下的說明中，設定XYZ正交坐標系，并參照該XYZ正交坐標系來說明各部的位置關系。將水平面內的規(guī)定方向設為X軸方向，將在水平面內與X軸方向正交的方向設為Y軸方向，將與X軸方向以及Y軸方向分別正交的方向(即鉛直方向)設為Z軸方向。另外，將繞X軸、Y軸、以及Z軸的旋轉(傾斜)方向分別設為ΘΧ、ΘΥ、以及ΘΖ方向。<第I實施方式>說明第I實施方式。圖I是示出第I實施方式的器件制造系統(tǒng)SYS的一個例子的示意圖。器件制造系統(tǒng)SYS具備多個裝置。在本實施方式中，器件制造系統(tǒng)SYS具備曝光裝置EX，用曝光光EL對感光性的基板P進行曝光；涂布顯影裝置CD，包括在基板P的基材上形成感光膜的成膜裝置以及使曝光后的基板P顯影的顯影裝置；液體系統(tǒng)100，能夠供給為了制造器件而使用的液體；主控制器MC，控制這些多個裝置；以及通信系統(tǒng)CM，能夠在多個裝置之間進行通信。通信系統(tǒng)CM能夠通信與器件的制造相關的各種信息。另外，器件制造系統(tǒng)SYS也可以具備蝕刻裝置、以及CMP裝置等。器件制造系統(tǒng)SYS設置于工廠FA。另夕卜，器件制造系統(tǒng)SYS也可以具備多個曝光裝置EX。圖2是示出本實施方式的曝光裝置EX的一個例子的概略結構圖。本實施方式的曝光裝置EX是經由曝光液體LQ用曝光光EL對基板P進行曝光的浸液曝光裝置。在本實施方式中，以使曝光光EL的光路的至少一部分被曝光液體LQ所充滿的方式,形成浸液空間LS0浸液空間是用液體充滿的部分(空間、區(qū)域)。經由浸液空間LS的曝光液體LQ用曝光光EL對基板P進行曝光。在本實施方式中，作為曝光液體LQ，使用水(純水)。另外，本實施方式的曝光裝置EX是例如美國專利第6897963號說明書、以及歐州專利申請公開第1713113號說明書等公開那樣的具備基板載臺和測量載臺的曝光裝置。在圖2中，曝光裝置EX具備掩模載臺I，保持掩模M并能夠移動；基板載臺2，保持基板P并能夠移動；測量載臺3，不保持基板P，而搭載測量曝光光EL的測量構件C(測量器)并能夠移動；照明系統(tǒng)IL，用曝光光EL對掩模M進行照明；投影光學系統(tǒng)PL，將用曝光光EL照明的掩模M的圖案的像投影到基板P ;浸液構件7，能夠形成浸液空間LS以使從投影光學系統(tǒng)PL射出的曝光光EL的光路K被曝光液體LQ充滿；以及控制裝置8，控制曝光裝置EX整體的動作。掩模M包括形成有向基板P投影的器件圖案的標線片(reticule)。掩模M包括透射型掩模，該透射型掩模具有例如玻璃板等透明板和在該透明板上使用鉻等遮光材料而形成的圖案。另外，作為掩模M，也可以使用反射型掩模?；錚是用于制造器件的基板。在基板P中，能夠形成器件圖案?；錚包括例如半導體晶片等基材、和在該基材上形成的感光膜。感光膜是感光材料(光致抗蝕劑)的膜。另外，基板P除了包括感光膜以外也可以包括其他膜。例如，基板P也可以包括反射防止膜，也可以包括保護感光膜的保護膜(頂涂層膜)。照明系統(tǒng)IL向規(guī)定的照明區(qū)域IR照射曝光光EL。照明區(qū)域IR包含從照明系統(tǒng)IL射出的曝光光EL能夠照射的位置。在本實施方式中，作為從照明系統(tǒng)IL射出的曝光光EL,使用ArF準分子激光。另外，作為曝光光EL，也可以使用例如KrF準分子激光。掩模載臺I能夠在基座構件9的導引面9G上進行移動。掩模載臺I具有可釋放地保持掩模M的保持部1H。掩模載臺I能夠使保持部IH所保持的掩模M移動到從照明系統(tǒng)IL射出的曝光光EL能夠照射的位置。投影光學系統(tǒng)PL向規(guī)定的投影區(qū)域PR照射曝光光EL。投影光學系統(tǒng)PL具有朝向投影光學系統(tǒng)PL的像面射出曝光光EL的射出面13。投影光學系統(tǒng)PL的多個光學兀件中的、最接近投影光學系統(tǒng)PL的像面的終端光學元件12具有射出面13。投影區(qū)域PR包括從射出面13射出的曝光光EL能夠照射的位置。投影光學系統(tǒng)PL向配置在投影區(qū)域PR的基板P的至少一部分，以規(guī)定的投影倍率投影掩模M的圖案的像。在本實施方式中，從射出面13射出的曝光光EL在一 Z方向上行進。另外，在本實施方式中，終端光學元件12的光軸與Z軸平行。基板載臺2以及測量載臺3能夠在基座構件10的導引面IOG上進行移動?；遢d臺2具有可釋放地保持基板P的基板保持部11?；遢d臺2能夠使基板保持部11所保持的基板P移動到從投影光學系統(tǒng)PL射出的曝光光EL能夠照射的位置。測量載臺3具有可釋放地保持測量構件C的保持部3H。測量載臺3能夠使保持部3H所保持的測量構件C移動到從投影光學系統(tǒng)PL射出的曝光光EL能夠照射的位置。在本實施方式中，基板載臺2具有例如美國專利申請公開第2007/0177125號說明書、以及美國專利申請公開第2008/0049209號說明書等公開那樣的、配置于基板保持部11的周圍的至少一部分并可釋放地保持平板構件T的保持部TH。平板構件T配置于基板保持部11所保持的基板P的周圍。在本實施方式中，搭載在測量載臺3的測量構件C也可以是例如美國專利申請公開第2002/0041377號說明書等中公開那樣的構成空間像測量系統(tǒng)的一部分的構件，也可以是美國專利第4465368號說明書等中公開那樣的構成照度不均測量系統(tǒng)的一部分的構件，也可以是美國專利第5493403號說明書等中公開那樣的基準構件，也可以是美國專利申請公開第2002/0061469號說明書等中公開那樣的構成照射量測量系統(tǒng)的一部分的構件，也可以是歐州專利第1079223號說明書等中公開那樣的構成波面像差測量系統(tǒng)的一部分的構件。掩模載臺I能夠通過驅動系統(tǒng)4的工作而移動。驅動系統(tǒng)4包括平面馬達，該平面馬達具有配置于掩模載臺I的動子4A、和配置于基座構件9的定子4C。掩模載臺I通過驅動系統(tǒng)4的工作，在導引面9G上，在X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、ΘΥ、以及Θ Z方向這6個方向上能夠進行移動?；遢d臺2以及測量載臺3分別通過驅動系統(tǒng)5的工作而能夠進行移動。驅動系統(tǒng)5包括平面馬達，該平面馬達具有配置于基板載臺2的動子5A、配置于測量載臺3的動子5B、以及配置于基座構件10的定子5C?；遢d臺2以及測量載臺3分別通過驅動系統(tǒng)5的工作，在導引面IOG上，在X軸、Y軸、Z軸、ΘΧ、ΘΥ、以及Θ Z方向這6個方向上能夠進行移動。另外，平面馬達的一個例子被公開于例如美國專利第6452292號說明書。通過干涉儀系統(tǒng)6測量掩模載臺I、基板載臺2、以及測量載臺3的位置。在執(zhí)行基 板P的曝光處理時、或者執(zhí)行規(guī)定的測量處理時，控制裝置8根據干涉儀系統(tǒng)6的測量結果使驅動系統(tǒng)4、5工作，執(zhí)行掩模載臺I (掩模M)、基板載臺2 (基板P)、以及測量載臺3 (測量構件C)的位置控制。在本實施方式中，基板載臺2的上表面2F、以及測量載臺3的上表面3F分別針對曝光液體LQ呈疏液性。在本實施方式中，上表面2F包括平板構件T的上表面。上表面2F、3F是朝向+Z方向的面，能夠與終端光學元件12以及浸液構件7相向。在本實施方式中，上表面2F、3F是用包含氟的材料的膜形成的。浸液構件7能夠形成浸液空間LS以使從射出面13射出的曝光光EL的光路K被曝光液體LQ充滿。浸液構件7配置于終端光學兀件12的附近。在本實施方式中，浸液構件7是環(huán)狀的構件，是包圍終端光學元件12而設置的。浸液構件7具有從終端光學元件12射出的曝光光EL能夠照射的位置(投影區(qū)域PR)處配置的物體能夠相向的下表面14。在本實施方式中，能夠配置于投影區(qū)域PR的物體包括能夠在投影光學系統(tǒng)PL的像面?zhèn)?終端光學元件12的射出面13側)移動的物體。在本實施方式中，該物體包括基板載臺2、保持在基板載臺2的基板P、后述虛設基板DP、測量載臺3、以及搭載在測量載臺3的測量構件C的至少一個。例如在曝光基板P時，基板P的表面的至少一部分與射出面13以及下表面14相向。終端光學元件12以及浸液構件7能夠在與配置在投影區(qū)域PR的物體之間保持曝光液體LQ。射出面13以及下表面14的至少一部分與曝光液體LQ相接。通過在一方側的射出面13以及下表面14與另一方側的物體的表面(上表面)之間保持曝光液體LQ而形成浸液空間LS，以使終端光學元件12與物體之間的曝光光EL的光路K被曝光液體LQ充滿。在本實施方式中，在向基板P照射曝光光EL時，以包括投影區(qū)域PR的基板P的表面的一部分的區(qū)域被曝光液體LQ覆蓋的方式形成浸液空間LS。浸液構件7在比基板P小的局部區(qū)域內保持曝光液體LQ。曝光液體LQ的界面(彎液面、邊緣)LGq的至少一部分形成于浸液構件7的下表面14與基板P的表面之間。即，本實施方式的曝光裝置EX采用局部浸液方式。
圖3是示出本實施方式的浸液構件7的一個例子的與YZ平面平行的剖面圖，圖4是與XZ平面平行的剖面圖。圖5是從上側(+Z側)觀察了本實施方式的浸液構件7的圖，圖6是從下側(一 Z側)觀察了本實施方式的浸液構件7的圖。另外，圖3以及圖4示出了在與終端光學元件12以及浸液構件7相向的位置配置了基板P的情況，但如上所述，也可以配置例如基板載臺2以及測量載臺3等其他物體。浸液構件7具有平板部15，配置于從射出面13射出的曝光光EL的光路K的周圍；以及主體部16，至少一部分配置于終端光學元件12的周圍。平板部15具有基板P的表面能夠相向的下表面15B ;以及朝向下表面15B的相反方向的上表面15A。上表面15A的至少一部分與射出面13相向。浸液構件7具有從射出面13射出的曝光光EL能夠通過的開口(通路)7K。開口7K形成于平板部15。開口 7K形成為連接上表面15A和下表面15B。下表面15B配置于 開口 7K的下端的周圍。上表面15A配置于開口 7K的上端的周圍。從射出面13射出的曝光光EL能夠通過開口 7K照射到基板P。另外，浸液構件7具備第I供給口 21，能夠供給曝光液體LQ ;以及回收口 20，能夠回收曝光液體LQ。至少在曝光基板P時，第I供給口 21供給曝光液體LQ，回收口 20回收從第I供給口 21供給的曝光液體LQ的至少一部分。在基板P的曝光中，以與浸液構件7相向地配置了基板P的狀態(tài)，從第I供給口 21供給曝光液體LQ。另外，浸液構件7具有與第I供給口 21不同的第2供給口 22。第2供給口 22能夠供給與曝光液體LQ不同的液體。如后所述，在本實施方式中，第2供給口 22能夠供給用于對曝光裝置EX內的構件的至少一部分進行清洗的清洗液體LC。另外，浸液構件7具有第I內部流路21R，與第I供給口 21連結；第2內部流路22R，與第2供給口 22連結；以及第3內部流路20R，與回收口 20連結。第I內部流路2IR、第2內部流路22R、以及第3內部流路20R分別形成于浸液構件7的內部。第I供給口 21形成于第I內部流路21R的一端。第2供給口 22形成于第2內部流路22R的一端?；厥湛?20形成于第3內部流路20R的一端。在本實施方式中，第I供給口 21被配置為在曝光光EL的光路K的附近面向該光路K。在本實施方式中，配置了多個第I供給口 21。在本實施方式中，配置了 2個第I供給口 21。在本實施方式中，相對光路K在+Y側以及一 Y側分別配置了第I供給口 21。在本實施方式中，第I供給口 21向射出面13與上表面15A之間的空間SPl供給曝光液體LQ。從第I供給口 21供給的曝光液體LQ在流過空間SPl之后，經由開口 7K，流入下表面15B (下表面14)與基板P的表面(物體的上表面)之間的空間SP2。第2供給口 22被配置為在曝光光EL的光路K的附近面向該光路K。在本實施方式中，配置了多個第2供給口 22。在本實施方式中，配置了 2個第2供給口 22。在本實施方式中，相對光路K在+X側以及一 X側分別配置了第2供給口 22。在本實施方式中，第2供給口 22能夠向空間SPl供給清洗液體LC。向空間SPl供給的清洗液體LC經由開口 7K流向空間SP2。另外，第I供給口 21的數量能夠任意規(guī)定。另外，相對光路K的第I供給口 21的位置能夠任意規(guī)定。同樣地，第2供給口 22的數量、以及相對光路K的第2供給口 22的位置能夠任意規(guī)定。例如，第I供給口 21以及第2供給口 22的至少一方也可以配置I個、或者3個以上。另外，第I供給口 21也可以相對光路K配置于+X側以及一 X側的至少一方，第2供給口 22也可以相對光路K配置于+Y側以及一 Y側的至少一方。另外，第I供給口21的Z方向的位置和第2供給口 22的Z方向的位置也可以不同。回收口 20能夠回收基板P (物體)上的曝光液體LQ的至少一部分?；厥湛?20配置于基板P的表面能夠相向的浸液構件7的規(guī)定位置。在本實施方式中，回收口 20配置于下表面15B (開口 7K)的周圍的至少一部分。在本實施方式中，回收口 20在XY平面內是環(huán)狀，配置于下表面15B的周圍。另外，也可以以包圍下表面15B的方式，按照規(guī)定間隔配置多個回收口 20。在本實施方式中，在回收口 20配置多孔構件19。多孔構件19具有多個孔(openings (開口)或者pores (微孔))。在本實施方式中，多孔構件19是平板狀的構件。在本實施方式中，多孔構件19具有基板P的表面能夠相向的下表面19B、和朝向下表面19B的相反方向的上表面19A。多孔構件19的孔19H形成為連接上表面19A和下表面19B。在本實施方式中，在平板部15的下表面15B的周圍，配置有多孔構件19的下表面19B。 在本實施方式中，基板P的表面(物體的上表面)能夠相向的浸液構件7的下表面14包括平板部15的下表面15B、以及多孔構件19的下表面19B。另外，在回收口 20中也可以配置網狀過濾器，該網狀過濾器是網眼狀地形成了多個小孔的多孔構件。另外，在回收口 20也可以不配置多孔構件19。在本實施方式中，空間SP2的曝光液體LQ (物體上的曝光液體LQ)經由多孔構件19的孔19H被回收。在基板P的曝光中回收基板P上的曝光液體LQ時，控制裝置8調整為下表面19B面對的空間SP2的壓力和上表面19A面對的空間(第3內部流路20R)的壓力不同(產生差壓)。由此，基板P上的曝光液體LQ經由多孔構件19的孔19H被回收。在本實施方式中，控制裝置8通過在基板P的曝光中與從第I供給口 21的曝光液體LQ的供給動作并行地執(zhí)行從回收口 20的曝光液體LQ的回收動作，從而在一方側的終端光學元件12以及浸液構件7與另一方側的基板P (物體)之間用曝光液體LQ形成浸液空間LS。浸液構件7的至少一部分由包含金屬的材料形成。在本實施方式中，浸液構件7的至少一部分由包含鈦的材料形成。包含鈦的材料包含鈦以及鈦合金的至少一種。在本實施方式中，平板部15以及主體部16由包含鈦的材料形成。另外,在本實施方式中，多孔構件19也由包含鈦的材料形成。另外，浸液構件7的至少一部分也可以包含例如不銹鋼、鎂等與鈦不同的材料。另外，浸液構件7的至少一部分也可以由包含陶瓷的材料形成。另外，浸液構件7的表面的至少一部分也可以由非晶碳形成。非晶碳包含四面體非晶碳。例如，在將平板部15的上表面15A以及下表面15B的至少一部分由非晶碳形成的情況下，形成用包含鈦的材料形成的平板部15 (基材)，并形成非晶碳膜以使該基材的表面的至少一部分被非晶碳膜覆蓋。由此，上表面15A以及下表面15B的至少一部分由非晶碳形成。另外，多孔構件19的上表面19A、下表面19B、以及孔19H的內面的至少一部分也可以由非晶碳形成。能夠使用CVD法或者PVD法，在基材上形成(成膜)非晶碳膜。另外，浸液構件7的表面的至少一部分也可以由氧化膜形成。作為氧化膜，也可以是氧化鈦。多孔構件19的上表面19A、下表面19B、以及孔19H的內面的至少一部分也可以由氧化膜形成。
另外，作為浸液構件7，能夠使用例如美國專利申請公開第2007/0132976號說明書、歐州專利申請公開第1768170號說明書公開那樣的浸液構件(噴嘴構件)。圖7是示出本實施方式的液體系統(tǒng)100的一個例子的圖。另外，在以下的說明中參照的圖r圖13中，為簡化說明，將浸液構件7的一部分用與YZ平面平行的剖面圖示出，一部分用與XZ平面平行的剖面圖示出。具體而言，在圖r圖13中，相對虛線的左側是與YZ平面平行的剖面圖，相對虛線的右側是與XZ平面平行的剖面圖。S卩，圖Γ圖13所示的浸液構件7相當于圖5的A — A線剖面圖。在13中，在相對虛線的左側示出了第I供給口 21，在相對虛線的右側示出了第2供給口 22。在本實施方式中，第I供給口 21、第2供給口 22、以及回收口 20的至少一個與液體系統(tǒng)100連接。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100能夠供給曝光液體LQ。第I供給口 21能夠將來自液體系統(tǒng)100的曝光液體LQ供給到空間SPl。另外，液體系統(tǒng)100能夠供給清洗液體LC。第2供給口 22能夠將來自液體系統(tǒng)100的清洗液體LC供給到空間SPl。·
另外，液體系統(tǒng)100能夠回收從回收口 20回收的曝光液體LQ。例如，在基板P的曝光中從回收口 20回收的曝光液體LQ被送到液體系統(tǒng)100。另外，在本實施方式中，回收口 20能夠回收清洗液體LC。從回收口 20回收的清洗液體LC被送到液體系統(tǒng)100。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100能夠向浸液構件7的第I內部流路21R供給曝光液體LQ。供給到第I內部流路21R的曝光液體LQ經由該第I內部流路21R被送到第I供給口 21。第I供給口 21將來自第I內部流路21R的曝光液體LQ供給到空間SPl。另外，液體系統(tǒng)100能夠向浸液構件7的第2內部流路22R供給清洗液體LC。供給到第2內部流路22R的清洗液體LC經由該第2內部流路22R被送到第2供給口 22。第2供給口 22將來自第2內部流路22R的清洗液體LC供給到空間SP1。另外，從回收口 20回收的液體(曝光液體LQ以及清洗液體LC的至少一方)流入到浸液構件7的第3內部流路20R。液體系統(tǒng)100經由第3內部流路20R回收從回收口 20回收的液體。另外，如參照圖I說明那樣，在本實施方式中，器件制造系統(tǒng)SYS具備液體系統(tǒng)
100。另外，在本實施方式中，液體系統(tǒng)100是相對曝光裝置EX的外部裝置(與曝光裝置EX不同的裝置)。另外，液體系統(tǒng)100的至少一部分也可以是相對器件制造系統(tǒng)SYS的外部裝置。另外，液體系統(tǒng)100的至少一部分可以是工廠FA的設備，也可以是液體系統(tǒng)100的全部是工廠FA的設備。另外，曝光裝置EX也可以具有液體系統(tǒng)100的一部分，也可以具有液體系統(tǒng)100的全部。另外，如上所述，在器件制造系統(tǒng)SYS具備多個曝光裝置EX的情況下，液體系統(tǒng)100也可以能夠向多個曝光裝置EX供給液體，也可以能夠從多個曝光裝置EX回收液體。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100具備 第I流路形成構件23T，具有向第I供給口21供給的曝光液體LQ流過的第I流路23R ;第2流路形成構件24T，具有向第2供給口 22供給的清洗液體LC流過的第2流路24R ；以及第3流路形成構件25T，具有從回收口 20回收的液體(曝光液體LQ以及清洗液體LC中的至少一方)流過的第3流路25R。在本實施方式中，第I、第2、第3流路形成構件23T、24T、25T的各個是管構件。在本實施方式中，第I流路23R的一端與第I內部流路2IR連接。第2流路24R的一端與第2內部流路22R連接。第3流路25R的一端與第3內部流路20R連接。流經第I流路23R的曝光液體LQ經由第I內部流路21R被送到第I供給口 21。流經第2流路24R的清洗液體LC經由第2內部流路22R被送到第2供給口 22。從回收口 20回收并流經第3內部流路20R的液體被送到第3流路25R。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100具備 第I排出口 31，排出從回收口 20回收的液體；第2排出口 32，與第I排出口 31不同；以及第3排出口 33，與第I、第2排出口 31、32不同。在本實施方式中，從回收口 20回收并經由第3內部流路20R送到第3流路25R的液體在流過該第3流路25R之后，被送到第I排出口 31、第2排出口 32、以及第3排出口 33中的至少一個。另外，在本實施方式中，設為液體系統(tǒng)100具有第I排出口31、第2排出口 32、以及第3排出口 33，但曝光裝置EX也可以具有第I排出口 31、第2排出口 32、以及第3排出口 33中的至少一個。換言之，第I排出口 31、第2排出口 32、以及第3排出口 33中的至少一個既可以是曝光裝置EX的構成要素，也可以是相對曝光裝置EX的外部裝置的構成要素。在本實施方式中，第3流路25R的一端與第3內部流路20R連接，另一端與包括閥·機構的流路切換機構30連接。另外，液體系統(tǒng)100具備與流路切換機構30連接的流路形成構件31T、32T、33T。流路形成構件31Τ具有第I排出流路31R。流路形成構件32Τ具有第2排出流路32R。流路形成構件33Τ具有第3排出流路33R。第I、第2、第3排出流路31R、32R、33R的各個的一端與流路切換機構30連接。第I排出口 31配置于第I排出流路31R的另一端。第2排出口 32配置于第2排出流路32R的另一端。第3排出口 33配置于第3排出流路33R的另一端。流路切換機構30切換流路，以使從回收口 20回收并流經第3流路25R的液體被送到第I排出流路31R (第I排出口 31)、第2排出流路32R (第2排出口 32)、以及第3排出流路33R (第3排出口 33)中的至少一個。在本實施方式中，流路切換機構30在將來自第3流路25R的液體向第I排出口 31供給時，能夠調整流路以避免供給到第2、第3排出口 32、33。另外，流路切換機構30在將來自第3流路25R的液體向第2排出口 32供給時，能夠調整流路以避免供給到第I、第3排出口 31、33。另外，流路切換機構30在將來自第3流路25R的液體向第3排出口 33供給時，能夠調整流路以避免供給到第I、第2排出口 31、32。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100具備第I收容構件41，能夠收容從第I排出口 31排出的液體；第2收容構件42，能夠收容從第2排出口 32排出的液體；以及第3收容構件43，能夠收容從第3排出口 33排出的液體。在本實施方式中，第I、第2、第3收容構件41、42、43的各個是罐。在本實施方式中，第I流路23的另一端與能夠供給曝光液體LQ的供給源LQS連接。供給源LQS也可以由液體系統(tǒng)100具備，也可以是設置了曝光裝置EX (器件制造系統(tǒng)SYS)的工廠FA的設備。另外，也可以是曝光裝置EX具備供給源LQS。在本實施方式中，在第I流路23R的一部分，配置了包括閥機構的流路切換機構
34。另外，在本實施方式中，對于流路切換機構34，連接了由第4流路形成構件26T形成的第4流路26R的一端。從供給源LQS供給的曝光液體LQ流經第I流路23R和第4流路26R中的至少一方。流路切換機構34切換流路，以使流經第I流路23R的曝光液體LQ被送到第I供給口21 (第I流路23R)以及第4流路26R中的至少一方。在本實施方式中，流路切換機構34在將來自供給源LQS的曝光液體LQ向第I供給口 21 (第I流路23R)供給時，能夠調整流路以避免曝光液體LQ被供給到第4流路26R。另外，流路切換機構34在將來自供給源LQS的曝光液體LQ向第4流路26R供給時，能夠調整流路以避免曝光液體LQ被供給到第I供給口 21 (第I流路23R)。另外，在本實施方式中，液體系統(tǒng)100具備稀釋裝置35。第4流路26R的另一端與稀釋裝置35連接。另外，在本實施方式中，液體系統(tǒng)100具備能夠供給清洗液體LC的清洗液體供給裝置36。在本實施方式中，作為清洗液體LC，使用第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100具備能夠供給第I清洗液體LCl的第I清洗液體供給裝置36A、和能夠供給第2清洗液體LC2的第2清洗液體供給裝置36B。在本實施方式中，第2流路24R的另一端與第I清洗液體供給裝置36A連接。在 本實施方式中，在第2流路24R的一部分中，配置了包括閥機構的流路切換機構38。另外，在本實施方式中，對于流路切換機構38，連接了由第5流路形成構件27T形成的第5流路27R的一端。在本實施方式中，第5流路27R的另一端與稀釋裝置35連接。另外，在本實施方式中，稀釋裝置35和第2清洗液體供給裝置36B經由由第6流路形成構件28T形成的第6流路28R而連接。第2清洗液體供給裝置36B能夠經由第6流路28R，將第2清洗液體LC2供給到稀釋裝置35。另外，流經第4流路26R的曝光液體LQ被送到稀釋裝置35。在本實施方式中，稀釋裝置35用曝光液體LQ來稀釋第2清洗液體LC2。用稀釋裝置35稀釋并從該稀釋裝置35供給的第2清洗液體LC2流經第5流路27R。流經第5流路27R的第2清洗液體LQ2被送到流路切換機構38。流路切換機構38切換流路，以使來自第I清洗液體供給裝置36A的第I清洗液體LCl、以及來自第2清洗液體供給裝置36B (稀釋裝置35)的第2清洗液體LC2的至少一方經由第2流路24R送到第2供給口 22。在本實施方式中，流路切換機構38在將來自第I清洗液體供給裝置36A的第I清洗液體LCl向第2供給口 22供給時，能夠調整流路以避免第2清洗液體LC2被供給到第2供給口 22。另外，流路切換機構38在將來自第2清洗液體供給裝置36B (稀釋裝置35)的第2清洗液體LC2向第2供給口 22供給時，能夠調整流路以避免第I清洗液體LCl被供給到第2供給口 22。在本實施方式中，第5流路27R能夠與第I收容構件41、第2收容構件42、以及第3收容構件43中的至少一個連接。在本實施方式中，在第5流路27R的一部分中，配置了包括閥機構的流路切換機構39。另外，在本實施方式中，液體系統(tǒng)100具備檢測從回收口20回收的液體的特性(例如，性質以及成分的至少一方)的檢測裝置40。在本實施方式中，檢測裝置40測量從回收口 20回收并流經第3流路25R的液體。在本實施方式中，液體的特性包括液體的電導率。在本實施方式中，檢測裝置40包括電導率計。檢測裝置40檢測液體的電導率。檢測裝置40的檢測結果也可以輸出到例如控制裝置8?？刂蒲b置8能夠根據該檢測裝置40的檢測結果，求出液體的特性。另外，也可以設為將檢測裝置40的檢測結果輸出到主控制器MC，該主控制器MC求出液體的特性。另外，也可以檢測通過了流路切換機構38的液體的特性。在該情況下，也可以在第I、第2、第3排出流路31R、32R、33R的各個中設置檢測裝置，也可以在第I、第2、第3排出流路31R、32R、33R的一部分中設置檢測裝置。在該情況下，也可以與檢測裝置40并用，也可以省略檢測裝置40。另外，在本實施方式中，液體系統(tǒng)100具備吸引裝置45，該吸引裝置45包括降低第3內部流路20R的壓力的真空系統(tǒng)等。吸引裝置45與例如第3流路25R連接。吸引裝置45通過降低第3流路25R以及與該第3流路35R連接的第3內部流路20R的壓力而調整為下表面19B面對的空間SP2的壓力和上表面19A面對的空間(第3內部流路20R)的壓力不同(產生差壓)，由此能夠從回收口 20 (多孔構件19的孔19H)回收存在于空間SP2的液體。如上所述，從第I排出口 31、第2排出口 32、以及第3排出口 33中的至少一個排出口排出從回收口 20回收的液體。例如，利用重力，從第I排出口 31、第2排出口 32、以及第3排出口 33中的至少一個排出口排出從回收口 20流入第3流路25R的液體。另外，也可以將第I收容構件41、第2收容構件42、第3收容構件43中的至少一個連接到真空系統(tǒng)，并收容(吸引)從回收口 20流入第3流路25R的液體。接下來，說明使用本實施方式的曝光裝置EX對基板P進行曝光的方法的一個例子?？刂蒲b置8為了將曝光前的基板P搬入(加載)到基板載臺2，使基板載臺2移動到基板交換位置。基板交換位置是從浸液構件7 (投影區(qū)域PR)離開的位置，是能夠執(zhí)行基板P的交換處理的位置?；錚的交換處理包括以下處理中的至少一方使用規(guī)定的搬送裝置(未圖示)而將保持于基板載臺2 (基板保持部11)的曝光后的基板P從基板載臺2搬出(卸載)的處理；以及將曝光前的基板P搬入(加載)到基板載臺2 (基板保持部11)的處理?？刂蒲b置8使基板載臺2移動到基板交換位置，來執(zhí)行基板P的交換處理。在基板載臺2離開浸液構件7的期間的至少一部分中，控制裝置8將測量載臺3配置到與終端光學元件12以及浸液構件7相向的位置，在終端光學元件12以及浸液構件7與測量載臺3之間保持曝光液體LQ來形成浸液空間LS。另外，在基板載臺2離開浸液構件7的期間的至少一部分中，也可以根據需要執(zhí)行使用測量載臺3的測量處理。在執(zhí)行使用測量載臺3的測量處理時，控制裝置8使終端光學元件12以及浸液構件7和測量載臺3相向，并形成浸液空間LS以使終端光學元件12與測量構件C之間的曝光光EL的光路K被曝光液體LQ充滿?？刂蒲b置8經由投影光學系統(tǒng)PL以及曝光液體LQ，向保持于測量載臺3的測量構件C (測量器)照射曝光光EL，執(zhí)行曝光光EL的測量處理。也可以使該測量處理的結果反映于之后執(zhí)行的基板P的曝光處理中。另夕卜，也可以不執(zhí)行測量處理。曝光前的基板P被加載到基板載臺2，在使用測量載臺3的測量處理結束之后，控制裝置8使基板載臺2移動到投影區(qū)域PR，在終端光學元件12以及浸液構件7與基板載臺
2(基板P)之間形成浸液空間LS。圖8是示出在終端光學元件12以及浸液構件7與基板P之間用曝光液體LQ形成了浸液空間LS的狀態(tài)的圖。從供給源LQS供給的曝光液體LQ經由第I流路23R以及第I內部流路21R，被供給到第I供給口 21。第I供給口 21將曝光液體LQ供給到空間SPl (光路K)。供給到空間SPl的曝光液體LQ經由開口 7K流入到空間SP2。另外，與從第I供給口 21的曝光液體LQ的供給動作并行地，執(zhí)行從回收口 20的曝光液體LQ的回收動作。由此，在終端光學元件12以及浸液構件7與基板P (基板載臺2)之間由曝光液體LQ形成浸液空間LS?；厥湛?20回收空間SP2的曝光液體LQ。從回收口 20回收的曝光液體LQ流經第3內部流路20R以及第3流路25R。在本實施方式中，通過流路切換機構30調整流路，以使從回收口 20回收的曝光液體LQ從第I排出口 31排出。從第I排出口 31排出的曝光液體LQ被供給到第I收容構件41。在終端光學元件12以及浸液構件7與基板載臺2 (基板P)之間形成了浸液空間LS之后，控制裝置8開始基板P的曝光處理。在執(zhí)行基板P的曝光處理時，終端光學元件 12以及浸液構件7和基板P相向，并形成浸液空間LS，以使終端光學元件12與基板P之間的曝光光EL的光路K被曝光液體LQ充滿。照明系統(tǒng)IL用曝光光EL對掩模M進行照明。來自該掩模M的曝光光EL經由投影光學系統(tǒng)PL以及從第I供給口 21供給的曝光液體LQ被照射到基板P。由此，用從終端光學元件12射出的曝光光EL對基板P進行曝光。掩模M的圖案的像被投影到基板P。本實施方式的曝光裝置EX是在使掩模M和基板P在規(guī)定的掃描方向上同步移動的同時將掩模M的圖案的像投影到基板P的掃描型曝光裝置(所謂掃描步進曝光裝置)。在本實施方式中，將基板P的掃描方向(同步移動方向)設為Y軸方向，將掩模M的掃描方向(同步移動方向)也設為Y軸方向。控制裝置8使基板P相對投影光學系統(tǒng)PL的投影區(qū)域PR在Y軸方向上移動，并且與該基板P向Y軸方向的移動同步地，相對照明系統(tǒng)IL的照明區(qū)域IR使掩模M在Y軸方向上移動，并且經由投影光學系統(tǒng)PL和基板P上的浸液空間LS的曝光液體LQ向基板P照射曝光光EL。在基板P的曝光處理結束之后，控制裝置8使基板載臺2移動到基板交換位置。測量載臺3配置為例如與終端光學元件12以及浸液構件7相向。從移動到基板交換位置的基板載臺2搬出曝光后的基板P，將曝光前的基板P搬入到基板載臺2。以下，控制裝置8反復上述處理，對多個基板P依次進行曝光。另外，在本實施方式中，在包括基板P的交換處理、使用測量載臺3的測量處理、以及基板P的曝光處理的曝光順序(exposuresequence)的至少一部分的期間中，向終端光學元件12以及浸液構件7與和該終端光學元件12以及浸液構件7相向地配置的物體(基板P、基板載臺2、以及測量載臺3的至少一個)之間從第I供給口 21供給曝光液體LQ，并且從回收口 20回收從第I供給口 21供給的曝光液體LQ的至少一部分。從第I排出口 31排出在曝光順序中從回收口 20回收的曝光液體LQ。在本實施方式中，在曝光順序的期間中，不從清洗液體供給裝置36供給清洗液體LC0即，在曝光順序的期間中，從第2供給口 22的液體供給被停止。在曝光順序中，執(zhí)行從第I供給口 21的曝光液體LQ供給，停止從第2供給口 22的液體供給。但是，在基板P的曝光中，從基板P發(fā)生(溶出)的物質(例如感光材料等有機物)有可能作為異物(污染物、微粒)而混入到浸液空間LS的曝光液體LQ中。另外，不僅是從基板P發(fā)生的物質，而且例如在空中浮游的異物也有可能混入到浸液空間LS的曝光液體LQ。如上所述，在基板P的交換處理、使用測量載臺3的測量處理、以及包括基板P的曝光處理的曝光順序的至少一部分的期間中，浸液空間LS的曝光液體LQ與終端光學元件12、浸液構件7、基板載臺2、以及測量載臺3的至少一部分接觸。因此，如果異物混入到浸液空間LS的曝光液體LQ中，則異物有可能附著于終端光學元件12的射出面13、浸液構件7的下表面14、回收口 20中配置的多孔構件19、基板載臺2的上表面2F、以及測量載臺3的上表面3F的至少一部分。雖然不限于此，但如果放置異物附著于與曝光液體LQ接觸的曝光裝置EX內的接液構件的表面(液體接觸面)的狀態(tài)，則該異物有可能在曝光中附著到基板P、或者從第I供給口 21供給的曝光液體LQ有可能被污染。另外，如果終端光學元件12的射出面13、浸液構件7的下表面14、基板載臺2的上表面2F、以及測量載臺3的上表面3F的至少一個被污染，則例如還有可能無法良好地形成浸液空間LS。其結果，有可能發(fā)生曝光不良。因此，在本實施方式中，控制裝置8在規(guī)定的定時(timing)，在曝光順序的期間、 和/或曝光順序以外的期間中，執(zhí)行與浸液空間LS的曝光液體LQ接觸的曝光裝置EX內的接液構件的清洗處理。另外，也可以執(zhí)行不與曝光液體LQ接觸的構件、和/或與曝光液體LQ接觸的構件的不與曝光液體LQ接觸的部分的清洗處理。以下，以主要對與曝光液體LQ接觸的曝光裝置EX內的接液構件中的、浸液構件7進行清洗的情況為例子而進行說明。圖擴圖13是示出本實施方式的清洗順序的一個例子的示意圖。圖14是示出本實施方式的清洗順序的一個例子的流程圖。本實施方式的清洗順序包括向基板載臺2搬入虛設基板DP的處理(步驟SAl);將第I清洗液體LCl供給到浸液構件7而對該浸液構件7進行清洗的處理(步驟SA2);將沖洗液體LH供給到浸液構件7的處理(步驟SA3);將第2清洗液體LC2供給到浸液構件7而對該浸液構件7進行清洗的處理(步驟SA4);將沖洗液體LH供給到浸液構件7的處理(步驟SA5);進而將沖洗液體LH供給到浸液構件7的處理(步驟SA6)；以及從基板載臺2搬出虛設基板DP的處理(步驟SA7)。在以下的說明中，將使用第I清洗液體LCl的清洗處理(SA2)適當地稱為第I清洗處理，將使用第2清洗液體LC2的清洗處理(SA4)適當地稱為第2清洗處理。另外，在以下的說明中，將向使用清洗液體LC (LC1、LC2)而清洗的浸液構件7等構件供給沖洗液體LH的處理適當地稱為沖洗處理。沖洗處理包括將沖洗液體LH供給到構件而沖洗該構件來去除殘留在該構件中的清洗液體LC (LC1、LC2)的處理。另外，在以下的說明中，將在第I清洗處理后執(zhí)行的沖洗處理(SA3)適當地稱為第I沖洗處理，將在第2清洗處理后執(zhí)行的沖洗處理(SA5)適當地稱為第2沖洗處理，將在第2沖洗處理后執(zhí)行的沖洗處理(SA6)適當地稱為第3沖洗處理。作為第I清洗液體LC1，也可以使用堿性液體。即，作為第I清洗液體LC1，也可以使用包含規(guī)定物質的堿性溶液。例如，在第I清洗液體LCl中，作為規(guī)定物質，也可以包含四甲基氫氧化銨(TMAH :tetramethyl ammonium hydroxide)。另外，作為第I清洗液體LCl,也可以使用堿性水溶液。作為第2清洗液體LC2，也可以使用酸性液體。即，作為第2清洗液體LC2，也可以使用包含規(guī)定物質的酸性溶液。例如，在第2清洗液體LC2中，作為規(guī)定物質也可以包含過氧化氫。另外，作為第2清洗液體LC2，也可以使用酸性水溶液。
另外，第I清洗液體LCl和沖洗液體LH也可以包含相同種類的液體。另外,第2清洗液體LC2和沖洗液體LH也可以包含相同種類的液體。在本實施方式中，作為第I清洗液體LC1，使用堿性水溶液。作為第2清洗液體LC2，使用過氧化氫水溶液。作為沖洗液體LH，使用曝光液體LQ。即，在本實施方式中，沖洗液體LH是水(純水)。在本實施方式中，在第I清洗液體LC1、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH的各個中，作為相同種類的液體，包含水。在本實施方式中，作為第I清洗液體LC1，使用四甲基氫氧化銨(TMAH tetramethyl ammonium hydroxide)水溶液。作為第2清洗液體LC2,使用過氧化氫水溶液(過氧化氫水)。另外，作為用作第I清洗液體LCl的堿性溶液，不僅可以使用四甲基氫氧化銨，而且也可以使用氫氧化鈉、氫氧化鉀等無機堿的溶液、三甲基氫氧化(2—羥乙基)銨等有機堿的溶液。另外，作為第I清洗液體LC1，也可以使用氨水。
另外,第2清洗液體LC2也可以包含緩沖氫氟酸溶液。另外,第2清洗液體LC2也可以是包含緩沖氫氟酸以及過氧化氫的溶液。緩沖氫氟酸是氫氟酸和氟化銨的混合物。其混合比率在換算為40wt%氟化銨溶液/50wt%氫氟酸的體積比時也可以是5 2000。另外，緩沖氫氟酸與過氧化氫的混合比率在換算為過氧化氫/氫氟酸的重量比時也可以是O. 8 55。作為第2清洗液體LC2，也可以使用包含臭氧的臭氧液體。當然,也可以是包含過氧化氫和臭氧的溶液。另外，第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2中的至少一方也可以包含酒精。例如，第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2的至少一方也可以包含乙醇、異丙醇(IPA)、以及戊醇中的至少一個。另外，第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2的各個中包含的相同種類的液體也可以是例如酒精。在本實施方式中，在浸液構件7的清洗順序的至少一部分中，在與浸液構件7相向的位置配置虛設基板DP。在本實施方式中，在虛設基板DP中，不能形成器件圖案。S卩，在虛設基板DP中，不會形成感光膜。虛設基板DP是比基板P難以放出異物的基板。另外，虛設基板DP也可以具有在虛設基板DP的表面捕捉異物的功能。在該情況下，虛設基板DP優(yōu)選難以放出捕捉(附著)在虛設基板DP的表面的異物。另外，在本實施方式中，虛設基板DP的外形以及大小與基板P的外形以及大小大致相同?；灞３植?1能夠保持虛設基板DP。在本實施方式中，在保持于基板載臺2 (基板保持部11)的虛設基板DP和浸液構件7相向的狀態(tài)下，執(zhí)行浸液構件7的清洗順序的至少一部分。即，以與浸液構件7相向地配置了虛設基板DP的狀態(tài)，分別供給第I清洗液體LCl、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH。虛設基板DP的外形以及大小的至少一方也可以與基板P不同。例如，也可以使虛設基板的大小小于基板P。另外，在浸液構件7的清洗順序的至少一部分中，也可以不在基板保持部11中保持虛設基板DP。例如，也可以從基板保持部11釋放虛設基板DP，通過與基板保持部11不同的支撐機構支撐虛設基板DP，維持浸液構件7和虛設基板DP相向的狀態(tài)。在該情況下，也可以在從基板保持部11釋放了虛設基板DP之后，使基板保持部11 (基板載臺2)從浸液構件7之下離開。另外，第I清洗液體LC1、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個，既可以以與浸液構件7相向地配置了基板載臺2的上表面2F以及測量載臺3的上表面3F中的至少一方的狀態(tài)進行供給，也可以以配置了與虛設基板DP、基板載臺2、以及測量載臺3不同的物體的狀態(tài)進行供給。在浸液構件7的清洗中，虛設基板DP的表面的至少一部分與浸液構件7的下表面14相向。在浸液構件7的清洗中，液體(第I清洗液體LCl、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個)與虛設基板DP的表面的至少一部分接觸。在本實施方式中，虛設基板DP的表面相對沖洗液體LH是疏液性。另外，在本實施方式中，虛設基板DP的表面相對第I、第2清洗液體LC1、LC2也是疏液性。在本實施方式中，虛設基板DP包括包含硅晶片那樣的半導體晶片的基材、和在該基材上形成的疏液性的膜。虛設基板DP的表面的至少一部分包括該疏液性的膜。在以下的說明中，將形成虛設基板DP的表面的至少一部分的疏液性的膜適當地稱為疏液膜。
疏液膜也可以由包含氟的材料形成。例如，疏液膜也可以由包含氟的樹脂形成。例如，疏液膜也可以由可熔性聚四氟乙烯(PFA)、以及聚四氟乙烯(PTFE)、特富龍(注冊商標)等形成。另外，疏液膜也可以是例如通過CVD法形成的碳氮化硅(SiCN)膜。另外，疏液膜不限于包含氟的樹脂。疏液膜只要相對第I、第2清洗液體LC1、LC2、以及沖洗液體LH具有耐受性，并且具有在與浸液構件7之間能夠良好地形成這些液體的浸液空間的表面(疏液性)即可。在本實施方式中，虛設基板DP的表面中的第I液體LCl的接觸角、以及第2液體LC2的接觸角是80度以上、90度以上、100度以上、110以上、或者120度以上。另外，在基材與疏液I旲之間，也可以形成其他I旲(例如，提聞基材與疏液I旲的粘合性的膜)?？刂蒲b置8執(zhí)行將虛設基板DP搬入(加載)到基板載臺2的處理(步驟SA1)?？刂蒲b置8為了將虛設基板DP搬入到基板載臺2 (基板保持部11)，使該基板載臺2移動到基板交換位置。另外，在基板保持部11中保持了基板P的情況下，在執(zhí)行了將該基板P從基板載臺2搬出的處理之后，執(zhí)行將虛設基板DP搬入到基板保持部11的處理。在向基板載臺2搬入了虛設基板DP之后，控制裝置8使基板載臺2移動，以使保持在基板載臺2中的虛設基板DP配置于與終端光學元件12以及浸液構件7相向的位置?？刂蒲b置8開始第I清洗處理(步驟SA2)。在本實施方式中，在終端光學元件12以及浸液構件7與物體(基板載臺2、測量載臺3、以及虛設基板DP等)之間的浸液空間LS的曝光液體LQ被全部回收之后，開始第I清洗處理。在本實施方式中，在為了搬入虛設基板DP而在基板交換位置配置了基板載臺2的狀態(tài)下，在與終端光學元件12以及浸液構件7相向的位置配置測量載臺3。控制裝置8為了將形成在終端光學元件12以及浸液構件7與測量載臺3之間的浸液空間LS的曝光液體LQ全部回收，在停止從第I供給口 21供給曝光液體LQ的狀態(tài)下，將從回收口 20 (多孔構件19的孔19H)的曝光液體LQ的回收執(zhí)行規(guī)定時間。由此，終端光學元件12以及浸液構件7與測量載臺3之間的曝光液體LQ被實質上全部回收。另外，在將浸液空間LS的曝光液體LQ全部回收的情況下，在與終端光學元件12以及浸液構件7相向的位置也可以配置與測量載臺3不同的物體。例如，也可以在終端光學元件12以及浸液構件7與被搬入基板載臺2的虛設基板DP (或者基板載臺2)之間保持了曝光液體LQ的狀態(tài)下，停止從第I供給口 21供給曝光液體LQ，并且將從回收口 20的曝光液體LQ回收執(zhí)行規(guī)定時間。另外，為了將曝光液體LQ全部回收，不僅執(zhí)行從回收口 20的回收動作，而且也可以從第2供給口 22回收曝光液體LQ。即，也可以使第2供給口 22作為曝光液體LQ的回收口發(fā)揮功能。通過將第2供給口 22連接到真空系統(tǒng)，能夠從第2供給口 22回收曝光液體LQ0另外,為了將曝光液體LQ全部回收，也可以執(zhí)行從第2供給口 22的回收動作，而不執(zhí)行從回收口 20的回收動作。另外，也可以將第I供給口 21連接到真空系統(tǒng)，從第I供給口21回收曝光液體LQ。另外，也可以在從第I供給口 21的曝光液體LQ的供給停止之后，在執(zhí)行第I清洗處理時，去除殘留在第I內部流路21R中的曝光液體LQ。例如，也可以在曝光液體LQ的供給停止之后，對第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方進行減壓，來去除殘留在該第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方中的曝光液體LQ。例如，為了對第I內部流路21R進行減壓，也可以對第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方連接 真空系統(tǒng)(吸引裝置)，并吸引(減壓)第I內部流路21R。由此，殘留在第I內部流路21R中的曝光液體LQ被吸引到真空系統(tǒng)，從第I內部流路21R排出曝光液體LQ。另外，也可以對第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方進行加壓，來去除殘留在該第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方中的曝光液體LQ。例如，為了對第I內部流路21R進行加壓，也可以對第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方連接氣體供給裝置，對第I內部流路21R供給氣體來對該第I內部流路21R進行加壓。由此，殘留在第I內部流路21R中的曝光液體LQ從第I供給口 21排出，從第I內部流路21R排出曝光液體LQ。另外，例如，也可以通過規(guī)定的流路連接第I內部流路21R和第I清洗液體供給裝置36A，將從第I清洗液體供給裝置36A送出的第I清洗液體LCl供給到第I內部流路21R，從該第I內部流路21R排出曝光液體LQ。另外，也可以在第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方殘留了曝光液體LQ的狀態(tài)下，開始清洗處理。曝光液體LQ被全部回收，在終端光學元件12以及浸液構件7和虛設基板DP相向的狀態(tài)下，控制裝置8開始第I清洗處理?？刂蒲b置8為了通過第I清洗液體LCl對浸液構件7進行清洗，開始供給第I清洗液體LCl。圖9是示出執(zhí)行了第I清洗處理的狀態(tài)的一個例子的圖?？刂蒲b置8開始從第2供給口 22供給第I清洗液體LCl。控制裝置8在停止從第I供給口 21供給曝光液體LQ的狀態(tài)下，從第2供給口 22對空間SPl供給第I清洗液體LCl。在第I清洗處理中，與從第2供給口 22的第I清洗液體LCl的供給并行地，執(zhí)行從回收口 20的第I清洗液體LCl的回收。由此，在終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間，由第I清洗液體LCl形成浸液空間LTl。在第I清洗處理中，從第I清洗液體供給裝置36A送出第I清洗液體LCl。另外，第I清洗液體供給裝置36A也可以是工廠FA的設備。從第I清洗液體供給裝置36A供給的第I清洗液體LCl經由第2流路24R以及第2內部流路22R而被供給到第2供給口 22。第2供給口 22將第I清洗液體LCl供給到空間SPl。供給到空間SPl的第I清洗液體LCl經由開口 7K流入空間SP2。第I清洗液體LCl與包括下表面14的浸液構件7的表面的至少一部分接觸。通過第I清洗液體LCl清洗浸液構件7的表面。第I清洗液體LCl包含堿，能夠去除浸液構件7的表面(下表面14等)中存在的包含有機物的異物。因此，通過以與浸液構件7接觸的方式供給第I清洗液體LC1，從而去除附著在浸液構件7的異物?；厥湛?20回收從第2供給口 22供給到浸液構件7的表面的至少一部分的第I清洗液體LCl。回收口 20回收空間SP2的第I清洗液體LCl。將從浸液構件7的表面去除的異物與第I清洗液體LCl 一起從回收口 20回收。從回收口 20回收的第I清洗液體LCl流經第3內部流路20R以及第3流路25R。在本實施方式中，通過流路切換機構30調整流路，以使從回收口 20回收的第I清洗液體LCl從第2排出口 32排出。由此，供給到浸液構件7并從回收口 20回收的第I清洗液體LCl從第2排出口 32排出。從第2排出口 32排出的第I清洗液體LCl被供給到第2收容構件42。如上所述，在本實施方式中，在曝光液體LQ被全部回收之后，由第I清洗液體LCl形成浸液空間LT1。由此，在終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間由曝光液體LQ稀釋第I清洗液體LCl的現象被抑制。從第I清洗液體供給裝置36A送出并從第·2供給口 22供給到浸液構件(接液構件)7的表面的第I清洗液體LCl中包含的堿的濃度被調整為適合于清洗的濃度。通過抑制在終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間由曝光液體LQ稀釋第I清洗液體LC1，從而能夠用包含適合于清洗的濃度的堿的第I清洗液體LCl對浸液構件7進行清洗。在本實施方式中，在第I清洗處理中，停止從第I供給口 21供給曝光液體LQ。在該情況下，也可以在第I內部流路21R中充滿曝光液體LQ。通過在第I內部流路21R中充滿了曝光液體LQ的狀態(tài)下，由第I清洗液體LCl形成浸液空間LT1，從而能夠抑制第I清洗液體LCl浸入第I內部流路21R、第I流路23R等。另外，第I清洗液體LCl也可以從第I供給口 21進入第I內部流路2IR。在從第2供給口 22供給第I清洗液體LCl規(guī)定時間之后，控制裝置8使從第2供給口 22的第I清洗液體LCl的供給停止。由此，第I清洗處理(步驟SA2)結束。在第I清洗處理結束之后，第I沖洗處理開始(步驟SA3)。在本實施方式中，在浸液空間LTl的第I清洗液體LCl被全部回收之后，第I沖洗處理開始?？刂蒲b置8在停止從第2供給口 22供給第I清洗液體LCl的狀態(tài)下，將從回收口 20 (多孔構件19的孔19H)的第I清洗液體LCl的回收執(zhí)行規(guī)定時間。由此，終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間的第I清洗液體LCl被大致全部回收。另外，為了將第I清洗液體LCl全部回收，不僅執(zhí)行從回收口 20的回收動作，而且也可以從第2供給口 22回收第I清洗液體LCl。通過將第2供給口 22連接到真空系統(tǒng)，能夠從第2供給口 22回收第I清洗液體LCl。另外，為了將第I清洗液體LCl全部回收，也可以執(zhí)行從第2供給口 22的回收動作，而不執(zhí)行從回收口 20的回收動作。另外，也可以將第I供給口 21連接到真空系統(tǒng)，從第I供給口 21回收第I清洗液體LCl。另外，也可以在停止第I清洗液體LCl的供給之后，在執(zhí)行第I沖洗處理時，去除殘留在第2內部流路22R中的第I清洗液體LC1。例如，也可以在停止第I清洗液體LCl的供給之后，對第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方進行減壓，來去除殘留在該第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方中的第I清洗液體LCl。例如，為了對第2內部流路22R進行減壓，也可以對第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方連接真空系統(tǒng)(吸引裝置)，吸引(減壓)第2內部流路22R。由此，殘留在第2內部流路22R中的第I清洗液體LCl被真空系統(tǒng)所吸引，從第2內部流路22R排出第I清洗液體LC1。另外，也可以對第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方進行加壓，來去除殘留在該第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方中的第I清洗液體LCl。例如，為了對第2內部流路22R進行加壓，也可以對第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方連接氣體供給裝置，向第2內部流路22R供給氣體來對該第2內部流路22R進行加壓。由此，殘留在第2內部流路22R中的第I清洗液體LCl從第2供給口 22排出，從第2內部流路22R排出第I清洗液體LC1。另外，例如，也可以通過規(guī)定的流路連接第2內部流路22R和供給源LQS,將從供給源LQS送出的曝光液體LQ供給到第2內部流路22R，從該第2內部流路22R排出第I清洗液體LCl。另外，也 可以從第5流路27R以及第2流路24R中的至少一方去除(排出)第I清洗液體LC1。例如，也可以向第5流路27R以及第2流路24R中的至少一方，供給從供給源LQS送出的曝光液體LQ。圖10是示出執(zhí)行了第I沖洗處理的狀態(tài)的一個例子的圖。在第I沖洗處理中，也與浸液構件7相向地配置了虛設基板DP?？刂蒲b置8為了用沖洗液體LH對浸液構件7進行沖洗，開始供給沖洗液體LH。另夕卜，也可以在形成了第I清洗液體LCl的浸液空間LTl的狀態(tài)下，開始供給沖洗液體LH?？刂蒲b置8開始從第I供給口 21供給沖洗液體LH。控制裝置8在使從第2供給口 22的清洗液體LC供給停止了的狀態(tài)下，從第I供給口 21對空間SPl供給沖洗液體LH。如上所述，在本實施方式中，作為沖洗液體LH，使用曝光液體LQ。在第I沖洗處理中，與從第I供給口 21的沖洗液體LH (曝光液體LQ)供給并行地，執(zhí)行從回收口 20的液體(包括第I清洗液體LCl以及沖洗液體LH中的至少一方)回收。由此，在終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間由沖洗液體LH形成浸液空間LSh。如圖10所示，在沖洗處理中，從供給源LQS送出沖洗液體LH(曝光液體LQ)。從供給源LQS供給的沖洗液體LH經由第I流路23R以及第I內部流路21R被供給到第I供給口 21。第I供給口 21將沖洗液體LH供給到空間SPl。供給到空間SPl的沖洗液體LH經由開口 7K流入空間SP2。沖洗液體LH與包括下表面14的浸液構件7的表面的至少一部分接觸。通過沖洗液體LH對浸液構件7的表面進行沖洗。沖洗液體LH能夠去除殘留在浸液構件7的表面中的第I清洗液體LCl。通過從第I供給口 21供給的沖洗液體LH與浸液構件7接觸，能夠去除殘留在該浸液構件7中的第I清洗液體LCl。在本實施方式中，沖洗液體LH是純水，第I清洗液體LCl是堿水溶液。因此，沖洗液體LH能夠去除殘留在浸液構件7中的第I清洗液體LCl。另外，從第I供給口21供給的沖洗液體LH與浸液構件7接觸，所以能夠通過沖洗液體LH去除附著在浸液構件7的異物。回收口 20回收從第I供給口 21供給到浸液構件7的表面的至少一部分的沖洗液體LH。回收口 20回收空間SP2的沖洗液體LH。與沖洗液體LH —起，從回收口 20回收從浸液構件7的表面去除的第I清洗液體LCl。在本實施方式中，在第I沖洗處理中，還執(zhí)行從第2供給口 22的液體回收。第2供給口 22能夠與真空系統(tǒng)連接，能夠作為液體的回收口發(fā)揮功能。即，在本實施方式中，與從第I供給口 21的沖洗液體LH供給并行地，執(zhí)行從回收口 20以及第2供給口 22的液體回收。通過從第2供給口 22回收液體，殘留在第2內部流路22R以及第2流路24R等中的第I清洗液體LCl被去除。通過沖洗液體LH對第2內部流路22R以及第2流路24R等進行沖洗。從回收口 20回收的沖洗液體LH流入第3內部流路20R以及第3流路25R。從第2供給口 22回收的沖洗液體LH流入第2內部流路22R以及第2流路24R。在本實施方式中，通過流路切換機構30調整流路，以使從回收口 20回收的沖洗液體LH從第2排出口 32排出。由此，供給到浸液構件7并從回收口 20回收的沖洗液體LH從第2排出口 32排出。從第2排出口 32排出的沖洗液體LH被供給到第2收容構件42。這樣，在本實施方式中，在沖洗液體LH的供給以及回收中，從第2排出口 32排出從回收口 20回收的沖洗液體LH。另外，從第2供給口 22回收的沖洗液體LH經由第2內部流路22R、第2流路24R、·以及第5流路27R被送到流路切換機構39。通過流路切換機構39調整流路，以使從第2供給口 22回收的沖洗液體LH被送到第2收容構件42?？刂蒲b置8將從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給、和從回收口 20以及第2供給口 22的沖洗液體LH的回收執(zhí)行規(guī)定期間。另外，在第I沖洗處理中，也可以從第I、第2供給口 21、22供給沖洗液體LH，并且從回收口 20回收該供給的沖洗液體LH。另外，在第I沖洗處理中，也可以在與從第I供給口 21的沖洗液體LH供給一起，進行了從回收口 20以及第2供給口 22的回收之后，停止從第2供給口 22的回收，與從第I供給口 21的沖洗液體LH供給一起，進行從回收口 20的回收。另外，在第I沖洗處理中，也可以不進行從第2供給口 22的回收。在本實施方式中，在第I沖洗處理中，通過檢測裝置40檢測從回收口 20回收的沖洗液體LH的特性。檢測裝置40檢測從回收口 20回收并流經第3流路25R的沖洗液體LH的特性。在本實施方式中，檢測裝置40檢測從回收口 20回收的沖洗液體LH的電導率。檢測裝置40的檢測結果輸出到控制裝置8?？刂蒲b置8根據檢測裝置40的檢測結果求出包含在回收的沖洗液體LH中的堿(四甲基氫氧化銨)的濃度，直至該濃度成為預先規(guī)定的容許值以下為止,繼續(xù)第I沖洗處理(沖洗液體LH的供給和回收)。例如,直至從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的堿的濃度成為1%以下為止，繼續(xù)第I沖洗處理。根據檢測裝置40的檢測結果，確認了從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的堿的濃度成為容許值以下之后，第I沖洗處理(步驟SA3)結束。在第I沖洗處理結束之后，控制裝置8開始第2清洗處理(步驟SA4)?？刂蒲b置8為了用第2清洗液體LC2對浸液構件7進行清洗，開始供給第2清洗液體LC2。另外，在本實施方式中，直至開始針對浸液構件7供給第2清洗液體LC2為止，執(zhí)行從第I供給口 21供給沖洗液體LH和從回收口 20回收沖洗液體LH的并行動作。S卩，在停止供給沖洗液體LH之后，在形成了沖洗液體LH的浸液空間LSh的狀態(tài)下，開始供給第2清洗液體LC2。另外，也可以在停止供給沖洗液體LH之后，終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間的浸液空間LSh的沖洗液體LH被全部回收之后，開始第2清洗處理(第2清洗液體LC2的供給)。另外，也可以在停止供給沖洗液體LH之后，在執(zhí)行第2清洗處理時，去除殘留在第I內部流路21R中的沖洗液體LH。例如，也可以在停止供給沖洗液體LH之后，對第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方進行減壓或者加壓，來去除殘留在該第I內部流路2IR以及第I流路23R中的至少一方中的沖洗液體LH。圖11是示出執(zhí)行了第2清洗處理的狀態(tài)的一個例子的圖?？刂蒲b置8開始從第2供給口 22供給第2清洗液體LC2?？刂蒲b置8在停止從第I供給口 21供給沖洗液體LH的狀態(tài)下，從第2供給口 22對空間SPl供給第2清洗液體LC2。以與浸液構件7相向地配置了虛設基板DP的狀態(tài)，供給第2清洗液體LC2。在第2清洗處理中，與從第2供給口 22的第2清洗液體LC2的供給并行地，執(zhí)行從回收口 20的第2清洗液體LC2的回收。由此，在終端光學元件12以及浸液構件7與虛 設基板DP之間由第2清洗液體LC2形成浸液空間LT2。在第2清洗處理中，從第2清洗液體供給裝置36B送出第2清洗液體LC2。另外，第2清洗液體供給裝置36B也可以是工廠FA的設備。從第2清洗液體供給裝置36B供給的第2清洗液體LC2經由第6流路28R被供給到稀釋裝置35。在本實施方式中，通過流路切換機構34調整流路，以使來自供給源LQS的曝光液體LQ經由第4流路26R被供給到稀釋裝置35。稀釋裝置35用來自第4流路26R的曝光液體LQ來稀釋來自第2清洗液體供給裝置36B的第2清洗液體LC2。作為一個例子，在本實施方式中，從第2清洗液體供給裝置36B送出的第2清洗液體LC2是過氧化氫的濃度為30%的水溶液。稀釋裝置35用曝光液體(水)LQ來稀釋第2清洗液體LC2，生成過氧化氫的濃度為5%的水溶液。第2清洗液體LC2中包含的過氧化氫的濃度被調整為適合于清洗的規(guī)定濃度。稀釋裝置35將過氧化氫的濃度為5%的水溶液作為第2清洗液體LC2送出到第5流路27R。另外，送出到第5流路27R的第2清洗液體LC2中包含的過氧化氫的濃度也可以不是5%，例如，也可以是10%以上、15%以上、或者20%以上。另外，例如也可以根據第2清洗液體LC2所流經的第5流路27R(第5流路形成構件27T)的內面、第2流路24R (第2流路形成構件24T)的內面、以及第2內部流路22R (浸液構件7)的內面的狀態(tài)，適當地調整第2清洗液體LC2中包含的過氧化氫的濃度。例如，也可以根據這些流路的內面針對過氧化氫的耐受性，調整過氧化氫的濃度。另外，也可以根據虛設基板DP的表面針對過氧化氫的耐受性，調整過氧化氫的濃度。另外，在將第2清洗液體LC2供給到基板載臺2的情況下，也可以根據基板載臺2的上表面2F針對過氧化氫的耐受性，調整過氧化氫的濃度。另外，在將第2清洗液體LC2供給到測量載臺3的情況下，也可以根據測量載臺3的上表面3F針對過氧化氫的耐受性，調整過氧化氫的濃度。另外，也可以在稀釋裝置35與供給源LQS之間設置逆流防止裝置，以避免第2清洗液體LC2從稀釋裝置35送出到供給源LQS。例如，也可以在第4流路26R中設置逆流防止裝置。另外，作為第2清洗液體LC2的稀釋中使用的液體，也可以使用從與供給源LQS不同的供給裝置供給的液體(純水)。即，作為第2清洗液體LC2的稀釋中使用的液體，也可以使用與曝光液體LQ不同的液體。另外，作為第2清洗液體LC2的稀釋中使用的液體，也可以使用水以外的液體。
另外，也可以不稀釋從第2清洗液體供給裝置36B送出的第2清洗液體LC2。另夕卜，也可以省略稀釋裝置35。另外，在本實施方式中，使用稀釋裝置35來稀釋了第2清洗液體LC2，但被稀釋的液體不限于此。例如，也可以在第I清洗供給裝置36A與流路切換機構38之間設置稀釋裝置35，用曝光液體LQ來稀釋來自第I清洗供給裝置36A的第I清洗液體LC1。來自稀釋裝置35的第2清洗液體LC2經由第5流路27R、第2流路24R、以及第2內部流路22R，供給到第2供給口 22。第2供給口 22將第2清洗液體LC2供給到空間SPl。供給到空間SPl的第2清洗液體LC2經由開口 7K流入空間SP2。第2清洗液體LC2與包括下表面14的浸液構件7的表面的至少一部分接觸。通過第2清洗液體LC2對浸液構件7的表面進行清洗。第2清洗液體LC2包含過氧化氫，能夠去除未能通過第I清洗處理從浸液構件7的表面等完全去除的異物。另外，第2清洗液體LC2能夠去除殘留在浸液構件7的表面等中的第I清洗液體LCl。例如，第2清洗液體LC2能夠去除未能通過第I沖洗處理從浸液構件7的表面完全去除的第I清洗液體LCl。因此，通過以與浸液構件7接觸的方式供給第2清洗液體LC2，附著在浸液構件7上的異物以及第I清洗液體LCl被去除。另外，第2清洗液體LC2能夠去除未能通過第I沖洗處理從浸液構件7的表面等完全去除的異物?；厥湛?20回收從第2供給口 22供給到浸液構件7的表面的至少一部分的第2清洗液體LC2?；厥湛?20回收空間SP2的第2清洗液體LC2。與第2清洗液體LC2 —起，從回收口 20回收從浸液構件7的表面去除的異物等。從回收口 20回收的第2清洗液體LC2流經第3內部流路20R以及第3流路25R。在本實施方式中，通過流路切換機構30調整流路，以使從第3排出口 33排出從回收口 20回收的第2清洗液體LC2。由此，供給到浸液構件7并從回收口 20回收的第2清洗液體LC2從第3排出口 33排出。從第3排出口 33排出的第2清洗液體LC2被供給到第3收容構件43。在本實施方式中，在第2清洗處理中，停止從第I供給口 21供給沖洗液體LH。在該情況下，也可以在第I內部流路2IR充滿沖洗液體LH。通過在第I內部流路2IR中充滿了沖洗液體LH的狀態(tài)下，用第2清洗液體LC2形成浸液空間LT2，從而能夠抑制第2清洗液體LC2浸入第I內部流路21R、第I流路23R等。另外，第2清洗液體LC2也可以從第I供給口 21進入第I內部流路21R等。在從第2供給口 22供給第2清洗液體LC2規(guī)定時間之后，控制裝置8使從第2供給口 22的第2清洗液體LC2的供給停止。由此，第2清洗處理(步驟SA4)結束。如上所述，在本實施方式中，在第I清洗處理中的第I清洗液體LCl的供給停止之后，并且在第2清洗處理中的第2清洗液體LC2的供給開始之前，在第I沖洗處理中將沖洗液體LH供給到浸液構件7，并且從回收口 20回收該供給的沖洗液體LH。因此，能夠降低在第2清洗處理中從回收口 20回收的第2清洗液體LC2中包含的第I清洗液體LCl的濃度。另外，在本實施方式中，在第I清洗處理中從回收口 20回收的第I清洗液體LCl從第2排出口 32排出，在第2清洗處理中從回收口 20回收的第2清洗液體LC2從第3排出口 33排出。通過在第I清洗處理與第2清洗處理之間執(zhí)行第I沖洗處理，從而在第2清洗處理中抑制從第3排出口 33排出第I清洗液體LC1。由于執(zhí)行第I沖洗處理以使在第2清洗處理中抑制從第3排出口 33排出第I清洗液體LCl，所以能夠降低例如從第3排出口33排出的第2清洗液體LC2中包含的第I清洗液體LCl的濃度。在從第3排出口 33排出的第2清洗液體LC2中包含的第I清洗液體LCl的濃度高的情況下，存在如下可能性在該第2清洗液體LC2的處理(廢液處理)中需要時間、或者該處理變得煩雜。在本實施方式中，執(zhí)行第I沖洗處理，以使在第2清洗處理中從回收口 20回收的第2清洗液體LC2中包含的第I清洗液體LCl的濃度成為不對廢液處理造成影響的規(guī)定濃度以下，所以能夠順利地執(zhí)行該廢液處理。即，能夠比較容易地進行第3收容構件43中收容的液體的廢棄處理。另外，如上所述，在本實施方式中，從第I清洗液體供給裝置36A送出的第I清洗液體LCl、和從第2清洗液體供給裝置36B送出的第2清洗液體LC2經由至少一部分相同的供給流路被供給到浸液構件7。即，如圖9以及圖11所示，在本實施方式中，第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2的各個至少經由第2流路24R以及第2內部流路22R被供給到 浸液構件7。另外，經由第2供給口 22分別供給第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2。在停止從第2供給口 22供給第2清洗液體LC2，并第2清洗處理結束之后，開始第2沖洗處理(步驟SA5)。在本實施方式中，在浸液空間LT2的第2清洗液體LC2被全部回收之后，開始第2沖洗處理。控制裝置8在使從第2供給口 22的第2清洗液體LC2的供給停止了的狀態(tài)下，將從回收口 20 (多孔構件19的孔19H)的第2清洗液體LC2的回收執(zhí)行規(guī)定時間。由此，終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間的第2清洗液體LC2被全部回收。另外，為了將第2清洗液體LC2大致全部回收，不僅執(zhí)行從回收口 20的回收動作，而且也可以從第2供給口 22回收第2清洗液體LC2。另外，也可以代替從回收口 20的回收動作，而執(zhí)行從第2供給口 22的回收動作。另外，也可以從第I供給口 21回收第2清洗液體 LC2。另外，也可以在停止供給第2清洗液體LC2之后，在執(zhí)行第2沖洗處理時，去除殘留在第2內部流路22R中的第2清洗液體LC2。例如，也可以在停止供給第2清洗液體LC2之后，對第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方進行減壓，來去除殘留在該第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方中的第2清洗液體LC2。例如，為了對第2內部流路22R進行減壓，也可以對第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方連接真空系統(tǒng)(吸引裝置)，并吸引(減壓)第2內部流路22R。由此，殘留在第2內部流路22R中的第2清洗液體LC2被真空系統(tǒng)所吸引，從第2內部流路22R排出第2清洗液體LC2。另外，也可以對第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方進行加壓，來去除殘留在該第2內部流路22R以及第2流路24R的至少一方中的第2清洗液體LC2。例如，為了對第2內部流路22R進行加壓，也可以對第2內部流路22R以及第2流路24R中的至少一方連接氣體供給裝置，向第2內部流路22R供給氣體來對該第2內部流路22R進行加壓。由此，殘留在第2內部流路22R中的第2清洗液體LC2從第2供給口 22排出，從第2內部流路22R排出第2清洗液體LC2。另外，例如，也可以通過規(guī)定的流路連接第2內部流路22R和供給源LQS,將從供給源LQS送出的曝光液體LQ供給到第2內部流路22R，從該第2內部流路22R排出第2清洗液體LC2。另外，也可以從第5流路27R以及第2流路24R中的至少一方去除(排出)第2清洗液體LC2。例如，也可以向第5流路27R以及第2流路24R中的至少一方，供給從供給源LQS送出的曝光液體LQ。圖12是示出執(zhí)行了第2沖洗處理的狀態(tài)的一個例子的圖。在第2沖洗處理中，也與浸液構件7相向地配置了虛設基板DP?？刂蒲b置8為了用沖洗液體LH沖洗浸液構件7，開始供給沖洗液體LH。另外，也可以以形成了第2清洗液體LC2的浸液空間LT2的狀態(tài)，開始供給沖洗液體LH?？刂蒲b置8開始從第I供給口 21供給沖洗液體LH?？刂蒲b置8在使從第2供給口 22的清洗液體LC供給停止了的狀態(tài)下，從第I供給口 21對空間SPl供給沖洗液體LH。如上所述，在本實施方式中，作為沖洗液體LH，使用曝光液體LQ。在第2沖洗處理中，與從第I供給口 21的沖洗液體LH (曝光液體LQ)的供給并行地，執(zhí)行從回收口 20的液體(包括第2清洗液體LC2以及沖洗液體LH中的至少一方)回收。由此，在終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間由沖洗液體LH形成浸液空間LSh。 如圖12所示，在沖洗處理中，從供給源LQS送出沖洗液體LH(曝光液體LQ)。從供給源LQS供給的沖洗液體LH經由第I流路23R以及第I內部流路21R，被供給到第I供給口 21。第I供給口 21將沖洗液體LH供給到空間SPl。供給到空間SPl的沖洗液體LH經由開口 7K流入空間SP2。沖洗液體LH與包括下表面14的浸液構件7的表面的至少一部分接觸。通過沖洗液體LH對浸液構件7的表面進行沖洗。沖洗液體LH能夠去除殘留在浸液構件7的表面的第2清洗液體LC2。通過從第I供給口 21供給的沖洗液體LH與浸液構件7接觸，能夠去除殘留在該浸液構件7中的第2清洗液體LC2。在本實施方式中，沖洗液體LH是純水，第2清洗液體LC2是過氧化氫水溶液。因此，沖洗液體LH能夠去除殘留在浸液構件7中的第2清洗液體LC2?；厥湛?20回收從第I供給口 21供給到浸液構件7的表面的至少一部分的沖洗液體LH?；厥湛?20回收空間SP2的沖洗液體LH。從浸液構件7的表面去除的第2清洗液體LC2與沖洗液體LH —起從回收口 20回收。在本實施方式中，在第2沖洗處理中，執(zhí)行從第2供給口 22的液體回收。第2供給口 22能夠連接到真空系統(tǒng)，能夠作為液體的回收口發(fā)揮功能。即，在本實施方式中，與從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給并行地，執(zhí)行從回收口 20以及第2供給口 22的液體回收。通過從第2供給口 22回收液體，殘留在第2內部流路22R以及第2流路24R等中的第2清洗液體LC2被去除。用沖洗液體LH對第2內部流路22R以及第2流路24R等進行沖洗。從回收口 20回收的沖洗液體LH流經第3內部流路20R以及第3流路25R。從第2供給口 22回收的沖洗液體LH流經第2內部流路22R以及第2流路24R。在本實施方式中，通過流路切換機構30調整流路，以使從回收口 20回收的沖洗液體LH從第3排出口 33排出。由此，供給到浸液構件7并從回收口 20回收的沖洗液體LH從第3排出口 33排出。從第3排出口 33排出的沖洗液體LH被供給到第3收容構件43。這樣，在本實施方式中，在沖洗液體LH的供給以及回收中，從回收口 20回收的沖洗液體LH從第3排出口 33排出。另外，從第2供給口 22回收的沖洗液體LH經由第2內部流路22R、第2流路24R、以及第5流路27R，送到流路切換機構39。通過流路切換機構39調整流路，以使從第2供給口 22回收的沖洗液體LH被送到第3收容構件43。控制裝置8將從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給、和從回收口 20以及第2供給口 22的沖洗液體LH的回收執(zhí)行規(guī)定期間。另外，也可以在第2沖洗處理中，從第I、第2供給口 21、22供給沖洗液體1^，并且從回收口 20回收該供給的沖洗液體LH。另外，也可以在第2沖洗處理中，在從第I供給口 21供給沖洗液體LH并且進行從回收口 20以及第2供給口 22的回收之后，停止從第2供給口 22回收，從第I供給口 21供給沖洗液體LH并且進行從回收口 20的回收。另外，也可以在第2沖洗處理中，不進行從第2供給口 22的回收。在本實施方式中，執(zhí)行從第I供給口 21供給沖洗液體LH和從回收口 20回收沖洗液體LH的并行動作，以使從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為預先規(guī)定的規(guī)定濃度以下?！ぴ诒緦嵤┓绞街?，在第2沖洗處理中，通過檢測裝置40檢測從回收口 20回收的沖洗液體LH的特性。在本實施方式中，檢測裝置40檢測從回收口 20回收并流經第3流路25R的沖洗液體LH的電導率。檢測裝置40的檢測結果輸出到控制裝置8。在本實施方式中，控制裝置8根據檢測裝置40的檢測結果，求出從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度，進而求出沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度?？刂蒲b置8直至至少從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下為止,將從第I供給口 21供給沖洗液體LH和從回收口 20回收沖洗液體LH的并行動作執(zhí)行規(guī)定期間。在本實施方式中，直至至少回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度成為預先規(guī)定的容許值以下為止，繼續(xù)第2沖洗處理(沖洗液體LH的供給和回收)。例如，直至從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度成為1%以下為止，繼續(xù)第2沖洗處理。在從回收口 20回收沖洗液體LH時，該回收到的沖洗液體LH從第3排出口 33排出。如上所述，在本實施方式中，第2沖洗處理包括從第3排出口 33排出從回收口 20回收的沖洗液體LH的處理。在本實施方式中，在第2沖洗處理之后，執(zhí)行第3沖洗處理(步驟 SA6)。圖13是示出執(zhí)行了第3沖洗處理的狀態(tài)的一個例子的圖。如圖13所示，在本實施方式中，第3沖洗處理包括從第I排出口 31排出從回收口 20回收的沖洗液體LH的處理。在本實施方式中，直至至少沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定濃度為止，執(zhí)行包括如下動作的第2沖洗處理從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給動作、從回收口 20的沖洗液體LH的回收動作、以及該回收到的沖洗液體LH從第3排出口 33的排出動作。即，直至回收到的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定濃度為止，針對回收的沖洗液體LH，執(zhí)行從第3排出口 33排出該沖洗液體LH的處理。從第3排出口 33排出的沖洗液體LH被收容到第3收容構件43。在本實施方式中，直至該沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將從回收口 20回收的沖洗液體LH收容到第3收容構件43。在所回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下之后，控制裝置8執(zhí)行從第I供給口 21供給沖洗液體LH和從回收口 20回收沖洗液體LH的并行動作，并且控制流路切換機構30來調整流路，以使從回收口 20回收的沖洗液體LH從第I排出口 31排出。S卩，控制裝置8根據檢測裝置40的檢測結果，求出所回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度，并根據該濃度，控制流路切換機構30，從第3排出口33的排出動作切換為第I排出口 31的排出動作。在本實施方式中，控制裝置8直至所回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定濃度為止，從第3排出口 33排出所回收的沖洗液體LH，在該第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下之后，從第I排出口 31排出回收的沖洗液體LH。在所回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下之 后，控制裝置8也執(zhí)行從第I供給口 21供給沖洗液體LH和從回收口 20 (第2供給口 22)回收沖洗液體LH的并行動作。在所回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度之后，針對所回收的沖洗液體LH，執(zhí)行從第I排出口 31排出該沖洗液體LH的處理。這樣，在本實施方式中，第2沖洗處理和第3沖洗處理連續(xù)地執(zhí)行。在第2沖洗處理中，在從回收口 20回收沖洗液體LH時，從第3排出口 33排出該沖洗液體LH，在該回收中控制流路切換機構30，接著從該第3排出口 33的排出，在第3沖洗處理中，從第I排出口 31排出沖洗液體LH。從第I排出口 31排出的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度是規(guī)定濃度以下。另外，也可以在使從第I供給口 21的沖洗液體LH供給、和從回收口 20的沖洗液體LH回收的至少一方停止之后，通過流路切換機構30從第3排出口 33的排出切換為第I排出口 31的排出之后，作為第3沖洗處理，再次開始從第I供給口 21供給沖洗液體LH、和從回收口 20回收沖洗液體LH的并行動作。在沖洗液體LH的回收中，從第I排出口 31排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度低于從第3排出口 33排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度。另外，從第I排出口 31排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度低于從第2供給口 22向浸液構件7供給的第2清洗液體LC2中包含的過氧化氫的濃度。在本實施方式中，在執(zhí)行第2清洗處理后的第2沖洗處理的第I期間從回收口 20回收的沖洗液體LH從第3排出口 33排出，在執(zhí)行第2沖洗處理后的第3沖洗處理的第2期間從回收口 20回收的沖洗液體LH從第I排出口 31排出。相比于第2沖洗處理(第I期間)中的回收時，在第3沖洗處理(第2期間)中的回收時，所回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度更低。由此，在第3沖洗處理中從第I排出口 31的第2清洗液體LC2的排出被抑制。由于執(zhí)行第2沖洗處理以使在第3沖洗處理中抑制從第I排出口 31的第2清洗液體LC2的排出，所以能夠降低例如從第I排出口 31排出的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2 (過氧化氫)的濃度。另外，能夠降低例如第I收容構件41的沖洗液體LH (曝光液體LQ)中包含的第2清洗液體LC2的濃度。在從第I排出口 31排出的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度高的情況下，存在如下可能性在該沖洗液體LH的處理(廢液處理)中需要時間、或者該處理變得煩雜。在本實施方式中，執(zhí)行第2沖洗處理，以使在第3沖洗處理中從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為不對廢液處理造成影響的規(guī)定濃度以下，所以能夠順利地執(zhí)行該廢液處理。在本實施方式中，針對在第2沖洗處理中從第3排出口 33排出的沖洗液體LH執(zhí)行第I處理，針對在第3沖洗處理中從第I排出口 31排出的沖洗液體LH執(zhí)行與第I處理不同的第2處理。如上所述，從第3排出口 33排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度高，從第I排出口 31排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度低。在本實施方式中，針對在第2沖洗處理中從第3排出口 33排出的沖洗液體LH的處理(第I處理)與針對在第2清洗處理中從第3排出口 33排出的第2清洗液體LC2的處理相同。在本實施方式中，對在第2清洗處理中從第3排出口 33排出的第2清洗液體LC2進行廢棄處理，對從第3排出口 33排出的沖洗液體LH也進行廢棄處理。S卩，在本實施方式中，第I處理包括廢棄從第3排出口 33排出的沖洗液體LH的處理。另一方面，對于在第3沖洗處理中從第I排出口 31排出的沖洗液體LH，也可以不廢棄而再利用。即，第2處理包括再利用的處理。例如，也可以將在第3沖洗處理中從第I排出口 31排出的沖洗液體LH再利用為曝光液體LQ，也可以用于驅動系統(tǒng)4、5的溫度調整。 另外，第2處理也可以是廢棄從第I排出口 31排出的沖洗液體LH的處理。在第I、第2處理分別是廢棄所排出的沖洗液體LH的處理的情況下，在第I處理和第2處理中，直至廢棄所排出的沖洗液體LH為止的工序也可以不同。例如，第2處理的工序也可以少于第I處理。例如，過氧化氫的濃度低的沖洗液體LH在從第I排出口 31排出之后，可以原樣地廢棄。另一方面，過氧化氫的濃度高的沖洗液體LH在從第3排出口 33排出之后，有可能無法原樣地廢棄。同樣地，在第2清洗處理中從第3排出口 33排出的第2清洗液體LC2也有可能無法原樣地廢棄。在廢棄時，有可能需要例如用規(guī)定的液體(例如水)來稀釋過氧化氫的濃度高的沖洗液體LH的處理、使用催化劑來降低過氧化氫的濃度的處理等工序。同樣地，在廢棄第2清洗液體LC2時，也有可能需要規(guī)定數的工序。另外，在廢棄時，即使在需要針對從第I排出口 31排出的沖洗液體LH的處理的情況下，也存在如下可能性針對從第I排出口 31排出的沖洗液體LH的處理的工序數少于針對從第3排出口 33排出的沖洗液體LH的處理也可以。另外，在本實施方式中，從第I排出口31排出的沖洗液體LH被收容到第I收容構件41，從第3排出口 33排出的沖洗液體LH被收容到第3收容構件43。在本實施方式中，在第3收容構件43中，收容在第3沖洗處理中從第3排出口 33排出的沖洗液體LH、和在第2清洗處理中從第3排出口 33排出的第2清洗液體LC2。在第I收容構件41中，收容在曝光處理中從第I排出口 31排出的曝光液體LQ、和在第3沖洗處理中從第I排出口 31排出的沖洗液體LH。在本實施方式中，收容在第I收容構件41中的液體中包含的過氧化氫的濃度低。因此，在廢棄時，針對收容在第I收容構件41中的液體的處理簡單也可以。在本實施方式中，在第2沖洗處理和第3沖洗處理中，分開了排出所回收的沖洗液體LH的排出口，所以能夠充分降低在第3沖洗處理中從第I排出口 31排出的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度。因此，能夠順利地執(zhí)行該沖洗液體LH的處理。另外，在本實施方式中，也可以將執(zhí)行第2沖洗處理的第I期間設為比執(zhí)行第3沖洗處理的第2期間短。即使第I期間短，也能夠充分去除在第2清洗處理中殘留在浸液構件7中的第2清洗液體LC2。另外，通過延長第2期間，能夠增大例如從第I排出口 31排出并在第I收容構件41中收容的沖洗液體LH的量。由此，收容在第I收容構件41中的液體中包含的過氧化氫的濃度被降低。在第3沖洗處理結束之后，控制裝置8執(zhí)行從基板載臺2搬出(卸載)虛設基板DP的處理(步驟SA7)?？刂蒲b置8為了從基板載臺2 (基板保持部11)搬出虛設基板DP，使該基板載臺2移動到基板交換位置。也可以在從基板載臺2搬出了虛設基板DP之后，控制裝置8執(zhí)行包括基板P的曝光處理的曝光順序。另外，如上所述，在第I清洗處理(SA2)中，用第I清洗液體LCl形成浸液空間LTl。由此，能夠使第I清洗液體LCl良好地接觸到在基板P的曝光中與浸液空間LS的曝光液體LQ接觸的浸液構件7的表面。同樣地，在第2清洗處理(SA4)中，用第2清洗液體LC2形成浸液空間LT2，所以能夠使第2清洗液體LC2接觸到浸液構件7的表面。另外，在沖洗處理(SA3、SA5、SA6)中，用沖洗液體LH形成浸液空間LSh，所以能夠使沖洗液體LH接觸到浸液 構件7的表面。另外，在第I清洗處理(SA2)中，從第2供給口 22向浸液構件7的表面供給第I清洗液體LCl并且從回收口 20回收第I清洗液體LC1，所以能夠使從第2供給口 22供給的干凈的第I清洗液體LCl連續(xù)接觸到浸液構件7的表面。同樣地，在第2清洗處理(SA4)中，能夠使從第2供給口 22供給的干凈的第2清洗液體LC2連續(xù)接觸到浸液構件7的表面，在沖洗處理(SA3、SA5、SA6)中，能夠使從第I供給口 21供給的干凈的沖洗液體LH連續(xù)接觸到浸液構件7的表面。另外，在上述步驟SA2 SA6中，與液體(第I清洗液體LC1、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個)的供給一起進行回收，所以抑制從浸液構件7的表面去除的異物等附著到虛設基板DP的表面。另外，通過從回收口 20 (孔19H)回收清洗液體LC (LCl、LC2)，從而使清洗液體LC不僅接觸到下表面19B，而且還能夠接觸到孔19H的內面、以及上表面19A，能夠用清洗液體LC良好地清洗下表面19B、孔19H的內面、以及上表面19A。另外，通過從回收口 20(孔19H)回收沖洗液體LH，從而使沖洗液體LH不僅接觸到下表面19B，而且還能夠接觸到孔19H的內面、以及上表面19A，能夠用沖洗液體LH良好地沖洗下表面19B、孔19H的內面、以及上表面 19A。另外，在上述步驟SA2 SA6的至少一部分中，控制裝置8也可以在終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間形成了浸液空間(LTl、LT2、LSh)的狀態(tài)下，控制基板載臺2，來使虛設基板DP在XY平面內移動。由此，浸液空間的液體的界面(LGl、LG2、LGh)移動，能夠使液體(LC1、LC2、LH)接觸到浸液構件7的下表面14的寬區(qū)域。另外，液體的界面相對下表面14移動，所以能夠提高清洗效果或者沖洗效果。另外，通過使虛設基板DP移動，由此在浸液空間中在液體中產生流動，所以能夠提高清洗效果或者沖洗效果。另外，也可以不使虛設基板DP移動。另外，在本實施方式中，也可以控制虛設基板DP (基板載臺2)相對浸液構件7的移動范圍，以使浸液空間(LTl、LT2、LSh)不向虛設基板DP的外側露出，換言之，以使浸液空間僅形成在虛設基板DP上，且不使浸液空間的液體(LC1、LC2、LH)接觸到虛設基板DP的外側的上表面2F。另外，浸液空間(LTl、LT2、LSh)也可以露出虛設基板DP的外側。例如，也可以使液體(LC1、LC2、LH)接觸到上表面2F。另外，也可以使液體接觸到測量載臺3，也可以使液體接觸到虛設基板DP、基板載臺2、以及測量載臺3以外的物體。在上述步驟SA2 SA6的至少一部分中，在使虛設基板DP移動的情況下，在上述步驟SA2 SA6中的每一步驟中，也可以使虛設基板DP相對浸液構件7的移動范圍(基板載臺2的移動路徑)不同。另外，也可以在上述步驟SA2 SA6中的至少一個步驟中，使虛設基板DP相對浸液構件7的移動范圍(基板載臺2的移動路徑)不同。例如，在步驟6中，也可以設置僅在虛設基板DP上形成浸液空間的期間、和以橫跨在虛設基板DP表面和上表面2F的方式形成浸液空間的期間。在該情況下，也可以在僅在虛設基板DP上形成浸液空間的期間之后，設置以橫跨在虛設基板DP的表面和上表面2F的方式形成浸液空間的期間。另外，在本實施方式中，使用虛設基板DP執(zhí)行了清洗順序，但也可以在上述步驟SA2 SA6中的至少一部分中，不使用虛設基板DP。例如，也可以在終端光學元件12以及浸液構件7與測量載臺3之間形成了浸液空間的狀態(tài)下，執(zhí)行上述步驟SA2 SA6中的至少一個步驟。 如以上說明，根據本實施方式,使所回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度降低為規(guī)定濃度以下，所以能夠順利地執(zhí)行該沖洗液體LH的處理。因此，能夠抑制例如包括曝光裝置EX的器件制造系統(tǒng)SYS的運轉率的降低、處理成本的增大等。另外，在本實施方式中，作為使回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理的一個例子，執(zhí)行了沖洗液體LH的供給和回收的并行動作，但例如也可以是如下處理設定在第2清洗處理的結束后(第2清洗液體LC2的供給停止之后)、并且在第2沖洗處理的開始前(沖洗液體LH的供給開始前)停止向浸液構件7供給沖洗液體LH的停止期間。例如,執(zhí)行如下處理停止供給第2清洗液體LC2，并回收第2清洗液體LC2，從而消除浸液空間LT2。停止期間被設定為比直到第2清洗液體LC2開始汽化為止的時間長。由此，例如殘留在浸液構件7中的第2清洗液體LC2汽化而從浸液構件7去除。在停止期間之后，開始供給用于第2沖洗處理的沖洗液體LH。殘留在浸液構件7中的第2清洗液體LC2的至少一部分被汽化而從浸液構件7去除，所以在剛剛開始供給沖洗液體LH之后從回收口 20回收的沖洗液體LH中的第2清洗液體LC2的濃度被降低。另外，停止期間也可以繼續(xù)到在剛剛開始供給沖洗液體LH之后從回收口 20回收的沖洗液體LH中的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下。由此，在第2沖洗處理中從回收口 20回收并從第3排出口 33排出的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下。對于從該第3排出口 33排出的沖洗液體LH，例如再利用、或者原樣地廢棄。在該情況下，第3沖洗處理既可以省略也可以不省略。另外，停止期間也可以比直到第2清洗液體LC2開始汽化為止的時間短。通過執(zhí)行如下處理，即停止供給第2清洗液體LC2并回收第2清洗液體LC2而消除浸液空間LT2，從而能夠降低在停止期間之后供給并回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度。另外，在本實施方式中，在與浸液構件7相向地配置了虛設基板DP的狀態(tài)下，供給了第I清洗液體LC1、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH，但也可以在例如與浸液構件7相向地配置了基板載臺2的狀態(tài)下，供給第I清洗液體LC1、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個，也可以在配置了測量載臺3的狀態(tài)下進行供給，也可以在配置了虛設基板DP、基板載臺2、以及測量載臺3以外的物體的狀態(tài)下進行供給。另外，作為使回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理，也可以執(zhí)行例如在該沖洗液體LH中添加能夠使過氧化氫降低的催化劑的處理。例如，也可以與沖洗液體LH的供給以及回收并行地，在沖洗液體LH中添加催化劑。催化劑也可以添加到從回收口 20回收的沖洗液體LH，也可以添加到從第I供給口 21供給的沖洗液體LH。在該情況下，第3沖洗處理既可以省略也可以不省略。另外，也可以例如針對回收的沖洗液體LH，在第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定濃度以前執(zhí)行添加催化劑的處理，并且通過該處理而第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下之后，執(zhí)行不添加催化劑的處理。另外，也可以在執(zhí)行添加催化劑的處理的期間中，執(zhí)行從第3排出口 33排出所回收的沖洗液體LH的處理，在不添加催化劑的期間中，執(zhí)行從第I排出口 31排出所回收的沖洗液體LH的處理。這些處理也可以與沖洗液體LH的供給以及回收并行地執(zhí)行?！?br> 另外，在本實施方式中，從第3排出口 33排出在執(zhí)行第2沖洗處理的第I期間從回收口 20回收的沖洗液體LH，從第I排出口 31排出在執(zhí)行第3沖洗處理的第2期間從回收口 20回收的沖洗液體LH，對從第3排出口 33排出的沖洗液體LH執(zhí)行第I處理，對從第I排出口 31排出的沖洗液體LH執(zhí)行第2處理。另外，例如，也可以對在第2沖洗處理中的規(guī)定的期間(以下，稱為第3期間)從回收口 20回收并從第3排出口 33排出的沖洗液體LH執(zhí)行第I處理，對在該第3期間之后的第4期間從回收口 20回收并從第3排出口 33排出的沖洗液體LH執(zhí)行第2處理。在該情況下，在第4期間中回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度比在第3期間中回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度低。另外，也可以在第I清洗處理之后，在第I沖洗處理中的沖洗液體LH的回收中，例如從第2排出口 32排出從回收口 20回收的沖洗液體LH，并且接著從該第2排出口 32的排出，從與第2排出口 32不同的排出口(例如第I排出口 31)排出沖洗液體LH。另外，例如，也可以對在第I沖洗處理中的規(guī)定的期間(以下，稱為第5期間)從回收口 20回收并從第2排出口 32排出的沖洗液體LH執(zhí)行第3處理，對在該第5期間之后的第6期間從回收口 20回收并從第2排出口 32排出的沖洗液體LH執(zhí)行與第3處理不同的第4處理。在該情況下，在第6期間回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度比在第5期間回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度低。另外，作為第3處理，也可以執(zhí)行與上述第I處理同樣的處理，作為第4處理，也可以執(zhí)行與上述第2處理同樣的處理。另外，也可以在上述第I期間以及第2期間中的至少第I期間中，對供給到浸液構件7的沖洗液體LH提供振動。圖15是示出對沖洗液體LH提供振動的狀態(tài)的一個例子的圖。在本實施方式中，測量載臺3具備能夠發(fā)生超聲波振動的超聲波發(fā)生裝置50。超聲波發(fā)生裝置50具備驅動裝置51和與驅動裝置51連接的振動構件52。在本實施方式中，振動構件52是搭載于測量載臺3的桿狀的構件。振動構件52例如由石英形成。驅動裝置51包括晶體振子或者PZT (鋯鈦酸鉛)那樣的壓電元件、和驅動壓電元件的電路。測量載臺3在上表面3F具有凹部，振動構件52配置于該凹部。在凹部的上端的周圍，配置了測量載臺3的上表面3F。測量載臺3的上表面3F和振動構件52的上表面配置于大致同一平面內(一面)。在振動構件52的上表面與測量載臺3的上表面3F之間，形成了規(guī)定的間隙。驅動裝置51與振動構件52連接。在本實施方式中，驅動裝置51在凹部的內側與振動構件52的下表面連接。驅動裝置51使振動構件52超聲波振動。通過控制裝置8控制驅動裝置51。控制裝置8利用驅動裝置51使振動構件52超聲波振動?？刂蒲b置8通過在浸液構件7的下表面14、與振動構件52的上表面以及測量載臺3的上表面3F之間用沖洗液體LH形 成了浸液空間LSh的狀態(tài)下用驅動裝置51使與該沖洗液體LH接觸的振動構件52振動(超聲波振動)，從而能夠對沖洗液體LH提供振動(超聲波振動)。由此，能夠提高沖洗效果。另外，在圖15所示的例子中，關于針對光路K的放射方向，在回收口 20的外側，配置了能夠吸引流體的吸引口 53。吸引口 53設置于吸引構件54，該吸引構件54配置于浸液構件7的周圍的至少一部分。例如在基板P的曝光時，吸引口 53能夠在界面LGq的外側吸引氣體。另外，在曝光液體LQ向回收口 20的外側流出的情況、或者浸液空間LS的曝光液體LQ的一部分分離而向該浸液空間LS的外側露出的情況下，吸引口 53也能夠吸引該曝光液體LQ。由此，在基板P的曝光時，能夠抑制曝光液體LQ向吸引口 53的外側露出。另外，吸引口 53也可以設置于浸液構件7。如圖15所示，在清洗順序中，吸引口 53能夠回收液體(第I清洗液體LC1、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個)。在圖15所示的例子中，對空間SP2，從第I供給口 21供給沖洗液體LH，并且從回收口 20 (多孔構件19的孔19H)也供給沖洗液體LH。在圖15中，沖洗處理中的浸液空間LSh的大小大于曝光處理中的浸液空間LS的大小。另夕卜，浸液空間的大小是指，與下表面14大致平行的XY平面內的大小。從吸引口 53回收從第I供給口 21以及回收口 20供給的沖洗液體LH。另外，在圖15所示的例子中，對從第I供給口 21 (回收口 20)供給到空間SP2的沖洗液體LH提供了振動，但也可以例如在第I內部流路21R以及第I流路23R中的至少一方中配置振子，并對供給到第I供給口 21之前的沖洗液體LH提供振動。同樣地，也可以在第3內部流路23R中配置振子，并對從回收口 20供給之前的沖洗液體LH提供振動。另外，也可以在第2期間中，對沖洗液體LH提供振動(超聲波振動)。另外，在第I期間以及第2期間中對沖洗液體LH提供振動的情況下，也可以在第2期間中，對供給到浸液構件7的沖洗液體LH，以與第I期間不同的振動條件提供振動。振動條件包括例如振動頻率、振幅、以及振動時間中的至少一個。例如，也可以在第I期間中，以第I振動頻率提供振動，在第2期間中，以與第I振動頻率不同的第2振動頻率提供振動。第I振動頻率既可以大于第2振動頻率也可以小于第2振動頻率。另外，也可以在第I期間中，以第I振幅提供振動，在第2期間中，以與第I振幅不同的第2振幅提供振動。第I振幅既可以大于第2振幅也可以小于第2振幅。另外，也可以在第I期間中，以第I時間提供振動，在第2期間中，以與第I時間不同的第2時間提供振動。第I時間既可以大于第2時間也可以小于第2時間。另外，也可以例如在第2期間中，對供給到浸液構件7的沖洗液體LH提供振動，并且在該第2期間的途中變更振動條件。當然，也可以在第I期間的途中變更振動條件。另外，既可以對第I清洗處理中的第I清洗液體LCl提供振動，也可以對第I沖洗處理中的沖洗液體LH提供振動，也可以對第2清洗處理中的第2清洗液體LC2提供振動。另外，在這些液體(第I清洗液體LC1、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個)的供給動作的途中，變更對該液體提供的振動條件。另外，也可以在虛設基板DP配置超聲波發(fā)生裝置，并使該超聲波發(fā)生裝置工作來對浸液構件7與虛設基板DP之間的液體提供超聲波振動。另外，也可以在基板載臺2配置超聲波發(fā)生裝置，并使該超聲波發(fā)生裝置工作來對浸液構件7與基板載臺2之間的液體提供超聲波振動。另外，在圖15的實施方式中，從回收口 20 (多孔構件19的孔19H)也供給了沖洗液體LH，但如在上述圖f圖14的實施方式中說明那樣供給有沖洗液體LH時，也可以對沖洗液體LH提供超聲波振動。在該情況下，也可以不像圖15那樣設置吸引口 53，而對沖洗液體LH提供超聲波振動。另外，在本實施方式中，也可以調整在浸液構件7與物體(虛設基板DP、基板載臺 2、以及測量載臺3中的至少一個)之間形成的浸液空間(LT1、LT2、LSh等)的大小。S卩，也可以變更形成浸液空間的液體在下表面14中的接觸面積。在本實施方式中，浸液空間的大小是指，在下表面14與和該下表面14相向的物體的上表面之間，與下表面14大致平行的XY平面內的大小。例如，通過不變更從回收口 20的每單位時間的沖洗液體LH的回收量(空間SP2的壓力與第3內部流路20R的壓力之差)而增大從第I供給口 21的每單位時間的沖洗液體LH的供給量，從而能夠增大浸液空間LSh，并通過減少供給量來能夠減小浸液空間LSh0另外，例如，通過不變更從第I供給口 21的每單位時間的沖洗液體LH的供給量而減少從回收口 20的每單位時間的沖洗液體LH的回收量，從而能夠增大浸液空間LSh，并通過增大回收量來能夠減小浸液空間LSh。當然，也可以調整沖洗液體LH的供給量和回收量這雙方。通過使浸液空間LSh的大小發(fā)生變化，在下表面14與物體的上表面之間，界面LGh的位置(相對曝光光EL的光路的放射方向的位置)發(fā)生變化。由此，能夠提高沖洗效果。同樣地，也可以調整第I清洗液體LCl的供給量以及回收量中的至少一方，來調整在浸液構件7與物體(例如虛設基板DP)之間由第I清洗液體LCl形成的浸液空間LTl的大小，也可以調整第2清洗液體LC2的供給量以及回收量中的至少一方，來調整在浸液構件7與物體之間由第2清洗液體LC2形成的浸液空間LT2的大小。另外，在上述實施方式中，以對浸液構件7進行清洗的情況為例子進行了說明，但能夠通過例如對基板載臺2 (包括平板構件T)供給清洗液體LC (LC1、LC2)來對該基板載臺2進行清洗處理。另外，能夠通過對基板載臺2供給沖洗液體LH來對該基板載臺2進行沖洗處理。另外，能夠通過對測量載臺3 (包括測量構件C)供給清洗液體LC (LC1、LC2)來對該測量載臺3進行清洗處理。另外，能夠通過對測量載臺3供給沖洗液體LH來對該測量載臺3進行沖洗處理。另外，在基板載臺2是例如美國專利申請公開第2007/0288121號說明書等公開那樣的、具備能夠與編碼器頭相向的標尺構件的情況下，也可以對該標尺構件供給清洗液體LC，也可以供給沖洗液體LH。另外，在本實施方式中，經由浸液構件7的第2供給口 22供給了清洗液體LC，但清洗液體LC的供給部位不限于此。例如，也可以經由浸液構件7的第I供給口 21供給清洗液體LC。例如，通過經由切換機構將第2流路24R連接到第I流路23R的一部分，從而能夠將流經第2流路24R的清洗液體LC經由第I供給口 21來供給。在該情況下，也可以為了避免清洗液體LC從切換機構送出到供給源LQS而設置逆流防止裝置。另外，例如，也可以經由浸液構件7的回收口 20供給清洗液體LC。在該情況下，也可以關于圖15所示那樣的相對光路K的放射方向在回收口 20的外側，設置能夠吸引流體的吸引口 53，并回收經由回收口 20供給的清洗液體LC。另外，在本實施方式中，經由浸液構件7的供給口(21、22)進行了液體(第I、第2清洗液體LC1、LC2、沖洗液體LH)的供給，經由浸液構件7的回收口(20)進行了液體的回收，但也可以從設置在與浸液構件7相向的物體(基板載臺2、測量載臺3、以及虛設基板DP等)中的供給口供給液體，也可以從設置在該物體中的回收口回收液體。另外，在本實施方式中，在清洗順序的各步驟342、543、544、545、5八6中，使用了同一虛設基板DP，但也可以針對各步驟的每一個步驟交換虛設基板DP，也可以針對所使用的每個液體交換虛設基板DP。例如，也可以在虛設基板DP上供給第I、第2清洗液體LC1、LC2中的至少一方時，使用表面由透明涂層形成的虛設基板DP，在供給沖洗液體LH時，使用表面由HMDS形成的虛設基板DP。
〈第2實施方式>接下來，說明第2實施方式。在以下的說明中，對與上述實施方式等同的構成部分附加相同符號，簡化或者省略其說明。在本實施方式中，例如在第2沖洗處理中，直至第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為不對廢液處理造成影響的規(guī)定濃度以下為止，繼續(xù)將從回收口 20回收的沖洗液體LH送出到第3收容構件43。在從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給和從回收口 20的回收中，將從該回收口20回收的沖洗液體LH送出到第3收容構件43，所以第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度逐漸降低。即，將通過與從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給動作并行地執(zhí)行的回收口 20的回收動作而回收的沖洗液體LH從第3排出口 33繼續(xù)供給到第3收容構件43，所以第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度逐漸降低，不久會成為規(guī)定濃度以下。由此，能夠順利地執(zhí)行第3收容構件43中收容的沖洗液體LH的廢液處理。另外，在該情況下，也可以省略將沖洗液體LH的排出從第3排出口 33切換到第I排出口 31的動作(從第2沖洗處理轉移到第3沖洗處理的動作)。例如，對于第3收容構件43中收容的沖洗液體LH，既可以原樣地廢棄，也可以不廢棄而再利用。即，對第3收容構件43中收容的沖洗液體LH，可以執(zhí)行在上述第I實施方式中說明的第2處理。另外，在例如廢棄包含規(guī)定濃度以下的第2清洗液體LC2的沖洗液體LH時，即使在需要執(zhí)行規(guī)定的處理的情況下，該處理的工序數也可以少于在對包含比規(guī)定濃度更多的第2清洗液體LC2的沖洗液體LH進行廢棄等時執(zhí)行的處理的工序數。另外，如圖16的示意圖所示，也可以在第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到了規(guī)定濃度之后，也繼續(xù)將從回收口 20回收的沖洗液體LH繼續(xù)送出到第3收容構件43。由此，能夠進一步降低第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度。在該情況下，也可以省略將沖洗液體LH的排出從第3排出口 33切換到第I排出口 31的動作(從第2沖洗處理轉移到第3沖洗處理的動作)。
另外，也可以在將從回收口 20回收的沖洗液體LH收容于第3收容構件43之前，在該第3收容構件43中收容有沖洗液體LH。由此，也能夠使第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下。也可以對該第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下的沖洗液體LH執(zhí)行第2處理。另外，也可以相對于第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度，從回收口 20回收并供給到第3收容構件43的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度高。另外，如圖17的示意圖所示，也可以為了使第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下，將與第2清洗液體LC2不同的規(guī)定液體LE送出到第3收容構件43。將該規(guī)定液體LE既可以不經由浸液構件7而供給到第3收容構件43，也可以經由浸液構件7供給到第3收容構件43。例如，將該規(guī)定液體LE，也可以不經由浸液構件7而從規(guī)定的液體供給裝置500供給到第3收容構件43，也可以由作業(yè)者進行供給。另外，關于該規(guī)定液體LE向第3收容構件43的送出，既可以在停止了將從 回收口 20回收的沖洗液體LH送出到第3收容構件43的狀態(tài)下進行，也可以在將從回收口20回收的沖洗液體LH送出到第3收容構件43的狀態(tài)下進行。另外，該規(guī)定液體LE也可以是例如沖洗液體LH。即，規(guī)定液體LE也可以是水。另夕卜，供給到第3收容構件43的規(guī)定液體LE的干凈度也可以低于沖洗液體LH(曝光液體LQ)的干凈度。即，規(guī)定液體LE雖然是與沖洗液體LH相同的成分，但其干凈度也可以不同。另夕卜，規(guī)定液體LE與沖洗液體LH的溫度也可以不同。另外，規(guī)定液體LE也可以是例如乙醇那樣的酒精等水以外的液體。另外，也可以在第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定濃度之前，停止向第3收容構件43送出從回收口 20回收的沖洗液體LH。例如，也可以通過停止從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給和從回收口 20的沖洗液體LH的回收，來停止向第3收容構件43送出沖洗液體LH。也可以在停止該送出之后，直至第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，繼續(xù)將從回收口 20回收的沖洗液體LH送出到第3收容構件43。即，既可以從第3排出口 33對第3收容構件43連續(xù)地供給沖洗液體LH，也可以斷續(xù)地進行供給。另外，關于第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度是否變?yōu)橐?guī)定濃度以下的判斷，既可以根據上述檢測裝置40的檢測結果來判斷，也可以在第3收容構件43中設置與上述檢測裝置40同樣的檢測裝置，并檢測第3收容構件43中收容的沖洗液體LH的特性，來判斷第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度是否為規(guī)定濃度以下。另外，也可以在第2收容構件42中設置與上述檢測裝置40同樣的檢測裝置，檢測第2收容構件42中收容的沖洗液體LH的特性，來判斷第2收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度是否為規(guī)定濃度以下。在第2收容構件42和第3收容構件43中設置了檢測沖洗液體LH的特性的檢測裝置的情況下，也可以省略上述檢測裝
置40。另外，在將從回收口 20回收的沖洗液體LH經由第3流路25R供給到第3收容構件43的情況下，也可以在該第3流路25R內的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定值以下之后，停止向第3收容構件43送出該回收的沖洗液體LH。能夠根據檢測裝置40的檢測結果，求出第3流路25R內的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度。規(guī)定值也可以低于規(guī)定濃度。即，控制裝置8也可以在根據檢測裝置40的檢測結果判斷為回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度低于規(guī)定濃度的情況下，停止向第3收容構件43送出該回收的沖洗液體LH。在停止該送出之后，將第2清洗液體LC2的濃度為規(guī)定值以下的沖洗液體LH，既可以供給到與第3收容構件43不同的構件(例如第I收容構件41 )，也可以再利用，也可以廢棄。另外，在停止向第3收容構件43送出回收的沖洗液體LH之后，也可以繼續(xù)從第I供給口 21供給沖洗液體LH和從回收口 20回收沖洗液體LH。也可以在停止該送出之后，例如，執(zhí)行將沖洗液體LH的排出從第3排出口 33切換到第I排出口 31的處理，以使得回收的沖洗液體LH被收容到第I收容構件41。另外，也可以廢棄該回收的沖洗液體LH。在本實施方式中，與從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給動作并行地執(zhí)行從回收口 20的回收動作，將從該回收口 20回收的沖洗液體LH經由第3流路25R從第3排出口·33供給到第3收容構件43。在第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到了規(guī)定濃度之后，第3流路25R內的從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度低于規(guī)定濃度。因此，即使對第3收容構件43繼續(xù)供給沖洗液體LH，也能夠抑制第3收容構件43中收容的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度上升。另外，此處，以如下情況為例子進行了說明，S卩，在第2清洗處理后的第2沖洗處理中，將回收的沖洗液體LH直至該沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下為止收容于第3收容構件43，但例如即使在第I清洗處理后的第I沖洗處理中，將回收的沖洗液體LH直至該沖洗液體LH中包含的第I清洗液體LCl的濃度成為規(guī)定濃度以下為止收容于第2收容構件42的情況下，也可以應用上述順序?！吹?實施方式>接下來，說明第3實施方式。在以下的說明中，對與上述實施方式相同或者等同的構成部分附加相同符號，簡化或者省略其說明。圖18是示出第3實施方式的清洗裝置600的一個例子的側剖面圖，圖19是從上方觀察了清洗裝置600的俯視圖。在本實施方式中，以使用能夠與浸液構件7相向的清洗裝置600對浸液構件7進行清洗的情況為例子進行說明。在圖18以及圖19中，清洗裝置600具備能夠保持液體(第I清洗液體LCl、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個)的保持構件60。保持構件60具有平板狀的基座構件61、和與基座構件61的側面連接并從基座構件61向上方延伸的側壁構件62。在本實施方式中，側壁構件62具有第I側壁部621，形成能夠保持液體的空間SP3 ;以及第2側壁部622，配置于第I側壁部621的周圍，形成能夠在與第I側壁部621之間保持液體的空間SP4。空間SP3由基座構件61以及第I側壁部621規(guī)定。另外，保持構件60具有由第I側壁部621的上端規(guī)定的開口 63。開口 63大于浸液構件7。在清洗浸液構件7時，浸液構件7配置于開口 63的內側。另外，清洗裝置600具有向浸液構件7與保持構件60之間供給液體的供給口 64、和回收液體的回收口 65。在本實施方式中，清洗裝置600具有配置于空間SP3的導管構件66。供給口 64形成于導管構件66。在本實施方式中，導管構件66配置于基座構件61的上表面的+Y側的邊緣的外側、以及一 Y側的邊緣的外側的各個中。導管構件66在X軸方向上較長。導管構件66具有多個連接該導管構件66的內部空間和外部空間(空間SP3)的孔。在導管構件66中，在X軸方向上形成了多個孔。供給口 64配置于與空間SP3面對的孔的一端。供給口 64朝向空間SP3的中央供給液體。回收口 65由第I側壁部621的上端、和第2側壁部622的上端規(guī)定。在本實施方式中，以包圍第I側壁部621的上端的方式環(huán)狀地設置了回收口 65?；厥湛?65回收從第I側壁部621的上端溢出的液體。從第I側壁部621的上端溢出的空間SP3的液體被回收到回收口 65，經由該回收口 65流入到空間SP4。
在空間SP4的底部，形成了吸引口 67。在本實施方式中，吸引口 67小于回收口 65。在空間SP4的底部，配置了多個吸引口 67。吸引口 67吸引從回收口 65回收并存在于空間SP4中的液體來進行回收。圖20是示出能夠針對本實施方式的清洗裝置600進行液體的供給以及回收的液體系統(tǒng)100B的一個例子的圖。另外，在本實施方式中，清洗裝置600既可以是相對曝光裝置EX的外部裝置，也可以是曝光裝置EX的一部分。另外，液體系統(tǒng)100B既可以是相對曝光裝置EX的外部裝置，也可以是曝光裝置EX的一部分。另外，液體系統(tǒng)100B既可以是相對清洗裝置600的外部裝置，也可以是清洗裝置600的一部分。在本實施方式中，作為一個例子，以曝光裝置EX包括清洗裝置600并且液體系統(tǒng)100B是相對曝光裝置EX的外部裝置的情況為例子而進行說明。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100B具備流路形成構件23TB，具有供給到供給口 64的液體流過的流路23RB ;以及流路形成構件25TB，具有從回收口 65 (吸引口 67)回收的液體流過的流路25RB。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100B具備第I排出口 31B，排出從吸引口 67回收的液體；第2排出口 32B，與第I排出口 31B不同；以及第3排出口 33B，與第I、第2排出口 31B、32B不同。在本實施方式中，將從吸引口 67回收并送到流路25RB的液體送出到第I排出口31B、第2排出口 32B、以及第3排出口 33B中的至少一個。另外，在本實施方式中，液體系統(tǒng)100B具有第I排出口 31B、第2排出口 32B、以及第3排出口 33B，但曝光裝置EX也可以具有第I排出口 31B、第2排出口 32B、以及第3排出口 33B中的至少一個，清洗裝置600也可以具有第I排出口 31B、第2排出口 32B、以及第3排出口 33B中的至少一個。在本實施方式中，流路25RB的一端與吸引口 67連接，另一端與包括閥機構的流路切換機構30B連接。另外，液體系統(tǒng)100B具備與流路切換機構30B連接的流路形成構件31TB、32TB、33TB。流路形成構件31TB具有第I排出流路31RB。流路形成構件32TB具有第2排出流路32RB。流路形成構件33TB具有第3排出流路33RB。第I、第2、第3排出流路31RB、32RB、33RB各自的一端與流路切換機構30B連接。第I排出口 31B配置于第I排出流路31RB的另一端。第2排出口 32B配置于第2排出流路32RB的另一端。第3排出口33B配置于第3排出流路33RB的另一端。
流路切換機構30B切換流路，以使從吸引口 67回收并流經流路25RB的液體被送出到第I排出流路31RB (第I排出口 31B)、第2排出流路32RB (第2排出口 32B)、以及第3排出流路33RB (第3排出口 33B)中的至少一個。在本實施方式中，流路切換機構30B在將來自流路25RB的液體供給到第I排出口 31B時，能夠為了避免供給到第2、第3排出口32B、33B而調整流路。另外，流路切換機構30B在將來自流路25RB的液體供給到第2排出口 32B時，能夠為了避免供給到第I、第3排出口 31B、33B而調整流路。另外，流路切換機構30B在將來自流路25RB的液體供給到第3排出口 33B時，能夠為了避免供給到第I、第2排出口 31B、32B而調整流路。在本實施方式中，液體系統(tǒng)100B具備第I收容構件41B，能夠收容從第I排出口31B排出的液體；第2收容構件42B，能夠收容從第2排出口 32B排出的液體；以及第3收容構件43B，能夠收容從第3排出口 33B排出的液體。第I、第2、第3收容構件41B、42B、43B包括te。
在本實施方式中，流路23B的另一端與能夠供給曝光液體LQ的供給源LQS連接。供給源LQS既可以設置于液體系統(tǒng)100B，也可以是設置了曝光裝置EX(器件制造系統(tǒng)SYS)的工廠FA的設備。另外，曝光裝置EX也可以具備供給源LQS。在本實施方式中，流路23RB的一端與供給口 64連接，另一端與包括閥機構的流路切換機構38B連接。另外，對流路切換機構38B連接由流路形成構件26TB形成的流路26RT的一端。流路26RB的另一端與包括閥機構的流路切換機構34B連接。流路切換機構34B配置于第I流路形成構件23T形成的第I流路23R的一部分。第I流路23R經由第I內部流路21R而與浸液構件7的第I供給口 21連接。從供給源LQS供給的曝光液體LQ流經第I流路23R。流路切換機構34B切換流路，以使流經第I流路23R的曝光液體LQ被送到第I供給口 21以及流路26RB中的至少一方。在本實施方式中，流路切換機構34B在將來自供給源LQS的曝光液體LQ供給到第I供給口 21時，能夠為了避免供給到流路26RB而調整流路。另外，流路切換機構34B在將來自供給源LQS的曝光液體LQ供給到流路26RB時，能夠為了避免供給到第I供給口 21而調整流路。另外，在本實施方式中，液體系統(tǒng)100B具備第I清洗液體供給裝置36AB，能夠供給第I清洗液體LCl ；以及第2清洗液體供給裝置36BB，能夠供給第2清洗液體LC2。在本實施方式中，第I清洗液體供給裝置36AB經由流路27RB而與流路切換機構38B連接。第2清洗液體供給裝置36BB經由流路28RB而與流路切換機構38B連接。 流路切換機構38B切換流路，以使來自供給源LQS (流路26RB)的曝光液體LQ、來自第I清洗液體供給裝置36AB的第I清洗液體LCl、以及來自第2清洗液體供給裝置36BB的第2清洗液體LC2中的至少一個經由流路23RB送到供給口 64。 在本實施方式中，流路切換機構38B在將來自第I清洗液體供給裝置36AB的第I清洗液體LCl供給到供給口 64時，能夠為了避免供給曝光液體LQ以及第2清洗液體LC2而調整流路。另外，流路切換機構38B在將來自第2清洗液體供給裝置36BB的第2清洗液體LC2供給到供給口 64時，能夠為了避免供給曝光液體LQ以及第I清洗液體LCl而調整流路。另外，流路切換機構38B在將來自供給源LQS的曝光液體LQ供給到供給口 64時，能夠為了避免供給第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2而調整流路。
另外，在本實施方式中，液體系統(tǒng)100B具備檢測從吸引口67回收的液體的特性(性質以及成分的至少一方)的檢測裝置40B。在本實施方式中，檢測裝置40B測量從吸引口 67回收并流經流路25RB的液體的電導率。圖21 圖27是示出本實施方式的清洗順序的一個例子的示意圖，圖28是示出本實施方式的清洗順序的一個例子的流程圖。本實施方式的清洗順序包括使浸液構件7和清洗裝置600相向以使浸液構件7配置于開口 63的處理(步驟SBl);第I清洗處理(步驟SB2)，將第I清洗液體LCl供給到 空間SP3以使第I清洗液體LCl供給到浸液構件7并對該浸液構件7進行清洗；第I沖洗處理(步驟SB3)，將沖洗液體LH供給到空間SP3以使沖洗液體LH供給到浸液構件7 ;第2清洗處理(步驟SB4)，將第2清洗液體LC2供給到空間SP3以使第2清洗液體LC2供給到浸液構件7并對該浸液構件7進行清洗；第2沖洗處理(步驟SB5)，將沖洗液體LH供給到空間SP3以使沖洗液體LH供給到浸液構件7 ;第3沖洗處理(步驟SB6)，進而將沖洗液體LH供給到空間SP3以使沖洗液體LH供給到浸液構件7 ;第4沖洗處理(步驟SB7)，進而將沖洗液體LH供給到空間SP3以使沖洗液體LH供給到浸液構件7 ；以及第5沖洗處理(步驟SB8)，使浸液構件7和保持于基板載臺2的虛設基板DP相向而向浸液構件7供給沖洗液體LH。另外，在開始清洗順序之前在浸液構件7和基板載臺2以及測量載臺3的至少一方中形成了浸液空間LS的情況下，控制裝置8為了開始清洗順序，停止從第I供給口 21供給曝光液體LQ，將從回收口 20的曝光液體LQ的回收繼續(xù)進行規(guī)定時間，全部回收浸液空間LS的曝光液體LQ以使浸液空間LS消失。由此，至少第3內部流路20R的曝光液體LQ消失。另外，在第I內部流路21R以及第2內部流路22R中的至少一方中既可以存在曝光液體LQ，也可以不存在。在浸液空間LS消失之后，控制裝置8使基板載臺2以及測量載臺3從與浸液構件7相向的位置退出，以能夠與浸液構件7相向地配置清洗裝置600。清洗裝置600被搬入到與浸液構件7相向的位置。清洗裝置600的搬入既可以例如由作業(yè)者執(zhí)行，也可以使用規(guī)定的搬送裝置來執(zhí)行。在使浸液構件7和清洗裝置600相向以使浸液構件7配置于開口 63之后(步驟SBl),如圖21所示，從供給口 64供給第I清洗液體LCl。由此，空間SP3由第I清洗液體LCl充滿，浸液構件7和第I清洗液體LCl接觸。清洗裝置600與從供給口 64的第I清洗液體LCl的供給并行地，執(zhí)行從回收口 65(吸引口 67)的第I清洗液體LCl的回收。從吸引口 67回收的第I清洗液體LCl從第I排出口 31B排出。從第I排出口 31B排出的第I清洗液體LCl供給到第I收容構件41B。在將從供給口 64的第I清洗液體LCl的供給和從回收口 65(吸引口 67)的第I清洗液體LCl的回收執(zhí)行了規(guī)定時間之后，清洗裝置600使從供給口 64的第I清洗液體LCl的供給停止。由此，第I清洗處理(步驟SB2)結束。清洗裝置600開始第I沖洗處理(步驟SB3)。如圖22所示，清洗裝置600開始從供給口 64供給沖洗液體LH。在本實施方式中，作為沖洗液體LH，使用曝光液體LQ。通過流路切換機構34B調整流路，以使來自供給源LQS的沖洗液體LH (曝光液體LQ)供給到供給口 64。在第I沖洗處理中，清洗裝置600與從供給口 64的沖洗液體LH (曝光液體LQ)的供給并行地，執(zhí)行從回收口 65 (吸引口 67)的液體(包括第I清洗液體LCl以及沖洗液體LH中的至少一方)的回收。在本實施方式中，清洗裝置600在將空間SP3的第I清洗液體LCl全部回收了之后，開始從供給口 64供給沖洗液體LH。另外，也可以在第I清洗液體LCl存在于空間SP3的狀態(tài)下，開始從供給口 64供給沖洗液體LH。通過從供給口 64供給的沖洗液體LH接觸到浸液構件7，從而能夠去除殘留在該浸液構件7中的第I清洗液體LCl。清洗裝置600與從供給口 64的沖洗液體LH的供給并行地，執(zhí)行從回收口 65 (吸引口 67)的液體的回收。在本實施方式中，調整流路，以使從第I排出口 31B排出從吸引口 67回收的液體(沖洗液體LH)。從第I排出口 31B排出的液體供給到第I收容構件41B。 在本實施方式中，在第I沖洗處理中，通過檢測裝置40B檢測從吸引口 67回收的液體的特性。檢測裝置40B檢測從吸引口 67回收并流經流路25RB的液體。在本實施方式中，檢測裝置40B檢測從吸引口 67回收的液體的電導率。將檢測裝置40B的檢測結果輸出到控制裝置8。在本實施方式中，控制裝置8根據檢測裝置40B的檢測結果，求出回收的液體中包含的堿(四甲基氫氧化銨)的濃度，直至該濃度成為預先規(guī)定的容許值以下為止，繼續(xù)第I沖洗處理(沖洗液體LH的供給和回收)。例如，直至從吸引口 67回收的液體中包含的堿的濃度成為1%以下為止，繼續(xù)第I沖洗處理。在本實施方式中，在根據檢測裝置40B的檢測結果確認了從吸引口 67回收的液體中包含的堿的濃度成為容許值以下之后，第I沖洗處理(步驟SB3)結束。在第I沖洗處理結束之后，清洗裝置600開始第2清洗處理(步驟SB4)。清洗裝置600為了用第2清洗液體LC2對浸液構件7進行清洗，停止從供給口 64供給沖洗液體LH，開始從供給口 64對空間SP3供給第2清洗液體LC2。另外，既可以在空間SP3中存在沖洗液體LH的狀態(tài)下從供給口 64開始供給第2清洗液體LC2，也可以在從回收口 65 (吸引口 67)回收沖洗液體LH并空間SP3的沖洗液體LH消失之后，從供給口 64開始供給第2清洗液體LC2。另外，在第2清洗處理中，清洗裝置600與從供給口 64的第2清洗液體LC2的供給并行地，執(zhí)行從回收口 65 (吸引口 67)的第2清洗液體LC2的回收。如圖23所示，在第2清洗處理中，從第2清洗液體供給裝置36BB送出第2清洗液體LC2。另外，也可以稀釋從第2清洗液體供給裝置36BB送出的第2清洗液體LC2，從供給口 64供給該稀釋的第2清洗液體LC2。從供給口 64供給到空間SP3的第2清洗液體LC2的至少一部分接觸到浸液構件
7。由此，通過第2清洗液體LC2對浸液構件7進行清洗。回收口 65 (吸引口 67)回收供給到浸液構件7的表面的至少一部分的第2清洗液體LC2。在本實施方式中，調整流路，以使從第2排出口 32B排出從吸引口 67回收的第2清洗液體LC2。從第2排出口 32B排出從吸引口 67回收的第2清洗液體LC2。從第2排出口32B排出的第2清洗液體LC2供給到第2收容構件42B。在將從供給口 64的第2清洗液體LC2的供給和從回收口 65 (吸引口 67)的第2清洗液體LC2的回收執(zhí)行了規(guī)定時間之后，清洗裝置600停止從供給口 64供給第2清洗液體LC2。由此，第2清洗處理(步驟SB4)結束。
另外，也可以用第2清洗液體LC2對浸液構件7的表面進行蝕刻。也可以通過該蝕刻來使浸液構件7的表面平滑。在本實施方式中，在第I清洗處理中的第I清洗液體LCl的供給停止之后、并且第2清洗處理中的第2清洗液體LC2的供給開始之前，在第I沖洗處理中將沖洗液體LH供給到浸液構件7并且回收該供給的沖洗液體LH。因此，能夠降低在第2清洗處理中從回收口65 (吸引口 67)回收的第2清洗液體LC2中包含的第I清洗液體LCl的濃度。另外，在本實施方式中，在第I清洗處理中從回收口 65 (吸引口 67)回收的第I清洗液體LCl從第I排出口 31B排出，在第2清洗處理中從回收口 65 (吸引口 67)回收的第2清洗液體LC2從第2排出口 32B排出。通過在第I清洗處理與第2清洗處理之間執(zhí)行第I沖洗處理，從而抑制在第2清洗處理中從第2排出口 32B排出第I清洗液體LCl。由于為了在第2清洗處理中抑制從第2排出口 32B排出第I清洗液體LCl而執(zhí)行第I沖洗處理，所以能夠降低例如從第2排出口 32B排出的第2清洗液體LC2中包含的第I清洗液體LCl的濃度。另外，能夠降低例如第2收容構件42B的第2清洗液體LC2中包含的第I清洗液·體LCl的濃度。另外，如上所述，在本實施方式中，將從第I清洗液體供給裝置36AB送出的第I清洗液體LC1、和從第2清洗液體供給裝置36BB送出的第2清洗液體LC2經由至少一部分相同的供給流路供給到浸液構件7。即，在本實施方式中，將第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2各自至少經由流路23R供給到浸液構件7。另外，經由供給口 64分別供給第I清洗液體LCl以及第2清洗液體LC2。在停止從供給口 64供給第2清洗液體LC2并第2清洗處理結束之后，清洗裝置600開始第2沖洗處理(步驟SB5)。如圖24所示，清洗裝置600開始從供給口 64供給沖洗液體LH。在本實施方式中，清洗裝置600在全部回收空間SP3的第2清洗液體LC2之后，開始從供給口 64供給沖洗液體LH。另外，也可以在第2清洗液體LC2存在于空間SP3的狀態(tài)下，開始從供給口 64供給沖洗液體LH。在第2沖洗處理中，作為沖洗液體LH，也使用曝光液體LQ。在第2沖洗處理中，清洗裝置600與從供給口 64的沖洗液體LH (曝光液體LQ)的供給并行地，執(zhí)行從回收口 65(吸引口 67)的液體(包括第2清洗液體LC2以及沖洗液體LH中的至少一方)的回收。在用第2清洗液體LC2對浸液構件7進行了清洗之后，將沖洗液體LH供給到浸液構件7，從而殘留在浸液構件7的表面中的第2清洗液體LC2被去除。在本實施方式中，沖洗液體LH是純水，第2清洗液體LC2是過氧化氫水溶液，所以沖洗液體LH能夠去除殘留在浸液構件7中的第2清洗液體LC2。清洗裝置600與從供給口 64的沖洗液體LH的供給并行地，執(zhí)行從回收口 65 (吸引口 67)的液體回收。從吸引口 67回收的液體包含從供給口 64供給的沖洗液體LH、以及殘留在浸液構件7中的第2清洗液體LC2。通過將從供給口 64的沖洗液體LH的供給、和從回收口 65 (吸引口 67)的液體回收執(zhí)行規(guī)定期間，從浸液構件7去除第2清洗液體LC2。在第2沖洗處理中，從供給口 64供給來自供給源LQS的沖洗液體LH (曝光液體LQ)。從吸引口 67回收的液體流經流路25RB。在本實施方式中，調整流路，以使從第2排出口 32B排出從吸引口 67回收的液體。流路切換機構30B調整流路，以使從第2排出口32B排出從吸引口 67回收的沖洗液體LH。在沖洗液體LH的供給以及回收中，從第2排出口 32B排出從吸引口 67回收的沖洗液體LH。從第2排出口 32B排出的液體供給到第2收容構件42B。在本實施方式中，清洗裝置600為了使從吸引口 67回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為預先規(guī)定的規(guī)定濃度以下，而執(zhí)行從供給口 64供給沖洗液體LH、和從吸引口 67回收沖洗液體LH的并行動作。在本實施方式中，在第2沖洗處理中，通過檢測裝置40B檢測從吸引口 67回收的液體的特性。檢測裝置40B檢測從吸引口 67回收并流經流路25RB的液體的特性。在本實施方式中，檢測裝置40B檢測從吸引口 67回收的沖洗液體LH的電導率。檢測裝置40B的檢測結果輸出到控制裝置8。在本實施方式中，控制裝置8根據檢測裝置40B的檢測結果，求出從吸引口 67回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度，進而求出沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度，直至該濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將從供給口 64供給沖洗液體LH和從吸引口 67回收沖洗液體LH的并行動作執(zhí)行規(guī)定期間。在本實施方式中，至少直至回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度成為預先規(guī)定的容許值以下為止，繼續(xù)第2沖洗處理(沖洗液體LH的供給和回收)。例如，直至從吸引口 67回收的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度成為1%以下為止，繼續(xù)第2沖洗處理。在從吸引口 67的沖洗液體LH的回收中，從第2排出口 32B排出該回收的沖洗液體LH。如上所述，在本實施方式中，第2沖洗處理包括從第2排出口 32B排出從吸引口 67回收的沖洗液體LH的處理。在本實施方式中，在第2沖洗處理之后，執(zhí)行第3沖洗處理(步驟SB6)。如圖25所示，在本實施方式中，第3沖洗處理包括從第3排出口 33B排出從吸引口 67回收的沖洗液體LH的處理。在本實施方式中，至少直至沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定濃度為止，執(zhí)行包括如下動作的第2沖洗處理從供給口 64的沖洗液體LH的供給動作、從吸引口 67的沖洗液體LH的回收動作、以及該回收的沖洗液體LH從第2排出口 32B的排出動作。即，直至回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定濃度為止，對回收的沖洗液體LH執(zhí)行從第2排出口 32B排出該沖洗液體LH的處理。在回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下之后，清洗裝置600執(zhí)行從供給口 64供給沖洗液體LH和從吸引口 67回收沖洗液體LH的并行動作，同時控制流路切換機構30B來調整流路，以使從吸引口 67回收的沖洗液體LH從第3排出口 33B排出。即，清洗裝置600根據檢測裝置40B的檢測結果，求出回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度，并根據該濃度，控制流路切換機構30B，從第2排出口 32B的排出動作切換為第3排出口 33B的排出動作。在本實施方式中，清洗裝置600直至回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度達到規(guī)定濃度為止，從第2排出口 32B排出回收的沖洗液體LH，在該第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下之后，從第3排出口 33B排出回收的沖洗液體LH。在回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下之后，清洗裝置600也執(zhí)行從供給口 64供給沖洗液體LH和從吸引口 67回收沖洗液體LH的并行動作。在回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度之后，對回收的沖洗液體LH，執(zhí)行從第3排出口 33B排出該沖洗液體LH的處理。這樣，在本實施方式中，連續(xù)地執(zhí)行第2沖洗處理和第3沖洗處理。在第2沖洗處理中，在從吸引口 67的沖洗液體LH的回收中，從第2排出口 32B排出該沖洗液體LH，在該回收中控制流路切換機構30B，接著從該第2排出口 32B的排出，在第3沖洗處理中，從第3排出口 33B排出沖洗液體LH。從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度是規(guī)定濃度以下。在沖洗液體LH的回收中，相比于從第3排出口 32B排出時，在從第3排出口 33B排出時所排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度更低。另外，從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度低于從供給口 64供給到浸液構件7的第2清洗液體LC2中包含的過氧化氫的濃度。在本實施方式中，在執(zhí)行第2清洗處理之后的第2沖洗處理的第I期間從吸引口67回收的沖洗液體LH從第2排出口 32B排出，在執(zhí)行第2沖洗處理之后的第3沖洗處理的第2期間從吸引口 67回收的沖洗液體LH從第3排出口 33B排出。相比于第2沖洗處理(第I期間)中的回收時，在第3沖洗處理(第2期間)中的回收時回收的沖洗液體LH中包含的 過氧化氫的濃度更低。由此，在第3沖洗處理中從第3排出口 33B的第2清洗液體LC2排出被抑制。由于為了抑制在第3沖洗處理中從第3排出口 33B排出第2清洗液體LC2而執(zhí)行第2沖洗處理，所以能夠降低例如從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2 (過氧化氫)的濃度。另外，能夠降低例如第3收容構件43B的沖洗液體LH (曝光液體LQ)中包含的第2清洗液體LC2的濃度。由此，能夠順利地執(zhí)行從第3排出口 33排出的沖洗液體LH的處理(廢液處理)。在本實施方式中，在第3沖洗處理之后，執(zhí)行第4沖洗處理(步驟SB7 )。如圖26所示，在本實施方式中，第4沖洗處理包括從浸液構件7的回收口 20回收空間SP3的沖洗液體LH的處理。如圖21 圖25所示，在本實施方式中，在第I清洗處理(步驟SB2)、第I沖洗處理(步驟SB3)、第2清洗處理(步驟SB4)、第2沖洗處理(步驟SB5)、以及第3沖洗處理(步驟SB6)中，不進行從浸液構件7的第I、第2供給口 21、22的液體供給，也不進行從回收口 20的液體回收。在本實施方式中，第4沖洗處理包括從供給口 64供給沖洗液體LH的動作；從回收口 65 (吸引口 67)回收從供給口 64供給的沖洗液體LH的至少一部分的動作；從第3排出口 33B排出從吸引口 67回收的沖洗液體LH的動作；以及從浸液構件7的回收口 20回收從供給口 64供給的沖洗液體LH的至少一部分的動作。在從吸引口 67回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度、以及空間SP3中存在的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下之后，執(zhí)行第4沖洗處理。從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度是規(guī)定濃度以下。另外，也可以在空間SP3中存在的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度(從回收口 20回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度)變?yōu)楸纫?guī)定濃度低的濃度以下之后執(zhí)行。在本實施方式中，連續(xù)地執(zhí)行第3沖洗處理和第4沖洗處理。在第3沖洗處理中，執(zhí)行從供給口 64供給沖洗液體LH的動作、從回收口 65 (吸引口 67)回收從供給口 64供給的沖洗液體LH的至少一部分的動作、以及從第3排出口 33B排出從吸引口 67回收的沖洗液體LH的動作，并在繼續(xù)進行這些動作的同時，開始從回收口 20的沖洗液體LH的回收動作(即第4沖洗處理)。另外，也可以在第4沖洗處理中，執(zhí)行從第2供給口 22的沖洗液體LH的回收(吸引)。通過執(zhí)行第4沖洗處理，能夠用沖洗液體LH對例如多孔構件19的孔19H的內面、上表面19A等進行沖洗。另外，能夠向第3內部流路20R的內面供給沖洗液體LH。在將第4沖洗處理執(zhí)行了規(guī)定期間之后，停止從供給口 64供給沖洗液體LH。從回收口 65 (吸引口 67)回收空間SP3中存在的沖洗液體LH。另外，在本實施方式中，從浸液構件7的回收口 20也回收空間SP3中存在的沖洗液體LH。在第4沖洗處理結束并回收了空間SP3的沖洗液體LH之后，搬出清洗裝置600。清洗裝置600的搬出也可以例如由作業(yè)者執(zhí)行，也可以使用規(guī)定的搬送裝置來執(zhí)行。在第4沖洗處理結束并搬出了清洗裝置600之后，如圖27所示，以與浸液構件7相向的方式，配置保持于基板載臺2的虛設基板DP?？刂蒲b置8在浸液構件7和虛設基板 DP相向了的狀態(tài)下，開始第5沖洗處理(步驟SB8)。第5沖洗處理包括在與浸液構件7相向地配置了虛設基板DP的狀態(tài)下，從浸液構件7的第I供給口 21供給沖洗液體LH (曝光液體LQ)的動作；以及與該供給并行地從回收口 20回收沖洗液體LH的動作。由此，對浸液構件7進行沖洗。另外，也可以在終端光學元件12以及浸液構件7與虛設基板DP之間形成了浸液空間LSh的狀態(tài)下，控制基板載臺2，并在XY平面內使虛設基板DP移動，也可以不移動。另外，也可以僅在虛設基板DP上形成浸液空間LSh，并控制虛設基板DP (基板載臺2)相對浸液構件7的移動范圍，以避免浸液空間LSh的沖洗液體LH接觸到虛設基板DP的外側的上表面2F，也可以使虛設基板DP (基板載臺2)移動以使沖洗液體LH接觸到上表面2F。另外，也可以在浸液構件7和基板載臺2的上表面2F相向了的狀態(tài)下，執(zhí)行從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給和從回收口 20的沖洗液體LH的回收，也可以在浸液構件7和測量載臺3的上表面3F相向了的狀態(tài)下執(zhí)行。在本實施方式中，對在第2沖洗處理中從第2排出口 32B排出的沖洗液體LH執(zhí)行第I處理，對在第3、第4沖洗處理中從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH執(zhí)行與第I處理不同的第2處理。從第2排出口 32B排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度高，從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH中包含的過氧化氫的濃度低。例如，對從第2排出口 32B排出的第2清洗液體LC2進行廢棄處理。另外，對從第I排出口 31B排出的沖洗液體LH也進行廢棄處理。另一方面，也可以將從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH不廢棄而再用作曝光液體LQ，也可以用于驅動系統(tǒng)4、5的溫度調整。另外，也可以廢棄從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH。直至廢棄從第3排出口33B排出的沖洗液體LH為止的工序也可以少于直至廢棄從第2排出口 32B排出的沖洗液體LH為止的工序。另外，在本實施方式中，將從第2排出口 32B排出的沖洗液體LH收容于第2收容構件42B，將從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH收容于第3收容構件43B。在廢棄時，針對第3收容構件43B中收容的液體的處理也可以簡單。在本實施方式中，在第2沖洗處理和第3沖洗處理中，也分開了排出回收的沖洗液體LH的排出口，所以能夠充分降低在第3沖洗處理中從第3排出口 33B排出的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度。因此，能夠順利地執(zhí)行該沖洗液體LH的處理。在第5沖洗處理結束之后，控制裝置8執(zhí)行將虛設基板DP從基板載臺2搬出(卸載)的處理?？刂蒲b置8為了將虛設基板DP從基板載臺2 (基板保持部11)搬出，使該基板載臺2移動到基板交換位置。也可以在從基板載臺2搬出了虛設基板DP之后，控制裝置8執(zhí)行包括基板P的曝光處理的曝光順序。如以上說明，在本實施方式中，也能夠順利地執(zhí)行沖洗液體LH的處理。因此，能夠抑制例如包括曝光裝置EX的器件制造系統(tǒng)SYS的運轉率降低、處理成本增大等。另外，作為使回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理的一個例子，也可以是如下處理例如設定在第2清洗處理的結束后(第2清洗液體LC2的供給停止之后)、并且第2沖洗處理的開始前(沖洗液體LH的供給開始前)停止 向浸液構件7供給沖洗液體LH的停止期間。由此，例如殘留在浸液構件7中的第2清洗液體LC2汽化并從浸液構件7去除。另外，作為使回收的沖洗液體LH中包含的第2清洗液體LC2的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理，也可以執(zhí)行例如對該沖洗液體LH添加能夠降低過氧化氫的催化劑的處理。另外，清洗裝置600也可以執(zhí)行與在上述第2實施方式中說明的清洗順序同樣的順序。另外，也可以例如在第5沖洗處理中，對供給到浸液構件7的沖洗液體LH提供振動。例如，如圖29所示，也可以配置以與浸液構件7相向的方式配置于測量載臺3的超聲波發(fā)生裝置50的振動構件52，執(zhí)行從第I供給口 21的沖洗液體LH的供給和從回收口 20的沖洗液體LH的回收，在浸液構件7與振動構件52以及測量載臺3之間由沖洗液體LH形成了浸液空間LSh的狀態(tài)下，使振動構件52振動。由此，對與浸液構件7接觸的沖洗液體LH提供振動。另外，也可以在第5沖洗處理(步驟SB8)中，調整浸液空間LSh的大小。在本實施方式中，浸液空間LSh的大小是指,在下表面14與和該下表面14相向的物體的上表面之間，與下表面14大致平行的XY平面內的大小。例如，通過增加從第I供給口 21的每單位時間的沖洗液體LH的供給量，能夠增大浸液空間LSh，通過減少供給量，能夠減小浸液空間LSh。另外，通過減少從回收口 20的每單位時間的沖洗液體LH的回收量，能夠增大浸液空間LSh，通過增加回收量，能夠減小浸液空間LSh。當然，也可以調整沖洗液體LH的供給量和回收量這雙方。通過使浸液空間LSh的大小發(fā)生變化，在下表面14與物體的上表面之間，界面LGh的位置(相對曝光光EL的光路的放射方向的位置)發(fā)生變化。由此，能夠提高沖洗效果。另外，也可以在第3實施方式中，對在浸液構件7與清洗裝置600之間存在的液體(第I清洗液體LCl、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個)提供振動。圖30以及圖31是示出具備能夠對液體提供振動的超聲波發(fā)生裝置90的清洗裝置600B的一個例子的圖。圖30是清洗裝置600B的側剖面圖，圖31是從上方觀察的俯視圖。在圖30以及圖31中，超聲波發(fā)生裝置90具備配置于基座構件61的上表面并發(fā)生規(guī)定的振動頻率的超聲波振動的振子91。在基座構件61的上表面配置了多個振子91。多個振子91各自配置為與空間SP3面對。振子91例如包括壓電元件，根據從電源裝置供給的電力而驅動。如圖30所示，清洗裝置600B具備覆蓋浸液構件7的開口 7K的罩構件92。罩構件92具有能夠與浸液構件7的下表面14相向的上表面。罩構件92的上表面比開口 7K充分大，能夠覆蓋開口 7K。另外,罩構件92的上表面小于下表面14。在本實施方式中，罩構件92的上表面具有在多孔構件19的下表面19B的內側配置的大小。換言之，罩構件92具有不覆蓋多孔構件19 (不與多孔構件19相向)并且能夠覆蓋開口 7K的大小。在本實施方式中，罩構件92支撐于支撐構件93。支撐構件93以罩構件92在液體中覆蓋開口 7K的方式、并且以不覆蓋多孔構件19的方式，支承罩構件92。以下，說明用供給到清洗裝置600B的空間SP3的第I清洗液體LCl對浸液構件7進行清洗的處理的一個例子。為了使用第I清洗液體LCl來開始第I清洗處理，清洗裝置 600B在用罩構件92覆蓋了開口 7K的狀態(tài)下，執(zhí)行從供給口 64的第I清洗液體LCl的供給、和從回收口 65(吸引口 67)的第I清洗液體LCl的回收。空間SP3的第I清洗液體LCl與浸液構件7的下表面14的至少一部分接觸。清洗裝置600B使超聲波發(fā)生裝置90動作，對與浸液構件7接觸的空間SP3的第I清洗液體LCl提供超聲波振動。由此，對浸液構件7進行清洗。通過對第I清洗液體LCl提供超聲波振動，能夠提高清洗效果。例如，能夠使空間SP3的第I清洗液體LCl的至少一部分進入多孔構件19的孔19H。由此，用第I清洗液體LCl清洗多孔構件19的下表面19B、孔19H的內面。另外，上表面19A也用第I清洗液體LCl來清洗。在本實施方式中，由于設置了罩構件92，所以能夠抑制空間SP3的第I清洗液體LCl穿過開口 7K。因此，抑制第I清洗液體LCl接觸到終端光學元件12、或者抑制浸入到終端光學元件12的側面與浸液構件7 (主體部16)的內側面之間。例如，即使在從超聲波發(fā)生裝置90發(fā)生的超聲波振動有可能引起第I清洗液體LCl的霧氣的情況下，由于開口 7K被罩構件92覆蓋，所以也能夠抑制第I清洗液體LCl的霧氣穿過開口 7K。另外，此處，以在第I清洗處理(步驟SB2)中對第I清洗液體LCl提供振動的情況為例子進行了說明，但當然，也可以在第2清洗處理(步驟SB4)中對第2清洗液體LC2提供振動，也可以在第I沖洗處理(步驟SB3)、第2沖洗處理(步驟SB5)、第3沖洗處理(步驟SB6)、以及第4沖洗處理(步驟SB7)中的至少一部分中，對沖洗液體LH提供振動。另外，也可以例如在各步驟SB2 SB7中，使對液體(第I清洗液體LC1、第2清洗液體LC2、以及沖洗液體LH中的至少一個)提供的振動的條件發(fā)生變化。例如，也可以在第2沖洗處理中對沖洗液體LH以第I振動頻率提供振動，在第3沖洗處理中對沖洗液體LH以與第I振動頻率不同的第2振動頻率提供振動，在第4沖洗處理中對沖洗液體LH以與第I、第2振動頻率不同的第3振動頻率提供振動。另外,也可以在例如執(zhí)行第2沖洗處理的期間的途中，變更對沖洗液體LH提供的振動條件。當然，也可以在執(zhí)行第3沖洗處理的期間的途中變更振動條件，也可以在執(zhí)行第4沖洗處理的期間的途中變更振動條件。另外，在本實施方式中，在第I清洗處理、第I沖洗處理、第2清洗處理、第2沖洗處理、第3沖洗處理、以及第4沖洗處理中，不經由浸液構件7供給液體，但也可以經由浸液構件7供給液體。例如，也可以在第I清洗處理中，從第2供給口 22向空間SP3供給第I清洗液體LC1。另外，與從第2供給口 22對空間SP3的第I清洗液體LCl的供給并行地，也可以執(zhí)行從供給口 64的第I清洗液體LCl的供給，也可以停止從供給口 64的第I清洗液體LCl的供給。同樣地，也可以例如在第2清洗處理中，從第2供給口 22對空間SP3供給第2清洗液體LC2。另外，也可以與從第2供給口 22對空間SP3的第2清洗液體LC2的供給并行地，執(zhí)行從供給口 64的第2清洗液體LC2的供給，也可以停止從供給口 64的第2清洗液體LC2的供給。另外，也可以在第I、第2、第3、第4沖洗處理的至少一部分中，從第I供給口 21對空間SP3供給沖洗液體LH。另外，與從第I供給口 21對空間SP3的沖洗液體LH的供給并行地，也可以執(zhí)行從供給口 64的沖洗液體LH的供給，也可以停止從供給口 64的沖洗液體LH的供給。另外，在本實施方式中，在第I清洗處理、第I沖洗處理、第2清洗處理、第2沖洗·處理、以及第3沖洗處理中，不經由浸液構件7回收液體，但也可以經由浸液構件7回收液體。例如，也可以在第I清洗處理中，從回收口 20回收空間SP3的第I清洗液體LC1。另外，與從回收口 20回收空間SP3的第I清洗液體LCl的動作并行地，也可以從回收口 65(吸引口 67)回收空間SP3的第I清洗液體LC1，也可以不從回收口 65 (吸引口 67)回收空間SP3的第I清洗液體LC1。同樣地，也可以例如在第2清洗處理中，從回收口 20回收空間SP3的第2清洗液體LC2。另外，與從回收口 20回收空間SP3的第2清洗液體LC的動作并行地，也可以從回收口 65 (吸引口 67)回收空間SP3的第2清洗液體LC2，也可以不從回收口 65 (吸引口 67)回收空間SP3的第2清洗液體LC2。另外，也可以在第I、第2、第3沖洗處理的至少一部分中，從回收口 20回收空間SP3的沖洗液體LH。另外，與從回收口 20回收空間SP3的沖洗液體LH的動作并行地，也可以從回收口 65 (吸引口 67)回收空間SP3的沖洗液體LH，也可以不從回收口 65 (吸引口67)回收空間SP3的沖洗液體LH。另外,也可以在第I、第2、第3沖洗處理的至少一部分中，不使沖洗液體LH和浸液構件7接觸。例如，即使沖洗液體LH和浸液構件7不接觸，通過執(zhí)行針對空間SP3的沖洗液體LH的供給和回收，也能夠去除例如殘留在第I側壁部621中的液體。另外，用作第I清洗液體LCl的液體不限于堿性溶液，也可以是中性、酸性溶液。另夕卜，用作第2清洗液體LC2的液體不限于酸性溶液，也可以是中性、堿性溶液。另外，也可以在作為第I清洗液體LC2使用了酸性液體之后,作為第2清洗液體使用堿性液體。另外，在上述實施方式中，為了濃度檢測，通過檢測裝置(40、40B )檢測了液體的電導率，但為了濃度檢測而檢測裝置檢測的液體的特性也可以不是液體的電導率。例如，也可以為了濃度檢測而檢測液體的PH值。在該情況下，檢測裝置也可以包括pH計。另外，在上述實施方式中，為了濃度檢測，通過檢測裝置(40、40B )檢測了所回收的液體的特性，但也可以根據回收的液體的量、或者從開始回收動作起的經過時間，來推測上述濃度。例如，也可以在第I實施方式的第I沖洗處理(步驟SA3)中，根據從回收口 20的沖洗液體LH的回收量、或者從開始回收動作起的時間，判斷流經第3流路25R的沖洗液體LH液體的堿的濃度成為規(guī)定值以下。在該情況下，也可以省略檢測裝置，而在第3流路25R中配置流量計。另外，在上述實施方式中，優(yōu)選在清洗順序中，直至執(zhí)行包括基板P的曝光處理的曝光順序之前為止，在浸液構件7與物體(虛設基板DP等)之間形成的浸液空間(LT1、LT2、LSh等)中異物消失，或者浸液空間中包含的異物的比例成為某規(guī)定值以下。例如，也可以根據回收的沖洗液體LH，計算浸液空間中包含的異物的比例。例如，也可以在沖洗處理中，檢測回收的沖洗液體LH中包含的異物的比例，在確認成為規(guī)定值之后使沖洗處理停止。另夕卜，也可以根據預先計算出的、直至成為規(guī)定值為止的沖洗處理時間，進行沖洗處理。另外，例如，也可以在清洗順序的途中，在浸液構件7與物體(例如，虛設基板)之間形成浸液空間(LTU LT2、LSh等)，根據該物體上的某單位面積上附著的異物的數量，計算浸液空間(LT1、LT2、LSh等)中包含的異物的比例。另外，在上述第f第3實施方式中，投影光學系統(tǒng)PL的終端光學元件12的射出偵儀像面?zhèn)?的光路由曝光液體LQ充滿，但例如如國際公開第2004/019128號小冊子所公開，能夠采用終端光學元件12的入射側(物體面?zhèn)?的光路也由曝光液體LQ充滿的投影光 學系統(tǒng)PL。另外，在上述各實施方式中，作為曝光液體LQ使用了水，但也可以是水以外的液體。作為曝光液體LQ，優(yōu)選為針對曝光光EL是透射性，針對曝光光EL具有高的折射率，相對形成投影光學系統(tǒng)PL或者基板P的表面的感光材料(光致抗蝕劑)等的膜是穩(wěn)定的液體。例如，作為第I液體LQ1，能夠使用氫氟醚(HFE)、全氟聚醚(PFPE)、F0MBLIN油等。另外，作為第I液體LQ1，還能夠使用各種流體、例如超臨界流體。另外，作為上述各實施方式的基板P，不僅適用半導體器件制造用的半導體晶片，而且還適用顯示器器件用的玻璃基板、薄膜磁頭用的陶瓷晶片、或者在曝光裝置中使用的掩?；蛘邩司€片的底版(合成石英、硅晶片)等。作為曝光裝置EX，除了適用于使掩模M和基板P同步移動而對掩模M的圖案進行掃描曝光的步進掃描方式的掃描型曝光裝置(掃描步進曝光裝置)以外，還能夠適用于在使掩模M和基板P靜止了的狀態(tài)下對掩模M的圖案進行一并曝光，并使基板P依次步進移動的步進重復方式的投影曝光裝置(步進曝光裝置)。進而，也可以在步進重復方式的曝光中，在使第I圖案和基板P大致靜止了的狀態(tài)下，使用投影光學系統(tǒng)將第I圖案的縮小像轉印到基板P上之后，在使第2圖案和基板P大致靜止了的狀態(tài)下，使用投影光學系統(tǒng)使第2圖案的縮小像與第I圖案部分性地重疊而一并曝光到基板P上(拼接(stitch)方式的一并曝光裝置)。另外，作為拼接方式的曝光裝置，還能夠適用于在基板P上使至少2個圖案部分性地重疊轉印并使基板P依次移動的步進拼接方式的曝光裝置。另外，本發(fā)明也能夠適用于如下曝光裝置例如如美國專利第6611316號說明書的公開，經由投影光學系統(tǒng)在基板上合成2個掩模的圖案，通過I次掃描曝光對基板上的I個照相區(qū)域大致同時進行二重曝光的曝光裝置等。另外，本發(fā)明也能夠適用于接近方式的曝光裝置、鏡面投影對準曝光器等中。另外，曝光裝置EX也可以是不具備測量載臺3的曝光裝置。另外，曝光裝置EX也可以是美國專利第6341007號說明書、美國專利第6208407號說明書、美國專利第6262796號說明書等中公開那樣的、不具備測量載臺而具備多個基板載臺的雙載臺型的曝光裝置。在該情況下，也可以使多個基板載臺中的、任意的基板載臺與浸液構件7相向而執(zhí)行清洗順序。另外，還能夠適用于具備多個基板載臺和測量載臺的曝光裝置。作為曝光裝置EX的種類，不限于在基板P上對半導體元件圖案進行曝光的半導體元件制造用的曝光裝置，而還能夠適用于液晶顯示元件制造用或者顯示器制造用的曝光裝置、用于制造薄膜磁頭、攝像元件(CXD)、微機械、MEMS、DNA芯片、或者標線片或者掩模等的曝光裝置等。另外，在上述各實施方式中，使用包括激光干涉儀的干涉儀系統(tǒng)來測量了各載臺的位置信息，但不限于此，也可以使用檢測例如設置在各載臺的標尺(衍射光柵)的編碼器 系統(tǒng)。另外，在上述實施方式中，使用了在光透射性的基板上形成了規(guī)定的遮光圖案(或者相位圖案/減光圖案)的光透射型掩模，但代替該掩模，也可以使用例如如美國專利第6778257號說明書中公開那樣、根據應曝光的圖案的電子數據形成透射圖案或者反射圖案、或者發(fā)光圖案的可變成形掩模(還被稱為電子掩模、活性掩模、或者圖像生成器)。另外，代替具備非發(fā)光型圖像顯示元件的可變成形掩模，也可以具備包括自發(fā)光型圖像顯示元件的圖案形成裝置。在上述各實施方式中，以具備投影光學系統(tǒng)PL的曝光裝置為例子進行了說明，但也能夠將本發(fā)明適用于不使用投影光學系統(tǒng)PL的曝光裝置以及曝光方法。例如，能夠在透鏡等光學構件與基板之間形成浸液空間，經由該光學構件對基板照射曝光光。另外，本發(fā)明也能夠適用于例如如國際公開第2001/035168號小冊子中公開那樣，通過在基板P上形成干涉條紋，在基板P上對線和空間圖案進行曝光的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。上述實施方式的曝光裝置EX是通過以確保規(guī)定的機械精度、電氣精度、光學精度的方式組裝包括各構成要素的各種子系統(tǒng)而制造的。為了確保這些各種精度，在該組裝的前后，針對各種光學系統(tǒng)進行用于達成光學精度的調整，針對各種機械系統(tǒng)進行用于達成機械精度的調整，針對各種電氣系統(tǒng)進行用于達成電氣精度的調整。從各種子系統(tǒng)到曝光裝置的組裝工序包括各種子系統(tǒng)相互的、機械連接、電氣電路的配線連接、氣壓電路的配管連接等。在從該各種子系統(tǒng)到曝光裝置的組裝工序之前，當然有各子系統(tǒng)各自的組裝工序。如果各種子系統(tǒng)到曝光裝置的組裝工序結束，則進行綜合調整，確保作為曝光裝置整體的各種精度。另外，優(yōu)選在溫度以及干凈度等被管理的干凈房間制造曝光裝置。如圖32所示，經由如下步驟等而制造半導體器件等微型器件進行微型器件的功能/性能設計的步驟201 ;制作基于該設計步驟的掩模(標線片)的步驟202 ;制造作為器件的基材的基板的步驟203 ;包括基板處理(曝光處理)的基板處理步驟204，基板處理包括依照上述實施方式通過來自掩模的圖案的曝光光對基板進行曝光的處理以及使曝光的基板顯影的處理；器件組裝步驟(包括切割工序、接合工序、封裝工序等加工過程)205 ;掃描步驟206?；逄幚聿襟E包括依照上述實施方式對浸液構件7等進行清洗的處理，使用該清洗了的浸液構件7等用曝光光EL對基板P進行曝光。另外，上述各實施方式的要件能夠適當組合。另外，還有時不使用一部分的構成要素。另外，在法令容許的范圍內，援用在上述各實施方式以及變形例中引用的與曝光裝置等相關的所有公開公報以及美國專利的公開而作為本文的記載的一部分?！?br> 權利要求
1.一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，其特征在于，包括 將清洗用的第I液體供給到所述接液構件來對所述接液構件進行清洗； 回收供給到所述接液構件的所述第I液體； 在用所述第I液體對所述接液構件進行清洗之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件； 回收供給到所述接液構件的所述第2液體；以及 執(zhí)行使所述回收的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理。
2.根據權利要求I所述的清洗方法，其特征在于， 還包括針對所述回收的第2液體，直至所述第I液體的濃度達到所述規(guī)定濃度為止，執(zhí)行第I處理，并且在通過所述第I處理而所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下之后，執(zhí)行與所述第I處理不同的第2處理。
3.根據權利要求I或者2所述的清洗方法，其特征在于， 所述第2液體的供給和回收并行地執(zhí)行， 所述成為規(guī)定濃度以下的處理與所述第2液體的供給以及回收并行地執(zhí)行。
4.根據權利要求3所述的清洗方法，其特征在于， 在所述成為規(guī)定濃度以下的處理后也繼續(xù)執(zhí)行所述第2液體的供給和回收的并行動作。
5.根據權利要求廣4中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第2液體的供給和回收并行地執(zhí)行， 所述成為規(guī)定濃度以下的處理包括將所述第2液體的供給和回收的并行動作執(zhí)行規(guī)定期間。
6.根據權利要求廣5中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第2液體的回收中，還包括從第I排出口排出所述第2液體，并且接著從所述第I排出口的排出，從與所述第I排出口不同的第2排出口排出所述第2液體， 從所述第2排出口排出的第2液體中包含的第I液體的濃度是所述規(guī)定濃度以下。
7.根據權利要求6所述的清洗方法，其特征在于， 檢測所述回收的第2液體中包含的所述第I液體的濃度，根據所述檢測結果，從所述第I排出口的排出動作切換為所述第2排出口的排出動作。
8.根據權利要求6或者7所述的清洗方法，其特征在于， 直至所述第I液體的濃度達到所述規(guī)定濃度為止，從所述第I排出口排出所述回收的第2液體，在所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下之后，從所述第2排出口排出所述回收的第2液體。
9.根據權利要求廣8中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述成為規(guī)定濃度以下的處理包括設定在所述第I液體的供給停止之后并且所述第2液體的供給開始之前停止向所述接液構件的液體供給的停止期間。
10.根據權利要求9所述的清洗方法，其特征在于， 所述停止期間被設定為比直到所述第I液體開始汽化為止的時間長。
11.根據權利要求9或者10所述的清洗方法，其特征在于， 在所述停止期間之后開始所述第2液體的供給，所述停止期間持續(xù)到在剛剛開始所述供給之后回收的所述第2液體中的所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下為止。
12.一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置內的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，其特征在于，包括 將清洗用的第I液體供給到所述接液構件來對所述接液構件進行清洗； 在用所述第I液體對所述接液構件進行清洗之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件并且進行回收；以及 在所述第2液體的回收中，從第I排出口排出所述第2液體，并且接著從所述第I排出口的排出，從與所述第I排出口不同的第2排出口排出所述第2液體。
13.根據權利要求6 8、12中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體包含規(guī)定物質， 在所述第2液體的回收中，與從所述第I排出口排出時相比，在從所述第2排出口排出時，所述排出的第2液體中包含的所述規(guī)定物質的濃度低。
14.根據權利要求6 8、12、13中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體包含規(guī)定物質， 從所述第2排出口排出的第2液體中包含的所述規(guī)定物質的濃度比供給到所述接液構件的所述第I液體中包含的所述規(guī)定物質的濃度低。
15.根據權利要求6 8、12 14中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于，還包括 將從所述第I排出口排出的第2液體收容到第I收容構件；以及 將從所述第2排出口排出的第2液體收容到與所述第I收容構件不同的第2收容構件。
16.根據權利要求6 8、12 15中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于，還包括 對從所述第I排出口排出的第2液體執(zhí)行第I處理；以及 對從所述第2排出口排出的第2液體執(zhí)行與所述第I處理不同的第2處理。
17.根據權利要求6 8、12 16中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于，還包括 回收所述供給的第I液體；以及 從所述第I排出口排出所述回收的第I液體。
18.根據權利要求f17中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對所述供給的第2液體提供振動，并且在所述供給動作的途中變更所述第2液體的振動條件。
19.一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置內的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，其特征在于，包括 將清洗用的第I液體供給到所述接液構件來對所述接液構件進行清洗； 在用所述第I液體對所述接液構件進行清洗之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件并且進行回收； 對在所述第2液體的回收動作的第I期間回收的第2液體執(zhí)行第I處理；以及對在所述第I期間之后的、所述第2液體的回收動作的第2期間回收的第2液體執(zhí)行與所述第I處理不同的第2處理。
20.根據權利要求19所述的清洗方法，其特征在于，所述第I期間比所述第2期間短。
21.根據權利要求19或者20所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體包含規(guī)定物質， 在所述第2液體的回收動作的執(zhí)行中，與所述第I期間中的回收時相比，在所述第2期間中的回收時，所述回收的第2液體中包含的所述規(guī)定物質的濃度低。
22.根據權利要求19 21中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第I期間、第2期間中的至少所述第I期間中，對供給到所述接液構件的第2液體提供振動。
23.根據權利要求22所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第2期間中，對供給到所述接液構件的第2液體，以與所述第I期間不同的條件提供振動。
24.根據權利要求22或者23所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第2期間中，對供給到所述接液構件的第2液體提供振動，并且在所述第2期間的途中變更振動條件。
25.根據權利要求2、16、1^24中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于，還包括 回收所述供給的第I液體；以及 處理所述回收的第I液體， 所述第I處理與所述第I液體的處理相同。
26.根據權利要求2、16、1^25中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于，還包括 回收所述供給的第I液體；以及 處理所述回收的第I液體， 所述第2處理與所述第I液體的處理不同。
27.根據權利要求2、16、1擴26中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第2處理的工序數比所述第I處理少。
28.根據權利要求27所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I處理、第2處理中的至少一方包括廢棄所述排出的第2液體。
29.根據權利要求2、16、1擴28中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I處理、第2處理分別包括廢棄所述排出的第2液體， 在所述第I處理和所述第2處理中，直至廢棄所述排出的第2液體為止的工序不同，所述第2處理的工序比所述第I處理少。
30.根據權利要求廣29中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述接液構件的清洗動作中，與所述第I液體的供給并行地對其進行回收。
31.根據權利要求廣30中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 針對所述第2液體并行地進行所述供給和所述回收。
32.根據權利要求廣31中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 還包括對供給到所述接液構件的第I液體提供振動。
33.根據權利要求廣32中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 經由至少一部分與所述曝光液體和/或所述第2液體的供給流路不同的供給流路，將所述第I液體供給到所述接液構件。
34.根據權利要求33所述的清洗方法，其特征在于， 還包括在所述第I液體的供給停止之后，排出殘留在所述供給流路中的第I液體。
35.根據權利要求34所述的清洗方法，其特征在于， 對所述供給流路進行減壓或者加壓而排出所述殘留的第I液體。
36.根據權利要求33 35中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 還包括在所述曝光液體和/或所述第2液體的供給停止之后，排出殘留在所述供給流路中的所述曝光液體和/或所述第2液體。
37.根據權利要求廣36中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 經由與所述曝光液體和/或所述第2液體不同的供給口向所述接液構件供給所述第I液體。
38.根據權利要求廣37中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 經由浸液構件進行所述曝光液體的供給和回收，所述浸液構件包圍所述曝光光的射出面與所述曝光液體相接的光學構件而設置，且用于在比所述基板小的局部區(qū)域內保持所述曝光液體， 在與所述浸液構件相向地配置了物體的狀態(tài)下，分別供給所述第I液體、第2液體， 所述接液構件包含所述浸液構件和所述物體中的至少一方。
39.根據權利要求38所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第I液體、第2液體中的至少一方，從所述浸液構件和所述物體的一側進行所述供給，從所述浸液構件和所述物體的另一側進行所述回收。
40.根據權利要求38所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第I液體、第2液體中的至少一方，從所述浸液構件和所述物體的一側進行所述供給和所述回收這雙方。
41.根據權利要求38 40中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第I液體，經由所述浸液構件進行所述供給。
42.根據權利要求38 41中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第2液體，經由所述浸液構件進行所述供給。
43.根據權利要求廣42中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第2液體，經由與所述曝光液體相同的供給口進行所述供給。
44.根據權利要求廣43中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體是酸性液體。
45.根據權利要求44所述的清洗方法，其特征在于， 所述酸性液體包含過氧化氫。
46.根據權利要求廣45中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體是水溶液，所述第2液體是水。
47.根據權利要求廣46中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體是堿性液體， 所述清洗方法還包括在所述第2液體的回收動作之后，為了對所述接液構件進行清洗而供給酸性液體。
48.根據權利要求廣46中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于，還包括為了對所述接液構件進行清洗而將與所述第I、第2液體不同的第3液體供給到所述接液構件，并且回收所述供給的第3液體。
49.根據權利要求48所述的清洗方法，其特征在于， 在用所述第3液體對所述接液構件進行清洗之后，開始向所述接液構件供給所述第I液體， 所述清洗方法還包括執(zhí)行使所述回收的所述第I液體中包含的所述第3液體的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理。
50.根據權利要求49所述的清洗方法，其特征在于， 在所述成為規(guī)定濃度以下的處理中，將與所述第I液體、第3液體不同的第4液體供給到所述接液構件，并且回收所述供給的第4液體。
51.根據權利要求48所述的清洗方法，其特征在于，包括 在用所述第3液體對所述接液構件進行清洗之后，將與所述第I液體、第3液體不同的第4液體供給到所述接液構件并且進行回收；以及 在所述第4液體的回收中，從第3排出口排出所述第4液體，并且接著從所述第3排出口的排出，從與所述第3排出口不同的第4排出口排出所述第4液體。
52.根據權利要求48所述的清洗方法，其特征在于，包括 在用所述第3液體對所述接液構件進行清洗之后，將與所述第I液體、第3液體不同的第4液體供給到所述接液構件并且進行回收； 對在所述第4液體的回收動作的第3期間回收的液體執(zhí)行第3處理；以及在所述第3期間之后的、所述第4液體的回收動作的第4期間中，對回收的第4液體執(zhí)行與所述第3處理不同的第4處理。
53.根據權利要求5(Γ52中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 直至向所述接液構件開始供給所述第I液體為止，執(zhí)行所述第4液體的供給和回收的并行動作。
54.根據權利要求48飛3中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 經由至少一部分與所述第I液體相同的供給流路，將所述第3液體供給到所述接液構件。
55.根據權利要求48飛4中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第3液體，經由與所述第I液體相同的供給口進行所述供給。
56.根據權利要求50 55中的任意一項所述的清洗方法,其特征在于， 經由至少一部分與所述曝光液體和/或所述第2液體的供給流路相同的供給流路，將所述第4液體供給到所述接液構件。
57.根據權利要求5(Γ56中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第4液體，經由與所述曝光液體和/或所述第2液體相同的供給口進行所述供給。
58.根據權利要求48飛7中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第3液體是堿性液體。
59.根據權利要求58所述的清洗方法，其特征在于， 所述堿性液體包含四甲基氫氧化銨。
60.根據權利要求5(Γ59中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第3液體是水溶液，所述第4液體是水。
61.根據權利要求5(Γ60中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第3液體和所述第4液體包含相同種類的液體。
62.根據權利要求1飛1中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體和所述第2液體包含相同種類的液體。
63.根據權利要求61或者62所述的清洗方法，其特征在于， 所述相同種類的液體是水。
64.根據權利要求48飛9中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第3液體能夠去除所述接液構件中存在的異物。
65.根據權利要求64所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體能夠去除殘留在所述接液構件中的所述第3液體。
66.一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，其特征在于，包括 將第I清洗液體供給到所述接液構件來對所述接液構件進行清洗； 回收供給到所述接液構件的所述第I清洗液體并從第I排出口排出； 在用所述第I清洗液體對所述接液構件進行清洗之后，將與所述第I清洗液體不同的第2清洗液體供給到所述接液構件來對所述接液構件進行清洗； 回收供給到所述接液構件的所述第2清洗液體并從第2排出口排出；以及在所述第I清洗液體的供給停止之后并且所述第2清洗液體的供給開始之前，將與所述第I清洗液體、第2清洗液體不同的沖洗液體供給到所述接液構件，并且回收所述供給的沖洗液體，以抑制所述第I清洗液體從所述第2排出口排出。
67.根據權利要求66所述的清洗方法，其特征在于， 直至開始供給所述第2清洗液體為止，執(zhí)行所述沖洗液體的供給和回收的并行動作。
68.根據權利要求66或者67所述的清洗方法，其特征在于， 在所述沖洗液體的供給和回收中，從所述第I排出口排出所述回收的沖洗液體。
69.根據權利要求66飛8中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I清洗液體包含堿性液體。
70.根據權利要求69所述的清洗方法，其特征在于， 所述堿性液體包含四甲基氫氧化銨。
71.根據權利要求66 70中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第2清洗液體包含酸性液體。
72.根據權利要求71所述的清洗方法，其特征在于， 所述酸性液體包含過氧化氫。
73.根據權利要求69 72中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述堿性液體、酸性液體中的至少一方是水溶液。
74.根據權利要求66 73中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述沖洗液體是水。
75.根據權利要求66 74中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于，在所述第I清洗液體和所述沖洗液體中，包含相同種類的液體。
76.根據權利要求75所述的清洗方法，其特征在于， 所述相同種類的液體是水。
77.根據權利要求66 76中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I排出口與所述第2排出口不同。
78.根據權利要求廣77中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述接液構件的表面被非晶碳所覆蓋。
79.根據權利要求78所述的清洗方法，其特征在于， 所述非晶碳是四面體非晶碳。
80.一種器件制造方法，其特征在于，包括 使用權利要求廣79中的任意一項所述的清洗方法對所述接液構件進行清洗； 經由所述曝光液體對基板進行曝光；以及 使曝光的所述基板顯影。
81.—種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，其特征在于，具備 接液構件，與曝光液體接觸； 第I供給口，將清洗用的第I液體供給到所述接液構件； 第I回收口，回收供給到所述接液構件的所述第I液體； 第2供給口，在所述第I液體的供給之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件；以及 第2回收口，回收供給到所述接液構件的所述第2液體， 所述曝光裝置執(zhí)行使從所述第2回收口回收的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理。
82.—種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，其特征在于，具備 接液構件，與曝光液體接觸； 第I供給口，將清洗用的第I液體供給到所述接液構件； 第2供給口，在所述第I液體的供給之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件；以及 回收口，在從所述第2供給口供給所述第2液體時回收所述第2液體， 在所述第2液體的回收中，從第I排出口排出所述第2液體，并且接著從所述第I排出口的排出，從與所述第I排出口不同的第2排出口排出所述第2液體。
83.—種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，其特征在于，具備 接液構件，與曝光液體接觸； 第I供給口，將清洗用的第I液體供給到所述接液構件； 第2供給口，在所述第I液體的供給之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件； 回收口，在從所述第2供給口供給所述第2液體時回收所述第2液體， 對在所述第2液體的回收動作的第I期間回收的第2液體執(zhí)行第I處理， 對在所述第I期間之后的、所述第2液體的回收動作的第2期間回收的第2液體執(zhí)行與所述第I處理不同的第2處理。
84.—種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，其特征在于，具備 接液構件，與曝光液體接觸； 第I供給口，將第I清洗液體供給到所述接液構件； 第I回收口，回收供給到所述接液構件的所述第I清洗液體； 第2供給口，在所述第I清洗液體的供給之后，將與所述第I清洗液體不同的第2清洗液體供給到所述接液構件； 第2回收口，回收供給到所述接液構件的所述第2清洗液體； 第3供給口，在所述第I清洗液體的供給停止之后并且所述第2清洗液體的供給開始之前，將與所述第I清洗液體、第2清洗液體不同的沖洗液體供給到所述接液構件，以抑制所述第I清洗液體從排出從所述第2回收口回收的所述第2清洗液體的排出口排出；以及第3回收口，回收供給到所述接液構件的所述沖洗液體。
85.一種器件制造方法，其特征在于，包括 使用權利要求8114中的任意一項所述的曝光裝置對基板進行曝光；以及 使曝光的所述基板顯影。
86.一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，其特征在于，具備 第I供給口，向與曝光液體接觸的所述曝光裝置內的接液構件供給清洗用的第I液體； 第I回收口，回收供給到所述接液構件的所述第I液體； 第2供給口，在所述第I液體的供給之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件； 第2回收口，回收供給到所述接液構件的所述第2液體；以及處理裝置，執(zhí)行使從所述第2回收口回收的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理。
87.根據權利要求86所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 所述處理裝置針對所述回收的第2液體，直至所述第I液體的濃度達到所述規(guī)定濃度為止，執(zhí)行第I處理，并且在通過所述第I處理而所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下之后，執(zhí)行與所述第I處理不同的第2處理。
88.根據權利要求86或者87所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 所述第2液體的供給和回收并行地執(zhí)行， 與所述第2液體的供給以及回收并行地執(zhí)行所述成為規(guī)定濃度以下的處理。
89.根據權利要求8618中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 所述第2液體的供給和回收并行地執(zhí)行， 所述成為規(guī)定濃度以下的處理包括將所述第2液體的供給和回收的并行動作執(zhí)行規(guī)定期間。
90.根據權利要求8619中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 所述成為規(guī)定濃度以下的處理包括設定在所述第I液體的供給停止之后并且所述第2液體的供給開始之前停止向所述接液構件供給液體的停止期間。
91.根據權利要求86、0中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于，具備第I排出口，能夠排出所述回收的所述第2液體；以及 第2排出口，與所述第I排出口不同，能夠排出所述回收的所述第2液體， 在所述第2液體的回收中，從所述第I排出口排出所述第2液體，并且接著從所述第I排出口的排出，從所述第2排出口排出所述第2液體。
92.一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，其特征在于，具備 第I供給口，向與曝光液體接觸的所述曝光裝置內的接液構件供給清洗用的第I液體； 第2供給口，在所述第I液體的供給之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件； 回收口，在從所述第2供給口供給所述第2液體時回收所述第2液體； 第I排出口，能夠排出從所述回收口回收的所述第2液體；以及 第2排出口，與所述第I排出口不同，能夠排出從所述回收口回收的所述第2液體， 在所述第2液體的回收中，從所述第I排出口排出所述第2液體，并且接著從所述第I排出口的排出，從所述第2排出口排出所述第2液體。
93.根據權利要求86、2中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 具備對所述供給的第2液體給予振動的振動給予裝置， 在所述供給動作的途中變更所述第2液體的振動條件。
94.根據權利要求86、3中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于，具備 第I處理裝置，對在所述第2液體的回收動作的第I期間回收的第2液體執(zhí)行第I處理；以及 第2處理裝置，對在所述第I期間之后的、所述第2液體的回收動作的第2期間回收的第2液體執(zhí)行與所述第I處理不同的第2處理。
95.一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，其特征在于，具備 第I供給口，向與曝光液體接觸的所述曝光裝置內的接液構件供給清洗用的第I液體； 第2供給口，在所述第I液體的供給之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件； 回收口，在從所述第2供給口供給所述第2液體時回收所述第2液體； 第I處理裝置，對在所述第2液體的回收動作的第I期間回收的第2液體執(zhí)行第I處理；以及 第2處理裝置，對在所述第I期間之后的、所述第2液體的回收動作的第2期間回收的第2液體執(zhí)行與所述第I處理不同的第2處理。
96.根據權利要求94或者95所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 所述第I期間比所述第2期間短。
97.根據權利要求86、6中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 在所述接液構件的清洗動作中，與所述第I液體的供給并行地對其進行回收。
98.根據權利要求86、7中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于，針對所述第2液體，并行地進行所述供給和所述回收。
99.根據權利要求86、8中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 經由浸液構件進行所述曝光液體的供給和回收，所述浸液構件包圍所述曝光光的射出面與所述曝光液體相接的光學構件而設置，且用于在比所述基板小的局部區(qū)域內保持所述曝光液體， 在與所述浸液構件相向地配置了物體的狀態(tài)下，分別供給所述第I液體、第2液體， 所述接液構件包含所述浸液構件和所述物體中的至少一方。
100.一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，其特征在于，具備 第I供給口，向與曝光液體接觸的所述曝光裝置內的接液構件供給第I清洗液體； 第I回收口，回收供給到所述接液構件的所述第I清洗液體； 第2供給口，在所述第I清洗液體的供給之后，將與所述第I清洗液體不同的第2清洗液體供給到所述接液構件； 第2回收口，回收供給到所述接液構件的所述第2清洗液體； 第3供給口，在所述第I清洗液體的供給停止之后并且所述第2清洗液體的供給開始之前，將與所述第I清洗液體、第2清洗液體不同的沖洗液體供給到所述接液構件，以抑制所述第I清洗液體從排出從所述第2回收口回收的所述第2清洗液體的排出口排出；以及第3回收口，回收供給到所述接液構件的所述沖洗液體。
101.根據權利要求100所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 直至開始供給所述第2清洗液體為止，執(zhí)行所述沖洗液體的供給和回收的并行動作。
102.一種清洗方法，是經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置的、與曝光液體接觸的接液構件的清洗方法，其特征在于，包括 將清洗用的第I液體供給到所述接液構件來對所述接液構件進行清洗； 回收供給到所述接液構件的所述第I液體； 在用所述第I液體對所述接液構件進行清洗之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件； 回收供給到所述接液構件的所述第2液體；以及 直至所述第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將所述回收的所述第2液體收容到第I收容構件。
103.根據權利要求102所述的清洗方法，其特征在于， 直至所述第I收容構件中收容的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下為止，繼續(xù)向所述第I收容構件送出所述回收的所述第2液體。
104.根據權利要求102或者103所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第I收容構件中收容的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度達到所述規(guī)定濃度之后，也繼續(xù)向所述第I收容構件送出所述回收的所述第2液體。
105.根據權利要求102 104中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第I收容構件中收容的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度達到所述規(guī)定濃度之前，停止向所述第I收容構件送出所述回收的所述第2液體。
106.根據權利要求105所述的清洗方法，其特征在于，直至停止向所述第I收容構件送出所述回收的所述第2液體之后所述第I收容構件中收容的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下為止，繼續(xù)向所述第I收容構件送出所述回收的所述第2液體。
107.根據權利要求105或者106所述的清洗方法，其特征在于， 經由回收流路向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體， 在所述回收流路內的所述回收的第2液體中包含的所述第I液體的濃度達到了規(guī)定值以下之后，停止向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體。
108.根據權利要求107所述的清洗方法，其特征在于， 所述規(guī)定值比所述規(guī)定濃度低。
109.根據權利要求105 108中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在停止向所述第I收容構件送出所述回收的所述第2液體之后，也繼續(xù)所述第2液體的回收。
110.根據權利要求105 109中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在停止向所述第I收容構件送出所述回收的所述第2液體之后，將回收的所述第2液體收容到與所述第I收容構件不同的第2收容構件。
111.根據權利要求105 110中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在停止向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體之后，廢棄回收的所述第2液體。
112.根據權利要求105 108中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 通過停止所述第2液體的供給和回收，來停止向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體。
113.根據權利要求102 112中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第2液體的供給和回收中，向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體。
114.根據權利要求102 113中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第I收容構件中，在收容所述回收的所述第2液體之前，收容有所述第2液體。
115.根據權利要求102 114中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 為了使所述第I收容構件中收容的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下，將與所述第I液體不同的規(guī)定液體送出到所述第I收容構件。
116.根據權利要求115所述的清洗方法，其特征在于， 所述規(guī)定液體的成分與所述第2液體的成分相同。
117.根據權利要求115或者116所述的清洗方法，其特征在于， 所述規(guī)定液體是所述第2液體。
118.根據權利要求115 117中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 不經由所述接液構件而將所述規(guī)定液體送出到所述第I收容構件。
119.根據權利要求115 118中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在停止向所述第I收容構件送出所述回收的所述第2液體的狀態(tài)下，向所述第I收容構件送出所述規(guī)定液體。
120.根據權利要求115 119中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 直至所述第I收容構件中收容的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下為止，繼續(xù)向所述第I收容構件送出所述規(guī)定液體。
121.根據權利要求115 120中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第I收容構件中，在收容所述回收的所述第2液體之前，收容有所述規(guī)定液體。
122.根據權利要求102 121中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 經由回收流路向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體， 在所述第I收容構件中收容的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度達到了所述規(guī)定濃度之后，所述回收流路內的所述回收的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度低于所述規(guī)定濃度。
123.根據權利要求102 122中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對所述第2液體執(zhí)行的處理包括 第I處理，對包含比所述規(guī)定濃度多的所述第I液體的第2液體執(zhí)行；以及與所述第I處理不同的第2處理，對包含所述規(guī)定濃度以下的所述第I液體的第2液體執(zhí)行， 在所述第I收容構件中收容的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下之后，對所述第I收容構件中收容的所述第2液體執(zhí)行所述第2處理。
124.根據權利要求123所述的清洗方法，其特征在于，還包括 回收所述供給的第I液體；以及 處理所述回收的第I液體， 所述第I處理與所述第I液體的處理相同。
125.根據權利要求123或者124所述的清洗方法，其特征在于，還包括 回收所述供給的第I液體；以及 處理所述回收的第I液體， 所述第2處理與所述第I液體的處理不同。
126.根據權利要求123 125中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第2處理的工序數比所述第I處理少。
127.根據權利要求126所述的清洗方法，其特征在于， 所述第2處理包括廢棄所述第I收容構件中收容的第2液體。
128.根據權利要求102 127中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 經由至少一部分與所述曝光液體和/或所述第2液體的供給流路不同的供給流路，將所述第I液體供給到所述接液構件。
129.根據權利要求128所述的清洗方法，其特征在于， 還包括在所述第I液體的供給停止之后，去除殘留在所述供給流路中的第I液體。
130.根據權利要求128所述的清洗方法，其特征在于， 對所述供給流路進行減壓或者加壓而去除殘留在所述供給流路中的第I液體。
131.根據權利要求128 130中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述曝光液體和/或所述第2液體的供給停止之后，去除殘留在所述供給流路中的所述曝光液體和/或所述第2液體。
132.根據權利要求102 131中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 經由與所述曝光液體和/或所述第2液體不同的供給口向所述接液構件供給所述第I液體。
133.根據權利要求102 132中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 經由浸液構件進行所述曝光液體的供給和回收，所述浸液構件包圍所述曝光光的射出面與所述曝光液體相接的光學構件而設置，且用于在比所述基板小的局部區(qū)域內保持所述曝光液體， 在與所述浸液構件相向地配置了物體的狀態(tài)下，分別供給所述第I液體、第2液體， 所述接液構件包含所述浸液構件和所述物體中的至少一方。
134.根據權利要求133所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第I液體、第2液體中的至少一方，從所述浸液構件和所述物體的一側進行所述供給，從所述浸液構件和所述物體的另一側進行所述回收。
135.根據權利要求133所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第I液體、第2液體中的至少一方，從所述浸液構件和所述物體的一側進行所述供給和所述回收這雙方。
136.根據權利要求133 135中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第I液體，經由所述浸液構件進行所述供給。
137.根據權利要求133 136中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第2液體，經由所述浸液構件進行所述供給。
138.根據權利要求102 137中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 對于所述第2液體，經由與所述曝光液體相同的供給口進行所述供給。
139.根據權利要求102 138中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體是酸性液體。
140.根據權利要求139所述的清洗方法，其特征在于， 所述酸性液體包含過氧化氫。
141.根據權利要求102 140中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體是水溶液，所述第2液體是水。
142.根據權利要求102 138中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I液體是堿性液體，所述第2液體是酸性液體。
143.根據權利要求102 141中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 還包括為了對所述接液構件進行清洗而將與所述第I液體、第2液體不同的第3液體供給到所述接液構件，并且回收所述供給的第3液體。
144.根據權利要求143所述的清洗方法，其特征在于，包括 在用所述第3液體對所述接液構件進行了清洗之后，將與所述第3液體不同的第4液體供給到所述接液構件； 回收供給到所述接液構件的所述第4液體；以及 直至所述第3液體的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將所述回收的第4液體收容到第3收容構件。
145.根據權利要求144所述的清洗方法，其特征在于， 所述第I收容構件和所述第3收容構件不同。
146.根據權利要求143 145中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第3液體是堿性液體。
147.根據權利要求146所述的清洗方法，其特征在于， 所述堿性液體包含四甲基氫氧化銨。
148.根據權利要求143 147中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述第3液體是水溶液，所述第4液體是水。
149.根據權利要求102 148中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第I液體和所述第2液體中，包含相同種類的液體。
150.根據權利要求143 148中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 在所述第3液體和所述第4液體中，包含相同種類的液體。
151.根據權利要求149或者150所述的清洗方法，其特征在于， 所述相同種類的液體是水。
152.根據權利要求102 151中的任意一項所述的清洗方法，其特征在于， 所述接液構件的表面被非晶碳所覆蓋。
153.根據權利要求152所述的清洗方法，其特征在于， 所述非晶碳是四面體非晶碳。
154.一種器件制造方法，其特征在于，包括 使用權利要求102 153中的任意一項所述的清洗方法對所述接液構件進行清洗； 經由所述曝光液體對基板進行曝光；以及 使曝光的所述基板顯影。
155.—種曝光裝置，經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光，其特征在于，具備 接液構件，與曝光液體接觸； 第I供給口，將清洗用的第I液體供給到所述接液構件； 第I回收口，回收供給到所述接液構件的所述第I液體； 第2供給口，在所述第I液體的供給之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件； 第2回收口，回收供給到所述接液構件的所述第2液體， 直至所述第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將從所述第2回收口回收的所述第2液體收容到第I收容構件。
156.—種器件制造方法，其特征在于，包括 使用權利要求155所述的曝光裝置對基板進行曝光；以及 使曝光的所述基板顯影。
157.一種器件制造系統(tǒng)，包括經由曝光液體用曝光光對基板進行曝光的曝光裝置，其特征在于，具備 第I供給口，向與曝光液體接觸的所述曝光裝置內的接液構件供給清洗用的第I液體； 第I回收口，回收供給到所述接液構件的所述第I液體； 第2供給口，在所述第I液體的供給之后，將與所述第I液體不同的第2液體供給到所述接液構件； 第2回收口，回收供給到所述接液構件的所述第2液體； 第I收容構件，收容從所述第2回收口回收的所述第2液體；以及控制裝置，直至所述第I收容構件中的所述第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為規(guī)定濃度以下為止，將所述第2液體收容到所述第I收容構件。
158.根據權利要求157所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 直至所述第I收容構件中收容的第2液體中包含的所述第I液體的濃度成為所述規(guī)定濃度以下為止，繼續(xù)向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體。
159.根據權利要求157或者158所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 在所述第I收容構件中收容的第2液體中包含的所述第I液體的濃度達到所述規(guī)定濃度之后，也繼續(xù)向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體。
160.根據權利要求157 159中的任意一項所述的器件制造系統(tǒng)，其特征在于， 在所述第2液體的供給和回收中，向所述第I收容構件送出所述回收的第2液體。
全文摘要
清洗方法包括將清洗用的第1液體供給到接液構件而對接液構件進行清洗；回收供給到接液構件的第1液體；在用第1液體對接液構件進行了清洗之后，將與第1液體不同的第2液體供給到接液構件；回收供給到接液構件的第2液體；以及執(zhí)行使回收的第2液體中包含的第1液體的濃度成為規(guī)定濃度以下的處理。
文檔編號G03F7/20GK102918630SQ20118002645
公開日2013年2月6日 申請日期2011年4月4日 優(yōu)先權日2010年4月2日
發(fā)明者田中亮, 金井俊, 白石健一, 渡邊俊二, 澀谷敬 申請人:株式會社尼康