專利名稱：減壓干燥裝置和減壓干燥方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及在減壓狀態(tài)下對(duì)形成在被處理基板上的涂敷液的膜(涂敷膜)實(shí)施干 燥處理的減壓干燥裝置和減壓干燥方法。
背景技術(shù)：
例如在FPD (Flat Panel Display，平板顯示器)的制造中，在玻璃基板等被處理基
板上形成規(guī)定的膜后，利用所謂光刻工序形成電路圖案，該光刻工序如下所述涂敷作 為處理液的光致抗蝕劑(以下稱為抗蝕劑)而形成抗蝕劑膜，然后與電路圖案相對(duì)應(yīng)地對(duì) 抗蝕劑膜進(jìn)行曝光，對(duì)曝光后的抗蝕劑膜進(jìn)行顯影處理。在該FPD制造的光刻工序中，對(duì)在玻璃基板等被處理基板上涂敷有抗蝕劑液的 涂敷膜進(jìn)行預(yù)烘干之前，為了使涂敷膜適當(dāng)?shù)馗稍锒褂脺p壓干燥裝置。以往的有代表性的減壓干燥裝置(50)例如如專利文獻(xiàn)1記載那樣，具有上表面 開口的托盤或淺底容器型的下部腔室(51)和構(gòu)成為與該下部腔室的上表面氣密地緊密結(jié) 合或能夠與該下部腔室的上表面嵌合的蓋狀的上部腔室(52)。在下部腔室中配設(shè)有載置 臺(tái)，在該載置臺(tái)上利用固定凸片(fin) (54)水平地載置基板(G)，之后關(guān)閉腔室(使上部 腔室與下部腔室緊密結(jié)合)，進(jìn)行減壓干燥處理(參照?qǐng)D23)。在這種減壓干燥處理中，通過設(shè)于下部腔室的底部的排氣口(55)，利用外部的 真空泵來進(jìn)行腔室內(nèi)的真空排氣。通過該真空排氣，腔室內(nèi)的壓力從排氣之前的大氣壓 狀態(tài)改變?yōu)闇p壓狀態(tài)，在該減壓狀態(tài)下，溶劑(稀釋劑)從基板上的抗蝕劑涂敷膜蒸發(fā)， 從而在抗蝕劑涂敷膜的表面形成變質(zhì)層(堅(jiān)固的層)。然后，在開始減壓干燥之后經(jīng)過了 一定時(shí)間的時(shí)刻，或到達(dá)設(shè)定壓力的時(shí)刻，結(jié)束減壓干燥處理。因此，經(jīng)由設(shè)于下部腔 室內(nèi)的角落的清除口(purge port)噴出或擴(kuò)散放出非活性氣體(例如氮?dú)饣蚩諝?，使腔 室內(nèi)的壓力恢復(fù)至大氣壓。之后，抬起上部腔室，打開腔室，搬出基板。專利文獻(xiàn)1 日本特開2000-181079另外，近年來，用于FPD等的玻璃基板大型化，在減壓干燥處理單元中，收容 玻璃基板的腔室也大型化。因此，腔室內(nèi)的容積增加，減壓到規(guī)定壓力需要一定時(shí)間。而且，因?yàn)橥糠笤?基板上的抗蝕劑液的量增加，所以抗蝕劑液在基板整個(gè)面上均勻地干燥需要較長時(shí)間， 存在生產(chǎn)效率降低這樣的課題。對(duì)于這樣的課題，本申請(qǐng)人提出以下的減壓干燥裝置和減壓干燥方法，即，通 過在腔室內(nèi)設(shè)有整流構(gòu)件，能夠在基板上表面附近形成向一個(gè)方向流動(dòng)的氣流，從而在 更短的時(shí)間內(nèi)對(duì)基板處理面進(jìn)行干燥處理(日本特愿2009-172834)。但是，根據(jù)抗蝕劑液的種類、膜厚等處理?xiàng)l件的不同，干燥時(shí)間、干燥斑的產(chǎn) 生狀態(tài)也不同，因此在1個(gè)腔室中執(zhí)行多種處理?xiàng)l件的情況下，所有的基板未必均能在 短時(shí)間內(nèi)形成良好的膜。BP,為了對(duì)處理?xiàng)l件不同的所有基板進(jìn)行良好的成膜(干燥處理)，需要至少根據(jù)處理?xiàng)l件而改變配置在腔室內(nèi)的基板的高度，然而，即使改變基板的高度，使用相同 的整流構(gòu)件仍不足以應(yīng)對(duì)所有的處理?xiàng)l件。列舉具體的例子，根據(jù)抗蝕劑液的種類、膜厚的不同，在腔室內(nèi)基板下方的空 間狹小的情況下，在抗蝕劑膜上容易產(chǎn)生基板下方的構(gòu)件的復(fù)制痕跡。為了防止那樣的復(fù)制痕跡的產(chǎn)生，優(yōu)選提高腔室內(nèi)的基板的位置，使基板遠(yuǎn)離 腔室底面。但是，若使基板遠(yuǎn)離腔室底面，則設(shè)于腔室內(nèi)的整流構(gòu)件無法充分地發(fā)揮作 用，在基板的背面?zhèn)犬a(chǎn)生間隙從而無法在基板上形成充分的氣流，不能在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行 干燥處理。此外，由于通過基板的背面?zhèn)?基板和整流構(gòu)件之間的間隙)的氣流，存在 容易在抗蝕劑膜上產(chǎn)生干燥斑這樣的問題。并且，抗蝕劑圖案的殘留膜率與圖案截面形狀以及線寬之間存在有相關(guān)關(guān)系， 殘留膜率越高則抗蝕劑圖案的鉛直方向的上部的角部越伸展，且抗蝕劑圖案的鉛直方向 的下部越窄(即截面形狀呈倒錐形)，殘留膜率越低則抗蝕劑圖案的鉛直方向的上部越 窄，且抗蝕劑圖案的鉛直方向的下部越寬(即截面形狀呈梯形)。通常，在器件的微細(xì) 化中期望殘留膜率高的前者的圖案特性，但是在多層布線構(gòu)造中使布線交叉時(shí)，有時(shí)殘 留膜率低的后者的圖案特性是好的。因此，應(yīng)根據(jù)器件的規(guī)格等選擇殘留膜率高的減壓 干燥處理或殘留膜率低的減壓干燥處理中的任一個(gè)。無論選擇哪一種減壓干燥處理，都 需求使減壓干燥處理后的抗蝕劑涂敷膜在面內(nèi)均勻地具有期望的膜質(zhì)特性那樣的裝置性 能。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是鑒于上述這樣的情況而提出的，提供一種減壓干燥裝置和減壓干燥方 法，該減壓干燥裝置是對(duì)涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的干燥處理而形成 涂敷膜的減壓干燥裝置，該減壓干燥裝置和減壓干燥方法能夠?qū)μ幚項(xiàng)l件不同的多個(gè)被 處理基板分別縮短處理液的干燥時(shí)間且進(jìn)行良好的成膜。此外，本發(fā)明提供一種減壓干燥裝置和減壓干燥方法，其能夠在迅速地對(duì)被處 理基板上的涂敷膜進(jìn)行減壓干燥處理的工藝和緩慢地對(duì)被處理基板上的涂敷膜進(jìn)行減壓 干燥處理的工藝之間有選擇性地進(jìn)行切換，并且無論是哪一種工藝都能夠在基板上面內(nèi) 均勻地獲得期望的膜質(zhì)特性。為了解決上述的課題，本發(fā)明的減壓干燥裝置是對(duì)涂敷有處理液的被處理基板 進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減壓干燥裝置，其包括腔室，其用于 收容被處理基板，并形成處理空間；保持部，其被設(shè)于上述腔室內(nèi)，用于保持上述被處 理基板；第一升降部件，其用于使上述保持部升降移動(dòng)；氣流控制部，其被設(shè)于上述保 持部的下方；第二升降部件，其用于使上述氣流控制部升降移動(dòng)；排氣口，其形成于上 述腔室內(nèi)；排氣部件，其用于自上述排氣口對(duì)腔室內(nèi)的氣氛排氣。根據(jù)這樣的構(gòu)成，通過在減壓干燥處理的期間使用于保持被處理基板的保持部 的高度和氣流控制部的高度變化，能對(duì)形成在腔室內(nèi)的氣流進(jìn)行控制。由此，即使由于被處理基板不同而使抗蝕劑液的種類、膜厚等處理?xiàng)l件不同， 也能實(shí)施與各處理?xiàng)l件相對(duì)應(yīng)的較佳的干燥處理，能縮短抗蝕劑液的干燥時(shí)間，并且進(jìn)行良好的成膜。 此外，本發(fā)明的減壓干燥裝置是用于在減壓狀態(tài)下使形成于被處理基板上的涂 敷液的膜干燥的減壓干燥裝置，其包括腔室，其能夠被減壓，且能夠放入、取出基板 地收容該基板；保持部，其用于在上述腔室內(nèi)載置基板；非活性氣體供給部，其具有在 水平的第一方向上設(shè)于上述腔室內(nèi)的上述保持部的一側(cè)的第一供氣口，經(jīng)由上述第一供 氣口向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體；排氣部，其具有設(shè)于上述腔室內(nèi)的除了上述第一供 氣口和上述保持部之間的第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的排氣口，經(jīng)由上述排氣口對(duì)上述腔 室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；氣流控制部，其能夠在第一模式和第二模式之間進(jìn)行切換，該第一 模式將非活性氣體的氣流路徑限制為自上述第一供氣口噴出的非活性氣體中的大部分非 活性氣體通過上述保持部和基板的上方并到達(dá)上述排氣口，該第二模式實(shí)質(zhì)上解除上述 氣流路徑對(duì)非活性氣體的限制。此外，本發(fā)明的減壓干燥方法是在上述減壓干燥裝置中對(duì)涂敷有處理液的被處 理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減壓干燥方法，其進(jìn)行以下的步 驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部上 升，使被保持于上述保持部的上述被處理基板接近上述腔室的頂部的步驟；利用上述排 氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，利用上述第二升 降部件使上述氣流控制部上升移動(dòng)，使上述氣流控制部接近被保持于上述保持部的被處 理基板的步驟。此外，本發(fā)明的減壓干燥方法是在上述減壓干燥裝置中對(duì)涂敷有處理液的被處 理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減壓干燥方法，其進(jìn)行以下的步 驟將被處理基板保持在上述保持部的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部下降 移動(dòng)，使上述被處理基板接近上述氣流控制部的步驟；利用上述排氣部件對(duì)上述腔室內(nèi) 的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，在上述氣流控制部和用于保持上述被 處理基板的上述保持部保持相互之間的距離的狀態(tài)下，利用上述第一升降部件和第二升 降部件使上述整流構(gòu)件和上述保持部上升移動(dòng)，并使上述整流構(gòu)件和上述保持部停止在 腔室內(nèi)的規(guī)定位置的步驟。此外，本發(fā)明的減壓干燥方法是在上述減壓干燥裝置中對(duì)涂敷有處理液的被處 理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減壓干燥方法，其進(jìn)行以下的步 驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部上 升，使被保持于上述保持部的上述被處理基板接近上述腔室的頂部的步驟；利用上述排 氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，利用上述第二升 降部件使上述氣流控制部上升移動(dòng)，使上述氣流控制部接近被保持于上述保持部的被處 理基板，并且利用上述供氣部件向上述腔室內(nèi)供應(yīng)非活性氣體的步驟。此外，本發(fā)明的減壓干燥方法是在上述減壓干燥裝置中對(duì)涂敷有處理液的被處 理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減壓干燥方法，進(jìn)行以下的步 驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述排氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)的處理 空間進(jìn)行減壓的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，利用上述第一升降部件使上述保持部下降移 動(dòng)，使上述被處理基板接近上述氣流控制部，并且利用上述供氣部件向上述腔室內(nèi)供應(yīng) 非活性氣體的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，在上述氣流控制部和用于保持上述被處理基板的上述保持部保持相互之間的距離的狀態(tài)下，利用上述第一升降部件和第二升降部件使 上述整流構(gòu)件和上述保持部上升移動(dòng)，并使上述整流構(gòu)件和上述保持部停止在腔室內(nèi)的 規(guī)定位置的步驟。此外，本發(fā)明的減壓干燥方法是在上述減壓干燥裝置中對(duì)涂敷有處理液的被處 理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減壓干燥方法，其進(jìn)行以下的步 驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部下降 移動(dòng)，使上述被處理基板接近上述氣流控制部的步驟；利用上述排氣部件對(duì)上述腔室內(nèi) 的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；利用上述供氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)供給非活性氣體的步驟； 在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，在上述氣流控制部和用于保持上述被處理基板的上述保持部保持相 互之間的距離的狀態(tài)下，利用上述第一升降部件和第二升降部件使上述整流構(gòu)件和上述 保持部上升移動(dòng)，并使上述整流構(gòu)件和上述保持部停止在腔室內(nèi)的規(guī)定位置的步驟。通過實(shí)施這樣的方法，即使由于被處理基板不同而使得抗蝕劑液的種類、膜厚 等處理?xiàng)l件不同，也能實(shí)施與各處理?xiàng)l件相對(duì)應(yīng)的較佳的干燥處理，能縮短抗蝕劑液的 干燥時(shí)間且進(jìn)行良好的成膜。此外，本發(fā)明的減壓干燥方法是使用減壓干燥裝置并在減壓狀態(tài)下使形成在被 處理基板上的涂敷液的膜干燥的減壓干燥方法，該減壓干燥裝置包括腔室，其能夠被 減壓，且能夠放入、取出基板地收容該基板；保持部，其用于在上述腔室內(nèi)載置基板； 非活性氣體供給部，其具有在水平的第一方向上設(shè)于上述腔室內(nèi)的上述保持部的一側(cè)的 第一供氣口，經(jīng)由上述第一供氣口向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體；排氣部，其具有設(shè)于 上述腔室內(nèi)的除了上述第一供氣口和上述保持部之間的第一區(qū)域之外的第二區(qū)域的排氣 口，經(jīng)由上述排氣口對(duì)上述腔室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，其中，能夠有選擇性地切換第一模式 和第二模式，該第一模式將非活性氣體的氣流路徑限制為從上述第一供氣口噴出的非活 性氣體中的大部分非活性氣體通過上述保持部的上方并到達(dá)上述排氣口，該第二模式實(shí) 質(zhì)上解除上述氣流路徑對(duì)非活性氣體的限制。根據(jù)本發(fā)明，在氣流控制部選擇第一模式時(shí)，在減壓干燥處理中，自第一供氣 口向腔室內(nèi)供給的非活性氣體中的大部分(優(yōu)選大部分)非活性氣體在基板的上方朝向一 個(gè)方向流動(dòng)，自基板上的涂敷膜揮發(fā)的溶劑被非活性氣體的氣流帶走，因此促進(jìn)減壓干 燥，能夠迅速且短時(shí)間地進(jìn)行減壓干燥處理，而且能夠面內(nèi)均勻地得到與基板上的涂敷 膜的膜質(zhì)特性相對(duì)應(yīng)的迅速減壓干燥的效果。此外，在氣流控制部選擇第二模式時(shí)，因?yàn)樵谇皇覂?nèi)、特別是在保持部和基板 周圍，不對(duì)非活性氣體的氣流施加限制，所以不僅能夠高效率地進(jìn)行在減壓干燥處理剛 剛開始之后的抽真空、減壓干燥處理結(jié)束時(shí)的清除，也能夠在減壓干燥處理中，以不在 基板上形成一個(gè)方向的氣流的方式向腔室內(nèi)供給非活性氣體。由此，也能夠穩(wěn)定且良好 地實(shí)施緩慢、長時(shí)間的減壓干燥處理，能夠面內(nèi)均勻地得到與基板上的涂敷膜的膜質(zhì)特 性相對(duì)應(yīng)的緩慢減壓干燥的效果。根據(jù)本發(fā)明，能夠獲得一種減壓干燥裝置和減壓干燥方法，該減壓干燥裝置是 對(duì)涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的干燥處理而形成涂敷膜的減壓干燥裝 置，該減壓干燥裝置和減壓干燥方法能夠?qū)μ幚項(xiàng)l件不同的多個(gè)被處理基板分別縮短處 理液的干燥時(shí)間且進(jìn)行良好的成膜。
此外，根據(jù)本發(fā)明，能夠在迅速地對(duì)被處理基板上的涂敷膜進(jìn)行減壓干燥處理 的工藝和緩慢地對(duì)被處理基板上的涂敷膜進(jìn)行減壓干燥處理的工藝之間有選擇性地切 換，并且無論進(jìn)行哪一減壓干燥工藝都能夠在基板上面內(nèi)均勻地獲得期望的膜質(zhì)特性。


圖1是表示具有本發(fā)明的減壓干燥裝置的涂敷裝置的整體構(gòu)成的俯視圖。圖2是圖1的涂敷裝置的側(cè)視圖。圖3是本發(fā)明的減壓干燥裝置的一實(shí)施方式的俯視圖。圖4是圖3的A-A向視剖視圖。圖5是圖3的B-B向視剖視圖。圖6是表示本發(fā)明的減壓干燥裝置的動(dòng)作的流程的流程圖。圖7是用于說明本發(fā)明的減壓干燥裝置的狀態(tài)轉(zhuǎn)變的剖視圖。圖8是用于說明本發(fā)明的減壓干燥裝置的狀態(tài)轉(zhuǎn)變的剖視圖。圖9是表示一實(shí)施方式中的FPD制造用的抗蝕劑涂敷裝置的構(gòu)成的局部分解側(cè) 視圖。圖10是表示上述抗蝕劑涂敷裝置的構(gòu)成的俯視圖。圖11是表示實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷單元中的供氣系統(tǒng)的一構(gòu)成例的圖。圖12是表示實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷單元中的排氣系統(tǒng)的一構(gòu)成例的圖。圖13是表示實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷單元中的腔室內(nèi)部的構(gòu)成的局部剖俯視圖。圖14A是用氣流控制部選擇第一模式時(shí)的圖13的I-I縱剖視圖。圖14B是用氣流控制部選擇第二模式時(shí)的圖13的I-I縱剖視圖。圖15A是用氣流控制部選擇第一模式時(shí)的圖13的II-II縱剖視圖。圖15B是用氣流控制部選擇第二模式時(shí)的圖13的II-II縱剖視圖。圖16A是表示減壓干燥處理剛開始之后的腔室內(nèi)的各部分和氣流的狀態(tài)的俯視 圖。圖16B是表示減壓干燥處理剛開始之后的腔室內(nèi)的各部分以及氣流的狀態(tài)的縱 剖視圖。圖17A是表示在減壓干燥處理中選擇了第一模式的情況下的腔室內(nèi)的各部分以 及氣流的狀態(tài)的俯視圖。圖17B是表示在減壓干燥處理中選擇了第一模式的情況下的腔室內(nèi)的各部分以 及氣流的狀態(tài)的縱剖視圖。圖18是表示相對(duì)于基板上的間隙調(diào)整的氣流控制部的應(yīng)對(duì)的縱剖視圖。圖19是表示在減壓干燥處理中選擇用第二模式向腔室內(nèi)供給非活性氣體的情況 下的各部分以及氣流的狀態(tài)的俯視圖。圖20是表示在減壓干燥處理結(jié)束時(shí)用非活性氣體吹掃腔室內(nèi)時(shí)的各部分以及氣 流的狀態(tài)的縱剖視圖。圖21A是表示使用塊狀構(gòu)造的載置臺(tái)和升降銷的實(shí)施方式的裝置構(gòu)成和作用的 一縱剖視圖。圖21B是表示使用塊狀構(gòu)造的載置臺(tái)和升降銷的實(shí)施方式的裝置構(gòu)成和作用的另一縱剖視圖。圖22A是表示在載置臺(tái)下設(shè)有排氣口的實(shí)施方式的裝置構(gòu)成的俯視圖。圖22B時(shí)表示在載置臺(tái)下設(shè)有排氣口的實(shí)施方式的裝置構(gòu)成和作用的縱剖視 圖。圖23是表示以往的減壓干燥單元的概略構(gòu)成的剖視圖。
具體實(shí)施例方式以下，基于圖1 圖5說明本發(fā)明的第一實(shí)施方式。本發(fā)明的減壓干燥裝置能 應(yīng)用于在光刻工序中在被處理基板上形成抗蝕劑膜的涂敷裝置內(nèi)的減壓干燥單元。如圖1、圖2所示，在涂敷裝置100的支承臺(tái)110上按照處理工序的順序橫向排 成一行地配置有具有噴嘴122的抗蝕劑涂敷單元112、減壓干燥單元114。在支承臺(tái)110 的兩側(cè)鋪設(shè)有一對(duì)導(dǎo)軌116，利用沿著該導(dǎo)軌116平行移動(dòng)的一組輸送臂118，基板G能 夠自抗蝕劑涂敷單元112輸送至減壓干燥單元114。上述抗蝕劑涂敷單元112如上所述具有噴嘴122，該噴嘴122以自固定在支承臺(tái) 110上的龍門狀構(gòu)件120懸垂的狀態(tài)被固定。自抗蝕劑液供給部件(未圖示)向該噴嘴 122供給作為處理液的抗蝕劑液R，利用輸送臂118的移動(dòng)，自通過龍門狀構(gòu)件120下方 的基板G的一端至另一端地涂敷抗蝕劑液R。此外，減壓干燥單元114包括上表面開口的淺底容器型的下部腔室124;構(gòu)成 為能夠與該下部腔室124的上表面氣密地緊密結(jié)合的蓋狀的上部腔室126。如圖1、圖3所示，下部腔室124是大致四邊形，在其中心部配置有用于水平載 置基板G并吸附保持該基板G的板狀的載置臺(tái)130(保持部)。上述上部腔室126利用上 部腔室移動(dòng)部件128從而能夠升降地配置在上述載置臺(tái)130的上方，在減壓干燥處理時(shí)上 部腔室126下降而與下部腔室124緊密結(jié)合而關(guān)閉，從而成為將載置在載置臺(tái)130上的基 板G收容在處理空間內(nèi)的狀態(tài)。另外，如圖4、5所示，上述載置臺(tái)130能夠利用例如由以電動(dòng)機(jī)為驅(qū)動(dòng)源的滾 珠絲杠機(jī)構(gòu)構(gòu)成的升降裝置194(第一升降部件)來進(jìn)行升降移動(dòng)。此外，如圖3、圖4所示，基板G的側(cè)方設(shè)有排氣口 134。更具體而言，排氣 口 134設(shè)于下部腔室124的底面的一個(gè)邊附近的兩個(gè)部位。在各排氣口 134處分別連接 有排氣管152，各排氣管152與真空泵148 (排氣部件)連通。而且，在將上述上部腔室 126覆蓋在下部腔室124的狀態(tài)下，能夠利用上述真空泵148將腔室內(nèi)的處理空間減壓至 規(guī)定的真空度。此外，在腔室內(nèi)，在隔著基板G的與上述排氣口 134相反一側(cè)的基板側(cè)方設(shè)有供 氣口 132。如圖3、圖4所示，該供氣口 132設(shè)于大致四邊形的下部腔室9的底面上的、 與設(shè)有上述排氣口 134的一邊相對(duì)的另一邊附近。自該供氣口 132向腔室內(nèi)供給非活性 氣體(例如氮?dú)?，從而腔室內(nèi)氣氛被吹掃。如圖4所示，連接于供氣口 132的供氣管 142與非活性氣體供給部136 (供氣部件)連接。在腔室內(nèi)氣壓到達(dá)規(guī)定值(例如400Pa以下)時(shí)或自腔室內(nèi)減壓開始經(jīng)過規(guī)定時(shí) 間后，開始自上述供氣口 132供給非活性氣體。這是為了保持因減壓而流量減少的腔室 內(nèi)的氣流，有助于縮短減壓干燥處理的時(shí)間。
另外，為了在減壓干燥處理期間始終保持穩(wěn)定的氣流，也可以在腔室內(nèi)開始減 壓前或腔室內(nèi)開始減壓的同時(shí)開始供給非活性氣體。此外，供氣口 132側(cè)的基板G的緣部下方配置有作為氣流控制部的塊狀構(gòu)件 160。并且，在供氣口 132和排氣口 134之間的基板G左右兩側(cè)的緣部下方分別配置有作 為氣流控制部的塊狀構(gòu)件161。如圖4、圖5所示，這些塊狀構(gòu)件160、161的大部分能夠收容在形成于下部腔室 124的底面的收容槽124a中。此外，這些塊狀構(gòu)件160、161能夠利用例如由以電動(dòng)機(jī)為驅(qū)動(dòng)源的滾珠絲杠機(jī) 構(gòu)構(gòu)成的升降裝置164(第二升降部件)進(jìn)行升降移動(dòng)。S卩，塊狀構(gòu)件160、161利用升降裝置164進(jìn)行升降移動(dòng)，該塊狀構(gòu)件160、161
通過被配置到腔室內(nèi)的空間中而作為氣流控制部發(fā)揮作用。另外，作為這樣的氣流控制部的塊狀構(gòu)件160、161既可以是相互獨(dú)立設(shè)置的， 也可以是一體(二字型)地設(shè)置的。而且，在上述塊狀構(gòu)件160、161的左右兩側(cè)分別設(shè)有在基板G左右側(cè)形成壁的 側(cè)板構(gòu)件162，該側(cè)板構(gòu)件162用于抑制非活性氣體向基板側(cè)方的流動(dòng)。該側(cè)板構(gòu)件162例如如圖所示形成為板狀，其上端面被設(shè)置成與上部腔室126接 觸，從而遮擋基板G左右側(cè)方的空間。或者，側(cè)板構(gòu)件162也可以被設(shè)置成其端面不與 上部腔室126接觸地遮擋基板G左右側(cè)方的空間。此外，側(cè)板構(gòu)件162不限定為板狀，也可以設(shè)置成占據(jù)基板G左右側(cè)方的空間的 形狀。此外，為了在基板G上容易形成氣流，該側(cè)板構(gòu)件162的沿氣流方向的長度形 成為至少長于基板G左右側(cè)邊的長度，然而如圖3、圖4所示，也可以將側(cè)板構(gòu)件162的 端部162a(特別是排氣口 134側(cè))設(shè)置成不與腔室內(nèi)壁124B接觸。即使在該情況下，基 板G左右側(cè)方的空間的一部分處于被遮擋的狀態(tài)，也能充分地抑制非活性氣體向基板側(cè) 方的流動(dòng)。此外，不限于圖示的例子，也可以使各側(cè)板構(gòu)件162形成為其兩端部與相對(duì)的 腔室內(nèi)壁接觸的長度，從而完全遮擋(占據(jù))基板G左右側(cè)方的空間。接著，基于圖6、圖7說明這樣構(gòu)成的涂敷裝置100的動(dòng)作。首先，在基板G被搬入而載置在輸送臂118上時(shí)，輸送臂118在軌道116上移 動(dòng)，其通過抗蝕劑涂敷單元112的龍門狀構(gòu)件120的下方進(jìn)行移動(dòng)。此時(shí)，自固定在龍 門狀構(gòu)件120上的噴嘴122對(duì)在其下方移動(dòng)的基板G噴出抗蝕劑液R，自基板G的一邊 朝向另一邊涂敷抗蝕劑液R(圖6的步驟S1)。另外，在抗蝕劑液遍及基板G的整個(gè)面地被涂敷的時(shí)刻(涂敷結(jié)束位置)，基板 G成為位于減壓干燥單元114的上部腔室126下方的狀態(tài)。接著，基板G被載置到減壓干燥單元114的載置臺(tái)130上，基板G被上部腔室 126覆蓋，該上部腔室126自其上方利用上部腔室移動(dòng)部件128進(jìn)行下降移動(dòng)。然后，基 板G被收容在通過上部腔室126相對(duì)于下部腔室124關(guān)閉而形成的處理空間內(nèi)(圖6的步 馬聚S2)。在下部腔室124被上述上部腔室126關(guān)閉時(shí)，如圖7的(a)所示，載置臺(tái)130被升降裝置194驅(qū)動(dòng)而上升移動(dòng)至腔室內(nèi)的上方位置，其在基板G接近腔室頂部的狀態(tài)下 停止(圖6的步驟S3)。此時(shí)，塊狀構(gòu)件160、161成為與下部腔室124的底部接觸的狀 態(tài)。真空泵148自該狀態(tài)開始工作，其自排氣口 134經(jīng)由排氣管152吸引處理空間內(nèi) 的空氣，使處理空間的氣壓減壓至規(guī)定的真空狀態(tài)(圖6的步驟S4)。在此，基板G的上表面接近腔室頂部，成為在基板G的上表面幾乎不產(chǎn)生氣氛 的流動(dòng)的狀態(tài)。由此，對(duì)在基板G上成膜后的抗蝕劑液R實(shí)施因減壓引起的自然干燥 (預(yù)干燥)，抑制產(chǎn)生復(fù)制痕跡、橘皮(omngepeel，這里是指涂敷面像橘子皮那樣形成為 凹凸的現(xiàn)象)、爆沸等。在腔室內(nèi)的氣壓到達(dá)規(guī)定值(例如400Pa以下)或從開始減壓經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí) (圖6的步驟S5)，載置臺(tái)130和塊狀構(gòu)件160、161根據(jù)需要進(jìn)行上升或下降移動(dòng)，并停 止在腔室內(nèi)的規(guī)定位置。在此，基于抗蝕劑液的種類、膜厚、干燥時(shí)間等處理?xiàng)l件來決定基板G在腔室 內(nèi)的高度位置，但是至少形成為塊狀構(gòu)件160、161在基板G的緣部下方接近基板G的狀 態(tài)(圖6的步驟S6)。在圖7的(b)所示的例子中，在該步驟S6中，載置臺(tái)130的位置不變化，僅塊 狀構(gòu)件160、161利用升降裝置194上升，并接近靜止?fàn)顟B(tài)的基板G地配置在靜止?fàn)顟B(tài)的 基板G的下方。此外，驅(qū)動(dòng)非活性氣體供給部136，自供氣口 132向腔室內(nèi)供給規(guī)定流量的非活 性氣體，開始正式干燥處理(圖6的步驟S7)。另外，向腔室內(nèi)開始供給該非活性氣體 的時(shí)刻不限于像上述那樣在步驟S6中的載置臺(tái)130和塊狀構(gòu)件160、161升降移動(dòng)之后， 也可以是在升降移動(dòng)之前?；蛘?，也可以在載置臺(tái)130和塊狀構(gòu)件160、161進(jìn)行升降移 動(dòng)的中途開始供給非活性氣體。在此，由于在基板G的側(cè)方設(shè)有側(cè)板構(gòu)件162，因此成為幾乎不存在基板G的 側(cè)方的間隙的狀態(tài)。此外，接近基板G的下方地設(shè)有塊狀構(gòu)件160、161，所以塊狀構(gòu)件 160、161的側(cè)面作為氣流控制部來發(fā)揮向基板G的上方引導(dǎo)自供氣口 132供給的非活性 氣體的作用。因此，自供氣口 132供給的非活性氣體在基板上方形成向一個(gè)方向流動(dòng)的氣 流，并且該氣流從排氣口 134排出。由此，提高涂敷在基板上表面的抗蝕劑液R的干燥速度，能夠在短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行 減壓干燥處理，并且不產(chǎn)生干燥斑，干燥狀態(tài)良好。在該正式干燥處理中，在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間減壓干燥處理結(jié)束時(shí)(圖6的步驟S8)， 上部腔室126利用上部腔室移動(dòng)部件128進(jìn)行上升移動(dòng)，基板G自減壓干燥單元114被搬 出至下一處理工序。另外，在上述圖6的流程圖中，在正式干燥處理時(shí)，塊狀構(gòu)件160、161利用升 降裝置164上升，成為接近基板G(載置臺(tái)130)的下方的狀態(tài)，在基板上表面形成氣流， 然而在本發(fā)明中，不限定于該方式。BP,根據(jù)抗蝕劑液R的種類、膜厚等處理?xiàng)l件的不同，將載置臺(tái)130和塊狀構(gòu)件 160、161分別移動(dòng)配置到合適的高度位置，從而能控制形成在腔室內(nèi)的氣流。具體舉例來說，在正式干燥處理的過程中，欲使在基板上表面流動(dòng)的氣流的量變化時(shí)，例如能夠 通過以下的步驟來實(shí)現(xiàn)。另外，根據(jù)處理?xiàng)l件的不同，在使基板G接近腔室頂部的狀態(tài)下進(jìn)行減壓干燥 的預(yù)干燥的步驟不是必須的，因此，在以下的說明中省略上述預(yù)干燥的步驟。涂敷有抗蝕劑液的基板G被載置到減壓干燥單元114的載置臺(tái)130上后，利用上 部腔室126關(guān)閉處理空間。并且，保持有基板G的載置臺(tái)130被下降移動(dòng)。如圖8的(a)所示，塊狀構(gòu)件160、161在被收容于收容槽124a中的狀態(tài)下，成 為塊狀構(gòu)件160、161的上端接近被保持在載置臺(tái)130上的基板G的周緣部的狀態(tài)。此外，自排氣口 134吸引處理空間內(nèi)的空氣，處理空間的氣壓被減壓至規(guī)定的 真空狀態(tài)。另外，如上所述，腔室被關(guān)閉之后，該開始減壓的時(shí)刻可以為載置臺(tái)130下 降移動(dòng)之前、之后、或移動(dòng)中這三者當(dāng)中的任一時(shí)刻。此外，在腔室內(nèi)，自供氣口 132供給非活性氣體。在此，如圖所示，由于在基 板上方形成有寬廣的空間，所以在基板上表面附近形成大量的非活性氣體向一個(gè)方向流 動(dòng)的狀態(tài)，開始正式干燥處理。另外，根據(jù)處理?xiàng)l件的不同，向腔室內(nèi)開始供給該非活性氣體的時(shí)刻還可以是 使載置臺(tái)130和塊狀構(gòu)件160、161升降移動(dòng)至對(duì)基板G進(jìn)行正式干燥的位置之前、之 后、或移動(dòng)中這三者當(dāng)中的任一時(shí)刻。在圖8的(a)所示狀態(tài)下的干燥處理經(jīng)過規(guī)定時(shí)間時(shí)，載置臺(tái)130和塊狀構(gòu)件 160、161在保持相互之間的距離的狀態(tài)下，如圖8的(b)所示那樣在腔室內(nèi)同時(shí)上升，并
停止在規(guī)定位置。在此，如圖所示那樣，基板G的上方空間進(jìn)一步變窄，因此在基板G的上表面 附近流動(dòng)的氣流的流量減少，以小流量繼續(xù)進(jìn)行正式干燥處理。另外，這樣的在減壓干燥處理中，使載置臺(tái)130和塊狀構(gòu)件160、161升降移動(dòng) 的控制不限定為像上述那樣用圖8說明的控制方式，也可以根據(jù)處理?xiàng)l件任意地變更。 此外，優(yōu)選與處理?xiàng)l件相對(duì)應(yīng)地對(duì)減壓干燥中的腔室內(nèi)的載置臺(tái)130和塊狀構(gòu)件160、 161的高度位置進(jìn)行詳細(xì)的設(shè)定并對(duì)其進(jìn)行驅(qū)動(dòng)控制。如上所述，根據(jù)本發(fā)明的第一實(shí)施方式，通過在減壓干燥處理期間使保持基板 G的載置臺(tái)130的高度和塊狀構(gòu)件160、161的高度變化來控制形成于腔室內(nèi)的氣流。由此，即使因被處理基板不同而使抗蝕劑液R的種類、膜厚等處理?xiàng)l件不同， 也能實(shí)施與各處理?xiàng)l件相對(duì)應(yīng)的較佳的干燥處理，能縮短抗蝕劑液R的干燥時(shí)間，并且 進(jìn)行良好的成膜。另外，在上述實(shí)施方式中，表示了具有供氣口 132和非活性氣體供給部136的例 子，然而，本發(fā)明不限定于此，也可以是不具備供氣口 132和非活性氣體供給部136的構(gòu) 成。在該情況下，作為氣流控制部的塊狀構(gòu)件160隔著保持在載置臺(tái)130上的基板G被 設(shè)于與排氣口 134相反一側(cè)的基板緣部的下方空間。S卩，即使不進(jìn)行供氣，只利用自排氣口 13的排氣處理也能夠在正式干燥處理中 在腔室內(nèi)形成氣流，利用在基板上方朝向一個(gè)方向流動(dòng)的氣流，能提高基板上表面的抗 蝕劑液R的干燥速度，從而在更短時(shí)間內(nèi)進(jìn)行減壓干燥處理。此外，在上述實(shí)施方式中，作為排氣口，在基板G的下方位置表示有2個(gè)排氣口
15134，但是其數(shù)量、排列(布局)不被限定。此外，表示了在處理空間的底面形成有排氣口 134的例子，但是不限定于此， 排氣口 134也可以形成于腔室內(nèi)壁等。而且，排氣口 134的形狀表示為正圓形，但是不限定于此，也可以是長孔、矩 形等其他的形狀。此外，表示了在處理空間的底面形成有供氣口 132的例子，但是不限定于此， 例如，供氣口 132也可以設(shè)于下部腔室124的內(nèi)壁部等。而且，供氣口 132的形狀表示為1個(gè)橫向長的矩形狀，但是不限定于此，也可以 是正圓形狀、長孔等其他的形狀，并且不限定其數(shù)量。或者，排氣口 134和供氣口 132各自也可以不是設(shè)于腔室的孔，而是噴嘴型的□。以下，參照

本發(fā)明的優(yōu)選的第二實(shí)施方式。在圖9和圖10中表示能應(yīng)用本發(fā)明的第二實(shí)施方式的減壓干燥裝置或減壓干燥 方法的FPD制造用的抗蝕劑涂敷裝置的另一構(gòu)成例。該第二實(shí)施方式的抗蝕劑涂敷裝置200在支承臺(tái)210上一并設(shè)有抗蝕劑涂敷部單 元212和減壓干燥單元214。減壓干燥單元214是本發(fā)明的第二實(shí)施方式的減壓干燥裝 置。因?yàn)榈诙?shí)施方式的涂敷裝置200如后所述那樣除了氣流控制部等一部分的構(gòu)成之 外與上述第一實(shí)施方式的涂敷裝置100相同，所以省略關(guān)于相同構(gòu)件的重復(fù)說明。在該第二實(shí)施方式中，如后所述，關(guān)于基板G上的抗蝕劑涂敷膜，抗蝕劑涂敷 部單元212能夠有選擇性地實(shí)施與得到高殘留膜率(例如殘留膜率99%以上)的膜質(zhì)特性 相對(duì)應(yīng)的迅速的短時(shí)間的減壓干燥工藝以及與得到低殘留膜率(例如殘留膜率95%以下) 的膜質(zhì)特性相對(duì)應(yīng)的緩慢的長時(shí)間的減壓干燥工藝這兩者中的任一個(gè)，無論選擇哪一個(gè) 減壓干燥工藝，都能夠面內(nèi)均勻地得到預(yù)期的抗蝕劑膜質(zhì)特性。此外，在用減壓干燥單元214完成1次(1張基板)的減壓干燥處理時(shí)，腔室開 閉機(jī)構(gòu)228抬起上部腔室226，腔室為開放狀態(tài)，輸送臂218進(jìn)入腔室并自載置臺(tái)230接 受、搬出處理結(jié)束的基板G，然后將基板G輸送至進(jìn)行下一工序的預(yù)烘干的預(yù)烘干單元 (未圖示)。以下，說明減壓干燥單元214的詳細(xì)構(gòu)成和作用。如圖10所示，下部腔室224俯視構(gòu)成為矩形。在該下部腔室224的內(nèi)側(cè)，與其 四邊的腔室壁部224(1)、224(2)、224(3)、224⑷分別相鄰地設(shè)有4個(gè)(或4組)供氣口 232(1)、232(2)、232(3)、232(4)，并且在四個(gè)角落設(shè)有4個(gè)(或4組)排氣口 234 (1)、 234(2)、234(3)、234(4)。圖11表示該減壓干燥單元214中的供氣系統(tǒng)的一個(gè)例子。供氣口 232(1)、 232(2)、232(3)、232 (4)分別經(jīng)由氣體供給管 242 (1)、242(2)、242(3)、242(4)與具有 非活性氣體罐236和鼓風(fēng)機(jī)(或壓縮機(jī))238的共用的非活性氣體源240相連接。在氣體供 給管242(1)、242(2)、242(3)、242(4)的中途，分別設(shè)有流量調(diào)整閥244 (1)、244(2)、 244(3)、244(4)和開閉閥246(1)、246(2)、246(3)、246(4)。使用的非活性氣體例如是 氮?dú)?。圖12表示該減壓干燥單元214中的排氣系統(tǒng)的一個(gè)例子。排氣口 234(1)、234(2)、234(3)、234 (4)分別經(jīng)由排氣管 252 (1)、252(2)、252(3)、252(4)與具有真空 泵248和壓力控制閥250的共用的排氣裝置251相連接。在氣體排氣管252(1)、252(2)、 252(3)、252(4)的中途，分別設(shè)有開閉閥 254 (1)、254(2)、254(3)、254(4)。圖13 圖15表示作為該減壓干燥單元214的主要特征部分的氣流控制部的構(gòu) 成。圖13是表示下部腔室224內(nèi)的構(gòu)成的局部剖俯視圖，圖14A和圖14B是圖13的I-I 縱剖視圖，圖15A和圖15B是圖13的II-II縱剖視圖。在圖13中，氣流控制部260包括位于下部腔室224的在Y方向上相對(duì)的側(cè)壁 224(2)、224(4)的內(nèi)側(cè)，并配置在載置臺(tái)230的兩側(cè)(優(yōu)選盡可能接近載置臺(tái)230的位 置)的第一分隔板(或分隔壁)262A、262B ；使該第一分隔板262A、262B在圖14A所 示的第一高度位置和圖14B所示的第二高度位置之間進(jìn)行升降移動(dòng)的第一升降機(jī)構(gòu)264。如圖13所示，第一分隔板262A、262B自在X方向上設(shè)于載置臺(tái)230的一側(cè)(圖 中的左側(cè))的供氣口 232(1)的附近的位置、即幾乎與腔室壁部224(1)接觸的位置延伸至 接近載置臺(tái)230的相反側(cè)(右側(cè))的供氣口 232 (3)和排氣口 234 (3)、234(4)的位置。并 且，第一分隔板262A、262B在鉛垂方向(Z方向)上優(yōu)選具有自下部腔室224的底面到 達(dá)上部腔室226的下表面(頂面)的尺寸。而且，在第一高度位置，第一分隔板262A、262B自下部腔室224的底面沿鉛垂 方向突出至到達(dá)上部腔室226的下表面或上部腔室226的下表面附近的高度(圖14A)， 在第二高度位置，第一分隔板262A、262B下降至其上端接近下部腔室224的底面的高度 或低于下部腔室224的底面的高度(圖14B)。在下部腔室224的底壁形成有用于分別使 第一分隔板262A、262B下降(退避)到第二高度位置的凹部265A、265B。第一升降機(jī)構(gòu)264包括分別與第一分隔板262A、262B的下端連接的沿鉛垂方 向延伸的各1根或各多根支承桿266A、266B ；用于平行地支承這些支承桿266A、266B 的水平支承板268 ；借助升降驅(qū)動(dòng)軸270與該水平支承板268結(jié)合的升降驅(qū)動(dòng)器272。升 降驅(qū)動(dòng)器272例如由氣缸或電動(dòng)線性電動(dòng)機(jī)構(gòu)成。支承桿266A、266B能夠上下移動(dòng)地 貫穿下部腔室224的底壁，被密封構(gòu)件274真空密封。并且，如圖13所示，氣流控制部260包括第二分隔板(或分隔壁)276，其橫 截面呈二字狀，配置在載置臺(tái)230的周圍或旁邊；第二升降機(jī)構(gòu)278，其使該第二分隔板 276在圖14A或圖15A所示的第三高度位置和圖14B或圖15B所示的第四高度位置之間 進(jìn)行升降移動(dòng)。第二分隔板276包括第一平板部276a，其沿Y方向在載置臺(tái)230的與第一供 氣口 232(1)相對(duì)的圖中左側(cè)的旁邊延伸；第二平板部276b、276c,其沿X方向在載置臺(tái) 230的與第一分隔板262A、262B相對(duì)的圖中上側(cè)和下側(cè)的旁邊延伸。也可以構(gòu)成為用第 二分隔板276來分隔載置臺(tái)230的相反側(cè)(圖中的右側(cè))，但是從載置臺(tái)230下方的空間 的排氣性的觀點(diǎn)出發(fā)，優(yōu)選像該實(shí)施方式那樣的開放的構(gòu)成。而且，在第三高度位置，第二分隔板276自下部腔室224的底面沿鉛垂方向突出 至與載置在載置臺(tái)230上的基板G的背面(下表面)接觸的高度或該基板G的背面附近 的高度(圖14A、圖15A)，在第四高度位置，第二分隔板276下降至其上端接近下部腔 室224的底面的高度或低于下部腔室224的底面的高度(圖14B、圖15B)。在下部腔室 224的底壁形成有用于使第二分隔板276下降(退避)到第四高度位置的凹部280。
另外，第一分隔板262A、262B位于第一高度且第二分隔板276位于第三高度 時(shí)，優(yōu)選在第一分隔板262A、262B與第二分隔板276的第二平板部276b、276c之間， 兩者隔著不接觸程度的盡可能小的間隙接近。第二升降機(jī)構(gòu)278包括與第二分隔板276的下端連接的沿鉛垂方向延伸的1根 或多根支承桿282;平行地支承這些支承桿282的水平支承板284 ；借助升降驅(qū)動(dòng)軸286 與該水平支承板284結(jié)合的升降驅(qū)動(dòng)器288。升降驅(qū)動(dòng)器288例如由氣缸或電動(dòng)線性電動(dòng) 機(jī)構(gòu)成。支承桿282能夠上下移動(dòng)地貫穿下部腔室224的底壁，被密封構(gòu)件290真空密 封。載置臺(tái)230借助沿鉛垂方向延伸的升降驅(qū)動(dòng)軸292與升降驅(qū)動(dòng)器294結(jié)合，在與 輸送臂218(圖1、圖2)交接基板G時(shí)，或?yàn)榱苏{(diào)整在減壓干燥處理中與腔室頂面(上部 腔室226的下表面)的距離或間隙H，載置臺(tái)230能夠進(jìn)行升降移動(dòng)。升降驅(qū)動(dòng)軸292 能夠上下移動(dòng)地貫穿下部腔室224的底壁，被密封構(gòu)件296真空密封。在該實(shí)施方式中，圖中的左側(cè)的供氣口 232(1)是第一供氣口，其他的供氣口 232(2)、232(3)、232 (4)是第二供氣口。此外，如圖13所示，在腔室(224、226)內(nèi)，供 氣口 232(1)和第二分隔板276之間的區(qū)域是第一區(qū)域[E1],除了該第一區(qū)域[E1]之外的區(qū) 域，特別是從供氣口 232(1)來看，位于分別處于第一和第三位置時(shí)的第一分隔板262A、 262B和第二分隔板276的后面的所有的區(qū)域是第二區(qū)域[E2]。在該減壓干燥單元214中具有控制各部分和整體的動(dòng)作的主控制器(未圖示)。 氣流控制部260也可以具有在主控制器的控制下控制第一和第二升降機(jī)構(gòu)264、278的升 降動(dòng)作的局部控制器(未圖示)。接著，圖16 圖20表示該減壓干燥單元214中的氣流控制部260的作用。氣流控制部260通過具有上述那樣的構(gòu)成，能夠在第一模式和第二模式之間有 選擇性地切換，該第一模式將非活性氣體的氣流路徑限制成，從圖中的左側(cè)的第一供氣 口 232(1)噴出的非活性氣體的大部分在載置臺(tái)230和基板G上方通過并到達(dá)圖中的右側(cè) 的排氣口 234(3)、234(4)，該第二模式實(shí)質(zhì)上解除對(duì)非活性氣體或其他的氣體的如上述 那樣的氣流路徑的限制。此外，利用該減壓干燥單元214，能夠有選擇性地實(shí)施與為了得到高殘留膜率的 膜質(zhì)特性相對(duì)應(yīng)的迅速的短時(shí)間的減壓干燥工藝以及與為了得到低殘留膜率的膜質(zhì)特性 相對(duì)應(yīng)的緩慢的長時(shí)間的減壓干燥工藝中任一減壓干燥工藝。無論選擇哪一減壓干燥工 藝，都優(yōu)選在第二模式下開始減壓干燥處理。圖16A和圖16B表示剛剛開始減壓干燥處理后的腔室(224、226)內(nèi)的狀態(tài)。優(yōu) 選關(guān)閉所有供氣口 232(1) 232 (4)，不導(dǎo)入非活性氣體，使排氣系統(tǒng)(圖12)工作，經(jīng) 由所有排氣口 234(1) 234(4)進(jìn)行真空排氣。如圖所示，殘留在腔室(224、226)內(nèi)的 空氣以及自基板G上的抗蝕劑涂敷膜揮發(fā)的溶劑(稀釋劑)被均勻的吸引力吸入腔室四個(gè) 角落的排氣口 234(1) 234(4)，從而被迅速地排出。然而，作為另一實(shí)施例，也能在剛 剛開始該減壓干燥處理后的抽真空時(shí)，打開供氣口 232(1) 232 (4)，以規(guī)定的流量導(dǎo)入 非活性氣體。在相對(duì)于被收容在腔室(224、226)內(nèi)的處理對(duì)象的基板G選擇迅速·短時(shí)間的 減壓干燥工藝時(shí)，在自減壓干燥處理開始后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間的時(shí)刻，或腔室內(nèi)的壓力達(dá)到
18設(shè)定值(例如約400Pa)時(shí)刻，由圖16A和圖16B所示的第二模式切換至圖17A和圖17B 所示的第一模式。在該情況下，氣流控制部260使第一升降機(jī)構(gòu)264工作，使第一分隔板262A、 262B自在此之前的第二高度位置上升移動(dòng)至第一高度位置，并且使第二升降機(jī)構(gòu)278動(dòng) 作，使第二分隔板276自在此之前的第四高度位置上升移動(dòng)至第三高度位置。另外，在供氣系統(tǒng)(圖11)中，開閉閥246(1)被打開，其他所有的開閉閥 246(2)、246(3)、246 (4)被保持為關(guān)閉狀態(tài)。由此，在腔室(224、226)內(nèi)，僅第一供氣 口 232(1)噴出非活性氣體。其他供氣口 232(2)、232(3)、232(4)均保持關(guān)閉。在此， 調(diào)節(jié)流量控制閥244(1)，使得自供氣口 232(1)供給的非活性氣體的流量為設(shè)定值(例如 20L (升)/min)。另一方面，在排氣系統(tǒng)(圖12)中，開閉閥254(3)、254(4)保持打開狀態(tài)，剩 下的開閉閥254(1)、254(2)切換成關(guān)閉狀態(tài)。由此，在腔室(224、226)內(nèi)，從第一供氣 口 232(1)來看，位于載置臺(tái)230相反側(cè)的排氣口 234(3)、234 (4)繼續(xù)進(jìn)行排氣動(dòng)作，與 供氣口 232(1)接近的排氣口 234(1)、234 (2)中止排氣動(dòng)作。在此，根據(jù)自供氣口 232(1) 向腔室內(nèi)供給的非活性氣體的流量來調(diào)節(jié)壓力控制閥250，使得在腔室內(nèi)得到規(guī)定的壓力 或排氣速度。如圖17A和圖17B所示，在第一模式時(shí)，利用第一分隔板262A、262B和第二分 隔板276的分隔壁作用或氣流限制作用，使得從供氣口 232(1)噴出的幾乎所有的或大部 分(優(yōu)選90%以上)的氮?dú)庠谳d置臺(tái)230和基板G上方沿X方向流動(dòng)(通過)，并被吸 入相反側(cè)的排氣口 234(3)、234(4)。這樣，在減壓干燥處理過程中非活性氣體在基板G上方沿一個(gè)方向(X方向)流 動(dòng)，優(yōu)選以層流方式均勻地流動(dòng)，因此自基板G上的抗蝕劑涂敷膜揮發(fā)的溶劑隨著氣流 被迅速地排除，溶劑的揮發(fā)速度提高，并且促進(jìn)抗蝕劑表面的變質(zhì)(固化)，而且能夠在 基板G上面內(nèi)均勻地得到高殘留膜率的抗蝕劑膜質(zhì)特性。這樣，能夠縮短減壓干燥處理 所需時(shí)間(例如約30秒)。另外，在第二實(shí)施方式的減壓干燥處理中，不僅是壓力、非活性氣體的流量， 基板G和腔室226之間的距離間隔(間隙)H也是重要的處理參數(shù)，因此，有時(shí)能夠改變 載置臺(tái)230的高度位置。在該情況下，如圖18所示，與載置臺(tái)230的高度位置調(diào)整相對(duì) 應(yīng)地氣流控制部260能夠可變地調(diào)整第二分隔板276的第三高度位置，從而在第一模式 時(shí)，對(duì)于任意的間隙H，始終保持第二分隔板276的上表面與基板G的下表面接近至接觸 程度的狀態(tài)。由此，能完全地防止自供氣口 232(1)噴出的非活性氣體的一部分通過基板 G下方。在選擇對(duì)處理對(duì)象的基板G進(jìn)行緩慢·長時(shí)間的減壓干燥工藝時(shí)，在自減壓干 燥處理開始之后經(jīng)過規(guī)定時(shí)間的時(shí)刻或腔室內(nèi)的壓力達(dá)到設(shè)定值(例如約400Pa)時(shí)刻， 由保持第二模式的圖16A和圖16B的狀態(tài)切換至圖19所示那樣的狀態(tài)。在該情況下，在供氣系統(tǒng)(圖11)中，所有的開閉閥246(1)、246(2)、246(3)、 246(4)被打開。由此，在腔室(224、226)內(nèi)，所有供氣口 232(1)、232(2)、232(3)、 232(4)均噴出非活性氣體。其中，調(diào)節(jié)流量調(diào)整閥244(1)、244(2)、244(3)、244(4)， 將非活性氣體的供給流量設(shè)定為較小(例如2L/min)。此外，優(yōu)選使供氣口 234(1)、234(2)、234(3)、234(4)的噴出流量均勻。另一方面，在排氣系統(tǒng)(圖12)中，將所有的開閉閥254(1)、254(2)、254(3)、 254(4)保持為打開狀態(tài)，使所有的排氣口 234(1)、234(2)、234(3)、234(4)繼續(xù)排 氣。其中，根據(jù)自供氣口 232(1)、232(2)、232(3)、232 (4)供給的非活性氣體的流量， 調(diào)節(jié)壓力控制閥250，使得在腔室內(nèi)保持規(guī)定的壓力。此外，優(yōu)選使供氣口 232(1)、 232(2)、232(3)、232(4)的噴出流量相對(duì)于載置臺(tái)230上的基板G為均勻的。這樣，在減壓干燥處理中的第二模式下，在所有供氣口 232(1)、232(2)、 232(3)、232(4)處于打開(開)狀態(tài)下使非活性氣體朝向載置臺(tái)230上的基板G均勻且 小流量地噴出，并且在所有的排氣口 234(1)、234(2)、234(3)、234(4)處于打開(開) 狀態(tài)下進(jìn)行排氣，這種情況下，被供給至腔室內(nèi)的非活性氣體中的大部分非活性氣體在 基板G或載置臺(tái)230的下方或周圍流動(dòng)而容易被排出，在基板G上方幾乎不形成氣流， 特別是不形成朝向一個(gè)方向的氣流。因此，自基板G的抗蝕劑涂敷膜揮發(fā)的溶劑容易滯 留在附近，揮發(fā)速度被抑制。由此，因減壓干燥引起的抗蝕劑表面的變質(zhì)(固化)變緩 慢，能夠在基板G上面內(nèi)均勻地得到低殘留膜率的抗蝕劑膜質(zhì)特性。此外，減壓干燥處 理所需時(shí)間變長(例如約60秒)。另外，作為選擇緩慢·長時(shí)間的減壓干燥工藝時(shí)的另一實(shí)施例，自開始減 壓干燥處理起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，或腔室內(nèi)的壓力達(dá)到設(shè)定值后，還能夠在所有供氣口 232(1)、232(2)、232(3)、232(4)保持關(guān)閉(OFF)狀態(tài)下，使用所有排氣口 234 (1)、 234(2)、234(3)、234(4)繼續(xù)進(jìn)行排氣動(dòng)作。在該情況下，自基板G的抗蝕劑涂敷膜揮 發(fā)的溶劑成為主要的排出氣體。在該減壓干燥單元214中，使減壓干燥處理結(jié)束時(shí)，如圖20所示，選擇第二 模式，在所有供氣口 232(1)、232(2)、232(3)、232(4)處于打開(ON)狀態(tài)下以大流量 噴出非活性氣體的同時(shí)，在所有的排氣口 234(1)、234(2)、234(3)、234(4)處于打開 (ON)狀態(tài)下暫時(shí)進(jìn)行高速排氣(清除)，接著排氣口 234(1)、234(2)、234(3)、234(4) 全部被關(guān)閉。由此，腔室(224、226)內(nèi)的氣氛從減壓狀態(tài)切換至大氣壓狀態(tài)，從而能夠 進(jìn)行上部腔室224的打開操作(腔室開放)。如上所述，在該實(shí)施方式中，在選擇迅速·短時(shí)間的減壓干燥工藝的情況下， 在減壓干燥處理剛剛開始之后的抽真空和減壓干燥處理結(jié)束時(shí)的清除中，選擇分別使第 一分隔板262A、262B退避到第二高度位置和第四高度位置的第二模式，因?yàn)槟軌蚴褂盟?有的供氣口 232(1)，232(2)，232(3)，232(4)向腔室內(nèi)供給非活性氣體，使用所有的排 氣口 234(1)、234(2)、234(3)、234 (4)對(duì)腔室內(nèi)進(jìn)行排氣，所以能夠更加高效率地進(jìn)行 該種減壓干燥工藝，也能謀求處理時(shí)間的更加縮短化。然而，作為另外的順序，雖然效率有所降低，但也能夠從減壓干燥處理開始到 結(jié)束均不選擇第二模式而保持第一模式。在該情況下，也需要與各階段相對(duì)應(yīng)地切換非 活性氣體的流量和排氣速度。此外，在自減壓干燥處理開始起經(jīng)過規(guī)定時(shí)間、或自腔室內(nèi)的壓力達(dá)到設(shè)定值 起至減壓干燥處理結(jié)束的期間內(nèi)，也能夠依次或交替地切換第一模式的使用非活性氣體 的減壓干燥(圖17A、圖17B)和第二模式的使用非活性氣體的減壓干燥(圖19)。以上，說明了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式，但是本發(fā)明不限定于上述的實(shí)施方式，能夠在其技術(shù)的構(gòu)思范圍內(nèi)進(jìn)行各種變形或變更。例如，如圖21A和圖21B所示，也可以使載置基板G的載置臺(tái)230’具有占據(jù) 基板G下方的直至下部腔室224的底面的空間的塊狀構(gòu)造。在這樣的載置臺(tái)構(gòu)造中，具 有升降驅(qū)動(dòng)器295和升降銷231的升降機(jī)構(gòu)204使基板G在載置臺(tái)上升或下降來進(jìn)行基板 的裝載/卸載，上述升降銷231能夠自下貫穿下部腔室224的底壁和載置臺(tái)230’地進(jìn)行 升降。在該情況下，在第一模式下，塊狀構(gòu)造的載置臺(tái)230’阻止自供氣口 232(1)噴 出的非活性氣體在基板G下方通過，通過與第一分隔板262A、262B的配合，來發(fā)揮在基 板G上形成一個(gè)方向(X方向)的氣流的作用。因此，能用載置臺(tái)230’代替第二分隔 板 276。然而，為了能夠可變調(diào)整如上述那樣的間隙H，在減壓干燥處理中使基板G從 載置臺(tái)230’的上表面分離的情況下，省略圖示，優(yōu)選和上述實(shí)施方式相同地具有第二分 隔板276的構(gòu)成。此外，關(guān)于排氣系統(tǒng)，如圖22A和圖22B所示，也能夠是在載置臺(tái)230下方設(shè) 有1個(gè)或多個(gè)排氣口 206的構(gòu)成。在該情況下，在第一模式下，自供氣口 232(1)噴出的 幾乎所有的或大部分的非活性氣體在載置臺(tái)230和基板G的上方朝向一個(gè)方向(X方向) 流動(dòng)，并且在經(jīng)過基板G的相反側(cè)(圖中的右側(cè))的端部后蔓延到(鉆入)基板G和載 置臺(tái)230的下方，被吸入排氣口 206。此外，在上述的實(shí)施方式中，因?yàn)槔玫谝簧禉C(jī)構(gòu)264和第二升降機(jī)構(gòu)278使 第一分隔板262A、262B和第二分隔板276進(jìn)行升降移動(dòng)，所以即使在關(guān)閉腔室(224、 226)的期間也能進(jìn)行模式切換。作為另一實(shí)施方式，也能夠構(gòu)成為，為了進(jìn)行模式切 換，通過手動(dòng)將第一分隔板262A、262B和/或第二分隔板276能夠裝卸地裝配或安裝到
腔室內(nèi)。不僅是腔室本身的構(gòu)造、形狀，腔室內(nèi)外的各部分，特別是載置臺(tái)、供氣口、 排氣口的構(gòu)造、個(gè)數(shù)、配置位置等也不限定于上述的實(shí)施方式，能夠進(jìn)行各種變形。本發(fā)明中的被處理基板不限于LCD用的玻璃基板，也能夠是其他的平板顯示器 用基板、半導(dǎo)體晶圓、CD基板、光掩模、印制電路板等。減壓干燥處理對(duì)象的涂敷液也 不限于抗蝕劑液，例如也能夠是層間絕緣材料、電介體材料、布線材料等的處理液。
權(quán)利要求
1.一種減壓干燥裝置，該減壓干燥裝置是對(duì)涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處 理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減壓干燥裝置，其特征在于，包括腔室，其用于收容被處理基板，并形成處理空間； 保持部，其被設(shè)于上述腔室內(nèi)，用于保持上述被處理基板； 第一升降部件，其用于使上述保持部升降移動(dòng)； 氣流控制部，其被設(shè)于上述保持部的下方； 第二升降部件，其用于使上述氣流控制部升降移動(dòng)； 排氣口，其形成于上述腔室內(nèi)； 排氣部件，其自上述排氣口對(duì)腔室內(nèi)的氣氛進(jìn)行排氣。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減壓干燥裝置，其特征在于，利用上述第一升降部件和上述第二升降部件來對(duì)上述腔室內(nèi)的上述保持部和上述氣 流控制部進(jìn)行配置，在上述氣流控制部接近被保持于上述保持部的被處理基板的狀態(tài)下，利用上述排氣 部件的排氣動(dòng)作，在上述基板上表面形成朝向一個(gè)方向流動(dòng)的氣流的流路。
3.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減壓干燥裝置，其特征在于， 上述排氣口形成于上述被處理基板的側(cè)方，上述氣流控制部隔著被保持于上述保持部的被處理基板至少被設(shè)于與上述排氣口相 反一側(cè)的基板緣部的下方空間。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述的減壓干燥裝置，其特征在于，在形成于上述被處理基板上表面的流路的左右兩側(cè)設(shè)有占據(jù)或遮擋上述基板的左右 側(cè)方的至少一部分空間的側(cè)板構(gòu)件。
5.根據(jù)權(quán)利要求3所述的減壓干燥裝置，其特征在于，該減壓干燥裝置包括供氣口，其在上述腔室內(nèi)隔著上述被處理基板形成在與上述排氣口相反一側(cè)的基板 側(cè)方；供氣部件，其自上述供氣口向腔室內(nèi)的處理空間供給非活爛氣體。
6.根據(jù)權(quán)利要求5所述的減壓干燥裝置，其特征在于，在形成于上述被處理基板上表面的流路的左右兩側(cè)，設(shè)有占據(jù)或遮擋上述基板左右 側(cè)方的至少一部分空間的側(cè)板構(gòu)件。
7.—種減壓干燥裝置，該減壓干燥裝置是用于在減壓狀態(tài)下使形成在被處理基板上 的涂敷液的膜干燥的減壓干燥裝置，其包括腔室，其能夠被減壓，且能夠放入、取出基板地收容該基板； 保持部，其用于在上述腔室內(nèi)載置基板；非活性氣體供給部，其具有在水平的第一方向上設(shè)于上述腔室內(nèi)的上述保持部的一 側(cè)的第一供氣口，經(jīng)由上述第一供氣口向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體；排氣部，其具有設(shè)于上述腔室內(nèi)的除了上述第一供氣口和上述保持部之間的第一區(qū) 域之外的第二區(qū)域的排氣口，經(jīng)由上述排氣口對(duì)上述腔室內(nèi)進(jìn)行真空排氣；氣流控制部，其能夠在第一模式和第二模式之間進(jìn)行切換，該第一模式將非活性氣 體的氣流路徑限制為自上述第一供氣口噴出的非活性氣體中的大部分非活性氣體通過上 述保持部的上方并到達(dá)上述排氣口，該第二模式實(shí)質(zhì)上解除上述氣流路徑對(duì)非活性氣體的限制。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述氣流控制部包括第一分隔板，其在與上述第一方向正交的水平的第二方向上位于上述腔室的側(cè)壁的內(nèi)側(cè)，并配置在上述保持部的兩側(cè)；第一升降機(jī)構(gòu)，其用于使上述第一分隔板在上述第一模式用的第一高度位置和上述 第二模式用的第二高度位置之間進(jìn)行升降移動(dòng)。
9.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減壓干燥裝置，上述第一分隔板處于上述第一高度位置時(shí)，該第一分隔板自上述腔室的底面沿鉛垂 方向突出至接觸上述腔室的頂部的高度或該頂部附近的高度，上述第一分隔板處于上述 第二高度位置時(shí)，該第一分隔板下降至其上端接近上述腔室的底面的高度或低于上述腔 室的底面的高度。
10.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述第一分隔板在上述第一方向上自上述第一供氣口附近的位置延伸至上述保持部 的相反一側(cè)的位置。
11.根據(jù)權(quán)利要求8所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述氣流控制部包括第二分隔板，其配置在上述保持部的至少與上述第一供氣口相對(duì)的一側(cè)的旁邊；第二升降機(jī)構(gòu)，其用于使上述第二分隔板在上述第一模式用的第三高度位置和上述 第二模式用的第四高度位置之間進(jìn)行升降移動(dòng)。
12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述第二分隔板處于上述第三高度位置時(shí)，該第二分隔板從上述腔室的底面沿鉛垂 方向突出至接觸基板的背面的高度或該基板的背面附近的高度，上述第二分隔板處于上 述第四高度位置時(shí)，該第二分隔板下降至其上端接近上述腔室的底面的高度或低于上述 腔室的底面的高度。
13.根據(jù)權(quán)利要求11所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述第二分隔板包括第一平板部，其在上述保持部的與上述第一供氣口相對(duì)的一 側(cè)的旁邊沿上述第二方向延伸；第二平板部，其在上述保持部的與上述第一分隔板相對(duì) 的一側(cè)的旁邊沿上述第一方向延伸。
14.根據(jù)權(quán)利要求7所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述非活性氣體供給部在上述第二區(qū)域具有第二供氣口，基板上的涂敷膜在上述第 一模式下接受減壓干燥處理時(shí)，在該處理中關(guān)閉上述第二供氣口并且打開上述第一供氣 口而向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體，減壓干燥處理結(jié)束后在上述第二模式下使上述腔室 內(nèi)的壓力恢復(fù)至大氣壓時(shí)，打開所有上述第一和第二供氣口而向上述腔室內(nèi)供給非活性 氣體。
15.根據(jù)權(quán)利要求14所述的減壓干燥裝置，其特征在于，基板上的涂敷膜在上述第二模式下接受減壓干燥處理時(shí)，上述非活性氣體供給部打 開所有上述第一和第二供氣口而向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體。
16.根據(jù)權(quán)利要求14所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述腔室俯視呈矩形，與其四個(gè)邊中的一個(gè)邊的腔室側(cè)壁接近地設(shè)有上述第一供氣 口，與其余的三個(gè)邊中的一部分邊或全部邊的腔室側(cè)壁接近地設(shè)有上述第二供氣口。
17.根據(jù)權(quán)利要求7 16中任一項(xiàng)所述的減壓干燥裝置，其特征在于，上述排氣部在上述第二區(qū)域內(nèi)的上述保持部的周圍設(shè)有多個(gè)上述排氣口，在上述第 一模式下進(jìn)行上述腔室內(nèi)的真空排氣時(shí)，從上述保持部來看關(guān)閉與上述第一供氣口相對(duì) 接近的排氣口，打開相對(duì)遠(yuǎn)離上述第一供氣口的排氣口，在利用上述第二模式進(jìn)行上述 腔室內(nèi)的真空排氣時(shí)，打開全部上述多個(gè)排氣口。
18.—種減壓干燥方法，該減壓干燥方法是在上述權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的減 壓干燥裝置中、對(duì)涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂 敷膜的減壓干燥方法，其特征在于，進(jìn)行以下的步驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部上升，使保持于上述保持部的上述被處理基板 接近上述腔室的頂部的步驟；利用上述排氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，利用上述第二升降部件使上述氣流控制部上升移動(dòng)，使上述氣 流控制部接近被保持于上述保持部的被處理基板的步驟。
19.一種減壓干燥方法，該減壓干燥方法是在上述權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的減 壓干燥裝置中、對(duì)涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂 敷膜的減壓干燥方法，其特征在于，進(jìn)行以下的步驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部下降移動(dòng)，使上述被處理基板接近上述氣流控 制部的步驟；利用上述排氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，在上述氣流控制部和用于保持上述被處理基板的上述保持部保 持相互之間的距離的狀態(tài)下，利用上述第一升降部件和第二升降部件使上述氣流控制部 和上述保持部上升移動(dòng)，并使上述氣流控制部和上述保持部停止在腔室內(nèi)的規(guī)定位置的步驟。
20.一種減壓干燥方法，該減壓干燥方法是在上述權(quán)利要求5或6所述的減壓干燥裝 置中、對(duì)涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減 壓干燥方法，其特征在于，進(jìn)行以下的步驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部上升，使保持于上述保持部的上述被處理基板 接近上述腔室的頂部的步驟；利用上述排氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，利用上述第二升降部件使上述氣流控制部上升移動(dòng)，使上述氣 流控制部接近被保持于上述保持部的被處理基板，并且利用上述供氣部件向上述腔室內(nèi) 供應(yīng)非活性氣體的步驟。
21.—種減壓干燥方法，該減壓干燥方法是在上述權(quán)利要求5或6所述的減壓干燥裝 置中、對(duì)涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減 壓干燥方法，其特征在于，進(jìn)行以下的步驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述排氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部下降移動(dòng)，使上述被處理基板接近上述氣流控 制部，并且利用上述供氣部件向上述腔室內(nèi)供應(yīng)非活性氣體的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，在上述氣流控制部和用于保持上述被處理基板的上述保持部保 持相互之間的距離的狀態(tài)下，利用上述第一升降部件和第二升降部件使上述氣流控制部 和上述保持部上升移動(dòng)，并使上述氣流控制部和上述保持部停止在腔室內(nèi)的規(guī)定位置的 步驟。
22.—種減壓干燥方法，該減壓干燥方法是在上述權(quán)利要求5或6所述的減壓干燥裝 置中、對(duì)涂敷有處理液的被處理基板進(jìn)行上述處理液的減壓干燥處理而形成涂敷膜的減 壓干燥方法，其特征在于，進(jìn)行以下的步驟將被處理基板保持于上述保持部的步驟；利用上述第一升降部件使上述保持部下降移動(dòng)，使上述被處理基板接近上述氣流控 制部的步驟；利用上述排氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)的處理空間進(jìn)行減壓的步驟；利用上述供氣部件對(duì)上述腔室內(nèi)供給非活性氣體的步驟；在經(jīng)過規(guī)定時(shí)間后，在上述氣流控制部和用于保持上述被處理基板的上述保持部保 持相互之間的距離的狀態(tài)下，利用上述第一升降部件和第二升降部件使上述氣流控制部 和上述保持部上升移動(dòng)，并使上述氣流控制部和上述保持部停止在腔室內(nèi)的規(guī)定位置的步驟。
23.—種減壓干燥方法，該減壓干燥方法使用減壓干燥裝置，用于在減壓狀態(tài)下使形 成在被處理基板上的涂敷液的膜干燥的減壓干燥方法，該減壓干燥裝置包括腔室，其 能夠被減壓，且能夠放入、取出基板地收容該基板；保持部，其用于在上述腔室內(nèi)載置 基板；非活性氣體供給部，其具有在水平的第一方向上設(shè)于上述腔室內(nèi)的上述保持部的 一側(cè)的第一供氣口，經(jīng)由上述第一供氣口向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體；排氣部，其具 有設(shè)于上述腔室內(nèi)的除了上述第一供氣口和上述保持部之間的第一區(qū)域之外的第二區(qū)域 的排氣口，經(jīng)由上述排氣口對(duì)上述腔室內(nèi)進(jìn)行真空排氣，該減壓干燥方法有選擇性地在第一模式和第二模式之間進(jìn)行切換，在該第一模式下 將非活性氣體的氣流路徑限制為自上述第一供氣口噴出的非活性氣體中的大部分非活性 氣體通過上述保持部的上方并到達(dá)上述排氣口，在該第二模式下實(shí)質(zhì)上解除上述氣流路 徑對(duì)非活性氣體的限制。
24.根據(jù)權(quán)利要求23所述的減壓干燥方法，其特征在于，使用第一分隔板，該第一分 隔板在與上述第一方向正交的水平的第二方向上位于上述腔室的側(cè)壁的內(nèi)側(cè)、并配置在 上述保持部的兩側(cè)，在上述第一模式用的第一高度位置和上述第二模式用的第二高度位置之間切換上述 第一分隔板的高度位置。
25.根據(jù)權(quán)利要求23所述的減壓干燥方法，其特征在于，上述第一分隔板處于上述第一高度位置時(shí)，該第一分隔板自上述腔室的底面沿鉛垂 方向突出至接觸上述腔室的頂部的高度或該頂部附近的高度，上述第一分隔板處于上述 第二高度位置時(shí)，該第一分隔板下降至其上端接近上述腔室的底面的高度或低于上述腔室的底面的高度。
26.根據(jù)權(quán)利要求23所述的減壓干燥方法，其特征在于，使用配置在上述保持部的至少與上述第一供氣口相對(duì)一側(cè)的旁邊的第二分隔板，在上述第一模式用的第三高度位置和上述第二模式用的第四高度位置之間切換上述 第二分隔板的高度位置。
27.根據(jù)權(quán)利要求26所述的減壓干燥方法，其特征在于，上述第二分隔板處于上述第三高度位置時(shí)，其從上述腔室的底面沿鉛垂方向突出至 接觸基板的背面的高度或該基板的背面附近的高度，上述第二分隔板處于上述第四高度 位置時(shí)，其下降至其上端接近上述腔室的底面的高度或低于上述腔室的底面的高度。
28.根據(jù)權(quán)利要求26所述的減壓干燥方法，其特征在于，上述第二分隔板包括第一平板部，其在上述保持部的與上述第一供氣口相對(duì)的一 側(cè)的旁邊沿上述第二方向延伸；第二平板部，其在上述保持部的與上述第一分隔板相對(duì) 的一側(cè)的旁邊沿上述第一方向延伸。
29.根據(jù)權(quán)利要求23 28中任一項(xiàng)所述的減壓干燥方法，其特征在于，基板上的涂敷膜在上述第一模式下接受減壓干燥處理時(shí)，在該處理中關(guān)閉設(shè)于上述 第二區(qū)域的第二供氣口并且打開上述第一供氣口而向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體，在減 壓干燥處理結(jié)束后在上述第二模式下使上述腔室內(nèi)的壓力恢復(fù)至大氣壓時(shí)，打開所有上 述第一和第二供氣口而向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體。
30.根據(jù)權(quán)利要求29所述的減壓干燥方法，其特征在于，基板上的涂敷膜在上述第二模式下接受減壓干燥處理時(shí)，在該處理中打開所有上述 第一和第二供氣口而向上述腔室內(nèi)供給非活性氣體。
全文摘要
本發(fā)明提供一種減壓干燥裝置和減壓干燥方法，能夠在對(duì)被處理基板上的涂敷膜迅速地進(jìn)行減壓干燥處理的工藝和緩慢地進(jìn)行減壓干燥處理的工藝之間有選擇性地進(jìn)行切換。在該減壓干燥單元(214)中，氣流控制部(260)包括位于下部腔室(224)的沿Y方向相對(duì)的側(cè)壁224(2)、224(4)的內(nèi)側(cè)、并配置在載置臺(tái)(230)的兩側(cè)的第一分隔板(262A、262B)；使該第一分隔板(262A、262B)在第一高度位置和第二高度位置之間升降移動(dòng)的第一升降機(jī)構(gòu)(264)。而且，氣流控制部(260)包括配置在載置臺(tái)(230)的周圍或旁邊的、橫截面呈コ字狀的第二分隔板(276)；使該第二分隔板(276)在第三高度位置和第四高度位置之間升降移動(dòng)的第二升降機(jī)構(gòu)(278)。
文檔編號(hào)G03F7/38GK102012643SQ20101027768
公開日2011年4月13日 申請(qǐng)日期2010年9月7日 優(yōu)先權(quán)日2009年9月7日
發(fā)明者三根陽介, 大西辰己, 池田文彥 申請(qǐng)人:東京毅力科創(chuàng)株式會(huì)社