專利名稱：一種提高涂膠產(chǎn)能的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及集成電路制造硅片處理技術(shù)，具體來說是一種提高涂膠產(chǎn)能的方法。
背景技術(shù)：
半導(dǎo)體領(lǐng)域光刻工藝通過曝光的方法把掩膜板上的圖形轉(zhuǎn)移到涂覆于硅片表面 的光刻膠上，然后通過顯影、刻蝕等工藝將圖形最終轉(zhuǎn)移到晶圓上。光刻工藝直接決定 了半導(dǎo)體集成電路的特征尺寸，是半導(dǎo)體領(lǐng)域的關(guān)鍵技術(shù)。光刻工藝中需要將光刻膠均勻的涂覆在硅片上，才進行曝光工藝。光刻膠涂覆 的均勻性直接影響光刻的良率，常用的涂膠方法采用柱式膠嘴，涂膠過程中，柱式膠嘴 靜止不動，硅片在感光膠通過膠嘴注入到硅片表面過程中維持一定轉(zhuǎn)速轉(zhuǎn)動或者靜止， 待感光膠注入完成后，再以一定轉(zhuǎn)速攤開感光膠，分別稱為旋涂方式和靜涂方式。在硅 片涂覆感光膠粘度較大，且在硅片上有圖形落差的時候，依靠感光膠離心力來涂膠，膠 膜成形后會產(chǎn)生較大的誤差，甚至在圖形較為密集的部位感光膠面下會殘留空隙。與旋涂方法相比，噴涂方法的產(chǎn)能低很多，這也是光刻膠噴涂工藝的最大缺 點，提高涂膠工藝產(chǎn)能變得極為迫切。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種提高噴膠產(chǎn)能的方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中對硅片噴涂 的產(chǎn)能低等問題。本發(fā)明的技術(shù)方案是—種提高涂膠產(chǎn)能的方法，包括如下步驟第一步，將加工載體硅片置于承片臺上；第二步，將涂膠膠嘴從與硅片一端對應(yīng)的起始位置處開始涂膠，涂膠膠嘴噴涂 感光膠同時，在一平面內(nèi)做二維往復(fù)掃描運動，至與硅片另一端對應(yīng)的結(jié)束位置處，使 硅片表面均勻涂膠；在往復(fù)掃描運動過程中的移動拐點，通過以下公式(1)、(2)、(3)、(4)來確 定
權(quán)利要求
1. 一種提高涂膠產(chǎn)能的方法，其特征在于，包括如下步驟 第一步，將加工載體硅片置于承片臺上；第二步，將涂膠膠嘴從與硅片一端對應(yīng)的起始位置處開始涂膠，涂膠膠嘴噴涂感光 膠同時，在一平面內(nèi)做二維往復(fù)掃描運動，至與硅片另一端對應(yīng)的結(jié)束位置處，使硅片 表面均勻涂膠；在往復(fù)掃描運動過程中的移動拐點，通過以下公式(1)、(2)、(3)、(4)來確定
2.按照權(quán)利要求1所述的提高涂膠產(chǎn)能的方法，其特征在于，第二步中，涂膠膠嘴在 涂膠膠臂和膠臂支架的帶動下，沿行走軌跡勻速移動。
3.按照權(quán)利要求1所述的提高涂膠產(chǎn)能的方法，其特征在于，在涂膠膠嘴掃描過程 中，硅片靜止不動。
4.按照權(quán)利要求3所述的提高涂膠產(chǎn)能的方法，其特征在于，在完成一次噴涂后，硅 片根據(jù)需要旋轉(zhuǎn)一角度，再進行下一次噴涂。
全文摘要
本發(fā)明涉及集成電路制造硅片處理技術(shù)，具體來說是一種提高涂膠產(chǎn)能的方法，解決現(xiàn)有技術(shù)中對硅片噴涂的產(chǎn)能低等問題。首先將加工載體硅片置于承片臺上；然后將涂膠膠嘴從與硅片一端對應(yīng)的起始位置處開始涂膠，涂膠膠嘴噴涂感光膠同時，在一平面內(nèi)做二維往復(fù)掃描運動，至與硅片另一端對應(yīng)的結(jié)束位置處，使硅片表面均勻涂膠；本發(fā)明采用噴霧式涂膠膠嘴沿X、Y軸向曲折往復(fù)行走，減小涂膠膠嘴在硅片外圍的掃描路徑，提高涂膠產(chǎn)能。
文檔編號G03F7/16GK102024687SQ20101028458
公開日2011年4月20日 申請日期2010年9月17日 優(yōu)先權(quán)日2010年9月17日
發(fā)明者汪明波, 鄭右非, 鄭春海 申請人:沈陽芯源微電子設(shè)備有限公司