專利名稱：電子照相感光構件、處理盒和電子照相設備的制作方法
技術領域：
本發(fā)明涉及電子照相感光構件，和各自包括所述電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備。
背景技術：
作為用于安裝于電子照相設備的電子照相感光構件的光導電性材料(電荷產(chǎn)生材料或電荷輸送材料)，已積極開發(fā)了有機光導電性材料。使用有機光導電性材料的電子照相感光構件通常具有通過在支承體上施涂其中將有機光導電性材料和樹脂(粘結樹脂)溶解和分散于溶劑中的涂布液、接著干燥而形成的感光層。此外，感光層通常具有層壓型(順層層壓型)結構，在所述層壓型結構中，將電荷產(chǎn)生層和電荷輸送層從支承體側順次層壓。然而，使用有機光導電性材料的電子照相感光構件不具有電子照相感光構件所需 的全部性質(zhì)。在電子照相方法中，各種材料(在一些情況中，下文稱為〃接觸構件等")如顯影粉、充電構件、清潔刮板、紙張和轉印構件與電子照相感光構件的表面接觸。作為電子照相感光構件所需的性質(zhì)之一，可以述及降低由與接觸構件等的接觸應力引起的圖像劣化。特別地，近年來，隨著電子照相感光構件的耐久性已得到改進，期望由于上述接觸應力引起的圖像劣化的降低效果的持續(xù)性。為了降低上述接觸應力，已提出將在其分子鏈中具有硅氧烷結構的硅氧烷改性的樹脂包含于與上述各種接觸構件接觸的電子照相感光構件的表面層中的方案。例如，PTL I已公開其中在聚碳酸酯樹脂中引入硅氧烷結構的樹脂。此外，PTL 2已公開其中在使用具有硅氧烷結構的嵌段共聚物樹脂材料的電子照相感光構件中形成區(qū)域(domain)的技術。如上述技術一樣，PTL 3也公開其中顆粒形式的娃酮材料分散于電子照相感光構件的電荷輸送層的技術，和根據(jù)該專利文獻，已報導能夠有效地防止放電擊穿并能夠抑制圖像劣化(黑點的產(chǎn)生)。在PTL 4和PTL 5中，已公開在其側鏈中具有硅氧烷結構的聚碳酸酯樹脂。然而，通過在上述專利文獻中公開的電子照相感光構件，不能同時實現(xiàn)電子照相性能的維持和接觸應力的持續(xù)降低。在PTL I中，由于包含引入硅氧烷結構的聚碳酸酯樹脂和聚芳酯樹脂，從而獲得初期滑動性。雖然還改進滑動性的持續(xù)性，但改進程度不是令人滿意的。此外，在PTL I中，作為賦予持續(xù)的滑動性的方法，已提出其中將樹脂混合在一起的表面層。然而，PTL I已公開通過樹脂混合形成區(qū)域降低光透過率和感光度，和控制硅氧烷的含量以便不引起區(qū)域形成。此外，當在PTL I中公開的具有硅氧烷結構的聚碳酸酯樹脂的硅氧烷部位的含量增加時，在聚芳酯樹脂中形成電荷輸送材料的聚集，結果，在一些情況中劣化重復使用時的電位穩(wěn)定性。在PTL 2中公開的材料為包括具有低表面能性質(zhì)的組分和基體組分的樹脂，這兩種組分包括于相同的樹脂中，并且該專利文獻已公開由于具有低表面能性質(zhì)的組分形成區(qū)域，因此形成低表面能狀態(tài)。由于具有低表面能性質(zhì)的硅氧烷部位具有高表面遷移性(界面遷移性)和易于存在于與鄰接于電荷輸送層的電荷產(chǎn)生層的界面，在包括具有層壓型結構的感光層的電子照相感光構件中，在一些情況中可能由此發(fā)生電位變化的增加。在由在PTL 2中公開的材料形成的電子照相感光構件中，在一些情況下也發(fā)生由上述原因引起的電位變化。此外，在PTL 3中公開的其中顆粒形狀的硅酮材料分散于電荷輸送層中的電子照相感光構件中，通過如上所述的表面遷移性(界面遷移性)，由于上述原因在一些情況中發(fā)生電位變化。此外，在其中當將PTL 4中公開的在其側鏈上具有硅氧烷結構的聚碳酸酯樹脂用于電子照相感光構件時的情況中，電荷輸送材料在聚碳酸酯樹脂中聚集，和重復使用時的電位穩(wěn)定性在一些情況中劣化。在PTL 4中，為了不劣化透明性和電性質(zhì)，研究了硅氧烷含量的降低；然而，沒有公開與另外的樹脂的基體-區(qū)域結構的形成。此外，在PTL 4中，已公開將滑動性賦予到電子照相感光構件，和改進初期滑動性；然而，重復使用時的滑動性的持續(xù)性不總是令人滿意。在PTL 5中，為了不劣化耐熱性，研究了硅氧烷含量的降低；然而，沒有公開與另外的樹脂的基體-區(qū)域結構的形成。此外，在PTL 5中，已公開將滑動性賦予到電子照相感光構件，和改進初期滑動性；然而，重復使用時的滑動性的持續(xù)性不總是令人滿
o引用文件列表專利文獻PTL I 日本專利特開 2009-037229PTL 2 日本專利特開 2007-004133PTL 3 日本專利特開 2005-242373 PTL 4日本專利特開5-158249PTL 5 日本專利特開 2008-19590
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種電子照相感光構件、和各自具有上述電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備，所述電子照相感光構件能夠持續(xù)地保持降低由與接觸構件等接觸產(chǎn)生的接觸應力的效果，并且重復使用時的電位穩(wěn)定性優(yōu)良。本發(fā)明提供一種電子照相感光構件，其包括支承體；設置在所述支承體上的電荷產(chǎn)生層；和設置在所述電荷產(chǎn)生層上的電荷輸送層，所述電荷輸送層包含電荷輸送材料和樹脂，并且其為表面層。在上述電子照相感光構件中，所述電荷輸送層包含所述電荷輸送材料，具有由下述式(I)或(101)表示的重復結構單元、由下述式(2)表示的重復結構單元和由下述式(3)表示的重復結構單元的聚碳酸酯樹脂A，以及選自具有由下述結構單元(C)表示的重復結構單元的聚酯樹脂C與具有由下述式(D)表示的重復結構單元的聚碳酸酯樹脂D中的至少一種，所述聚碳酸酯樹脂A中硅氧烷部位的含量相對于所述聚碳酸酯樹脂A的總質(zhì)量為10至40質(zhì)量％，在所述聚碳酸酯樹脂A中由下式(2)表示的重復結構單元的含量相對于所述聚碳酸酯樹脂A的總質(zhì)量為5至50質(zhì)量％，和所述電荷輸送層具有基體-區(qū)域結構，所述基體-區(qū)域結構包括由所述電荷輸送材料以及選自所述聚酯樹脂C與所述聚碳酸酯樹脂D中的至少一種形成的基體和在所述基體中由所述聚碳酸酯樹脂A形成的區(qū)域。[化學式I]
權利要求
1.一種電子照相感光構件,其包括 支承體； 設置在所述支承體上的電荷產(chǎn)生層；和 設置在所述電荷產(chǎn)生層上的電荷輸送層，所述電荷輸送層包含電荷輸送材料和樹脂，并且其為表面層， 其中所述電荷輸送層包含所述電荷輸送材料、聚碳酸酯樹脂A以及選自聚酯樹脂C與聚碳酸酯樹脂D中的至少一種，所述聚碳酸酯樹脂A具有由下述式(I)或(101)表示的重復結構單元、由下述式(2)表示的重復結構單元和由下述式(3)表示的重復結構單元，所述聚酯樹脂C具有由下述結構單元(C)表示的重復結構單元，所述聚碳酸酯樹脂D具有由下述式(D)表示的重復結構單元， 相對于所述聚碳酸酯樹脂A的總質(zhì)量，所述聚碳酸酯樹脂A中的硅氧烷部位的含量為10至40質(zhì)量％， 相對于所述聚碳酸酯樹脂A的總質(zhì)量，所述聚碳酸酯樹脂A中的由下述式(2)表示的重復結構單元的含量為5至50質(zhì)量％，和 所述電荷輸送層具有基體-區(qū)域結構，所述基體-區(qū)域結構包括由所述電荷輸送材料以及選自所述聚酯樹脂C與所述聚碳酸酯樹脂D中的至少一種形成的基體和在所述基體中由所述聚碳酸酯樹脂A形成的區(qū)域， [化學式I] WnJW2 其中在式(I)中，Y1表示單鍵或取代的或未取代的亞烷基，和 W1和W2獨立地表示由下述式(a)或(b)表示的單價基團 [化學式2](R41 \ R41/ R43 \ Z5 ( R46 \ R46 —24—I~Si一Q- —Si—Z1 (a) Z^—I—Si-O-]—Si—。~|—Si一O-I-Si一7 (…\ R42 I R42\ R44 Jm R45 \ R47 Jk R47 其中在式(a)和(b)中，Z1至Z3獨立地表示取代的或未取代的具有1-4個碳原子的烷基，Z4和Z5獨立地表示取代的或未取代的具有1-4個碳原子的亞烷基，R41至R47獨立地表示取代的或未取代的烷基或取代的或未取代的芳基，n、m和k獨立地表示括號中的結構的平均重復數(shù)，n為10至150，和m+k為10至150， [化學式3]
2.根據(jù)權利要求I所述的電子照相感光構件，其中相對于所述電荷輸送層中的各所述聚碳酸酯樹脂A、所述聚酯樹脂C和所述聚碳酸酯樹脂D的總質(zhì)量，所述電荷輸送層中的聚碳酸酯樹脂A的硅氧烷部位的含量在2至20質(zhì)量％的范圍內(nèi)。
3.根據(jù)權利要求I或2所述的電子照相感光構件，其中在式(I)或(101)中的n在20至100的范圍內(nèi)。
4.一種處理盒，其包括根據(jù)權利要求I至3任一項所述的電子照相感光構件；和選自由充電單元、顯影單元、轉印單元和清潔單元組成的組中的至少一種單元，其中將所述電子照相感光構件和所述至少一種單元一體化支承并可拆卸地安裝至電子照相設備的主體。
5.一種電子照相設備，其包括根據(jù)權利要求I至3任一項所述的電子照相感光構件、充電單元、曝光單元、顯影單元和轉印單元。
全文摘要
本發(fā)明提供一種電子照相感光構件，和各自具有所述電子照相感光構件的處理盒和電子照相設備。在電子照相感光構件中，用作表面層的電荷輸送層包含電荷輸送材料、具有特定量的特定硅氧烷部位的特定重復結構單元的聚碳酸酯樹脂A，和各自具有特定重復結構單元的聚酯樹脂C和/或聚碳酸酯樹脂D。在電荷輸送層中，形成基體-區(qū)域結構，其中基體由電荷輸送材料和聚酯樹脂C和/或聚碳酸酯樹脂D形成，區(qū)域在上述基體中由聚碳酸酯樹脂A形成。
文檔編號G03G5/05GK102782586SQ201080055940
公開日2012年11月14日 申請日期2010年12月2日 優(yōu)先權日2009年12月9日
發(fā)明者奧田篤, 西田孟 申請人:佳能株式會社