專(zhuān)利名稱：含納米硅聚酰胺紫外正性光刻膠及其成膜樹(shù)脂的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種適用于半導(dǎo)體分立器件和大規(guī)模集成電路的制造及封裝等領(lǐng)域 中應(yīng)用的含納米硅聚酰胺紫外正性光刻膠及其成膜樹(shù)脂。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體分立器件和大規(guī)模集成電路的制備過(guò)程中，不僅芯片制造工藝日新月 異，封裝技術(shù)與封裝材料也是一個(gè)快速發(fā)展的非常重要的工藝組成部分。目前，先進(jìn)的封裝 技術(shù)已由單個(gè)的集成電路塊的單個(gè)分別封裝發(fā)展到硅片級(jí)封裝，以及由多塊芯片疊加組合 成功能更強(qiáng)的三維立體組合封裝等，在封裝過(guò)程中所應(yīng)用的封裝材料也由于工藝的改進(jìn)不 斷更新。本發(fā)明涉及的耐高溫聚酰胺型紫外曝光正性光敏性材料不僅是集成電路和分立器 件制造工藝的關(guān)鍵材料，也是封裝工藝中所必需的關(guān)鍵功能材料。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明目的是提供一種應(yīng)用于半導(dǎo)體分立器件和大規(guī)模集成電路制造及先進(jìn)封 裝工藝過(guò)程中的含納米硅聚酰胺紫外正性光刻膠及其成膜樹(shù)脂這種聚酰胺型紫外光敏性 材料。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明采用的第一種技術(shù)方案是一種成膜樹(shù)脂，主要由以下兩 個(gè)步驟制得第一步由芳香酰氯、含納米硅組成單元和芳香胺三種共聚單體在溶劑中進(jìn)行共聚反 應(yīng)得到含納米硅聚酰胺預(yù)聚物，所述三種共聚單體的質(zhì)量百分比如下 芳香酰氯20% 70% ；含納米硅組成單元1% 10% ；芳香胺20% 70% ；所 述芳香 酰氯是 符合化 學(xué)通式( I)和化學(xué)通式(Π)的化合物中的至少一種
權(quán)利要求
1.一種成膜樹(shù)脂，其特征在于主要由以下兩個(gè)步驟制得第一步由芳香酰氯、含納米硅組成單元和芳香胺三種共聚單體在溶劑中進(jìn)行共聚反應(yīng)得到含納米硅聚酰胺預(yù)聚物，所述三種共聚單體的質(zhì)量百分比如下芳香酰氯20％一70％；含納米硅組成單元1％一10％；芳香胺20％一70％；所 述 芳 香 酰 氯 是 符 合 化 學(xué) 通 式 (工)和化學(xué)通式(Ⅱ)的化合物中的至少一種
2. 一種采用權(quán)利要求1的成膜樹(shù)脂制得的含納米硅聚酰胺紫外正性光刻膠，其特征在
3. 一種成膜樹(shù)脂，其特征在于主要由以下三個(gè)步驟制得第一步由芳香酰氯與芳香胺兩種共聚單體在溶劑中進(jìn)行共聚反應(yīng)得到聚酰胺預(yù)聚物，所述兩種共聚單體的質(zhì)量百分比如下芳香酰氯30% 70% ；芳香胺30% 70% ；所述芳香酰氯是符合化學(xué)通式(X)和化學(xué)通式(XI)化合物中的至少一種
4. 一種采用權(quán)利要求3的成膜樹(shù)脂制得的含納米硅聚酰胺紫外正性光刻膠，其特征在 于主要由以下質(zhì)量份的化合物組成 成膜樹(shù)脂8 30份；溶劑70 90份；所述溶劑選自二甲苯、苯甲醚、丙二醇單甲醚、丙二醇單乙醚、丙二醇甲醚醋酸酯、二縮 乙二醇甲醚、二縮乙二醇乙醚、醋酸丁酯、乳酸乙酯、Y-丁內(nèi)酯、N-甲基吡咯烷酮中。
全文摘要
一種含納米硅聚酰胺紫外正性光刻膠及其成膜樹(shù)脂，該成膜樹(shù)脂由芳香酰氯、芳香胺和含納米硅組成單元聚合而成，采用該成膜樹(shù)脂制得含納米硅聚酰胺紫外正性光刻膠，其中成膜樹(shù)脂的重量份數(shù)為8～30份，溶劑的重量份數(shù)為70～90份。本發(fā)明制得的光刻膠具有良好的耐高溫性能、機(jī)械性能、電學(xué)性能、粘附性能和抗刻蝕性能。
文檔編號(hào)G03F7/075GK102050946SQ201010552630
公開(kāi)日2011年5月11日 申請(qǐng)日期2010年11月22日 優(yōu)先權(quán)日2010年11月22日
發(fā)明者冉瑞成, 沈吉 申請(qǐng)人:昆山西迪光電材料有限公司