專利名稱：陣列基板及陣列基板的驅(qū)動方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，尤其涉及一種陣列基板及陣列基板的驅(qū)動方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(Liquid Crystal Display，LCD)具有體積小、功耗低以及無輻射等優(yōu)點，目前已經(jīng)在平板顯示器市場中占據(jù)了主導(dǎo)地位。其中，液晶顯示器的主體結(jié)構(gòu)由陣列基板和彩膜基板對盒后形成，且在對盒后的陣列基板和彩膜基板之間滴注有液晶。具體如圖1所示，陣列基板上形成有用于提供掃描信號的柵線11和與柵線11垂直的用于提供數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)線12，柵線11和數(shù)據(jù)線12之間界定有像素區(qū)域，該像素區(qū)域內(nèi)設(shè)有薄膜晶體管13 (Thin Film Transistor, TFT)和像素電極14，薄膜晶體管13的柵極131和柵線11連接，源極132和數(shù)據(jù)線12連接，漏極133和像素電極14連接。液晶顯示器工作時，柵線11受到柵極驅(qū)動器15的控制，該柵極驅(qū)動器15包括多個柵極驅(qū)動集成電路(Gate Driver ICantegratedCircuit，集成電路))；數(shù)據(jù)線12受到源極驅(qū)動器16的控制，該源極驅(qū)動器16包括多個源極驅(qū)動集成電路(Source Driver IC)。 其中在所述柵極驅(qū)動集成電路所產(chǎn)生的柵極驅(qū)動信號的控制下，各行柵線11依次打開，對應(yīng)行的數(shù)據(jù)電壓由所述源極驅(qū)動集成電路通過數(shù)據(jù)線12送至對應(yīng)的像素電極14上對該像素電極14進行充電，由此在像素電極14中形成顯示各個灰階所需要的灰度電壓，進而顯示每一幀圖像。發(fā)明人發(fā)現(xiàn)，現(xiàn)有技術(shù)中所述像素電極的充電過程需要由一根所述柵線和一根所述數(shù)據(jù)線共同控制，且液晶顯示器所用的源極驅(qū)動集成電路的數(shù)量由所述數(shù)據(jù)線的數(shù)量決定。即，所用的數(shù)據(jù)線數(shù)量越多，需要的源極驅(qū)動集成電路也越多。然而，所述源極驅(qū)動集成電路的成本在液晶顯示器的生產(chǎn)成本中占據(jù)很大比例，因此所述數(shù)據(jù)線使用的數(shù)量較多導(dǎo)致了液晶顯示器的成本較高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的實施例提供一種陣列基板及陣列基板的驅(qū)動方法，以降低液晶顯示器的成本。為達到上述目的，本發(fā)明的實施例采用如下技術(shù)方案一種陣列基板，包括基板，在所述基板上形成有像素電極陣列，對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一行像素電極形成有一根柵線，對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極形成有一根數(shù)據(jù)線；每一奇數(shù)列像素電極連接有一個第一開關(guān)裝置，所述第一開關(guān)裝置在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為相應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極充電；每一偶數(shù)列像素電極連接有一個第二開關(guān)裝置，所述第二開關(guān)裝置在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為相應(yīng)的所述偶數(shù)列像素電極充電。
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本發(fā)明實施例還提供了一種陣列基板的驅(qū)動方法，所述驅(qū)動方法應(yīng)用于驅(qū)動如上所述的陣列基板，其中所述驅(qū)動方法包括在第一時序周期內(nèi)，第一開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的奇數(shù)列像素電極充電；在第二時序周期內(nèi)，第二開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的偶數(shù)列像素電極充電；在第三時序周期內(nèi)，所述第一開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的奇數(shù)列像素電極充電；在第四時序周期內(nèi)，所述第二開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的偶數(shù)列像素電極充電；依此類推對其余各行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極進行充電，并在最后一行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極充電完成后循環(huán)上述過程。本發(fā)明實施例還提供了另一種陣列基板的驅(qū)動方法，所述驅(qū)動方法應(yīng)用于驅(qū)動如上所述的陣列基板，其中所述驅(qū)動方法包括在第一時序周期內(nèi)，第二開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的偶數(shù)列像素電極充電；在第二時序周期內(nèi)，第一開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的奇數(shù)列像素電極充電；在第三時序周期內(nèi)，所述第二開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的偶數(shù)列像素電極充電；在第四時序周期內(nèi)，所述第一開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的奇數(shù)列像素電極充電；依此類推對其余各行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極進行充電，并在最后一行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極充電完成后循環(huán)上述過程。本發(fā)明實施例提供的陣列基板及陣列基板的驅(qū)動方法，由于在所述陣列基板上對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極僅形成有一根數(shù)據(jù)線，且通過所述第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置可以在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線分別為所述奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極充電，因此可以通過一根數(shù)據(jù)線為與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極充電，這樣在保證能夠?qū)Ω髁邢袼仉姌O充電的情況下，所使用的數(shù)據(jù)線數(shù)量減少了一半，因此可以相應(yīng)地減少液晶顯示器所用的源極驅(qū)動集成電路的數(shù)量， 從而降低液晶顯示器的成本。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中陣列基板的示意圖；圖2為本發(fā)明實施例一中陣列基板的示意圖；圖3為圖2所示陣列基板的驅(qū)動時序圖；圖4為圖2所示陣列基板在第一時序周期內(nèi)的驅(qū)動結(jié)果示意圖；圖5為圖2所示陣列基板在第二時序周期內(nèi)的驅(qū)動結(jié)果示意圖6為圖2所示陣列基板在第三時序周期內(nèi)的驅(qū)動結(jié)果示意圖；圖7為圖2所示陣列基板在第四時序周期內(nèi)的驅(qū)動結(jié)果示意圖；圖8為圖2所示陣列基板在第五時序周期內(nèi)的驅(qū)動結(jié)果示意圖；圖9為圖2所示陣列基板在第六時序周期內(nèi)的驅(qū)動結(jié)果示意圖；圖10為本發(fā)明實施例二中陣列基板的示意圖；圖11為圖10所示陣列基板的驅(qū)動時序圖；圖12為對圖10所示陣列基板中的數(shù)據(jù)線位置變換后的示意圖；圖13為圖10所示陣列基板在第一時序周期內(nèi)的驅(qū)動結(jié)果示意圖；圖14為圖10所示陣列基板在第二時序周期內(nèi)的驅(qū)動結(jié)果示意圖；圖15為本發(fā)明實施例中陣列基板的一種驅(qū)動方法；圖16為本發(fā)明實施例中陣列基板的另一種驅(qū)動方法。附圖標(biāo)記11-柵線，12-數(shù)據(jù)線，13-薄膜晶體管，131-柵極，132-源極，133-漏極，14-像素電極，15-柵極驅(qū)動器，16-源極驅(qū)動器；Dotl、Dot2、Dot3、Dot4、Dot5、Dot6_ 像素電極，G1、G2、G3、G4_ 柵線，Datal、Data2、 Data3-數(shù)據(jù)線，A、D、G-第一薄膜晶體管，B、E、H-第二薄膜晶體管，C、F、I-第三薄膜晶體管，J、M、P-第四薄膜晶體管，K、N、Q-第五薄膜晶體管，L、0、R-第六薄膜晶體管。
具體實施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明實施例陣列基板及陣列基板的驅(qū)動方法進行詳細描述。應(yīng)當(dāng)明確，所描述的實施例僅僅是本發(fā)明的一部分實施例，而不是全部的實施例。 基于本發(fā)明中的實施例，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員在沒有作出創(chuàng)造性勞動前提下所獲得的所有其它實施例，都屬于本發(fā)明保護的范圍。如圖2或圖10所示，為本發(fā)明陣列基板的一個具體實施例。本實施例中，所述陣列基板包括基板(為清楚顯示起見，各附圖中均對該基板進行了省略)，在該基板上形成有像素電極陣列，在該像素電極陣列中包括第一行奇數(shù)列的像素電極Dotl，第一行偶數(shù)列的像素電極Dot2，第二行奇數(shù)列的像素電極Dot3，第二行偶數(shù)列的像素電極Dot4，第三行奇數(shù)列的像素電極Dot5，第三行偶數(shù)列的像素電極Dot6，對于未圖示的其余各行像素電極依此類推。對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一行像素電極形成有一根柵線，如對應(yīng)于第一行像素電極Dotl和Dot2形成有一根柵線Gl，對應(yīng)于第二行像素電極Dot3和Dot4形成有一根柵線G2，對應(yīng)于第三行像素電極Dot5和Dot6形成有一根柵線G3，對應(yīng)于第四行像素電極(未圖示)形成有一根柵線G4，對于未圖示的對應(yīng)于其余各行像素電極的柵線依此類推；對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極形成有一根數(shù)據(jù)線，如對應(yīng)于第一列像素電極和與之相鄰的第二列像素電極形成有一根數(shù)據(jù)線Datal，對應(yīng)于第三列像素電極和與之相鄰的第四列像素電極形成有一根數(shù)據(jù)線Data2，對應(yīng)于第五列像素電極和與之相鄰的第六列像素電極形成有一根數(shù)據(jù)線Data3，對于未圖示的對應(yīng)于其余各奇數(shù)列像素電極和與之相鄰的下一偶數(shù)列像素電極的數(shù)據(jù)線可依此類推。其中，每一奇數(shù)列像素電極連接有一個第一開關(guān)裝置，如該第一開關(guān)裝置可由圖2中的與像素電極Dotl連接的第一薄膜晶體管A和第二薄膜晶體管B形成，或者該第一開關(guān)裝置可由圖10中的與像素電極Dotl連接的第四薄膜晶體管J形成，該第一開關(guān)裝置可以在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為相應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極充電，如該第一開關(guān)裝置可以在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線Datal為第一行第一列的像素電極Dotl充電，或者該第一開關(guān)裝置還可以在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線 Datal為第二行第一列的像素電極Dot3充電。類似地，每一偶數(shù)列像素電極連接有一個第二開關(guān)裝置，如該第二開關(guān)裝置可由圖2中的與像素電極Dot2連接的第三薄膜晶體管C形成，或者該第二開關(guān)裝置可由圖10 中的與像素電極Dot2連接的第五薄膜晶體管K和第六薄膜晶體管L形成，該第二開關(guān)裝置可以在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為相應(yīng)的所述偶數(shù)列像素電極充電，如該第二開關(guān)裝置可以在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線Datal為第一行第二列的像素電極Dot2充電，或者該第二開關(guān)裝置還可以在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線Datal為第二行第二列的像素電極Dot4充電。本實施例中的陣列基板，由于在該陣列基板上對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極僅形成有一根數(shù)據(jù)線， 且通過所述第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置可以在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線分別為所述奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極充電，因此可以通過一根數(shù)據(jù)線為與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極充電，這樣在保證能夠?qū)Ω髁邢袼仉姌O充電的情況下，所使用的數(shù)據(jù)線數(shù)量減少了一半，因此可以相應(yīng)地減少液晶顯示器所用的源極驅(qū)動集成電路的數(shù)量，進而有效減少了源極驅(qū)動電路板的走線數(shù)量以及該源極驅(qū)動電路板上元件的布局難度，從而有助于降低液晶顯示器的成本。 此外，源極驅(qū)動電路板上走線數(shù)量的減少和元件布局難度的提高還有助于減小電路板的面積，也使得液晶顯示器能夠更輕更薄。需要說明的是，對上述的陣列基板而言，所述第一開關(guān)裝置和第二開關(guān)裝置可以有多種實現(xiàn)方式，且所述數(shù)據(jù)線的設(shè)置位置也可以有多種實現(xiàn)方式。以下就通過具體的實施例來說明本發(fā)明的技術(shù)方案。實施例一如圖2所示，本實施例中，所采用的第一開關(guān)裝置包括第一薄膜晶體管A，其柵極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線相鄰的下一根柵線連接、其源極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線連接、其漏極和第二薄膜晶體管的柵極連接。例如，以第一行中奇數(shù)列的像素電極Dotl為例可知，第一薄膜晶體管A的柵極和柵線G2連接、源極和柵線 Gl連接、漏極和第二薄膜晶體管B的柵極連接。所采用的第一開關(guān)裝置還包括第二薄膜晶體管B，其柵極和所述第一薄膜晶體管的漏極連接、其源極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接，其漏極和所述奇數(shù)列像素電極連接。例如，仍以第一行中奇數(shù)列的像素電極Dotl為例可知，第二薄膜晶體管B的柵極和第一薄膜晶體管A的漏極連接、源極和數(shù)據(jù)線Datal連接、漏極和奇數(shù)列像素電極Dotl連接。類似地，對于第二行奇數(shù)列的像素電極Dot3而言，所采用的第一開關(guān)裝置包括第一薄膜晶體管D和第二薄膜晶體管E，其中第一薄膜晶體管D的連接方式與第一薄膜晶體管A的連接方式相同，第二薄膜晶體管E的連接方式和第二薄膜晶體管B的連接方式相同。 第三行奇數(shù)列的像素電極Dot5所采用的第一開關(guān)裝置包括第一薄膜晶體管G和第二薄膜晶體管H。依此類推可知，其余各行奇數(shù)列的像素電極所采用的第一開關(guān)裝置均與上述第一開關(guān)裝置相同。本實施例中所采用的第二開關(guān)裝置包括第三薄膜晶體管C，其柵極和與所述偶數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線連接，其源極和與所述偶數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接，其漏極和所述偶數(shù)列像素電極連接。以第一行中偶數(shù)列的像素電極Dot2為例可知， 第三薄膜晶體管C的柵極和柵線Gl連接、源極和數(shù)據(jù)線Datal連接、漏極和偶數(shù)列像素電極Dot2連接。類似地，對于第二行偶數(shù)列的像素電極Dot4而言，所采用的第二開關(guān)裝置包括第三薄膜晶體管F，其中第三薄膜晶體管F的連接方式和第三薄膜晶體管C的連接方式相同。 第三行偶數(shù)列的像素電極Dot6所采用的第二開關(guān)裝置包括第三薄膜晶體管I。依此類推可知，其余各行奇數(shù)列的像素電極所采用的第二開關(guān)裝置均與上述第二開關(guān)裝置相同。而且從圖2還可知，本實施例中所述數(shù)據(jù)線可以設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極之間。例如，數(shù)據(jù)線 Datal設(shè)置在與之相對應(yīng)的第一列像素電極和第二列像素電極之間，數(shù)據(jù)線Data2設(shè)置在與之相對應(yīng)的第三列像素電極和第四列像素電極之間，數(shù)據(jù)線Data3設(shè)置在與之相對應(yīng)的第五列像素電極和第六列像素電極之間。除此之外，本實施例中所述數(shù)據(jù)線還可以設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極中的所述偶數(shù)列像素電極的右側(cè)(該設(shè)置方式與圖10顯示的設(shè)置方式相同)?；蛘?，所述數(shù)據(jù)線還可以設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極中的所述奇數(shù)列像素電極的左側(cè)(該設(shè)置方式與圖12顯示的設(shè)置方式相同)。具體而言，本實施例中所述數(shù)據(jù)線的設(shè)置位置可以根據(jù)陣列基板上實際的構(gòu)案或者根據(jù)現(xiàn)有的構(gòu)圖工藝進行選擇。如圖3所示，為本實施例的驅(qū)動時序圖。其中Gl表示第一行柵線，G2表示第二行柵線，G3表示第三行柵線，G4表示第四行柵線，Tl表示第一時序周期，T2表示第二時序周期，T3表示第三時序周期，T4表示第四時序周期，T5表示第五時序周期，T6表示第六時序周期，T7表示第七時序周期。下面結(jié)合圖2所示的陣列基板實施例和圖3所示的該陣列基板實施例的驅(qū)動時序圖來具體說明是如何驅(qū)動所述陣列基板的，具體而言，下面的描述僅以陣列基板的一部分為例進行說明，但所描述的驅(qū)動過程適用于全部的陣列基板。在下面的描述中，1表示高電平、0表示低電平。具體的驅(qū)動過程如下在Tl階段內(nèi)，通過與各柵線相連的柵極驅(qū)動器使Gl = 1，G2 = 1，G3 = 0，G4 = 0。在G2為高電平時，第一行的第一薄膜晶體管A導(dǎo)通，此時由于Gl為高電平，因此第一行的第二薄膜晶體管B導(dǎo)通，然后如圖4所示，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第一行的奇數(shù)列像素電極Dotl充電至需要的灰度電壓，圖4中在Tl階段內(nèi)充電的奇數(shù)列像素電極Dotl 以稀疏的向右上方傾斜的陰影線表示。其中，此時由于Gl為高電平，因此第一行的第三薄膜晶體管C導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Datal、Data2,Data3等對第一行的偶數(shù)列像素電極Dot2充電使其達到像素電極Dotl的灰度電壓 (圖4中以網(wǎng)格線表示)。由于一般情況下像素電極Dot2的灰度電壓與像素電極Dotl的灰度電壓不同，因此此次充電對像素電極Dot2而言會造成液晶顯示器的錯誤顯示，但是由于在T2階段內(nèi)即對像素電極Dot2進行充電，因此以在1秒時間內(nèi)控制768根柵線開關(guān)的液晶顯示器為例而言，液晶顯示器的像素電極Dot2區(qū)域僅在1/768秒的時間內(nèi)保持錯誤的顯示，而在其余767/768秒的時間內(nèi)保持正確的顯示，兩相比較可知錯誤顯示保持的時間明顯極短，人眼難以分辨，不影響使用者對液晶顯示器的正常觀看。此外，如果因為巧合而使像素電極Dot2的灰度電壓與像素電極Dot 1的灰度電壓相同，則在Tl階段內(nèi)對像素電極 Dot2的充電電壓正好與像素電極Dot2在Tl階段內(nèi)需要保持的電壓相同，因此不會造成液晶顯示器的錯誤顯示。類似地，此時由于G2為高電平，因此第二行的第三薄膜晶體管F導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線 DataUData2,Data3等對第二行的偶數(shù)列像素電極Dot4充電使其達到像素電極Dotl的灰度電壓(圖4中以網(wǎng)格線表示)。由于一般情況下像素電極Dot4的灰度電壓與像素電極 Dotl的灰度電壓不同，因此此次充電對像素電極Dot4而言會造成液晶顯示器的錯誤顯示， 但是由于在T4階段內(nèi)即對像素電極Dot4進行充電，因此以在1秒時間內(nèi)控制768根柵線開關(guān)的液晶顯示器為例而言，液晶顯示器的像素電極Dot4區(qū)域僅在3/768秒的時間內(nèi)保持錯誤的顯示，而在其余765/768秒的時間內(nèi)保持正確的顯示，兩相比較可知錯誤顯示保持的時間明顯極短，人眼難以分辨，不影響使用者對液晶顯示器的正常觀看。此外，如果因為巧合而使像素電極Dot4的灰度電壓與像素電極Dot 1的灰度電壓相同，則在Tl階段內(nèi)對像素電極Dot4的充電電壓正好與像素電極Dot4在Tl階段內(nèi)需要保持的電壓相同，因此不會造成液晶顯示器的錯誤顯示。在T2階段內(nèi)，通過與各柵線相連的柵極驅(qū)動器使Gl = 1，G2 = 0，G3 = 0，G4 = O。在Gl為高電平時，第一行的第三薄膜晶體管C導(dǎo)通，如圖5所示，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、 Data3等對第一行的偶數(shù)列像素電極Dot2充電至需要的灰度電壓，圖5中在T2階段內(nèi)充電的偶數(shù)列像素電極Dot2以稀疏的向右下方傾斜的陰影線表示。此時，G2為低電平，第一行的第一薄膜晶體管A和第二薄膜晶體管B關(guān)閉，像素電極Dotl上的電壓保持。且在G2為低電平時，第二行的第三薄膜晶體管F關(guān)閉，像素電極Dot4上的電壓保持。在T3階段內(nèi)，通過與各柵線相連的柵極驅(qū)動器使Gl = 0，G2 = 1，G3 = 1，G4 = O。在G3為高電平時，第二行的第一薄膜晶體管D導(dǎo)通，此時由于G2為高電平，因此第二行的第二薄膜晶體管E導(dǎo)通，然后如圖6所示，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第二行的奇數(shù)列像素電極Dot3充電至需要的灰度電壓，圖6中在T3階段內(nèi)充電的奇數(shù)列像素電極Dot3 以密集的向右上方傾斜的陰影線表示。與Tl階段類似，此時由于G2為高電平，因此第二行的第三薄膜晶體管F導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第二行的偶數(shù)列像素電極Dot4充電(圖6中以網(wǎng)格線表示)。當(dāng)像素電極Dot4的灰度電壓與像素電極Dot3的灰度電壓不同時，此次充電對像素電極Dot4而言會造成液晶顯示器的錯誤顯示，但該錯誤顯示的保持時間極短；當(dāng)像素電極 Dot4的灰度電壓與像素電極Dot3的灰度電壓相同時，此次充電對像素電極Dot4而言不會造成液晶顯示器的錯誤顯示。類似地，由于G3為高電平，因此第三行的第三薄膜晶體管I 導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第三行的偶數(shù)列像素電極Dot6充電(圖6中以網(wǎng)格線表示)。當(dāng)像素電極Dote的灰度電壓與像素電極Dot3的灰度電壓不同時，此次充電對像素電極Dot6而言會造成液晶顯示器的錯誤顯示，但該錯誤顯示的保持時間極短；當(dāng)像素電極Dote的灰度電壓與像素電極Dot3的灰度電壓相同時，此次充電對像素電極Dot6而言不會造成液晶顯示器的錯誤顯示。且此時Gl為低電平、G2為高電平，第一行的第一薄膜晶體管A導(dǎo)通、第一行的第二薄膜晶體管B關(guān)閉，像素電極Dotl上的電壓繼續(xù)保持。且Gl為低電平，第一行的第三薄膜晶體管C關(guān)閉，像素電極Dot2上的電壓保持。在T4階段內(nèi)，通過與各柵線相連的柵極驅(qū)動器使Gl = 0，G2 = 1，G3 = 0，G4 =
0。在G2為高電平時，第二行的第三薄膜晶體管F導(dǎo)通，如圖7所示，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、 Data3等對第二行的偶數(shù)列像素電極Dot4充電至需要的灰度電壓，圖7中在T4階段內(nèi)充電的偶數(shù)列像素電極Dot4以密集的向右下方傾斜的陰影線表示。此時，Gl為低電平、G2為高電平，第一行的第一薄膜晶體管A導(dǎo)通、第一行的第二薄膜晶體管B關(guān)閉，像素電極Dotl 上的電壓繼續(xù)保持。且G 1為低電平時，第一行的第三薄膜晶體管C關(guān)閉，像素電極Dot2 上的電壓繼續(xù)保持。另外G3為低電平，第二行的第一薄膜晶體管D和第二薄膜晶體管E關(guān)閉，像素電極Dot3上的電壓保持。在T5階段內(nèi)，通過與各柵線相連的柵極驅(qū)動器使Gl = 0，G2 = 0，G3 = 1，G4 =
1。在G4為高電平時，第三行的第一薄膜晶體管G導(dǎo)通，此時由于G3為高電平，因此第三行的第二薄膜晶體管H導(dǎo)通，然后如圖8所示，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第三行的奇數(shù)列像素電極Dot5充電至需要的灰度電壓，圖8中在T5階段內(nèi)充電的奇數(shù)列像素電極Dot5 以向右上方傾斜的雙劃陰影線表示。與Tl和T3階段類似，此時由于G3為高電平，因此第三行的第三薄膜晶體管I導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第三行的偶數(shù)列像素電極Dot6充電(圖8中以網(wǎng)格線表示)。當(dāng)像素電極Dot6的灰度電壓與像素電極Dot5的灰度電壓不同時，此次充電對像素電極Dot6而言會造成液晶顯示器的錯誤顯示，但該錯誤顯示的保持時間極短；當(dāng)像素電極 Dot6的灰度電壓與像素電極Dot5的灰度電壓相同時，此次充電對像素電極Dot6而言不會造成液晶顯示器的錯誤顯示。類似地，由于G4為高電平，因此第四行的第三薄膜晶體管導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第四行的偶數(shù)列像素電極充電(圖8中未顯示)，同樣地當(dāng)?shù)谒男械呐紨?shù)列像素電極的灰度電壓與像素電極Dot5的灰度電壓不同時，此次充電對第四行的偶數(shù)列像素電極Dot6而言會造成液晶顯示器的錯誤顯示，但該錯誤顯示的保持時間極短；當(dāng)?shù)谒男械呐紨?shù)列像素電極的灰度電壓與像素電極Dot5的灰度電壓相同時， 此次充電對第四行的偶數(shù)列像素電極而言不會造成液晶顯示器的錯誤顯示。且此時G1、G2均為低電平，第一行的第一薄膜晶體管A和第二薄膜晶體管B關(guān)閉， 像素電極Dotl上的電壓繼續(xù)保持。Gl為低電平時，第一行的第三薄膜晶體管C關(guān)閉，像素電極Dot2上的電壓繼續(xù)保持。G2為低電平、G3為高電平時，第二行的第一薄膜晶體管D導(dǎo)通、第二薄膜晶體管E關(guān)閉，像素電極Dot3上的電壓繼續(xù)保持。G2為低電平時，第二行的第三薄膜晶體管F關(guān)閉，像素電極Dot4上的電壓保持。在T6階段內(nèi)，通過與各柵線相連的柵極驅(qū)動器使Gl = 0，G2 = 0，G3 = 1，G4 = O。在G3為高電平時，第三行的第三薄膜晶體管I導(dǎo)通，如圖9所示，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、 Data3等對第三行的偶數(shù)列像素電極Dot6充電至需要的灰度電壓，圖9中在T6階段內(nèi)充電的偶數(shù)列像素電極Dote以向右下方傾斜的雙劃陰影線表示。此時，GU G2均為低電平，第一行的第一薄膜晶體管A和第二薄膜晶體管B關(guān)閉，像素電極Dotl上的電壓繼續(xù)保持。Gl 為低電平時，第一行的第三薄膜晶體管C關(guān)閉，像素電極Dot2上的電壓繼續(xù)保持。G2為低電平、G3為高電平時，第二行的第一薄膜晶體管D導(dǎo)通、第二薄膜晶體管E關(guān)閉，像素電極 Dot3上的電壓繼續(xù)保持。G2為低電平時，第二行的第三薄膜晶體管F關(guān)閉，像素電極Dot4 上的電壓保持。G4為低電平，第三行的第一薄膜晶體管G和第二薄膜晶體管H關(guān)閉，像素電極Dot5上的電壓保持。此后，對于其余各行中奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極上的充電可依此類推。 在一次循環(huán)中，當(dāng)全部的像素電極充電完畢后，可以依上述順序進行下一輪循環(huán)。綜上所述可知，本實施例中，可以使用一根數(shù)據(jù)線來對與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極進行充電，因此陣列基板上對數(shù)據(jù)線的使用減少了一半，從而減少了對源極驅(qū)動集成電路的使用數(shù)量，降低了液晶顯示器的成本。實施例二如圖10所示，本實施例中，所采用的第一開關(guān)裝置包括第四薄膜晶體管J，其柵極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線連接、其源極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接、其漏極和所述奇數(shù)列像素電極連接。例如，以第一行中奇數(shù)列的像素電極Dotl為例可知，第四薄膜晶體管J的柵極和柵線G 1連接、源極和數(shù)據(jù)線Datal連接、漏極和奇數(shù)列像素電極Dotl連接。類似地，對于第二行奇數(shù)列的像素電極Dot3而言，所采用的第一開關(guān)裝置包括第四薄膜晶體管M，其中第四薄膜晶體管M的連接方式和第四薄膜晶體管J的連接方式相同。 第三行奇數(shù)列的像素電極Dot5所采用的第一開關(guān)裝置包括第四薄膜晶體管P。依此類推可知，其余各行奇數(shù)列的像素電極所采用的第一開關(guān)裝置均與上述第一開關(guān)裝置相同。本實施例中，所采用的第二開關(guān)裝置包括第五薄膜晶體管K，其柵極和與所述偶數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線相鄰的下一根柵線連接、其源極和與所述偶數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線連接、其漏極和第六薄膜晶體管的柵極連接。例如，以第一行中偶數(shù)列的像素電極Dot2為例可知，第五薄膜晶體管K的柵極和柵線G2連接、源極和柵線Gl連接、漏極和第六薄膜晶體管L的柵極連接。所采用的第二開關(guān)裝置還包括第六薄膜晶體管L，其柵極和所述第五薄膜晶體管的漏極連接、其源極和與所述偶數(shù)列薄膜晶體管相對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接、其漏極和所述偶數(shù)列薄膜晶體管連接。例如，仍以第一行中偶數(shù)列的像素電極Dot2為例可知，第六薄膜晶體管L的柵極和第五薄膜晶體管K的漏極連接、源極和數(shù)據(jù)線Datal連接、漏極和偶數(shù)列像素電極Dot2連接。類似地，對于第二行偶數(shù)列的像素電極Dot4而言，所采用的第二開關(guān)裝置包括第五薄膜晶體管N和第六薄膜晶體管0，其中第五薄膜晶體管N的連接方式與第五薄膜晶體管K的連接方式相同，第六薄膜薄膜晶體管0的連接方式和第六薄膜晶體管L的連接方式相同。第三行偶數(shù)列的像素電極Dot6所采用的第二開關(guān)裝置包括第五薄膜晶體管Q和第六薄膜晶體管R。依此類推可知，其余各行偶數(shù)列的像素電極所采用的第二開關(guān)裝置均與上述第二開關(guān)裝置相同。
而且從圖10還可知，本實施例中，所述數(shù)據(jù)線可以設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極中的所述偶數(shù)列像素電極的右側(cè)。例如，數(shù)據(jù)線Datal設(shè)置在與之相對應(yīng)的第二列像素電極的右側(cè)，數(shù)據(jù)線 Data2設(shè)置在與之相對應(yīng)的第四列像素電極的右側(cè)，數(shù)據(jù)線Data3設(shè)置在與之相對應(yīng)的第六列像素電極的右側(cè)?；蛘呷鐖D12所示，本實施例中，所述數(shù)據(jù)線還可以設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極中的所述奇數(shù)列像素電極的左側(cè)。例如，數(shù)據(jù)線Datal設(shè)置在與之相對應(yīng)的第一列像素電極的左側(cè)，數(shù)據(jù)線 Data2設(shè)置在與之相對應(yīng)的第三列像素電極的左側(cè)，數(shù)據(jù)線Data3設(shè)置在與之相對應(yīng)的第四列像素電極的左側(cè)。除此之外，本實施例中所述數(shù)據(jù)線還可以設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極之間(該設(shè)置方式與圖2顯示的設(shè)置方式相同)。如圖11所示，為本實施例的驅(qū)動時序圖。其中G 1表示第一行柵線，G2表示第二行柵線，G3表示第三行柵線，G4表示第四行柵線，Tl表示第一時序周期，T2表示第二時序周期，T3表示第三時序周期，T4表示第四時序周期，T5表示第五時序周期，T6表示第六時序周期，T7表示第七時序周期。下面結(jié)合圖10所示的陣列基板實施例和圖11所示的該陣列基板實施例的驅(qū)動時序圖來說明是如何驅(qū)動所述陣列基板的，具體而言，下面的描述僅以陣列基板的一部分為例進行說明，但所描述的驅(qū)動過程適用于全部的陣列基板。在下面的描述中，1表示高電平、 0表示低電平。具體地驅(qū)動過程如下在Tl階段，通過與各柵線相連的柵極驅(qū)動器使Gl = 1,G2= 1，G3 = 0，G4 = 0。 在G2為高電平時，第一行的第五薄膜晶體管K導(dǎo)通，此時由于Gl為高電平，因此第一行的第六薄膜晶體管L導(dǎo)通，然后如圖13所示，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第一行的偶數(shù)列像素電極Dot2充電至需要的灰度電壓，圖13中在Tl階段內(nèi)充電的奇數(shù)列像素電極Dot2 以向右上方傾斜的陰影線表示。其中，此時由于Gl為高電平，因此第一行的第四薄膜晶體管J導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線Datal、 Data2,Data3等對第一行的奇數(shù)列像素電極Dotl充電使其達到像素電極Dot2的灰度電壓 (圖13中以網(wǎng)格線表示)。由于一般情況下像素電極Dotl的灰度電壓與像素電極Dot2的灰度電壓不同，因此此次充電對像素電極Dotl而言會造成液晶顯示器的錯誤顯示，但是由于在T2階段內(nèi)即對像素電極Dotl進行充電，因此以在1秒時間內(nèi)控制768根柵線開關(guān)的液晶顯示器為例而言，液晶顯示器的像素電極Dotl區(qū)域僅在1/768秒的時間內(nèi)保持錯誤的顯示，而在其余767/768秒的時間內(nèi)保持正確的顯示，兩相比較可知錯誤顯示保持的時間明顯極短，人眼難以分辨，不影響使用者對液晶顯示器的正常觀看。此外，如果因為巧合而使像素電極Dot 1的灰度電壓與像素電極Dot2的灰度電壓相同，則在Tl階段內(nèi)對像素電極 Dotl的充電電壓正好與像素電極Dotl在Tl階段內(nèi)需要保持的電壓相同，因此不會造成液晶顯示器的錯誤顯示。類似地，此時由于G2為高電平，因此第二行的第四薄膜晶體管M導(dǎo)通，數(shù)據(jù)線 DataUData2,Data3等對第二行的奇數(shù)列像素電極Dot3充電使其達到像素電極Dot2的灰度電壓(圖13中以網(wǎng)格線表示)。由于一般情況下像素電極Dot3的灰度電壓與像素電極 Dot2的灰度電壓不同，因此此次充電對像素電極Dot3而言會造成液晶顯示器的錯誤顯示， 但是由于在T4階段內(nèi)即對像素電極Dot3進行充電，因此以在1秒時間內(nèi)控制768根柵線開關(guān)的液晶顯示器為例而言，液晶顯示器的像素電極Dot3區(qū)域僅在3/768秒的時間內(nèi)保持錯誤的顯示，而在其余765/768秒的時間內(nèi)保持正確的顯示，兩相比較可知錯誤顯示保持的時間明顯極短，人眼難以分辨，不影響使用者對液晶顯示器的正常觀看。此外，如果因為巧合而使像素電極Dot3的灰度電壓與像素電極Dot2的灰度電壓相同，則在Tl階段內(nèi)對像素電極Dot3的充電電壓正好與像素電極Dot3在Tl階段內(nèi)需要保持的電壓相同，因此不會造成液晶顯示器的錯誤顯示。在T2階段，通過與各柵線相連的柵極驅(qū)動器使Gl = 1,G2 = 0，G3 = 0，G4 = 0。 在Gl為高電平時，第一行的第四薄膜晶體管J導(dǎo)通，如圖14所示，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、 Data3等對第一行的奇數(shù)列像素電極Dotl充電至需要的灰度電壓，圖14中在T2階段內(nèi)充電的奇數(shù)列像素電極Dotl以向右下方傾斜的陰影線表示。此時，G2為低電平，第一行的第五薄膜晶體管K和第六薄膜晶體管L關(guān)閉，像素電極Dot2上的電壓保持?？梢砸勒丈鲜龀潆娺^程推知，在T3階段內(nèi)，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第二行的偶數(shù)列像素電極Dot4充電；在T4階段內(nèi)，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第二行的奇數(shù)列像素電極Dot3充電；在T5階段內(nèi)，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第三行的偶數(shù)列像素電極Dot6充電；在T6階段內(nèi)，數(shù)據(jù)線Datal、Data2、Data3等對第三行的奇數(shù)列像素電極Dot5充電。且對圖10中未顯示的其余各行中偶數(shù)列像素電極和奇數(shù)列像素電極的充電過程也可以依此類推。在一次循環(huán)中，當(dāng)全部的像素電極充電完畢后，可以依上述順序進行下一輪循環(huán)。由此可看出，本實施例與上述實施例一類似，所不同之處在于實施例一中先對各行的奇數(shù)列像素電極進行充電，然后再對各行中的偶數(shù)列像素電極進行充電。而本實施例中則先對各行的偶數(shù)列像素電極進行充電，然后再對各行中的奇數(shù)列像素電極進行充電。 且本實施例中可以使用一根數(shù)據(jù)線來對與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極進行充電，因此陣列基板上對數(shù)據(jù)線的使用減少了一半，從而減少了對源極驅(qū)動集成電路的使用數(shù)量，降低了液晶顯示器的成本。除此之外，如圖15所示，為本發(fā)明實施例的一種用于驅(qū)動上述陣列基板的驅(qū)動方法。所述驅(qū)動方法包括S1501，在第一時序周期內(nèi)，第一開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的奇數(shù)列像素電極充電；S1502，在第二時序周期內(nèi)，第二開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的偶數(shù)列像素電極充電；S1503，在第三時序周期內(nèi)，所述第一開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的奇數(shù)列像素電極充電；S1504，在第四時序周期內(nèi)，所述第二開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的偶數(shù)列像素電極充電；然后，依此類推對其余各行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極進行充電，并在最后一行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極充電完成后循環(huán)上述過程。
其中，本驅(qū)動方法中所述的第一開關(guān)裝置與上述實施例一中所述的第一開關(guān)裝置相同，且本驅(qū)動方法中所述的第二開關(guān)裝置與上述實施例一中所述的第二開關(guān)裝置相同。如圖16所示，為本發(fā)明實施例的另一種用于驅(qū)動上述陣列基板的驅(qū)動方法。所述驅(qū)動方法包括S1601，在第一時序周期內(nèi)，第二開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的偶數(shù)列像素電極充電；S1602，在第二時序周期內(nèi)，第一開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的奇數(shù)列像素電極充電；S1603，在第三時序周期內(nèi)，所述第二開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的偶數(shù)列像素電極充電；S1604，在第四時序周期內(nèi)，所述第一開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的奇數(shù)列像素電極充電；然后，依此類推對其余各行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極進行充電，并在最后一行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極充電完成后循環(huán)上述過程。其中，本驅(qū)動方法中所述的第一開關(guān)裝置與上述實施例二中所述的第一開關(guān)裝置相同，且本驅(qū)動方法中所述的第二開關(guān)裝置與上述實施例二中所述的第二開關(guān)裝置相同。而且，圖16所示的驅(qū)動方法與圖15所示的驅(qū)動方法類似，所不同之處在于，圖15 所示驅(qū)動方法中先對各行的奇數(shù)列像素電極進行充電，然后再對各行中的偶數(shù)列像素電極進行充電。而圖16所示驅(qū)動方法中則先對各行的偶數(shù)列像素電極進行充電，然后再對各行中的奇數(shù)列像素電極進行充電。由于圖15和圖16所示驅(qū)動方法中可以通過數(shù)據(jù)線首先對奇數(shù)列像素電極(或偶數(shù)列像素電極)進行充電，然后再通過所述數(shù)據(jù)線對偶數(shù)列像素電極(或奇數(shù)列像素電極)進行充電，因此奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極可以使用同一根數(shù)據(jù)線，以對一根數(shù)據(jù)線實現(xiàn)分時段復(fù)用。從而減少了數(shù)據(jù)線使用的數(shù)量，也因此減少了源極驅(qū)動集成電路的使用數(shù)量，降低了液晶顯示器的成本。本領(lǐng)域普通技術(shù)人員可以理解實現(xiàn)上述實施例方法中的全部或部分流程，是可以通過計算機程序來指令相關(guān)的硬件來完成，所述的程序可存儲于一計算機可讀取存儲介質(zhì)中，該程序在執(zhí)行時，可包括如上述各方法的實施例的流程。其中，所述的存儲介質(zhì)可為磁碟、光盤、只讀存儲記憶體(Read-Only Memory, ROM)或隨機存儲記憶體(Random Access Memory, RAM)等。以上所述，僅為本發(fā)明的具體實施方式
，但本發(fā)明的保護范圍并不局限于此，任何熟悉本技術(shù)領(lǐng)域的技術(shù)人員在本發(fā)明揭露的技術(shù)范圍內(nèi)，可輕易想到變化或替換，都應(yīng)涵蓋在本發(fā)明的保護范圍之內(nèi)。因此，本發(fā)明的保護范圍應(yīng)所述以權(quán)利要求的保護范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種陣列基板，包括基板，在所述基板上形成有像素電極陣列，對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一行像素電極形成有一根柵線，其特征在于，對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極形成有一根數(shù)據(jù)線.一入 ，每一奇數(shù)列像素電極連接有一個第一開關(guān)裝置，所述第一開關(guān)裝置在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為相應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極充電；每一偶數(shù)列像素電極連接有一個第二開關(guān)裝置，所述第二開關(guān)裝置在相應(yīng)時序周期內(nèi)的驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為相應(yīng)的所述偶數(shù)列像素電極充電。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一開關(guān)裝置包括第一薄膜晶體管，其柵極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線相鄰的下一根柵線連接、其源極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線連接、其漏極和第二薄膜晶體管的柵極連接；第二薄膜晶體管，其柵極和所述第一薄膜晶體管的漏極連接、其源極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接，其漏極和所述奇數(shù)列像素電極連接。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第一開關(guān)裝置包括第四薄膜晶體管，其柵極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線連接、其源極和與所述奇數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接、其漏極和所述奇數(shù)列像素電極連接。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二開關(guān)裝置包括第三薄膜晶體管，其柵極和與所述偶數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線連接，其源極和與所述偶數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接，其漏極和所述偶數(shù)列像素電極連接。
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的陣列基板，其特征在于，所述第二開關(guān)裝置包括第五薄膜晶體管，其柵極和與所述偶數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線相鄰的下一根柵線連接、其源極和與所述偶數(shù)列像素電極相對應(yīng)的所述柵線連接、其漏極和第六薄膜晶體管的柵極連接；第六薄膜晶體管，其柵極和所述第五薄膜晶體管的漏極連接、其源極和與所述偶數(shù)列薄膜晶體管相對應(yīng)的所述數(shù)據(jù)線連接、其漏極和所述偶數(shù)列薄膜晶體管連接。
6.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極之間。
7.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極中的所述偶數(shù)列像素電極的右側(cè)。
8.根據(jù)權(quán)利要求1至5任一項所述的陣列基板，其特征在于，所述數(shù)據(jù)線設(shè)置在與該數(shù)據(jù)線相對應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極中的所述奇數(shù)列像素電極的左側(cè)。
9.一種陣列基板的驅(qū)動方法，其特征在于，所述驅(qū)動方法應(yīng)用于驅(qū)動如權(quán)利要求1至8 中任一項所述的陣列基板，其中所述驅(qū)動方法包括在第一時序周期內(nèi)，第一開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的奇數(shù)列像素電極充電；在第二時序周期內(nèi)，第二開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的偶數(shù)列像素電極充電；在第三時序周期內(nèi)，所述第一開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的奇數(shù)列像素電極充電；在第四時序周期內(nèi)，所述第二開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的偶數(shù)列像素電極充電；依此類推對其余各行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極進行充電，并在最后一行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極充電完成后循環(huán)上述過程。
10. 一種陣列基板的驅(qū)動方法，其特征在于，所述驅(qū)動方法應(yīng)用于驅(qū)動如權(quán)利要求1至 8中任一項所述的陣列基板，其中所述驅(qū)動方法包括在第一時序周期內(nèi)，第二開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的偶數(shù)列像素電極充電；在第二時序周期內(nèi)，第一開關(guān)裝置在驅(qū)動控制下使數(shù)據(jù)線為第一行的奇數(shù)列像素電極充電；在第三時序周期內(nèi)，所述第二開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的偶數(shù)列像素電極充電；在第四時序周期內(nèi)，所述第一開關(guān)裝置再次在驅(qū)動控制下使所述數(shù)據(jù)線為第二行的奇數(shù)列像素電極充電；依此類推對其余各行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極進行充電，并在最后一行的奇數(shù)列像素電極和偶數(shù)列像素電極充電完成后循環(huán)上述過程。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種陣列基板及陣列基板的驅(qū)動方法，涉及液晶顯示技術(shù)領(lǐng)域，為降低液晶顯示器的成本而發(fā)明。所述陣列基板，包括基板，在所述基板上形成有像素電極陣列，對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一行像素電極形成有一根柵線，對應(yīng)于所述像素電極陣列中的每一奇數(shù)列像素電極和與該奇數(shù)列像素電極相鄰的下一偶數(shù)列像素電極形成有一根數(shù)據(jù)線；每一奇數(shù)列像素電極連接有一個第一開關(guān)裝置，所述第一開關(guān)裝置在相應(yīng)的時序周期內(nèi)驅(qū)動所述數(shù)據(jù)線為相應(yīng)的所述奇數(shù)列像素電極充電；每一偶數(shù)列像素電極連接有一個第二開關(guān)裝置，所述第二開關(guān)裝置在相應(yīng)的時序周期內(nèi)驅(qū)動所述數(shù)據(jù)線為相應(yīng)的所述偶數(shù)列像素電極充電。本發(fā)明可用于制作液晶顯示器。
文檔編號G02F1/133GK102446497SQ20101050207
公開日2012年5月9日 申請日期2010年9月30日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月30日
發(fā)明者徐宇博, 李成, 李新, 薛海林, 邱順順, 陳小川 申請人:北京京東方光電科技有限公司