專利名稱：防塵薄膜組件的制造方法、光刻用防塵薄膜組件框架及光刻用防塵薄膜組件的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻用防塵薄膜組件及防塵薄膜組件框架，其為在制造LSI (大 型集成電路)、超LSI (超大型集成電路)等半導(dǎo)體裝置或液晶顯示板時(shí)被使用作為光刻用 掩模的防塵構(gòu)件。本發(fā)明還涉及一種用于該防塵薄膜組件的防塵薄膜組件框架的制造方 法。
背景技術(shù)：
在制造LSI、超LSI等半導(dǎo)體裝置或液晶顯示板時(shí)，用光照射在半導(dǎo)體基板或液晶 用原板以制作圖案，此時(shí)所采用的曝光原版上若附著塵粒，由于此塵粒會(huì)吸收光或使光偏 轉(zhuǎn)，而造成轉(zhuǎn)印的圖案會(huì)變形或邊緣粗糙化、基部臟污、或尺寸、品質(zhì)、外觀等毀損等問題。 另外，在本發(fā)明中所稱“曝光原版”是指光刻用掩模(mask)(或僅稱“掩?！?及倍縮掩模的 總稱。以下，以掩模為例說明。這些操作通常是在無塵室進(jìn)行，但即使在無塵室中也難使曝光原版經(jīng)常保持潔 凈，所以采用在曝光原版的表面貼附目的在于防塵而能使曝光用的光順利通過的防塵薄膜 組件的方法。防塵薄膜組件的基本構(gòu)成是包含防塵薄膜組件框架及張?jiān)O(shè)于此框架的防塵薄膜。 防塵薄膜是由能讓曝光用的光(g線、i線、KrF準(zhǔn)分子激光、ArF準(zhǔn)分子激光等)順利透射的 硝化纖維素、醋酸纖維素、含氟聚合物等所構(gòu)成。在防塵薄膜組件框架的上邊部涂布防塵薄 膜的良好溶劑，再將防塵薄膜風(fēng)干后粘接，或用丙烯酸酯樹脂、環(huán)氧樹脂或氟樹脂等粘接劑 粘接。進(jìn)一步，為了將曝光原版安裝在防塵薄膜組件框架的下邊部，而設(shè)置由聚丁烯樹脂、 聚乙酸乙烯樹脂、丙烯酸酯樹脂、硅酮樹脂所構(gòu)成的粘附層，及目的在于保護(hù)粘附層的倍縮 掩模粘附劑保護(hù)用襯層。防塵薄膜組件設(shè)置成包圍在形成于曝光原版表面的圖案區(qū)域。由于防塵薄膜組件 是為了防止曝光原版上附著塵粒而設(shè)置，故此圖案區(qū)域與防塵薄膜組件外部被隔離以使防 塵薄膜組件外部的塵埃不附著于圖案表面。近年來，LSI的設(shè)計(jì)規(guī)則正朝向0. 25微米以下漸趨細(xì)微化，伴隨此趨勢(shì)，曝光光源 也趨向短波長(zhǎng)化，即正從過去為主流的水銀燈所產(chǎn)生的g線(436nm)、i線(365nm)朝向KrF 準(zhǔn)分子激光(248nm)、ArF準(zhǔn)分子激光(193nm)等變遷。隨著細(xì)微化的趨勢(shì)，對(duì)于掩模及硅 晶圓所要求的平坦性也漸趨嚴(yán)格。防塵薄膜組件在制成掩模后，為了圖案的防塵而貼附于掩模上。防塵薄膜組件貼 附于掩模上，有時(shí)會(huì)造成掩模的平坦度改變。掩模的平坦度一旦變差，即如前所述可能發(fā)生 焦點(diǎn)偏離等問題。且平坦度一旦變差，在掩模上所描繪的圖案的形狀會(huì)產(chǎn)生變化，而造成掩 模疊層對(duì)準(zhǔn)精確性發(fā)生問題的弊病。因貼附防塵薄膜組件所造成的掩模平坦度的變化的主因有數(shù)個(gè)，我們發(fā)現(xiàn)其中最 重要者為防塵薄膜組件框架的平坦度。
近年來，對(duì)于掩模所要求的平坦性，即在圖案面的平坦度2 μm的要求更趨嚴(yán)格， 而出現(xiàn)了 65nm節(jié)點(diǎn)以后為0. 5μπι以下，較好為0. 25 μ m的要求。通常，防塵薄膜組件框架的平坦度為20至80 μ m左右，若將采用平坦度如此低的 框架的防塵薄膜組件貼附于掩模上，則框架的形狀會(huì)轉(zhuǎn)印到掩模上，掩模會(huì)發(fā)生變形。防塵 薄膜組件在貼附時(shí)會(huì)以約200至400N(20至40kg重)的巨大作用力推壓于掩模。掩模表 面的平坦度較防塵薄膜組件框架為平坦。因此，對(duì)于掩模的推壓一旦結(jié)束，防塵薄膜組件框 架有回復(fù)原有形狀的傾向，而使掩模產(chǎn)生變形。在掩模產(chǎn)生變形時(shí)，有時(shí)掩模的平坦度會(huì)變差，在此情形下，在曝光裝置內(nèi)會(huì)發(fā)生 失焦(defocus)的問題。另一方面，有時(shí)會(huì)發(fā)生掩模變形而平坦度變好的情形，但在此情形 下，形成于掩模表面的圖案也發(fā)生扭曲，其結(jié)果會(huì)發(fā)生在曝光時(shí)轉(zhuǎn)印至晶圓的圖案影像扭 曲的問題。此圖案的扭曲在平坦度變差的情形也發(fā)生，其結(jié)果是在因貼附防塵薄膜組件而 造成掩模變形的場(chǎng)合，必然發(fā)生圖案影像扭曲的問題。為了解決該問題，過去一直有人在進(jìn)行對(duì)于平坦度良好的防塵薄膜組件框架的開 發(fā)。但是，防塵薄膜組件框架容易因?yàn)橹圃觳襟E或掩模貼附步驟所產(chǎn)生的力或熱而發(fā)生變 形，特別是因溫度變化所造成的影響巨大。因此，對(duì)于防塵薄膜組件框架而言，針對(duì)熱變形 的對(duì)策極為必要。

發(fā)明內(nèi)容
發(fā)明要解決的問題本發(fā)明所要解決的問題為鑒于前述情形，而抑制因熱變形所造成的防塵薄膜組 件框架的變形，而(1)提供一種防塵薄膜組件框架的制造方法，即使將防塵薄膜組件貼附 于曝光原版，也可將起因于防塵薄膜組件框架的變形所造成的曝光原版的變形盡量減小。 (2)提供一種光刻用防塵薄膜組件，具有如上所述的防塵薄膜組件框架。用于解決問題的方案本申請(qǐng)發(fā)明人發(fā)現(xiàn)在形成框架形狀后，通過對(duì)設(shè)置于平坦面上的防塵薄膜組件 框架，在施加負(fù)載的狀態(tài)下施以加熱處理的方式，能以高效率且低成本獲得目的之防塵薄 膜組件框架。S卩，本發(fā)明的上述課題，可通過下述方式達(dá)成。連同較佳實(shí)施方案(2)至(6) —并 記載于下。(1) 一種防塵薄膜組件的制造方法，其特征為包含對(duì)設(shè)置于平坦面上的防塵薄 膜組件框架進(jìn)行加熱處理的步驟。(2)如第(1)項(xiàng)的防塵薄膜組件的制造方法，其中，該平坦面的平坦度為5μπι以 下。(3)如第(1)項(xiàng)的防塵薄膜組件的制造方法，其中，該加熱處理的溫度為140至 250 "C。(4)如第⑴項(xiàng)的防塵薄膜組件的制造方法，其中，該負(fù)載為約4. 90至約 196Ν(0. 5 至 20kg 重)。(5)如第(1)至(4)項(xiàng)中任一項(xiàng)的防塵薄膜組件的制造方法，其中，該防塵薄膜組 件采用楊氏模量為1至SOGPa的材料所構(gòu)成的防塵薄膜組件框架。
(6)如第(1)至(5)項(xiàng)中任一項(xiàng)的防塵薄膜組件的制造方法，其中，該防塵薄膜組 件采用以鋁合金構(gòu)成的防塵薄膜組件框架。(7)如第(1)至(6)項(xiàng)中任一項(xiàng)的防塵薄膜組件的制造方法所制造的光刻用防塵 薄膜組件，其中，在該防塵薄膜組件的防塵薄膜組件框架的一端面利用防塵薄膜粘接劑張 設(shè)有防塵薄膜，而在另一 端面設(shè)有曝光原版粘接劑。本發(fā)明的上述課題更可通過以下方式達(dá)成。(8) 一種光刻用防塵薄膜組件框架，其特征為在既定溫度先施行加熱處理，實(shí)質(zhì) 上避免發(fā)生因光刻步驟時(shí)的溫度變化所造成的框架變形。(9)如第(8)項(xiàng)的光刻用防塵薄膜組件框架，其中，該因溫度變化所造成的框架變 形為平坦度3μπι以下。(10)如第(8)項(xiàng)的光刻用防塵薄膜組件框架，其中，該加熱處理溫度為140至 250 "C。(11)如第(8)至(10)項(xiàng)中任一項(xiàng)的光刻用防塵薄膜組件框架，其是用楊氏模量為 1至80GPa的材料構(gòu)成。(12)如第⑶至(11)項(xiàng)中任一項(xiàng)的光刻用防塵薄膜組件框架，其是用鋁合金構(gòu) 成。(13) 一種光刻用防塵薄膜組件，其在第(8)至(12)項(xiàng)中任一項(xiàng)的光刻用防塵薄膜 組件框架的一端面利用防塵薄膜粘接劑張?jiān)O(shè)防塵薄膜，而在另一端面設(shè)置曝光原版用粘接劑層。發(fā)明的效果根據(jù)本發(fā)明，可將熱致變形降低至平坦度3 μ m以下，而有效率地獲得平坦度為 15 μ m以下的防塵薄膜組件框架，并能提供可將因防塵薄膜組件框架的變形所造成的曝光 原版的變形極度降低的光刻用防塵薄膜組件。


圖1顯示防塵薄膜組件的構(gòu)成例的示意剖面圖的一例。圖2顯示防塵薄膜組件框架加熱處理時(shí)的剖面圖的一例的圖示。圖3顯示防塵薄膜組件框架加熱處理時(shí)的剖面圖的另一例的圖示。附圖標(biāo)記說明1防塵薄膜2貼附防塵薄膜用粘接層3防塵薄膜組件框架4粘接用粘附層5曝光原版6光刻用防塵薄膜組件7底板(石英板)8推壓板(石英板)9 負(fù)載
具體實(shí)施例方式以下，參照附圖，對(duì)本發(fā)明詳細(xì)加以說明。如圖1所示，本發(fā)明的光刻用防塵薄膜組件，是在防塵薄膜組件框架3的上端面利 用防塵薄膜貼附用粘接層2張?jiān)O(shè)防塵薄膜1，用來將光刻用防塵薄膜組件6粘附在曝光原版 (掩?；虮犊s掩模)5的粘接用粘附層4，通常是形成于防塵薄膜組件框架3的下端面，在該 粘接用粘附層的下端面以可剝離方式貼附(未圖示之)襯片。另外，也可在防塵薄膜組件 框架設(shè)置未圖示的氣壓調(diào)整用孔(通氣孔)，更可基于去除微粒的目的而在此通氣孔設(shè)置 (未圖示之)除塵用過濾器。在防塵薄膜組件框架也可設(shè)置夾具孔，夾具孔的深度方向的形狀并未限定，只要 是未貫穿，也可為在圓柱狀的前端設(shè)有傾斜角的凹部。設(shè)置前述氣壓調(diào)整用孔的位置的剖面形狀，較佳的情況是貼附氣壓調(diào)整用過濾器 的外側(cè)面為平面。本發(fā)明的防塵薄膜組件雖可依掩模的形狀加以適當(dāng)設(shè)計(jì)，但防塵薄膜組件框架的 平面形狀通常為環(huán)狀或正方形，具有覆蓋著設(shè)于掩模的電路圖案部的大小與形狀。矩形 (含正方形)的防塵薄膜組件框架的角隅也可帶有圓角。防塵薄膜組件框架的高度宜為約1 至10mm，更好為約2至7mm。防塵薄膜組件框架的上邊及下邊宜為1至5mm，更好為約2mm。構(gòu)成防塵薄膜組件框架的材質(zhì)宜為楊氏模量1至SOGPa的材料。恰當(dāng)?shù)睦緸殇X、 鎂合金、合成樹脂等，較好為采用鋁。鋁可使用過去采用的鋁合金材料，較好為使用JIS A7075、JIS A6061、JIS A5052 材料等，但只要是具有上述剖面形狀，并能確保作為防塵薄膜組件框架的強(qiáng)度，并無特別限 制。防塵薄膜組件框架表面，在設(shè)包覆膜之前較好施以噴砂或化學(xué)研磨使其粗糙化。在本 發(fā)明中，關(guān)于該框架表面的粗糙化的方法可采用已知方法。較理想的情況是采用下述方法 利用不銹鋼、碳化硅、玻璃珠等對(duì)鋁合金材料施以表面噴砂處理，進(jìn)而利用NaoH等施以化 學(xué)研磨，使表面粗糙化。本發(fā)明的防塵薄膜組件框架宜采用楊氏模量為1以上、50GPa以下的材料來構(gòu)成， 以取代過去慣用的鋁合金材料即JISA7075、JIS A6061、JIS A5052等楊氏模量在69GPa附 近的材料。關(guān)于楊氏模量在上述范圍內(nèi)的材料，可舉例者為鎂合金的44GPa、丙烯酸酯樹脂 的3GPa、聚碳酸酯樹脂的2. 5GPa。在本發(fā)明中，在防塵薄膜組件框架的曝光原版粘接面和/或防塵薄膜粘接面處， 曝光原版粘接面和/或防塵薄膜粘接面與防塵薄膜組件框架內(nèi)外側(cè)面所構(gòu)成的角部，宜施 以斜面截角。平均的防塵薄膜組件框架的平坦度為約20至80 μ m左右。在本發(fā)明中，宜采用防 塵薄膜組件框架的平坦度為80 μ m以下者。防塵薄膜組件框架的平坦度佳，則在將防塵薄膜組件貼附于掩模時(shí)，可減小防塵 薄膜組件框架的變形量，其結(jié)果可降低防塵薄膜組件框架的變形應(yīng)力，而將掩模的變形抑 制成較小。 另外，所謂上述防塵薄膜組件框架的“平坦度”，是對(duì)防塵薄膜組件框架的各角隅4 點(diǎn)與四邊的中央4點(diǎn)共計(jì)8點(diǎn)處測(cè)定其高度，計(jì)算出假想平面，由該假想平面到各點(diǎn)的距離 中的最高點(diǎn)減去最低點(diǎn)的差所計(jì)算得到的值。
防塵薄膜組件框架的平坦度可利用“具有XY軸規(guī)畫平臺(tái)的激光位移計(jì)”加以測(cè)定，在本發(fā)明中使用自制的位移計(jì)。在本發(fā)明中，為了吸收漫射光，防塵薄膜組件框架較好具有黑色氧化包覆膜和/ 或黑色聚合物包覆膜。另外，在防塵薄膜組件框架為鋁合金制的情形時(shí)，特別理想的情況 是該鋁合金制防塵薄膜組件框架具有黑色防蝕鋁包覆膜和/或聚合物的電沉積包覆膜。關(guān)于防塵薄膜組件框架表面的黑色防蝕鋁包覆膜的形成方法，一般是采用在 NaOH等堿性處理浴經(jīng)數(shù)十秒處理后，在稀硫酸水溶液中進(jìn)行陽(yáng)極氧化，接著通過施行黑色 染色、密封處理方式，而可在表面設(shè)置黑色的氧化包覆膜。另外，聚合物包覆膜雖能以各種方法設(shè)置，一般可列舉出者為噴涂包覆、靜電包 覆、電沉積包覆等，但較佳為通過電沉積包覆方式設(shè)置聚合物包覆膜。關(guān)于電沉積包覆，不論熱固化型樹脂或紫外線固化型樹脂均可使用。另外，對(duì)于各 種固化型樹脂，不論陰離子電沉積包覆或陽(yáng)離子電沉積包覆方式均可采用。在本發(fā)明中，因 為耐紫外線性能也受到要求，因此基于包覆的穩(wěn)定性、外觀及強(qiáng)度的考慮較宜采用熱固化 型樹脂的陰離子電沉積包覆方式。本發(fā)明的光刻用防塵薄膜組件，可依下述方式制造在上述防塵薄膜組件框架的 任一者，在其上邊的一端面通過防塵薄膜粘接劑張?jiān)O(shè)防塵薄膜，而在其下邊的另一端面設(shè) 置曝光原版粘接劑。關(guān)于防塵薄膜的種類并無特別限制，例如可采用過去應(yīng)用于準(zhǔn)分子激光的非晶質(zhì) 氟聚合物等。關(guān)于非晶質(zhì)氟聚合物的例子，可列舉者有CYTOP(旭硝子公司制之商品名)、 TEFLON鐵氟龍(注冊(cè)商標(biāo))AF(杜邦公司制之商品名)等。這些聚合物在制作該防塵薄膜 時(shí)也可依需要溶解于溶劑中使用，例如可適當(dāng)?shù)厝芙庥诜等軇┑戎?。其次，依?jù)圖3說明本發(fā)明的防塵薄膜組件框架的制造方法。如圖3所示，在由石英板構(gòu)成的底板7上載置防塵薄膜組件框架3使防塵薄膜組 件框架3的掩模貼附粘接層側(cè)接觸于底板7，防塵薄膜組件框架3的防塵薄膜貼附用粘接層 側(cè)則隔著例如由石英板構(gòu)成的推壓板8受到負(fù)載9的作用力。而施加本發(fā)明特征的加熱處 理。底板7的平坦面的平坦度雖然越平坦越理想，但在實(shí)用上宜為5 μ m以下。加熱處理是將防塵薄膜組件框架加熱到既定溫度，例如可將通電加熱體卷繞于防 塵薄膜組件框架上或以紅外線照射之，或者也可將整個(gè)系統(tǒng)置于期望的溫度的環(huán)境中。加熱處理的溫度宜為140至250°C。防塵薄膜組件框架的加熱處理溫度若未達(dá)140°C則處理須要長(zhǎng)時(shí)間；又若超過 250°C則框架表面有時(shí)會(huì)產(chǎn)生龜裂或變色。推壓板只要是能將推壓力均勻地傳達(dá)至防塵薄膜組件框架即可，沿用過去一直采 用者也無妨。可用來例示者為質(zhì)量0. 3kg的石英板(厚度6mm)。施加于防塵薄膜組件框架的負(fù)載也可超過約196N(20kg重)，但對(duì)于平坦性的改 善效果并不太大。另外，若未加負(fù)載，單憑推壓板雖然也可獲得某一程度的效果，但處理需 要較長(zhǎng)時(shí)間，所以在實(shí)用上負(fù)載宜為約4. 90至約196N(0. 5至20kg重)。作為負(fù)載者，可利 用鉛板、砝碼、重塊等適當(dāng)物。[實(shí)施例]
以下，依實(shí)施例具體說明本發(fā)明，但本發(fā)明并非僅限定于下列實(shí)施例。制作一防塵薄膜組件框架，其為鋁合金制者，平坦度為約15 μ m，外部尺寸為 149mmX122mmX3. 5mm，寬度為2mm。另外，在防塵薄膜組件框架的4個(gè)角隅施以斜面截角。(實(shí)施例1)在平坦度3 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量2kg的重塊施加負(fù)載(圖2)。在此狀態(tài)下，在185°C的 烤箱中將其靜置2小時(shí)。測(cè)定該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。 (實(shí)施例2)在平坦度3 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量2kg的重塊施加負(fù)載。在此狀態(tài)下，在140°C的烤箱中 將其靜置2小時(shí)。測(cè)定該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。(實(shí)施例3)在平坦度3 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量2kg的重塊施加負(fù)載。在此狀態(tài)下，在250°C的烤箱中 將其靜置2小時(shí)。測(cè)定該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。(實(shí)施例4)在平坦度3 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量2kg的重塊施加負(fù)載。在此狀態(tài)下，在185°C的烤箱中 將其靜置20分鐘。測(cè)定該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。(實(shí)施例5)在平坦度3 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量2kg的重塊施加負(fù)載。在此狀態(tài)下，在185°C的烤箱中 將其靜置15小時(shí)。測(cè)定該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。(實(shí)施例6)在平坦度3 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量0. 5kg的重塊施加負(fù)載。在此狀態(tài)下，在185°C的烤箱 中將其靜置15小時(shí)。測(cè)定該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。(實(shí)施例7)在平坦度3 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量20kg的重塊施加負(fù)載。在此狀態(tài)下，在185°C的烤箱中 將其靜置2小時(shí)。測(cè)定該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。(比較例1)在平坦度3 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量2kg的重塊施加負(fù)載，在室溫中將其靜置2小時(shí)。測(cè)定 該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。(比較例2)在平坦度15 μ m的石英板上載置前述防塵薄膜組件框架，以該框架的涂布有掩模 粘附劑的一側(cè)接觸石英板，利用質(zhì)量2kg的重塊施加負(fù)載，在185°C的烤箱中將其靜置2小 時(shí)。測(cè)定該框架的掩模粘附劑涂布面的平坦度。
將以上的測(cè)定結(jié)果加以整理，得到以下表1所顯示的內(nèi)容。[表1]實(shí)施例和比較例的處理?xiàng)l件與測(cè)定結(jié)果
權(quán)利要求
1.一種防塵薄膜組件的制造方法，該防塵薄膜組件具有防塵薄膜組件框架，其特征在 于，該防塵薄膜組件框架包括第1框架端面，用于粘貼張?jiān)O(shè)防塵薄膜；及第2框架端面，于其上設(shè)置粘附層；該防塵薄膜組件框架被一對(duì)與第1及第2框架端面相對(duì)的平坦面夾住，在施加負(fù)載的 狀態(tài)下，以既定溫度進(jìn)行加熱處理。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防塵薄膜組件的制造方法，其特征在于，其中，與該第2框架 端面相對(duì)的該平坦面的平面度為5μπι以下。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的防塵薄膜組件的制造方法，其特征在于，其中，該平坦面的平 面度為3μπ 以下。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防塵薄膜組件的制造方法，其特征在于，其中，該既定溫度為 140 至 250 0C ο
5.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防塵薄膜組件的制造方法，其中，該防塵薄膜組件框架是由 楊氏模量為1至SOGPa的材料所制造。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的防塵薄膜組件的制造方法，其中，該防塵薄膜組件框架是由 鋁合金所制造。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的防塵薄膜組件的制造方法，其中，對(duì)該防塵薄膜組件框架所 施加的負(fù)載約為4. 90至196Ν。
全文摘要
本發(fā)明提供一種防塵薄膜組件框架及包含該防塵薄膜組件框架的光刻用防塵薄膜組件的制造方法，即使將防塵薄膜組件貼附于曝光原版，也可將起因于防塵薄膜組件框架的變形所造成的曝光原版的變形盡量減小。本發(fā)明的方法為包含在施加負(fù)載于設(shè)置在平坦面上的防塵薄膜組件框架的狀態(tài)下進(jìn)行加熱處理的步驟的防塵薄膜組件框架的制造方法，可有效率地獲得平坦度在15μm以下的防塵薄膜組件框架。另外，本發(fā)明的特征為預(yù)先在既定溫度進(jìn)行加熱處理，以使光刻步驟時(shí)的溫度變化所造成的框架變形實(shí)質(zhì)上不發(fā)生。較理想的情況為溫度變化所造成的框架變形為平坦度3μm以下、該加熱處理溫度為140至250℃、而該框架由楊氏模量為1至80GPa的材料所構(gòu)成。
文檔編號(hào)G03F1/62GK102033421SQ201010501578
公開日2011年4月27日 申請(qǐng)日期2010年9月29日 優(yōu)先權(quán)日2009年10月2日
發(fā)明者塚田淳一, 白崎享 申請(qǐng)人:信越化學(xué)工業(yè)株式會(huì)社