專利名稱：薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)及其修復(fù)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，特別是能夠利用激光焊接和激光切斷來修復(fù)點缺陷以及數(shù)據(jù)線斷線的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及能夠應(yīng)用于上述薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的修復(fù)方法。
背景技術(shù)：
在液晶面板制造過程中，修復(fù)是提高良率一個重要的手段。對于陣列基板所導(dǎo)致的缺陷，一般利用激光進行修復(fù)。激光修復(fù)可以分為激光切斷，即利用激光的熱能，將同層金屬或者非金屬薄膜切斷；激光焊接，即利用激光的熱能，將不同層的金屬薄膜進行上下的熔接，使得上下層金屬導(dǎo)通， 達(dá)到短路的目的；以及激光化學(xué)氣相沉積，即利用激光的分解能，將金屬前驅(qū)物進行分解成金屬，在金屬薄膜斷開的部位沉積，達(dá)到同層短路對斷路進行修復(fù)的目的。激光切斷和激光焊接一般采用同一種激光源，而激光化學(xué)氣相沉積采用不同的激光源，由于激光源和機臺的不同，一般激光化學(xué)氣相沉積比激光切斷和激光焊接的機臺成本和運營成本要高得多。目前我們對于點缺陷的修復(fù)，一般采用將明點進行暗點化的修復(fù)，S卩如果點缺陷為明點，通過激光切斷和焊接，將其變成暗點，由于常白模式TFT-LCD點缺陷主要為明點，因此此時比較有效，而對于常黑模式TFT-LCD來說，點缺陷主要為暗點，無需修復(fù)，但是如果暗點的數(shù)量超過了一定的數(shù)量，此時也無法進行出貨，造成了損失。而如果我們能將點缺陷，無論是明點還是暗點都修復(fù)成正常的點，那樣就沒有了修復(fù)數(shù)量的限制。目前我們對于數(shù)據(jù)線斷線的修復(fù)，主要采用激光化學(xué)氣相沉積的方法，但是此方法只能在陣列基板上進行，如果已經(jīng)經(jīng)過了成盒工程，則無法利用激光化學(xué)氣相沉積的方法，此時需要利用數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)線進行修復(fù)，而利用此方法進行數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)，一般情況下最多只能修復(fù)2根或4根數(shù)據(jù)線斷線，如果數(shù)據(jù)線斷線超過了這個限制，則此面板只能進行廢棄。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明通過改進像素結(jié)構(gòu)，使得利用激光切斷和激光焊接即可以完全修復(fù)由于溝道原因造成的點缺陷，并能夠修復(fù)多根數(shù)據(jù)線斷線，進而提高了產(chǎn)品的良率。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了一種薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其包括像素電極和公共電極線，像素電極與第一薄膜晶體管的漏極相連接，第一薄膜晶體管的源極連接至數(shù)據(jù)線，并且所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極線以及柵極線交叉；該薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的特征在于，還包括預(yù)設(shè)的輔助薄膜晶體管，當(dāng)所述像素結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)缺陷時，能夠通過將所述輔助薄膜晶體管選擇性地連接至所述像素結(jié)構(gòu)來修復(fù)所述缺陷。根據(jù)本發(fā)明的實施例，輔助薄膜晶體管的漏極與所述像素電極重疊。根據(jù)本發(fā)明的實施例，柵極線在與數(shù)據(jù)線交叉的位置處可以具有鏤空部分，并且所述鏤空部分與所述輔助薄膜晶體管的源極重疊。
根據(jù)本發(fā)明的實施例，輔助薄膜晶體管的源極可以與所述數(shù)據(jù)線相連或有重疊，并且與遮光線具有重疊。根據(jù)本發(fā)明的實施例，柵極線中的鏤空部分可以從所述柵極線斷開。根據(jù)本發(fā)明的實施例，公共電極線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置處具有鏤空部分，并且該鏤空部分在與數(shù)據(jù)線交叉的位置處的一側(cè)是斷開的。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了一種用于修復(fù)如第一方面所述的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的方法，其中當(dāng)?shù)谝槐∧ぞw管出現(xiàn)缺陷時，所述方法執(zhí)行如下步驟找到缺陷所在像素坐標(biāo)；通過激光焊接將所述輔助薄膜晶體管的漏極連接至所述像素電極；通過激光焊接將輔助薄膜晶體管的源極連接至鏤空的柵極線，并且將數(shù)據(jù)線連接至鏤空的柵極線；和利用激光切斷所述鏤空的柵極線部分與柵極線之間的連接。其中在像素結(jié)構(gòu)中輔助薄膜晶體管的源極已經(jīng)連接至數(shù)據(jù)線的情況下，省略上述第三步驟。根據(jù)本發(fā)明的第三方面，提供了一種用于修復(fù)如第一方面所述的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的方法，其中當(dāng)數(shù)據(jù)線中出現(xiàn)斷線時，所述方法執(zhí)行如下步驟找到缺陷所在像素坐標(biāo)；通過激光焊接將所述輔助薄膜晶體管的源極連接至遮光線；通過激光焊接將所述輔助薄膜晶體管的源極通過所述柵極線的鏤空部分連接至所述數(shù)據(jù)線；通過激光焊接將數(shù)據(jù)線連接至鏤空的公共電極線；和利用激光切斷所述公共電極線的鏤空部分與公共電極線之間的連接。其中在像素結(jié)構(gòu)中輔助薄膜晶體管的源極已經(jīng)連接至數(shù)據(jù)線的情況下，省略上述第三步驟。


下面將參照附圖對本發(fā)明的各個實施例進行詳細(xì)說明，附圖中圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的視圖；圖2是示出了在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)點缺陷的示意圖；圖3是示出了在根據(jù)本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線的示意圖；圖4是示出了在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)點缺陷的示意圖；圖5是示出了在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線時輔助薄膜晶體管處的操作的示意圖；圖6是示出了在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)點缺陷的示意圖；圖7是示出了在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線時輔助薄膜晶體管處的操作的示意圖；圖8是示出了在根據(jù)本發(fā)明第四實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)點缺陷的示意圖；圖9是示出了在根據(jù)本發(fā)明第四實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)數(shù)據(jù)線斷 線時輔助薄膜晶體管處的操作的示意圖；和圖10至圖13是示出了在根據(jù)本發(fā)明第二至第四實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線時鏤空公共電極線處的操作的示意圖。
具體實施方式
總體來說，利用本發(fā)明進行點缺陷修復(fù)時，首先將缺陷TFT源極切斷，然后用激光焊接將數(shù)據(jù)線通過鏤空的柵極線與輔助TFT的源極進行連接，之后通過打點焊接將輔助TFT的漏極與像素電極進行連接，這樣，最后要將柵極線多余的部位進行切除。利用本發(fā)明進行數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)時，首先用激光焊接將數(shù)據(jù)線通過鏤空的柵極線與輔助TFT的源極進行連接，之后用激光焊接將源極與遮光線連接，再之后用激光焊接將遮光線與鏤空的公共電極線連接，最后將柵極線與公共電極線多余的部位進行切除。下面參照附圖針對本發(fā)明的各個實施例進行詳細(xì)說明。<第一實施例>圖I是示出了根據(jù)本發(fā)明第一實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的視圖。如圖I所示，在正常的第一 TFT (薄膜晶體管)臨近數(shù)據(jù)線的一端增加一個輔助TFT (I. I)。輔助TFT的漏極(1.4)與像素電極具有重疊。輔助TFT的源極(1.5)與相鄰的遮光線具有重疊。柵極線(I. 6)在與數(shù)據(jù)線交叉的位置處被鏤空(I. 2)，鏤空的一端與輔助TFT的源極存在重疊。公共電極線在與數(shù)據(jù)線交叉的位置處具有鏤空(1.3)。針對第一實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，當(dāng)需要修復(fù)點缺陷時執(zhí)行如圖2所示的操作。圖2是針對本發(fā)明的第一實施例的像素結(jié)構(gòu)進行點缺陷修復(fù)的示意圖，其中2. I是產(chǎn)生缺陷所在位置。第一步，找到缺陷所在像素坐標(biāo)。第二步，利用激光焊接使輔助TFT的漏極與像素電極連接(2. 2)。第三步，利用激光焊接使鏤空柵極線與輔助TFT的源極(2. 3)以及鏤空柵極線與數(shù)據(jù)線(2.4)連接。第四步，利用激光切斷與輔助TFT連接的鏤空柵極線側(cè)的兩端(2. 5,2. 6)。第五步，利用激光切斷有缺陷的第一 TFT的源極(2. 7)。針對第一實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，當(dāng)需要修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線缺陷時執(zhí)行如圖3所示的操作。圖3是針對本發(fā)明的第一實施例的像素結(jié)構(gòu)進行數(shù)據(jù)線斷線修復(fù)的示意圖，其中3. I是產(chǎn)生缺陷所在位置。第一步，找到缺陷所在像素坐標(biāo)。第二步，利用激光焊接和激光切斷，有效地將輔助TFT的源極與數(shù)據(jù)線及遮光線進行連接，具體來說需要在3. 2,3. 3,3. 4處進行激光焊接，在3. 6,3. 7處進行激光切斷。第三步，利用激光焊接將數(shù)據(jù)線與鏤空公共電極線連接在一起(3. 5)。第四步，利用激光切斷與數(shù)據(jù)線連接的鏤空公共電極線側(cè)的兩端(3. 8,3. 9)。<第二實施例>圖4和圖5分別示出了在根據(jù)本發(fā)明第二實施例的像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)點缺陷以及數(shù)據(jù)線斷線的示意圖。可以看出，第二實施例的像素結(jié)構(gòu)與第一實施例的區(qū)別在于，鏤空柵極線的兩端已經(jīng)預(yù)先斷開，由此減少了修復(fù)處理中相應(yīng)的激光切斷操作。具體的可以在制作柵極線時，刻蝕斷開。針對第二實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，當(dāng)需要修復(fù)點缺陷時執(zhí)行如圖4所示的操作，其中4. I是產(chǎn)生缺陷所在位置。第一步，找到缺陷所在像素坐標(biāo)。第二步，利用激光焊接將輔助TFT的漏極與像素電極進行連接(4. 2)。第三步，利用激光焊接將鏤空柵極線與輔助TFT的源極(4. 3)以及鏤空柵極線與數(shù)據(jù)線(4.4)連接。第四步，利用激光切斷有缺陷的第一 TFT的源極(4. 5)。針對第二實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，當(dāng)需要修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線缺陷時在輔助薄膜晶體管處執(zhí)行如圖5所示的操作。第一步，找到缺陷所在像素坐標(biāo)。
第二步，將輔助TFT的源極與數(shù)據(jù)線及遮光線進行連接，具體來說需要在5. 1、，5. 2、5. 3處進行激光焊接。第三步，將數(shù)據(jù)線與鏤空公共電極線利用激光焊接連接在一起。<第三實施例>圖6和圖7分別示出了在根據(jù)本發(fā)明第三實施例的像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)點缺陷以及數(shù)據(jù)線斷線的示意圖。可以看出，第三實施例的像素結(jié)構(gòu)與第二實施例的區(qū)別在于，其中輔助薄膜晶體管的源極預(yù)先與第一薄膜晶體管的源極連接。針對第三實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，當(dāng)需要修復(fù)點缺陷時執(zhí)行如圖6所示的操作，其中6. I是產(chǎn)生缺陷所在位置。第一步，找到缺陷所在像素坐標(biāo)。第二步，利用激光焊接將輔助TFT的漏極與像素電極連接(6. 2)。第三步，利用激光切斷有缺陷的第一 TFT的源極(6. 3)。針對第三實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，當(dāng)需要修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線缺陷時在輔助薄膜晶體管處執(zhí)行如圖7所示的操作。第一步，找到缺陷所在像素坐標(biāo)。第二步，將輔助TFT的源極與數(shù)據(jù)線及遮光線進行連接，具體來說，需要在7. 1，
7.2，7. 3處進行激光焊接。第三步，利用激光切斷輔助TFT源極與第一 TFT源極相連處(7. 4)。第四步，將數(shù)據(jù)線與鏤空公共電極線利用激光焊接連接在一起。〈第四實施例〉圖8和圖9分別示出了在根據(jù)本發(fā)明第四實施例的像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)點缺陷以及數(shù)據(jù)線斷線的示意圖?？梢钥闯觯诟鶕?jù)第四實施例的像素結(jié)構(gòu)中，輔助薄膜晶體管的源極與第一薄膜晶體管的源極分別連接至數(shù)據(jù)線，并且在柵極線處未預(yù)先形成鏤空部分。針對第四實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，當(dāng)需要修復(fù)點缺陷時執(zhí)行如圖8所示的操作，其中8. I是產(chǎn)生缺陷所在位置。第一步，找到缺陷所在像素坐標(biāo)。第二步，利用激光焊接將輔助TFT的漏極與像素電極進行連接(8. 2)。第三步，利用激光切斷有缺陷的第一 TFT的源極(8. 3)。針對第四實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，當(dāng)需要修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線缺陷時在輔助薄膜晶體管處執(zhí)行如圖9所示的操作。
第一步，找到缺 陷所在像素坐標(biāo)。第二步，在9. I處進行激光焊接將輔助TFT的源極與數(shù)據(jù)線及遮光線進行連接。第三步，將數(shù)據(jù)線與鏤空公共電極線利用激光焊接連接在一起。圖10至圖13是示出了在根據(jù)本發(fā)明第二至第四實施例的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)中修復(fù)數(shù)據(jù)線斷線時在鏤空公共電極線處的操作的示意圖。這些鏤空公共電極線處的構(gòu)造和修復(fù)操作可以與根據(jù)本發(fā)明的第二至第四實施例任意組合。如圖10至13所示，利用激光焊接將數(shù)據(jù)線與鏤空的公共電極線連接(10. 1/11. 1/12. 1/13. I)，并利用激光切斷公共電極線的鏤空部分的與公共電極線連接的一端(10. 2/11. 2/12. 2/13. 2)。由此修復(fù)了數(shù)據(jù)線斷線。在本發(fā)明的上述實施例中，第一實施例對產(chǎn)品的性能影響最小，而根據(jù)第二至第四實施例則能夠使用更簡潔的修復(fù)操作。此外，本發(fā)明的各個實施例中的輔助薄膜晶體管處的結(jié)構(gòu)/修復(fù)操作與鏤空公共電極線處的結(jié)構(gòu)/修復(fù)操作能夠進行任何互換和組合，而不影響本發(fā)明的實現(xiàn)。
權(quán)利要求
1.一種薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，包括像素電極和公共電極線，所述像素電極與第一薄膜晶體管的漏極相連接，所述第一薄膜晶體管的源極連接至數(shù)據(jù)線，并且所述數(shù)據(jù)線與所述公共電極線以及柵極線交叉； 所述薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的特征在于，還包括預(yù)設(shè)的輔助薄膜晶體管，當(dāng)所述像素結(jié)構(gòu)中出現(xiàn)缺陷時，能夠通過將所述輔助薄膜晶體管選擇性地連接至所述像素結(jié)構(gòu)來修復(fù)所述缺陷。
2.根據(jù)權(quán)利要求I的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述輔助薄膜晶體管的漏極與所述像素電極重疊。
3.根據(jù)權(quán)利要求2的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述柵極線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置處具有鏤空部分，并且所述鏤空部分與所述輔助薄膜晶體管的源極重疊。
4.根據(jù)權(quán)利要求2的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述輔助薄膜晶體管的源極連接至所述數(shù)據(jù)線。
5.根據(jù)權(quán)利要求4的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述柵極線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置處具有鏤空部分，并且所述鏤空部分與所述輔助薄膜晶體管的源極重疊。
6.根據(jù)權(quán)利要求3或5的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述柵極線中的鏤空部分從所述柵極線斷開。
7.根據(jù)權(quán)利要求2或3的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述輔助薄膜晶體管的源極與相鄰的遮光線重疊，并且所述公共電極線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置處具有鏤空部分。
8.根據(jù)權(quán)利要求4的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述輔助薄膜晶體管的源極與相鄰的遮光線重疊，并且所述公共電極線在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置處具有鏤空部分。
9.根據(jù)權(quán)利要求7的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述鏤空部分在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置處的一側(cè)是斷開的。
10.根據(jù)權(quán)利要求8的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中所述鏤空部分在與所述數(shù)據(jù)線交叉的位置處的一側(cè)是斷開的。
11.一種用于修復(fù)如權(quán)利要求3所述的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的方法，其中當(dāng)所述第一薄膜晶體管出現(xiàn)缺陷時，所述方法執(zhí)行如下步驟 找到缺陷所在像素坐標(biāo)； 通過激光焊接將所述輔助薄膜晶體管的漏極連接至所述像素電極； 通過激光焊接將輔助薄膜晶體管的源極連接至鏤空的柵極線，并且將數(shù)據(jù)線連接至鏤空的柵極線；和 利用激光切斷所述鏤空的柵極線部分與柵極線之間的連接。
12.—種用于修復(fù)如權(quán)利要求4所述的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的方法，其中當(dāng)所述第一薄膜晶體管出現(xiàn)缺陷時，所述方法執(zhí)行如下步驟 找到缺陷所在像素坐標(biāo)； 通過激光焊接將所述輔助薄膜晶體管的漏極連接至所述像素電極；和 利用激光切斷所述第一薄膜晶體管的源極。
13.一種用于修復(fù)如權(quán)利要求7所述的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的方法，其中當(dāng)所述數(shù)據(jù)線中出現(xiàn)斷線時，所述方法執(zhí)行如下步驟 找到缺陷所在像素坐標(biāo)；通過激光焊接將所述輔助薄膜晶體管的源極連接至遮光線； 通過激光焊接將所述輔助薄膜晶體管的源極通過所述柵極線的鏤空部分連接至所述數(shù)據(jù)線； 通過激光焊接將數(shù)據(jù)線連接至鏤空的公共電極線；和 利用激光切斷所述公共電極線的鏤空部分與公共電極線之間的連接。
14. 一種用于修復(fù)如權(quán)利要求8所述的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的方法，其中當(dāng)所述數(shù)據(jù)線中出現(xiàn)斷線時，所述方法執(zhí)行如下步驟 找到缺陷所在像素坐標(biāo)； 通過激光焊接將所述輔助薄膜晶體管的源極連接至所述遮光線； 通過激光焊接將數(shù)據(jù)線連接至鏤空的公共電極線；和 利用激光切斷所述公共電極線的鏤空部分與公共電極線之間的連接。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)，其中能夠利用激光焊接和激光切斷來修復(fù)點缺陷以及數(shù)據(jù)線斷線的薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)。本發(fā)明還涉及能夠應(yīng)用于上述薄膜晶體管像素結(jié)構(gòu)的修復(fù)方法。
文檔編號G02F1/1362GK102629043SQ20111014039
公開日2012年8月8日 申請日期2011年5月27日 優(yōu)先權(quán)日2011年5月27日
發(fā)明者吳松 申請人:京東方科技集團股份有限公司, 合肥鑫晟光電科技有限公司