專利名稱：曝光裝置、曝光方法以及設(shè)備制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及曝光裝置、曝光方法以及設(shè)備制造方法，更詳細(xì)而言，涉及經(jīng)由光學(xué)系統(tǒng)通過能量束而將物體曝光的曝光裝置及曝光方法，以及使用該曝光裝置或曝光方法的設(shè)備制造方法。
背景技術(shù)：
傳統(tǒng)上，在用于制造諸如半導(dǎo)體設(shè)備(集成電路等)或液晶顯示器元件的電子設(shè)備(微型設(shè)備)的光刻工藝中，主要使用諸如利用步進(jìn)和反復(fù)方法的投影曝光裝置(所謂的步進(jìn)機(jī))，或者利用步進(jìn)和掃描方法的投影曝光裝置(所謂的掃描步進(jìn)機(jī)(還被稱為掃描儀))的曝光裝置。在這些類型的曝光裝置中，通常使用激光干涉儀來測量移動的晶片載臺的位置， 該晶片載臺固持在其上轉(zhuǎn)印并且形成圖案的諸如晶片或玻璃板的基板(以下統(tǒng)稱為晶片)。然而，由于近來圖案隨著半導(dǎo)體設(shè)備的更高集成而更細(xì)微，造成對更高精度的晶片載臺的位置控制性能的需要增加，并且作為結(jié)果，不再能夠忽視由于激光干涉儀的光路上的環(huán)境氣體的溫度波動和/或溫度梯度的影響而造成的測量值的短期變化。為了改進(jìn)這種不便，已提出涉及曝光裝置的各種發(fā)明，這些發(fā)明使用具有與激光干涉儀同一水平或更好的測量分辨率的編碼器，作為晶片載臺的位置測量設(shè)備(例如參照專利文獻(xiàn)1)。然而，在專利文獻(xiàn)1等中公開的浸液曝光裝置中，仍然存在有待改進(jìn)的問題， 諸如當(dāng)受到液體蒸發(fā)時(shí)的氣化熱等的影響時(shí)晶片載臺(安裝在晶片載臺上表面上的光柵) 變形的威脅。為了改進(jìn)這種不便，例如在專利文獻(xiàn)2中，作為第五實(shí)施例，公開了一種曝光裝置，其配備有編碼器系統(tǒng)，該編碼器系統(tǒng)具有布置在由光透射部件所構(gòu)成的晶片載臺的上表面上的光柵，并且通過使測量束從設(shè)置在晶片載臺下方的編碼器主體進(jìn)入晶片載臺并照射在光柵上，并且通過接收在光柵中出現(xiàn)的衍射光，來測量晶片載臺相對于光柵的周期方向的移位。在該裝置中，由于利用玻璃蓋覆蓋光柵，因此光柵不易受到氣化熱的影響，這使得可以高精度地測量晶片載臺的位置。然而，難于使用在涉及專利文獻(xiàn)2的第五實(shí)施例的曝光裝置中采用的編碼器主體的設(shè)置，因?yàn)檩d臺設(shè)備是具有所謂粗/微動結(jié)構(gòu)的載臺設(shè)備，該粗/微動結(jié)構(gòu)是在平臺上移動的粗動載臺和固持晶片并且在粗動載臺上相對于粗動載臺相對移動的微動載臺的組合， 并且在測量微動載臺的位置信息的情況下，粗動載臺位于微動載臺與平臺之間。此外，盡管在對晶片載臺上的晶片進(jìn)行曝光時(shí)，期望測量與晶片表面上的曝光點(diǎn)同一二維平面內(nèi)的晶片載臺的位置信息，但是在晶片載臺相對于二維平面傾斜的情況下， 在例如從下方測量晶片載臺的位置的編碼器的測量值中，將包括因晶片表面與光柵設(shè)置表面的高度差引起的測量誤差。引用列表專利文獻(xiàn)
[專利文獻(xiàn)1]美國專利申請公布第2008/0088843號[專利文獻(xiàn)2]美國專利申請公布第2008/0094594號

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供了第一曝光裝置，其經(jīng)由被第一支撐部件支撐的光學(xué)系統(tǒng)利用能量束將物體曝光，該裝置包括可移動體，其固持該物體并且可沿預(yù)定平面移動；引導(dǎo)表面形成部件，其形成可移動體沿預(yù)定平面移動時(shí)使用的引導(dǎo)表面；第二支撐部件，其經(jīng)由引導(dǎo)表面形成部件與引導(dǎo)表面形成部件分開設(shè)置在光學(xué)系統(tǒng)的相對側(cè)，并且其與第一支撐部件的位置關(guān)系維持在預(yù)定狀態(tài)；位置測量系統(tǒng)，其包括第一測量部件，該第一測量部件使用測量束照射與預(yù)定平面平行的測量表面并且從該測量表面接收光，并且基于第一測量部件的輸出獲得可移動體在預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，該測量表面布置在可移動體和第二支撐部件中的一個處并且第一測量部件的至少一部分布置在可移動體和第二支撐部件中的另一個處；以及傾斜測量系統(tǒng)，其獲得可移動體相對于預(yù)定平面的傾斜信息。根據(jù)該裝置，由位置測量系統(tǒng)獲得可移動體在預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，并且由傾斜測量系統(tǒng)獲得可移動體相對于預(yù)定平面的傾斜信息。因此，可考慮可移動體傾斜造成的位置誤差而精確地驅(qū)動可移動體。在該情況下，引導(dǎo)表面用于在與預(yù)定平面正交的方向上引導(dǎo)可移動體，并且可以是接觸型或非接觸型。例如，非接觸型引導(dǎo)方法包括使用諸如氣墊的氣體靜壓軸承的配置、使用磁浮的配置等。此外，引導(dǎo)表面不限于遵循引導(dǎo)表面的形狀而引導(dǎo)可移動體的配置。例如，在使用諸如氣墊的氣體靜壓軸承的配置中，引導(dǎo)表面形成部件的與可移動體相對的相對表面被磨光以便具有高平面度，并且可移動體經(jīng)由預(yù)定間隙以非接觸方式引導(dǎo)以便遵循相對表面的形狀。另一方面，在其中使用電磁力的馬達(dá)等的一部分設(shè)置在引導(dǎo)表面形成部件處，馬達(dá)等的一部分還設(shè)置在可移動體處，并且協(xié)同操作的引導(dǎo)表面形成部件和可移動體生成在與上述預(yù)定平面正交的方向上作用的力的配置中，通過預(yù)定平面上的力控制可移動體的位置。例如，還包括如下配置其中在引導(dǎo)表面形成部件處布置平面馬達(dá)，并且在可移動體上生成包括預(yù)定平面內(nèi)的彼此正交的兩個方向和與預(yù)定平面正交的方向的方向上的力，并且在不布置氣體靜壓軸承的情況下，使可移動體以非接觸方式浮起。根據(jù)本發(fā)明的第二方面，提供了第二曝光裝置，其經(jīng)由被第一支撐部件支撐的光學(xué)系統(tǒng)利用能量束將物體曝光，該裝置包括可移動體，其固持該物體并且可沿預(yù)定平面移動；第二支撐部件，其與第一支撐部件的位置關(guān)維持在預(yù)定狀態(tài)；可移動體支撐部件，其設(shè)置在光學(xué)系統(tǒng)和第二支撐部件之間以便與第二支撐部件分開，當(dāng)可移動體沿預(yù)定平面移動時(shí)，第二支撐部件在可移動體的與第二支撐部件的縱向方向正交的方向上的至少兩個點(diǎn)處支撐可移動體；位置測量系統(tǒng)，其包括第一測量部件，該第一測量部件利用測量束照射與預(yù)定平面平行的測量表面并且接收來自測量表面的光，并且該位置測量系統(tǒng)基于第一測量部件的輸出獲得可移動體在預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，測量表面被布置在可移動體和第二支撐部件中的一個處并且第一測量部件的至少一部分布置在可移動體和第二支撐部件中的另一個處；以及傾斜測量系統(tǒng)，其獲得可移動體相對于預(yù)定平面的傾斜信息。根據(jù)該裝置，由位置測量系統(tǒng)獲得可移動體在預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，并且由傾斜測量系統(tǒng)獲得可移動體相對于預(yù)定平面的傾斜信息。因此，可考慮可移動體的傾斜造成的位置誤差而精確地驅(qū)動可移動體。在該情況下，可移動體支撐部件在可移動體的與第二支撐部件的縱向方向正交的方向上的至少兩個點(diǎn)處支撐可移動體，這意味著在與第二支撐部件的縱向方向正交的方向上在如下位置支撐可移動體，例如僅在兩端處或者在兩端和與二維平面正交的方向上的中間部分處，在與第二支撐部件的縱向方向正交的方向上的排除中心和兩端的部分處，在與第二支撐部件的縱向方向正交的方向上的包括兩端的整個部分等。在該情況下，支撐的方法除了接觸支撐外，還廣泛包括經(jīng)由諸如氣墊的氣體靜壓軸承的支撐或者磁浮等的非接觸支撐。本發(fā)明的第三方面提供了一種設(shè)備制造方法，其包括利用本發(fā)明的曝光裝置將物體曝光；及將曝光的物體顯影。本發(fā)明的第四方面提供了一種曝光方法，其中經(jīng)由被第一支撐部件支撐的光學(xué)系統(tǒng)利用能量束將物體曝光，該方法包括基于第一測量部件的輸出，獲得可移動體至少在預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，第一測量部件在設(shè)置在可移動體和第二支撐部件中的一個上并且與預(yù)定平面平行的測量表面上照射測量束，并且接收來自測量平面的光，第一測量部件的至少一部分設(shè)置在可移動體和第二支撐部件中的另一個處，可移動體固持物體并且可沿預(yù)定平面移動，第二支撐部件通過其與光學(xué)系統(tǒng)之間的引導(dǎo)表面形成部件與引導(dǎo)表面形成部件分開設(shè)置在光學(xué)系統(tǒng)的相對側(cè)并且其與第一支撐部件的位置關(guān)維持在預(yù)定狀態(tài)，引導(dǎo)表面形成部件形成可移動體沿預(yù)定平面移動時(shí)的引導(dǎo)表面；以及基于可移動體在預(yù)定平面內(nèi)的位置信息以及由可移動體的傾斜造成的位置誤差的校正信息來驅(qū)動可移動體。根據(jù)該方法，基于可移動體在預(yù)定平面內(nèi)的位置信息以及由可移動體的傾斜造成的位置誤差的校正信息來驅(qū)動可移動體。因此，可以在不受由可移動體的傾斜造成的位置誤差的影響的情況下，高精度地驅(qū)動可移動體。本發(fā)明的第五方面提供了一種設(shè)備制造方法，其包括通過本發(fā)明的曝光方法將物體曝光；以及將已曝光的物體顯影。


圖1是示意性地示出一個實(shí)施例的曝光裝置的配置的視圖。圖2是圖1的曝光裝置的俯視圖。圖3是從+Y側(cè)觀察圖1的曝光裝置的側(cè)視圖。圖4(A)是曝光裝置配備的晶片載臺WSTl的俯視圖，圖4(B)是圖4(A)的沿線B-B 截取的橫截面的端視圖，圖4(C)是圖4(A)的沿線C-C截取的橫截面的端視圖。圖5是示出微動載臺位置測量系統(tǒng)的配置的視圖。圖6示出了 X頭的示意性配置。圖7是用于說明圖1的曝光裝置配備的主控制器的輸入/輸出關(guān)系的框圖。圖8是示出俯仰量θ χ中的編碼器相對于微動載臺的Z位置的測量誤差的曲線圖。圖9 (A)和9 (B)是示出測量臂在Z軸方向(豎直方向)上豎直移動(豎直振動) 時(shí)的情況的視圖。圖10是示出測量測量桿的變化的測量系統(tǒng)的配置示例的示圖。圖11是示出其中對設(shè)置在晶片載臺WSTl上的晶片進(jìn)行曝光，并且在晶片載臺WST2上進(jìn)行晶片更換的狀態(tài)的視圖。圖12是示出其中對安裝在晶片載臺WSTl上的晶片進(jìn)行曝光，并且對安裝在晶片載臺WST2上的晶片進(jìn)行晶片對準(zhǔn)的狀態(tài)的視圖。圖13是示出其中晶片載臺WST2在平臺14B上向右側(cè)并列位置移動的狀態(tài)的視圖。圖14是示出其中晶片載臺WSTl與晶片載臺WST2向并列位置的移動結(jié)束的狀態(tài)的視圖。圖15是示出其中對安裝在晶片載臺WST2上的晶片進(jìn)行曝光，并且在晶片載臺 WSTl上進(jìn)行晶片更換的狀態(tài)的視圖。圖16是根據(jù)修改示例的測量測量桿的變化的測量系統(tǒng)的配置的示圖。圖17是示出根據(jù)第一修改示例的2D頭的示意性地配置的視圖。圖18是示出根據(jù)第二修改示例的2D頭的示意性地配置的視圖。圖19是示出根據(jù)第三修改示例的2D頭的示意性地配置的視圖。
具體實(shí)施例方式以下參照圖1至圖15描述本發(fā)明的一個實(shí)施例。圖1示意性地示出了一個實(shí)施例的曝光裝置100的配置。曝光裝置100是利用步進(jìn)和掃描方法的投影曝光裝置，即所謂的掃描儀。如后面描述的，在本實(shí)施例中設(shè)有投影光學(xué)系統(tǒng)PL，并且在以下描述中，進(jìn)行如下假設(shè)與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸AX平行的方向是 Z軸方向，在與Z軸方向正交的平面內(nèi)相對地掃描標(biāo)線片和晶片的方向是Y軸方向，并且與 Z軸及Y軸正交的方向是X軸方向，并且X軸、Y軸及Z軸周圍的旋轉(zhuǎn)(傾斜)方向分別是 θχ、Qy及θ ζ方向，來給出說明。如圖1所示，曝光裝置100配備有設(shè)置在底座12上的+Y側(cè)端部附近的曝光站(曝光處理部)200、設(shè)置在底座12上的-Y側(cè)端部附近的測量站(測量處理部)300、包括兩個晶片載臺WSTl和WST2的載臺設(shè)備50、它們的控制系統(tǒng)等。在圖1中，晶片載臺WSTl位于曝光站200中，并在晶片載臺WSTl上固持晶片W。并且，晶片載臺WST2位于測量站300中， 并在晶片載臺WST2上固持另外的晶片W。曝光站200配備有照明系統(tǒng)10、標(biāo)線片載臺RST、投影單元PU及局部浸液設(shè)備8寸。如例如美國專利申請公開第2003/0025890號等中公開的，照明系統(tǒng)10包括光源及照明光學(xué)系統(tǒng)，該照明光學(xué)系統(tǒng)具有包括光學(xué)積分器等的照度均勻光學(xué)系統(tǒng)、及標(biāo)線片遮簾等(均未示出)。照明系統(tǒng)10利用照明光(曝光的光)IL以基本上均勻的照度照明由標(biāo)線片遮簾(亦稱為屏蔽系統(tǒng))限定的標(biāo)線片R上的縫隙狀照明區(qū)域IAR。作為照明光 IL,使用ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm)作為示例。在標(biāo)線片載臺RST上，例如通過真空吸附而固定標(biāo)線片R，在其圖案表面(圖1 中的下表面)上形成電路圖案等。例如通過包括例如線性馬達(dá)等的標(biāo)線片載臺驅(qū)動系統(tǒng) 11(圖1中未示出，參照圖7)，可在掃描方向(作為圖1的紙表面的橫向方向的Y軸方向) 上以預(yù)定的行程及預(yù)定的掃描速度來驅(qū)動標(biāo)線片載臺RST，并且還可在X軸方向上細(xì)微驅(qū)動標(biāo)線片載臺RST。
通過標(biāo)線片激光干涉儀(以下稱為“標(biāo)線片干涉儀”)13，經(jīng)由固定于標(biāo)線片載臺 RST的可移動鏡15 (實(shí)際上，布置具有正交于Y軸方向的反射表面的Y可移動鏡(或后向反射鏡)和具有正交于X軸方向的反射表面的X可移動鏡)，例如以約0. 25nm的分辨率恒定地檢測標(biāo)線片載臺RST在XY平面內(nèi)的位置信息(包括θ ζ方向上的旋轉(zhuǎn)信息)。標(biāo)線片干涉儀13的測量值被發(fā)送至主控制器20(圖1中未示出，參照圖7)。另外，如例如美國專利申請公開第2007/(^88121號等中公開的，可以通過編碼器系統(tǒng)測量標(biāo)線片載臺RST的位置 fn息ο如例如美國專利第5，646，413號等中詳細(xì)描述的，在標(biāo)線片載臺RST的上方，設(shè)置了利用圖像處理方法的一對標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RA1和RA2,其均具有諸如CCD的成像設(shè)備并且將具有曝光波長的光(本實(shí)施例中的照明光IL)作為對準(zhǔn)用照明光(在圖1中，標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RA2隱藏在標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RAl的紙表面背面?zhèn)?。在測量板位于投影光學(xué)系統(tǒng)PL 的正下方的狀態(tài)下，主控制器20(參照圖7)經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL檢測在標(biāo)線片R上形成的一對標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記(圖略)的投影圖像以及對應(yīng)于標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記的微動載臺WFSl (或 WFS2)上的測量板(后面描述)上的一對第一基準(zhǔn)標(biāo)記，并且根據(jù)主控制器20執(zhí)行的這種檢測，使用該對標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RA1和RA2計(jì)算投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影標(biāo)線片R的圖案的投影域中心與測量板上的基準(zhǔn)位置，即與該對第一基準(zhǔn)標(biāo)記的中心之間的位置關(guān)系。標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RA1和RA2的檢測信號經(jīng)由未圖示的信號處理系統(tǒng)提供給至主控制器20(參照圖7)。另外，不必布置標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RA1和肌2。該情況下，如例如美國專利申請公開第 2002/0041377號說明書等中公開的，優(yōu)選的是在微動載臺處布置具有光透射部(光檢測部)的檢測系統(tǒng)，以便檢測標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記的投影圖像。投影單元PU設(shè)置在圖1中的標(biāo)線片載臺RST下方。投影單元PU經(jīng)由凸緣部FLG 支撐，該凸緣部FLG通過由未示出的支撐部件水平地支撐的主框架(亦稱為計(jì)量框架)BD 而固定到投影單元PU的外周部。主框架BD可被配置為使得通過在支撐部件處布置防振設(shè)備等，不會將振動從外部傳送到主框架或者主框架不會將振動傳送到外部。投影單元PU包括鏡筒40和固持在鏡筒40內(nèi)的投影光學(xué)系統(tǒng)PL。投影光學(xué)系統(tǒng)PL是例如折射光學(xué)系統(tǒng)， 其由沿與Z軸方向平行的光軸AX而排列的多個光學(xué)元件(透鏡元件)構(gòu)成。投影光學(xué)系統(tǒng)PL例如兩側(cè)遠(yuǎn)心(telecentric)并且具有預(yù)定的投影倍率(例如1/4倍、1/5倍或1/8 倍等)。因而，當(dāng)利用來自照明系統(tǒng)10的照明光IL照明標(biāo)線片R上的照明區(qū)域IAR時(shí)，照明光IL通過標(biāo)線片R，該標(biāo)線片R的圖案表面被設(shè)置為與投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第一平面(物體平面)基本上一致。而后，經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL(投影單元PU)，照明區(qū)域IAR內(nèi)的標(biāo)線片R的電路圖案的縮小圖像(電路圖案的一部分的縮小圖像)在區(qū)域(以下亦稱為曝光區(qū)域)IA中形成，該區(qū)域IA與設(shè)置在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的第二平面(圖像平面)側(cè)并且表面涂布抗蝕劑(感應(yīng)劑)的晶片W上與上述照明區(qū)域IAR共軛。而后，通過標(biāo)線片載臺RST 和晶片載臺WSTl (或WST2)的同步驅(qū)動，使標(biāo)線片R相對于照明區(qū)域IAR(照明光IL)在掃描方向(Y軸方向)上移動，并且還使晶片W相對于曝光區(qū)域IA(照明光IL)在掃描方向(Y 軸方向)上移動，來進(jìn)行晶片W上的一個照射區(qū)域(劃分區(qū)域)的掃描曝光。因此，在該照射區(qū)域上轉(zhuǎn)印標(biāo)線片R的圖案。更具體地，在本實(shí)施例中，通過照明系統(tǒng)10及投影光學(xué)系統(tǒng)PL在晶片W上生成標(biāo)線片R的圖案，并且通過照明光(曝光的光)IL將晶片W上的感應(yīng)層(抗蝕層)曝光，而在晶片W上形成圖案。在該情況下，投影單元PU由主框架BD固持，并且在本實(shí)施例中，通過分別經(jīng)由防振機(jī)構(gòu)而設(shè)置在安裝表面(諸如底板表面)上的多個 (例如三個或四個)支撐部件而基本上水平地支撐主框架BD。另外，防振機(jī)構(gòu)可設(shè)置在各支撐部件與主框架BD之間。此外，如例如國際公開第2006/038952號中公開的，可以通過設(shè)置在投影単元PU上方的主框架部件(未示出)或者標(biāo)線片基座等以垂掛方式支撐主框架BD (投影単元PU)。局部浸液設(shè)備8包括液體供給設(shè)備5、液體回收設(shè)備6 (在圖1中均未示出，參照圖 7)及噴嘴單元32等。如圖1所示，噴嘴單元32經(jīng)由未示出的支撐部件以垂掛方式由支撐投影単元PU等的主框架BD支撐，以便包圍固持構(gòu)成投影光學(xué)系統(tǒng)PL的最靠近圖像平面?zhèn)?(晶片W側(cè))的光學(xué)元件(在該情況下是透鏡(以下還稱為“末端透鏡”)191)的鏡筒40 的下端外周。噴嘴單元32配備有液體Lq的供給ロ及回收ロ ；下表面，其與晶片W相對設(shè)置并且布置有回收ロ ；以及分別與液體供給管31A及液體回收管31B(圖1中均未示出，參照圖幻連接的供給流路及回收流路。供給管(未示出)的一端連接到液體供給管31A，而供給管的另一端連接到液體供給設(shè)備5，并且回收管(未示出)的一端連接到液體回收管 31B，而回收管的另一端連接到液體回收設(shè)備6。在本實(shí)施例中，主控制器20控制液體供給設(shè)備5 (參照圖7)以向末端透鏡191與晶片W之間的空間供給液體，并且還控制液體回收設(shè)備6(參照圖7)以從末端透鏡191與晶片W之間的空間回收液體。對于該操作，主控制器20控制供給的液體量與回收的液體量以便保持恒定的液體量Lq(參照圖1)，同時(shí)在末端透鏡191與晶片W之間的空間中恒定地更換液體。在本實(shí)施例中，作為上述液體，使用透射ArF準(zhǔn)分子激光(波長193nm的光)的純水(折射率η為1. 44)。測量站300配備有布置在主框架BD處的對準(zhǔn)設(shè)備99。例如美國專利申請公開第2008/0088843號等中公開的，對準(zhǔn)設(shè)備99包括圖2所示的五個對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl和AI^1至 ΑΙΛ。具體地，如圖2所示，在通過投影単元PU的中心(其是投影光學(xué)系統(tǒng)PL的光軸ΑΧ， 并且在本實(shí)施中，其還與前述曝光區(qū)域IA的中心一致)且與Y軸平行的直線(以下稱為基準(zhǔn)軸)LV上，在其中檢測中心位于從光軸AX向-Y側(cè)離開預(yù)定距離的位置的狀態(tài)下，設(shè)置主要對準(zhǔn)系統(tǒng)AL1。在主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl位于其之間的情況下在X軸方向上的一側(cè)與另一側(cè)，分別布置檢測中心相對于基準(zhǔn)軸LV基本上對稱地設(shè)置的次要對準(zhǔn)系統(tǒng)AIA和ΑΙΛ以及AI^3和ΑΙΛ。更具體地，五個對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl和AU1至ΑΙΛ的檢測中心沿直線(以下稱為基準(zhǔn)軸)LA設(shè)置，該直線LA在主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測中心處與基準(zhǔn)軸LV垂直交叉并且與X軸平行。另外，在圖1中，示出了五個對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl和AIA至AL24，包括固持這些對準(zhǔn)系統(tǒng)的固持設(shè)備(滑塊)，作為對準(zhǔn)設(shè)備99。如例如美國專利申請公開第2009/0233234 號等中公開的，次要對準(zhǔn)系統(tǒng)AIA至ΑΙΛ經(jīng)由可移動滑塊固定到主框架BD的下表面(參照圖1)，并且可通過未圖示的驅(qū)動機(jī)構(gòu)至少在X軸方向上調(diào)整次要對準(zhǔn)系統(tǒng)的檢測區(qū)域的相對位置。在本實(shí)施例中，作為每個對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl和AU1至AL24，例如使用；利用圖像處理方法的FIA(場圖像對準(zhǔn))系統(tǒng)。在例如國際公開第2008/056735號等中詳細(xì)描述了對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl和AU1至ΑΙΛ的配置。來自每個對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl和AU1至AU4的成像信號經(jīng)由未圖示的信號處理系統(tǒng)而供給至主控制器20 (參照圖7)。另外，盡管沒有示出，但是曝光裝置100具有進(jìn)行對晶片載臺WSTl加載晶片以及從晶片載臺WSTl卸載晶片的第一加載位置，以及進(jìn)行對晶片載臺WST2加載晶片以及從晶片載臺WST2卸載晶片的第二加載位置。在本實(shí)施例的情況下，第一加載位置布置在平臺 14A側(cè)，而第二加載位置布置在平臺14B側(cè)。如圖1所示，載臺設(shè)備50配備有底座12 ；設(shè)置在底座12上方的一對平臺14A和 14B (在圖1中平臺14B隱藏于平臺14A的紙表面背面?zhèn)?；兩個晶片載臺WSTl和WST2，在平行于在ー對平臺14A和14B的上表面上形成的XY平面的引導(dǎo)表面上移動；以及測量晶片載臺WSTl和WST2的位置信息的測量系統(tǒng)。底座12由具有平板狀的外形的部件構(gòu)成，并且如圖1所示，在底板表面F上經(jīng)由防振機(jī)構(gòu)(圖略)被基本上水平地(平行于XY平面地)支撐。在底座12的上表面的X軸方向上的中心部處，如圖3所示，形成在與Y軸平行的方向上延伸的凹部12a(凹溝)。在底座12的上表面?zhèn)?在該情況下，排除其中形成凹部12a的部分)容納有線圈單元CU，其包括在將XY ニ維方向用作行方向及列方向的情況下以矩陣形狀設(shè)置的多個線圏。另外，不一定必須布置防振機(jī)構(gòu)。如圖2所示，平臺14A和14B均由從平面觀察(當(dāng)從上方觀察時(shí))縱向方向在Y軸方向上的矩形板狀部件構(gòu)成，并且分別設(shè)置在基準(zhǔn)軸LV的-X側(cè)及+X側(cè)。平臺14A和平臺 14B相對于基準(zhǔn)軸LV對稱，在X軸方向上之間具有極窄的間隙。平臺14A和14B的各個上表面(+Z側(cè)的表面)通過磨光而具有非常高的平坦度，可在每個晶片載臺WSTl和WST2遵循XY平面移動時(shí)使上表面用作相對于Z軸方向的引導(dǎo)表面。替選地，可以使用如下配置 通過后面描述的平面馬達(dá)使Z軸方向上的力作用在晶片載臺WSTl和WST2上，使晶片載臺 WSTl和WST2在平臺14A和14B上磁浮。在本實(shí)施例的情況下，使用了使用平面馬達(dá)的配置并且不使用氣體靜壓軸承，因此無須如前文所述提高平臺14A和14B上表面的平坦度。如圖3所示，平臺14A和14B經(jīng)由未示出的空氣軸承(或滾動軸承)而支撐于底座12的凹部12a的兩側(cè)部分的上表面12b上。平臺14A和14B分別具有引導(dǎo)表面形成于其上表面的具有相對薄的板形狀的第一部分HA1和HB1 ；以及分別一體地固定到該第一部分HA1和HB1的下表面的具有相對厚并且在X軸方向上短的板形狀的第二部分HA2和14も。平臺14A的第一部分HA1的+X側(cè)的端部從第二部分HA2的+X側(cè)的端表面稍微伸出于+X側(cè)，平臺14B的第一部分HB1的-X 側(cè)的端部從第二部分14 的-X側(cè)的端表面稍微伸出于-X側(cè)。然而，該配置不限于上述配置，并且可以使用其中沒有布置伸出的配置。在第一部分HA1和HB1的各個內(nèi)部容納有包括將XY ニ維方向作為行方向及列方向而矩陣狀設(shè)置的多個線圈的線圈單元(圖略)。通過主控制器20 (參照圖7)來控制供給至構(gòu)成每個線圈單元的多個線圈中的每個線圈的電流大小及方向。在平臺14A的第二部分HA2的內(nèi)部(底部)，容納有磁單元MUa，以便對應(yīng)于容納于底座12的上表面?zhèn)鹊木€圈単元CU，該磁單元MUa由將XY ニ維方向用作行方向及列方向而矩陣狀設(shè)置的多個永磁體 (及未示出的磁軛)構(gòu)成。磁單元願a與底座12的線圈單元CU—起構(gòu)成例如平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A(參照圖7)，該平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A由美國專利申請公開第2003/0085676號說明書等中公開的利用電磁力(洛倫茲力)驅(qū)動方法的平面馬達(dá)構(gòu)成。平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A生成在XY 平面內(nèi)的三個自由度方向(Χ、Υ、θ ζ)上驅(qū)動平臺14Α的驅(qū)動力。相似地，在平臺14Β的第二部分14 的內(nèi)部(底部)，容納有磁單元MWd，其由多個永磁體(及未示出的磁軛)構(gòu)成，該磁單元MUb與底座12的線圈單元CU—起構(gòu)成平臺驅(qū)動系統(tǒng)60B (參照圖6)，該平臺驅(qū)動系統(tǒng)60B由在XY平面內(nèi)的三個自由度方向上驅(qū)動平臺14B的平面馬達(dá)構(gòu)成。另外，構(gòu)成各個平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A和60B的平面馬達(dá)的線圈單元及磁單元的設(shè)置可以與上述(動磁式)的情況相反(動圈式，其在底座側(cè)具有磁單元，并且在平臺側(cè)具有線圈單元)。通過例如均包括編碼器系統(tǒng)的第一平臺位置測量系統(tǒng)69A和第二平臺位置測量系統(tǒng)69B(參照圖7)彼此獨(dú)立地獲得(測量)平臺14A和14B在三個自由度方向上的位置信息。第一平臺位置測量系統(tǒng)69A和第二平臺位置測量系統(tǒng)69B的各個輸出供給至主控制器20 (參照圖7)，并且主控制器20基于平臺位置測量系統(tǒng)69A和69B的輸出，控制供給至構(gòu)成平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A和60B的線圈單元的各線圈的電流大小及方向，由此按照需要控制平臺14A和14B在XY平面內(nèi)的三個自由度方向上的各個位置。當(dāng)平臺14A和14B用作后面描述的反作用物(Counter Mass)吋，主控制器20基于平臺位置測量系統(tǒng)69A和69B的輸出，經(jīng)由平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A和60B驅(qū)動平臺14A和14B，以使平臺14A和14B返回平臺的基準(zhǔn)位置，使得使平臺14A和14B從基準(zhǔn)位置的移動距離在預(yù)定范圍內(nèi)。更具體地，平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A和60B用作微調(diào)馬達(dá)(Trim Motor)。對第一平臺位置測量系統(tǒng)69A和第二平臺位置測量系統(tǒng)69B的配置并無特別限定，例如可以使用將編碼器頭部設(shè)置在底座12(或者分別在第二部分14A2和14 處布置編碼器頭部，并且在底座12上配置標(biāo)尺)的編碼器系統(tǒng)，該編碼器頭部通過在設(shè)置在第二部分14A2和14 的各個下表面的標(biāo)尺(例如ニ維光柵)上照射測量束，并且接收由ニ維光柵生成的衍射光(反射光)，來獲得(測量)各個平臺14A和14B的XY平面內(nèi)的三個自由度方向上的位置信息。另外，還可以通過例如光學(xué)干渉儀系統(tǒng)或者作為光學(xué)干涉儀系統(tǒng)和編碼器系統(tǒng)的組合的測量系統(tǒng)來獲得(測量)平臺14A和14B的位置信息。如圖2所示，晶片載臺之一，即晶片載臺WSTl配備有固持晶片W的微動載臺WFSl 以及包圍微動載臺WFSl的周圍的矩形框狀的粗動載臺WCS1。如圖2所示，晶片載臺中的另 ー個，即晶片載臺WST2配備有固持晶片W的微動載臺WFS2以及包圍微動載臺WFS2的周圍的矩形框狀粗動載臺WCS2。如根據(jù)圖2顯見的，除了晶片載臺WST2相對于晶片載臺WSTl 以橫向反轉(zhuǎn)的狀態(tài)設(shè)置之外，晶片載臺WST2具有與晶片載臺WSTl完全相同的包括驅(qū)動系統(tǒng)、位置測量系統(tǒng)等的配置。因此，在以下描述中，有代表性地關(guān)注并描述晶片載臺WST1，并且僅在特別需要關(guān)于晶片載臺WST2的描述的情況下才描述晶片載臺WST2。如圖4 (A)所示，粗動載臺WCSl具有一對粗動滑塊部90a和90b，它們在Y軸方向上離開而彼此平行設(shè)置，并且均由將X軸方向作為縱向方向的長方體部件構(gòu)成；以及ー對耦接部件9 和92b，它們均由將Y軸方向作為縱向方向的長方體部件構(gòu)成，并且在Y軸方向上以一端和另一端耦接ー對粗動滑塊部90a和90b。更具體地，粗動載臺WCSl形成為矩形框狀，在其中心部具有貫穿于Z軸方向的矩形開ロ部。如圖4⑶及圖4(C)所示，在粗動滑塊部90a和90b的內(nèi)部(底部)分別容納有磁單元96a和96b。磁單元96a和分別對應(yīng)于容納在平臺14A和14B的第一部分HA1 和HB1的內(nèi)部的線圈單元，并且均由將XY ニ維方向作為行方向及列方向而矩陣狀設(shè)置的多個磁體構(gòu)成。磁單元96a和96b與平臺14A和14B的線圈單元一起構(gòu)成粗動載臺驅(qū)動系統(tǒng)62A(參照圖7)，其由例如美國專利申請公開第2003/0085676號等中公開的、能夠產(chǎn)生在X軸方向、Y軸方向、Z軸方向、ΘΧ方向、9y方向及ΘΖ方向(以下描述為六個自由度方向，或者六個自由度方向(Χ、Υ、Ζ、ΘΧ、θγ及θ ζ))上驅(qū)動粗動載臺WCSl的驅(qū)動カ的利用電磁力(洛倫茲力)驅(qū)動方法的平面馬達(dá)構(gòu)成。此外，與之相似，晶片載臺WST2的粗動載臺WCS2(參照圖2)具有的磁單元以及平臺14A和14B的線圈單元構(gòu)成由平面馬達(dá)構(gòu)成的粗動載臺驅(qū)動系統(tǒng)62B(參照圖7)。在該情況下，因?yàn)閆軸方向上的力作用于粗動載臺 WCSl (或WCS2)上，因此粗動載臺在平臺14A和14B上磁浮。因此，不需要使用要求相對高加工精度的氣體靜壓軸承，并且因此不需要提高平臺14A和14B的上表面的平坦度。另外，本實(shí)施例的粗動載臺WCSl和WCS2具有其中僅粗動滑塊部90a和90b具有平面馬達(dá)的磁單元的結(jié)構(gòu)，但是本實(shí)施例不限于此，并且磁單元還可以設(shè)置在耦接部件92a 和92b處。此外，驅(qū)動粗動載臺WCSl和WCS2的致動器不限于利用電磁力(洛倫茲力)驅(qū)動方法的平面馬達(dá)，還可以使用例如利用可變磁阻驅(qū)動方法的平面馬達(dá)等。此外，粗動載臺 WCSl和WCS2的驅(qū)動方向不限于六個自由度方向，其還可以是例如僅XY平面內(nèi)的三個自由度方向(Χ、Υ、θ ζ)。在該情況下，例如應(yīng)使用氣體靜壓軸承(例如空氣軸承)使粗動載臺 WCSl和WCS2在平臺14Α和14Β上浮起。此外，在本實(shí)施例中，盡管動磁式的平面馬達(dá)被用作各個粗動載臺驅(qū)動系統(tǒng)62Α和62Β，但是除此之外，還可使用動圈式的平面馬達(dá)，其中在平臺上設(shè)置磁単元并且在粗動載臺上設(shè)置線圈單元。在粗動滑塊部90a的-Y側(cè)的側(cè)表面及粗動滑塊部90b的+Y側(cè)的側(cè)表面上，分別固定有在細(xì)微驅(qū)動微動載臺WFSl時(shí)用作引導(dǎo)的引導(dǎo)部件9 和94b。如圖4(B)所示，引導(dǎo)部件94a由在X軸方向上延伸的橫截面為L狀的部件構(gòu)成，并且其下表面被設(shè)置為與粗動滑塊部90a的下表面齊平。引導(dǎo)部件94b被配置和設(shè)置為與引導(dǎo)部件9 相似，盡管引導(dǎo)部件94b相對于引導(dǎo)部件9 橫向?qū)ΨQ。在引導(dǎo)部件9 的內(nèi)部(底表面)，在X軸方向上以預(yù)定距離容納有ー對線圈単元 CUa和Cub，每個線圈單元包括將XY ニ維方向作為行方向及列方向而矩陣狀設(shè)置的多個線圈(參照圖4(A))。同吋，在引導(dǎo)部件94b的內(nèi)部(底部)，容納有一個線圈単元CUc，其包括將XY ニ維方向作為行方向及列方向而矩陣狀設(shè)置的多個線圈(參照圖4(A))。供給至構(gòu)成線圈單元CUa至CUc的各線圈的電流大小及方向由主控制器20 (參照圖7)控制。在耦接部件9 和/或92b的內(nèi)部，可以容納各種類型的光學(xué)部件(例如空間圖像測量器、照度不均勻測量器、照度監(jiān)視器、波面像差測量器等)。在該情況下，當(dāng)通過構(gòu)成粗動載臺驅(qū)動系統(tǒng)62A的平面馬達(dá)在平臺14A上以加速/ 減速而在Y軸方向上驅(qū)動晶片載臺WSTl時(shí)(例如，當(dāng)晶片載臺WSTl在曝光站200與測量站300之間移動吋)，平臺14A由于晶片載臺WSTl的驅(qū)動カ的反作用力的作用，根據(jù)所謂的作用和反作用定律(動量守恒定律)在與晶片載臺WSTl相反的方向上移動。此外，還可以通過平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A在Y軸方向上產(chǎn)生驅(qū)動力，實(shí)現(xiàn)其中上述作用和反作用定律不成立的狀態(tài)。此外，當(dāng)在平臺14B上在Y軸方向上驅(qū)動晶片載臺WST2吋，平臺14B也由于晶片載臺WST2的驅(qū)動カ的反作用力的作用，根據(jù)所謂的作用和反作用定律(動量守恒定律)在與晶片載臺WST2相反的方向上被驅(qū)動。更具體地，平臺14A和14B用作反作用物，并且由晶片載臺WSTl和WST2以及平臺14A和14B整體構(gòu)成的系統(tǒng)的動量守恒，并且不會發(fā)生重心移動。因此，不會出現(xiàn)諸如因晶片載臺WSTl和WST2在Y軸方向上的移動造成的作用在平臺14A和14B上的偏負(fù)荷的任何問題。另外，關(guān)于晶片載臺WST2，可以通過利用平臺驅(qū)動系統(tǒng)60B在Y軸方向上產(chǎn)生驅(qū)動力，實(shí)現(xiàn)其中上述作用和反作用定律不成立的狀態(tài)。此外，對于晶片載臺WSTl和WST2在X軸方向上的移動，由于驅(qū)動力的反作用力的作用，平臺14A和14B用作反作用物。如圖4(A)及圖4(B)所示，微動載臺WFSl配備有由從平面觀察為矩形的部件構(gòu)成的主體部80、固定于主體部80的+Y側(cè)的側(cè)表面的一對微動滑塊部8 和84b、以及固定于主體部80的-Y側(cè)的側(cè)表面的微動滑塊部84c。主體部80由熱膨脹率相對小的材料形成，例如陶瓷、玻璃等，并且在其中主體部的底表面與粗動載臺WCSl的底表面齊平的狀態(tài)下，通過粗動載臺WCSl以非接觸方式支撐主體部80。主體部80可以中空以減輕重量。另外，主體部80的底表面不一定必須與粗動載臺WCSl的底表面齊平。在主體部80的上表面的中心設(shè)置有通過真空吸附等固持晶片W的晶片固持器 (未示出)。在本實(shí)施例中，使用利用所謂的支臂夾頭(pin chuck)方法的晶片固持器，其中例如在環(huán)狀的凸部(凸緣部(rim part))內(nèi)形成支撐晶片W的多個支撐部(支臂部件)， 并且ー個表面(正表面)用作晶片安裝面的晶片固持器在另ー表面(背表面)側(cè)布置后面描述的ニ維光柵RG等。另外，晶片固持器可以與微動載臺WFSl (主體部80) —體地形成， 或者可以例如經(jīng)由諸如靜電吸盤機(jī)構(gòu)或夾鉗機(jī)構(gòu)的固持機(jī)構(gòu)可裝卸地固定到主體部80。在該情況下，光柵RG將布置在主體部80的背表面?zhèn)?。此外，晶片固持器還可以通過粘合劑等而固定到主體部80。如圖4(A)所示，在主體部80的上表面上，板(拒液板)82附接在晶片固持器(晶片W的安裝區(qū)域)的外側(cè)，板82在中心形成比晶片W(晶片固持器)略大的圓形開ロ，并且具有對應(yīng)于主體部80的矩形外形(輪廓)。針對板82的表面應(yīng)用針對液體Lq的拒液處理(形成拒液表面)。在本實(shí)施例中，板82的表面包括由金屬、陶瓷或玻璃等構(gòu)成的基材，以及形成于其基材表面上的拒液性材料的膜。拒液性材料例如包括PFA(四氟乙烯-全氟代烷基乙烯基醚共聚合物(Tetra fluoro ethylene-per fluoro alkylvinyl ether copolymer))、PTFE (高分子聚四氟乙烯(Poly tetra fluoro ethylene))等。另外，形成膜的材料還可以是丙烯基樹脂或硅樹脂。此外，整個板82可以由PFA、PTFE、特氟龍(注冊商標(biāo))、丙烯基樹脂及硅樹脂的至少ー個形成。在本實(shí)施例中，板82的上表面相對于液體Lq的接觸角例如大于或等于90度。在前述耦接部件92b的表面上，也應(yīng)用相似的拒液化處理。板82固定于主體部80的上表面，使得板82的整個表面(或者一部分表面)與晶片W的表面齊平。此外，板82及晶片W的表面與前述耦接部件92b的表面基本上齊平。此外，在位于板82的+Y側(cè)的+X側(cè)的角落附近形成圓形的開ロ，并且在與晶片W的表面基本上齊平的狀態(tài)下，在該開口內(nèi)無間隙地設(shè)置測量板FM1。在測量板FMl的上表面上，形成一對第一基準(zhǔn)標(biāo)記，用于分別由前面描述的ー對標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RA1和RA2(參照圖1和圖7) 檢測，并且形成第二基準(zhǔn)標(biāo)記，用于由主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl檢測(均未圖示)。如圖2所示， 在晶片載臺WST2的微動載臺WFS2中，在位于板82的+Y側(cè)的-X側(cè)的角落附近，在與晶片 W的表面基本上齊平的狀態(tài)下固定與測量板FMl相似的測量板FM2。另外，除了將板82附接到微動載臺WFSl (主體部80)之外，還可以例如與微動載臺WFSl —體形成晶片固持器， 并且將拒液化處理應(yīng)用于微動載臺WFSl的上表面的包圍晶片固持器的周圍區(qū)域(與板82相同的區(qū)域(可以包括測量板的表面))并且形成拒液面。如圖4(B)所示，在微動載臺WFSl的主體部80的下表面中心部中，在其下表面與其他部分(周圍部分)基本上齊平(板的下表面沒有在周圍部分下方突出)的狀態(tài)下，設(shè)置具有預(yù)定的薄板形狀的板，其覆蓋晶片固持器(晶片W的安裝區(qū)域)與測量板FMl(或者在微動載臺WFS2的情況下，是測量板FiC)的程度是大的。在板的ー個表面(上表面(或下表面))上，形成有ニ維光柵RG (以下簡稱為光柵RG)。光柵RG包括以X軸方向?yàn)橹芷诜较虻姆瓷湫脱苌涔鈻?X衍射光柵)以及以Y軸方向?yàn)橹芷诜较虻姆瓷湫脱苌涔鈻?Y衍射光柵)。板例如由玻璃形成，并且光柵RG通過例如如下方法創(chuàng)建以138nm至^!之間的節(jié)距，例如以Im的節(jié)距刻上衍射光柵的刻度。另外，光柵RG還可以覆蓋主體部80的整個下表面。此外，用于光柵RG的衍射光柵的類型不限于形成溝等的類型，例如還可以使用通過在光敏樹脂上將干涉條紋曝光而創(chuàng)建的衍射光柵。另外，具有薄板狀的板的配置不一定限于上述配置。如圖4 (A)所示，從平面觀察，一對微動滑塊部8 和84b均為大致正方形的板狀部件，并且在主體部80的+Y側(cè)的側(cè)表面上，在X軸方向上以預(yù)定距離隔開。從平面觀察， 微動滑塊部8 是具有在X軸方向上伸長的長方形的板狀部件，并且在其中縱向方向上的一端與另一端位于與微動滑塊部8 和84b的中心基本上同線的Y軸平行的直線上的狀態(tài)下，固定到主體部80的-Y側(cè)的側(cè)表面。一對微動滑塊部8 和84b分別被前述引導(dǎo)部件9 支撐，并且微動滑塊部8 被引導(dǎo)部件94b支撐。更具體地，相對于粗動載臺WCS，在三個不同線的位置處支撐微動載臺 WFS。在微動滑塊部84a至8 的內(nèi)部，容納有磁單元98a、9 和98c，它們由將XY ニ維方向作為行方向及列方向而矩陣狀設(shè)置的多個永磁體(及未示出的磁軛)構(gòu)成，以便對應(yīng)于粗動載臺WCSl的引導(dǎo)部件9 和94b具有的線圈單元⑶a ⑶C。磁單元98a與線圈単元⑶a —起，磁單元9 與線圈單元CUb —起，磁單元98c與線圈單元OTc —起，分別構(gòu)成如例如美國專利申請公開第2003/0085676號等中公開的能夠在X軸、Y軸和Z軸方向上產(chǎn)生驅(qū)動カ的利用電磁力(洛倫茲力)驅(qū)動方法的三個平面馬達(dá)，并且這三個平面馬達(dá)構(gòu)成在六個自由度方向(Χ、Υ、Ζ、ΘΧ、0y及θ ζ)上驅(qū)動微動載臺WFSl的微動載臺驅(qū)動系統(tǒng) 64Α(參照圖7)。在晶片載臺WST2中，也同樣地構(gòu)成由粗動載臺WCS2具有的線圈單元與微動載臺 WFS2具有的磁單元構(gòu)成的三個平面馬達(dá)，并且這三個平面馬達(dá)構(gòu)成在六個自由度方向(X、 Y、Ζ、θ χ、θ y及θ ζ)上驅(qū)動微動載臺WFS2的微動載臺驅(qū)動系統(tǒng)64Β(參照圖7)。 微動載臺WFSl可在X軸方向上沿在X軸方向上延伸的引導(dǎo)部件9 和94b移動， 其行程比其他五個自由度方向的行程長。微動載臺WFS2也是這樣。通過上述結(jié)構(gòu)，微動載臺WFSl可相對于粗動載臺WCSl在六個自由度方向上移動。 此外，對于該操作，由于微動載臺WFSl驅(qū)動的反作用力的作用，與前述內(nèi)容相似的作用和反作用定律(動量守恒定律)成立。更具體地，粗動載臺WCSl用作微動載臺WFSl的反作用物，并且粗動載臺WCSl在與微動載臺WFSl相反的方向上驅(qū)動。微動載臺WFS2與粗動載臺WCS2具有相似的關(guān)系。此外，如前文所述，由于由粗動載臺WCSl在三個不同線位置支撐微動載臺WFS1，因此主控制器20通過例如適當(dāng)?shù)乜刂谱饔迷诿總€微動滑塊部8 至8 上的Z軸方向上的驅(qū)動カ(推力)，可以以任意的角度(旋轉(zhuǎn)量)使微動載臺WFSl (即晶片W)相對于XY平面在θ χ和/或θ y方向上傾斜。此外，主控制器20通過例如實(shí)現(xiàn)每個微動滑塊部8 和 84b上的+ θ χ方向(在圖4(B)的紙表面上的逆時(shí)針方向上)上的驅(qū)動カ并且還實(shí)現(xiàn)微動滑塊部8 上的-ΘΧ方向(圖4(B)的紙表面上的順時(shí)針方向)上的驅(qū)動力，可使微動載臺 WFSl的中心部在+Z方向上彎曲(成凸?fàn)?。此外，主控制器20還可以通過例如分別實(shí)現(xiàn)微動滑塊部8 和84b上的-θ y方向和+ θ y方向(當(dāng)從+Y側(cè)觀察吋，分別為逆時(shí)針方向和順時(shí)針方向)上的驅(qū)動力，也可使微動載臺WFSl的中心部在+Z方向上彎曲(成凸?fàn)?。 對于微動載臺WFS2，主控制器20也可以進(jìn)行相似的操作。另外，在本實(shí)施例中，作為微動載臺驅(qū)動系統(tǒng)64A和64B，使用動磁式的平面馬達(dá)， 但是本實(shí)施例不限于此，還可以使用其中在微動載臺的微動滑塊部處設(shè)置線圈單元并且在粗動載臺的引導(dǎo)部件處設(shè)置磁單元的動圈式平面馬達(dá)。如圖4㈧所示，在粗動載臺WCSl的耦接部件92a與微動載臺WFSl的主體部80 之間，安裝有ー對管86a和86b，其用于將從外部經(jīng)由管載體供給至耦接部件92a的用カ傳導(dǎo)至微動載臺WFSl。管86a和86b的一端連接到耦接部件92a的+X側(cè)的側(cè)表面，并且另一端分別經(jīng)由ー對具有預(yù)定深度的凹部80a(參照圖4(C))連接到主體部80的內(nèi)部，在主體部80的上表面從-X側(cè)的端表面朝向+X方向以預(yù)定的長度形成每個凹部80a。如圖4(C) 所示，管86a和86b被配置為不會在微動載臺WFSl的上表面上方突出。如圖2所示，在粗動載臺WCS2的耦接部件9 與微動載臺WFS2的主體部80之間，安裝ー對管86a和86b，用于將從外部供給至耦接部件92a的用力傳送至微動載臺WFS2。這里的“用力”是從外部經(jīng)由管載體(未示出)供給至耦接部件92a的用于各種傳感器類和諸如馬達(dá)的致動器的電力、對致動器進(jìn)行溫度調(diào)整的冷卻剤、用于空氣軸承的加壓空氣等的統(tǒng)稱。在需要真空吸力的情況下，用于真空的力(負(fù)壓)亦包括于用カ中。分別對應(yīng)于晶片載臺WSTl和WST2成對設(shè)置管載體，并且實(shí)際上各管載體設(shè)置在臺階部上，該臺階部形成在圖3所示的底座12的-X側(cè)及+X側(cè)的端部處，并且在臺階部上通過諸如線性馬達(dá)的致動器遵循晶片載臺WSTl和WST2而在Y軸方向上驅(qū)動管載體。接下來，描述測量晶片載臺WSTl和WST2的位置信息的測量系統(tǒng)。曝光裝置100 具有測量微動載臺WFSl和WFS2的位置信息的微動載臺位置測量系統(tǒng)70 (參照圖7)以及分別測量粗動載臺WCSl和WCS2的位置信息的粗動載臺位置測量系統(tǒng)68A和68B (參照圖 7)。微動載臺位置測量系統(tǒng)70具有圖1所示的測量桿71。如圖3所示，測量桿71設(shè)置在一對平臺14A和14B分別具有的第一部分HA1和HB1的下方。根據(jù)圖1及圖3顯見， 測量桿71由以Y軸方向?yàn)榭v向方向的橫截面為矩形的梁狀部件構(gòu)成，并且其縱向方向的兩個端部均經(jīng)由垂掛部件74而在垂掛狀態(tài)下固定于主框架BD。更具體地，主框架BD與測量桿71是一體的。測量桿71的+Z側(cè)半部(上半部)設(shè)置在平臺14A的第二部分14A2和平臺14B的第二部分14 之間，并且-Z側(cè)半部(下半部)容納在底座12中形成的凹部12a內(nèi)。此外， 在測量桿71與每個平臺14A和14B及底座12的之間形成預(yù)定的游隙，并且測量桿71處于與主框架BD以外的部件的非接觸的狀態(tài)。測量桿71由熱膨脹系數(shù)較低的材料(例如不脹鋼或陶瓷等)形成。另外，測量桿71的形狀沒有特別限制。例如，測量部件還可以具有圓形(圓柱狀)橫截面或者梯形或三角橫截面。此外，測量部件不一定必須由諸如桿狀或梁狀部件的長形部件形成。如圖5所示，在測量桿71處，布置在測量位于投影単元PU下方的微動載臺(WFS1 或WFS2)的位置信息時(shí)使用的第一測量頭群72以及在測量位于對準(zhǔn)設(shè)備99下方的微動載臺(WFS1或WFS2)的位置信息時(shí)使用的第二測量頭群73。另外，為了易于理解附圖，在圖5 中以虛線(ニ點(diǎn)鏈線)示出了對準(zhǔn)系統(tǒng)AL1和AIA至ΑΙΛ。此外，在圖5中省略了對準(zhǔn)系統(tǒng)AU1至ΑΙΛ的附圖標(biāo)記。如圖5所示，第一測量頭群72設(shè)置在投影単元PU的下方并且包括用于X軸方向測量的一維編碼器頭(以下簡稱為X頭或編碼器頭)75x、一對用于Y軸方向測量的一維編碼器頭(以下簡稱為Y頭或編碼器頭)75ya和75yb、以及三個Z頭76a、7l36和76c。X頭75x、Y頭75ya和75yb以及三個Z頭76a至76c在其中它們的位置不變化的狀態(tài)下設(shè)置在測量桿71的內(nèi)部。X頭75x設(shè)置在基準(zhǔn)軸LV上，并且Y頭75ya和75yb被設(shè)置成在-X側(cè)及+X側(cè)分別離開X頭75x相同的距離。在本實(shí)施例中，作為三個編碼器頭 75x、75ya和75yb中的每個，使用衍射干擾型的頭，例如與PCT國際公開第2007/083758號 (對應(yīng)于美國專利申請公開第2007/(^88121號)等中公開的編碼器頭相似的，將光源、光檢測系統(tǒng)(包括光檢測器)及各種光學(xué)系統(tǒng)予以単元化而構(gòu)成的頭。現(xiàn)將描述三個頭75x、75ya和75yb的配置。圖6代表性地示出了 X頭75x的大致配置，其表示三個頭75x、75ya和75yb。如圖6中所示，X頭75x配備有其分離平面與H平面平行的偏光分束器PBS、ー對反射鏡Rla和Rib、透鏡Ua和L2b、四分之一波長板(以下描述為人/4板)1 1￡1和1 113、 反射鏡Rh和R2b、光源LDx、光檢測系統(tǒng)PDx等，并且這些光學(xué)元件按預(yù)定的位置關(guān)系設(shè)置。如圖5及圖6所示，X頭75x予以單元化并且固定到測量桿71的內(nèi)部。如圖6所示，激光束LB^從光源LDx發(fā)射，并且入射在偏光分束器PBS上。激光束 LBx0被偏光分束器PBS偏光分離成兩個測量束LBx1和LB^。透射通過偏光分束器PBS的測量束LBx1經(jīng)由反射鏡Rla到達(dá)在微動載臺WFSl (WFS2)上形成的光柵RG，并且被偏光分束器PBS反射的測量束LB^經(jīng)由反射鏡Rlb而到達(dá)光柵RG。在該情況下，“偏光分離”意味著將入射束分離成P偏光成分與S偏光成分。另外，在X頭75x的情況下，兩個測量束LB^和LB^經(jīng)由平臺14A與平臺14B之間的空氣間隙(參照圖5)到達(dá)設(shè)置在微動載臺WFSl (或WFS2)的下表面上的光柵RG。此外，在后文描述的Y頭75ya和75yb的情況下，測量束經(jīng)由在平臺14A和14B的各個第一部分HA1和HB1中形成的光透射部(例如開ロ )到達(dá)光柵RG。通過由照射測量束LBXl、LB&而從光柵RG產(chǎn)生的預(yù)定階數(shù)的衍射束(例如ー階衍射束)分別經(jīng)由透鏡L2a，L2b通過入/4板1 1も1 113變換成圓偏光，并且通過反射鏡1 2&， R2b反射，隨后束再度穿過λ /4板WPla，WPlb,并且反方向沿著相同的光路而到達(dá)偏光分束器 PBS。到達(dá)偏光分束器PBS的兩個ー階衍射束的各個偏光方向相當(dāng)于原來的方向旋轉(zhuǎn) 90度。因而之前已穿過偏光分束器PBS的測量束LBx1的一階衍射束被偏光分束器PBS反射。之前被偏光分束器PBS反射的測量束LB^的ー階衍射束穿過偏光分束器PBS。因此，測量束LBx1, LBx2的各個ー階衍射束在同軸上合成為合成束LBx12。合成束LBx12被發(fā)送至光檢測系統(tǒng)PDx。在光檢測系統(tǒng)PDx中，使合成為合成束LBx12的束LBx1,LB^的一階衍射束通過未示出的偏光鏡(檢偏鏡)來排列，束相互重疊以形成干擾光，該干擾光通過由未圖示的光檢測器檢測，并且依干擾光的強(qiáng)度被變換成電氣信號。此時(shí)，當(dāng)微動載臺WFSl在測量方向(此時(shí)為X軸方向)移動時(shí)，兩個束間的相位差變化，這導(dǎo)致干擾光的強(qiáng)度變化。X頭75x輸出該干擾光的強(qiáng)度變化，是作為微動載臺WFSl在X軸方向的位置信息輸出的。Y頭75ya、75yb與X頭75x中的情況是一致的，并固定于測量桿71的內(nèi)部。從Y 頭75ya、75yb輸出微動載臺WFSl在Y軸方向的位置信息。更具體地說，由輸出微動載臺WFSl (或WFS2)在X軸方向的位置信息的X頭75x 構(gòu)成X線性編碼器51 (參照圖7)。此外，過由輸出微動載臺WFSl (或WFS2)在Y軸方向的位置信息的ー對Y頭75ya、75yb構(gòu)成ー對Y線性編碼器52、53 (參照圖7)。X頭75x(X線性編碼器51)和Y頭75ya、75yb(Y線性編碼器52、53)的輸出(位置信息)被供給至主控制裝置20 (參照圖7)。主控制裝置20從X頭75x的輸出(位置信息)獲得微動載臺WFSl (或WFS2)在X軸方向的位置，并從Y頭75ya、75yb的輸出(位置信息)的平均及差分別獲得微動載臺WFSl (或WFS2)在Y軸方向的位置及在θ ζ方向的位置(θ ζ旋轉(zhuǎn))。在該情況下，從X頭75χ照射的測量束在光柵RG上的照射點(diǎn)(檢測點(diǎn))與作為晶片W上的曝光區(qū)域ΙΑ(參照圖1)的中心的曝光位置一致。此外，分別從ー對Y頭75ya、 75yb照射的測量束在光柵RG上的ー對照射點(diǎn)(檢測點(diǎn))的中心與從X頭75x照射的測量束在光柵RG上的照射點(diǎn)(檢測點(diǎn))一致。主控制裝置20依據(jù)ニ個Y頭75ya、75yb的測量值的平均算出微動載臺WFSl (或WFS2)在Y軸方向的位置信息。因而微動載臺WFSl(或 WFS2)在Y軸方向的位置信息實(shí)質(zhì)上是在作為照射在晶片W上的照明光IL的照射區(qū)域(曝光區(qū)域)IA中心的曝光位置處測量的。更具體地說，X頭75x的測量中心及ニ個Y頭75ya、 75yb的實(shí)質(zhì)的測量中心與曝光位置一致。因此，通過使用X線性編碼器51及Y線性編碼器 52,53,主控制裝置20可隨時(shí)在曝光位置的正下方(在背側(cè)上)進(jìn)行對微動載臺WFSl (或 WFS2)在XY平面內(nèi)的位置信息(包括θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息)的測量。像每個Z頭76a至76c那樣，例如通過與⑶驅(qū)動設(shè)備等中使用的光學(xué)拾取相同的光學(xué)方法來使用具有光學(xué)式移位傳感器的頭。三個Z頭76a至76c配置干與等腰三角形 (或正三角形)的各頂點(diǎn)對應(yīng)的位置。各個Z頭76a至76c用從下方與Z軸平行的測量束來照射微動載臺WFSl (或WFS2)的下表面，并接收通過形成有光柵RG的板表面(或反射型衍射光柵的形成表面)反射的反射光。因此，各個Z頭76a至76c構(gòu)成在各照射點(diǎn)處測量微動載臺WFSl (或WFS2)的表面位置(Z軸方向的位置)的表面位置測量系統(tǒng)M (參照圖 7)。三個Z頭76a至76c的各個測量值被供給至主控制裝置20 (參照圖7)。此外，頂點(diǎn)位于分別從三個Z頭76a至76c照射的測量束在光柵RG上的三個照射點(diǎn)處的等腰三角形(或正三角形)的重心與曝光位置一致，該曝光位置是晶片W上的曝光區(qū)域IA(參照圖1)的中心。因此，基于三個Z頭76a至76c的測量值的平均值，主控制裝置 20可隨時(shí)在曝光位置的正下方取得微動載臺WFSl (或WFS2)在Z軸方向的位置信息(表面位置信息)。此外，主控制裝置20基于三個Z頭76a至76c的測量值，在微動載臺WFSl (或WFS2)在Z軸方向的位置之外，測量(算出)微動載臺WFSl(或WFS2)在θχ方向及方向的旋轉(zhuǎn)量。第二測量頭群73具有構(gòu)成X線性編碼器55 (參照圖7)的X頭77x、構(gòu)成ー對Y 線性編碼器56、57(參照圖7)的ー對Y頭77ya、77yb、及構(gòu)成表面位置測量系統(tǒng)58 (參照圖7)的三個Z頭78a、78b、78c。以X頭77x作為基準(zhǔn)的ー對Y頭77ya、77yb及三個Z頭 78a至78c的各個位置關(guān)系與上述的以X頭75x作為基準(zhǔn)的ー對Y頭75ya、75yb及三個Z 頭76a至76c的各個位置關(guān)系相同。從X頭77x照射的測量束在光柵RG上的照射點(diǎn)(檢測點(diǎn))與主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測中心一致。更具體地說，X頭77x的測量中心及ニ個Y頭 77ya、77yb的實(shí)質(zhì)的測量中心與主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測中心一致。因此，主控制裝置20 可隨時(shí)在主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測中心處測量微動載臺WFS2 (或WFS1)在XY平面內(nèi)的位置信息及表面位置信息。另外，盡管本實(shí)施例的X頭75x、77x及Y頭75ya、75yb、77ya和77yb具有一致的且置于測量桿71的內(nèi)部的光源、光檢測系統(tǒng)(包括光檢測器)及各種光學(xué)系統(tǒng)予，不過編碼器頭的結(jié)構(gòu)不限于此。例如可將光源及光檢測系統(tǒng)置于測量桿的外部。該情況下，例如經(jīng)由光纖等將置于測量桿內(nèi)部的光學(xué)系統(tǒng)與光源及光檢測系統(tǒng)彼此連接。此外，亦可利用將編碼器頭置于測量桿的外部而僅將測量束經(jīng)由置于測量桿內(nèi)部的光纖引導(dǎo)至光柵的配置。 此外，晶片在θ ζ方向的旋轉(zhuǎn)信息亦可使用ー對X線性編碼器測量(在該情況下應(yīng)該存在 ー個Y線性編碼器)。此外，微動載臺的表面位置信息可例如使用光干渉儀而測量。此外， 取代第一測量頭群72及第ニ測量頭群73的各頭，而將包括其測量方向是X軸方向及Z軸方向的至少ー個TL編碼器頭和其測量方向是Y軸方向及Z軸方向的至少ー個TL編碼器頭的合計(jì)三個編碼器頭，以與先前所述的X頭及ー對Y頭的排列相似的排列來布置。當(dāng)晶片載臺WSTl在平臺14Α上的曝光站200與測量站300之間移動吋，粗動載臺位置測量系統(tǒng)68Α(參照圖7)測量粗動載臺WCSl (晶片載臺WST1)的位置信息。粗動載臺位置測量系統(tǒng)68Α的結(jié)構(gòu)并無特別限定，并且包括編碼器系統(tǒng)或光干渉儀系統(tǒng)(亦可組合光干渉儀系統(tǒng)與編碼器系統(tǒng))。在粗動載臺位置測量系統(tǒng)68Α包括編碼器系統(tǒng)的情況下，可以利用如下配置通過沿著晶片載臺WSTl的移動路徑、從以垂掛狀態(tài)固定于主框架BD的多個編碼器頭將測量束照射在固定(或形成)在粗動載臺WCSl上表面的標(biāo)尺(例如ニ維光柵)，并通過接收測量束的衍射光，來測量粗動載臺WCSl的位置信息。粗動載臺位置測量系統(tǒng)68Α包括光干渉儀系統(tǒng)的情況下，可利用如下配置通過從分別具有平行于X軸的測量軸及平行于Y軸的測量軸的X光干涉儀及Y光干渉儀將測量束照射在粗動載臺WCSl的側(cè)表面，并通過接收測量束的反射光，來測量晶片載臺WSTl的位置信息。粗動載臺位置測量系統(tǒng)68Β (參照圖7)具有與粗動載臺位置測量系統(tǒng)68Α相似的結(jié)構(gòu)，并且測量粗動載臺WCS2(晶片載臺WST2)的位置信息。主控制裝置20基于粗動載臺位置測量系統(tǒng)68A和68B的測量值，通過單獨(dú)地控制粗動載臺驅(qū)動系統(tǒng)62A和62B，來分別控制粗動載臺WCSl和WCS2 (晶片載臺WSTl，WST2)的各個位置。此外，曝光裝置100亦配備有分別測量粗動載臺WCSl與微動載臺WFSl之間的相對位置、及粗動載臺WCS2與微動載臺WFS2之間的相對位置的相對位置測量系統(tǒng)66A和相對位置測量系統(tǒng)66B(參照圖7)。相對位置測量系統(tǒng)66A和66B的結(jié)構(gòu)并無特別限定，例如可分別通過由包括電容傳感器的間隙傳感器而構(gòu)成。該情況下，間隙傳感器例如可通過由固定于粗動載臺WCSl (或WCS2)的探針部與固定于微動載臺WFSl (或WFS2)的目標(biāo)部而構(gòu)成。另外，該配置不限于此，例如可使用線性編碼器系統(tǒng)及光干渉儀系統(tǒng)等而構(gòu)成相對位置測量系統(tǒng)。圖7中顯示了如下框圖其顯示了作為中心部件來構(gòu)成曝光裝置100的控制系統(tǒng)并執(zhí)行對各部件的總體控制的主控制裝置20的輸入/輸出關(guān)系。主控制裝置20包括工作站(或是微電腦)等，并執(zhí)行對諸如局部浸液設(shè)備8、平臺驅(qū)動系統(tǒng)60A和60B、粗動載臺驅(qū)動系統(tǒng)62A和62B及微動載臺驅(qū)動系統(tǒng)64A和64B的、曝光裝置100的各部件的總體控制。如根據(jù)以上的說明所了解的，主控制裝置20通過由使用微動載臺位置測量系統(tǒng) 70的第一測量頭群72，可測量微動載臺WFSl、WFS2在六個自由度方向的位置。在該情況下， 因?yàn)闇y量束的光路長度極短且在第一測量頭群72中包括的X頭75x及Y頭75ya和75yb中大致相等，所以可幾乎忽略空氣波動的影響。因此，可通過第一測量頭群72以高準(zhǔn)確度來測量微動載臺WFSl、WFS2在XY平面內(nèi)(包括θ ζ方向)的位置信息。此外，由于第一測量頭群72 (X頭75χ及Y頭75ya、75yb)在X軸方向及Y軸方向的光柵上的實(shí)質(zhì)的檢測點(diǎn)及Z 頭76a至76c在Z軸方向的微動載臺WFSl、WFS2下表面上的檢測點(diǎn)分別與曝光區(qū)域IA的中心(曝光位置)在XY平面內(nèi)一致，因此可將因檢測點(diǎn)與曝光位置在XY平面內(nèi)的移位而產(chǎn)生的所謂阿貝(Abbe)誤差抑制在實(shí)質(zhì)上可忽略的程度。因此，主控制裝置20通過由使用微動載臺位置測量系統(tǒng)70，可以高精確度來測量微動載臺WFS1、WFS2在X軸方向、Y軸方向及Z軸方向的位置，而沒有任何因檢測點(diǎn)與曝光位置在XY平表面內(nèi)的移位造成的阿貝誤差。另ー方面，由于光柵RG的配置表面與晶片W的表面的Z位置不同，因此，第一測量頭群72 (X頭75x及Y頭75ya、75yb)的檢測點(diǎn)并非總是設(shè)定在作為在平行于投影光學(xué)系統(tǒng) PL的光軸的Z軸方向上的曝光位置的、晶片W表面上的位置處。因此，在光柵RG (換言之， 微動載臺WFSl或WFS^相對于XY平面傾斜的情況下，在基于第一測量頭群72的各編碼器頭的測量值(輸出)而算出的微動載臺WFSl (或WFS2)在XY平面內(nèi)的位置與曝光位置之間，根據(jù)光柵RG配置表面與晶片W表面的Z位置的差Δ Z (換言之，第一測量頭群72的檢測點(diǎn)與曝光位置在Z軸方向的位置移位)以及光柵RG相對于XY平面的傾斜角，產(chǎn)生位置誤差(ー種阿貝誤差，并且在以下描述中稱為第一位置誤差)。然而，該第一位置誤差可使用差ΔΖ與俯仰量ΘΧ、滾動量θ y，以簡單的運(yùn)算獲得。并且，基于使用第一位置誤差程度進(jìn)行校正之后的第一測量頭群72(的各編碼器頭) 的測量值的位置信息，通過設(shè)定微動載臺WFSl和WFS2的位置，這些載臺不受第一位置誤差的影響。此外，通過具有本實(shí)施例的第一測量頭群72 (的各編碼器頭)中那樣的配置的編碼器頭，已知的是測量值除了對在測量方向(Y軸方向或X軸方向)上光柵RG(換言之，微動載臺WFSl或WFS^相對于頭的位置變化具有靈敏度外，亦對在非測量方向上、特別是傾斜方向(θ χ方向、θ y方向)和旋轉(zhuǎn)方向(θ ζ方向)上相對于光柵RG的姿勢變化具有靈敏度(例如參照美國專利申請公開2008/0094593號和美國專利申請公開第2008/0106722 號)。因此，在本實(shí)施例中，主控制裝置20按照以下方式取得(作成)用于校正因?yàn)樵谏鲜龇菧y量方向上、特別是在傾斜方向(ΘΧ方向和θ y方向)和旋轉(zhuǎn)方向(θ ζ方向)上頭與光柵RG的相對運(yùn)動造成的各編碼器的測量誤差(第二位置誤差)的校正信息。在此， 作為示例，將簡單說明用于校正X頭75x的測量誤差的校正信息的作成方法。另外，在實(shí)際上上述測量束LBxl和LBx2不再對稱的情況下，即使因微動載臺WFSl (或WFS2)在Z軸方向上的移位也產(chǎn)生測量誤差，不過，由于該誤差是幾乎可忽略的程度，因此以下為了便于說明，將不產(chǎn)生微動載臺WFSl (或WFS2)在非測量方向(X、Y和Z方向)上的移位而造成的測量誤差。此外，在該情況下，將以微動載臺WFSl及WFS2中的ー個、例如微動載臺WFSl作為 X頭7 測量位置信息的對象來進(jìn)行說明。a.主控制裝置20首先在使用粗動載臺位置測量系統(tǒng)68A監(jiān)視晶片載臺WSTl的位置信息的同時(shí)控制粗動載臺驅(qū)動系統(tǒng)62A，并且與粗動載臺WCSl —起將微動載臺WFSl驅(qū)動到X頭7 可測量的區(qū)域內(nèi)。b.其次，主控制裝置20基于Y頭75ya和75yb及Z頭76a至76c的輸出(測量結(jié)果)，控制微動載臺驅(qū)動系統(tǒng)64A，并設(shè)置微動載臺WFSl，使得滾動量θ y及偏轉(zhuǎn)量θ ζ均為零并且預(yù)定的俯仰量θ χ設(shè)定為希望的值0^1(例如為20(^1^(1)。c.其次，主控制裝置20基于Y頭75ya和75yb及Z頭76a至76c的測量結(jié)果，在預(yù)定的范圍內(nèi)(例如-IOOym至+IOOym)在Z軸方向上驅(qū)動微動載臺WFSl (WFS2)，以預(yù)定的抽樣間隔索取測量微動載臺WFSl (WFS2)在X軸方向的位置的X頭75x的測量值，并存儲于內(nèi)部存儲器中，同時(shí)控制微動載臺驅(qū)動系統(tǒng)64A并維持上述微動載臺WFSl的姿勢(俯仰量θ χ = θ χΟ，滾動量θ y = 0，偏轉(zhuǎn)量θ ζ = 0)。 d.其次，主控制裝置20基于Y頭75ya和75yb及Z頭76a至76c的測量結(jié)果控制微動載臺驅(qū)動系統(tǒng)64A，在保持微動載臺WFSl的滾動量θ y及偏轉(zhuǎn)量θ ζ固定的同時(shí)，將俯仰量ΘΧ改變Δ θ χ，并且隨后就各俯仰量θ χ執(zhí)行與上述c.相似的處理。主控制裝置20 在預(yù)定的范圍內(nèi)，例如在-200 μ rad至+200 μ rad，將俯仰量θ χ改變Δ θ χ。e.其次，將通過上述的b.至d.處理而獲得的內(nèi)部存儲器內(nèi)的各數(shù)據(jù)標(biāo)注在其橫軸表示微動載臺WFSl的Z位置而縱軸表示X頭75x的測量值的ニ維坐標(biāo)系上。這允許通過為每個俯仰量θχ連結(jié)標(biāo)注點(diǎn)而獲得在預(yù)定的點(diǎn)處相交的斜度不同的數(shù)條直線。因此， 通過在縱軸方向?qū)M軸移位使得交點(diǎn)的俯仰量為零，而，可獲得圖8所示的圖形。該圖8中各直線的縱軸的值精確地是在俯仰量θ χ處X頭7 在各Z位置的測量誤差。此時(shí)，將原點(diǎn)的Z位置設(shè)為因此，主控制裝置20將通過上述處理而獲得的、對應(yīng)于圖8的圖形的 Oy= θ ζ = 0中X頭75χ相對于θ χ和Z的測量誤差儲存于內(nèi)部存儲器內(nèi)作為θ χ校正
イロ‘ ；Ε、。f.與上述處理b.至d.相似地，主控制裝置20將微動載臺WFSl (WFS2)的俯仰量 θ X及偏轉(zhuǎn)量θ ζ均固定為零，而使微動載臺WFSl (WFS2)的滾動量ey變化。并且，對各 Θ y在Z軸方向上驅(qū)動微動載臺WFSl (WFS2)，并使用X頭75x測量微動載臺WFSl (WFS2)在 X軸方向的位置信息。而后，通過使用在內(nèi)部存儲器中獲得的各數(shù)據(jù)進(jìn)行與上述e.相似的處理，主控制裝置20將已獲得的、對應(yīng)于圖8的圖形的θ χ = θ ζ = 0中X頭75χ相對于 θ y和Z的測量誤差儲存于內(nèi)部存儲器內(nèi)作為θ y校正信息。此時(shí)將原點(diǎn)的Z位置設(shè)為^^g.與處理b.至d.及f.相似地，主控制裝置20獲得當(dāng)θχ = 0y = O時(shí)X頭75χ 相對于ΘΖ和Z的測量誤差。另外，如前述中那樣，原點(diǎn)的Z位置應(yīng)該是主控制裝置 20將通過該處理而獲得的測量誤差儲存于內(nèi)部存儲器內(nèi)作為θ ζ校正信息。
另外，θ χ校正信息可以用由俯仰量θ χ與在Z位置的各測量點(diǎn)處的離散性編碼器的測量誤差而構(gòu)成的表格數(shù)據(jù)的形式來存儲于存儲器內(nèi)?；蛘撸o定表示編碼器的測量誤差的、俯仰量θ χ及Z位置的試探函數(shù)(trial function)，并且可以使用編碼器的測量誤差通過最小平方法來確定試探函數(shù)的待定乘數(shù)。并且，可使用獲得的試探函數(shù)作為校正信息。就及θ Z校正信息而言可以是一祥的。另外，編碼器的測量誤差一般而言取決于全部的俯仰量θ χ、滾動量θ y及偏轉(zhuǎn)量 ΘΖ。但是已知依賴度小。因此，因光柵RG的姿勢變化造成的編碼器的測量誤差可視為獨(dú)立取決于各個ΘΧ、9y和及ΘΖ。換言之，可以用測量誤差相對于各個θχ、0y及ΘΖ的線形和，例如以下列公式(1)的形式，給定因光柵RG的姿勢變化造成的編碼器的測量誤差 (全測量誤差)。Δχ = Δχ(ζ, θ Χ, θ y, θ ζ) = θ X (Z-ZxO) + θ y (Z-ZyO) + θ ζ (Z-ZzO). . . (1)主控制裝置20按照與上述校正信息的作成步驟相似的步驟，作成用于校正Y頭 75ya、75yb的測量誤差的校正信息(θ χ校正信息、θ y校正信息、θ ζ校正信息)。全測量誤差A(yù)y= Δγ(Ζ, θχ, ΘΥ, θ ζ)可以用與上述公式(1)中相似的形式來賦予。主控制裝置20在曝光裝置100起動時(shí)、空轉(zhuǎn)中、或預(yù)定片數(shù)例如単位數(shù)的晶片更換時(shí)執(zhí)行以上的處理，并且作成上述X頭75x、Y頭75ya、75yb的校正信息(θ χ校正信息、 θ y校正信息、θ ζ校正信息)。此時(shí)，在本實(shí)施例的曝光裝置100中，盡管經(jīng)由未示出的防振機(jī)構(gòu)來設(shè)置主框架 BD及底座12，不過，例如在固定于主框架BD的各種可移動裝置中產(chǎn)生的振動可能在曝光時(shí)經(jīng)由垂掛部件74而傳導(dǎo)至測量桿71。在該情況下，測量桿71因上述的振動而產(chǎn)生諸如撓曲的變形，并且頭75x、75ya和75yb的光軸可能相對于Z軸傾斜，或是光柵RG與頭75x、 75ya和75yb之間在Z軸方向的相對距離可能變化。這與固定位置姿勢來觀察頭75x、75ya、 75yb (其中產(chǎn)生光柵RG的傾斜及Z位置的變化)時(shí)的情況等價(jià)，像在例如所述的美國專利申請公開第2008/0106722號中所公開的在非測量方向中因頭與光柵RG的相對運(yùn)動造成的各編碼器的測量誤差的發(fā)生機(jī)制中那樣，因測量桿71的變化(包括變形及移位兩者)，而可能在測量微動載臺WFSl和WFS2的位置時(shí)產(chǎn)生誤差。因此，若可測量測量桿的變化，諸如測量撓曲造成的傾斜(因此產(chǎn)生頭的傾斜)， 則基于測量結(jié)果可以算出頭的傾斜，并通過將運(yùn)算結(jié)果換算成光柵RG相對于頭的傾斜，有可能在因測量桿的變化造成的各編碼器的測量誤差中使用上述的校正信息(θ χ校正信息和θ y校正信息)。因此，接下來就測量測量桿71的變化作說明。在圖9(A)及圖9(B)中，顯示了安裝有測量桿71的第一測量頭群72的部分在Z 軸方向(縱向方向)縱向移動(縱向振動)的情況，這是因振動而撓曲的測量桿71最簡單的示例。通過上述的振動，在測量桿71上周期性地反復(fù)產(chǎn)生圖9(A)所示的撓曲與圖9(B) 所示的撓曲，這使得第一測量頭群72的各頭75x、75ya、75yb的光軸傾斜，X頭75x的檢測點(diǎn)及Y頭75ya、75yb的實(shí)質(zhì)的檢測點(diǎn)相對于曝光位置在+Y方向及_Y方向上周期性移動。 此外，各頭75x、75ya、75yb與光柵RG之間在Z軸方向的距離也周期性變化。在本實(shí)施例的曝光裝置100中，主控制裝置20通過由測量收容第一測量頭群72 的圖9(A)及圖9(B)所示的殼體720的位置(側(cè)表面的表面位置)而獲得測量桿71的變形。此時(shí)，在后述的校正第一測量頭群72的測量誤差時(shí)，將不考慮因測量桿71在方向振動造成的測量誤差，而將僅修產(chǎn)生上述縱向振動時(shí)的測量誤差(因θ χ方向的振動造成的測量誤差)、測量桿71末端在θ ζ方向振動(橫向振動)時(shí)的測量誤差、以及綜合產(chǎn)生上述縱向振動與橫向振動時(shí)的測量誤差。因而，將測量測量桿71在ΘΧ方向和θ ζ方向的移位。另外，在此之外，亦可測量測量桿71在θ y方向的移位量，并與在ΘΧ方向和θ ζ方向的移位造成的測量誤差一同校正因θ y方向的移位造成的測量誤差。圖10示出了測量殼體7 的側(cè)表面的表面位置的測量系統(tǒng)30 (參照圖7)的抽象視圖。測量系統(tǒng)30具有四個激光干涉儀30a至30d，并且這些干涉儀中的激光干涉儀30b 和30d隱藏于激光干涉儀30a和30c在頁面背側(cè)的后方。此外，測量系統(tǒng)30具有固定于測量桿71的+Y端部的光學(xué)部件另外，測量桿71除了收容殼體 20的部分外，其余將形成為實(shí)心的。如圖10所示，各個激光干涉儀30a至30d被固定于垂掛部件74的+Y側(cè)的表面上的下端部附近的支撐部件31所支撐。更具體地說，在靠近-X側(cè)(圖10中的頁面?zhèn)?的端部的支撐部件31上，在Y軸方向隔以預(yù)定間隔而支撐激光干涉儀30a和30c，在這些激光干涉儀30a和30c在圖10中的頁面背側(cè)，在Y軸方向隔以預(yù)定間隔而支撐激光干涉儀30b和 30d。激光干涉儀30a 和30d分別向-Z方向射出激光。例如，從激光干涉儀30a射出的激光La，在光學(xué)部件7Itl內(nèi)的分離表面BMF處偏光分離成參照束IRa與測量束IBa。參照束IRa被設(shè)于光學(xué)部件7^的底表面(-Z端表面)上的反射表面RP2反射，經(jīng)由分離表面BMF而返回激光干涉儀30a。另外，測量束IBa沿著平行于Y軸的光路，穿過在測量桿71的-X端部側(cè)處且靠近+Z端部的實(shí)心部分，并且隨后到達(dá)形成于測量桿71的-Y側(cè)端表面上的反射表面RP3。而后，測量束IBa被反射表面RP3反射，反方向沿著原來的光路前進(jìn)，隨后與參照束IRa同軸地合成，并且返回激光干涉儀30a。 在激光干涉儀30a的內(nèi)部，參照束IRa的偏光方向與測量束IBa的偏光方向通過偏光鏡來排列，并且隨后束相互干擾而成為干擾光，該干擾光通過由未示出的光檢測器檢測，并按照干擾光的強(qiáng)度轉(zhuǎn)換成電氣信號。從激光干涉儀30c射出的激光Lc，在光學(xué)部件7、內(nèi)的分離表面BMF處偏光分離成參照束IRc與測量束IBc。參照束IRc被反射表面RP2反射，并且隨后經(jīng)由分離表面BMF 而返回激光干涉儀30c。另外，測量束IBc沿著平行于Y軸的光路，穿過在測量桿71的-X 端部側(cè)處且靠近-Z端部的實(shí)心部分，并且隨后到達(dá)反射表面RP3。而后，測量束IBc被反射表面RP3反射，反方向沿著原來的光路前進(jìn)，并且隨后與參照束IRc同軸合成，并返回激光干涉儀30c。在激光干涉儀30c的內(nèi)部，參照束IRc與測量束IBc的偏光方向通過偏光鏡來排列，并且隨后這些束相互干擾而成為干擾光，該干擾光通過未示出的光檢測器檢測，并按照干擾光的強(qiáng)度轉(zhuǎn)換成電氣信號。對于其余的激光干涉儀30b和30d，其余的激光干涉儀的各個測量束與參照束遵循與激光干涉儀30a和30c相似的光路，從它們的各個光檢測器輸出依干擾光的強(qiáng)度的電氣信號。此時(shí)，激光干涉儀30b和30d的測量束IBb和IBd的光路相當(dāng)于穿過測量桿71的 XZ剖面中心的TL平面，與測量束IBa和IBc的光路對稱地配置。更具體地說，激光干涉儀 30a至30d的各個測量束IBa至IBd穿過測量桿71的實(shí)心部分，并且在反射表面RP3的四個角落被反射，并且隨后沿著相同光路返回激光干涉儀30a至30d。激光干涉儀30a至30d將依各個測量束IBa至IBd與參照束的各個反射光的干擾光的強(qiáng)度的信息分別送至主控制裝置20。主控制裝置20基于該信息，獲得測量束IBa至 IBd在將反射表面RP2作為基準(zhǔn)的反射表面RP3上的四個角落部的每個處的照射點(diǎn)的位置 (更具體地說，對應(yīng)于測量束IBa至IBd的光路長度)。另外，像激光干涉儀30a至30d那樣，例如可使用合并有參照鏡的干涉儀?；蛘呖墒褂脤囊粋€或二個光源輸出的激光束予以分離并且而生成測量束IBa至IBd的干涉儀系統(tǒng)，來取代激光干涉儀30a至30d。在該情況下，可使用從同一個激光束所生成的參照束作為基準(zhǔn)，來測量多個測量束的光路長度。主控制裝置20基于激光干涉儀30a至30d的輸出的變化，更具體地是基于測量束 IBa至IBd的各個光路長度的變化，獲得反射表面RP3的表面位置信息(傾斜角)。更具體地來說，例如在測量桿71上產(chǎn)生圖9 (A)所示的變形情況下，通過測量桿71內(nèi)的+Z側(cè)的激光干涉儀30a和30b的測量束IBa和IBb的光路長度變長，而通過-Z側(cè)的激光干涉儀30c 和30b的測量束IBc和IBd的光路長度縮短。此外，在測量桿71上產(chǎn)生圖9(B)所示的變形情況下，相反地，測量束IBa和IBb的光路長度縮短，而測量束IBc和IBd的光路長度變長。主控制裝置20基于激光干涉儀30a至30d所測量的測量束IBa、IBb, IBc和IBd在反射表面RP3(殼體7 的-Y側(cè)的端表面)上的各個照射點(diǎn)處的表面位置信息，測量反射表面RP3相對于)(Z平面的傾斜角(ΘΧ、ΘΖ)作為變化信息。并且，主控制裝置20基于傾斜角(θ χ、θ ζ)進(jìn)行預(yù)定的計(jì)算，并獲得殼體 20內(nèi)收容的頭75x、75ya和75yb的光軸相對于Z軸的傾斜角及這些頭與光柵RG的距離。在本實(shí)施例的曝光裝置100中，主控制裝置20在曝光等時(shí)，在監(jiān)視從微動載臺位置測量系統(tǒng)70的表面位置測量系統(tǒng)M的測量結(jié)果獲得的微動載臺WFSl (或WFS2)的θ x、 θγ> ΘΖ和Z位置的同時(shí)，獲得第二位置誤差的校正信息(ΘΧ校正信息、0y校正信息和 θ ζ校正信息)，并且基于θ χ、θ y與先前所述的差Δ Z算出第一位置誤差(換言之，該位置誤差的校正信息)。此外，主控制裝置20獲得通過測量系統(tǒng)30所測量的測量桿71的變化信息，具體而言，獲得頭75x、75ya和75yb的光軸相對于Z軸的傾斜角(θ χ、θ y)及這些偷與光柵RG 的距離(Z)，并基于此等傾斜角與距離，獲得因測量桿71的變化造成的頭75x、75ya和75yb 的測量誤差，換言之，獲得第三位置誤差的校正信息。該第三位置誤差的校正信息相當(dāng)于頭 75x、75ya和75yb的光軸相對于Z軸的傾斜角(θ χ、θ y)及與光柵RG的距離(Z)對應(yīng)的 θ χ校正信息、θ ζ校正信息。另外，當(dāng)反射表面RP3相對于)(Ζ平面的傾斜角θ χ為零時(shí)， 不論傾斜角θ ζ的值為何，均不產(chǎn)生頭75x、75ya、75yb的光軸相對于Z軸的傾斜角((θ x， θγ) = (0，0))。而后，主控制裝置20如上述地基于第一、第二及第三位置誤差的校正信息，算出用于校正X頭7 及Y頭75ya、75yb的測量值的誤差校正量Δ x和Δ y，并且通過誤差校正量來校正X頭7 及Y頭75ya和75yb的測量值?；蛘呖墒褂谜`差校正量Δ x和Δ y校正微動載臺WFSl (或WFS2)的目標(biāo)位置。以這種方式，可獲得與校正第一測量頭群72的X頭 7 及Y頭75ya和75yb的測量值的情況相同的效果。接下來，參照圖11至15來描述使用二個晶片載臺WSTl和WST2的并行處理動作。 注意，以下的動作中，主控制裝置20如所述地控制液體供給裝置5與液體回收裝置6，并在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的頂端透鏡191的正下方保持一定量的液體Lq，從而隨時(shí)形成浸液區(qū)域。圖11顯示了如下狀態(tài)，其中在曝光站200中對安裝在晶片載臺WSTl的微動載臺WFSl上的晶片W進(jìn)行步進(jìn)及掃描方式的曝光的狀態(tài)，并且與該曝光平行地，在第二加載位置，在晶片搬送機(jī)構(gòu)(未示出)與晶片載臺WST2的微動載臺WFS2之間進(jìn)行晶片更換。主控制裝置20基于事前進(jìn)行的晶片對準(zhǔn)結(jié)果(例如將通過增強(qiáng)型全晶片對準(zhǔn) (EGA)而獲得的晶片W上的各照射區(qū)域的排列坐標(biāo)轉(zhuǎn)換成將測量板FMl上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記作為基準(zhǔn)的坐標(biāo)而獲得的信息)及標(biāo)線片對準(zhǔn)的結(jié)果等，通過反復(fù)進(jìn)行使晶片載臺WSTl向晶片W上的用于各照射區(qū)域的曝光的開始掃描位置(開始加速位置)移動的拍射間移動 (在拍攝之間步進(jìn))動作，及以掃描曝光方式將形成于標(biāo)線片R的圖案轉(zhuǎn)印于晶片W上的各照射區(qū)域的掃描曝光動作，來執(zhí)行步進(jìn)及掃描方式的曝光動作。在該步進(jìn)及掃描動作中， 根據(jù)晶片載臺WSTl例如掃描曝光時(shí)在Y軸方向的移動，如前所述，平臺14A和14B發(fā)揮反作用物的功能。此外，主控制裝置20為了進(jìn)行照射間步進(jìn)動作而在X軸方向驅(qū)動微動載臺 WFSl時(shí)對粗動載臺WCSl賦予初速，從而使粗動載臺WCSl發(fā)揮相對于微動載臺的局部反作用物的功能。在該動作時(shí)，可賦予使粗動載臺WCSl在步進(jìn)方向以等速度移動的初速。這種驅(qū)動方法例如記載于美國專利申請公開第2008/0143994號。因此，晶片載臺WSTl (粗動載臺WCSl和微動載臺WFS1)的移動不致造成平臺14A和14B振動，且不致對晶片載臺WST2 帶來不良影響。上述的曝光動作在頂端透鏡191與晶片W(依照照射區(qū)域的位置的晶片W及板82) 之間保持液體Lq的狀態(tài)下進(jìn)行，更具體地說，通過浸液曝光而進(jìn)行。在本實(shí)施例的曝光裝置100中，在上述一連串的曝光動作中，主控制裝置20使用微動載臺位置測量系統(tǒng)70的第一測量頭群72測量微動載臺WFSl的位置，并且基于所述第一、第二及第三位置誤差的校正信息算出前述誤差校正量ΔΧ和Δ y，并基于通過誤差校正量程度校正第一測量頭群72的X頭7 及Y頭75ya和75yb的校正后的各測量值，控制微動載臺WFSl (晶片W)的位置?；蚴峭ㄟ^主控制裝置20，使用誤差校正量Δχ和Ay校正微動載臺WFSl (或WFS2)的目標(biāo)位置，以取代校正第一測量頭群72的X頭7 及Y頭75ya 和75yb的測量值。當(dāng)微動載臺WFS2在第二加載位置時(shí)，通過未示出的晶片搬送機(jī)構(gòu)從微動載臺 WFS2上卸載曝光后的晶片并且將新的晶片加載微動載臺WFS2上而進(jìn)行晶片更換。在該情況下，第二加載位置是在微動載臺WFS2上進(jìn)行晶片更換的位置，并且在本實(shí)施例中，將第二加載位置設(shè)定在微動載臺WFS2 (晶片載臺WSD)所在的位置，使得測量板FM2在主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的正下方。上述的晶片更換中及其晶片更換后，在晶片載臺WST2在第二加載位置停止的同時(shí)，主控制裝置20在開始相對于新的晶片W進(jìn)行晶片對準(zhǔn)(及其他之前處理測量)之前， 執(zhí)行微動載臺位置測量系統(tǒng)70的第二測量頭群73，更具體地說是編碼器55、56和57 (及其他表面位置測量系統(tǒng)58)的重設(shè)(原點(diǎn)的再設(shè)定)。晶片更換(加載新的晶片W)與編碼器55、56和57 (及表面位置測量系統(tǒng)58)的重設(shè)結(jié)束后，主控制裝置20使用主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl檢測測量板FM2上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記。而后，主控制裝置20檢測將主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的指針中心作為基準(zhǔn)的第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置， 并基于其檢測結(jié)果及檢測時(shí)通過編碼器陽、56和57測量微動載臺WFS2的位置的結(jié)果，算出將基準(zhǔn)軸LA及基準(zhǔn)軸LV作為坐標(biāo)軸的正交坐標(biāo)系(對準(zhǔn)坐標(biāo)系)中的第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置坐標(biāo)。
接下來，主控制裝置20使用編碼器55、56和57，在測量微動載臺WFS2(晶片載臺 WST2)在對準(zhǔn)坐標(biāo)系中的位置坐標(biāo)的同時(shí)，進(jìn)行EGA(參照圖12)。詳細(xì)而言，主控制裝置20 例如在美國專利申請公開第2008/0088843號等所揭示，使晶片載臺WST2，更具體地說使支撐微動載臺WFS2的粗動載臺WCS2例如在Y軸方向移動，在其移動路徑上的多個位置處設(shè)定微動載臺WFS2的位置，并且定位時(shí)使用對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl和ΑΙΛ和AL&的至少一個，檢測在對準(zhǔn)照射區(qū)域(抽樣照射區(qū)域)處的對準(zhǔn)標(biāo)記在對準(zhǔn)坐標(biāo)系中的位置坐標(biāo)。圖12顯示了進(jìn)行對準(zhǔn)標(biāo)記在對準(zhǔn)坐標(biāo)系中的位置坐標(biāo)的檢測時(shí)的晶片載臺WST2的情形。該情況下，結(jié)合上述晶片載臺WST2向Y軸方向的移動，對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl和AU1至AL& 分別檢測在檢測區(qū)域(例如對應(yīng)于檢測光的照射區(qū)域)內(nèi)依序放置的沿著X軸方向而布置的多個對準(zhǔn)標(biāo)記(抽樣標(biāo)記)。因而，在測量上述對準(zhǔn)標(biāo)記時(shí)，晶片載臺WST2不在X軸方向驅(qū)動。而后，主控制裝置20基于排列于晶片W上的抽樣照射區(qū)域處的多個對準(zhǔn)標(biāo)記的位置坐標(biāo)與設(shè)計(jì)位置坐標(biāo)，執(zhí)行例如美國專利第4，780，617號等揭示的統(tǒng)計(jì)運(yùn)算(EGA運(yùn)算)， 而算出多個照射區(qū)域在對準(zhǔn)坐標(biāo)系中的位置坐標(biāo)(排列坐標(biāo))。此外，在本實(shí)施例的曝光裝置100中，由于測量站300與曝光站200分離，因此主控制裝置20從晶片對準(zhǔn)結(jié)果所獲得的、從晶片W上各照射區(qū)域的位置坐標(biāo)減去之前所檢測的第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置坐標(biāo)，而獲得將第二基準(zhǔn)標(biāo)記的位置作為原點(diǎn)的晶片W上的多個照射區(qū)域的位置坐標(biāo)。通常上述的晶片更換及晶片對準(zhǔn)程序比曝光路序早結(jié)束。因而，晶片對準(zhǔn)結(jié)束時(shí)， 主控制裝置20將晶片載臺WST2驅(qū)動于+X方向，以將晶片載臺WST2向平臺14B上的預(yù)定的待機(jī)位置移動。在該情況下，將晶片載臺WST2驅(qū)動于+X方向時(shí)，微動載臺WFS2超出微動載臺位置測量系統(tǒng)70可測量的范圍(即從第二測量頭群73照射的各測量束超出光柵RG)。 因而，主控制裝置20基于微動載臺位置測量系統(tǒng)70 (編碼器55、56和57)的測量值與相對位置測量系統(tǒng)66B的測量值，獲得粗動載臺WCS2的位置，并且隨后，基于粗動載臺位置測量系統(tǒng)68B的測量值控制晶片載臺WST2的位置。更具體地說，從使用編碼器55、56和57測量晶片載臺WST2在XY平面內(nèi)的位置，切換成使用粗動載臺位置測量系統(tǒng)68B的測量。而后，主控制裝置20在對微動載臺WFSl上的晶片W曝光結(jié)束前，使晶片載臺WST2在上述預(yù)定的待機(jī)位置待機(jī)。對微動載臺WFSl上的晶片W曝光結(jié)束時(shí)，主控制裝置20開始將晶片載臺WSTl和 WST2分別朝向圖14所示的右側(cè)并列位置(scrum position)驅(qū)動。當(dāng)朝向右側(cè)并列位置在-X方向驅(qū)動晶片載臺WSTl時(shí)，微動載臺WFSl超出微動載臺位置測量系統(tǒng)70(編碼器 51、52、53及表面位置測量系統(tǒng)的可測量范圍(即從第一測量頭群72照射的測量束超出光柵RG)。因而，主控制裝置20基于微動載臺位置測量系統(tǒng)70 (編碼器51、52和53)的測量值與相對位置測量系統(tǒng)66A的測量值，獲得粗動載臺WCSl的位置，隨后，基于粗動載臺位置測量系統(tǒng)68A的測量值控制晶片載臺WSTl的位置。更具體地說，主控制裝置20從使用編碼器51、52和53測量晶片載臺WSTl在XY平面內(nèi)的位置，切換成使用粗動載臺位置測量系統(tǒng)68A的測量。在該動作期間，主控制裝置20使用粗動載臺位置測量系統(tǒng)68B測量晶片載臺WST2的位置，并基于測量結(jié)果如圖13所示，將晶片載臺WST2在平臺14B上驅(qū)動于 +Y方向(參照第十三圖中的空心箭頭)。通過由該晶片載臺WST2的驅(qū)動力的反作用力的作用，平臺14B發(fā)揮反作用物的功能。此外，與晶片載臺WST1、WST2朝向上述右側(cè)并列位置的移動并行地，主控制裝置 20與基于相對位置測量系統(tǒng)66A的測量值將微動載臺WFSl驅(qū)動于+X方向，并使得微動載臺WFSl接近或接觸于粗動載臺WCSl，并且也基于相對位置測量系統(tǒng)66B的測量值將微動載臺WFS2驅(qū)動于-X方向，并使得微動載臺WFS2而接近或接觸于粗動載臺WCS2。而后，在兩個晶片載臺WST1、WST2移動到了右側(cè)并列位置的狀態(tài)下，如圖14所示， 晶片載臺WSTl與晶片載臺WST2成為在X軸方向接近或接觸的并列狀態(tài)(scrum state) 0 與該狀態(tài)同時(shí)，微動載臺WFSl與粗動載臺WCSl成為并列狀態(tài)，且粗動載臺WCS2與微動載臺WFS2成為并列狀態(tài)。而后，通過由微動載臺WFS1、粗動載臺WCSl的耦接組件92b和粗動載臺WCS2的耦接部件92b及微動載臺WFS2的上表面形成在外觀上一體的全平表面。隨著晶片載臺WSTl及WST2在保持上述三個并列狀態(tài)的同時(shí)移動于_X方向，形成于頂端透鏡191與微動載臺WFSl之間的浸液區(qū)域(液體Lq)向微動載臺WFS1、粗動載臺WCSl的耦接部件92b、粗動載臺WCS2的耦接部件92b及微動載臺WFS2上依序移動(過渡)。圖14顯示浸液區(qū)域(液體Lq)的移動(過渡)開始之前的狀態(tài)。注意，在保持持上述三個并列狀態(tài)的同時(shí)驅(qū)動晶片載臺WSTl與晶片載臺WST2的情況下，優(yōu)選以防止或抑制液體Lq漏出的方式設(shè)定晶片載臺WSTl與晶片載臺WST2之間隙(游隙)、微動載臺WFSl與粗動載臺WCSl之間隙(游隙)、及粗動載臺WCS2與微動載臺WFS2之間隙(游隙)。在該情況下，接近包括并列狀態(tài)中的二個部件之間的間隙(游隙)為零的情況，更具體地說包括兩者接觸的情況。浸液區(qū)域(液體Lq)向微動載臺WFS2上的移動完成時(shí)，晶片載臺WSTl移動于平臺 14A上。因此，主控制裝置20為了使其移動到圖15所示的第一加載位置，在使用粗動載臺位置測量系統(tǒng)68A測量晶片載臺WSTl的位置的同時(shí)，使晶片載臺WSTl在平臺14A上移動于-Y方向并進(jìn)一步移動于+X方向。該情況下，晶片載臺WSTl向-Y方向移動時(shí)，通過驅(qū)動力的反作用力的作用，平臺14A發(fā)揮反作用物的功能。此外，在晶片載臺WSTl向+X方向移動時(shí)，通過驅(qū)動力的反作用力的作用，可以使平臺14A發(fā)揮反作用物的功能。晶片載臺WSTl 到達(dá)第一加載位置后，主控制裝置20將晶片載臺WSTl在XY平面內(nèi)的位置測量，從使用粗動載臺位置測量系統(tǒng)68A的測量切換成使用編碼器55、56和57的測量。與上述晶片載臺WSTl的移動并行地，主控制裝置20驅(qū)動晶片載臺WST2，并將測量板FM2設(shè)定在投影光學(xué)系統(tǒng)PL的正下方的位置處。在該動作之前，主控制裝置20將晶片載臺WST2在XY平表面內(nèi)的位置測量，從使用粗動載臺位置測量系統(tǒng)68B的測量切換成使用編碼器51、52和53的測量。而后，使用標(biāo)線片對準(zhǔn)系統(tǒng)RAl和RA2檢測測量板FM2上的一對第一基準(zhǔn)標(biāo)記，并檢測與第一基準(zhǔn)標(biāo)記對應(yīng)的標(biāo)線片R上的標(biāo)線片對準(zhǔn)標(biāo)記在晶片上投影圖像的相對位置。注意，該檢測經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)PL及形成浸液區(qū)域的液體Lq而進(jìn)行。主控制裝置20基于如上所檢測的相對位置信息及之前獲得的、將微動載臺WFS2 上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記作為基準(zhǔn)的晶片W上各照射區(qū)域的位置信息，算出標(biāo)線片R的圖案的投影位置(投影光學(xué)系統(tǒng)PL的投影中心)與安裝在微動載臺WFS2上的晶片W上的各照射區(qū)域之間的相對位置關(guān)系。主控制裝置20在基于算出結(jié)果控制控制微動載臺WFS2(晶片載臺WST2)的位置的同時(shí)，與前述安裝在微動載臺WFSl上的晶片W的情況相似地，以步進(jìn)及掃描方式轉(zhuǎn)印標(biāo)線片R的圖案于安裝在微動載臺WFS2上的晶片W上的各照射區(qū)域。圖15 顯示以該方式在晶片W上的各照射區(qū)域上轉(zhuǎn)印標(biāo)線片R的圖案的狀態(tài)。與對微動載臺WFS2上的晶片W進(jìn)行上述曝光動作并行地，主控制裝置20在第一加載位置處在晶片搬送機(jī)構(gòu)(未示出)與晶片載臺WSTl之間進(jìn)行晶片更換，并在微動載臺 WFSl上安裝新的晶片W。在該情況下，第一加載位置在晶片載臺WSTl上進(jìn)行晶片更換的位置，并且在本實(shí)施例中，第一加載位置設(shè)定在微動載臺WFSl (晶片載臺WST1)所在的位置處，使得定位測量板FMl位于主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的正下方。而后，主控制裝置20使用主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl檢測測量板FMl上的第二基準(zhǔn)標(biāo)記。 注意，在檢測第二基準(zhǔn)標(biāo)記之前，在晶片載臺WSTl在第一加載位置的情況下，主控制裝置 20執(zhí)行微動載臺位置測量系統(tǒng)70的第二測量頭群73，更具體地說是編碼器55、56和57 (及表面位置測量系統(tǒng)58)的重設(shè)(原點(diǎn)的再設(shè)定)。其后，主控制裝置20在控制晶片載臺WSTl 的位置的同時(shí)，相對于微動載臺WFSl上的晶片W進(jìn)行與上述類似的使用對準(zhǔn)系統(tǒng)AL1、AIA 至ΑΙΛ的晶片對準(zhǔn)(EGA)。相對于微動載臺WFSl上的晶片W的晶片對準(zhǔn)(EGA)結(jié)束且相對于微動載臺WFS2 上的晶片W的曝光亦結(jié)束時(shí)，主控制裝置20將晶片載臺WSTl和WST2朝向左側(cè)并列位置驅(qū)動。該左側(cè)并列位置指晶片載臺WSTl和WST2位于相對于先前在圖14所示的右側(cè)并列位置的情況下所述的基準(zhǔn)軸LV左右對稱的位置處的位置。在朝向左側(cè)并列位置驅(qū)動期間，晶片載臺WSTl的位置測量按照與前述晶片載臺WST2的位置測量的步驟相似的步驟進(jìn)行。同樣，在該左側(cè)并列位置處，晶片載臺WSTl與晶片載臺WST2成為前述的并列狀態(tài)，與此同時(shí)，微動載臺WFSl與粗動載臺WCSl成為并列狀態(tài)，而粗動載臺WCS2與微動載臺 WFS2成為并列狀態(tài)。而后，微動載臺WFS1、粗動載臺WCSl的耦接部件92b、粗動載臺WCS2 的耦接部件92b及微動載臺WFS2的上表面形成外觀上為一體的全平表面。主控制裝置20在保持上述三個并列狀態(tài)的同時(shí)，將晶片載臺WSTl和WST2驅(qū)動于與之前相反的+X方向。根據(jù)該驅(qū)動，形成于頂端透鏡191與微動載臺WFS2之間的浸液區(qū)域 (液體Lq)與之前相反地向微動載臺WFS2、粗動載臺WCS2的連結(jié)部件92b、粗動載臺WCSl 的連結(jié)部件92b和微動載臺WFSl上依序移動。當(dāng)然，晶片載臺在保持并列狀態(tài)的同時(shí)移動時(shí)，進(jìn)行晶片載臺WSTl和WST2的位置測量，類似于前述情況。浸液區(qū)域(液體Lq)的移動完成時(shí)，主控制裝置20按照與前述步驟類似的步驟，開始對晶片載臺WSTl上的晶片W進(jìn)行曝光。與該曝光動作并行地，主控制裝置20以類似于前述方式的方式將晶片載臺WST2向第二加載位置驅(qū)動，而將晶片載臺WST2上的曝光后的晶片W更換成新的晶片W，并對新的晶片W執(zhí)行晶片對準(zhǔn)。隨后，主控制裝置20反復(fù)執(zhí)行上述的使用晶片載臺WSTl和WST2的并行處理動作。如以上所述，在本實(shí)施例的曝光裝置100中，在曝光動作時(shí)及晶片對準(zhǔn)時(shí)(主要是對準(zhǔn)標(biāo)記的測量時(shí))，在測量收容晶片W的微動載臺WFSl (或WFS2)的位置信息(XY平面內(nèi)的位置信息及表面位置信息)時(shí)，分別使用固定于測量桿71的第一測量頭群72及第二測量頭群73。并且，由于構(gòu)成第一測量頭群72的編碼器頭75x、75ya、75yb及Z頭76a至76c 以及構(gòu)成第二測量頭群73的編碼器頭77x、77ya、77yb及Z頭78a至78c可從正下方以最短距離用測量束分別照射配置于微動載臺WFSl和WFS2的底表面的光柵RG，因此，因晶片載臺WSTl或WST2的周邊環(huán)境大氣的溫度波動(例如空氣波動)造成的測量誤差小，并且可精確測量微動載臺WFSl和WFS2的位置信息。此外，第一測量頭群72在實(shí)質(zhì)上與曝光位置一致的點(diǎn)處測量微動載臺WFSl (或 WFS2)在XY平面內(nèi)的位置信息及表面位置信息，該曝光位置是晶片W上的曝光區(qū)域IA的中心，并且第二測量頭群73在實(shí)質(zhì)上與主要對準(zhǔn)系統(tǒng)ALl的檢測區(qū)域中心一致的點(diǎn)處測量微動載臺WFSl (或WFS2)在XY平面內(nèi)的位置信息及表面位置信息。因此，可抑制因測量點(diǎn)與曝光位置在XY平面內(nèi)的位置誤差而產(chǎn)生所謂阿貝誤差，并且也是基于這一點(diǎn)，可精確測量微動載臺WFSl和WFS2的位置信息。此外，曝光時(shí)，通過由主控制裝置20使用微動載臺位置測量系統(tǒng)70的第一測量頭群72測量微動載臺WFSl的位置，并且基于所述第一、第二及第三位置誤差的校正信息，算出前述的誤差校正量ΔΧ和Δ y，并基于通過誤差校正量程度校正后的、第一測量頭群72的 X頭7 及Y頭75ya、75yb的校正后的各測量值，控制微動載臺WFSl (晶片W)的位置。或者，通過主控制裝置20，使用誤差校正量Δχ和Ay校正微動載臺WFSl (或WFS2)的目標(biāo)位置，以取代校正第一測量頭群72的X頭7 及Y頭75ya和75yb的測量值。因此，可不受因微動載臺WFSl (或WFS2)傾斜造成的位置誤差、因微動載臺WFSl (或WFS2)的θ ζ旋轉(zhuǎn)造成X頭7 及Y頭75ya和75yb的測量誤差(位置誤差)、及因測量桿的變化造成X頭7 及Y頭75ya和75yb的測量誤差(位置誤差)的影響，精確驅(qū)動微動載臺WFSl (或WFS2)。 因微動載臺WFSl (或WFS2)傾斜造成的位置誤差包括依光柵RG的配置表面與晶片W表面之間Z位置的差ΔΖ、根據(jù)光柵RG相對于XY平面的傾斜角的位置誤差(一種阿貝誤差)，及在作為非測量方向的傾斜方向(θχ方向和方向)的頭與光柵RG的相對運(yùn)動造成的X 頭7 及Y頭75ya和75yb的測量誤差。另外，也相對于第二測量頭群73 (的各編碼器)， 可以相似地可校正X頭7 及Y頭75ya和75yb的測量值，以便在前述的非測量方向，特別是在X頭7 及Y頭75ya和75yb傾斜方向(θχ方向和θ y方向)上校正先前所述的、由于頭與光柵RG相對運(yùn)動造成的測量誤差，及因測量桿71的變化造成的測量誤差。此外，根據(jù)本實(shí)施例的曝光裝置100，主控制裝置20可基于精確測量微動載臺 WFSl和WFS2的位置信息的結(jié)果，以良好精度驅(qū)動微動載臺WFSl和WFS2。因此，主控制裝置20可與標(biāo)線片載臺RST (標(biāo)線片R)同步地以良好精度驅(qū)動安裝在微動載臺WFSl和WFS2 上的晶片W，并可以通過由掃描曝光而將標(biāo)線片R的圖案以良好精度轉(zhuǎn)印于晶片W上。另外，在上述實(shí)施例中，說明了如下情況，其中主控制裝置20與在曝光時(shí)第一測量頭群72的各編碼器的測量值中包括的、對應(yīng)于由差△ Z造成的光柵RG相當(dāng)于對XY平面的傾斜的位置誤差(第一位置誤差，一種阿貝誤差)一起校正因光柵RG(更具體地說是微動載臺WFS)在非測量方向中的測量誤差，特別是各頭向傾斜(θ χ和θ y)和旋轉(zhuǎn)(θ ζ)方向移位造成的測量誤差(第二位置誤差)。但是，由于第二、第三位置誤差比作為一種阿貝誤差的第一位置誤差小，因此，可僅校正第一位置誤差，或是僅校正第一位置誤差以及第二和第三位置誤差中的一方。另外，在上述實(shí)施例中，在通過使用測量系統(tǒng)30測量殼體720的側(cè)表面的表面位置來測量測量桿71的變形(變化)的同時(shí)，可以另外地測量測量桿71的變形(變化)。圖 16顯示了用于與可取代上述實(shí)施例中的測量系統(tǒng)30而采用的變形例相關(guān)的測量的測量系統(tǒng)30’。測量系統(tǒng)30’通過測量殼體 2 的-Y側(cè)邊緣表面的移位(在平行于邊緣表面的方向(Z軸方向及X軸方向)的移位)，來測量測量桿71的變形(變化)。測量系統(tǒng)30’包括兩個編碼器30z和30x。如圖16中所示，編碼器30z包括光源 30Zl、受光器件30 、光學(xué)部件PS1、分離表面BMF、四分之一波長板(λ /4板)WP及衍射光柵 GRz。光源30Zl與受光器件30 以各個縱向方向平行于Tl平表面，且相當(dāng)于XY平面及 XZ平面分別形成45度的狀態(tài)而分別置于垂掛部件74下端部附近的+Y側(cè)。光源30Zl及受光器件30 經(jīng)由未示出的支撐部件而固定于主框架BD。光學(xué)部件PSl經(jīng)由分離表面BMF 而固定于測量桿71的+Y側(cè)邊緣表面的上半部(+Z側(cè)半部)。光學(xué)部件PS1具有圖16所示的梯形狀的Π剖面(垂直于X軸的剖面)，且在X軸方向具有預(yù)定長度的六面體狀的部件。 光學(xué)部件PS1的斜面面朝光源30Zl及受光器件3(^2。衍射光柵GRz是將Z軸方向作為周期方向的反射型衍射光柵，并且設(shè)置于殼體7 除了+Y邊緣表面的-Z側(cè)的端處的帶狀部分之外的其余部分處。在殼體 20的+Y邊緣表面的-Z側(cè)的端處的帶狀部分中，設(shè)有將X軸方向作為周期方向的稍后將描述的反射型衍射光柵GRx。λ/4板WP以覆蓋衍射光柵GRz及 GRx的狀態(tài)而固定于這些衍射光柵的+Y側(cè)。在編碼器30ζ中，相對于光學(xué)部件PS1的斜表面垂直地從光源30Zl發(fā)射激光束Lz， 并且激光束Lz從斜面進(jìn)入光學(xué)部件PS1內(nèi)，并通過其內(nèi)部然后入射在分離表面BMF上。激光束Lz通過偏光而在分離表面BMF處分離成參照束IRz與測量束IBz。在光學(xué)部件PS1內(nèi)，參照束IRz依序被光學(xué)部件PS1的-Z側(cè)表面(反射表面RPl)、 +Y側(cè)表面(反射表面RP》及分離表面BMF反射，然后返回到受光元件30 。同時(shí)，測量束IBz進(jìn)入測量桿71內(nèi)，穿過實(shí)心部分且同時(shí)被士 Z側(cè)表面反射，然后朝向測量桿71的+Y端行進(jìn)。測量束IBz在-Y方向上穿過λ/4板WP，然后入射在衍射光柵GRz上。這產(chǎn)生在^平面內(nèi)在多個不同方向上行進(jìn)的多個衍射光(換言之，在衍射光柵 GRz中，測量束IBz在多個方向上衍射)。在多個衍射光中，例如，-1次衍射光(在-1次方向上衍射的測量束IBz)在+Y方向上穿過λ/4板WP，并且穿過實(shí)心部分同時(shí)被測量桿71 的士Z側(cè)表面反射，然后朝向測量桿71的+Y端前進(jìn)。在該情況下，測量束IBz的偏光方向通過兩次穿過λ /4板WP而旋轉(zhuǎn)90度。因而，測量束IBz被分離表面BMF反射。反射的測量束IBz如之前所述地，穿過實(shí)心部分同時(shí)被測量桿71的士Z側(cè)表面反射，然后朝向殼體7 的+Y端前進(jìn)。測量束IBz在-Y方向上穿過λ/4板WP，然后入射在衍射光柵GRz上。這再度從衍射光柵GRz產(chǎn)生多個衍射光(測量束IBz在多個方向上衍射)。在這多個衍射光中，例如，-1次衍射光(在-1次方向上衍射的測量束IBz)在+Y方向上穿過λ/4板WP，穿過實(shí)心部分同時(shí)被測量桿71的士Z側(cè)表面反射，然后朝向測量桿 71的+Y端前進(jìn)。在該情況下，測量束IBz的偏光方向通過兩次穿過λ/4板WP而進(jìn)一步旋轉(zhuǎn)90度。因而，測量束IBz穿過分離表面BMF。透射的測量束IBz與參照束^z同軸地合成，并與參照束IRz —起返回到受光元件30ζ2。在受光元件30 的內(nèi)部，參照束IRz與測量束IBz的偏光方向通過偏光鏡而布置， 然后束成為干擾光。該干擾光由光檢測器(未示出)檢測，并且被轉(zhuǎn)換成根據(jù)干擾光的強(qiáng)度的電信號。當(dāng)測量桿71偏轉(zhuǎn)并且殼體 20的+Y邊緣表面在Z軸方向移位時(shí)，測量束IBz的相位根據(jù)移位而相對于參照束IRz的相位移位，這改變了干擾光的強(qiáng)度。該干擾光的強(qiáng)度變化作為測量桿71 (殼體7 )在Z軸方向的移位信息而供給至主控制裝置20。另外，通過測量桿71的偏轉(zhuǎn)，盡管測量束IBz的光路長變化，這會引起測量束IBz的相位移位，但是測量系統(tǒng)30’被設(shè)計(jì)成使得移位遠(yuǎn)比伴隨測量桿71 (殼體7 )的Z移位的相位移位的程度小。編碼器30x包括圖16所示的光源30Xl、光檢測設(shè)備30 、光學(xué)部件PS2、分離表面 BMF、λ /4板WP及衍射光柵GRx。在測量桿71的+Y側(cè)，光源30Xl與受光元件30 分別以縱向方向平行于TL平面的狀態(tài)來設(shè)置，且還相對于XY平面及TL平面分別形成45度的角。光源30Xl及受光元件 30x2經(jīng)由支撐部件(未示出)而固定于主框架BD。不過，由于受光元件30 相對于光源 30Xl位于+X側(cè)(圖16中的頁表面的背側(cè))，因此受光元件30 隱藏于光源30Xl后面。光學(xué)部件經(jīng)由分離表面BMF而固定于測量桿71的+Y側(cè)的邊緣表面的光學(xué)部件PS1的-Z側(cè)。光學(xué)部件1^2是形狀像光學(xué)部件PS1的六表面體狀的部件，但是圍繞平行于Y軸的軸旋轉(zhuǎn)90°，以使得其斜面來到前方。更具體地，光學(xué)部件具有梯形狀的XY 剖面(平行于Z軸的橫剖面)，并且是在Z軸方向上具有預(yù)定長度的六表面體狀的部件。光學(xué)部件的斜面與光源30Xl及光檢測裝置30 相對。在編碼器30x中，激光束Lx從光源30Xl垂直于光學(xué)部件PS2的斜面而射出。激光束Lx從斜面進(jìn)入光學(xué)部件內(nèi)，通過其內(nèi)部，并且在分離表面BMF處通過偏光被分離成參照束IRz和測量束IBz。而后，與所述的參照束IRz類似，在光學(xué)部件內(nèi)，參照束IRx被在光學(xué)部件PS1 的+X側(cè)表面上的光學(xué)部件的反射表面、+Y反射表面及分離表面BMF依序反射，然后返回到受光元件30 。同時(shí)，測量束IBx進(jìn)入測量臂71內(nèi)，經(jīng)過與所述測量束IBz類似的光路(XY平面內(nèi)的光路)，并且與參照束IRx同軸地合成，然后與參照束IRx —起返回到受光元件30&。 在受光元件30 的內(nèi)部，參照束IRx與測量束IBx的偏光方向通過偏光鏡而布置，并且束成為干擾光。通過光檢測器(未示出)檢測該干擾光，并且被轉(zhuǎn)換成根據(jù)干擾光的強(qiáng)度的電信號。當(dāng)測量桿71偏轉(zhuǎn)并且殼體 20的+Y邊緣表面在Z軸方向移位時(shí)，測量束IBx的相位根據(jù)移位而相對于參照束IRx的相位移位，這改變了干擾光的強(qiáng)度。該干擾光的強(qiáng)度變化作為測量桿71 (殼體7 )在X軸方向的移位信息而供給至主控制裝置20。另外，盡管測量束IBx的光路長可由于測量桿71的偏轉(zhuǎn)而變化，并且測量束IBx的相位可隨該變化而移位，但是測量系統(tǒng)30’被設(shè)計(jì)成使得移位程度遠(yuǎn)比伴隨測量桿71的頂端表面的X移位而發(fā)生的相位移位的程度小?；趶木幋a器30z和30z供給的測量桿71 (殼體72》在Z軸及X軸方向的移位信息，主控制裝置20獲得設(shè)于測量桿71 (殼體7 )內(nèi)的頭75x、75ya和75yb的光軸相對于 Z軸的傾斜角及距光柵RG的距離，并基于該傾斜角、距離及所述的校正信息，獲得第一測量頭群72的各個頭75x、75ya和75yb的測量誤差(第三位置誤差)的校正信息。此外，在上述實(shí)施例及變形例中，雖然說明通過光學(xué)方法測量測量桿71的變化的測量系統(tǒng)30和30’，不過上述實(shí)施例并非限定于此。為了測量測量桿71的變化，可將溫度傳感器、壓力傳感器、用于振動測量的加速度傳感器等附接于測量桿71?；蛘撸刹贾糜糜跍y量測量桿71的變化的變形傳感器(變形計(jì))或移位傳感器等。而后，利用這些傳感器獲得測量桿71 (殼體7 )的變化(變形、移位等)，并且基于已獲得的結(jié)果，主控制裝置20 獲得設(shè)于測量桿71 (殼體7 )內(nèi)的頭75x、75ya和75yb的光軸相對于Z軸的傾斜角及距光柵RG的距離，并且基于該傾斜角、距離及所述的校正信息，獲得第一測量頭群72的各頭 75x、75ya和75yb的測量誤差(第三位置誤差)的校正信息。另外，主控制裝置20可基于傳感器所獲得的測量桿71的變化，校正由粗動載臺位置測量系統(tǒng)68A和68B所獲得的位置 in息ο此外，在上述實(shí)施例中，盡管說明了測量桿71與主框架BD —體的情況，但是實(shí)施例不限于此，并且測量桿71與主框架BD可以物理上分離。在該情況下，應(yīng)布置測量測量桿 71相對于主框架BD (或是基準(zhǔn)位置)的位置(或是移位)的測量設(shè)備(例如編碼器和/或干涉儀等)及調(diào)整測量桿71的位置的致動器等，并且基于測量設(shè)備的測量結(jié)果，主控制裝置20和/或其它控制裝置應(yīng)將主框架BD (及投影光學(xué)系統(tǒng)PL)與測量桿71的位置關(guān)系維持在預(yù)定的關(guān)系(例如恒定)。此外，在上述實(shí)施例中，盡管曝光裝置具有對應(yīng)于兩個晶片載臺的兩個平臺，不過平臺數(shù)量不限于此，并且可以采用一個平臺或或三個以上的平臺。此外，晶片載臺的數(shù)量不限于兩個，而是可以采用一個晶片載臺或三個以上的晶片載臺，例如，可將例如美國專利申請公開第2007/201010號中公開的具有空間圖像測量器、照度不均勻測量器、照度監(jiān)視器、 波表面像差測量器等的測量載臺放置于平臺上。此外，使平臺或基座部件分離為多個部分的邊界的位置并非限于上述實(shí)施例中的位置。盡管上述實(shí)施例中邊界線被設(shè)定為包括基準(zhǔn)軸LV且與光軸AX相交的線，不過，在例如邊界位于曝光站中、邊界所位于的部分的平面馬達(dá)的推力減弱的情況下，可將邊界線設(shè)定于別處。此外，測量桿71的縱向方向上的中間部分(可以布置在多個位置)可由例如美國專利申請公開第2007/0201010號中公開的自重消除器而在底座上支撐。此外，在底座12上驅(qū)動平臺14A、14B的馬達(dá)不限于利用電磁力(洛蘭茲力)驅(qū)動方法的平面馬達(dá)，而是例如可為利用可變磁阻驅(qū)動方法的平面馬達(dá)(或線性馬達(dá))。此外， 馬達(dá)不限于平面馬達(dá)，而是可為包括固定于平臺的側(cè)表面的動子和固定于底座的定子的音圈馬達(dá)。此外，平臺可經(jīng)由例如美國專利申請公開第2007/0201010號等中公開的自重消除器而在底座上支撐。此外，平臺的驅(qū)動方向不限定于三個自由度方向，而是可為例如六個自由度方向、僅Y軸方向或是僅XY兩個軸方向。在這種情況下，可通過由氣體靜壓軸承(例如空氣軸承)等使平臺在底座上浮起。此外，在平臺的移動方向可以僅為Y軸方向的情況下， 平臺可安裝在例如被布置成在Y軸方向上延伸的Y引導(dǎo)部件上，以在Y軸方向上可移動。此外，在上述實(shí)施例中，盡管光柵設(shè)置在微動載臺的下表面(S卩，與平臺的上表面相對的表面)，不過實(shí)施例不限于此，并且微動載臺的主體部由可以透射光的實(shí)心部件構(gòu)成，且光柵可以設(shè)置于主體部的上表面上。在該情況下，與上述實(shí)施例比較，由于晶片與光柵之間的距離較近，因此可減小因包括曝光點(diǎn)的晶片的被曝光表面與編碼器51、52和53對微動載臺的位置測量的基準(zhǔn)表面(光柵的設(shè)置表面)之間在Z軸方向的差異而產(chǎn)生的阿貝 (Abbe)誤差。此外，光柵可形成于晶片固持器的背表面。在該情況下，即使在曝光期間晶片固持器膨脹或相對于微動載臺的附接位置移位，也可根據(jù)該膨脹或移位而測量晶片固持器 (晶片)的位置。
此外，在上述實(shí)施例中，盡管說明編碼器系統(tǒng)配備有X頭與一對Y頭的情況作為示例，不過實(shí)施例不限于此，例如，可將測量方向是X軸方向及Y軸方向這兩個方向的二維頭 (2D頭)中的一個或兩個設(shè)置在測量桿內(nèi)?，F(xiàn)在將說明使用2D頭配置的編碼器系統(tǒng)73的三個變形例。在布置兩個2D頭的情況下，其檢測點(diǎn)應(yīng)在光柵上被設(shè)置于在X軸方向上距作為中心的曝光位置(曝光區(qū)域IA的中心(光軸AX))相同距離的間隔開的兩點(diǎn)。例如，在上述實(shí)施例中，2D頭要被設(shè)置在Y頭75ya和75yb的設(shè)置位置(參照圖5)。圖17示出與第一變形例相關(guān)的2D頭79a的示意配置。2D頭79a是所謂的三光柵型的編碼器頭。2D頭79a包括以預(yù)定的位置關(guān)系設(shè)置的光源LDa、固定光柵79 至79 、 二維光柵(基準(zhǔn)光柵)79 及受光系統(tǒng)PDa等。這里，固定光柵79 和79 及79 和79 是其周期方向分別是X軸方向及Y軸方向的透射型的衍射光柵。此外，二維光柵(基準(zhǔn)光柵)79a5是其上形成有將X軸方向作為周期方向的衍射光柵與將Y軸方向作為周期方向的衍射光柵的透射型二維光柵。在2D頭79a中，在+Z方向上從光源LDa射出激光束LBei。。激光束LBEIq從測量臂 71 (圖17中省略)的上表面(+Z表面)射出，然后作為測量束而照射于光柵RG上的點(diǎn)DPa。 這從X衍射光柵及Y衍射光柵在對應(yīng)于各個周期方向的方向產(chǎn)生多個衍射光。圖17示出在)(Z平面內(nèi)的預(yù)定方向上從X衍射光柵產(chǎn)生的士 1次衍射光LBiil和LBii2以及在TL平面內(nèi)的預(yù)定方向上從Y衍射光柵產(chǎn)生的士 1次衍射光LBii3和LB&。衍射光LBii1至LBii4經(jīng)由測量桿71 (圖17中省略)的上表面(+Z表面)而返回到 2D頭79a內(nèi)。并且，衍射光LBii1至LBii4分別通過由固定光柵79 至79 衍射，然后朝向二維光柵(基準(zhǔn)光柵)79 行進(jìn)。更準(zhǔn)確來說，通過+1次衍射光LBiil進(jìn)入固定光柵79 并且-1次衍射光LBii2進(jìn)入固定光柵79 ，以在TL表面內(nèi)相對于Z軸對稱的射出角分別從固定光柵79 和79 產(chǎn)生-1次衍射光及+1次衍射光，并且這些衍射光入射于二維光柵(基準(zhǔn)光柵)79a5上的同一點(diǎn)。此外，通過+1次衍射光LBii3進(jìn)入固定光柵79 并且-1次衍射光LBii4進(jìn)入固定光柵79 ，以在TL表面內(nèi)相對于Z軸對稱的射出角分別從固定光柵79 和79 產(chǎn)生-1次衍射光及+1次衍射光，并且這些衍射光入射于二維光柵(基準(zhǔn)光柵)79 上的同一點(diǎn)。衍射光LBa1至LB&入射于二維光柵(基準(zhǔn)光柵)79 上的同一點(diǎn)，并且同軸地合成。更準(zhǔn)確來說，通過衍射光LBiil和LBii2進(jìn)入二維光柵79 ，分別在Z軸方向上產(chǎn)生+1次衍射光和-1次衍射光。類似地，通過衍射光LBii3和LB&進(jìn)入二維光柵79 ，分別在Z軸方向產(chǎn)生+1次衍射光和-1次衍射光。這些所產(chǎn)生的衍射光同軸地合成。此時(shí)，測量束LBiitl在光柵RG處的衍射角(衍射光LBii1至LB&的射出角)只由測量束LB、的波長與光柵RG的衍射光柵的節(jié)距來確定。類似地，衍射光LBiil至LB&在固定光柵79 至79 處的衍射角(光路的彎曲角)只由測量束LB、的波長與固定光柵79 至 79 的節(jié)距來確定。此外，衍射光LBiil至1^ 在二維光柵(基準(zhǔn)光柵)79 處的衍射角 (光路的彎曲角)只由測量束LB、的波長與二維光柵79 的節(jié)距來確定。因此，根據(jù)測量束LB、的波長與光柵RG的衍射光柵的節(jié)距來適當(dāng)確定固定光柵79 至79 與二維光柵 (基準(zhǔn)光柵)79a5的節(jié)距，以使得衍射光LBiil至LB&在二維光柵(基準(zhǔn)光柵)79 處同軸地合成。
同軸地合成的衍射光LBii1至LBii4 (稱為合成光LBa)在-Z方向上從二維光柵79 射出，并且到達(dá)受光系統(tǒng)PDa。合成光LBa由諸如CCD(四分割受光元件)等的二維受光元件來接收。在該情況下，在受光元件的光檢測表面上出現(xiàn)二維莫爾圖案(方格圖案)。該二維圖案根據(jù)光柵RG 在X軸方向及Y軸方向的位置而變化。通過受光元件測量該變化，并且測量結(jié)果作為微動載臺WFS在X軸方向及Y軸方向的位置信息(但是，測量束LBiitl的照射點(diǎn)DI^將作為測量點(diǎn))而供給至主控制裝置20。主控制裝置20從兩個2D頭79a的測量結(jié)果的平均值獲得將曝光區(qū)域IA的中心 (光軸AX)作為實(shí)質(zhì)測量點(diǎn)的、微動載臺WFS在X軸方向及Y軸方向的位置信息。此外，主控制裝置20從兩個2D頭79a的測量結(jié)果獲得將曝光區(qū)域IA的中心(光軸AX)作為實(shí)質(zhì)測量點(diǎn)的、微動載臺WFS在θ ζ方向的位置信息。因此，通過使用與第一變形例相關(guān)的編碼器系統(tǒng)，如使用之前所述的編碼器系統(tǒng)的情況一樣，主控制裝置20可以在將安裝于微動載臺WFSl和WFS2上的晶片W曝光時(shí)，不斷地在曝光區(qū)域IA的中心(光軸AX)執(zhí)行對微動載臺WFSl和WFS2在XY平面內(nèi)的位置信
息測量。圖18示出與第二變形例相關(guān)的2D頭79b的示意配置。與關(guān)于第一變形例的2D 頭79a類似，2D頭79b也是三光柵型的編碼器頭。2D頭79b包括以預(yù)定的位置關(guān)系設(shè)置的光源LDb、分束器79bi、衍射光柵7%2及受光系統(tǒng)PDb等。在該情況下，衍射光柵7%2是其上形成有將X軸方向作為周期方向的衍射光柵和將Y軸方向作為周期方向的衍射光柵的透射型二維光柵。在2D頭79b中，在+Z方向上從光源LDb射出激光束LBbtl。激光束LBbtl經(jīng)由分束器79bi而入射于衍射光柵7%2。這在對應(yīng)于衍射光柵7%2的周期方向的方向上產(chǎn)生多個衍射光。圖18示出從周期方向是X軸方向的衍射光柵在相對于Z軸的對稱方向上產(chǎn)生的士 1 次的衍射光LBb1和LBlv以及從周期方向是對應(yīng)于Y軸方向的方向的衍射光柵在相對于Z 軸的對稱方向上產(chǎn)生的士 1次衍射光LBb3和LBb4。衍射光LBb1至LBb4從測量臂71 (圖18 中省略)的上表面(+Z表面)射出，然后作為測量束而分別照射在光柵RG上的點(diǎn)DPb1至 DHv衍射光LBb1和LBId2及LBb3和LBb4分別通過光柵RG的X衍射光柵及Y衍射光柵被衍射，并且反向沿著原來的光路而經(jīng)由測量桿71的上表面返回到衍射光柵7%2。然后， 衍射光LBb1至LBb4入射于衍射光柵7%2上的同一點(diǎn)，同軸地合成，并且在-Z方向上射出。 同軸地合成的衍射光LBb1至LBb4 (稱為合成光LBb)被分束器79bi反射，并且到達(dá)受光系統(tǒng) PDb。此時(shí)，測量束LBbtl在衍射光柵7%2處的衍射角(衍射光LBb1至LBb4的射出角) 只由測量束LBbtl的波長和衍射光柵7%2的節(jié)距來確定。類似地，衍射光LBb1至LBb4在光柵RG處的衍射角(光路的彎曲角)只由測量束LBbtl的波長和光柵RG的衍射光柵的節(jié)距來確定。因此，根據(jù)測量束LBbtl的波長與光柵RG的衍射光柵的節(jié)距來適當(dāng)?shù)卮_定衍射光柵7%2的節(jié)距及設(shè)置位置，以使得在衍射光柵7%2處產(chǎn)生的衍射光LBb1至LBb4在光柵RG 處被衍射，然后在衍射光柵7%2處同軸地合成。合成光LBb通過諸如CXD (或四分割受光元件)等的二維受光元件來接收。在該情況下，在受光元件的光檢測表面上出現(xiàn)二維莫爾圖案(方格圖案)。該二維圖案根據(jù)光柵 RG在X軸方向及Y軸方向的位置而變化。通過受光元件測量該變化，并且測量結(jié)果作為微動載臺WFS在X軸方向及Y軸方向的位置信息而被供給至主控制裝置20。在該情況下，兩個2D頭79b的各個光柵RG上的照射點(diǎn)DPb1至DPb4的中心DI^b設(shè)置于平行于X軸且通過曝光區(qū)域IA的中心(光軸AX)的基準(zhǔn)軸上。在該情況下，兩個2D 頭79b的中心Din3分別在士X側(cè)距曝光區(qū)域IA的中心(光軸AX)等距的位置。主控制裝置20從兩個2D頭79b的測量結(jié)果的平均值獲得將曝光區(qū)域IA的中心 (光軸AX)作為實(shí)質(zhì)測量點(diǎn)的微動載臺WFS在X軸方向及Y軸方向的位置信息。此外，主控制裝置20從兩個2D頭79b的測量結(jié)果獲得將曝光區(qū)域IA的中心(光軸AX)作為實(shí)質(zhì)測量點(diǎn)的微動載臺WFS在θ ζ方向的位置信息。因此，通過使用與第二變形例相關(guān)的編碼器系統(tǒng)，如在使用之前所述的編碼器系統(tǒng)的情況下一樣，主控制裝置20可以在將安裝于微動載臺WFSl和WFS2上的晶片W曝光時(shí)， 不斷地在曝光區(qū)域IA的中心執(zhí)行對微動載臺WFSl和WFS2在XY平面內(nèi)的位置信息測量。另外，在上述第二變形例中，盡管采用具有在頭的主體內(nèi)包括光源LDb與受光系統(tǒng)PDb的配置的2D頭79b，但是同樣地，也可采用具有在頭的主體外包括光源LDb與受光系統(tǒng)PDb的配置的2D頭79b，。2D頭79b’包括以預(yù)定的位置關(guān)系設(shè)置的光源LDb、分束器791^、衍射光柵7%2、一對反射表面79b3和79b4及受光系統(tǒng)PDb等。在該情況下，光源LDb與受光系統(tǒng)PDb例如設(shè)于測量桿71的+Y邊緣。另外，測量桿71除了容納頭的主體的部分之外被形成為實(shí)心。此外，一對反射表面79b3和79b4與TL平面正交，并且是彼此以45度的角度相對的五表面鏡 (或是五棱鏡)。衍射光柵7%2是其上形成有將X軸方向作為周期方向的衍射光柵和將Y 軸方向作為周期方向的衍射光柵的透射型二維光柵。在2D頭79b ’中，激光束LBbtl在+Y方向上從光源LDb射出。激光束LBbtl經(jīng)由分束器79bi傳播通過測量桿71內(nèi)部的實(shí)心部分，并且進(jìn)入頭的主體內(nèi)。與Y軸平行地進(jìn)入頭的主體內(nèi)的測量束LBbtl依序被反射表面79b3和79b4反射， 然后朝向衍射光柵7%2與Z軸平行地行進(jìn)。相反地，從衍射光柵7%2與Z軸平行地返回的合成光LBb依序被反射表面79b4和79b3反射，然后與Y軸平行地離開頭的主體。更具體地，測量束(及合成光)經(jīng)由五表面鏡79b3和79b4而無誤地在與入射方向正交的方向上射出。因而，例如，即使測量桿71因臂本身的重量而偏轉(zhuǎn)或是因晶片載臺WSTl和WST2的移動而振動，由于衍射光LBb1至LBb4在光柵RG上的照射點(diǎn)DPb1至DPb4不移動，因此也具有不產(chǎn)生測量誤差的優(yōu)點(diǎn)。此外，通過采用與使用五表面鏡79b3和79b4的2D頭79b’類似的配置，對于與第一變形例相關(guān)的2D頭79a(參照圖17)，可獲得類似的效果。另外，在上述實(shí)施例中，盡管頭的數(shù)量分別為一個X頭和兩個Y頭，但是頭的數(shù)量可進(jìn)一步增加。此外，在上述實(shí)施例中，盡管每一個頭群的頭的數(shù)量為一個X頭和兩個Y頭， 但是頭的數(shù)量可進(jìn)一步增加。此外，曝光站300側(cè)的第一測量頭群72可進(jìn)一步具有多個頭群。例如，可在設(shè)置于與曝光位置(晶片W上被曝光的照射區(qū)域)對應(yīng)的位置處的頭群的周圍的各個側(cè)(+Χ、+Υ、_Χ和-Y方向這四個方向)設(shè)置另一頭群。并且，可以以所謂的預(yù)讀方式測量恰好在照射區(qū)域曝光之前的微動載臺(晶片W)的位置。此外，構(gòu)成微動載臺位置測量系統(tǒng)70的編碼器系統(tǒng)的配置不限于上述實(shí)施例中的配置，并且可以采用任意配置。例如，也可使用能夠測量X軸、Y軸及Z軸的各方向的位置信息的3D頭。此外，在上述實(shí)施例中，從編碼器頭射出的測量束和從Z頭射出的測量束經(jīng)由兩個平臺間的間隙或是形成于各平臺處的光透射部而照射在微動載臺的光柵上。在該情況下，作為光透射部，考慮到作為反作用物的平臺14A或14B的移動范圍，在平臺14A和14B 中的每個處形成每個均比各測量束的束直徑稍大的孔，并且可以使測量束通過這多個開口部。此外，例如，鉛筆型的頭也可用作各編碼器頭和各Z頭，并且在各平臺處形成插入這些頭的開口部。另外，在上述實(shí)施例中，說明了如下情況作為示例根據(jù)采用平面馬達(dá)作為驅(qū)動晶片載臺WSTl和WST2的粗動載臺驅(qū)動系統(tǒng)62A和62B，由具有平面馬達(dá)的定子部的平臺14A 和14B形成用于晶片載臺WSTl和WST2沿著XY平面移動時(shí)的引導(dǎo)表面(產(chǎn)生Z軸方向的力的表面)。但是，上述實(shí)施例并非限定于此。此外，在上述實(shí)施例中，盡管測量表面(光柵 RG)布置在微動載臺WFSl和WFS2上并且由編碼器頭(及Z頭)構(gòu)成的第一測量頭群72 (及第二測量頭群7 設(shè)置在測量桿71上，不過上述實(shí)施例并非限定于此。更具體地，與上述情況相反地，編碼器頭(及Z頭)可以布置在微動載臺WFSl上并且可以在測量桿71側(cè)形成測量表面(光柵RG)。這種相反設(shè)置可適用于具有如下配置的載臺設(shè)備磁浮的載臺與例如電子束曝光裝置或EUV曝光裝置等中采用的所謂H型載臺組合。在該載臺設(shè)備中，由于載臺由引導(dǎo)桿支撐，因此在載臺的下方設(shè)置標(biāo)尺桿(Scale bar)(對應(yīng)于在其表面上形成衍射光柵的測量桿)以與載臺相對，并在與該標(biāo)尺桿相對的載臺的下表面設(shè)置編碼器頭的至少一部分(諸如光學(xué)系統(tǒng))。在該情況下，該引導(dǎo)桿構(gòu)成引導(dǎo)表面形成部件。當(dāng)然，也可以采用另一配置。光柵RG布置在測量桿71側(cè)的地方例如可為測量桿71，或者為布置在平臺14A(14B)上的全表面或至少一個表面上的非磁性材料等的板。另外，在上述實(shí)施例中，由于將測量桿71 —體地固定于主框架BD，因此可能因內(nèi)部應(yīng)力(包括熱應(yīng)力)而在測量桿71中發(fā)生扭曲等，并且測量桿71與主框架BD的相對位置變化。因此，作為在這樣情況下采取的對策，還可測量測量桿71的位置(相對于主框架 BD的相對位置，或相對于基準(zhǔn)位置的位置變化)，并且通過致動器等微調(diào)整測量桿71的位置，或是校正測量結(jié)果等。此外，在上述實(shí)施例中，說明了如下情況通過經(jīng)由粗動載臺WCSl和WCS2分別配備的耦接部件92b而在微動載臺WFSl與微動載臺WFS2之間遞送浸液區(qū)域(液體Lq)，將浸液區(qū)域(液體Lq)始終維持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方。但是，實(shí)施例不限于此，并且也可通過在交換晶片載臺WSTl和WST2時(shí)，將具有與例如美國專利申請公開第2004/0211920號的第三實(shí)施例中公開的配置類似的配置的快門部件(未示出)移動到投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方， 將浸液區(qū)域(液體Lq)始終維持在投影光學(xué)系統(tǒng)PL下方。此外，盡管說明了上述實(shí)施例適用于曝光裝置的載臺設(shè)備(晶片載臺)50的情況， 不過實(shí)施例并非限定于此，并且上述實(shí)施例也可適用于標(biāo)線片載臺RST。另外，在上述實(shí)施例中，光柵RG可覆蓋有保護(hù)部件(例如玻璃蓋)以被保護(hù)。玻璃蓋可布置成覆蓋主體部80 的下表面的基本全部表面，或者可布置成僅覆蓋主體部80的下表面的包括光柵RG的一部分。此外，盡管因?yàn)樾枰阋员Ｗo(hù)光柵RG的厚度而期望采用板狀的保護(hù)部件，不過也可根據(jù)材料而使用薄膜狀的保護(hù)部件。此外，也可將一個表面上固定或形成有光柵RG的透明板的另一表面接觸或接近晶片固持器的背表面而設(shè)置，且在透明板的一個表面?zhèn)仍O(shè)置保護(hù)部件(玻璃蓋)，或?qū)⒐潭ɑ蛐纬晒鈻臨G的透明板的一個表面接觸或接近晶片固持器的背表面而設(shè)置，而不布置保護(hù)部件(玻璃蓋)。特別是在前一情況下，也可取代透明板而在諸如陶瓷的不透明部件上固定或形成光柵RG，或是可在晶片固持器的背表面上固定或形成光柵RG。在后一情況下， 即使在曝光期間晶片固持器膨脹或附接位置相對于微動載臺移位，也可根據(jù)膨脹或移位而測量晶片固持器(晶片)的位置?；蛘撸坛制骱凸鈻臨G也可僅由傳統(tǒng)微動載臺來固持。此外，晶片固持器也可由實(shí)心的玻璃部件形成，并且光柵RG設(shè)置在該玻璃部件的上表面(晶片安裝表面)。另外，在上述實(shí)施例中，盡管說明了晶片載臺是作為粗動載臺與微動載臺的組合的粗/微動載臺的情況作為示例，不過實(shí)施例并非限定于此。此外，在上述實(shí)施例中，盡管微動載臺WFSl和WFS2可在全部六個自由度方向上驅(qū)動，不過實(shí)施例不限于此， 而是微動載臺應(yīng)至少在平行于XY平面的二維平面內(nèi)移動。再者，微動載臺WFSl和WFS2可以以接觸方式由粗動載臺WCSl和WCS2支撐。因此，相對于粗動載臺WCSl或WCS2驅(qū)動微動載臺WFSl或WFS2的微動載臺驅(qū)動系統(tǒng)可為旋轉(zhuǎn)馬達(dá)與滾珠螺桿(或進(jìn)給螺桿)的組合。 另外，微動載臺位置測量系統(tǒng)可以被配置為使得可在晶片載臺的整個移動范圍區(qū)域中執(zhí)行位置測量。在該情況下，不需要粗動載臺位置測量系統(tǒng)。另外，上述實(shí)施例的曝光裝置中使用的晶片可為諸如450mm晶片或300mm晶片的各種尺寸的晶片中的任何一種。另外，在上述實(shí)施例中，盡管說明了曝光裝置為浸液型的曝光裝置的情況，不過實(shí)施例并非限定于此，并且上述實(shí)施例可合適地適用于不用液體(水)而進(jìn)行晶片W的曝光的干式曝光裝置。另外，在上述實(shí)施例中，盡管說明了曝光裝置是掃描步進(jìn)機(jī)的情況，不過實(shí)施例不限于此，并且上述實(shí)施例也可適用于諸如步進(jìn)機(jī)的靜止型曝光裝置。即使在步進(jìn)機(jī)等中，通過使用編碼器測量安裝經(jīng)受曝光的物體的載臺位置，也可將因空氣波動而引起的位置測量誤差的發(fā)生減小到幾乎為零。因而，可基于編碼器的測量值高度精確地設(shè)置載臺的位置，結(jié)果，可高度精確地將標(biāo)線片圖案轉(zhuǎn)印至物體上。此外，上述實(shí)施例也可適用于合成照射區(qū)域與照射區(qū)域的步進(jìn)及縫合(St印-and-stitch)方法的縮小投影曝光裝置。此外，上述實(shí)施例的曝光裝置中的投影光學(xué)系統(tǒng)的放大不僅為縮小系統(tǒng)，也可為等倍系統(tǒng)或擴(kuò)大系統(tǒng)，并且投影光學(xué)系統(tǒng)不僅為折射系統(tǒng)，也可為反射系統(tǒng)或反射折射系統(tǒng)，此外，投影圖像可為倒立圖像或正立圖像。此外，照明光IL不限于氟化氬(ArF)準(zhǔn)分子激光(波長193nm)，而是可為諸如氟化氪(KrF)準(zhǔn)分子激光(波長M8nm)的紫外光，或是諸如氟(F2)激光(波長157nm)的真空紫外光。如在例如美國專利第7，023，610號中所公開的，也可使用諧波作為真空紫外光， 該諧波通過以摻雜例如鉺(或鉺與鐿兩者)的光纖放大器將DFB半導(dǎo)體激光或光纖激光發(fā)出的紅外光帶或可視光帶的單一波長激光束放大并使用非線性光學(xué)晶體將波長轉(zhuǎn)換為紫外光而獲得。此外，在上述實(shí)施例中，曝光裝置的照明光IL不限于波長大于或等于IOOnm的光， 無需說，也可使用波長小于IOOnm的光。例如，上述實(shí)施例也可適用于使用軟X射線范圍 (例如，5至15nm的波長帶)的EUV (極紫外)光的EUV曝光裝置。此外，上述實(shí)施例也可適用于使用諸如電子線或離子束的帶電粒子束的曝光裝置。此外，在上述實(shí)施例中，使用通過在光透射型基板上形成預(yù)定的遮光圖案(或相位圖案或減光圖案)而獲得的光透射型屏蔽(標(biāo)線片)，但是取代該標(biāo)線片，如例如美國專利第6，778，257號中所公開的，也可使用根據(jù)要曝光的圖案的電子數(shù)據(jù)而形成光透射圖案、反射圖案或是發(fā)光圖案的電子屏蔽(也稱為可變成形屏蔽、主動屏蔽(Active mask)、 或是圖像產(chǎn)生器，并且包括例如作為非發(fā)光型圖像顯示設(shè)備(空間光調(diào)制器)類型的 DMD(數(shù)字微反射鏡設(shè)備等)。在使用這種可變成形屏蔽的情況下，由于相對于可變成形屏蔽而掃描安裝晶片、玻璃板等的載臺，因此可以通過使用編碼器系統(tǒng)測量該載臺的位置，獲得與上述實(shí)施例同等的效果。此外，如例如PCT國際公開第2001/035168號中所公開的，上述實(shí)施例也可應(yīng)用于在通過在晶片W上形成干擾花紋而在晶片W上形成線寬及間距相等的圖案(line and space pattern)的曝光裝置(光刻系統(tǒng))。再者，如例如在美國專利第6，611，316號中所公開的，在將兩個標(biāo)線片圖案經(jīng)由投影光學(xué)系統(tǒng)合成于晶片上并且通過一次掃描曝光而在晶片上的一個照射區(qū)域基本上同時(shí)實(shí)施雙重曝光的曝光裝置中，也可適用上述實(shí)施例。另外，上述實(shí)施例中要形成圖案的物體(照射能量束的經(jīng)受曝光的物體)不限于晶片，而是可為諸如玻璃板、陶瓷基板、薄膜部件或是光罩素板(mask blank)的其它物體。曝光裝置的用途不限于用于制造半導(dǎo)體設(shè)備的曝光裝置，且上述實(shí)施例也可廣泛適用于例如用于制造將液晶顯示元件圖案轉(zhuǎn)印到矩形玻璃板上的液晶顯示元件的曝光裝置；以及適用于用于制造有機(jī)EL、薄膜磁頭、成像設(shè)備(諸如CCD)、微型機(jī)器及DNA芯片等的曝光裝置。此外，不僅在生產(chǎn)諸如半導(dǎo)體設(shè)備的微型設(shè)備時(shí)，而且在生產(chǎn)諸如光學(xué)曝光裝置、EUV曝光裝置、X射線曝光裝置及電子束曝光裝置的曝光裝置中使用的標(biāo)線片或屏蔽時(shí)，在將電路圖案轉(zhuǎn)印到玻璃基板、硅晶片等上的曝光裝置中，也可適用上述實(shí)施例。另外，至此在描述中所引用的關(guān)于曝光裝置等的全部公布、國際公開、美國專利申請公開及美國專利的公開內(nèi)容通過引用而均并入本文中。諸如半導(dǎo)體設(shè)備的電子設(shè)備經(jīng)過以下步驟來制造進(jìn)行設(shè)備的功能/性能設(shè)計(jì)的步驟；基于設(shè)計(jì)步驟制造標(biāo)線片的步驟；使用硅材料制造晶片的步驟；利用所述實(shí)施例的曝光裝置(圖案形成裝置)及其曝光方法將屏蔽(標(biāo)線片)的圖案轉(zhuǎn)印至晶片的光刻步驟； 將曝光的晶片顯影的顯影步驟；通過蝕刻除去抗蝕劑殘留區(qū)域以外的區(qū)域的露出部件的蝕刻步驟；在蝕刻完成時(shí)除去不需要的抗蝕劑的抗蝕劑除去步驟；設(shè)備組裝步驟(包括切割工藝、接合工藝及封裝工藝)；檢查步驟等。在該情況下，在光刻步驟中，使用上述實(shí)施例的曝光裝置執(zhí)行所述的曝光方法，并且在晶片上形成設(shè)備圖案，因此可以以高生產(chǎn)率制造高集成度的設(shè)備。工業(yè)可用性如上所述，本發(fā)明的曝光裝置及曝光方法適合利用能量束將物體曝光。此外，本發(fā)明的設(shè)備制造方法適合制造電子設(shè)備。
權(quán)利要求
1.一種曝光裝置，其經(jīng)由被第一支撐部件支撐的光學(xué)系統(tǒng)利用能量束將物體曝光，所述裝置包括可移動體，其固持所述物體并可沿預(yù)定平面移動；弓丨導(dǎo)表面形成部件，其形成所述可移動體沿所述預(yù)定平面移動時(shí)使用的弓I導(dǎo)表面； 第二支撐部件，其經(jīng)由所述引導(dǎo)表面形成部件與所述弓I導(dǎo)表面形成部件分開設(shè)置在所述光學(xué)系統(tǒng)的相對側(cè)，并且其與所述第一支撐部件的位置關(guān)系維持在預(yù)定狀態(tài)；位置測量系統(tǒng)，其包括第一測量部件，該第一測量部件利用測量束照射與所述預(yù)定平面平行的測量表面并且從所述測量表面接收光，并且所述位置測量系統(tǒng)基于所述第一測量部件的輸出獲得所述可移動體在所述預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，所述測量表面布置在所述可移動體和所述第二支撐部件中的一個處并且所述第一測量部件的至少一部分布置在所述可移動體和所述第二支撐部件中的另一個處；以及傾斜測量系統(tǒng)，其獲得所述可移動體相對于所述預(yù)定平面的傾斜信息。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的曝光裝置，所述裝置還包括驅(qū)動系統(tǒng)，其基于所述位置測量系統(tǒng)獲得的位置信息和關(guān)于由所述可移動體的傾斜造成的位置誤差的校正信息，驅(qū)動所述可移動體。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的曝光裝置，所述曝光裝置還包括計(jì)算裝置，其基于所述傾斜信息和所述測量平面與所述物體的表面在垂直于所述預(yù)定平面的方向上的位置的差，計(jì)算第一位置誤差校正信息作為所述校正信息。
4.根據(jù)權(quán)利要求2和3之一所述的曝光裝置，所述裝置還包括控制裝置，其基于所述位置信息和所述傾斜信息而使所述可移動體以多個不同的姿勢變化，在維持各姿勢的同時(shí)在與所述預(yù)定平面垂直的方向上的不同位置處獲得所述可移動體在所述預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，并且基于所述位置信息，根據(jù)與所述可移動體的基準(zhǔn)狀態(tài)的姿勢變化來作成第二位置誤差校正信息作為所述校正信息。
5.根據(jù)權(quán)利要求1至4中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，所述第二支撐部件是與所述預(yù)定平面平行地設(shè)置的梁狀部件，所述裝置還包括 測量設(shè)備，其測量所述第二支撐部件的變化信息；以及計(jì)算設(shè)備，其基于所述變化信息，根據(jù)與所述可移動體的基準(zhǔn)狀態(tài)的姿勢變化計(jì)算第三位置誤差校正信息，由此，所述驅(qū)動系統(tǒng)進(jìn)一步基于所述第二位置誤差校正信息來驅(qū)動所述可移動體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的曝光裝置，其中，所述梁狀部件具有在垂掛狀態(tài)下固定于所述第一支撐部件的縱向方向上的兩端部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，所述驅(qū)動系統(tǒng)基于所述校正信息來校正用于驅(qū)動所述可移動體的目標(biāo)位置。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至6中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中， 所述驅(qū)動系統(tǒng)基于所述校正信息來校正所述位置信息。
9.根據(jù)權(quán)利要求1至8中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，其周期方向在平行于所述預(yù)定平面的方向上的光柵設(shè)置在所述測量表面上， 所述第一測量部件包括編碼器頭，所述編碼器頭利用所述測量束照射所述光柵，并從所述光柵接收衍射光。
10.根據(jù)權(quán)利要求1至9中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，所述引導(dǎo)表面形成部件是平臺，所述平臺設(shè)置在所述第二支撐部件的所述光學(xué)系統(tǒng)側(cè)以與所述可移動體相對，并且所述平臺在其與所述可移動體相對的側(cè)的一個表面上形成有與所述預(yù)定平面平行的所述弓I導(dǎo)表面。
11.根據(jù)權(quán)利要求10所述的曝光裝置，其中，所述平臺具有所述測量束能夠通過的光透射部。
12.根據(jù)權(quán)利要求10和11之一所述的曝光裝置，其中，所述驅(qū)動系統(tǒng)包括平面馬達(dá)，所述平面馬達(dá)具有布置在所述可移動體處的動子與布置在所述平臺處的定子，并通過所述動子與所述定子之間產(chǎn)生的驅(qū)動力而驅(qū)動所述可移動體。
13.根據(jù)權(quán)利要求1至12中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，所述測量平面設(shè)置在所述可移動體處，并且所述第一測量部件的至少一部分設(shè)置在所述第二支撐部件處。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的曝光裝置，其中，所述物體安裝在所述可移動體的與所述光學(xué)系統(tǒng)相對的第一表面上，并且所述測量表面設(shè)置在所述第一表面的相對側(cè)的第二表面上。
15.根據(jù)權(quán)利要求13和14之一所述的曝光裝置，其中，所述可移動體包括第一可移動部件，其可沿所述預(yù)定平面移動；以及第二可移動部件，其固持所述物體，并利用所述第一可移動部件以可相對移動的方式被支撐，以及所述測量表面設(shè)置在所述第二可移動部件處。
16.根據(jù)權(quán)利要求15所述的曝光裝置，其中，所述驅(qū)動系統(tǒng)包括第一驅(qū)動系統(tǒng)，其驅(qū)動所述第一可移動部件；以及第二驅(qū)動系統(tǒng)， 其相對于所述第一可移動部件相對地驅(qū)動所述第二可移動部件。
17.根據(jù)權(quán)利要求13至16中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，其中，所述測量系統(tǒng)具有一個或兩個或更多的所述第一測量部件，所述第一測量部件的、在所述測量表面上實(shí)質(zhì)的測量軸所穿過的測量中心與曝光位置一致，所述曝光位置是照射在所述物體上的能量束的照射區(qū)域的中心。
18.根據(jù)權(quán)利要求13至17中任一項(xiàng)所述的曝光裝置，所述裝置還包括標(biāo)記檢測系統(tǒng)，其檢測設(shè)置在所述物體上的標(biāo)記，其中，所述測量系統(tǒng)具有一個或兩個或更多的第二測量部件，所述第二測量部件的、在所述測量表面上實(shí)質(zhì)的測量軸所穿過的測量中心與所述標(biāo)記檢測系統(tǒng)的檢測中心一致。
19.一種曝光裝置，其經(jīng)由被第一支撐部件支撐的光學(xué)系統(tǒng)利用能量束將物體曝光，所述裝置包括可移動體，其固持所述物體并可沿預(yù)定平面移動；第二支撐部件，其與所述第一支撐部件的位置關(guān)系維持在預(yù)定狀態(tài)；可移動體支撐部件，其設(shè)置在所述光學(xué)系統(tǒng)與所述第二支撐部件之間以便與所述第二支撐部件分開，當(dāng)所述可移動體沿所述預(yù)定平面移動時(shí)，所述可移動體支持部件在所述可移動體的與所述第二支撐部件的縱向方向正交的方向上的至少兩個點(diǎn)處支撐所述可移動體；位置測量系統(tǒng)，其包括第一測量部件，所述第一測量部件利用測量束照射與所述預(yù)定平面平行的測量表面并接收來自所述測量表面的光，并且所述位置測量系統(tǒng)基于所述第一測量部件的輸出獲得所述可移動體在所述預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，所述測量表面被布置在所述可移動體和所述第二支撐部件中的一個處并且所述第一測量部件的至少一部分布置在所述可移動體和所述第二支撐部件中的另一個處；以及傾斜測量系統(tǒng)，其獲得所述可移動體相對于所述預(yù)定平面的傾斜信息。
20.根據(jù)權(quán)利要求19所述的曝光裝置，所述裝置還包括驅(qū)動系統(tǒng)，其基于所述位置測量系統(tǒng)獲得的位置信息和關(guān)于由所述可移動體的傾斜造成的位置誤差的校正信息，驅(qū)動所述可移動體。
21.根據(jù)權(quán)利要求19和20之一所述的曝光裝置，其中，所述可移動體支撐部件是平臺，所述平臺設(shè)置在所述第二支撐部件的所述光學(xué)系統(tǒng)側(cè)以與所述可移動體相對，并且所述平臺在與所述可移動體相對的側(cè)的一個表面上形成有與所述預(yù)定平面平行的引導(dǎo)表面。
22.—種設(shè)備制造方法，包括利用根據(jù)權(quán)利要求1至21中任一項(xiàng)所述的曝光裝置將物體曝光；以及將已曝光的所述物體顯影。
23.—種曝光方法，其中經(jīng)由被第一支撐部件支撐的光學(xué)系統(tǒng)利用能量束將物體曝光， 所述方法包括在測量平面上照射測量束，并且基于第一測量部件的輸出，獲得可移動體至少在預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，其中，所述測量平面平行于所述預(yù)定平面并且設(shè)置在所述可移動體和第二支撐部件中的一個上，所述第二支撐部件以引導(dǎo)表面形成部件在其之間的方式與所述引導(dǎo)表面形成部件分開設(shè)置在光學(xué)系統(tǒng)的相對側(cè)并且其與所述第一支撐部件的位置關(guān)系維持在預(yù)定狀態(tài)，所述引導(dǎo)表面形成部件形成所述可移動體沿所述預(yù)定平面移動時(shí)的引導(dǎo)表面，所述可移動體固持所述物體并可沿所述預(yù)定平面移動，所述第一測量部件的至少一部分設(shè)置在接收來自所述測量平面的光的所述可移動體和所述第二支撐部件中的另一個上；以及基于所述可移動體在所述預(yù)定平面內(nèi)的位置信息以及由所述可移動體的傾斜造成的位置誤差的校正信息來驅(qū)動所述可移動體。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的曝光方法，所述方法還包括基于所述可移動體相對于所述預(yù)定平面的傾斜信息以及所述測量平面與所述物體的表面在垂直于所述預(yù)定平面的方向上的位置的差，計(jì)算第一位置誤差校正信息作為所述校 IHfn 息。
25.根據(jù)權(quán)利要求23和M之一所述的曝光方法，所述方法還包括基于所述位置信息和所述傾斜信息，在使所述可移動體以多個不同的姿勢變化的同時(shí)維持各姿勢，同時(shí)在與所述預(yù)定平面垂直的方向上的不同位置處獲得所述可移動體在所述預(yù)定平面內(nèi)的位置信息，以及基于所述位置信息，根據(jù)與所述可移動體的基準(zhǔn)狀態(tài)的姿勢變化來作成第二位置誤差校正信息作為所述校正信息。
26.根據(jù)權(quán)利要求23至25中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其中，所述第二支撐部件是與所述預(yù)定平面平行地設(shè)置的梁狀部件，所述方法還包括基于所述第二支撐部件的變化信息，根據(jù)與所述可移動體的基準(zhǔn)狀態(tài)的姿勢變化來計(jì)算第三位置誤差校正信息，其中，在所述驅(qū)動中，進(jìn)一步基于所述第三位置誤差校正信息驅(qū)動所述可移動體。
27.根據(jù)權(quán)利要求23至沈中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其中，在所述驅(qū)動中，基于所述校正信息來校正用于驅(qū)動所述可移動體的目標(biāo)位置。
28.根據(jù)權(quán)利要求23至沈中任一項(xiàng)所述的曝光方法，其中， 在所述驅(qū)動中，基于所述校正信息校正所述位置信息。
29.一種設(shè)備制造方法，其包括通過根據(jù)權(quán)利要求23至觀中任一項(xiàng)所述的曝光方法將物體曝光；以及將已曝光的所述物體顯影。
全文摘要
基于使用測量系統(tǒng)測量的晶片載臺(WST1)的位置信息和晶片載臺(WST1)的傾斜信息驅(qū)動晶片載臺(WST1)。這允許高精度地驅(qū)動晶片載臺(WST1)，其中當(dāng)晶片載臺(WST1)傾斜時(shí)對晶片載臺的影響減小。
文檔編號G03F7/20GK102549504SQ20108004405
公開日2012年7月4日 申請日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月30日
發(fā)明者一之瀨剛 申請人:株式會社尼康