專利名稱：陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)，尤其涉及一種陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器是目前常用的平板顯示器，其中薄膜晶體管液晶顯示器(ThinFilm Transistor Liquid Crystal Display ；簡稱為TFT_LCD)由于具有體積小、功耗低、無輻射等優(yōu)點(diǎn)，而成為液晶顯示器中的主流產(chǎn)品。通常TFT-LCD包括液晶面板、驅(qū)動(dòng)電路和背光源。液晶面板是TFT-LCD中的主要部件，由陣列基板和彩膜基板對盒而成，其間填充有液晶層；通過控制驅(qū)動(dòng)電路提供的電壓使液晶分子有序發(fā)生偏轉(zhuǎn)，產(chǎn)生光的明暗變化，其中電壓的控制是由薄膜晶體管完成的。陣列基板有時(shí)又被稱為TFT陣列基板。如圖IA和圖IB所示，現(xiàn)有技術(shù)TFT陣列基板的結(jié)構(gòu)包括襯底基板1，形成在襯底基板1上的柵線2和柵電極3，形成在柵電極3上的柵絕緣層4、有源層6 (可以包括半導(dǎo)體層61和摻雜半導(dǎo)體層62)，之上形成數(shù)據(jù)線5、源電極7、漏電極8、鈍化層9和像素電極 11，鈍化層9覆蓋整個(gè)襯底基板1，位于漏電極8的上方開設(shè)有鈍化層過孔10，像素電極11 通過鈍化層過孔10與漏電極8連接。上述結(jié)構(gòu)構(gòu)成像素區(qū)域，在襯底基板1上除了像素區(qū)域外，還包括接口區(qū)域(未示出)。襯底基板1上的上述結(jié)構(gòu)是通過若干次薄膜沉積和光刻工藝形成圖案來完成，一次光刻工藝形成一層圖案。要形成一層圖案，首先要在襯底基板上沉積一層薄膜；然后在薄膜表面涂覆一層光敏材料，通過掩膜板對光敏材料進(jìn)行曝光顯影； 然后通過光刻工藝進(jìn)行刻蝕形成最終圖案；最后，將光敏感材料剝離，并形成下一層薄膜圖案。其中，每一層圖案都要在精確的位置準(zhǔn)確的罩在另一層圖案上；每層圖案可以具有相同或不同的材料，且厚度一般為幾百納米到幾個(gè)微米?，F(xiàn)有技術(shù)中通常采用四次光刻技術(shù)，即利用灰色調(diào)掩膜板(Gray ToneMask)進(jìn)行光刻的技術(shù)。利用四次光刻技術(shù)制造TFT陣列基板的過程如下步驟1、在襯底基板上沉積柵金屬薄膜；步驟2、采用單色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述柵金屬薄膜，形成包括柵線和柵電極的圖案；步驟3、在形成上述圖案的襯底基板上形成柵絕緣層、有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；步驟4、采用雙色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線、源電極、漏電極和有源層的圖案；步驟5、在形成上述圖案的襯底基板上形成鈍化層；步驟6、采用單色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述鈍化層形成包括鈍化層過孔的圖案；步驟7、在形成上述圖案的襯底基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜；步驟8、采用單色調(diào)掩膜板，通過構(gòu)圖工藝刻蝕所述透明導(dǎo)電薄膜形成包括像素電極的圖案。在上述步驟4中，具體包括以下子步驟步驟41、在襯底基板上沉積有源層薄膜和數(shù)據(jù)線金屬薄膜；步驟42、在所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜上涂覆光刻膠；步驟43、采用雙色調(diào)掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、半保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述半保留區(qū)域的光刻膠厚度；雙色調(diào)掩膜板可以為單色調(diào)掩膜板和半色調(diào)掩膜板。步驟44、進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜和有源層薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案；步驟45、按照所述半保留區(qū)域光刻膠的厚度灰化去除光刻膠；步驟46、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，形成包括有源層的圖案；步驟47、灰化去除剩余的光刻膠。通過上述步驟可以看出，在現(xiàn)有四次光刻技術(shù)中，通過一次光刻工藝完成有源層圖案和源電極、漏電極圖案的制作。而由于無論采用何種刻蝕技術(shù)，都會對下層圖案的表面造成損傷，因此，上述現(xiàn)有技術(shù)在形成源電極和漏電極的圖案時(shí)，會對TFT溝道造成損傷。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法，以解決現(xiàn)有技術(shù)在制造陣列基板時(shí)損傷TFT溝道的問題，并且提高了陣列基板的性能和生產(chǎn)效率。本發(fā)明提供一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有柵線、數(shù)據(jù)線、 薄膜晶體管、像素電極、有源層、鈍化層和柵絕緣層；所述薄膜晶體管包括與所述柵線連接的柵電極、與所述數(shù)據(jù)線連接的源電極和與所述像素電極連接的漏電極；所述柵絕緣層形成于所述柵電極上方；所述鈍化層設(shè)置于所述有源層與所述源電極和所述漏電極之間；且所述鈍化層上設(shè)有源電極過孔和漏電極過孔；所述源電極和所述漏電極分別通過所述源電極過孔和所述漏電極過孔與所述有源層連接。本發(fā)明提供一種液晶顯示器，包括本發(fā)明提供的陣列基板。本發(fā)明提供一種陣列基板的制造方法，包括在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、柵電極和柵線的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案；所述鈍化層上包括源電極過孔和漏電極過孔；所述柵絕緣層上包括接觸過孔，所述接觸過孔位于所述像素電極上方；在形成上述圖案的襯底基板上沉積數(shù)據(jù)線金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案；所述源電極和所述漏電極分別通過所述源電極過孔和所述漏電極過孔與所述有源層連接，所述漏電極通過所述接觸過孔與所述像素電極連接。本發(fā)明提供的陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法，通過形成柵絕緣層、 位于柵絕緣層上方的有源層以及位于有源層上方的鈍化層，并在鈍化層之上形成源電極和漏電極，使得形成的陣列基板改變了現(xiàn)有技術(shù)陣列基板中有源層、鈍化層和源電極、漏電極的結(jié)構(gòu)關(guān)系。本發(fā)明技術(shù)方案將鈍化層形成于有源層和源電極、漏電極中間，并通過在鈍化層上形成源電極過孔和漏電極過孔，使源電極和漏電極分別通過源電極過孔和漏電極過孔與有源層連接，實(shí)現(xiàn)了薄膜晶體管的基本結(jié)構(gòu)。在本發(fā)明的制造工藝和結(jié)構(gòu)中，形成于有源層上方的鈍化層對有源層起到了保護(hù)作用，避免了在形成源電極和漏電極圖案時(shí)的刻蝕工藝對有源層(即源電極和漏電極之間的TFT溝道)造成損傷，從而提高了陣列基板的性能。 同時(shí)，本發(fā)明技術(shù)方案在一次光刻工藝中同時(shí)形成了包括有源層、鈍化層和柵絕緣層的圖案，實(shí)現(xiàn)了三次光刻工藝，減少了光刻次數(shù)，提高了陣列基板的生產(chǎn)效率。


圖IA為現(xiàn)有技術(shù)陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖IB為圖IA中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖2A為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為圖2A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖3A為本發(fā)明實(shí)施例一形成包括柵線、柵電極和像素電極的圖案后的陣列基板的局部俯視示意圖；圖;3B為圖3A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4A為本發(fā)明實(shí)施例一形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案后的陣列基板的局部俯視示意圖；圖4B為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板在形成光刻膠圖案后沿圖4A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4C為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板在第一次刻蝕形成柵絕緣層后沿圖4A中A-A 線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4D為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板在第一灰化處理后沿圖4A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4E為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板在第二次刻蝕形成有源層后沿圖4A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4F為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板在第二次灰化處理后沿圖4A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4G為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板在第三次刻蝕形成鈍化層后沿圖4A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖4H為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板在第三次灰化處理后沿圖4A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖5A為本發(fā)明實(shí)施例一形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案后的陣列基板的局部俯視示意圖；圖5B為圖5A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖；圖6A為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖；圖6B為本發(fā)明實(shí)施例二中步驟61的實(shí)施方法的流程圖；圖6C為本發(fā)明實(shí)施例二中步驟62的實(shí)施方法的流程圖；圖6D為本發(fā)明實(shí)施例二中步驟63的實(shí)施方法的流程圖。
附圖標(biāo)記1-襯底基板；2-柵線；3-柵電極；4-柵絕緣層；5-數(shù)據(jù)線；6-有源層；61-半導(dǎo)體層；62-摻雜半導(dǎo)體層；7-源電極；8-漏電極；9-鈍化層；10-鈍化層過孔；11-像素電極；12-源電極過孔；13-漏電極過孔；14-接觸過孔；15-像素電極薄膜；16-光刻膠；17-存儲電容。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明實(shí)施例的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面將結(jié)合本發(fā)明實(shí)施例中的附圖，對本發(fā)明實(shí)施例中的技術(shù)方案進(jìn)行清楚、完整地描述，顯然，所描述的實(shí)施例是本發(fā)明一部分實(shí)施例，而不是全部的實(shí)施例。基于本發(fā)明中的實(shí)施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有做出創(chuàng)造性勞動(dòng)前提下所獲得的所有其他實(shí)施例，都屬于本發(fā)明保護(hù)的范圍。實(shí)施例一圖2A為本發(fā)明實(shí)施例一提供的陣列基板的局部俯視結(jié)構(gòu)示意圖；圖2B為圖2A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。如圖2A和圖2B所示，本實(shí)施例的陣列基板包括襯底基板1，襯底基板1上形成有柵線2、數(shù)據(jù)線5、薄膜晶體管(TFT)、像素電極11、有源層6、鈍化層9和柵絕緣層4。其中，TFT包括柵電極3、源電極7和漏電極8 ；柵電極3與柵線2連接， 源電極7與數(shù)據(jù)線5連接，漏電極8與像素電極11連接。其中，柵絕緣層4形成于柵電極 3上方；有源層6形成于柵絕緣層4上方；鈍化層9形成于有源層6上方；而源電極7和漏電極8形成于鈍化層9上。 其中，鈍化層9上對應(yīng)源電極7的位置上包括源電極過孔12，源電極7通過該源電極過孔12與有源層6連接；鈍化層9上對應(yīng)漏電極8的位置上包括漏電極過孔13，漏電極 8通過該漏電極過孔13與有源層6連接。通過該技術(shù)方案形成了 TFT的基本結(jié)構(gòu)，其中有源層6相當(dāng)于源電極7和漏電極8之間的TFT溝道。當(dāng)柵電極3輸送掃描信號時(shí)，可使源電極7和漏電極8通過有源層6導(dǎo)通，進(jìn)而將數(shù)據(jù)線5通過源電極7輸送的數(shù)據(jù)信號，提供給像素電極11，以控制液晶分子有序偏轉(zhuǎn)，產(chǎn)生光的明暗變化。本實(shí)施例的陣列基板，通過將鈍化層設(shè)置于有源層和源電極、漏電極之間，并在其上設(shè)置過孔，使源電極和漏電極分別通過相應(yīng)的過孔與有源層連接，進(jìn)而形成TFT。其中， 通過構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極圖案時(shí)，位于有源層上方的鈍化層可以起到保護(hù)有源層 (即TFT溝道)的作用，因此，可以避免刻蝕工藝對TFT溝道造成損傷，進(jìn)而提高了陣列的性能(例如增大開態(tài)電流、增大電子遷移率等)。進(jìn)一步，在本實(shí)施例的陣列基板中，像素電極11直接形成在襯底基板1上，且位于柵絕緣層4下方；其中，柵絕緣層4上包括接觸過孔14，接觸過孔位于像素電極11的上方， 像素電極11通過該接觸過孔14與漏電極8連接。具體的，在本實(shí)施例中漏電極8的一部分直接形成于柵絕緣層4上方，且部分漏電極8填充至接觸過孔14中，實(shí)現(xiàn)與像素電極11 的連接?；谏鲜黾夹g(shù)方案，本實(shí)施例陣列基板中的柵線2、柵電極3和像素電極11可以同層設(shè)置。具體的，由于像素電極11直接形成在襯底基板1上，因此，當(dāng)柵線2和柵電極3采用與像素電極11相同的材料時(shí)，可以同時(shí)在像素電極薄膜上刻蝕出柵線2和柵電極3。采用這種方式可以簡化光刻工藝，只需一次刻蝕工藝即可。但是，由于柵線2和柵電極3主要用于掃描信號的傳輸，其對導(dǎo)電性能和時(shí)間延遲有一定的要求。而金屬導(dǎo)電材料的導(dǎo)電性能優(yōu)于透明導(dǎo)電材料的導(dǎo)電性能，因此，柵線2和柵電極3通常采用與像素電極11的材料不同的金屬導(dǎo)電材料。而由于金屬導(dǎo)電材料與透明導(dǎo)電材料是不同的材料，因此，無法通過一次刻蝕工藝實(shí)現(xiàn)柵線2和柵電極3與像素電極 11同層設(shè)置的結(jié)構(gòu)?；谏鲜?，本實(shí)施例另提供一種柵線2和柵電極3的設(shè)置方式。如圖2B所示，柵線2和柵電極3下面設(shè)有一層像素電極薄膜15，其材料為與像素電極11相同的透明導(dǎo)電材料。上述結(jié)構(gòu)可以使得像素電極11和柵線2以及柵電極3各自根據(jù)其作用選擇最佳材料， 而不用受工藝的限制。進(jìn)一步，本實(shí)施例的接觸過孔14、源電極過孔12和漏電極過孔13的橫截面可以為圓形、橢圓形、多邊形或半圓形。由于圓形結(jié)構(gòu)在制造工藝中具有簡單易實(shí)施的優(yōu)點(diǎn)，因此源電極過孔12和漏電極過孔13的形狀優(yōu)選為圓形，且在本實(shí)施例中也是以圓形為例。由于接觸過孔14設(shè)置于柵絕緣層4上，其相對面積較大。因此，可以形成較大直徑的接觸過孔14以使像素電極11和漏電極8更加充分的接觸，加速信號的傳輸，且如圖2B所示本實(shí)施例的接觸過孔14的截面形狀為梯形(一種特殊的多邊形)。圖3A-圖5B為本發(fā)明實(shí)施例一的陣列基板的局部結(jié)構(gòu)的制造示意圖。下面結(jié)合本實(shí)施例的陣列基板的制造工藝詳細(xì)說明本實(shí)施例的技術(shù)方案。且在以下說明中，本發(fā)明所稱的構(gòu)圖工藝包括涂覆光刻膠、掩膜、曝光顯影、刻蝕和剝離等工藝。圖3A為本發(fā)明實(shí)施例一形成包括柵線、柵電極和像素電極的圖案后的陣列基板的局部俯視示意圖；圖3B為圖3A沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。首先，在襯底基板1上采用濺射或熱蒸發(fā)的方法依次沉積一層厚度約為300~600 A的透明導(dǎo)電薄膜和一層厚度約為500 4000人的柵金屬薄膜。其中，襯底基板1可以為透明玻璃基板或者石英基板。透明導(dǎo)電薄膜可以采用氧化錫(ITO)或氧化銦鋅(IZO)等材料，也可以采用其他的金屬及金屬氧化物。柵金屬薄膜可以使用一種材料，例如鉻(Cr)、鎢(W)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鉬(Mo)、 鋁(Al)、銅(Cu)等金屬或合金；其可以為單層結(jié)構(gòu)，也可以為由多層金屬組合成的多層結(jié)構(gòu)。然后，通過構(gòu)圖工藝對透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，在襯底基板1上形成包括柵線2、柵電極3和像素電極11的圖案。由圖:3B可以看出，本實(shí)施例的柵電極3下面設(shè)有一層像素電極薄膜15，即透明導(dǎo)電薄膜；同理柵線2下方設(shè)有一層像素電極薄膜15。其中， 如圖3A所示，柵電極3與柵線2連接，在實(shí)際構(gòu)圖工藝中為一體成型。柵線2用于傳送掃描信號，以向TFT的柵電極3提供導(dǎo)通時(shí)所需的電壓，并以此選擇需要的TFT。其中，本實(shí)施例形成上述圖案的構(gòu)圖工藝的過程具體包括在柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用半色調(diào)或灰色調(diào)掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全去除區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全保留區(qū)的光刻膠圖案。然后進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉完全除區(qū)域?qū)?yīng)的柵金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成包括柵電極和柵線的圖案；接著按照部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠，此時(shí)部分保留區(qū)域的光刻膠完全被去除，而完全保留區(qū)域的光刻膠被部分保留。接著進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的柵金屬薄膜，形成了包括
8像素電極的圖案；最后去除光刻膠，具體是指去除完全保留區(qū)域殘留的光刻膠。通過上述具體構(gòu)圖工藝形成了如圖3A和圖;3B所示圖案。圖4A為本發(fā)明實(shí)施例一形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案后的陣列基板的局部俯視示意圖。在完成上述圖案的襯底基板1上首先采用等離子體增強(qiáng)化學(xué)氣相沉積(Plasma Chemical Vapor Deposition ；簡稱為PECVD)方法連續(xù)沉積一層厚度約為 3000 5000人的柵絕緣層薄膜，接著采用濺射方法沉積一層厚度為300 ~ 1500人的有源層薄膜；最后在通過PECVD方法連續(xù)沉積一層厚度為1000 4000人的鈍化層薄膜。其中， 柵絕緣層薄膜和鈍化層薄膜可以采用氧化物、氮化物或者氧氮化合物，對應(yīng)在PECVD過程中所使用的反應(yīng)氣體可以為硅烷(SiH4),氨氣(NH3),氮?dú)鈿?或二氯氫硅(SiH2Cl2)，氨氣 (NH3)，氮?dú)?隊(duì))。其中，有源層薄膜通常為金屬氧化物半導(dǎo)體，可以選用非晶氧化銦鎵鋅 (a-IGZO)，也可以選用其他的金屬氧化物半導(dǎo)體材料。然后，通過構(gòu)圖工藝對上述三種薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括鈍化層9、有源層6和柵絕緣層4的圖案。其中，圖4B-圖4H為本發(fā)明實(shí)施例一的形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案的構(gòu)圖工藝的過程示意圖，且圖4B-圖4H均為沿圖4A中A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。則本實(shí)施例形成上述圖案的構(gòu)圖工藝的過程具體為首先，在鈍化層薄膜上涂覆光刻膠 16 ；采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域、半保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；其中，部分保留區(qū)域的光刻膠厚度大于半保留區(qū)域的光刻膠厚度，而小于完全保留區(qū)域的光刻膠厚度，具體如圖4B所示。其中所用掩膜板為設(shè)有狹縫的雙色調(diào)掩膜板，其中，掩膜板上對應(yīng)于半保留區(qū)域的地方的狹縫密度較大，而對應(yīng)于部分保留區(qū)域的地方的狹縫密度較小。接著，進(jìn)行第一次刻蝕形成圖4C所示的圖案結(jié)構(gòu)。第一次刻蝕時(shí)，將刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜、有源層薄膜和柵絕緣層薄膜，在柵絕緣層薄膜上形成接觸過孔14，此時(shí)即形成了包括柵絕緣層4的圖案；在本實(shí)施例中，當(dāng)形成接觸過孔14時(shí)，還可以刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜、有源層薄膜和柵絕緣層薄膜，形成像素區(qū)域之外的接口區(qū)域(未示出)，此時(shí)形成的是與柵極對應(yīng)的接口區(qū)域，稱之為柵極接口區(qū)域(fete PAD)。接著，進(jìn)行第一次灰化處理，獲取圖4D所示的結(jié)構(gòu)。具體的，按照半保留區(qū)域的光刻膠厚度去除光刻膠。經(jīng)過該步驟后，半保留區(qū)域的光刻膠完全被去除，部分保留區(qū)域和完全保留區(qū)域的光刻膠被部分去除，且部分保留區(qū)域的剩余光刻膠厚度仍小于完全保留區(qū)域剩余光刻膠厚度。接下來，進(jìn)行第二次刻蝕，形成圖4E所示的圖案。在第二次刻蝕時(shí)，刻蝕掉半保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和有源層薄膜，形成包括有源層6的圖案。接下來，進(jìn)行第二次灰化處理，按照部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠。 此時(shí)，部分保留區(qū)域的光刻膠將完全被去除，而完全保留區(qū)域的光刻膠仍有部分殘留，進(jìn)而形成圖4F所示的結(jié)構(gòu)。在進(jìn)行第二次灰化處理后，進(jìn)行第三次刻蝕，形成圖4G所示的圖案。在第三次刻蝕時(shí)，刻蝕掉部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜，在鈍化層薄膜上形成源電極過孔12和漏電極過孔13，即形成了包括鈍化層9的圖案。即本實(shí)施例的陣列基板中的鈍化層9上形成有源電極過孔12和漏電極過孔13，其與現(xiàn)有技術(shù)中的鈍化層不同。
最后，去除完全保留區(qū)域的殘留光刻膠，并最終得到圖4H所示的圖案結(jié)構(gòu)。至此， 在襯底基板1上形成了包括鈍化層9、柵絕緣層4和有源層6的圖案。在本實(shí)施例中，在形成鈍化層9的同時(shí)在鈍化層9上刻蝕出源電極過孔12和漏電極過孔13。通過源電極過孔12和漏電極過孔13，可以使源電極7和漏電極8與有源層6 連接。其中，在上述過程中同時(shí)形成了源電極7和漏電極8之間的TFT溝道，且由于有源層 6上覆蓋有鈍化層9因此可以對有源層6起到保護(hù)作用，避免有源層6被刻蝕工藝造成損傷，提高陣列基板的性能。進(jìn)一步，在本實(shí)施例中，柵絕緣層4覆蓋于像素電極11之上，因此，在柵絕緣層4上同時(shí)刻蝕出接觸過過孔14，以使漏電極8可以通過該接觸過孔14與像素電極11連接。即在本次構(gòu)圖工藝中，同時(shí)為源電極7和漏電極8預(yù)留出了與有源層6和像素電極11進(jìn)行連接的通道。圖5A為本發(fā)明實(shí)施例一形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案后的陣列基板的局部俯視示意圖；圖5B為圖5A中沿A-A線的側(cè)視剖切結(jié)構(gòu)示意圖。首先，在形成包括鈍化層9、柵絕緣層4和有源層6的圖案的襯底基板1上采用濺射或熱蒸發(fā)方法沉積一層厚度約為2000~4000人的數(shù)據(jù)線金屬薄膜。其中，該數(shù)據(jù)線金屬薄膜可以為Cr、W、Ti、Ta、Mo 等金屬或合金，且其可以是一種單層結(jié)構(gòu)，也可以是一種多層結(jié)構(gòu)。然后通過構(gòu)圖工藝對上述數(shù)據(jù)線金屬薄膜進(jìn)行構(gòu)圖，形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案。其中，本實(shí)施例形成包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案的構(gòu)圖工藝包括以下步驟首先，在數(shù)據(jù)線金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；其中，所用掩膜板可以為灰色調(diào)掩膜板或半色調(diào)掩膜板。然后，對數(shù)據(jù)線金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，即形成了包括數(shù)據(jù)線5、源電極7和漏電極8的圖案；最后，進(jìn)行光刻膠去除處理， 去除完全保留區(qū)域的光刻膠，得到最終的圖案，如圖2B所示的圖案，其中圖5B所示為未進(jìn)行光刻膠去除之前的圖案。進(jìn)一步，圖5A與圖2A的區(qū)別在于，圖5A中還包括有存儲電容17。即在本實(shí)施例中，在刻蝕數(shù)據(jù)線金屬薄膜形成數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的同時(shí)，還可以同時(shí)刻蝕出存儲電容17。但是，需要說明在本實(shí)施例中對存儲電容17的位置以及寬度均不做具體限定，可以結(jié)合實(shí)際應(yīng)用進(jìn)行適應(yīng)性調(diào)整；且還可以通過其他工藝單獨(dú)形成存儲電容17。在本實(shí)施例的上述技術(shù)方案中，在第二次構(gòu)圖工藝中，同時(shí)形成了鈍化層、有源層和柵絕緣層圖案，進(jìn)而使得通過三次構(gòu)圖工藝完成了本發(fā)明實(shí)施例的陣列基板。與現(xiàn)有四次構(gòu)圖工藝相比，由于本實(shí)施例的陣列基板的制造過程中減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，因此本實(shí)施例的陣列基板具有較高的生產(chǎn)效率；另外，本實(shí)施例在制造過程中，由于調(diào)整了鈍化層、有源層、源電極和漏電極的位置關(guān)系，使鈍化層位于有源層之上，對有源層起到了保護(hù)作用，因此克服了現(xiàn)有技術(shù)中刻蝕源電極和漏電極時(shí)對有源層造成損傷的缺陷，因此，本實(shí)施例提供的陣列基板的性能較佳。實(shí)施例二圖6A為本發(fā)明實(shí)施例二提供的陣列基板的制造方法的流程圖。如圖6A所示，本實(shí)施例的方法包括步驟61、在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、柵電極和柵線的圖案；
步驟62、在形成上述圖案的襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案；其中，鈍化層上包括源電極過孔和漏電極過孔；柵絕緣層上包括接觸過孔，所述接觸過孔位于像素電極上方；步驟63、在形成上述圖案的襯底基板上沉積數(shù)據(jù)線金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案；源電極和漏電極分別通過源電極過孔和漏電極過孔與有源層連接，漏電極通過接觸過孔與像素電極連接。本實(shí)施例的陣列基板的制造方法可以用于制備本發(fā)明實(shí)施例所提供的陣列基板， 該方法具備形成相應(yīng)結(jié)構(gòu)的步驟。本實(shí)施例的陣列基板的制造方法通過一次構(gòu)圖工藝同時(shí)形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案，使得可以通過三次構(gòu)圖工藝完成本實(shí)施例的陣列基板。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本實(shí)施例的制造方法減少了構(gòu)圖工藝的次數(shù)，可以提高制造陣列基板的效率。同時(shí)，本實(shí)施例的陣列基板的制造方法，先通過沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和鈍化層薄膜，利用構(gòu)圖工藝形成柵絕緣層、有源層和鈍化層；然后再在上述圖案上沉積數(shù)據(jù)線金屬薄膜，并通過構(gòu)圖工藝形成源電極和漏電極。由于鈍化層覆蓋于有源層之上， 因此，在通過刻蝕工藝形成源電極和漏電極時(shí)，鈍化層可以對有源層起到保護(hù)作用，進(jìn)而避免對有源層(即源電極和漏電極之間的TFT溝道)造成損傷，進(jìn)而提高了制造出的陣列基板的性能。在上述技術(shù)方案中，本實(shí)施例中步驟61具體可由沉積和構(gòu)圖兩個(gè)工藝組成，且沉積工藝和構(gòu)圖工藝為兩個(gè)獨(dú)立的過程，并不相互依賴。其中，在本發(fā)明以下描述中分別提供了一種沉積和構(gòu)圖工藝的優(yōu)選實(shí)施方式；則在上述優(yōu)選實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例的步驟61具體包括沉積步驟、涂覆光刻膠步驟、曝光顯影步驟、刻蝕步驟以及光刻膠去除步驟等操作。具體如圖6B所示，步驟61的具體實(shí)施包括步驟611、采用濺射或熱蒸發(fā)的方法依次在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金
屬薄膜；步驟612、在柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；步驟613、采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全去除區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全保留區(qū)的光刻膠圖案；步驟614、進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的柵金屬薄膜和透明導(dǎo)電薄膜，形成包括柵電極和柵線的圖案；步驟615、按照部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；步驟616、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的柵金屬薄膜，形成包括像素電極的圖案；步驟617、去除完全保留區(qū)域的光刻膠。進(jìn)一步，本實(shí)施例中步驟62具體可由沉積和構(gòu)圖兩個(gè)工藝組成，且沉積工藝和構(gòu)圖工藝為兩個(gè)獨(dú)立的過程，并不相互依賴。其中，在本發(fā)明以下描述中分別提供了一種沉積和構(gòu)圖工藝的優(yōu)選實(shí)施方式；則在上述優(yōu)選實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例的步驟62具體包括沉積步驟、涂覆光刻膠步驟、曝光顯影步驟、刻蝕步驟以及光刻膠去除步驟等操作。如圖 6C所示，本實(shí)施例的步驟62具體包括步驟620、采用PECVD方法在形成包括柵線、柵電極和像素電極的圖案的襯底基板上連續(xù)沉積柵絕緣層薄膜；
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步驟621、采用濺射方法在柵絕緣層薄膜上沉積有源層薄膜；步驟622、采用PECVD方法在有源層薄膜上沉積鈍化層薄膜；步驟623、在鈍化層薄膜上涂覆光刻膠；步驟624、采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域、半保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；其中，部分保留區(qū)域的光刻膠厚度大于半保留區(qū)域的光刻膠厚度，且小于完全保留區(qū)域的光刻膠厚度；步驟625、進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜、有源層薄膜和柵絕緣層薄膜，形成包括柵絕緣層的圖案，且在柵絕緣層上形成有接觸過孔；步驟626、按照半保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；步驟627、進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉半保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和有源層薄膜， 形成包括有源層的圖案；步驟628、按照部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；步驟629、進(jìn)行第三次刻蝕，刻蝕掉部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜，形成包括鈍化層的圖案，鈍化層上包括有源電極過孔和漏電極過孔；步驟630、去除完全保留區(qū)域的光刻膠。進(jìn)一步，在本實(shí)施例的步驟625中還可以同時(shí)刻蝕出接口區(qū)域，該接口區(qū)域主要是指柵線2與外部驅(qū)動(dòng)電路連接的柵極接口區(qū)域。具體的，接口區(qū)域?qū)?yīng)于步驟6M形成的光刻膠圖案中的半保留區(qū)域，在刻蝕掉半保留區(qū)域?qū)?yīng)的鈍化層薄膜和有源層薄膜之后， 露出部分柵線，以作為接口區(qū)域。本實(shí)施例技術(shù)方案可以在形成柵絕緣層的同時(shí)形成接口區(qū)域，并未增加光刻工藝，使得本發(fā)明通過三次光刻工藝即可制造出陣列基板，提高了陣列基板的生產(chǎn)效率。在上述技術(shù)方案的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例中步驟63同樣可由沉積和構(gòu)圖兩個(gè)工藝組成，且沉積工藝和構(gòu)圖工藝為兩個(gè)獨(dú)立的過程，并不相互依賴。其中，在本發(fā)明以下描述中分別提供了一種沉積和構(gòu)圖工藝的優(yōu)選實(shí)施方式；則在上述優(yōu)選實(shí)施方式的基礎(chǔ)上，本實(shí)施例的步驟63具體包括沉積步驟、涂覆光刻膠步驟、曝光顯影步驟、刻蝕步驟以及光刻膠去除步驟等操作。如圖6D所示，本實(shí)施例的步驟63具體包括
步驟631、采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在上述形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案的襯底基板上沉積數(shù)據(jù)線金屬薄膜；步驟632、在數(shù)據(jù)線金屬薄膜上涂覆光刻膠；步驟633、采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；步驟634、對數(shù)據(jù)線金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜，形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案；在該步驟中，還可以同時(shí)刻蝕出存儲電容，即形成存儲電容的位置對應(yīng)于步驟633 形成的光刻膠圖案的完全保留區(qū)域，這樣刻蝕掉完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜后， 即可同時(shí)生成存儲電容和數(shù)據(jù)線、以及源電極和漏電極。步驟635、去除完全保留區(qū)域的光刻膠。其中，在本實(shí)施例的步驟634中同時(shí)刻蝕出的存儲電容是利用數(shù)據(jù)線形成的，其與現(xiàn)有技術(shù)中利用柵線形成的存儲電容的作用和功效相同；但是，在形成數(shù)據(jù)線的同時(shí)形
12成存儲電容，可以簡化制作工藝，提高陣列基板的生產(chǎn)效率。實(shí)施三本發(fā)明實(shí)施例三提供一種液晶顯示器，包括外框架、液晶面板和驅(qū)動(dòng)電路等部件。 其中液晶面板是由彩膜基板和本發(fā)明提供的陣列基板對盒而成，并在其間填充有液晶層。 且其中的陣列基板可以采用本發(fā)明實(shí)施例提供的陣列基板的制造方法制造而成。其中關(guān)于陣列基板的結(jié)構(gòu)以及制造陣列基板的方法流程在本實(shí)施例中不再詳細(xì)論述，可以詳見本發(fā)明上述實(shí)施例。綜上所述，本發(fā)明的液晶顯示器由于具有本發(fā)明提供的陣列基板，因此，同樣具有生產(chǎn)效率高、性能較好的優(yōu)點(diǎn)。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實(shí)現(xiàn)上述方法實(shí)施例的全部或部分步驟可以通過程序指令相關(guān)的硬件來完成，前述的程序可以存儲于一計(jì)算機(jī)可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時(shí)，執(zhí)行包括上述方法實(shí)施例的步驟；而前述的存儲介質(zhì)包括R0M、RAM、磁碟或者光盤等各種可以存儲程序代碼的介質(zhì)。最后應(yīng)說明的是以上實(shí)施例僅用以說明本發(fā)明的技術(shù)方案，而非對其限制；盡管參照前述實(shí)施例對本發(fā)明進(jìn)行了詳細(xì)的說明，本領(lǐng)域的普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)理解其依然可以對前述各實(shí)施例所記載的技術(shù)方案進(jìn)行修改，或者對其中部分技術(shù)特征進(jìn)行等同替換；而這些修改或者替換，并不使相應(yīng)技術(shù)方案的本質(zhì)脫離本發(fā)明各實(shí)施例技術(shù)方案的精神和范圍。
1權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括襯底基板，所述襯底基板上形成有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極、有源層、鈍化層和柵絕緣層；所述薄膜晶體管包括與所述柵線連接的柵電極、與所述數(shù)據(jù)線連接的源電極和與所述像素電極連接的漏電極；所述柵絕緣層形成于所述柵電極上方；其特征在于所述鈍化層設(shè)置于所述有源層與所述源電極和所述漏電極之間；且所述鈍化層上設(shè)有源電極過孔和漏電極過孔；所述源電極和所述漏電極分別通過所述源電極過孔和所述漏電極過孔與所述有源層連接。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于所述像素電極形成于所述襯底基板上，且位于所述柵絕緣層下方；所述柵絕緣層上設(shè)有接觸過孔。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于所述漏電極的一部分形成于所述柵絕緣層上方，且所述漏電極的一部分填充至所述接觸過孔，并與所述像素電極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于所述柵電極與所述像素電極同層設(shè)置。
5.根據(jù)權(quán)利要求2所述的陣列基板，其特征在于所述柵電極下方設(shè)置有像素電極薄膜。
6.根據(jù)權(quán)利要求2或3所述的陣列基板，其特征在于所述接觸過孔的橫截面為圓形、 橢圓形、多邊形或者半圓形。
7.根據(jù)權(quán)利要求1-5任一項(xiàng)所述的陣列基板，其特征在于所述源電極過孔的橫截面為圓形、橢圓形、多邊形或者半圓形；所述漏電極過孔的橫截面為圓形、橢圓形、多邊形或者半圓形。
8.一種包括權(quán)利要求1-7任一項(xiàng)所述的陣列基板的液晶顯示器。
9.一種陣列基板的制造方法，其特征在于，包括在襯底基板上沉積透明導(dǎo)電薄膜和柵金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、柵電極和柵線的圖案；在形成上述圖案的襯底基板上沉積柵絕緣層薄膜、有源層薄膜和鈍化層薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案；所述鈍化層上包括源電極過孔和漏電極過孔；所述柵絕緣層上包括接觸過孔，所述接觸過孔位于所述像素電極上方；在形成上述圖案的襯底基板上沉積數(shù)據(jù)線金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、 源電極和漏電極的圖案；所述源電極和所述漏電極分別通過所述源電極過孔和所述漏電極過孔與所述有源層連接，所述漏電極通過所述接觸過孔與所述像素電極連接。
10.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，通過構(gòu)圖工藝形成包括像素電極、柵電極和柵線的圖案的步驟包括在所述柵金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用半色調(diào)掩膜板或灰色調(diào)掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全去除區(qū)域、部分保留區(qū)域和完全保留區(qū)域的光刻膠圖案；進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述柵金屬薄膜和所述透明導(dǎo)電薄膜，形成包括所述柵電極和所述柵線的圖案；按照所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除所述光刻膠；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述柵金屬薄膜，形成包括所述像素電極的圖案。
11.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，通過構(gòu)圖工藝形成包括鈍化層、有源層和柵絕緣層的圖案的步驟具體包括在所述鈍化層薄膜上涂覆光刻膠；采用掩膜板對所述光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域、部分保留區(qū)域、半保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案，所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度大于所述半保留區(qū)域的光刻膠厚度，且小于所述完全保留區(qū)域的光刻膠厚度；進(jìn)行第一次刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的所述鈍化層薄膜、所述有源層薄膜和所述柵絕緣層薄膜，形成包括所述柵絕緣層的圖案，所述柵絕緣層上包括所述接觸過孔；按照所述半保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第二次刻蝕，刻蝕掉所述半保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述鈍化層薄膜和所述有源層薄膜， 形成包括有源層的圖案；按照所述部分保留區(qū)域的光刻膠厚度灰化去除光刻膠；進(jìn)行第三次刻蝕，刻蝕掉所述部分保留區(qū)域?qū)?yīng)的所述鈍化層薄膜，形成包括鈍化層的圖案，所述鈍化層上包括所述源電極過孔和所述漏電極過孔。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，所述掩膜板為設(shè)有狹縫的雙色調(diào)掩膜板；所述雙色調(diào)掩膜板上對應(yīng)所述半保留區(qū)域處的狹縫密度大于對應(yīng)所述部分保留區(qū)域處的狹縫密度。
13.根據(jù)權(quán)利要求9所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，在形成上述圖案的襯底基板上沉積數(shù)據(jù)線金屬薄膜，通過構(gòu)圖工藝形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案具體包括采用濺射或熱蒸發(fā)的方法在形成上述圖案的襯底基板上沉積數(shù)據(jù)線金屬薄膜；在所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜上涂覆光刻膠；采用掩膜板對光刻膠進(jìn)行曝光顯影，形成包括完全保留區(qū)域和完全去除區(qū)域的光刻膠圖案；對所述數(shù)據(jù)線金屬薄膜進(jìn)行刻蝕，刻蝕掉所述完全去除區(qū)域?qū)?yīng)的數(shù)據(jù)線金屬薄膜， 形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案。
14.根據(jù)權(quán)利要求9-13任一項(xiàng)所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括在形成所述柵絕緣層時(shí)通過光刻形成接口區(qū)域。
15.根據(jù)權(quán)利要求9-13任一項(xiàng)所述的陣列基板的制造方法，其特征在于，還包括在形成包括數(shù)據(jù)線、源電極和漏電極的圖案時(shí)，通過光刻形成存儲電容。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板、液晶顯示器及陣列基板的制造方法。陣列基板包括襯底基板，襯底基板上形成有柵線、數(shù)據(jù)線、薄膜晶體管、像素電極、有源層、鈍化層和柵絕緣層；薄膜晶體管包括與柵線連接的柵電極、與數(shù)據(jù)線連接的源電極和與像素電極連接的漏電極；柵絕緣層形成于柵電極上方；鈍化層設(shè)置于有源層與源電極和漏電極之間；且鈍化層上設(shè)有源電極過孔和漏電極過孔；源電極和漏電極分別通過源電極過孔和漏電極過孔與有源層連接。本發(fā)明技術(shù)方案通過一次構(gòu)圖形成有源層、鈍化層和柵絕緣層，減少了構(gòu)圖次數(shù)，提高了生產(chǎn)效率；同時(shí)實(shí)現(xiàn)了鈍化層位于有源層上方的陣列基板結(jié)構(gòu)，避免了在形成源電極和漏電極時(shí)對TFT溝道造成損傷。
文檔編號G02F1/1362GK102446925SQ20101050210
公開日2012年5月9日 申請日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者劉翔, 薛建設(shè) 申請人:京東方科技集團(tuán)股份有限公司