專利名稱：減壓干燥方法和減壓干燥裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及通過將涂覆有涂覆液的被處理基板放置在減壓環(huán)境下，在上述基板上的涂覆膜上實(shí)施干燥處理的減壓干燥方法和減壓干燥裝置。
背景技術(shù)：
例如，在FPD (平面顯guran示器)的制造中，通過所謂的光刻工序形成電路圖案。上述光刻工序，具體來說如下進(jìn)行。首先，在玻璃基板等的被處理基板上形成規(guī)定的膜后，形成涂覆作為涂覆液的光致抗蝕劑(以下，稱為抗蝕劑)的抗蝕劑膜，接著，對(duì)應(yīng)于電路將圖案的抗蝕劑膜曝光，對(duì)其進(jìn)行顯影處理。這樣的光刻工序，如圖8(a)所示使抗蝕劑圖案R具有不同的膜厚(厚膜部Rl 和薄膜部R2)，利用此，進(jìn)行多次蝕刻處理，由此能夠降低光掩膜數(shù)量和工序數(shù)量。此外， 這樣的抗蝕劑圖案R，能夠通過使用1枚具有光的透過率不同的部分的半色掩膜的半色 (halftone)曝光處理得到。使用圖8(a) (e)具體說明利用適合該半色曝光的抗蝕劑圖案R的情況的電路圖案形成工序。例如，圖8 (a)中，在玻璃基板G上依次疊層?xùn)烹姌O200、絕緣層201、由a-Si層(無摻雜非晶Si層)202a和n+a-Si層202b (磷摻雜非晶Si層)構(gòu)成的Si層202、用于形成電極的金屬層203。此外，金屬層205上形成有通過上述半色曝光處理和顯影處理得到的抗蝕劑圖案 R0該抗蝕劑圖案R(厚膜部Rl和薄膜部似)形成后，如圖8(b)所示，將該抗蝕劑圖案R作為掩膜，進(jìn)行金屬膜的蝕刻(第1次蝕刻)。接著，對(duì)抗蝕劑圖案R整體，在等離子體中實(shí)施灰化處理。由此，如圖8(c)所示， 得到膜厚減為一半程度的抗蝕劑圖案R3。如圖8(d)所示，將該抗蝕劑圖案R3用作掩膜，對(duì)露出的金屬膜203、Si層202進(jìn)行蝕刻第二次蝕刻)，最后，如圖8(e)所示，通過除去抗蝕劑R3，得到電路圖案。但是，在用于形成上述抗蝕劑圖案R的半色曝光處理的前段工序中，對(duì)基板面進(jìn)行抗蝕劑液的涂覆處理后，進(jìn)行在減壓環(huán)境下使被涂覆的抗蝕劑膜干燥的減壓干燥處理。該減壓干燥處理，通過將涂覆了抗蝕劑液的基板收納在腔室內(nèi)，將腔室內(nèi)減壓到抗蝕劑液中的溶劑的蒸汽壓，在規(guī)定時(shí)間，使抗蝕劑中的溶劑蒸發(fā)，來進(jìn)行干燥處理。此外，對(duì)涂覆到基板的抗蝕劑液等的涂覆液進(jìn)行減壓干燥的減壓干燥裝置，在專利文獻(xiàn)1中有公開。專利文獻(xiàn)1 日本特開2004-47797號(hào)公報(bào)

發(fā)明內(nèi)容
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但是，本發(fā)明者發(fā)現(xiàn)，如現(xiàn)有的進(jìn)行的減壓干燥處理那樣，如果在其開始時(shí)將腔室內(nèi)的壓力減壓到溶劑的蒸汽壓，則如圖9的測(cè)定結(jié)果所示，從抗蝕劑膜的溶劑突然沸騰蒸發(fā)Qkec附近)，這對(duì)減壓干燥后的抗蝕劑膜的均勻性帶來不好的影響。并且，如上所述，通過半色曝光處理形成具有厚膜部Rl和薄膜部R2的抗蝕劑圖案R，在如圖8(c)所示對(duì)其進(jìn)行灰化處理的情況下，作為殘留膜得到的抗蝕劑圖案R3(圖 8(c))上由于所述抗蝕劑膜的不均勻性，產(chǎn)生不均勻的現(xiàn)象。具體而言，存在下述問題在基板面內(nèi)，如圖10(a)所示的殘留膜圖案的膜厚、線寬過小的部位和如圖10(b)所示的過大的部位混合存在。本發(fā)明是鑒于上述現(xiàn)有技術(shù)的問題點(diǎn)而提出的，其提供一種減壓干燥方法和減壓干燥裝置，在對(duì)形成于被處理基板的涂覆膜實(shí)施干燥處理的減壓干燥裝置中，能夠提高干燥處理后的涂覆膜的面內(nèi)均勻性，提高配線圖案形成過程中所述涂覆膜的殘留膜厚和線寬的均勻性。為了解決上述課題，本發(fā)明的減壓干燥方法，將形成有涂覆膜的被處理基板放置在減壓環(huán)境下，使上述涂覆膜中的溶劑蒸發(fā)，實(shí)施上述涂覆膜的干燥處理，在將形成有涂覆膜的上述基板收納在腔室內(nèi)，使上述腔室內(nèi)成為減壓環(huán)境的工序中，包括上述腔室內(nèi)的壓力以第一減壓速度減壓，成為比上述溶劑的蒸汽壓高，并至少不會(huì)使上述溶劑突然沸騰蒸發(fā)的第一壓力值的步驟；和從上述第一壓力值至少直到上述溶劑的蒸汽壓，以比上述第一減壓速度低的第二減壓速度緩慢進(jìn)行減壓的步驟。此外，在上述腔室內(nèi)的壓力成為上述溶劑的蒸汽壓的步驟之后，優(yōu)選還實(shí)施以上述第二減壓速度進(jìn)行減壓，直到比上述溶劑的蒸汽壓低的第二壓力值的步驟。根據(jù)上述方法，腔室內(nèi)的壓力從比溶劑的蒸汽壓高，至少上述溶劑不會(huì)突然沸騰蒸發(fā)的第一壓力值的時(shí)刻開始，利用更低速度的緩慢的第二減壓速度進(jìn)行減壓。根據(jù)該控制，基板面附近的壓力值，不會(huì)不均勻而維持面內(nèi)均勻狀態(tài)緩慢進(jìn)行減壓，達(dá)到溶劑的蒸汽壓。其結(jié)果，能夠抑制來自于涂覆膜的溶劑的突然沸騰的蒸發(fā)，能夠以低速度進(jìn)行溶劑的蒸發(fā)，使得抗蝕劑的干燥狀態(tài)均勻。此外，通過使抗蝕劑的干燥狀態(tài)均勻，在例如使用半色曝光處理的情況的配線圖案形成過程中能夠提高圖案殘留膜厚和線寬的均勻性。此外，為了解決上述課題，本發(fā)明的減壓干燥裝置，將形成有涂覆膜的被處理基板放置在減壓環(huán)境下，使上述涂覆膜中的溶劑蒸發(fā)，實(shí)施上述涂覆膜的干燥處理，該減壓干燥裝置具備收納形成有涂覆膜的上述基板的腔室；對(duì)上述腔室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣單元；調(diào)整上述腔室的排氣量的排氣量調(diào)整單元；檢測(cè)上述腔室內(nèi)的壓力的壓力檢測(cè)單元；和基于上述壓力檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果，控制上述排氣量調(diào)整單元的排氣調(diào)整量的控制單元，上述控制單元控制上述排氣量調(diào)整單元，使得上述腔室內(nèi)的壓力直到比上述溶劑的蒸汽壓高并至少上述溶劑不會(huì)突然沸騰蒸發(fā)的第一壓力值，都以第一減壓速度進(jìn)行減壓，上述控制單元控制上述排氣量調(diào)整單元，使得從上述第一壓力值至少直到上述溶劑的蒸汽壓，都以比上述第一減壓速度低的第二減壓速度緩慢進(jìn)行減壓。此外，上述控制單元優(yōu)選控制上述排氣量調(diào)整單元，使得上述腔室內(nèi)的壓力以上述第二減壓速度緩慢進(jìn)行減壓，直到比上述溶劑的蒸汽壓低的第二壓力值。
根據(jù)該結(jié)構(gòu)，能夠抑制來自于涂覆膜的溶劑的突然沸騰蒸發(fā)，能夠以低速度進(jìn)行溶劑的蒸發(fā)，能夠保持抗蝕劑的干燥狀態(tài)均勻。此外，通過使抗蝕劑的干燥狀態(tài)均勻，在例如使用半色曝光處理的情況的配線圖案形成過程中能夠提高圖案殘留膜厚和線寬的均勻性。發(fā)明效果根據(jù)本發(fā)明，能夠得到如下減壓干燥方法和減壓干燥裝置，在對(duì)形成于被處理基板的涂覆膜實(shí)施干燥處理的減壓干燥裝置中，能夠提高干燥處理后的涂覆膜的面內(nèi)均勻性，在配線圖案形成過程中能夠提高上述涂覆膜的殘留膜厚和線寬的均勻性。


圖1為表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的整體概略構(gòu)成的截面圖。圖2為表示本發(fā)明的一實(shí)施方式的動(dòng)作的流程圖。圖3為表示本發(fā)明的一實(shí)施方式中，腔室內(nèi)的減壓控制的圖表。圖4為表示本發(fā)明的實(shí)施例1-4中，腔室內(nèi)的壓力變化的圖表。圖5為表示本發(fā)明的實(shí)施例1-4中抗蝕劑的溶劑的蒸發(fā)速度的變化的圖表。圖6為表示本發(fā)明的實(shí)施例5-7中腔室內(nèi)的壓力變化的圖表。圖7為表示本發(fā)明的實(shí)施例5-7中抗蝕劑的溶劑的蒸發(fā)速度的變化的圖表。圖8(a) (e)為用于說明使用半色曝光處理的配線圖案的一系列的形成工序的截面圖。圖9為使用現(xiàn)有的減壓干燥方法的情況下的測(cè)定結(jié)果，表示腔室內(nèi)的壓力變化和抗蝕劑的溶劑的蒸發(fā)速度的變化的圖表。圖10(a)、(b)是用于說明使用半色曝光處理的配線圖案的形成工序中，抗蝕劑圖案的殘留膜的不均勻的截面圖。圖11為表示本發(fā)明第二實(shí)施方式的動(dòng)作的流程12為表示本發(fā)明第二實(shí)施方式中，腔室內(nèi)的減壓控制的圖表符號(hào)的說明1減壓干燥裝置2 腔室2a下部腔室2b上部腔室4工作臺(tái)5固定銷6升降軸10 排氣口11排氣管15流量調(diào)整閥(排氣量調(diào)整單元)16 主閥17排氣泵(排氣單元)20控制部
G玻璃基板(被處理基板)Pl第一壓力值P2第二壓力值Pe溶劑的蒸汽壓PlO第十壓力值Pll第^^一壓力值vl第一減壓速度v2第二減壓速度v3第三減壓速度v4第四減壓速度
具體實(shí)施例方式以下，根據(jù)圖1到圖3對(duì)本發(fā)明的減壓干燥方法和減壓干燥裝置的一實(shí)施方式進(jìn)行說明。如圖1所示，該減壓干燥裝置1，具備用于將其內(nèi)部空間維持氣密的腔室2，該腔室 2具備下部腔室加和以覆蓋其上的方式設(shè)置為能夠升降移動(dòng)的上部腔室2b。下部腔室加上設(shè)置有用于載置作為被處理基板的玻璃基板G的工作臺(tái)4，該工作臺(tái)4為了容易進(jìn)行基板的搬入搬出，由能夠升降的軸6支撐。工作臺(tái)4上設(shè)置有用于載置基板G多個(gè)固定銷5，這些多個(gè)固定銷5分散配置在工作臺(tái)4上。此外，該固定銷5優(yōu)選使用與基板G實(shí)質(zhì)上相同的材質(zhì)(在本實(shí)施方式中為玻璃)形成。此外，下部腔室加的各角部設(shè)置4個(gè)排氣口 10(圖1中表示了其中的兩個(gè))。各排氣口 10上連通排氣管11，排氣管11與排氣泵17(排氣單元)連接。S卩，下部腔室加與上部腔室2b密接，腔室2內(nèi)成為氣密狀態(tài)，由排氣泵17通過排氣管11進(jìn)行排氣，由此，將腔室2內(nèi)減壓，成為規(guī)定的真空狀態(tài)。在排氣管11的中間設(shè)置有流量調(diào)整閥15(排氣量調(diào)整單元)和主閥16。上述流量調(diào)整閥15由計(jì)算機(jī)構(gòu)成的控制部20控制該閥的開度，對(duì)應(yīng)于該開度決定來自腔室2內(nèi)的排氣量。此外，排氣管11設(shè)置有用于進(jìn)行腔室2內(nèi)的壓力檢測(cè)的壓力檢測(cè)部18(壓力檢測(cè)單元)，控制部20基于壓力檢測(cè)部18的檢測(cè)結(jié)果設(shè)定流量調(diào)整閥15的閥開度。此外，控制部20基于一定的控制進(jìn)行腔室2內(nèi)的減壓，存儲(chǔ)規(guī)定的控制程序，在減壓干燥處理的開始時(shí)執(zhí)行該控制程序。此外，如圖3所示，該控制程序進(jìn)行控制，以伴隨時(shí)間經(jīng)過，使腔室2內(nèi)的壓力變化。此外，該圖3中，對(duì)于實(shí)線表示的壓力線，雖然是直線式的壓力變化，但不限于此，也可以進(jìn)行控制以如點(diǎn)劃線所示的方式進(jìn)行曲線變化。接著，說明使用上述控制程序的減壓干燥處理。在前段工序中，在基板G的被處里面涂覆作為被處理液的抗蝕劑液，將上述基板G 搬入減壓干燥裝置1，載置在工作臺(tái)4上。此外，相對(duì)于下部腔室加關(guān)閉上部腔室2b，在氣密狀態(tài)的腔室2內(nèi)收納基板G (圖 2的步驟Si)。
腔室2內(nèi)形成為氣密狀態(tài)時(shí)，驅(qū)動(dòng)排氣泵17，并且打開主閥16，從圖3的時(shí)刻t0 開始進(jìn)行腔室2內(nèi)的排氣。在此，首先控制部20通過調(diào)整流量調(diào)整閥15的開度，如圖3所示以第一減壓速度 Vl對(duì)腔室2內(nèi)進(jìn)行減壓，使得腔室2內(nèi)的壓力成為比抗蝕劑液的溶劑(例如PGMEA)的蒸汽壓Pe高的第一壓力值Pl (例如圖3的時(shí)刻tl中的400Pa)(圖2的步驟S2)。此外，該第一壓力值Pl為包括比溶劑突然沸騰蒸發(fā)的壓力值高、且不會(huì)使上述溶劑突然沸騰蒸發(fā)的、 例如溶劑不全部蒸發(fā)的情況和多少蒸發(fā)的情況(例如，圖5的30seC附近的蒸發(fā)速度的情況)的壓力值。此外，在此所謂的溶劑的蒸汽壓是表示減壓環(huán)境下蒸汽壓的值。腔室2內(nèi)的壓力達(dá)到第一壓力值Pl時(shí)，控制部20向關(guān)閉的方向調(diào)整流量調(diào)整閥 15的開度，減少排氣量，由此，以比上述第一減壓速度Vl慢的第二減壓速度v2緩慢進(jìn)行減壓(圖2的步驟S3)。如圖3所示，基于該第二減壓速度v2的緩慢的減壓控制，從第一壓力值Pl的時(shí)刻 tl進(jìn)行到第二壓力值P2 (例如250Pa)的時(shí)刻t3。此外，上述第二壓力值P2為比抗蝕劑的溶劑的蒸汽壓Pe低的值，在利用上述第二減壓速度v2繼續(xù)進(jìn)行緩慢的減壓的情況下，為抗蝕劑中的溶劑蒸發(fā)結(jié)束的時(shí)刻t3的壓力值。上述第一壓力值P1、第二壓力值P2根據(jù)溶劑的種類等的各種條件被預(yù)先設(shè)定。在此，控制部20在腔室2內(nèi)的壓力從第一壓力值Pl減壓到第二壓力值P2的期間，基于壓力檢測(cè)部18的檢測(cè)結(jié)果，監(jiān)視腔室2內(nèi)的減壓速度是否在上述的第二減壓速度 v2附近(規(guī)定范圍內(nèi))(圖2的步驟S4)。接著，在腔室2內(nèi)的減壓速度在比規(guī)定范圍內(nèi)小的情況下(圖2的步驟S5)，增大流量調(diào)整閥15的開度使得排氣流量增加(圖2的步驟S6)。另一方面，在腔室2內(nèi)的減壓速度比規(guī)定范圍大的情況下(圖2的步驟S5)，減小流量調(diào)整閥15的開度使得排氣流量減少(圖2的步驟S7)。此外，如圖3所示，在腔室2內(nèi)的壓力從第一壓力值Pl緩慢減壓到第二壓力值P2 期間的時(shí)刻t2，腔室2內(nèi)的壓力達(dá)到溶劑的蒸汽壓Pe。因此，從腔室2內(nèi)的壓力緩慢達(dá)到蒸汽壓Pe的時(shí)刻t2的稍前開始，溶劑蒸發(fā)(不是突然沸騰)以低速度開始，然后，直到達(dá)到第二壓力P2的期間，隨著時(shí)間以穩(wěn)定的蒸發(fā)速度進(jìn)行溶劑的蒸發(fā)。腔室2內(nèi)的壓力減壓到第二壓力值P2(圖2的步驟S8)時(shí)，抗蝕劑中的溶劑蒸發(fā)大致完成，控制部20停止排氣泵17的驅(qū)動(dòng)，結(jié)束減壓干燥處理(圖2的步驟S9)。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施方式，從腔室2內(nèi)的壓力比抗蝕劑的溶劑的蒸汽壓高、至少不會(huì)使上述溶劑突然沸騰蒸發(fā)的第一壓力值Pl的時(shí)刻tl開始利用更低速度的緩慢減壓速度V2進(jìn)行減壓。通過這種控制，在基板面附近的壓力不會(huì)不均衡而能夠維持面內(nèi)均勻的狀態(tài)進(jìn)行緩慢減壓，達(dá)到溶劑的蒸汽壓。其結(jié)果，能夠抑制來自于抗蝕劑膜的溶劑的突然沸騰蒸發(fā)，并以低速度進(jìn)行溶劑的蒸發(fā)，能夠保持抗蝕劑的干燥狀態(tài)的均勻。此外，通過使抗蝕劑的干燥狀態(tài)能夠保持均勻，例如，能夠提高使用半色曝光處理的情況下的配線圖案形成過程中的抗蝕劑圖案的殘留膜厚和線寬的均勻性。
此外，上述實(shí)施方式中，減壓干燥裝置1中設(shè)置有作為排氣量調(diào)整單元的流量調(diào)整閥15，通過調(diào)整其開度，進(jìn)行來自于腔室2的排氣量的控制，本發(fā)明中，該結(jié)構(gòu)不限于此。例如，代替流量調(diào)整閥15，可以在排氣管11內(nèi)設(shè)置流入空氣的空氣導(dǎo)入單元(未圖示)，通過調(diào)整該空氣導(dǎo)入量進(jìn)行排氣量的控制。此外，如利用圖3所說明那樣，在壓力控制中，設(shè)定第一壓力值Pl和第二壓力值 P2，控制直到達(dá)到這些壓力值的減壓速度，但是也可以增加壓力值的設(shè)定數(shù)，更細(xì)化地控制減壓速度。例如，如圖3所示，也可以在第一壓力值Pl附近追加第三壓力值P3、第四壓力值 P4，更細(xì)化地進(jìn)行直到達(dá)到第一壓力值Pl的減壓控制。此外，也可以例如在第一壓力值Pl 和第二壓力值P2之間設(shè)置第五壓力值P5和第六壓力值P6，更細(xì)化地控制蒸汽壓Pe附近的減壓控制。此外，上述實(shí)施方式中，是在腔室2內(nèi)，在工作臺(tái)4上載置基板G的結(jié)構(gòu)，但不限于該結(jié)構(gòu)，例如，也可以是在支撐銷或者搬送輥(roller)上載置的結(jié)構(gòu)。實(shí)施例接著，對(duì)本發(fā)明的涂覆膜形成方向和涂覆膜形成裝置，基于實(shí)施例進(jìn)行說明。[實(shí)施例1-4]在實(shí)施例1-4中，將涂覆抗蝕劑的玻璃基板收納在氣密狀態(tài)的腔室內(nèi)，從減壓到與上述實(shí)施方式中的第一壓力值Pl相當(dāng)?shù)膲毫χ?001 )的狀態(tài)開始，經(jīng)過規(guī)定時(shí)間，減壓到相當(dāng)于第二壓力值P2的規(guī)定壓力值。從400 到第二壓力值P2減壓的期間，驗(yàn)證溶劑的蒸發(fā)速度進(jìn)行怎么樣的變化。此外，抗蝕劑使用AZ_SR210(AZ公司)，溶劑使用PGMEA，抗蝕劑膜的涂覆膜厚為 1. 5 μ m。此外，相當(dāng)于上述第二壓力值P2的壓力值，在實(shí)施例1中為250Pa，實(shí)施例2中為 200Pa,實(shí)施例3中為150Pa,實(shí)施例4中為IOOPa0圖4表示各實(shí)施例1-4中腔室內(nèi)的壓力變化。此外，圖5表示此時(shí)的抗蝕劑溶劑的蒸發(fā)速度的變化。根據(jù)圖5可以確認(rèn)，在減壓速度最慢的實(shí)施例1 0001 — 250Pa)的情況下，溶劑的蒸發(fā)速度的變化最小，不會(huì)發(fā)生突然沸騰蒸發(fā)的情況，因此優(yōu)選。[實(shí)施例5_7]在實(shí)施例5-7中，將相當(dāng)于上述實(shí)施方式中的第一壓力值Pl的壓力值設(shè)為400Pa， 將相當(dāng)于第二壓力值P2的規(guī)定壓力值設(shè)為250Pa，通過直到從400 減壓到250Pa的時(shí)間驗(yàn)證溶劑的蒸發(fā)速度的變化。此外，抗蝕劑、溶劑和涂覆膜厚與實(shí)施例1-4同樣。此外，直到從4001 減壓到250Pa的時(shí)間，實(shí)施例5中為35sec、實(shí)施例6中為 25sec、實(shí)施例7中為15sec。圖6表示各實(shí)施例5-7中腔室內(nèi)的壓力變化，此外，圖7表示此時(shí)的抗蝕劑溶劑的蒸發(fā)速度的變化。根據(jù)圖7可以確認(rèn)花最少時(shí)間減壓速度緩的實(shí)施例5的情況下，溶劑的蒸發(fā)速度的變化最小，不會(huì)發(fā)生突然沸騰的狀況，因此優(yōu)選。
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根據(jù)以上實(shí)施例1-7的結(jié)果可以確認(rèn)，從至少抗蝕劑液的溶劑不會(huì)突然沸騰蒸發(fā)的第一壓力值Pl經(jīng)過時(shí)間緩慢減壓，由此，能夠抑制來自于抗蝕劑膜的溶劑的突然沸騰蒸發(fā)，以低速度進(jìn)行溶劑的蒸發(fā)。[實(shí)施例8]實(shí)施例8，相當(dāng)于上述實(shí)施方式的第一壓力值Pl的壓力值為400Pa，相當(dāng)于第二壓力值規(guī)定的壓力值為250Pa，從4001 減壓到250Pa。對(duì)于使用其結(jié)果得到的抗蝕劑膜進(jìn)行半色曝光處理，得到的抗蝕劑圖案的圖案線寬和殘留膜厚，在基板面內(nèi)的25個(gè)點(diǎn)進(jìn)行測(cè)定，求取變動(dòng)寬度(不均衡)。此外，在各測(cè)定點(diǎn)，測(cè)定抗蝕劑圖案截面的圓錐角度(相對(duì)于基板面的傾斜角圖8(c)所示的θ角)，求取它們的平均值。此外，作為比較例1，用現(xiàn)有的減壓干燥方法，即，將腔室內(nèi)急速減壓到抗蝕劑溶劑的蒸汽壓，維持其壓力，由此進(jìn)行干燥處理，對(duì)于這樣得到的基板，與實(shí)施例8同樣，求取變動(dòng)寬度和圓錐角度。此外，實(shí)施例8和比較例1中的抗蝕劑使用AZ-SR210、溶劑使用PGMEA，抗蝕劑膜的涂覆膜厚為2.2μπι。將實(shí)施例8和比較例1的結(jié)果所示在表1。表權(quán)利要求
1.一種減壓干燥方法，將形成有涂覆膜的被處理基板放置在減壓環(huán)境下，使所述涂覆膜中的溶劑蒸發(fā)、對(duì)所述涂覆膜實(shí)施干燥處理，該減壓干燥方法的特征在于在將形成有涂覆膜的所述基板收納在腔室內(nèi)，使所述腔室內(nèi)成為減壓環(huán)境的工序中， 包括以第一減壓速度對(duì)所述腔室內(nèi)的壓力進(jìn)行減壓，使所述腔室內(nèi)的壓力成為比所述溶劑的蒸汽壓高，并至少不會(huì)使所述溶劑突然沸騰蒸發(fā)的第一壓力值的步驟；和從所述第一壓力值到至少所述溶劑的蒸汽壓，以比所述第一減壓速度低的第二減壓速度緩慢減壓的步驟。
2.如權(quán)利要求1所述的涂覆膜形成方法，其特征在于在使所述腔室內(nèi)的壓力成為所述溶劑的蒸汽壓的步驟之后，還實(shí)施以所述第二減壓速度減壓，成為比所述溶劑的蒸汽壓低的第二壓力值的步驟。
3.一種減壓干燥裝置，將形成有涂覆膜的被處理基板放置在減壓環(huán)境下，使所述涂覆膜中的溶劑蒸發(fā)，實(shí)施所述涂覆膜的干燥處理，該減壓干燥裝置的特征在于，包括收納形成有涂覆膜的所述基板的腔室；對(duì)所述腔室內(nèi)進(jìn)行排氣的排氣單元；調(diào)整來自于所述腔室的排氣量的排氣量調(diào)整單元；檢測(cè)所述腔室內(nèi)的壓力的壓力檢測(cè)單元；和基于所述壓力檢測(cè)單元的檢測(cè)結(jié)果，控制所述排氣量調(diào)整單元的排氣調(diào)整量的控制單元，所述控制單元控制所述排氣量調(diào)整單元，以利用第一減壓速度將所述腔室內(nèi)的壓力減壓到比所述溶劑的蒸汽壓高，并至少所述溶劑不會(huì)突然沸騰蒸發(fā)的第一壓力值，所述控制單元控制所述排氣量調(diào)整單元，以利用比所述第一減壓速度低的第二減壓速度從所述第一壓力值緩慢減壓到至少所述溶劑的蒸汽壓。
4.如權(quán)利要求3所述的干燥減壓裝置，其特征在于所述控制單元控制所述排氣量調(diào)整單元，以利用所述第二減壓速度將所述腔室內(nèi)的壓力緩慢減壓到比所述溶劑的蒸汽壓低的第二壓力值。
全文摘要
本發(fā)明提供一種減壓干燥方法和減壓干燥裝置。在被處理基板上形成的涂覆膜上實(shí)施干燥處理的減壓干燥裝置中，能夠提高干燥處理后的涂覆膜的面內(nèi)均勻性，提高配線圖案形成過程中所述涂覆膜的殘留膜厚和線寬的均勻性。在將形成有涂覆膜的基板(G)收納在腔室(2)內(nèi)，使上述腔室內(nèi)成為減壓環(huán)境的工序中，包括以第一減壓速度(v1)對(duì)上述腔室內(nèi)的壓力進(jìn)行減壓，成為比上述溶劑的蒸汽壓(Pe)高并至少不會(huì)使上述溶劑突然沸騰蒸發(fā)的第一壓力值(P1)的步驟；和從所述第一壓力值至少直到所述溶劑的蒸汽壓，以比所述第一減壓速度低的第二減壓速度(v2)緩慢進(jìn)行減壓的步驟。
文檔編號(hào)G03F7/38GK102193345SQ20111003536
公開日2011年9月21日 申請(qǐng)日期2011年1月31日 優(yōu)先權(quán)日2010年2月4日
發(fā)明者巖永和也, 麻生豐 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社