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光傳感器組件的制作方法

文檔序號:2794445閱讀:108來源:國知局
專利名稱:光傳感器組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及一種具有光波導(dǎo)路單元與安裝有光學(xué)元件的基板單元的光傳感器組件。
背景技術(shù)
如圖13的(a)、圖13的(b)所示,分別制作依次形成有下包層71、芯部72及上包層73的光波導(dǎo)路單元Wo和在基板81上安裝有光學(xué)元件82的基板單元Eo,在對上述光波導(dǎo)路單元Wo的芯部72和基板單元Eo的光學(xué)元件82進行了調(diào)芯的狀態(tài)下,利用粘接劑等將上述基板單元Eo粘接在上述光波導(dǎo)路單元Wo的端部從而制造成光傳感器組件。另外, 在圖13的(a)、圖13的(b)中,附圖標(biāo)記75是基座,附圖標(biāo)記85是封固樹脂。在此,通常使用自動調(diào)芯機來進行上述光波導(dǎo)路單元Wo的芯部72與基板單元Eo 的光學(xué)元件82的上述調(diào)芯(例如,參照專利文獻1)。利用該自動調(diào)芯機,在將光波導(dǎo)路單元Wo固定在固定臺(未圖示)上、將基板單元Eo固定在能夠移動的載物臺(未圖示)上的狀態(tài)下進行上述調(diào)芯。即,如圖13的(a)所示,在上述光學(xué)元件82為發(fā)光元件的情況下,在從該發(fā)光元件發(fā)出光H1的狀態(tài)下,一邊使基板單元Eo相對于芯部72的一端面(光入口)72a改變位置,一邊監(jiān)測從芯部72的另一端面(光出口)72b經(jīng)由上包層73的前端部的透鏡部7 射出的光的光量(自動調(diào)芯機所具有的受光元件91產(chǎn)生的電動勢),將該光量最大的位置確定為調(diào)芯位置(芯部72與光學(xué)元件82相互合適的位置)。另外,如圖13的 (b)所示,在上述光學(xué)元件82為受光元件的情況下,從芯部72的另一端面72b入射恒定量的光(從自動調(diào)芯機所具有的發(fā)光元件92發(fā)出的、透過了上包層73的前端部的透鏡部7 的光)H2,在從芯部72的一端面7 經(jīng)由上包層73的后端部73a射出該光吐的狀態(tài)下,一邊使基板單元Eo相對于芯部72的一端面7 改變位置,一邊監(jiān)測由該受光元件接收到的光量(電動勢),將該光量最大的位置確定為調(diào)芯位置。專利文獻1 日本特開平5-196831號公報但是,在利用上述自動調(diào)芯機的調(diào)芯中,雖然能夠進行高精度的調(diào)芯,但是需要精力和時間,不適合批量生產(chǎn)。因此,本申請人提出了不用上述那樣的設(shè)備、不花費精力就能夠進行調(diào)芯的光傳感器組件并已經(jīng)提出了申請(日本特愿2009-10872;3)。圖14的(a)表示該光傳感器組件的俯視圖,圖14的(b)表示從右斜上方觀察該光傳感器組件的右端部的立體圖,如圖14的 (a)、圖14的(b)所示,在光波導(dǎo)路單元W1中,下包層41的、不存在有芯部42的兩側(cè)部分 (圖14的(a)的右端部的上下部分)沿芯部的軸向(沿圖14的(a)的右方向)延長,并且上包層43的與該下包層41的延長部分相對應(yīng)的兩側(cè)部分也延長。而且,在其延長部分44 上,在相對于芯部42的透光面(一端面)4 適當(dāng)?shù)奈恢?,形成有沿光波?dǎo)路單元W1的厚度方向延伸的、基板單元嵌合用的一對縱槽部(嵌合部)Ma。另一方面,基板單元El的左右兩側(cè)部(寬度方向的兩側(cè)部)形成在與上述縱槽部4 相嵌合的嵌合板部(被嵌合部)51a 上。
而且,在上述光傳感器組件中,在形成于上述基板單元E1上的上述嵌合板部51a 嵌合在被形成于上述光波導(dǎo)路單元W1的上述縱槽部4 中的狀態(tài)下,光波導(dǎo)路單元W1與上述基板單元E1相結(jié)合。在此,上述縱槽部4 設(shè)計為相對于上述芯部42的透光面4 處于適當(dāng)?shù)奈恢茫鲜銮逗习宀?1a設(shè)計為相對于上述光學(xué)元件M處于適當(dāng)?shù)奈恢?,因此,通過上述縱槽部4 與上述嵌合板部51a的嵌合,能自動地對上述芯部42和上述光學(xué)元件M 進行調(diào)芯。另外,在圖14的(a)、圖14的(b)中,附圖標(biāo)記45是基座,附圖標(biāo)記4 是形成在基座45上的、供基板單元仏貫通的貫通孔,附圖標(biāo)記51是形成有上述嵌合板部51a的整形基板,附圖標(biāo)記陽是封固樹脂。這樣,在本申請人以前申請的上述光傳感器組件中,能夠不對光波導(dǎo)路單元W1的芯部42和基板單元E1的光學(xué)元件M進行調(diào)芯作業(yè)就使它們自動地成為調(diào)芯的狀態(tài)。而且,由于不需要花費時間的調(diào)芯作業(yè),所以能夠批量生產(chǎn)光傳感器組件,生產(chǎn)率優(yōu)異。但是,可知,在上述光傳感器組件中,根據(jù)情況不同,芯部42與光學(xué)元件M的光耦合損失的偏差增大。因此,本發(fā)明人研究了其原因,結(jié)果可知,在生產(chǎn)工序中,光波導(dǎo)路單元 W1的一對縱槽部4 之間的間隔(相對的縱槽部44a的底面44b之間的距離)Ls (參照圖 15的(a))存在一些偏差,并且,基板單元E1W總寬度(兩側(cè)的嵌合板部51a的側(cè)端緣51b 之間的距離)Lc(參照圖15的(b))也存在一些偏差。即,在設(shè)計時為Ls = Lc,但是在實際的生產(chǎn)中,由于零件公差,根據(jù)情況不同,有時Ls > Lc,有時Ls < Lc。當(dāng)Ls > Lc時,如圖15的(c)所示,基板單元E1晃動(參照圖示的箭頭F)而不能夠進行準(zhǔn)確的調(diào)芯,光耦合損失的偏差增大。當(dāng)Ls < Lc時,如圖15的(d)所示,基板單元E1向外側(cè)(向光學(xué)元件 M遠(yuǎn)離芯部42的透光面42a的方向)撓曲而使光耦合損失增大,或者相反地,基板單元E1 向內(nèi)側(cè)(向光學(xué)元件M靠近芯部42的透光面4 的方向)撓曲(未圖示)而使光耦合損失減小,大部分如圖15的(d)所示那樣向外側(cè)撓曲,光耦合損失的偏差增大。對于這樣使基板單元E1與上述光波導(dǎo)路單元W1嵌合的光傳感器組件,在上述光耦合損失的偏差根據(jù)情況不同而增大這一點上,存在有改進的余地。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明就是鑒于這種情況而做成的,其目的在于提供一種光波導(dǎo)路單元的芯部與基板單元的光學(xué)元件的光耦合損失的偏差減少的光傳感器組件。為了達到上述目的,本發(fā)明的光傳感器組件采取如下結(jié)構(gòu),該光傳感器組件是將光波導(dǎo)路單元與安裝有光學(xué)元件的基板單元相結(jié)合而成的,其中,上述光波導(dǎo)路單元具有 下包層;光路用的線狀的芯部,其形成于該下包層的表面;上包層,其覆蓋該芯部;基板單元嵌合用的左右一對嵌合部,其形成于上述上包層的相對于上述芯部的透光面處于適當(dāng)位置的部分;上述基板單元具有基板;光學(xué)元件,其安裝于該基板上的規(guī)定部分;一對被嵌合部,其形成于上述基板的相對于該光學(xué)元件處于適當(dāng)位置的部分,與上述基板單元嵌合用的嵌合部相嵌合;突出設(shè)置部,其在上述一對被嵌合部的至少一個被嵌合部上向側(cè)方突出地設(shè)置,剛性比上述基板的剛性低;使形成于上述基板單元的上述被嵌合部連同上述突出設(shè)置部一起與形成于上述光波導(dǎo)路單元的上述嵌合部相嵌合,在上述突出設(shè)置部因與上述嵌合部的抵接而變形的狀態(tài)下、且在上述基板單元未撓曲的狀態(tài)下進行上述光波導(dǎo)路單元與上述基板單元的結(jié)合。
本發(fā)明人以在光傳感器組件中使光波導(dǎo)路單元的芯部與基板單元的光學(xué)元件的光耦合損失的偏差減少、并且減小該光耦合損失為目的,對該光傳感器組件的構(gòu)造進行了反復(fù)研究。在該過程中,設(shè)想對本申請人以前申請的、如圖14的(a)、圖14的(b)所示的、 使形成于基板單元的被嵌合部與形成于光波導(dǎo)路單元的嵌合部相嵌合而成的光傳感器組件施加改進。即,在基板單元的一對被嵌合部的至少一個被嵌合部上,向側(cè)方突出地設(shè)置剛性比基板的剛性低的突出設(shè)置部,使上述突出設(shè)置部在上述嵌合狀態(tài)下因與上述嵌合部的抵接而變形,利用該變形來吸收零件公差。其結(jié)果,本發(fā)明人發(fā)現(xiàn),基板單元不會晃動或撓曲,因此上述基板單元與上述光波導(dǎo)路單元的結(jié)合穩(wěn)定,上述光耦合損失減少,從而做成了本發(fā)明。對于本發(fā)明的光傳感器組件,在光波導(dǎo)路單元中,芯部的透光面與基板單元嵌合用的嵌合部處于適當(dāng)?shù)奈恢藐P(guān)系。另外,在基板單元中,光學(xué)元件與嵌合于上述嵌合部的被嵌合部處于適當(dāng)?shù)奈恢藐P(guān)系。因此,在使形成于上述基板單元的上述被嵌合部與形成于上述光波導(dǎo)路單元的上述嵌合部相嵌合的狀態(tài)下,即在上述光波導(dǎo)路單元與上述基板單元相結(jié)合的狀態(tài)下,成為自動地調(diào)芯后的狀態(tài)。而且,在該狀態(tài)下,上述基板單元的上述突出設(shè)置部因與上述嵌合部的抵接而變形,利用該變形來吸收零件公差,因此,上述基板單元不會晃動或撓曲。即,能夠使光波導(dǎo)路單元的芯部與基板單元的光學(xué)元件的光耦合損失的偏差減少。特別是,當(dāng)形成于上述光波導(dǎo)路單元的上述左右一對嵌合部為沿上述光波導(dǎo)路單元的厚度方向延伸的縱槽部、上述縱槽部的底面的寬度設(shè)定為上述被嵌合部的厚度的2倍值以下、形成于上述基板單元的上述突出設(shè)置部被定位于上述縱槽部的底面時,上述基板單元的嵌合更穩(wěn)定,能夠更可靠地防止基板單元的晃動或撓曲。另外,當(dāng)上述基板單元的上述突出設(shè)置部為銅制的時,該突出設(shè)置部易于變形,向上述縱槽部的嵌合變?nèi)菀住?br>

圖1的(a)是示意性地表示本發(fā)明的光傳感器組件的一實施方式的俯視圖,圖1 的(b)是從右斜上方觀察圖1的(a)的右端部的立體圖。圖2的(a)是示意性地表示上述光傳感器組件的光波導(dǎo)路單元的俯視圖,圖2的 (b)是從右斜上方觀察圖2的(a)的右端部的立體圖。圖3的(a)是示意性地表示上述光傳感器組件的基板單元的俯視圖,圖3的(b) 是從左斜上方觀察圖3的(a)的左側(cè)的立體圖。圖4是示意性地表示上述基板單元向上述光波導(dǎo)路單元嵌合的方法的側(cè)視圖。圖5的(a) 圖5的(c)是示意性地表示上述光波導(dǎo)路單元的上包層及芯部的形成工序的說明圖。圖6的(a)是示意性地表示用于上述光波導(dǎo)路單元的上包層的形成的成形模具的立體圖,圖6的(b) 圖6的(d)是示意性地表示該上包層的形成工序的說明圖。圖7的(a) 圖7的(c)是示意性地表示上述基板單元的制作工序的說明圖。圖8的(a)、圖8的(b)是繼圖7之后示意性地表示基板單元的制作工序的說明圖。
圖9的(a)、圖9的(b)是示意性地表示上述光波導(dǎo)路單元的縱槽部的變形例的俯視圖。圖10是示意性地表示上述基板單元的變形例的俯視圖。圖11的(a)、圖11的(b)是示意性地表示上述基板單元的另一變形例的俯視圖。圖12是示意性地表示使用了上述光傳感器組件的觸摸面板用檢測部件的俯視圖。圖13的(a)、圖13的(b)是示意性地表示以往的光傳感器組件的調(diào)芯方法的說明圖。圖14的(a)是示意性地表示本申請人以前申請的光傳感器組件的俯視圖,圖14 的(b)是從右斜上方觀察圖14的(a)的右端部的立體圖。圖15的(a) 圖15的(d)是說明本申請人以前申請的上述光傳感器組件的課題的說明圖。
具體實施例方式接著,基于附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實施方式。圖1的(a)是示意性地表示本發(fā)明的光傳感器組件的一實施方式的俯視圖,圖1 的(b)是從右斜上方觀察其右端部的立體圖。該光傳感器組件是如下所述那樣改進了圖14 的(a)、圖14的(b)所示的、本申請人以前申請的光傳感器組件的基板單元E1后的光傳感器組件。即,在基板單元氏的整形基板5的左右兩側(cè)部(整形基板5的寬度方向兩側(cè)部) 的嵌合板部(被嵌合部) 上,分別形成有向側(cè)方突出的板狀的突出設(shè)置部P。上述突出設(shè)置部P的剛性比整形基板5的剛性低,易于變形。另外,考慮到零件公差,如此在整形基板5 的左右兩側(cè)部設(shè)置突出設(shè)置部P而成的基板單元氏的總寬度Lc (參照圖3的(a))設(shè)定得比相對的縱槽部60的底面61之間的距離Ls(參照圖2的(a))稍大(Ls < Lc)。另外,上述基板單元E2的整形基板5的總寬度Lm(參照圖3的(a))設(shè)定得比上述距離Ls稍小(Lm < Ls)。而且,在上述基板單元氏與上述光波導(dǎo)路單元W2相嵌合的狀態(tài)下,如圖1的(a) 所示,上述基板單元氏的突出設(shè)置部P與上述縱槽部60的底面61抵接,并且,該突出設(shè)置部P的前端側(cè)因該抵接而撓曲變形,借助該變形部與上述縱槽部60的底面61之間的摩擦阻力,上述基板單元&適當(dāng)?shù)厍逗希炔换蝿右膊粨锨?。即,利用上述突出設(shè)置部P的變形來吸收零件公差。上述突出設(shè)置部P的變形取決于該突出設(shè)置部P的形成材料、厚度等,既可以彈性變形也可以塑性變形,但彈性變形能夠吸收振動,而且,與上述縱槽部60的底面 61之間的摩擦力增大,因此進一步提高了防止基板單元氏脫落的作用。這樣,在光傳感器組件中,在基板單元氏上向?qū)挾确较蛲怀龅卦O(shè)置上述突出設(shè)置部P、利用該突出設(shè)置部P的變形來吸收零件公差而成為調(diào)芯后的狀態(tài)是本發(fā)明的一大特征。進一步詳細(xì)說明上述實施方式,上述光波導(dǎo)路單元W2與圖14的(a)、圖14的(b) 所示的、本申請人以前申請的光傳感器組件的光波導(dǎo)路單元W1相同。S卩,如圖2的(a)、圖 2的(b)所示,上述光波導(dǎo)路單元W2借助粘接劑粘接在基座10的表面上,具有粘接在上述基座10的表面上的下包層1、以規(guī)定圖案的線狀形成在該下包層1的表面上的光路用的芯部2、以覆蓋該芯部2的狀態(tài)形成在上述下包層1的表面上的上包層3。在光波導(dǎo)路單元W2的一端部側(cè)(在圖2的(a)中為右側(cè)),下包層1及上包層3的不存在有芯部2的層疊部分(在圖2的(a)中為上下的部分)沿軸向延長。而且,在該延長部分4上,以沿厚度方向貫穿該延長部分4的狀態(tài)形成有上述一對縱槽部60。該縱槽部60的橫截面為大致U字狀 (底面61形成為平面、該底面61與兩側(cè)的壁面呈直角地形成的大致U字狀),被設(shè)計形成為相對于芯部2的透光面加處于適當(dāng)?shù)奈恢?。該實施方式與本申請人以前申請的光傳感器組件的不同之處在于基板單元E2的結(jié)構(gòu)。如上所述,該基板單元氏在各個嵌合板部如的側(cè)部突出地設(shè)置突出設(shè)置部P,將基板單元氏的總寬度Lc(參照圖3的(a))設(shè)定得比上述光波導(dǎo)路單元W2的、相對的上述縱槽部60的底面61之間的距離Ls(參照圖2的(a))稍大(Ls < Lc),將整形基板5的總寬度 Lm(參照圖3的(a))設(shè)定得比上述距離Ls (參照圖2的(a))稍小(Lm < Ls)。上述突出設(shè)置部P的、從上述嵌合板部fe的側(cè)端緣突出的突出量(超出長度)例如設(shè)定在0. 005mm 0. Imm的范圍內(nèi),該突出設(shè)置部P的厚度例如設(shè)定在0. 005mm 0. 02mm的范圍內(nèi)。除此以外,與圖14的(a)、圖14的(b)所示的、本申請人以前申請的光傳感器組件的基板單元E1 相同。說明該相同部分,如圖3的(a)、圖3的(b)所示,上述基板單元E2具有整形基板 5、借助絕緣層(未圖示)及光學(xué)元件安裝用焊盤(未圖示)安裝在該整形基板5的表面上的光學(xué)元件8、封固該光學(xué)元件8的封固樹脂9。在上述整形基板5上,以向整形基板5的寬度方向(圖3的(b)的左右方向)突出的狀態(tài)形成有用于與上述縱槽部60(參照圖2的 (a)、圖2的(b))相嵌合的嵌合板部fe。上述絕緣層形成在上述整形基板5的表面的規(guī)定部分。上述光學(xué)元件安裝用焊盤形成在上述絕緣層的表面中央部。上述光學(xué)元件8安裝在光學(xué)元件安裝用焊盤上。上述整形基板5的嵌合板部fe由蝕刻法形成,被相對于上述光學(xué)元件安裝用焊盤適當(dāng)?shù)囟ㄎ徊⒄?。因此,上述嵌合板部如相對于安裝在上述光學(xué)元件安裝用焊盤上的光學(xué)元件8形成在適當(dāng)?shù)奈恢谩A硗?,上述光學(xué)元件8的發(fā)光部或受光部形成在該光學(xué)元件8的表面上。另外,在上述絕緣層的表面上形成有與光學(xué)元件安裝用焊盤相連接的電路(未圖示)。而且,如圖1的(a)、圖1的(b)所示,在上述光傳感器組件中,在形成于上述基板單元氏上的上述嵌合板部fe連同各上述突出設(shè)置部P —起嵌合于形成于上述光波導(dǎo)路單元^2的上述一對縱槽部60內(nèi)的狀態(tài)下,光波導(dǎo)路單元W2與基板單元氏相結(jié)合而一體化。 上述嵌合(參照圖4)通過如下所述這樣進行,首先,使基板單元氏稍微傾斜地傾倒,使一個嵌合板部fe連同一個突出設(shè)置部P —起與一個縱槽部60稍微嵌合,之后,將傾斜地傾倒的上述基板單元氏復(fù)位,使另一個嵌合板部如連同突出設(shè)置部P —起與另一個縱槽部60稍微嵌合,在該狀態(tài)下壓入整體而成為完全的嵌合狀態(tài)。在該嵌合狀態(tài)下,如先前所述,上述基板單元氏的突出設(shè)置部P因與上述縱槽部60的底面61的抵接而變形,從而吸收零件公差。然后,上述變形了的突出設(shè)置部P維持與上述縱槽部60的底面61抵接的狀態(tài),上述基板單元E2既不晃動也不撓曲。在此,形成于光波導(dǎo)路單元W2的上述縱槽部60被設(shè)計形成為相對于芯部2的透光面加處于適當(dāng)?shù)奈恢?。另外,形成在基板單?amp;上的嵌合板部fe被設(shè)計形成為相對于光學(xué)元件8處于適當(dāng)?shù)奈恢?。因此,通過上述縱槽部60與嵌合板部fe的嵌合,芯部2的透光面加與光學(xué)元件8自動地被適當(dāng)?shù)囟ㄎ?,成為調(diào)芯后的狀態(tài)。即,在上述嵌合狀態(tài)下,上述突出設(shè)置部P以變形了的狀態(tài)被定位在上述縱槽部60的底面61上,從而上述光學(xué)元件8 的圖1的(b)中的左右方向(X軸方向)的位置被相對于上述基座10適當(dāng)?shù)囟ㄎ?。另外?在上述嵌合狀態(tài)下,沿寬度方向突出的上述嵌合板部fe的下端緣與基座10的表面抵接,通過該抵接,上述光學(xué)元件8被沿與基座10的表面呈直角的方向(Y軸方向)適當(dāng)?shù)囟ㄎ弧T谠撉闆r下,設(shè)計為一個突出設(shè)置部P與另一個突出設(shè)置部P的變形寬度大致相等,不會產(chǎn)生由左右的突出設(shè)置部P的變形寬度的差異引起的誤差。為了消除這種左右的突出設(shè)置部P的變形寬度之差,例如也可以在兩突出設(shè)置部P的大致對稱位置處,加上用于使其變形的作為引導(dǎo)的折痕(虛線狀的切口、半切割等),使其從此處變形。另外,也可以通過減小突出設(shè)置部P的突出量來減小能夠變形的區(qū)域,從而消除變形寬度之差。如此減小突出尺寸情況下的突出設(shè)置部P的突出量優(yōu)選設(shè)定在0. 005mm 0. 02mm的范圍內(nèi)。另外,在該實施方式中,如圖1的(a)、圖1的(b)所示,在基座10的與上述基板單元&相對應(yīng)的部分,形成有四邊形的貫通孔10a,基板單元氏的一部分從基座10的背面突出。該基板單元氏的突出部分在基座10的背面?zhèn)壤缗c用于向光學(xué)元件發(fā)送信號等的母板(未圖示)等相連接。上述光傳感器組件經(jīng)由下述(1) (3)的工序制造而成。(1)制作上述光波導(dǎo)路單元W2的工序(參照圖5的(a) 圖5的(c)、圖6的(a) 圖6的(d))。另外,用于說明該工序的圖5的(a) 圖5的(C)、圖6的(a) 圖6的(d) 是相當(dāng)于圖1的(a)的縱剖視圖的附圖。(2)制作上述基板單元E2的工序(參照圖7的(a) 圖7的(c)、圖8的(a) 圖8的(b))。(3)將上述基板單元氏與上述光波導(dǎo)路單元W2相結(jié)合的工序。說明上述(1)的制作光波導(dǎo)路單元W2的工序。首先,準(zhǔn)備在形成下包層1時所用的平板狀的基板20(參照圖5的(a))。作為該基板20的形成材料,例如能夠列舉出玻璃、 石英、硅、樹脂、金屬等。其中,優(yōu)選不銹鋼制基板。這是因為,不銹鋼制基板相對于熱量的耐伸縮性優(yōu)異,在上述光波導(dǎo)路裝置的制造過程中,各種尺寸均大致維持為設(shè)計值。另外, 基板20的厚度例如設(shè)定在20 μ m Imm的范圍內(nèi)。接著,如圖5的(a)所示,在上述基板20的表面的規(guī)定區(qū)域,涂敷在溶劑中溶解有下包層形成用的感光性環(huán)氧樹脂等感光性樹脂而成的清漆,之后根據(jù)需要,對該涂敷的清漆進行加熱處理(50°C 120°C X 10分鐘 30分鐘左右)而使其干燥,形成下包層1形成用的感光性樹脂層1A。然后,利用紫外線等照射線對該感光性樹脂層IA進行曝光,從而形成為下包層1。下包層1的厚度通常設(shè)定在1 μ m 50 μ m的范圍內(nèi)。接著,如圖5的(b)所示,在上述下包層1的表面上,與上述下包層形成用的感光性樹脂層IA的形成方法相同地形成芯部形成用的感光性樹脂層2A。然后,隔著形成有與芯部2的圖案相對應(yīng)的開口圖案的光掩模,利用照射線對上述感光性樹脂層2A進行曝光。接著,在進行了加熱處理之后,使用顯影液進行顯影,從而如圖5的(c)所示,溶解并去除上述感光性樹脂層2A中的未曝光部分,將殘留的感光性樹脂層2A形成為芯部2的圖案。芯部 2的厚度(高度)通常設(shè)定在5 μ m 60 μ m的范圍內(nèi)。芯部2的寬度通常設(shè)定在5 μ m 60 μ m的范圍內(nèi)。另外,作為上述芯部2的形成材料,例如能夠列舉出與上述下包層1相同的感光性樹脂,可使用折射率大于上述下包層1及上包層3(參照圖6的(C))的形成材料的折射率的材料。例如通過選擇上述下包層1、芯部2、上包層3的各形成材料的種類、調(diào)整組成比率來進行該折射率的調(diào)整。接著,準(zhǔn)備成形模具30 (參照圖6的(a))。該成形模具30是用于同時模具成形上包層3 (參照圖6的(C))和上包層3的具有基板單元嵌合用的縱槽部60 (參照圖6的(C)) 的延長部分4的模具。在該成形模具30的下表面上,如圖6的(a)從下向上看到的立體圖所示,形成有具有與上述上包層3的形狀相對應(yīng)的模面的凹部31。該凹部31具有用于形成上述延長部分4的部分31a和用于形成透鏡部北(參照圖6的(C))的部分31b。并且, 在上述延長部分形成用的部分31a,形成有用于成形上述基板單元嵌合用的縱槽部60的與上包層3相對應(yīng)的部分的突條32。另外,在上述成形模具30的上表面上形成有對準(zhǔn)標(biāo)記 (未圖示),在使用上述成形模具30時,使該對準(zhǔn)標(biāo)記與芯部2的透光面2a(在圖6的(b) 中為右端面)對位而對成形模具30適當(dāng)?shù)囟ㄎ?,上述凹?1及突條32形成在以該對準(zhǔn)標(biāo)記為基準(zhǔn)的適當(dāng)?shù)奈恢?。因此,使上述成形模?0的對準(zhǔn)標(biāo)記與芯部2的透光面加對位來設(shè)置上述成形模具30,當(dāng)在該狀態(tài)下進行成形時,能夠在以芯部2的透光面加為基準(zhǔn)的適當(dāng)?shù)奈恢猛瑫r模具成形上包層3和基板單元嵌合用的縱槽部60。另外,通過使該成形模具30的下表面貼緊下包層1的表面來設(shè)置上述成形模具30,通過該成形模具30的設(shè)置,由上述凹部31的模面、下包層1的表面和芯部2的表面圍成的空間成為成形空間33。而且,在上述成形模具30上,以與上述凹部31連通的狀態(tài)形成有用于將上包層形成用的樹脂注入上述成形空間33中的注入孔(未圖示)。另外,作為上述上包層形成用的樹脂,例如能夠列舉出與上述下包層1相同的感光性樹脂。在該情況下,由于需要利用紫外線等照射線透過該成形模具30對填滿于上述成形空間33中的感光性樹脂進行曝光,因此,作為上述成形模具30,采用由透過照射線的材料構(gòu)成的成形模具(例如石英制的成形模具)。另外,作為上包層形成用的樹脂,也可以使用熱固性樹脂,在該情況下,作為上述成形模具30,與透明性無關(guān),可采用例如金屬制、石英制的成形模具。然后,如圖6的(b)所示,將上述成形模具30在將該成形模具30的對準(zhǔn)標(biāo)記與上述芯部2的透光面加對位并將成形模具30整體適當(dāng)?shù)囟ㄎ坏臓顟B(tài)下,使該成形模具30的下表面貼緊下包層1的表面。接著,從形成在上述成形模具30上的注入孔向由上述凹部31 及突條32的模面、下包層1的表面和芯部2的表面圍成的成形空間33內(nèi)注入上包層形成用的樹脂,用上述樹脂填滿上述成形空間33。接著,在該樹脂為感光性樹脂的情況下,透過上述成形模具30利用紫外線等照射線進行曝光,之后進行加熱處理,在上述樹脂為熱固性樹脂的情況下,進行加熱處理。由此,上述上包層形成用的樹脂固化,在形成上包層3的同時,形成基板單元嵌合用的縱槽部60 (上包層3的延長部分4)。此時,在下包層1與上包層 3為相同的形成材料的情況下,下包層1與上包層3在其接觸部分產(chǎn)生同化。接著,進行脫模,如圖6的(c)所示,獲得上包層3和基板單元嵌合用的縱槽部60 的與上包層3相對應(yīng)的部分。如先前所述,該基板單元嵌合用的縱槽部60的部分使用上述成形模具30而以芯部2的透光面加為基準(zhǔn)地形成,因此相對于芯部2的透光面加被定位在適當(dāng)?shù)奈恢谩A硗?,也能將上述上包?的透鏡部北定位在適當(dāng)?shù)奈恢谩?br> 上述上包層3的厚度(距下包層1的表面的厚度)通常設(shè)定在大于芯部2的厚度且小于等于1200 μ m的范圍內(nèi)。另外,上述基板單元嵌合用的縱槽部60的大小與嵌合在該縱槽部60內(nèi)的基板單元&的嵌合板部fe及突出設(shè)置部P的大小相對應(yīng)地形成,例如槽深設(shè)定在0. 2mm 1. 2mm的范圍內(nèi),槽寬設(shè)定在0. 2mm 2. Omm的范圍內(nèi)。接著,如圖6的(d)所示,從下包層1的背面剝離基板20 (參照圖示的箭頭)。此時,下包層1的與上包層3的上述縱槽部60相對應(yīng)的部分Ia等這樣的、不存在有上包層3 的部分Ib與上包層3之間不具有粘接力,因此,通常以附著在基板20上的狀態(tài)(與基板20 一起)進行剝離。下包層1的除該剝離部分以外的部分維持與上包層3粘接在一起的狀態(tài), 在下包層1的背面與基板20之間進行剝離。此時,下包層1的與上述縱槽部60相對應(yīng)的部分Ia與上述基板20 —起被剝離去除,從而基板單元嵌合用的縱槽部60沿厚度方向貫穿下包層1及上包層3而形成。由此,獲得具有下包層1、芯部2、上包層3的、形成有上述基板單元嵌合用的縱槽部60的光波導(dǎo)路單元W2,上述(1)的制作光波導(dǎo)路單元W2的工序完成。然后,如圖2的(a)、圖2的(b)所示,利用粘接劑將上述光波導(dǎo)路單元W2粘接在亞克力板(acrylic plate)等基座10上。此時,下包層1與基座10粘接在一起。作為上述基座10,使用表面上沒有凹凸的基座,而與材質(zhì)、透明性、厚度無關(guān),若舉例,則除了上述壓克力板以外,還可列舉出聚丙烯(PP)板、金屬板、陶瓷板等。另外,上述基座10的厚度例如設(shè)定在500 μ m 5mm的范圍內(nèi)。接著,說明上述(2)的制作基板單元E2的工序。首先,準(zhǔn)備作為上述整形基板5的基材的基板5A(參照圖7的(a))。作為該基板5A的形成材料,例如能夠列舉出金屬、樹脂等。其中,基于易加工性及尺寸穩(wěn)定性的觀點,優(yōu)選不銹鋼制基板。另外,上述基板5A的厚度例如設(shè)定在0. 02mm 0. Imm的范圍內(nèi)。接著,如圖7的(a)所示,在上述基板5A的表面的規(guī)定區(qū)域,涂敷在溶劑中溶解有感光性聚酰亞胺樹脂等的、絕緣層形成用的感光性樹脂而成的清漆,之后根據(jù)需要,對該涂敷的清漆進行加熱處理而使其干燥,形成絕緣層形成用的感光性樹脂層。然后,隔著光掩模利用紫外線等照射線對該感光性樹脂層進行曝光,從而形成為規(guī)定形狀的絕緣層6。絕緣層 6的厚度通常設(shè)定在5 μ m 15 μ m的范圍內(nèi)。接著,如圖7的(b)所示,在上述絕緣層6的表面上,利用相同的材料(通常是作為電路的形成材料的金屬材料)形成光學(xué)元件安裝用焊盤7、與該光學(xué)元件安裝用焊盤7相連接的上述電路(未圖示)以及形成在突出設(shè)置部P(參照圖8的(a))上的晶種層Po。該形成例如如下所述這樣進行。即,首先,利用濺射或無電解鍍等在上述絕緣層6的表面形成金屬層(厚度60nm ^K)nm左右)。該金屬層為進行之后的電解鍍時的晶種層(成為形成電解鍍層的基礎(chǔ)的層)。接著,在由上述基板5A、絕緣層6及晶種層構(gòu)成的層疊體的兩面上粘合干膜抗蝕劑,之后在形成有上述晶種層的一側(cè)的干膜抗蝕劑上,利用光刻法同時形成上述安裝用焊盤7、電配線以及突出設(shè)置部形成用晶種層Po的圖案的孔部,使上述晶種層的表面部分在該孔部的底部暴露出。接著,利用電解鍍,在上述晶種層的在上述孔部的底部暴露出的表面部分,層疊形成電解鍍層(厚度5μπι 20μπι左右)。然后,利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述干膜抗蝕劑。之后,利用軟蝕刻去除未形成有上述電解鍍層的晶種層部分,將由殘留的電解鍍層與其下方的晶種層構(gòu)成的層疊部分形成為安裝用焊盤7、電配線及突出設(shè)置部形成用晶種層Po。如上所述,該突出設(shè)置部形成用晶種層Po利用使用了一個光掩模的光刻法與安裝用焊盤7同時形成,因此以適當(dāng)?shù)男螤钚纬稍谙鄬τ谠摪惭b用焊盤 7高精度設(shè)定的位置。通過該形成,一對突出設(shè)置部形成用晶種層Po的外側(cè)端緣之間的距離(成為基板單元&的總寬度Lc的距離)大于形成于光波導(dǎo)路單元W2的縱槽部60的底面61之間的距離Ls (參照圖2的(a))。接著,如圖7的(c)所示,將上述基板5A形成為在相對于安裝用焊盤7適當(dāng)?shù)奈恢锰幘哂星逗习宀縡e的整形基板5。此時,整形基板5的總寬度Lm小于形成于光波導(dǎo)路單元W2的縱槽部60的底面61之間的距離Ls。該整形基板5的形成例如如下所述這樣進行。 即,首先,用干膜抗蝕劑覆蓋上述基板5A的背面。然后,利用光刻法使在相對于安裝用焊盤 7適當(dāng)?shù)奈恢眯纬捎星逗习宀縡e地保留目標(biāo)形狀的干膜抗蝕劑的部分。然后,通過使用氯化鐵水溶液進行蝕刻來去除基板5A的除了該保留的干膜抗蝕劑的部分之外的暴露出的部分。通過該去除,將上述基板5A形成為具有嵌合板部fe的整形基板5。接著,利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述干膜抗蝕劑。通過如上所述那樣將基板5A整形為整形基板5,絕緣層 6的一部分從整形基板5超出。另外,上述突出設(shè)置部形成用晶種層Po的側(cè)端緣部分也從嵌合板部fe的側(cè)端緣超出,該突出設(shè)置部形成用晶種層Po形成為突出設(shè)置部P。另外,上述整形基板5中的嵌合板部fe的大小,例如縱向長度L1設(shè)定在0. 5mm 5. Omm的范圍內(nèi), 橫向長度L2設(shè)定在0. 5mm 5. Omm的范圍內(nèi)。接著,如圖8的(a)所示,通過蝕刻去除超出的多余的絕緣層6的部分。該方法例如如下所述進行。即,首先,用干膜抗蝕劑覆蓋上述整形基板5的背面及從整形基板5超出的絕緣層6的背面。接著,利用光刻法保留干膜抗蝕劑的所去除的多余的絕緣層6的部分以外的部分。然后,利用聚酰亞胺蝕刻液通過蝕刻去除該保留的干膜抗蝕劑的部分以外的暴露出的絕緣層6的部分。接著,利用氫氧化鈉水溶液等剝離上述干膜抗蝕劑。然后,如圖8的(b)所示,在將光學(xué)元件8安裝在安裝用焊盤7上之后,利用透明樹脂對上述光學(xué)元件8及其周邊部進行灌注封裝。上述光學(xué)元件8的安裝用安裝機進行, 利用該安裝機所具有的定位相機等定位裝置將上述光學(xué)元件8正確地定位于安裝用焊盤 7。由此,獲得包括具有嵌合板部fe的整形基板5、絕緣層6、安裝用焊盤7、突出設(shè)置部P、 光學(xué)元件8、封固樹脂9的基板單元E2,上述(2)的制作基板單元E2的工序完成。在該基板單元E2中,如先前所述,以安裝用焊盤7為基準(zhǔn)地形成嵌合板部5a,因此,安裝在該安裝用焊盤7上的光學(xué)元件8與嵌合板部fe處于適當(dāng)?shù)奈恢藐P(guān)系。接著,說明上述(3)的光波導(dǎo)路單元W2與基板單元E2的結(jié)合工序。S卩,首先,如圖 4所示,在使基板單元氏的光學(xué)元件8 (參照圖3的(a)、圖3的(b))的表面(發(fā)光部或受光部)朝向光波導(dǎo)路單元W2的芯部2的(參照圖2的(a)、圖2的(b))的透光面加側(cè)的狀態(tài)下,使基板單元氏稍微傾斜地傾倒,使一個嵌合板部如連同突出設(shè)置部P —起與形成于光波導(dǎo)路單元W2的基板單元嵌合用的一個縱槽部60稍微嵌合。接著,將傾斜地傾倒的上述基板單元氏復(fù)位,使另一個嵌合板部如連同突出設(shè)置部P —起與另一個縱槽部60稍微嵌合,在該狀態(tài)下壓入整體,使上述光波導(dǎo)路單元W2與基板單元氏一體化(參照圖1的 (a)、圖1的(b))。此時,上述基板單元氏的突出設(shè)置部P因與上述縱槽部60的底面61抵接而變形,在該狀態(tài)下,維持與上述縱槽部60的底面61抵接的狀態(tài)。然后,通過上述突出設(shè)置部P的變形來吸收零件公差,上述基板單元E2既不晃動也不撓曲。另外,也可以利用粘接劑來固定上述縱槽部60與嵌合板部fe及突出設(shè)置部P的嵌合部分。這樣,目標(biāo)光傳感器組件完成。圖9的(a)、圖9的(b)是示意性地表示形成于光波導(dǎo)路單元W2的縱槽部60的變形例的俯視圖。這些變形例設(shè)計為縱槽部60的底面61的寬度狹小地設(shè)定為上述嵌合板部 5a的厚度的2倍值以下,使左右的突出設(shè)置部P的變形寬度之差極其小或沒有變形寬度之差。即,在圖9的(a)中,在底面61上形成有臺階部,寬度階梯式地變窄。在圖9的(b)中, 在底面61上形成有曲面狀的傾斜面,寬度逐漸地變窄。除此以外的部分與圖1的(a)、圖1 的(b)所示的實施方式相同。另外,通過使圖1的(a)、圖1的(b)所示的縱槽部60的寬度整體變窄,如上所述,也可以使縱槽部60的底面61的寬度變窄。通過如這些變形例所述使縱槽部60的底面61的寬度變窄,上述基板單元氏的嵌合更穩(wěn)定,能夠更可靠地防止基板單元氏的晃動或撓曲。另外,在上述實施方式中,在形成基板單元E2的安裝用焊盤7及電配線的同時,利用相同的材料形成了基板單元氏的突出設(shè)置部P,但是突出設(shè)置部P的形成方法也可以另有他法。例如,也可以在樹脂封裝光學(xué)元件8之后、利用粘接劑將成為上述突出設(shè)置部P的片粘接在嵌合板部fe的側(cè)端緣部。作為上述片的形成材料,既可以是與安裝用焊盤7及電配線相同的金屬材料,也可以是與其不同的材料。作為這種材料,例如能夠列舉出合成樹脂、橡膠等。另外,在上述實施方式中,將基板單元氏的突出設(shè)置部P形成在基板單元氏的兩側(cè),但是如圖10所示,也可以僅在一側(cè)形成突出設(shè)置部P。而且,在上述實施方式中,將基板單元氏的突出設(shè)置部P與基板單元氏的安裝用焊盤7及電配線形成在同一面上,但是如圖11的(a)、圖11的(b)所示,也可以在與安裝用焊盤7相反的一側(cè)的面上像上述那樣粘接片等來形成突出設(shè)置部P。圖11的(a)是示出了在基板單元氏的兩側(cè)形成有突出設(shè)置部P的圖,圖11的(b)是示出了僅在基板單元E2的一側(cè)形成有突出設(shè)置部P的圖。而且,通過例如圖12所示那樣形成為兩個L字形的光傳感器組件S1A2,并將這兩個光傳感器組件Si、S2做成四邊形的框狀來使用,能夠?qū)⑸鲜霰景l(fā)明的光傳感器組件用作觸摸面板中的手指等的觸摸位置的檢測部件。即,將安裝有發(fā)光元件8a的基板單元&嵌合在一個L字形的光傳感器組件S1的角部的兩個光波導(dǎo)路單元W2上,芯部2的光H所出射的端面2b及上包層3的透鏡面朝向上述框狀的內(nèi)側(cè)。將安裝有受光元件8b的基板單元&嵌合在另一個L字形的光傳感器組件&的角部的一個光波導(dǎo)路單元W2上,上包層3的光H所入射的透鏡面及芯部2的端面2b朝向上述框狀的內(nèi)側(cè)。而且,以包圍觸摸面板的四邊形的顯示器D的屏幕的方式,沿著該屏幕周緣部的四邊形設(shè)置上述兩個L字形的光傳感器組件, 使來自一個L字形的光傳感器組件S1的出射光H能夠被另一個L字形的光傳感器組件& 接收。由此,能夠使上述出射光H在顯示器D的屏幕上與該屏幕平行地以網(wǎng)格狀走行。因此,在用手指觸摸顯示器D的屏幕時,該手指遮擋出射光H的一部分,由受光元件8b感知該被遮擋的部分,從而能夠檢測出上述手指所觸摸的部分的位置。另外,在圖12中省略了基板單元&的突出設(shè)置部P。另外,用虛線表示芯部2,該虛線的粗細(xì)表示芯部2的粗細(xì),并且省略圖示芯部2的數(shù)量。接著,一并說明實施例與以往例。但是,本發(fā)明并不限定于實施例。
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實施例通過混合雙苯氧基乙醇芴二縮水甘油醚(成分A) 35重量份、作為脂環(huán)式環(huán)氧樹脂的3’,4’_環(huán)氧環(huán)己基甲基-3,4-環(huán)氧環(huán)己烷羧酸酯(DAICEL CHEMICAL INDUSTRIES, LTD. 制、CELLOXIDE 2021P)(成分B) 40重量份、(3’,4,-環(huán)氧環(huán)己烷)甲基_3,,4,-環(huán)氧環(huán)己基-羧酸酯(DAICEL CHEMICALINDUSTRIES, LTD.制、CELL0XIDE2081)(成分 C) 25 重量份、 4,4,-雙[二(β-羥基乙氧基)苯基锍(phenylsulfinio)]苯基硫醚-雙-六氟銻酸酯的50重量%碳酸丙二醇酯溶液(成分D) 2重量份,調(diào)制出下包層和上包層的形成材料。。芯部的形成材料通過在乳酸乙酯中溶解上述成分A:70重量份、1,3,3_三{4_[2_(3_氧雜環(huán)丁烷基)]丁氧基苯基} 丁烷30重量份、上述成分D :1重量份,調(diào)制出芯部的形成材料。光波導(dǎo)路單元的制作首先,利用涂抹器在不銹鋼制基板的表面涂敷上述下包層的形成材料之后,通過照射2000mJ/cm2的紫外線(波長365nm)進行曝光,從而形成下包層(厚度25 μ m)(參照圖5的(a))。接著,利用涂抹器在上述下包層的表面涂敷上述芯部的形成材料之后,進行 IOO0C X 15分鐘的干燥處理,形成感光性樹脂層(參照圖5的(b))。接著,在感光性樹脂層的上方配置形成有與芯部的圖案相同形狀的開口圖案的合成石英系的鉻掩模(光掩模)。 然后,在鉻掩模的上方利用接近式曝光法照射4000mJ/cm2的紫外線(波長365nm)而進行曝光之后,進行80°C X15分鐘的加熱處理。接著,通過使用Y-丁內(nèi)酯水溶液進行顯影, 在溶解去除了未曝光部分之后,進行120°C X30分鐘的加熱處理,從而形成了芯部(厚度 50 μ m,寬度50 μ m)(參照圖5的(c))。接著,以芯部的透光面為基準(zhǔn)地將石英制的成形模具(參照圖6的(a))設(shè)置在適當(dāng)位置(參照圖6的(b)),該成形模具用于將上包層和基板單元嵌合用的縱槽部(上包層的延長部分)同時模具成形。然后,在將上述上包層及其延長部分的形成材料注入到成形空間中之后,透過該成形模具照射2000mJ/cm2的紫外線而進行曝光。接著,在進行 120°C X 15分鐘的加熱處理之后脫模,得到上包層和基板單元嵌合用的縱槽部(參照圖6 的(C))。上述上包層的厚度(自下包層的表面起的厚度)用接觸式膜厚計測量為1000 μ m。然后,自下包層的背面剝離不銹鋼制基板(參照圖6的(d))。此時,下包層的與上包層的上述縱槽部相對應(yīng)的部分這樣的、不存在上包層的部分以附著于不銹鋼制基板的狀態(tài)(與不銹鋼制基板一同)剝離。結(jié)果,縱槽部形成為在厚度方向上貫穿下包層和上包層。 然后,使用粘接劑將該剝離的光波導(dǎo)路單元粘接在亞克力板上(參照圖2的(a)、(b))。上述縱槽部的形狀設(shè)為圖1的(a)所示的橫截面大致U字狀。另外,相對的上述縱槽部的底面間的距離(Ls)為14.00mm?;鍐卧闹谱髟诓讳P鋼制基板05讓\30111111\5(^111(厚度))的表面的一部分形成由感光性聚酰亞胺樹脂構(gòu)成的絕緣層(厚度IOym)(參照圖7的(a))。接著,利用半加成法在上述絕緣層的表面形成由晶種層和電解銅鍍層(厚度IOym)構(gòu)成的層疊體,該晶種層由銅/鎳/鉻合金構(gòu)成。并且,對該層疊體的表面進行鍍金/鍍鎳處理(厚度金/鎳=0. 2 μ m/2. 0 μ m),形成由上述層疊體和金/鎳鍍層構(gòu)成的光學(xué)元件安裝用焊盤、電配線以及突出設(shè)置部用晶種層(參照圖7的(b))。接著,為了在相對于上述光學(xué)元件安裝用焊盤而言的適當(dāng)?shù)奈恢眯纬汕逗习宀浚?通過利用干膜抗蝕劑進行蝕刻,將不銹鋼制基板形成為具有嵌合板部的整形基板(參照圖 7的(c))。該整形基板的總寬度(Lm)為13. 08mm。之后,同樣地利用干膜抗蝕劑通過蝕刻去除多余的絕緣層(參照圖8的(a))。利用氫氧化鈉水溶液剝離各個工序的上述干膜抗蝕劑。然后,在對上述光學(xué)元件安裝用焊盤的表面涂敷銀膏之后,使用高精度芯片焊接機(安裝裝置),借助上述銀膏在光學(xué)元件安裝用焊盤上安裝引線接合型的發(fā)光元件 (Optowell公司制,SM85-1N001)。接著,進行固化處理,使上述銀膏固化。之后,利用透明樹脂(日東電工公司制,NT-8038)將上述發(fā)光元件及其周邊部灌注封裝(參照圖8的(b))。 這樣,制成了基板單元。該基板單元的嵌合板部的尺寸是縱向長度為2. 0mm,橫向長度(突出長度)為2. 0mm,基板單元的整體寬度為14. 05mm。光傳感器組件的制造使形成在上述基板單元上的一個嵌合板部連同突出設(shè)置部一起與形成于上述光波導(dǎo)路單元的一個基板嵌合用的縱槽部相嵌合,接著,使另一個嵌合板部連同突出設(shè)置部一起與另一個縱槽部相嵌合,使一對嵌合板部的下端緣與亞克力板的表面相抵接。此時,上述基板單元的突出設(shè)置部以與上述縱槽部的底面抵接的狀態(tài)變形。之后,利用粘接劑固定該嵌合部。這樣,制造出光傳感器組件(參照圖1的(a)、圖1的(b))。以往例在上述實施例中,作為基板單元,制作了未形成有突出設(shè)置部的基板單元。該基板單元的總寬度與相對的上述縱槽部的底面間的距離(Ls)相同,但是由于零件公差,全部形成為比上述距離(Ls)大。除此以外的部分與上述實施例相同。在該以往例中,基板單元向上述發(fā)光元件遠(yuǎn)離芯部的透光面的方向撓曲。光耦合損失分別準(zhǔn)備5個(樣品數(shù)N = 5)上述實施例及以往例的光傳感器組件。然后,向各個光傳感器組件的發(fā)光元件中通入電流,使發(fā)光元件出射光,測量自光傳感器組件的前端部出射的光的強度,計算出光耦合損失。另外,也計算出其平均值及偏差。將其結(jié)果示于下述表1中。表 權(quán)利要求
1.一種光傳感器組件,其是將光波導(dǎo)路單元與安裝有光學(xué)元件的基板單元相結(jié)合而成的,其特征在于,上述光波導(dǎo)路單元具有下包層;光路用的線狀的芯部,其形成于該下包層的表面;上包層,其覆蓋該芯部;基板單元嵌合用的左右一對嵌合部,其形成于上述上包層的相對于上述芯部的透光面處于適當(dāng)位置的部分;上述基板單元具有基板;光學(xué)元件,其安裝于該基板上的規(guī)定部分;一對被嵌合部, 其形成于上述基板的相對于該光學(xué)元件處于適當(dāng)位置的部分,與上述基板單元嵌合用的嵌合部相嵌合;突出設(shè)置部,其在上述一對被嵌合部的至少一個被嵌合部上向側(cè)方突出地設(shè)置,剛性比上述基板的剛性低;使形成于上述基板單元的上述被嵌合部連同上述突出設(shè)置部一起與形成于上述光波導(dǎo)路單元的上述嵌合部相嵌合,在上述突出設(shè)置部因與上述嵌合部的抵接而變形的狀態(tài)下、且在上述基板單元未撓曲的狀態(tài)下進行上述光波導(dǎo)路單元與上述基板單元的結(jié)合。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的光傳感器組件,其特征在于,形成于上述光波導(dǎo)路單元的上述左右一對嵌合部為沿上述光波導(dǎo)路單元的厚度方向延伸的縱槽部,上述縱槽部的底面的寬度設(shè)定為上述被嵌合部的厚度的2倍值以下,形成于上述基板單元的上述突出設(shè)置部被定位于上述縱槽部的底面。
3.根據(jù)權(quán)利要求1或2所述的光傳感器組件,其特征在于,上述基板單元的上述突出設(shè)置部為銅制的。
全文摘要
本發(fā)明提供一種光波導(dǎo)路單元的芯部與基板單元的光學(xué)元件的光耦合損失的偏差減少的光傳感器組件。分別制作具有基板單元嵌合用的縱槽部(60)的光波導(dǎo)路單元(W2)和具有與該縱槽部嵌合的嵌合板部(5a)及突出設(shè)置部(P)的基板單元(E2),使基板單元的嵌合板部連同突出設(shè)置部一起與光波導(dǎo)路單元的縱槽部相嵌合。此時,通過突出設(shè)置部的變形來吸收零件公差,基板單元既不晃動也不撓曲。另外,光波導(dǎo)路單元的縱槽部相對于芯部(2)的透光面(2a)形成在適當(dāng)?shù)奈恢?,基板單元的嵌合板部相對于光學(xué)元件(8)形成在適當(dāng)?shù)奈恢茫虼送ㄟ^縱槽部與嵌合板部的嵌合,芯部(2)的透光面(2a)與光學(xué)元件被適當(dāng)定位,成為自動調(diào)芯的狀態(tài)。
文檔編號G02B6/13GK102385108SQ20111025249
公開日2012年3月21日 申請日期2011年8月29日 優(yōu)先權(quán)日2010年8月31日
發(fā)明者程野將行 申請人:日東電工株式會社
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