專利名稱：像素陣列的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種像素陣列，且特別是有關(guān)于一種顯示面板的像素陣列。
背景技術(shù)：
液晶顯示器具有高畫質(zhì)、體積小、重量輕、低電壓驅(qū)動(dòng)、低消耗功率及應(yīng)用范圍廣 等優(yōu)點(diǎn)，因此已取代陰極射線管(Cathode Ray Tube,CRT)成為新一代顯示器的主流。一般 而言，液晶顯示面板主要由主動(dòng)元件陣列基板、彩色濾光基板和液晶層所構(gòu)成。更詳細(xì)地說，主動(dòng)元件陣列基板是由多個(gè)陣列排列的薄膜晶體管以及與每一個(gè)薄 膜晶體管對應(yīng)配置的像素電極(Pixel electrode)所組成，其中薄膜晶體管用來作為液晶 顯示單元的開關(guān)元件。此外，為了控制個(gè)別的像素結(jié)構(gòu)，通常會(huì)經(jīng)掃描配線(scan line)與 數(shù)據(jù)配線(date line)以選取特定的像素結(jié)構(gòu)，并通過提供適當(dāng)?shù)牟僮麟妷海燥@示對應(yīng)此 像素結(jié)構(gòu)的顯示數(shù)據(jù)。實(shí)務(wù)上，為了保持(holding)像素結(jié)構(gòu)的操作電壓，通常會(huì)在各像素 結(jié)構(gòu)中設(shè)置電容電極線。利用像素電極與電容電極線的重疊區(qū)域以形成儲存電容。然而，電容電極線的設(shè)置將使得像素結(jié)構(gòu)的開口率降低。因此，如何增加像素結(jié)構(gòu) 的開口率也是積極發(fā)展的重點(diǎn)之一。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種像素陣列，其像素結(jié)構(gòu)中的輔助電極圖案具有特殊設(shè)計(jì)，以增加 像素結(jié)構(gòu)的開口率。本發(fā)明提出一種像素陣列，包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組，且每一像素結(jié)構(gòu)組包括平行設(shè) 置在基板上的第一掃描線以及第二掃描線；與第一掃描線以及第二掃描線不平行設(shè)置的數(shù) 據(jù)線；與第一掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接的第一主動(dòng)元件；與第二掃描線以及數(shù)據(jù)線電性 連接的第二主動(dòng)元件；與第一主動(dòng)元件電性連接的第一像素電極；與第二主動(dòng)元件電性連 接的第二像素電極，其中第一像素電極與第二像素電極鄰接之處具有空隙；以及輔助電極 圖案。特別是，輔助電極圖案包括連接部、第一分支部以及第二分支部。連接部設(shè)置在第一 像素電極與第二像素電極之間的空隙的下方，并且與部分第一像素電極以及部分第二像素 電極重疊，第一分支部與連接部連接并且與部分第一像素電極重疊，第二分支部與連接部 連接并且與部分第二像素電極重疊。本發(fā)明另提出一種像素陣列，包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組，且每一像素結(jié)構(gòu)組包括平行 設(shè)置在基板上的第一掃描線以及第二掃描線；其與第一掃描線以及第二掃描線不平行設(shè)置 的數(shù)據(jù)線；與第一掃描線以及數(shù)據(jù)線電性連接的第一主動(dòng)元件；與第二掃描線以及數(shù)據(jù)線 電性連接的第二主動(dòng)元件；與第一主動(dòng)元件電性連接的第一像素電極；與第二主動(dòng)元件電 性連接的第二像素電極；以及輔助電極圖案。特別是，輔助電極圖案包括連接部、第一分支 部以及第二分支部連接部大體設(shè)置在第一像素電極與第二像素電極之間的空隙的下方。 第一分支部與連接部連接并且大體與連接部垂直。第二分支部與連接部連接并且大體與連 接部垂直，其中連接部、第一分支部以及第二分支部構(gòu)成H形。
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基于上述，本發(fā)明的輔助電極圖案的連接部是設(shè)置在第一像素電極與第二像素電 極之間的空隙的下方。因此輔助電極圖案的連接部可以遮蔽第一像素電極與第二像素電極 之間的空隙處的漏光。此外，輔助電極圖案還可進(jìn)一步作為電容器的電極，其相較于傳統(tǒng)電 容電極圖案的布局面積小，因而可增加像素結(jié)構(gòu)的開口率。為讓本發(fā)明的上述特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉實(shí)施例，并配合所附附圖 作詳細(xì)說明如下。


圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的示意圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列的示意圖3是圖2沿著剖面線A-A:’的剖面示意圖。
其中，附圖標(biāo)記
U、U1、U2 像素結(jié)構(gòu)組PU1、PU2像素結(jié)構(gòu)
10 基板20 絕緣層
SLl SL4 掃描線DL 數(shù)據(jù)線
Tl ‘ T4 主動(dòng)元件Pl P4 像素電極
Gl ‘ G4 柵極Cl C4 通道
Sl ‘ S4 源極Dl D4 漏極
Vl ‘ V6 接觸窗102,202 輔助電極圖案
102a,202a 連接部102b,202b 第一分支部
102c,202c 第二分支部102d、202d 第三分支部
102e、202e 第四分支部120 橋接結(jié)構(gòu)
130連接結(jié)構(gòu)dl、d2、d3寬度
具體實(shí)施例方式圖1是根據(jù)本發(fā)明一實(shí)施例的像素陣列的示意圖。請參照圖1，本實(shí)施例的像素陣 列包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組U。為了詳細(xì)說明，圖1中僅繪示出像素陣列中的其中一組像素結(jié)構(gòu) 組U為例來說明。一般來說，像素陣列是由多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組U排列所構(gòu)成，而本實(shí)施例的每 一個(gè)像素結(jié)構(gòu)組U中是包含了兩個(gè)像素結(jié)構(gòu)PU1、PU2。此領(lǐng)域技術(shù)人員在根據(jù)以下對像素 結(jié)構(gòu)組U的說明應(yīng)當(dāng)可以理解像素陣列的整體結(jié)構(gòu)。像素結(jié)構(gòu)組U包括設(shè)置在基板10上的第一掃描線SL1、第二掃描線SL2、數(shù)據(jù)線 DL、第一主動(dòng)元件Tl、第二主動(dòng)元件T2、第一像素電極P1、第二像素電極P2以及輔助電極圖 案 102。基板10主要是用來承載像素結(jié)構(gòu)組的元件，其材質(zhì)可為玻璃、石英、有機(jī)聚合物、 或是不透光/反射材料(例如導(dǎo)電材料、晶圓、陶瓷、或其它可適用的材料)、或是其它可 適用的材料。第一掃描線SLl以及第二掃描線SL2是彼此平行地設(shè)置在基板10上。此外數(shù)據(jù) 線DL設(shè)置在基板10上且與第一掃描線SLl以及第二掃描線SL2不平行。在本實(shí)施例中，第 一掃描線SLl以及第二掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL彼此交錯(cuò)設(shè)置。換言之，數(shù)據(jù)線DL的延伸方向與第一掃描線SLl以及第二掃描線SL2的延伸方向不平行，較佳的是，數(shù)據(jù)線DL的延 伸方向與第一掃描線SLl以及第二掃描線SL2的延伸方向垂直。另外，第一掃描線SLl以 及第二掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL屬于不同的膜層?；趯?dǎo)電性的考慮，第一掃描線SLl以及 第二掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL —般是使用金屬材料。但，本發(fā)明不限于此，根據(jù)其他實(shí)施例， 第一掃描線SLl以及第二掃描線SL2與數(shù)據(jù)線DL也可以使用其他導(dǎo)電材料。例如合金、 金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合適的材料)、或是金 屬材料與其它導(dǎo)材料的堆迭層。第一主動(dòng)元件Tl與第一掃描線SLl以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。此外，第二主動(dòng)元 件T2與第二掃描線SL2以及數(shù)據(jù)線DL電性連接。更詳細(xì)而言，第一主動(dòng)元件Tl包括柵極 G1、通道Cl、源極Sl以及漏極D1。柵極Gl與第一掃描線SLl電性連接。通道Cl位于柵極 Gl的上方。源極Sl以及漏極Dl位于通道Cl的上方，且源極Sl與數(shù)據(jù)線DL電性連接。第 二主動(dòng)元件T2包括柵極G2、通道C2、源極S2以及漏極D2。柵極G2與第二掃描線SL2電性 連接。通道C2位于柵極G2的上方。源極S2以及漏極D2位于通道C2的上方，且源極S2 與數(shù)據(jù)線DL電性連接。上述的第一主動(dòng)元件Tl以及第二主動(dòng)元件T2是以底部柵極型薄 膜晶體管為例來說明，但本發(fā)明不限于此。根據(jù)其他實(shí)施例，上述第一主動(dòng)元件Tl以及第 二主動(dòng)元件T2也可是以頂部柵極型薄膜晶體管。第一像素電極Pl與第一主動(dòng)元件Tl電性連接。第二像素電極P2與第二主動(dòng)元 件T2電性連接。根據(jù)本實(shí)施例，第一像素電極Pl通過接觸窗Vl與第一主動(dòng)元件Tl的漏 極Dl電性連接。第二像素電極P2通過接觸窗V2與第二主動(dòng)元件T2的漏極D2電性連接。 第一像素電極Pl與第二像素電極P2可為透明導(dǎo)電材料或是反射導(dǎo)電材料。所述透明導(dǎo)電 材料包括金屬氧化物，例如是銦錫氧化物、銦鋅氧化物、鋁錫氧化物、鋁鋅氧化物、銦鍺鋅氧 化物、或其它合適的氧化物、或者是上述至少二者的堆迭層。所述反射導(dǎo)電材料包括金屬。此外，第一像素電極Pl與第二像素電極P2鄰接之處具有空隙110。換言之，第一 像素電極Pl與第二像素電極P2各自為獨(dú)立的電極圖案，且兩者之間彼此電性絕緣。另外， 在本實(shí)施例中，第一像素電極Pl與第二像素電極P2均位于第一掃描線SLl以及第二掃描 線SL2之間。換言之，第一掃描線SLl以及第二掃描線SL2是位于此像素結(jié)構(gòu)組U的最上 方以及最下方。上述的第一掃描線SL1、數(shù)據(jù)線DL、第一主動(dòng)元件Tl與第一像素電極Pl構(gòu)成像素 結(jié)構(gòu)PUl。上述的第二掃描線SL2、數(shù)據(jù)線DL、第二主動(dòng)元件T2與第二像素電極Pl構(gòu)成像 素結(jié)構(gòu)PU2。另外，輔助電極圖案102包括連接部102a、第一分支部102b、第二分支部102c、第 三分支部102d以及第四分支部102e。根據(jù)本實(shí)施例，輔助電極圖案102包括遮光導(dǎo)電材 料，其例如是合金、金屬材料的氮化物、金屬材料的氧化物、金屬材料的氮氧化物、或其它合 適的材料)、或是金屬材料與其它導(dǎo)材料的堆迭層。根據(jù)本實(shí)施例，輔助電極圖案102與第 一掃描線SLl以及第二掃描線SL2是屬于同一膜層。另外，輔助電極圖案102可以采用與 第一 /第二掃描線SL1/SL2相同的材料。但，本發(fā)明不限于此。輔助電極圖案102的連接部102a是設(shè)置在第一像素電極Pl與第二像素電極P2 之間的空隙Iio的下方。連接部102a更進(jìn)一步與部分第一像素電極Pl以及部分第二像素 電極P2重疊。根據(jù)本實(shí)施例，連接部102a是平行第一掃描線SLl以及第二掃描線SL2設(shè)
6置。輔助電極圖案102的第一分支部102b與連接部102a連接并且與第一像素電極Pl 的左側(cè)重疊。在本實(shí)施例中，第一分支部102b與連接部102a連接并且大體與連接部102a 垂直。此外，第一分支部102b大致平行數(shù)據(jù)線DL且相鄰設(shè)置。輔助電極圖案102的第二分支部102c與連接部102a連接并且與第二像素電極P2 的左側(cè)重疊。在本實(shí)施例中，第二分支部102c與連接部102a連接并且大體與連接部102a 垂直。此外，第二分支部102c大致平行數(shù)據(jù)線DL且相鄰設(shè)置。輔助電極圖案102的第三分支部102d與連接部102a連接并且與第一像素電極Pl 的右側(cè)重疊。在本實(shí)施例中，第三分支部102d與連接部102a連接并且大體與連接部102a 垂直。此外，第三分支部102d大致平行數(shù)據(jù)線DL設(shè)置。輔助電極圖案102的第四分支部102e與連接部102a連接并且與第二像素電極P2 的右側(cè)重疊。在本實(shí)施例中，第四分支部102e與連接部102a連接并且大體與連接部102a 垂直。此外，第四分支部102e大致平行數(shù)據(jù)線DL設(shè)置。因此，本實(shí)施例的連接部102a、第一分支部102b、第二分支部102c、第三分支部 102d以及第四分支部102e大致構(gòu)成H形。根據(jù)本實(shí)施例，輔助電極圖案102的連接部102a是設(shè)置在第一像素電極Pl與第 二像素電極P2之間的空隙110的下方。因此輔助電極圖案102的連接部102a可以遮蔽第 一像素電極Pl與第二像素電極P2之間的空隙110處的漏光。另外，上述輔助電極圖案102除了可以達(dá)到遮光的作用之外，還可作為電容電極。 所述電容電極可以是用來傳遞共用電壓(common voltage)，或者是不傳送任何電壓的浮置 電極/遮光電極。更詳細(xì)來說，上述第一像素電極Pl與輔助電極圖案102的連接部102a及 第一分支部102b重疊之處可構(gòu)成第一電容器，其可作為像素結(jié)構(gòu)PUl的儲存電容器。換言 之，第一像素電極Pl是作為第一電容器的上電極，部分連接部102a及第一分支部102b是 作為第一電容器的下電極，而位于第一像素電極Pl(上電極)與連接部102a及第一分支部 102b(下電極)之間的介電層(未繪示)則是作為第一電容器的電容介電層。類似地，第二 像素電極P2與輔助電極圖案102的連接部102a及第二分支部102c重疊之處可構(gòu)成第二 電容器，其可作為像素結(jié)構(gòu)PU2的儲存電容器。換言之，第二像素電極P2是作為第二電容 器的上電極，部分連接部102a及第二分支部102c是作為第二電容器的下電極，而位于第二 像素電極P2(上電極)與連接部102a及第二分支部102c (下電極)之間的介電層(未繪 示)則是作為第二電容器的電容介電層。根據(jù)本發(fā)明的一實(shí)施例，上述的輔助電極圖案102的連接部102a的寬度(dl)大 于第一分支部102b/第三分支部102d的寬度(d2)，且連接部102a的寬度(dl)亦大于第二 分支部102c/第四分支部102e的寬度(d3)。換言之，連接部102a具有足夠?qū)挼膶挾纫蚨?能同時(shí)與部分第一像素電極Pl以及部分第二像素電極P2重疊。基于上述，由于本實(shí)施例的第一像素電極Pl與第二像素電極P2各自與輔助電極 圖案102的連接部102a重疊以構(gòu)成像素結(jié)構(gòu)PUl的儲存電容器以及像素結(jié)構(gòu)PU2的儲存 電容器。換言之，像素結(jié)構(gòu)PUl的儲存電容器以及像素結(jié)構(gòu)PU2的儲存電容器共同使用輔 助電極圖案102的連接部102a作為其下電極的一部分。因此，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)相較于 傳統(tǒng)像素結(jié)構(gòu)來說具有較高的開口率。以相同規(guī)格的像素結(jié)構(gòu)來說，使用本發(fā)明的輔助電極圖案的設(shè)計(jì)，可以提升約2. 的開口率。圖2是根據(jù)本發(fā)明另一實(shí)施例的像素陣列的示意圖。圖3是圖2沿著剖面線A-A’ 的剖面示意圖。圖2的實(shí)施例與圖1相似，因此相同的元件或是相似的元件以相同的標(biāo)號 表示，且不再重復(fù)贅述。在此特別說明的是，圖2是繪示出像素陣列中的其中兩個(gè)像素結(jié)構(gòu) 組Ul、U2來作說明，且像素結(jié)構(gòu)組Ul、U2中各自具有兩個(gè)像素結(jié)構(gòu)?；旧?，像素結(jié)構(gòu)組 U2的組成與結(jié)構(gòu)與像素結(jié)構(gòu)組Ul相同或是相似，且像素結(jié)構(gòu)組U2像素結(jié)構(gòu)組Ul鄰接。請參照圖2，像素結(jié)構(gòu)組Ul包括掃描線SL1、SL2、數(shù)據(jù)線DL、主動(dòng)元件Tl、T2、像 素電極P1、P2以及輔助電極圖案102。像素結(jié)構(gòu)組U2包括掃描線SL3、SL4、數(shù)據(jù)線DL、主 動(dòng)元件T3、T4、像素電極P3、P4以及輔助電極圖案202。掃描線SL3、SL4平行掃描線SL1、 SL2設(shè)置，且掃描線SL2與SL3相鄰排列。主動(dòng)元件T3、T4與主動(dòng)元件Tl、T2同樣具有柵 極G3、G4、通道C3、C4、源極S3、S4以及漏極D3、D4像素電極P3通過接觸窗V3與主動(dòng)元件 T3電性連接，像素電極P4通過接觸窗V4與主動(dòng)元件T4電性連接。特別是，像素結(jié)構(gòu)組Ul的輔助電極圖案102包括連接部102a、第一分支部102b、 第二分支部102c、第三分支部102d以及第四分支部102e。像素結(jié)構(gòu)組U2的輔助電極圖案 202包括連接部202a、第一分支部202b、第二分支部202c、第三分支部202d以及第四分支 部 202e。在本實(shí)施例中，此像素陣列更包括連接結(jié)構(gòu)130，其電性連接像素結(jié)構(gòu)組Ul的輔 助電極圖案102以及像素結(jié)構(gòu)組U2中的輔助電極圖案202。更詳細(xì)而言，請同時(shí)參照圖2 以及圖3，此連接結(jié)構(gòu)130包括橋接結(jié)構(gòu)120、接觸窗V5以及接觸窗V6。橋接結(jié)構(gòu)120設(shè)置在像素結(jié)構(gòu)組Ul的輔助電極圖案102與像素結(jié)構(gòu)組U2的輔助 電極圖案202之間。接觸窗V5設(shè)置在橋接結(jié)構(gòu)120與像素結(jié)構(gòu)組Ul的輔助電極圖案102 之間的重疊區(qū)域中。接觸窗V6設(shè)置在橋接結(jié)構(gòu)130與像素結(jié)構(gòu)組U2的輔助電極圖案202 之間的重疊區(qū)域中。根據(jù)本實(shí)施例，橋接結(jié)構(gòu)120是跨過掃描線SL2、SL3而與像素結(jié)構(gòu)組Ul的輔助電 極圖案102以及像素結(jié)構(gòu)組U2的輔助電極圖案202電性連接。特別是，橋接結(jié)構(gòu)120與掃 描線SL2、SL3之間夾有絕緣層20，以使橋接結(jié)構(gòu)120與掃描線SL2、SL3電性絕緣，如圖3 所示。絕緣層20可為單層或多層結(jié)構(gòu)的絕緣材料。更詳細(xì)來說，接觸窗V5位于絕緣層20 中，且位于橋接結(jié)構(gòu)120與像素結(jié)構(gòu)組Ul的輔助電極圖案102的第四分支部102c之間。接 觸窗V6是位于絕緣層20中，且位于橋接結(jié)構(gòu)120與像素結(jié)構(gòu)組U2的輔助電極圖案202的 第三分支部202b之間。類似地，本實(shí)施例的像素結(jié)構(gòu)組Ul的第一像素電極Pl與第二像素電極P2各自與 輔助電極圖案102的連接部102a的一部分重疊，以構(gòu)成像素結(jié)構(gòu)組Ul中的兩像素結(jié)構(gòu)的 儲存電容器。像素結(jié)構(gòu)組U2的第一像素電極P3與第二像素電極P4各自與輔助電極圖案 202的連接部202a的一部分重疊，以構(gòu)成像素結(jié)構(gòu)組U2中的兩像素結(jié)構(gòu)的儲存電容器。因 此，本實(shí)施例的像素陣列相較于傳統(tǒng)像素陣列來說具有較高的開口率。此外，本實(shí)施例更在兩相鄰的像素結(jié)構(gòu)組U1、U2之間設(shè)計(jì)連接結(jié)構(gòu)130，此連接結(jié) 構(gòu)130可以穩(wěn)定輔助電極圖案102、202之間的電壓。而由于像素結(jié)構(gòu)組中的兩個(gè)像素結(jié)構(gòu) 是共用輔助電極圖案作為其儲存電容器的下電極，因此可在每兩組像素結(jié)構(gòu)組(即四個(gè)像 素結(jié)構(gòu))之間設(shè)置一個(gè)連接結(jié)構(gòu)130即可。換言之，在本實(shí)施例中，在像素陣列中的連接結(jié)構(gòu)130的使用數(shù)量亦可以減少，因而同樣有利于增加像素陣列的開口率。
當(dāng)然，本發(fā)明還可有其它多種實(shí)施例，在不背離本發(fā)明精神及其實(shí)質(zhì)的情況下，熟 悉本領(lǐng)域的技術(shù)人員當(dāng)可根據(jù)本發(fā)明作出各種相應(yīng)的改變和變形，但這些相應(yīng)的改變和變 形都應(yīng)屬于本發(fā)明所附的權(quán)利要求的保護(hù)范圍。
權(quán)利要求
1.一種像素陣列，其特征在于，包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組，每一像素結(jié)構(gòu)組包括一第一掃描線以及一第二掃描線，平行設(shè)置在一基板上；一數(shù)據(jù)線，其與該第一掃描線以及該第二掃描線不平行設(shè)置；一第一主動(dòng)元件，其與該第一掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接；一第二主動(dòng)元件，其與該第二掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接；一第一像素電極，其與該第一主動(dòng)元件電性連接；一第二像素電極，其與該第二主動(dòng)元件電性連接，其中該第一像素電極與該第二像素 電極鄰接之處具有一空隙；一輔助電極圖案，其包括一連接部、一第一分支部、一第二分支部、一第三分支部以及 一第四分支部；該連接部設(shè)置在該第一像素電極與該第二像素電極之間的該空隙的下方， 并且與部分該第一像素電極以及部分該第二像素電極重疊；該第一分支部與該連接部連接 并且與部分該第一像素電極重疊；該第二分支部與該連接部連接并且與部分該第二像素電 極重疊；該第三分支部與該連接部連接并且與部分該第一像素電極重疊；以及該第四分支 部與該連接部連接并且與部分該第二像素電極重疊。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，更包括一連接結(jié)構(gòu)，其電性連接兩相 鄰像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的像素陣列，其特征在于，該連接結(jié)構(gòu)包括一橋接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在兩相鄰像素結(jié)構(gòu)組中的兩輔助電極圖案之間；一第一接觸窗，設(shè)置在該橋接結(jié)構(gòu)與其中一像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案之間的一 重疊區(qū)域中；以及一第二接觸窗，設(shè)置在該橋接結(jié)構(gòu)與該另一像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案之間的一 重疊區(qū)域中。
4.根據(jù)權(quán)利要求3所述的像素陣列，其特征在于該第一接觸窗位于該橋接結(jié)構(gòu)與其中一像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案的該第三分 支部之間；以及該第二接觸窗位于該橋接結(jié)構(gòu)與另一像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案的該第四分支 部之間。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案的該第一分支部、該 第二分支部、該第三分支部以及該第四分支部平行該數(shù)據(jù)線設(shè)置。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案的該連接部平行該 第一掃描線以及該第二掃描線設(shè)置。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案包括遮光導(dǎo)電材料。
8.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其中該些像素結(jié)構(gòu)組中的該些輔助電極圖案是電 性連接至一共用電壓。
9.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案與該第一掃描線以 及該第二掃描線是屬于同一膜層。
10.根據(jù)權(quán)利要求1所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案的該連接部的寬度 大于該第一分支部、該第二分支部、該第三分支部以及該第四分支部的寬度。
11.一種像素陣列，其特征在于，包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組，每一像素結(jié)構(gòu)組包括一第一掃描線以及一第二掃描線，平行設(shè)置在一基板上；一數(shù)據(jù)線，其與該第一掃描線以及該第二掃描線不平行設(shè)置；一第一主動(dòng)元件，其與該第一掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接；一第二主動(dòng)元件，其與該第二掃描線以及該數(shù)據(jù)線電性連接；一第一像素電極，其與該第一主動(dòng)元件電性連接；一第二像素電極，其與該第二主動(dòng)元件電性連接；一輔助電極圖案，其包括一連接部、一第一分支部、一第二分支部、一第三分支部以及 一第四分支部；該連接部設(shè)置在該第一像素電極與該第二像素電極之間的該空隙的下方； 該第一分支部與該連接部連接并且與該連接部垂直；該第二分支部與該連接部連接并且與 該連接部垂直；該第三分支部其與該連接部連接并且與部分該第一像素電極重疊；以及該 第四分支部與該連接部連接并且與部分該第二像素電極重疊，其中該連接部、該第一分支 部、該第二分支部、該第三分支部以及該第四分支部構(gòu)成H形。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素陣列，其特征在于，該第一像素電極以及該第二像素 電極均位于該第一掃描線以及該第二掃描線之間。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素陣列，其特征在于，更包括一連接結(jié)構(gòu)，其電性連接兩 相鄰像素結(jié)構(gòu)組中的輔助電極圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求13所述的像素陣列，其特征在于，該連接結(jié)構(gòu)包括一橋接結(jié)構(gòu)，設(shè)置在兩相鄰像素結(jié)構(gòu)組中的輔助電極圖案之間；一第一接觸窗，設(shè)置在該橋接結(jié)構(gòu)與其中一像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案之間的一 重疊區(qū)域中；以及一第二接觸窗，設(shè)置在該橋接結(jié)構(gòu)與該另一像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案之間的一 重疊區(qū)域中。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的像素陣列，其特征在于該第一接觸窗位于該橋接結(jié)構(gòu)與其中一像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案的該第三分 支部之間；以及該第二接觸窗位于該橋接結(jié)構(gòu)與另一像素結(jié)構(gòu)組中的該輔助電極圖案的該第四分支 部之間。
16.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案的該第一分支部、 該第二分支部、該第三分支部以及該第四分支部平行該數(shù)據(jù)線設(shè)置。
17.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案包括遮光導(dǎo)電材料。
18.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素陣列，其中該些像素結(jié)構(gòu)組中的該些輔助電極圖案是 電性連接至一共用電壓。
19.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案與該第一掃描線 以及該第二掃描線是屬于同一膜層。
20.根據(jù)權(quán)利要求11所述的像素陣列，其特征在于，該輔助電極圖案的該連接部的寬 度大于該第一分支部、該第二分支部、該第三分支部以及該第四分支部的寬度。
全文摘要
一種像素陣列，包括多個(gè)像素結(jié)構(gòu)組，每一像素結(jié)構(gòu)組包括平行設(shè)置在基板上的第一掃描線及第二掃描線；與第一掃描線及第二掃描線不平行設(shè)置的數(shù)據(jù)線；與第一掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接的第一主動(dòng)元件；與第二掃描線及數(shù)據(jù)線電性連接的第二主動(dòng)元件；與第一主動(dòng)元件電性連接的第一像素電極；與第二主動(dòng)元件電性連接的第二像素電極，第一像素電極與第二像素電極鄰接處具有空隙；以及輔助電極圖案，包括連接部、第一分支部及第二分支部。連接部設(shè)置在第一像素電極與第二像素電極之間的空隙的下方，且與部分第一像素電極以及部分第二像素電極重疊，第一分支部與連接部連接且與部分第一像素電極重疊，第二分支部與連接部連接且與部分第二像素電極重疊。
文檔編號G02F1/1343GK102033378SQ201010507440
公開日2011年4月27日 申請日期2010年9月27日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月27日
發(fā)明者萬仁文, 劉竹育, 吳宙秦, 許暉婷, 郭豫杰, 陳怡君 申請人:友達(dá)光電股份有限公司