專利名稱：一種陣列基板及液晶面板的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本實(shí)用新型涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種陣列基板及包括該陣列基板的液晶面板。
背景技術(shù)：
透過率和刷新率是液晶顯示器的重要指標(biāo)。透過率指的是背光通過液晶面板之后的出光量，刷新率是指液晶充電的頻率。透過率的提高能夠提高顯示器的亮度，降低成本。 刷新率的提高可以提高動(dòng)態(tài)畫面的質(zhì)量，減小拖尾，降低成本。當(dāng)前廣視角水平電場的技術(shù)有IPS(共面轉(zhuǎn)換Jn-Plane-Switching)和FFS(邊緣場交換Fringe Field Switching)兩種。IPS由于陣列基板中像素電極使用的是金屬材料，因此影響了透過率；FFS由于存儲(chǔ)電容很大，刷新率也只能到120Hz，也不能滿足發(fā)展的市場需求。傳統(tǒng)的FFS結(jié)構(gòu)陣列基板如圖1所示，包括公共電極層5’、像素電極2’、玻璃基板3’和保護(hù)層10’，所述公共電極層5’與像素電極2’之間形成電場4’，但是電場4’中不包含水平電場，造成對(duì)像素電極2’上方的液晶分子驅(qū)動(dòng)力不強(qiáng)，而為了彌補(bǔ)液晶分子驅(qū)動(dòng)力不強(qiáng)的不足，必須提高像素電極的排布密度，然而如果提高像素電極的排布密度，就會(huì)造成透過率降低。在結(jié)構(gòu)設(shè)計(jì)方面，電場對(duì)液晶的控制力決定著液晶的透過率。電極的寬度一般在 3μπι以上，而電場對(duì)液晶分子的控制，往往是在電極的邊緣，因此電極的正上方往往是電場力最弱的位置，因此在這里的液晶分子透過率也不高，而造成透過率的整體下降。FFS結(jié)構(gòu)當(dāng)中也面臨相同的情況，雖然像素電極采用透明的ITO(氧化銦錫)材料，但由于像素電極上方的液晶透過率不高，從而影響了整體的透過率。而且在FFS的結(jié)構(gòu)中像素電極會(huì)和下面的公共電極形成一個(gè)很大的存儲(chǔ)電容，存儲(chǔ)電容大一方面對(duì)像素電壓的穩(wěn)定有好處，但是隨著近年來需求高刷新率的產(chǎn)品越來越多，傳統(tǒng)的FFS結(jié)構(gòu)已經(jīng)在應(yīng)用上出現(xiàn)了明顯的不足，而3D技術(shù)、集成技術(shù)等都需要較高的刷新率支持，而大存儲(chǔ)電容使得FFS的像素需要更長的充電時(shí)間，降低刷新率。

實(shí)用新型內(nèi)容(一)要解決的技術(shù)問題本實(shí)用新型要解決的技術(shù)問題其一是如何提高液晶面板畫面的刷新率；其二是如何提高液晶面板的透過率。
實(shí)用新型內(nèi)容為了解決上述技術(shù)問題，本實(shí)用新型提供了一種陣列基板，包括玻璃基板、公共電極層、保護(hù)層和形成在所述保護(hù)層上的多個(gè)像素電極，所述玻璃基板上形成有多個(gè)突起，所述公共電極層覆蓋于所述突起和所述玻璃基板上，所述公共電極層覆蓋于所述突起上的部分形成有突起電極部，所述像素電極與所述突起電極部間隔排列，且所述突起電極部的頂部與所述像素電極大致處于一水平面上。[0009]其中，所述保護(hù)層材料為絕緣樹脂。其中，所述公共電極層和所述像素電極由透明導(dǎo)電材料制成。其中，所述透明導(dǎo)電材料為ITO或ΙΖ0。其中，所述突起為三角形突起或梯形突起。本實(shí)用新型還提供了一種液晶面板，包括所述的陣列基板。(三)有益效果本實(shí)用新型由于所述玻璃基板上形成有多個(gè)突起，公共電極層覆蓋于突起上的部分形成有突起電極部，且突起電極部的頂部與像素電極大致處于一水平面上，從而可增強(qiáng)電場中的水平電場部分，如此可降低第二電極的排布密度，因而在提高像素透過率的同時(shí)， 可降低像素中的存儲(chǔ)電容，并提高刷新率。

圖1為傳統(tǒng)的FFS結(jié)構(gòu)陣列基板示意圖，并示出了其工作狀態(tài)的電場；圖2 7為本實(shí)用新型的陣列基板的形成過程中，在各個(gè)工藝步驟的結(jié)構(gòu)示意圖；圖8為本實(shí)用新型實(shí)施例一的結(jié)構(gòu)示意圖，并示出了其工作狀態(tài)的電場；圖9為本實(shí)用新型實(shí)施例二的結(jié)構(gòu)示意圖，并示出了其工作狀態(tài)的電場。其中，1突起電極部；2、2’像素電極；3、3’玻璃基板；4、4’電場；5、5’公共電極層； 6柵線；7TFT ；8數(shù)據(jù)線；9突起；10，10’保護(hù)層；11柵絕緣層；12樹脂層；13公共電極線。
具體實(shí)施方式
以下結(jié)合附圖和實(shí)施例，對(duì)本實(shí)用新型的具體實(shí)施方式
作進(jìn)一步詳細(xì)描述。以下實(shí)施例用于說明本實(shí)用新型，但不用來限制本實(shí)用新型的范圍。實(shí)施例一如圖8所示，本實(shí)施例的陣列基板包括玻璃基板3、公共電極層5、保護(hù)層10和形成在保護(hù)層10上的多個(gè)像素電極2，所述玻璃基板3表面形成有多個(gè)突起9，公共電極層5 覆蓋于突起9和玻璃基板3上，公共電極層5覆蓋于突起9上的部分形成有突起電極部1。 像素電極2與突起電極部1間隔排列，突起電極部1的頂部與像素電極2大致處于同一水平面上。所述公共電極層5和像素電極2均使用透明材料制成，透明材料為ITO或IZO(氧化銦鋅)。所述保護(hù)層10材料為絕緣樹脂。所述結(jié)構(gòu)還包括公共電極線，公共電極層5與所述公共電極線13相連接。作為像素電極2通過過孔與TFT7的漏極相連接，TFT7的源極連接數(shù)據(jù)線8。本實(shí)施例中，保護(hù)層10使用樹脂材料(也可采用SiNx材料)，突起9的形狀為三角形。如圖8所示，充電之后突起電極部1與像素電極2之間形成有水平電場，對(duì)液晶分子進(jìn)行驅(qū)動(dòng)。由于公共電極層5上形成突起電極部1，因此頂端的液晶分子被極大程度的控制而提高液晶透過率。實(shí)施例二如圖10所示，本實(shí)施例的結(jié)構(gòu)與實(shí)施例一基本相同，所不同的是，突起9的形狀為
4梯形。如圖2 7所示，本實(shí)用新型的制作工藝步驟如下1、利用濺射、曝光、刻蝕，剝離等工藝在玻璃基板上形成柵線6和公共電極線13。 材料使用Al，Cu等金屬導(dǎo)電材料，如圖2所示。2、利用濺射、曝光、刻蝕，剝離等工藝在步驟1的基礎(chǔ)上形成柵絕緣層11和突起9， 使用絕緣材料，如圖3所示。3、利用濺射、曝光、刻蝕，剝離等工藝在步驟2的基礎(chǔ)上形成公共電極層5 (材料為 ITO或者其它透明材料)，如圖4所示。4、在步驟3的基礎(chǔ)上形成樹脂層12。材料使用絕緣材料，如圖4所示。5、利用濺射、曝光、刻蝕、灰化、剝離等工藝在步驟4的基礎(chǔ)上形成TFT7和數(shù)據(jù)線 8。數(shù)據(jù)線8的材料使用Al，Cu等金屬導(dǎo)電材料，如圖5所示。6、利用涂布、曝光、剝離等工藝在步驟5的基礎(chǔ)上形成保護(hù)層過孔。保護(hù)層10材料可以使用無機(jī)絕緣材料或有機(jī)絕緣材料。7、利用濺射、曝光、刻蝕，剝離等工藝在步驟6的基礎(chǔ)上形成像素電極2，如圖6所示。實(shí)施例三本實(shí)用新型還提供了一種包括上述陣列基板的液晶面板。由以上實(shí)施例可以看出，對(duì)比當(dāng)前的IPS和FFS技術(shù)，本實(shí)用新型的結(jié)構(gòu)由于電場中的水平電場部分增強(qiáng)了對(duì)液晶的驅(qū)動(dòng)力，因此提高了面板的透過率，使得透過率比IPS 結(jié)構(gòu)的更高，而與FFS結(jié)構(gòu)相比像素存儲(chǔ)電容能降低50%以上，大幅提高了像素的充電能力，大幅提高了畫面刷新率。而充電能力的提高，使得在FFS結(jié)構(gòu)上使用180Hz，甚至MOHz 的刷新率成為可能。以上實(shí)施方式僅用于說明本實(shí)用新型，而并非對(duì)本實(shí)用新型的限制，有關(guān)技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員，在不脫離本實(shí)用新型的精神和范圍的情況下，還可以做出各種變化和變型，因此所有等同的技術(shù)方案也屬于本實(shí)用新型的范疇，本實(shí)用新型的專利保護(hù)范圍應(yīng)由權(quán)利要求限定。
權(quán)利要求1.一種陣列基板，包括玻璃基板(3)、公共電極層(5)、保護(hù)層(10)和形成在所述保護(hù)層(10)上的多個(gè)像素電極O)，其特征在于，所述玻璃基板C3)上形成有多個(gè)突起(9)，所述公共電極層(5)覆蓋于所述突起(9)和所述玻璃基板(3)上，所述公共電極層(5)覆蓋于所述突起(9)上的部分形成有突起電極部(1)，所述像素電極( 與所述突起電極部(1) 間隔排列，且所述突起電極部(1)的頂部與所述像素電極( 大致處于一水平面上。
2.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述保護(hù)層(10)材料為絕緣樹脂。
3.如權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述公共電極層(5)和所述像素電極 ⑵由透明導(dǎo)電材料制成。
4.如權(quán)利要求3所述的陣列基板，其特征在于，所述透明導(dǎo)電材料為ITO或ΙΖ0。
5.如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于，所述突起(9)為三角形突起或梯形突起。
6.一種液晶面板，其特征在于，包括如權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的陣列基板。
專利摘要本實(shí)用新型涉及液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，公開了一種陣列基板，包括玻璃基板(3)、公共電極層(5)、保護(hù)層(10)和形成在所述保護(hù)層(10)上的多個(gè)像素電極(2)，所述玻璃基板(3)上形成有多個(gè)突起(9)，所述公共電極層(5)覆蓋于所述突起(9)和所述玻璃基板(3)上，所述公共電極層(5)覆蓋于所述突起(9)上的部分形成有突起電極部(1)，所述像素電極(2)與所述突起電極部(1)間隔排列，且所述突起電極部(1)的頂部與所述像素電極(2)大致處于一水平面上。本實(shí)用新型能提高液晶面板的透過率，及其畫面的刷新率。
文檔編號(hào)G02F1/1343GK202210200SQ20112031395
公開日2012年5月2日 申請(qǐng)日期2011年8月25日 優(yōu)先權(quán)日2011年8月25日
發(fā)明者王崢 申請(qǐng)人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司, 北京京東方顯示技術(shù)有限公司