專利名稱：用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器及液晶顯示器的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及薄膜晶體管液晶顯示器技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器及液晶顯示器。
背景技術(shù)：
TFT-LCD (薄膜晶體管液晶顯不器，Thin film transistor liquid crystaldisplay)是液晶顯示器的一種，由于其具有眾多優(yōu)點(diǎn)，是唯一可跨越所有尺寸的顯示技術(shù)，應(yīng)用領(lǐng)域非常廣泛，如電視、筆記本電腦、監(jiān)視器、手機(jī)等。TFT-LCD的基本結(jié)構(gòu)為兩片玻璃基板中間夾著一層液晶層，主要由偏光片、玻璃基板、公共電極、像素電極、控制1C、彩色光阻等構(gòu)成。通常將具有彩色光阻的基板稱為彩膜(CF)基板，制作了 TFT陣列的基板稱為陣列(array)基板。背光模組位于IXD面板下作為光源。TFT在IXD中起著傳輸和控制電信號的作用，即通過它確定施加在液晶層上的電壓的大小。當(dāng)向液晶面板施加電壓，液晶分子開始轉(zhuǎn)動，光線穿過偏光片及液晶層后就可以形成一定畫面。目前，TFT-LCD的TFT有源矩陣驅(qū)動，主要有兩種:a_Si (amorphous silicon,非晶硅)TFT有源矩陣和p-Si (poly silicon，多晶硅)TFT有源矩陣。在a_Si TFT有源矩陣技術(shù)中，通常利用現(xiàn)有的生產(chǎn)線a-Si工藝，直接將非晶硅柵極移位寄存器集成于玻璃基板上制作非晶娃柵極驅(qū)動電路(ASG,Amorphous Silicon Gatedriver),來替代原來的娃晶柵極驅(qū)動芯片(Gate driver IC)，以使顯示屏變的更輕，且可以增加顯示器的可靠性，降低成本。如圖1所示，ASG電路實(shí)際布局時，一般會存在電容器件來改善閾值電壓偏移等問題，提高液晶顯示器的顯示性能。如圖1B和IC所示，一般通過數(shù)據(jù)線金屬圖形(S/Dlayer) 102和柵極金屬圖形(gate layer) 101以及中間存在絕緣層104制作電容器件,但由于ASG電路往往置于框膠下側(cè)，為了框膠硬化考慮，將此電容器件設(shè)計成中間存在金屬孔洞圖形103以便于框膠硬化，但這往往會造成ASG電路占用面積擴(kuò)大。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器及液晶顯示器，提高ASG部分框膠透過率，減小屏邊框?qū)挾?，提高液晶顯示器件的性能。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，包括制作于非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域的第一電容器，所述第一電容器的上下極板中至少有一個為透明電極層。進(jìn)一步的，所述下極板為像素電極層，所述上極板為表面透明電極層。進(jìn)一步的，所述下極板為像素電極層，所述上極板為表面金屬電極層。進(jìn)一步的，所述表面金屬電極層中設(shè)置有至少一個孔洞。 進(jìn)一步的，所述下極板為金屬電極層，所述上極板為像素電極層。
進(jìn)一步的，所述金屬電極層中設(shè)置有至少一個孔洞。進(jìn)一步的，所述下極板為柵極金屬層或數(shù)據(jù)線金屬層，所述上極板為像素電極層。進(jìn)一步的，所述柵極金屬層或數(shù)據(jù)線金屬層上設(shè)置有至少一個孔洞。進(jìn)一步的，所述用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器還包括制作于非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域且與所述第一電容器串聯(lián)的第二電容器，所述第二電容器位于所述第一電容器的上方或下方，其第一極板為所述第一電容器上下極板中的一個，第二極板為金屬電極層或透明電極層。進(jìn)一步的，所述第二電容器的第二極板為金屬電極層時，所述第二極板上設(shè)置有至少一個孔洞。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明提供的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器及液晶顯示器，通過制作的第一電容器的上下極板中，至少一個是透明電極層，利用透明電極層的透光性，提高非晶硅柵極驅(qū)動電路部分框膠透過率，減小屏邊框?qū)挾?，從而提高了液晶顯示器件的性能；進(jìn)一步的，以第一電容器的一個電極板作為第二電容器的第一極板，以串聯(lián)所述第一電容器，進(jìn)一步的增大電容值，以提高液晶顯示器件的性能；進(jìn)一步的，在第一電容器和第二電容器的金屬電極層中設(shè)置有至少一個孔洞，利用孔洞的邊緣效應(yīng)，進(jìn)一步的增大電容值，以提高液晶顯示器件的性能。


圖1A是現(xiàn)有技術(shù)的一種ASG電路原理圖；圖1B是現(xiàn)有技術(shù)的ASG電路的電容器的平面圖；圖1C是圖1B的ASG電路的電容器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A是本發(fā)明實(shí)施例一的用于ASG電路的電容器的平面圖；圖2B是本發(fā)明實(shí)施例一的用于ASG電路的電容器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A是本發(fā)明實(shí)施例二的用于ASG電路的電容器的平面圖；圖3B是本發(fā)明實(shí)施例二的用于ASG電路的電容器的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式以下結(jié)合附圖和具體實(shí)施例對本發(fā)明提出的用于ASG電路的電容器及液晶顯示器作進(jìn)一步詳細(xì)說明。實(shí)施例一如圖2A和2B所示，本實(shí)施例提供一種用于ASG電路的電容器，包括制作于非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域的基底200上的第一電容器20。本實(shí)施例中，所述第一電容器的下極板201為透明像素電極層、上極板202位于所述透明像素電極層201上方，為表面透明電極層，上極板202與下極板201中間的第一絕緣層203作為存儲介質(zhì)。所述第一絕緣層203可以為鈍化層，所述透明像素電極層201的材料為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，所述表面透明電極層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅。本實(shí)施例的用于ASG電路的電容器，利用透明像素電極層201和表面透明電極層202的透光性，提高ASG部分框膠透過率，滿足ASG下部封框膠的固化條件，進(jìn)而降低了 ASG電路占用面積，減小屏邊框?qū)挾龋岣吡艘壕э@示器件的性能。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第一電容器20的上下極板中至少有一個極板為透明電極層即可。當(dāng)所述第一電容器20的上下極板中一個極板為透明電極層，另一個極板為金屬電極層時，在所述另一極板的金屬電極層中設(shè)置有至少一個孔洞。例如第一電容器20的下極板為像素電極層，所述上極板為表面金屬電極層，在所述表面金屬電極層中設(shè)置有至少一個孔洞；或者，所述下極板為金屬電極層，該金屬電極層為非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域的基底200上的除柵極金屬層和數(shù)據(jù)金屬層以外的金屬層，所述上極板為像素電極層，所述金屬電極層中設(shè)置有至少一個孔洞；又或者，所述下極板為柵極金屬層或數(shù)據(jù)線金屬層，所述上極板為像素電極層，在所述柵極金屬層或數(shù)據(jù)線金屬層上設(shè)置有至少一個孔洞。這些實(shí)施例均利用孔洞的邊緣效應(yīng)，使得第一電容器的電容值增大，提高液晶顯示器件的性能；同時利用孔洞和透明電極層的透光作用，提高ASG部分框膠透過率，滿足ASG電路下部封框膠的固化條件，進(jìn)而降低了 ASG電路占用面積，減小屏邊框?qū)挾?。?shí)施例二如圖3A和3B所示，本實(shí)施例提供一種用于ASG電路的電容器，制作于非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域的基底200上，包括第一電容器20和與其串聯(lián)的第二電容器30。所述第一電容器20包括:作為下極板的透明像素電極層201、位于所述透明像素電極層201上方并作為上極板的表面透明電極層202、以及作為存儲介質(zhì)的位于所述透明像素電極層201和表面透明電極層202中間的第一絕緣層203。所述第二電容器30包括:作為上極板的透明像素電極層201、位于所述透明像素電極層202下方并作為下極板的柵極金屬層301、以及作為存儲介質(zhì)的位于所述柵極金屬層301和透明像素電極層201中間的第二絕緣層302。所述第一絕緣層203可以為鈍化層，所述透明像素電極層201的材料為氧化銦錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)，所述表面透明電極層的材料為氧化銦錫或氧化銦鋅，所述第二絕緣層302為柵絕緣層和/或鈍化層。本實(shí)施例中，還可以在所述柵極金屬層301中設(shè)置均勻分布的多個孔洞303，利用孔洞303的邊緣效應(yīng)，使得第一電容器20和第二電容器30的電容值均得到增大，可以提高液晶顯示器件的性能。同時還可以利用孔洞303和的透明像素電極層201、表面透明電極層202的透光作用，提高ASG部分框膠透過率，滿足ASG電路下部封框膠的固化條件，進(jìn)而降低了 ASG電路占用面積，減小屏邊框?qū)挾?。在本發(fā)明的其他實(shí)施例中，所述第二電容器的第一極板為所述第一電容器上下極板中的一個，第二極板為金屬電極層或透明電極層。第二電容器可以位于第一電容器的下方或上方。當(dāng)所述第二電容器的第二極板為金屬電極層時，所述第二極板上設(shè)置有至少一個孔洞，第一電容器20的上下極板中若存在不透明的極板，也在其上設(shè)置至少一個孔洞，以通過孔洞303的邊緣效應(yīng)，使得第一電容器20和/或第二電容器30的電容值得到增大。實(shí)施例三相應(yīng)的,本實(shí)施例提供一種液晶顯示器,包括顯示區(qū)域和ASG電路區(qū)域,所述ASG電路區(qū)域包括第一電容器，所述第一電容器的上下極板中至少有一個極板為透明電極層。優(yōu)選的，所述ASG電路區(qū)域還包括與所述第一電容器串聯(lián)的第二電容器，所述第二電容器的第一極板為所述第一電容器上下極板中的一個，第二極板為金屬電極層或透明電極層；當(dāng)所述第二電容器的第二極板為金屬電極層時，所述第二極板上設(shè)置有至少一個孔洞，當(dāng)?shù)谝浑娙萜鞯纳舷聵O板中存在不透明的極板時，在該極板上設(shè)置至少一個孔洞。通過孔洞的邊緣效應(yīng)，使得第一電容器和/或第二電容器的電容值得到增大。綜上所述，本發(fā)明提供的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器及液晶顯示器，通過制作的第一電容器的上下極板中，至少一個是透明電極層，利用透明電極層的透光性，提高非晶硅柵極驅(qū)動電路部分框膠透過率，減小屏邊框?qū)挾龋瑥亩岣吡艘壕э@示器件的性能；進(jìn)一步以第一電容器的一個電極板作為第二電容器的第一極板，以串聯(lián)所述第一電容器，進(jìn)一步的增大電容值，以提高液晶顯示器件的性能；當(dāng)在第一電容器和第二電容器的金屬電極層中設(shè)置至少一個孔洞時，可利用孔洞的邊緣效應(yīng)，進(jìn)一步的增大電容值，以提高液晶顯示器件的性能。顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對發(fā)明進(jìn)行各種改動和變型而不脫離本發(fā)明的精神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
1.一種用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，包括制作于非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域的第一電容器，所述第一電容器的上下極板中至少有一個極板為透明電極層。
2.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述下極板為像素電極層，所述上極板為表面透明電極層。
3.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述下極板為像素電極層，所述上極板為表面金屬電極層。
4.如權(quán)利要求3所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述表面金屬電極層中設(shè)置有至少一個孔洞。
5.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述下極板為金屬電極層，所述上極板為像素電極層。
6.如權(quán)利要求5所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述金屬電極層中設(shè)置有至少一個孔洞。
7.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述下極板為柵極金屬層或數(shù)據(jù)線金屬層，所述上極板為像素電極層。
8.如權(quán)利要求7所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述柵極金屬層或數(shù)據(jù)線金屬層上設(shè)置有至少一個孔洞。
9.如權(quán)利要求1所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器還包括制作于非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域且與所述第一電容器串聯(lián)的第二電容器，所述第二電容器位于所述第一電容器的上方或下方，其第一極板為所述第一電容器上下極板中的一個，第二極板為金屬電極層或透明電極層。
10.如權(quán)利要求9所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器，其特征在于，所述第二電容器的第二極板為金屬電極層時，所述第二極板上設(shè)置有至少一個孔洞。
11.一種液晶顯示器，包括顯示區(qū)域和非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域，其特征在于，所述非晶硅柵極驅(qū)動電路區(qū)域包括權(quán)利要求1至10中任一項(xiàng)所述的用于非晶硅柵極驅(qū)動電路的電容器。
全文摘要
本發(fā)明提供一種用于非晶硅柵極驅(qū)動(ASG)電路的電容器及液晶顯示器，通過制作的第一電容器的上下極板中，至少一個是透明電極層，利用透明電極層的透光性，提高非晶硅柵極驅(qū)動電路部分框膠透過率，減小屏邊框?qū)挾龋瑥亩岣吡艘壕э@示器件的性能；進(jìn)一步以第一電容器的一個電極板作為第二電容器的第一極板，以串聯(lián)所述第一電容器，進(jìn)一步的增大電容值，以提高液晶顯示器件的性能；當(dāng)在第一電容器和第二電容器的金屬電極層中設(shè)置至少一個孔洞時，可利用孔洞的邊緣效應(yīng)，進(jìn)一步的增大電容值，以提高液晶顯示器件的性能。
文檔編號G02F1/133GK103163699SQ20111040763
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者曹兆鏗 申請人:上海中航光電子有限公司