專利名稱：發(fā)光設(shè)備、打印頭及圖像形成設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及發(fā)光設(shè)備、打印頭及圖像形成設(shè)備。
背景技術(shù)：
在諸如打印機(jī)、復(fù)印機(jī)或傳真機(jī)之類的電子照相圖像形成設(shè)備中，以如下方式形成圖像通過(guò)利用光記錄單元將圖像信息照射到均勻帶電的感光體上以獲得靜電潛像、向靜電潛像添加調(diào)色劑使其可視、將靜電潛像轉(zhuǎn)印并定影在記錄紙上。作為這樣的光記錄單兀，除了利用激光器在主掃描方向上掃描激光來(lái)執(zhí)行曝光的光學(xué)掃描系統(tǒng)以外，近來(lái)為了滿足設(shè)備小型化的要求而采用了利用LED打印頭(LPH)的記錄設(shè)備，其中LED打印頭是通過(guò)在主掃描方向上布置多個(gè)發(fā)光二極管(LED)作為發(fā)光器件來(lái)提供的。JP-A-2010-111085公開了一種相對(duì)于自掃描發(fā)光器件芯片減少了布線數(shù)量的結(jié) 構(gòu)，其中自掃描發(fā)光器件芯片使同一芯片內(nèi)的各發(fā)光器件的點(diǎn)亮周期不重疊。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的一個(gè)目的是通過(guò)使用多個(gè)自掃描發(fā)光器件(SLED)芯片的LPH使得在同時(shí)點(diǎn)亮多個(gè)發(fā)光器件的同時(shí)，減少記錄設(shè)備中的布線數(shù)量。[I]根據(jù)本發(fā)明的一個(gè)方面，一種發(fā)光設(shè)備包括多個(gè)發(fā)光芯片、第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線、第三導(dǎo)線、和第四導(dǎo)線。該多個(gè)發(fā)光芯片各自具有多個(gè)發(fā)光器件，并且這些發(fā)光芯片被分成多個(gè)芯片組，每個(gè)發(fā)光芯片中的發(fā)光器件都被分成多個(gè)器件組。第一導(dǎo)線將發(fā)送信號(hào)共同發(fā)送至各發(fā)光芯片，以將每個(gè)發(fā)光芯片中的發(fā)光器件依次設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象。第二導(dǎo)線將第一選擇信號(hào)共同發(fā)送至發(fā)光芯片的給定芯片組，以選擇該給定芯片組作為每個(gè)發(fā)光芯片中的各發(fā)光器件都被基于發(fā)送信號(hào)設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象的周期內(nèi)的點(diǎn)亮控制對(duì)象。第三導(dǎo)線將第二選擇信號(hào)共同發(fā)送至一個(gè)器件組集合，以選擇該器件組集合作為每個(gè)發(fā)光芯片中的各發(fā)光器件都被基于發(fā)送信號(hào)設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象的周期內(nèi)的點(diǎn)亮控制對(duì)象。所述器件組集合包括屬于芯片組之一的發(fā)光芯片中的發(fā)光器件的第一器件組、和屬于其他芯片組的發(fā)光芯片中的發(fā)光器件的第二器件組。第四導(dǎo)線向每個(gè)芯片組發(fā)送點(diǎn)亮控制信號(hào)，以控制在基于發(fā)送信號(hào)將每個(gè)發(fā)光芯片中的各發(fā)光器件設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象的周期中使發(fā)光器件點(diǎn)亮的電力供給。[2]在[I]的發(fā)光設(shè)備中，多個(gè)發(fā)光芯片中的每個(gè)發(fā)光芯片都包括多個(gè)發(fā)送器件和多個(gè)設(shè)置器件。該多個(gè)發(fā)送器件基于發(fā)送信號(hào)將各發(fā)光器件設(shè)置為控制對(duì)象。多個(gè)設(shè)置器件基于第一選擇信號(hào)選擇各發(fā)光芯片作為點(diǎn)亮對(duì)象。多個(gè)發(fā)光器件的每個(gè)發(fā)光器件被提供為對(duì)應(yīng)于多個(gè)設(shè)置器件的每個(gè)設(shè)置器件。設(shè)置器件與對(duì)應(yīng)于這些設(shè)置器件的發(fā)光器件的多個(gè)組合被提供為對(duì)應(yīng)于多個(gè)發(fā)送器件中的各發(fā)送器件。針對(duì)發(fā)送器件選擇并配置設(shè)置在多個(gè)發(fā)送器件中的各發(fā)送器件上的設(shè)置器件和對(duì)應(yīng)于各設(shè)置器件的發(fā)光器件的多個(gè)組合中的每個(gè)器件組。[3]在[2]的發(fā)光設(shè)備中，每個(gè)發(fā)光芯片還包括使能器件，其與用于每個(gè)器件組的設(shè)置器件并聯(lián)連接。[4]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種打印頭包括曝光單元，該曝光單元包括[I]的發(fā)光設(shè)備和光學(xué)單元，而該光學(xué)單元將由曝光單元輻射的光提供到圖像載體上，以在該圖像載體上形成靜電潛像。[5]根據(jù)本發(fā)明的另一方面，一種圖像形成設(shè)備包括圖像載體；充電單元，其對(duì)圖像載體進(jìn)行充電；曝光單元，其包括[I]的發(fā)光設(shè)備；光學(xué)單元，其將由曝光單元輻射的光提供到圖像載體上；顯影單元，其對(duì)形成在圖像載體上的靜電潛像進(jìn)行顯影；以及轉(zhuǎn)印單元，其將顯影在圖像載體上的圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印體上。相比于未將發(fā)光芯片分成組和集合的情況，利用[I]的構(gòu)造，可以同時(shí)點(diǎn)亮同一發(fā)光芯片內(nèi)的多個(gè)發(fā)光器件，同時(shí)減少導(dǎo)線數(shù)量。相比于未提供[2]的構(gòu)造的情況，利用[2]的構(gòu)造，可以降低將各發(fā)光器件設(shè)置為各發(fā)光器件的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象的驅(qū)動(dòng)傳送器件的電力。 相比于未提供[3]的構(gòu)造的情況，利用[3]的構(gòu)造，可以進(jìn)行未選中發(fā)光芯片的點(diǎn)亮控制。相比于未提供[4]的構(gòu)造的情況，利用[4]的構(gòu)造，可以縮小打印頭的尺寸。相比于未提供[5]的構(gòu)造的情況，利用[5]的構(gòu)造，可以進(jìn)一步縮小圖像形成設(shè)備的尺寸。


下面將基于附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中圖I是示出應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的圖像形成設(shè)備的整體構(gòu)造的實(shí)例的示意圖；圖2是示出打印頭的構(gòu)造的截面視圖；圖3是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的平面視圖；圖4A和圖4B是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路的構(gòu)造、和電路板上的導(dǎo)線構(gòu)造的示意圖；圖5是不出根據(jù)第一不例性實(shí)施例的作為自掃描發(fā)光器件(SLED)芯片的發(fā)光芯片的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖6A和圖6B是根據(jù)第一不例性實(shí)施例的發(fā)光芯片的平面布局圖和截面視圖；圖7是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的發(fā)光芯片的操作的時(shí)序圖；圖8A和圖SB是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路的構(gòu)造、和電路板上的導(dǎo)線構(gòu)造的示意圖；圖9是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的作為自掃描發(fā)光器件(SLED)芯片的發(fā)光芯片的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖10是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的發(fā)光芯片的操作的時(shí)序圖；圖11是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的作為自掃描發(fā)光器件(SLED)芯片的發(fā)光芯片的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖12是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的發(fā)光芯片的操作的時(shí)序圖；圖13A和圖13B是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路的構(gòu)造、和電路板上的導(dǎo)線構(gòu)造的示意圖；圖14是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片的電路構(gòu)造的等效電路圖；圖15是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的發(fā)光芯片的操作的時(shí)序圖；圖16A和圖16B是示出根據(jù)第五示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路的構(gòu)造、和電路板上的導(dǎo)線構(gòu)造的示意圖；圖17是示出根據(jù)第五示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片的電路構(gòu)造的等效電路圖；以及圖18是示出根據(jù)第五示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備的發(fā)光芯片的操作的時(shí)序圖。
具體實(shí)施例方式下文中，將參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實(shí)施例。 [第一示例性實(shí)施例](圖像形成設(shè)備I)圖I是示出應(yīng)用了第一示例性實(shí)施例的圖像形成設(shè)備I的整體構(gòu)造的實(shí)例的示意圖。圖I所示的圖像形成設(shè)備I是常稱作串聯(lián)式(tandem type)的圖像形成設(shè)備。圖像形成設(shè)備I包括圖像形成處理單元10，其根據(jù)各顏色的圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行圖像形成；圖像輸出控制單元30，其控制圖像形成處理單元10 ;和圖像處理單元40，其連接至例如個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC) 2以及圖像讀取設(shè)備3以對(duì)它們接收到的圖像數(shù)據(jù)執(zhí)行預(yù)定的圖像處理。圖像形成處理單元10包括圖像形成單元11，該圖像形成單元11包括以預(yù)定的間隔平行排列的多個(gè)引擎。圖像形成單元11包括四個(gè)圖像形成單元11Y、11M、11C和11K。圖像形成單元11Y、IlMUlC和IlK中的每一個(gè)都包括感光鼓12、充電器13、打印頭14和顯影器15，其中，感光鼓12作為通過(guò)形成靜電潛像而保持調(diào)色劑圖像的圖像載體的一個(gè)實(shí)例，充電器13作為以預(yù)定電位對(duì)感光鼓12的表面進(jìn)行充電的充電單兀的一個(gè)實(shí)例,打印頭14對(duì)由充電器13進(jìn)行了充電的感光鼓12進(jìn)行曝光，顯影器15作為對(duì)通過(guò)打印頭14獲得的靜電潛像進(jìn)行顯影的顯影單元的一個(gè)實(shí)例。此處，除了放置在顯影器15中的調(diào)色劑顏色不同以外，圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK具有相同的構(gòu)造。圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK分別形成黃色(Y)、品紅色(M)、青色(C)和黑色⑷調(diào)色劑圖像。此外，為了將各圖像形成單元11Y、11M、11C和IlK的感光鼓12形成的各顏色的調(diào)色劑圖像多重轉(zhuǎn)印(multi-transfer)到記錄紙(其為轉(zhuǎn)印體的一個(gè)實(shí)例)上，圖像形成處理單元10還包括傳送記錄紙的紙張傳輸帶21、作為驅(qū)動(dòng)紙張傳輸帶21的輥的驅(qū)動(dòng)輥22、作為將感光鼓12的調(diào)色劑圖像轉(zhuǎn)印到記錄紙上的轉(zhuǎn)印單元的一個(gè)實(shí)例的轉(zhuǎn)印輥23、和將調(diào)色劑圖像定影到記錄紙上的定影器24。在該圖像形成設(shè)備I中，圖像形成處理單元10基于由圖像輸出控制單元30提供的各種控制信號(hào)來(lái)執(zhí)行圖像形成操作。在圖像輸出控制單元30的控制下，由圖像處理單元40對(duì)從個(gè)人計(jì)算機(jī)(PC)2或圖像讀取設(shè)備3接收到的圖像數(shù)據(jù)進(jìn)行處理，然后將得到的數(shù)據(jù)提供給圖像形成單元11。然后，例如在黑色(K)圖像形成單元IlK中，在感光鼓12沿箭頭A指不的方向轉(zhuǎn)動(dòng)的同時(shí)，由充電器13以預(yù)定電位對(duì)感光鼓12進(jìn)行充電,然后由基于由圖像處理單元40提供的圖像數(shù)據(jù)而發(fā)光的打印頭14對(duì)感光鼓12進(jìn)行曝光。因此，在感光鼓12上形成了黑色(K)圖像的靜電潛像。之后，由顯影器15對(duì)形成在感光鼓12上的靜電潛像進(jìn)行顯影，從而在感光鼓12上形成了黑色⑷的調(diào)色劑圖像。類似地，分別在圖像形成單元IlYUlM和IlC中形成黃色(Y)、品紅色(M)和青色(C)的調(diào)色劑圖像。通過(guò)各圖像形成單元11形成的感光鼓12上的各種顏色的調(diào)色劑圖像通過(guò)施加至轉(zhuǎn)印輥23的轉(zhuǎn)印電場(chǎng)按照次序被靜電轉(zhuǎn)印到在沿箭頭B所示方向運(yùn)動(dòng)的紙張傳輸帶21的運(yùn)動(dòng)方向上提供的記錄紙上，從而，在記錄紙上形成了各種顏色的調(diào)色劑疊加的合成調(diào)色齊_像。此后，靜電轉(zhuǎn)印了合成調(diào)色劑圖像的記錄紙被傳輸至定影器24。傳輸至定影器24的記錄紙上的合成調(diào)色劑圖像由定影器24通過(guò)進(jìn)行利用加熱和加壓的定影處理而定影在記錄紙上，然后記錄紙從圖像形成設(shè)備I排出。(打印頭14)圖2是示出打印頭14的結(jié)構(gòu)的截面視圖。該打印頭14包括外殼61、發(fā)光設(shè)備65、和棒狀透鏡陣列64，其中，發(fā)光設(shè)備65 (作為曝光單元的一個(gè)實(shí)例)具有包括對(duì)感光鼓12 進(jìn)行曝光的多個(gè)發(fā)光器件(在該示例性實(shí)施例中為發(fā)光晶閘管)的光源單元63，而棒狀透鏡陣列64 (作為光學(xué)單元的一個(gè)實(shí)例)將由光源單元63發(fā)出的光提供到感光鼓12的表面上。發(fā)光設(shè)備65包括電路板62，其上安裝有光源單元63、驅(qū)動(dòng)光源單元63的信號(hào)產(chǎn)生電路110 (見后面描述的圖3)。在此情況下，發(fā)光設(shè)備65可不提供有信號(hào)產(chǎn)生電路110，但是發(fā)光設(shè)備65的外部圖像輸出控制單元30可以提供有信號(hào)產(chǎn)生電路110。在此情況下，由信號(hào)產(chǎn)生電路110提供給光源單元63的信號(hào)被通過(guò)線束等從圖像輸出控制單元30提供至發(fā)光設(shè)備65。下文中，將在假設(shè)發(fā)光設(shè)備65具有信號(hào)產(chǎn)生電路110的情況下進(jìn)行說(shuō)明。外殼61例如由金屬制成并且支撐電路板62和棒狀透鏡陣列64,并且外殼61被設(shè)置為使得光源單元63的發(fā)光器件的發(fā)光點(diǎn)與棒狀透鏡陣列64的焦平面重合。此外，棒狀透鏡陣列64沿感光鼓12的軸向(稍后描述的圖3和圖4B中的主掃描方向以及X軸方向)布置。(發(fā)光設(shè)備65)圖3是根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65的平面視圖。如圖3所示，在根據(jù)該示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65中，光源單元63通過(guò)在電路板62上沿主掃描方向在兩行中以Z字形的方式布置20個(gè)發(fā)光芯片Cal至Ca20 (發(fā)光芯片組#a)和20個(gè)發(fā)光芯片Cbl至Cb20 (發(fā)光芯片組#b)來(lái)構(gòu)造。就是說(shuō)，在該示例性實(shí)施例中，提供了兩個(gè)發(fā)光組(發(fā)光芯片組#a和發(fā)光芯片組#b)。此處，發(fā)光芯片組可以簡(jiǎn)稱為組。在此情況下，下面將描述發(fā)光芯片組#a和發(fā)光芯片組#b的相對(duì)(opposition)詳情。在說(shuō)明書中，" "表示以數(shù)字區(qū)分的多個(gè)組成元件，并包括" "之前和之后出現(xiàn)的數(shù)字以及介于出現(xiàn)的數(shù)字之間的數(shù)字。例如，"Cal Ca20"包括按數(shù)字順序的發(fā)光芯片Cal至發(fā)光芯片Ca20。發(fā)光芯片Cal至Ca20和發(fā)光芯片Cbl至Cb20的構(gòu)造可以相同。因此，在不對(duì)發(fā)光芯片Cbl至Cb20和發(fā)光芯片Cal至發(fā)光芯片Ca20進(jìn)行彼此區(qū)分時(shí)，將它們以發(fā)光芯片C表示。在該示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C的數(shù)量總共為40個(gè)，但是不限于此。發(fā)光設(shè)備65具有安裝于其上的用于驅(qū)動(dòng)光源單兀63的信號(hào)產(chǎn)生電路110。如上所述，發(fā)光設(shè)備65可以不具有安裝于其上的信號(hào)產(chǎn)生電路110。
圖4A和圖4B是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造、和電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造的示意圖。具體的，圖4A示出了發(fā)光芯片C的構(gòu)造，而圖4B示出了發(fā)光設(shè)備65的信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造以及電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造。在該示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C被分成兩個(gè)發(fā)光芯片組(#a和#b)。首先，將描述圖4A所示的發(fā)光芯片C的構(gòu)造。發(fā)光芯片C具有發(fā)光單兀102,其包括多個(gè)發(fā)光器件(在該實(shí)施例中為發(fā)光晶閘管LI，L2，L3…)，這些發(fā)光器件沿具有矩形表面形狀的襯底80的長(zhǎng)邊而成行地安裝在靠近該長(zhǎng)邊的一側(cè)。此外，發(fā)光芯片C具有輸入端子(端子Vga、端子I、端子￠2、端子(^E、端子^Wo、端子c^We、和端子0R)，這些端子是沿長(zhǎng)邊方向設(shè)置在襯底80的兩個(gè)端部上的用于 輸入各種控制信號(hào)的多個(gè)接合焊盤。這些輸入端子從襯底80的一個(gè)端部按照端子Vga、端子小2、端子4>Wo、和端子4>E的順序、而從襯底80的另一個(gè)端部按照端子4>R、端子4>We、和端子$ I的順序進(jìn)行安裝。此外，發(fā)光單元102安裝在端子(^E和端子￠1之間。在襯底80的背面上，安裝了背部電極85 (見稍后描述的圖6)作為端子Vsub。在此情況下，如圖4A所示，用語(yǔ)“成行”不限于多個(gè)發(fā)光器件以對(duì)齊方式布置的情形，而是可以為該多個(gè)發(fā)光器件的各發(fā)光器件相對(duì)于與行方向正交的方向具有不同的偏移量而進(jìn)行布置的情況。例如，如果假設(shè)發(fā)光平面312 (見稍后描述的圖6)對(duì)應(yīng)于一個(gè)像素，則各發(fā)光器件可以沿與行方向正交的方向具有大到幾個(gè)像素或幾十個(gè)像素的偏移量而進(jìn)行布置。此外，發(fā)光器件可以與相鄰的發(fā)光器件交錯(cuò)布置，或可以以Z字形布置。接下來(lái)，參照?qǐng)D4B描述發(fā)光設(shè)備65的信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造和電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造。如上所述，在發(fā)光設(shè)備65的電路板62上，安裝有信號(hào)產(chǎn)生電路110和發(fā)光芯片C (發(fā)光芯片Cal至Ca20和發(fā)光芯片Cbl至Cb20)，并安裝有用于連接信號(hào)產(chǎn)生電路110和發(fā)光芯片C(發(fā)光芯片Cal至Ca20和發(fā)光芯片Cbl至Cb20)的導(dǎo)線(線路)。首先描述信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造。盡管未示出，但是處理后的圖像數(shù)據(jù)和各種控制信號(hào)被從圖像輸出控制單元30和圖像處理單元40 (見圖I)輸入到信號(hào)產(chǎn)生電路110。信號(hào)產(chǎn)生電路110基于圖像數(shù)據(jù)和各種控制信號(hào)替換圖像數(shù)據(jù)或校正發(fā)光量。此外，信號(hào)產(chǎn)生電路110包括發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元120a，其基于各種控制信號(hào)向發(fā)光芯片組#8 (發(fā)光芯片Cal至Ca20)發(fā)送第一發(fā)送信號(hào)Ia和第二發(fā)送信號(hào)4>2a;以及發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單兀120b,其向發(fā)光芯片組#b (發(fā)光芯片Cbl至Cb20)發(fā)送第一發(fā)送信號(hào)小Ib和第二發(fā)送信號(hào)2b。此外，信號(hào)產(chǎn)生電路110包括使能信號(hào)產(chǎn)生單元130a，其基于各種控制信號(hào)向發(fā)光芯片組#3 (發(fā)光芯片Cal至Ca20)發(fā)送使能信號(hào)小Ea ;以及使能信號(hào)產(chǎn)生單元130b，其向發(fā)光芯片組#b (發(fā)光芯片Cbl至Cb20)發(fā)送使能信號(hào)(tEb。此外，信號(hào)產(chǎn)生電路110包括熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140a，其基于各種控制信號(hào)向發(fā)光芯片組#8 (發(fā)光芯片Cal至Ca20)發(fā)送熄滅信號(hào)Ra ;以及熄滅信號(hào)產(chǎn)生單兀140b,其向發(fā)光芯片組#b(發(fā)光芯片Cbl至Cb20)發(fā)送熄滅信號(hào)4>Rb。此外，信號(hào)產(chǎn)生電路110包括設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元1500，其基于各種控制信號(hào)向由屬于發(fā)光芯片組#a的一個(gè)發(fā)光芯片C和屬于發(fā)光芯片組#b的一個(gè)發(fā)光芯片C組成的每個(gè)發(fā)光芯片集合發(fā)送設(shè)置信號(hào)CtWol至0WO2O。以相同方式，信號(hào)產(chǎn)生電路110包括設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單兀150e,其向由屬于發(fā)光芯片組#a的一個(gè)發(fā)光芯片C和屬于發(fā)光芯片組#h的一個(gè)發(fā)光芯片C組成的每個(gè)發(fā)光芯片集合發(fā)送設(shè)置信號(hào)CtWel至ctWe20。此處，發(fā)光芯片集合可以簡(jiǎn)稱為集合。例如，設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單兀150o向由屬于發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal和屬于發(fā)光芯片組此的發(fā)光芯片Cbl組成的發(fā)光芯片集合#1發(fā)送設(shè)置信號(hào)c^Wol。此外，設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單兀150o向由屬于發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca2和屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb2組成的發(fā)光芯片集合#2發(fā)送設(shè)置信號(hào)0Wo2。以相同的方式，設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150o向由屬于發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca20和屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb20組成的發(fā)光芯片集合#20發(fā)送設(shè)置信號(hào)(tWo20。另一方面，設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單兀150e向由屬于發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal和屬 于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl組成的發(fā)光芯片集合#1發(fā)送設(shè)置信號(hào)c^Wel。此外，設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單兀150e向由屬于發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca2和屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb2組成的發(fā)光芯片集合#2發(fā)送設(shè)置信號(hào)0We2。以相同的方式，設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150e向由屬于發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca20和屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb20組成的發(fā)光芯片集合#20發(fā)送設(shè)置信號(hào)0We2O。此外，信號(hào)產(chǎn)生電路110包括基準(zhǔn)電位提供單元160，其提供成為發(fā)光芯片C(發(fā)光芯片Cal至Ca20和發(fā)光芯片Cbl至Cb20)中的電位基準(zhǔn)的基準(zhǔn)電位Vsub ;以及電源電位提供單元170，其提供用于驅(qū)動(dòng)發(fā)光芯片C (發(fā)光芯片Cal至Ca20和發(fā)光芯片Cbl至Cb20)的電源電位Vga。如上所述，在圖4中，單獨(dú)示出了發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元120a和發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元120b。然而，它們可以統(tǒng)稱為發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元120。以相同的方式，盡管單獨(dú)示出了使能信號(hào)產(chǎn)生單元130a和使能信號(hào)產(chǎn)生單元130b，然而，它們可以統(tǒng)稱為使能信號(hào)產(chǎn)生單元130。以相同的方式，盡管單獨(dú)示出了熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140a和熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140b，然而，它們可以統(tǒng)稱為熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140。此外，盡管單獨(dú)示出了設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150o和設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150e，然而，它們可以統(tǒng)稱為設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150。此外,在不對(duì)第一發(fā)送信號(hào)Ia和第一發(fā)送信號(hào)Ib彼此進(jìn)行區(qū)分的情況下,它們可以以第一發(fā)送信號(hào)0 I來(lái)表不，而在不對(duì)第二發(fā)送信號(hào)02a和第二發(fā)送信號(hào)4>2b彼此進(jìn)行區(qū)分的情況下，它們可以以第二發(fā)送信號(hào)￠2來(lái)表示。此外，在不對(duì)第一發(fā)送信號(hào)小1和第二發(fā)送信號(hào)￠2彼此進(jìn)行區(qū)分的情況下，它們可以以發(fā)送信號(hào)來(lái)表示。以相同的方式，在不對(duì)使能信號(hào)0Ea和使能信號(hào)(^Eb彼此進(jìn)行區(qū)分的情況下，它們可以以使能信號(hào)小已來(lái)表示。在不對(duì)熄滅信號(hào)0Ra和熄滅信號(hào)ctRb彼此進(jìn)行區(qū)分的情況下，它們可以以熄滅信號(hào)來(lái)表不。設(shè)置信號(hào)4>Wol至4>Wo20以設(shè)置信號(hào)4>Wo表不，設(shè)置信號(hào)4>Wel至4>ffe20以設(shè)置信號(hào)4>We表不。此外，在不對(duì)設(shè)置信號(hào)Wo和設(shè)置信號(hào)We彼此進(jìn)行區(qū)分時(shí)，它們以設(shè)置信號(hào)4>W表不。使能信號(hào)0E是第一選擇信號(hào)的一個(gè)實(shí)例，設(shè)置信號(hào)小胃是第二選擇信號(hào)的一個(gè)實(shí)例。
接下來(lái)，將描述發(fā)光芯片Cal至Ca20和發(fā)光芯片Cbl至Cb20的布置。屬于發(fā)光芯片組#&的發(fā)光芯片Cal至Ca20沿長(zhǎng)邊方向以預(yù)定間隔布置成一行。以相同的方式，屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20沿長(zhǎng)邊方向以預(yù)定間隔布置成一行。此外，屬于發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20和屬于發(fā)光芯片組#h的發(fā)光芯片Cbl至Cb20以旋轉(zhuǎn)180°使得長(zhǎng)邊彼此面對(duì)的狀態(tài)布置為Z字形，其中所述長(zhǎng)邊靠近安裝在各發(fā)光芯片組中的發(fā)光單元102。此外，發(fā)光芯片C的位置被設(shè)置為使得發(fā)光器件沿主掃描方向以預(yù)定間隔布置在發(fā)光芯片C之間。在此情況下，圖4A所示的發(fā)光單元102的各發(fā)光器件的排列方向(在該示例性實(shí)施例中，按發(fā)光晶閘管L1，L2，L3…的數(shù)字順序)由圖4B中的發(fā)光芯片Cal，Ca2，Ca3，…和發(fā)光芯片Cbl，Cb2，Cb3，…中的箭頭表示。下面描述用于連接信號(hào)產(chǎn)生電路110和發(fā)光芯片C (發(fā)光芯片Cal至Ca20和發(fā)光芯片Cbl至Cb20)的導(dǎo)線(線路)。在電路板62上，安裝了電源線200a，其連接至安裝在發(fā)光芯片C的襯底80背面上 的端子Vsub (見稍后描述的圖6)，以從信號(hào)產(chǎn)生電路110的基準(zhǔn)電位提供單元160接收基準(zhǔn)電位Vsub。此外，安裝有電源線200b，其連接至安裝在發(fā)光芯片C上的端子Vga，以從信號(hào)產(chǎn)生電路110的電源電位提供單元170接收用于電力供給的電源電位Vga。此外,在電路板62上,安裝有第一發(fā)送信號(hào)線201a和第二發(fā)送信號(hào)線202a,第一發(fā)送信號(hào)線201a用于將第一發(fā)送信號(hào)0 Ia從信號(hào)產(chǎn)生電路110的發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元120a發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20的端子0 I，第二發(fā)送信號(hào)線202a用于將第二發(fā)送信號(hào)0 2a發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20的端子0 2。第一發(fā)送信號(hào)Ctla和第二發(fā)送信號(hào)0 2a被共同(并行)發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20。以相同的方式，安裝有第一發(fā)送信號(hào)線201b和第二發(fā)送信號(hào)線202b,第一發(fā)送信號(hào)線201b用于將第一發(fā)送信號(hào)0 Ib從信號(hào)產(chǎn)生電路110的發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元120b發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20的端子1，第二發(fā)送信號(hào)線202b用于將第二發(fā)送信號(hào)0 2b發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20的端子2。第一發(fā)送信號(hào)小Ib和第二發(fā)送信號(hào)0 2b被共同(并行)發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20。發(fā)送信號(hào)線201a、201b、202a、和202b是第一導(dǎo)線的實(shí)例。此外，在電路板62上，安裝有使能信號(hào)線203a，用于將使能信號(hào)(^Ea從信號(hào)產(chǎn)生電路110的使能信號(hào)產(chǎn)生單元130a發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20的端子^E。使能信號(hào)AEa被共同(并行)發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20。以相同的方式，安裝有使能信號(hào)線203b，用于將使能信號(hào)(^Eb從信號(hào)產(chǎn)生電路110的使能信號(hào)產(chǎn)生單元130b發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20的端子c^E。使能信號(hào)0Eb被共同(并行)發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20。使能信號(hào)線203a和203b是第二導(dǎo)線的實(shí)例。此外，在電路板62上,安裝有熄滅信號(hào)線204a,用于將熄滅信號(hào)4>Ra從信號(hào)產(chǎn)生電路110的熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140a發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20的端子^R。熄滅信號(hào)ARa被共同(并行)發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20。以相同的方式，安裝有熄滅信號(hào)線204b,用于將熄滅信號(hào)Rb從信號(hào)產(chǎn)生電路110的熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140b發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20的端子c^R。熄滅信號(hào)0Rb被共同(并行)發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20。熄滅信號(hào)線204a和204b是第四導(dǎo)線的實(shí)例。此外，在電路板62上，安裝有設(shè)置信號(hào)線205oI至205o20，用于將設(shè)置信號(hào)(^Wol至c^WO20從信號(hào)產(chǎn)生電路110的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150o發(fā)送至每個(gè)發(fā)光芯片集合的發(fā)光芯片C的端子0Wo，其中該發(fā)光芯片集合由屬于發(fā)光芯片組#&的一個(gè)發(fā)光芯片C和屬于發(fā)光芯片組#b的一個(gè)發(fā)光芯片C組成。此外，在電路板62上，安裝有設(shè)置信號(hào)線205el至205e20，用于將設(shè)置信號(hào)(^Wel至c^We20從信號(hào)產(chǎn)生電路110的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150e發(fā)送至每個(gè)發(fā)光芯片集合的發(fā)光芯片C的端子0We，其中該發(fā)光芯片集合由屬于發(fā)光芯片組#&的一個(gè)發(fā)光芯片C和屬于發(fā)光芯片組#b的一個(gè)發(fā)光芯片C組成。在圖4中，描述了設(shè)置信號(hào)線205ol至205o20和設(shè)置信號(hào)線205el至205e20。 設(shè)置信號(hào)線205ol至205o20和設(shè)置信號(hào)線205el至205e20是第三導(dǎo)線的實(shí)例。例如，設(shè)置信號(hào)線205ol連接至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal的端子(^Wo和發(fā)光芯片組此的發(fā)光芯片Cbl的端子0Wo，并將設(shè)置信號(hào)CtWol發(fā)送至由發(fā)光芯片Cal和發(fā)光芯片Cbl組成的發(fā)光芯片集合#1。設(shè)置信號(hào)線205o2連接至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca2的端子C^Wo和發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb2的端子$ Wo，并將設(shè)置信號(hào)$Wo2發(fā)送至由發(fā)光芯片Ca2和發(fā)光芯片Cb2組成的發(fā)光芯片集合#2。以相同的方式，設(shè)置信號(hào)線205o20連接至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca20的端子小Wo和屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb20的端子c^Wo，并將設(shè)置信號(hào)0 Wo20發(fā)送至由發(fā)光芯片Ca20和發(fā)光芯片Cb20組成的發(fā)光芯片集合#20。以相同的方式，設(shè)置信號(hào)線205el連接至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal的端子 和發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl的端子0We，并將設(shè)置信號(hào)CtWel發(fā)送至由發(fā)光芯
片Cal和發(fā)光芯片Cbl組成的發(fā)光芯片集合#1。設(shè)置信號(hào)線205e2連接至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca2的端子(tWe和發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb2的端子$ We，并將設(shè)置信號(hào)<t>We2發(fā)送至由發(fā)光芯片Ca2和發(fā)光芯片Cb2組成的發(fā)光芯片集合#2。以相同的方式，設(shè)置信號(hào)線205e20連接至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca20的端子小We和屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb20的端子0We，并將設(shè)置信號(hào)0We2O發(fā)送至由發(fā)光芯片Ca20和發(fā)光芯片Cb20組成的發(fā)光芯片集合#20。如上所述，基準(zhǔn)電位Vsub和電源電位Vga被共同發(fā)送至電路板62上的全部發(fā)光芯片C。此外,第一發(fā)送信號(hào)la、第二發(fā)送信號(hào)2a、使能信號(hào)4>Ea、和熄滅信號(hào)4>Ra被共同發(fā)送至發(fā)光芯片組#3。此外，第一發(fā)送信號(hào)01b、第二發(fā)送信號(hào)02b、使能信號(hào)c^Eb、 和熄滅信號(hào)0 Rb被共同發(fā)送至發(fā)光芯片組#b。另一方面，設(shè)置信號(hào)(^Wol至(tWo20以及設(shè)置信號(hào)(^Wel至0We2O被共同發(fā)送至各發(fā)光芯片集合#1至#20，每個(gè)發(fā)光芯片集合都由屬于發(fā)光芯片組#a的一個(gè)發(fā)光芯片C和屬于發(fā)光芯片組#b的一個(gè)發(fā)光芯片C組成。此處，將描述導(dǎo)線(線路)的數(shù)量。在未應(yīng)用本例性實(shí)施例、且未將發(fā)光設(shè)備65的發(fā)光芯片C分成發(fā)光芯片組和發(fā)光芯片集合的情況下，為每個(gè)發(fā)光芯片C發(fā)送兩個(gè)點(diǎn)亮信號(hào)￠1(在該示例性實(shí)施例中，對(duì)應(yīng)于熄滅信號(hào)0R)，并且如果發(fā)光芯片C的數(shù)量被設(shè)置為40，則需要用于使發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮的80條點(diǎn)亮信號(hào)線(對(duì)應(yīng)于圖4中的熄滅信號(hào)線204a和204b)，以同時(shí)點(diǎn)亮每個(gè)發(fā)光芯片C的兩個(gè)發(fā)光晶閘管L(稍后描述)。此外，需要第一發(fā)送信號(hào)線(對(duì)應(yīng)于圖4中的第一發(fā)送信號(hào)線201a和201b)、第二發(fā)送信號(hào)線(對(duì)應(yīng)于圖4中的第二發(fā)送信號(hào)線202a和202b)、和電源線200a和200b。因此，在發(fā)光設(shè)備65中，導(dǎo)線(線路)的數(shù)量變?yōu)?4條。此外，由于點(diǎn)亮信號(hào)線用于發(fā)送使發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮的電流，因此它們需要具有低電阻。因此，作為點(diǎn)亮信號(hào)線，需要具有大寬度的導(dǎo)線。由此，在未應(yīng)用該示例性實(shí)施例的情況中，應(yīng)該在發(fā)光設(shè)備65的電路板62上安裝具有大寬度的多條導(dǎo)線，從而增大了電路板62的面積。 在該示例性實(shí)施例中，如圖4A和圖4B所示，如果發(fā)光芯片組的數(shù)量被設(shè)置為2，則需要10條信號(hào)線，包括第一發(fā)送信號(hào)線201a和201b、第二發(fā)送信號(hào)線202a和202b、使能信號(hào)線203a和203b、點(diǎn)亮信號(hào)線204a和204b、和電源線200a和200b。此外，需要40條設(shè)置信號(hào)線205ol至205o20和205el至205e20。因此，根據(jù)該示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65中的導(dǎo)線(線路)的數(shù)量變?yōu)?0條。 因此，根據(jù)該示例性實(shí)施例的導(dǎo)線的數(shù)量變?yōu)槲磻?yīng)用該示例性實(shí)施例情形中的導(dǎo)線數(shù)量的60%。此外，在該示例性實(shí)施例中，由于通過(guò)電源線200a和200b向晶閘管L提供電流，以及通過(guò)使清除晶閘管TRl和TR2導(dǎo)通來(lái)設(shè)置熄滅信號(hào)線204a和204b，因此不需要低電阻和大寬度的導(dǎo)線。在該示例性實(shí)施例中，無(wú)需在電路板62上安裝多條具有大寬度的導(dǎo)線，從而可以減小電路板62的面積。圖5是不出根據(jù)第一不例性實(shí)施例的作為自掃描發(fā)光器件(SLED)芯片的發(fā)光芯片C的電路構(gòu)造的等效電路圖。在圖5中，除輸入端子(端子Vga、端子￠1、端子￠2、端子ctE、端子c^Wo、端子c^We、和端子AR)外，基于稍后描述的圖6所示的發(fā)光芯片C上的布局布置稍后描述的各器件。在此情況下，與圖4A不同，為了便于進(jìn)行說(shuō)明，在附圖的左側(cè)示出了輸入端子(端子Vga、端子$ I、端子4E、和端子CtWo)，而在附圖右側(cè)示出了輸入端子(端子$ 2、端子小We、和端子(^R)。如上所述，發(fā)光芯片C包括發(fā)光晶閘管列(發(fā)光單元102 (見圖4A))，其由作為在襯底80上成行布置的發(fā)光器件實(shí)例的發(fā)光晶閘管LI, L2, L3…組成。此外，發(fā)光芯片C包括由發(fā)送晶閘管Tl，T2，T3…(其為與發(fā)光晶閘管列以相同方式成行布置的發(fā)送器件的實(shí)例)組成的發(fā)送晶閘管列、和由設(shè)置晶閘管SI，S2，S3…(其為以相同方式成行布置的設(shè)置器件的實(shí)例)組成的設(shè)置晶閘管列。此處，在不對(duì)發(fā)光晶閘管LI，L2，L3…進(jìn)行彼此區(qū)分時(shí)，將其表示為發(fā)光晶閘管L。在不對(duì)發(fā)送晶閘管Tl，T2，T3…進(jìn)行彼此區(qū)分時(shí)，將其表示為發(fā)送晶閘管T。在不對(duì)設(shè)置晶閘管SI，S2，S3…進(jìn)行彼此區(qū)分時(shí)，將其表示為設(shè)置晶閘管S。此外，發(fā)光芯片C包括設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2 (其作為使能器件的實(shí)例)，并且還提供有熄滅晶閘管TRl和TR2。在此情況中，上述晶閘管(發(fā)光晶閘管L、發(fā)送晶閘管T、設(shè)置晶閘管S、設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2、和熄滅晶閘管TRl和TR2)是具有陽(yáng)極、陰極和柵極這三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件。此外，發(fā)光芯片C包括耦合二極管Dl，D2，D3…，其中的每一個(gè)設(shè)置在發(fā)送晶閘管Tl，T2，T3…中的每一對(duì)發(fā)送晶閘管之間。此外，分別在發(fā)送晶閘管Tl，T2，T3…和設(shè)置晶閘管SI，S2，S3…之間設(shè)置連接電阻器Rx。此外，在設(shè)置晶閘管SI，S2，S3…和發(fā)光晶閘管LI，L2，L3…之間設(shè)置連接電阻器Ry。此外,發(fā)光芯片C包括位于發(fā)光晶閘管LI, L2, L3…和稍后描述的電源線71之間的連接電阻器Rz。 此處，以與發(fā)光晶閘管L相同的方式，在不對(duì)耦合二極管Dl，D2，D3…彼此進(jìn)行區(qū)分時(shí)，將其表不為稱合二極管D。此處，發(fā)光晶閘管列中的發(fā)光晶閘管L的數(shù)量可以預(yù)先確定。在第一示例性實(shí)施例中，發(fā)光晶閘管L的數(shù)量例如是512個(gè)，并且設(shè)置晶閘管S的數(shù)量也是512個(gè)。然而，發(fā)送晶閘管T的數(shù)量是發(fā)光晶閘管L或設(shè)置晶閘管S的數(shù)量的一半，即為256個(gè)。也就是說(shuō)，在由一個(gè)發(fā)光晶閘管L和一個(gè)設(shè)置晶閘管S組成一對(duì)的情況中，一個(gè)發(fā)送晶閘管T提供有兩對(duì)發(fā)光晶閘管L和設(shè)置晶閘管S。在此情況中，耦合二極管D的數(shù)量是256個(gè)，該數(shù)量與發(fā)送晶閘管T的數(shù)量相同。連接電阻器Rx、Ry、或Rz的數(shù)量也是512個(gè)。此外，發(fā)光芯片C包括一個(gè)啟動(dòng)二極管Ds。此外，發(fā)光芯片C包括限流電阻器Rl和R2，用于防止過(guò)電流流入用于發(fā)送第一發(fā)送信號(hào)￠1的第一發(fā)送信號(hào)線72和用于發(fā)送第二發(fā)送信號(hào)￠2的第二發(fā)送信號(hào)線73。此外，發(fā)光芯片C包括限流電阻器RE、Rwl、Rw2、RR1、RR2、和 Rt0此外，發(fā)光芯片C包括限流電阻器R11、R12、R13、和R14，用于防止過(guò)電流流入用于向發(fā)光晶閘管L提供點(diǎn)亮電流的點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2.在此情況中，發(fā)光晶閘管列的發(fā)光晶閘管LI，L2，L3…、發(fā)送晶閘管列的發(fā)送晶閘管Tl，T2，T3" 、設(shè)置晶閘管列的設(shè)置晶閘管SI，S2，S3…從圖5的左側(cè)開始按照數(shù)字順序進(jìn)行布置。此外，設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2在設(shè)置晶閘管列外側(cè)與設(shè)置晶閘管SI并聯(lián)安裝。此外，耦合二極管D1，D2，D3…從附圖的左側(cè)開始按其數(shù)字順序進(jìn)行布置。此外，發(fā)光晶閘管列、發(fā)送晶閘管列、設(shè)置晶閘管列從圖5的上側(cè)開始按照發(fā)送晶閘管列、設(shè)置晶閘管列、和發(fā)光晶閘管列的順序進(jìn)行布置。接下來(lái)，描述發(fā)光芯片C中的各器件的電氣連接。發(fā)光晶閘管L、發(fā)送晶閘管T、設(shè)置晶閘管S、設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2、和熄滅晶閘管TRl和TR2的陽(yáng)極端子連接至襯底80(共陽(yáng)極)。此外，這些陽(yáng)極端子通過(guò)作為安裝在襯底80背面上的背面電極85(見稍后描述的圖6)的端子Vsub連接至電源線200a (見圖4)?；鶞?zhǔn)電位Vsub被從基準(zhǔn)電位提供單元160提供給電源線200a。奇數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T1，T3…的陰極端子順著發(fā)送晶閘管列連接至第一發(fā)送信號(hào)線72。此外，在發(fā)光芯片Cal中，第一發(fā)送信號(hào)線72通過(guò)限流電阻器Rl連接至作為第一發(fā)送信號(hào)0 Ia的輸入端子的端子01。該端子0 I連接至第一發(fā)送信號(hào)線201a(見圖4)，且第一發(fā)送信號(hào)01a發(fā)送至端子小1。另一方面，偶數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T2，T4…的陰極端子順著發(fā)送晶閘管列連接至第二發(fā)送信號(hào)線73。此外，在發(fā)光芯片Cal中，第二發(fā)送信號(hào)線73通過(guò)限流電阻器R2連接至作為第二發(fā)送信號(hào)0 2a的輸入端子的端子0 2。該端子￠2連接至第二發(fā)送信號(hào)線202a (見圖4)，且第二發(fā)送信號(hào)0 2a發(fā)送至端子小2。奇數(shù)編號(hào)的設(shè)置晶閘管SI，S3…和設(shè)置使能晶閘管TEl的陰極端子順著設(shè)置晶閘管列連接至設(shè)置信號(hào)線74-1。此外，設(shè)置信號(hào)線74-1通過(guò)限流電阻器RWl連接至端子^Wo。在發(fā)光芯片Cal中，端子CtWo連接至設(shè)置信號(hào)線205el (見圖4)，且設(shè)置信號(hào)(^Wol發(fā)送至端子(tWo。偶數(shù)編號(hào)的設(shè)置晶閘管S2，S4…和設(shè)置使能晶閘管TE2的陰極端子順著設(shè)置晶閘管列連接至設(shè)置信號(hào)線74-2。此外，設(shè)置信號(hào)線74-2通過(guò)限流電阻器RW2連接至端子^We。在發(fā)光芯片Cal中，端子CtWe連接至設(shè)置信號(hào)線205el (見圖4)，且設(shè)置信號(hào)(^Wel發(fā)送至端子^We。 此外，設(shè)置使能晶閘管TEl的柵極端子Gtel和設(shè)置使能晶閘管TE2的柵極端子Gte2連接至使能信號(hào)線76。使能信號(hào)線76通過(guò)限流電阻器RE連接至端子0E。在發(fā)光芯片Cal中，端子AE連接至使能信號(hào)線203a(見圖4)，并且使能信號(hào)AEa發(fā)送至端子c^E。奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管LI，L3…和熄滅晶閘管TRl的柵極端子Gtrl順著發(fā)光晶閘管列連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75-1。此外，點(diǎn)亮信號(hào)線75-1的一端通過(guò)限流電阻器Rll連接至電源線71，點(diǎn)亮信號(hào)線75-1的另一端通過(guò)限流電阻器R13連接至電源線71。偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L2，L4…和熄滅晶閘管TR2的柵極端子Gtr2順著發(fā)光晶閘管列連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75-2。此外，點(diǎn)亮信號(hào)線75-2的一端通過(guò)限流電阻器R12連接至電源線71，點(diǎn)亮信號(hào)線75-2的另一端通過(guò)限流電阻器R14連接至電源線71。此外，熄滅晶閘管TRl的陰極端子通過(guò)限流電阻器RRl連接至熄滅信號(hào)線77，而熄滅晶閘管TR2的陰極端子通過(guò)限流電阻器RR2連接至熄滅信號(hào)線77。此外，熄滅信號(hào)線77連接至端子0R。在發(fā)光芯片Cal中，端子0 R連接至熄滅信號(hào)線204a (見圖4)，并且熄滅信號(hào)0 Ra發(fā)送至端子c^R。發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gtl，Gt2，Gt3，…通過(guò)連接電阻器Rx分別連接至具有編號(hào)n(n為大于等于I的整數(shù))的發(fā)送晶閘管Tn的柵極端子Gtn、具有編號(hào)(2n_l)的設(shè)置晶閘管S2lri的柵極端子Gs2lri、以及具有編號(hào)2n的設(shè)置晶閘管S2n的柵極端子Gs2n。另一方面，設(shè)置晶閘管31，52，53吣的各柵極端子681，682，683，…分別通過(guò)連接電阻器Ry連接至具有相同編號(hào)的發(fā)光晶閘管LI，L2，L3…的柵極端子Gil, G12，G13，…。發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl通過(guò)對(duì)應(yīng)于各發(fā)光晶閘管L安裝的連接電阻器Rz連接至電源線71.此處,在不對(duì)柵極端子Gtl, Gt2, Gt3,…、柵極端子Gsl, Gs2, Gs3,…、和柵極端子G11，G12，G13，…彼此進(jìn)行區(qū)分時(shí)，可以將它們分別表示為柵極端子Gt、柵極端子GsJP柵極端子Gl。耦合二極管Dl，D2，D3…按編號(hào)順序連接在發(fā)送晶閘管Tl，T2，T3…的各柵極端子Gtl, Gt2，Gt3，…的兩對(duì)柵極端子之間。即，耦合二極管Dl, D2，D3…串聯(lián)連接為使得它們按順序夾置在柵極端子Gtl，Gt2，Gt3，…之間。此外，耦合二極管Dl連接在電流從柵極端子Gtl流向柵極端子Gt2的方向中。其他的耦合二極管D2，D3，D4，…以相同的方式連接。在此情況中，耦合二極管D256的陽(yáng)極端子連接至柵極端子Gt256，而耦合二極管D256的陰極端子通過(guò)限流電阻器Rt連接至電源線71.此外，啟動(dòng)二極管Ds的陰極端子在發(fā)送晶閘管列的一側(cè)連接至發(fā)送晶閘管Tl的柵極端子Gtl，而啟動(dòng)二極管Ds的陽(yáng)極端子連接至第二發(fā)送信號(hào)線73。電源線71連接至端子Vga。端子Vga連接至電源線200b，并且電源電位Vga從電源電位提供單元170提供至端子Vga。圖6A和圖6B是根據(jù)第一不例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的平面布局圖和截面視圖。圖6A和圖6B示出了圖5所示的發(fā)光芯片C的左側(cè)部分，即，發(fā)光晶閘管LI至L4、設(shè)置晶閘管SI至S4、以及發(fā)送晶閘管Tl和T2周圍的部分。因此，圖6A和圖6B未示出圖5所示的發(fā)光芯片C的右側(cè)部分，S卩，端子￠2、端子c^We、和端子0R周圍的部分。圖6A是發(fā)光芯片C的平面布局示意圖，圖6B是沿圖6A所示的線VIB-VIB取的截 面圖。因此，在圖6B中，如從該圖下部可以看到的，指示了發(fā)光晶閘管LI、連接電阻器Ry、設(shè)置晶閘管SI、連接電阻器Rx、耦合二極管Dl、和發(fā)送晶閘管Tl的截面。在圖6A和圖6B中，給出了重要器件或端子的名稱。在此情況下，在圖6A中，以實(shí)線示出了連接各器件的導(dǎo)線。并且以黑圓點(diǎn)( )示出了安裝在各器件上的夾層絕緣膜上的開放通孔。此外，在圖6B中，省略了夾層絕緣膜和導(dǎo)線的名稱。如圖6B所示，發(fā)光芯片C通過(guò)在化合物半導(dǎo)體(例如，GaAs或GaAlAs)形式的p型襯底80上依次層疊p型第一半導(dǎo)體層81、n型第二半導(dǎo)體層82、p型第三半導(dǎo)體層83、和n型第四半導(dǎo)體層84來(lái)構(gòu)造。此外，通過(guò)依次蝕刻p型第一半導(dǎo)體層81、n型第二半導(dǎo)體層82、p型第三半導(dǎo)體層83、和n型第四半導(dǎo)體層84，將上述器件安裝在彼此分離的多個(gè)島上(第一島301至第十島310以及未標(biāo)記的各個(gè)島)。如圖6A所示，第一島301在平面中呈W形。發(fā)光晶閘管LI安裝在構(gòu)成W字符的左半個(gè)V形的中央部分中，而發(fā)光晶閘管L2安裝在構(gòu)成W字符的右半個(gè)V形的中央部分中。除了設(shè)置晶閘管SI和設(shè)置晶閘管S2的位置彼此不同以外，上述左半個(gè)V形部分和右半個(gè)V形部分是兩側(cè)對(duì)稱的。因此，將只描述左半個(gè)V形部分。連接電阻器Rz安裝在從左半個(gè)V形部分分支出來(lái)的一個(gè)部分中，而設(shè)置晶閘管SI和連接電阻器Rx和Ry安裝在從左半個(gè)V形部分分支出來(lái)的另一部分中。第二島302在平面中呈矩形形狀，并設(shè)置有發(fā)送晶閘管Tl和耦合二極管Dl。第三島303在平面中呈矩形形狀，并設(shè)置有設(shè)置使能晶閘管TEl。第四島304在平面中呈矩形形狀，并設(shè)置有設(shè)置使能晶閘管TE2。第五島305在平面中呈矩形形狀，并設(shè)置有啟動(dòng)二極管Ds。限流電阻器Rl安裝在第六島306上，限流電阻器RWl安裝在第七島307上，限流電阻器RE安裝在第八島308上。限流電阻器Rll安裝在第九島309上，并且限流電阻器R12安裝在第十島310上。這些島都為矩形形狀。此外，在發(fā)光芯片C中，與第一島301和第二島302并行地安裝與其等同的多個(gè)島(未標(biāo)記)。在這些島上，以與第一島301和第二島302相同的方式安裝了發(fā)光晶閘管L2，L3，L4，…、設(shè)置晶閘管S2，S3，S4，…、和發(fā)送晶閘管T2，T3，T4，…。將省略對(duì)其的描述。此外，安裝有和第三島303和第四島304相同的多個(gè)島，并且安裝有熄滅晶閘管TRl和TR2。此外，安裝有和第六島306、第七島307、第九島309、和第十島310相同的多個(gè)島，并且安裝有限流電阻器R2、Rff2, RR1、RR2、R13、R14。此外，如圖6B所示，在襯底80的背面上安裝有作為端子Vsub的背部電極85。
此外，將參照?qǐng)D6A和圖6B詳細(xì)描述第一島301至第十島310。安裝在W形第一島301的左側(cè)的V形的中央部分中的發(fā)光晶閘管LI的陽(yáng)極端子為P型襯底80上的p型第一半導(dǎo)體層81，其陰極為形成在n型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)域111上的n型歐姆電極121，而其柵極端子Gll為形成在通過(guò)移除n型第四半導(dǎo)體層84而露出的P型第三半導(dǎo)體層83上的p型歐姆電極131。此外，光從n型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)域111的除被n型歐姆電極121和點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2覆蓋的部分以外的表面(發(fā)光表面312)發(fā)射。該情況下，P型歐姆電極131與區(qū)域111相鄰安裝，并且延伸到第一島301的V形部分。安裝在第一島301的右側(cè)V形部分中的設(shè)置晶閘管SI的陽(yáng)極端子為p型襯底80上的P型第一半導(dǎo)體層81，其陰極端子是形成在n型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)域112上的n型歐姆電極122，以及其柵極端子Gsl是p型第三半導(dǎo)體層83。在此情況中，柵極端子Gsl未構(gòu)造為獨(dú)立的電極，而是延續(xù)至稍后描述的連接電阻器Rx和連接電阻器Ry的P型第三半導(dǎo)體層83(用作電阻器的層)。以相同的方式，安裝在第一島301上的連接電阻器Rx具有對(duì)應(yīng)于安裝在p型第三半導(dǎo)體層83上的p型歐姆電極132和設(shè)置晶閘管SI之間的p型第三半導(dǎo)體層83的電阻。P型歐姆電極132安裝在第一島301的W形的中央部分中。連接電阻器Ry具有對(duì)應(yīng)于設(shè)置晶閘管SI和p型歐姆電極131 (柵極端子Gll)之間的p型第三半導(dǎo)體層83的電阻。此外，安裝在第一島301上的連接電阻器Rz具有對(duì)應(yīng)于安裝在p型第三半導(dǎo)體層83上的p型歐姆電極131 (柵極端子Gll)和p型歐姆電極133之間的p型第三半導(dǎo)體層83的電阻。P型歐姆電極133安裝在從第一島301的左半個(gè)V形部分分支出來(lái)的左部的前端。安裝在第二島302上的耦合二極管Dl的陰極端子為安裝在n型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)域113上的n型歐姆電極123，其陽(yáng)極端子為安裝在通過(guò)移除n型第四半導(dǎo)體層84而露出的P型第三半導(dǎo)體層83上的p型歐姆電極134 (柵極端子Gtl)。以相同的方式，安裝在第二島302上的發(fā)光晶閘管Tl的陽(yáng)極端子為p型襯底80上的n型第四半導(dǎo)體層84，其陰極端子為形成在n型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)域114上的n型歐姆電極124，以及其柵極端子Gtl為p型歐姆電極134。在這種情況下，與第一島301和第二島302并行安裝的其他各島也是一樣的。安裝在第三島303上的設(shè)置使能晶閘管TEl的陽(yáng)極端子為p型襯底80上的n型第四半導(dǎo)體層84，其陰極端子是形成在n型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)域115上的n型歐姆電極125，以及其柵極端子Gtel為形成在通過(guò)移除n型第四半導(dǎo)體層84而露出的p型第三半導(dǎo)體層83上的p型歐姆電極135。安裝在第四島304上的設(shè)置使能晶閘管TE2的陽(yáng)極端子為p型襯底80上的n型第四半導(dǎo)體層84，其陰極端子是形成在n型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)域116上的n型歐姆電極126，以及其柵極端子Gte2為形成在通過(guò)移除n型第四半導(dǎo)體層84而露出的p型第三半導(dǎo)體層83上的p型歐姆電極136。安裝在第五島305上的啟動(dòng)二極管Ds的陰極端子是安裝在n型第四半導(dǎo)體層84的區(qū)域117上的n型歐姆電極127，其陽(yáng)極端子是形成在通過(guò)移除n型第四半導(dǎo)體層84而露出的P型第三半導(dǎo)體層83上的p型歐姆電極137。安裝在第六島306上的限流電阻器Rl、安裝在第七島307上的限流電阻器RWl、安裝在第八島308上的限流電阻器RE、安裝在第九島309上的限流電阻器R11、以及安裝在第十島310上的限流電阻器R12具有對(duì)應(yīng)于形成在p型第三半導(dǎo)體層83上的一組p型歐姆電極(未標(biāo)記)之間的P型第三半導(dǎo)體層83的電阻。下面參照?qǐng)D6A來(lái)描述各器件之間的連接關(guān)系。作為第一島301的發(fā)光晶閘管LI的陰極端子的n型歐姆電極121連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75-1。點(diǎn)亮信號(hào)線75-1通過(guò)安裝在第九島309上的限流電阻器Rll連接至電源線71。其它奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L3,…與此相同。另一方面，作為安裝在鄰近第一島301的島上的偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L2的陰極 端子的n型歐姆電極(未標(biāo)記)連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75-2。點(diǎn)亮信號(hào)線75-2通過(guò)安裝在第十島310上的限流電阻器R12連接至電源線71。其它偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L4，…與此相同。作為第一島301的設(shè)置晶閘管SI的陰極端子的n型歐姆電極122連接至設(shè)置信號(hào)線74-1。其它奇數(shù)編號(hào)的設(shè)置晶閘管S3，S5，…與此相同。此外，作為第三島303的設(shè)置使能晶閘管TEl的陰極端子的n型歐姆電極125也連接至設(shè)置信號(hào)線74-1。設(shè)置信號(hào)線
74-1通過(guò)安裝在第七島307上的限流電阻器RWl連接至端子小數(shù))。作為以與設(shè)置晶閘管SI相同的方式安裝在第一島301上的設(shè)置晶閘管S2的陰極端子的n型歐姆電極(未標(biāo)記)連接至設(shè)置信號(hào)線74-2。其它偶數(shù)編號(hào)的設(shè)置晶閘管S4，S6，…與此相同。此外，作為第四島304的設(shè)置使能晶閘管TE2的陰極端子的n型歐姆電極126也連接至設(shè)置信號(hào)線74-2。設(shè)置信號(hào)線74-2通過(guò)安裝在島(未示出)上的限流電阻器RW2連接至端子We (未示出)。作為安裝在第三島303上的設(shè)置使能晶閘管TEl的柵極端子Gtel的p型歐姆電極135和作為安裝在第四島304上的設(shè)置使能晶閘管TE2的柵極端子Gte2的p型歐姆電極136連接至使能信號(hào)線76。使能信號(hào)線76通過(guò)安裝在第八島308上的限流電阻器RE連接至端子^E。第一島301的p型歐姆電極132連接至第二島302的p型歐姆電極134(柵極端子Gtl)。第一島301的P型歐姆電極133連接至電源線71。等同于第一島301和第二島302且與第一島301和第二島302并行安裝的各島相同。電源線71連接至端子Vga。第二島302的p型歐姆電極134 (柵極端子Gtl)連接至作為安裝在第五島305上的啟動(dòng)二極管Ds的陰極端子的n型歐姆電極127。作為安裝在第二島302上的發(fā)送晶閘管Tl的陰極端子的n型歐姆電極124連接至第一發(fā)送信號(hào)線72。第一發(fā)送信號(hào)線72通過(guò)安裝在第六島306上的限流電阻器Rl連接至端子小1。與第二島302并列安裝的并且安裝在與第二島302相同的島上的奇數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T3,…與此相同。與第二島302并列安裝的并且安裝在與第二島302相同的島上的偶數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T2，…的陰極端子連接至第二發(fā)送信號(hào)線73。作為安裝在第五島305上的啟動(dòng)二極管Ds的陽(yáng)極端子的p型歐姆電極137也連接至第二發(fā)送信號(hào)線73。此外，第二發(fā)送信號(hào)線73通過(guò)安裝在島(未示出)上的限流電阻器Rl連接至端子0 I (未示出)。安裝在第二島302上的耦合二極管Dl的陰極端子連接至作為安裝在與相鄰的第二島302相同的島上的發(fā)送晶閘管T2的柵極端子Gt2的p型歐姆電極138。甚至安裝在與第二島302并列的并與第二島302相同的島上的耦合二極管D2，…與此相同。此外，盡管省略了描述，但是安裝在與第三島303和第四島304相同的島上的熄滅晶閘管TRl和TR2、甚至安裝在與第六島306、第七島307、第九島309、和第十島310相同的島上的限流電阻器R2、Rff2, RR1、RR2、R13、和R14以相同的方式構(gòu)造。這樣，構(gòu)造了圖5所示的發(fā)光芯片C。接下來(lái)，將描述各晶閘管(發(fā)光晶閘管L、發(fā)送晶閘管T、設(shè)置晶閘管S、設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2、和熄滅晶閘管TRl和TR2)的基本操作。 <晶閘管的基本操作>晶閘管是具有陽(yáng)極端子、陰極端子和柵極端子這三個(gè)端子的半導(dǎo)體器件。下文中，作為圖5和圖6A和圖6B所示的實(shí)例，假設(shè)提供給發(fā)光芯片C的端子Vsub(晶閘管的陽(yáng)極端子)的基準(zhǔn)電位Vsub為高電平電位(下文中描述為"H")的0V，而提供給端子Vga的電源電位Vga為低電平電位(下文中描述為"L")的_3. 3V。此外，如圖6B所示，假設(shè)晶閘管通過(guò)層疊諸如GaAs、GaAlAs等的p型半導(dǎo)體層(第一半導(dǎo)體層81和第三半導(dǎo)體層83)、以及n型半導(dǎo)體層(第二半導(dǎo)體層82和第四半導(dǎo)體層84)構(gòu)造，并且pn結(jié)的擴(kuò)散電位(正向電位)Vd為1.5V。在關(guān)斷狀態(tài)的晶閘管中，流過(guò)陽(yáng)極端子和陰極端子之間的電流低于導(dǎo)通狀態(tài)晶閘管的電流。如果向陰極端子施加小于閾值電壓(絕對(duì)值較大的負(fù)電位)的電位，則關(guān)斷狀態(tài)的晶閘管改變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)(導(dǎo)通)。如果晶閘管導(dǎo)通，則相比于晶閘管的關(guān)斷狀態(tài)，其處于有大電流流過(guò)陽(yáng)極端子和陰極端子之間的狀態(tài)。此處，晶閘管的閾值電壓是通過(guò)從柵極端子的電位減去pn結(jié)的正向電位Vd得到的值。因此，如果晶閘管的柵極端子的電位為-I. 5V，則閾值電壓變?yōu)?3. 0V。即，如果向陰極端子施加低于-3. OV的電位，則晶閘管導(dǎo)通。在此情況中，如果晶閘管的柵極端子的電位為0V，則閾值電壓變?yōu)?I. 5V。導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管的柵極端子具有接近晶閘管的陽(yáng)極端子的電位的電位。此處，由于陽(yáng)極端子被設(shè)置為"H" (OV)，因此將在假設(shè)柵極端子的電位變?yōu)?H" (OV)的情況下進(jìn)行說(shuō)明。此外，導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管的陰極端子具有通過(guò)從陽(yáng)極端子的電位減去pn結(jié)的正向電位Vd得到的電位。即，陰極端子的電位變?yōu)?I. 5V。一旦晶閘管導(dǎo)通，其就保持導(dǎo)通狀態(tài)，直到陰極端子的電位變?yōu)楦哂诒３謱?dǎo)通狀態(tài)所需的電位(保持電位)的電壓(具有小絕對(duì)值的負(fù)電壓、0電位或正電位)。導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管的陰極端子的電位為-I. 5V，并且如果向陰極端子持續(xù)施加低于-I. 5V的電位，并提供可以保持導(dǎo)通狀態(tài)的電流，則晶閘管保持導(dǎo)通狀態(tài)。保持電位為-Vd(-1. 5V)。在這種情況中，如果向陰極端子施加高于-I. 5V的電位，則晶閘管改變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)(關(guān)斷)。例如，如果陰極端子變?yōu)?H" (OV)，則陰極端子與陽(yáng)極端子具有相同的電位，從而晶閘管關(guān)斷。此外，在導(dǎo)通狀態(tài)中，晶閘管保持電流流通狀態(tài)，并且根據(jù)柵極端子的電位，其不改變?yōu)殛P(guān)斷狀態(tài)。也就是說(shuō)，晶閘管具有保持(存儲(chǔ)或保留)導(dǎo)通狀態(tài)的功能。如上所述，施加至陰極端子以保持晶閘管的導(dǎo)通狀態(tài)的電位可以低于施加至陰極端子用于使晶閘管導(dǎo)通的電位。當(dāng)發(fā)光晶閘管L導(dǎo)通時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)，而在其關(guān)斷時(shí)不點(diǎn)亮(不發(fā)光)。導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)光晶閘管L的發(fā)光輸出(發(fā)光量)由流經(jīng)陰極端子和陽(yáng)極端子之間的電流確定。在此情況中，發(fā)送晶閘管T、設(shè)置晶閘管S、設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2、以及熄滅晶閘管TRl和TR2可以導(dǎo)通從而發(fā)光。由于在發(fā)光量大的情況下這些晶閘管對(duì)圖像形成施加了影響，因此通過(guò)光屏蔽抑制了發(fā)光量。(發(fā)光設(shè)備65的操作)如上所述，第一發(fā)送信號(hào)la、第二發(fā)送信號(hào)2a、使能信號(hào)4>Ea、和熄滅信號(hào)小Ra被共同發(fā)送至發(fā)光芯片組#a。因此，發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20并行操作(同時(shí)操作)。此外，第一發(fā)送信號(hào)01b、第二發(fā)送信號(hào)02b、使能信號(hào)0Eb、和熄滅信號(hào) ^Rb被共同發(fā)送至發(fā)光芯片組#b。因此，發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20并行操作(同時(shí)操作)。另一方面，設(shè)置信號(hào)(^Wol至(tWo20和設(shè)置信號(hào)(^Wel至0We2O被共同發(fā)送至發(fā)光芯片集合#1至#20，每個(gè)發(fā)光芯片集合都由屬于發(fā)光芯片組#a的一個(gè)發(fā)光芯片C和屬于發(fā)光芯片組#b的一個(gè)發(fā)光芯片C組成。相應(yīng)地，發(fā)光芯片集合#1至#20并行操作(同時(shí)操作)。如從上述內(nèi)容看到的，如果說(shuō)明了發(fā)光芯片集合#1(發(fā)光芯片Cal和發(fā)光芯片CbD的操作就已足夠了。圖7是示出根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65的發(fā)光芯片C的操作的時(shí)序圖。在圖7中，示出了用于說(shuō)明發(fā)光設(shè)備65中的發(fā)光芯片集合#1 (發(fā)光芯片Cal和發(fā)光芯片Cbl)的操作的時(shí)序圖。具體的，在圖7中，示出了控制各發(fā)光芯片C中的發(fā)光晶閘管LI至L8的8個(gè)發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的部分的時(shí)序圖。下文中，將發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制稱作“點(diǎn)亮控制”。在發(fā)光芯片Cal中，假設(shè)所有的發(fā)光晶閘管LI至L8都點(diǎn)亮。在發(fā)光芯片Cbl中，假設(shè)發(fā)光晶閘管LI至L3以及L5至L8點(diǎn)亮而發(fā)光晶閘管L4不點(diǎn)亮。在圖7中，發(fā)光芯片Cal分為表不奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管LI,L3,L5,…的發(fā)光芯片Cal (奇數(shù))，和表示偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L2，L4，L6，…的發(fā)光芯片Cal (偶數(shù))。發(fā)光芯片Cbl與此相同。如后面所述，在第一示例性實(shí)施例中，偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L和奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L組成了個(gè)發(fā)光器件組，而各發(fā)光器件組的發(fā)光晶閘管L，S卩，一個(gè)奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L和一個(gè)偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L，形成一對(duì)，以對(duì)其執(zhí)行點(diǎn)亮控制。在圖7中，假設(shè)時(shí)間按照字母順序從時(shí)刻a經(jīng)歷到時(shí)刻J。在從時(shí)刻c到時(shí)刻p的周期Ta(I)內(nèi)執(zhí)行發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管LI和L2的點(diǎn)亮控制。在從時(shí)刻P到時(shí)刻u的周期Ta⑵內(nèi)執(zhí)行發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管L3和L4的點(diǎn)亮控制。在從時(shí)刻u到時(shí)刻w的周期Ta(3)內(nèi)執(zhí)行發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管L5和L6的點(diǎn)亮控制。在從時(shí)刻w到時(shí)刻y的周期Ta(4)內(nèi)執(zhí)行發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管L7和L8的點(diǎn)亮控制。下文中，與上述方式相同，對(duì)編號(hào)為大于等于9的發(fā)光晶閘管L執(zhí)行點(diǎn)亮控制。另一方面，在從時(shí)刻i到時(shí)刻r的周期Tb (I)內(nèi)執(zhí)行發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管LI和L2的點(diǎn)亮控制。在從時(shí)刻r到時(shí)刻V的周期Tb (2)內(nèi)執(zhí)行發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管L3和L4的點(diǎn)亮控制。在從時(shí)刻V到時(shí)刻X的周期Tb (3)內(nèi)執(zhí)行發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管L5和L6的點(diǎn)亮控制。在時(shí)刻X以后的周期Ta(4)內(nèi)執(zhí)行發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管L7和L8的點(diǎn)亮控制。下文中，與上述方式相同，對(duì)編號(hào)為大于等于9的發(fā)光晶閘管L執(zhí)行點(diǎn)亮控制。在該示例性實(shí)施例中，周期Ta(I), Ta⑵，Ta (3),…和周期Tb(I), Tb⑵，Tb (3),…具有相同的長(zhǎng)度，并且在不進(jìn)行區(qū)分時(shí)，可以將它們稱作周期T。在該示例性實(shí)施例中，對(duì)發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal至Ca20進(jìn)行控制的周期Ta(I)，Ta(2)，Ta(3)，…、以及對(duì)發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl至Cb20進(jìn)行控制的周期 Tb (I)，Tb (2)，Tb (3)，…彼此偏移半個(gè)周期T (180°相位)。即，周期Tb (I)在周期Ta (I)開始之后經(jīng)過(guò)了半個(gè)周期T之后開始。相應(yīng)地，下面將描述對(duì)發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Cal進(jìn)行控制的周期Ta(I)，Ta⑵，Ta⑶，…。如果各信號(hào)間的相互關(guān)系如后所述得以保持，則可以改變周期T。除了根據(jù)圖像數(shù)據(jù)改變的設(shè)置信號(hào)小Wo ((tWol至小Wo20)和設(shè)置信號(hào)(tWe ((^Wel至小如20)，周期丁&(1)，1&(2)，丁&(3)，…中的信號(hào)波形進(jìn)行重復(fù)。因此在下文中，僅描述從時(shí)刻a到時(shí)刻c的周期Ta(I)。在此情況中，從時(shí)刻a到時(shí)刻c的周期是其中發(fā)光芯片Cal和發(fā)光芯片Cbl開始其操作的周期。該周期中的信號(hào)將在其操作的說(shuō)明中描述。下面描述周期Ta (I)中的第一發(fā)送信號(hào)la、第二發(fā)送信號(hào)2a、使能信號(hào)4>Ea、和熄滅信號(hào)0Ra的信號(hào)波形。在時(shí)刻c處為"L"的第一發(fā)送信號(hào)Ctla在時(shí)刻n處從"L"改變?yōu)?H"，并在時(shí)刻P保持"H"。在時(shí)刻c處為"H"的第二發(fā)送信號(hào)c^2a在時(shí)刻m處從"H"改變?yōu)?L"，并在時(shí)刻P保持"L"。此處，比較第一發(fā)送信號(hào)01a和第二發(fā)送信號(hào)02a，周期Ta(I)中的第一發(fā)送信號(hào)ctla的波形變?yōu)橹芷赥a(2)中的第二發(fā)送信號(hào)c^2a的波形。此外，周期Ta⑴中的第二發(fā)送信號(hào)0 2a的波形變?yōu)橹芷赥a(2)中的第一發(fā)送信號(hào)^la的波形。也就是說(shuō)，第一發(fā)送信號(hào)01a和第二發(fā)送信號(hào)02a是以周期T的兩倍的周期(2T)為單位重復(fù)的信號(hào)波形。此外，這兩個(gè)信號(hào)在諸如從時(shí)刻m到時(shí)刻n的周期(這兩個(gè)信號(hào)都變?yōu)椤癓”的周期)期間交替地重復(fù)"H"和"L"。此外，除了從時(shí)刻a到時(shí)刻b的周期以外，第一發(fā)送信號(hào)01a和第二發(fā)送信號(hào)02a不具有它們同時(shí)變?yōu)?H"的周期。通過(guò)一組第一發(fā)送信號(hào)01a和第二發(fā)送信號(hào)0 2a的發(fā)送信號(hào)，如圖5所示的發(fā)送晶閘管T按如后所述的順序變?yōu)閷?dǎo)通狀態(tài)，從而設(shè)置了作為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的對(duì)象(其點(diǎn)亮受控)的發(fā)光晶閘管L。在時(shí)刻c為"H"的使能信號(hào)(^Ea在時(shí)刻d從"H"改變?yōu)?L"，并且在時(shí)刻h從"L"改變?yōu)?H"。使能信號(hào)(^Ea在時(shí)刻p保持"H"。如后所述，使能信號(hào)CtEa將作為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮的對(duì)象(其點(diǎn)亮受控)的發(fā)光晶閘管L設(shè)置為點(diǎn)亮狀態(tài)。在時(shí)刻c為"H"的熄滅信號(hào)(^Ra在時(shí)刻O從"H"改變?yōu)?L"，并在時(shí)刻p從"L"改變?yōu)?H"。如后所述，熄滅信號(hào)ctRa是使處于點(diǎn)亮(發(fā)光)狀態(tài)的發(fā)光晶閘管L熄滅的信號(hào)。在時(shí)刻c處為"H"的設(shè)置信號(hào)CtWol在時(shí)刻e處從"H"改變?yōu)?L"，并在時(shí)刻f處從"L"改變?yōu)?H"。此外，設(shè)置信號(hào)C^Wol在時(shí)刻k處從"H"改變?yōu)?L"，并在時(shí)刻I處從"L"改變?yōu)?H"。S卩，設(shè)置信號(hào)CtWol在周期Ta⑴中具有兩個(gè)"L"周 期。此處，周期Ta⑴中的設(shè)置信號(hào)CtWel的波形等于設(shè)置信號(hào)ctWol的波形。此外，考慮設(shè)置信號(hào)I和CtWol與使能信號(hào)(^Ea之間的關(guān)系，設(shè)置信號(hào)(^Wel和(^Wol在從時(shí)刻e到時(shí)刻f的周期中為"L"，從時(shí)刻e到時(shí)刻f的周期包括在使能信號(hào)小Ea為"L"的從時(shí)刻d到時(shí)刻h的周期內(nèi)。另一方面，考慮使能信號(hào)4>Eb與設(shè)置信號(hào)Wel和Wol之間的關(guān)系,設(shè)置信號(hào)Wel和(tWol在從時(shí)刻k到時(shí)刻I的周期中為"L"，從時(shí)刻k到時(shí)刻I的周期包括在使能信號(hào)ctEb為"L"的從時(shí)刻j到時(shí)刻0的周期內(nèi)，其中使能信號(hào)(^Eb具有相對(duì)于使能信號(hào)ctEa偏移了 180°的相位。就是說(shuō)，在周期Ta(I)中，其中設(shè)置信號(hào)CtWel和Wol最初為"L"的周期(從時(shí)刻e到時(shí)刻f)對(duì)應(yīng)于使發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管LI和L2點(diǎn)亮(發(fā)光)的信號(hào)，設(shè)置信號(hào)c^Wol后來(lái)變?yōu)?L"的周期(從時(shí)刻k到時(shí)刻I)對(duì)應(yīng)于使發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管LI和L2點(diǎn)亮(發(fā)光)的信號(hào)。由于此，使能信號(hào)ctEa為"L"的周期(從時(shí)刻d到時(shí)刻h)被設(shè)置為不與設(shè)置信號(hào)C^Wel和(tWol變?yōu)?L"的周期(從時(shí)刻k到時(shí)刻I)重疊，以使發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管LI點(diǎn)亮(發(fā)光)。以相同的方式，使能信號(hào)(^Eb為"L"的周期(從時(shí)刻j到時(shí)刻0)被設(shè)置為不與設(shè)置信號(hào)CtWel和CtWol變?yōu)?L"的周期(從時(shí)刻e到時(shí)刻f)重疊，以使發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管LI點(diǎn)亮(發(fā)光)。如后所述，當(dāng)使能信號(hào)純(使能信號(hào)(^Ea和使能信號(hào)c^Eb)為"L"且設(shè)置信號(hào)輕(We和輕0)為"L"時(shí)，發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。現(xiàn)在，參照?qǐng)D4A、圖4B和圖5來(lái)根據(jù)圖7所示的時(shí)序圖描述發(fā)光設(shè)備65中的發(fā)光芯片C的操作。(I)時(shí)刻 a下面將描述在時(shí)刻a開始向發(fā)光設(shè)備65提供基準(zhǔn)電位Vsub和電源電位Vga時(shí)的狀態(tài)(初始狀態(tài))。<發(fā)光設(shè)備65>在圖7所示的時(shí)序圖中時(shí)刻a處，電源線200a被設(shè)置為"H" (OV)的基準(zhǔn)電位Vsub，而電源線200b被設(shè)置為"L" (-3. 3V)的電源電位Vga(見圖4)。相應(yīng)的，所有發(fā)光芯片C(發(fā)光芯片Cal至Ca20以及發(fā)光芯片Cbl至Cb20)的各端子Vsub均被設(shè)置為"H"，而各端子Vga均被設(shè)置為"L" (-3.3V)。在此情況中，連接至端子Vga的電源線71變?yōu)?L"。此外，通過(guò)限流電阻器Rll和R13連接至電源線71的點(diǎn)亮信號(hào)線75-1變?yōu)?L"，并且通過(guò)限流電阻器R12和R14連接至電源線71的點(diǎn)亮信號(hào)線75-2變?yōu)?L"(見 圖5)。此外，信號(hào)產(chǎn)生電路110的發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元120a分別將第一發(fā)送信號(hào)小Ia和第二發(fā)送信號(hào)0 2a設(shè)置為"H"，并且發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元120b分別將第一發(fā)送信號(hào)Ctlb和第二發(fā)送信號(hào)0 2b設(shè)置為"H"。于是，第一發(fā)送信號(hào)線201a和201b和第二發(fā)送信號(hào)線202a和202b變?yōu)?H"(見圖4)。相應(yīng)的，發(fā)光芯片C(發(fā)光芯片Cal至Ca20以及發(fā)光芯片Cbl至Cb20)的端子￠1和$ 2變?yōu)?H"。通過(guò)限流電阻器Rl連接至端子￠1第一發(fā)送信號(hào)線72變?yōu)?H"，并且通過(guò)限流電阻器R2連接至端子0 I第二發(fā)送信號(hào)線73也變?yōu)?H"(見圖5)。此外，信號(hào)產(chǎn)生電路110的使能信號(hào)產(chǎn)生單元130a將使能信號(hào)(^Ea設(shè)置為"H"，并且使能信號(hào)產(chǎn)生單元130b將使能信號(hào)ctEb設(shè)置為"H"。于是，使能信號(hào)線203a和203b變?yōu)?H"(見圖4)。相應(yīng)的，發(fā)光芯片C的端子小E變?yōu)?H"(見圖5)。此外，信號(hào)產(chǎn)生電路110的熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140a將熄滅信號(hào)(^Ra設(shè)置為"H"，并且熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140b將熄滅信號(hào)ctRb設(shè)置為"H"。于是，熄滅信號(hào)線204a和204b變?yōu)?H"(見圖4)。相應(yīng)的，發(fā)光芯片C的端子AR變?yōu)?H"。在此情況中，連接至端子AR的熄滅信號(hào)線77也變?yōu)?H"(見圖5)。信號(hào)產(chǎn)生電路110的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150a分別將設(shè)置信號(hào)(^Wol至(tWo20設(shè)置為"H"，并且設(shè)置信號(hào)線205ol至205o20分別被設(shè)置為"H"。設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150b分別將設(shè)置信號(hào)AWel至(j5We20設(shè)置為"H"。于是，設(shè)置信號(hào)線205el至205e20變?yōu)?H"(見圖4)。相應(yīng)的，發(fā)光芯片C的端子小Wo和小We變?yōu)?H"(見圖5)。發(fā)光芯片C的端子CtWo通過(guò)限流電阻器RWl連接至設(shè)置信號(hào)線74-1。發(fā)光芯片C的端子通過(guò)限流電阻器RW2連接至設(shè)置信號(hào)線74-2。相應(yīng)的，設(shè)置信號(hào)線74_1和
74-2也變?yōu)?H"(見圖5)。接下來(lái)，參照?qǐng)D5，將根據(jù)圖7所示的時(shí)序圖利用屬于發(fā)光芯片集合#1的發(fā)光芯片Cal和Cbl描述發(fā)光芯片C的操作。在圖7中以及在下面的說(shuō)明中，假設(shè)各端子的電位以步進(jìn)的方式改變。然而，各端子的電位是逐漸改變的。因此，如果在電位改變時(shí)滿足下列的條件，則晶閘管改變其導(dǎo)通和關(guān)斷狀態(tài)。<發(fā)光芯片Cal>由于發(fā)光晶閘管L、設(shè)置晶閘管S、設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2、和熄滅晶閘管TRl和TR2的陽(yáng)極端子都連接至端子Vsub，因此它們分別被設(shè)置為"H"。另一方面，奇數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T1，T3，T5，…的各陰極端子連接至第一發(fā)送信號(hào)線72，從而被分別設(shè)置為"H"。偶數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T2，T4，T6，…的各陰極端子連接至第二發(fā)送信號(hào)線73，從而被分別設(shè)置為"H"。因此，發(fā)送晶閘管T的所有陽(yáng)極端子和陰極端子都變?yōu)?H"，從而發(fā)送晶閘管T處于關(guān)斷狀態(tài)。以相同的方式，奇數(shù)編號(hào)的設(shè)置晶閘管SI, S3, S5,…和設(shè)置使能晶閘管TEl的各陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線74-1，從而被分別設(shè)置為"H"。偶數(shù)編號(hào)的設(shè)置晶閘管S2，S4, S6，…和設(shè)置使能晶閘管TE2的各陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線74-2，從而被分別設(shè)置為"H"。由于設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2均為"H"，因此，設(shè)置晶閘管S和設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的陽(yáng)極端子和陰極端子都為"H"，從而它們處于關(guān)斷狀態(tài)。此外，奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管LI, L3, L5,…和熄滅晶閘管TR2的柵極端子Gtr2均連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75-1，從而分別被設(shè)置為"L" (-3.3V)。偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L2，L4，L6，…和熄滅晶閘管TRl的柵極端子Gtrl均連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75_2，從而分別被設(shè)置為"L" (-3. 3V).因此，發(fā)光晶閘管L的所有陽(yáng)極端子和陰極端子都變?yōu)?L" (-3.3V)。所有的熄滅晶閘管TRl和TR2都具有-4. 8V的閾值電壓。設(shè)置使能晶閘管TEl的柵極端子Gtel和設(shè)置使能晶閘管TE2的柵極端子Gte2連接至使能信號(hào)線76，并被設(shè)置為"H" (0V)。因此，所有的設(shè)置使能晶閘管TEl和設(shè)置使能晶閘管TE2具有-I. 5V的閾值電壓。熄滅晶閘管TRl的陰極端子通過(guò)限流電阻器RRl連接至熄滅信號(hào)線77，而熄滅晶 閘管TR2的陰極端子通過(guò)限流電阻器RR2連接至熄滅信號(hào)線77。熄滅信號(hào)線77被設(shè)置為"H"。因此，熄滅晶閘管TRl和熄滅晶閘管TR2的陽(yáng)極端子和陰極端子都為"H"，從而處于關(guān)斷狀態(tài)。發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt通過(guò)連接電阻器Rx連接至設(shè)置晶閘管S的柵極端子Gs0設(shè)置晶閘管S的柵極端子Gs通過(guò)連接電阻器Ry連接至發(fā)光晶閘管L的柵極端子G1。此外，發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl通過(guò)連接電阻器Rz連接至"L" (-3. 3V)的電源線71。也就是說(shuō)，柵極端子Gt的電位和電源線71上的"L" (-3. 3V)的電位被連接電阻器Rx、RyJP Rz進(jìn)行分壓，從而將柵極端子Gs和柵極端子Gl設(shè)置為分壓得到的電位。在此情況中，相對(duì)于一個(gè)發(fā)送晶閘管T，連接了兩對(duì)的設(shè)置晶閘管S和發(fā)光晶閘管L0此處，假設(shè)連接電阻器Rx的電阻值Rx為2k Q，連接電阻器Ry的電阻值Ry為16k Q，而且連接電阻器Rz的電阻值Rz為6k Q。在此情況中，如后所述，如果設(shè)置晶閘管S處于導(dǎo)通狀態(tài)，則通過(guò)調(diào)制將連接電阻器Ry的電阻值Ry降低為約0. SkQ。如果利用這些電阻值可以實(shí)現(xiàn)稍后描述的操作，則這就足夠了，并且電阻值可以不同于上述的電阻值。啟動(dòng)二極管Ds的陽(yáng)極端子連接至為"H"(OV)的第二發(fā)送信號(hào)線73。啟動(dòng)二極管Ds的陰極端子通過(guò)連接電阻器Rx、Ry、和Rz連接至為"L" (_3. 3V)的電源線71。因此，啟動(dòng)二極管Ds正向偏置(正偏)。相應(yīng)的，啟動(dòng)二極管Ds的陰極端子(柵極端子Gtl)的電位變?yōu)橥ㄟ^(guò)從陽(yáng)極端子的"H" (OV)減去pn結(jié)的正向電位Vd(l. 5V)得到的-I. 5V,并且發(fā)送晶閘管Tl的閾值電壓變?yōu)?3V。因此，柵極端子Gsl和Gs2的電位變?yōu)開1. 65V。因此，設(shè)置晶閘管SI和S2的閾值電壓變?yōu)?3. 15V。此時(shí)，柵極端子Gll和G12的電位變?yōu)?2. 85V。相應(yīng)的，發(fā)光晶閘管LI和L2的閾值電壓變?yōu)?4. 35V。此時(shí)，如上所述，點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2為低于發(fā)光晶閘管LI和L2的閾值電壓的"L" (-3. 3V)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2不導(dǎo)通。以相同的方式，耦合二極管Dl正偏，從而耦合二極管Dl的陰極端子(柵極端子Gt2)的電位變?yōu)?3V。因此，柵極端子Gs3和Gs4的電位變?yōu)開3. 02V，從而設(shè)置晶閘管S3和S4的閾值電壓變?yōu)?4. 52V。另一方面，柵極端子G13和G14的電位變?yōu)?3. 23V。相應(yīng)的，發(fā)光晶閘管L3和L4的閾值電壓變?yōu)?4. 73V。由于啟動(dòng)二極管Ds的陰極端子不受"H" (OV)的影響，因此發(fā)送晶閘管T(其編號(hào)大于等于3)的柵極端子Gt的電位變?yōu)?L" (-3.3V)。因此，發(fā)送晶閘管T(其編號(hào)大于等于3)的閾值電壓變?yōu)?4. 8V。因此，發(fā)送晶閘管T (其編號(hào)大于等于5)的閾值電壓、以及發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl的電位變?yōu)?3. 3V。因此，設(shè)置晶閘管T(其編號(hào)大于等于5)以及發(fā)光晶閘管L的閾值電壓變?yōu)?4. 8V。<發(fā)光芯片Cbl> 即使在發(fā)光芯片Cbl中，初始狀態(tài)也與發(fā)光芯片Cal的相同，因此省略其描述。(2)時(shí)刻 b在圖7所示的時(shí)刻b，被發(fā)送至發(fā)光芯片組#&的第一發(fā)送信號(hào)Ala從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3. 3V)。因此，發(fā)光設(shè)備65進(jìn)入操作狀態(tài)。<發(fā)光芯片Cal>具有-3V閾值電壓的發(fā)送晶閘管Tl導(dǎo)通。然而，由于具有發(fā)送晶閘管T3之后的較大編號(hào)的奇數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T具有-4. 8V的閾值電壓，因此其不導(dǎo)通。如果發(fā)送晶閘管Tl導(dǎo)通，則柵極端子Gtl的電位變?yōu)殛?yáng)極端子的"H" (0V)。于是，柵極端子Gt2的電位由于正偏的耦合二極管Dl而變?yōu)?I. 5V。因此，發(fā)送晶閘管T2的閾值電壓變?yōu)?3V。通過(guò)耦合二極管D2連接至發(fā)送晶閘管T2的柵極端子Gt2的柵極端子Gt3的電位變?yōu)?3V。相應(yīng)的，發(fā)送晶閘管T3的閾值電壓變?yōu)?4. 5V。發(fā)送晶閘管T(其編號(hào)大于等于4)保持-4. 8V的閾值電壓。此外，發(fā)送晶閘管Tl的陰極端子(圖5中的第一發(fā)送信號(hào)線72)的電位變?yōu)橥ㄟ^(guò)從發(fā)送晶閘管Tl的陽(yáng)極端子的"H" (OV)減去pn結(jié)的正向電位Vd(1.5V)得到的-1.5V。另一方面，如果發(fā)送晶閘管Tl導(dǎo)通且柵極端子Gtl的電位變?yōu)?H" (0V)，則柵極端子Gsl和Gs2的電位變?yōu)?0. 27V，從而設(shè)置晶閘管SI和S2的閾值電壓變?yōu)?I. 77V。此外，柵極端子Gll和G12的電位變?yōu)?2. 48V，從而發(fā)光晶閘管LI和L2的閾值電壓變?yōu)?3.98V。在此情況中，盡管點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2變?yōu)?L" (_3. 3V)，但是該電位低于閾值電壓，從而發(fā)光晶閘管LI和L2不導(dǎo)通。此外，如果柵極端子Gt2的電位變?yōu)?I. 5V，則柵極端子Gs3和Gs4的電位變?yōu)?I. 65V，從而設(shè)置晶閘管S3和S4的閾值電壓變?yōu)?3. 15V。此外，柵極端子G13和G14的電位變?yōu)?2. 85V，從而發(fā)光晶閘管L3和L4的閾值電壓變?yōu)開4. 35V。此外，如果柵極端子Gt3的電位變?yōu)?3V，則柵極端子Gs5和Gs6的電位變?yōu)?3. 02V，從而設(shè)置晶閘管S5和S6的閾值電壓變?yōu)?4. 52V。此外，柵極端子G15和G16的電位變?yōu)?3. 23V，從而發(fā)光晶閘管L3和L4的閾值電壓變?yōu)開4. 73V。如上所述，如果柵極端子Gt的電位改變，則柵極端子Gs和Gl的電位改變，從而設(shè)置晶閘管S和發(fā)光晶閘管L的閾值電壓改變。下文中，只描述與導(dǎo)通或關(guān)斷有關(guān)的晶閘管。也就是說(shuō)，在時(shí)刻b，只有發(fā)送晶閘管Tl導(dǎo)通。恰在時(shí)刻b (此處，晶閘管在由于信號(hào)電位在時(shí)刻b的改變導(dǎo)致晶閘管改變之后而返回正常狀態(tài)時(shí))之后，晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)。其他的發(fā)送晶閘管T、設(shè)置晶閘管S、發(fā)光晶閘管L、設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2、和熄滅晶閘管TRl和TR2處于關(guān)斷狀態(tài)。下文中，只描述處于導(dǎo)通狀態(tài)的晶閘管(發(fā)送晶閘管T、設(shè)置晶閘管S、發(fā)光晶閘管L、設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2、和熄滅晶閘管TRl和TR2)?！窗l(fā)光芯片Cbl>由于發(fā)送至屬于發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光芯片組#b的信號(hào)未改變，因此發(fā)光芯片Cbl保持其初始狀態(tài)。⑶時(shí)刻c時(shí)刻c是周期Ta(I)的開始時(shí)刻。因此發(fā)生了信號(hào)改變。
⑷時(shí)刻d在時(shí)刻d，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的使能信號(hào)(^Ea從"H " (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。<發(fā)光芯片Cal>使能信號(hào)線76通過(guò)限流電阻器RE變?yōu)?L" (_3. 3V)。于是，連接至使能信號(hào)線76的柵極端子Gtel和Gte2的電位變?yōu)?L" (-3. 3V)。于是，設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的閾值電壓從-I. 5V改變?yōu)?4. 8V。恰在時(shí)刻d后，發(fā)送晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)。<發(fā)光芯片Cbl>由于發(fā)送至屬于發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光芯片組#b的信號(hào)未改變，因此發(fā)光芯片Cbl保持其初始狀態(tài)。(5)時(shí)刻 e在時(shí)刻e，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a和發(fā)光芯片集合#1 (發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl屬于的發(fā)光芯片集合)的發(fā)光芯片Cal的設(shè)置信號(hào)(tWol和C^Wel從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。<發(fā)光芯片Cal>設(shè)置信號(hào)線74-1的電位通過(guò)限流電阻器RWl變?yōu)?L" (_3. 3V)。在此時(shí)刻，由于設(shè)置晶閘管SI和S2 (其陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線74-1)的閾值電壓被設(shè)置-I. 77V，因此設(shè)置晶閘管SI和S2導(dǎo)通。于是，柵極端子Gsl和Gs2的電位變?yōu)?V。相應(yīng)的，柵極端子Gll和G12的電位變?yōu)橐粋€(gè)值，該值是利用通過(guò)連接電阻器Ry和連接電阻器Rz對(duì)柵極端子Gsl和Gs2的電位(OV)和電源線71的電位(Vga(" L" (-3. 3V)))之間的差電位進(jìn)行分壓而得到的。在此時(shí)亥IJ，由于設(shè)置晶閘管S處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此連接電阻器Ry的電阻變?yōu)榧s0. 8k Q。因此，柵極端子Gll和G12的電位變?yōu)?0. 39V。因此，發(fā)光晶閘管LI和L2的閾值電壓變?yōu)?I. 89V。由于連接至發(fā)光晶閘管LI的陰極端子的點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和連接至發(fā)光晶閘管L2的陰極端子的點(diǎn)亮信號(hào)線75-2分別具有電源電位Vga(" L" (_3. 3V))，因此發(fā)光晶閘管LI和L2導(dǎo)通(在圖7中，Cal (奇數(shù))和Cal (偶數(shù)))。因此，點(diǎn)亮信號(hào)線75_1和75_2的電位變?yōu)橥ㄟ^(guò)從發(fā)光晶閘管LI和L2的陽(yáng)極端子的電位減去pn結(jié)的正向電位Vd得到的-I. 5V。
因此，熄滅晶閘管TRl和TR2的柵極端子Gtrl和Gtr2的電位變?yōu)?I. 5V，從而熄滅晶閘管TRl和TR2的閾值電壓變?yōu)?3V。此時(shí)，設(shè)置信號(hào)(^Wol和設(shè)置信號(hào)(^Wel在時(shí)刻e同時(shí)從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。設(shè)置信號(hào)CtWol和設(shè)置信號(hào)CtWel從"H"到"L"的改變可以不同時(shí)執(zhí)行。即使設(shè)置信號(hào)CtWol先于設(shè)置信號(hào)CtWel從"H"改變?yōu)?L"，從而點(diǎn)亮信號(hào)線75-1的電位變?yōu)?I. 5V，但是點(diǎn)亮信號(hào)線75-1通過(guò)限流電阻器Rll和R12連接至電源線71，從而點(diǎn)亮信號(hào)線75-1的電位通過(guò)限流電阻器Rll和R12連接至電源線71，并且因此點(diǎn)亮信號(hào)線75-2的電位保持電源電位Vga (" L" (_3. 3V))。相應(yīng)的，即使設(shè)置信號(hào)$ Wel在設(shè)置信號(hào)AWol之后從"H"改變?yōu)?L"，但是發(fā)光晶閘管L2也導(dǎo)通。從而，點(diǎn)亮信號(hào)線
75-2的電位變?yōu)?I. 5V。因此，恰在時(shí)刻e后,發(fā)光晶閘管LI和L2在發(fā)送晶閘管Tl和設(shè)直晶閘管SI和S2導(dǎo)通的狀態(tài)下而導(dǎo)通。即，在發(fā)光芯片Cal中，兩個(gè)發(fā)光晶閘管LI和L2同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)。
〈發(fā)光芯片Cbl>由于設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的閾值電壓為-I. 5V，因此設(shè)置信號(hào)小Wol從"H"改變?yōu)?L"，并且如果設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的電位從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3. 3V)，則設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2導(dǎo)通。此外，設(shè)置信號(hào)線74_1和74_2的電位變?yōu)?I. 5V。(6)時(shí)刻 f在時(shí)刻f，發(fā)送至發(fā)光芯片組#8和發(fā)光芯片集合#1(發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl屬于發(fā)光芯片集合#1)的發(fā)光芯片Cal的設(shè)置信號(hào)Wol和設(shè)置信號(hào)
從"L" (-3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)。<發(fā)光芯片Cal>設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的電位變?yōu)?H"，而設(shè)置晶閘管SI和S2的全部陰極端子和陽(yáng)極端子都變?yōu)?H"，從而使設(shè)置晶閘管SI和S2關(guān)斷。然而，導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)光晶閘管LI和L2保持導(dǎo)通狀態(tài)，從而柵極端子Gll和G12的電位變?yōu)?V。此外，由于發(fā)送晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此柵極端子Gtl的電位變?yōu)?V。因此，分別通過(guò)連接電阻器Rx和連接電阻器Ry連接至柵極端子Gtl和柵極端子Gll和G12的柵極端子Gsl和Gs2的電位也變?yōu)?V，從而設(shè)置晶閘管SI和S2的閾值電壓變?yōu)?I. 5V。恰在時(shí)刻f后，發(fā)送晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2點(diǎn)亮(發(fā)光)。<發(fā)光芯片Cbl>設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的電位變?yōu)?H"，從而設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的陰極端子和陽(yáng)極端子全部變?yōu)?H"，從而使設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2關(guān)斷。(7)時(shí)刻 g在時(shí)刻g，發(fā)送至發(fā)光芯片組此的第一發(fā)送信號(hào)(^lb從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。<發(fā)光芯片Cal>由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cal所屬的發(fā)光芯片組#a的信號(hào)未改變，因此保持時(shí)刻f 之后的狀態(tài)。
<發(fā)光芯片Cbl>發(fā)光芯片Cbl的操作與發(fā)光芯片Cal在時(shí)刻b的操作相同。S卩，發(fā)送晶閘管Tl導(dǎo)通。因此，設(shè)置晶閘管SI和S2的閾值電壓變?yōu)?I. 77V。此外，第一發(fā)送信號(hào)線72的電位變?yōu)?1.5V。S卩，發(fā)光芯片Cbl在改變時(shí)刻(相位改變180°的狀態(tài))以與發(fā)光芯片Cal相同的方式操作。(8)時(shí)刻 h 在時(shí)刻h，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的使能信號(hào)(^Ea從"L " (-3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)。<發(fā)光芯片Cal>使能信號(hào)線76的電位變?yōu)?V，從而設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的柵極端子Gtel和Gte2的電位變?yōu)?V。因此，設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的閾值電壓變?yōu)?I. 5V。恰在時(shí)刻h后，發(fā)送晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2點(diǎn)亮(發(fā)光)?！窗l(fā)光芯片Cbl>由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cbl所屬的發(fā)光芯片組#b的信號(hào)未改變，因此保持了時(shí)刻g之后的狀態(tài)。(9)時(shí)刻 i在時(shí)刻i，開始周期Tb(I)。沒(méi)有發(fā)生信號(hào)改變。(10)時(shí)刻 j在時(shí)刻j，發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的使能信號(hào)(^Eb從"H " (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)?！窗l(fā)光芯片Cal>由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cal所屬的發(fā)光芯片組#a的信號(hào)未改變，因此保持了時(shí)刻h之后的狀態(tài)?！窗l(fā)光芯片Cbl>由于發(fā)光芯片Cbl的操作與發(fā)光芯片Cal在時(shí)刻d的操作相同，因此將省略其詳細(xì)描述。恰在時(shí)刻j后，發(fā)送晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)。(11)時(shí)刻 k在時(shí)刻k，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a和發(fā)光芯片集合#1 (發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl屬于發(fā)光芯片集合#1)的發(fā)光芯片Cal的設(shè)置信號(hào)(^Wol和C^Wel從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。<發(fā)光芯片Cal>設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的電位通過(guò)限流電阻器RWl和RW2從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3. 3V)。于是，由于閾值電壓在時(shí)刻h變?yōu)?I. 5V，因此其陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2導(dǎo)通。在此情況中，如上所述，由于發(fā)光晶閘管LI和L2處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此設(shè)置晶閘管SI和S2的閾值電壓變?yōu)?I. 5V。相應(yīng)的，設(shè)置晶閘管SI可以代替設(shè)置使能晶閘管TEl導(dǎo)通。以相同的方式，設(shè)置晶閘管S2可以代替使能晶閘管TE2導(dǎo)通。由于發(fā)光晶閘管LI處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此設(shè)置晶閘管SI導(dǎo)通也沒(méi)有關(guān)系。以相同的方式，由于發(fā)光晶閘管L2處于導(dǎo)通狀態(tài)，因此設(shè)置晶閘管S2導(dǎo)通也沒(méi)有關(guān)系。恰在時(shí)刻k后，發(fā)送晶閘管Tl、設(shè)置使能晶閘管TEl (和/或設(shè)置晶閘管SI)、和設(shè)置使能晶閘管TE2(和/或設(shè)置晶閘管S2)處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2點(diǎn)亮(發(fā)光)。<發(fā)光芯片Cbl>以與時(shí)刻e的發(fā)光芯片Cal相同的方式，設(shè)置晶閘管SI和S2導(dǎo)通，于是發(fā)光晶閘管LI和L2點(diǎn)亮(發(fā)光)(圖7中的Cbl (奇數(shù))、Cbl (偶數(shù)))。
恰在時(shí)刻k后，發(fā)送晶閘管Tl、設(shè)置晶閘管SI和S2處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2點(diǎn)亮(發(fā)光)。即，在發(fā)光芯片Cbl中，兩個(gè)發(fā)光晶閘管LI和L2同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)。(12)時(shí)刻 I在時(shí)刻1，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a和發(fā)光芯片集合#1 (發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cbl屬于發(fā)光芯片集合#1)的發(fā)光芯片Cal的設(shè)置信號(hào)C^Wel從"L" (-3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)。<發(fā)光芯片Cal>由于設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的電位變?yōu)?H"，從而導(dǎo)通狀態(tài)的設(shè)置使能晶閘管TEl (和/或設(shè)置晶閘管SI)、和設(shè)置使能晶閘管TE2(和/或設(shè)置晶閘管S2)都變?yōu)?H"，使得它們關(guān)斷。然而，導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)光晶閘管LI和L2保持導(dǎo)通狀態(tài)。此外，設(shè)置晶閘管SI和S2的閾值電壓變?yōu)?I. 5V。恰在時(shí)刻I之后，發(fā)送晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài),從而發(fā)光晶閘管LI和L2同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)。<發(fā)光芯片Cbl>以與發(fā)光芯片Cal在時(shí)刻f的操作相同的方式，設(shè)置信號(hào)線74-1和74_2的電位從"L"改變?yōu)?H"，從而設(shè)置晶閘管SI和S2關(guān)斷。恰在時(shí)刻I后，發(fā)送晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)。(13)時(shí)刻 m在時(shí)刻m，發(fā)送至發(fā)光芯片組#&的第二發(fā)送信號(hào)02a從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。<發(fā)光芯片Cal>閾值電壓為-3V的發(fā)送晶閘管T2導(dǎo)通。然而，編號(hào)大于等于4的偶數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T由于閾值電壓為-4. 8V而不能導(dǎo)通。如果發(fā)送晶閘管T2導(dǎo)通，則柵極端子Gt2變?yōu)?H" (OV)。于是，通過(guò)耦合二極管D2連接至發(fā)送晶閘管T2的柵極端子Gt2的柵極端子Gt3的電位變?yōu)?I. 5V。相應(yīng)的，發(fā)送晶閘管T3的閾值電壓變?yōu)?3V。于是，第二發(fā)送信號(hào)線73變?yōu)?I. 5V。
另一方面，如果發(fā)送晶閘管T2導(dǎo)通，從而柵極端子Gt2變?yōu)?H" (OV)，則柵極端子Gs3和Gs4的電位變?yōu)?0. 27V，從而設(shè)置晶閘管S3和S4的閾值電壓變?yōu)?I. 77V。于是，柵極端子G13和G14的電位變?yōu)?2. 48V，從而發(fā)光晶閘管L3和L4的閾值電壓變?yōu)開3. 98V。恰在時(shí)刻m之后，發(fā)送晶閘管Tl和發(fā)送晶閘管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)。<發(fā)光芯片Cbl>由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cbl所屬的發(fā)光芯片組#b的信號(hào)未改變，因此保持了時(shí)刻I之后的狀態(tài)。(14)時(shí)刻 n
在時(shí)刻n，發(fā)送至發(fā)光芯片組#&的第一發(fā)送信號(hào)(^la從"L" (_3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)。<發(fā)光芯片Cal>由于陰極端子和陽(yáng)極端子都變?yōu)?H"，因此導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)送晶閘管Tl關(guān)斷。此時(shí)，發(fā)光晶閘管LI和L2處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而柵極端子Gll的電位保持0V。相應(yīng)的，發(fā)送晶閘管Tl的閾值電壓保持-I. 5V。恰在時(shí)刻n后,發(fā)送晶閘管T2處于導(dǎo)通狀態(tài),從而發(fā)光晶閘管LI和L2同時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)。<發(fā)光芯片Cbl>由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cbl所屬的發(fā)光芯片組#b的信號(hào)未改變，因此保持了時(shí)刻I之后的狀態(tài)。(15)時(shí)刻 O在時(shí)刻O，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的熄滅信號(hào)(tRa從"H " (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。此外，發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的使能信號(hào)(tEb從"L" (-3.3V)改變?yōu)?H" (OV)?！窗l(fā)光芯片Cal>如果熄滅信號(hào)小Ra從"H " (OV)改變?yōu)?L " (_3. 3V)，則熄滅信號(hào)線77變?yōu)?L" (-3.3V)。于是，其閾值在時(shí)刻e變?yōu)?3V的熄滅晶閘管TRl和TR2都導(dǎo)通。此時(shí)，即使熄滅晶閘管TRl和TR2中的任意一個(gè)首先導(dǎo)通，并且陰極端子變?yōu)?I. 5V，則端子ctR的電位通過(guò)限流電阻器RRl和RR2而保持"L" (-3. 3V)。因此，熄滅晶閘管TRl和TR2都導(dǎo)通。于是，熄滅晶閘管TRl和TR2的柵極端子Gtrl和Gtr2的電位變?yōu)?V，從而點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2的電位變?yōu)?H" (OV)。因此，發(fā)光晶閘管LI和L2的陽(yáng)極端子和陰極端子的電位全部變?yōu)?H" (OV)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2關(guān)斷。因此，發(fā)光晶閘管LI的柵極端子Gtl和發(fā)光晶閘管L2的柵極端子Gt2不能保持"H" (OV)。由于發(fā)送晶閘管Tl、設(shè)置晶閘管SI、和設(shè)置晶閘管S2處于關(guān)斷狀態(tài)，因此柵極端子GlI、Gl2、Gsl、Gs2、和GtI變?yōu)殡娫措娢籚ga(" L" (-3. 3V))。相應(yīng)的，發(fā)光晶閘管LI和L2、設(shè)置晶閘管SI和S2、以及發(fā)送晶閘管Tl各自的閾值電壓變?yōu)?4. 8V。SP，發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管LI在設(shè)置信號(hào)于時(shí)刻e從"H"改變?yōu)?L"時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)，并且在熄滅信號(hào)(^Ra于時(shí)刻0從"L"改變?yōu)?H"時(shí)熄滅(不發(fā)光)。從時(shí)刻e到時(shí)刻O的期間對(duì)應(yīng)于發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管LI的點(diǎn)亮(發(fā)光)周期。此外，發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管L2在設(shè)置信號(hào)4>Wel于時(shí)刻e從"H"改變?yōu)?L"時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)，并且在熄滅信號(hào)(^Ra于時(shí)刻O從"L"改變?yōu)?H"時(shí)熄滅(不發(fā)光)。從時(shí)刻e到時(shí)刻O的期間對(duì)應(yīng)于發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管LI的點(diǎn)亮(發(fā)光)周期。恰在時(shí)刻O之后，發(fā)送晶閘管T2和熄滅晶閘管TRl和TR2處于導(dǎo)通狀態(tài)。<發(fā)光芯片Cbl>如果發(fā)送至發(fā)光芯片組此的使能信號(hào)(^Eb從"L" (-3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)，則以與發(fā)光芯片Cal中的時(shí)刻h相同的方式，使能信號(hào)線76的電位變?yōu)?V，從而設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的柵極端子Gtel和Gte2的電位變?yōu)?V。此外，設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的閾值電壓變?yōu)?I. 5V。
恰在時(shí)刻O之后，發(fā)送晶閘管Tl處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管LI和L2點(diǎn)亮(發(fā)光)。在此情況中，在該示例性實(shí)施例中，在時(shí)刻O，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的熄滅信號(hào)(tRa從"L"改變?yōu)?H"，并且發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的使能信號(hào)(^Eb從"L"改變?yōu)?H"。然而，無(wú)需同時(shí)執(zhí)行上述改變，而是可以首先執(zhí)行其中任意一個(gè)。(16)時(shí)刻 p在時(shí)刻p，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的熄滅信號(hào)(tRa從"L" (_3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)。<發(fā)光芯片Cal>由于熄滅晶閘管TRl和TR2的陽(yáng)極端子和陰極端子的電位全都變?yōu)?H" (OV)，因此熄滅晶閘管TRl和TR2關(guān)斷。于是，柵極端子Gtrl和Gtr2的電位不變?yōu)?V，并且點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2的電位變?yōu)殡娫措娢籚ga(" L" (-3.3V))。從時(shí)刻p起，進(jìn)入了發(fā)光晶閘管L2的點(diǎn)亮控制周期Ta(2)。由于第一發(fā)送信號(hào)01a和第二發(fā)送信號(hào)02a在包括周期Ta(I)和Ta(2)的周期內(nèi)改變，因此它們的信號(hào)波形彼此不同，但是發(fā)光芯片Cal的操作變?yōu)閷?duì)從時(shí)刻c到時(shí)刻p的周期Ta⑴的重復(fù)。因此，在周期Ta⑵中，除了第一發(fā)送信號(hào)小la、第二發(fā)送信號(hào)c^2a、和與這些信號(hào)相關(guān)的發(fā)送晶閘管T的說(shuō)明以外，將省略發(fā)光芯片Cal的操作的說(shuō)明。在時(shí)刻P，發(fā)送晶閘管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)。<發(fā)光芯片Cbl>由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cbl所屬的發(fā)光芯片組#b的信號(hào)未改變，因此保持了時(shí)刻O之后的狀態(tài)。(17)時(shí)刻 q在時(shí)刻q，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的使能信號(hào)(^Ea從"L " (_3. 3V)改變?yōu)?H" (0V)。此外，發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的熄滅信號(hào)(tRb從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。<發(fā)光芯片Cal>
由于操作與時(shí)刻h的操作相同，因此省略其描述。恰在時(shí)刻q之后，發(fā)送晶閘管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管L3和L4點(diǎn)亮(發(fā)光)。<發(fā)光芯片Cbl>以與發(fā)光 芯片Cal在時(shí)刻O的操作相同的方式,如果熄滅信號(hào)4)Rb從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)，則導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)光晶閘管LI和L2的陰極端子和陽(yáng)極端子全都變?yōu)?H"，從而發(fā)光晶閘管LI和L2關(guān)斷。S卩，發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管LI在設(shè)置信號(hào)(tWol在時(shí)刻k從"H"改變?yōu)?L"時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)，并且在熄滅信號(hào)(^Rb于時(shí)刻q從"L"改變?yōu)?H"時(shí)熄滅(不發(fā)光)。從時(shí)刻k至?xí)r刻q的期間對(duì)應(yīng)于發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管LI的點(diǎn)亮(發(fā)光)周期。發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管L2在設(shè)置信號(hào)CtWel在時(shí)刻k從"H"改變?yōu)?L"時(shí)點(diǎn)亮(發(fā)光)，并且在熄滅信號(hào)$ Rb于時(shí)刻q從"L"改變?yōu)?H"時(shí)熄滅(不發(fā)光)。從時(shí)刻k至?xí)r刻q的期間對(duì)應(yīng)于發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管L2的點(diǎn)亮(發(fā)光)周期。恰在時(shí)刻q之后，發(fā)送晶閘管T2和熄滅晶閘管TRl和TR2處于導(dǎo)通狀態(tài)。(18)時(shí)刻 r在時(shí)刻r，發(fā)送至發(fā)光芯片組#b的熄滅信號(hào)(tRb從"L" (_3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)。<發(fā)光芯片Cal>由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cal所屬的發(fā)光芯片組#a的信號(hào)未改變，因此保持了時(shí)刻q之后的狀態(tài)。<發(fā)光芯片Cbl>以與發(fā)光芯片Cal在時(shí)刻p的操作相同的方式，導(dǎo)通狀態(tài)的熄滅晶閘管TRl和TR2關(guān)斷。此外，點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2的電位變?yōu)殡娫措娢籚ga(" L" (-3. 3V))。由于任意發(fā)光晶閘管L的閾值電壓都低于-3. 3V，因此發(fā)光晶閘管L不導(dǎo)通。恰在時(shí)刻r之后，發(fā)送晶閘管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)。在時(shí)刻r，用于控制發(fā)光芯片組#b的發(fā)光晶閘管LI的周期Tb⑴結(jié)束。(19)時(shí)亥Ij s在時(shí)刻S，發(fā)送至發(fā)光芯片Cal所屬的發(fā)光芯片組#&的第一發(fā)送信號(hào)(Ma從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3.3V)。<發(fā)光芯片Cal>閾值電壓為-3V的發(fā)光晶閘管T3導(dǎo)通。因此，柵極端子Gt3變?yōu)?H" (OV)。此夕卜，柵極端子Gt4的電位變?yōu)?I. 5V，并且發(fā)送晶閘管T4的閾值電壓變?yōu)?3V。恰在時(shí)刻s之后，發(fā)送晶閘管T2和T3處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管L3和L4點(diǎn)亮(發(fā)光)。<發(fā)光芯片Cbl>由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cbl所屬的發(fā)光芯片組#b的信號(hào)未改變，因此未發(fā)生狀態(tài)改變。恰在時(shí)刻s之后，發(fā)送晶閘管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管L3點(diǎn)亮(發(fā)光)。在此情況中，發(fā)光晶閘管L4保持關(guān)斷狀態(tài)。這將在稍后描述。(20)時(shí)刻 t在時(shí)刻t，發(fā)送至發(fā)光芯片Cal所屬的發(fā)光芯片組#&的第二發(fā)送信號(hào)ct2a從"L" (-3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)。<發(fā)光芯片Cal>由于陽(yáng)極端子和陰極端子都變?yōu)?H"，因此導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)送晶閘管T2關(guān)斷。恰在時(shí)刻t之后，發(fā)送晶閘管T3處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管L3和L4點(diǎn)亮(發(fā)光)。〈發(fā)光芯片Cbl>
由于發(fā)送至發(fā)光芯片Cbl所屬的發(fā)光芯片組#b的信號(hào)未改變，因此未發(fā)生狀態(tài)改變。恰在時(shí)刻t之后，發(fā)送晶閘管T2處于導(dǎo)通狀態(tài)，從而發(fā)光晶閘管L3點(diǎn)亮(發(fā)光)。(21)其他在時(shí)刻U，用于控制發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管L3和L4的周期Ta⑵結(jié)束。在時(shí)刻V，用于控制發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管L3和L4的周期Tb (2)結(jié)束。在時(shí)刻W，用于控制發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管L5和L6的周期Ta(3)結(jié)束。在時(shí)刻X，用于控制發(fā)光芯片Cbl的發(fā)光晶閘管L5和L6的周期Tb(3)結(jié)束。此外，在時(shí)刻y，用于控制發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管L7和L8的周期Ta(4)結(jié)束。下文中，以相同的方式，執(zhí)行發(fā)光芯片C的所有發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮控制。下面集中描述上述發(fā)光芯片C的操作。首先，將描述發(fā)送晶閘管T的操作。在第一示例性實(shí)施例中，在發(fā)光芯片C中，發(fā)送晶閘管T的導(dǎo)通狀態(tài)通過(guò)兩相發(fā)送信號(hào)(第一發(fā)送信號(hào)0 I和第二發(fā)送信號(hào)￠2)順序改變。S卩，如果兩相發(fā)送信號(hào)之一該變?yōu)?L" (-3. 3V)，則通過(guò)陰極端子向其發(fā)送了一個(gè)發(fā)送信號(hào)的編號(hào)為n的發(fā)送晶閘管Tn處于導(dǎo)通狀態(tài)，且其柵極端子Gtn變?yōu)?H" (0V)。連接至通過(guò)正偏的耦合二極管Dn變?yōu)?H" (OV)的柵極端子Gtn的相鄰發(fā)送晶閘管Tn+1的柵極端子Gtn+1的電位變?yōu)?I. 5V。因此，發(fā)送晶閘管Tn+1在閾值電壓升高(在該示例性實(shí)施例中，從-4. 5V升高至-3V)、且另一發(fā)送信號(hào)變?yōu)?L" (-3.3V)時(shí)導(dǎo)通。S卩，通過(guò)發(fā)送其相位改變?yōu)槭沟盟鼈兊摹癓”(_3. 3V)周期彼此重疊(圖7中從時(shí)刻m到時(shí)刻n的周期)的兩相發(fā)送信號(hào)(第一發(fā)送信號(hào)￠1和第二發(fā)送信號(hào)￠2)，發(fā)送晶閘管T被順序設(shè)置為導(dǎo)通狀態(tài)。此外，如果發(fā)送晶閘管Tn處于導(dǎo)通狀態(tài)，且柵極端子Gtn變?yōu)?H" (0V)，則通過(guò)連接電阻器Rx連接至柵極端子Gtn的設(shè)置晶閘管S2lri的柵極端子Gs2lri、以及設(shè)置晶閘管S2n的柵極端子Gs2n的電位變?yōu)?0. 27V，從而設(shè)置晶閘管S2lri和設(shè)置晶閘管S2n的閾值電壓變?yōu)?I. 77V。此外，如果設(shè)置信號(hào)c^Wo (設(shè)置信號(hào)Wol至設(shè)置信號(hào)4>Wo20)和設(shè)置信號(hào) (設(shè)置信號(hào)CtWel至設(shè)置信號(hào)(j5We20)在使能信號(hào)(^E為"L" (-3.3V)期間為"L"，
則設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的電位變?yōu)?L" (-3. 3V)，從而設(shè)置晶閘管S2lri和S2n導(dǎo)通。如果設(shè)置晶閘管S2lri和S2n導(dǎo)通且柵極端子Gl2lri和Gl2n的電位變?yōu)?V，則通過(guò)連接電阻器Ry進(jìn)行連接的柵極端子Gs2lri和Gs2n的電位變?yōu)?0. 39V，從而發(fā)光晶閘管L2lri和L2n的閾值電壓變?yōu)?I. 89V。在此情況中，由于點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2變?yōu)殡娫措娢籚ga(" L" (_3. 3V))，因此閾值電壓為-I. 89V的發(fā)光晶閘管L2lri和L2n點(diǎn)亮(發(fā)光)。即，在第一示例性實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)發(fā)光芯片C來(lái)說(shuō)，可以同時(shí)使兩個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮。這是通過(guò)在發(fā)光芯片C中將兩對(duì)的設(shè)置晶閘管S和發(fā)光晶閘管L連接至一個(gè)發(fā)送晶閘管T、并發(fā)送使奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L2lri點(diǎn)亮的設(shè)置信號(hào)0WO和使偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L2n點(diǎn)亮的設(shè)置信號(hào)We來(lái)執(zhí)行的。如果熄滅信號(hào)小Ra和小Rb在發(fā)光晶閘管L2lri和L2n處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)從"H"改變?yōu)?L"，則熄滅晶閘管TRl和TR2導(dǎo)通。于是，熄滅晶閘管TRl和TR2的柵極端子Gtrl和Gtr2的電位變?yōu)?H" (OV)，從 而點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2的電位變?yōu)?H" (OV)。因此，導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)光晶閘管L2lri和L2n關(guān)斷。S卩，其中發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)的點(diǎn)亮周期是從設(shè)置信號(hào)AWo(設(shè)置信號(hào)^Wol至設(shè)置信號(hào)(tWo20)和設(shè)置信號(hào)0We(設(shè)置信號(hào)(^Wel至設(shè)置信號(hào)(tWe20)變?yōu)?L"時(shí)(時(shí)刻)到熄滅信號(hào)(^Ra和小Rb從"H"改變?yōu)?L"時(shí)的周期(例如，圖7中的從時(shí)刻e到時(shí)刻0)。接下來(lái)，將描述發(fā)光晶閘管L不點(diǎn)亮的情況。在發(fā)光晶閘管L2lri或L2n不點(diǎn)亮的情況中，設(shè)置信號(hào)ctWo (設(shè)置信號(hào)(tWol至設(shè)置信號(hào)(tWO20)或設(shè)置信號(hào)0We (設(shè)置信號(hào)C^Wel至設(shè)置信號(hào)We20)在執(zhí)行從"H"改變?yōu)?L"時(shí)(時(shí)刻)(例如，在時(shí)刻e)保持"H" (0V)。因此，設(shè)置晶閘管S2lri*S2n不導(dǎo)通，從而柵極端子Gl2lri或Gl2n保持-2. 48V的電壓。因此，發(fā)光晶閘管L2lri或L2n由于閾值電壓為-3. 98V而不導(dǎo)通。此時(shí)，通過(guò)使設(shè)置信號(hào)4>Wo(設(shè)置信號(hào)至設(shè)置信號(hào)4>Wo20)和設(shè)置信號(hào) (設(shè)置信號(hào)CtWel至設(shè)置信號(hào)cj5We20)在上述時(shí)刻保持為"H" (OV)，使得發(fā)光晶閘管
L2n-I和L2n都關(guān)斷。如上所述，可以分別執(zhí)行發(fā)光芯片C的發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮控制。在發(fā)光晶閘管L2lri或L2n不點(diǎn)亮的情況中，點(diǎn)亮信號(hào)線75-1或點(diǎn)亮信號(hào)線75_2不改變?yōu)?I. 5V，而是保持為電源電位Vga(" L" (-3. 3V))。由此，熄滅晶閘管TRl或熄滅晶閘管TR2的閾值電壓變?yōu)?4. 8V。因此，即使熄滅信號(hào)從"H" (OV)改變?yōu)?L" (_3. 3V)，熄滅晶閘管TRl或熄滅晶閘管TR2也不導(dǎo)通(例如，在圖7中的時(shí)刻0)。然而，由于發(fā)光晶閘管L2lri或L2n不導(dǎo)通，因此不需要使熄滅晶閘管TRl或熄滅晶閘管TR2導(dǎo)通。上述操作是以與發(fā)光晶閘管L2lri和L2n均不點(diǎn)亮?xí)r相同的方式執(zhí)行的。此外，將描述設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的操作。使能信號(hào)$ E被通過(guò)使能信號(hào)線76提供給設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的柵極端子Gtel和Gte2,并且如果使能信號(hào)純?yōu)?L" (-3. 3V)，則全部設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的閾值電壓均為-4. 8V。由此，即使設(shè)置信號(hào)^Wo(設(shè)置信號(hào)(^Wol至設(shè)置信號(hào)(tWO20)和/或設(shè)置信號(hào)AWe (設(shè)置信號(hào)CtWel至設(shè)置信號(hào)cj5We20)變?yōu)?L" (_3. 3V)，設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2也不導(dǎo)通，但是設(shè)置晶閘管S2lri和/或S2n導(dǎo)通。另一方面，如果使能信號(hào)小E為"H" (OV)，則設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2的柵極端子Gtel和Gte2的電位變?yōu)?V，從而所有的閾值電壓都變?yōu)?I. 5V。由此，如果設(shè)置信號(hào)
(設(shè)置信號(hào)(^Wol至設(shè)置信號(hào)(tWo20)和/或設(shè)置信號(hào)0We(設(shè)置信號(hào)(^Wel至設(shè)置信號(hào)$We20)變?yōu)?L" (-3. 3V)，則設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2導(dǎo)通。因此，設(shè)置晶閘管S2lri和/或S2n導(dǎo)通。因此，閾值電壓為小于-I. 5V的-I. 77V的設(shè)置晶閘管S2lri和/或S2n不能導(dǎo)通。SP，如果使能信號(hào)純(使能信號(hào)(^Ea和使能信號(hào)ctEb)為"L"，則設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2關(guān)斷以使得發(fā)光芯片C能夠點(diǎn)亮，而如果使能信號(hào)0E (使能信號(hào)Ea和使能信號(hào)ctEb)為"H"，則設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2導(dǎo)通以阻止發(fā)光芯片C點(diǎn)亮。因此，使能信號(hào)AE(使能信號(hào)AEa和使能信號(hào)ctEb)用作控制發(fā)光芯片C的點(diǎn)亮的使能信號(hào)。此外，將描述發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca和發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb的點(diǎn) 亮控制。在第一不例性實(shí)施例中，在相對(duì)于發(fā)光芯片集合(其由屬于發(fā)光芯片組#8的發(fā)光芯片C和屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片C組成)使各發(fā)光芯片C的所有發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)的情況中，設(shè)置了共同發(fā)送的設(shè)置信號(hào)(設(shè)置信號(hào)至(3^020)和設(shè)置信號(hào)((^WeI至(j5We20))變?yōu)?L"的兩個(gè)周期(圖7中從時(shí)刻e到時(shí)刻f的周期以及從時(shí)刻k到時(shí)刻I的周期)。前一"L"周期設(shè)置發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片C的點(diǎn)亮開始點(diǎn)，后一"L"周期設(shè)置發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片C的點(diǎn)亮開始點(diǎn)。在該示例性實(shí)施例中，從發(fā)光芯片組#a和發(fā)光芯片組#b發(fā)送的發(fā)送信號(hào)(第一發(fā)送信號(hào)01a和(Mb以及第二發(fā)送信號(hào)0 2a和0 2b)、使能信號(hào)(使能信號(hào)(^Ea和^Eb)、以及熄滅信號(hào)(熄滅信號(hào)(^Ra和(tRb)的相位改變了 180°。因此，用于設(shè)置分別在設(shè)置信號(hào)(設(shè)置信號(hào)(tWoQWol至(tWo20)和設(shè)置信號(hào)(tWeQWel至(tWe20))中設(shè)置的兩個(gè)"L"周期的周期寬度(裕度)被最大化。S卩，由于相位改變180°，設(shè)置在設(shè)置信號(hào)AW(設(shè)置信號(hào)AWo (c^Wol至(tWo20)和設(shè)置信號(hào)(tWdc^Wel至(j5We20))中的兩個(gè)"L"周期可以設(shè)置在周期T的前一半和后
一半中。在此情況中，如果設(shè)置信號(hào)(設(shè)置信號(hào)(tWoQWol至小數(shù))20)和設(shè)置信號(hào)小WeQWeI至(tWe20))在使能信號(hào)(tE (使能信號(hào)(^Ea和(^Eb)為"L"時(shí)變?yōu)?L"，則發(fā)光晶閘管L點(diǎn)売。因此，發(fā)送至發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片C的使能信號(hào)ctEa的"L"周期與發(fā)送至該發(fā)光芯片C的設(shè)置信號(hào)小WoQWol至(tWo20)和設(shè)置信號(hào)(^We QWel至(tWe20)的"L"周期重疊，但是不與發(fā)送至發(fā)光芯片組此的發(fā)光芯片C的設(shè)置信號(hào)Cj5W0(Cj5Wc)I至4>Wo20)和設(shè)置信號(hào)ctWe((j5Wel至(tWe20)的"L"周期重疊就足夠了。對(duì)于使能信號(hào)
Eb與此相同。另一方面，由發(fā)光晶閘管L執(zhí)行的發(fā)光量在發(fā)光芯片C之間以及在發(fā)光晶閘管之間由于制造條件等的不同而不同。由此，對(duì)發(fā)光晶閘管的發(fā)光量進(jìn)行校正(光量校正)。光量校正方法可以是調(diào)節(jié)流向發(fā)光晶閘管L的電流的方法或調(diào)節(jié)發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮周期的方法。
如上所述，發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮周期是從設(shè)置信號(hào)小胃改變?yōu)?L"從而使發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮的時(shí)刻到熄滅信號(hào)(PR從"L"改變?yōu)?H"從而使發(fā)光晶閘管L熄滅的時(shí)刻的周期。在該示例性實(shí)施例中，使用了通過(guò)調(diào)節(jié)點(diǎn)亮開始時(shí)刻來(lái)校正光量的方法。在圖7中，舉例說(shuō)明了設(shè)置信號(hào)(tWoQWol至小數(shù))20)和設(shè)置信號(hào)(^WeQWel至^We20)為"L"時(shí)的時(shí)刻(定時(shí))被設(shè)置為相等(例如，圖7中的時(shí)刻d或時(shí)刻k)。然而，在各周期T中，可以通過(guò)調(diào)節(jié)設(shè)置信號(hào)0 Wo (小WoI至(tWo20)和設(shè)置信號(hào)(^We((j5Wel至(j5We20)從"H"改變?yōu)?L"的時(shí)刻(定時(shí))來(lái)校正光量。在第一示例性實(shí)施例中，用語(yǔ)“同時(shí)點(diǎn)亮”不僅包括在同一時(shí)刻開始點(diǎn)亮的狀態(tài)而且還包括點(diǎn)亮周期彼此部分重疊的情況。相比于根據(jù)后面描述的第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C，在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，如果發(fā)送晶閘管T的數(shù)量是發(fā)光晶閘管L的數(shù)量的1/2就足夠了。因此，可以降低驅(qū)動(dòng)發(fā)送晶閘管T的功率。
此外，在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2和熄滅晶閘管TRl和TR2可以布置在發(fā)光芯片C的襯底80上的左側(cè)和右側(cè)中的任一側(cè)上。在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，可以同時(shí)執(zhí)行相鄰發(fā)光晶閘管L (例如發(fā)光晶閘管LI和發(fā)光晶閘管L2)的點(diǎn)亮控制。由于發(fā)光晶閘管LI和發(fā)光晶閘管L2在襯底80上的位置彼此靠近，因此發(fā)光晶閘管L具有近似的特性。因此，發(fā)光晶閘管LI和發(fā)光晶閘管L2可以使用相同的光亮校正數(shù)據(jù)，從而可以減小保持光亮校正數(shù)據(jù)的存儲(chǔ)器的大小。在第一不例性實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)發(fā)光芯片C最多可以同時(shí)使兩個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮。然而，通過(guò)對(duì)每個(gè)發(fā)送晶閘管T形成三對(duì)或更多對(duì)設(shè)置晶閘管S和發(fā)光晶閘管L，可以同時(shí)使三個(gè)或更多發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。如上所述,在該不例性實(shí)施例中，由于在同一發(fā)光芯片C內(nèi)可以同時(shí)使多個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮，例如，可以通過(guò)增加分配給各發(fā)光晶閘管L的發(fā)光時(shí)間來(lái)抑制發(fā)光電流，而不是減少主掃描方向(圖3和圖4中的X軸方向)中一條線路所需的時(shí)間，或減少一條主掃描線所需的時(shí)間。[第二示例性實(shí)施例]在第二示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C的構(gòu)造不同于根據(jù)第一示例性實(shí)施例中的構(gòu)造。因此，發(fā)光芯片C的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造、和電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造與第一示例性實(shí)施例的這些構(gòu)造不同。圖8A和圖SB是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造、和電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造的示意圖。圖8A示出了發(fā)光芯片C的構(gòu)造，而圖8B示出了發(fā)光設(shè)備65的信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造以及電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造。在該示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C被分成兩個(gè)發(fā)光芯片組#a和#b。在根據(jù)圖8A的第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，圖4A中的端子(^Wo被端子(tffl代替，端子被端子代替。此外，在根據(jù)圖8B的第二示例性實(shí)施例的電路板62中，圖4B中的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150o被設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元1501代替，設(shè)置信號(hào)(^Wol至0Wo2O被設(shè)置信號(hào)0W11至<j5ffl20代替，以及設(shè)置信號(hào)線205ol至205o20被設(shè)置信號(hào)線20511至205120代替。以相同的方式，在根據(jù)圖8B的第二示例性實(shí)施例的電路板62中，圖4B中的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150e被設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150r代替，設(shè)置信號(hào)(^Wel至0We2O被設(shè)置信號(hào)(tffrl至(^Wr20代替，以及設(shè)置信號(hào)線205el至205e20被設(shè)置信號(hào)線205rl至205r20代替。由于其他的構(gòu)造與第一示例性實(shí)施例相同，因此將只描述不同的構(gòu)造，而省略相同構(gòu)造的描述。圖9是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的作為自掃描發(fā)光器件(SLED)芯片的發(fā)光芯片C的電路構(gòu)造的等效電路圖。
根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C包括發(fā)送晶閘管Tl至T256、設(shè)置晶閘管SI至S256、包含發(fā)光晶閘管LI至L256的SLED-1、發(fā)送晶閘管T257至T512、設(shè)置晶閘管S257至S512、和包含發(fā)光晶閘管L257至L512的SLED_r。S卩，總共512個(gè)發(fā)光晶閘管L被分在了左右兩側(cè)。此外,不同于根據(jù)第一不例性實(shí)施例的256個(gè)發(fā)送晶閘管T,發(fā)光晶閘管T的數(shù)量是512個(gè)。因此，耦合二極管D的數(shù)量是511個(gè)。此外，啟動(dòng)二極管Ds被啟動(dòng)二極管Dsl代替，并添加了新的啟動(dòng)二極管Dsr。此外，發(fā)光芯片C包括兩個(gè)限流電阻器Rl和兩個(gè)限流電阻器R2。接下來(lái)，描述各器件之間的連接關(guān)系。奇數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T1，T3，…，T255的陰極端子連接至第一發(fā)送信號(hào)線721，而偶數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T2，T4，…，T256的陰極端子連接至第二發(fā)送信號(hào)線731。以相同的方式，奇數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T257，T259，…，T511的陰極端子連接至第一發(fā)送信號(hào)線72r，而偶數(shù)編號(hào)的發(fā)送晶閘管T258，T260，…，T512的陰極端子連接至第二發(fā)送信號(hào)線73r。第一發(fā)送信號(hào)線721和第一發(fā)送信號(hào)線72r通過(guò)各限流電阻器Rl連接至端子小I。此外，第二發(fā)送信號(hào)線731和第二發(fā)送信號(hào)線73r通過(guò)各限流電阻器Rl連接至端子小2。耦合二極管Dl至D255安裝為嵌在發(fā)送晶閘管Tl至T256的各柵極端子Gt之間。此外，耦合二極管Dl連接在電流從發(fā)送晶閘管Tl的柵極端子Gtl流向發(fā)送晶閘管T2的柵極端子Gt2的方向中。其他的耦合二極管D2至D255與此相同。此外，啟動(dòng)二極管Dsl的陰極端子連接至柵極端子Gtl，其陽(yáng)極端子連接至第二發(fā)送信號(hào)線731。另一方面，耦合二極管D257至D511安裝為嵌在發(fā)送晶閘管T257至T512的各柵極端子Gt之間。此外，耦合二極管D257連接在電流從發(fā)送晶閘管T258的柵極端子Gt258流向發(fā)送晶閘管T257的柵極端子Gt257的方向中。其他的耦合二極管D258至D511與此相同。此外，啟動(dòng)二極管Dsr的陰極端子連接至柵極端子Gt512，其陽(yáng)極端子連接至第二發(fā)送信號(hào)線73r。設(shè)置晶閘管SI至S256的陰極端子和設(shè)置使能晶閘管TEl的陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線741。設(shè)置信號(hào)線741通過(guò)限流電阻器RWl連接至端子c^Wl。設(shè)置晶閘管S257至S512的陰極端子和設(shè)置使能晶閘管TE2的陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線74r。設(shè)置信號(hào)線74i■通過(guò)限流電阻器RW2連接至端子
發(fā)光晶閘管LI至L256的陰極端子和熄滅晶閘管TRl的柵極端子Gtrl連接至熄滅信號(hào)線751。點(diǎn)亮信號(hào)線751構(gòu)造為“U”形，從而其按從發(fā)光晶閘管LI的陰極端子到發(fā)光晶閘管L256的陰極端子的順序進(jìn)行連接，然后返回至發(fā)光晶閘管Ll(返回線)。因此，降低了點(diǎn)亮信號(hào)線751的電阻值。此外，“U”形點(diǎn)亮信號(hào)線751的兩個(gè)端部通過(guò)各限流電阻器Rll和R12連接至電源線71。以相同的方式，發(fā)光晶閘管L257至L512的陰極端子和熄滅晶閘管TR2的柵極端子Gtr2連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75r。點(diǎn)亮信號(hào)線75r構(gòu)造為“U”形，從而其按從發(fā)光晶閘管L512的陰極端子到發(fā)光晶閘管L257的陰極端子的反向順序進(jìn)行連接，然后返回至發(fā)光晶閘管L512(返回線)。因此，降低了點(diǎn)亮信號(hào)線75i■的電阻值。此外，“U”形點(diǎn)亮信號(hào)線75r的兩個(gè)端部通過(guò)各限流電阻器R13和R14連接至電源線71。此外，發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt通過(guò)連接電阻器Rx連接至設(shè)置晶閘管S的柵極端子Gs，并且設(shè)置晶閘管S的柵極端子Gs連接至發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl。此外，柵極端子Gl通過(guò)連接電阻器Rz連接至電源線71.即，在不使用該示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，對(duì)于一個(gè)發(fā)送晶閘管T連接一個(gè)設(shè)置晶閘管S和一個(gè)發(fā)光晶閘管L。該發(fā)光芯片C以與根據(jù)第一不例性實(shí)施例描述的方式相同的方式來(lái)構(gòu)造。圖10是示出根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65的發(fā)光芯片C的操作的時(shí)序圖。圖7的時(shí)序圖中的Cal (奇數(shù))被Cal (SLED-I)代替，而Cal (偶數(shù))被Cal (SLEDt)代替。此外，發(fā)光芯片Cbl與此相同。在第二示例性實(shí)施例中，SLED-I的發(fā)光晶閘管L和SLED_r的發(fā)光晶閘管L構(gòu)成了發(fā)光器件組，而發(fā)光器件組的一個(gè)發(fā)光晶閘管L( S卩，SLED-I的一個(gè)發(fā)光晶閘管L)和SLED-r的一個(gè)發(fā)光晶閘管L構(gòu)成一對(duì)，以執(zhí)行其點(diǎn)亮控制。在根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，如從圖9可以看出的，按照從發(fā)光晶閘管L兩端到內(nèi)側(cè)的順序執(zhí)行兩個(gè)發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮控制。S卩，在周期Ta(I)中，執(zhí)行發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管LI和發(fā)光晶閘管L512的點(diǎn)亮控制，而在周期Ta (2)中，執(zhí)行發(fā)光芯片Cal的發(fā)光晶閘管L2和發(fā)光晶閘管L511的點(diǎn)亮控制。在其他的周期T中在另一發(fā)光芯片Cbl中執(zhí)行同樣的操作。此外，屬于發(fā)光芯片組#a的發(fā)光芯片Ca2至Ca20和屬于發(fā)光芯片組#b的發(fā)光芯片Cb2至Cb20與此相同。如上所述，即使在根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，對(duì)于每個(gè)發(fā)光芯片C，可以同時(shí)使最多兩個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。由于發(fā)光設(shè)備65以及發(fā)光芯片Ca和Cb的操作與第一不例性實(shí)施例中所述相同，因此省略其描述。在該示例性實(shí)施例中，從發(fā)光晶閘管列的兩個(gè)端部開始執(zhí)行發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮控制。通過(guò)改變耦合二極管D的連接方向以及將啟動(dòng)二極管Dsl和Dsr布置到發(fā)光晶閘管列的中部，可以從中部開始執(zhí)行點(diǎn)亮控制。此處，對(duì)第一示例性實(shí)施例和第二示例性實(shí)施例進(jìn)行比較。在根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，如圖9所示，連接至SLED-r的發(fā)送晶閘管T的第一發(fā)送信號(hào)線72r被連接為穿過(guò)SLED-I部分，而連接至SLED-I的發(fā)送晶閘管T的第二發(fā)送信號(hào)線731被連接為穿過(guò)SLED-r部分。、
以相同的方式，連接至SLED-r的設(shè)置晶閘管S的設(shè)置信號(hào)線74r被連接為穿過(guò)SLED-I 部分。此外，連接至熄滅晶閘管TRl的柵極端子Gtrl的點(diǎn)亮信號(hào)線751被連接為穿過(guò)SLED-r 部分。S卩，在根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，在SLED-I部分或SLED_r部分中安裝了非連接導(dǎo)線。相比之下，在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，如圖5所示，未提供非連接導(dǎo)線。因此，在根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，穿過(guò)襯底80的導(dǎo)線數(shù)量減少了兩條，從而與根據(jù)第二示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C相比可以縮窄襯底80的寬度。
即使在第二示例性實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)發(fā)光芯片C最多也可以同時(shí)使兩個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮。然而，通過(guò)使SLED (SLED-1和SLED-r)的數(shù)量超過(guò)兩個(gè)，則可以同時(shí)使三個(gè)或更多的發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。[第三示例性實(shí)施例]在第三不例性實(shí)施例中，作為自掃描發(fā)光器件(SLED)芯片的發(fā)光芯片C的電路構(gòu)造不同于第一示例性實(shí)施例中的構(gòu)造。因此，時(shí)序圖是不同的。由于其他的構(gòu)造與第一示例性實(shí)施例中的相同，因此將只描述不同的部分，而省略相同部分的描述。圖11是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的作為自掃描發(fā)光器件(SLED)芯片的發(fā)光芯片的電路構(gòu)造的等效電路圖。在根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，代替根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中的設(shè)置晶閘管SI，S2，S3，…，安裝了作為設(shè)置器件的實(shí)例的設(shè)置肖特基二極管SDwl,SDw2,SDw3,…。此外，代替設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2，安裝了作為使能器件的實(shí)例的使能肖特基二極管SDel，SDe2，SDe3，…。此處，在不對(duì)設(shè)置肖特基二極管SDwl，SDw2,SDw3,…進(jìn)行彼此區(qū)分時(shí)，將它們表示為設(shè)置肖特基二極管SDw。此外，在不對(duì)使能肖特基二極管SDel，SDe2, SDe3,…進(jìn)行彼此區(qū)分時(shí)，將它們表示為使能肖特基二極管SDe。此外,在根據(jù)第三例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，未安裝根據(jù)第一例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中的連接電阻器Ry和Rz。此外,在根據(jù)第三例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，未安裝根據(jù)第一例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中的設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2以及電流電阻器RE、RWl、和RW2。接下來(lái)，將描述各器件之間的連接關(guān)系。發(fā)送晶閘管Tl的柵極端子Gt I通過(guò)連接電阻器Rx連接至使能肖特基二極管SDel的陽(yáng)極端子、設(shè)置肖特基二極管SDwl的陽(yáng)極端子、和發(fā)光晶閘管LI的柵極端子G11。此外，發(fā)送晶閘管Tl的柵極端子Gtl通過(guò)另一連接電阻器Rx連接至使能肖特基二極管SDe2的陽(yáng)極端子、設(shè)置肖特基二極管SDw2的陽(yáng)極端子、和發(fā)光晶閘管L2的柵極端子G12。其他的發(fā)送晶閘管T與此相同。S卩，如果假設(shè)通過(guò)一個(gè)連接電阻器Rx連接的一個(gè)使能肖特基二極管SDe、一個(gè)設(shè)置肖特基二極管SDw、和一個(gè)發(fā)光晶閘管L組成一對(duì)，則一個(gè)發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt連接至組成兩對(duì)的使能肖特基二極管SDe、設(shè)置肖特基二極管SDw、和發(fā)光晶閘管L。奇數(shù)編號(hào)的設(shè)置肖特基二極管SDwl，SDw3,…的陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線74-1。設(shè)置信號(hào)線74-1連接至端子c^We。偶數(shù)編號(hào)的設(shè)置肖特基二極管SDw2，SDw4，…的陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線74-2。設(shè)置信號(hào)線74-2連接至端子c^Wo。使能肖特基二極管SDel，SDe2，SDe3，…的陰極端子連接至使能信號(hào)線76。使能信號(hào)線76連接至端子c^E。使能肖特基二極管SDe和設(shè)置肖特基二極管SDw是利用肖特基結(jié)(勢(shì)壘)的二極管，并且其正向電位Vs的值比pn結(jié)的正向電位Vd的值小。此處，將在假設(shè)肖特基結(jié)的正向電位Vs的值為0. 5V的情況下進(jìn)行說(shuō)明。在此情況中，圖6A和圖6B中的使能肖特基二極管SDe和設(shè)置肖特基二極管SDw是通過(guò)在區(qū)域111存在的部分上相對(duì)于P型第三半導(dǎo)體層83安裝兩個(gè)用于肖特基結(jié)的肖特基電極來(lái)取代n型第四半導(dǎo)體層84以及區(qū)域112中的n形歐姆電極122而形成的。將省略其詳述。 發(fā)光芯片C以與根據(jù)第一示例性實(shí)施例所述相同的方式構(gòu)造。此處，將描述使能肖特基二極管SDe和設(shè)置肖特基二極管SDw的操作。如上根據(jù)第一示例性實(shí)施例所述，如果發(fā)送晶閘管T導(dǎo)通，則柵極端子Gt的電位變?yōu)?V。下文中，將描述發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt的電位變?yōu)镺V的情形。如果設(shè)置信號(hào)(tWe和(tWo為"H" (OV)，則連接至設(shè)置肖特基二極管SDw的陰極端子的設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的電位變?yōu)?H" (OV)。于是，即使發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt為0V，設(shè)置肖特基二極管SDw也不正偏。因此，設(shè)置肖特基二極管SDw的陽(yáng)極端子的電位不受為"H" (OV)的設(shè)置信號(hào)和C^Wo的影響。在此狀態(tài)中，如果使能信號(hào)0E為"L" (-3. 3V)，則連接至被發(fā)送有使能信號(hào)CtE的端子小E的使能信號(hào)線76變?yōu)?L" (-3. 3V)。如果發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt的電位為0V，則使能肖特基二極管SDe正偏。此外，使能肖特基二極管SDe的陽(yáng)極端子(發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl)的電位變?yōu)橥ㄟ^(guò)從"L" (-3. 3V)減去肖特基結(jié)的正向電位Vs (0. 5V)得到的-2. 8V。因此，發(fā)光晶閘管L的閾值電壓變?yōu)?4. 3V。因此，即使點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和
75-2的電位變?yōu)殡娫措娢籚ga(" L" (_3. 3V))，發(fā)光晶閘管L也不導(dǎo)通。另一方面，如果使能信號(hào)CtE為"H" (OV)，則在發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt的電位為OV時(shí)，使能肖特基二極管SDe不正偏。因此，發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl的電位不受為"H" (OV)的使能信號(hào)CtE的影響，并且變?yōu)榘l(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt的電位。S卩，如果發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt的電位為0V，則在柵極端子Gl的電位為OV的情況中，發(fā)光晶閘管L的閾值電壓變?yōu)?I. 5V。因此，如果點(diǎn)亮信號(hào)線75-1和75-2的電位變?yōu)殡娫措娢籚ga(" L" (-3. 3V))，則發(fā)光晶閘管L導(dǎo)通。此外，如果設(shè)置信號(hào)AW(設(shè)置信號(hào)$如和CtWo)為"L" (-3. 3V)，則連接至設(shè)置肖特基二極管SDw的陰極端子的設(shè)置信號(hào)線74-1和74-2的電位變?yōu)?L" (-3. 3V)。于是，當(dāng)發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt為OV時(shí)，設(shè)置肖特基二極管SDw正偏。因此，設(shè)置肖特基二極管SDw的陽(yáng)極端子(發(fā)光晶閘管L的柵極端子Gl)的電位變?yōu)?2. 8V。因此，發(fā)光晶閘管L的閾值電壓變?yōu)?4. 3V。即使使能信號(hào)CtE為"H" (OV)或"L" (-3. 3V)時(shí)也是這種情況。此時(shí)，如圖11所示，由于使能肖特基二極管SDe和設(shè)置肖特基二極管SDw關(guān)于柵極端子Gt對(duì)稱安裝，因此它們的角色可以互換。S卩，使能信號(hào)0E和設(shè)置信號(hào)0W(設(shè)置信號(hào)(^We和0Wo)可以相互替換。如上所述，當(dāng)使能信號(hào)純和設(shè)置信號(hào)輕(設(shè)置信號(hào)Me和輕0)都為"H" (OV)時(shí)，發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。此時(shí)，如果使能信號(hào)CtE和設(shè)置信號(hào)CtW(設(shè)置信號(hào)小We和CtWo)中的至少一個(gè)為"L" (-3. 3V)，則發(fā)光晶閘管L不導(dǎo)通。如上所述，使能肖特基二極管SDe以與根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中的設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2相同的方式進(jìn)行操作。此時(shí)，設(shè)置肖特基二極管SDw以與根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中的設(shè)置晶閘管S相同的方式進(jìn)行操作。然而,根據(jù)第三示例性實(shí)施例的使能信號(hào)E和設(shè)置信號(hào)W(設(shè)置信號(hào)4) We和^Wo)具有"H" (OV)和"L" (-3. 3V)之間的關(guān)系，該關(guān)系與第一示例性實(shí)施例中的相反。圖12是示出根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65的發(fā)光芯片C的操作的時(shí)序圖。 如上所述，使能信號(hào)(^&和(^Eb和設(shè)置信號(hào)(^Wel和(^Wol具有"H" (OV)和"L" (-3. 3V)之間的反向關(guān)系。因此，盡管省略了詳述，根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C以與根據(jù)第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C相同的方式進(jìn)行操作。S卩，在第三示例性實(shí)施例中，偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L和奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L組成發(fā)光器件組，而發(fā)光器件組的每個(gè)發(fā)光晶閘管L，S卩，一個(gè)奇數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L和一個(gè)偶數(shù)編號(hào)的發(fā)光晶閘管L被作為一對(duì)來(lái)控制點(diǎn)亮。在根據(jù)第三例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，未安裝在根據(jù)第一例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中安裝的設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2以及連接電阻器Ry和Rz，從而減小了發(fā)光芯片C的襯底80的尺寸。雖然在第三示例性實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)發(fā)光芯片C也最多可以同時(shí)使兩個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮。然而，通過(guò)提供三個(gè)或更多個(gè)由針對(duì)各發(fā)送晶閘管T連接的設(shè)置肖特基二極管SDw、使能肖特基二極管SDe、和發(fā)光晶閘管L組成的對(duì)，可以同時(shí)使三個(gè)或更多的發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。[第四示例性實(shí)施例]在第四示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C的電路構(gòu)造不同于第三示例性實(shí)施例中的構(gòu)造。因此，發(fā)光芯片C的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造、和電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造與第三示例性實(shí)施例的這些構(gòu)造不同。圖13A和圖13B是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造、和電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造的不意圖。圖13A不出了發(fā)光芯片C的構(gòu)造,而圖13B示出了發(fā)光設(shè)備65的信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造以及電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造。在該示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C被分成兩個(gè)發(fā)光芯片組#a和#b。在根據(jù)圖13A的第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，根據(jù)圖4A所示的第一示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的端子CtWo被端子CtWl代替，端子被端子代替，以及端子
被端子￠1代替。此外，在圖13B的第四示例性實(shí)施例中，根據(jù)圖4B所示的第一示例性實(shí)施例的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150o被設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元1501代替，設(shè)置信號(hào)(^Wol至(tWo20被設(shè)置信號(hào)(^Wll至0W12O代替，以及設(shè)置信號(hào)線205ol至205o20被設(shè)置信號(hào)線20511至205120代替。此外，熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140a被點(diǎn)亮信號(hào)產(chǎn)生單元180a代替，以及熄滅信號(hào)ctRa被點(diǎn)亮信號(hào)01a代替。以相同的方式，在根據(jù)圖13B的第四示例性實(shí)施例的電路板62中，根據(jù)圖4B所示的第一示例性實(shí)施例的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150e被設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150r代替，設(shè)置信號(hào)(tffel至(tWe20被設(shè)置信號(hào)(^Wrl至(^Wr20代替，以及設(shè)置信號(hào)線205el至205e20被設(shè)置信號(hào)線205rl至205r20代替。此外，熄滅信號(hào)產(chǎn)生單元140b被點(diǎn)亮信號(hào)產(chǎn)生單元180b代替，以及熄滅信號(hào)0Rb被點(diǎn)亮信號(hào)0 Ib代替。此處，在不對(duì)點(diǎn)亮信號(hào)小Ia和小Ib彼此進(jìn)行區(qū)分時(shí)，將它們表示為點(diǎn)亮信號(hào)小I。由于其他的構(gòu)造與第一示例性實(shí)施例相同，因此將只描述不同的構(gòu)造，而省略相同構(gòu)造的描述。 點(diǎn)亮信號(hào)$ I是與根據(jù)第一和第二示例性實(shí)施例的熄滅信號(hào)$1 相同方式的點(diǎn)亮控制信號(hào)的一個(gè)實(shí)例。圖14是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的電路構(gòu)造的等效電路圖。根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C包括發(fā)送晶閘管Tl至T256、使能肖特基二極管SDel至SDe256、設(shè)置肖特基二極管SDwl至SDw256、包含發(fā)光晶閘管LI至L256的SLED-I、發(fā)送晶閘管T257至T512、使能肖特基二極管SDe257至SDe512、設(shè)置肖特基二極管SDw257至SDw512、和包含發(fā)光晶閘管L257至L512的SLED-r。S卩，總共512個(gè)發(fā)光晶閘管L被分在了左右兩側(cè)。在根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，如果假設(shè)一個(gè)使能肖特基二極管SDe、一個(gè)設(shè)置肖特基二極管SDw、和一個(gè)發(fā)光晶閘管L組成一對(duì)，則一個(gè)發(fā)送晶閘管T連接至組成兩對(duì)的使能肖特基二極管SDe、設(shè)置肖特基二極管SDw、和發(fā)光晶閘管L。 相比之下，在根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，一個(gè)發(fā)送晶閘管T連接至組成一對(duì)的使能肖特基二極管SDe、設(shè)置肖特基二極管SDw、和發(fā)光晶閘管L。該構(gòu)造與根據(jù)第二示例性實(shí)施例的構(gòu)造相同。因此，在第四示例性實(shí)施例中，以與第二示例性實(shí)施例相同的方式，按照從發(fā)光晶閘管L的兩端向內(nèi)側(cè)的順序執(zhí)行兩個(gè)發(fā)光晶閘管L的點(diǎn)亮控制。此外，在根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，如圖14所示，發(fā)送晶閘管T的柵極端子Gt通過(guò)連接電阻器Rz連接至電源線71。此外，SLED-I的發(fā)光晶閘管LI至L256的陰極端子連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75_1，點(diǎn)亮信號(hào)線75-1通過(guò)限流電阻器Rll連接至端子01。以相同的方式，SLED-r的發(fā)光晶閘管L257至L512的陰極端子連接至點(diǎn)亮信號(hào)線75_2，點(diǎn)亮信號(hào)線75_2通過(guò)限流電阻器R12連接至端子小1。此時(shí)，根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C未提供有如圖11所示的根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中的熄滅晶閘管TRl和TR2和限流電阻器RR1、RR2、R13、和R14。該發(fā)光芯片C以與根據(jù)第一不例性實(shí)施例所述的方式相同的方式構(gòu)造。在根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，柵極端子Gt通過(guò)連接電阻器Rz連接至電源線71。因此，當(dāng)編號(hào)為n的發(fā)送晶閘管Tn處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，除了柵極端子Gtn、發(fā)送晶閘管Tn+1的柵極端子Gtn+1、以及發(fā)送晶閘管Tn+2的柵極端子Gtn+2以外的柵極端子Gt的電位被設(shè)置為電源電位Vga (" L" (-3. 3V))，從發(fā)光芯片C操作更穩(wěn)定。圖15是示出根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65的發(fā)光芯片C的操作的時(shí)序圖。相比于圖12所示根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的操作的時(shí)序圖，在圖15的時(shí)序圖中，熄滅信號(hào)0Ra被點(diǎn)亮信號(hào)01a代替、熄滅信號(hào)(^Rb被點(diǎn)亮信號(hào)Ib代替、以及發(fā)光芯片Cal (奇數(shù))被發(fā)光芯片Cal (SLED-I)代替。此外，發(fā)光芯片Cbl (奇數(shù))被發(fā)光芯片Cbl (SLED-I)代替，發(fā)光芯片Cal (偶數(shù))被發(fā)光芯片Cal (SLED-r)代替，以及發(fā)光芯片Cbl (偶數(shù))被發(fā)光芯片Cbl (SLED-r)代替。在第四示例性實(shí)施例中，SLED-I的發(fā)光晶閘管L和SLED_r的發(fā)光晶閘管L構(gòu)成發(fā)光器件組，并且發(fā)光器件組的一個(gè)發(fā)光晶閘管L( S卩，SLED-I的一個(gè)發(fā)光晶閘管L)和SLED-r的一個(gè)發(fā)光晶閘管L組成一對(duì)，從而對(duì)其進(jìn)行點(diǎn)亮控制。
圖15的時(shí)序圖中的設(shè)置信號(hào)和等同于根據(jù)圖12的第三示例性實(shí)施例的時(shí)序圖中的設(shè)置信號(hào)AWol和AWeI。另一方面，圖15的時(shí)序圖中的點(diǎn)亮信號(hào)(Ma和(Mb具有"H " (OV)和"L" (-3. 3V)之間的關(guān)系，該關(guān)系與根據(jù)圖12的第三示例性實(shí)施例的時(shí)序圖中的熄滅信號(hào)(^Ra和(^Rb的關(guān)系相反。在第四示例性實(shí)施例和第三示例性實(shí)施例中，點(diǎn)亮信號(hào)線
75-1和75-2的電位彼此相等。SP，如果點(diǎn)亮信號(hào)小Ia在時(shí)刻c從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3. 3V)，則點(diǎn)亮信號(hào)線75-1的電位從"H" (OV)改變?yōu)?L" (-3. 3V)。這對(duì)應(yīng)于根據(jù)第三示例性實(shí)施例的圖12中的點(diǎn)亮信號(hào)線75-1在時(shí)刻c變?yōu)?L" (-3. 3V)的相同狀態(tài)。在此情況中，點(diǎn)亮信號(hào)線75-1在時(shí)刻a和時(shí)刻c之間的電位彼此不同，但是這不影響發(fā)光芯片C的操作。此外，如果點(diǎn)亮信號(hào)(^la在時(shí)刻O從"L" (_3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)，并且點(diǎn)亮信號(hào)線75-1從"L" (-3.3V)改變?yōu)?H" (OV)，則導(dǎo)通狀態(tài)的發(fā)光晶閘管LI的陰極端子和陽(yáng)極端子變?yōu)?H" (OV)，從而發(fā)光晶閘管LI關(guān)斷。這對(duì)應(yīng)于根據(jù)第三示例性實(shí)施例的圖12中的時(shí)刻0的情形，熄滅信號(hào)(tRa從"H " (OV)改變?yōu)?L " (-3. 3V)，而點(diǎn)亮信號(hào)線75-1從"L " (-3. 3V)改變?yōu)?H" (OV)。因此，根據(jù)第四示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65和發(fā)光芯片C以與根據(jù)第三示例性實(shí)施例的發(fā)光設(shè)備65和發(fā)光芯片C相同的方式操作。S卩，在一個(gè)發(fā)光芯片C中，可以同時(shí)使兩個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。雖然在第四示例性實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)發(fā)光芯片C最多可以同時(shí)使兩個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮。然而，通過(guò)使SLED的數(shù)量超過(guò)兩個(gè)，可以同時(shí)使三個(gè)或更多的發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。[第五示例性實(shí)施例]在第五示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C的電路構(gòu)造不同于第四示例性實(shí)施例中的構(gòu)造。因此，發(fā)光芯片C的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造、和電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造與第四示例性實(shí)施例的這些構(gòu)造不同。
圖16A和圖16B是示出根據(jù)第五示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的構(gòu)造、信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造、和電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造的不意圖。圖16A不出了發(fā)光芯片C的構(gòu)造,而圖16B示出了發(fā)光設(shè)備65的信號(hào)產(chǎn)生電路110的構(gòu)造以及電路板62上的導(dǎo)線構(gòu)造。在該示例性實(shí)施例中，發(fā)光芯片C被分成兩個(gè)發(fā)光芯片組#a和#b。在根據(jù)圖16A的第五示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，根據(jù)圖13A所示的第四示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的端子CtWl被端子0E1代替，端子被端子代替，以及端子被端子0E代替。此外，在圖16B的第五示例性實(shí)施例中，根據(jù)圖13B所示的第四示例性實(shí)施例的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150o被使能信號(hào)產(chǎn)生單元1301代替，設(shè)置信號(hào)(^Wol至(tWO20被使能信號(hào)(^Ell至0E12O代替，以及設(shè)置信號(hào)線205ol至205o20被使能信號(hào)線20311至203120代替。此外，使能信號(hào)產(chǎn)生單元130a被設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150a代替，以及使能信號(hào)ctEa被設(shè)置信號(hào)AWa代替。以相同的方式，在圖16B的第五示例性實(shí)施例中，根據(jù)圖13B所示的第四示例性實(shí) 施例的設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150e被使能信號(hào)產(chǎn)生單元130r代替，設(shè)置信號(hào)(^Wel至(tWe20被使能信號(hào)0Erl至(tEr20代替，以及設(shè)置信號(hào)線205el至205e20被使能信號(hào)線203rl至203r20代替。此外，使能信號(hào)產(chǎn)生單元130b被設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元150b代替，以及使能信號(hào)0Eb被設(shè)置信號(hào)(^Wb代替。圖17是示出根據(jù)第五示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的電路構(gòu)造的等效電路圖。在根據(jù)第五示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C中，設(shè)置肖特基二極管SDw的陰極端子連接至設(shè)置信號(hào)線74。設(shè)置信號(hào)線74連接至端子0W。另一方面，SLED-I的使能肖特基二極管SDel至SDel28的陰極端子連接至使能信號(hào)線761。使能信號(hào)線761連接至端子(^El。以相同的方式，SLED-r的使能肖特基二極管SDel29至SDe512的陰極端子連接至使能信號(hào)線76r。使能信號(hào)線76r連接至端子4>Er。該發(fā)光芯片C以與第一不例性實(shí)施例中所述的方式相同的方式來(lái)構(gòu)造。圖18是示出根據(jù)第五示例性實(shí)施例的發(fā)光芯片C的操作的時(shí)序圖。相比于根據(jù)圖15所示的第四示例性實(shí)施例的時(shí)序圖，在圖18的時(shí)序圖中，使能信號(hào)^Ea被設(shè)置信號(hào)(^Wa代替，使能信號(hào)(^Eb被設(shè)置信號(hào)小Wb代替，設(shè)置信號(hào)小Wl I被使能信號(hào)0E11代替，以及設(shè)置信號(hào)ctWrl被使能信號(hào)C^Erl代替。S卩，在第五示例性實(shí)施例中，以相反的順序執(zhí)行根據(jù)第四示例性實(shí)施例的使能信號(hào)CtE和設(shè)置信號(hào)小胃的功能。這是因?yàn)?，如上在第三示例性?shí)施例中所述，在使用使能肖特基二極管SDe和設(shè)置肖特基二極管SDw的情況下，使能信號(hào)0E和設(shè)置信號(hào)0W可以彼此替換。此外，在圖17中，使能肖特基二極管SDe和設(shè)置肖特基二極管SDw關(guān)于柵極端子Gt布置在對(duì)稱位置上，從而以相同的方式操作。因此，在第五示例性實(shí)施例中，省略了詳細(xì)操作的描述。雖然在第五示例性實(shí)施例中，對(duì)于每個(gè)發(fā)光芯片C最多可以同時(shí)使兩個(gè)發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。然而，通過(guò)使SLED的數(shù)量超過(guò)兩個(gè)，可以同時(shí)使三個(gè)或更多的發(fā)光晶閘管L點(diǎn)亮(發(fā)光)。如上根據(jù)第一示例性實(shí)施例所述，在第一示例性實(shí)施例至第五示例性實(shí)施例中，用語(yǔ)“同時(shí)點(diǎn)亮”不僅包括在同一時(shí)刻開始點(diǎn)亮的狀態(tài)而且還包括點(diǎn)亮周期彼此部分重疊的情況。例如，通過(guò)根據(jù)各發(fā)光晶閘管L的發(fā)光量的差異改變點(diǎn)亮開始時(shí)刻，可以控制發(fā)光時(shí)間來(lái)抑制各發(fā)光晶閘管L的發(fā)光量的差異。在第一示例性實(shí)施例至第五示例性實(shí)施例中，電源電位Vga可以設(shè)置為不同于第一發(fā)送信號(hào)￠1、第二發(fā)送信號(hào)￠2、使能信號(hào)0E(使能信號(hào)ctEa和0Eb)、或設(shè)置信號(hào)
(設(shè)置信號(hào)輕0和c^We)的"L"的值。在第一不例性實(shí)施例至第五不例性實(shí)施例中，發(fā)送晶閘管T以第一發(fā)送信號(hào)￠1和第二發(fā)送信號(hào)￠2的兩個(gè)相位操作。然而，發(fā)送晶閘管T可以通過(guò)為每三個(gè)發(fā)送晶閘管發(fā)送三相發(fā)送信號(hào)來(lái)操作。以相同的方式，發(fā)送晶閘管T可以通過(guò)發(fā)送四相或更多相的發(fā)送信號(hào)來(lái)操作。此外,在第一不例性實(shí)施例至第五不例性實(shí)施例中，第一發(fā)送信號(hào)￠1和第二發(fā)送信號(hào)￠2針對(duì)每組而劃分。然而，它們可以通過(guò)各組公用的導(dǎo)線共同提供給各組，而無(wú)需針對(duì)每組而劃分第一發(fā)送信號(hào)0 I和第二發(fā)送信號(hào)小2。 此外，在第一示例性實(shí)施例至第五示例性實(shí)施例中，使用了電阻器或耦合二極管D。然而，如果電氣單元是一個(gè)端子側(cè)的電位改變導(dǎo)致另一端子側(cè)的電位改變的單元就足夠了。此外，在第一示例性實(shí)施例至第五示例性實(shí)施例中，構(gòu)成發(fā)光芯片組的發(fā)光芯片C的數(shù)量被設(shè)置為等于構(gòu)成發(fā)光芯片集合的發(fā)光芯片C的數(shù)量。然而，它們可以彼此不同。此夕卜，盡管構(gòu)成發(fā)光芯片集合的發(fā)光芯片C分別屬于不同的發(fā)光芯片組，但是它們可以包括屬于同一發(fā)光芯片組的發(fā)光芯片C。此外，在第一示例性實(shí)施例至第五示例性實(shí)施例中，描述了晶閘管(發(fā)光晶閘管L、發(fā)送晶閘管T、設(shè)置晶閘管S、設(shè)置使能晶閘管TEl和TE2、和熄滅晶閘管TRl和TR2)的陽(yáng)極端子都在襯底80上(共陽(yáng)極)。然而，即使是陰極端子都在襯底80上的共陰極，通過(guò)改變電路的極性也可以被使用。為了說(shuō)明和描述的目的已經(jīng)提供了本發(fā)明的各示例性實(shí)施例的前述描述。但并不旨在窮盡或?qū)⒈景l(fā)明限制于所公開的精確形式。顯然，對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)，多種改進(jìn)和變化將是顯而易見的。為了最好地說(shuō)明本發(fā)明的原理及其實(shí)際應(yīng)用而選擇和描述了這些示例性實(shí)施例，從而使得本領(lǐng)域技術(shù)人員能夠針對(duì)各種實(shí)施例以及利用適于所構(gòu)想的特定用途的各種改進(jìn)來(lái)理解本發(fā)明。旨在通過(guò)權(quán)利要求書及其等同物來(lái)限定本發(fā)明的范圍。[參考標(biāo)號(hào)及標(biāo)記的說(shuō)明]I:圖像形成設(shè)備10:圖像形成處理單元11:圖像形成單元12 :感光鼓14 :打印頭30:圖像輸出控制單元40:圖像處理單元62 電路板63 :光源單元64:棒狀透鏡陣列
65 :發(fā)光設(shè)備110:信號(hào)產(chǎn)生電路120 (120a，120b):發(fā)送信號(hào)產(chǎn)生單元130 (130a, 130b):使能信號(hào)產(chǎn)生單元140 (140a, 140b):熄滅信號(hào)產(chǎn)生單兀150 (150o, 150e, 150a, 150b):設(shè)置信號(hào)產(chǎn)生單元160 :基準(zhǔn)電位提供單元 170:電源電位提供單元180 (180a, 180b):點(diǎn)亮信號(hào)產(chǎn)生單元(J) I (小 Ia, Ib):第一發(fā)送信號(hào)2(4> 2a, 2b):第二發(fā)送信號(hào)(tE((j5Ea, $Eb，純1，AEr):使能信號(hào)(j5ff((j5ffol M <j5ffo20, (tffel 至 <j5ffe20,至 ^W120，(tffrl 至 <j5ffr20, (tffa,^Wb):設(shè)置信號(hào)(tR((j5Ra, ^Rb):熄滅信號(hào)(Mb):點(diǎn)亮信號(hào)C (Cal 至 Ca20，Cbl 至 Cb20):發(fā)光芯片L :發(fā)光晶閘管T :發(fā)送晶閘管S :設(shè)置晶閘管TE1、TE2 :設(shè)置使能晶閘管TRl、TR2 :熄滅晶閘管D :耦合二極管Rx、Ry、Rz :連接電阻器SDw :設(shè)置肖特基二極管SDe:使能肖特基二極管Vga:電源電位Vsub :基準(zhǔn)電位
權(quán)利要求
1.一種發(fā)光設(shè)備，包括 多個(gè)發(fā)光芯片，每個(gè)發(fā)光芯片具有多個(gè)發(fā)光器件，并且這些發(fā)光芯片被分成多個(gè)芯片組，每個(gè)發(fā)光芯片中的發(fā)光器件被分成多個(gè)器件組； 第一導(dǎo)線，其將發(fā)送信號(hào)共同發(fā)送至各發(fā)光芯片，以將每個(gè)發(fā)光芯片中的發(fā)光器件依次設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象； 第二導(dǎo)線，其將第一選擇信號(hào)共同發(fā)送至發(fā)光芯片的給定芯片組，以選擇所述給定芯片組作為在每個(gè)發(fā)光芯片中的各發(fā)光器件被基于發(fā)送信號(hào)設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象的周期內(nèi)的點(diǎn)亮控制對(duì)象； 第三導(dǎo)線，其將第二選擇信號(hào)共同發(fā)送至器件組集合，以選擇所述器件組集合作為在每個(gè)發(fā)光芯片中的各發(fā)光器件被基于發(fā)送信號(hào)設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象的周期內(nèi)的點(diǎn)亮控制對(duì)象，所述器件組集合包括屬于芯片組之一的發(fā)光芯片中的發(fā)光器件的第一器件 組、和屬于其他芯片組的發(fā)光芯片中的發(fā)光器件的第二器件組；以及 第四導(dǎo)線，其向每個(gè)芯片組發(fā)送點(diǎn)亮控制信號(hào)，以控制在基于發(fā)送信號(hào)將每個(gè)發(fā)光芯片中的各發(fā)光器件設(shè)置為點(diǎn)亮或不點(diǎn)亮控制對(duì)象的周期中使發(fā)光器件點(diǎn)亮的電力供給。
2.根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備，其中多個(gè)發(fā)光芯片中的每個(gè)發(fā)光芯片包括 多個(gè)發(fā)送器件，其基于發(fā)送信號(hào)將各發(fā)光器件設(shè)置為控制對(duì)象；和 多個(gè)設(shè)置器件，其基于第一選擇信號(hào)選擇各發(fā)光芯片作為點(diǎn)亮對(duì)象， 其中，所述多個(gè)發(fā)光器件中的每個(gè)發(fā)光器件被提供為對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)設(shè)置器件中的每個(gè)設(shè)置器件， 各設(shè)置器件與對(duì)應(yīng)于這些設(shè)置器件的各發(fā)光器件的多個(gè)組合被提供為對(duì)應(yīng)于所述多個(gè)發(fā)送器件中的各發(fā)送器件，以及 針對(duì)來(lái)自提供在多個(gè)發(fā)送器件中的各發(fā)送器件上的各設(shè)置器件和對(duì)應(yīng)于各設(shè)置器件的發(fā)光器件的多個(gè)組合中的發(fā)送器件，選擇并配置每個(gè)器件組。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的發(fā)光設(shè)備，其中，每個(gè)發(fā)光芯片還包括使能器件，其與用于每個(gè)器件組的設(shè)置器件并聯(lián)連接。
4.一種打印頭，包括 曝光單元，其包括根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備；和 光學(xué)單元，其將由曝光單元輻射的光提供到圖像載體上，以在所述圖像載體上形成靜電潛像。
5.一種圖像形成設(shè)備，包括 圖像載體； 充電單元，其對(duì)圖像載體進(jìn)行充電； 曝光單元，其包括根據(jù)權(quán)利要求I所述的發(fā)光設(shè)備； 光學(xué)單元，其將由曝光單元輻射的光提供到圖像載體上； 顯影單元，其對(duì)形成在圖像載體上的靜電潛像進(jìn)行顯影；和 轉(zhuǎn)印單元，其將顯影在圖像載體上的圖像轉(zhuǎn)印到轉(zhuǎn)印體上。
全文摘要
本發(fā)明提供了發(fā)光設(shè)備、打印頭和圖像形成設(shè)備。發(fā)光設(shè)備包括多個(gè)發(fā)光芯片、第一導(dǎo)線、第二導(dǎo)線、第三導(dǎo)線、和第四導(dǎo)線。該多個(gè)發(fā)光芯片各自具有多個(gè)發(fā)光器件，并且這些發(fā)光芯片被分成多個(gè)芯片組，每個(gè)發(fā)光芯片中的發(fā)光器件都被分成多個(gè)器件組。第一導(dǎo)線將發(fā)送信號(hào)共同發(fā)送至各發(fā)光芯片。第二導(dǎo)線將第一選擇信號(hào)共同發(fā)送至發(fā)光芯片的給定芯片組。第三導(dǎo)線將第二選擇信號(hào)共同發(fā)送至器件組集合。第四導(dǎo)線向每個(gè)芯片組發(fā)送點(diǎn)亮控制信號(hào)。
文檔編號(hào)G03G15/043GK102736475SQ201110318008
公開日2012年10月17日 申請(qǐng)日期2011年10月18日 優(yōu)先權(quán)日2011年3月29日
發(fā)明者大野誠(chéng)治 申請(qǐng)人:富士施樂(lè)株式會(huì)社