專利名稱：像素陣列結(jié)構(gòu)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及顯示器領(lǐng)域，尤其涉及一種像素陣列的排列方式。
背景技術(shù)：
現(xiàn)有技術(shù)中，根據(jù)像素陣列中子像素的不同可以分為條狀RGB(Strip RGB)模式像素陣列、RGBW模式像素陣列、3D顯示模式像素陣列。條狀RGB模式的像素陣列中R、G、B子像素在掃描線方向呈一行排列，RGBW模式的像素陣列中R、G、B、W子像素呈兩行兩列排列，3D顯示模式的像素陣列中R、G、B子像素在數(shù)據(jù)線方向呈一列排列。圖1為現(xiàn)有技術(shù)的RGBW模式的像素陣列的示意圖，參考圖1，現(xiàn)有技術(shù)的RGBW模式的像素陣列的R、G、B、W子像素呈兩行兩列排列，每一行均有一根掃描線11與對應(yīng)子像素的TFT開關(guān)的柵極電連接；每一列具有一根數(shù)據(jù)線12與對應(yīng)子像素的TFT開關(guān)的源極電連接?；诖朔N結(jié)構(gòu)的像素陣列，每行子像素都需要一根單獨的掃描線驅(qū)動。圖2為現(xiàn)有技術(shù)的3D顯示模式像素陣列的示意圖，參考圖2，現(xiàn)有技術(shù)的3D顯示模式的像素陣列的R、G、B子像素在數(shù)據(jù)線方向呈一列排列,每一行均有一根掃描線21與對應(yīng)子像素的TFT開關(guān)的柵極電連接，每一列具有一根數(shù)據(jù)線22與對應(yīng)子像素的TFT開關(guān)的源極電連接?；诖朔N像素陣列基板，每行子像素也需要一根單獨的掃描線驅(qū)動?，F(xiàn)有技術(shù)中，TFT開關(guān)中的有源區(qū)通常為非晶硅，由于非晶硅的遷移率較低，因此顯示裝置通常僅允許有1280根掃描線，如果增加掃描線的數(shù)量會造成TFT開關(guān)充電不足，影響顯示。對于RGBW模式像素陣列基板，顯示裝置的行分辨率最大只有640行；對于3D顯示模式像素陣列基板，顯示裝置的行分辨率最大只有427行。而對于手機、小型的便攜式顯示設(shè)備，要求其行分辨率最少為800行，對于RGBW模式像素陣列基板的顯示裝置，掃描線需要1600根；對于3D顯示模式像素陣列基板的顯示裝置，掃描線需要2400根；兩種模式像素陣列基板的顯示裝置，掃描線的數(shù)量均超過1280根，會造成TFT開關(guān)充電不足，影響顯示。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明解決的問題是現(xiàn)有技術(shù)中RGBW模式像素陣列基板的顯示裝置、3D顯示模式像素陣列基板的顯示裝置，行分辨率小的問題。為解決上述問題，本發(fā)明提供一種像素陣列結(jié)構(gòu)，包括:呈行列排列的多個子像素，以及在行方向上設(shè)置的掃描線和在列方向上設(shè)置的數(shù)據(jù)線，至少兩行所述子像素共用一根掃描線，在每列子像素中，連接至同一根掃描線的多個子像素分別與不同的數(shù)據(jù)線連接?？蛇x地，所述子像素的長寬比小于等于1，其中長指沿數(shù)據(jù)線方向的長度，寬指沿掃描線方向的長度?？蛇x地，所述子像素的長寬比為1:1 1: 4?？蛇x地，每個子像素包括一個TFT開關(guān)，所述TFT開關(guān)的柵極連接至對應(yīng)的掃描線，源極連接至對應(yīng)的數(shù)據(jù)線，漏極連接至子像素的像素電極。
可選地，所述不同的數(shù)據(jù)線分別位于所述該列子像素的兩側(cè)?？蛇x地，，所述不同的數(shù)據(jù)線位于所述該列子像素的同一側(cè)?？蛇x地，兩行相鄰的子像素共用一根掃描線，所述每列子像素中，連接至同一根掃描線上的兩個子像素連接至兩根不同的數(shù)據(jù)線?？蛇x地，所述兩行相鄰的子像素共用的同一根掃描線位于該兩行相鄰的子像素之間?？蛇x地，所述多個子像素分別為R、G、B、W子像素，相鄰的四個R、G、B、W子像素組成一個像素單元，在每個像素單元中R、G、B、W子像素呈兩行兩列排列。可選地，所述R、G、B、W子像素的長寬比為1: 1，其中長指沿數(shù)據(jù)線方向的長度，寬指沿掃描線方向的長度?？蛇x地，三行相鄰的子像素共用一根掃描線，所述每列子像素中，連接至同一根掃描線上的三個子像素連接至三根不同的數(shù)據(jù)線?？蛇x地，所述多個子像素分別為R、G、B子像素，相鄰的三個R、G、B子像素組成一個像素單元，在每個像素單元中R、G、B子像素呈三行一列排列?？蛇x地，所述R、G、B子像素的長寬比為1: 3，其中長指沿數(shù)據(jù)線方向的長度，寬指沿掃描線方向的長度?？蛇x地，所述掃描線位于其中相鄰兩行子像素之間。本發(fā)明提供的像素陣列結(jié)構(gòu)，在相同的分辨率的情況下，比現(xiàn)有技術(shù)減少了掃描線的數(shù)量；或者在使用相同掃描線的數(shù)量的情況下，可以使顯示面板的分辨率加倍，有效的解決了現(xiàn)有技術(shù)中因要保證TFT開關(guān)的充電時間而限制顯示面板的分辨率的問題。本發(fā)明在提高顯示面板分辨率的作用上有顯著的意義，使用本發(fā)明的像素陣列結(jié)構(gòu)，顯示的行分辨率將不再受掃描線的數(shù)量均不能超過1280根的限制，可以提供更為清楚和細膩的顯示效果。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)的RGBW模式像素陣列基板示意圖；圖2為現(xiàn)有技術(shù)的3D顯示模式像素陣列基板的示意圖；圖3為本發(fā)明第一具體實施例的像素陣列基板布局示意圖；圖4為本發(fā)明第二具體實施例的像素陣列基板布局示意圖；圖5為本發(fā)明第三具體實施例的像素陣列基板布局示意圖。
具體實施例方式為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點能夠更為明顯易懂，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實施方式
做詳細的說明。在以下描述中闡述了具體細節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以多種不同于在此描述的其它方式來實施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣。因此本發(fā)明不受下面公開的具體實施方式
的限制。液晶顯示裝置通常包括:像素陣列基板、彩色濾光板以及像素陣列基板和彩色濾光板之間的液晶層等。
其中，本發(fā)明具體實施方式
的顯示裝置中的像素陣列基板的像素陣列結(jié)構(gòu)為:呈行列排列的多個子像素，以及在行方向上設(shè)置的掃描線和在列方向上設(shè)置的數(shù)據(jù)線，至少兩行所述子像素共用一根掃描線，在每列子像素中，連接至同一根掃描線的多個子像素分別與不同的數(shù)據(jù)線連接。本發(fā)明提供的像素陣列結(jié)構(gòu)可以減少掃描線的數(shù)量，或者是在同一行分辨率下通過更少的掃描線來驅(qū)動像素陣列，從而提高顯示的行分辨率。第一實施例圖3為本發(fā)明第一具體實施例的像素陣列結(jié)構(gòu)示意圖，參考圖3，第一實施例的像素陣列結(jié)構(gòu)20包括多個子像素，所述多個子像素呈行列排列，以及在行方向上設(shè)置的多條
掃描線21和在列方向上設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線221、222、223、224......，在本實施例中，第一
行子像素和第二行子像素共用一根掃描線21 ;在每列子像素中，連接至同一根掃描線的多個子像素分別與不同的數(shù)據(jù)線連接，本實施例中，如:同一列子像素中連接至同一根掃描線21的兩個子像素分別連接至數(shù)據(jù)線221和數(shù)據(jù)線222。具體地，每個子像素包括一個TFT開關(guān)25，所述TFT開關(guān)25的柵極連接至對應(yīng)的掃描線21，源極連接至對應(yīng)的數(shù)據(jù)線，漏極連接至子像素的像素電極。在本實施例中，同一列子像素中連接至同一根掃描線21的兩個子像素分別連接至數(shù)據(jù)線221和數(shù)據(jù)線222，所述數(shù)據(jù)線221和數(shù)據(jù)線222分別設(shè)置于所述該列子像素的兩側(cè)，通過各子像素的TFT開關(guān)25的源極連接至各子像素的像素電極，向其提供數(shù)據(jù)信號。在本發(fā)明其他實施方式中，一根掃描線還可以控制兩行以上的子像素，如一根掃描線可以控制三行或者四行子像素，在一列子像素中，連接至同一根掃描線的子像素分別通過不同的數(shù)據(jù)線傳輸數(shù)據(jù)信號，進而進行顯示。本發(fā)明提供的像素陣列結(jié)構(gòu)，在相同的分辨率的情況下，比現(xiàn)有技術(shù)減少了掃描線的數(shù)量；或者在使用相同掃描線的數(shù)量的情況下，可以使顯示面板的分辨率加倍，有效的解決了現(xiàn)有技術(shù)中因要保證TFT開關(guān)的充電時間而限制顯示面板的分辨率的問題。本發(fā)明在提高顯示面板分辨率的作用上有顯著的意義，使用本發(fā)明的像素陣列結(jié)構(gòu)，顯示的行分辨率將不再受掃描線的數(shù)量均不能超過1280根的限制，可以提供更為清楚和細膩的顯示效果。第二實施例圖4為本發(fā)明第二具體實施例的像素陣列的布局示意圖，參考圖4，第二實施例的像素陣列結(jié)構(gòu)包括:呈行列排列的多個子像素，所述多個子像素分別為R、G、B、W子像素，還包括多條在行方向上設(shè)置的多條掃描線31a和多條在列方向上設(shè)置的數(shù)據(jù)線33a、32a、36a、35a等。在該第二實施例中四個相鄰的R、G、B、W子像素組成一個像素單元，在一個像素單元中，R、G、B、W子像素呈兩行兩列排列，所述行為平行掃描線的方向，所述列為平行數(shù)據(jù)線的方向。并且，一個像素單元的R、G、B、W子像素共用一根掃描線，該掃描線位于兩相鄰行子像素之間，在同一列子像素中，連接至同一根掃描線的多個子像素連接至兩條不同的數(shù)據(jù)線，所述兩條數(shù)據(jù)線位于所述該列子像素的同一側(cè)。具體地，在圖4所示的具體實施例中，一個像素單元的R、G、B、W子像素共用一根掃描線31a，該掃描線31a位于兩相鄰行子像素之間，即掃描線31a位于R、G子像素與B、W子像素之間。所述共用同一條掃描線31a的四個子像素連接至不同的數(shù)據(jù)線，具體為第一數(shù)據(jù)線32a、第二數(shù)據(jù)線33a、第三數(shù)據(jù)線35a和第四數(shù)據(jù)線36a分別向四個W、G、B、R子像素傳輸數(shù)據(jù)電壓。B、R子像素為同一列子像素，向其傳輸數(shù)據(jù)電壓的第三數(shù)據(jù)線35a和第四數(shù)據(jù)線36a位于該列子像素的同一側(cè)，具體為其左側(cè)；W、G子像素為同一列子像素，向其傳輸數(shù)據(jù)電壓的第一數(shù)據(jù)線32a和第二數(shù)據(jù)線33a位于該列子像素的同一側(cè)，具體為其左側(cè)。在本發(fā)明中，各子像素分別為R、G、B、W子像素并且所述子像素的長寬比小于等于1，可選1:1 1: 4，具體的在本實施例中為1:1。其中長指數(shù)據(jù)線方向的長度，寬指掃描線方向的長度，即子像素沿數(shù)據(jù)線方向的長度比其沿掃描線方向的長度的比小于等于
1在本發(fā)明提供的像素陣列結(jié)構(gòu)中，因需要設(shè)置多條數(shù)據(jù)線向每列子像素中連接至同一根掃描線的多個子像素分別傳輸數(shù)據(jù)電壓，因此數(shù)據(jù)線的數(shù)量會比掃描線的數(shù)量多。將子像素沿數(shù)據(jù)線方向的邊長設(shè)置為小于等于沿掃描線方向的邊長，可以減小數(shù)據(jù)線所占用的開口率。第二實施例中，各個子像素的TFT開關(guān)34a均位于對應(yīng)子像素靠近掃描線一側(cè)。G子像素的TFT開關(guān)34a的源極和緊鄰著該列子像素的第二數(shù)據(jù)線33a連接，W子像素的TFT開關(guān)34a的源極和第二數(shù)據(jù)線33a左側(cè)的第一數(shù)據(jù)線32a連接。G子像素的TFT開關(guān)34a的源極、W子像素的TFT開關(guān)34a的源極、第二數(shù)據(jù)線33a和第一數(shù)據(jù)線32a都為同一層金屬層并在同一工藝步驟中形成，為避免W子像素的TFT開關(guān)34a的源極在連接第一數(shù)據(jù)線32a時和第二數(shù)據(jù)線33a短接，則可通過設(shè)置與數(shù)據(jù)線和TFT開關(guān)的源極不同金屬層的金屬鍵橋來連接第一數(shù)據(jù)線32a和W子像素的TFT開關(guān)34a的源極?？蛇x地，所述金屬鍵橋可以用和掃描線同層的金屬來制作。所述金屬鍵橋沿與掃描線平行的方向?qū)⒌谝粩?shù)據(jù)線32a和W子像素的TFT開關(guān)34a的源極電連接起來。在本發(fā)明的其他實施方式中，也可以通過以上設(shè)置金屬鍵橋的方法來連接其他需要跨越其他數(shù)據(jù)線而連接在一起的TFT開關(guān)的源極和對應(yīng)的數(shù)據(jù)線。需要說明的是，第二實施例中，在同一列子像素中，連接至同一根掃描線的多個子像素連接至兩條不同的數(shù)據(jù)線，兩條數(shù)據(jù)線也可以位于所述該列子像素的同一側(cè)。在該第二實施例的變化例中，兩條數(shù)據(jù)線也可以位于該列子像素的兩側(cè)，相應(yīng)的，TFT開關(guān)的位置需要隨之變化。第三實施例圖5為本發(fā)明第三具體實施例的像素陣列的布局示意圖，參考圖5，第三實施例的像素陣列結(jié)構(gòu)40包括多個成行列排列的子像素，分別為R、G、B子像素，所述多個R子像素、G子像素和B子像素分別排列成行，還包括在行方向上設(shè)置的多條掃描線41和在列方向上設(shè)置的多條數(shù)據(jù)線。鄰近的三個R、G、B子像素組成一個像素單元。在一個像素單元中，所述R、G、B三個子像素呈一列排列。在圖5所示的例子中，R、G、B子像素順序排列，但不限于此種排列方式，R、G、B子像素可以任意順序排列，只要三個子像素位于同一列即可。在本實施例中，三行相鄰的R子像素行、G子像素行和B子像素行共用一條掃描線41，掃描線41位于其中兩行相鄰子像素之間，在圖5所示的例子中，掃描線41位于相鄰的G子像素行和B子像素行之間，當然，掃描線41的位置不限于該位置，掃描線41也可以位于相鄰的G子像素行和R子像素行之間。同一列子像素中的連接至同一掃描線41的R、G、B三個子像素分別連接第一數(shù)據(jù)線42、第二數(shù)據(jù)線43和第三數(shù)據(jù)線44，且第一數(shù)據(jù)線42、第二數(shù)據(jù)線43和第三數(shù)據(jù)線44均位于該列子像素的同一側(cè)，具體的在本實施例中，所述第一數(shù)據(jù)線42、第二數(shù)據(jù)線43和第三數(shù)據(jù)線44均位于該列子像素的右側(cè)。各個子像素均具有TFT開關(guān)45，由于第一數(shù)據(jù)線42、第二數(shù)據(jù)線43和第三數(shù)據(jù)線44均位于同列R、G、B子像素的同一側(cè)，相應(yīng)的各個TFT開關(guān)45位于對應(yīng)子像素靠近第一數(shù)據(jù)線42、第二數(shù)據(jù)線43和第三數(shù)據(jù)線44 一側(cè)，并且，R、G、B子像素對應(yīng)的TFT開關(guān)的柵極與所述掃描線41電連接，R、G、B子像素對應(yīng)的TFT開關(guān)的源極分別與所述第一數(shù)據(jù)線42、第二數(shù)據(jù)線43和第三數(shù)據(jù)線44電連接。在圖5所示的實施例中，具體為:R子像素的TFT開關(guān)的源極與第一數(shù)據(jù)線42電連接，G子像素的TFT開關(guān)的源極與第二數(shù)據(jù)線43電連接，B子像素的TFT開關(guān)的源極與第三數(shù)據(jù)線44電連接。第三實施例中，三行相鄰的R子像素行、G子像素行和B子像素行共用一條掃描線，相對于現(xiàn)有技術(shù)中減少了兩根掃描線，相應(yīng)的可以提高顯示裝置的行分辨率。第三實施例中，子像素的長寬比小于1，其中長指數(shù)據(jù)線方向的長度，寬指掃描線方向的長度，即子像素沿數(shù)據(jù)線方向的長度比其沿掃描線方向的長度的比小于等于1，可選的，子像素的長寬比為1: 3，也就是減少子像素的長度，增加子像素的寬度，以此來減少增加數(shù)據(jù)線對開口率的影響。本發(fā)明中的像素陣列基板不僅適用于液晶顯示裝置，也可以適用于電子紙顯示裝置或者其他顯示裝置中。本發(fā)明雖然已以較佳實施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對本發(fā)明技術(shù)方案做出可能的變動和修改，因此，凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本發(fā)明的技術(shù)實質(zhì)對以上實施例所作的任何簡單修改、等同變化及修飾，均屬于本發(fā)明技術(shù)方案的保護范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素陣列結(jié)構(gòu)，包括:呈行列排列的多個子像素，以及在行方向上設(shè)置的掃描線和在列方向上設(shè)置的數(shù)據(jù)線，其特征在于，至少兩行所述子像素共用一根掃描線，在每列子像素中，連接至同一根掃描線的多個子像素分別與不同的數(shù)據(jù)線連接。
2.如權(quán)利要求1所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素的長寬比小于等于1，其中長指沿數(shù)據(jù)線方向的長度，寬指沿掃描線方向的長度。
3.如權(quán)利要求2所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述子像素的長寬比為1:1 I: 4。
4.如權(quán)利要求1所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，每個子像素包括一個TFT開關(guān)，所述TFT開關(guān)的柵極連接至對應(yīng)的掃描線，源極連接至對應(yīng)的數(shù)據(jù)線，漏極連接至子像素的像素電極。
5.如權(quán)利要求1所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述不同的數(shù)據(jù)線分別位于所述該列子像素的兩側(cè)。
6.如權(quán)利要求1所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述不同的數(shù)據(jù)線位于所述該列子像素的同一側(cè)。
7.如權(quán)利要求1所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，兩行相鄰的子像素共用一根掃描線，所述每列子像素中，連接至同一根掃描線上的兩個子像素連接至兩根不同的數(shù)據(jù)線。
8.如權(quán)利要求7所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述兩行相鄰的子像素共用的同一根掃描線位于該兩行相鄰的子像素之間。
9.如權(quán)利要求7所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個子像素分別為R、G、B、W子像素，相鄰的四個R、G、B、W子像素組成一個像素單元，在每個像素單元中R、G、B、W子像素呈兩行兩列排列。
10.如權(quán)利要求9所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述R、G、B、W子像素的長寬比為I: 1，其中長指沿數(shù)據(jù)線方向的長度，寬指沿掃描線方向的長度。
11.如權(quán)利要求1所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，三行相鄰的子像素共用一根掃描線，所述每列子像素中，連接至同一根掃描線上的三個子像素連接至三根不同的數(shù)據(jù)線。
12.如權(quán)利要求11所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述多個子像素分別為R、G、B子像素，相鄰的三個R、G、B子像素組成一個像素單元，在每個像素單元中R、G、B子像素呈三行一列排列。
13.如權(quán)利要求12所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述R、G、B子像素的長寬比為I: 3，其中長指沿數(shù)據(jù)線方向的長度，寬指沿掃描線方向的長度。
14.如權(quán)利要求11所述的像素陣列結(jié)構(gòu)，其特征在于，所述掃描線位于其中相鄰兩行子像素之間。
全文摘要
一種像素陣列結(jié)構(gòu)，包括呈行列排列的多個子像素，以及在行方向上設(shè)置的掃描線和在列方向上設(shè)置的數(shù)據(jù)線，至少兩行所述子像素共用一根掃描線，在每列子像素中，連接至同一根掃描線的多個子像素分別與多條不同的數(shù)據(jù)線連接。在相同的分辨率的情況下，比現(xiàn)有技術(shù)減少了掃描線的數(shù)量；或者在使用相同掃描線的數(shù)量的情況下，可以使顯示面板的分辨率加倍，有效的解決了現(xiàn)有技術(shù)中因要保證TFT開關(guān)的充電時間而限制顯示面板的分辨率的問題。
文檔編號G02F1/1368GK103163697SQ20111040757
公開日2013年6月19日 申請日期2011年12月8日 優(yōu)先權(quán)日2011年12月8日
發(fā)明者馬駿, 羅熙曦 申請人:上海天馬微電子有限公司