專利名稱：多孔光纖及使用其的激光器裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及多孔光纖及使用其的激光器裝置，具體而言，涉及能夠在希望的位置，輻射在包層中傳播的泄漏光的多孔光纖以及使用其的激光器裝置。
背景技術(shù)：
光纖激光器裝置在加工機(jī)、醫(yī)療設(shè)備、測量器的領(lǐng)域等被使用，輸出在放大用光纖中被放大后的光。在這樣的光纖激光器裝置中，存在從放大用光纖的纖芯輸出的輸出 光被輸入至傳輸光纖的纖芯，通過傳輸光纖被傳播至希望的位置后被輸出的情況。然而，在放大用光纖與傳輸光纖的連接部，存在下述情況，即由于纖芯彼此的軸偏差、纖芯彼此的角度的不匹配、纖芯彼此的模場的不同等，從放大用光纖輸出的輸出光的一部分漏出到傳輸光纖的包層，在傳輸光纖的包層中傳播。該情況下，有時(shí)會(huì)產(chǎn)生在包層中傳播的泄漏光被傳輸光纖的被覆層吸收，從而被覆層燒壞這一問題。在下述專利文獻(xiàn)I中記載有從光纖福射這樣的在包層中傳播的泄漏光的光學(xué)部件。在該光學(xué)部件中，光纖被插入到一端側(cè)的內(nèi)徑小、另一端側(cè)的內(nèi)徑大的玻璃管中，玻璃管的一端側(cè)的內(nèi)壁與光纖的包層熔接，玻璃管的另一端側(cè)的內(nèi)壁與光纖分離。而且，漏到光纖的包層的泄漏光在玻璃管的一端側(cè)的熔接部分從包層向玻璃管傳播，輸入到玻璃管的光從玻璃管的另一端側(cè)向外輻射。專利文獻(xiàn)I :日本特開2008-158096號(hào)公報(bào)然而，在上述專利文獻(xiàn)I所述的光學(xué)部件中，泄漏光由于需要在被光纖的被覆層等吸收前被輻射，因此必須設(shè)置在光纖的端部附近，設(shè)置位置被限制。

發(fā)明內(nèi)容
于是，本發(fā)明的目的在于提供能夠在希望的位置，輻射在包層中傳播的泄漏光的多孔光纖以及使用其的激光器裝置。本發(fā)明的多孔光纖的特征在于，具有一端以及另一端，并且具有纖芯、被覆所述纖芯的內(nèi)側(cè)包層、形成有多個(gè)空孔并被覆所述內(nèi)側(cè)包層的空孔層和被覆所述空孔層的外側(cè)包層，該多孔光纖設(shè)置有將所述空孔沿光纖的長度方向坍縮規(guī)定長度的坍縮區(qū)域。根據(jù)這樣的多孔光纖，在輸入到纖芯的光、從纖芯輸出的光的一部分作為泄漏光，向內(nèi)側(cè)包層泄漏的情況下，由于內(nèi)側(cè)包層被空孔層被覆，因此泄漏光也被封閉于內(nèi)側(cè)包層中，在內(nèi)側(cè)包層中傳播。因此，能夠防止在非意圖的位置，泄漏光從多孔光纖輻射。因此，在多孔光纖被被覆層被覆的情況下，也能夠防止燒壞該被覆層。而且，在坍縮區(qū)域中，空孔層的空孔被坍縮，因此泄漏光從內(nèi)側(cè)包層經(jīng)由空孔層向外側(cè)包層傳播，來向多孔光纖的外部輻射。因此，通過在希望的位置設(shè)置坍縮區(qū)域，能夠在希望的位置輻射在內(nèi)側(cè)包層中傳播的泄漏光。另外，在上述多孔光纖中，優(yōu)選所述空孔在所述坍縮區(qū)域中按照直徑變細(xì)的方式坍縮。
輸入到內(nèi)側(cè)包層的泄漏光包含數(shù)值孔徑(NA)高的成分到NA低的成分。于是，根據(jù)這樣的多孔光纖，通過變細(xì)空孔的直徑，能夠調(diào)整空孔層的平均折射率，因此能夠調(diào)整在坍縮區(qū)域中能夠在內(nèi)側(cè)包層中傳播的光的NA。因此，能夠在坍縮區(qū)域中輻射超過能夠在內(nèi)側(cè)包層中傳播的光的NA的泄漏光的成分。這樣，能夠調(diào)整泄漏光的輻射量?；蛘撸谏鲜龆嗫坠饫w中，優(yōu)選所述空孔在所述坍縮區(qū)域中被完全坍縮。根據(jù)這樣的多孔光纖，在坍縮區(qū)域中空孔被完全坍縮，因此能夠使泄漏光的輻射量為最大限度。另外，優(yōu)選在上述多孔光纖中的所述坍縮區(qū)域中，所述空孔按照直徑沿著從所述一端向所述另一端的方向逐漸變小的方式坍縮。根據(jù)這樣的多孔光纖,在坍縮區(qū)域中，沿著從多孔光纖的一端朝向另一端的方向，空孔層的平均折射率逐漸地變大，能夠在內(nèi)側(cè)包層中傳播的光的NA逐漸變小。因此，從一端朝向另一端在內(nèi)側(cè)包層中傳播的泄漏光在坍縮區(qū)域中，隨著空孔層的平均折射率變大， 從NA大的泄漏光的成分到NA小的泄漏光的成分，按順序逐漸被輻射。因此，能夠使被輻射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散?；蛘撸谏鲜龆嗫坠饫w中的所述坍縮區(qū)域中，也優(yōu)選所述空孔按照直徑沿著從所述一端朝向所述另一端的方向分級(jí)地變小的方式坍縮。根據(jù)這樣的多孔光纖,在坍縮區(qū)域中，沿著從多孔光纖的一端朝向另一端的方向，空孔層的平均折射率分級(jí)地變大，能夠在內(nèi)側(cè)包層中傳播的光的NA分級(jí)地變小。因此，從一端朝向另一端在內(nèi)側(cè)包層中傳播的泄漏光在坍縮區(qū)域中，隨著空孔層的平均折射率變大，從NA大的泄漏光的成分到NA小的泄漏光的成分，按順序分級(jí)地被輻射。因此，在這樣的多孔光纖中，能夠使被福射的泄漏光也不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散。進(jìn)而，在上述多孔光纖中，更優(yōu)選所述空孔中的與直徑最小的部分相鄰的部分被完全坍縮。根據(jù)這樣的多孔光纖，在坍縮區(qū)域中，空孔按照直徑逐漸或分級(jí)地變小的方式坍縮，最后被完全坍縮。因此，能夠輻射在空孔未被完全坍縮的部分中未被輻射的泄漏光。另外，在上述多孔光纖中，優(yōu)選特征在于，所述坍縮區(qū)域設(shè)置有多個(gè)，所述空孔按照直徑從與所述一端最近的所述坍縮區(qū)域向與所述另一端最近的所述坍縮區(qū)域分級(jí)地變小的方式坍縮。 根據(jù)這樣的多孔光纖，在多個(gè)坍縮區(qū)域中，按照從多孔光纖的一端向另一端的順序，坍縮區(qū)域中的空孔層的平均折射率分級(jí)地變大。因此，按各個(gè)坍縮區(qū)域能夠在內(nèi)側(cè)包層中傳播的光的NA分級(jí)地變小。因此，從一端向另一端在內(nèi)側(cè)包層中傳播的泄漏光在各個(gè)坍縮區(qū)域中，從NA大的泄漏光的成分起按順序分級(jí)地被輻射。因此，根據(jù)這樣的多孔光纖，由于泄漏光從各個(gè)坍縮區(qū)域分級(jí)地被分開來被輸出，因此能夠使被輻射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散。進(jìn)而，在上述多孔光纖中，優(yōu)選在與所述另一端最近的所述坍縮區(qū)域中，所述空孔被完全坍縮。根據(jù)這樣的多孔光纖，能夠輻射在空孔未被完全坍縮的坍縮區(qū)域中未被輻射的泄漏光。另外，優(yōu)選在上述多孔光纖中，所述坍縮區(qū)域設(shè)置有多個(gè)，多個(gè)所述坍縮區(qū)域從與所述一端最近的所述坍縮區(qū)域向與所述另一端最近的坍縮區(qū)域而分級(jí)地變長。根據(jù)這樣的多孔光纖，在各個(gè)坍縮區(qū)域中，按照從多孔光纖的一端朝向另一端的順序，泄漏光易于被輻射。因此，從一端向另一端在內(nèi)側(cè)包層中傳播的泄漏光在各個(gè)坍縮區(qū)域中，分級(jí)地被輻射。因此，根據(jù)這樣的多孔光纖，泄漏光從各個(gè)坍縮區(qū)域分級(jí)地被分開來輸出，因此能夠使被福射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散。另外，優(yōu)選在上述多孔光纖中，所述一端是向所述纖芯輸入光的輸入端。根據(jù)這樣的多孔光纖，有時(shí)當(dāng)從多孔光纖的一端輸入光時(shí)，輸入的光的一部分從纖芯漏出，作為泄漏光，從多孔光纖的一端向另一端在包層中傳播。然而，在這樣的情況下，在坍縮區(qū)域中也能夠輸出泄漏光。尤其，在為從一端向另一端傳播的泄漏光逐漸被輻射、或者分級(jí)地被輻射的構(gòu)成的情況下，能夠使被輻射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散?；蛘?，優(yōu)選在上述多孔光纖中，所述一端為從所述纖芯輸出光的輸出端。 根據(jù)這樣的多孔光纖，有時(shí)當(dāng)從多孔光纖的一端輸出光時(shí)，輸出的光的一部分被反射，反射后的光作為泄漏光，從多孔光纖的一端向另一端在包層中傳播。然而，在這樣的情況下，在坍縮區(qū)域中也能夠輸出泄漏光。尤其，當(dāng)為從一端向另一端傳播的泄漏光逐漸被輻射，或者分級(jí)地被輻射構(gòu)成的情況下，能夠使被輻射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散。另外，優(yōu)選在上述多孔光纖中的所述坍縮區(qū)域中，所述外側(cè)包層的至少I部分被折射率在所述外側(cè)包層的折射率以上的光輻射部件被覆。根據(jù)這樣的多孔光纖，泄漏光易于從外側(cè)包層向光輻射部件傳播，能夠效率更好地輻射泄漏光。進(jìn)而，更優(yōu)選在上述多孔光纖中，所述光輻射部件與熱轉(zhuǎn)換部件連。根據(jù)這樣的多孔光纖，能夠使傳播到光輻射部件的泄漏光被熱轉(zhuǎn)換部件吸收而轉(zhuǎn)換為熱，因此能夠抑制泄漏光浪費(fèi)地向空間輻射。另外，本發(fā)明的激光器裝置的特征在于，具備上述的多孔光纖，利用所述多孔光纖來傳播輸出光。根據(jù)這樣的激光器裝置，能夠利用多孔光纖來傳播輸出光，并且在產(chǎn)生泄漏光，該泄漏光在多孔光纖的包層中傳播的情況下，也能夠在希望的位置輻射泄漏光。進(jìn)而，優(yōu)選在上述激光器裝置中，還具備光纖，該光纖具有纖芯以及包層，并且與所述多孔光纖端面連接，向所述多孔光纖的所述纖芯輸入所述輸出光，所述包層的外徑小于或等于所述內(nèi)側(cè)包層的外徑。根據(jù)這樣的激光器裝置，在與多孔光纖連接的光纖中，即使產(chǎn)生不需要的泄漏光，并且該泄漏光從光纖的包層被輸出的情況下，也能夠易于將泄漏光封閉于多孔光纖的內(nèi)側(cè)包層。另外，能夠抑制當(dāng)進(jìn)行端面連接時(shí)，多孔光纖的空孔作為根源而形成泡。發(fā)明效果如上所述，根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠在希望的位置，輻射在包層中傳播的泄漏光的多孔光纖以及使用其的激光器裝置。


圖I是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的激光器裝置的圖。圖2是表示圖I的放大用光纖的與長度方向垂直的剖面的樣子的圖。圖3是表示圖I的多孔光纖的與長度方向垂直的剖面的樣子的圖。圖4是表示放大用光纖與多孔光纖的連接的樣子的圖。圖5是表示圖I的多孔光纖的沿著長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。圖6是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖的沿著長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。圖7是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖的沿著長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。圖8是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖的沿著長度方向的坍 縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。圖9是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖的沿著長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。圖10是表示本發(fā)明的第6實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖的沿著長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖對(duì)本發(fā)明的多孔光纖以及使用其的激光器裝置的優(yōu)選的實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。(第I實(shí)施方式)圖I是表示本發(fā)明的第I實(shí)施方式的激光器裝置的圖。如圖I所示，激光器裝置I是光纖激光器裝置，具備下述主要構(gòu)成，即輸出種子光的種子光源10、輸出激勵(lì)光的激勵(lì)光源20、被輸入種子光與激勵(lì)光的放大用光纖30、連接種子光源10以及激勵(lì)光源20和放大用光纖30的光纖合束器40和作為一端與放大用光纖30連接的傳輸光纖的多孔光纖50。種子光源10例如由激光二極管所構(gòu)成的激光源、法布里珀羅型、光纖環(huán)型的光纖激光器裝置構(gòu)成。從該種子光源10輸出的種子光沒有特別限制，例如，為波長1070nm的激光。另外，種子光源10與由纖芯以及被覆纖芯的包層構(gòu)成的種子光傳播用光纖15連接，從種子光源10輸出的種子光在種子光傳播用光纖15的纖芯中傳播。作為種子光傳播用光纖15，例如，可以舉出單模光纖，該情況下，種子光在種子光傳播用光纖15中作為單模光傳播。激勵(lì)光源20由多個(gè)激光二極管21構(gòu)成，如上述那樣，在種子光的波長為1070nm的情況下，例如，輸出波長為915nm的激勵(lì)光。另外，激勵(lì)光源20的各個(gè)激光二極管21與激勵(lì)光傳播用光纖22連接，從激光二極管21輸出的激勵(lì)光在激勵(lì)光傳播用光纖22中傳播。作為激勵(lì)光傳播用光纖22，例如，可以舉出多模光纖，該情況下，激勵(lì)光在激勵(lì)光傳播用光纖22中作為多模光傳播。圖2是表示放大用光纖30的與長度方向垂直的剖面的構(gòu)造的圖。如圖2所示，放大用光纖30由纖芯31、被覆纖芯31的包層32、被覆包層32的樹脂包層33和被覆樹脂包層33的被覆層34構(gòu)成。包層32的折射率比纖芯31的折射率低，樹脂包層33的折射率比包層32的折射率更低。纖芯31的直徑例如為15 μ m，包層32的外徑例如為400 μ m。作為這樣的構(gòu)成纖芯31的材料，例如可以舉出添加了使折射率上升的鍺等元素、以及被從激勵(lì)光源20輸出的激勵(lì)光激勵(lì)的鐿(Yb)等活性元素而成的石英。作為這樣的活性元素，可以舉出稀土類元素，作為稀土類元素，除上述Yb之外，還可以舉出銩(Tm)、鈰(Ce)、釹(Nd)、銪(Eu)等。此外，作為活性元素，除稀土類元素之外，還可以舉出鉍(Bi)、鉻(Cr)等。另外，作為構(gòu)成包層32的材料，例如可以舉出未添加任何摻雜劑的純石英。另外，作為構(gòu)成樹脂包層33的材料，例如可以舉出紫外線固化樹脂，作為構(gòu)成被覆層34的材料，例如可以舉出與構(gòu)成樹脂包層33的樹脂不同的紫外線固化樹脂。
光纖合束器40將種子光傳播用光纖15以及各個(gè)激勵(lì)光傳播用光纖22與放大用光纖30連接。具體而言，在光纖合束器40中，種子光傳播用光纖15的纖芯與放大用光纖30的纖芯31端面連接。此外，在光纖合束器40中，各個(gè)激勵(lì)光傳播用光纖22的纖芯在放大用光纖30的一端與包層32端面連接。這樣，從種子光源10輸出的種子光被輸入到放大用光纖30的纖芯31中，從激勵(lì)光源20輸出的激勵(lì)光被輸入到放大用光纖30的包層32。圖3是表示圖I的多孔光纖50的與長度方向垂直的剖面的樣子的圖。如圖3所不，多孔光纖50由纖芯51、被覆纖芯51的內(nèi)側(cè)包層52、被覆內(nèi)側(cè)包層52的空孔層53、被覆空孔層53的外側(cè)包層54和被覆外側(cè)包層54的被覆層55構(gòu)成。纖芯31的直徑例如為15 μ m,內(nèi)側(cè)包層52的外徑例如為400 μ m。另外，空孔層53按照被覆內(nèi)側(cè)包層52的方式形成多個(gè)空孔56，在各個(gè)空孔56之間，形成有肋57。各個(gè)空孔56的直徑例如為6. 8 μ m，空孔56的間隔(肋57的寬度)例如在最短部分為I. 2 μ m。而且，內(nèi)側(cè)包層52、肋57、外側(cè)包層54均由折射率比纖芯51低的相同材料構(gòu)成。作為這樣的構(gòu)成纖芯51的材料，例如，可以舉出添加了使折射率上升的鍺等元素而成的石英，作為構(gòu)成內(nèi)側(cè)包層52、肋57、外側(cè)包層54的材料，例如可以舉出未添加任何摻雜劑的純石英。另外，作為構(gòu)成被覆層55的材料，例如可以舉出紫外線固化樹脂。如圖I所示，該多孔光纖50的一端58如上述那樣，與放大用光纖30連接，另一端59什么也不連接，為自由端。圖4是表示這樣的放大用光纖30與多孔光纖50的連接的樣子的圖。其中，為了便于理解，在圖4中，構(gòu)成放大用光纖30以及多孔光纖50的各部分的比例尺與圖2、圖3不同。如圖4所示，在多孔光纖50的一端58附近，被覆層55被剝離。另夕卜，在放大用光纖30的另一端39附近，樹脂包層33以及被覆層34被剝離。而且，多孔光纖50的一端58與放大用光纖30的另一端39端面連接，多孔光纖50的纖芯51與放大用光纖30的纖芯31連接，多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52與放大用光纖30的包層32連接。其中，如本實(shí)施方式那樣，在向多孔光纖50輸入輸出光的放大用光纖30與多孔光纖50端面連接的情況下，優(yōu)選放大用光纖30的包層32的外徑小于或等于多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52的外徑。由于形成這樣的構(gòu)成，能夠抑制當(dāng)放大用光纖30與多孔光纖50端面連接時(shí)，多孔光纖的空孔為根源而形成泡。另外，在多孔光纖50中，如圖I所示那樣形成坍縮區(qū)域60。圖5是表示圖I的多孔光纖的沿長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。其中，為了便于理解，在圖5中，構(gòu)成多孔光纖50的各部分的比例尺與圖3不同，并省略了放大用光纖30。如圖5所示，在坍縮區(qū)域60以及其周邊的區(qū)域，被覆層55被剝離。而且，在坍縮區(qū)域60中，各個(gè)空孔56按照直徑變細(xì)的方式坍縮，在各個(gè)空孔56之間形成的肋57的寬度變大。因此，在坍縮區(qū)域60中，空孔層53的平均折射率變大，與多孔光纖50的其他的區(qū)域相比，能夠在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的光的NA變小。因此，即使是在多孔光纖50的坍縮區(qū)域以外能夠在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的光，一部分光在坍縮區(qū)域60內(nèi)也不能在內(nèi)側(cè)包層52中傳播，而經(jīng)由空孔層53向外側(cè)包層54傳播。其中，坍縮區(qū)域60中的空孔56的直徑例如為坍縮區(qū)域60以外的空孔56的直徑的O 80%，尤其為內(nèi)側(cè)包層52的NA小于或等于纖芯51的NA那樣的直徑，由于從放大用光纖30的纖芯31向傳輸光纖50的內(nèi)側(cè)包層52漏出的光的NA比纖芯51的NA大的情況較多，所以用所需最低限度的工時(shí)就可以得到足夠的效果，因而優(yōu)選。另外，坍縮區(qū)域60的長度例如為100mm。這樣的坍縮區(qū)域能夠通過剝離多孔光纖50的被覆層55，加熱剝離了被覆層55的 區(qū)域的至少一部分來使空孔56坍縮而設(shè)置。這時(shí)，通過控制加熱溫度以及加熱時(shí)間，能夠調(diào)整空孔的坍縮方式。對(duì)于這樣的加熱，能夠使用C02激光器、氫氧焰、放電加工。另外，坍縮區(qū)域60中的外側(cè)包層54的外周面的至少一部分被光輻射部件61被覆，光輻射部件61與熱轉(zhuǎn)換部件62連接。光輻射部件61由折射率在外側(cè)包層54的折射率以上的材料構(gòu)成。作為這樣的材料，例如可以舉出高折射率的硅樹脂等。另外，熱轉(zhuǎn)換部件62只要是將光轉(zhuǎn)換為熱的部件，就沒有特別的限定，但優(yōu)選為放熱性優(yōu)良的部件，例如由不銹鋼等金屬構(gòu)成。接下來，對(duì)激光器裝置I的動(dòng)作進(jìn)行說明。首先，從種子光源10輸出種子光，并且從激勵(lì)光源20輸出激勵(lì)光。這時(shí)，從種子光源10輸出的種子光如上所述例如波長為1080nm。從種子光源10輸出的種子光在種子光傳播用光纖15的纖芯中傳播，并輸入到光纖合束器40。另一方面，從激勵(lì)光源20的各個(gè)激光二極管21輸出的激勵(lì)光如上所述例如波長為915nm。從各個(gè)激光二極管21輸出的激勵(lì)光在激勵(lì)光傳播用光纖22中傳播，并輸入到光纖合束器40。這樣輸入到光纖合束器40的種子光向放大用光纖30的纖芯31輸入,在纖芯31中傳播。另一方面，輸入到光纖合束器40的激勵(lì)光向放大用光纖30的包層32輸入，主要在包層32中傳播。而且，當(dāng)激勵(lì)光通過纖芯31時(shí)，被添加到纖芯31的活性元素吸收，來激勵(lì)活性元素。被激勵(lì)后的活性元素發(fā)生受激輻射，由于該受激輻射，種子光被放大，作為輸出光從放大用光纖30的另一端39被輸出。而且,從放大用光纖30的纖芯31輸出的輸出光輸入到多孔光纖50的纖芯51,在纖芯51中傳播,從多孔光纖50的另一端59被輸出。這時(shí)，在放大用光纖30與多孔光纖50的連接部分，有時(shí)由于纖芯彼此的軸偏差、纖芯彼此的角度的不匹配、纖芯彼此的模場的不同等，從放大用光纖30輸出的輸出光的一部分作為泄漏光輸入到多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52。該情況下，由于空孔層53被覆內(nèi)側(cè)包層52，因此輸入到內(nèi)側(cè)包層52的泄漏光被封閉在內(nèi)側(cè)包層52中來傳播。然后，在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的泄漏光到達(dá)坍縮區(qū)域60。然而，輸入到內(nèi)側(cè)包層52的泄漏光包含NA高的成分乃至NA低的成分。但是，如上所述，坍縮區(qū)域60中的內(nèi)側(cè)包層52與坍縮區(qū)域60以外的內(nèi)側(cè)包層52相比，能夠傳播的光的NA小，因此泄漏光中的、超過能夠在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的光的NA的成分經(jīng)由空孔層53，向外側(cè)包層54傳播。而且，傳播到外側(cè)包層54的泄漏光被光輻射部件61輻射，通過熱轉(zhuǎn)換部件62轉(zhuǎn)換為熱而消失。如以上說明的那樣，根據(jù)本實(shí)施方式的激光器裝置1，在多孔光纖50中，輸入到纖芯51的輸出光的一部分作為泄漏光向內(nèi)側(cè)包層52泄漏的情況下,也由于內(nèi)側(cè)包層52被空孔層53被覆，因此泄漏光被封閉于內(nèi)側(cè)包層52，在內(nèi)側(cè)包層52中傳播。因此，能夠防止在使用者非意圖的位置，泄漏光從多孔光纖50輻射。因此，在多孔光纖50被被覆層55被覆的情況下，也能夠防止燒壞該被覆層55。而且，在坍縮區(qū)域60中，空孔層53的空孔56被坍縮，因此泄漏光從內(nèi)側(cè)包層52經(jīng)由空孔層53向外側(cè)包層54傳播，向多孔光纖50的外部輻射。因此，通過將坍縮區(qū)域60設(shè)置于希望的位置，能夠在希望的位置，輻射在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的泄漏光。另外，空孔56在坍縮區(qū)域60中，按照直徑變細(xì)的方式坍縮，因此通過變細(xì)空孔56的直徑，能夠自由地調(diào)整空孔層53的平均折射率。因此，根據(jù)這樣的多孔光纖50，能夠調(diào)整 在坍縮區(qū)域60中能夠在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的光的NA，因此能夠輻射在坍縮區(qū)域60中超過能夠在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的光的NA的泄漏光的成分。這樣，能夠調(diào)整泄漏光的輻射量。另外，通過在坍縮區(qū)域60中設(shè)置光輻射部件61，能夠易于從外側(cè)包層54向光輻射部件61傳播泄漏光，能夠效率更好地輻射泄漏光，通過使熱轉(zhuǎn)換部件62與光輻射部件61連接，能夠使傳播到光輻射部件61的泄漏光被熱轉(zhuǎn)換部件62吸收而轉(zhuǎn)換為熱，因此能夠抑制泄漏光浪費(fèi)地向空間輻射。另外，在本實(shí)施方式中，與多孔光纖50的一端端面連接的放大用光纖30的包層32的外徑小于或等于多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52的外徑，因此能夠易于將泄漏光封閉于多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52。另外，在本實(shí)施方式中，輸入到放大用光纖30的激勵(lì)光的一部分未被放大用光纖30吸收，而在包層32中傳播，從放大用光纖30的另一端39輸出的情況下，也能夠使該輸出的激勵(lì)光輸入到多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52。該情況下，輸入到內(nèi)側(cè)包層52的激勵(lì)光與泄漏光一并在內(nèi)側(cè)包層52中傳播，被從坍縮區(qū)域60輻射。而且，在本實(shí)施方式中，如上述那樣，與多孔光纖50的一端端面連接的放大用光纖30的包層32的外徑小于或等于多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52的外徑，因此能夠使從放大用光纖30輸出的激勵(lì)光效率良好地輸入到多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52。(第2實(shí)施方式)接下來，參照?qǐng)D6對(duì)本發(fā)明的第2實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。其中，對(duì)于與第I實(shí)施方式同樣或者同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，除特別說明的情況外，省略重復(fù)的說明。圖6是表示本發(fā)明的第2實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖50的沿長度方向的坍縮區(qū)域60的剖面的樣子的圖。其中，為了便于理解，在圖6中，構(gòu)成多孔光纖50的各部分的比例尺也與圖3不同，并省略了放大用光纖30。如圖6所示，本實(shí)施方式的激光器裝置在設(shè)置于多孔光纖50的坍縮區(qū)域60中，空孔56被完全坍縮的方面，與第I實(shí)施方式的激光器裝置I不同。因此，在空孔56被完全坍縮的部分，圖I所示的肋57完全連接。根據(jù)本實(shí)施方式的激光器裝置I，在多孔光纖50的坍縮區(qū)域60中，空孔56被完全坍縮，因此不存在將泄漏光封閉于內(nèi)側(cè)包層的構(gòu)造，能夠使泄漏光的輻射量為最大限度。
(第3實(shí)施方式)接下來，參照?qǐng)D7對(duì)本發(fā)明的第3實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。其中，對(duì)于與第I實(shí)施方式同樣或者同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，除特別說明的情況外，省略重復(fù)的說明。圖7是表示本發(fā)明的第3實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖50的沿長度方向的坍縮區(qū)域60的剖面的樣子的圖。其中，為了便于理解，在圖7中，構(gòu)成多孔光纖50的各部分的比例尺也與圖3不同，并省略了放大用光纖30。如圖7所示，本實(shí)施方式的激光器裝置在設(shè)置于多孔光纖50中的坍縮區(qū)域60中，空孔56按照直徑沿著從多孔光纖50的一端58向另一端59的方向逐漸變小的方式被坍縮的方面，與第I實(shí)施方式的激光器裝置I不同。即，在坍縮區(qū)域60中，使形成空孔56的內(nèi)壁相對(duì)于多孔光纖50的長度方向傾斜，空孔56的直徑逐漸變小。因此，在坍縮區(qū)域60中，圖3的肋57的寬度沿著從多孔光纖50的一端58向另一端59的方向逐漸變大，因而空孔層53的平均折射率逐漸變大。因此，在坍縮區(qū)域60中，能夠在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的光的NA沿著從多孔光纖50的一端58向另一端59的方向逐漸變小。而且，在與空孔56中的直徑最小的部分相鄰的部分，空孔56被完全坍縮。 根據(jù)本實(shí)施方式的激光器裝置，從多孔光纖50的一端58向另一端59在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的泄漏光在坍縮區(qū)域60中，隨著空孔層53的平均折射率逐漸變大，按順序從NA大的泄漏光的成分到NA小的泄漏光的成分逐漸被輻射。因此，能夠使被輻射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散。(第4實(shí)施方式)接下來，參照?qǐng)D8，對(duì)本發(fā)明的第4實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。其中，對(duì)于與第I實(shí)施方式同樣或者同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，除特別說明的情況外，省略重復(fù)的說明。圖8是表示本發(fā)明的第4實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖的沿長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。其中，為了便于理解，在圖8中，構(gòu)成多孔光纖50的各部分的比例尺也與圖3不同，并省略了放大用光纖30。如圖8所示，本實(shí)施方式的激光器裝置在設(shè)置于多孔光纖50的坍縮區(qū)域60中，空孔56按照直徑沿著從多孔光纖50的一端58向另一端59的方向分級(jí)地變小的方式被坍縮的方面，與第I實(shí)施方式的激光器裝置I不同。即，在坍縮區(qū)域60中，圖3的肋57的寬度沿著從多孔光纖50的一端58向另一端59的方向分級(jí)地變大，空孔層53的平均折射率分級(jí)地變大。因此，在坍縮區(qū)域60中，能夠在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的光的NA沿著從多孔光纖50的一端58向另一端59的方向分級(jí)地變小。而且，在與空孔56中的直徑最小的部分相鄰的部分，空孔56被完全坍縮。根據(jù)本實(shí)施方式的激光器裝置，從多孔光纖50的一端58向另一端59在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的泄漏光在坍縮區(qū)域60中，隨著空孔層53的平均折射率分級(jí)地變大，按順序從NA大的泄漏光的成分到NA小的泄漏光的成分分級(jí)地被輻射。因此，能夠使被輻射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散。(第5實(shí)施方式)接下來，參照?qǐng)D9，對(duì)本發(fā)明的第5實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。其中，對(duì)于與第I實(shí)施方式同樣或者同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，除特別說明的情況外，省略重復(fù)的說明。圖9是表示本發(fā)明的第5實(shí)施方式的激光器裝置的多孔光纖的沿長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。其中，為了便于理解，在圖9中，構(gòu)成多孔光纖50的各部分的比例尺也與圖3不同，并省略了放大用光纖30。如圖9所示，對(duì)本實(shí)施方式的激光器裝置來說，在多孔光纖50中設(shè)置多個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d,空孔56按照直徑從與多孔光纖50的一端58最近的坍縮區(qū)域60a向與另一端59最近的坍縮區(qū)域60d分級(jí)地變小的方式被坍縮的方面，與第I實(shí)施方式的激光器裝置I不同。而且，在與多孔光纖50的另一端59最近的坍縮區(qū)域60d中，空孔56被完全坍縮。即，各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d中的肋57的寬度從坍縮區(qū)域60a向坍縮區(qū)域60d分級(jí)地變大，空孔層53的平均折射率分級(jí)地變大。因此，在各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d中，能夠在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的光的NA從坍縮區(qū)域60a向坍縮區(qū)域60d分級(jí)地變小。其中，在本實(shí)施方式中，各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d為相互相同的長度。而且，在各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d中，與第I實(shí)施方式的坍縮區(qū)域60相同，外側(cè)包層54的外周面的至少一部被光輻射部件61被覆，光輻射部件61與熱轉(zhuǎn)換部件62連接。
根據(jù)本實(shí)施方式中的激光器裝置，沿著從多孔光纖50的一端58向另一端59的坍縮區(qū)域60a 60d，從NA大的泄漏光的成分起按順序易被輻射。因此，從多孔光纖50的一端58向另一端59在內(nèi)側(cè)包層52中傳播的泄漏光在各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d中，分級(jí)地被輻射。因此，根據(jù)這樣的多孔光纖50，泄漏光從各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d分級(jí)地被分開來輸出，因此能夠使被輻射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散。進(jìn)而，在與另一端最近的坍縮區(qū)域60d中，空孔56被完全坍縮，因此能夠輻射在空孔56未被完全坍縮的坍縮區(qū)域60a 60c中未被輻射的泄漏光。(第6實(shí)施方式)接下來，參照?qǐng)D10對(duì)本發(fā)明的第6實(shí)施方式詳細(xì)地進(jìn)行說明。其中，對(duì)于與第I實(shí)施方式同樣或者同等的構(gòu)成要素，標(biāo)注同一附圖標(biāo)記，除特別說明的情況外，省略了重復(fù)的說明。圖10是表示本發(fā)明的第6實(shí)施方式的激光器裝置的沿多孔光纖的長度方向的坍縮區(qū)域的剖面的樣子的圖。其中，為了便于理解，在圖10中，構(gòu)成多孔光纖50的各部分的比例尺也與圖3不同，并省略了放大用光纖30。如圖10所示，本實(shí)施方式的激光器裝置在多孔光纖50中設(shè)置有多個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d,多個(gè)所述坍縮區(qū)域60a 60d從與多孔光纖50的一端58最近的坍縮區(qū)域60a向與另一端59最近的坍縮區(qū)域60d分級(jí)地變長的方面，與第I實(shí)施方式的激光器裝置I不同。其中，在本實(shí)施方式中，在各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d中，空孔56按照直徑為相同大小的方式被坍縮。而且，在各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d中，與第I實(shí)施方式的坍縮區(qū)域60同樣，外側(cè)包層54的外周面的至少一部分被光輻射部件61被覆，光輻射部件61與熱轉(zhuǎn)換部件62連接。根據(jù)本實(shí)施方式的激光器裝置，在多孔光纖50的多個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d中，按照從多孔光纖50的一端58向另一端59的順序,泄漏光易被福射。因此，在內(nèi)側(cè)包層52中從一端58向另一端59傳播的泄漏光在各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d中，分級(jí)地輻射。因此，根據(jù)這樣的多孔光纖50，泄漏光從各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d分級(jí)地被分開來輸出，因此能夠使被福射的泄漏光不在局部集中，而在光纖的長度方向上分散。以上，以第I 第6實(shí)施方式為例對(duì)本發(fā)明進(jìn)行了說明，但本發(fā)明不限于此。例如,在第I實(shí)施方式 第6實(shí)施方式中，以光纖激光器裝置為例說明了激光器裝置，但本發(fā)明不限于此，例如，作為固體激光器裝置的傳輸光纖，也可以為連接多孔光纖50的構(gòu)成。另外，在第I實(shí)施方式 第6實(shí)施方式中，說明了將多孔光纖50作為輸出光的傳輸光纖使用的激光器裝置，但多孔光纖50也能夠應(yīng)用于輸出光的傳輸光纖以外，尤其優(yōu)選應(yīng)用于傳播功率大的光的光纖。另外，在第I 第6實(shí)施方式中，使多孔光纖的一端58為輸出光的輸入端，使另一端59為輸出光的輸出端。但是，本發(fā)明不限于此，也可以使多孔光纖的另一端59為輸出光的輸入端，使一端58為輸出光的輸出端。該情況下，當(dāng)輸出光在一端58被輸出時(shí),一部分的輸出光由于端面的反射，作為泄漏光在內(nèi)側(cè)包層52中從一端58向另一端59傳播的情況下，也能夠在坍縮區(qū)域中福射該泄漏光。尤其，在第3 第6實(shí)施方式中,在一端58為輸出光的輸出端的情況下，當(dāng)輸出光的反射光作為泄漏光在內(nèi)側(cè)包層52中傳播時(shí)，能夠逐漸或者分級(jí)地輻射該泄漏光，因而優(yōu)選。另外,在第I 第6實(shí)施方式中，不一定需要被覆層55,進(jìn)而,也不一定需要光福射部件61、熱轉(zhuǎn)換部件62。該情況下，在坍縮區(qū)域中，從內(nèi)側(cè)包層向外側(cè)包層傳播的泄漏光的 至少一部分也從坍縮區(qū)域向多孔光纖外輻射。另外，在第2、第3實(shí)施方式中，在與空孔56中的直徑最小的部分相鄰的部分，為空孔56被完全坍縮的構(gòu)成，但不一定需要空孔56被完全坍縮的部分。同樣地，在第5實(shí)施方式中，在坍縮區(qū)域60d中，空孔56的直徑只要比坍縮區(qū)域60c中的空孔56的直徑小，就不需要被完全坍縮。另外，在第5實(shí)施方式中，也可以如第6實(shí)施方式那樣，分級(jí)地變長坍縮區(qū)域60a 60d的長度。另外，在第6實(shí)施方式中，也可以如第2實(shí)施方式那樣，將各個(gè)坍縮區(qū)域60a 60d的構(gòu)成形成為空孔56被完全坍縮的構(gòu)成，也可以如第3實(shí)施方式那樣，形成為空孔56逐漸地被坍縮的構(gòu)成，也可以如第4實(shí)施方式那樣，形成為空孔56被分級(jí)地坍縮的構(gòu)成。另外，在上述實(shí)施方式中，與多孔光纖50的一端58連接的放大用光纖30的包層32的外徑小于或等于多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52,但本發(fā)明不限于此,與多孔光纖50連接的光纖的包層的外徑也可以比多孔光纖50的內(nèi)側(cè)包層52的外徑大。實(shí)施例以下，舉出實(shí)施例以及比較例來更具體地說明本發(fā)明的內(nèi)容，但本發(fā)明不限于此。(實(shí)施例I)準(zhǔn)備圖3所示的多孔光纖。該多孔光纖的纖芯的直徑為15 μ m，內(nèi)側(cè)包層的外徑約為400 μ m,空孔層中形成157個(gè)6. 8 μ m的空孔，外側(cè)包層的外徑為500 μ m,外側(cè)包層被被覆層被覆。另外，準(zhǔn)備用于輸出輸出光的雙包層光纖。該雙包層光纖的纖芯具有與多孔光纖相同的直徑，包層的外徑為400 μ m，該包層由樹脂包層被覆，進(jìn)而，該樹脂包層由被覆層被覆。接下來，剝離多孔光纖的一端部附近的被覆層，并且剝離雙包層光纖的輸出端附近的被覆層。而且，按照多孔光纖與雙包層光纖的纖芯稱合的方式，來端面連接多孔光纖的一端部與雙包層光纖的輸出端。接下來，在距離多孔光纖的一端部50cm的位置，僅在I處剝離長度IlOmm的被覆層。而且，在剝離了被覆層的區(qū)域，遍布長度100mm，使用CO2激光器，來加熱多孔光纖直至空孔消失，從而設(shè)置了坍縮區(qū)域。而且，用高折射率的硅樹脂被覆坍縮區(qū)域的外側(cè)包層，使用該硅樹脂，使外側(cè)包層粘接固定于切出V槽、與散熱部件連接的不銹鋼。這樣，使硅樹脂為光輻射部件，使不銹鋼為熱轉(zhuǎn)換部件。接下來，按照從雙包層光纖與多孔光纖的連接部產(chǎn)生50W的泄漏光的方式從雙包層光纖的輸出端輸出輸出光。這時(shí)，多孔光纖的被覆層的溫度約為60°C。(實(shí)施例2)準(zhǔn)備與實(shí)施例I同樣的多孔光纖以及雙包層光纖，與實(shí)施例I同樣地連接多孔光纖與雙包層光纖。接下來，在距離多孔光纖的一端部50cm的位置，剝離10處多孔光纖的被覆層。剝離的長度為分別與實(shí)施例I相同的長度，剝離的間隔為5cm。而且，在各個(gè)被覆層被剝離后的區(qū)域，通過與實(shí)施例I同樣的方法，設(shè)置了與實(shí)施例I相同的長度的坍縮區(qū)域。但是，當(dāng) 設(shè)置各個(gè)坍縮區(qū)域時(shí)，調(diào)整多孔光纖的加熱，從與多孔光纖的一端部最近的(與和雙包層光纖的連接部最近)坍縮區(qū)域向與另一端部最近的坍縮區(qū)域，加強(qiáng)空孔的坍縮方式，以使空孔的直徑分級(jí)地變小。而且，在各個(gè)坍縮區(qū)域中，與實(shí)施例I同樣，用與熱轉(zhuǎn)換部件連接的光輻射部件被覆外側(cè)包層。接下來，按照從雙包層光纖與多孔光纖的連接部產(chǎn)生50W的泄漏光的方式從雙包層光纖輸出輸出光。這時(shí)，多孔光纖的被覆層的溫度約為60°C。(實(shí)施例3)準(zhǔn)備與實(shí)施例I同樣的多孔光纖以及雙包層光纖，與實(shí)施例I同樣地連接多孔光纖與雙包層光纖。與實(shí)施例2同樣，剝離了 10處被覆層。而且，在各個(gè)被覆層被剝離后的區(qū)域，通過與實(shí)施例I同樣的方法，與實(shí)施例I同樣地加熱多孔光纖直至空孔被完全坍縮，來設(shè)置了坍縮區(qū)域。但是，各個(gè)坍縮區(qū)域的長度從與多孔光纖的一端部最近的坍縮區(qū)域按順序?yàn)?0_、20mm、30mm、40mm、50mm、60mm、70mm、80mm、90mm、100mm。而且,在各個(gè)對(duì)縮區(qū)域中，與實(shí)施例I同樣，用與熱轉(zhuǎn)換部件連接的光輻射部件被覆外側(cè)包層接下來，按照從雙包層光纖與多孔光纖的連接部產(chǎn)生50W的泄漏光的方式從雙包層光纖輸出輸出光。這時(shí)，多孔光纖的被覆層的溫度約為60°C。(實(shí)施例4)準(zhǔn)備被從一端部輸入種子光的放大用光纖。該放大用光纖的纖芯的直徑為15 μ m,包層的直徑為400 μ m，包層被樹脂包層被覆，樹脂包層被被覆層被覆。另外，準(zhǔn)備纖芯的直徑為15 μ m、內(nèi)側(cè)包層的外徑約為80 μ m、空孔層中形成31個(gè)6. 9 μ m的空孔、外側(cè)包層的外徑為140 μ m的多孔光纖。進(jìn)而，準(zhǔn)備6根纖芯的直徑為105 μ m的作為激勵(lì)光傳播用光纖的多模光纖。接下來，剝離放大用光纖的另一端部(輸出端)附近的被覆層，并且剝離多孔光纖的一端部附近的被覆層。而且，按照多孔光纖的纖芯與放大用光纖的纖芯耦合的方式，端面連接多孔光纖的一端部與放大用光纖的輸出端，并且在多孔光纖的周邊配置6根多模光纖，按照多模光纖的纖芯與放大用光纖的包層耦合的方式，端面連接多模光纖的一端部與放大用光纖的輸出端。
這樣，制作出由放大用光纖輸出的輸出光被輸入到多孔光纖，從放大用光纖的輸出端側(cè)輸入激勵(lì)光的后方激勵(lì)型的光纖激光器裝置。接下來，在距離多孔光纖的一端部50cm的位置，與實(shí)施例I同樣地剝離I處被覆層。而且，在被覆層被剝離后的區(qū)域，通過與實(shí)施例I同樣的方法，設(shè)置與實(shí)施例I相同長度的坍縮區(qū)域。但是，當(dāng)設(shè)置坍縮區(qū)域時(shí)，調(diào)整多孔光纖的加熱，從坍縮區(qū)域中的與多孔光纖的一端部最近的(與和放大用光纖的連接部最近)部分向與另一端部最近的部分，逐漸加強(qiáng)空孔的坍縮方式，以使空孔的直徑逐漸變小。而且，在坍縮區(qū)域的與另一端部最近的部分中，空孔被完全坍縮。而且，在坍縮區(qū)域中，與實(shí)施例I同樣，用與熱轉(zhuǎn)換部件連接的光輻射部件被覆外側(cè)包層。然后，從放大用光纖的一端部輸入種子光，并且向各個(gè)多模光纖輸入激勵(lì)光，從放大用光纖輸出種子光被放大后的輸出光。這時(shí)，調(diào)整激勵(lì)光的強(qiáng)度，按照從放大用光纖與多 孔光纖的連接部產(chǎn)生50W的泄漏光的方式從放大用光纖輸出輸出光。這時(shí)，多孔光纖的被覆層的溫度約為60°C。以上，在實(shí)施例I 4中，確認(rèn)了任意的多孔光纖的被覆層的溫度都不過剩地上升。由此，可以認(rèn)為在包層中傳播的泄漏光幾乎未被被覆層吸收，而從設(shè)置于希望的位置的坍縮區(qū)域輻射。產(chǎn)業(yè)上的可利用性根據(jù)本發(fā)明，可以提供能夠在希望的位置輻射在包層中傳播的泄漏光的多孔光纖以及使用其的激光器裝置。附圖標(biāo)記的說明I激光器裝置；10種子光源；15種子光傳播用光纖；20激勵(lì)光源；21激光二極管；22激勵(lì)光傳播用光纖；30放大用光纖；31纖芯；32包層；33樹脂包層；34被覆層；40光纖合束器；50多孔光纖；51纖芯；52內(nèi)側(cè)包層；53空孔層；54夕卜側(cè)包層；55被覆層；56空孔；57肋；60、60a、60b、60c、60d坍縮區(qū)域；61光輻射部件；62熱轉(zhuǎn)換部件。
權(quán)利要求
1.一種多孔光纖,其特征在于， 具有一端以及另一端，并且具有纖芯、被覆所述纖芯的內(nèi)側(cè)包層、形成有多個(gè)空孔并被覆所述內(nèi)側(cè)包層的空孔層和被覆所述空孔層的外側(cè)包層， 該多孔光纖設(shè)置有將所述空孔沿光纖的長度方向坍縮規(guī)定長度的坍縮區(qū)域。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多孔光纖，其特征在于， 所述空孔在所述坍縮區(qū)域中，按照直徑變細(xì)的方式坍縮。
3.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多孔光纖，其特征在于， 所述空孔在所述坍縮區(qū)域中包含被完全坍縮的區(qū)域。
4.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多孔光纖，其特征在于， 在所述坍縮區(qū)域中，所述空孔按照沿著從所述一端朝向所述另一端的方向直徑逐漸變小的方式坍縮。
5.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多孔光纖，其特征在于， 在所述坍縮區(qū)域中，所述空孔按照沿著從所述一端朝向所述另一端的方向直徑分級(jí)地變小的方式坍縮。
6.根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的多孔光纖,其特征在于， 所述空孔中的與直徑最小的部分相鄰的部分被完全坍縮。
7.根據(jù)權(quán)利要求I所述的多孔光纖，其特征在于， 所述坍縮區(qū)域設(shè)置有多個(gè)， 所述空孔按照從與所述一端最近的所述坍縮區(qū)域向與所述另一端最近的所述坍縮區(qū)域，直徑分級(jí)地變小的方式坍縮。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的多孔光纖，其特征在于， 在與所述另一端最近的所述坍縮區(qū)域中，所述空孔被完全坍縮。
9.根據(jù)權(quán)利要求廣8中的任意一項(xiàng)所述的多孔光纖，其特征在于， 所述坍縮區(qū)域設(shè)置有多個(gè)， 多個(gè)所述坍縮區(qū)域從與所述一端最近的所述坍縮區(qū)域向與所述另一端最近的坍縮區(qū)域而分級(jí)地變長。
10.根據(jù)權(quán)利要求I 9中的任意一項(xiàng)所述的多孔光纖，其特征在于， 所述一端為向所述纖芯輸入光的輸入端。
11.根據(jù)權(quán)利要求I 9中的任意一項(xiàng)所述的多孔光纖，其特征在于， 所述一端為從所述纖芯輸出光的輸出端。
12.根據(jù)權(quán)利要求I 11中的任一項(xiàng)所述的多孔光纖，其特征在于， 在所述坍縮區(qū)域中，所述外側(cè)包層的至少一部分被折射率在所述外側(cè)包層的折射率以上的光輻射部件被覆。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的多孔光纖，其特征在于， 所述光輻射部件與熱轉(zhuǎn)換部件連接。
14.一種激光器裝置，其特征在于， 具備權(quán)利要求I 13中的任意一項(xiàng)所述的多孔光纖， 通過所述多孔光纖來傳播輸出光。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的激光器裝置，其特征在于，所述激光器裝置還具備光纖，該光纖具有纖芯以及包層，并且與所述多孔光纖端面連接，向 所述多孔光纖的所述纖芯輸入所述輸出光， 所述包層的外徑小于或等于所述內(nèi)側(cè)包層的外徑。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供能夠在希望的位置輻射在包層中傳播的泄漏光的多孔光纖以及使用其的激光器裝置。多孔光纖(50)的特征在于，具有一端(58)以及另一端(59)，并且具有纖芯(51)、被覆纖芯(51)的內(nèi)側(cè)包層(52)、形成多個(gè)空孔并被覆內(nèi)側(cè)包層的空孔層(53)和被覆空孔層(53)的外側(cè)包層(54)，該多孔光纖設(shè)置有將空孔(56)沿光纖的長度方向坍縮規(guī)定長度的坍縮區(qū)域(60)。
文檔編號(hào)G02B6/032GK102812389SQ201180014618
公開日2012年12月5日 申請(qǐng)日期2011年3月11日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月20日
發(fā)明者田中弘范, 姫野邦治 申請(qǐng)人:株式會(huì)社藤倉