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聚合物分散型液晶膜拼接結構的制作方法

文檔序號:2759924閱讀:196來源:國知局
專利名稱:聚合物分散型液晶膜拼接結構的制作方法
技術領域
本實用新型涉及一種聚合物分散型液晶膜拼接結構,該拼接結構包括第一拼接部、第二拼接部,所述第一拼接部有一個拼接上邊,所述第二拼接部有一個拼接下邊。
背景技術
美國專利4671618公開了一種相分離型聚合物分散型液晶的制作方法,用此方法 可以制成 PDLC(polymer dispersed liquid crystal,簡稱 PDLC)膜、PALC 膜,統(tǒng)稱為聚合 物分散型液晶膜(也稱作塑膠型液晶膜),塑膠型液晶膜包括一個液晶-塑膠芯層和兩個透 明導電薄膜表層。聚合物分散型液晶膜是一種新興的電光薄膜材料,具有顯著的電光特性, 可用來制成調光玻璃、魔術玻璃、電致液晶霧化玻璃、Smart Glass、電光開關及其衍生產品 等裝置?,F(xiàn)有技術中,電致液晶霧化玻璃制備的玻璃合片工藝采用加熱的方式,參見


圖1,包 括對接部1和對接部2 ;如果將兩塊聚合物分散型液晶膜沿對接縫并接在一起,放置在兩片 玻璃5中間進行加熱合片,在加熱過程中,該膜的并接縫3會擴大l-2mm,且對接縫邊緣的膜 層之間會產生開膠帶4,影響產品外觀質量和使用。因此,需要提供一種聚合物分散型液晶 膜拼接結構,使加熱后兩相鄰聚合物分散型液晶膜之間的拼縫較小,并且拼縫處的液晶膜 不會產生開膠。
發(fā)明內容本實用新型的目的在于提供一種聚合物分散型液晶膜拼接結構,該拼接結構包括 第一拼接部、第二拼接部,所述第一拼接部有一個拼接上邊,所述第二拼接部有一個拼接下 邊;該拼接結構在電致液晶霧化玻璃制備的玻璃合片工藝中加熱處理后,兩相鄰聚合物分 散型液晶膜之間的拼縫很小,且拼縫邊緣的塑膠型液晶膜不開膠。本實用新型的目的是由下述技術方案實現(xiàn)的一種聚合物分散型液晶膜拼接結 構,包括第一拼接部、第二拼接部,所述第一拼接部有一個外延的拼接上邊,所述第二拼接 部有一個外延的拼接下邊;所述拼接上邊與所述第一拼接部中的上透明導電薄膜表層是一 體結構;所述拼接下邊與所述第二拼接部中的下透明導電薄膜表層是一體結構;所述拼接 上邊與所述拼接下邊按上下結構拼接在一起。本實用新型與現(xiàn)有技術相比具有如下優(yōu)點1、在本實用新型的拼接結構中,由于其拼接縫處的厚度變化細微,不會因為厚度 變化大而使聚合物分散型液晶膜邊緣局部受力變形導致拼縫附近出現(xiàn)透亮的缺陷。2、本實用新型的拼接結構,拼接處縫隙比較小,由于膠粘劑在高溫下流動填補縫 隙而產生的延伸變形比較小,膠粘劑對聚合物分散型液晶膜的作用力也減小,聚合物分散 型液晶膜不易開膠。
以下結合附圖及實施例對本實用新型作進一步說明。[0009]
圖1是現(xiàn)有技術中的對接縫結構示意圖;圖2是本實用新型實施例一的拼接結構示意圖;圖3是實施例一加熱處理后的結構示意圖;圖4是本實用新型實施例二的拼接結構示意圖;
具體實施方式
實施例一參見圖2(圖2是聚合物分散型液晶膜拼接斷面視圖),本實用新型的聚合物分散 型液晶膜拼接結構,包括第一拼接部10、第二拼接部20,所述第一拼接部有一個外延的拼 接上邊104,所述第二拼接部有一個外延的拼接下邊204 ;所述拼接上邊與所述第一拼接部 中的上透明導電薄膜表層101是一體結構;所述拼接下邊與所述第二拼接部中的下透明導 電薄膜表層201是一體結構;所述拼接上邊與所述拼接下邊按上下結構拼接在一起。在本實施例中,所述的聚合物分散型液晶膜包括一個液晶-塑膠芯層102和兩 個透明導電薄膜表層101、103,所述液晶-塑膠芯層的厚度是0. 36毫米,可以采用德國 E-Merk的液晶E-7,美國Dow化學公司的塑膠,透明導電薄膜采用湖南三才產ITO-PET導電 膜,是單面鍍有ITO(氧化銦錫)導電層1011、1031的柔性聚脂薄膜;制作聚合物分散型液 晶膜裝置和電致液晶霧化玻璃的相關技術可參見中國專利200820118099. 5,此處不詳細描 述。本實用新型的第一拼接部、第二拼接部是指兩個需要拼接在一起的聚合物分散型 液晶膜的相鄰部位。在本實施例中,兩個聚合物分散型液晶膜拼接在一起后,拼接部位的 厚度不高于第一拼接部或者第二拼接部的厚度。第一拼接部10包括一個液晶-塑膠芯層 102、上透明導電薄膜表層101、下透明導電薄膜表層103,上透明導電薄膜表層內側鍍有導 電層1011、下透明導電薄膜表層內側鍍有導電層1031。第二拼接部20包括一個液晶-塑 膠芯層202、上透明導電薄膜表層203、下透明導電薄膜表層201,上透明導電薄膜表層內側 鍍有導電層2031、下透明導電薄膜表層內側鍍有導電層2011。在本實施例中,所述第一拼接部中,外延的拼接上邊可以是生產聚合物分散型液 晶膜時預留形成的,并且,該外延的拼接上邊內側處不鍍有導電層;同樣,所述第二拼接部 中,外延的拼接下邊也是生產聚合物分散型液晶膜時預留形成的,并且,該外延的拼接下邊 內側處不鍍有導電層。在本實施例中,所述第一拼接部中,外延的拼接上邊還可以是后期加工形成的。即 先將第一拼接部一個邊緣的下透明導電薄膜表層103切除(切除寬度1-2毫米),并保留上 透明導電薄膜表層104部分(保留寬度1-2毫米),然后去除1-2毫米寬度的液晶_塑膠芯 層,最后將所保留的上透明導電薄膜表層內側面上的導電層去除,形成外延的拼接上邊。所 述第二拼接部中,外延的拼接下邊加工過程與所述拼接上邊相同,在此不重復描述。從聚合物分散型液晶膜拼接結構的顯示性能的情況出發(fā),本實施例中,所述第一 拼接部外延的拼接上邊的寬度為1 2mm,最優(yōu)選的寬度是Imm ;所述第二拼接部外延的拼 接下邊的寬度為1 2mm,最優(yōu)選的寬度是1mm。參見圖3,使用本實用新型制作電致液晶霧化玻璃40時,需要經過加熱合片處理 過程,本實用新型的拼接結構在加熱過程中,所述拼接下邊與拼接上邊貼合在一起,加熱合片處理過程完成后,兩塊聚合物分散型液晶膜的拼接處會產生一個1-2. 5mm左右的透明條 帶30,但是,本實用新型的拼接結構處的聚合物分散型液晶膜不會發(fā)生開膠的現(xiàn)象。實施例二本實施例中的聚合物分散型液晶膜拼接結構,是在實施例一基礎上的改進,與實 施例一中相似的技術內容在此不一一重復描述。參見圖4(圖4是聚合物分散型液晶膜拼接斷面視圖)本實施例中,所述第一拼 接部的拼接上邊內側設置一導電層,所述第二拼接部拼接下邊內側設置一導電層;所述拼 接上邊與拼接下邊之間設置一個條形絕緣層205。所述條形絕緣層由二種方式實現(xiàn)一是 在兩塊聚合物分散型液晶膜拼接時,在拼接上邊與拼接下邊的導電層之間設置一條形絕緣 膜,該絕緣膜可以是聚酯薄膜、聚丙烯薄膜、聚酰亞胺膜或其它不導電柔軟薄膜;二是在拼 接上邊或者拼接下邊的導電層上涂置一層絕緣膠。該絕緣材料可以是聚酯材料、樹脂材料 或者其它不導電材料。從聚合物分散型液晶膜拼接結構的顯示性能的情況出發(fā),本實施例中,所述第一 拼接部外延的拼接上邊的寬度為1 2mm,最優(yōu)選的寬度是Imm ;所述第二拼接部外延的拼 接下邊的寬度為1 2mm,最優(yōu)選的寬度是1mm。
權利要求一種聚合物分散型液晶膜拼接結構,其特征在于包括第一拼接部、第二拼接部,所述第一拼接部有一個外延的拼接上邊,所述第二拼接部有一個外延的拼接下邊;所述拼接上邊與所述第一拼接部中的上透明導電薄膜表層是一體結構;所述拼接下邊與所述第二拼接部中的下透明導電薄膜表層是一體結構;所述拼接上邊與所述拼接下邊按上下結構拼接在一起。
2.根據權利要求1所述的聚合物分散型液晶膜拼接結構,其特征在于所述第一拼接 部外延的拼接上邊的寬度為1 2mm ;所述第二拼接部外延的拼接下邊的寬度為1 2mm。
3.根據權利要求2所述的聚合物分散型液晶膜拼接結構,其特征在于所述第一拼接 部外延的拼接上邊的寬度為Imm ;所述第二拼接部外延的拼接下邊的寬度為1mm。
4.根據權利要求1所述的聚合物分散型液晶膜拼接結構,其特征在于所述第一拼接 部的拼接上邊內側設置一導電層,所述第二拼接部拼接下邊內側設置一導電層;所述拼接 上邊與拼接下邊之間設置一條形絕緣層。
5.根據權利要求4所述的聚合物分散型液晶膜拼接結構,其特征在于所述第一拼接 部外延的拼接上邊的寬度為1 2mm ;所述第二拼接部外延的拼接下邊的寬度為1 2mm。
6.根據權利要求5所述的聚合物分散型液晶膜拼接結構,其特征在于所述第一拼接 部外延的拼接上邊的寬度為Imm;所述第二拼接部外延的拼接下邊的寬度為1mm。
專利摘要本實用新型涉及一種聚合物分散型液晶膜拼接結構,包括第一拼接部、第二拼接部,所述第一拼接部有一個外延的拼接上邊,所述第二拼接部有一個外延的拼接下邊;所述拼接上邊與所述第一拼接部中的上透明導電薄膜表層是一體結構;所述拼接下邊與所述第二拼接部中的下透明導電薄膜表層是一體結構;所述拼接上邊與所述拼接下邊按上下結構拼接在一起。本實用新型的拼接結構在電致液晶霧化玻璃制備的玻璃合片工藝中加熱處理后,兩相鄰聚合物分散型液晶膜之間的拼縫很小,且拼縫邊緣的塑膠型液晶膜不開膠。
文檔編號G02F1/1334GK201589919SQ20102010159
公開日2010年9月22日 申請日期2010年1月26日 優(yōu)先權日2010年1月26日
發(fā)明者趙勤, 郭學東, 高攀 申請人:北京眾智同輝科技有限公司
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