專利名稱：顯示裝置的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種使用印刷法的顯示裝置的制造方法。
背景技術(shù)：
薄膜晶體管(下文中也稱作“TFT”)及采用薄膜晶體管的電子電路是通過如下方法制造的在襯底上層疊半導(dǎo)體膜、絕緣膜、以及導(dǎo)電膜等各種薄膜，并且適當(dāng)?shù)乩霉饪碳夹g(shù)形成預(yù)定圖形。光刻技術(shù)是利用光將電路等的圖形轉(zhuǎn)印到目標(biāo)襯底上的技術(shù)，所述電路等的圖形是在被稱作光掩模的透明平板表面上由不透光的材料形成的。該技術(shù)已經(jīng)廣泛應(yīng)用在半導(dǎo)體集成電路等的制造工序中。在應(yīng)用以往的光刻技術(shù)的制造工序中，僅處理使用被稱作光致抗蝕劑的感光性有機(jī)樹脂材料形成的掩模圖形就包括曝光、顯影、燒成、剝離等多步工序。因此，光刻工序的數(shù)目越多，制造成本越不可避免地增加。為了解決上述問題，已經(jīng)設(shè)法減少光刻工序來制造 TFT (例如，參考專利文獻(xiàn)1)。在專利文獻(xiàn)1中，在一次使用通過光刻工序形成的抗蝕劑掩模之后，通過膨脹而使它的體積增大，將其作為具有不同形狀的抗蝕劑掩模進(jìn)行再利用。[專利文件1]日本特開 2000-133636 號(hào)

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種技術(shù)，該技術(shù)在制作TFT、使用TFT的電子電路、以及由TFT形成的顯示裝置的工序中，可以減少光刻工序數(shù)目且簡(jiǎn)化制造工序，而且即使在使用一邊長(zhǎng)超過1米的大面積襯底時(shí)也可以以低成本并高成品率地制造顯示裝置。本發(fā)明的另一個(gè)目的在于提供一種可以將構(gòu)成這些顯示裝置的布線等的構(gòu)成物可控性好地形成為所要求的形狀的技術(shù)。在本發(fā)明中，在不使用光刻工序的情況下選擇性地形成具有所要求的形狀的導(dǎo)電層(絕緣層)。尤其是，導(dǎo)電層(絕緣層)的形狀不良及可控性不足成為降低所獲得的顯示裝置的成品率、可靠性的原因。在本發(fā)明中，在將液態(tài)組合物附著到被形成區(qū)之后，進(jìn)行燒成、干燥等使該組合物固化，以形成導(dǎo)電層(絕緣層)。在采用這種方法的情況下，需要以微細(xì)且正確的圖形將液態(tài)組合物附著到被形成區(qū)，以便提高導(dǎo)電層(絕緣層)的形狀或形成區(qū)的正確性。尤其是， 當(dāng)形成用于形成電路的布線層時(shí)，布線層的被形成區(qū)的位置偏差給電特性帶來不好影響如短路等。因此，在本發(fā)明所示的導(dǎo)電層(絕緣層)的形成方法中，當(dāng)形成導(dǎo)電層(絕緣層) 時(shí)，至少分成兩個(gè)以上的工序形成。形成導(dǎo)電層(絕緣層)時(shí)，將液態(tài)的包含導(dǎo)電性(絕緣性)材料的組合物附著到要形成的圖形的外側(cè)(相當(dāng)于圖形的輪廓、端部)，以形成框狀的第一導(dǎo)電層(絕緣層)。第一導(dǎo)電層(絕緣層)優(yōu)選是如框那樣封閉的區(qū)域。接著附著液態(tài)的第二包含導(dǎo)電性(絕緣性)材料的組合物，填充框狀的第一導(dǎo)電層(絕緣層)的內(nèi)側(cè)空間，以形成第二導(dǎo)電層(絕緣層)。第一導(dǎo)電層(絕緣層)及第二導(dǎo)電層(絕緣層)彼此接合形成，并且形成第一導(dǎo)電層(絕緣層)以包圍第二導(dǎo)電層(絕緣層)的周圍，由此，可以將第一導(dǎo)電層(絕緣層)及第二導(dǎo)電層(絕緣層)用作連續(xù)的一個(gè)導(dǎo)電層(絕緣層)。在使用液態(tài)組合物形成導(dǎo)電層(絕緣層)等時(shí)，組合物的粘度或固化時(shí)的干燥條件(溫度或壓力等)、與被形成區(qū)的潤濕性等對(duì)形成的導(dǎo)電層(絕緣層)的形狀影響很大。 因此，當(dāng)粘度低或與被形成區(qū)的潤濕性高時(shí)，有液態(tài)組合物在被形成區(qū)中潤濕擴(kuò)展，而當(dāng)粘度高或與被形成區(qū)的潤濕性低時(shí)，則導(dǎo)致在導(dǎo)電層(絕緣層)內(nèi)部或表面上具有空間(也稱作針孔)及凹凸而使平坦性惡化的問題。因此，在本發(fā)明中，若附著具有較高粘度且對(duì)形成區(qū)潤濕性低的組合物來形成決定導(dǎo)電層(絕緣層)的被形成區(qū)輪廓的第一導(dǎo)電層(絕緣層)，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪廓的側(cè)端部。若將粘度低且對(duì)被形成區(qū)潤濕性高的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層(絕緣層)的框中來形成，則可以減輕由內(nèi)部或表面的氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等，從而形成平坦性高的均勻的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此，通過分別制作導(dǎo)電層(絕緣層) 外側(cè)和內(nèi)側(cè)來制作導(dǎo)電層(絕緣層)，可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且缺陷減少的導(dǎo)電層(絕緣層)。另外，通過絕緣層使導(dǎo)電層相互電連接的情況下，在絕緣層中形成開口(成為所謂的接觸孔)。在此情況下，在絕緣層上不形成掩模層，而通過激光的照射選擇性地形成開口。形成第一導(dǎo)電層，在該第一導(dǎo)電層上層疊絕緣層，并且從絕緣層一側(cè)對(duì)在第一導(dǎo)電層及絕緣層的疊層中形成開口的區(qū)域選擇性地照射激光。激光透過絕緣層，而被第一導(dǎo)電層吸收。第一導(dǎo)電層由于吸收的激光的能量而被加熱且蒸發(fā)，破壞層疊在其上的絕緣層。因此在第一導(dǎo)電層及絕緣層中形成開口，在絕緣層下的導(dǎo)電層的一部分露出在開口的側(cè)壁及底面(或僅在側(cè)壁)。在開口中形成第二導(dǎo)電層，以使與露出的第一導(dǎo)電層接合，由此第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層可以通過絕緣層電連接。換句話說，在本發(fā)明中，通過對(duì)導(dǎo)電層照射激光并利用激光燒蝕來蒸發(fā)導(dǎo)電層的激光照射區(qū)，在形成于導(dǎo)電層上的絕緣層中形成開口。因?yàn)榭梢岳眉す膺x擇性地形成開口，所以可以不形成掩模層，因此，可以減少工序及材料。另外，激光可以聚焦成微小的光點(diǎn)，所以可以將要加工的導(dǎo)電層及絕緣層高精度地加工成預(yù)定的形狀，并且在短時(shí)間中瞬間被激光加熱，從而具有如下優(yōu)點(diǎn)，即可以幾乎不加熱加工區(qū)以外的區(qū)域。本發(fā)明還可應(yīng)用于具有顯示功能的顯示裝置。使用本發(fā)明的顯示裝置包括發(fā)光顯示裝置或液晶顯示裝置等，所述發(fā)光顯示裝置是互相連接發(fā)光元件和TFT得到的，所述發(fā)光元件是將包含產(chǎn)生被稱作場(chǎng)致發(fā)光(以下也稱作“EL”)的發(fā)光的有機(jī)物、無機(jī)物、或者有機(jī)物和無機(jī)物的混合物的層插入電極之間得到的，所述液晶顯示裝置將具有液晶材料的液晶元件用作顯示元件。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法之一為在具有絕緣表面的襯底上排出第一包含導(dǎo)電性材料的組合物形成框狀的第一導(dǎo)電層；對(duì)被框狀的第一導(dǎo)電層包圍的區(qū)域排出第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，在第一導(dǎo)電層的框內(nèi)形成第二導(dǎo)電層。
本發(fā)明的顯示裝置的制造方法之一為在具有絕緣表面的襯底上排出第一包含導(dǎo)電性材料的組合物形成框狀的第一導(dǎo)電層；對(duì)被框狀的第一導(dǎo)電層包圍的區(qū)域排出第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，在第一導(dǎo)電層的框內(nèi)形成第二導(dǎo)電層，其中第一包含導(dǎo)電性材料的組合物的粘度高于第二包含導(dǎo)電性材料的組合物的粘度。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法之一為在具有絕緣表面的襯底上排出第一包含導(dǎo)電性材料的組合物形成框狀的第一導(dǎo)電層；在被框狀的第一導(dǎo)電層包圍的區(qū)域排出第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，在第一導(dǎo)電層的框內(nèi)形成第二導(dǎo)電層，其中第一包含導(dǎo)電性材料的組合物相對(duì)于具有絕緣表面的襯底的潤濕性低于第二包含導(dǎo)電性材料的組合物相對(duì)于具有絕緣表面的襯底的潤濕性。在上述結(jié)構(gòu)中，第一包含導(dǎo)電性材料的組合物及第二包含導(dǎo)電性材料的組合物可以被連續(xù)排出，也可以以液滴狀態(tài)被間歇排出。例如，當(dāng)形成位于導(dǎo)電層外側(cè)的框狀第一導(dǎo)電層時(shí)，連續(xù)排出第一包含導(dǎo)電性材料的組合物，而在以填充框狀的第一導(dǎo)電層內(nèi)的方式形成第二導(dǎo)電層時(shí)，第二包含導(dǎo)電性材料的組合物也可以被間歇排出。像這樣，可以根據(jù)所形成的圖形改變液態(tài)組合物的排出方法。另外，通過不同的工序形成的第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的厚度可以大約相同，也可以不同。例如，在通過前工序形成的第一導(dǎo)電層是框狀的，所以若以比第一導(dǎo)電層的框的高度(厚度)低的高度排出第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，形成第二導(dǎo)電層，則可以使第一導(dǎo)電層前膜厚大于第二導(dǎo)電層的膜厚。在上文中形成的導(dǎo)電層可以用于構(gòu)成顯示裝置的任何導(dǎo)電層。例如可以用于布線層、柵電極層、源電極層、漏電極層、以及像素電極層等。另外，也可以將制造導(dǎo)電層如上述框狀的第一導(dǎo)電層及形成在第一導(dǎo)電層內(nèi)側(cè)的第二導(dǎo)電層的方法應(yīng)用到絕緣層。例如，可以應(yīng)用到用作隔壁的絕緣層等。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法之一為形成第一導(dǎo)電層以及在第一導(dǎo)電層上形成絕緣層；將激光選擇性地照射到第一導(dǎo)電層及絕緣層，去除第一導(dǎo)電層的照射區(qū)的一部分及絕緣層的照射區(qū)，在第一導(dǎo)電層及絕緣層中形成開口 ；以及將包含導(dǎo)電性材料的組合物排出到開口中，以形成與第一導(dǎo)電層電連接的第二導(dǎo)電層。本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的之一為形成第一導(dǎo)電層；在該第一導(dǎo)電層上形成第二導(dǎo)電層；在第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層上形成絕緣層；將激光選擇性地照射到第一導(dǎo)電層、第二導(dǎo)電層、以及絕緣層，去除第二導(dǎo)電層的照射區(qū)及絕緣層的照射區(qū)，以在第二導(dǎo)電層及絕緣層中形成開口 ；將包含導(dǎo)電性材料的組合物排出到開口中，以形成與第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層電連接的第三導(dǎo)電層。在上述結(jié)構(gòu)中，形成開口的導(dǎo)電層可以使用鉻、鉬、鎳、鈦、鈷、銅或鋁中的一種或多種形成。另外，形成開口的絕緣層可以用透過激光的材料例如透光性的有機(jī)樹脂等形成。根據(jù)本發(fā)明，可以以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置等的布線等構(gòu)成物。另外，可以簡(jiǎn)化復(fù)雜的光刻工序并通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以可以減少材料的損失，實(shí)現(xiàn)成本的降低。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。


圖1是說明本發(fā)明的示意圖2是說明本發(fā)明的示意圖；圖3是說明本發(fā)明的示意圖；圖4是說明本發(fā)明的示意圖；圖5是說明本發(fā)明的示意圖；圖6是說明本發(fā)明的示意圖；圖7是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖8是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖9是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖10是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖11是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖12是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖13是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖14是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖15是說明本發(fā)明的顯示裝置的圖；圖16是說明本發(fā)明的顯示模塊結(jié)構(gòu)例子的截面圖；圖17是說明本發(fā)明的顯示裝置的圖；圖18是說明本發(fā)明的顯示裝置的圖；圖19是說明本發(fā)明的顯示裝置制造方法的圖；圖20是說明本發(fā)明的顯示模塊結(jié)構(gòu)例子的截面圖；圖21是說明本發(fā)明的顯示裝置的圖；圖22是說明可應(yīng)用于本發(fā)明的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖；圖23是說明可應(yīng)用于本發(fā)明的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖；圖24是說明可應(yīng)用于本發(fā)明的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)圖；圖25是本發(fā)明的顯示裝置的俯視圖；圖26是本發(fā)明的顯示裝置的俯視圖；圖27是示出應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備的主要結(jié)構(gòu)的框圖；圖28示出應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖29示出應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備的圖；圖30是說明可應(yīng)用于本發(fā)明的液滴排出裝置的結(jié)構(gòu)圖；圖31是說明可應(yīng)用于本發(fā)明的激光直接描畫裝置的結(jié)構(gòu)圖；圖32是說明在本發(fā)明的顯示面板中由TFT形成掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)的電路結(jié)構(gòu)圖；圖33是說明在本發(fā)明的顯示面板中由TFT形成掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)的電路結(jié)構(gòu)圖(移位寄存器電路)；圖34是說明在本發(fā)明的顯示面板中由TFT形成掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路時(shí)的電路結(jié)構(gòu)圖(緩沖電路)；圖35是說明本發(fā)明的示意圖；圖36是說明本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的圖；圖37是說明本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的圖38是說明本發(fā)明的顯示裝置的制造方法的圖。
具體實(shí)施例方式將參照附圖詳細(xì)說明本發(fā)明的實(shí)施方式。但是，本發(fā)明不局限于以下說明。所屬技術(shù)領(lǐng)域的普通人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)就是其方式和詳細(xì)內(nèi)容在不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍可以被變換為各種各樣的形式。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋為僅限定在以下實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。另外，在以下說明的本發(fā)明的構(gòu)成中，在不同的圖中使用相同的附圖標(biāo)記來表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重復(fù)說明。實(shí)施方式1在本實(shí)施方式中，使用圖1及圖2說明顯示裝置的制造方法，該制造方法的目的是以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了的工序并且以低成本制造高可靠性的顯示裝置。本發(fā)明的特征在于通過可選擇性地形成所要求的形狀的方法來形成構(gòu)成布線層或電極的導(dǎo)電層等制造顯示裝置等所必需的構(gòu)成物中的至少一個(gè)或一個(gè)以上，來制造顯示裝置。在本發(fā)明中，構(gòu)成物(也稱作圖形)是指構(gòu)成薄膜晶體管或顯示裝置的布線層、柵電極層、源電極層和漏電極層等導(dǎo)電層、半導(dǎo)體層、掩模層、絕緣層等，并且包括形成具有為預(yù)定形狀的所有構(gòu)成要素。作為可以將形成物選擇性地形成為所要求的圖形的方法，使用液滴排出(噴出)法(根據(jù)其方式也稱作噴墨法)，該液滴排出法可以選擇性地排出(噴出) 為特定目的而調(diào)配的組合物液滴從而以預(yù)定的圖形形成導(dǎo)電層或絕緣層等。另外，還可以使用將構(gòu)成物轉(zhuǎn)印或描畫成所要求的圖形的方法，例如各種印刷法(可以以所要求的圖形形成的方法，例如絲網(wǎng)(孔版)印刷、膠(平版)印刷、凸版印刷或照相凹版(凹版)印刷等)、分配器法、選擇性的涂敷法等。在本實(shí)施方式中采用下述方法將為流動(dòng)體的包含構(gòu)成物形成材料的組合物以液滴形式排出(噴出)，形成所要求的圖形。將包含構(gòu)成物形成材料的液滴排出到構(gòu)成物的被形成區(qū)中，進(jìn)行燒成、干燥等使其固定，形成具有所要求的圖形的構(gòu)成物。圖30示出用于液滴排出法的液滴排出裝置的一個(gè)方案。液滴排出單元1403的各噴頭1405、噴頭1412與控制單元1407連接，并且其通過被計(jì)算機(jī)1410控制可以描畫預(yù)先設(shè)置好的圖形。關(guān)于描畫的定時(shí)，例如以在襯底1400上形成的標(biāo)記1411為基準(zhǔn)進(jìn)行即可。 或者，也可以以襯底1400的邊緣為基準(zhǔn)確定基準(zhǔn)點(diǎn)。其使用攝像單元1404檢測(cè)，在圖像處理單元1409變換為數(shù)字信號(hào)，計(jì)算機(jī)1410識(shí)別其并產(chǎn)生控制信號(hào)，發(fā)送到控制單元1407。 作為攝像單元1404，可以使用利用電荷耦合元件(CCD)或互補(bǔ)金屬氧化物半導(dǎo)體的圖像傳感器等。當(dāng)然，在襯底1400上要形成的圖形的信息是存入到記憶媒體1408中的，基于該信息將控制信號(hào)送到控制單元1407，從而可以分別控制液滴排出單元1403的各個(gè)噴頭1405、 噴頭1412。排出的材料從材料供應(yīng)源1413和材料供應(yīng)源1414經(jīng)過管道分別供應(yīng)到噴頭 1405、噴頭 1412。噴頭1405內(nèi)部如虛線1406所示具有充填液態(tài)材料的空間和排出口 -噴嘴。雖然附圖中沒有示出，噴頭1412也具有與噴頭1405同樣的內(nèi)部結(jié)構(gòu)。在將噴頭1405和噴頭 1412的噴嘴設(shè)置為互相不同的大小的情況下，可以以不同的寬度同時(shí)描畫不同的材料。一個(gè)噴頭可以分別排出導(dǎo)電性材料或有機(jī)、無機(jī)材料等進(jìn)行描畫，在層間膜等較大區(qū)域上描畫的情況下，為了提高生產(chǎn)率可以從多個(gè)噴嘴同時(shí)排出相同的材料進(jìn)行描畫。在使用大型襯底的情況下，噴頭1405和噴頭1412可以在襯底上沿箭頭方向自如地掃描，并且可以自由地設(shè)定描畫的區(qū)域，從而可以在一片襯底上描畫多個(gè)相同的圖形。在使用液滴排出法形成導(dǎo)電層的情況下，排出加工為粒子狀的含有導(dǎo)電性材料的組合物，通過燒成使其熔接或焊接而固化以形成導(dǎo)電層。如此，通過濺射法等形成的導(dǎo)電層 (或絕緣層)的大多具有柱狀結(jié)構(gòu)，而通過排出含有導(dǎo)電性材料的組合物并進(jìn)行燒成形成的導(dǎo)電層(或絕緣層)顯示出具有大量粒界的多晶狀態(tài)的情況居多。參照?qǐng)D1及圖2，通過導(dǎo)電層的形成方法描述本發(fā)明的實(shí)施方式的概念。圖1(A2) 及(B2)是導(dǎo)電層的俯視圖，而圖I(Al)及(Bi)是圖1(A2)及(B2)沿線Y-Z的截面圖。在本發(fā)明中，在不使用光刻工序的情況下選擇性地形成具有所要求的形狀的導(dǎo)電層。導(dǎo)電層的變形、形成位置的偏差等形狀不良及可控性不足是獲得的顯示裝置的成品率、 可靠性降低的原因。在本發(fā)明中，將液體組合物附著到被形成區(qū)后，通過燒成、干燥等方法使其固化， 形成導(dǎo)電層(絕緣層)。在這種方法的情況下，為了提高導(dǎo)電層(絕緣層)的形狀或形成區(qū)的正確性，必須將液體組合物以微細(xì)且正確的圖形附著到被形成區(qū)中。特別是在形成用來形成電路的布線層時(shí)，布線層的被形成區(qū)的誤差對(duì)電特性產(chǎn)生不利影響，例如短路等。因此，作為本發(fā)明所示的導(dǎo)電層(絕緣層)的形成方法，在形成導(dǎo)電層(絕緣層) 時(shí)，分成至少兩個(gè)以上的工序形成。形成導(dǎo)電層(絕緣層)時(shí)，將液態(tài)的第一包含導(dǎo)電性 (絕緣性)材料的組合物附著在要形成的圖形的外側(cè)(相當(dāng)于圖形的輪廓、端部)，形成框狀的第一導(dǎo)電層(絕緣層)。第一導(dǎo)電層(絕緣層)優(yōu)選是如框那樣封閉的區(qū)域。在本實(shí)施方式中，使用液滴排出裝置7(^a、702b將液態(tài)的含有導(dǎo)電性形成材料的組合物排出到襯底700上，形成第一導(dǎo)電層703(703a、703b)。沿著形成的導(dǎo)電層圖形端部的輪廓將第一導(dǎo)電層703形成為封閉的框狀(參照?qǐng)DI(Al)和1(A2))。接著，附著液態(tài)的第二包含導(dǎo)電性(絕緣性)形成材料的組合物，填充框狀第一導(dǎo)電層(絕緣層)的內(nèi)側(cè)空間，形成第二導(dǎo)電層(絕緣層)。在本實(shí)施方式中，使用液滴排出裝置704排出液態(tài)的第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，填充環(huán)(ring)狀的第一導(dǎo)電層703的內(nèi)側(cè)，形成第二導(dǎo)電層705(參照?qǐng)DI(Bl)和(B2))。由于第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層相接合而形成，并且形成第一導(dǎo)電層703以包圍第二導(dǎo)電層的周圍，所以可以將第一導(dǎo)電層703及第二導(dǎo)電層705用作連續(xù)的一個(gè)導(dǎo)電層。在使用液態(tài)組合物形成導(dǎo)電層等的情況下，組合物的粘度或固化時(shí)的干燥條件 (溫度或壓力等)、與被形成區(qū)的潤濕性等會(huì)大大影響形成的導(dǎo)電層的形狀。因此，當(dāng)具有低粘度或與被形成區(qū)的潤濕性高時(shí)，液態(tài)組合物在被形成區(qū)中潤濕擴(kuò)展，而當(dāng)具有高粘度或與被形成區(qū)的潤濕性低時(shí)，則會(huì)使導(dǎo)電層內(nèi)部或表面上具有空間(也稱作針孔)及凹凸， 從而使平坦性惡化。因此，在本發(fā)明中，若附著粘度較高且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性低的組合物形成確定導(dǎo)電層的被形成區(qū)輪廓的第一導(dǎo)電層703，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪廓的側(cè)端部。若將粘度低且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性高的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層 703的框中而形成，則可以減輕由內(nèi)部或表面上的氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等，形成平坦性高的均勻的第二導(dǎo)電層705。由此，通過分別制作導(dǎo)電層外側(cè)(第一導(dǎo)電層703)和內(nèi)側(cè) (第二導(dǎo)電層70 來制作導(dǎo)電層，可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且減輕缺陷的導(dǎo)電層?？梢赃B續(xù)排出第一包含導(dǎo)電性材料的組合物及第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，也可以以液滴狀態(tài)間歇排出。例如，也可以在形成位于導(dǎo)電層外側(cè)的框狀第一導(dǎo)電層時(shí)，連續(xù)排出第一包含導(dǎo)電性材料的組合物，而在以填充框狀第一導(dǎo)電層內(nèi)的方式形成第二導(dǎo)電層時(shí)，可以間歇排出第二包含導(dǎo)電性材料的組合物。像這樣，也可以根據(jù)所形成的圖形改變液態(tài)組合物的排出方法。將液態(tài)組合物的排出方法示出于圖6(A) 6(C)。在圖6(A)中，使用液滴排出裝置763將含有導(dǎo)電性材料的組合物排出到襯底760 上，形成導(dǎo)電層764。在圖6(A)中，間歇排出含有導(dǎo)電性材料的組合物。在圖6(B)中，使用液滴排出裝置767將含有導(dǎo)電性材料的組合物排出到襯底765 上，形成導(dǎo)電層768。在圖6(B)中，連續(xù)排出含有導(dǎo)電性材料的組合物。圖6(C)示出一例子，其中根據(jù)形成的導(dǎo)電層形狀將在同一襯底770上分別制作間歇排出含有導(dǎo)電性材料的組合物的區(qū)域、以及連續(xù)排出含有導(dǎo)電性材料的組合物的區(qū)域。 在圖6 (C)中，從液滴排出裝置774連續(xù)排出含有導(dǎo)電性材料的組合物形成導(dǎo)電層775，而從液滴排出裝置772間歇排出含有導(dǎo)電性材料的組合物形成導(dǎo)電層773。像這樣，可以根據(jù)要形成的導(dǎo)電層的形狀適當(dāng)?shù)卦O(shè)定液態(tài)組合物的排出方法。本實(shí)施方式雖然示出通過兩個(gè)工序制造沿著圖形輪廓形成周邊端部的第一導(dǎo)電層和填充第一導(dǎo)電層內(nèi)部的第二導(dǎo)電層的例子，然而也可以通過多個(gè)工序形成外框的第一導(dǎo)電層，也可以通過多個(gè)工序形成填充第一導(dǎo)電層內(nèi)的第二導(dǎo)電層。另外，形成導(dǎo)電層時(shí)，也可以沿著導(dǎo)電層的被形成區(qū)的輪廓排出含有絕緣性材料的組合物形成框狀絕緣層。可以排出含有導(dǎo)電性材料的組合物填充框狀絕緣層內(nèi)部，以形成被絕緣層包圍了周圍的導(dǎo)電層。像這樣，確定圖形的外框的框狀形成物和被排出以填充框狀形成物內(nèi)部而形成物可以采用不同的材料。圖2㈧至(C)示出第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層的其他形狀的例子。圖2㈧至(C) 相當(dāng)于圖I(Bl)。圖I(Bl)為將第二包含導(dǎo)電性材料的組合物不超越框地填充在第一導(dǎo)電層所形成的框內(nèi)形成第二導(dǎo)電層的例子，其中第二導(dǎo)電層的膜厚小于第一導(dǎo)電層的膜厚。 在圖2 (A)中，第二導(dǎo)電層71 填充為具有與第一導(dǎo)電層703a、70 大致相同的高度，從而第一導(dǎo)電層703a、703b的膜厚和第二導(dǎo)電層71 的膜厚大致相同。在本發(fā)明中，在將液態(tài)組合物附著在形成區(qū)，然后使其固化形成導(dǎo)電層，由此，如圖2所示，獲得的導(dǎo)電層反映液體(液滴)的形狀，形成在端部具有曲率的圓形(如圖2的第一導(dǎo)電層703a那樣的所謂的穹形)。圖2(B)示出第二導(dǎo)電層71 表面是膜厚越接近中心越大的形狀，其中與第一導(dǎo)電層703a、70;3b接合的第二導(dǎo)電層71 的側(cè)端部的膜厚小于第一導(dǎo)電層703a、703b的膜厚，而第二導(dǎo)電層71 的中央部大于第一導(dǎo)電層703a、703b的膜厚。而圖2(C)示出第二導(dǎo)電層715c表面是厚度越接近中心越小的形狀，其中與第一導(dǎo)電層703a、70;3b接合的第二導(dǎo)電層715c的側(cè)端部的膜厚小于第一導(dǎo)電層703a、703b的膜厚，而第二導(dǎo)電層715c的中央部的膜厚進(jìn)一步小于第一導(dǎo)電層703a、703b的膜厚。像這樣，根據(jù)第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層之間的潤濕性或粘度，第二導(dǎo)電層的形狀會(huì)變成多種形狀。另外，導(dǎo)電層的形狀有時(shí)由于和剛排出之后的液態(tài)組合物的情況不同，干燥(或加熱)等被固化而變形。這樣固化后的形成物的變形根據(jù)形成材料、溶劑、固化條件(壓力、溫度、時(shí)間)等而改變，所以適當(dāng)?shù)卦O(shè)定可獲得所要求的形狀的條件即可。另外，為了選擇性地形成第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層，也可以控制形成區(qū)的潤濕性。 圖3(A)至(C)示出如下例子，即進(jìn)行改性處理使對(duì)形成區(qū)及非形成區(qū)的潤濕性有差異，可控性好地形成第一導(dǎo)電層。如圖3A所示，選擇性地有差異地控制襯底700表面的潤濕性。在本實(shí)施方式中， 在襯底700上選擇性地形成潤濕性低的物質(zhì)701，形成潤濕性低于周圍(憎液性高)的低潤濕性區(qū)707a、707b、707c。通過形成潤濕性低(憎液性高)的低潤濕性區(qū)707a、707b、707c， 周圍的區(qū)域成為潤濕性高(親液性高)的高潤濕性區(qū)708a、708b。從液滴排出裝置709a、709b排出液態(tài)的第一包含導(dǎo)電性材料的組合物，以在高潤濕性區(qū)708170 選擇性地形成第一導(dǎo)電層710a、710b。像這樣，若使形成第一導(dǎo)電層的區(qū)域以外的區(qū)域成為相對(duì)于第一包含導(dǎo)電性材料的組合物的憎液區(qū)，則液態(tài)的第一包含導(dǎo)電性材料的組合物不潤濕擴(kuò)展至被形成區(qū)之外，從而可以控制性好地僅附著在高潤濕性區(qū) 708a、708b，可以形成第一導(dǎo)電層。之后，通過拋光或紫外線(UV)照射等去除潤濕性低的物質(zhì)，使用液滴排出裝置 711將第二包含導(dǎo)電性材料的組合物填充到第一導(dǎo)電層710a、710b的框內(nèi)，以形成第二導(dǎo)電層712。由于液態(tài)的含有導(dǎo)電性材料的組合物是液態(tài)的，所以對(duì)被形成區(qū)的表面狀態(tài)有很大影響。在本發(fā)明中，可以進(jìn)行控制液態(tài)組合物的涂敷區(qū)的潤濕性的處理。固體表面的潤濕性受表面的化學(xué)性質(zhì)及物理表面形狀(表面粗度)的影響。若形成相對(duì)于液態(tài)組合物潤濕性低的物質(zhì)，則其表面成為相對(duì)于液態(tài)組合物潤濕性低的區(qū)域 (以下也稱作低潤濕性區(qū))，而若形成相對(duì)于液態(tài)組合物潤濕性高的物質(zhì)，則其表面成為相對(duì)于液態(tài)組合物潤濕性高的區(qū)域(以下也稱作高潤濕性區(qū))。在本發(fā)明中，控制表面的潤濕性的處理就是在液態(tài)組合物的附著區(qū)中形成相對(duì)于液態(tài)組合物具有不同潤濕性的區(qū)域。潤濕性不同的區(qū)域是相對(duì)于液態(tài)組合物潤濕性有差異的區(qū)域，含有導(dǎo)電性材料的組合物的接觸角不同，含有導(dǎo)電性材料的組合物的接觸角大的區(qū)域是潤濕性低的區(qū)域(以下也稱為低潤濕性區(qū))，而接觸角小的區(qū)域是潤濕性高的區(qū)域(以下也稱為高潤濕性區(qū))。 當(dāng)接觸角大時(shí)，具有流動(dòng)性的液態(tài)組合物在區(qū)域表面上不擴(kuò)展，排拒此組合物，因而不被潤濕。當(dāng)接觸角小時(shí)，具有流動(dòng)性的組合物在表面上擴(kuò)展，表面因而被很好地潤濕。因此，潤濕性不同的區(qū)域具有不同的表面能。潤濕性低的區(qū)域的表面的表面能低，而潤濕性高的區(qū)域的表面的表面能大。潤濕性的差異是兩個(gè)區(qū)域的相對(duì)關(guān)系，可以通過選擇性地形成低潤濕性區(qū)，來形成潤濕性不同的二種區(qū)域。作為選擇性地形成低潤濕性區(qū)的方法，可以使用以下方法等形成掩模層，并且使用該掩模層選擇性地形成低潤濕性物質(zhì)的方法；使用掩模層選擇性地降低潤濕性的表面處理方法。另外，可以采用在形成低潤濕性區(qū)之后選擇性地消除其低潤濕性效果的方法(去除或分解潤濕性低的物質(zhì))等。作為改變、控制表面潤濕性的方法，有通過利用光照射能量分解表面物質(zhì)，使區(qū)域表面改性而改變潤濕性的方法。作為潤濕性低的物質(zhì)，可以使用包含氟碳基(氟碳鏈)的物質(zhì)或包含硅烷偶聯(lián)劑的物質(zhì)。由于硅烷偶聯(lián)劑可以形成單分子膜，所以可以有效地進(jìn)行分解、改性，從而在短時(shí)間內(nèi)改變潤濕性。另外，上述單分子膜也可以說是自組裝膜。另外，硅烷偶聯(lián)劑通過不僅將具有氟碳基(氟碳鏈)的物質(zhì)排列在襯底上，而且也將具有烷基的物質(zhì)也排列在襯底上，表示低潤濕性，因此可以使用。此外，作為潤濕性低的物質(zhì)，也可以使用鈦酸酯偶聯(lián)劑、鋁酸鹽偶聯(lián)劑。根據(jù)本發(fā)明，可以形成潤濕性大大不同的區(qū)域(潤濕性差異大的區(qū)域)，所以液態(tài)導(dǎo)電性(絕緣性)材料只在被形成區(qū)中精確地附著。因此，可以將導(dǎo)電層(絕緣層)精確地形成為所要求的圖形。作為潤濕性低的物質(zhì)，可以采用包含氟碳基(氟碳鏈)或硅烷偶聯(lián)劑的物質(zhì)。硅烷偶聯(lián)劑用化學(xué)式to-Si-X4_n(n = 1,2,3)來表示。在此，R是包含烷基等的比較惰性的基團(tuán)的物質(zhì)。X是能夠通過與基質(zhì)表面的羥基或吸附水的縮合而可鍵合的水解基，諸如鹵素、
甲氧基、乙氧基、或乙酸基等。作為硅烷偶聯(lián)劑的代表例子，可以通過使用R具有氟代烷基的氟類硅烷偶聯(lián)劑 (氟代烷基硅烷(FAS))，進(jìn)一步降低潤濕性。FAS的R具有以(CF3) (CF2)x (CH2)y (χ 0以上 10以下的整數(shù)，y 0以上 4以下的整數(shù))表示的結(jié)構(gòu)，當(dāng)多個(gè)R或X與Si鍵合時(shí)，R或X 可以互相相同或不同。作為代表的FAS，可以舉出十七氟四氫癸基三乙氧基硅烷、十七氟四氫癸基三氯硅烷、十三氟四氫辛基三氯硅烷、三氟丙基三甲氧基硅烷、十三氟代辛基三甲氧基硅烷等氟代烷基硅烷(以下也稱作FAQ。此外，還可以使用十三氟辛基三氯硅烷等的水解基為鹵素的偶聯(lián)劑。當(dāng)然，不局限于上述例舉的化合物。此外，作為潤濕性低的物質(zhì)，還可以使用鈦酸酯偶聯(lián)劑或鋁酸鹽偶聯(lián)劑。例如，可以舉出異丙基三異辛?；佀狨?、異丙基(二辛基焦磷酸酯)鈦酸酯、異丙基三(十八烷?；?鈦酸酯、異丙基三(二辛基磷酸酯)鈦酸酯、異丙基二甲基丙烯基異十八烷?；佀狨セ蛞阴Ｍ檠趸惐徜X等。為了在被形成區(qū)域形成如上所述的潤濕性低的物質(zhì)作為膜，可以使用通過蒸發(fā)液態(tài)物質(zhì)而形成于被形成區(qū)(例如襯底等)的氣相生長(zhǎng)法等。此外，潤濕性低的物質(zhì)也可以通過旋轉(zhuǎn)涂敷法、浸漬法、液滴排出法、印刷法(絲網(wǎng)印刷或平版印刷等)來形成，還可以使用溶解在溶劑中的溶液的形式。作為含有潤濕性低的物質(zhì)的溶液的溶劑，可以使用水、醇、酮、烴類溶劑(脂肪族烴、芳香族烴、鹵代烴等)、醚類化合物、以及這些的混合物。例如，使用甲醇、乙醇、丙醇、丙酮、丁酮、正戊烷、正己烷、正庚烷、正辛烷、正癸烷、二環(huán)戊烷、苯、甲苯、二甲苯、杜烯、茚、四氫化萘、十氫化萘、異三十烷、四氯化碳、氯仿、二氯甲烷、三氯乙烷、乙醚、二 P惡烷、二甲氧基乙烷或四氫呋喃等。對(duì)于上述溶液的濃度沒有特別的限定，在0.001 20wt%的范圍即可。此外，還可以在上述潤濕性低的物質(zhì)中混合吡啶、三乙胺、二甲基苯胺等的胺。而且，也可以添加甲酸、醋酸等的羧酸作為催化劑。當(dāng)如上述那樣使用將潤濕性低的物質(zhì)以液態(tài)附著在被形成區(qū)的旋轉(zhuǎn)涂敷法等形成單分子膜時(shí)，將處理溫度設(shè)定為室溫(大約25°C ) 150°C，將處理時(shí)間設(shè)定為幾分鐘至 12個(gè)小時(shí)即可。處理?xiàng)l件根據(jù)潤濕性低的物質(zhì)的性質(zhì)、溶液的濃度、處理溫度、處理時(shí)間適當(dāng)?shù)卦O(shè)定即可。作為形成低潤濕性區(qū)的溶液組合物的例子，可以使用具有氟碳(碳氟化物)鏈的材料(含氟樹脂)。作為含氟樹脂可以使用下列物質(zhì)聚四氟乙烯(PTFE:四氟乙烯樹脂)；全氟烷氧基烷烴(PFA 四氟乙烯全氟烷基乙烯基醚共聚樹脂)；全氟乙烯丙烯共聚物 (PFEP 四氟乙烯-六氟丙烯共聚樹脂)；乙烯-四氟乙烯共聚物(ETFE 四氟乙烯-乙烯共聚樹脂)；聚偏二氟乙烯(PVDF:偏氟乙烯樹脂)；聚氯三氟乙烯(PCTFE:三氟氯乙烯樹脂)； 乙烯-氯三氟乙烯共聚物(ECTFE:三氟氯乙烯-乙烯共聚樹脂)；聚四氟乙烯-全氟二氧雜環(huán)戊烯共聚物(TFE/PDD)；聚氟乙烯(PVF 氟乙烯樹脂)等。而且，也可以使用不呈現(xiàn)低潤濕性(換言之，即呈現(xiàn)高潤濕性)的有機(jī)材料，之后用CF4等離子體等進(jìn)行處理，形成低潤濕性區(qū)。例如，可以使用將聚乙烯醇(PVA)那樣的水溶性樹脂混合在H2O等溶劑中的材料。此外，也可以將PVA與其它水溶性樹脂組合使用。也可以采用有機(jī)材料(有機(jī)樹脂材料)(聚酰亞胺、丙烯酸酯)或硅氧烷材料。要說明的是， 硅氧烷材料相當(dāng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。使用至少包含氫的有機(jī)基(例如烷基或芳基)作為取代基。也可以使用氟基作為取代基?；蛘?，也可以使用至少包含氫的有機(jī)基和氟基作為取代基。而且，即使采用具有低潤濕性表面的材料時(shí)，也可以通過進(jìn)行等離子體處理等來進(jìn)一步降低潤濕性。在本實(shí)施方式中，通過液滴排出裝置形成導(dǎo)電層(絕緣層)。液滴排出裝置是一種裝置的總稱，其具有排出液滴的單元，例如具有組合物的排出口的噴嘴、具有一個(gè)或多個(gè)噴嘴的噴頭等。將液滴排出裝置所具備的噴嘴的直徑設(shè)定為0. 02至100 μ m(優(yōu)選為30 μ m 以下)，將從該噴嘴排出的組合物的排出量設(shè)定為0. OOlpl至IOOpl (優(yōu)選為0. Ipl以上至 40pl以下，更優(yōu)選為IOpl以下)。排出量相對(duì)于噴嘴的直徑的尺寸成比例增加。此外，優(yōu)選被處理物和噴嘴的排出口之間的距離盡可能地近，以便將液滴滴落在所要求的位置。更優(yōu)選，將距離設(shè)定為0. 1至3mm(優(yōu)選為Imm以下)左右。作為從排出口排出出的組合物，采用溶解或者分散在溶劑中的導(dǎo)電性材料。導(dǎo)電性材料相當(dāng)于Ag、Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh, W, Al等的一種或多種金屬的微粒子或分散性納米粒子。另外，在所述導(dǎo)電性材料中可以混合Cd、Zn等的金屬硫化物；Fe、Ti、Ge、Si、Zr、 Ba等的氧化物；或者鹵化銀的一種或多種的微粒子或者分散性納粒子。此外，作為導(dǎo)電性材料，可以采用用作透明導(dǎo)電膜的銦錫氧化物(ITO)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅、氮化鈦等。導(dǎo)電性材料可以使用單一元素，或混合多種元素的粒子使用。然而，作為從排出口排出的組合物，考慮到電阻率，優(yōu)選將金、銀、銅的任一種材料溶解或分散在溶劑中得到的組合物。更優(yōu)選采用電阻低的銀、銅。但是，當(dāng)采用銀、銅時(shí)，作為對(duì)付雜質(zhì)的對(duì)策，優(yōu)選同時(shí)設(shè)置阻擋膜?？梢詫⒌枘?、硼化鎳(NiB)用作阻擋膜。此外，導(dǎo)電性材料的周圍被其它導(dǎo)電性材料涂覆，也可以形成多層的粒子。例如， 可以采用一種三層結(jié)構(gòu)的粒子等，其中在銅的周圍涂覆硼化鎳(NiB)，并且在其周圍涂敷銀。作為溶劑，采用醋酸丁酯、醋酸乙酯等酯類；異丙醇、乙醇等醇類；甲乙酮、丙酮等的有機(jī)溶劑等；或水。組合物的粘度優(yōu)選為20mPa*s以下，這是為了防止排出時(shí)引起的干燥、以及使組合物順利地從排出口排出。此外，組合物的表面張力優(yōu)選為40mN/m以下。然而，可以根據(jù)所采用的溶劑、用途適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)組合物的粘度等。例如，可以將在溶劑中溶解或者分散了 ΙΤ0、有機(jī)銦、有機(jī)錫的組合物的粘度設(shè)定為5至20mPa · s，將在溶劑中溶解或分散了銀的組合物的粘度設(shè)定為5至20mPa · s，將在溶劑中溶解或分散了金的組合物的粘度設(shè)定為 5 至 20mPa · s。另外，導(dǎo)電層可以層疊多種導(dǎo)電性材料。此外，也可以在開始采用銀作為導(dǎo)電性材料，通過液滴排出法形成導(dǎo)電層之后，使用銅等進(jìn)行鍍敷。鍍敷通過電鍍或者化學(xué)(無電場(chǎng))鍍敷法實(shí)施即可?？梢酝ㄟ^將襯底表面浸在充滿含有鍍敷材料的溶液的容器中，但也可以將襯底傾斜(或者垂直)豎起，使含有鍍敷材料的溶液流過襯底表面來進(jìn)行涂敷。通過將襯底豎起涂布溶液來進(jìn)行涂敷，具有以下優(yōu)點(diǎn)即使是大面積襯底，在工序中使用的裝置也可以實(shí)現(xiàn)小型化。盡管依存于各噴嘴的直徑或所要求的圖形的形狀等，為了防止噴嘴被塞住、制造高精細(xì)圖形，導(dǎo)體的粒子的直徑優(yōu)選盡可能地小，粒子的直徑優(yōu)選為0. ιμπι以下。組合物是通過電解法、霧化法、或濕還原法等各種方法形成的，其粒子大小一般約為0.01 IOum0然而，如果通過氣體蒸發(fā)法形成，由分散劑保護(hù)的納米粒子微小，大約為7nm，另外， 當(dāng)使用覆蓋劑覆蓋各粒子的表面時(shí)，納米粒子在溶液中不凝集，并在室溫下穩(wěn)定地分散，示出和液體幾乎相近的行為。因此，優(yōu)選使用覆蓋劑。排出組合物的工序也可以在減壓下進(jìn)行。在排出組合物之后，進(jìn)行干燥和燒成的一方或兩方工序。干燥和燒成的工序雖然都是加熱處理工序，但是其目的、溫度和時(shí)間不同，例如干燥在100°C進(jìn)行3分鐘，而燒成在200°C 550°C進(jìn)行15分鐘 60分鐘。干燥工序和燒成工序在常壓或減壓下，通過照射激光、瞬間熱退火、加熱爐等來進(jìn)行。要說明的是， 進(jìn)行該加熱處理的時(shí)機(jī)、加熱處理次數(shù)沒有特別的限定。為了良好地進(jìn)行干燥和燒成工序， 可以先加熱襯底，此時(shí)的溫度盡管依賴于襯底等的材質(zhì)，但一般設(shè)定為100°C 800°C (優(yōu)選為200°C 550°C )。根據(jù)本工序，揮發(fā)組合物中的溶劑或化學(xué)性去除分散劑的同時(shí)，周圍的樹脂硬化收縮，由此使得納米粒子彼此接觸，加速熔接和焊接。將連續(xù)振蕩或者脈沖振蕩的氣體激光器或者固體激光器用于激光的照射即可。作為前者的氣體激光器，可以舉出激基激光器、YAG激光器等，而作為后者的固體激光器，可以舉出采用摻雜有Cr、Nd等的YAG、YV04、GdVO4等晶體的激光器等。要說明的是，涉及到激光的吸收率，優(yōu)選采用連續(xù)振蕩激光器。此外，也可以采用組合了脈沖振蕩和連續(xù)振蕩的激光照射方法。然而，根據(jù)襯底的耐熱性，利用激光束的照射的加熱處理優(yōu)選在幾微秒到幾十秒之內(nèi)瞬間進(jìn)行，以便不破壞該襯底。瞬間熱退火(RTA)通過在惰性氣體環(huán)境中利用照射從紫外到紅外的光的紅外線燈或者鹵素?zé)舻?，使溫度迅速升高，瞬間加熱幾微秒 幾分鐘來進(jìn)行。因?yàn)樗查g進(jìn)行該處理，因此可以僅加熱最表面的薄膜，而位于下層的膜不受影響。亦即，對(duì)塑料襯底等耐熱性低的襯底也沒有影響。另外，在通過液滴排出法排出組合物形成導(dǎo)電層等之后，為了提高其平坦性，可以用壓力壓平表面來使其平坦化。作為壓平的方法，可以使用輥狀物體在其表面上掃描來使凹凸平坦化，減少凹凸，或者也可以使用平坦的板形物體垂直壓平其表面等。當(dāng)壓平時(shí)，也可以進(jìn)行加熱工序。此外，也可以使用溶劑等軟化或溶解其表面，用氣刀消除其表面的凹凸部。此外，也可以用CMP法進(jìn)行拋光。該工序可以適用于平坦由液滴排出法在表面上產(chǎn)生的凹凸。本實(shí)施方式示出了使用本發(fā)明形成導(dǎo)電層的例子，然而也可以通過將包含在被排出的液態(tài)組合物中的形成材料改變成絕緣性材料或半導(dǎo)體材料，利用本發(fā)明制造絕緣層或半導(dǎo)體層等。根據(jù)本發(fā)明，可以以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置的布線等構(gòu)成物。另外，可以簡(jiǎn)化復(fù)雜的光刻工序，通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以可以減少材料的損失且實(shí)現(xiàn)成本的降低。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。實(shí)施方式2在本實(shí)施方式中，使用圖4描述接觸孔的形成方法，該方法目的在于以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了的工序低成本地制造接觸孔。通過絕緣層使導(dǎo)電層和導(dǎo)電層彼此電連接時(shí)，在絕緣層中形成開口(成為所謂的接觸孔)。在此情況下，在絕緣層上不形成掩模，通過激光的照射選擇性地形成開口。形成第一導(dǎo)電層，在該第一導(dǎo)電層上層疊絕緣層，并且從絕緣層一側(cè)對(duì)在第一導(dǎo)電層及絕緣層的疊層中形成開口的區(qū)域選擇性地照射激光。激光透過絕緣層，而被第一導(dǎo)電層吸收。第一導(dǎo)電層由于所吸收的激光的能量而被加熱且蒸發(fā)，從而破壞層疊在其上的絕緣層。因此在第一導(dǎo)電層和絕緣層上形成開口，在絕緣層下的導(dǎo)電層的一部分露出在開口的側(cè)壁及底面(或僅在側(cè)壁)。在開口中形成第二導(dǎo)電層，與露出的第一導(dǎo)電層接合，由此第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層可以通過絕緣層彼此電連接。換句話說，在本發(fā)明中，通過對(duì)導(dǎo)電層照射激光并利用激光燒蝕來蒸發(fā)導(dǎo)電層的激光照射區(qū)，在形成于導(dǎo)電層上的絕緣層中形成開口。使用圖4來具體描述。在本實(shí)施方式中，如圖4所示，在襯底720上形成有導(dǎo)電層 721a、導(dǎo)電層721b、絕緣層722。導(dǎo)電層721a和導(dǎo)電層721b是疊層結(jié)構(gòu)，在本實(shí)施方式中，導(dǎo)電層721b使用比較容易蒸發(fā)的低熔點(diǎn)金屬(在本實(shí)施方式中使用鉻)，并且導(dǎo)電層721a使用比導(dǎo)電層721b不容易蒸發(fā)的高熔點(diǎn)金屬(在本實(shí)施方式中使用鎢)。如圖4(B)所示，從絕緣層722 —側(cè)對(duì)導(dǎo)電層721a及導(dǎo)電層721b選擇性地照射激光723(照射區(qū)724)，通過所照射激光的能量導(dǎo)電層721b的照射區(qū)蒸發(fā)。導(dǎo)電層721b照射區(qū)上的絕緣層722被去除，從而可以形成開口 725。導(dǎo)電層721b被分離成導(dǎo)電層M8a、 728b，而絕緣層722被分離成絕緣層727a、727b (參照?qǐng)D4(C))?？梢栽趯?dǎo)電層721a和導(dǎo)電層721b露出的開口 725中形成導(dǎo)電層726，以使導(dǎo)電層721a、導(dǎo)電層721b與導(dǎo)電層726電連接(參照?qǐng)D4(D))。參照?qǐng)D31說明用于將激光(激光束)描畫到處理區(qū)中的激光束描畫裝置。在本實(shí)施方式中由于，將激光束直接照射到處理區(qū)來進(jìn)行處理，因此使用激光束直接描畫裝置。 如圖31所示，激光束直接描畫裝置1001包括在照射激光束時(shí)進(jìn)行各種控制的個(gè)人計(jì)算機(jī) (下文中稱為PC) 1002 ；用于輸出激光束的激光振蕩器1003 ；激光振蕩器1003的電源1004 ； 用于衰減激光束的光學(xué)系統(tǒng)(ND濾光器)1005 ；用于調(diào)制激光束的強(qiáng)度的音頻光學(xué)調(diào)制器 (AOM) 1006 ；由用于放大或者減小激光束截面的透鏡、用于改變光路的鏡面等構(gòu)成的光學(xué)系統(tǒng)1007 ；具有X載物臺(tái)和Y載物臺(tái)的襯底移動(dòng)機(jī)構(gòu)1009 ；用于將PC所輸出的控制數(shù)據(jù)由數(shù)字轉(zhuǎn)化成模擬數(shù)據(jù)的D/A轉(zhuǎn)換部1010 ；用于根據(jù)D/A轉(zhuǎn)換部所輸出的模擬電壓來控制音頻光學(xué)調(diào)制器1006的驅(qū)動(dòng)器1011 ；以及用于輸出用于驅(qū)動(dòng)襯底移動(dòng)機(jī)構(gòu)1009的驅(qū)動(dòng)信號(hào)的驅(qū)動(dòng)器1012。作為激光振蕩器1003，可以使用能夠振蕩紫外光、可見光、或紅外光的激光振蕩器。作為激光振蕩器，可以使用KrF、ArF、XeCl, Xe等的激基激光振蕩器；He、He-Cd, Ar、 He-Ne或HF等的氣體激光振蕩器；使用在YAG、GdV04、YVO4、YLF、YAW3等結(jié)晶中摻雜了 Cr、 Nd、Er、Ho、Ce、Co、Ti或Tm的結(jié)晶的固態(tài)激光振蕩器；或者GaN、GaAs、GaAlAs、InGaAsP等半導(dǎo)體激光振蕩器。要說明的是，在固態(tài)激光振蕩器中，優(yōu)選采用基波的一次諧波至五次諧波。為了調(diào)節(jié)從激光振蕩器發(fā)射的激光的形狀或激光行進(jìn)的路徑，還可以設(shè)置由遮光板、反射鏡或半反射鏡等反射體、柱面透鏡或凸透鏡等構(gòu)成的光學(xué)系統(tǒng)。接著，說明使用激光束直接描畫裝置進(jìn)行的膜改性處理。在襯底移動(dòng)機(jī)構(gòu)1009上安裝了襯底1008之后，PC 1002使用未圖示的照像機(jī)來檢測(cè)印在襯底上的標(biāo)記的位置。接著，PC 1002根據(jù)所檢測(cè)到的標(biāo)記的位置數(shù)據(jù)以及已預(yù)先輸入的描畫圖形數(shù)據(jù)來產(chǎn)生用于移動(dòng)襯底移動(dòng)機(jī)構(gòu)1009的移動(dòng)數(shù)據(jù)。之后，PC 1002通過驅(qū)動(dòng)器1011來控制音頻光學(xué)調(diào)制器1006的輸出光量，激光振蕩器1003所輸出的激光束被光學(xué)系統(tǒng)1005衰減，然后在音頻光學(xué)調(diào)制器1006中將光量調(diào)整到預(yù)定的量。另一方面，在光學(xué)系統(tǒng)1007中，改變由音頻光學(xué)調(diào)制器1006所輸出的激光束的光路和光束形狀，在用透鏡聚光之后，將該光束照射到形成在襯底上的基底膜上，進(jìn)行膜的改性處理。這時(shí)，根據(jù)由PC 1002所產(chǎn)生的移動(dòng)數(shù)據(jù)， 控制襯底移動(dòng)機(jī)構(gòu)1009在X方向和Y方向上移動(dòng)。結(jié)果是，激光束照射到預(yù)定位置，進(jìn)行膜的改性處理。激光的波長(zhǎng)越短，可以將光束徑聚焦得越短，因此，優(yōu)選照射短波長(zhǎng)的激光束，以便處理具有微細(xì)寬度的區(qū)域。另外，通過光學(xué)系統(tǒng)激光束在膜表面的點(diǎn)形狀被加工成點(diǎn)形、圓形、橢圓形、矩形或線形(嚴(yán)格意義來講，細(xì)長(zhǎng)長(zhǎng)方形)。另外，雖然圖31所示的裝置示出了從襯底表面一側(cè)照射激光來曝光的例子，但也可以使用適當(dāng)?shù)馗淖児鈱W(xué)系統(tǒng)或襯底移動(dòng)機(jī)構(gòu)并且從襯底背面一側(cè)照射激光束來曝光的激光束描畫裝置。要說明的是，這里移動(dòng)襯底來選擇性地照射激光束，但并不限定于此，可以將激光束沿XY軸方向掃描來照射激光束。在此情況下，光學(xué)系統(tǒng)1007優(yōu)選使用多面體鏡或檢流計(jì)反射鏡。導(dǎo)電層721a、721b可以通過蒸鍍法、濺射法、PVD法(物理氣相沉積法)、減壓CVD 法(LPCVD法)或等離子體CVD法等的CVD法(化學(xué)氣相沉積法)等形成。另外，也可以使用可以將構(gòu)成物轉(zhuǎn)印或描畫為所要求的圖形的方法如各種印刷法(絲網(wǎng)(孔版)印刷、 膠(平版)印刷、凸版印或刷照相凹版(凹版)印刷等以所要求的圖形形成的方法)、分配器法、選擇性涂敷法等。可以使用鉻、鉬、鎳、鈦、鈷、銅或鋁中的一種或多種來形成導(dǎo)電層 721a、721b。圖4示出如下例子由于激光723的照射，導(dǎo)電層721b蒸發(fā)，在絕緣層722中形成開口 725，而層疊的導(dǎo)電層721a殘留。圖5，示出形成開口的其他例子，該開口到達(dá)形成在絕緣層下的導(dǎo)電層。圖5(A)示出使用激光束僅將在絕緣層下層疊的導(dǎo)電層中的上層導(dǎo)電層的上方部激光燒蝕的例子。在襯底730上設(shè)置導(dǎo)電層731、導(dǎo)電層732、絕緣層733，在形成于導(dǎo)電層 732、絕緣層733中的開口 750中設(shè)置導(dǎo)電層734。在開口 750中，導(dǎo)電層732露出并且與導(dǎo)電層734接合而電連接。在絕緣層下的導(dǎo)電層也可以層疊具有不同熔點(diǎn)的多種導(dǎo)電層，當(dāng)然也可以為單層。圖5(B) (C)所示為絕緣層下的導(dǎo)電層是單層的例子。圖5(B)是使用激光僅將在絕緣層下的導(dǎo)電層的上方部激光燒蝕的例子，而圖5(C)是進(jìn)行激光燒蝕直到襯底740露出，從而去除在絕緣層下的導(dǎo)電層的例子。
在圖5(B)中，在襯底735上設(shè)置有導(dǎo)電層736、絕緣層738，在形成于導(dǎo)電層736、 絕緣層738中的開口 751中設(shè)置有導(dǎo)電層739。在開口 751中導(dǎo)電層736露出并且與導(dǎo)電層739接合而電連接。當(dāng)如圖5(B)那樣在導(dǎo)電層的膜厚度方向上僅將其上方部分地去除時(shí)，控制激光的照射條件(能量、照射時(shí)間等)或?qū)?dǎo)電層736形成得較厚即可。在圖5(C)中，在襯底740上設(shè)置有導(dǎo)電層741a、741b、絕緣層743，并且在形成于導(dǎo)電層741a和741b之間、以及絕緣層743中的開口 752中設(shè)置有導(dǎo)電層744。在開口 752 中導(dǎo)電層741a、741b露出并且與導(dǎo)電層744接合而電連接。如圖5(B)所示，可以不需要下部導(dǎo)電層和上部導(dǎo)電層在開口底面彼此接合，也可以具有如下結(jié)構(gòu)形成上部導(dǎo)電層，以使與在開口側(cè)面露出的下部導(dǎo)電層接合，從而電連接。另外，用作接觸孔的開口的形狀也可以不是側(cè)面垂直于底面的形狀，也可以如圖 5(D)那樣開口的側(cè)邊具有錐形的形狀。在圖5(D)中，在襯底745上形成有導(dǎo)電層746、導(dǎo)電層747、絕緣層748，并且在絕緣層748及導(dǎo)電層747中形成有開口 753。開口 753是研缽形狀，并且開口 753的側(cè)面相對(duì)于底面具有錐形的形狀。在開口 753中設(shè)置有導(dǎo)電層749。像這樣，在設(shè)置于絕緣層的開口處使在絕緣層下的下部導(dǎo)電層和在絕緣層上的上部導(dǎo)電層電連接。在本實(shí)施方式中，通過在第一導(dǎo)電層上形成包括高升華性金屬的第二導(dǎo)電層，并且利用激光使第二導(dǎo)電層蒸發(fā)，在形成于第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層上的絕緣層中形成開口。根據(jù)激光的照射條件(能量強(qiáng)度、照射時(shí)間等)及絕緣層、導(dǎo)電層的材料的性質(zhì) (熱導(dǎo)電率、熔點(diǎn)、沸點(diǎn)等)，可以控制形成于絕緣層及導(dǎo)電層的開口的大小或形狀。圖35 示出激光的大小及被形成的開口的大小的例子。在襯底300上層疊形成有第一導(dǎo)電層301a(301al、301a2、301a3)、第二導(dǎo)電層 301b，并且形成有絕緣層302以覆蓋第一導(dǎo)電層301a(301al、301a2、301a3)及第二導(dǎo)電層 301b。在圖35中，第一導(dǎo)電層301a(301al、301a2、301a3)具有包括多個(gè)薄膜的疊層結(jié)構(gòu)，例如第一導(dǎo)電層301al使用鈦，第一導(dǎo)電層301a2使用鋁，第一導(dǎo)電層301a3使用鈦，第二導(dǎo)電層301b使用鉻。另外，第一導(dǎo)電層301a3也可以使用鎢或鉬等。當(dāng)然，第二導(dǎo)電層301b 也可以具有疊層結(jié)構(gòu)，可以使用銅和鉻的疊層等。將激光直徑為L(zhǎng)l的激光303照射到絕緣層302及第二導(dǎo)電層301b，在絕緣層302 及第二導(dǎo)電層301b中選擇性地形成照射區(qū)304。若激光303的能量大，則如圖35(C)那樣供給第二導(dǎo)電層301b的能量也變大，在第二導(dǎo)電層301b中熱量傳導(dǎo)到照射區(qū)中及其周邊。 因此，在第二導(dǎo)電層301b中形成具有比激光303的直徑Ll大的直徑L2的開口，從而在形成于第二導(dǎo)電層301b上的絕緣層302中也形成開口。如上所述，第二導(dǎo)電層301b被分成第二導(dǎo)電層308a、308b，并且絕緣層302被分成絕緣層307a、307b，以形成開口 305。在第一導(dǎo)電層301a3露出的開口 305中形成導(dǎo)電膜306，以使與第一導(dǎo)電層301a(301al、301a2、 301a3)及第二導(dǎo)電層308a、308b電連接(參照?qǐng)D35(D))。開口相對(duì)于由激光的直徑?jīng)Q定的照射區(qū)的大小依賴于激光能量的大小。若激光具有使第二導(dǎo)電層蒸發(fā)的充分大的能量，則能量傳達(dá)到照射區(qū)周邊，第二導(dǎo)電層蒸發(fā)，因此， 在第二導(dǎo)電層中形成比激光的照射區(qū)大的開口。而若激光能量小，則在第二導(dǎo)電層中形成與照射區(qū)大致相同大小的開口。另外，當(dāng)?shù)诙?dǎo)電層使用熱傳導(dǎo)率高的升華金屬材料時(shí)，激光的能量容易傳達(dá)，所以可以形成大于照射區(qū)的開口。像這樣，通過控制激光的能量，可以控制被照射激光束的第二導(dǎo)電層的蒸發(fā)范圍，因此，也可以適當(dāng)?shù)乜刂菩纬稍诘诙?dǎo)電層及絕緣層的開口的大小。也可以在通過激光的照射形成開口之后，使用液體洗滌殘留在開口附近的導(dǎo)電性材料或絕緣性材料(導(dǎo)電層或絕緣層的被去除部分的殘留物)，以去除殘留物。在此情況下，既可使用水等無反應(yīng)物質(zhì)洗滌，又可使用與絕緣層反應(yīng)(溶解)的蝕刻劑等試劑洗滌。 當(dāng)使用蝕刻劑時(shí)開口被過度蝕刻，碎屑等被去除，表面被進(jìn)一步平坦化。另外，也可以擴(kuò)展開口。因?yàn)榭梢岳眉す膺x擇性地形成開口，無需形成掩模層，從而可以減少工序及材料。另外，具有如下優(yōu)點(diǎn)因?yàn)榭梢詫⒓す饩劢篂榉浅Ｐ〉狞c(diǎn)，所以可以將要加工的導(dǎo)電層及絕緣層高精度地加工成預(yù)定的形狀，并且因?yàn)樵诙虝r(shí)間被瞬間加熱，所以幾乎不會(huì)加熱加工區(qū)以外的區(qū)域。像這樣，可以通過激光照射在絕緣層形成使導(dǎo)電層和導(dǎo)電層電連接的開口(接觸孔)，而不需進(jìn)行復(fù)雜的光刻工序和形成掩模層。因此，當(dāng)使用本發(fā)明制造顯示裝置時(shí)可以使工序簡(jiǎn)化，所以可以減少材料的損失， 實(shí)現(xiàn)成本的降低。因此，可以高成品率地制造顯示裝置。實(shí)施方式3圖25(A)是顯示本發(fā)明的顯示面板的結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中形成有在具有絕緣表面的襯底2700上矩陣排列的像素2702的像素部2701、掃描線一側(cè)輸入端子2703、 信號(hào)線一側(cè)輸入端子2704。像素?cái)?shù)可以根據(jù)各種標(biāo)準(zhǔn)來設(shè)定，若是XGA且使用RGB的全色顯示，像素?cái)?shù)是10MX768X3(RGB)，若是UXGA且使用RGB的全色顯示，像素?cái)?shù)量是1600X1200X3(RGB)，若對(duì)應(yīng)于全規(guī)格高清晰畫質(zhì)使用RGB的全色顯示，像素?cái)?shù)是 1920 X 1080 X 3 (RGB)即可。像素2702是通過從掃描線一側(cè)輸入端子2703延伸的掃描線和從信號(hào)線一側(cè)輸入端子2704延伸的信號(hào)線交叉，以矩陣狀排列的。像素2702中的每一個(gè)具備開關(guān)元件和連接于該開關(guān)元件的像素電極。開關(guān)元件的典型實(shí)例是TFT。通過TFT的柵電極一側(cè)連接到掃描線，且源極一側(cè)或漏極一側(cè)連接到信號(hào)線，由此能夠利用從外部輸入的信號(hào)獨(dú)立地控制各像素。圖25(A)示出了使用外部驅(qū)動(dòng)電路控制輸入到掃描線及信號(hào)線中的信號(hào)的顯示面板的結(jié)構(gòu)，如圖26(幻所示，也可以通過0 (0^ On Glass，玻璃上安裝芯片)方式將驅(qū)動(dòng)器IC 2751安裝在襯底2700上。此外，作為其它安裝方式，也可以使用如圖沈(B)所示的TAB (Tape Automated Bonding，帶式自動(dòng)接合)方式。驅(qū)動(dòng)器IC既可以是形成在單晶半導(dǎo)體襯底上的，又可以是在玻璃襯底上由TFT形成電路的。在圖沈中，驅(qū)動(dòng)器IC 2751與 FPC 2750 連接。此外，當(dāng)由結(jié)晶性高的多晶(微晶)半導(dǎo)體形成設(shè)置在像素中的TFT時(shí)，如圖 25(B)所示，也可以在襯底3700上形成掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3702。在圖25 (B)中，3701表示像素部，3704表示信號(hào)線一側(cè)輸入端子，并且與圖25(A)同樣地使用外部驅(qū)動(dòng)電路來控制信號(hào)線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路。如在本發(fā)明中形成的TFT，在設(shè)置于像素4701中的TFT由遷移度高的多晶(微晶)半導(dǎo)體、單晶半導(dǎo)體等形成的情況下，如圖25(C)所示，也可以在襯底4700 上集成地形成像素4701、掃描線驅(qū)動(dòng)電路4702和信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4704。參照?qǐng)D7 14來描述本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式。更詳細(xì)地描述其中應(yīng)用本發(fā)明的具有反交錯(cuò)型薄膜晶體管的顯示裝置的制造方法。圖7 圖13的(A)是顯示裝置的像素部的俯視圖。圖7 圖13的(B)是沿圖7 圖13的(A)的線A-C的截面圖，而(C)是沿圖中的線B-D的截面圖。圖14(A) (B)也是顯示裝置的截面圖。

襯底100含有使用鋇硼硅酸鹽玻璃和鋁硼硅酸鹽玻璃等的玻璃襯底；石英襯底； 金屬襯底；或具有能夠承受本制造工序的處理溫度的耐熱性的塑料襯底。另外，也可以用 CMP法等來拋光襯底100的表面，以使表面平坦。另外，也可以在襯底100上形成絕緣層。 利用諸如CVD法、等離子體CVD法、濺射法、旋轉(zhuǎn)涂敷法等的各種方法，并且使用包含硅的氧化物材料、氮化物材料以單層或疊層形成絕緣層。雖然也可以不形成該絕緣層，但它具有阻擋來自襯底100的污染物質(zhì)等的效果。在襯底100上形成導(dǎo)電膜?？梢酝ㄟ^濺射法、PVD法(物理氣相沉積)、減壓CVD 法(LPCVD法)或等離子體CVD法等CVD法(化學(xué)氣相沉積)等來形成導(dǎo)電膜。導(dǎo)電膜由選自Ag、Au、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu的元素、以上述元素為主要成分的合金材料或者化合物材料形成即可。另外，也可以采用以摻雜有磷等雜質(zhì)元素的多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體膜、或者AgPdCu合金。另外，可以采用單層結(jié)構(gòu)或者疊層結(jié)構(gòu)，例如，氮化鎢(WN) 膜和鉬(Mo)膜的雙層結(jié)構(gòu)，或者按順序?qū)盈B膜厚50nm的鎢膜、膜厚500nm的鋁和硅的合金 (Al-Si)膜、以及膜厚30nm的氮化鈦膜的三層結(jié)構(gòu)。此外，在采用三層結(jié)構(gòu)的情況下，可以采用氮化鎢代替第一導(dǎo)電膜的鎢，可以采用鋁和鈦的合金(Al-Ti)膜代替第二導(dǎo)電膜的鋁和硅的合金(Al-Si)膜，以及可以采用鈦膜代替第三導(dǎo)電膜的氮化鈦膜。在本實(shí)施方式中，選擇性地排出組合物來形成柵電極層。若像這樣選擇性地形成柵電極層，則具有使加工工序簡(jiǎn)化的效果。本實(shí)施方式的特征在于根據(jù)導(dǎo)電層的形成區(qū)的大小及形狀，從液滴排出裝置的排出口排出組合物的方法不同。如圖7所示，從液滴排出裝置136a、136b不停止地連續(xù)排出組合物來形成在較大范圍形成的相當(dāng)于柵極布線的柵電極層104(104a、104b)。另一方面，如圖7所示，從液滴排出裝置137a、137b滴落組合物來形成在較小范圍中形成的柵電極層105 (105a、105b)。像這樣，也可以根據(jù)形成的圖形改變液態(tài)組合物的排出方法。柵電極層104 (104a、104b)及柵電極層 105 (105a、105b)由選自 Ag、Au、Ni、Pt、Pd、 Ir、Rh、Ta、W、Ti、Mo、Al、Cu中的元素；以這些元素作為主要成分的合金材料或者化合物材料形成即可。另外，也可以采用這些元素的混合物。柵電極層不僅可以具有單層結(jié)構(gòu)，也可以具有雙層以上的疊層結(jié)構(gòu)。需要對(duì)柵電極層104 (104a、104b)及柵電極層105 (105a、105b)的形狀進(jìn)行加工時(shí)，形成掩模，采用干蝕刻或濕蝕刻進(jìn)行蝕刻加工即可。可以用ICP (感應(yīng)耦合等離子體) 蝕刻法，并適當(dāng)?shù)乜刂莆g刻條件(施加到線圈型電極的電量、施加到襯底一側(cè)電極的電量、 襯底一側(cè)電極的溫度等)，來將電極層蝕刻成錐形。要說明的是，作為用于蝕刻的氣體，可以適當(dāng)?shù)厥褂靡訡l2、BC13、SiCl4或CCl4等為代表的氯類氣體；以CF4、SF6或NF3等為代表的氟類氣體；或者02。掩模層使用環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯酸類樹脂、蜜胺樹脂、聚氨酯樹脂等樹脂材料。此外，可以采用有機(jī)材料諸如苯并環(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯、氟化亞芳基醚、具有透過性的聚酰亞胺；由硅氧烷類聚合物等的聚合得到的化合物材料；或含有水溶性的聚合物以及水溶性的共聚物的組合物材料等通過液滴排出法形成掩模層。或者，也可以采用市場(chǎng)上銷售的含有感光劑的抗蝕劑材料，例如，可以采用典型的正性抗蝕劑酚醛清漆樹脂和感光劑重氮萘醌、負(fù)性抗蝕劑基質(zhì)樹脂、二苯基硅烷二醇和酸發(fā)生劑等。采用任一材料， 通過調(diào)整溶劑的濃度、添加表面活性劑等適當(dāng)?shù)乜刂破浔砻鎻埩驼承浴?br>
接著，在柵電極層104a、104b、105a、105b上形成柵極絕緣層106。柵極絕緣層106 由硅的氧化物材料或者氮化物材料等材料形成即可，可以是疊層或者也可以是單層。在本實(shí)施方式中，可采用氮化硅膜、氧化硅膜的雙層結(jié)構(gòu)。或者，它們也可以采用單層的氧氮化硅膜、或者包含三層以上的疊層。優(yōu)選使用具有致密膜質(zhì)的氮化硅膜。另外，在將銀、銅等用于通過液滴排出法形成的導(dǎo)電層的情況下，若在其上形成氮化硅膜或者NiB膜作為阻擋膜，則有防止雜質(zhì)的擴(kuò)散和平坦表面的效果。要說明的是，為了在較低的成膜溫度下形成柵漏電流小的致密絕緣膜，優(yōu)選在反應(yīng)氣體中包括氬等稀有氣體元素，并且使該氣體混入要形成的絕緣膜中。接下來，形成半導(dǎo)體層。根據(jù)需要形成具有一種導(dǎo)電性型的半導(dǎo)體層即可。另外， 也可以通過形成具有η型的半導(dǎo)體層來制造η溝道型TFT的匪OS結(jié)構(gòu)、形成具有ρ型的半導(dǎo)體層來制造P溝道型TFT的PMOS結(jié)構(gòu)、或者η溝道型TFT和ρ溝道型TFT的CMOS結(jié)構(gòu)。 此外，也可以為了賦予導(dǎo)電性，通過摻雜工序添加賦予導(dǎo)電性的元素，并且在半導(dǎo)體層中形成雜質(zhì)區(qū)，來形成η溝道型TFT和ρ溝道型TFT。也可以通過使用PH3氣體進(jìn)行等離子體處理來對(duì)半導(dǎo)體層賦予導(dǎo)電性，而代替形成具有η型的半導(dǎo)體層。用于形成半導(dǎo)體層的材料可以采用以下半導(dǎo)體，即利用以硅烷或鍺烷為代表的半導(dǎo)體材料氣體通過氣相生長(zhǎng)法或?yàn)R射法制造的非晶半導(dǎo)體(下文中也稱作“AS”)、利用光能或熱能來使所述非晶半導(dǎo)體結(jié)晶而成的多晶半導(dǎo)體、半非晶(也稱作微晶或者微晶體， 并且下文中也稱作“SAS”)半導(dǎo)體等。半導(dǎo)體層可以通過各種方法(濺射法、LPCVD法或等離子體CVD法等)來形成。SAS是這樣一種半導(dǎo)體，其具有介于非晶結(jié)構(gòu)和晶體結(jié)構(gòu)(包括單晶和多晶)之間的中間結(jié)構(gòu)，且具有在自由能方面穩(wěn)定的第三態(tài)，還包括具有短程序列和晶格畸變的結(jié)晶區(qū)。在膜內(nèi)至少一部分區(qū)域可以觀察到0.5nm至20nm的結(jié)晶區(qū)。當(dāng)以硅作為主要成分時(shí)，拉曼光譜遷移到低于520CHT1的低波數(shù)一側(cè)。在X射線衍射中觀察到被認(rèn)為是由硅的晶格引起的衍射峰(111)和(220)。為了使未鍵合鍵(懸空鍵)處于末端，SAS含有至少1原子％或更多的氫或鹵素。通過含有硅的氣體的輝光放電分解(等離子體CVD)來形成SAS。 作為含有硅的氣體使用SiH4。此外，也可以使用Si2H6、SiH2Cl2, SiHCl3、SiCl4, SiF4等。此夕卜，也可以混合F2、GeF4。也可以使用H2或者H2和選自He、Ar、Kr、Ne中的一種或者多種稀有氣體元素來稀釋該含硅氣體。稀釋率在2 1000的范圍。壓力的范圍大致從0. IPa 133Pa的范圍，以及電源頻率從IMHz 120MHz，優(yōu)選13MHz 60MHz。襯底加熱溫度優(yōu)選為 300°C以下，也可以在100°C 200°C的襯底加熱溫度形成。這里，作為在形成膜時(shí)摻入的主要雜質(zhì)元素，氧、氮或碳等來自大氣成分的的雜質(zhì)優(yōu)選為lX102°Cm_3以下；尤其，氧濃度為 5X IO19Cm-3以下，優(yōu)選為lX1019cm_3以下。另外，通過添加稀有氣體元素諸如氦、氬、氪、氖以進(jìn)一步加強(qiáng)晶格畸變來獲得穩(wěn)定性，得到良好的SAS。此外，作為半導(dǎo)體層，可以將由氫類氣體形成的SAS層層疊在由氟類氣體形成的SAS層之上。作為非晶半導(dǎo)體可以代表性地舉出氫化非晶硅，作為晶體半導(dǎo)體可以代表性地舉出多晶硅等。多晶硅包括用經(jīng)過800°C以上的處理溫度形成的多晶硅作為主要材料的所謂高溫多晶硅；用在600°C以下的處理溫度下形成的多晶硅為主要材料的所謂低溫多晶硅；以及添加促進(jìn)結(jié)晶的元素等而結(jié)晶的多晶硅等。當(dāng)然還可以采用如上所述的半非晶半導(dǎo)體或者在部分半導(dǎo)體層中含有結(jié)晶相的半導(dǎo)體。 當(dāng)半導(dǎo)體層使用結(jié)晶性半導(dǎo)體層時(shí)，該結(jié)晶性半導(dǎo)體層的制造方法可以使用各種方法(激光晶化法、熱晶化法、利用鎳等促進(jìn)晶化的元素的熱晶化法等)。另外，也可以通過對(duì)作為SAS的微晶半導(dǎo)體進(jìn)行激光照射使其結(jié)晶而提高結(jié)晶性。在不導(dǎo)入促進(jìn)晶化的元素的情況下，在對(duì)非晶硅膜照射激光之前，通過在溫度500°C的氮?dú)猸h(huán)境中加熱一個(gè)小時(shí)，來使非晶硅膜中的含氫濃度釋放至lX102°atOmS/Cm3以下。這是因?yàn)槭褂眉す庹丈浜卸嗔繗涞姆蔷Ч枘r(shí)，該膜會(huì)被破壞。作為將金屬元素導(dǎo)入到非晶半導(dǎo)體層的方法，只要是能夠使得該金屬元素存在于非晶半導(dǎo)體層的表面或者其內(nèi)部的方法就沒有特別限制。例如，可以使用濺射法、CVD法、等離子體處理法(包括等離子體CVD法)、吸附法、涂敷金屬鹽溶液的方法。這些方法中，利用溶液的方法簡(jiǎn)單方便并且由于可以容易地調(diào)整金屬元素的濃度所以有用。另外，為了改善非晶半導(dǎo)體層表面的潤濕性，使水溶液散布于非晶半導(dǎo)體層的整個(gè)表面上，優(yōu)選通過在氧氣環(huán)境中的UV光照射、熱氧化法、用含有羥基的臭氧水或過氧化氫的處理等形成氧化膜?？梢越M合熱處理和激光照射使非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶，也可以多次單獨(dú)進(jìn)行熱處理或激光照射。也可以通過等離子體法在襯底上直接形成結(jié)晶性半導(dǎo)體層?；蛘撸部梢岳镁€狀等離子體法在襯底上選擇性地形成結(jié)晶性半導(dǎo)體層。作為半導(dǎo)體，使用有機(jī)半導(dǎo)體材料，可以利用印刷法、分配器法、噴涂法、旋轉(zhuǎn)涂敷法、液滴排出法等。在此情況下，由于不需要上述蝕刻工序，所以可以減少工序數(shù)量。作為有機(jī)半導(dǎo)體，可以使用并五苯等低分子材料、高分子材料等，也可以采用有機(jī)色素、導(dǎo)電性高分子材料等材料。優(yōu)選將由共軛雙鍵組成骨架的η電子共軛高分子材料用作本發(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體材料。代表性地，可以采用可溶性的高分子材料諸如聚噻吩、聚芴、聚(3-烷基噻吩)、聚噻吩衍生物等?？梢杂糜诒景l(fā)明的有機(jī)半導(dǎo)體材料還有可以通過將可溶性的前體成膜之后進(jìn)行處理形成半導(dǎo)體層的材料。作為這種有機(jī)半導(dǎo)體材料，可以舉出聚亞噻吩基亞乙烯、聚(2， 5-噻吩基亞乙烯)、聚乙炔、聚乙炔衍生物、聚亞芳基亞乙烯等。將前體轉(zhuǎn)換為有機(jī)半導(dǎo)體時(shí)，除了進(jìn)行加熱處理以外，還添加氯化氫氣體等反應(yīng)催化劑。作為溶解可溶性有機(jī)半導(dǎo)體材料的典型溶劑，可以適用甲苯、二甲苯、氯苯、二氯苯、苯甲醚、氯仿、二氯甲烷、Y - 丁內(nèi)酯、丁基溶纖劑、環(huán)己胺、NMP(N-甲基-2-吡咯烷酮)、 環(huán)己酮、2-丁酮、二嗯烷、二甲基甲酰胺(DMP)、或THF(四氫呋喃)等。在柵極絕緣層106上形成半導(dǎo)體膜107及具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體膜108。在本實(shí)施方式中，形成非晶半導(dǎo)體層作為半導(dǎo)體膜107及具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體膜108。 在本實(shí)施方式中，作為具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體膜，形成具有η型的半導(dǎo)體膜，該半導(dǎo)體膜包含賦予η型的雜質(zhì)元素的磷(P)。具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體膜用作源區(qū)及漏區(qū)。根據(jù)需要形成具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體膜即可，可以形成具有η型的半導(dǎo)體膜或具有ρ型的半導(dǎo)體膜，具有η型的半導(dǎo)體膜具有賦予η型的雜質(zhì)元素(P、As)，并且具有ρ型的半導(dǎo)體膜具有賦予P型的雜質(zhì)元素(B)。
與柵電極層104、105同樣， 使用掩模層將半導(dǎo)體膜107及具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體膜108加工成所要求的形狀。在半導(dǎo)體膜107及具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體膜108 上使用液滴排出裝置IlOaUlOb排出包含掩模層形成材料的組合物，選擇性地形成掩模層 109a、109b (參照?qǐng)D 8 (A)至 8 (C))。使用掩模層109a、109b加工半導(dǎo)體膜107及具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體膜108，以形成半導(dǎo)體層llla、lllb、具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層112a、112b。通過利用液滴排出法形成包括抗蝕劑或聚酰亞胺等絕緣體的掩模層，并且利用該掩模層通過蝕刻加工在柵極絕緣層106的一部分中形成開口 114，以露出位于其下層的柵電極層105的一部分。作為蝕刻加工，等離子體蝕刻(干蝕刻)或者濕蝕刻都可以采用。然而，等離子體蝕刻適于處理大面積襯底。將CF4、NF3、Cl2, BCl3等氟類或者氯類氣體用作蝕刻氣體，并且也可以適當(dāng)?shù)靥砑佣栊詺怏w諸如He或Ar等。此外，當(dāng)適用大氣壓放電的蝕刻加工時(shí)，可以進(jìn)行局部地放電加工，從而不需要在整個(gè)襯底上形成掩模層。也可以如實(shí)施方式2所示那樣利用激光形成開口 114。從柵極絕緣層106 —側(cè)將激光選擇性地照射到柵電極層105，因?yàn)楸徽丈涞哪芰浚瑬烹姌O層105的照射區(qū)的一部分蒸發(fā)。在柵電極層105的照射區(qū)上的柵極絕緣層106被去除，從而可以形成開口 114。在柵電極層105被露出的開口 114中形成源電極層或漏電極層121，從而柵電極層105與源電極層或漏電極層121可以電連接。源電極層或漏電極層的一部分形成電容元件。在本實(shí)施方式中，選擇性地排出組合物來形成源電極層或漏電極層。若像這樣選擇性地形成源電極層或漏電極層，則有簡(jiǎn)化加工工序的效果。本實(shí)施方式的特征在于根據(jù)源電極層或漏電極層的被形成區(qū)的大小及形狀，使從液滴排出裝置的排出口排出組合物的方法不同。如圖9所示，從液滴排出裝置116a、116b 不停止地連續(xù)排出組合物來形成在較大范圍中形成的相當(dāng)于源極布線或漏極布線的源電極層或漏電極層120、122。另一方面，如圖9所示，從液滴排出裝置117a、117b間歇滴落組合物來形成在較小范圍中形成的源電極層或漏電極層121、123。由此可以根據(jù)形成的圖形使液態(tài)組合物的排出方法不同。作為形成源電極層或漏電極層120、源電極層或漏電極層121、源電極層或漏電極層122、源電極層或漏電極層123的導(dǎo)電性材料，可以使用以Ag (銀)、Au (金)、Cu (銅)、 W(鎢)、A1(鋁)等金屬顆粒為主要成分的組合物。另外，也可以組合具有透光性的銦錫氧化物(ITO)、含有氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)、有機(jī)銦、有機(jī)錫、氧化鋅、氮化鈦等。與采用旋轉(zhuǎn)涂敷法涂敷形成整個(gè)表面的情況相比，通過組合液滴排出法，能夠防止材料損失，并能夠降低成本。根據(jù)本發(fā)明，即使是被密集、復(fù)雜地配置的設(shè)計(jì)時(shí)，也可以以良好的緊密性穩(wěn)定地形成布線等。在本實(shí)施方式中，在通過液滴排出法形成用來加工成所需形狀的源電極層或漏電極層的情況下，作為前處理，也可以在被形成區(qū)及其附近進(jìn)行形成潤濕性不同的區(qū)域的處理。在本發(fā)明中，當(dāng)通過液滴排出法排出液滴來形成導(dǎo)電層、絕緣層、掩模層等構(gòu)成物時(shí)，可以在構(gòu)成物的被形成區(qū)內(nèi)形成相對(duì)于該形成材料具有低潤濕性的區(qū)域、高潤濕性的區(qū)域， 從而控制形成物的形狀。通過在被形成區(qū)上進(jìn)行這一處理，在被形成區(qū)中產(chǎn)生了潤濕性的差異，液滴僅停留在高潤濕性的被形成區(qū)內(nèi)，從而可以以良好的可控性將形成物形成為所需圖形。在采用液體材料的情況下，此工序可用作形成各種形成物(絕緣層、導(dǎo)電層、掩模層、布線層等)的前處理。 源電極層或漏電極層120也用作源極布線層，而源電極層或漏電極層122也用作電源線。在形成源電極層或漏電極層120、121、122、123之后，將半導(dǎo)體層llla、lllb、以及具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層112a、112b加工成所需形狀。在本實(shí)施方式中，用源電極層或漏電極層120、121、122、123作為掩模，通過蝕刻對(duì)半導(dǎo)體層111a、111b、以及具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層112a、112b進(jìn)行加工，以形成半導(dǎo)體層118a、118b、以及具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層 119a、119b、119c、119d。通過上述工序制造反交錯(cuò)型薄膜晶體管-晶體管124a、124b(參照?qǐng)D10(A)至 10(C))。接著，在柵極絕緣層106、晶體管124a、124b上形成絕緣層126。作為絕緣層126， 可以使用包括無機(jī)材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等)、感光性或非感光性有機(jī)材料(有機(jī)樹脂材料)(聚酰亞胺、丙烯酸、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯等)、 低介電常數(shù)材料等的一種或多種的膜；或這些膜的疊層等。另外，也可以使用硅氧烷材料。在絕緣層126中形成開口 125。在本實(shí)施方式中，如實(shí)施方式2所示，利用激光形成開口 125。從絕緣層126 —側(cè)將激光選擇性地照射到源電極層或漏電極層123，由于所照射的能量，源電極層或漏電極層123的照射區(qū)的一部分蒸發(fā)。在源電極層或漏電極層123 的照射區(qū)上的絕緣層126被去除，從而可以形成開口 125。在源電極層或漏電極層123露出的開口 125中形成第一電極層，從而可以將源電極層或漏電極層123與第一電極層電連接。將含有導(dǎo)電性材料的組合物選擇性地排出到絕緣層126上，形成第一電極層。在從襯底100 —側(cè)放射光的情況下，可以由包含銦錫氧化物(ITO)、含有氧化硅的銦錫氧化物 (ITSO)、含有氧化鋅(ZnO)的銦鋅氧化物(IZO)、氧化鋅(ZnO)、在ZnO中摻雜了鎵(Ga)的物質(zhì)、氧化錫(SnO2)等的組合物來形成預(yù)定的圖形，并且進(jìn)行燒成來形成第一電極層。在本實(shí)施方式中，選擇性地排出組合物來形成第一電極層。若像這樣選擇性地形成第一電極層，則有簡(jiǎn)化加工工序的效果。在本實(shí)施方式中，作為第一電極層形成方法，形成第一電極層時(shí)，分成至少兩個(gè)以上的工序形成第一電極層。在本實(shí)施方式中，第一電極層由第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層形成。 形成第一電極層時(shí)，將液態(tài)的第一包含導(dǎo)電性材料的組合物附著到要形成的圖形的外側(cè) (相當(dāng)于圖形的輪廓、端部)，形成框狀的第一導(dǎo)電層。圖11㈧至11(c)所示，使用液滴排出裝置128a、128b在絕緣層126上形成框狀的第一導(dǎo)電層127 (127a、127b)。第一導(dǎo)電層優(yōu)選是如框那樣封閉的區(qū)域。接著附著液態(tài)的第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，填充框狀的第一導(dǎo)電層的內(nèi)側(cè)空間，形成第二電極層。如圖12(A)至(C)所示， 使用液滴排出裝置130在絕緣層126上的第一導(dǎo)電層127的框中形成第二導(dǎo)電層129。因?yàn)榈谝粚?dǎo)電層127及第二導(dǎo)電層129相接合地形成，并且形成第一導(dǎo)電層127以包圍第二導(dǎo)電層129的周圍，因此可以將第一導(dǎo)電層127及第二導(dǎo)電層129用作連續(xù)的第一導(dǎo)電層 134 (參照?qǐng)D13㈧至(C))。在使用液態(tài)組合物形成導(dǎo)電層等的情況下，組合物的粘度或固化時(shí)的干燥條件 (溫度或壓力等)、與被形成區(qū)的潤濕性等對(duì)形成的導(dǎo)電層的形狀有很大的影響。因此，當(dāng)組合物具有低粘度或與被形成區(qū)的潤濕性高時(shí)，液態(tài)組合物在被形成區(qū)中潤濕擴(kuò)展，而當(dāng)組合物具有高粘度或與被形成區(qū)的潤濕性低時(shí)，則有導(dǎo)致在導(dǎo)電層內(nèi)部或表面上具有空間(也稱作針孔)及凹凸而使平坦性惡化的問題。因此，在本發(fā)明中，若附著具有較高粘度且相對(duì)于形成區(qū)具有低潤濕性的組合物來形成決定導(dǎo)電層的被形成區(qū)的輪廓的第一導(dǎo)電層，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪 廓的側(cè)端部。若將具有低粘度且相對(duì)于被形成區(qū)具有高潤濕性的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層的框中來形成，則可以減輕由內(nèi)部或表面上的氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等， 從而形成平坦性高且均勻的導(dǎo)電層。由此，通過分別形成導(dǎo)電層外側(cè)和內(nèi)側(cè)來完成導(dǎo)電層， 而可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且減輕缺陷的導(dǎo)電層。也可以采用CMP法或者利用聚乙烯醇類多孔體來擦拭并拋光第一電極層134，以使其表面平坦化。在用CMP法拋光之后，也可以對(duì)第一電極層134的表面進(jìn)行紫外線照射或者氧等離子體處理等。通過上述工序，完成底柵型的TFT和第一電極層134連接到襯底100上的用于顯示面板的TFT襯底。在本實(shí)施方式中的TFT是反交錯(cuò)型的。接著，選擇性地形成絕緣層131(也稱作隔壁)。以在第一電極層134上具有開口部的方式形成絕緣層131。在本實(shí)施方式中，在整個(gè)表面上形成絕緣層131，利用抗蝕劑等的掩模進(jìn)行蝕刻來加工。當(dāng)采用液滴排出法、印刷法、分配器法等可以選擇性地直接形成絕緣層131時(shí)，不一定要進(jìn)行蝕刻加工?？梢允褂靡韵虏牧闲纬山^緣層131 氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氧化鋁、氮化鋁、 氧氮化鋁、以及其他無機(jī)絕緣材料；丙烯酸、甲基丙烯酸、以及其衍生物；耐熱高分子諸如聚酰亞胺、芳香族聚酰胺、聚苯并咪唑(polybenzimidazole)等；由以硅氧烷類材料為初始材料形成的含有硅、氧、氫的化合物中的包含Si-O-Si鍵的無機(jī)硅氧烷；或者與硅鍵合的氫被有機(jī)基團(tuán)諸如甲基或者苯基取代得到的有機(jī)硅氧烷類絕緣材料。也可以通過利用感光性材料或非感光性材料諸如丙烯酸類或聚酰亞胺來形成。絕緣層131優(yōu)選具有其曲率半徑連續(xù)變化的形狀，從而在其上形成的電致發(fā)光層132、第二電極層133的覆蓋性得到提高。通過液滴排出法排出組合物來形成絕緣層131之后，為了提高平坦性，也可以通過壓力壓平表面以進(jìn)行平坦化。作為壓平的方法，可以用輥狀物體在其表面上掃描來減少凹凸，或者也可以用平坦的板形物體垂直按壓其表面等。或者，也可以利用溶劑等軟化或者溶化表面，用氣刀消除表面上的凹凸。此外，也可以用CMP法進(jìn)行拋光。當(dāng)由于液滴排出法而產(chǎn)生凹凸時(shí)，可以將該工序應(yīng)用于平坦其表面。當(dāng)通過該工序提高平坦性時(shí)，可以防止顯示面板的顯示不均勻等，因此，可以顯示高清晰度的圖像。在用于顯示面板的TFT襯底-襯底100上形成發(fā)光元件(參照?qǐng)D14(A) (B))。在形成電致發(fā)光層132之前，通過在大氣壓下以200°C的溫度進(jìn)行熱處理來去除第一電極層134、絕緣層131中的或者吸附在其表面上的水分。此外，在減壓下以200 400°C，優(yōu)選以250 350°C進(jìn)行熱處理，然后不暴露于大氣中直接通過真空蒸鍍法或者減壓下的液滴排出法，形成電致發(fā)光層132。作為電致發(fā)光層132，通過使用蒸鍍掩模的蒸鍍法等選擇性地分別形成呈現(xiàn)紅色 (R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的發(fā)光的材料。與彩色濾光器相同，通過液滴排出法可以形成呈現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的發(fā)光的材料(低分子材料或高分子材料等)。在此情況下， 由于即便不使用掩模也可以分別涂敷RGB，所以是優(yōu)選的。在電致發(fā)光層132上層疊形成第二電極層133，以完成使用發(fā)光元件且具有顯示功能的顯示裝置。
盡管未圖示，以覆蓋第二電極層133地方式設(shè)置鈍化膜是有效的。在構(gòu)成顯示裝置時(shí)設(shè)置的鈍化(保護(hù))膜可以是單層結(jié)構(gòu)也可以是多層結(jié)構(gòu)。鈍化膜可以包括下述絕緣膜，所述絕緣膜包含氮化硅(SiN)、氧化硅(SiO2)、氧氮化硅(SiON)、氮氧化硅(SiNO)、氮化鋁(AlN)、氧氮化鋁(AlON)、含氮量大于含氧量的氮氧化鋁(AlNO)、氧化鋁、類金剛石碳 (Diamond-Like Carbon) (DLC)、含氮碳膜(CNx)，并且可以采用該絕緣膜的單層或組合的疊層。例如，可以采用含氮碳膜(CNx)、氮化硅(SiN)的疊層，或者可以采用有機(jī)材料，還可以采用苯乙烯聚合體等高分子的疊層。此外，也可以使用硅氧烷材料。此時(shí)，優(yōu)選采用具有良好覆蓋性的膜作為鈍化膜，使用碳膜、尤其使用DLC膜是有效的。DLC膜由于可以在從室溫到100°C以下的溫度范圍內(nèi)形成，因此在具有低耐熱性的電致發(fā)光層之上也可容易地形成。可以通過等離子體CVD法(代表性的是RF等離子體CVD 法、微波CVD法、電子回旋共振(ECR) CVD法、熱絲CVD法等)、燃燒火焰法、濺射法、離子束蒸鍍法、激光蒸鍍法等來形成DLC膜。作為用于形成膜的反應(yīng)氣體，使用氫氣和烴類氣體(例如CH4、C2H2、C6H6等)，并且通過輝光放電使該反應(yīng)氣體離子化，使該離子加速撞擊在施加了負(fù)的自偏壓的陰極上來形成膜。此外，可以通過采用C2H4氣和N2氣作為反應(yīng)氣體來形成CN 膜。DLC膜由于具有對(duì)于氧的高阻擋效果，從而能夠抑制電致發(fā)光層的氧化。因此，可以防止在隨后進(jìn)行的密封工序中電致發(fā)光層被氧化的問題。在具有元件的襯底100上形成密封材，并使用密封襯底來密封襯底100。之后，也可以將柔性線路板連接于與柵電極層104電連接而形成的柵極布線層，以與外部電連接。 其與也是源布線層的源電極層或漏電極層120電連接而形成的源極布線層也是相同的。在具有元件的襯底100和密封襯底之間封入充填劑進(jìn)行密封?？梢圆捎玫温浞▉矸馊氤涮顒?。也可以充填氮等的惰性氣體代替充填劑。此外，通過在顯示裝置內(nèi)設(shè)置干燥劑，可以防止由發(fā)光元件的水分引起的老化。干燥劑可以在密封襯底一側(cè)或具有元件的襯底100—側(cè)設(shè)置，也可以在密封材所形成的區(qū)域中，在襯底上形成凹部來設(shè)置。此外，若在對(duì)應(yīng)于和顯示無關(guān)的區(qū)域諸如密封襯底的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)或布線區(qū)等設(shè)置干燥劑，即使干燥劑是不透明的物質(zhì)也不會(huì)降低開口率。也可以使填充劑含有吸濕性材料而形成，從而使其具有干燥劑的功能。如上述，完成使用發(fā)光元件、并且具有顯示功能的顯示裝置。在本實(shí)施方式中，盡管示出了開關(guān)TFT是單柵極結(jié)構(gòu)的例子，但也可以應(yīng)用多柵極結(jié)構(gòu)諸如雙柵極結(jié)構(gòu)等。另外，在通過利用SAS或者結(jié)晶性半導(dǎo)體制造半導(dǎo)體層的情況下，也可以通過添加賦予一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)來形成雜質(zhì)區(qū)。在此情況下，半導(dǎo)體層也可以具有不同濃度的雜質(zhì)區(qū)。例如，可以使半導(dǎo)體層的溝道區(qū)附近、與柵電極層層疊的區(qū)域?yàn)榈蜐舛入s質(zhì)區(qū)，使其外側(cè)區(qū)域?yàn)楦邼舛入s質(zhì)區(qū)。本實(shí)施方式可以與實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?適當(dāng)?shù)亟M合。根據(jù)本發(fā)明，可以以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置的布線等構(gòu)成物。另外，可以簡(jiǎn)化復(fù)雜的光刻工序，通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以可以減少材料的損失，可以降低成本。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。實(shí)施方式4在本實(shí)施方式中描述目的于以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了的工序并且以低成本制造的高可靠性的顯示裝置的一例。詳細(xì)地說，說明將發(fā)光元件用于顯示元件的發(fā)光顯示裝置。使用圖 15詳細(xì)描述本實(shí)施方式的顯示裝置的制造方法。
在具有絕緣表面的襯底150上作為基底膜，通過濺射法、PVD法(物理氣相沉積)、 減壓CVD法(LPCVD法)或等離子體CVD法等CVD法(化學(xué)氣相沉積)等使用氮氧化硅膜成形IOnm 200nm (優(yōu)選50nm 150nm)的基底膜151a，并且使用氧氮化硅膜層疊50nm 200nm(優(yōu)選IOOnm 150歷)的基底膜151b。也可以使用丙烯酸、甲基丙烯酸、以及它們的衍生物；聚酰亞胺、芳香族聚酰胺或聚苯并咪唑等的耐熱性高分子；或者硅氧烷樹脂。也可以使用下列樹脂材料聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛等乙烯基樹脂、環(huán)氧樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、丙烯酸類樹脂、蜜胺樹脂、聚氨酯樹脂等。此外，還可以使用苯并環(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯、氟代亞芳基醚、聚酰亞胺等有機(jī)材料；含有水溶性均聚物和水溶性共聚物的組合物材料；等等。也可以使用P惡唑樹脂，例如，可以使用光固化型聚苯并卩惡唑等。也可以使用液滴排出法、印刷法(絲網(wǎng)印刷或膠版印刷等形成圖形的方法)、旋轉(zhuǎn)涂敷法等的涂敷法、浸漬法、分散器法等。在本實(shí)施方式中，使用等離子體CVD法形成基底膜151a、151b。作為襯底150，可以使用玻璃襯底、石英襯底、硅襯底、金屬襯底、或在表面上形成有絕緣膜的不銹鋼襯底。另外，還可以使用具有能夠耐受本實(shí)施方式的處理溫度的耐熱性的塑料襯底，也可以使用薄膜之類的撓性襯底。作為塑料襯底，可以使用包括PET (聚對(duì)苯二甲酸乙二醇酯)、PEN(聚萘二甲酸乙二醇酯)、PES (聚醚砜)的襯底，而作為撓性襯底，可以使用丙烯酸等的合成樹脂。因?yàn)樵诒緦?shí)施方式中制造的顯示裝置具有來自發(fā)光元件的光通過襯底150射出的結(jié)構(gòu)，所以該襯底150需要具有透光性。作為基底膜，可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等，并且可以為單層結(jié)構(gòu)，或者也可以為雙層、三層的疊層結(jié)構(gòu)。接下來，在基底膜上形成半導(dǎo)體膜。半導(dǎo)體膜通過各種方法(濺射法、LPCVD法或等離子體CVD法等)以25nm 200nm(優(yōu)選30nm 150nm)的厚度形成即可。在本實(shí)施方式中，優(yōu)選使用通過激光晶化使非晶半導(dǎo)體膜形成的晶體半導(dǎo)體膜。為了控制薄膜晶體管的閾值電壓，在這樣所獲得的半導(dǎo)體膜中可以摻雜微量的雜質(zhì)元素(硼或磷)。也可以對(duì)在晶化工序之前的非晶半導(dǎo)體膜中進(jìn)行該雜質(zhì)元素?fù)诫s。如果在非晶半導(dǎo)體膜的狀態(tài)下?lián)诫s雜質(zhì)元素，還可以通過其后的用于晶化的加熱處理，使雜質(zhì)活化。還可以改善在摻雜時(shí)產(chǎn)生的缺陷等。接下來，將結(jié)晶性半導(dǎo)體膜蝕刻加工成所要求的形狀，以形成半導(dǎo)體層。對(duì)于蝕刻加工，可以采用等離子體蝕刻(干蝕刻)或濕蝕刻中的任一種，然而，處理大面積的襯底適用等離子體蝕刻。作為蝕刻氣體，使用CF4、NF3等氟類氣體、或者C12、BC13 等氯類氣體，還可以適當(dāng)?shù)靥砑親e、Ar等惰性氣體。當(dāng)采用大氣壓放電的蝕刻加工時(shí)，可以進(jìn)行局部放電加工，從而不需要在襯底的整個(gè)面上形成掩模層。在本發(fā)明中，形成布線層或電極層的導(dǎo)電層、用于形成預(yù)定圖形的掩模層等也可以通過選擇性地形成圖形的方法比如液滴排出法形成。液滴排出(噴出)法(根據(jù)其方式也被稱作噴墨法)可以通過有選擇性地排出(噴出)為特定目的而調(diào)制的組合物的液滴， 形成預(yù)定的圖形(導(dǎo)電層或絕緣層等)。在此時(shí)，也可以對(duì)被形成區(qū)域進(jìn)行控制潤濕性或密著性的處理。此外，可以轉(zhuǎn)印或繪制圖形的方法例如印刷法(絲網(wǎng)印刷或膠版印刷等形成圖形的方法)、分配器法等也都可以使用?？梢詫⑷鐚?shí)施方式1那樣通過液滴排出法等以多個(gè)工序選擇性地正確地形成的導(dǎo)電層和半導(dǎo)體層用于本實(shí)施方式中的柵電極層、半導(dǎo)體層、源電極層、漏電極層等。因此，可以簡(jiǎn)化工序并且防止材料的損失，因而可以實(shí)現(xiàn)低成本化。在本實(shí)施方式中，使用的掩模使用環(huán)氧樹脂、丙烯酸類樹脂、酚醛樹脂、酚醛清漆樹脂、蜜胺樹脂、聚氨酯樹脂等樹脂材料?？梢圆捎帽讲h(huán)丁烯、聚對(duì)二甲苯、氟代亞芳基醚、具有透光性的聚酰亞胺等有機(jī)材料；由硅氧烷類聚合物等的聚合得到的化合物材料； 含有水溶性均聚物以及水溶性共聚物的組合物材料等。也可以采用市場(chǎng)上銷售的含有感光劑的抗蝕劑材料，例如，代表性的正性抗蝕劑酚醛清漆樹脂和感光劑重氮萘醌化合物、負(fù)性抗蝕劑基質(zhì)樹脂、二苯基硅烷二醇和酸發(fā)生劑等。在使用液滴排出法時(shí)，采用任一材料，其表面張力和粘性都可以通過調(diào)節(jié)溶劑的濃度、添加表面活性劑等來適當(dāng)?shù)卣{(diào)節(jié)。形成覆蓋半導(dǎo)體層的柵極絕緣層。柵極絕緣層通過等離子體CVD法或?yàn)R射法等以 IOnm 150nm的厚度由含硅的絕緣膜形成。柵極絕緣層可以由以氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅為代表的硅的氧化物材料或氮化物材料等材料形成，并且可以是疊層也可以是單層。絕緣層可以采用氮化硅膜、氧化硅膜、氮化硅膜的三層的疊層結(jié)構(gòu)、或者氧氮化硅膜的單層結(jié)構(gòu)、包括2層的疊層結(jié)構(gòu)。接下來，在柵極絕緣層上形成柵電極層。柵電極層可以通過濺射法、蒸鍍法、CVD 法等方法來形成。柵電極層可以由選自鉭(Ta)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉬(Mo)、鋁(Al)、銅(Cu)、 鉻(Cr)、釹(Nd)中的元素；以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料形成。此外， 作為柵電極層，也可以使用以摻雜了磷等雜質(zhì)元素的多晶硅膜為代表的半導(dǎo)體膜或AgPdCu 合金。此外，柵電極層可以是單層也可以是疊層。在本實(shí)施方式中，柵電極層形成為錐形。然而，本發(fā)明不局限于此，也可以使柵電極層為疊層結(jié)構(gòu)，其中只有一層為錐形，其它可以通過各向異性蝕刻而具有垂直的側(cè)面。如本實(shí)施方式，錐形角度在層疊的柵電極層之間可以不同，也可以相同。由于具有錐形形狀， 在其上層疊的膜的覆蓋性提高，并且缺陷減少，從而可靠性提高。通過形成柵電極層時(shí)的蝕刻工序，柵極絕緣層在一定程度上被蝕刻，膜厚變薄 (所謂的膜厚度的降低)。通過將雜質(zhì)元素添加到半導(dǎo)體層中，形成雜質(zhì)區(qū)?？梢酝ㄟ^控制其濃度，使雜質(zhì)區(qū)成為高濃度雜質(zhì)區(qū)及低濃度雜質(zhì)區(qū)。將具有低濃度雜質(zhì)區(qū)的薄膜晶體管稱作LDD(輕摻雜漏極，Light doped drain)結(jié)構(gòu)。此外，低濃度雜質(zhì)區(qū)可以與柵電極重疊地形成，將這種薄膜晶體管稱作GOLD(柵極重疊的LDD，Gate Overlaped LDD)結(jié)構(gòu)。此外，因?yàn)閷⒘?P)等用于雜質(zhì)區(qū)，從而薄膜晶體管的極性為η型。在為P型的情況下，添加硼(B)等即可。在本實(shí)施方式中，雜質(zhì)區(qū)通過柵極絕緣層與柵電極層重疊的區(qū)域示為L(zhǎng)ov區(qū)，而雜質(zhì)區(qū)通過柵極絕緣層不與柵電極層的重疊區(qū)域示為L(zhǎng)off區(qū)。在圖15中，雜質(zhì)區(qū)由陰影線和空白表示，然而空白部分不表示沒有添加雜質(zhì)元素，而是為了能夠直觀了解該區(qū)域的雜質(zhì)元素的濃度分布反映著掩模或摻雜條件。此情況在本說明書中的其他附圖上也是相同的。為了使雜質(zhì)元素活化，也可以進(jìn)行加熱處理、強(qiáng)光照射或激光照射。在活化的同時(shí)，能夠恢復(fù)對(duì)于柵極絕緣層的等離子體損害或?qū)τ跂艠O絕緣層和半導(dǎo)體層的界面的等離子體損害。接著，形成覆蓋柵電極層、柵極絕緣層157的第一層間絕緣層。在本實(shí)施方式中， 采用絕緣膜167和絕緣膜168的疊層結(jié)構(gòu)。絕緣膜167及絕緣膜168可以使用采用濺射法或等離子體CVD的氮化硅膜、氮氧化硅膜、氧氮化硅膜、氧化硅膜等，并且還可以以單層、或者三層以上的疊層結(jié)構(gòu)使用其他含有硅的絕緣膜。在氮?dú)猸h(huán)境中、在300°C 550°C進(jìn)行1小時(shí) 12小時(shí)熱處理，進(jìn)行使半導(dǎo)體層氫化的工序。優(yōu)選在400°C 500°C進(jìn)行。在這一工序是使用包含在作為層間絕緣層的絕緣膜167中的氫封端半導(dǎo)體層的懸空鍵的工序。在本實(shí)施方式中，加熱處理是在410°C下進(jìn)行的。絕緣膜167、絕緣膜168還可以由選自下述物質(zhì)的材料形成氮化鋁(AlN)、氧氮化鋁(AlON)、氮含量高于氧含量的氮氧化鋁(AlNO)、氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、含氮碳(CN)、 聚硅氮烷、其它含有無機(jī)絕緣性材料的物質(zhì)。另外，也可以使用包含硅氧烷的材料。另外， 也可以使用有機(jī)絕緣性材料，作為有機(jī)材料，可以使用聚酰亞胺、丙烯酸類、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑、或苯并環(huán)丁烯。此外，也可以使用卩惡唑樹脂，例如，可以使用光固化聚苯并 P惡唑等。接著，使用包括抗蝕劑的掩模在絕緣膜167、絕緣膜168、以及柵極絕緣層中形成到達(dá)半導(dǎo)體層的接觸孔(開口)。形成導(dǎo)電膜以覆蓋開口，并且蝕刻導(dǎo)電膜，以形成分別電連接于各個(gè)源區(qū)或漏區(qū)的一部分的源電極層或漏電極層。源電極層或漏電極層可以在通過 PVD法、CVD法、蒸鍍法等形成導(dǎo)電膜之后，將導(dǎo)電膜蝕刻成所要求的形狀來形成。另外，可以通過液滴排出法、印刷法、分配器法或電鍍法等選擇性地在預(yù)定的位置上形成導(dǎo)電膜。而且，還可以使用回流法、鑲嵌(damascene)法。作為源電極層或漏電極層的材料，使用Ag、 Au、Cu、Ni、Pt、Pd、Ir、Rh、W、Al、Ta、Mo、Cd、Zn、Fe、Ti、Si、Ge、Zr、Ba 等金屬；它們的合金； 或它們的金屬氮化物。此外，也可以采用這些材料的疊層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，也可以如實(shí)施方式1所示，通過多個(gè)工序排出液態(tài)的包含形成材料的組合物，來形成構(gòu)成顯示裝置的柵電極層、半導(dǎo)體層、源電極層、漏電極層、布線層、 或第一電極層等。如實(shí)施方式1所示，首先沿著導(dǎo)電層的圖形輪廓通過第一排出工序形成框狀的第一導(dǎo)電層，然后通過第二排出工序填充第一導(dǎo)電層的框中，形成第二導(dǎo)電層。因此，若附著具有較高粘度且相對(duì)于形成區(qū)潤濕性低的組合物來形成決定導(dǎo)電層 (絕緣層)的被形成區(qū)的輪廓的第一導(dǎo)電層(絕緣層)，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪廓的側(cè)端部。若將具有低粘度且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性高的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層(絕緣層)的框中來形成，則可以減輕由內(nèi)部或表面上的氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等，形成平坦性高的均勻的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此，通過分別制作導(dǎo)電層(絕緣層) 外側(cè)和內(nèi)側(cè)來制作導(dǎo)電層(絕緣層)，可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且減輕缺陷的導(dǎo)電層(絕緣層)。通過以上工序，可以制造出有源矩陣矩襯底，其中在外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)204中有在 Lov區(qū)中具有ρ型雜質(zhì)區(qū)的ρ溝道型薄膜晶體管的薄膜晶體管觀5、在Lov區(qū)中具有η型雜質(zhì)區(qū)的η溝道型薄膜晶體管的薄膜晶體管275 ；以及在像素區(qū)206中有在Loff區(qū)中具有η 型雜質(zhì)區(qū)的多溝道型的η溝道型薄膜晶體管的薄膜晶體管沈5、在Lov區(qū)中具有ρ型雜質(zhì)區(qū)的P溝道型薄膜晶體管的薄膜晶體管255。在像素區(qū)的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)不局限于本實(shí)施方式，而可以采用形成有一個(gè)溝道被形成區(qū)的單柵極結(jié)構(gòu)、形成有兩個(gè)溝道被形成區(qū)的雙柵極結(jié)構(gòu)或形成有三個(gè)溝道被形成區(qū)的三柵極結(jié)構(gòu)。另外，外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)的薄膜晶體管也可以為單柵極結(jié)構(gòu)、雙柵極結(jié)構(gòu)或三柵極結(jié)構(gòu)。接著，作為第二層間絕緣層形成絕緣膜181。圖15顯示了通過劃線分離的分離區(qū) 201、用作FPC的粘結(jié)部的外部端子連接區(qū)202、用作外圍部的引線區(qū)的布線區(qū)203、外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)204、像素區(qū)206。布線179a、布線179b設(shè)置在布線區(qū)203中，與外部端子連接的端子電極層178設(shè)置在外部端子連接區(qū)202中。絕緣膜181可以由選自下述物質(zhì)的材料形成氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化鋁(AlN)、含有氮的氧化鋁(也稱為氧氮化鋁)(AlON)、含有氧的氮化鋁(也稱為氮氧化鋁)(AlNO)、氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、含氮碳膜(CN)、PSG(磷玻璃)、BPSG(硼磷玻璃)、氧化鋁膜、含有其他無機(jī)絕緣材料的物質(zhì)。也可以使用硅氧烷樹脂。另外，也可以使用有機(jī)絕緣性材料，有機(jī)材料可以為感光性的，也可以為非感光性的，可以使用聚酰亞胺、丙烯酸類、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、聚硅氮烷、低介電常數(shù)(Low-k)材料。 此外，也可以使用卩惡唑樹脂，例如，可以使用光固化型聚苯并U惡唑等。對(duì)于為平坦化所設(shè)置的層間絕緣層，要求其具有高耐熱性和高絕緣性、以及高平坦度，因此，絕緣膜181的形成方法優(yōu)選使用以旋轉(zhuǎn)涂敷法為代表的涂敷法。絕緣膜181還可以使用浸漬法、噴涂法、刮刀、輥涂、幕涂、刮刀涂布、CVD法、蒸鍍法等。絕緣膜181也可以通過液滴排出法來形成。當(dāng)使用液滴排出法時(shí)，可以節(jié)省材料溶液。還可以使用如液滴排出法那樣的能夠轉(zhuǎn)印或繪制圖形的方法，例如印刷法(絲網(wǎng)印刷或膠版印刷等形成圖形的方法)或分配器法等。在像素區(qū)206的絕緣膜181中形成微細(xì)的開口，即接觸孔。源電極層或漏電極層在形成于絕緣膜181的開口處與第一電極層185電連接。如實(shí)施方式2所示，可以通過照射激光形成形成于絕緣膜181的開口。在本實(shí)施方式中，源電極層或漏電極層使用比較容易蒸發(fā)的低熔點(diǎn)金屬(在本實(shí)施方式中使用鉻)。從絕緣膜181—側(cè)將激光選擇性地照射到源電極層或漏電極層，由于照射的能量，源電極層或漏電極層的照射區(qū)的一部分蒸發(fā)。在源電極層或漏電極層的照射區(qū)上的絕緣膜181被去除，可以形成開口。在源電極層或漏電極層被露出的開口中形成第一電極層185，從而源電極層或漏電極層與第一電極層185可以電連接。第一電極層185用作陽極或陰極，可以以總膜厚IOOnm SOOnm范圍使用選自Ti、 Ni、W、Cr、Pt、Zn、Sn、In 或 Mo 中的元素；或者 TiN, TiSixNy, WSix、WNx, WSixNy, NbN 等的以上述元素為主要成分的合金材料或者化合物材料為主要成分的膜或它們的疊層膜。在本實(shí)施方式中，將發(fā)光元件用作顯示元件，并且因?yàn)榫哂衼碜园l(fā)光元件的光從第一電極層185—側(cè)射出的結(jié)構(gòu)，所以第一電極層185具有透光性。通過形成透明導(dǎo)電膜并且將其蝕刻成所要求的形狀來形成第一電極層185。在本發(fā)明中，作為透光性電極層的第一電極層185具體地可以使用包括具有透光性的導(dǎo)電性材料的透明導(dǎo)電膜，可以使用含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物等。當(dāng)然，也可以使用銦錫氧化物 (ITO)、銦鋅氧化物(IZO)、添加了氧化硅的銦錫氧化物(ITSO)等。即使是沒有透光性的金屬膜之類的材料，也能通過將其膜厚設(shè)成較薄(優(yōu)選為 5nm 30nm左右的厚度)，使其成為能夠透射光的狀態(tài)，從而可以從第一電極層185射出光。此外，作為可以用于第一電極層185的金屬薄膜，可以使用包括鈦、鎢、鎳、金、鉬、銀、鋁、鎂、鈣、鋰、以及它們的合金的導(dǎo)電膜等。第一電極層185可以通過蒸鍍法、濺射法、CVD法、印刷法、分配器法或液滴排出法等形成。在本實(shí)施方式中，第一電極層185是通過濺射法使用含有氧化鎢的銦鋅氧化物制造的。第一電極層185優(yōu)選以IOOnm SOOnm范圍的總膜厚使用。第一電極層185也可以通過CMP法或通過使用聚乙烯醇類多孔質(zhì)體擦凈、拋光，以便使其表面平坦化。此外，還可以在進(jìn)行使用CMP法的拋光后，對(duì)第一電極層185的表面進(jìn)行紫外線照射、氧等離子體處理等。還可以在形成第一電極層185之后進(jìn)行加熱處理。通過該加熱處理，包含在第一電極層185中的水分被排出。由此，在第一電極層185中不會(huì)產(chǎn)生脫氣等，從而即使在第一電極層上形成容易因水分而劣化的發(fā)光材料，該發(fā)光材料也不會(huì)劣化，從而可以制造高可靠性的顯示裝置。接下來，形成覆蓋第一電極層185的端部、源電極層或漏電極層的絕緣層186(也稱為隔壁、阻擋層等)。作為絕緣層186，可以使用氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅等，并且可以是單層也可以是雙層、三層的疊層結(jié)構(gòu)。另外，作為絕緣層186的其他材料，可以使用選自氮化鋁、氧含量高于氮含量的氧氮化鋁、氮含量高于氧含量的氮氧化鋁或氧化鋁、類金剛石碳 (DLC)、含氮的碳、聚硅氮烷、含有其他無機(jī)絕緣材料的物質(zhì)中的材料形成。也可以使用含有硅氧烷的材料。此外，也可以使用有機(jī)絕緣性材料，作為有機(jī)材料可以是感光性的，也可以為非感光性的，可以采用聚酰亞胺、丙烯酸類、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑或苯并環(huán)丁烯、聚硅氮烷。此外，也可以使用卩惡唑樹脂，例如，可以使用光固化型聚苯并卩惡唑等。絕緣層186可以通過濺射法、PVD (物理氣相沉積)法、減壓CVD法(LPCVD法)或等離子體CVD法等CVD(化學(xué)氣相沉積)法、或者能夠選擇性地形成圖形的液滴排出法、能夠轉(zhuǎn)印或繪制圖形的印刷法(絲網(wǎng)印刷或膠版印刷等形成圖形的方法)、分配器法、旋轉(zhuǎn)涂敷法等涂敷法、或浸漬法等來形成。加工成所要求的形狀的蝕刻加工，可以使用等離子體蝕刻(干蝕刻)或濕蝕刻中的任一種。對(duì)于處理大面積襯底，應(yīng)用等離子體蝕刻。作為蝕刻氣體，使用CF4、NF3等氟類氣體、或Cl2、BCl3等氯類氣體，還可以在其中適當(dāng)?shù)靥砑佣栊詺怏w如He或Ar等。此外，當(dāng)使用大氣壓放電的等離子體蝕刻加工時(shí)，可以進(jìn)行局部放電加工，而不需要將掩模層形成在襯底的整個(gè)表面上。在圖15㈧所示的連接區(qū)205中，以與第二電極層相同的工序、相同的材料形成的布線層和以與柵電極層相同的工序、相同的材料形成的布線層電連接。在第一電極層185上形成發(fā)光層188。要說明的是，雖然在圖15中僅顯示了一個(gè)像素，但在本實(shí)施方式中分別制作對(duì)應(yīng)于R(紅)、G(綠)、B(藍(lán))每一種顏色的電場(chǎng)電極層。接著，在發(fā)光層188上設(shè)置包括導(dǎo)電膜的第二電極層189。作為第二電極層189，使用Al、Ag、Li、Ca、它們的合金或化合物MgAg、MgIn, AlLi、CaF2、或者氮化鈣即可。如此，形成了包括第一電極層185、發(fā)光層188以及第二電極層189的發(fā)光元件190(參照?qǐng)D15(B))。在圖15所示的本實(shí)施方式的顯示裝置中，從發(fā)光元件190發(fā)出的光在沿圖15(B) 中的箭頭方向從第一電極層185 —側(cè)透過而射出。
在本實(shí)施方式中，在第二電極層189上也可以設(shè)置絕緣層作為鈍化膜(保護(hù)膜)。 像這樣以覆蓋第二電極層189的方式設(shè)置鈍化膜是有效的。該鈍化膜包括絕緣膜，該絕緣膜含有氮化硅、氧化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化鋁、氧氮化鋁、氮含量高于氧含量的氮氧化鋁或氧化鋁、類金剛石碳(DLC)、含氮的碳膜，可以使用所述絕緣膜的單層或?qū)⑵浣M合的疊層。也可以使用硅氧烷樹脂。優(yōu)選使用覆蓋性良好的膜作為鈍化膜，使用碳膜，尤其使用DLC膜是有效的。DLC 膜能夠在從室溫 100°c以下的溫度范圍內(nèi)形成，因此，也可以容易地在耐熱性低的發(fā)光層 188的上方形成。DLC膜可以通過等離子體CVD法(代表性地，RF等離子體CVD法、微波CVD 法、電子回旋共振(ECR)CVD法、熱絲CVD法等)、燃燒火焰法、濺射法、離子束蒸鍍法、激光蒸鍍法等來形成。作為用于成膜的反應(yīng)氣體，使用氫氣和烴類氣體(例如，014丄2!12、(6!16等)， 并且通過輝光放電來使其離子化，使離子加速撞擊在施加了負(fù)的自偏壓的陰極上形成。另外，CN膜通過使用C2H4氣體和N2氣體作為反應(yīng)氣體來形成即可。DLC膜對(duì)于氧具有高阻擋效果，所以可以抑制發(fā)光層188的氧化。因此，可以防止在后續(xù)的密封工序中發(fā)光層188氧化的問題。通過用密封材192固定如上那樣形成有發(fā)光元件190的襯底150和密封襯底195 來密封發(fā)光元件(參照?qǐng)D1 。作為密封材192，代表性地，優(yōu)選使用可見光固化性、紫外線固化性或熱固性樹脂。例如，可以使用雙酚A型液體樹脂、雙酚A型固體樹脂、含溴環(huán)氧樹脂、雙酚F型樹脂、雙酚AD型樹脂、酚醛樹脂、甲酚型樹脂、酚醛清漆型樹脂、環(huán)狀脂肪族環(huán)氧樹脂、Epi-Bis型環(huán)氧樹脂、縮水甘油酯樹脂、縮水甘油胺類樹脂、諸如雜環(huán)環(huán)氧樹脂、改性環(huán)氧樹脂等環(huán)氧樹脂。要說明的是，由密封材包圍的區(qū)域可以用填充材193填充，也可以通過在氮?dú)猸h(huán)境中密封來封入氮?dú)獾?。因?yàn)楸緦?shí)施方式采用了底部發(fā)射型，所以填充材193 不需要具有透光性，然而，當(dāng)具有透過填充材193發(fā)光的結(jié)構(gòu)時(shí)，必需具有透光性。代表性地，可以使用可見光固化環(huán)氧樹脂、紫外線固化環(huán)氧樹脂、或熱固化環(huán)氧樹脂。通過以上工序，完成本實(shí)施方式的使用發(fā)光元件且具有顯示功能的顯示裝置。另外，填充材可以以液態(tài)滴落而填充在顯示裝置中。可以通過使用含有干燥劑等吸濕性的物質(zhì)作為填充材，獲得進(jìn)一步大的吸水效果，可以防止元件的劣化。在EL顯示面板中設(shè)置干燥劑，以防止元件由于水分而劣化。在本實(shí)施方式中，干燥劑設(shè)置在凹部中，該凹部圍繞像素區(qū)形成在密封襯底上，因此不防礙薄型化。另外，在對(duì)應(yīng)于柵極布線層的區(qū)域中也形成干燥劑，如果增大吸水面積，吸水效果高。另外，由于在不直接發(fā)光的柵極布線層上形成干燥劑，所以不會(huì)降低光發(fā)射效率。要說明的是，在本實(shí)施方式中，雖然示出了用玻璃襯底密封發(fā)光元件的情況，然而，密封處理是保護(hù)發(fā)光元件免受水分影響的處理，可以使用下列方法中的任一方法用覆蓋材料機(jī)械封入的方法、用熱固性樹脂或紫外線固化性樹脂封入的方法、用金屬氧化物或金屬氮化物等阻擋能力高的薄膜密封的方法。作為覆蓋材料，可以使用玻璃、陶瓷、塑料或金屬，但是當(dāng)光射出到覆蓋材料一側(cè)時(shí)必需使用透光性的材料。覆蓋材料和形成有上述發(fā)光元件的襯底使用熱固性樹脂或紫外線固化性樹脂等密封材彼此貼合，并且通過熱處理或紫外線照射處理固化樹脂來形成密閉空間。在該密閉空間中設(shè)置以氧化鋇為代表的吸濕材料也是有效的。該吸濕材料可以接合地設(shè)在密封材上，或者也可以設(shè)在隔壁上或周圍部分， 以便不阻礙來自發(fā)光元件的光。而且，也能用熱固性樹脂或紫外線固化性樹脂填充覆蓋材料和形成有發(fā)光元件的襯底之間的空間。在這種情況下，在熱固性樹脂或紫外線固化性樹脂中添加以氧化鋇為代表的吸濕材料是有效的。源電極層或漏電極層與第一電極層可以通過布線層連接，而不直接接合而電連接。本實(shí)施方式的結(jié)構(gòu)為在外部端子連接區(qū)202中，端子電極層178通過各向異性導(dǎo)電層196與FPC 194連接，與外部電連接。另外，如顯示裝置的俯視圖-圖15 (A)所示，在本實(shí)施方式中制造的顯示裝置除了具有信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路的外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)204、外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)209之外，還設(shè)置具有掃描線驅(qū)動(dòng)電路的外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)207、外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)208。在本實(shí)施方式中，使用如上所述的電路形成，然而，本發(fā)明不局限于此，還可以將通過上述的COG方式、TAB方式安裝的IC芯片作為外圍驅(qū)動(dòng)電路。柵極線驅(qū)動(dòng)電路、源極線驅(qū)動(dòng)電路可以是多個(gè)也可以是一個(gè)。此外，在本發(fā)明的顯示裝置中，對(duì)于畫面顯示的驅(qū)動(dòng)方法沒有特別限制，例如可以使用點(diǎn)順序驅(qū)動(dòng)方法、線順序驅(qū)動(dòng)方法或面積順序驅(qū)動(dòng)方法等。代表性地，作為線順序驅(qū)動(dòng)方法，可以適當(dāng)?shù)厥褂脮r(shí)間分割灰度驅(qū)動(dòng)方法、面積灰度驅(qū)動(dòng)方法。輸入到顯示裝置的源極線中的視頻信號(hào)可以是模擬信號(hào)，也可以是數(shù)字信號(hào)，根據(jù)該視頻信號(hào)而適當(dāng)?shù)卦O(shè)計(jì)驅(qū)動(dòng)電路等即可。本實(shí)施方式可以與實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?適當(dāng)?shù)亟M合。根據(jù)本發(fā)明，可以以預(yù)定的形狀形成構(gòu)成顯示裝置的布線等的構(gòu)成物。另外，可以簡(jiǎn)化復(fù)雜的光刻工序而通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以可以減少材料的損失且降低成本。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。實(shí)施方式5可以應(yīng)用本發(fā)明來形成薄膜晶體管，并可以使用該薄膜晶體管來制作顯示裝置。 此外，當(dāng)采用發(fā)光元件且將η溝道型晶體管用作驅(qū)動(dòng)該發(fā)光元件的晶體管時(shí)，從該發(fā)光元件發(fā)出的光進(jìn)行底部發(fā)射、頂部發(fā)射、雙向發(fā)射中的任一種發(fā)射。此處，參照?qǐng)D17來描述對(duì)應(yīng)于各情況的發(fā)光元件的疊層結(jié)構(gòu)。在本實(shí)施方式中，使用應(yīng)用本發(fā)明的溝道保護(hù)型薄膜晶體管461、471、481。薄膜晶體管481被設(shè)在具有透光性的襯底480上，并且由柵電極層493、柵極絕緣膜497、半導(dǎo)體層494、具有η型的半導(dǎo)體層49 、具有η型的半導(dǎo)體層49 、源電極層或漏電極層487a、 源電極層或漏電極層487b、溝道保護(hù)層496形成。在本實(shí)施方式中，也可以如實(shí)施方式1所示那樣通過多個(gè)工序排出液態(tài)的包含形成材料的組合物，來形成構(gòu)成顯示裝置的柵電極層、半導(dǎo)體層、源電極層、漏電極層、布線層、或第一電極層等。如實(shí)施方式1所示，首先沿著導(dǎo)電層的圖形的輪廓通過第一排出工序形成框狀的第一導(dǎo)電層，然后通過第二排出工序形成第二導(dǎo)電層，填充第一導(dǎo)電層的框中。因此，若附著粘度較高且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性低的組合物來形成決定導(dǎo)電層 (絕緣層)的形成區(qū)輪廓的第一導(dǎo)電層(絕緣層)，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪廓的側(cè)端部。若將粘度低且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性高的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層(絕緣層)的框中來形成，則可以減輕內(nèi)部或表面由氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等，以形成平坦性高的均勻的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此，通過分別制作導(dǎo)電層(絕緣層)外側(cè)和內(nèi)側(cè)來制作導(dǎo)電層(絕緣層)，可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且減輕缺陷的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此可以使工序簡(jiǎn)化并且防止材料的損失，可以實(shí)現(xiàn)低成本化。在本實(shí)施方式中，使用非晶半導(dǎo)體層作為半導(dǎo)體層。然而，不局限于本實(shí)施方式， 也可以使用晶體半導(dǎo)體層作為半導(dǎo)體層，并且使用具有η型的半導(dǎo)體層作為具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層。代替形成具有η型的半導(dǎo)體層，也可以通過利用PH3氣體進(jìn)行等離子體處理，對(duì)半導(dǎo)體層賦予導(dǎo)電性。在采用多晶硅這樣的晶體半導(dǎo)體層的情況下，也可以通過將雜質(zhì)引入(添加)到晶體半導(dǎo)體層中來形成具有一種導(dǎo)電類型的雜質(zhì)區(qū)，而不形成具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層。而且，也可以使用并五苯等的有機(jī)半導(dǎo)體，當(dāng)用液滴排出法等選擇性地形成有機(jī)半導(dǎo)體時(shí)，可以簡(jiǎn)化加工工序。這里說明將晶體半導(dǎo)體層用作半導(dǎo)體層的情況。首先，使非晶半導(dǎo)體層結(jié)晶，形成晶體半導(dǎo)體層。在結(jié)晶工序中，對(duì)非晶半導(dǎo)體層添加促進(jìn)結(jié)晶的元素(也表示為催化元素、 金屬元素)，并且通過熱處理(在550°C 750°C下進(jìn)行3分鐘 M小時(shí))，來使其結(jié)晶。 作為促進(jìn)結(jié)晶的元素，可以使用選自鐵(Fe)、鎳(Ni)、鈷(Co)、釕(Ru)、銠(Rh)、鈀(Pd)、鋨 (Os)、銥(Ir)、鉬(Pt)、銅(Cu)及金(Au)中的一種或多種元素。為了從晶體半導(dǎo)體層去除或減少促進(jìn)結(jié)晶的元素，與晶體半導(dǎo)體層接合形成包含雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層，使它發(fā)揮吸雜裝置(getteringsink)的功能。作為雜質(zhì)元素，可以使用賦予η型的雜質(zhì)元素、賦予ρ型的雜質(zhì)元素、或稀有氣體元素等。例如，可以采用選自磷 (P)、氮(N)、砷(As)、銻(Sb)、鉍(Bi)、硼(B)、氦(He)、氖(Ne)、氬(Ar)、氪(Kr)、氙(Xe)中的一種或多種。與包含促進(jìn)結(jié)晶的元素的晶體半導(dǎo)體層接合形成具有η型的半導(dǎo)體層，并且進(jìn)行熱處理(在550°C 750°C下進(jìn)行3分鐘 M小時(shí))。晶體半導(dǎo)體層中所含的促進(jìn)結(jié)晶的元素移動(dòng)到具有η型的半導(dǎo)體層中，從而去除或減少晶體半導(dǎo)體層中的促進(jìn)結(jié)晶的元素，形成半導(dǎo)體層。另一方面，具有η型的半導(dǎo)體層成為包含促進(jìn)結(jié)晶的元素的金屬元素的具有η型的半導(dǎo)體層，之后被加工成所要求的形狀，成為具有η型的半導(dǎo)體層。這種具有 η型的半導(dǎo)體層也發(fā)揮半導(dǎo)體層的吸雜裝置的功能，也直接用作源區(qū)或漏區(qū)。可以通過多個(gè)加熱處理來進(jìn)行半導(dǎo)體層的結(jié)晶工序和吸雜工序，也可以通過一次加熱處理來進(jìn)行結(jié)晶工序和吸雜工序。在此情況下，在形成非晶半導(dǎo)體層、添加促進(jìn)結(jié)晶的元素、形成用作吸雜裝置的半導(dǎo)體層之后，進(jìn)行熱處理即可。在本實(shí)施方式中，通過層疊多個(gè)層來形成柵極絕緣層，從柵電極層493 —側(cè)形成氮氧化硅膜、氧氮化硅膜作為柵極絕緣膜497，制成雙層的疊層結(jié)構(gòu)。優(yōu)選在同一個(gè)室內(nèi)保持真空并且在相同的溫度下一邊切換反應(yīng)氣體一邊連續(xù)形成層疊的絕緣層。當(dāng)在保持真空的狀態(tài)下連續(xù)形成時(shí)，可以防止層疊的膜之間的界面被污染。也可以采用液滴排出法滴加聚酰亞胺或聚乙烯醇等，形成溝道保護(hù)層496。結(jié)果， 可以省略曝光工序。作為溝道保護(hù)層，可以使用包括無機(jī)材料(氧化硅、氮化硅、氧氮化硅、 氮氧化硅等)、感性或非感光性有機(jī)材料(有機(jī)樹脂材料)(聚酰亞胺、丙烯酸類、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯等)、低介電常數(shù)材料等的一種或多種的膜；或者這些膜的疊層等。另外，也可以采用硅氧烷材料。作為制造方法，可以采用諸如等離子體CVD法或熱CVD法等的氣相生長(zhǎng)方法或?yàn)R射法。也可以采用液滴排出法、分配器法、印刷法(絲網(wǎng)印刷或膠版印刷等的形成圖形的方法)。也可以使用通過涂敷法獲得的SOG膜等。首先，參照?qǐng)D17(A)說明向襯底480 —側(cè)發(fā)射的情況，亦即進(jìn)行底部發(fā)射的情況。 在此情況下，第一電極層484以與薄膜晶體管481電連接的方式與源電極層或漏電極層487b接合，依次層疊第一電極層484、電致發(fā)光層485、第二電極層486。光透過的襯底480 必需至少相對(duì)于可見光具有透光性。接著，使用圖17(B)說明向與襯底460相反一側(cè)發(fā)射的情況，亦即進(jìn)行頂部發(fā)射的情況?？梢砸耘c上述的薄膜晶體管相同的方式形成薄膜晶體管461。與薄膜晶體管461電連接的源電極層或漏電極層462與第一電極層463接合而電連接。依次層疊第一電極層463、 電致發(fā)光層464、第二電極層465。源電極層或漏電極層462是具有反射性的金屬層，并向箭頭的上面反射從發(fā)光元件發(fā)射的光。因?yàn)樵措姌O層或漏電極層462與第一電極層463層疊，因此，即使第一電極層463使用透光性材料且光透過，該光也會(huì)被源電極層或漏電極層 462反射，而射出到與襯底460相反一側(cè)。當(dāng)然，也可以使用具有反射性的金屬膜形成第一電極層463。由于從發(fā)光元件射出的光透過第二電極層465而射出，故第二電極層465使用至少在可見區(qū)具有透光性的材料形成。最后，參照?qǐng)D17(C)說明向襯底470—側(cè)和其相反一側(cè)二者發(fā)射光的情況，亦即進(jìn)行雙向發(fā)射的情況。薄膜晶體管471也是溝道保護(hù)型薄膜晶體管。在電連接到薄膜晶體管 471的半導(dǎo)體層的源電極層或漏電極層475上電連接有第一電極層472。依次層疊第一電極層472、電致發(fā)光層473、第二電極層474。此時(shí)，當(dāng)?shù)谝浑姌O層472和第二電極層474都使用至少在可見區(qū)具有透光性的材料形成，或以可透過光的厚度形成時(shí)，就實(shí)現(xiàn)了雙向發(fā)射。 在此情況下，光透過的絕緣層、襯底470也需要至少相對(duì)于可見區(qū)的光具有透光性。本實(shí)施方式可以分別與實(shí)施方式1至4自由地組合。根據(jù)本發(fā)明，可以以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置的布線等的構(gòu)成物。另外，可以簡(jiǎn)化復(fù)雜的光刻工序，通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以可以減少材料的損失且降低成本。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。實(shí)施方式6在本實(shí)施方式中描述目的在于以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了的工序并且以低成本制造的高可靠性的顯示裝置的一例。詳細(xì)地說，描述將發(fā)光元件用于顯示元件的發(fā)光顯示裝置。在本實(shí)施方式中，使用圖22描述一種發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)，該發(fā)光元件可以用作本發(fā)明的顯示裝置的顯示元件。圖22顯示了發(fā)光元件的元件結(jié)構(gòu)，其中混合有機(jī)化合物和無機(jī)化合物而形成的電致發(fā)光層860夾在第一電極層870和第二電極層850之間。如圖所示，電致發(fā)光層860 由第一層804、第二層803、第三層802構(gòu)成。尤其是，第一層804和第三層802具有特殊的特征。首先，第一層804為具有向第二層803傳輸空穴的功能的層，并且是至少包括第一有機(jī)化合物和相對(duì)于第一有機(jī)化合物呈現(xiàn)出電子接收性能的第一無機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)。重要的是第一無機(jī)化合物不僅與第一有機(jī)化合物混合，而且第一無機(jī)化合物相對(duì)于第一有機(jī)化合物呈現(xiàn)出電子接收性能。通過采用這種結(jié)構(gòu)，在本來幾乎沒有固有的載流子的第一有機(jī)化合物中產(chǎn)生大量的空穴載流子，從而呈現(xiàn)出非常優(yōu)異的空穴注入性能及空穴傳輸性能。因此，第一層804不僅獲得被認(rèn)為是通過混合無機(jī)化合物而獲得的效果(耐熱性的提高等)，而且能夠獲得優(yōu)異的導(dǎo)電性(在第一層804中，尤其是空穴注入性能及傳輸性能)。這是不能從常規(guī)的空穴傳輸層獲得的效果，常規(guī)的空穴傳輸層中只混合了互相沒有電子相互作用的有機(jī)化合物和無機(jī)化合物。因?yàn)樵撔Ч?，可以使得?qū)動(dòng)電壓比以前降低。另外，由于可以在不導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓上升的情況下使第一層804變厚，從而也可以抑制由灰塵等所造成的元件的短路。如上所述，由于在第一有機(jī)化合物中產(chǎn)生空穴載流子，所以，作為第一有機(jī)化合物，優(yōu)選空穴傳輸性的有機(jī)化合物。作為空穴傳輸性的有機(jī)化合物，例如，可以舉出酞菁染料(縮寫H2Pc)、酞菁銅(縮寫CuPc)、酞菁氧釩(縮寫V0Pc)、4，4，，4”-三(N, N-二苯基氨基)三苯胺(縮寫TDATA)、4，4，，4”_三[N_(3_甲基苯基)-N-苯基氨基]-三苯胺 (縮寫=MTDATA) U, 3, 5-H [N，N-二 (間甲苯基)氨基]苯(縮寫m_MTDAB)、N，N，-二苯基-N，N，-雙(3-甲基苯基)-1，1，-聯(lián)苯-4，4，- 二胺(縮寫TPD)、4，4，-雙[N-(l-萘基)-N-苯基氨基]聯(lián)苯(縮寫NPB)、4，4’_雙{N-[4-二(間甲苯基)氨基]苯基-N-苯基氨基}聯(lián)苯(縮寫0^^))、4，4，，4”-三(N-咔唑基)三苯胺(縮寫TCTA)等，然而不局限于上述化合物。另外，在上述化合物中，以TDATA、MTDATA, m_MTDAB、TPD、NPB, DNTPD, TCTA等為代表的芳香族胺化合物容易產(chǎn)生空穴載流子，所以為優(yōu)選用作第一有機(jī)化合物的化合物組。另一方面，第一無機(jī)化合物可以為任何材料，只要該材料容易從第一有機(jī)化合物接收電子即可，可以是各種金屬氧化物或金屬氮化物，周期表中第4族至第12族中任一種的過渡金屬氧化物容易呈現(xiàn)出電子接收性能，所以是優(yōu)選的。具體地，可以舉出氧化鈦、氧化鋯、氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸、氧化釕、氧化鋅等。在上述金屬氧化物中，周期表中第4族至第8族中任一種過渡金屬氧化物具有高電子接收性能的較多，它們是優(yōu)選的化合物組。特別地，氧化釩、氧化鉬、氧化鎢、氧化錸能夠真空蒸鍍，容易使用，所以優(yōu)選。第一層804也可以通過層疊多個(gè)應(yīng)用上述有機(jī)化合物和無機(jī)化合物的組合的層來形成?？梢赃M(jìn)一步包括其他有機(jī)化合物或其他無機(jī)化合物。接著，說明第三層802。第三層802為具有向第二層803傳輸電子的功能的層，并且至少包括第三有機(jī)化合物和相對(duì)于第三有機(jī)化合物呈現(xiàn)出電子給予性能的第三無機(jī)化合物。重要的是第三無機(jī)化合物不僅與第三有機(jī)化合物混合，而且第三無機(jī)化合物相對(duì)于第三有機(jī)化合物呈現(xiàn)出電子給予性能。通過采用這種結(jié)構(gòu)，在本來幾乎沒有固有載流子的第三有機(jī)化合物中產(chǎn)生大量的電子載流子，從而呈現(xiàn)出優(yōu)異的電子注入性能及電子傳輸性能。因此，第三層802不僅獲得被認(rèn)為是通過混合無機(jī)化合物而獲得的效果(耐熱性的提高等)，而且可以獲得優(yōu)異的導(dǎo)電性(在第三層802中，尤其是電子注入性能和傳輸性能)。這是不能從常規(guī)的電子傳輸層獲得的效果，常規(guī)的電子傳輸層中只混合了互相沒有電子相互作用的有機(jī)化合物和無機(jī)化合物。因?yàn)樵撔Ч?，可以使得?qū)動(dòng)電壓比以前降低。另外，由于可以在不導(dǎo)致驅(qū)動(dòng)電壓上升的情況下使第三層802變厚，從而也可以抑制由灰塵等所造成的元件的短路。如上所述，由于在第三有機(jī)化合物中產(chǎn)生電子載流子，所以，作為第三有機(jī)化合物，優(yōu)選電子傳輸性的有機(jī)化合物。作為電子傳輸性的有機(jī)化合物，例如，可以舉出三 (8-喹啉)鋁(縮寫=Alq3)、三(4-甲基-8-喹啉)鋁(縮寫=Almq3)、雙(10-羥基苯并[h]喹啉)鈹(縮寫=BeBq2)、雙(2_甲基_8_喹啉)(4_苯基苯酚)鋁(縮寫B(tài)Alq)、雙[2_(2’_羥基苯基)苯并卩惡唑]鋅(縮寫=Zn(BOX)2)、雙[2-(2，-羥基苯基)苯并噻唑]鋅(縮寫 Zn(BTZ)2)、紅菲咯啉(縮寫:BW!en)、浴銅靈(縮寫:BCP)、2-(4-聯(lián)苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-^ 惡二唑(縮寫PBD)、1，3-雙[5-(4-叔丁基苯基)-1，3，4-Ρ惡二唑-2-基]苯 (縮寫0XD-7)、2，2，，2”-(l，3，5-苯三基(benzenetriyl))-三(1-苯基-IH-苯并咪唑) (縮寫:TPBI)、3-(4-聯(lián)苯基)-4-苯基-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4_三唑(縮寫:TAZ), 3-(4-聯(lián)苯基)-4-(4-乙基苯基)-5-(4-叔丁基苯基)-1，2，4-三唑(縮寫p_EtTAZ)等， 然而不局限于此。另外，在上述化合物中，如下化合物容易產(chǎn)生電子載流子以Alq3、Almq3、 BeBq2, BAlq, Zn(BOX)2, Si (BTZ)2等為代表的具有包括芳環(huán)的螯合配體的螯合金屬絡(luò)合物； 以BWreruBCP等為代表的具有菲咯啉骨架的有機(jī)化合物；以及以PBD、0XD_7等為代表的具有ρ惡二唑骨架的有機(jī)化合物，它們是優(yōu)選用作第三有機(jī)化合物的化合物組。另一方面，第三無機(jī)化合物可以為任何材料，只要該材料容易對(duì)第三有機(jī)化合物給予電子即可，可以為各種金屬氧化物或金屬氮化物，堿金屬氧化物、堿土金屬氧化物、稀土金屬氧化物、堿金屬氮化物、堿土金屬氮化物、稀土金屬氮化物容易呈現(xiàn)出電子給與性能，所以優(yōu)選。具體地，可以舉出氧化鋰、氧化鍶、氧化鋇、氧化鉺、氮化鋰、氮化鎂、氮化鈣、 氮化釔、氮化鑭等。特別地，氧化鋰、氧化鋇、氮化鋰、氮化鎂、氮化鈣可以真空蒸鍍，并且容易處理，所以優(yōu)選。第三層802可以通過層疊多個(gè)應(yīng)用上述有機(jī)化合物和無機(jī)化合物的組合的層形成?？梢赃M(jìn)一步包括其他有機(jī)化合物或其他無機(jī)化合物。接著，說明第二層803。第二層803為具有發(fā)光功能的層，并且包括發(fā)光性的第二有機(jī)化合物。還可以為包括第二無機(jī)化合物的結(jié)構(gòu)。第二層803可以使用各種發(fā)光性的有機(jī)化合物、無機(jī)化合物形成。第二層803與第一層804、第三層802相比，被認(rèn)為難以流過電流，因此，其厚度優(yōu)選為IOnm至IOOnm左右。對(duì)于第二有機(jī)化合物沒有特別的限定，只要是發(fā)光性的有機(jī)化合物即可，例如， 可以舉出9，10_ 二 O-萘基)蒽(縮寫DNA)、9，10-二(2-萘基)-2-叔丁基蒽(縮寫 t-BuDNA)、4，4，_雙(2，2_ 二苯基乙烯基)聯(lián)苯(縮寫DPVBi)、香豆素30、香豆素6、香豆素 545、香豆素 M5T、茈、紅熒烯、Periflanthene、2，5，8，ll-四(叔丁基)茈(縮寫=TBP) ,9, 10-二苯基蒽(縮寫DPA)、5，12-二苯基并四苯、4-( 二氰基亞甲基)-2-甲基-[對(duì)(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(縮寫DCMl)、4-( 二氰基亞甲基)-2-甲基-6-[2-(久洛尼定-9-基)乙烯基]-4H-吡喃(縮寫DCM2)、4-( 二氰基亞甲基)-2，6_雙[對(duì)(二甲基氨基)苯乙烯基]-4H-吡喃(縮寫=BisDCM)等。另外，也可以使用能發(fā)射磷光的化合物，例如雙[2- ’，6’ - 二氟苯基)吡啶-N，C2’ ]銥(吡啶甲酸化物)(縮寫FIrpic)、雙{2_[3，， 5，_雙(三氟甲基)苯基]吡啶_N，C2，}銥(吡啶甲酸化物)(縮寫Ir(CF3ppy)2(piC))、 三(2-苯基吡啶-N, C2，)銥(縮寫Ir(ppy)3)、雙(2-苯基吡啶-N，C2，)銥(乙酰丙酮化物)(縮寫Ir(ppy)2(acac))、雙[2-(2’ -噻吩基)吡啶-N，C3，]銥(乙酰丙酮化物)(縮寫Ir(thp)2(aCaC))、雙(2-苯基喹啉-N，C2，)銥(乙酰丙酮化物)(縮寫:Ir(pq)2(acac)), 雙[2-(2，-苯基噻吩基)吡啶-N，C3，]銥(乙酰丙酮化物)(縮寫Ir(btp)2(acac))等。除了單態(tài)激發(fā)發(fā)光材料之外，還可以將含有金屬絡(luò)合物等的三重態(tài)激發(fā)發(fā)光材料用于第二層803。例如，在紅色發(fā)光性的像素、綠色發(fā)光性的像素和藍(lán)色發(fā)光性的像素中， 亮度半衰時(shí)間比較短的紅色發(fā)光性的像素由三重態(tài)發(fā)光材料形成，并且余下的由單態(tài)激發(fā)發(fā)光材料形成。三重態(tài)激發(fā)發(fā)光材料具有良好的發(fā)光效率，從而獲得相同的亮度時(shí)具有更低的耗電量。亦即，當(dāng)用于紅色像素時(shí)，流過發(fā)光元件少量的電流即可，因而，可以提高可靠性。作為低耗電量化，紅色發(fā)光性的像素和綠色發(fā)光性的像素可以由三重態(tài)激發(fā)發(fā)光材料形成，藍(lán)色發(fā)光性的像素可以由單態(tài)激發(fā)發(fā)光材料形成。由三重態(tài)激發(fā)發(fā)光材料形成人的視覺靈敏度高的綠色發(fā)光元件，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)低耗電量化。此外，第二層803中，不僅可以添加呈現(xiàn)上述發(fā)光的第二有機(jī)化合物，還可以添加其他有機(jī)化合物。作為可以添加的有機(jī)化合物，例如可以使用上述的TDATA、MTDATA、 m-MTDAB、TPD、NPB、DNTPD, TCTA, Alq3> Almq3、BeBq2, BAlq、Zn (BOX)2, Zn (BTZ) 2、BPhen、BCP, PBD、0XD-7、TPBI、TAZ、p-EtTAZ、DNA、t-BuDNA、DPVBi 等，除此之外還有 4，4，-雙(N-咔唑基)-聯(lián)苯(縮寫CBP)1，3，5-H咔唑基)-苯基]苯(縮寫TCPB)等，然而，不局限于此。為了第二有機(jī)化合物效率良好地發(fā)光，如此在第二有機(jī)化合物以外添加的有機(jī)化合物優(yōu)選具有比第二有機(jī)化合物的激發(fā)能大的激發(fā)能，并且，其添加量比第二有機(jī)化合物大(由此，可以防止第二有機(jī)化合物的濃度消光)。作為其他功能，也可以與第二有機(jī)化合物一起顯示發(fā)光(由此，還可以為白色發(fā)光等)。第二層803可以采用在每個(gè)像素中形成發(fā)光波長(zhǎng)帶不同的發(fā)光層而用作進(jìn)行彩色顯示的結(jié)構(gòu)。典型的是形成與R(紅)、G(綠)、B (藍(lán))各色對(duì)應(yīng)的發(fā)光層。在此情況下， 通過在像素的光發(fā)射一側(cè)設(shè)置透過該發(fā)光波長(zhǎng)帶的光的濾色器的結(jié)構(gòu)，可以實(shí)現(xiàn)色純度的提高和防止像素部的鏡面化(映入)。通過設(shè)置濾色器，能夠省略在現(xiàn)有技術(shù)中所必需的圓偏光板等，可以不損失發(fā)光層發(fā)出的光?？梢詼p少從傾斜方向看像素部(顯示畫面)時(shí)發(fā)生的色調(diào)變化。在第二層803中可以使用的材料可以是低分子類有機(jī)發(fā)光材料，也可以是高分子類有機(jī)發(fā)光材料。高分子類有機(jī)發(fā)光材料與低分子類有機(jī)材料相比，物理強(qiáng)度大，元件的耐久性高。由于能夠通過涂敷形成膜，所以，元件制造比較容易。發(fā)光顏色取決于形成發(fā)光層的材料，因而可以通過選擇發(fā)光層的材料來形成顯示所要求的發(fā)光的發(fā)光元件?？捎糜谛纬砂l(fā)光層的高分子類電致發(fā)光材料，可以舉出聚對(duì)亞苯基亞乙烯基類、聚對(duì)亞苯基類、聚噻吩類、聚芴類等。作為聚對(duì)亞苯基亞乙烯基類，可以舉出聚(對(duì)亞苯基亞乙烯基)[PPV]的衍生物， 如聚(2，5-二烷氧基-1，4-亞苯基亞乙烯基)[肌^^￥]、聚O-(2，-乙基-己氧基)-5-甲氧基-1，4-亞苯基亞乙烯基)[MEH-PPV]、聚(2-( 二烷氧基苯基)-I，4-亞苯基亞乙烯基) [ROPh-PPV]等。作為聚對(duì)亞苯基類，可以舉出聚對(duì)亞苯基[PPP]的衍生物，如聚(2，5-二烷氧基-1，4-亞苯基)[R0-PPP]、聚(2，5_ 二己氧基-1，4-亞苯基)等。作為聚噻吩類，可以舉出聚噻吩[PT]的衍生物，如聚(3-烷基噻吩)[PAT]、聚(3-己基噻吩)[PHT]、聚(3-環(huán)己基噻吩)[PCHT]、聚(3-環(huán)己基-4-甲基噻吩)[PCHMT]、聚(3，4- 二環(huán)己基噻吩)[PDCHT]、 聚[3-(4-辛基苯基)噻吩][Ρ0ΡΤ]、聚[3-(4-辛基苯基)-2，2-雙噻吩][ 1~(^]等。作為聚芴類，可以舉出聚芴[PF]的衍生物，如聚(9，9_ 二烷基芴)[PDAF]、聚(9，9_ 二辛基芴) [PD0F]等。作為所述第二無機(jī)化合物，可以使用任何不容易使第二有機(jī)化合物的發(fā)光消光的無機(jī)化合物，可以使用各種金屬氧化物、金屬氮化物。特別是，周期表第13族或第14族的金屬氧化物不容易使第二有機(jī)化合物的發(fā)光消光，所以優(yōu)選，具體而言，氧化鋁、氧化鎵、氧化硅、氧化鍺是優(yōu)選的。但是，第二無機(jī)化合物不局限于此。第二層803可以層疊多個(gè)應(yīng)用上述有機(jī)化合物和無機(jī)化合物的組合的層形成。也可以進(jìn)一步包含其他有機(jī)化合物或無機(jī)化合物。發(fā)光層的層結(jié)構(gòu)可以變化，只要在不脫離本發(fā)明的要旨的范圍內(nèi)，可以允許一些變形，例如，代替不具備特定的電子注入?yún)^(qū)、發(fā)光區(qū)， 可以具有專門用于此目的的電極層或使發(fā)光性材料分散。由上述材料形成的發(fā)光元件，通過正向偏壓來發(fā)光。使用發(fā)光元件形成的顯示裝置的像素，可以以單純矩陣方式或有源矩陣方式驅(qū)動(dòng)。采用任何方式時(shí)，都是以某個(gè)特定的時(shí)機(jī)來施加正向偏壓使每個(gè)像素發(fā)光，在某一特定期間處于非發(fā)光狀態(tài)。通過在該非發(fā)光時(shí)間段內(nèi)施加反向的偏壓，可以提高發(fā)光元件的可靠性。發(fā)光元件中，有在一定驅(qū)動(dòng)條件下發(fā)光強(qiáng)度降低的劣化、以及像素內(nèi)非發(fā)光區(qū)擴(kuò)大而表觀上亮度降低的劣化模式，通過進(jìn)行正向及反向施加偏壓的交流驅(qū)動(dòng)，可以延遲劣化的進(jìn)行，提高發(fā)光顯示裝置的可靠性。數(shù)字驅(qū)動(dòng)、模擬驅(qū)動(dòng)都可以適用。也可以在密封襯底上形成彩色濾光片(著色層)。彩色濾光片(著色層)可以通過蒸鍍法、液滴排出法形成，若使用彩色濾光片(著色層)，也可以進(jìn)行高清晰度的顯示。這是因?yàn)榭梢酝ㄟ^彩色濾光片(著色層)進(jìn)行修正，使在每個(gè)RGB的發(fā)光光譜上寬峰修正陡峭的峰。形成顯示單色發(fā)光的材料，通過組合彩色濾光片或色轉(zhuǎn)換層進(jìn)行全色顯示。彩色濾光片(著色層)或色轉(zhuǎn)換層，例如，形成在密封襯底上，粘貼在襯底上即可。當(dāng)然，也可以進(jìn)行單色發(fā)光的顯示。例如，也可以使用單色發(fā)光，被形成區(qū)域彩色型(area color type)顯示裝置。區(qū)域彩色型適宜于無源矩陣型的顯示部，可以主要顯示文字或符號(hào)。選擇第一電極層870和第二電極層850的材料時(shí)，需要考慮其功函數(shù)，并且，根據(jù)像素結(jié)構(gòu)，第一電極層870及第二電極層850的任一個(gè)可以為陽極或陰極。當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的極性為P溝道型時(shí)，如圖22(A)所示，優(yōu)選將第一電極層870用作陽極，將第二電極層850用作陰極。此外，當(dāng)驅(qū)動(dòng)薄膜晶體管的極性為η溝道型時(shí)，如圖22 (B)所示，優(yōu)選將第一電極層870用作陰極，將第二電極層850用作陽極。對(duì)可以用于第一電極層870及第二電極層850的材料進(jìn)行說明。當(dāng)?shù)谝浑姌O層870、第二電極層850用作陽極時(shí)，優(yōu)選使用功函數(shù)大的材料(具體地，4. 5eV以上的材料)，當(dāng)?shù)谝浑姌O層、第二電極層850用作陰極時(shí)， 優(yōu)選使用功函數(shù)小的材料(具體地，3.5eV以下的材料)。但是，由于第一層804的空穴注入、空穴傳輸性能或第三層802的電子注入性能、電子傳輸性能優(yōu)異，所以第一電極層870、 第二電極層850的功函數(shù)幾乎都沒有限制，可以使用各種材料。圖22(A) (B)中的發(fā)光元件具有從第一電極層870發(fā)出光的結(jié)構(gòu)，所以，第二電極層850未必需要具有透光性。作為第二電極層850，可以以總膜厚為IOOnm至SOOnm范圍使用選自 Ti、Ni、W、Cr、Pt、Si、Sn、In、Ta、Al、Cu、Au、Ag、Mg、Ca、Li 或 Mo 中的元素；或者 TiN、TiSixNY、WSix、WNx、WSixNY、NbN等以上述元素為主要成分的合金材料或化合物材料為主要成分的膜或它們的疊層膜。第二電極層850可以使用蒸鍍法、濺射法、CVD法、印刷法、分配器法或液滴排出法等來形成。如果將如第一電極層870中使用的材料的具有透光性的導(dǎo)電性材料用于第二電極層850，則成為也從第二電極層850發(fā)射光的結(jié)構(gòu)，可以使其具有由發(fā)光元件發(fā)射的光從第一電極層870和第二電極層850的雙方發(fā)射的雙面發(fā)射結(jié)構(gòu)。
要說明的是，通過改變第一電極層870或第二電極層850的種類，本發(fā)明的發(fā)光元件具有各種各樣的變化形式。圖22(B)所示為從第一電極層870 —側(cè)開始依次設(shè)置第三層802、第二層803、第一層804而構(gòu)成電致發(fā)光層860的情形。如上所述，在本發(fā)明的發(fā)光元件中，夾在第一電極層870和第二電極層850之間的層包括電致發(fā)光層860，所述電致發(fā)光層860包括有機(jī)化合物和無機(jī)化合物復(fù)合得到的層。 其為有機(jī)無機(jī)復(fù)合型發(fā)光元件，其中設(shè)置有通過混合有機(jī)化合物和無機(jī)化合物獲得不能各自獲得的高載流子注入性能、載流子傳輸性能的功能的層(即，第一層804和第三層802)。 而且，當(dāng)設(shè)置在第一電極層870 —側(cè)時(shí)，特別必要的是，上述第一層804、第三層802是有機(jī)化合物和無機(jī)化合物復(fù)合得到的層，當(dāng)設(shè)置在第二電極層850 —側(cè)時(shí)，可以僅是有機(jī)化合物或無機(jī)化合物。另外，電致發(fā)光層860為混合有有機(jī)化合物和無機(jī)化合物的層，作為其形成方法可以使用各種方法。例如，可以舉出通過電阻加熱，使有機(jī)化合物和無機(jī)化合物雙方蒸發(fā)進(jìn)行共蒸鍍的方法。此外，還可以通過電阻加熱蒸發(fā)有機(jī)化合物一方，而通過電子束(EB)蒸發(fā)無機(jī)化合物，來將它們共蒸鍍。此外，還可以舉出在通過電阻加熱蒸發(fā)有機(jī)化合物的同時(shí)濺射無機(jī)化合物，來同時(shí)堆積二者的方法。另外，也可以通過濕法來成膜。此外，對(duì)于第一電極層870及第二電極層850也可以同樣使用通過電阻加熱的蒸鍍法、EB蒸鍍法、濺射、濕法等。圖22(C)示出在圖22(A)中將具有反射性的電極層用于第一電極層870并且將具有透光性的電極層用于第二電極層850，由發(fā)光元件發(fā)射的光被第一電極層870反射，然后透過第二電極層850而發(fā)射。相同地，圖22(D)示出在圖22(B)的結(jié)構(gòu)中將具有反射性的電極層用于第一電極層870并且將具有透光性的電極層用于第二電極層850，由發(fā)光元件發(fā)射的光被第一電極層870反射，然后透過第二電極層850而發(fā)射。本實(shí)施方式可以與關(guān)于具有發(fā)光元件的顯示裝置的上述實(shí)施方式自由地組合。根據(jù)本發(fā)明，可以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置等的布線等的構(gòu)成物。另外，可以簡(jiǎn)化復(fù)雜的光刻工序而通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以可以減少材料的損失且降低成本。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。本實(shí)施方式可以分別與上述實(shí)施方式1至5適當(dāng)?shù)刈杂傻亟M合。實(shí)施方式7在本實(shí)施方式中描述目的在于以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了的工序并且以低成本制造的高可靠性的顯示裝置的例子。詳細(xì)地說，描述將發(fā)光元件用于顯示元件的發(fā)光顯示裝置。在本實(shí)施方式中，使用圖23和圖M描述可以用作本發(fā)明的顯示裝置的發(fā)光元件的發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)顯示裝置。利用電致發(fā)光的發(fā)光元件根據(jù)其發(fā)光材料是有機(jī)化合物還是無機(jī)化合物來進(jìn)行區(qū)別，一般來說，前者被稱為有機(jī)EL元件，而后者被稱為無機(jī)EL元件。根據(jù)元件的結(jié)構(gòu)，將無機(jī)EL元件分類為分散型無機(jī)EL元件和薄膜型無機(jī)EL元件。它們的不同點(diǎn)在于，前者具有將發(fā)光材料的粒子分散在粘合劑中的電致發(fā)光層，而后者具有包括發(fā)光材料的薄膜的電致發(fā)光層。然而，它們的共同點(diǎn)在于，兩個(gè)都需要由高電場(chǎng)加速的電子。此外，作為獲得的發(fā)光的機(jī)理，有兩種類型利用施主能級(jí)和受主能級(jí)的施主-受主復(fù)合型發(fā)光、以及利用金屬離子的內(nèi)層電子躍遷的局部發(fā)光。一般地，在很多情況下，將施主-受主復(fù)合型發(fā)光使用于分散型無機(jī)EL元件，而將局部發(fā)光使用于薄膜型無機(jī) EL元件?？梢杂糜诒景l(fā)明的發(fā)光材料由母體材料和成為發(fā)光中心的雜質(zhì)元素構(gòu)成?？梢酝ㄟ^改變所含有的雜質(zhì)元素，獲得各色的發(fā)光。作為發(fā)光材料的制造方法，可以使用固相法、 液相法(共沉淀法)等各種方法。此外，還可以使用諸如噴霧熱分解法、復(fù)分解法、利用母體的熱分解反應(yīng)的方法、反膠束(reverse micelle)法、組合上述方法和高溫?zé)傻姆椒ā?冷凍干燥法等的液相法等。固相法是使母體材料包含雜質(zhì)元素的方法稱量母體材料及雜質(zhì)元素或含有雜質(zhì)元素的化合物，在研缽中混合，用電爐加熱，并進(jìn)行燒成使其進(jìn)行反應(yīng)。燒成溫度優(yōu)選為 700°C至1500°C。這是因?yàn)樵跍囟冗^低的情況下固體反應(yīng)不進(jìn)行，而在溫度過高的情況下母體材料會(huì)分解。另外，也可以在粉末狀態(tài)下進(jìn)行燒成，然而優(yōu)選在顆粒狀態(tài)下進(jìn)行燒成。該方法需要在比較高的溫度下進(jìn)行燒成，然而，因?yàn)樵摲椒ê芎?jiǎn)單，所以生產(chǎn)率好，適合于大量生產(chǎn)。液相法(共沉淀法)是在溶液中使母體材料或含有母體材料的化合物及雜質(zhì)元素或含有雜質(zhì)元素的化合物反應(yīng)，并使其干燥，然后進(jìn)行燒成的方法。通過該方法，發(fā)光材料的粒子均勻地分布，粒徑小，并且即使在燒成溫度低的情況下，也可以進(jìn)行反應(yīng)。作為用于發(fā)光材料的母體材料，可以使用硫化物、氧化物、氮化物。作為硫化物，例如可以使用硫化鋅(ZnS)、硫化鎘(CdS)、硫化鈣(CaS)、硫化釔(Y2S3)、硫化鎵(Ga2S3)JlHt 鍶(SrS)、硫化鋇(BaS)等。作為氧化物，例如可以使用氧化鋅(ZnO)氧化釔(Y2O3)等。作為氮化物，例如可以使用氮化鋁(AlN)、氮化鎵(GaN)、氮化銦QnN)等?？梢允褂梦\ (&1%)、碲化鋅(ZnTe)等，也可以使用硫化鈣-鎵(CaGa2S4)、硫化鍶-鎵(SrGa2S4)AlHt 鋇-鎵(BaGEiA4)等的三元系混晶。作為局部型發(fā)光的發(fā)光中心，可以使用錳(Mn)、銅(Cu)、釤(Sn)、鋱(Tb)、鉺(Er)、 銩(Tm)、銪(Eu)、鈰(Ce)、鐠(Pr)等。也可以添加氟(F)、氯(Cl)等鹵素。鹵素還可以用于電荷補(bǔ)償。另一方面，作為施主-受主復(fù)合型發(fā)光的發(fā)光中心，可以使用包含形成施主能級(jí)的第一雜質(zhì)元素和形成受主能級(jí)的第二雜質(zhì)元素的發(fā)光材料。作為第一雜質(zhì)元素，例如，可以使用氟(F)、氯(Cl)、鋁(Al)等。作為第二雜質(zhì)元素，例如，可以使用銅(Cu)、銀(Ag)等。在通過固相法合成施主-受主復(fù)合型發(fā)光的發(fā)光材料的情況下，分別稱量母體材料、第一雜質(zhì)元素或含有第一雜質(zhì)元素的化合物、以及第二雜質(zhì)元素或含有第二雜質(zhì)元素的化合物，在研缽中混合，然后用電爐加熱并且進(jìn)行燒成。作為母體材料，可以使用上述母體材料。作為第一雜質(zhì)元素或含有第一雜質(zhì)元素的化合物，例如，可以使用氟(F)、氯(Cl)、 硫化鋁(Al2S3)等。作為第二雜質(zhì)元素或含有第二雜質(zhì)元素的化合物，例如，可以使用銅 (Cu)、銀(Ag)、硫化銅(Cu2S)、硫化銀(Ag2S)等。燒成溫度優(yōu)選為700至1500°C。這是因?yàn)樵跍囟冗^低的情況下固體反應(yīng)不進(jìn)行，而在溫度過高的情況下母體材料會(huì)分解。燒成可以以粉末狀態(tài)進(jìn)行，優(yōu)選以顆粒狀態(tài)進(jìn)行燒成。作為在利用固相反應(yīng)的情況下的雜質(zhì)元素，可以將由第一雜質(zhì)元素和第二雜質(zhì)元素構(gòu)成的化合物組合使用。在這種情況下，由于雜質(zhì)元素容易擴(kuò)散，固相反應(yīng)變得容易進(jìn)行，因此可以獲得均勻的發(fā)光材料。由于不會(huì)進(jìn)入其他雜質(zhì)元素，所以可以獲得純度高的發(fā)光材料。作為由第一雜質(zhì)元素和第二雜質(zhì)元素構(gòu)成的化合物，例如，可以使用氯化銅 (CuCl)、氯化銀(AgCl)等。要說明的是，這些雜質(zhì)元素的濃度相對(duì)于母體材料為0. 01至IOatom1^即可，優(yōu)選在0. 05至^^0111%的范圍。在采用薄膜型無機(jī)EL的情況下，電致發(fā)光層是包含上述發(fā)光材料的層，其可通過電阻加熱蒸鍍法、電子束蒸鍍(EB蒸鍍)法等真空蒸鍍法；濺射法等物理氣相生長(zhǎng)法 (PVD)；有機(jī)金屬CVD法、氫化物輸送減壓CVD法等化學(xué)氣相生長(zhǎng)法(CVD)；或原子層外延法 (ALE)等形成。圖23㈧至(C)示出了可用作發(fā)光元件的薄膜型無機(jī)EL元件的一例。在圖23㈧ 至(C)中，發(fā)光元件包括第一電極層50、電致發(fā)光層52、第二電極層53。圖23(B)和圖23(C)所示的發(fā)光元件具有在圖23(A)的發(fā)光元件中的電極層和電致發(fā)光層之間設(shè)置絕緣層的結(jié)構(gòu)。圖23(B)所示的發(fā)光元件在第一電極層50和電致發(fā)光層52之間具有絕緣層M。圖23(C)所示的發(fā)光元件在第一電極層50和電致發(fā)光層52之間具有絕緣層Ma，在第二電極層53和電致發(fā)光層52之間具有絕緣層Mb。絕緣層可以僅設(shè)置在夾住電致發(fā)光層的一對(duì)電極層中的一方之間，也可以設(shè)置在兩方之間。絕緣層可以是單層也可以是包括多個(gè)層的疊層。盡管在圖23 (B)中與第一電極層50相接合設(shè)置絕緣層M，可以通過顛倒絕緣層和電致發(fā)光層的順序而與第二電極層53相接合設(shè)置絕緣層M。在分散型無機(jī)EL元件的情況下，將粒子狀態(tài)的發(fā)光材料分散在粘合劑中以形成膜狀的電致發(fā)光層。當(dāng)通過發(fā)光材料的制造方法不能充分獲得具有所需尺寸的粒子時(shí)，通過用研缽等粉碎而加工成粒子狀態(tài)即可。粘合劑指的是用于以分散狀態(tài)固定粒狀的發(fā)光材料并且用于保持作為電致發(fā)光層的形狀的物質(zhì)。發(fā)光材料利用粘合劑均勻分散并固定在電致發(fā)光層中。在分散型無機(jī)EL元件的情況下，作為形成電致發(fā)光層的方法，可以使用可以選擇性地形成電致發(fā)光層的液滴噴出法、印刷法(如絲網(wǎng)印刷或膠版印刷等)、旋轉(zhuǎn)涂敷法等的涂敷法、浸漬法、分配器法等。對(duì)電致發(fā)光層的膜厚沒有特別限制，但優(yōu)選在10至IOOOnm 的范圍。另外，在包含發(fā)光材料及粘合劑的電致發(fā)光層中，發(fā)光材料的比例優(yōu)選設(shè)為50wt % 以上至80wt%以下。圖M(A)至(C)示出可用作發(fā)光元件的分散型無機(jī)EL元件的一例。圖對(duì)㈧中的發(fā)光元件具有第一電極層60、電致發(fā)光層62、第二電極層63的疊層結(jié)構(gòu)，其中電致發(fā)光層62包含由粘合劑保持的發(fā)光材料61。作為可用于本實(shí)施方式的粘合劑，可以使用有機(jī)材料或無機(jī)材料，并且也可以使用有機(jī)材料和無機(jī)材料的混合材料。作為有機(jī)材料，可以使用氰乙基纖維素類樹脂這樣的具有比較高介電常數(shù)的聚合物；聚乙烯、聚丙烯、聚苯乙烯類樹脂、硅氧烷樹脂、環(huán)氧樹脂、 偏二氟乙烯等樹脂?？梢允褂梅枷阕寰埘０?、聚苯并咪唑等耐熱性高分子，或者硅氧烷樹脂。要說明的是，硅氧烷樹脂相當(dāng)于包括Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成骨架結(jié)構(gòu)。作為取代基，使用至少含有氫的有機(jī)基(如烷基、芳烴)。也可以使用氟作為取代基。此外，作為取代基，也可以使用至少含有氫的有機(jī)基和氟。也可以使用聚乙烯醇、聚乙烯醇縮丁醛等乙烯基樹脂；酚醛樹酯；酚醛清漆樹脂；丙烯酸類樹脂；蜜胺樹脂 ’聚氨酯樹脂；卩惡唑樹脂(聚苯并卩惡唑)等樹脂材料。也可以通過合適地將這些樹脂與具有高介電常數(shù)的微粒如鈦酸鋇(BaTiO3)或鈦酸鍶(SrTiO3)等混合來調(diào)節(jié)介電常數(shù)。包含在粘合劑中的無機(jī)材料可以由選自以下物質(zhì)的材料形成氧化硅(SiOx)、氮化硅(SiNx)、含氧及氮的硅、氮化鋁(AlN)、含氧及氮的鋁或氧化鋁(Al2O3)、氧化鈦(TiO2)、 BaTi03、SrTiO3、鈦酸鉛(PbTiO3)、鈮酸鉀(KNbO3)、鈮酸鉛(PbNbO3)、氧化鉭(Tei2O5)、鉭酸鋇 (BaTa2O6)、鉭酸鋰(LiTaO3)、氧化釔(Y2O3)、氧化鋯(ZrO2)、包含其它無機(jī)材料的物質(zhì)。通過在有機(jī)材料中包含(通過添加等)具有高介電常數(shù)的無機(jī)材料，可以進(jìn)一步控制包括發(fā)光材料和粘合劑的電致發(fā)光層的介電常數(shù)，并且可以進(jìn)一步提高介電常數(shù)。對(duì)于粘合劑，通過采用無機(jī)材料和有機(jī)材料的混合層，提高其介電常數(shù)時(shí)，可以由發(fā)光材料產(chǎn)生大電荷。在制造工序中，發(fā)光材料被分散在包含粘合劑的溶液中，然而，作為可用在本實(shí)施方式中的包含粘合劑的溶液的溶劑，適當(dāng)?shù)剡x擇如下溶劑即可，其溶解粘合劑材料并且可以制備適合于形成電致發(fā)光層的方法(各種濕法)和所需膜厚的粘度的溶液。可以使用有機(jī)溶劑等，例如使用硅氧烷樹脂作為粘合劑的情況下，可以使用丙二醇一甲基醚、丙二醇一甲基醚乙酸酯(也稱為PGMEA)、3_甲氧基-3-甲基-1- 丁醇(也稱為MMB)等。圖M(B)和M(C)所示的發(fā)光元件具有在圖M(A)的發(fā)光元件中的電極層和電致發(fā)光層之間設(shè)置絕緣層的結(jié)構(gòu)。圖24(B)所示的發(fā)光元件在第一電極層60和電致發(fā)光層 62之間具有絕緣層64，圖M(C)所示的發(fā)光元件在第一電極層60和電致發(fā)光層62之間具有絕緣層64a，在第二電極層63和電致發(fā)光層62之間具有絕緣層64b。像這樣，絕緣層可以僅設(shè)置在夾住電致發(fā)光層的一對(duì)電極層中的一方之間，也可以設(shè)置在兩方之間。絕緣層可以是單層也可以是包括多個(gè)層的疊層。盡管在圖M (B)中與第一電極層60相接合提供絕緣層64，但也可以通過顛倒絕緣層和電致發(fā)光層的順序而與第二電極層63相接合設(shè)置絕緣層64。盡管對(duì)圖23中的絕緣層54、圖M中的絕緣層64那樣的絕緣層沒有特別限制，但優(yōu)選具有高絕緣破壞電壓、致密膜質(zhì)，而且更優(yōu)選具有高介電常數(shù)。例如，可以使用氧化硅 (SiO2)、氧化釔(Y2O3)、氧化鈦(TiO2)、氧化鋁(Al2O3)、氧化鉿(HfO2)、氧化鉭(Tei2O5)、鈦酸鋇(BaTiO3)、鈦酸鍶(SrTiO3)、鈦酸鉛(PbTiO3)、氮化硅(Si3N4)、氧化鋯(&02)等，或者它們的混合膜或兩種以上的疊層膜。這些絕緣膜可以通過濺射、蒸鍍、CVD等形成。另外，絕緣層也可以通過在粘合劑中分散這些絕緣材料的粒子形成。粘合劑材料通過使用與包含在電致發(fā)光層中的粘合劑相同的材料、方法形成即可。對(duì)其膜厚沒有特別限制，但是優(yōu)選在10至 IOOOnm的范圍。本實(shí)施方式所示的發(fā)光元件可以通過在夾住電致發(fā)光層的一對(duì)電極層之間施加電壓獲得發(fā)光，發(fā)光元件通過直流驅(qū)動(dòng)或交流驅(qū)動(dòng)都可以工作。根據(jù)本發(fā)明，可以以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置等的布線等的構(gòu)成物?？梢院?jiǎn)化復(fù)雜的光刻工序而通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以可以減少材料的損失且降低成本。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。本實(shí)施方式可以分別與上述實(shí)施方式1至5適當(dāng)?shù)刈杂傻亟M合。實(shí)施方式8在本實(shí)施方式中描述目的于以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了的工序并且以低成本制造的高可靠性的顯示裝置的例子。詳細(xì)地說，描述將液晶顯示元件用于顯示元件的液晶顯示裝置。圖19㈧是液晶顯示裝置的俯視圖，而圖19⑶是沿圖19㈧中的線G-H的截面圖。在圖19(A)的俯視圖中省略反射防止膜。如圖19(A)所示，使用密封材692將像素區(qū)606、作為掃描線驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)608a、作為掃描線驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)電路區(qū)608b密封在襯底600和相對(duì)襯底695之間，并且在襯底600上設(shè)置有由IC驅(qū)動(dòng)器形成的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路-驅(qū)動(dòng)電路區(qū)607。在像素區(qū) 606中設(shè)置有晶體管622以及電容元件623，并且在驅(qū)動(dòng)電路區(qū)60 中設(shè)置有具有晶體管 620以及晶體管621的驅(qū)動(dòng)電路。作為襯底600，可以適用與上述實(shí)施方式相同的絕緣襯底。 通常擔(dān)心含有合成樹脂的襯底與其他襯底相比其耐熱溫度低，但是通過在使用耐熱性高的襯底的制造工序之后進(jìn)行轉(zhuǎn)置，也可以采用。在本實(shí)施方式中，也可以如實(shí)施方式1所示那樣通過多個(gè)工序排出液態(tài)的包含形成材料的組合物，來形成構(gòu)成顯示裝置的柵電極層、半導(dǎo)體層、源電極層、漏電極層、布線層或第一電極層等。如實(shí)施方式1所示，首先沿著導(dǎo)電層的圖形輪廓通過第一排出工序形成框狀的第一導(dǎo)電層，然后通過第二排出工序填充第一導(dǎo)電層的框中，形成第二導(dǎo)電層。因此，若附著粘度較高且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性低的組合物來形成第一導(dǎo)電層 (絕緣層)，該第一導(dǎo)電層(絕緣層)決定導(dǎo)電層(絕緣層)的被形成區(qū)的輪廓，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪廓的側(cè)端部。若將粘度低且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性高的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層(絕緣層)的框中來形成，則可以減輕內(nèi)部或表面的由氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等，形成平坦性高的均勻的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此，通過分別制作導(dǎo)電層(絕緣層)外側(cè)和內(nèi)側(cè)來制作導(dǎo)電層(絕緣層)，而可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且減輕缺陷的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此可以使工序簡(jiǎn)化并且防止材料的損失，而可以實(shí)現(xiàn)低成本化。在像素區(qū)606中，在襯底600上通過基底膜60 、基底膜604b設(shè)置有成為開關(guān)元件的晶體管622。在本實(shí)施方式中，晶體管622使用多柵型薄膜晶體管(TFT)，包括具有發(fā)揮源區(qū)及漏區(qū)的功能的雜質(zhì)區(qū)的半導(dǎo)體層、柵極絕緣層、具有兩層疊層結(jié)構(gòu)的柵電極層、源電極層以及漏電極層，源電極層或漏電極層與半導(dǎo)體層的雜質(zhì)區(qū)和像素電極層630接合而電連接。源電極層及漏電極層具有疊層結(jié)構(gòu)，并且源電極層或漏電極層644a、644b在形成于絕緣層615中的開口中與像素電極層630電連接。如實(shí)施方式2所示，可以通過照射激光形成在絕緣層615中形成的開口。在本實(shí)施方式中，源電極層或漏電極層644b使用比較容易蒸發(fā)的低熔點(diǎn)金屬(在本實(shí)施方式中使用鉻)，并且源電極層或漏電極層64 使用比源電極層或漏電極層644b不容易蒸發(fā)的高熔點(diǎn)金屬(在本實(shí)施方式中使用鎢)。從絕緣層615 —側(cè)將激光選擇性地照射到源電極層或漏電極層6Ma、644b，因?yàn)檎丈涞哪芰浚措姌O層或漏電極層644b的照射區(qū)蒸發(fā)。源電極層或漏電極層644b的照射區(qū)上的絕緣層615 被去除，從而可以形成開口。在源電極層或漏電極層644a、644b被露出的開口中形成像素電極層630，從而源電極層或漏電極層644a、644b與像素電極層630可以電連接。薄膜晶體管可以以多種方法來制作。例如作為活性層，適用晶體半導(dǎo)體膜。在晶體半導(dǎo)體膜上通過柵極絕緣膜設(shè)置柵電極?？梢允褂迷摉烹姌O對(duì)該活性層添加雜質(zhì)元素。通過添加使用柵電極的雜質(zhì)元素，不需要形成用于添加雜質(zhì)元素的掩模。柵電極可以具有單層結(jié)構(gòu)或疊層結(jié)構(gòu)。雜質(zhì)區(qū)通過控制其濃度，可以成為高濃度雜質(zhì)區(qū)及低濃度雜質(zhì)區(qū)。將如此具有低濃度雜質(zhì)區(qū)的薄膜晶體管稱為L(zhǎng)DD (Light doped drain，輕摻雜漏極)結(jié)構(gòu)。低濃度雜質(zhì)區(qū)可以與柵電極重疊地形成，將這種薄膜晶體管稱為GOLD (Gate Overlaped LDD, 柵極重疊輕摻雜漏極)結(jié)構(gòu)。通過在雜質(zhì)區(qū)使用磷(P)等，使薄膜晶體管的極性成為η型。 當(dāng)使其成為P型時(shí)，可以添加硼(B)等。然后，形成覆蓋柵電極等的絕緣膜611以及絕緣膜 612。通過混入絕緣膜611(以及絕緣膜612)中的氫元素，可以使晶體半導(dǎo)體膜的懸空鍵封端。為了進(jìn)一步提高平坦性，也可以形成絕緣膜615作為層間絕緣膜。作為絕緣層 615，可以使用有機(jī)材料、無機(jī)材料或它們的疊層結(jié)構(gòu)。絕緣膜615例如可以由選自氧化硅、 氮化硅、氧氮化硅、氮氧化硅、氮化鋁、氧氮化鋁、氮含量比氧含量多的氮氧化鋁或氧化鋁、 類金剛石碳(DLC)、聚硅氮烷、含氮碳(CN)、PSG (磷玻璃)、BPSG (硼磷玻璃)、氧化鋁、含有其他無機(jī)絕緣材料的物質(zhì)中的材料形成。另外，可以使用有機(jī)絕緣性材料，并且作為有機(jī)材料，感光性、非感光性的都可以使用?？梢允褂镁埘啺?、丙烯酸類、聚酰胺、聚酰亞胺酰胺、 抗蝕劑、苯并環(huán)丁烯、硅氧烷樹脂等。要說明的是，硅氧烷樹脂相當(dāng)于含有Si-O-Si鍵的樹脂。硅氧烷的骨架結(jié)構(gòu)由硅(Si)和氧(0)的鍵構(gòu)成。作為取代基，使用至少包含氫的有機(jī)基(例如，烷基、芳烴)。作為取代基，也可以使用氟。此外，作為取代基，也可以使用至少包含氫的有機(jī)基和氟。另外，通過使用晶體半導(dǎo)體膜，可以在同一襯底上集成地形成像素區(qū)和驅(qū)動(dòng)電路區(qū)。在此情況下，將像素部中的晶體管和驅(qū)動(dòng)電路區(qū)608b中的晶體管同時(shí)形成。用于驅(qū)動(dòng)電路區(qū)608b的晶體管構(gòu)成CMOS電路。構(gòu)成CMOS電路的薄膜晶體管為GOLD結(jié)構(gòu)，然而也可以使用如晶體管622的LDD結(jié)構(gòu)。在像素區(qū)中的薄膜晶體管的結(jié)構(gòu)不局限于本實(shí)施方式，可以為形成一個(gè)溝道形成區(qū)的單柵極結(jié)構(gòu)、形成兩個(gè)的雙柵極結(jié)構(gòu)、或形成三個(gè)的三柵極結(jié)構(gòu)。在外圍驅(qū)動(dòng)電路區(qū)中的薄膜晶體管也可以為單柵極結(jié)構(gòu)，雙柵極結(jié)構(gòu)或三柵極結(jié)構(gòu)。要說明的是，不局限于本實(shí)施方式所示的薄膜晶體管的制造方法，頂柵型(例如， 正交錯(cuò)型)、底柵型(例如，反交錯(cuò)型)、具有在溝道區(qū)的上下通過柵極絕緣膜配置的兩個(gè)柵電極層的雙柵型、或者其他結(jié)構(gòu)也適用本發(fā)明。下面，通過印刷法或液滴排出法，覆蓋像素電極層630以形成稱為取向膜的絕緣層631。另外，如果使用絲網(wǎng)印刷法或膠印刷法，則可以選擇性地形成絕緣層631。然后，進(jìn)行研磨處理。如果液晶模式例如為VA模式，則有時(shí)不進(jìn)行上述研磨處理。用作取向膜的絕緣層633與絕緣層631同樣。接著，通過液滴排出法，將密封材692形成在形成有像素的區(qū)域的周邊區(qū)域。然后，通過間隔物637將設(shè)置有用作取向膜的絕緣層633、用作相對(duì)電極的導(dǎo)電層 634、用作彩色濾光片的著色層635、偏光器641 (也稱為偏振板)、以及偏光器642的相對(duì)襯底695和作為TFT襯底的襯底600貼合，并且在其空隙中設(shè)置液晶層632。由于本實(shí)施方式的液晶顯示裝置是透過型，所以在襯底600的具有元件的面和與該面相反一側(cè)都設(shè)置偏光器(偏振板)643。偏光器可以通過粘合層設(shè)置在襯底上。在密封材中也可以混入填充劑， 并且在相對(duì)襯底695上還可以形成屏蔽膜(黑矩陣)等。在液晶顯示裝置為全色顯示的情況下，由呈現(xiàn)紅色(R)、綠色(G)、藍(lán)色(B)的材料形成彩色濾光片等即可，而顯示裝置為單色顯示的情況下，不形成著色層或由呈現(xiàn)至少一種顏色的材料形成即可。當(dāng)在背光燈中配置RGB的發(fā)光二極管(LED)等，并且采用通過時(shí)間分割進(jìn)行彩色顯示的繼時(shí)加法混色法(field sequential method 場(chǎng)序制方法)時(shí)，有時(shí)不設(shè)置彩色濾光片。因?yàn)楹诰仃嚋p少晶體管或CMOS電路的布線引起的外光反射，所以優(yōu)選與晶體管或 CMOS電路重疊地設(shè)置。也可以與電容元件重疊地形成黑矩陣。這是因?yàn)榭梢苑乐箻?gòu)成電容元件的金屬膜引起的反射的緣故。作為形成液晶層的方法，可以使用分配器式(滴落式)、或者注入法，該注入法為在將具有元件的襯底600和相對(duì)襯底695貼合后，利用毛細(xì)現(xiàn)象注入液晶的方法。當(dāng)處理不容易應(yīng)用注入法的大型襯底時(shí)，優(yōu)選應(yīng)用滴落法。間隔物也可以通過散布幾μ m的粒子來設(shè)置，但在本實(shí)施方式中采用在襯底的整個(gè)表面上形成樹脂膜后，將其蝕刻加工來形成隔離物的方法。在通過旋涂器涂敷這種隔離物的材料后，通過曝光和顯影處理將其形成為預(yù)定的圖形。而且，通過用潔凈烘箱等在 150°C至200°C進(jìn)行加熱并使其固化。這樣制造的間隔物可以根據(jù)曝光和顯影處理的條件而具有不同形狀，但是，間隔物的形狀優(yōu)選為頂部平坦的柱狀，這樣可以當(dāng)與相對(duì)一側(cè)的襯底貼在一起時(shí)，確保液晶顯示裝置的機(jī)械強(qiáng)度。形狀可以為圓錐、棱錐等而沒有特別的限制。接著，在與布線區(qū)603相鄰的外部端子連接區(qū)602中，在與像素區(qū)電連接的端子電極層678a、678b上，通過各向異性導(dǎo)電體層696設(shè)置用于連接的布線襯底FPC 694。FPC 694具有傳達(dá)來自外部的信號(hào)或電位的作用。通過上述工序，可以制造具有顯示功能的液晶顯示裝置。作為晶體管所具有的布線、柵電極層、像素電極層630、作為相對(duì)電極層的導(dǎo)電層634，可以從銦錫氧化物(ΙΤ0)、在氧化銦中混合了氧化鋅(SiO)的IZ0(indium zinc oxide，氧化銦鋅)、在氧化銦中混合了氧化硅(SiO2)的導(dǎo)電材料、有機(jī)銦、有機(jī)錫、含有氧化鎢的銦氧化物、含有氧化鎢的銦鋅氧化物、含有氧化鈦的銦氧化物、含有氧化鈦的銦錫氧化物、鎢(W)、鉬(Mo)、鋯(Zr)、鉿(Hf)、釩(V)、鈮(Nb)、鉭(Ta)、鉻(Cr)、鈷(Co)、鎳(Ni)、鈦 (Ti)、鉬(Pt)、鋁(Al)、銅(Cu)、銀(Ag)等的金屬、其合金或其金屬氮化物中選擇。也可以在偏振板和液晶層之間具有相位差板的狀態(tài)下層疊。本實(shí)施方式雖然示出TN型液晶面板，但是上述工序也可以同樣地應(yīng)用于其他方式的液晶面板。例如，本實(shí)施方式可以應(yīng)用于與玻璃襯底平行地施加電場(chǎng)來使液晶取向的橫電場(chǎng)方式的液晶面板。本實(shí)施方式可以應(yīng)用于VA(Vertical Aligment，垂直取向)方式的液晶面板。圖36和圖37示出VA型液晶面板的像素結(jié)構(gòu)。圖36是平面圖，并且圖37示出對(duì)應(yīng)于圖36中所示的切斷線I-J的截面結(jié)構(gòu)。在以下所示的說明中參照該兩個(gè)圖來描述。在該像素結(jié)構(gòu)中，在一個(gè)像素中具有多個(gè)像素電極，并且各個(gè)像素電極與TFT連接。各個(gè)TFT以由不同的柵極信號(hào)驅(qū)動(dòng)地方式構(gòu)成。換句話說，具有如下結(jié)構(gòu)，即在被多象限設(shè)計(jì)的像素中獨(dú)立控制施加給各個(gè)像素電極的信號(hào)。像素電極層16 在開口(接觸孔)1623中通過布線層1618與TFT 16 連接。 另外，像素電極層16 在開口(接觸孔)1627中通過布線層1619與TFT 16 連接。TFT 1628的柵極布線層1602和TFT 1629的柵電極層1603分離，以便提供不同的柵極信號(hào)。另一方面，TFT 16 和TFT 16 共同使用用作數(shù)據(jù)線的布線層1616。
使用利用兩個(gè)工序的液滴排出工序與實(shí)施方式1同樣地制作像素電極層16M和像素電極層16沈。具體而言，通過第一液滴排出工序沿著像素電極層的圖形輪廓排出第一導(dǎo)電性材料，形成框狀的第一導(dǎo)電層。通過第二液滴排出工序以填充框狀的第一導(dǎo)電層內(nèi)部的方式排出第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，形成第二導(dǎo)電層。可以將第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層用作連續(xù)的像素電極層，可以形成像素電極層16對(duì)、1626。像這樣，通過使用本發(fā)明， 可以簡(jiǎn)化工序且防止材料的損失，從而可以以低成本且生產(chǎn)性好地制造顯示裝置。像素電極層16M和像素電極層16 的形狀不同，并且由槽縫(slit) 1625分離。 以包圍以V字形擴(kuò)展的像素電極層16M的外側(cè)的方式形成像素電極層16沈。通過TFT 1628及TFT 1629改變施加給像素電極層16M和像素電極層16 的電壓的定時(shí)，控制液晶的取向。TFT 1628包括在襯底1600上的柵極布線層1602、柵極絕緣層1606、半導(dǎo)體層 1608、具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層1610、布線層1617、1618。TFT 16 包括在襯底1600上的柵極布線層1603、柵極絕緣層1606、半導(dǎo)體層1609、具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層1611、 布線層1616、1619。在布線層1616、1617、1618、1619上形成有絕緣層1620、絕緣層1622。在相對(duì)襯底1601上形成有遮光膜1632、著色層1636、相對(duì)電極層1640。另外，在著色層1636 和相對(duì)電極層1640之間形成有平坦化膜1637，防止液晶層1650的液晶的取向無序。圖38 示出相對(duì)襯底一側(cè)的結(jié)構(gòu)。相對(duì)電極層1640是在不同的像素之間共同使用的電極，形成有槽縫1641。通過將該槽縫1641和像素電極層16M及像素電極層16 —側(cè)的槽縫相互咬合地配置，可以有效地產(chǎn)生斜向電場(chǎng)控制液晶的取向。據(jù)此，可以根據(jù)地點(diǎn)改變液晶的取向方向，從而擴(kuò)大視角。在像素電極層16 上形成有取向膜1648，并且在相對(duì)電極層1640上形成有取向膜1646。像這樣，可以使用復(fù)合了有機(jī)化合物和無機(jī)化合物的復(fù)合材料作為像素電極層來制造液晶面板。通過使用這種像素電極，可以無須使用以銦為主要成分的透明導(dǎo)電膜，解除在原材料表面的瓶頸狀態(tài)。本實(shí)施方式可以與上述實(shí)施方式1、實(shí)施方式2適當(dāng)?shù)刈杂傻亟M合。根據(jù)本發(fā)明，可以以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置的布線等構(gòu)成物。另外，因?yàn)橐部梢詼p輕復(fù)雜的光刻工序并且通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以減少材料的損失并且可以降低成本。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。實(shí)施方式9在本實(shí)施方式中描述目的于以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了的工序并且以低成本制造的高可靠性的顯示裝置的例子。詳細(xì)地說，描述將液晶顯示元件用于顯示元件的液晶顯示裝置。在圖18所示的顯示裝置中，在襯底250上，在像素區(qū)中設(shè)置有作為反交錯(cuò)型薄膜晶體管的晶體管220、像素電極層251、絕緣層252、絕緣層253、液晶層254、間隔物觀1、 絕緣層235、相對(duì)電極層256、彩色濾光片258、黑矩陣257、相對(duì)襯底210、偏振板(偏光器)231、偏振板(偏光器)233、密封區(qū)中的密封材觀2、端子電極層觀7、各向異性導(dǎo)電層 288、FPC 286。在本實(shí)施方式中制造的反交錯(cuò)型薄膜晶體管-晶體管220的柵電極層、源電極層、 以及漏電極層可以使用如實(shí)施方式1所示那樣通過液滴排出法形成的導(dǎo)電層來形成。工序簡(jiǎn)化，并且可以防止材料的損失，因此，可以以低成本且生產(chǎn)性好地制造顯示裝置。在本實(shí)施方式中，也可以如實(shí)施方式1所示那樣通過多個(gè)工序排出液態(tài)的包含形
46成材料的組合物，來形成構(gòu)成顯示裝置的作為反交錯(cuò)型薄膜晶體管的晶體管220的柵電極層、源電極層、漏電極層、布線層、像素電極層等。如實(shí)施方式1所示，首先沿著導(dǎo)電層的圖形輪廓通過第一排出工序形成框狀的第一導(dǎo)電層，然后通過第二排出工序填充第一導(dǎo)電層的框中，形成第二導(dǎo)電層。因此，若附著粘度較高且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性低的組合物來形成第一導(dǎo)電層 (絕緣層)，該第一導(dǎo)電層(絕緣層)決定導(dǎo)電層的形成區(qū)的輪廓，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪廓的側(cè)端部。若將粘度低且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性高的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層(絕緣層)的框中來形成，則可以減輕內(nèi)部或表面的由氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等，形成平坦性高的均勻的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此，通過分別制作導(dǎo)電層(絕緣層)外側(cè)和內(nèi)側(cè)來制作導(dǎo)電層(絕緣層)，而可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且減輕缺陷的導(dǎo)電層(絕緣層)。因此，工序簡(jiǎn)化且可以防止材料的損失，而可以實(shí)現(xiàn)低成本化。在本實(shí)施方式中，使用非晶半導(dǎo)體作為半導(dǎo)體層，根據(jù)需要形成具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層即可。在本實(shí)施方式中，層疊半導(dǎo)體層和作為具有一種導(dǎo)電類型的半導(dǎo)體層的非晶η型半導(dǎo)體層。另外，可以制造形成η型半導(dǎo)體層的η溝道型薄膜晶體管的NMOS結(jié)構(gòu)、形成P型半導(dǎo)體層的P溝道型薄膜晶體管的PMOS結(jié)構(gòu)、η溝道型薄膜晶體管和ρ溝道型薄膜晶體管的CMOS結(jié)構(gòu)。為了賦予導(dǎo)電性，通過摻雜而添加賦予導(dǎo)電性的元素，在半導(dǎo)體層中形成雜質(zhì)區(qū)， 可以形成η溝道型薄膜晶體管、ρ溝道型薄膜晶體管。還可以代替形成η型半導(dǎo)體層，通過進(jìn)行使用PH3氣體的等離子體處理，對(duì)半導(dǎo)體層賦予導(dǎo)電性。在本實(shí)施方式中，晶體管220為η溝道型反交錯(cuò)型薄膜晶體管。此外，也可以使用在半導(dǎo)體層的溝道區(qū)上設(shè)置有保護(hù)層的溝道保護(hù)型反交錯(cuò)型薄膜晶體管。接著，描述背光燈單元352的結(jié)構(gòu)。背光燈單元352包括作為發(fā)出熒光的光源331 的冷陰極管、熱陰極管、發(fā)光二極管、無機(jī)EL、有機(jī)EL、將熒光高效率地引導(dǎo)到導(dǎo)光板335的燈光反射器332、在全反射熒光的同時(shí)將光引導(dǎo)到整個(gè)面的導(dǎo)光板335、減少明亮度的不均勻的擴(kuò)散板336、用于再利用泄漏到導(dǎo)光板335的下面的光的反射板334。背光燈單元352與用于調(diào)整光源331的亮度的控制電路連接。通過來自控制電路的信號(hào)供應(yīng)，可以控制光源331的亮度。晶體管220的源電極層或漏電極層232在形成于絕緣層252中的開口與像素電極層251電連接。如實(shí)施方式2所示，可以通過照射激光形成在絕緣膜252中形成的開口。 在本實(shí)施方式中，源電極或漏電極層使用比較容易蒸發(fā)的低熔點(diǎn)金屬(在本實(shí)施方式中使用鉻)。從絕緣膜252 —側(cè)將激光選擇性地照射到源電極層或漏電極層，由于所照射的能量，源電極層或漏電極層照射區(qū)的一部分蒸發(fā)。在源電極層或漏電極層的照射區(qū)上的絕緣膜252被去除，從而可以形成開口。在源電極層或漏電極層被露出的開口中形成像素電極層251，從而源電極層或漏電極層可以與像素電極層251電連接。本實(shí)施方式可以與實(shí)施方式1或?qū)嵤┓绞?適當(dāng)?shù)亟M合。 根據(jù)本發(fā)明，可以以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置的布線等構(gòu)成物。另外，可以減輕復(fù)雜的光刻工序并且通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以減少材料的損失并且可以降低成本。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。
實(shí)施方式10在本實(shí)施方式中描述目的在于以進(jìn)一步簡(jiǎn)化了的工序并且以低成本制造的高可靠性的顯示裝置的一例。圖21示出了一種應(yīng)用本發(fā)明的有源矩陣型電子紙。盡管圖21示出了有源矩陣型， 但本發(fā)明也可應(yīng)用于無源矩陣型。作為電子紙可以使用扭轉(zhuǎn)球(twist ball)顯示方式。扭轉(zhuǎn)球顯示方式就是如下所述進(jìn)行顯示的方式將分別涂成白和黑的球形粒子配置在第一電極層及第二電極層之間， 在第一電極層及第二電極層之間產(chǎn)生電位差而控制所述球形粒子的方向。襯底580上的晶體管581是非共面(reverse coplanar)型薄膜晶體管，包括柵電極層582、柵極絕緣層584、布線層58 、布線層58恥、以及半導(dǎo)體層586。另外，布線層 585b與第一電極層587a、587b在形成于絕緣層598中的開口接合并電連接。在第一電極層 587a、587b和相對(duì)襯底596上的第二電極層588之間設(shè)置有球形粒子589，該球形粒子589 包括具有黑色區(qū)590a及白色區(qū)590b且周圍充滿了液體的空洞594，并且在球形粒子589的周圍填充有樹脂等填充材料595 (參照?qǐng)D21)。在本實(shí)施方式中，也可以如實(shí)施方式1所示那樣通過多個(gè)工序排出液態(tài)的包含形成材料的組合物，來形成構(gòu)成顯示裝置的柵電極層、半導(dǎo)體層、源電極層、漏電極層、布線層、或第一電極層等。如實(shí)施方式1所示，首先沿著導(dǎo)電層的圖形的輪廓通過第一排出工序形成框狀的第一導(dǎo)電層，然后通過第二排出工序填充第一導(dǎo)電層的框中，形成第二導(dǎo)電層。因此，若附著粘度較高且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性低的組合物來形成第一導(dǎo)電層 (絕緣層)，該第一導(dǎo)電層(絕緣層)決定導(dǎo)電層的形成區(qū)的輪廓，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪廓的側(cè)端部。若將粘度低且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性高的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層(絕緣層)的框中來形成，則可以減輕內(nèi)部或表面上的由氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等，形成平坦性高的均勻的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此，通過分別制作導(dǎo)電層(絕緣層)外側(cè)和內(nèi)側(cè)來制作導(dǎo)電層(絕緣層)，而可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且減輕缺陷的導(dǎo)電層(絕緣層)。因此，工序成簡(jiǎn)化且可以防止材料的損失，而可以實(shí)現(xiàn)低成本化。布線層58 在形成于絕緣層598中的開口中與第一電極層587a電連接。如實(shí)施方式2所示，可以通過照射激光形成在絕緣膜598中形成的開口。在本實(shí)施方式中，配線層 58 使用比較容易蒸發(fā)的低熔點(diǎn)金屬(在本實(shí)施方式中使用鉻)。從絕緣膜598 —側(cè)將激光選擇性地照射到布線層58 ，因?yàn)楸徽丈涞哪芰浚季€層58 的照射區(qū)的一部分蒸發(fā)。 在布線層58 的照射區(qū)上的絕緣膜598被去除，可以形成開口。在布線層58 被露出的開口中形成第一電極層587a，從而布線層58 與第一電極層587a可以電連接。還可以代替扭轉(zhuǎn)球而使用電泳元件。使用透明液體和直徑為10 μ m至20 μ m的微膠囊，該微膠囊中密封有帶正電白色微粒和帶負(fù)電的黑色微粒。對(duì)于設(shè)置在第一電極層和第二電極層之間的微膠囊，當(dāng)由第一電極層和第二電極層施加電場(chǎng)時(shí)，白色微粒和黑色微粒移動(dòng)至相反方向，從而可以顯示白色或黑色。利用這種原理的顯示元件就是電泳顯示元件，通常被稱為電子紙。電泳顯示元件具有比液晶顯示元件高的反射率，因而不需要輔助光。耗電量低，并且在昏暗的地方也能辨別顯示部。即使不供應(yīng)給顯示部電源時(shí)，也能夠保持顯示過的圖像，因此，即使使具有顯示功能的顯示裝置遠(yuǎn)離電子波源，也能保存儲(chǔ)顯示過的圖像。晶體管可以具有任意結(jié)構(gòu)，只要晶體管能用作開關(guān)元件。作為半導(dǎo)體層，可以使用各種半導(dǎo)體如非晶半導(dǎo)體、晶體半導(dǎo)體、多晶半導(dǎo)體、微晶半導(dǎo)體等，也可以使用有機(jī)化合物形成有機(jī)晶體管。在本實(shí)施方式中，具體示出了顯示裝置的結(jié)構(gòu)是有源矩陣型的情況，但是本發(fā)明當(dāng)然也可以應(yīng)用于無源矩陣型的顯示裝置。當(dāng)在無源矩陣型的顯示裝置中形成布線層、電極層、絕緣層等時(shí)，也如實(shí)施方式1那樣通過多個(gè)選擇性的排出工序來進(jìn)行即可，可以制造形成為正確且良好形狀的導(dǎo)電層、絕緣層。本實(shí)施方式可以與上述實(shí)施方式1、實(shí)施方式2適當(dāng)?shù)刈杂傻亟M合。根據(jù)本發(fā)明，可以以所要求的形狀形成構(gòu)成顯示裝置的布線等構(gòu)成物。另外，也可以減輕復(fù)雜的光刻工序并且通過簡(jiǎn)化了的工序制造顯示裝置，所以減少材料的損失并且可以降低成本。因此，可以高成品率地制造高性能且高可靠性的顯示裝置。實(shí)施方式11接著來說明在根據(jù)實(shí)施方式3至10制造的顯示面板上安裝用于驅(qū)動(dòng)的驅(qū)動(dòng)器電路的方式。首先，參照?qǐng)D沈(A)說明采用COG方式的顯示裝置。在襯底2700上設(shè)置有用來顯示文字、圖像等信息的像素部2701和保護(hù)電路2713。設(shè)置有多個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的襯底被分成矩形，且分割后的驅(qū)動(dòng)電路(也稱為驅(qū)動(dòng)器IC) 2751被安裝在襯底2700上。圖沈(A)示出了安裝多個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC 2751、在驅(qū)動(dòng)器IC 2751端部上的FPC 2750的方式。此外，也可以使分割的尺寸與像素部在信號(hào)線一側(cè)上的邊長(zhǎng)大致相同，從而將帶安裝在單數(shù)的驅(qū)動(dòng)器IC、該驅(qū)動(dòng)器IC的端部上。也可以采用TAB方式。在此情況下，如圖^(B)所示那樣粘貼多個(gè)帶，將驅(qū)動(dòng)器IC 安裝在該帶上即可。與COG方式的情況相同，也可以將單個(gè)驅(qū)動(dòng)器IC安裝在單數(shù)的帶上。 在此情況下，從強(qiáng)度上來看，優(yōu)選一起貼合固定驅(qū)動(dòng)器IC的金屬片等。從提高生產(chǎn)性的觀點(diǎn)來看，優(yōu)選將這些安裝在顯示面板上的驅(qū)動(dòng)器IC形成在一邊長(zhǎng)為300mm至IOOOmm以上的矩形襯底上。換言之，在襯底上形成多個(gè)將驅(qū)動(dòng)電路部和輸出-輸入端子作為一個(gè)單元的電路圖形，并最終分割使用即可。對(duì)于驅(qū)動(dòng)器IC的長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度，考慮到像素部的一邊的長(zhǎng)度或像素間距，可以形成為長(zhǎng)邊為15至80mm短邊為1至6mm的矩形，或者可以形成為像素區(qū)的一邊長(zhǎng)的長(zhǎng)度，或形成為像素部的一邊長(zhǎng)加上各個(gè)驅(qū)動(dòng)電路的一邊長(zhǎng)的長(zhǎng)度。驅(qū)動(dòng)器IC在外部尺寸方面勝于IC芯片的優(yōu)點(diǎn)是長(zhǎng)邊的長(zhǎng)度。當(dāng)采用長(zhǎng)邊為15至 80mm形成的驅(qū)動(dòng)器IC時(shí)，對(duì)應(yīng)于像素部安裝所需的數(shù)目少于采用IC芯片時(shí)的數(shù)目即可。 因此，能夠提高制造成品率。另外，當(dāng)在玻璃襯底上形成驅(qū)動(dòng)器IC時(shí)，由于對(duì)用作母體的襯底的形狀沒有限制，故不會(huì)降低生產(chǎn)性。與從圓形硅晶片取得IC芯片的情況相比，這是一個(gè)很大的優(yōu)點(diǎn)。當(dāng)掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3702如圖25(B)所示那樣集成地形成在襯底上時(shí)，形成有信號(hào)線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的驅(qū)動(dòng)器IC被安裝在像素部3701外側(cè)的區(qū)域上。這些驅(qū)動(dòng)器IC是信號(hào)線一側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路。為了形成對(duì)應(yīng)于RGB全色的像素區(qū)，XGA級(jí)要求3072個(gè)信號(hào)線， 而UXGA級(jí)要求4800個(gè)信號(hào)線。以這樣的數(shù)目形成的信號(hào)線在像素部3701的端部分成幾個(gè)區(qū)塊并形成引線，并且對(duì)應(yīng)于驅(qū)動(dòng)器IC的輸出端子的間距而聚集。驅(qū)動(dòng)器IC優(yōu)選由形成在襯底上的晶體半導(dǎo)體組成，并且該晶體半導(dǎo)體優(yōu)選借助于照射連續(xù)發(fā)光的激光來形成。因此，使用連續(xù)發(fā)光的固體激光器或氣體激光器作為所述產(chǎn)生激光的振蕩器。當(dāng)采用連續(xù)發(fā)光的激光器時(shí)，晶體缺陷少，所以能夠使用大晶粒的多晶半導(dǎo)體層來制造晶體管。此外，由于遷移率或響應(yīng)速度良好，故能夠?qū)崿F(xiàn)高速驅(qū)動(dòng)，從而與常規(guī)元件相比可以進(jìn)一步提高元件工作頻率。因此，由于特性偏差很小而可以獲得高可靠性。優(yōu)選使晶體管的溝道長(zhǎng)度方向和激光的掃描方向一致，以便進(jìn)一步改善工作頻率。這是因?yàn)樵谑褂眠B續(xù)發(fā)光激光器進(jìn)行激光結(jié)晶化的工序中，當(dāng)晶體管的溝道長(zhǎng)度方向與激光在襯底上的掃描方向大致平行(優(yōu)選為-30度以上至30度以下)時(shí)，能夠獲得最高遷移率。要說明的是，溝道長(zhǎng)度方向與在溝道被形成區(qū)中的電流流動(dòng)方向一致，亦即電荷所移動(dòng)的方向。這樣制造的晶體管具有由其中晶粒在溝道方向上延伸存在的多晶半導(dǎo)體層構(gòu)成的活性層，這意味著晶粒界面大致沿溝道方向上形成。為了進(jìn)行激光晶化，優(yōu)選將激光大幅度縮窄，且該激光的形狀(射束點(diǎn))優(yōu)選與驅(qū)動(dòng)器IC的短邊的寬度相同，即為Imm以上至3mm以下左右。此外，為了確保被照射體有足夠和有效的能量密度，激光的照射區(qū)優(yōu)選為線形。但是此處所用的術(shù)語“線形”指的不是嚴(yán)格意義上的線條，而是縱橫比大的長(zhǎng)方形或長(zhǎng)橢圓形。例如，指縱橫比為2以上(優(yōu)選為10 以上至10000以下)的。像這樣，借助于使激光的形狀(射束點(diǎn))的寬度與驅(qū)動(dòng)器IC的短邊的長(zhǎng)度相同，可以提供生產(chǎn)性提高的顯示裝置的制造方法。如圖^(A)、(B)所示，可以安裝驅(qū)動(dòng)器IC作為掃描線驅(qū)動(dòng)電路及信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路。在此情況下，優(yōu)選在掃描線一側(cè)和信號(hào)線一側(cè)采用具有不同規(guī)格的驅(qū)動(dòng)器IC。在像素區(qū)中，信號(hào)線和掃描線交叉而形成矩陣，且對(duì)應(yīng)于各個(gè)交叉處布置晶體管。 本發(fā)明的特征在于，使用非晶半導(dǎo)體或半非晶半導(dǎo)體作為溝道部的TFT作為布置在像素區(qū)中的晶體管。使用等離子體CVD法或?yàn)R射法等的方法來形成非晶半導(dǎo)體?？梢圆捎玫入x子體CVD法以300°C以下的溫度形成半非晶半導(dǎo)體。例如，即使為外部尺寸為550mmX650mm 的非堿性玻璃襯底，也在短時(shí)間內(nèi)形成晶體管形成所需的膜厚。這種制造技術(shù)的特點(diǎn)在制造大畫面顯示裝置時(shí)有效。此外，通過用SAS來構(gòu)成溝道被形成區(qū)，半非晶TFT可以獲得2 至10cm2/Vsec的場(chǎng)效應(yīng)遷移率。當(dāng)采用本發(fā)明時(shí)，由于可以以良好的可控性來形成所需形狀的圖形，故可以穩(wěn)定地形成微細(xì)的布線，而沒有產(chǎn)生短路等缺陷。像這樣，可以制造實(shí)現(xiàn)了系統(tǒng)型面板(system on panel)的顯示面板。利用具有由SAS形成的半導(dǎo)體層的TFT，掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路也可以集成地形成在襯底上。在使用具有由AS形成的半導(dǎo)體層的TFT的情況下，優(yōu)選將驅(qū)動(dòng)器IC安裝在掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路及信號(hào)線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路二者上。在此情況下，優(yōu)選在掃描線一側(cè)和信號(hào)線一側(cè)使用具有不同規(guī)格的驅(qū)動(dòng)器IC。例如，構(gòu)成掃描線一側(cè)的驅(qū)動(dòng)器IC的晶體管被要求承受大約30V左右的電壓；但驅(qū)動(dòng)頻率為 IOOkHz以下，不要求比較高速工作。因此，優(yōu)選將構(gòu)成掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)器的晶體管的溝道長(zhǎng)度(L)設(shè)定得足夠大。另一方面，信號(hào)線一側(cè)的驅(qū)動(dòng)器IC的晶體管承受大約12V的電壓即足夠，但驅(qū)動(dòng)頻率在3V下為65MHz左右，要求高速工作。因此，優(yōu)選根據(jù)微米規(guī)則來設(shè)定構(gòu)成驅(qū)動(dòng)器的晶體管的溝道長(zhǎng)度等。對(duì)安裝驅(qū)動(dòng)器IC的方法沒有特殊的限制，可以采用諸如COG法、引線接合法、或TAB 法。通過將IC驅(qū)動(dòng)器的厚度設(shè)定為與相對(duì)襯底相同的厚度，使它們之間的高度大致相同，這有助于顯示裝置整體的薄型化。另外，通過用相同材質(zhì)制作各襯底，即使該顯示裝置產(chǎn)生溫度變化，也不產(chǎn)生熱應(yīng)力，不會(huì)損害由TFT制作的電路的特性。而且，如本實(shí)施方式所述通過使用比IC芯片長(zhǎng)的驅(qū)動(dòng)器IC來安裝驅(qū)動(dòng)電路，可以減小安裝在一個(gè)像素區(qū)中的驅(qū)動(dòng)器IC的數(shù)目。如上所述，可以將驅(qū)動(dòng)電路組合在顯示面板上。實(shí)施方式12本實(shí)施方式示出以下例子在根據(jù)實(shí)施方式3至10制造的顯示面板(EL顯示面板、液晶顯示面板)中用非晶半導(dǎo)體或SAS形成半導(dǎo)體層，并且在襯底上形成掃描線一側(cè)的驅(qū)動(dòng)電路。圖32示出由使用獲得1至15cm2/V-sec的電場(chǎng)效應(yīng)遷移率的SAS的η溝道型TFT 構(gòu)成的掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路的框圖。在圖32中，8500所示的區(qū)塊相當(dāng)于輸出一段取樣脈沖的脈沖輸出電路，并且移位寄存器由η個(gè)脈沖輸出電路構(gòu)成。8501表示緩沖電路，像素8502連接在其末端。圖33示出脈沖輸出電路8500的具體結(jié)構(gòu)，其中電路由η溝道型TFT 8601至8613 構(gòu)成。此時(shí)，TFT的尺寸可以根據(jù)使用SAS的η溝道型TFT的工作特性來確定。例如，當(dāng)將溝道長(zhǎng)度設(shè)定為8 μ m時(shí)，溝道寬度可以設(shè)定為10至80 μ m的范圍。另外，圖34示出緩沖電路8501的具體結(jié)構(gòu)。緩沖電路也同樣地由η溝道型TFT 8620至8635構(gòu)成。此時(shí)，TFT的尺寸可以根據(jù)使用SAS的η溝道型TFT的工作特性來確定。例如，當(dāng)溝道長(zhǎng)度設(shè)定為10 μ m時(shí)，溝道寬度可以設(shè)定為10至1800 μ m的范圍。為了實(shí)現(xiàn)這種電路，需要通過布線使TFT相互連接。通過上述工序，可以將驅(qū)動(dòng)電路組合到顯示面板中。實(shí)施方式13參照?qǐng)D16來描述本實(shí)施方式。圖16示出了使用根據(jù)本發(fā)明制造的TFT襯底觀00 構(gòu)成EL顯示模塊的一個(gè)例子。在圖16中，在TFT襯底觀00上形成有由像素構(gòu)成的像素部。在圖16中，在像素部的外側(cè)且在驅(qū)動(dòng)電路和像素之間設(shè)有保護(hù)電路觀01。保護(hù)電路觀01具有與形成在像素中的TFT相同的TFT，或通過將所述TFT的柵極連接到源極或漏極的一方，以相同于二極管的方式工作的部分。由單晶半導(dǎo)體形成的驅(qū)動(dòng)器IC、由多晶半導(dǎo)體膜形成在玻璃襯底上的保持驅(qū)動(dòng)器(stick driver) IC、或由SAS形成的驅(qū)動(dòng)電路等被應(yīng)用于驅(qū)動(dòng)電路觀09。TFT襯底觀00通過由液滴排出法形成的間隔物^06a、間隔物2806b與密封襯底 2820固定。間隔物的設(shè)置優(yōu)選滿足如下條件即使當(dāng)襯底的厚度薄或像素部的面積加大時(shí)，也使兩個(gè)襯底的間隔保持恒定。在與TFT 2802.TFT2803分別連接的發(fā)光元件觀04、發(fā)光元件觀05上且在TFT襯底觀00和密封襯底觀20之間的空隙中，可以填充至少對(duì)可見光具有透光性的樹脂材料，并使其固化，或者也可以填充無水化的氮或惰性氣體。在本實(shí)施方式中，也可以如實(shí)施方式1所示那樣通過多個(gè)工序排出液態(tài)的包含形成材料的組合物，來形成構(gòu)成顯示裝置的柵電極層、半導(dǎo)體層、源電極層、漏電極層、布線層、或第一電極層等。如實(shí)施方式1所示，首先沿著導(dǎo)電層的圖形輪廓通過第一排出工序形成框狀的第一導(dǎo)電層，然后通過第二排出工序填充第一導(dǎo)電層的框中，形成第二導(dǎo)電層。因此，若附著粘度較高且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性低的組合物來形成決定導(dǎo)電層的形成區(qū)輪廓的第一導(dǎo)電層(絕緣層)，則可以可控性好地形成成為所要求的圖形的輪廓的側(cè)端部。若將粘度低且相對(duì)于被形成區(qū)潤濕性高的液態(tài)組合物附著到第一導(dǎo)電層(絕緣層)的框中來形成，則可以減輕內(nèi)部或表面上的由氣泡等導(dǎo)致的空間或凹凸等，形成平坦性高的均勻的導(dǎo)電層(絕緣層)。由此，通過分別制作導(dǎo)電層(絕緣層)外側(cè)和內(nèi)側(cè)來制作導(dǎo)電層(絕緣層)，而可以可控性好地形成具有所要求的圖形和高平坦性且減輕缺陷的導(dǎo)電層(絕緣層)。因此，工序簡(jiǎn)化且可以防止材料的損失，而可以實(shí)現(xiàn)低成本化。圖16示出了發(fā)光元件觀04、發(fā)光元件觀05具有沿圖中的箭頭方向發(fā)光的頂部發(fā)射結(jié)構(gòu)(top emission type)的情況。通過使各像素發(fā)射紅色、綠色、藍(lán)色的不同顏色的光，可以進(jìn)行多彩色顯示。此時(shí)，通過在密封襯底觀20 —側(cè)形成對(duì)應(yīng)于各種顏色的著色層 ^07a、著色層^07b、著色層^07c，可以提高發(fā)射到外部的光的顏色純度。而且，也可以采用發(fā)射白色光的元件作為像素，并與著色層^07a、著色層^07b、著色層2807c組合。作為外部電路的驅(qū)動(dòng)電路觀09通過布線襯底觀10與設(shè)在外部電路襯底觀11 一端的掃描線或信號(hào)線連接端子連接。此外，也可以具有以下結(jié)構(gòu)與TFT襯底觀00相接合或靠近，設(shè)置熱管觀13和散熱板觀12以提高散熱效果，其中熱管觀13是用于將熱傳導(dǎo)到裝置外部的管狀高效熱傳導(dǎo)裝置。圖16示出了頂部發(fā)射的EL模塊，但也可以改變發(fā)光元件的結(jié)構(gòu)或外部電路襯底的配置，采用底部發(fā)射結(jié)構(gòu)，當(dāng)然，也可以采用從頂面、底面雙側(cè)發(fā)射光的雙向發(fā)射結(jié)構(gòu)。在頂部發(fā)射型結(jié)構(gòu)的情況下，也可以將成為隔壁的絕緣層著色，用作黑矩陣。可以采用液滴排出法來形成該隔壁，將顏料類的黑色樹脂、碳黑等混合到聚酰亞胺等的樹脂材料中形成即可，還可以采用其疊層。在EL顯示模塊中，也可以使用相位差板、偏振板來遮擋從外部入射的光的反射光。如果是頂部發(fā)射型顯示裝置，也可以將成為隔壁的絕緣層著色，用作黑矩陣?？梢圆捎靡旱闻懦龇ǖ葋硇纬稍摳舯冢梢詫⑻己诘然旌系筋伭项惡谏珮渲?、聚酰亞胺等樹脂材料中來形成，還可以采用其疊層。也可以通過液滴排出法將不同的材料多次排出到同一個(gè)區(qū)域，以形成隔壁。將λ/4板和λ/2板用作相位差板、相位差板，并設(shè)計(jì)成能夠控制光即可。 作為其結(jié)構(gòu)，從TFT元件襯底一側(cè)按順序?yàn)榘l(fā)光元件、密封襯底(密封材)、相位差板(λ/4 板、λ/2板)、以及偏振板，其中，從發(fā)光元件發(fā)射的光通過它們從偏振板一側(cè)發(fā)射到外部。 將上述相位差板、偏振板設(shè)置在光發(fā)射的一側(cè)即可，或在兩方發(fā)射的雙向發(fā)射型顯示裝置中，也可以設(shè)在兩方。在偏振板的外側(cè)可以具有反射防止膜。由此，可以顯示分辨率更高、 精確的圖像。在TFT襯底觀00中，可以使用密封材、粘結(jié)性樹脂將樹脂薄膜貼到形成有像素部的一側(cè)，來形成密封結(jié)構(gòu)。雖然在本實(shí)施方式中描述了使用玻璃襯底的玻璃密封，但也可以采用諸如使用樹脂的樹脂密封、使用塑料的塑料密封、使用薄膜的薄膜密封等各種密封方法。在樹脂薄膜的表面上優(yōu)選設(shè)置防止蒸汽透過的氣體阻擋膜。利用薄膜密封結(jié)構(gòu)，可以進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)薄型化及輕量化。本實(shí)施方式可以分別與實(shí)施方式1至7、實(shí)施方式11、12組合來使用。實(shí)施方式1
參照?qǐng)D20 (A)和20 (B)來描述本實(shí)施方式。圖20 (A)和20 (B)示出了用根據(jù)本發(fā)明制造的TFT襯底沈00來構(gòu)成液晶顯示模塊的一個(gè)例子。

圖20 (A)為液晶顯示模塊的一個(gè)例子，其中，TFT襯底沈00和相對(duì)襯底沈01被密封材沈02固定，且在它們之間設(shè)有像素部沈03和液晶層2604，以形成顯示區(qū)。進(jìn)行彩色顯示時(shí)，著色層2605是必須的。在RGB方式的情況下，對(duì)應(yīng)于各個(gè)像素設(shè)有對(duì)應(yīng)于紅、綠、藍(lán)各種顏色的著色層。TFT襯底沈00和相對(duì)襯底沈01的外側(cè)設(shè)置有偏振板沈06、2607、漫射片沈13。光源由冷陰極管沈10和反射板沈11構(gòu)成。電路襯底沈12通過柔性線路板沈09 與TFT襯底沈00的布線電路部沈08連接，并且組合入控制電路、電源電路等外部電路。另外，也可以在偏振板和液晶層之間層疊相位差板。液晶顯示模塊可以采用TN(扭曲向列)模式、IPS(平面內(nèi)轉(zhuǎn)換)模式、FFS(Fringe Field Switching，散射場(chǎng)轉(zhuǎn)換)模式、MVA(Multi-domain Vertical Alignment，多疇垂直取向)模式、PVA(Patterned Vertical Alignment，圖形垂直取向)模式、ASM(Axially Symmetric aligned Micro-cell, ^M ^WHWM)OCB (Optical Compensated Birefringence，光學(xué)補(bǔ)償雙折射)模式、FLC(Ferroelectric Liquid Crystal，鐵電液晶) 模式、AFLC(Antiferroelectric Liquid Crystal，反鐵電液晶)模式等。圖20(B)示出了一個(gè)例子，其中，將OCB模式應(yīng)用于圖20(A)的液晶顯示模塊，于是該成為FS-LCD (Field sequential-LCD ；場(chǎng)順序液晶顯示裝置)。FS-LCD在一幀周期內(nèi)分別進(jìn)行紅色發(fā)光、綠色發(fā)光、以及藍(lán)色發(fā)光，通過時(shí)間分割來合成圖像，從而能夠進(jìn)行彩色顯示。而且，采用發(fā)光二極管或冷陰極管等來進(jìn)行各個(gè)發(fā)光，因而不需要彩色濾光片。因此，由于不需要排列三原色的彩色濾光片、限定各種顏色的顯示區(qū)，所以哪個(gè)區(qū)域都可以進(jìn)行三種顏色的顯示。另一方面，由于在一幀周期內(nèi)進(jìn)行三種顏色的發(fā)光，因此要求液晶高速響應(yīng)。當(dāng)將采用FS方式的FLC模式及OCB模式應(yīng)用于本發(fā)明的顯示裝置時(shí)，能夠完成高性能且高畫質(zhì)的顯示裝置或液晶電視裝置。OCB模式的液晶層具有所謂的π單元結(jié)構(gòu)。π單元結(jié)構(gòu)是指液晶分子被取向成其預(yù)傾角相對(duì)于有源矩陣襯底和相對(duì)襯底的襯底之間的中心面呈面對(duì)稱關(guān)系的結(jié)構(gòu)。當(dāng)對(duì)襯底間未施加電壓時(shí)，η單元結(jié)構(gòu)中的取向狀態(tài)是展曲取向，當(dāng)施加電壓時(shí)轉(zhuǎn)入彎曲取向。 當(dāng)成為彎曲取向時(shí)進(jìn)行白顯示。若進(jìn)一步施加電壓，彎曲取向的液晶分子垂直于兩個(gè)襯底而取向，并且成為光不透過的狀態(tài)。另外，利用OCB模式，能夠獲得比以往的TN模式快約10 倍的高響應(yīng)速度。另外，作為一種對(duì)應(yīng)于FS方式的模式，還可以采用HV(Half V)-FLC和SS (Surface Stabilized,表面穩(wěn)定)-FLC等，所述HV-FLC和SS-FLC采用能夠高速工作的強(qiáng)誘電性液晶 (FLC ferroelectric Liquid Crystal，鐵電液晶)。將粘度比較低的向列相液晶可以用于 OCB模式，HV-FLC、SS-FLC可以使用具有強(qiáng)誘電相的近晶狀液晶。通過使液晶顯示模塊的盒間隙變窄，來提高液晶顯示模塊的光學(xué)響應(yīng)速度?；蛘?， 通過降低液晶材料的粘度，也可以提高光學(xué)響應(yīng)速度。在TN模式液晶顯示模塊的像素區(qū)的像素間距為30 μ m以下時(shí)，上述高速化更有效。另外，通過一瞬提高(或降低)外加電壓的過驅(qū)動(dòng)法，能夠進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)高速化。圖20 (B)的液晶顯示模塊是透射型液晶顯示模塊，設(shè)有紅色光源^10a、綠色光源 ^10b、藍(lán)色光源^lOc作為光源。為了分別控制紅色光源^10a、綠色光源^10b、藍(lán)色光源四10(的開通或關(guān)斷，設(shè)置有控制部四12。各種顏色的發(fā)光由控制部四12控制，光入射至液晶，并且通過時(shí)間分割來合成圖像，從而進(jìn)行彩色顯示。如上所述，通過利用本發(fā)明，可以制造高分辨率且高可靠性的液晶顯示模塊。本實(shí)施方式能夠與實(shí)施方式1、實(shí)施方式2、實(shí)施方式8、實(shí)施方式9、實(shí)施方式11、 實(shí)施方式12分別組合使用。實(shí)施方式15通過使用根據(jù)本發(fā)明形成的顯示裝置，可以制造電視裝置(也簡(jiǎn)稱為電視、或電視接收機(jī))。圖27為示出了電視裝置的主要結(jié)構(gòu)的框圖。圖25(A)是顯示本發(fā)明的顯示面板的結(jié)構(gòu)的俯視圖，其中在具有絕緣表面的襯底 2700上形成有以矩陣狀排列像素2702的像素部2701、掃描線一側(cè)輸入端子2703、信號(hào)線一側(cè)輸入端子2704。像素?cái)?shù)可以根據(jù)各種標(biāo)準(zhǔn)來設(shè)定，若是XGA且用RGB的全色顯示，像素?cái)?shù)是10 X 768 X 3 (RGB)，若是UXGA且用RGB的全色顯示，像素?cái)?shù)是1600 X 1200 X 3 (RGB)，若對(duì)應(yīng)于全規(guī)格高清晰畫質(zhì)(full spec high defination)且用RGB的全色顯示，像素?cái)?shù)是 1920 X 1080 X 3 (RGB)即可。像素2702是通過從掃描線一側(cè)輸入端子2703延伸的掃描線和從信號(hào)線一側(cè)輸入端子2704延伸的信號(hào)線交叉，以矩陣狀排列的。像素部2701的像素中的每一個(gè)具有開關(guān)元件和連接于該開關(guān)元件的像素電極層。開關(guān)元件的典型例子是TFT。通過TFT的柵電極層一側(cè)連接到掃描線，源極一側(cè)或漏極一側(cè)連接到信號(hào)線，能夠利用從外部輸入的信號(hào)獨(dú)立地控制每一個(gè)像素。圖25(A)示出了使用外部驅(qū)動(dòng)電路控制輸入到掃描線及信號(hào)線的信號(hào)的顯示面板的結(jié)構(gòu)。然而，如圖沈(A)所示，也可以通過COG (Chip On Glass ；玻璃上安裝芯片)方式將驅(qū)動(dòng)器IC 2751安裝在襯底2700上。此外，作為其它安裝方式，也可以使用如圖沈(B) 所示的TAB(Tape Automated Bonding ；帶式自動(dòng)接合)方式。驅(qū)動(dòng)器IC既可以是形成在單晶半導(dǎo)體襯底上的，又可以是在玻璃襯底上由TFT形成電路的。在圖沈中，驅(qū)動(dòng)器IC 2751 與 FPC (Flexible printed circuit，柔性印刷電路)2750 連接。此外，當(dāng)由具有結(jié)晶性的半導(dǎo)體形成設(shè)置在像素中的TFT時(shí)，如圖25(B)所示，也可以在襯底3700上形成掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路3702。在圖25(B)中，與圖25(A)同樣地使用連接于信號(hào)線一側(cè)輸入端子3704的外部驅(qū)動(dòng)電路來控制像素部3701。在設(shè)置在像素中的 TFT由遷移度高的多晶(微晶)半導(dǎo)體、單晶半導(dǎo)體等形成的情況下，如圖25(C)所示，也可以在襯底4700上集成地形成像素部4701、掃描線驅(qū)動(dòng)電路4702、信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路4704。在圖27中，顯示面板可以具有如下結(jié)構(gòu)如圖25(A)所示的結(jié)構(gòu)，其中只形成有像素部901并且掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路903和信號(hào)線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路902通過如圖沈(B)所示的 TAB方式或如圖^(A)所示的COG方式安裝；如圖25 (B)所示的結(jié)構(gòu)，其中形成TFT，在襯底上形成像素部901和掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路903，且另外安裝信號(hào)線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路902作為驅(qū)動(dòng)器IC ；或者如圖25(C)所示的結(jié)構(gòu)，其中將像素部901、信號(hào)線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路902和掃描線一側(cè)驅(qū)動(dòng)電路903集成地形成在襯底上等。但是，任一結(jié)構(gòu)都可以采用。在圖27中，作為其他外部電路的結(jié)構(gòu)，在視頻信號(hào)的輸入一側(cè)包括放大由調(diào)諧器 904接收的信號(hào)中的放大視頻信號(hào)的視頻信號(hào)放大電路905、將從其輸出的信號(hào)轉(zhuǎn)換為與紅、綠、藍(lán)每種顏色相應(yīng)的色信號(hào)的視頻信號(hào)處理電路906、以及將該視頻信號(hào)轉(zhuǎn)換為驅(qū)動(dòng)器IC的輸入規(guī)格的控制電路907等?？刂齐娐?07將信號(hào)分別輸出至掃描線一側(cè)和信號(hào)線一側(cè)。在進(jìn)行數(shù)字驅(qū)動(dòng)的情況下，也可以具有如下結(jié)構(gòu)，即在信號(hào)線一側(cè)設(shè)信號(hào)分割電路 908，并且將輸入數(shù)字信號(hào)分成m個(gè)來供給。由調(diào)諧器904接收的信號(hào)中的音頻信號(hào)被傳送至音頻信號(hào)放大電路909，并且其輸出通過音頻信號(hào)處理電路910供給至揚(yáng)聲器913中?？刂齐娐?11從輸入部912接收接收站(接收頻率)和音量的控制信息，并且將信號(hào)傳送至調(diào)諧器904、音頻信號(hào)處理電路 910。如圖^(A)、(B)所示，將上述顯示模塊結(jié)合在框體中，從而可以完成電視裝置。如使用液晶顯示模塊作為顯示模塊，可以完成液晶電視裝置。使用EL顯示模塊作為顯示模塊，可以完成EL電視裝置、等離子體電視、電子紙等。在圖^(A)中，由顯示模塊形成主畫面2003，并且作為其它輔助設(shè)備具有揚(yáng)聲器部2009、操作開關(guān)等。以這種方式，根據(jù)本發(fā)明可以完成電視裝置。將顯示面板2002組合在框體2001中，可以由接收器2005接收普通的電視廣播的信號(hào)。而且，通過調(diào)制解調(diào)器2004連接到采用有線或無線方式的通訊網(wǎng)絡(luò)，可以進(jìn)行單方向(從發(fā)送者到接收者)或雙方向(在發(fā)送者和接收者之間或在接收者之間)的信息通信。 可以使用安裝在框體中的開關(guān)或遙控裝置2006來操作電視裝置。也可以在遙控裝置2006 中設(shè)置用于顯示輸出信息的顯示部2007。另外，除了主畫面2003之外，電視裝置可以包括用第二顯示面板形成的子畫面 2008來顯示頻道或音量等。在這種結(jié)構(gòu)中，可以使用本發(fā)明的液晶顯示面板形成主畫面 2003及子畫面2008?？梢允褂靡暥群玫腅L顯示面板形成主畫面2003，并且使用能夠以低耗電量進(jìn)行顯示的液晶顯示面板形成子畫面。另外，為了優(yōu)先降低耗電量，可以使用液晶顯示面板形成主畫面2003，使用EL顯示面板形成子畫面，以使子畫面可以閃亮和閃滅。通過使用本發(fā)明，甚至當(dāng)使用這種大尺寸襯底并且使用許多TFT、電子部件時(shí)，也可以形成高可靠性的顯示裝置。圖^(B)顯示了具有例如20英寸至80英寸的大型顯示部的電視裝置，其包括框體2010、顯示部2011、作為操作部的遙控裝置2012、揚(yáng)聲器部2013等。將本發(fā)明應(yīng)用于顯示部2011的制造中。圖觀 )的電視裝置是壁掛式的，所以不需要大的設(shè)置空間。當(dāng)然，本發(fā)明不局限于電視裝置，并且可以應(yīng)用于各種各樣的用途，如個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、尤其是大面積的顯示媒體如火車站或機(jī)場(chǎng)等的信息顯示板或者街頭上的廣告顯示板等。本實(shí)施方式可以與上述實(shí)施方式1至14適當(dāng)?shù)刈杂傻亟M合。實(shí)施方式16作為本發(fā)明的電子器具，可以舉出電視裝置(簡(jiǎn)稱為電視，或者電視接收機(jī))、如數(shù)碼相機(jī)、數(shù)碼攝像機(jī)、便攜式電話裝置(簡(jiǎn)稱為移動(dòng)電話機(jī)、手機(jī))、PDA等便攜式信息終端、便攜式游戲機(jī)、計(jì)算機(jī)用的監(jiān)視器、計(jì)算機(jī)、汽車音響等的聲音再現(xiàn)裝置、家用游戲機(jī)等的具備記錄媒體的圖像再現(xiàn)裝置等。對(duì)于其具體例子將參照?qǐng)D四來說明。圖四(幻所示的便攜式信息終端設(shè)備包括主體9201、顯示部9202等。顯示部9202 可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置。結(jié)果，可以通過簡(jiǎn)化了的工序以低成本制造顯示裝置，所以可以低成本地提供高可靠性的便攜式信息終端設(shè)備。
圖^(B)所示的數(shù)碼攝像機(jī)包括顯示部9701、顯示部9702等。顯示部9701可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置。結(jié)果，可以通過簡(jiǎn)化了的工序以低成本制造顯示裝置，所以可以低成本地提供高可靠性的數(shù)碼攝像機(jī)。圖四(C)所示的移動(dòng)電話機(jī)包括主體9101、顯示部9102等。顯示部9102可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置。結(jié)果，可以通過簡(jiǎn)化了的工序以低成本制造顯示裝置，所以可以低成本地提供高可靠性的移動(dòng)電話機(jī)。圖四(D)所示的便攜式電視裝置包括主體9301、顯示部9302等。顯示部9302可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置。結(jié)果，可以通過簡(jiǎn)化了的工序以低成本制造顯示裝置，所以可以低成本地提供高可靠性的電視裝置。此外，可以將本發(fā)明的顯示裝置廣泛地應(yīng)用于如下的電視裝置安裝到移動(dòng)電話機(jī)等的便攜式終端的小型電視裝置；能夠搬運(yùn)的中型電視裝置；以及大型電視裝置(例如40英寸以上)。圖^(E)所示的便攜式計(jì)算機(jī)包括主體9401、顯示部9402等。顯示部9402可以應(yīng)用本發(fā)明的顯示裝置。結(jié)果，可以通過簡(jiǎn)化了的工序以低成本制造顯示裝置，所以可以低成本地提供高可靠性的計(jì)算機(jī)。如此，通過采用本發(fā)明的顯示裝置，可以提供高性能的電子設(shè)備，該電子設(shè)備可以顯示可視性優(yōu)異且高圖像質(zhì)量的圖像。本實(shí)施方式可以與上述的實(shí)施方式1至15適當(dāng)?shù)刈杂傻亟M合。
權(quán)利要求
1.一種顯示裝置，包括包含柵電極層、柵極絕緣層、第一布線層、第二布線層和半導(dǎo)體層的晶體管； 絕緣層；第一電極層，該第一電極層通過形成于絕緣層中的開口電連接至所述第一布線層和所述第二布線層中的一個(gè)； 第二電極層；和在所述第一電極層和所述第二電極層之間的顏色為黑和白的扭轉(zhuǎn)球， 其中所述扭轉(zhuǎn)球的方向能夠通過產(chǎn)生于所述第一電極層和所述第二電極層之間的電位來控制；和其中所述柵電極層、所述第一布線層、所述第二布線層、所述第一電極層和所述第二電極層中的至少一個(gè)具有輪廓部分和所述輪廓部分內(nèi)的部分。
2.—種顯示裝置，包括包含柵電極層、柵極絕緣層、第一布線層、第二布線層和半導(dǎo)體層的晶體管； 絕緣層；第一電極層，該第一電極層通過形成于絕緣層中的開口電連接至所述第一布線層和所述第二布線層中的一個(gè)； 第二電極層；和在所述第一電極層和所述第二電極層之間的顏色為黑和白的扭轉(zhuǎn)球； 其中所述扭轉(zhuǎn)球的方向能夠通過產(chǎn)生于所述第一電極層和所述第二電極層之間的電位來控制；其中所述柵電極層、所述第一布線層、所述第二布線層、所述第一電極層和所述第二電極層中的至少一個(gè)具有輪廓部分和所述輪廓部分內(nèi)的部分，和其中所述輪廓部分和所述輪廓部分內(nèi)的部分是彼此接觸地形成的。
3.一種顯示裝置，包括包含柵電極層、柵極絕緣層、第一布線層、第二布線層和半導(dǎo)體層的晶體管； 絕緣層；第一電極層，該第一電極層通過形成于絕緣層中的開口電連接至所述第一布線層和所述第二布線層中的一個(gè)； 第二電極層；和在所述第一電極層和所述第二電極層之間的顏色為黑和白的扭轉(zhuǎn)球； 其中所述扭轉(zhuǎn)球的方向能夠通過產(chǎn)生于所述第一電極層和所述第二電極層之間的電位來控制；其中所述柵電極層、所述第一布線層、所述第二布線層、所述第一電極層和所述第二電極層中的至少一個(gè)具有輪廓部分和所述輪廓部分內(nèi)的部分， 其中所述輪廓部分含有第一導(dǎo)電材料，和其中所述輪廓部分內(nèi)的部分含有第二導(dǎo)電材料。
4.權(quán)利要求1的顯示裝置，其中所述輪廓部分內(nèi)的部分的厚度小于所述輪廓部分的厚度。
5.權(quán)利要求2的顯示裝置，其中所述輪廓部分內(nèi)的部分的厚度小于所述輪廓部分的厚度。
6.權(quán)利要求3的顯示裝置，其中所述輪廓部分內(nèi)的部分的厚度小于所述輪廓部分的厚度。
7.權(quán)利要求1的顯示裝置，其中所述輪廓部分內(nèi)的部分的厚度大于所述輪廓部分的厚度。
8.權(quán)利要求2的顯示裝置，其中所述輪廓部分內(nèi)的部分的厚度大于所述輪廓部分的厚度。
9.權(quán)利要求3的顯示裝置，其中所述輪廓部分內(nèi)的部分的厚度大于所述輪廓部分的厚度。
10.權(quán)利要求1的顯示裝置，其中所述輪廓部分的外側(cè)邊緣是具有曲率的圓形形狀。
11.權(quán)利要求2的顯示裝置，其中所述輪廓部分的外側(cè)邊緣是具有曲率的圓形形狀。
12.權(quán)利要求3的顯示裝置，其中所述輪廓部分的外側(cè)邊緣是具有曲率的圓形形狀。
全文摘要
顯示裝置的制造方法當(dāng)形成導(dǎo)電層時(shí)，在要形成的圖形的外側(cè)(相當(dāng)于圖形的輪廓、端部)附著液態(tài)的包含導(dǎo)電性材料的組合物，以形成框狀的第一導(dǎo)電層(或絕緣層)。附著液態(tài)的第二包含導(dǎo)電性材料的組合物，以填充框狀的第一導(dǎo)電層的內(nèi)側(cè)空間，從而形成第二導(dǎo)電層。第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層接合而形成，并且形成第一導(dǎo)電層以包圍第二導(dǎo)電層的周圍，所以可以將第一導(dǎo)電層及第二導(dǎo)電層可以用作連續(xù)的一個(gè)導(dǎo)電層。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK102214699SQ201110140080
公開日2011年10月12日 申請(qǐng)日期2007年7月4日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月4日
發(fā)明者小路博信, 山崎舜平, 川俁郁子 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所