專利名稱：電潤(rùn)濕顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種電潤(rùn)濕顯示裝置和用于制造該電潤(rùn)濕顯示裝置的方法。
背景技術(shù)：
諸如由Zhou 等在 J. Micromech. Microeng. 19 (2009) 065029 的文章中所描述的電潤(rùn)濕顯示裝置包括兩個(gè)支撐板，每個(gè)支撐板包括基板。壁的圖案被布置在一個(gè)支撐板上，該圖案限定顯示裝置的像元(picture element)的范圍。像元的壁之間的區(qū)域(也被稱為像素)被稱為顯示區(qū)域，在其上產(chǎn)生顯示效果。在電場(chǎng)的影響下，由像元內(nèi)兩種不混溶的流體(油類和電解液)的運(yùn)動(dòng)產(chǎn)生顯示效果。當(dāng)沒(méi)有場(chǎng)施加的時(shí)候，油類形成覆蓋支撐板的顯示區(qū)域的層。在施加場(chǎng)時(shí)，油類收縮并且電解液鄰接支撐板的大部分。如果例如該油類是不透明的，則像元的用作光閥。像元的壁是親水材料的圖案。為了像元的正常運(yùn)行，顯示區(qū)域中支撐板的區(qū)域必 須在很大程度上是疏水的。在顯示裝置的制造中，像元所在的支撐板的區(qū)域通過(guò)包括疏水層而被制成疏水的。通過(guò)在疏水層上沉積一層壁材料并且用光刻法對(duì)這層壁材料進(jìn)行圖案化在該層上形成壁。為了增強(qiáng)壁材料層與疏水層之間的粘著力，在施加壁材料層之前降低疏水層的疏水性。在壁形成后，對(duì)支撐板進(jìn)行熱處理，使得壁之間的疏水層的區(qū)域恢復(fù)它的疏水性。然而使用這種方法制成的顯示裝置的質(zhì)量不能令人滿意。本發(fā)明的目的是提供一種不具有上述缺點(diǎn)的制造電潤(rùn)濕顯示裝置的方法。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，提供了一種制造用于電潤(rùn)濕裝置的支撐板的方法，包括以下步驟設(shè)置具有疏水層的支撐板；在疏水層上布置親水材料的圖案；以及通過(guò)溶劑去除疏水層的表面層?，F(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置質(zhì)量不令人滿意的一個(gè)主要原因看來(lái)是由于在顯示裝置的延伸操作之后在關(guān)閉電場(chǎng)時(shí)像元中的油類緩慢回流或者不回流。根據(jù)本發(fā)明，通過(guò)在顯示裝置的制造過(guò)程中在親水材料圖案被布置在疏水層上以后包括化學(xué)去除疏水層的表面層的步驟，可以改善回流?；瘜W(xué)去除步驟通過(guò)使用制成疏水層的材料的溶劑實(shí)現(xiàn)。溶劑處理后疏水表面的質(zhì)量看來(lái)比任何現(xiàn)有技術(shù)處理后的都好。溶劑處理出乎意料地減小了疏水層的表面粗糙度，而不需要將支撐板加熱至高于疏水層的玻璃化溫度。結(jié)果像元的性能提高了，因此所顯示的圖像的質(zhì)量提高了。將親水材料布置在疏水層上的處理被認(rèn)為影響疏水層而導(dǎo)致了所述回流問(wèn)題。已知的熱處理疏水層以恢復(fù)它的疏水性的處理步驟不能充分地解決該回流問(wèn)題。在本方法優(yōu)選的實(shí)施方式中，溶劑是可以用于選擇性地溶解該疏水層材料的溶齊U。如果該溶劑選擇性地溶解疏水材料并且以較小程度地或者完全不溶解壁圖案的親水材料，去除疏水層的表面層的過(guò)程對(duì)壁的影響會(huì)很小或者完全沒(méi)有。
去除疏水層的表面層可以通過(guò)將支撐板與液體溶劑或氣體溶劑相接觸而進(jìn)行。與氣相溶劑相接觸允許通過(guò)減慢蝕刻速率改善對(duì)材料去除的控制。此外，減小了已去除的材料被再沉積在表面上的可能。另外一個(gè)優(yōu)點(diǎn)是不需要使用阻化劑，因?yàn)樵诟稍镫A段期間沒(méi)有材料被再沉積在表面上。該氣體可以是水蒸氣。去除表面層的步驟有利地包括使用稀釋劑。稀釋劑基本上不溶解疏水層的材料。稀釋劑的包含稀釋了溶液中的反應(yīng)成分并降低了它的宏觀效率，因此減慢了溶解速率，允許對(duì)疏水層的表面層的去除進(jìn)行更好地控制。為了在完成去除步驟后容易將稀釋劑從支撐板去除，稀釋劑優(yōu)選揮發(fā)物。對(duì)稀釋劑的使用還減輕了在去除步驟中從親水區(qū)域釋放的壁材料或光刻漆的殘余物在顯示區(qū)域中再沉積的問(wèn)題，或在去除步驟過(guò)程中溶解的疏水材料在不希望的位置(例如在壁的頂端)再沉積的問(wèn)題。在現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置中，顯示區(qū)域內(nèi)殘余物的存在可能是導(dǎo)致現(xiàn)有技術(shù)的顯示裝置慢回流的一個(gè)原因。殘余物的存在可以使用諸如XPS或TOF-SMS的表面分析技術(shù)來(lái)測(cè)定。優(yōu)選地，溶劑為碳氟化合物基的和/或在使用稀釋劑的方法中該稀釋劑優(yōu)選為油 基的。在去除表面層后任何陷入通常稍微多孔的疏水層的溶劑或者稀釋劑，當(dāng)它是油基溶 劑或稀釋劑時(shí)，會(huì)比水溶劑或稀釋劑對(duì)該層的疏水性產(chǎn)生較小的影響。當(dāng)溶劑和稀釋劑形成溶液時(shí),該溶液的同質(zhì)性(homogeneity)增強(qiáng)了疏水層的去除的均勻性。諸如溶劑和稀釋劑的成分在溶液中被完全混合而不形成諸如微?；蛘呃缛闈嵋褐械奈F(tuán)的子結(jié)構(gòu)。優(yōu)選地，本方法包括通過(guò)應(yīng)用液體停止去除所述表面層的步驟，在去除所述表面層的步驟和應(yīng)用所述液體之間的時(shí)間足夠短，以至于所述溶劑或所述稀釋劑在所述液體使用之前不干。如果溶劑不被允許在支撐板上干燥，那么顯示區(qū)域中壁材料的殘余物和壁上的疏水材料的再沉積減少。該方法可以包括熱處理(anneal)支撐板的步驟,從而改善親水材料圖案對(duì)疏水層的粘附。該熱處理步驟優(yōu)選在表面層去除步驟后進(jìn)行。在根據(jù)本發(fā)明的過(guò)程中使用的熱處理溫度可以低于現(xiàn)有技術(shù)熱處理步驟中使用的溫度?，F(xiàn)有技術(shù)使用恰好低于該疏水材料的熔化溫度而高于玻璃化溫度的熱處理溫度；例如，非晶體氟聚合物在220攝氏度和260攝氏度之間的溫度被熱處理溫度以增強(qiáng)該疏水層的疏水性。這種增強(qiáng)已經(jīng)通過(guò)本發(fā)明中的溶劑步驟實(shí)現(xiàn)。因此，熱處理步驟可以僅用于增強(qiáng)粘著力。根據(jù)本發(fā)明的對(duì)非晶體氟聚合物的熱處理步驟可以在低于220攝氏度的溫度執(zhí)行，或者優(yōu)選地在低于160攝氏度的溫度執(zhí)行。該較低的溫度不影響親水材料。在較低溫度下的熱處理或者，可選地，使用熱處理以外的另一種方法來(lái)增強(qiáng)粘著力，允許在支撐板中采用塑料基板而制成柔性顯示裝置。優(yōu)選地，本方法包括以下步驟在支撐板上提供第一流體和第二導(dǎo)電的或極性的流體，第一流體和第二流體不混溶；提供另一個(gè)支撐板；以及密封支撐板和另一個(gè)支撐板，從而在支撐板和另一個(gè)支撐板之間形成包括第一流體和第二流體的腔體。如果某層對(duì)第一流體比對(duì)第二流體具有更大的潤(rùn)濕性，則該層被稱為“疏水的”。如果某層對(duì)第二流體比對(duì)第一流體有更大的潤(rùn)濕性，則該層被稱為“親水的”。在本方法的特定實(shí)施方式中，電潤(rùn)濕裝置是電潤(rùn)濕顯示裝置，優(yōu)選地，該電潤(rùn)濕顯示裝置包括根據(jù)本發(fā)明制造的支撐板。本發(fā)明的另一方面涉及包括支撐板的電潤(rùn)濕裝置，該支撐板包括具有厚度的疏水層，以及布置在該疏水層的第一區(qū)域上的親水材料圖案，該疏水層厚度在第一區(qū)域內(nèi)大于在第一區(qū)域外。由于去除步驟僅去除了在布置有親水壁材料圖案的第一區(qū)域外的疏水層表面層，在第一區(qū)域內(nèi)疏水層的厚度將大于該區(qū)域外疏水層的厚度。例如在已使用等離子蝕刻使疏水層具有較弱疏水性的情況下，優(yōu)選地，厚度的差大于10nm。當(dāng)通過(guò)反應(yīng)離子蝕刻使疏水層具有較弱疏水性的情況下，優(yōu)選地，該差大于lOOnm。在另 一優(yōu)選實(shí)施方式中，該差大于150nm或200nm。受控的從疏水層對(duì)更多材料的 去除會(huì)給該疏水表面留下較薄的層。該較薄的層具有開(kāi)關(guān)該電潤(rùn)濕裝置的所需的電壓比較低的優(yōu)點(diǎn)。有利地，疏水層在第一區(qū)域外比在第一區(qū)域內(nèi)具有更高的疏水性。在根據(jù)本發(fā)明的表面處理之后，典型的后退接觸角的值在第一區(qū)域內(nèi)為70度以下，以及在第一區(qū)域外大于100度，優(yōu)選地大于110度。在處理后該表面優(yōu)選地表現(xiàn)為與剛剛沉積后疏水層表面的后退接觸角在5度之內(nèi)相同。根據(jù)本發(fā)明的顯示裝置工作期間油類或第一流體的滯后小于現(xiàn)有技術(shù)顯示裝置。疏水材料的圖案形成限定電潤(rùn)濕顯示裝置內(nèi)電潤(rùn)濕元件的范圍(extent)的壁。由以下僅通過(guò)實(shí)例的方式參照附圖對(duì)本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的描述，本發(fā)明的其他特征和優(yōu)點(diǎn)將變得顯而易見(jiàn)。


圖I示出了電潤(rùn)濕顯示裝置的像元橫截面的示意圖。圖2示出了顯示裝置的第一支撐板的示意性平面圖。圖3示出了第一支撐板的疏水層的橫截面。
具體實(shí)施例方式圖I以電潤(rùn)濕顯示裝置I的形式示出了電潤(rùn)濕裝置的部分的圖示橫截面。該顯示裝置包括多個(gè)像元2，在圖中示出了其中的一個(gè)。像元的橫向范圍在圖中由兩條虛線3、4表示。像元包括第一支撐板5和第二支撐板6。這些支撐板可以是每個(gè)像元的分離的部件，但是優(yōu)選地，這些支撐板被多個(gè)像元共有。支撐板可以包括玻璃或聚合物基板6、7，并且可以是剛性的或柔性的。顯示裝置具有觀看面8和背面9，可以觀看由顯示裝置在觀看面8上形成的圖像或顯示。在圖中，第一支撐板5面向背面9 ;第二支撐板6面向觀看面；可選地，第一支撐板可以面向觀看面。顯示裝置可以是反射型、透射型或透射反射型的。顯示裝置可以是分段顯示型的，在其中圖像可以由段組成，每一段包括幾個(gè)像元。顯示裝置可以是有源陣列驅(qū)動(dòng)顯示型的，或者是無(wú)源驅(qū)動(dòng)顯示裝置。多個(gè)像元可以是單色的。對(duì)于彩色顯示裝置，像元可以分組，每組具有不同的顏色；可選地，單獨(dú)的圖像元素也能夠顯示不同的顏色。支撐板間的空間10充滿兩種流體第一流體11和第二流體12。第二流體與第一流體不混溶。第二流體為導(dǎo)電性的或電極性的，可以是水或諸如氯化鉀水溶液的鹽溶液。優(yōu)選地，第二流體是透明的，但可以是彩色的、白色的、吸收的或反射的。第一流體是非導(dǎo)電性的，例如可以是如同十六烷或(硅樹脂)油的烷烴。第一流體吸收至少一部分光譜，第一流體對(duì)于一部分光譜可以是透射的，形成顏色過(guò)濾器。為了這個(gè)目的，第一流體可以通過(guò)添加顏料微粒或染料被染色。可選地，第一流體可以是黑色，即充分地吸收光譜的所有部分，或者反射。反射層可以反射整個(gè)可見(jiàn)光譜，使該層呈現(xiàn)為白色，或反射它的部分，使其有顏色。支撐板5包括絕緣(insulating)層13。絕緣層可以是透明的或反射的,絕緣層13可以在像元的壁之間延伸。然而，為避免在第二流體12以及布置在絕緣層下的電極之間的短路，優(yōu)選地，絕緣層是在多個(gè)圖像元素2上延伸的連續(xù)層，如圖中所示。優(yōu)選地，絕緣層的厚度少于2微米，更優(yōu)選地，少于I微米。絕緣層可以是疏水層；可選地，它可以包括疏水層15和電介質(zhì)層16，疏水層15面向空間IO，如圖中所示。例如，疏水層可以是DuPont公司提供的諸如AF1600或AF1601的非晶體含氟聚合物，或者任何其他低表面能聚合物。優(yōu)選地，疏水層的厚度在300nm和800nm之間。電介質(zhì)層可以是氧化硅層或氮化硅層，具有例如200nm的厚度。表面14的疏水特性使得第一流體11優(yōu)先粘附至絕緣層13，因?yàn)榈谝涣黧w具有比第二流體12高的相對(duì)于絕緣層13的表面潤(rùn)濕性。潤(rùn)濕性涉及流體對(duì)固體表面的相對(duì)親和 性。每個(gè)元件2包括作為支撐板5的一部分的電極17。電極17通過(guò)絕緣層13與流體分離；鄰近像元的電極被非導(dǎo)電層分離。其他層可以設(shè)置在絕緣層13和電極17之間。電極17可以是任何期望的形狀或形式。在圖中示意性地表示出，通過(guò)信號(hào)線18向像元的電極17提供電壓信號(hào)。第二信號(hào)線19被連接至與導(dǎo)電的第二流體12接觸的電極。當(dāng)所有元件被第二流體12流動(dòng)地互相連接并且共享第二流體而不被壁阻斷時(shí)，該電極由所有元件共用。像元2可以由施加在信號(hào)線18和19間的電壓V控制。基板7上的電極17被耦連至顯示驅(qū)動(dòng)系統(tǒng)。在具有以陣列形式設(shè)置的像元的顯示裝置中，在基板7上電極可以被耦連至控制線陣列。第一流體11被沿著像元橫截面的壁20限制于一個(gè)像元。像元的橫截面可以具有任意形狀；當(dāng)像元以陣列形式排列時(shí)，橫截面通常是正方形或長(zhǎng)方形。雖然壁被示為從絕緣層13突出的結(jié)構(gòu)，但它們也可以是支撐板的排斥(repel)第一流體的表面層，例如親水層或弱疏水層。壁可以從第一支撐板向第二支撐板延伸，但是也可以如圖I所示從第一支撐板向第二支撐板部分地延伸。由虛線3和4表示的像元的范圍，由壁20的中心限定。由虛 線21和22表示的像元的壁之間的區(qū)域被稱為顯示區(qū)域23，其上產(chǎn)生顯示效果。圖2示出第一支撐板的疏水層的平面圖中的正方形像元的陣列。圖2中，中心像元的范圍(與圖I中的虛線3和虛線4對(duì)應(yīng))由虛線25表示。線26表示壁的內(nèi)邊界；該線也是顯示區(qū)域23的邊。壁20的圖案覆蓋第一區(qū)域27。當(dāng)沒(méi)有電壓施加在電極間時(shí)，第一流體11在壁之間形成一層，如圖I所示。施加電壓會(huì)使第一流體收縮(contract)，例如靠著壁，如圖I中虛線形狀24所示。第一流體的可控形狀用于作為光閥操作像元，在顯示區(qū)域23提供顯示效果。在顯示裝置的制造過(guò)程中，包括電極17的電極結(jié)構(gòu)被設(shè)置在基板7上。隨后，包括疏水層15的絕緣層13被布置在電極結(jié)構(gòu)上。通過(guò)減小疏水層15的表面14的疏水性的處理步驟，該表面14為壁的應(yīng)用作準(zhǔn)備。該步驟可以包括反應(yīng)離子蝕刻和/或等離子處理。由于該步驟，表面14的形成圖像的顯示裝置區(qū)域的外部的部分可以被屏幕隔開(kāi)。形成圖像的區(qū)域是顯示區(qū)域的全部和在壁中間的區(qū)域。壁可以用已知方法設(shè)置在第一區(qū)域27中的表面14上，已知方法可包括在表面上旋涂壁材料(例如，SU-8)，預(yù)烘干該層壁材料，使用光刻圖案化該層，以及從顯示區(qū)域23去除壁材料。制造過(guò)程中的下一步是增強(qiáng)顯示區(qū)域23內(nèi)的表面14的疏水性。根據(jù)本發(fā)明，該表面受疏水層15的材料的溶劑作用，優(yōu)選地，該溶劑為氣相或液相。當(dāng)疏水層由諸如AF1600、AF1601、Cytop或者Fluoropel的非晶體含氟聚合物制成時(shí)，優(yōu)選的溶劑為由3M公司生產(chǎn)的諸如HFE7100的氫氟代醚，或諸如FC40、FC70、PF-5060、AK-225以及FC57的碳氟化合物。這些溶劑不溶解壁材料。對(duì)溶解過(guò)程的控制通過(guò)向該溶劑添加油基(oil-based)稀釋劑來(lái)改善；稀釋劑和溶劑形成真正的溶液。稀釋劑的實(shí)例為庚烷、十四烷、癸烷、辛烷或者戊烷。例如，HFE7100分子有碳氟分支(branch)以及碳分支。碳氟分支溶解疏水層,碳分支有助于與例如庚烷形成優(yōu)良的溶劑。
當(dāng)使用液態(tài)溶劑時(shí)，具有疏水層的支撐板可以被浸入容納該液體的溶池中?？蛇x地，液體可以被噴灑在支撐板上或在旋轉(zhuǎn)支撐板時(shí)分配在其上。當(dāng)使用氣體溶劑時(shí)，具有疏水層的支撐板可以被放置在部分地裝有液體溶劑的腔體中，避免支撐板和該溶劑間的直接接觸。該液體溶劑的蒸發(fā)將使支撐板被溶劑的蒸汽包圍，這會(huì)使得疏水層的表面層被去除從而恢復(fù)它的疏水性。在完成對(duì)表面的處理后，在溶劑或稀釋劑干燥以前，通過(guò)將支撐板5浸入有諸如烯烴或其他液體的阻化劑的溶池中，使溶解過(guò)程停止。當(dāng)該處理通過(guò)氣體溶劑實(shí)現(xiàn)時(shí)，可以通過(guò)結(jié)束與該氣體的接觸停止處理。隨后，將支撐板浸入諸如水、乙醇、IPA (異丙基乙醇)的水溶液中，接著進(jìn)行干燥步驟。此外，支撐板可以經(jīng)歷150°C的熱處理步驟。在完成對(duì)第一支撐板5的制造后，使用已知方法(例如，在國(guó)際專利申請(qǐng)W02005/098797中所公開(kāi)的)施加第一流體11。在空間10已以已知方式(例如，國(guó)際申請(qǐng)W02009/065909中所公開(kāi)的)被第二流體12填滿以后，第一支撐板5和第二支撐板6使用例如壓敏膠安裝在一起。圖3示出了根據(jù)本發(fā)明的表面處理后顯示裝置的疏水層的橫截面。第一區(qū)域27內(nèi)疏水層15的厚度31大于顯示區(qū)域23內(nèi)疏水層的厚度32。厚度的差可以通過(guò)拆開(kāi)顯示裝置，使用用于壁材料的溶劑去除任意壁，以及測(cè)量在壁20所在的第一區(qū)域27和顯示區(qū)域23之間的邊界上疏水層的表面輪廓。表面輪廓可以通過(guò)使用諸如Scientific ComputingInternational公司制造的Filmtck的測(cè)量裝置,或者輪廓掃描器確定。雖然本發(fā)明參考電潤(rùn)濕顯示裝置進(jìn)行了闡明，但本發(fā)明適用于親水材料布置于疏水層上的任何電潤(rùn)濕裝置。其他電潤(rùn)濕裝置的實(shí)例是諸如電潤(rùn)濕光圈和快門的電潤(rùn)濕光學(xué)兀件，以及芯片實(shí)驗(yàn)室(lab-on-a-chip)裝置。以上實(shí)施方式應(yīng)當(dāng)理解成本發(fā)明的說(shuō)明性實(shí)例。本發(fā)明的其他實(shí)施方式是可以設(shè)想的。需要理解的是關(guān)于任一實(shí)施方式描述的任何特征可以單獨(dú)使用，或與所描述的其他特征組合使用，也可以與一個(gè)或多個(gè)其他實(shí)施方式的一個(gè)或多個(gè)特征組合使用，或任何其他實(shí)施方式的任意組合。此外，在不偏離所附權(quán)利要求書所限定的本發(fā)明的范圍的情況下，也可以采用以上未描述的等同物和修改。
權(quán)利要求
1.一種制造用于電潤(rùn)濕裝置的支撐板的方法，包括以下步驟 設(shè)置具有疏水層的所述支撐板； 在所述疏水層上布置親水材料的圖案；以及 通過(guò)溶劑去除所述疏水層的表面層。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的方法，其中，所述溶劑為用于選擇性地溶解所述疏水層的材料的溶劑。
3.根據(jù)權(quán)利要求I或2所述的方法，其中，所述溶劑為氣體溶劑。
4.根據(jù)權(quán)利要求1、2或3所述的方法，其中，去除表面層的步驟包括使用稀釋劑。
5.根據(jù)權(quán)利要求I至4所述的方法，其中，所述溶劑為碳氟化合物基的和/或，在使用稀釋劑的方法中，所述稀釋劑為油基的。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的方法，其中，所述溶劑和所述稀釋劑形成溶液。
7.根據(jù)權(quán)利要求I至6中任一項(xiàng)所述的方法，包括通過(guò)應(yīng)用液體停止去除所述表面層的步驟，在去除所述表面層的步驟和應(yīng)用所述液體之間的時(shí)間足夠短，以使所述溶劑或所述稀釋劑在所述液體使用之前不干。
8.根據(jù)權(quán)利要求I至7中任一項(xiàng)所述的方法，包括熱處理所述支撐板的步驟。
9.根據(jù)權(quán)利要求I至8中任一項(xiàng)所述的方法，包括以下步驟 在所述支撐板上提供第一流體和第二導(dǎo)電的或極性的流體，所述第一流體和第二流體不混溶； 提供另一個(gè)支撐板；以及 密封所述支撐板和所述另一個(gè)支撐板，從而在所述支撐板和所述另一個(gè)支撐板之間形成包括所述第一流體和所述第二流體的腔體。
10.根據(jù)權(quán)利要求I至9中任一項(xiàng)所述的方法，其中，所述電潤(rùn)濕裝置為電潤(rùn)濕顯示裝置。
11.一種電潤(rùn)濕裝置，包括根據(jù)權(quán)利要求I至10中任一項(xiàng)所述的方法制造的支撐板。
12.一種電潤(rùn)濕裝置，包括支撐板，所述支撐板包括具有厚度的疏水層，以及布置在所述疏水層的第一區(qū)域上的親水材料圖案， 所述疏水層的厚度在所述第一區(qū)域內(nèi)大于在所述第一區(qū)域外。
13.根據(jù)權(quán)利要求12所述的電潤(rùn)濕裝置，其中，所述疏水層在所述第一區(qū)域外具有比在所述第一區(qū)域內(nèi)更高的疏水性。
14.根據(jù)權(quán)利要求12或13所述的電潤(rùn)濕裝置，其中，所述電潤(rùn)濕裝置為電潤(rùn)濕顯示裝置。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的電潤(rùn)濕顯示裝置，包括多個(gè)電潤(rùn)濕元件，其中，所述親水材料圖案形成限定所述電潤(rùn)濕元件的范圍的壁。
全文摘要
本發(fā)明涉及制造用于電潤(rùn)濕裝置的支撐基板的方法。該方法包括以下步驟設(shè)置具有疏水層的支撐板；在疏水層上布置親水材料圖案，以及通過(guò)溶劑去除疏水層的表面層。本發(fā)明還涉及一種包括支撐板的電濕潤(rùn)裝置，該支撐板包括具有厚度的疏水層，以及布置在疏水層的第一區(qū)域上的親水材料圖案，疏水層的厚度在第一區(qū)域內(nèi)大于在第一區(qū)域外。
文檔編號(hào)G02B26/02GK102804023SQ201180014398
公開(kāi)日2012年11月28日 申請(qǐng)日期2011年3月14日 優(yōu)先權(quán)日2010年3月15日
發(fā)明者羅馬里克·馬薩德, 基亞拉·科姆蒂, 博克·約翰內(nèi)斯·芬斯特拉 申請(qǐng)人:三星Lcd荷蘭研究開(kāi)發(fā)中心