專利名稱：Tft-lcd陣列基板及其制造方法
技術領域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器技術領域，特別涉及一種TFT-1XD陣列基板及其制造方法。
背景技術：
TFT-1XD(薄膜晶體管液晶顯示器)具有低電壓、微功耗、顯示信息量大、易于彩色化等優(yōu)點，在當前的顯示器市場占據(jù)了主導地位。其已被廣泛應用于電子計算機、電子記事本、移動電話、攝像機、高清電視機等電子設備中。TFT-1XD最基本的構件之一是顯示屏，所述顯示屏包括對盒而成的陣列基板和彩膜基板，以及充滿在陣列基板和彩膜基板之間的間隙內的液晶層。所述顯示屏顯示圖像的基本原理是:通過在所述陣列基板和彩膜基板上施加作用于液晶層上的電場，控制所述液晶層分子的取向，從而控制穿透過液晶層分子的照射光線的多少，即達到調制通過液晶層的光強的目的?，F(xiàn)有技術中，彩膜基板上的結構比較簡單，通常僅包括:基板；設置于所述基板上的黑矩陣及彩色濾光片；覆蓋所述黑矩陣及彩色濾光片的公共電極，而將更多復雜的控制電路等設置于陣列基板上。請參考圖1，其為現(xiàn)有的TFT-LCD陣列基板的結構示意圖之一。如圖1所示，陣列基板I包括:襯底基板10 ;以及設置于所述襯底基板10上的子像素電極CA、數(shù)據(jù)線SA、柵極線GA和公共電極線VA ;所述數(shù)據(jù)線SA與柵極線GA交叉設置，相鄰兩根數(shù)據(jù)線SA與相鄰兩根柵極線GA相交而成的區(qū)域內設置有一個子像素電極CA ;所述公共電極線VA經(jīng)過所述子像素電極CA與柵極線GA的交界處，且與所述柵極線GA平行設置。在此，當需要形成m列像素電極時，便需要m根數(shù)據(jù)線，相應的，也需要提供m根數(shù)據(jù)線驅動信號的源極驅動電路。源極驅動電路的成本相對柵極驅動電路的成本更加高昂，為此，現(xiàn)有技術中又提出了一種雙柵極線TFT-LCD陣列基板。請參考圖2，其為現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的結構示意圖之二。如圖2所示，陣列基板2包括:襯底基板20 ;以及設置于所述襯底基板20上的子像素電極CA、數(shù)據(jù)線SA、柵極線組GAS和公共電極線VA ;所述數(shù)據(jù)線SA兩側均耦接有子像素電極CA，所述柵極線組GAS由兩根柵極線GA構成；所述數(shù)據(jù)線SA與柵極線GA交叉設置，任一柵極線組GAS與相鄰兩根數(shù)據(jù)線SA相交而成的區(qū)域內設置有兩個子像素電極CA，該兩個子像素電極CA分別與不同的數(shù)據(jù)線SA及不同的柵極線GA耦接，且該兩個子像素電極CA呈一行排列；公共電極線VA經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極CA的交界處，且所述公共電極線VA整體走向與所述柵極線組GAS平行。上述陣列基板2可有效減少數(shù)據(jù)線SA的使用量，通常，當需要形成m列像素電極時，僅需要m/2根數(shù)據(jù)線，相應的，也僅需要提供m/2根數(shù)據(jù)線驅動信號的源極驅動電路即可，從而有效降低了成本。但是，在該陣列基板2中，由于同一區(qū)域內的兩個子像素電極CA呈一行排列，而所述公共電極線VA整體走向與所述柵極線組GAS平行，從而經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極CA交界處的部分公共電極線VA與所述公共電極線VA整體走向垂直，這極大的不利于公共電壓的傳導。

發(fā)明內容
本發(fā)明的目的在于提供一種TFT-1XD陣列基板及其制造方法，以解決現(xiàn)有的雙柵極線TFT-LCD陣列基板中不利于公共電壓的傳導的問題。為解決上述技術問題，本發(fā)明提供一種TFT-1XD陣列基板，包括:襯底基板，以及設置于所述襯底基板上的子像素電極、數(shù)據(jù)線、柵極線組和公共電極線，其中，所述數(shù)據(jù)線兩側均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構成；所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內設置有兩個子像素電極，其中，一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一列排列；所述公共電極線經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。可選的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，同一柵極線組與多根數(shù)據(jù)線相交而成的多個區(qū)域中，連續(xù)相鄰的三個區(qū)域為一組，其中，中間區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另兩個區(qū)域內的子像素電極分別呈一列排列?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，組成同一組的三個區(qū)域中，其中，中間區(qū)域中:居于左側的子像素電極用以顯示藍色，居于右側的子像素電極用以顯示紅色；中間區(qū)域左側的區(qū)域中:居于上側的子像素電極用以顯示紅色，居于下側的子像素電極用以顯示綠色；中間區(qū)域右側的區(qū)域中:居于上側的子像素電極用以顯示綠色，居于下側的子像素電極用以顯示藍色。可選的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，同一區(qū)域內的兩個子像素電極分別與不同的數(shù)據(jù)線及不同的柵極線耦接?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，所述公共電極線還經(jīng)過所述子像素電極和數(shù)據(jù)線的部分交界處，及所述子像素電極和柵極線的部分交界處?？蛇x的，在所述的TFT-LCD陣列基板中，所述柵極線組和公共電極線位于襯底基板上的第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線位于第一金屬層之上的第二金屬層；所述像素電極位于第二金屬層之上的透明導電層?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，還包括設置于襯底基板上的公共電極總線，所述公共電極總線與所述數(shù)據(jù)線平行，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一金屬層?？蛇x的，在所述的TFT-1XD陣列基板中，所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉處設置有薄膜晶體管，所述子像素電極通過所述薄膜晶體管與所述柵極線及數(shù)據(jù)線耦接。本發(fā)明還提供一種上述TFT-1XD陣列基板的制造方法，包括:提供襯底基板；在所述襯底基板上形成第一金屬層，通過所述第一金屬層形成柵極線組及公共電極線；在所述第一金屬層之上形成第二金屬層，通過所述第二金屬層形成數(shù)據(jù)線；在所述第二金屬層之上形成透明導電層，通過所述透明導電層形成子像素電極；
其中，所述數(shù)據(jù)線兩側均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構成；所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內設置有兩個子像素電極，其中，一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一列排列；所述公共電極線經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。在本發(fā)明提供的TFT-1XD陣列基板及其制造方法中，通過部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一列排列，且公共電極線整體走向與柵極線組平行，從而使得經(jīng)過這些區(qū)域內的兩個子像素電極交界處的部分公共電極線與公共電極線整體走向相同，即均為平行于柵極線組的方向，從而提高公共電壓的傳導。


圖1是現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的結構示意圖之一；圖2是現(xiàn)有的TFT-1XD陣列基板的結構示意圖之二 ；圖3是本發(fā)明實施例的TFT-1XD陣列基板的結構示意圖。
具體實施例方式以下結合附圖和具體實施例對本發(fā)明提供的TFT-LCD陣列基板及其制造方法作進一步詳細說明。根據(jù)下面說明和權利要求書，本發(fā)明的優(yōu)點和特征將更清楚。需說明的是，附圖均采用非常簡化的形式，僅用以方便、明晰地輔助說明本發(fā)明實施例的目的。請參考圖3，其為本發(fā)明實施例的TFT-LCD陣列基板的結構示意圖。如圖3所示，陣列基板3包括:襯底基板30，以及設置于所述襯底基板30上的子像素電極(Cll、C22、C12、C23、C13、C24、C31、C42、C32、C43、C33、C44)、數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)、柵極線組(G12、G34)和公共電極線(V1、V2)，其中，所述數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)兩側均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構成；所述數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)與柵極線組(G12、G34)交叉設置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內設置有兩個子像素電極，其中，一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一列排列；所述公共電極線(V1、V2)經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極的交界處，且所述公共電極線(V1、V2)整體走向與所述柵極線組(G12、G34)平行。具體的，所述數(shù)據(jù)線S2兩側耦接有子像素電極(C22、C12、C42、C32);所述數(shù)據(jù)線S3兩側耦接有子像素電極(C23、C13、C43、C33)，由于圖3只是一結構示意圖，并未呈現(xiàn)完整的陣列基板，在此，數(shù)據(jù)線S1、S4并未體現(xiàn)出兩側均耦接有子像素電極，但須知，完整的陣列基板上，數(shù)據(jù)線兩側將均耦接有子像素電極。在本實施例中，示意圖性地呈現(xiàn)了兩組柵極線組(G12、G34)，其中，柵極線組G12由柵極線G1、G2構成；柵極線組G34由柵極線G3、G4構成。在本實施例中，數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)與柵極線組(G12、G34)相交而成的區(qū)域共有6個，分別為區(qū)域R1、區(qū)域R2、區(qū)域R3、區(qū)域R4、區(qū)域R5、區(qū)域R6。其中，區(qū)域Rl內設置有子像素電極Cll、C22，子像素電極Cll與子像素電極C22呈一列排列；區(qū)域R2內設置有子像素電極C12、C23，子像素電極C12與子像素電極C23呈一行排列；區(qū)域R3內設置有子像素電極C13、C24，子像素電極C13與子像素電極C24呈一列排列；區(qū)域R4內設置有子像素電極C31、C42，子像素電極C31與子像素電極C42呈一列排列；區(qū)域R5內設置有子像素電極C32、C43，子像素電極C32與子像素電極C43呈一行排列；區(qū)域R6內設置有子像素電極C33、C44，子像素電極C33與子像素電極C44呈一列排列。所述公共電極線Vl經(jīng)過子像素電極Cll與子像素電極C22、子像素電極C12與子像素電極C23、子像素電極C13與子像素電極C24的交界處，由于子像素電極Cll與子像素電極C22、子像素電極C13與子像素電極C24呈一列排列，因此，經(jīng)過該兩對子像素電極的交界處的部分公共電極線與柵極線組(G12、G34)平行，即與公共電極線Vl的整體走向相同，均是水平走向，從圖3中顯示的便是從左往右或者從右往左的走向，從而經(jīng)過該兩對子像素電極的交界處的部分公共電極線的公共電壓傳導得到了提高，即相對于現(xiàn)有技術中圖2所示的雙柵極線TFT-LCD陣列基板2中的公共電壓傳導，本實施例中的陣列基板3的公共電壓傳導得到了顯著地提高，約提高了 67%。所述公共電壓的傳導包括:公共電壓的傳導效率、傳導量、傳導能力等各類指標。請繼續(xù)參考圖3，在本實施例中，同一柵極線組與多根數(shù)據(jù)線相交而成的多個區(qū)域中，連續(xù)相鄰的三個區(qū)域為一組，其中，中間區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另兩個區(qū)域內的子像素電極分別呈一列排列。例如，柵極線組G12與數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)相交而成的區(qū)域中，以連續(xù)相鄰的三個區(qū)域R1、R2、R3為一組，其中，中間區(qū)域R2內的兩個子像素電極呈一行排列，另兩個區(qū)域R1、R3內的子像素電極分別呈一列排列。即，若在數(shù)據(jù)線S4右側繼續(xù)順次形成有數(shù)據(jù)線S5、S6、S7，柵極線組G12與數(shù)據(jù)線(S4、S5、S6、S7)相交而成有三個區(qū)域R7、R8、R9，則該三個區(qū)域R7、R8、R9內的子像素電極的排列與區(qū)域Rl、R2、R3子像素電極的排列一致。具體的，中間區(qū)域R8 (與區(qū)域R2對應)內的兩個子像素電極呈一行排列，另兩個區(qū)域R7、R9 (分別與區(qū)域Rl、R3對應)內的子像素電極分別呈一列排列。此外，考慮到空間混色的效果，在本實施例中，組成同一組的三個區(qū)域中，其中，中間區(qū)域中:居于左側的子像素電極用以顯示藍色，居于右側的子像素電極用以顯示紅色；中間區(qū)域左側的區(qū)域中:居于上側的子像素電極用以顯示紅色，居于下側的子像素電極用以顯示綠色；中間區(qū)域右側的區(qū)域中:居于上側的子像素電極用以顯示綠色，居于下側的子像素電極用以顯示藍色。例如，組成同一組的三個區(qū)域R1、R2、R3，其中，中間區(qū)域R2中:居于左側的子像素電極C12用以顯示藍色，居于右側的子像素電極C23用以顯示紅色；中間區(qū)域R2左側的區(qū)域Rl中:居于上側的子像素電極Cll用以顯示紅色，居于下側的子像素電極C22用以顯示綠色；中間區(qū)域R2右側的區(qū)域R3中:居于上側的子像素電極C13用以顯示綠色，居于下側的子像素電極C24用以顯示藍色。在本實施例中，同一區(qū)域內的兩個子像素電極分別與不同的數(shù)據(jù)線及不同的柵極線耦接。例如，區(qū)域Rl內的子像素電極Cll與數(shù)據(jù)線SI及柵極線Gl耦接；而子像素電極C22與數(shù)據(jù)線S2及柵極線G2耦接。具體的，數(shù)據(jù)線(S1、S2、S3、S4)和柵極線組(G12、G34)的交叉處設置有薄膜晶體管(Til、T22、T12、T23、T13、T24、T31、T42、T32、T43、T33、T44)，子像素電極(cil、C22、C12、C23、C13、C24、C31、C42、C32、C43、C33、C44)通過這些薄膜晶體管與數(shù)據(jù)線及柵極線耦接。在本實施例中，所述公共電極線還經(jīng)過所述子像素電極和數(shù)據(jù)線的部分交界處，及所述子像素電極和柵極線的部分交界處。例如，公共電極線Vl經(jīng)過子像素電極C12和數(shù)據(jù)線S2的部分交界處，經(jīng)過子像素電極C12和柵極線G2的部分交界處。此外，在本實施例中，所述柵極線組和公共電極線位于襯底基板上的第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線位于第一金屬層之上的第二金屬層；所述像素電極位于第二金屬層之上的透明導電層。還包括設置于襯底基板上的公共電極總線(VB1、VB2)，所述公共電極總線(VB1、VB2)與所述數(shù)據(jù)線平行，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一金屬層。通過所述公共電極總線(VB1、VB2)向公共電極線V1、V2提供公共電壓。相應的，本發(fā)明還提供一種上述TFT-1XD陣列基板的制造方法。該制造方法包括:提供襯底基板；在所述襯底基板上形成第一金屬層，通過所述第一金屬層形成柵極線組及公共電極線；在所述第一金屬層之上形成第二金屬層，通過所述第二金屬層形成數(shù)據(jù)線；在所述第二金屬層之上形成透明導電層，通過所述透明導電層形成子像素電極；其中，所述數(shù)據(jù)線兩側均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構成；所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內設置有兩個子像素電極，其中，一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一列排列；所述公共電極線經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。其中，所述術語“上”指代所涉及的兩膜層之間無其他膜層；所述術語“之上”指代所涉及的兩膜層之間還有其他膜層。在本實施例中，在形成第二金屬層之前，在第一金屬層上首先形成柵絕緣層，用以將第一金屬層上的柵極線及公共電極線與后續(xù)形成的數(shù)據(jù)線相隔離，此外，在形成柵絕緣層之后第二金屬層之前，還將形成一非晶硅層。而在形成透明導電層之前，在第二金屬層上首先形成一鈍化層，用以將第二金屬層上的數(shù)據(jù)線與后續(xù)形成的子像素電極相隔離。上述描述僅是對本發(fā)明較佳實施例的描述，并非對本發(fā)明范圍的任何限定，本發(fā)明領域的普通技術人員根據(jù)上述揭示內容做的任何變更、修飾，均屬于權利要求書的保護范圍。
權利要求
1.一種TFT-1XD陣列基板，其特征在于，包括: 襯底基板，以及設置于所述襯底基板上的子像素電極、數(shù)據(jù)線、柵極線組和公共電極線，其中，所述數(shù)據(jù)線兩側均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構成； 所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內設置有兩個子像素電極，其中，一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一列排列； 所述公共電極線經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。
2.如權利要求1所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，同一柵極線組與多根數(shù)據(jù)線相交而成的多個區(qū)域中，連續(xù)相鄰的三個區(qū)域為一組，其中，中間區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另兩個區(qū)域內的子像素電極分別呈一列排列。
3.如權利要求2所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，組成同一組的三個區(qū)域中，其中，中間區(qū)域中:居于左側的子像素電極用以顯示藍色，居于右側的子像素電極用以顯示紅色；中間區(qū)域左側的區(qū)域中:居于上側的子像素電極用以顯示紅色，居于下側的子像素電極用以顯示綠色；中間區(qū)域右側的區(qū)域中:居于上側的子像素電極用以顯示綠色，居于下側的子像素電極用以顯示藍色。
4.如權利要求1至3中的任一項所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，同一區(qū)域內的兩個子像素電極分別與不同的數(shù)據(jù)線及不同的柵極線耦接。
5.如權利要求1至3中的任一項所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述公共電極線還經(jīng)過所述子像素電極和數(shù)據(jù)線的部分交界處，及所述子像素電極和柵極線的部分交界處。
6.如權利要求1至3中的任一項所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，所述柵極線組和公共電極線位于襯底基板上的第一金屬層；所述數(shù)據(jù)線位于第一金屬層之上的第二金屬層；所述像素電極位于第二金屬層之上的透明導電層。
7.如權利要求1至3中的任一項所述的TFT-1XD陣列基板，其特征在于，還包括設置于襯底基板上的公共電極總線，所述公共電極總線與所述數(shù)據(jù)線平行，且與所述數(shù)據(jù)線位于同一金屬層。
8.如權利要求1至3中的任一項所述的TFT-LCD陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉處設置有薄膜晶體管，所述子像素電極通過所述薄膜晶體管與所述柵極線及數(shù)據(jù)線耦接。
9.一種如權利要求1至8中的任一項所述的TFT-1XD陣列基板的制造方法，其特征在于，包括: 提供襯底基板； 在所述襯底基板上形成第一金屬層，通過所述第一金屬層形成柵極線組及公共電極線.在所述第一金屬層之上形成第二金屬層，通過所述第二金屬層形成數(shù)據(jù)線； 在所述第二金屬層之上形成透明導電層，通過所述透明導電層形成子像素電極； 其中，所述數(shù)據(jù)線兩側均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構成； 所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內設置有兩個子像素電極，其中，一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一列排列； 所述公共電極線經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行?！?br> 全文摘要
本發(fā)明提供一種TFT-LCD陣列基板及其制造方法，包括襯底基板，以及設置于所述襯底基板上的子像素電極、數(shù)據(jù)線、柵極線組和公共電極線，其中，所述數(shù)據(jù)線兩側均耦接有子像素電極，所述柵極線組由兩根柵極線構成；所述數(shù)據(jù)線與柵極線組交叉設置，任一柵極線組與相鄰兩根數(shù)據(jù)線相交而成的區(qū)域內設置有兩個子像素電極，其中，一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一行排列，另一部分區(qū)域內的兩個子像素電極呈一列排列；所述公共電極線經(jīng)過同一區(qū)域內兩個子像素電極的交界處，且所述公共電極線整體走向與所述柵極線組平行。通過該TFT-LCD陣列基板及其制造方法提高了公共電壓的傳導。
文檔編號G02F1/1368GK103163698SQ20111040763
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月8日 優(yōu)先權日2011年12月8日
發(fā)明者曹兆鏗 申請人:上海中航光電子有限公司