專利名稱：液晶顯示裝置及其制作方法、檢測及改善裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，尤其涉及一種液晶顯示裝置及制作方法，還涉及一種液晶液晶顯示裝置的檢測裝置及方法，又涉及一種液晶顯示裝置透過率的改善裝置及方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display，LCD)具有低壓、微功耗、顯示信息量大、 易于彩色化等優(yōu)點(diǎn)，現(xiàn)已廣泛應(yīng)用于電子計(jì)算機(jī)、電子記事本、移動(dòng)電話、攝像機(jī)、高清電視機(jī)等電子設(shè)備的顯示裝置。與陰極射線管或等離子體顯示裝置不同，液晶面板自身并不發(fā)光，而是依靠控制外界光的反射和透射形成不同對比度達(dá)到顯示目的?，F(xiàn)有技術(shù)中液晶分子在豎直方向上偏轉(zhuǎn)，導(dǎo)致顯示器視角較窄。因此廣視角技術(shù)應(yīng)運(yùn)而生，平面內(nèi)旋轉(zhuǎn)an PlaneSwitching, IPS)就是其中頗具優(yōu)勢的一種。IXD通常包括用于顯示圖像的液晶板和向液晶板施加驅(qū)動(dòng)信號的驅(qū)動(dòng)部分。液晶板具有相對的第一玻璃基板和第二玻璃基板，在第一玻璃基板和第二玻璃基板之間有一液晶層。IPS型LCD第一玻璃基板設(shè)有在一個(gè)方向上按一定間隔排列的多條柵極線、垂直于柵極線按一定間隔排列的多條數(shù)據(jù)線，以及傳輸電氣信號的外圍走線；柵極線和數(shù)據(jù)線限定形成矩陣形像素區(qū)，像素區(qū)內(nèi)具有多個(gè)像素電極、公共電極和薄膜晶體管。第二玻璃基板上設(shè)有用于遮蔽除像素區(qū)之外其它部分的光黑色矩陣層，以及顯示顏色的濾色片層。IPS型IXD的原理是像素電極和公共電極產(chǎn)生平面電場，使得液晶分子在與玻璃基底平行的平面內(nèi)轉(zhuǎn)動(dòng)以改變光線的透過率，避免了液晶分子在豎直方向上的偏轉(zhuǎn)，達(dá)到較大的觀察視角。鑒于IPS液晶顯示裝置的透過率與像素電極間距具有很強(qiáng)的相關(guān)性，精確地控制像素電極間距顯得尤為重要。申請?zhí)?00610145260. 3的中國專利申請(以下簡稱背景專利)公開一種顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)。如圖1、圖2所示，在基板60的像素區(qū)域35中形成公共電極30 ；在公共電極30上設(shè)置覆蓋公共電極30的絕緣層36 ；在絕緣層36的頂面上設(shè)置像素電極50。 像素電極50包括沿彼此平行方向并置的子像素電極55，所述子像素電極55彎曲成鈍角的彎曲形狀。隨著子像素電極陽從像素區(qū)域35的一側(cè)32到另一側(cè)34，子像素電極55的寬度Wl趨于逐漸增大，相鄰兩個(gè)子像素電極55之間的間距LlO也逐漸增大。背景專利通過依次改變像素電極陽的間距和寬度，從而防止圖像的顯示質(zhì)量下降。但是，批量制作顯示器過程中制作工藝會(huì)存在一定偏差，使得一些顯示器制作后的實(shí)際結(jié)構(gòu)與標(biāo)準(zhǔn)結(jié)構(gòu)之間存在偏差，導(dǎo)致這些顯示器的透過率存在差異。此時(shí)，若要解決該技術(shù)問題，則需改動(dòng)顯示器件的結(jié)構(gòu)，或者將誤差成品舍棄，重新制作新的顯示器件，這樣一來大大增加了顯示器件的制作成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明要解決技術(shù)問題是，能方便地檢測批量制作液晶顯示裝置過程中制作工藝過程中產(chǎn)生偏差，以方便調(diào)整顯示器的差異。本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置包括一基板，設(shè)置在所基板上的像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極之間具有第一距離；其特征在于，所述顯示器進(jìn)一步包括設(shè)置于所述基板的傳感電容，所述傳感電容包括設(shè)置在基板上的第一電極和第二電極，所述第一電極與第二電極之間具有與第一距離相關(guān)聯(lián)的第二距離。所述像素電極和公共電極形成像素電容，所述傳感電容的電容值大于所述像素電容的電容值。所述傳感電容的電容值大于所述像素電容的電容值10倍。所述基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)，所述像素電極和公共電極位于所述顯示區(qū)，所述傳感電容的第一電極和第二電極位于所述非顯示區(qū)。所述液晶顯示裝置呈矩形，所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)，所述液晶顯示裝置包括至少4個(gè)傳感電容分別設(shè)置在液晶顯示裝置的四角。還包括覆蓋所述基板、所述像素電極、所述公共電極、所述第一電極和所述第二電極的保護(hù)膜。還包括絕緣層和保護(hù)膜，所述像素電極和所述第一電極位于所述絕緣層內(nèi)，所述公共電極和所述第二電極位于所述保護(hù)膜內(nèi)。預(yù)先設(shè)計(jì)好的像素電極、公共電極之間的具有第一標(biāo)準(zhǔn)距離，預(yù)先設(shè)計(jì)好的傳感電容的第一電極、第二電極之間具有第二標(biāo)準(zhǔn)距離，所述第一距離、第一標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值與所述第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值相等。還包括位于非顯示區(qū)基板上的最外圍走線，用于傳輸電信號至像素電極和公共電極，所述最外圍走線與所述傳感電容之間具有第三距離。所述第三距離大于600微米。還包括第一金屬連接部、第二金屬連接部；所述第一金屬連接部第一端與傳感電容的第一電極相連接，第一金屬連接部第二端連接至液晶顯示裝置外部；所述第二金屬連接部第一端與傳感電容的第二電極相連接，第二金屬連接部第二端連接至液晶顯示裝置外部。本發(fā)明還提供一種用于檢測所述液晶顯示裝置的檢測裝置，包括電容檢測模塊和判斷模塊，所述檢測模塊適于獲得傳感電容的電容值，所述判斷模塊適于依據(jù)所述電容值獲得第二距離與第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值，所述第二標(biāo)準(zhǔn)距離為預(yù)先設(shè)計(jì)好的傳感電容的第一電極、第二電極之間的標(biāo)準(zhǔn)距離。所述判斷模塊包括存儲單元，所述存儲單元保存有第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值與傳感電容的電容值之間的對應(yīng)關(guān)系。所述電容檢測模塊包括信號源、第一電阻和信號處理單元；信號源的第一端和第一電阻的第一端均連接至信號處理單元的第一輸入端；信號源的第二端和傳感電容的第二電極均連接至地；第一電阻的第二端和傳感電容的第一電極均連接至信號處理單元的第二輸入端；信號處理單元的輸出端輸出傳感電容的電容值。所述信號處理單元將第一輸入端接收的第一信號和第二輸入端接收到的第二信號進(jìn)行處理，獲得第一信號與第二信號幅值和相位的變化量，依據(jù)幅值或相位的變化輸出傳感電容的電容值。
所述信號處理單元直接輸出所述依據(jù)幅值或相位的變化信號獲得的電容值。所述信號處理單元對所述依據(jù)幅值或相位的變化信號獲得的電容值進(jìn)行均值計(jì)算，輸出所述經(jīng)過均值計(jì)算的傳感電容的電容值。本發(fā)明又提供一種用于改善權(quán)利要求1所述液晶顯示裝置透過率的改善裝置，包括電容檢測模塊、判斷模塊和校正模塊，其中，所述檢測模塊適于通過檢測傳感電容的電容值；所述判斷模塊適于依據(jù)所述電容值獲得第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值，所述第二標(biāo)準(zhǔn)距離為預(yù)先設(shè)計(jì)好的傳感電容的第一電極、第二電極之間的標(biāo)準(zhǔn)距離；所述校正模塊適于依據(jù)所述第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值獲得與之對應(yīng)的伽馬值，依據(jù)所述伽馬值調(diào)整所述液晶顯示裝置的亮度。所述校正模塊包括數(shù)據(jù)單元，所述數(shù)據(jù)單位存儲有所述第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值與伽馬值的對應(yīng)關(guān)系。所述判斷模塊包括存儲單元，所述存儲單元保存有第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值與傳感電容的電容值之間的對應(yīng)關(guān)系。本發(fā)明還提供一種所述液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成像素電極、公共電極以及傳感電容的第一電極和第二電極，所述像素電極與所述第一電極同時(shí)形成，所述公共電極與所述第二電極同時(shí)形成。所述像素電極、公共電極、傳感電容的第一電極和第二電極同時(shí)形成。所述像素電極、公共電極、傳感電容的第一電極和第二電極同時(shí)形成的步驟包括 提供第一掩模板和基板，在所述基板的表面上依次形成第一導(dǎo)電膜和第一光刻膠膜；使用所述第一掩模板形成光刻膠圖形組；使用光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，形成像素電極、公共電極和傳感電容的第一電極、第二電極；去除光刻膠圖形組。還包括形成覆蓋所述像素電極、公共電極、第一電極和第二電極的保護(hù)膜；在保護(hù)膜上形成外圍連接線，所述外圍連接線距離所述傳感電容具有第三距離。所述像素電極與所述第一電極同時(shí)形成，所述公共電極與所述第二電極同時(shí)形成的步驟包括提供第二掩模板、第三掩模板和基板，在所述基板的表面上依次形成第一導(dǎo)電膜和第一光刻膠膜；使用第二掩模板形成第一光刻膠圖形組；使用第一光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，形成像素電極和傳感電容的第一電極；去除第一光刻膠圖形組，形成絕緣層、第二導(dǎo)電膜和第二光刻膠膜；使用第三掩模板形成第二光刻膠圖形組；使用第二光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第二導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，形成公共電極和傳感電容的第二電極；去除第二光刻膠圖形組。還包括形成覆蓋所述公共電極和第二電極的保護(hù)膜；在保護(hù)膜上形成外圍連接線，所述外圍連接線距離所述傳感電容具有第三距離。本發(fā)明通過在液晶顯示裝置上設(shè)置傳感電容，便于檢測該傳感電容的電容值，從而進(jìn)行伽馬值調(diào)節(jié)，利用光學(xué)補(bǔ)償?shù)姆绞礁纳瞥叽缱兓瘜τ谝壕э@示裝置透過率的影響， 達(dá)到不同的顯示器個(gè)體具有相同的顯示效果。


圖1為背景專利顯示器件的像素電極結(jié)構(gòu)的平面圖；圖2為沿圖1中線1-1’做出的剖面圖
圖3為本申請第一實(shí)施例的顯示器制作流程圖；圖4為本申請第一實(shí)施例的一個(gè)具體實(shí)施方式
的流程圖；圖5-圖9為本申請第一實(shí)施例的顯示器制作流程的剖面示意圖；圖10為本申請第一實(shí)施例的顯示器結(jié)構(gòu)示意圖；圖11為沿圖10中線A-A’做出的剖面圖；圖12-圖13為本申請另外一實(shí)施例的顯示器制作流程的剖面示意圖；圖14為本申請第二實(shí)施例的顯示器制作流程圖；圖15為本申請第二實(shí)施例的一個(gè)具體實(shí)施方式
的流程圖；圖16-21為本申請第二實(shí)施例的顯示器制作流程的剖面示意圖；圖22為本申請第二實(shí)施例的顯示器結(jié)構(gòu)示意圖；圖23為沿圖22中線A-A’做出的剖面圖；圖M為本申請電容檢測模塊結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式下面結(jié)合附圖對本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說明。在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下列說明和權(quán)利要求書本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清林疋。本發(fā)明液晶顯示裝置的制作方法包括在基板上形成像素電極、公共電極以及傳感電容的第一電極和第二電極，所述像素電極與所述第一電極同時(shí)形成，所述公共電極與所述第二電極同時(shí)形成。如圖3所示，本發(fā)明第一實(shí)施例的液晶顯示裝置的制作方法包括S100，提供具有第一掩膜圖形和第二掩膜圖形的第一掩模板；S200，使用第一掩模板的第一掩膜圖形在顯示區(qū)的基板上形成像素電極和公共電極，同時(shí)使用第一掩模板的第二掩膜圖形在非顯示區(qū)的基板上形成傳感電容。步驟SlOO中，如圖5所示，第一掩模板300包括由透明材料形成的第一掩?；?301以及多個(gè)第一遮蔽部302，第一遮蔽部302之間形成曝光區(qū)域。第一掩?；?01和第一遮蔽部302形成第一掩膜圖形311和第二掩膜圖形312。第一掩膜圖形311遮蔽部302 之間具有第一遮蔽部距離Li，第一掩膜圖形311遮蔽部302之間具有第二遮蔽部距離L2。如圖4所示，步驟S200包括步驟S201，提供一基板，在基板的表面上依次形成第一導(dǎo)電膜和第一光刻膠膜；步驟S202，使用第一掩模板的第一掩膜圖形和第二掩膜圖形形成光刻膠圖形組；步驟S203，使用光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕， 形成像素電極、公共電極和傳感電容的第一電極、第二電極；步驟S204，去除光刻膠圖形組。步驟S201中，如圖6所示，基板10分為顯示區(qū)101和非顯示區(qū)102，在基板10的表面上依次形成第一導(dǎo)電膜21和第一光刻膠膜22?；?0可以為玻璃基板，或者為具有氮化硅層的玻璃基板。第一導(dǎo)電膜21可利用濺射等的淀積技術(shù)形成，第一導(dǎo)電膜21材料可以為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅(IZO)、非晶化氧化銦錫(a-ITO)、鋁或鋁合金。步驟S202中，如圖7所示，使用第一掩模板300的第一掩膜圖形311選擇性地曝光第一光刻膠膜22并且顯影，形成第一光刻膠圖形221和第二光刻膠圖形222，同時(shí)使用第一掩模板300的第二掩膜圖形312選擇性地曝光第一光刻膠膜22并且顯影，形成第三光刻膠圖形223和第四光刻膠圖形224。其中，形成的第一光刻膠圖形221和第二光刻膠圖形 222之間具有第一光刻膠距離L11，形成的第三光刻膠圖形223和第四光刻膠圖形2M之間具有第二光刻膠距離L12。步驟S203中，如圖8所示，利用第一光刻膠圖形221和第二光刻膠圖形222作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜21進(jìn)行刻蝕，形成像素電極11和公共電極12，同時(shí)利用第三光刻膠圖形223和第四光刻膠圖形2M作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜21進(jìn)行刻蝕，形成傳感電容的第一電極131和第二電極132。其中，形成的像素電極11和公共電極12之間具有第一距離L21，傳感電容的第一電極131和第二電極132之間具有第二距離L22。步驟S204中，如圖9所示，利用灰化工藝去除第一光刻膠圖形221、第二光刻膠圖形222、第三光刻膠圖形223、第四光刻膠圖形224。較佳的，去除光刻膠圖形組之后形成保護(hù)膜，在非顯示區(qū)基板上的保護(hù)膜上形成最外圍走線，所述保護(hù)膜的材料可以為氮化硅。所述最外圍走線的形成位置距離所述傳感電容具有第三距離，所述第三距離使得所述傳感電容的工作基本不受最外圍走線內(nèi)的控制信號的影響?？蛇x擇的，所述第三距離大于600微米。形成外圍走線和保護(hù)膜的工藝可依據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常用技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。依照第一實(shí)施例的液晶顯示裝置制作方法形成的液晶顯示裝置1的結(jié)構(gòu)如圖10 所示，液晶顯示裝置1包括基板10，設(shè)置在所基板上的像素電極11、公共電極12，以及傳感電容13。所述液晶顯示裝置1呈矩形，基板10分為顯示區(qū)101和非顯示區(qū)102，所述非顯示區(qū)102圍繞所述顯示區(qū)101。所述液晶顯示裝置1的沿A-A’的剖面結(jié)構(gòu)如圖11所示，像素電極11和公共電極12位于顯示區(qū)101的基板10上，像素電極11與所述公共電極12之間具有第一距離L21。傳感電容13位于非顯示區(qū)102的基板10上，具有第一電極131和第二電極132，第一電極和所述第二電極之間具有第二距離L22。所述傳感電容13的數(shù)量可以依需要進(jìn)行設(shè)置。在一具體實(shí)施例中，所述液晶顯示裝置包括至少4個(gè)傳感電容，所述4 個(gè)傳感電容分別設(shè)置在矩形液晶顯示裝置1的四角。所述第一距離L21與所述第二距離L22相關(guān)聯(lián)。具體地，所述第一距離L21與第一標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值為第一距離相對誤差值，所述第二距離L22與第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值為所述第二距離相對誤差值，所述第一距離相對誤差值與所述第二距離相對誤差值相關(guān)。所述第一標(biāo)準(zhǔn)距離為預(yù)先設(shè)計(jì)好的像素電極、公共電極之間的距離標(biāo)準(zhǔn)值；所述第二標(biāo)準(zhǔn)距離為預(yù)先設(shè)計(jì)好的傳感電容的第一電極、第二電極之間的距離標(biāo)準(zhǔn)值。理想情況下形成的像素電極11、公共電極12之間的第一距離L21為第一標(biāo)準(zhǔn)距離，理想情況下形成的傳感電容13的第一電極131、第二電極132之間的第二距離L22為第二標(biāo)準(zhǔn)距離。所述理想情況下是指，影響制作液晶顯示裝置的像素電極、公共電極的所有因素的誤差均在可允許的范圍內(nèi)。像素電極11、公共電極12之間的第一距離L21與第一標(biāo)準(zhǔn)距離相等時(shí)，傳感電容 13的第一電極131、第二電極132之間的第二距離L22與第二標(biāo)準(zhǔn)距離相等，即第一距離相對誤差值和第二距離相對誤差值均零。該種情況下，像素電極11和公共電極12在工作過程中產(chǎn)生電場，使得液晶分子17正常偏轉(zhuǎn)，液晶顯示裝置具有標(biāo)準(zhǔn)的透過率，使得圖像正
常顯不。
若在形成光刻膠圖形組或形成像素電極11、公共電極12、傳感電容13的刻蝕工藝中，出現(xiàn)操作的偏差或工藝條件的變化，導(dǎo)致影響制作工藝的因素誤差超出可允許的范圍， 使得第一距離相對誤差值、第二距離相對誤差值不為零，此時(shí)制作出的液晶顯示裝置透過率與標(biāo)準(zhǔn)透過率之間具有一定的偏差。鑒于傳感電容13與像素電極11、公共電極12同時(shí)用相同掩模板在相同的工藝步驟和條件下形成，所以傳感電容13的第一電極131和第二電極132的形成受到與像素電極11、公共電極12相同程度的影響，使得第二距離相對誤差值不為零且與第一距離相對誤差值基本相等。在一具體實(shí)施例中，如圖12所示，使用第一掩模板300的第一掩膜圖形311和第二掩膜圖形312形成光刻膠圖形組的步驟中產(chǎn)生曝光工藝的偏差，使得距離應(yīng)為Ll的第一光刻膠圖形221和第二光刻膠圖形222之間的第一光刻膠距離變?yōu)長ll = L1+AL。由于受到相同程度曝光工藝偏差的影響，使得距離應(yīng)為L2的第三光刻膠圖形223和第四光刻膠圖形2M之間的第二光刻膠距離變?yōu)長21 = L2+AL。如圖13所示，理想情況下形成像素電極11、公共電極12之間的第一標(biāo)準(zhǔn)距離為掩模板300的第一掩膜圖形311的第一遮蔽部距離Li，傳感電容的第一電極131、第二電極 132之間的第二標(biāo)準(zhǔn)距離為掩模板300的第二掩膜圖形312的第二遮蔽部距離L2，此時(shí)制作出的液晶顯示裝置具有標(biāo)準(zhǔn)的透過率。但是，本具體實(shí)施例利用已經(jīng)產(chǎn)生距離偏差的光刻膠圖形組對第一導(dǎo)電膜21進(jìn)行刻蝕，形成的像素電極11、公共電極12之間的第一距離L21與第一標(biāo)準(zhǔn)距離具有AL的距離偏差，即第一距離相對誤差值為AL ；形成的第一電極131、第二電極132之間的第二距離L22與第二標(biāo)準(zhǔn)距離與第二標(biāo)準(zhǔn)距離具有AL的距離偏差，即第二距離相對誤差值為 Δ L。此時(shí)制作出的液晶顯示裝置透過率發(fā)生變化，傳感電容的電容值與第二標(biāo)準(zhǔn)距離對應(yīng)的標(biāo)準(zhǔn)電容值相比也發(fā)生了變化。較佳的，如圖11所示，液晶顯示裝置還具有保護(hù)膜沈和位于非顯示區(qū)基板上的最外圍走線14。所述保護(hù)膜沈覆蓋所述像素電極11、公共電極12、傳感電容13的第一電極131 和第二電極132。保護(hù)膜沈可利用氣相沉積等的淀積技術(shù)形成，保護(hù)膜沈材料可以為氮化娃。所述傳感電容13與最外圍走線14之間具有第三距離L3，所述最外圍走線14用于傳送控制信號至公共電極11、像素電極12，所述第三距離L3使得所述傳感電容13的工作基本不受最外圍走線14內(nèi)的控制信號的影響?？蛇x擇的，所述第三距離L3大于600微米。本發(fā)明的液晶顯示裝置還可以在非顯示區(qū)102基板上的保護(hù)膜沈內(nèi)具有第一金屬連接部、第二金屬連接部。所述第一金屬連接部第一端與傳感電容13的第一電極131相連接，第一金屬連接部第二端連接至液晶顯示裝置外部，供外部測試端子連接。所述第二金屬連接部第一端與傳感電容13的第二電極132相連接，第二金屬連接部第二端連接至液晶顯示裝置外部，供外部測試端子連接。如圖11所示，依照第一實(shí)施例的液晶顯示裝置制作方法形成的液晶顯示裝置，像素電極11、公共電極12、傳感電容13的第一電極131和第二電極132均位于同一層保護(hù)膜 26內(nèi)。本發(fā)明第二實(shí)施例中，如圖14所示，本發(fā)明第二實(shí)施例的液晶顯示裝置的制作方法包括步驟S110，提供具有第一子掩膜圖形和第二子掩膜圖形的第二掩模板，以及具有第三子掩膜圖形和第四子掩膜圖形的第三掩模板；步驟S210，使用第二掩模板的第一子掩膜圖形在顯示區(qū)的基板上形成像素電極，同時(shí)使用第二掩模板的第二子掩膜圖形在非顯示區(qū)的基板上形成傳感電容的第一電極；使用第三掩模板的第三子掩膜圖形在顯示區(qū)的基板上形成公共電極，同時(shí)使用第三掩模板的第四子掩膜圖形在非顯示區(qū)的基板上形成傳感電容的第二電極。步驟SllO中，如圖16所示，第二掩模板400包括由透明材料形成的第二掩模基板 401以及多個(gè)第二遮蔽部402，第二掩?；?01和第二遮蔽部402形成第一子掩膜圖形 411和第二子掩膜圖形412。第三掩模板500包括由透明材料形成的第二掩模基板501以及多個(gè)第三遮蔽部502，第二掩?；?01和第三遮蔽部502形成第三子掩膜圖形511和第四子掩膜圖形512。其中，第三子掩膜圖形511中用于形成像素電極12的遮蔽部與第二掩模板400的第一子掩膜圖形411中用于形成公共電極11的遮蔽部設(shè)置位置之間具有第一遮蔽部距離 Ll ；第四子掩膜圖形512中用于形成第二電極132的遮蔽部與第二掩模板400的第二子掩膜圖形412中用于形成第一電極131的遮蔽部設(shè)置位置之間具有第二遮蔽部距離L2。如圖15所示，步驟S210包括步驟S211，提供一基板，在基板的整個(gè)表面上依次形成第一導(dǎo)電膜和第一光刻膠膜；步驟S212，使用第二掩模板的第一子掩膜圖形和第二子掩膜圖形形成第一光刻膠圖形組；步驟S213，使用第一光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，形成像素電極和傳感電容的第一電極；步驟S214，去除第一光刻膠圖形組，形成絕緣層、第二導(dǎo)電膜和第二光刻膠膜；步驟S215，使用第三掩模板的第三子掩膜圖形和第四子掩膜圖形形成第二光刻膠圖形組；步驟S216，使用第二光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第二導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，形成公共電極和傳感電容的第二電極；步驟S217，去除第二光刻膠圖形組。步驟S211中，如圖17所示，在基板10的整個(gè)表面上依次形成第一導(dǎo)電膜21和第一光刻膠膜22?；?0可以為玻璃基板，或者為具有氮化硅層的玻璃基板。第一導(dǎo)電膜21可利用濺射等的淀積技術(shù)形成，第一導(dǎo)電膜21材料可以為氧化銦錫(ITO)、氧化銦鋅 (IZO)、非晶化氧化銦錫(a-ITO)、鋁或鋁合金。步驟S212中，如圖18所示，使用第二掩模板400的第一子掩膜圖形411和第二子掩膜圖形412選擇性地曝光第一光刻膠膜22并且顯影，形成第一光刻膠圖形221和第三光刻膠圖形223。步驟S213，利用第一光刻膠圖形221和第三光刻膠圖形223作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜21進(jìn)行刻蝕，形成像素電極11和傳感電容的第一電極131。步驟S214，如圖19所示，去除第一光刻膠圖形組，形成絕緣層23、第二導(dǎo)電膜M 和第二光刻膠膜25。利用灰化工藝去除第一光刻膠圖形221和第三光刻膠圖形223。絕緣層23可利用氣相沉積的淀積技術(shù)形成，絕緣層23材料可以為氮化硅。步驟S215，如圖20所示，使用第三掩模板500的第三子掩膜圖形513和第四子掩膜圖形514選擇性地曝光第二光刻膠膜25并且顯影，形成第二光刻膠圖形222和第四光刻膠圖形224。使用第三掩模板500進(jìn)行光刻工藝時(shí)，第三子掩膜圖形511中用于形成像素電極12的遮蔽部與第二掩模板400的第一子掩膜圖形411中用于形成公共電極11的遮蔽部設(shè)置位置之間具有第一遮蔽部距離Ll ；第四子掩膜圖形512中用于形成第二電極132的遮蔽部與第二掩模板400的第二子掩膜圖形412中用于形成第一電極131的遮蔽部設(shè)置位置之間具有第二遮蔽部距離L2。形成步驟S216，使用第二光刻膠圖形222和第四光刻膠圖形2M作為刻蝕阻擋層， 對第二導(dǎo)電膜M進(jìn)行刻蝕，形成像素電極12和傳感電容的第二電極132。形成的像素電極 11和公共電極12之間具有的第一距離L21，傳感電容13的第一電極131和第二電極132 具有第二距離L22。步驟S217，如圖21所示，利用灰化工藝去除第二光刻膠圖形222和第四光刻膠圖形 224。較佳的，去除光刻膠圖形組之后形成保護(hù)膜，在保護(hù)膜上形成外圍連接線，所述保護(hù)膜的材料可以為氮化硅。所述最外圍走線的形成位置距離所述傳感電容具有第三距離， 所述第三距離使得所述傳感電容的工作基本不受最外圍走線內(nèi)的控制信號的影響?？蛇x擇的，所述第三距離大于600微米。形成外圍走線和保護(hù)膜的工藝可依據(jù)本領(lǐng)域技術(shù)人員的常用技術(shù)手段實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。依照第二實(shí)施例的液晶顯示裝置制作方法形成的液晶顯示裝置1結(jié)構(gòu)如圖22所示，液晶顯示裝置1包括基板10、設(shè)置在基板10上的像素電極11、公共電極12、傳感電容 13?；?0分為顯示區(qū)101和非顯示區(qū)102。液晶顯示裝置1沿A-A’的剖面結(jié)構(gòu)如圖22 所示像素電極11和公共電極12位于顯示區(qū)101的基板10上，像素電極11與所述公共電極12之間具有第一距離L21。傳感電容13位于非顯示區(qū)102的基板10上，具有第一電極 131和第二電極132，第一電極和所述第二電極之間具有第二距離L22。所述傳感電容13的數(shù)量可以依需要進(jìn)行設(shè)置。在一具體實(shí)施例中，所述液晶顯示裝置包括至少4個(gè)傳感電容， 所述4個(gè)傳感電容分別設(shè)置在矩形液晶顯示裝置1的四角。所述第一距離L21與第一標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值為第一距離相對誤差值，所述第二距離與L21第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值為所述第二距離相對誤差值，所述第一距離相對誤差值與所述第二距離相對誤差值相關(guān)。依照第二實(shí)施例的液晶顯示裝置制作方法形成的液晶顯示裝置與依照第一實(shí)施例的液晶顯示裝置制作方法形成的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)相同的部分不再贅述，兩者區(qū)別在于依照第二實(shí)施例的液晶顯示裝置制作方法形成的液晶顯示裝置，像素電極11和第一電極131位于同一層絕緣層23內(nèi)，公共電極12和第二電極132位于同一層保護(hù)膜沈內(nèi)。第一距離相對誤差值和第二距離相對誤差值均零時(shí)，像素電極11和公共電極12 在工作過程中產(chǎn)生電場，使得液晶分子17正常偏轉(zhuǎn)，液晶顯示裝置具有標(biāo)準(zhǔn)的透過率，使得圖像正常顯示。但是，若在刻蝕或其他工藝中出現(xiàn)操作的偏差或工藝條件的變化，導(dǎo)致影響制作工藝的因素誤差超出可允許的范圍，使得第二距離相對誤差值不為零且與第一距離相對誤差值基本相等，此時(shí)制作出的液晶顯示裝置透過率與標(biāo)準(zhǔn)透過率之間具有一定的偏差。較佳的，如圖23所示，液晶顯示裝置還具有保護(hù)膜沈和位于非顯示區(qū)基板上的最外圍走線14。所述保護(hù)膜沈覆蓋所述公共電極12和傳感電容13的第二電極132。保護(hù)膜沈可利用氣相沉積等的淀積技術(shù)形成，保護(hù)膜26材料可以為氮化硅。
所述傳感電容13與最外圍走線14之間具有第三距離L3，所述最外圍走線用于傳送控制信號至公共電極11、像素電極12，所述第三距離L3使得所述傳感電容13的工作基本不受最外圍走線14內(nèi)的控制信號的影響?？蛇x擇的，所述第三距離L3大于600微米。本發(fā)明的液晶顯示裝置還可以在非顯示區(qū)102基板上的保護(hù)膜沈內(nèi)具有第一金屬連接部、第二金屬連接部。所述第一金屬連接部第一端與傳感電容13的第一電極131相連接，第一金屬連接部第二端連接至液晶顯示裝置外部，供外部測試端子連接。所述第二金屬連接部第一端與傳感電容13的第二電極132相連接，第二金屬連接部第二端連接至液晶顯示裝置外部，供外部測試端子連接。所述第一金屬連接部、第二金屬連接部的形成工藝可依照本領(lǐng)域技術(shù)人員制作金屬連接線的技術(shù)完成。較佳的，在上述實(shí)施例中，像素電極12和公共電極11形成像素電容，所述傳感電容13的電容值大于所述像素電容的電容值。具體的，所述傳感電容的電容值大于所述像素電容的電容值10倍。應(yīng)當(dāng)知道的是，所述像素電極和公共電極位于所述顯示區(qū)，所述傳感電容的第一電極和第二電極可位于所述顯示區(qū)或非顯示區(qū)。為了檢測液晶顯示裝置透過率與標(biāo)準(zhǔn)透過率之間的偏差，本發(fā)明還提供一種液晶顯示裝置檢測裝置，所述液晶顯示裝置檢測裝置包括檢測模塊和判斷模塊。所述檢測模塊適于獲得所述傳感電容的電容值。所述判斷模塊適于依據(jù)所述電容值獲得第二距離與第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值。在一具體實(shí)施例中，如圖M所示，檢測模塊包括信號源601、電阻602、信號處理單元603。信號源601的第一端和電阻602的第一端均連接至信號處理單元603的第一輸入端；信號源601的第二端和傳感電容的第二電極132均連接至地；電阻602的第二端和傳感電容的第一電極131均連接至信號處理單元603的第二輸入端；信號處理單元603的輸出端輸出傳感電容的電容值。液晶顯示裝置檢測裝置工作時(shí)，電容檢測模塊的信號源601發(fā)出第一正弦信號
Al*sin(o)x+cpl),在傳感電容的第一電極出產(chǎn)生第二正弦信號A2*sin(cox+q^)。信號處
理單元603將第一輸入端接收的第一正弦信號Α1 η(ωχ+φ1)，以及第二輸入端接收到的第二正弦信號Α2、 η(ωχ+φ2)進(jìn)行處理，獲得第一正弦信號與第二正弦信號幅值和相位的變化量，依據(jù)幅值或相位的變化信號處理單元603輸出傳感電容的電容值。可選擇的，所述信號處理單元603直接輸出所述依據(jù)幅值或相位的變化信號獲得的電容值；或者，對所述依據(jù)幅值或相位的變化信號獲得的電容值進(jìn)行均值計(jì)算，輸出所述經(jīng)過均值計(jì)算傳感電容的電容值。較佳的，當(dāng)對一個(gè)傳感電容進(jìn)行多次測量，或者對同一液晶顯示裝置上的多個(gè)傳感電容進(jìn)行多次測量時(shí)，所述信號處理單元603對所述依據(jù)幅值或相位的變化信號獲得的電容值進(jìn)行均值計(jì)算，輸出所述經(jīng)過均值計(jì)算的電容值。另外一具體實(shí)施例中，判斷模塊包括存儲單元，所述存儲單元保存有第二距離相對誤差值與傳感電容的電容值之間的對應(yīng)關(guān)系。所述第二距離相對誤差值與傳感電容的電容值之間的對應(yīng)關(guān)系建立可依下列方式建立通過光學(xué)顯微鏡測量傳感電容的第一電極 131和第二電極132之間的第二距離L22 ；將所述第二距離L22與第二標(biāo)準(zhǔn)距離進(jìn)行比較， 獲得第二距離相對誤差值；通過電容檢測模塊檢測出所述第二距離L22對應(yīng)的傳感電容的10/10 頁
電容值，從而在判斷模塊中建立所述第二距離相對誤差值與所述傳感電容的電容值之間的對應(yīng)關(guān)系。判斷模塊工作時(shí)，依據(jù)電容檢測模塊獲得的傳感電容的電容值，從所述存儲單元獲取與所述電容值之對應(yīng)的第二距離相對誤差值。較佳的，所述液晶顯示裝置在非顯示區(qū)基板上具有第一金屬連接部、第二金屬連接部，所述第一金屬連接部第一端與傳感電容的第一電極131相連接，第一金屬連接部第二端與電阻602的第二端均連接至信號處理單元603的第二輸入端。所述第二金屬連接部第一端與傳感電容的第二電極132相連接，第二金屬連接部第二端與信號源601的第二端均連接至地。由于第二距離相對誤差值基本等于第一距離相對誤差值，當(dāng)?shù)谝痪嚯x相對誤差值處于可允許的誤差范圍內(nèi)，液晶顯示裝置的透過率基本與標(biāo)準(zhǔn)透過率相同。當(dāng)?shù)谝痪嚯x相對誤差值的沒有處于可允許的范圍內(nèi)時(shí)，液晶顯示裝置的透過率基本偏離標(biāo)準(zhǔn)透過率，液晶顯示裝置呈現(xiàn)的畫質(zhì)質(zhì)量降低。所述可允許的誤差范圍是指像素電極與公共電極之間的第一距離與第一標(biāo)準(zhǔn)距離基本相等。為了改善液晶顯示裝置透過率與標(biāo)準(zhǔn)透過率之間的偏差，本發(fā)明又提供一種改善裝置，包括電容檢測模塊、判斷模塊和校正模塊。其中，所述檢測模塊適于通過檢測所述傳感電容的電容值；所述判斷模塊適于依據(jù)所述電容值獲得所述電容值對應(yīng)的第二距離相對誤差值；所述校正模塊適于依據(jù)所述第二距離相對誤差值，獲得所述第二距離相對誤差值對應(yīng)的伽馬值，依據(jù)所述伽馬值調(diào)整所述液晶顯示裝置的亮度。電容檢測模塊可以依據(jù)圖M所示的結(jié)構(gòu)實(shí)現(xiàn)，此處不再贅述。所述判斷模塊包括第二距離相對誤差值與傳感電容的電容值之間的對應(yīng)關(guān)系，依據(jù)電容檢測模塊檢測的電容值獲得第二距離相對誤差值。校正模塊包括存儲有第二距離相對誤差值與伽馬值的對應(yīng)關(guān)系的數(shù)據(jù)單元。所述第二距離相對誤差值與伽馬值的對應(yīng)關(guān)系可依下列方式建立測量不同第二距離相對誤差值對應(yīng)的透過率變化量所需的亮度調(diào)節(jié)量，依據(jù)所述亮度調(diào)節(jié)量確定對應(yīng)的伽馬值，在數(shù)據(jù)單元中建立第二距離相對誤差值與伽馬值的對應(yīng)關(guān)系。液晶顯示裝置改善裝置工作時(shí)， 依據(jù)第二距離相對誤差值調(diào)用與之對應(yīng)的伽馬值來驅(qū)動(dòng)液晶顯示裝置進(jìn)行圖像顯示，將像素電極和公共電極之間的距離誤差導(dǎo)致的透過率變化通過亮度進(jìn)行補(bǔ)償，使得畫質(zhì)質(zhì)量不會(huì)降低。本申請發(fā)明人發(fā)現(xiàn)通過光學(xué)補(bǔ)償?shù)姆绞礁纳七@種透過率的變化，即通過改變伽馬值調(diào)整液晶顯示裝置亮度，可以達(dá)到與改變液晶顯示裝置實(shí)體結(jié)構(gòu)基本相同的效果，且該種方式更容易實(shí)現(xiàn)。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例披露如上，但本發(fā)明并非限定于此。任何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，均可作各種更動(dòng)與修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以權(quán)利要求所限定的范圍。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括一基板，設(shè)置在所基板上的像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極之間具有第一距離；其特征在于，所述液晶顯示裝置進(jìn)一步包括設(shè)置于所述基板的傳感電容，所述傳感電容包括設(shè)置在基板上的第一電極和第二電極，所述第一電極與第二電極之間具有與第一距離相關(guān)聯(lián)的第二距離。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述像素電極和公共電極形成像素電容，所述傳感電容的電容值大于所述像素電容的電容值。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述傳感電容的電容值大于所述像素電容的電容值10倍。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述基板包括顯示區(qū)和非顯示區(qū)， 所述像素電極和公共電極位于所述顯示區(qū)，所述傳感電容的第一電極和第二電極位于所述非顯示區(qū)。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述液晶顯示裝置呈矩形，所述非顯示區(qū)圍繞所述顯示區(qū)，所述液晶顯示裝置包括至少4個(gè)傳感電容分別設(shè)置在液晶顯示裝置的四角。
6.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括覆蓋所述基板、所述像素電極、所述公共電極、所述第一電極和所述第二電極的保護(hù)膜。
7.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括絕緣層和保護(hù)膜，所述像素電極和所述第一電極位于所述絕緣層內(nèi)，所述公共電極和所述第二電極位于所述保護(hù)膜內(nèi)。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，預(yù)先設(shè)計(jì)好的像素電極、公共電極之間具有第一標(biāo)準(zhǔn)距離，預(yù)先設(shè)計(jì)好的傳感電容的第一電極、第二電極之間具有第二標(biāo)準(zhǔn)距離，所述第一距離、第一標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值與所述第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值相等。
9.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括位于非顯示區(qū)基板上的最外圍走線，用于傳輸電信號至像素電極和公共電極，所述最外圍走線與所述傳感電容之間具有第三距離。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于，所述第三距離大于600微米。
11.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于，還包括第一金屬連接部、第二金屬連接部；所述第一金屬連接部第一端與傳感電容的第一電極相連接，第一金屬連接部第二端連接至液晶顯示裝置外部；所述第二金屬連接部第一端與傳感電容的第二電極相連接，第二金屬連接部第二端連接至液晶顯示裝置外部。
12.一種用于檢測權(quán)利要求1所述液晶顯示裝置的檢測裝置，包括電容檢測模塊和判斷模塊，所述檢測模塊適于獲得傳感電容的電容值，所述判斷模塊適于依據(jù)所述電容值獲得第二距離與第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值，所述第二標(biāo)準(zhǔn)距離為預(yù)先設(shè)計(jì)好的傳感電容的第一電極、第二電極之間的標(biāo)準(zhǔn)距離。
13.如權(quán)利要求12所述的檢測裝置，其特征在于，所述判斷模塊包括存儲單元，所述存儲單元保存有第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值與傳感電容的電容值之間的對應(yīng)關(guān)系。
14.如權(quán)利要求12所述的檢測裝置，其特征在于，所述電容檢測模塊包括信號源、第一電阻和信號處理單元；信號源的第一端和第一電阻的第一端均連接至信號處理單元的第一輸入端；信號源的第二端和傳感電容的第二電極均連接至地；第一電阻的第二端和傳感電容的第一電極均連接至信號處理單元的第二輸入端；信號處理單元的輸出端輸出傳感電容的電容值。
15.如權(quán)利要求14所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號處理單元將第一輸入端接收的第一信號和第二輸入端接收到的第二信號進(jìn)行處理，獲得第一信號與第二信號幅值和相位的變化量，依據(jù)幅值或相位的變化輸出傳感電容的電容值。
16.如權(quán)利要求15所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號處理單元直接輸出所述依據(jù)幅值或相位的變化信號獲得的電容值。
17.如權(quán)利要求15所述的檢測裝置，其特征在于，所述信號處理單元對所述依據(jù)幅值或相位的變化信號獲得的電容值進(jìn)行均值計(jì)算，輸出所述經(jīng)過均值計(jì)算的傳感電容的電容值。
18.一種用于改善權(quán)利要求1所述液晶顯示裝置透過率的改善裝置，包括電容檢測模塊、判斷模塊和校正模塊，其中，所述檢測模塊適于通過檢測傳感電容的電容值；所述判斷模塊適于依據(jù)所述電容值獲得第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值，所述第二標(biāo)準(zhǔn)距離為預(yù)先設(shè)計(jì)好的傳感電容的第一電極、第二電極之間的標(biāo)準(zhǔn)距離；所述校正模塊適于依據(jù)所述第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值獲得與之對應(yīng)的伽馬值，依據(jù)所述伽馬值調(diào)整所述液晶顯示裝置的亮度。
19.如權(quán)利要求18所述的改善裝置，其特征在于，所述校正模塊包括數(shù)據(jù)單元，所述數(shù)據(jù)單元存儲有所述第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值與伽馬值的對應(yīng)關(guān)系。
20.如權(quán)利要求18所述的改善裝置，其特征在于，所述判斷模塊包括存儲單元，所述存儲單元保存有第二距離、第二標(biāo)準(zhǔn)距離之間的差值與傳感電容的電容值之間的對應(yīng)關(guān)系。
21.一種如權(quán)利要求1所述液晶顯示裝置的制作方法，其特征在于，包括在基板上形成像素電極、公共電極以及傳感電容的第一電極和第二電極，所述像素電極與所述第一電極同時(shí)形成，所述公共電極與所述第二電極同時(shí)形成。
22.如權(quán)利要求21所述的制作方法，其特征在于，所述像素電極、公共電極、傳感電容的第一電極和第二電極同時(shí)形成。
23.如權(quán)利要求22所述的制作方法，其特征在于，所述像素電極、公共電極、傳感電容的第一電極和第二電極同時(shí)形成的步驟包括提供第一掩模板和基板，在所述基板的表面上依次形成第一導(dǎo)電膜和第一光刻膠膜；使用所述第一掩模板形成光刻膠圖形組；使用光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，形成像素電極、公共電極和傳感電容的第一電極、第二電極；去除光刻膠圖形組。
24.如權(quán)利要求21所述的制作方法，其特征在于，還包括形成覆蓋所述像素電極、公共電極、第一電極和第二電極的保護(hù)膜；在保護(hù)膜上形成外圍連接線，所述外圍連接線距離所述傳感電容具有第三距離。
25.如權(quán)利要求21所述的制作方法，其特征在于，所述像素電極與所述第一電極同時(shí)形成，所述公共電極與所述第二電極同時(shí)形成的步驟包括提供第二掩模板、第三掩模板和基板，在所述基板的表面上依次形成第一導(dǎo)電膜和第一光刻膠膜；使用第二掩模板形成第一光刻膠圖形組；使用第一光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第一導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，形成像素電極和傳感電容的第一電極；去除第一光刻膠圖形組，形成絕緣層、第二導(dǎo)電膜和第二光刻膠膜； 使用第三掩模板形成第二光刻膠圖形組；使用第二光刻膠圖形組作為刻蝕阻擋層，對第二導(dǎo)電膜進(jìn)行刻蝕，形成公共電極和傳感電容的第二電極；去除第二光刻膠圖形組。
26.如權(quán)利要求25所述的制作方法，其特征在于，還包括形成覆蓋所述公共電極和第二電極的保護(hù)膜；在保護(hù)膜上形成外圍連接線，所述外圍連接線距離所述傳感電容具有第三距離。
全文摘要
本發(fā)明提供一種液晶顯示裝置及其制作方法、檢測及改善裝置。所述液晶顯示裝置包括一基板，設(shè)置在所基板上的像素電極和公共電極，所述像素電極和所述公共電極之間具有第一距離；所述液晶顯示裝置進(jìn)一步包括設(shè)置于所述基板的傳感電容，所述傳感電容包括設(shè)置在基板上的第一電極和第二電極，所述第一電極與第二電極之間具有與第一距離相關(guān)聯(lián)的第二距離。本發(fā)明通過在液晶顯示裝置上設(shè)置傳感電容，便于檢測該傳感電容的電容值，并且進(jìn)行伽馬調(diào)節(jié)，以改善尺寸變化對于液晶顯示裝置透過率的影響，達(dá)到不同的顯示器個(gè)體具有相同的顯示效果。
文檔編號G02F1/1333GK102243382SQ20101017864
公開日2011年11月16日 申請日期2010年5月13日 優(yōu)先權(quán)日2010年5月13日
發(fā)明者凌志華, 霍思濤, 馬駿 申請人:上海天馬微電子有限公司