專利名稱：用于引導輻射束的光學模塊的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及用于引導極紫外(EUV)輻射束的光學模塊。本發(fā)明還涉及用于激勵這種類型的光學模塊的個體反射鏡的方法；用于這種類型的光學模塊中的反射鏡；用于微光刻投射曝光系統(tǒng)的照明光學系統(tǒng)，所述照明光學系統(tǒng)利用來自輻射源的照明光來照明物場；照明系統(tǒng)，所述照明系統(tǒng)具有這種類型的照明光學系統(tǒng)和輻射源；具有這種類型的照明系統(tǒng)的投射曝光系統(tǒng)；利用這種類型的投射曝光系統(tǒng)來產(chǎn)生微結(jié)構(gòu)的部件的方法；和由這種類型的方法所產(chǎn)生的微結(jié)構(gòu)的或納米結(jié)構(gòu)的部件。
背景技術(shù)：
由US 6，658，084 B2已知一種帶反射鏡的光學模塊，該光學模塊包括能通過致動器發(fā)生位移的多個個體反射鏡。在用于微光刻投射曝光系統(tǒng)的照明光學系統(tǒng)，在投射曝光系統(tǒng)的工作過程中，特別是在以5nm和30nm之間范圍的極紫外(Extreme Ultra Violet，EUV)輻射工作的過程中， 熱能沉積在各反射鏡中，所述照明光學系統(tǒng)要么僅以令人無法忍受的低輻射輸出工作于要求的照明任務，要么對于輻射吞吐量，即對于所使用的和所產(chǎn)生的EUV輻射之間的比，有著令人無法忍受的高損失。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是開發(fā)一種在一開始所提及的類型的光學模塊，使得利用所述光學模塊能構(gòu)造一種照明光學系統(tǒng)，所述照明光學系統(tǒng)即使在個體反射鏡上有不可忽視的熱負荷也能確保高輻射或照明光吞吐量。此目的根據(jù)本發(fā)明由具有權(quán)利要求1所公開的特征的光學模塊、具有權(quán)利要求14 所公開的特征的光學模塊、和具有權(quán)利要求26所公開的特征的光學模塊實現(xiàn)。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，如本發(fā)明權(quán)利要求1所述的光學模塊，減少了中央控制裝置與個體反射鏡的致動器之間的信號傳送的要求。與空間臨近的個體反射鏡相關(guān)聯(lián)的集成電子位移電路承擔信號處理任務的至少一些，所述信號處理任務要不然將落在中央控制裝置上。結(jié)果，電路布置能被實現(xiàn)用于致動器，其中，總體地在光學模塊的區(qū)域中，實現(xiàn)了寄生電磁場、殘余熱的發(fā)生和緊湊結(jié)構(gòu)的更適宜的比例。借助于所述光學模塊被引導的輻射束可以是部分輻射束，也就是總輻射束的一部分。能經(jīng)由所述光學模塊引導的所述輻射束可以是EUV輻射束。根據(jù)權(quán)利要求2構(gòu)造的集成電子位移電路使得可以實現(xiàn)多個這種類型的位移電路的共同激勵，例如借助于串行總線系統(tǒng)。這容許以進一步簡化的結(jié)構(gòu)來激勵所述光學模塊的致動器。如權(quán)利要求3所述的容納容許實現(xiàn)所述光學模塊的緊湊結(jié)構(gòu)。致動器借助于保護性超低電壓所實現(xiàn)的激勵避免了來自更高電壓的危險。保護性超低電壓在此情況下用于表示小于48V的電壓。集成電子位移電路的激勵可借助于小于20V、小于IOV和特別是小于5V的電壓來實現(xiàn)。特別是，可采用+/-IV的激勵電壓。于是， 借助于所述集成電子位移電路，使得洛倫茲致動器的功率要求就地釋除，從而可采用具有每單位長度匝數(shù)較少的線圈的洛倫茲致動器來產(chǎn)生磁場。如權(quán)利要求5所述的線布置避免不期望的干擾磁場的產(chǎn)生。如權(quán)利要求6所述的布置容許在集成電子位移電路與洛倫茲致動器的個體線圈之間短連接線的使用。如權(quán)利要求7所述的激勵電路板的多層結(jié)構(gòu)容許緊湊的電連接技術(shù)。如權(quán)利要求8所述的基板層容許散失熱量而同時具有高的機械穩(wěn)定性?；鍖拥牟牧系氖纠秊樘沾刹牧稀⒐?、二氧化硅、氮化鋁和氧化鋁，例如Al2O3-陶瓷。這種基板層的激勵電路板可借助于銅鍍覆陶瓷(Copper Plated Ceramic, CPC)技術(shù)、借助于低溫共燒陶瓷(Low Temperature Cofired Ceramics, LTCC)技術(shù)或借助于高溫共燒陶瓷(High Temperature Cofired Ceramics, HTCC)技術(shù)或類似的相關(guān)類型技術(shù)進行生產(chǎn)。如權(quán)利要求9所述的散熱器容許熱輸入的良好散熱，所述熱輸入一方面對由光學模塊的反射鏡所反射的有用輻射的殘余吸收而輸入，另一方面由致動器的供電而輸入。如權(quán)利要求10所述的散熱指狀件容許來自激勵電路板的熱的有效散失。如權(quán)利要求11所述的永磁體已被證明成功用于洛倫茲致動器中。所述永磁體可構(gòu)造成釤鈷磁體。所有適合用于真空的、高度磁性的磁體材料組合都是可能的替代。根據(jù)布置有洛倫茲致動器的、可選地呈現(xiàn)低壓的環(huán)境中的填充氣體，也可使用其它的磁性材料例如銣鐵硼(NdFeB)。如權(quán)利要求12所述的關(guān)聯(lián)，是一種有利的折中，該折中高效地使用集成電子位移電路的效能并且容許緊湊的布置。如權(quán)利要求13所述的劃分成局部個體反射鏡陣列，這改善個體反射鏡激勵的可變性。根據(jù)本發(fā)明第二方面認識到，因為避免了由于大氣所造成的照明光損失，所以在真空中的工作顯著增大吞吐量，特別是EUV范圍內(nèi)的小波長照明光的情況下。在此情況下不再需要氣體作為熱傳導媒介。在根據(jù)本發(fā)明權(quán)利要求14所述的光學模塊中，因為所述具有至少lkW/m2的散熱功率密度的導熱部，所以確保了被反射鏡本體所吸收的光能或電能， 也就是非反射的能量，被反射鏡本體有效地散失到支承結(jié)構(gòu)。盡管反射鏡本體在抽空的腔室中工作，但是避免了反射鏡本體的過熱，所述過熱可能例如導致反射鏡本體上的高反射性涂層的破壞。因為所述根據(jù)本發(fā)明具有高散熱功率密度的導熱部，所以來自反射鏡本體的熱的對流散熱或從反射鏡本體通過氣體媒介以熱傳導方式的散熱不是要緊的。因此，所述光學模塊的反射鏡的真空操作導致較低EUV輻射損失而不發(fā)生個體反射鏡的過熱是可能的。反射鏡本體相對于支承結(jié)構(gòu)的位移自由度為至少一個傾斜自由度和/或平移自由度°反身寸鏡本體之一的反身寸面可具有0. 5mm χ 0. 5mm>lmm χ lmm、4mm χ 4mm>8mm χ 8mm或 IOmm χ IOmm的范圍。反射鏡本體之一的反射面也可偏離正方形樣式。所述導熱部也可構(gòu)造成散失反射鏡本體所吸收的更大功率密度。例如借由所述導熱部之一，每個反射鏡本體可被散失2kW/m2、5kW/m2、10kW/m2、20kW/m2、50kW/m2或100kW/m2的功率密度到所述支承結(jié)構(gòu)。所述導熱部可構(gòu)造成將反射鏡本體所吸收的至少50mW的熱能散失到支承結(jié)構(gòu)。例如借由所述導熱部之一，每個反射鏡本體可被散失100mW、150mW或160mW的能量到支承結(jié)構(gòu)。
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如權(quán)利要求15所述的致動器容許相對剛性的導熱部的使用，導熱部從而可有利地具有高散熱能力。這尤其適用于如權(quán)利要求16所述的、可實現(xiàn)高致動器力的洛倫茲致動器。洛倫茲致動器大體上由US 7，145，269 B2已知。如權(quán)利要求17所述的載流致動器部件使一種具有高集成密度的致動器結(jié)構(gòu)成為可能。如權(quán)利要求18所述的印刷上的導體通路的多個層，例如容許每個印刷上的層具有不同方向的導體通路和/或每個印刷上的層具有不同導體通路橫截面。因此能實現(xiàn)致動器的不同力方向，所述致動器的各種力方向用于實現(xiàn)不同位移自由度和/或位移的不同力等級。如權(quán)利要求19所述的磁阻致動器，同樣地容許高的致動器力，所述磁阻致動器例如由 W02007/i;34574A 已知。這相同地適用于如權(quán)利要求20所述的壓電致動器。該光學元件可借助于基于實心體聯(lián)接的承載系統(tǒng)安裝，使得該光學元件在致動的自由度上具有適當?shù)膹椥?，以便利用可用的致動器力以實現(xiàn)所需要的偏轉(zhuǎn)。同時，所述承載可以使得非致動的自由度具有適當?shù)膭偠龋⑶宜鲚S承系統(tǒng)能散失適當?shù)臒峁β拭芏然蜻m當?shù)慕^對熱能。為了增大導熱性，可構(gòu)想使用附加的可具有相對低的機械剛度的導熱元件或?qū)岵?。如?quán)利要求21所述的多個導熱條確保導熱條的必要的彈性，以使反射鏡本體發(fā)生位移，同時借助于所述多個導熱條可實現(xiàn)良好的散熱。如權(quán)利要求22所述的支承結(jié)構(gòu)的主動冷卻再次改善所述光學模塊的熱平衡。所述主動冷卻可以是例如水冷卻和/或帕耳帖(Peltier)冷卻。如權(quán)利要求23所述的至少0. 5的集成密度確保反射鏡本體之間的中間間隔區(qū)域中較低的照明光損失。如權(quán)利要求M所述的反射鏡本體的矩陣式的也即按行和按列的布置可以非常高的集成密度實現(xiàn)。如果如權(quán)利要求25所述的反射鏡本體是分面反射鏡的分面，則具有帶這種類型的反射鏡本體的光學模塊的曝光光學系統(tǒng)的構(gòu)造是可能的，在所述曝光光學系統(tǒng)中物場被反射鏡本體之一各自完全照明?；蛘?，可以由這種類型的多個個體反射鏡實現(xiàn)分面反射鏡的這種類型的單個分面。這增大所述照明光學系統(tǒng)的靈活性。根據(jù)本發(fā)明第三方面，如權(quán)利要求沈所述的光學模塊導致在一方面良好的可動性與另一方面良好的熱傳導之間的非常好的折中。根據(jù)此第三方面的所述導熱部可構(gòu)造成將反射鏡本體所吸收的至少lkW/m2的熱功率密度散失到支承結(jié)構(gòu)。每個導熱部可具有兩個、三個或其它更大數(shù)量的導熱條。所述導熱部可以是有槽隔板的一部分。相鄰的導熱條可借助于這種類型的隔板中的槽而相互隔開。所述致動器可具有連接到反射鏡本體、且垂直于反射鏡平面和/或垂直于有槽隔板的隔板平面延伸的致動器銷。這種類型的致動器銷的調(diào)節(jié)力可平行于隔板平面延伸。具有所述導熱條的導熱部，特別是當它構(gòu)造成隔板時，可構(gòu)造成使得在這種類型的致動力平行于所述隔板平面而作用時，所
如權(quán)利要求27所述的導熱條布置容許導熱部的設(shè)計成使得對于個體反射鏡的激勵，可確保關(guān)于導熱部的反應力與致動器從外部施加的力具有易控制的力比率。如權(quán)利要求觀所述的中間間隔確保導熱部以及由此反射鏡本體相對于支承結(jié)構(gòu)的可動性。兩個、三或其它更大數(shù)量的導熱條可在內(nèi)連接部與外連接部之間彼此相隨。因此，在這種構(gòu)造中，多個導熱條沿周向方向圍繞內(nèi)連接部彼此相隨。如權(quán)利要求四所述的螺旋形構(gòu)造，例如，每個導熱部可采用兩個至四個這種類型的螺旋形導熱條。每個導熱條可形成在圍繞中心或中心軸線的一個和兩個回轉(zhuǎn)體之間。圍繞所述螺旋形的中心的各導熱條的周向延伸優(yōu)選在360°與之間，特別是在420°的區(qū)域中。作為對螺旋形構(gòu)造的替代，導熱部的徑向內(nèi)連接部和導熱部的徑向外連接部之間的導熱條可構(gòu)造成在平面視圖中呈C形或S形?！奥菪巍薄ⅰ癈形”和“S形”構(gòu)造的組合也可能。如權(quán)利要求30所述的電極布置容許個體反射鏡的靜電致動。如權(quán)利要求31所述的多個對向電極容許在各個體反射鏡的若干傾斜自由度上實現(xiàn)可再現(xiàn)的預定。根據(jù)本發(fā)明第一至第三方面所述光學模塊的上述特征可彼此結(jié)合。本發(fā)明進一步的目的是公開一種用于光學模塊的激勵方法或控制方法，所述光學模塊具有按行和按列布置的個體反射鏡，并具有關(guān)聯(lián)的集成電子位移電路。根據(jù)本發(fā)明，此目的通過具有權(quán)利要求32所公開的特征的方法而實現(xiàn)。所述方法可用于激勵根據(jù)本發(fā)明第一方面的光學模塊。 根據(jù)本發(fā)明的所述激勵方法避免各個體反射鏡透鏡被分開激勵。對總的個體反射鏡列的激勵減小了被傳送用來激勵個體反射鏡的控制字的復雜性。這簡化了控制邏輯。如權(quán)利要求33所述的對多個局部個體反射鏡陣列的激勵增大用于所述光學模塊的激勵靈活性。如權(quán)利要求34所述的對被傳送的控制值的校驗容許對通信或發(fā)生的硬件故障的識別。如權(quán)利要求35所述的反射鏡、如權(quán)利要求36所述的照明光學系統(tǒng)、如權(quán)利要求37 所述的照明系統(tǒng)、如權(quán)利要求38所述的投射曝光系統(tǒng)、如權(quán)利要求39所述的生產(chǎn)方法和如權(quán)利要求40所述的結(jié)構(gòu)化部件的優(yōu)點對應于參考根據(jù)本發(fā)明的光學模塊在上面已描述的那些。當使用帶EUV輻射源且所述輻射源所產(chǎn)生的有用輻射在5nm至30nm范圍內(nèi)的照明系統(tǒng)時，根據(jù)本發(fā)明的光學模塊的優(yōu)點將特別好地表現(xiàn)出來。


下面將借助于附圖更詳細地描述本發(fā)明的實施例，在附圖中圖1示意性地示出一種用于微光刻的在子午面(meridional section)中具有所示照明光學系統(tǒng)的投射曝光系統(tǒng)，和一種投射光學系統(tǒng)；圖2示出常規(guī)照明設(shè)置形式的、投射光學系統(tǒng)的入瞳的照明；圖3示出環(huán)狀也即環(huán)狀照明設(shè)置形式的、投射光學系統(tǒng)的入瞳的照明；圖4示出45°四極照明設(shè)置形式的、投射光學系統(tǒng)的入瞳的照明；圖5示出具有多反射鏡陣列(MMA)的、圖1所示投射曝光系統(tǒng)的照明光學系統(tǒng)的另一種構(gòu)造和由此被照明的光瞳分面反射鏡；圖6示意性地示出具有對應于一種照明設(shè)置的光瞳分面照明的、根據(jù)圖5的光瞳分面反射鏡的平面視圖；圖7示出根據(jù)圖5的照明光學系統(tǒng)，其中多反射鏡陣列與光瞳分面反射鏡之間具有重定位的通道關(guān)聯(lián)；圖8示意性地示出具有對應于環(huán)形照明設(shè)置的光瞳分面照明的、根據(jù)圖7的光瞳分面反射鏡的平面視圖；圖9示出根據(jù)圖5的照明光學系統(tǒng)，其中多反射鏡陣列與光瞳分面反射鏡之間具有重定位的通道關(guān)聯(lián)；圖10示意性地示出具有對應于偶極子照明設(shè)置的光瞳分面照明的、根據(jù)圖9的光瞳分面反射鏡的平面視圖；圖11示意性地示出根據(jù)圖1的照明光學系統(tǒng)的分面反射鏡之一的個體反射鏡的構(gòu)造，并且以剖面?zhèn)纫晥D示出根據(jù)圖6的多反射鏡陣列的個體反射鏡；圖12示出根據(jù)圖11的反射鏡布置在具有永磁體的致動器銷的自由端區(qū)域中的細節(jié)放大透視圖；圖13示出根據(jù)圖11和圖12的個體反射鏡的安裝實施例；圖14以類似于圖11的視圖，在剖面?zhèn)纫晥D中示意性地示出根據(jù)圖1的照明光學系統(tǒng)的分面反射鏡之一的另一種構(gòu)造的兩個相鄰的個體反射鏡或根據(jù)圖6的多反射鏡陣列，圖14左側(cè)所示個體反射鏡示出處于非傾斜的中立位置，圖14右側(cè)所示個體反射鏡示出處于被致動器傾斜的位置；圖15示出沿圖14中的線XV-XV取得的截面；圖16示意性地示出產(chǎn)生致動器的對向電極用于使根據(jù)圖14和圖15的構(gòu)造中的個體反射鏡的反射鏡本體發(fā)生位移的方法序列的方法步驟；圖17示意性地示出用于在根據(jù)圖14和圖15的構(gòu)造的個體反射鏡中集成具有低粗糙度反射鏡面的反射鏡本體的方法的方法序列；圖18以類似于圖15的視圖局部示出根據(jù)圖14和圖15的個體反射鏡的構(gòu)造的導熱部；圖19以類似于圖18的視圖示出在導熱部之內(nèi)的導熱條的另一構(gòu)造；圖20以類似于圖18的視圖示出在導熱部之內(nèi)的導熱條的另一構(gòu)造；圖21以類似于圖18的視圖示出在導熱部之內(nèi)的導熱條的另一構(gòu)造；圖22以類似于圖14的視圖示出個體反射鏡在分隔件和致動器銷以及在位于它們之間的導熱部的區(qū)域中的另一構(gòu)造的細節(jié)放大圖；圖23以類似于圖22的視圖示出分隔件與致動器銷和導熱部的連接的另一構(gòu)造；圖M示意性地示出垂直于個體反射鏡的反射面穿過光學模塊的實施例的橫截面；除示意性地示出帶個體反射鏡陣列布置的反射鏡板以外，還示出用以激勵個體反射鏡的致動器的激勵電路板；圖25以類似于圖14的視圖示出光學模塊的彼此相鄰的多個個體反射鏡的另一構(gòu)造，而布置在個體反射鏡的相反于反射面的一側(cè)的激勵電路板示意性地示出在個體反射鏡的支承結(jié)構(gòu)的下方；
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圖沈示出用以配置構(gòu)造成個體反射鏡之一的洛倫茲致動器的致動器的導體通路的平面視圖，所述導體通路被應用于具有總計四個個體線圈的線圈板形式的激勵電路板， 所述四個線圈板被按對激勵；圖27示意性地示出集成電子位移電路(ASIC)與作為個體反射鏡陣列的待激勵個體反射鏡列的一部分的四個關(guān)聯(lián)的線圈板的互連；圖28和圖四分別在平面視圖中示意性地示出線圈板的兩種構(gòu)造；圖30示出根據(jù)圖28或圖四的線圈板的側(cè)視圖；圖31在平面視圖中示出根據(jù)圖觀的四個線圈板的布置，所述四個線圈板與集成電子位移電路(ASIC)之一相關(guān)聯(lián)；圖32示出垂直于板平面穿過線圈板之一的截面，其中示出具有堆疊結(jié)構(gòu)的線圈板的一種構(gòu)造；圖33示出集成電子位移電路(ASIC)的功能電路圖；圖34以類似于圖31的視圖，在激勵電路板的平面視圖中示出安裝有集成電子位移電路(ASIC)的線圈板組；圖35示出用于所述光學模塊的局部個體反射鏡陣列的激勵電路板的平面視圖， 所述激勵電路板具有密集填裝的線圈板組和關(guān)聯(lián)的集成電子位移電路(ASIC)；圖36放大且不成比例地示出沿圖35中線XXXVI-XXXVI取得的截面；圖37示意性地示出用于光學模塊的多個局部個體反射鏡陣列的激勵方案；和圖38示意性地示出經(jīng)過根據(jù)圖35的激勵電路板的數(shù)據(jù)流。
具體實施例方式圖1在子午面中示意性地示出用于微光刻的投射曝光系統(tǒng)1。投射曝光系統(tǒng)1的照明系統(tǒng)2，除輻射源3之外，具有用以曝光物平面6中的物場5的照明光學系統(tǒng)4。物場 5可設(shè)計成x/y方向比值例如為13/1的弓形或矩形形式。這里被曝光的是反射式掩模母版，圖1中未示出，該反射式掩模母版布置在物場5中并且承載著一種結(jié)構(gòu)，所述結(jié)構(gòu)將要被投射曝光系統(tǒng)1投射以生產(chǎn)微結(jié)構(gòu)的或納米結(jié)構(gòu)的半導體部件。投射光學系統(tǒng)7用于將物場5成像在像平面9中的像場8中。該掩模母版上的結(jié)構(gòu)成像在晶片的光敏層上，所述晶片布置在像平面9中的像場8的區(qū)域中，而在附圖中未示出。由掩模母版保持器保持而未示出的所述掩模母版，和由晶片保持器保持而未示出的所述晶片，在投射曝光系統(tǒng)1的工作過程中沿y方向被同步掃描。根據(jù)投射光學系統(tǒng)7 的成像比例，也可相對于所述晶片沿相反方向?qū)ρ谀Ｄ赴鎸嵤呙?。輻射?是發(fā)射的有用輻射在5nm和30nm之間范圍內(nèi)的EUV輻射源。這可以是等離子體源，例如氣體放電產(chǎn)生的等離子體(Gas Discharged Produced Plasma,⑶PP)源或激光產(chǎn)生的等離子體(Laser Produced Plasma, LPP)源。其它的EUV輻射源，例如那些基于同步加速器或基于自由電子激光(free electron laser, FEL)的，也是可能的。從輻射源3發(fā)射的EUV輻射10，由集光器11收集成束。一種對應的集光器例如由 EP 1 225 48 IA已知。在集光器11之后，EUV輻射10在照射在場分面反射鏡13上之前傳播經(jīng)過一中間焦平面12。場分面反射鏡13布置在照明光學系統(tǒng)4的與物平面6光學共軛的平面中。
EUV輻射10在下文中也將被稱為有用輻射、照明光或成像光。在場分面反射鏡13之后，EUV輻射10被光瞳分面反射鏡14反射。光瞳分面反射鏡14位于照明光學系統(tǒng)7的入瞳平面中或者位于與所述入瞳平面光學共軛的平面中。場分面反射鏡13和光瞳分面反射鏡14由多個個體反射鏡構(gòu)成，所述個體反射鏡將在下文中更詳細地描述。在此情形下，場分面反射鏡13可以如下方式被劃分成個體反射鏡，即使得獨立地照明整個物場5的每個場分面由個體反射鏡中的恰好一個表示?；蛘?，可以通過這種類型的多個個體反射鏡構(gòu)成場分面的至少一些或全部。這同樣適用于與場分面分別關(guān)聯(lián)的光瞳分面反射鏡14的光瞳分面的構(gòu)造，其中所述場分面可分別由單個個體反射鏡或由這種類型的多個個體反射鏡形成。EUV輻射10以小于或等于25°的入射角度照射在兩個分面反射鏡13、14上。因此，所述兩個分面反射鏡在法向入射工作區(qū)域中被EUV輻射10照射。掠入射(Grazing incidence)照射也是可能的。光瞳分面反射鏡14布置在照明光學系統(tǒng)4的一平面中，該平面是投射光學系統(tǒng)7的光瞳平面或者與投射光學系統(tǒng)7的光瞳平面光學共軛。借助于光瞳分面反射鏡14和成像光學模塊，其中所述成像光學模塊為具有按照EUV輻射10的光束路徑順序而標稱的反射鏡16、17和18的透射光學系統(tǒng)15的形式，場分面反射鏡13的場分面彼此重疊地成像在物場5中。透射光學系統(tǒng)15的最終反射鏡18是掠入射反射鏡。透射光學系統(tǒng)15，與光瞳分面反射鏡14 一起，也稱為后繼光學系統(tǒng)，用于將EUV輻射10從場分面反射鏡13傳遞到物場5。照明光10從輻射源3經(jīng)由多個照明通道而引導到物場5。與這些照明通道的每一個相關(guān)聯(lián)的是場分面反射鏡13的場分面和布置在場分面反射鏡13的下游的光瞳分面反射鏡14的光瞳分面。場分面反射鏡13的個體反射鏡和光瞳分面反射鏡 14的個體反射鏡可在致動器的作用下傾斜，因此能改變光瞳分面與場分面的關(guān)聯(lián)，以及相應地改變照明通道的構(gòu)造。不同的照明設(shè)置導致物場5上方照明光10的照明角度的分布不同。為了幫助說明位置關(guān)系，除其它事物之外，下文將采用全局笛卡爾xyz坐標系統(tǒng)。 X軸線在圖1中垂直于附圖的平面向觀察者延伸。y軸線在圖1中向右伸展。Z軸線在圖1 中向上伸展。局部笛卡爾xyz坐標系統(tǒng)在以下附圖的所選擇的圖中繪出，χ軸線平行于如圖1的 χ軸線伸展，y軸線與此χ軸線張成對應的光學元件的光學面。圖2示出第一種照明設(shè)置，該第一種照明設(shè)置能利用根據(jù)圖1的照明光學系統(tǒng)4 實現(xiàn)，并且該第一種照明設(shè)置被稱為常規(guī)照明設(shè)置或小型常規(guī)照明設(shè)置。照明光10在投射光學系統(tǒng)7的入瞳中的強度分布被示出。該入瞳最大可被照明達到圓形光瞳邊緣20。在該常規(guī)照明設(shè)置中，在光瞳邊緣20以內(nèi)，與光瞳邊緣20同心的圓形光瞳區(qū)域21 被照明。該常規(guī)光瞳照明區(qū)域的外半徑Sout相對于光瞳邊緣20的半徑Smax表現(xiàn)如下 Sout/Smax = 0. 8。圖3示出在另一種照明設(shè)置中的照明情況，該照明設(shè)置可利用根據(jù)圖1的照明光學系統(tǒng)4進行調(diào)節(jié)，并且該照明設(shè)置被稱為環(huán)形照明設(shè)置。這里，環(huán)狀光瞳區(qū)域22被照明。 這里，光瞳區(qū)域22的外半徑Sout與根據(jù)圖2的常規(guī)照明環(huán)中的光瞳區(qū)域21的外半徑一樣大。在環(huán)形光瞳區(qū)域22中，內(nèi)半徑Sin相對于光瞳邊緣20的半徑表現(xiàn)如下Sin/Smax = 0. 6。
圖4示出另一種照明設(shè)置，該照明設(shè)置可利用根據(jù)圖1的照明光學系統(tǒng)4進行調(diào)節(jié)，并且該照明設(shè)置被稱為45°四極或45°類星狀(類星狀)照明設(shè)置。在投射光學系統(tǒng) 7的入瞳中被照明的是在光瞳邊緣20之內(nèi)的四個環(huán)扇狀光瞳區(qū)域23，所述四個環(huán)扇狀光瞳區(qū)域23布置在入瞳的四個象限中。在本例中，每個光瞳區(qū)域23圍繞光瞳邊緣20的中心越過45°的周向角。該類星狀光瞳區(qū)域23朝向光瞳邊緣20的中心受到內(nèi)半徑Sin的限制， 所述內(nèi)半徑Sin對應于根據(jù)圖3的環(huán)形光瞳區(qū)域22的內(nèi)半徑。類星狀光瞳區(qū)域23向外受到光瞳邊緣20的限制。根據(jù)圖2至圖4的各種照明設(shè)置和預定的其它照明設(shè)置可借助于場分面反射鏡13 的個體反射鏡的對應傾斜和場分面反射鏡13的這些個體反射鏡與光瞳分面反射鏡14的個體反射鏡的關(guān)聯(lián)的對應變化而實現(xiàn)。根據(jù)場分面反射鏡13的個體反射鏡的傾斜，與這些個體反射鏡新近關(guān)聯(lián)的光瞳分面反射鏡14的個體反射鏡通過傾斜重新定位，使得從而確保物場5中的場分面反射鏡13的場分面的成像。圖5示出用于投射曝光系統(tǒng)1的照明光學系統(tǒng)M的替代構(gòu)造。與以上參考圖1 至圖4已描述的那些相對應的部件具有相同的附圖標記并且不再詳細討論。從也可構(gòu)造成LPP源的輻射源3發(fā)射的有用輻射10首先由第一集光器25收集。 集光器25可以是拋物形(parabolic)反射鏡，該拋物形反射鏡將輻射源3成像在中間焦平面12中或者將輻射源3的光聚焦在中間焦平面12中的中間焦點上。集光器25可以以下述方式工作，即有用輻射10以接近于0°的入射角度照射于其上。集光器25于是在接近于法線入射的情況下工作，因此也稱為法線入射(normal incidence, Ni)反射鏡。也可以使用在掠入射下工作的集光器，以替代集光器25。在照明光學系統(tǒng)M中，在中間焦平面12的下游布置呈多反射鏡或微反射鏡陣列 (MMA)形式的場分面反射鏡沈，其作為用于引導有用輻射10也即EUV輻射束的光學模塊的示例。場分面反射鏡26構(gòu)造成微機電系統(tǒng)(MEMS)。它具有以矩陣式方式按行和按列布置成陣列的多個個體反射鏡27。個體反射鏡27能通過致動器被傾斜，如下文將更詳細地說明。大體上，場分面反射鏡沈具有大約100，000個個體反射鏡27。根據(jù)個體反射鏡27的尺寸，場分面反射鏡26也可具有例如1，000,5, 000,7, 000或幾十萬個例如500，000個個體反射鏡27。光譜過濾器可布置在場分面反射鏡沈的前方，并且將有用輻射10與輻射源3發(fā)射的其它不能用于投射曝光的波長成分分開。該光譜過濾器未示出。場分面反射鏡沈受840W功率和6. 5kff/m2功率密度的有用輻射10照射。分面反射鏡沈的全部的個體反射鏡陣列具有500mm的直徑并且密集地裝有個體反射鏡27。只要場分面由恰好一個個體反射鏡實現(xiàn)，個體反射鏡27除去比例因素外總是表示出物場5的形式。分面反射鏡沈可由表示場分面的500個個體反射鏡形成，個體反射鏡分別具有大約沿y方向5mm和沿χ方向IOOmm的尺寸。作為通過恰好一個個體反射鏡27 實現(xiàn)每個場分面的替代，每個場分面可由成組的較小的個體反射鏡27來近似。一個具有沿 y方向5mm且沿χ方向IOOmm尺寸的場分面可以例如借助于5mm χ 5mm尺寸的個體反射鏡 27的1 χ 20陣列直到0. 5mm χ 0. 5mm尺寸的個體反射鏡27的10 χ 200陣列來構(gòu)造。個體反射鏡27對整個場分面陣列的表面覆蓋可為70%至80%。有用光10從分面反射鏡沈的個體反射鏡27被反射到光瞳分面反射鏡28。該光瞳分面反射鏡觀具有大約2，000個靜態(tài)的光瞳分面四。這些光瞳分面四彼此相鄰布置成多個同心環(huán)，因此，最內(nèi)環(huán)的光瞳分面四設(shè)計成扇狀(sector-like)，并且與最內(nèi)環(huán)緊接相鄰的環(huán)的光瞳分面四設(shè)計成環(huán)扇狀(ring sector-like)。在每個環(huán)中，12個光瞳分面四可彼此相鄰地存在于光瞳分面反射鏡觀的一個象限內(nèi)。圖6所示的每個環(huán)扇相應地由多個個體反射鏡27形成。有用光10被光瞳分面四反射到布置在物平面6中的反射式掩模母版30。投射光學系統(tǒng)7則跟隨其后，如以上結(jié)合根據(jù)圖1的投射曝光系統(tǒng)所說明的。透射光學系統(tǒng)可相應地設(shè)置在分面反射鏡觀與掩模母版30之間，如以上結(jié)合根據(jù)圖1的照明光學系統(tǒng)4所說明的。圖6以示例方式示出光瞳分面反射鏡觀的光瞳分面四的照明，利用該照明可近似實現(xiàn)根據(jù)圖2的常規(guī)照明設(shè)置。在光瞳分面反射鏡觀的兩個內(nèi)光瞳分面環(huán)中，沿周向方向光瞳分面四每隔一個被照明。圖6中這種交替的照明視圖用于表征(symbolise)在這種照明設(shè)置中所實現(xiàn)的填充密度相比環(huán)形照明設(shè)置中的填充密度以因子2被減小。在兩個內(nèi)光瞳分面環(huán)中也以均勻照明分布為目標，但具有以因子2被減小的占位密度。圖6中示出的兩個外光瞳分面環(huán)未被照明。圖7示意性地示出照明光學系統(tǒng)M中如果在該處調(diào)節(jié)得到環(huán)形照明設(shè)置的情況。 場分面反射鏡26的個體反射鏡27借助于下文將說明的致動器通過所述致動器被傾斜，從而，在光瞳分面反射鏡觀上，環(huán)扇狀光瞳分面四的外環(huán)被有用光10照明。光瞳分面反射鏡觀的這種照明在圖8中示出。用于產(chǎn)生這種照明的這些個體反射鏡27的傾斜在圖7中以示例的方式利用個體反射鏡27作為示例來表示。圖9示意性地示出在照明光學系統(tǒng)M中如果在該處調(diào)節(jié)得到偶極子設(shè)置的情況。圖10示出屬于這種偶極子照明設(shè)置的光瞳分面反射鏡觀的照明。在光瞳分面反射鏡觀的第一與第四象限之間的過渡處和在第二與第三象限之間的過渡處的兩個環(huán)扇部被照明。在此情況中，三個最外側(cè)光瞳分面環(huán)的光瞳分面四在此在兩個相連的、分別圍繞光瞳分面反射鏡觀的中心3 大約55°的周向范圍的環(huán)扇區(qū)域31中被照明。光瞳分面反射鏡觀的這種偶極子照明，相應地通過場分面反射鏡沈的個體反射鏡27的致動器的對應傾斜而實現(xiàn)，如圖9中以示例的方式利用個體反射鏡27作為示例所表示的。為了調(diào)節(jié)根據(jù)圖5、圖7和圖9的照明設(shè)置，要求士 50mrad范圍內(nèi)的個體反射鏡 27的傾斜角度。用于待調(diào)節(jié)的照明設(shè)置的各傾斜位置需要維持0. 2mrad的精確度。場分面反射鏡沈的個體反射鏡27，或根據(jù)圖1的照明光學系統(tǒng)4的實施例中場分面反射鏡13的對應構(gòu)造的個體反射鏡和光瞳分面反射鏡14的對應構(gòu)造的個體反射鏡，具有用以優(yōu)化它們在有用輻射10的波長下的反射率的多層涂層。在投射曝光系統(tǒng)1的工作過程中所述多層涂層的溫度不應超過42漲。這通過個體反射鏡的結(jié)構(gòu)實現(xiàn)，所述的個體反射鏡結(jié)構(gòu)(參考圖11)將在下文中借助于場分面反射鏡26的個體反射鏡27之一以示例的方式描述。照明光學系統(tǒng)4或M的個體反射鏡27容納在能被抽空的腔室32中，所述腔室32 的一個限制壁33表示在圖5和圖11中。腔室32經(jīng)由流體管路33a與真空泵33c連通，在所述流體管路33a中裝有止回閥33b。能被抽空的腔室32中的工作壓力是幾Pa(分壓力H2)。所有其它的分壓力明顯低于1 χ ΙΟ'7 mbar。具有多個個體反射鏡27的反射鏡，與能被抽空的腔室32 —起，形成用于引導EUV 輻射10束的光學模塊。個體反射鏡27可以是分面反射鏡13、14或沈、觀之一的一部分。每個個體反射鏡可具有能被照射的、0. 5mm χ 0. 5mm或5mm χ 5mm及更大尺寸的反射面34。反射面34是個體反射鏡27的反射鏡本體35的一部分。反射鏡本體35載有多層涂層。個體反射鏡27的反射面34彼此互補以形成場分面反射鏡沈的總體反射鏡反射面。相應地，反射面34也可彼此互補以形成場分面反射鏡13的總體反射鏡反射面或光瞳分面反射鏡14的總體反射鏡反射面。個體反射鏡27的基板或支承結(jié)構(gòu)36通過導熱部37機械連接至反射鏡本體35 (參考圖11)。導熱部37的一部分是聯(lián)接體38，該聯(lián)接體38容許反射鏡本體35相對于支承結(jié)構(gòu)36的傾斜。聯(lián)接體38可構(gòu)造成實體聯(lián)接，該實體聯(lián)接容許反射鏡本體35圍繞所限定的傾斜自由度的傾斜，例如圍繞一個或圍繞兩個傾斜軸線。聯(lián)接體38具有固定到支承結(jié)構(gòu)36 的外保持環(huán)39。此外，聯(lián)接體38具有以關(guān)節(jié)聯(lián)結(jié)方式連接到保持環(huán)39的內(nèi)保持體40。所述保持體居中地布置在反射面34下方。分隔件41布置在中央保持體40與反射鏡本體35 之間。存積在反射鏡本體35中的熱，也即具體為有用輻射10照射在個體反射鏡27上、 被反射鏡本體35所吸收的部分，通過導熱部37，也就是通過分隔件41、中央保持體40和聯(lián)接體38，以及通過保持器39散失到支承結(jié)構(gòu)36。借助于導熱部37，能將10kW/m2的熱功率密度或至少160mW的熱能散失到支承結(jié)構(gòu)36。導熱部37或者構(gòu)造成將至少lkW/m2的熱功率密度或反射鏡本體35所吸收的至少50mW的能量散失到支承結(jié)構(gòu)36。除了所吸收的輻射源3的發(fā)射能量之外，所吸收的能量例如也可以是吸收的電能。支承結(jié)構(gòu)36具有冷卻通道 42，主動冷卻流體被引導通過所述冷卻通道42。在保持體40上，以較小外直徑伸展分隔件41的致動器銷43安裝在所述保持體的遠離分隔件41的一側(cè)。致動器銷43的一個自由端載有永磁體44。永磁體44的北極和南極布置成沿致動器銷43彼此相鄰，從而產(chǎn)生一系列磁場線45，如圖11所示。支承結(jié)構(gòu)36 構(gòu)造成包圍致動器銷43的套筒。支承結(jié)構(gòu)36可以是例如硅晶片，呈圖11所示個體反射鏡 27方式的個體反射鏡27的整個陣列布置在支承結(jié)構(gòu)36上。冷卻板46布置在支承結(jié)構(gòu)36和致動器銷43的遠離反射鏡本體35的一側(cè)。冷卻板46可連續(xù)地設(shè)置用于場分面反射鏡沈的全部個體反射鏡27。在冷卻板46中進一步布置冷卻通道42，冷卻液體受主動引導經(jīng)過該冷卻通道42。支承結(jié)構(gòu)36和冷卻板46確保個體反射鏡27的載熱部件的補充的輻射冷卻，特別是用于致動器銷43的輻射冷卻。導體通路48印制在冷卻板46的面向致動器銷43的表面47上。冷卻板46用作印上導體通路48的基體。流經(jīng)導體通路48的電流將洛倫茲(Lorentz)力49傳送到永磁體44，為此在圖11中以示例方式表明力的方向。因此，通過流經(jīng)導體通路48的相應電流， 能使致動器銷43偏轉(zhuǎn)，并且相應地使反射鏡本體35傾斜。個體反射鏡27因此具有以電磁方式操作的致動器形式的致動器50，特別是洛倫茲致動器形式的致動器。洛倫茲致動器從例如US 7，145, 269 B2基本上已知。這種類型的
15洛倫茲致動器能作為微機電系統(tǒng)(MEMQ以批處理生產(chǎn)。使用這種類型的洛倫茲致動器，能實現(xiàn)20kPa的力密度。所述力密度定義為致動器力與致動器的用以施加致動器力的面之比。致動器銷43的橫截面可用作待觀察的致動器本身的、用以施加致動器力的側(cè)面的量度 (measurement)。作為洛倫茲致動器構(gòu)造的替代，個體反射鏡27也可例如以W02007/134574A的方式構(gòu)造成磁阻致動器，或構(gòu)造成壓電致動器。利用磁阻致動器能實現(xiàn)50kPa的力密度。依據(jù)構(gòu)造，可利用壓電致動器實現(xiàn)50kPa至IMpa的力密度。印制成彼此相鄰的三組形式的導體通路48示出在根據(jù)圖11的構(gòu)造中。或者，可以在冷卻板46上彼此疊置地印制多層彼此絕緣的導體通路，就表面47上個體導體的方向和/或?qū)w通路的橫截面而言，所述導體通路是不同的。根據(jù)經(jīng)過這些彼此疊置的導體通路之一的電流，通過洛倫茲力49可產(chǎn)生不同的偏轉(zhuǎn)方向。圖12示出導體通路48的彼此疊置的層51至M的這種類型的布置。最上面的導體通路層51被設(shè)計用于負χ方向的電流。因此，層51的個體導體通路48沿χ方向伸展。 未詳細示出的位于層51之下的導體通路層52至M的導體通路，例如沿對分χ軸線和y軸線所跨越的象限的角度、以相對于該對分角度的90°角、和沿y方向伸展。由于經(jīng)過以層 52至M的這種方式定向的導體通路的相應電流的緣故，分別產(chǎn)生洛倫茲力49的不同方向， 并從而產(chǎn)生永磁體44和與之連接而圖12中未示出的致動器銷43的不同偏轉(zhuǎn)。永磁體44 是圖12中未示出的致動器銷43的一部分，從而也是致動器50的杠桿臂(lever arm)的一部分。圖13示出在保持環(huán)39與中央保持體40之間的聯(lián)接體的變型38’。聯(lián)接體38具有多個相鄰的實體聯(lián)接陽，所述實體聯(lián)接陽用作導熱條并且具有足夠小的條形橫截面以使它們是彈性和柔性的。彼此直接相鄰的實體聯(lián)接陽被相互分開從而將保持環(huán)39連接到中央保持體40。在實體聯(lián)接55到外保持環(huán)39的過渡區(qū)域中，實體聯(lián)接55近似切線地延伸。在實體聯(lián)接55到中央保持體40的過渡區(qū)域中，實體聯(lián)接55近似徑向地延伸。實體聯(lián)接55在保持環(huán)39與中央保持體40之間具有彎曲形跡。由于實體聯(lián)接55的這種形跡，由這些實體聯(lián)接55所形成的聯(lián)接體38產(chǎn)生關(guān)于反力的特征剛度，聯(lián)接體38利用該特征剛度來對抗施加在致動器銷43上的致動器力。作為對圖13所示實體聯(lián)接55的彎曲形跡的替代，它們也可以被不同地形成以及/ 或者具有不同的形跡，這取決于在保持環(huán)39的平面和垂直于保持環(huán)39的平面中對于聯(lián)接體38的剛度，有什么樣的剛度要求。實體聯(lián)接55總體產(chǎn)生構(gòu)造成為有槽隔板的實體聯(lián)接裝置。由于隔板的所示條形結(jié)構(gòu)的緣故，實現(xiàn)了沿致動方向的顯著改善的機械彈性而不導熱性的較大喪失，特別是在可被散失的熱功率密度方面。所述改善的機械彈性導致中央保持體40所需的致動力的減小，并因此導致與中央保持體40連接的個體反射鏡所需的致動力的減小。反射鏡本體35的反射面34的總和大于場分面反射鏡沈的總反射面所占據(jù)的總面(overall face)的0. 5倍。所述總面在此情形中定義為反射面34加上反射面34之間的中間間隔所占據(jù)的表面的總和。一方面，反射鏡本體的反射面與此總面之比也稱為集成密度。該集成密度也可以大于0.6和大于0.7。借助于投射曝光系統(tǒng)1，掩模母版30的至少一部分成像在用于微結(jié)構(gòu)的或納米結(jié)構(gòu)的部件特別是半導體部件例如微芯片的光刻生產(chǎn)的晶片上的光敏層區(qū)域上。根據(jù)投射曝光系統(tǒng)1的構(gòu)造，作為掃描器或作為步進器，掩模母版30和晶片以時間同步方式沿y方向在掃描器操作中連續(xù)地發(fā)生位移或在步進器操作中步進式地發(fā)生位移。根據(jù)圖11的光學模塊在超高真空中工作。在典型的利用EUV輻射10對反射面34 的照射中，反射鏡本體35具有最大42 的溫度?？缭椒指艏?1，至保持體40以及至保持環(huán)39此溫度下降100K。在保持環(huán)39與支承結(jié)構(gòu)36中的冷卻通道42之間，有進一步的30K 的溫度下降。直到導體通路48，所述光學模塊于是大致具有室溫。在冷卻板46中有大約300K的溫度。電磁操作的致動器50的阻尼可通過表現(xiàn)為繞組的導體通路48中的自感應阻尼或渦流阻尼來實現(xiàn)。通過導體通路48實現(xiàn)的自感應阻尼假定存在用于導體通路48的、具有非常低的歐姆電阻的電流或電壓源，從而如果導體通路48沒有電流或電壓，則導體通路48 被所述源大致短路，因此可利用相對于導體通路48 (參考圖11)運動的永磁體44在導體通路48中感應出阻尼電流。用于構(gòu)造成繞組的導體通路48的供電線和消去線(removal line)可以以逆平行方式引導，使得一方面到構(gòu)造成繞組的各導體通路48的供電配線，和另一方面來自構(gòu)造成繞組的導體通路的消去線，被引導成彼此相鄰地平行伸展。這導致的一個事實是，提供電流和消去電流的磁場彼此消除，使得相鄰的導體通路48之間沒有饋通。用于構(gòu)造成繞組的導體通路48的供電線或消去線可彼此疊置地布置在不同層中或彼此相鄰地布置在一層內(nèi)。下面將結(jié)合圖14和圖15描述個體反射鏡的另外的構(gòu)造，并且將在下面借助于場分面反射鏡26的兩個個體反射鏡27以示例的方式說明該構(gòu)造。與參考圖1至圖13特別是參考圖11和12已說明的那些部件相對應的部件，具有相同的附圖標記并且不再詳細討論。根據(jù)圖14和圖15的個體反射鏡27的構(gòu)造與根據(jù)圖11至圖13的構(gòu)造的不同首先在于導熱部37的設(shè)計。在根據(jù)圖14和圖15的構(gòu)造中，由總計三個螺旋形的導熱條56、 57和58構(gòu)成并且是有槽隔板。圖15的截面視圖顯示以彼此嵌合的三個螺旋形彈簧的方式布置的導熱條56至58的更詳細的結(jié)構(gòu)。導熱條56至58圍繞個體反射鏡27的中心59被徑向地引導。相對于導熱部37的徑向內(nèi)連接部60的中心59，根據(jù)圖14和15，布置有各導熱條56、57、58與反射鏡本體35的連接過渡56i、57i、58i。導熱部37的徑向內(nèi)連接部60 同時是保持體40。各導熱條56至58借助于連接過渡56i、57i和58i、中央保持體40和分隔件41而連接到反射鏡本體35。在徑向外連接部61上布置的是各導熱條56、57、58與支承結(jié)構(gòu)36的連接過渡 56a、57a、58a。導熱條56至58借助于連接過渡56a、57a和58a、外連接部61、和支承結(jié)構(gòu) 36的套筒而連接到支承結(jié)構(gòu)36，其中外連接部61同時是保持環(huán)39。導熱條56至58彼此分開中間間隔地延伸。每個導熱條56至58，獨立于其它導熱條，將反射鏡本體35連接到支承結(jié)構(gòu)36。支承結(jié)構(gòu)36，如圖15所示，可以被限制為外部呈矩形形式。導熱條56至58布置成使得它們在內(nèi)連接部60與外連接部61之間的半徑上彼此相隨，中間間隔分別存在于相鄰的導熱條56至58之間?？偣踩齻€電極62、63、64集成在支承結(jié)構(gòu)36的套筒中，所述三個電極62、63、64布置成彼此電絕緣且分別圍繞中心59沿周向方向延伸過正好120°。電極62至64是通往致動器銷43的對向電極，致動器銷43在根據(jù)圖14和圖15的構(gòu)造的情況中形成為電極銷。 致動器銷43可構(gòu)造成中空的柱體。在個體反射鏡27的另一實施例中，也可有四個或更多個電極，而不是三個電極62至64。在圖14的右邊，根據(jù)圖14和圖15的構(gòu)造中的個體反射鏡27被示出處于傾斜位置，其中，對向電極64連接到相對于致動器銷43的負電位V-的正電位V+。由于此電位差 V+/V-而產(chǎn)生力Fe，該力!^e將致動器銷43的自由端拉向?qū)ο螂姌O64，這導致個體反射鏡27 的對應傾斜。在此情形中由三個導熱條56、57、58構(gòu)成的彈性隔板安裝確保個體反射鏡27 的彈性且受控的傾斜。另外，這種彈性隔板安裝確保個體反射鏡27相對于在彈性隔板安裝的隔板平面中的平移運動的高剛度，這也稱為高面內(nèi)剛度。相對于隔板平面中的平移運動的這種高度剛性完全地或大致地抑制了致動器銷43也即電極銷沿電極62至64方向的不期望的平移運動。以此方式，避免了致動器銷43以及反射鏡本體35的可能傾斜角度范圍的不期望的減小。導熱條56圍繞中心59沿周向方向伸展，在圖15中布置在相對于中心59在三點鐘位置的外連接部56a與圖15中布置在近似五點鐘位置的內(nèi)連接部56i之間經(jīng)過大約 420°。導熱條57在外連接過渡57a與內(nèi)連接過渡57i之間在圖15中七點鐘位置與九點鐘位置之間也沿周向方向沿順時針方向伸展經(jīng)過大約420°。導熱條58在外連接過渡58a 與內(nèi)連接過渡58i之間在圖15中十一點鐘位置與一點鐘位置之間也沿周向方向延伸經(jīng)過大約420°。依據(jù)對向電極62至64的相對電位相對于致動器銷43的電極的電位是如何選擇的，根據(jù)圖14和圖15的構(gòu)造的個體反射鏡27可以預定的傾斜角度傾斜。在此情形中，不僅對應于致動器銷43精確地向三個對向電極62至64之一傾斜的傾斜角度是可能的，而且， 依據(jù)對向電極62至64的預定的電位組合，任何其它所期望的傾斜角度方向也是可能的。分隔件41、致動器銷43和帶導熱條56至58的導熱部37、內(nèi)連接部60和外連接部61，與反射鏡本體35 —起，由單晶硅產(chǎn)生。或者，包括連接部60至61的導熱條56至58 也可借助于微細加工由多晶金剛石制成。也可以選擇具有橢圓形橫截面的致動器銷，代替具有圓形橫截面的致動器銷43。 所述橫截面的橢圓的兩個半軸選擇成使得致動器銷的電極與對向電極62至64之間沿第一軸線的間隔小于沿垂直于第一軸線的第二軸線的間隔，其中沿第一軸線期望較大的傾斜角度范圍，而沿第二軸線期望較小的傾斜角度范圍。所述較大的傾斜角度范圍可以是 lOOmrad，而較小的傾斜角度范圍可以是50mrad?，F(xiàn)在將借助于圖16描述用于產(chǎn)生對向電極62至64的方法。在預備步驟65中，設(shè)置起始基板。該起始基板是單晶硅晶片，該晶片的厚度優(yōu)選在300μπι和750μπι之間。該硅晶片的厚度也可低于或高于此范圍。下文中，在起始基板上稍后應用導熱部37的一側(cè)將稱為起始基板的正面66。對向電極62至64由起始基板的相反于正面66的基板背面67構(gòu)成。 在蝕刻步驟68中，基礎(chǔ)結(jié)構(gòu)從基板背面67被蝕刻到起始基板中，也即被蝕刻到產(chǎn)生以后的支承結(jié)構(gòu)36的未經(jīng)最后加工的載體基板中。根據(jù)圖11至圖15所示的構(gòu)造，這可以是環(huán)狀的或套筒形狀的支承結(jié)構(gòu)36。在蝕刻步驟68中所蝕刻的支承結(jié)構(gòu)36在對向電
18極62至64之間的分開點中斷。蝕刻步驟68借助于標準方法例如光刻和硅深度蝕刻實施。 利用蝕刻步驟68，對向電極62至64的形狀被確定，并且以澆鑄模板(casting form)的方式被反向蝕刻(negative etched)，所述澆鑄模板用于后面將設(shè)置的對向電極62至64。蝕刻深度69確定對向電極62至64的高度。此蝕刻深度可以小于起始基板的厚度。在未示出的一種構(gòu)造中，蝕刻深度也可以是與起始基板的厚度相同的尺寸。在施加步驟70中，介電層這時被施加到起始基板的在蝕刻步驟68中已被蝕刻形成的鑄模71中，用于后面的對向電極62至64的電絕緣。該介電層可以是二氧化硅。所述施加可借助于標準方法例如熱氧化作用或化學氣相沉積(Chemical Vapour Deposition, CVD)實施。該介電層的厚度是幾微米。該介電層可構(gòu)造成摻雜的氧化硅層，由此可為對向電極62至64的稍后摻雜做準備。在填充步驟72中，襯有介電層的鑄模71以多晶硅進行填充。這里可采用低壓化學氣相沉積(Low Pressure CVD, LPCVD)方法。所述多晶硅是摻雜的且導電的。多晶硅的摻雜能借助于擴散直接在涂敷過程中實施或隨后實施。在拋光步驟73中，過量的多晶硅被拋光除去，此拋光步驟73可通過化學機械拋光 (Chemical Mechanical Polishing,CMP)方法實現(xiàn)，所述過量的多晶硅在填充步驟72中已生長在鑄造基板上在鑄模71外部。在構(gòu)建步驟74中，導熱部37這時在起始基板的正面66上被施加到起始基板。這可借助于薄層方法實現(xiàn)。如上所述，在根據(jù)圖14和圖1的構(gòu)造中，導熱部37將致動器銷43 也即中央電極連接到支承結(jié)構(gòu)36。多晶金剛石層可用作所述薄層。所述多晶金剛石層可借助于CVD方法來施加。所述構(gòu)建步驟74對于對向電極生產(chǎn)方法不是絕對必要的，而是用來為可運動的中央電極的施加做準備。在施加步驟75中，將反射鏡本體35從正面66施加。該施加以下述方式實施，即使得各反射鏡本體35在它們分開之后在中央?yún)^(qū)域中也即在以后的中央分隔件41的區(qū)域中分別連接到起始基板。所述施加步驟75可設(shè)計成熔接過程。在另一構(gòu)建步驟77中，從起始基板的背面，借助于光刻和深度蝕刻方法而構(gòu)建中央的且優(yōu)選是可運動的電極也即致動器銷43。該構(gòu)建通過蝕刻掉中央電極也即致動器銷 43與支承結(jié)構(gòu)36的套筒之間的中間間隔76而實現(xiàn)。起始基板因此被完全地蝕刻穿通。所述中央電極于是僅通過導熱部37，換句話說，通過先前施加到正面66的彈簧附接件，而仍然連接到起始基板。在施加步驟70中施加的氧化層，在此另一構(gòu)建步驟77中用作面蝕刻停止層(side etching stop)并且保護在填充步驟72中為對向電極62至64所準備的由多晶硅所制成的元件。在曝光步驟78中，對向電極62至64的內(nèi)側(cè)79上的被曝光的氧化層這時被蝕刻去除。此曝光步驟78也可省略。以這種方式準備的微反射鏡致動器可以在附接步驟80中以電學和機械的方式附接到另外的基板。這可借助于倒裝芯片方法實施，所生產(chǎn)的電極布置借助于該方法接合在集成電路(ASIC)上。這從基板背面67實施。在此情況中，對向電極62至64電連接至所述集成電路上對應的電路。這種類型的構(gòu)造容許對向電極62至64的整體激勵，并因此允許對各個體反射鏡27的傾斜的相應控制。通過這種方法生產(chǎn)的對向電極62至64集成在起始基板中的支承結(jié)構(gòu)36中，但對向電極62至64與起始基板機械上未分離。因此，在對向電極62至64的集成之后，支承結(jié)構(gòu)36也是整體式單元，這為另外的處理步驟特別是為附接步驟80中的連接確保充分的穩(wěn)定性。在附接步驟80的過程中，對向電極62至64可以從背面67，S卩，從圖14中豎直且垂直于處在中間位置的反射面34延伸的方向，通過倒裝芯片方法在接觸步驟81中被直接接觸。來自例如圖14中水平延伸方向的接觸不是必要的。借助于圖17，以下將描述集成具有有著極低粗糙度的反射面34的反射鏡本體35 的方法。對反射面34的表面構(gòu)成的要求非常高，特別是它的微觀粗糙度。對此典型的值是 0. 2nm rms的粗糙度。此微觀粗糙度值要求對反射面34進行外部拋光，該反射面34在拋光之后連接到另一個個體反射鏡27。在以下描述的生產(chǎn)方法的過程中，預拋光的高靈敏度反射面34在典型的微制造方法中所應用的全部的處理步驟中得到保護。在拋光步驟82中，具有適合于微制造的樣式(例如直徑為IOOmm或150mm的圓形基板)和拋光處理所要求的厚度(例如IOmm的厚度)的硅基板，被拋光以實現(xiàn)EUV照明所需要的表面粗糙度。這種類型的拋光方法也稱為“超級拋光”。在涂覆步驟83中，借助于熱方法利用薄的二氧化硅層覆蓋被拋光的硅基板。在聯(lián)接步驟84中，氧化的經(jīng)超級拋光的基板與未經(jīng)超級拋光的具有相同樣式的第二硅基板聯(lián)接在一起。在此情形下，經(jīng)超級拋光的反射面34依靠在第二硅基板上，所述第二硅基板也稱為載體基板。在聯(lián)接步驟84中，可采用與所謂的“絕緣體上覆硅”(silicon-on-insulator，SOI)的晶片生產(chǎn)結(jié)合使用的熔接法。在另一拋光步驟85中，借助于化學機械方法將如此生產(chǎn)的基板多層結(jié)構(gòu)拋光。這樣，未來的反射鏡基板被研磨至所需的厚度。反射鏡本體35的典型厚度在30 μ m和200 μ m 之間的范圍內(nèi)。因為高度拋光且靈敏的反射面34在機械和化學方面受位于它上方的二氧化硅層和硅載體基板的保護，所以這時形成所需厚度的基板能被進一步處理。在構(gòu)建步驟86中，這時借助于深度蝕刻方法構(gòu)建反射鏡基板的相反于反射面34 的背面。分隔件41因此可被蝕刻，該分隔件41此后與導熱部37也即與彈簧安裝座相連接， 所述彈簧安裝座也稱為隔板懸架。在構(gòu)建步驟86中，還可通過深度蝕刻預定反射面34的側(cè)向反射鏡界限，使得在以后移除載體基板的過程中，個體反射鏡27的反射鏡本體35已被分開?，F(xiàn)在將這樣準備好的基板多層結(jié)構(gòu)在連接步驟87中連接至中央電極，換句話說， 連接至致動器銷43。這在根據(jù)圖16的生產(chǎn)方法的施加步驟75中實施。連接步驟87可為熔接或共晶接合。分隔件41可在此連接到致動器銷43。在曝光步驟88中，利用深度蝕刻方法將到目前為止保護反射面34的載體基板蝕刻除去。此蝕刻過程在此停止于將被施加到反射面34的二氧化硅層上。在另一曝光步驟89中，所述二氧化硅層被蝕刻除去，例如借助于氣相的氫氟酸。 此另一曝光步驟89可在非氧化性氣氛中進行以防止反射面34的硅的再次氧化。涂覆步驟83也可省略。替代利用薄的二氧化硅層作為涂層，可以通過深度蝕刻方法將多個凹痕蝕刻到載體基板中。這些凹痕具有一定的尺寸和布置，使得當載體基板聯(lián)接到預拋光的反射鏡本體35時，未來的反射面34不與該載體基板形成接觸。反射鏡基板與載體基板之間的接觸面于是由載體基板的包圍所述凹痕的框架面的形跡唯一預定。這些框架面對應于個體反射鏡27的以后的反射鏡界限。在載體基板聯(lián)接到反射鏡基板之前，預構(gòu)建的載體基板也即具有所述凹痕的載體基板，被熱氧化。如此施加的二氧化硅層在以后移除載體基板的過程中被用作蝕刻停止層。這種沒有涂覆步驟83的變型也可用于具有非水平(non-level)反射面34的個體反射鏡27中，例如具有凹形或凸形反射面34的個體反射鏡27中。為示出導熱條56至58的構(gòu)造，圖18再次示出導熱部37的區(qū)域。中央保持體40， 亦即內(nèi)連接部60，和包圍該內(nèi)連接部60的導熱條56至58被示出。圖19示出用于在未示出的支承結(jié)構(gòu)與未示出的反射鏡本體之間的導熱部37的導熱條90的設(shè)計的變型。與具體關(guān)于根據(jù)圖14、圖15和圖18的個體反射鏡的導熱部的設(shè)計而在以上已做描述的那些部件相對應的部件，具有相同的附圖標記并且不再詳細討論。在內(nèi)連接部60與外連接部61之間，有M個彎曲成C形狀的導熱條90。相鄰的導熱條90借助于也呈C形狀的槽91而彼此隔開。如同在根據(jù)圖15和圖18的構(gòu)造中，在根據(jù)圖19的構(gòu)造中，導熱部37也作為隔板存在，其中，導熱條，在根據(jù)圖19的構(gòu)造的情況中亦即導熱條90，通過結(jié)合槽91而形成。下面將借助于圖20和圖21描述用于導熱部37的兩種另外的設(shè)計可能。與具體關(guān)于根據(jù)圖14、圖15和圖18的個體反射鏡的導熱部的設(shè)計而在以上已做描述的那些部件相對應的部件，具有相同的附圖標記并且不再詳細討論。在根據(jù)圖20的構(gòu)造中，內(nèi)連接部60與外連接部61之間有總計25個導熱條92，這些導熱條92以輪輻的方式大致徑向地布置。在內(nèi)連接部60與外連接部61之間，每個導熱條92彎曲成S形狀。相鄰的導熱條92借助于槽93而彼此隔開。根據(jù)圖21的構(gòu)造與根據(jù)圖20的構(gòu)造不同在于導熱條的彎曲的形狀，在根據(jù)圖21 的構(gòu)造中導熱條具有附圖標記94。在根據(jù)圖21的構(gòu)造中，導熱條94在導熱部37的平面中也彎曲成C形狀。相鄰的導熱條94也借助于同樣彎曲成C形狀的槽95隔開。由于根據(jù)圖14、圖15和圖18、根據(jù)圖20以及根據(jù)圖21的個體反射鏡的上述實施例中的導熱條的構(gòu)造，以及由于布置在相鄰的導熱條之間的槽關(guān)于導熱條的形狀、寬度、數(shù)量和槽的形狀、寬度和數(shù)量的設(shè)計，由此構(gòu)造的在內(nèi)連接部60與外連接部61之間的各隔板彈簧的剛度和導熱性能可被調(diào)節(jié)到預定值。下面將借助于圖22和圖23描述關(guān)于分隔件41到中央保持體40或?qū)岵?7的內(nèi)連接部60的熱耦合的兩種不同的設(shè)計可能。與參考特別是圖14而在以上已做描述的那些相對應的部件，具有相同的附圖標記并且不再詳細討論。在根據(jù)圖22的構(gòu)造中，導熱部37的中央保持體40布置在分隔件41與致動器銷 43之間，使得分隔件41被附接在導熱部37的中央保持體40的一側(cè)并且致動器銷43附接到中央保持體40的另一側(cè)。分隔件41因此通過保持體40而連接到致動器銷43。在根據(jù)圖23的構(gòu)造中，分隔件41被直接連接到致動器銷43。導熱部37的中央保持體40具有中央開口 96，分隔件41的面向致動器銷43的一端延伸經(jīng)過該中央開口 96。 包圍分隔件41的此端部區(qū)域的中央保持體40依靠在致動器銷43的面向分隔件41的端壁上并且由此而連接到致動器銷43。導熱部37上分隔件41的熱耦合以及由此反射鏡本體 35的熱耦合在根據(jù)圖23的構(gòu)造中不直接發(fā)生，而是通過致動器銷43發(fā)生。圖M利用場分面反射鏡13的示例示意性地示出一光學模塊，其中在垂直于總反射鏡反射面的截面中，個體反射鏡按行和按列也即以陣列方式布置，并且為了形成所述總反射鏡反射面，個體反射鏡的反射面34彼此互補。與以上參考圖1至圖23已描述的那些部件相對應的部件和功能，具有相同的附圖標記并且不再詳細討論。以陣列方式布置的個體反射鏡27在圖M中被示意性地組合以形成反射鏡板97。 借助于導熱反射鏡板固定銷98 (圖觀中僅示出其中之一)，反射鏡板97被固定到陶瓷載體 99，該陶瓷載體99同時具有散熱器的功能，由例如殘余吸收或電能引起的熱被引導離開反射鏡板97而進入陶瓷載體99中。陶瓷載體99是位移激勵電路板100的一部分，所述位移激勵電路板100布置在反射鏡板97的相反于反射面34也即相反于個體反射鏡27的一側(cè)。陶瓷基板101層首先在面向反射鏡板97的一側(cè)施加到激勵電路板100的散熱器99上?；蛘撸沾苫?01也可由硅材料制成。陶瓷基板101繼而載有線圈板102和集成電子位移電路(ASICs) 103。集成電子位移電路103之一與場分面反射鏡13的各可發(fā)生位移的個體反射鏡27在空間上相關(guān)聯(lián)。這里每個集成電子位移電路103與一組個體反射鏡27相關(guān)聯(lián)，即分別與恰好四個個體反射鏡27相關(guān)聯(lián)，如下面將描述。陶瓷基板101通過多個彈性的基板固定銷104而緊固到散熱器99。激勵電路板100借助于連接夾具105連接到圖M中未示出的中央控制裝置。激勵電路板100的地線106也連接到連接夾具105。圖25以不同的視圖再次示出具有反射鏡板97和激勵電路板100的場分面反射鏡 13的結(jié)構(gòu)，在該視圖中更詳細地示出反射鏡板97并且更示意性地示出激勵電路板100。個體反射鏡27的結(jié)構(gòu)，除了細節(jié)上的差異之外，與以上結(jié)合圖11和圖14已描述的個體反射鏡的結(jié)構(gòu)相對應。位于根據(jù)圖25的個體反射鏡27中的致動器銷43的端部的永磁體44，構(gòu)造成釤鈷磁體。支承結(jié)構(gòu)36的鄰近于激勵電路板100的部分被設(shè)置成無陰影線的。這些無陰影線的部分，一方面具有導熱功能，另一方面用作對個體反射鏡27的支承框架。一組導體通路48或線圈板102的線圈分別布置成面向激勵電路板100上的永磁體44之一并且與之相關(guān)聯(lián)。圖25中示意性地示出，個體反射鏡27的反射面34具有用于有用輻射10的高反射性涂層。圖沈在平面視圖中示出線圈板102之一的更詳細的結(jié)構(gòu)。在根據(jù)圖沈的平面視圖中，線圈板102呈每組四個的對稱十字形，并且具有總計四個個體線圈106、107、108、 109，所述四個個體線圈106、107、108、109作為用于洛倫茲致動器系統(tǒng)的導體通路布置成方螺旋形狀，并且在圖26中從圖右邊所示的個體線圈106開始沿逆時針方向連續(xù)編號。所述致動器構(gòu)造成洛倫茲致動器，該致動器的位移運動由于永磁體44與對應線圈板102之一的個體線圈106至109的交互作用而產(chǎn)生。每個個體線圈106至109具有中央電觸點。所述中央觸點在個體線圈106中標示為Cl. 1、在個體線圈107中標示為C2. 1、在個體線圈108 中標示為Cl. 4、在個體線圈109中標示為C2. 4。每個個體線圈106至109在螺旋形外端還具有朝向線圈板102的中心布置的旁側(cè)電觸點。個體線圈106的旁側(cè)電觸點標示為Cl. 2， 個體線圈107的旁側(cè)電觸點標示為C2. 2，個體線圈108的旁側(cè)電觸點標示為Cl. 3，以及個體線圈109的旁側(cè)電觸點標示為C2. 3。在根據(jù)圖沈的平面視圖中，線圈板102可被刻在邊長幾毫米的正方形中，例如典型邊長為5mm。線圈板102能借助于倒裝芯片(flip-chip)技術(shù)安裝和接觸。這種技術(shù)的描述可在書〈〈Baugruppentechnologie der Elektronik-Montage))(出片反者Wolfgang Scheel, 第二版，Verlag Technik, Berlin, 1999)中找到。倒裝芯片技術(shù)的細節(jié)在瑞士比爾市HMT Microelectronic AG 公司的簡介"Flipchi ptechnologie (可通過鏈接:http://www. hmt. ch/techdetail. jsp ？ ID_Page = 10000H 10000F&ID_Group = 100001 獲得)，，中公開，以及由 Rao Tummala, "FUND AMENIALS OF MICROSYSTEMS PACKAGING”，McGraw-Hill，2001， ISBN 0-07-137169-9 公開。圖34示意性地示出ASIC 103關(guān)于與它關(guān)聯(lián)的四個線圈板102的組110的具體布置。與每個ASIC 103相關(guān)聯(lián)的是四個線圈板102所屬的四個個體反射鏡27的組。在圖34 的平面視圖中，組110的四個線圈板102，界定呈方形形式的自由安裝空間，ASIC 103布置在該自由安裝空間中。圖27示出ASIC 103和與它關(guān)聯(lián)的線圈板102的組110的電互連。組110的線圈板102的各個體線圈106至109由兩個主控制線111和112激勵。主控制線111和112的形跡預先確定個體反射鏡27的陣列的列方向。施加于平行于反射鏡板97的反射鏡列伸展的主控制線111的是相對于地電位的-IV電壓。主控制線112布置成與主控制線111關(guān)于列中央平面113鏡面對稱，所述列中央平面113同時是反射鏡對稱面并且垂直于圖27的圖面伸展。相對于地電位的+IV的控制電壓施加于主控制線112。經(jīng)由主控制線111、112的激勵由此借助于保護性超低電壓來實現(xiàn)。主激勵線111通過接觸銷114連接到ASIC 103。主控制線112通過接觸銷115連接到ASIC 103。ASIC 103分別通過接觸銷Ll至L8連接到組110的線圈板102的兩個個體線圈的接觸銷之一。接觸銷Ll連接到圖27左上方示出的線圈板102的個體線圈106的接觸銷Cl. 1。接觸銷L2連接到該相同線圈板102的個體線圈109的接觸銷C2. 4。接觸銷 L3連接到圖27右上方示出的線圈板102的個體線圈108的接觸銷Cl. 4。接觸銷L4連接到該相同線圈板102的個體線圈109的接觸銷C2. 4。接觸銷L5連接到圖27左下方示出的線圈板102的個體線圈106的接觸銷Cl. 1。接觸銷L6連接到該相同線圈板102的個體線圈107的接觸銷C2. 1。接觸銷L7連接到圖27右下方示出的線圈板102的個體線圈108 的接觸銷Cl. 4。接觸銷L8連接到該相同線圈板的個體線圈107的接觸銷C2. 1。各同一線圈板102的個體線圈106的接觸銷Cl. 2和個體線圈108的接觸銷Cl. 3 直接彼此連接。個體線圈106、108因此形成一對個體線圈。相應地，各同一線圈板102的個體線圈109的接觸銷C2. 3和個體線圈107的接觸銷C2. 2直接彼此連接。個體線圈107、 109因此形成一對個體線圈。布置成橫向于列方向的各個體線圈對106、108因此能通過激勵接觸銷Li、L3、L5 和L7而被激勵。布置在平行于列方向的個體線圈對107、109能通過激勵接觸銷L2、L4、L6 和L8而被激勵。
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地線115的同樣沿列方向伸展的部分分別布置成鄰近于主控制線111、112。地線 115的這些部分借助于對應的接觸點連接到布置于圖27右邊的兩個底板102的個體線圈 106的接觸銷Cl. 1 ；布置于圖27右上方的基板102的個體線圈107的接觸銷C2. 1 ；和布置于圖27右下方的基板102的個體線圈109的接觸銷C2. 4。地線115的這些部分借助于另外的接觸點連接到布置于圖27左邊的兩個基板102的個體線圈108的接觸銷Cl. 4 ；布置于圖27左上方的基板102的個體線圈107的接觸銷C2. 1 ；和布置于圖27左下方的基板 102的個體線圈109的接觸銷C2. 4。產(chǎn)生關(guān)于反射鏡對稱平面113的、對與ASIC 103相關(guān)聯(lián)的線圈板102的組110的個體線圈106至109的總體近似鏡面對稱的激勵。鄰近于主控制線111布置的是同樣沿列方向伸展的復位線116，該復位線116借助于接觸銷117連接到ASIC 103。串行時鐘發(fā)生器線118平行于復位線116伸展，該串行時鐘發(fā)生器線118借助于接觸銷119連接到ASIC 103。鄰近于主控制線112同樣沿列方向伸展的是串行數(shù)據(jù)輸入線120，該串行數(shù)據(jù)輸入線120借助于接觸銷121連接到ASIC 103。 串行數(shù)據(jù)輸出線122鄰近于串行數(shù)據(jù)輸入線120伸展，該串行數(shù)據(jù)輸出線122借助于接觸銷123連接到ASIC 103。+5V供電線124也沿列方向鄰近于兩條數(shù)據(jù)線120、122伸展，該 +5V供電線IM借助于接觸銷125連接到ASIC 103。或者，ASIC 103的供電也可以以3. 3V 來實施。圖28和圖四以類似于圖沈的視圖示出線圈板102、102，之一的兩種構(gòu)造。根據(jù)圖28的線圈板102對應于圖沈的線圈板102，根據(jù)圖28的線圈板102中的個體線圈106至109以少量繞線示出。對比于根據(jù)圖28的線圈板102，根據(jù)圖四的線圈板102’在平面視圖中不是呈十字形，而是在平面視圖中呈方形。根據(jù)圖四的線圈板102’的結(jié)構(gòu)和互連對應于根據(jù)圖觀的線圈板102的結(jié)構(gòu)和互連。圖30示出線圈板102或102，的側(cè)視圖。個體線圈106至 109印制在線圈板102、102’的陶瓷載體126上。接觸銷CX. Y形成在板狀陶瓷載體126的下側(cè)，在圖30的視圖中從左到右可見接觸銷Cl. 4、Cl. 3、C2. 4、Cl. 2和C2. 2。圖31示出線圈板組110中根據(jù)圖28的線圈板102的布置。在這種類型的布置中，與布置在中央安裝空間(也參考圖34)中的ASIC 103的互連是可能的，如以上關(guān)于圖 27所述。圖32以垂直于板平面的橫截面示出用于線圈板102或102’的堆疊結(jié)構(gòu)的一種變型。圖32中最上面的線圈層127形成根據(jù)圖31的個體線圈107。絕緣的基板載體層1 布置在線圈層127的下面。另一線圈層1 布置在基板載體層128的下面，該線圈層1 形成根據(jù)圖31的個體線圈109。另一線圈層131繼而借助于另一基板載體層130而與所述另一線圈層1 分開，該線圈層131形成根據(jù)圖31的個體線圈106。另一線圈層133借助于另一基板載體層132而與所述另一線圈層131分開，該另一線圈層133形成根據(jù)圖31的個體線圈108。在圖32的平面中鄰近于圖32中最上面的線圈層127布置的是接觸部134、135、 136，接觸部134、135、136分別通過連接材料(過孔材料)導電地連接到線圈層1四、131和 133。因此，圖32中的全部線圈層127、129、131、133可從上方接通電接觸以激勵個體線圈 106至109。接觸部134至136彼此電絕緣且相對于線圈層127電絕緣。線圈層127、129通過橋接基板載體層128的接觸通道137而彼此電連接。兩個線圈層131和133通過橋接基板載體層132的接觸通道138而彼此導電地連接。兩個接觸通道137、138繼而由過孔材料制成。線圈層127、129、131、133或接觸部134至136，在它們的邊緣，在它們各自的平面內(nèi)，被填充材料139包圍。圖33是ASIC 103的功能電路圖。接觸銷Ll至L8連接到各個相關(guān)聯(lián)的驅(qū)動器單元140。因此，ASIC 103有總計八個能彼此獨立地被激勵的驅(qū)動器單元140。每個驅(qū)動器單元140連接到數(shù)據(jù)接口 141。在 ASIC 103中總計有八個這種類型的數(shù)據(jù)接口 141。ASIC 103的這八個數(shù)據(jù)接口 141各具有用于與驅(qū)動器單元140的連接的12位帶寬、串行輸入和并行輸出。這八個數(shù)據(jù)接口 141在輸入側(cè)串聯(lián)連接，并且一方面具有經(jīng)由接觸銷121與串行數(shù)據(jù)輸入線120的信號連接，另一方面具有經(jīng)由接觸銷123與串行數(shù)據(jù)輸出線122的信號連接。數(shù)據(jù)接口 141具有經(jīng)由接觸銷119與串行時鐘發(fā)生器線118的信號連接。ASIC 103還具有用于將ASIC 103接地的接地接觸銷142。ASIC 103借助于該接地接觸銷142連接到地線115a(參考圖27)。圖34示意性地示出與一組110線圈板102分別關(guān)聯(lián)的激勵電路板100部件的機械布置。ASIC 103布置在組110中央的安裝空間中。圍繞組110布置的是總計八個呈等距柵格樣式的冷卻/裝配孔143。散熱指狀件144可布置在孔103中，散熱指狀件144 一方面在線圈板102的底側(cè)與ASIC 103之間、另一方面在線圈板102的底側(cè)與陶瓷基板101之間提供具有良好導熱的連接。或者，冷卻/裝配孔144也可用作用于固定銷98或104的通道 (參考圖M)。圖36還示出激勵電路板100的ASIC 103的線圈板102布置所處的部件平面145 與陶瓷基板101之間的、具有交替的絕緣體層147和導電層148的多層結(jié)構(gòu)146。導電層 148分別連接到各種控制線、數(shù)據(jù)線和供電線，這已結(jié)合圖27說明。導電層148可借助于銅鍍覆陶瓷(Copper Plated Ceramic,CPC)方法或借助于絲網(wǎng)印刷方法來施加。CPC方法的描述可通過 http://www. keramik-substrat. de/seitel. htm 找至丨J。朝向反射鏡板97，部件平面145覆蓋有保護性覆蓋層149。覆蓋層149由濺射上的氧化硅實現(xiàn)。根據(jù)圖32或圖36的層結(jié)構(gòu)能借助于低溫共燒陶瓷(Low Temperature Co-fired Ceramics, LTCC)技術(shù)實現(xiàn)。關(guān)于LTCC方法的應用的細節(jié)可在微電子學會議的會議錄ME08， ISBN 978-3-85133-049-6 中找到。圖37示出用于呈分面反射鏡13形式的光學模塊的激勵方案，所述分面反射鏡13 例如被劃分成由按行和按列布置的個體反射鏡27構(gòu)成的多個局部個體反射鏡陣列。圖35 中總體示出用于這種類型的局部個體反射鏡陣列150的激勵電路板100的平面視圖。該局部個體反射鏡陣列具有十列反射鏡，每列具有五個反射鏡，也即包括五行而每行具有十個個體反射鏡27的個體反射鏡陣列，根據(jù)圖35的激勵電路板100是該局部個體反射鏡陣列的部件。在根據(jù)圖37的激勵方案中，主控制線111、112，數(shù)據(jù)線120、122，復位線116和串行時鐘發(fā)生器線118組合以形成串行數(shù)據(jù)總線151。借助于總線接口 152，局部個體反射鏡陣列150具有經(jīng)由數(shù)據(jù)總線151與中央控制裝置153的信號連接。中央控制裝置153可以是微控制器或可編程集成電路、場可編程門陣列或特殊的可編程邏輯模塊(可編程邏輯裝置(Programmable Logic Device, PLD)) 中央控制裝置153具有經(jīng)由雙向信號線1 通往目標應用接口 155的信號連接。由此控制投射曝光系統(tǒng)1，并且可由此預先確定各照明設(shè)置。目標應用接口巧5具有信號模塊156和供電模塊157。信號模塊156連接到信號線 154。目標應用接口 155的供電模塊157借助于供電線158連接到集成在中央控制裝置153 中的中央供電裝置159。中央供電裝置159由供電線160連接到局部個體反射鏡陣列150 的供電接口 161。供電接口 161在陣列一側(cè)連接到個體陣列的列的供電線124(參考圖27)。圖38示出局部個體反射鏡陣列150內(nèi)的個體ASIC 103的激勵。總線接口 152被連接，具體地，到串行數(shù)據(jù)輸入線120。一個相應列的ASIC 103是可級聯(lián)的，因此局部個體反射鏡陣列150的一個相應列的ASIC 103能被順次編址。下面將借助于局部個體反射鏡陣列150之一的激勵，通過規(guī)定光學模塊的個體反射鏡27的個體位置，來說明光學模塊的激勵首先通過目標應用接口 155預先確定照明設(shè)置，如偶極子照明。將每個個體反射鏡27在局部個體反射鏡陣列150內(nèi)的確定位置與該偶極子照明相關(guān)聯(lián)。中央控制裝置153 將位置信息經(jīng)由總線接口 152送到關(guān)聯(lián)的局部個體反射鏡陣列150。在數(shù)據(jù)總線151上進行傳送的控制字包括待尋址的局部個體反射鏡陣列150的地址、該局部個體反射鏡陣列 150內(nèi)待尋址的列的列地址、用于能被尋址列內(nèi)的每個ASIC 103激勵的線圈板102的完整控制數(shù)據(jù)、和測驗號。被尋址的ASIC列的ASIC 103經(jīng)由它們的串行數(shù)據(jù)輸入線120讀入 (read in)控制數(shù)據(jù)。每個ASIC 103處理供它使用的控制數(shù)據(jù)并且將對應的控制值傳給控制接觸銷Ll至L8，從而以預定的方式為線圈板102的個體線圈對106、108和/或107、109 提供電流以產(chǎn)生偏轉(zhuǎn)磁場(參考圖11中的磁場線45)。根據(jù)線圈板102的個體線圈106至 109的該電流供給，發(fā)生永磁體44的偏轉(zhuǎn)，并由此發(fā)生相關(guān)聯(lián)的個體反射鏡27的反射鏡本體35的傾斜。借助于與控制字一起傳遞的校驗值，各ASIC可檢驗是否已正確讀入分配給它的控制字。被辨識為錯誤的讀入處理經(jīng)由數(shù)據(jù)輸出線122和數(shù)據(jù)總線151被報告給中央控制裝置153，使得可實施相應的錯誤校驗。由于經(jīng)過控制線111、112的電流的緣故，沿列伸展的主控制線111、112以及地線 11 相鄰部分的相鄰布置避免產(chǎn)生不期望的磁場。對各線圈流的精細規(guī)定可通過ASIC 103的驅(qū)動器單元140和數(shù)據(jù)接口 141以高分辨率深度來實現(xiàn)，該ASIC 103包括橋電路構(gòu)造的允許大電流的自調(diào)節(jié)線性控制器。控制器的線性可基于脈寬調(diào)制而得到。
2權(quán)利要求
1.一種用于引導輻射束的光學模塊，-具有至少一個反射鏡(13，14;26，觀)，所述至少一個反射鏡(13,14 ；26, 28)一具有多個個體反射鏡(27)，所述個體反射鏡、2Τ)的反射面(34)彼此互補以形成總反射鏡反射面，一具有支承結(jié)構(gòu)(36)，所述支承結(jié)構(gòu)(36)各自通過導熱部(37)機械地連接到各個體反射鏡(XT)的反射鏡本體(35)，一其中，所述反射鏡本體(35)中的至少一些具有用于實現(xiàn)反射鏡本體(35)相對于所述支承結(jié)構(gòu)(36)在至少一個自由度上的預定位移的關(guān)聯(lián)的致動器(50)，一其中，集成電子位移電路(103)與空間上鄰近的、可發(fā)生位移的個體反射鏡、2Τ)的每一個相關(guān)聯(lián)，-具有中央控制裝置(153)，所述中央控制裝置(153)具有與所述可發(fā)生位移的個體反射鏡(XT)的所述集成電子位移電路(10 的信號連接(151，152，120)。
2.如權(quán)利要求1所述的光學模塊，其特征在于，所述集成電子位移電路(103)實施成使得它們能夠被級聯(lián)。
3.如權(quán)利要求1或2所述的光學模塊，其特征在于，所述集成電子位移電路(103)容納在位移激勵電路板(100)中，所述位移激勵電路板(100)布置在個體反射鏡(XT)的相反于反射面(34)的一側(cè)。
4.如權(quán)利要求1至3中任一項所述的光學模塊，其特征在于，各自與可發(fā)生位移的個體反射鏡(XT)之一相關(guān)聯(lián)的所述致動器(50)構(gòu)造成洛倫茲致動器，所述洛倫茲致動器(50) 的集成電子位移電路(10 通過保護性的超低電壓來激勵。
5.如權(quán)利要求1至4中任一項所述的光學模塊，其特征在于，用于激勵所述集成電子位移電路(103)的控制線(111、112)引導成平行于地線(11 ),所述各控制線(111、112)之一布置成與地線(IMa)之一直接相鄰。
6.如權(quán)利要求4或5所述的光學模塊，其特征在于，鄰近于集成電子供電電路(103)的每一個布置多個個體線圈(106至109)，所述多個個體線圈是洛倫茲致動器(50)的一部分， 所述集成電子位移電路(10 具有與這些個體線圈(106至109)的信號連接。
7.如權(quán)利要求3至6中任一項所述的光學模塊，其特征在于，所述位移激勵電路板 (100)具有多層構(gòu)造，導電層(127，129，131，133 ;148)通過絕緣層(128，130，132 ； 147)而彼此分隔。
8.如權(quán)利要求3至7中任一項所述的光學模塊，其特征在于，所述位移激勵電路板 (100)的基板層(101)由陶瓷和/或硅材料制成。
9.如權(quán)利要求3至8中任一項所述的光學模塊，其特征在于，在所述位移激勵電路板 (100)的相反于個體反射鏡、2Τ)的一側(cè)具有散熱器(99)。
10.如權(quán)利要求3至9中任一項所述的光學模塊，其特征在于，具有多個散熱指狀件 (144)，所述散熱指狀件(144)從所述散熱器(99)引出并穿過所述位移激勵電路板(100) 進入所述個體線圈(106至109)或所述集成電子位移電路(10 的區(qū)域。
11.如權(quán)利要求4至10中任一項所述的光學模塊，其特征在于，所述洛倫茲致動器 (50)具有永磁體(44)。
12.如權(quán)利要求1至11中任一項所述的光學模塊，其特征在于，每個集成電子位移電路(103)與一組個體反射鏡、τ )相關(guān)聯(lián)。
13.如權(quán)利要求1至12中任一項所述的光學模塊，其特征在于，所述光學模塊被劃分成多個局部個體陣列(150)，所述局部個體陣列(150)各自由按行和按列布置的個體反射鏡 (27)構(gòu)成。
14.一種用于引導EUV輻射束的光學模塊-具有能被抽空的腔室(32)；-具有能容納在所述腔室(32)中的至少一個反射鏡(13，14 J6)，所述至少一個反射鏡 (13，14 ；26)一具有多個個體反射鏡(27)，所述個體反射鏡07)的反射面(34)彼此互補以形成總體的反射鏡反射面，一具有支承結(jié)構(gòu)(36)，所述支承結(jié)構(gòu)(36)各自通過導熱部(37)機械地連接到各個體反射鏡(XT)的反射鏡本體(35)，一其中，反射鏡本體(35)的至少一些具有用于實現(xiàn)所述反射鏡本體(35)相對于所述支承結(jié)構(gòu)(36)在至少一個自由度上的預定位移的關(guān)聯(lián)的致動器(50)，-其中，所述導熱部(37)構(gòu)造成將所述反射鏡本體(35)所吸收的至少lkW/m2的熱功率密度耗散到所述支承結(jié)構(gòu)(36)。
15.如權(quán)利要求14所述的光學模塊，其特征在于，所述致動器(50)構(gòu)造成電磁操作的致動器。
16.如權(quán)利要求15所述的光學模塊，其特征在于，所述致動器(50)構(gòu)造成洛倫茲致動ο
17.如權(quán)利要求16所述的光學模塊，其特征在于，所述洛倫茲致動器(50)的載流致動器部件由印刷在基體06)上的導體通路08)構(gòu)成。
18.如權(quán)利要求17所述的光學模塊，其特征在于，在所述基體上06)布置有印刷上去的導體通路G8)的多個彼此疊置的層(51至54)。
19.如權(quán)利要求14所述的光學模塊，其特征在于，所述致動器構(gòu)造成磁阻致動器。
20.如權(quán)利要求14所述的光學模塊，其特征在于，所述致動器構(gòu)造成壓電致動器。
21.如權(quán)利要求14至20中任一項所述的光學模塊，其特征在于，每個導熱部(37)具有多個導熱條( )，相鄰的所述導熱條(5 彼此分隔，并且每個導熱條(5 將所述反射鏡本體(35)連接到所述支承結(jié)構(gòu)(36)。
22.如權(quán)利要求14至21中任一項所述的光學模塊，其特征在于，所述支承結(jié)構(gòu)(36)被主動冷卻。
23.如權(quán)利要求14至22中任一項所述的光學模塊，其特征在于，所述反射鏡本體(35) 的反射面(34)的總和大于所述反射鏡(13，14;26)的總反射面所占據(jù)的總面的0. 5倍。
24.如權(quán)利要求14至23中任一項所述的光學模塊，其特征在于，所述反射鏡本體(35) 以矩陣狀方式布置。
25.如權(quán)利要求14至M中任一項所述的光學模塊，其特征在于，所述反射鏡本體(35) 是分面反射鏡(13,14,26,28)的分面(19 ；29)。
26.一種用于引導EUV輻射束的光學模塊-具有能被抽空的腔室(32)；-具有容納在所述腔室(32)中的至少一個反射鏡(13，14 ；沈)，所述至少一個反射鏡 (13，14 ；26)一具有多個個體反射鏡(27)，所述多個個體反射鏡07)的反射面(34)彼此互補以形成總反射鏡反射面，一具有支承結(jié)構(gòu)(36)，所述支承結(jié)構(gòu)(36)各自通過導熱部(37)機械地連接到各個體反射鏡(XT)的反射鏡本體(35)，一其中，所述反射鏡本體(35)的至少一些具有用于是實現(xiàn)所述反射鏡本體(35)相對于所述支承結(jié)構(gòu)(36)在至少一個自由度上的預定位移的關(guān)聯(lián)的致動器(50)，-其中，所述導熱部(37)的至少一個具有多個導熱條(56至58)，其中，所述導熱部 (37)之一的相鄰導熱條(56至58)彼此分離，并且其中，每個導熱條(56至58)將所述反射鏡本體(3 連接到所述支承結(jié)構(gòu)(36)。
27.如權(quán)利要求沈所述的光學模塊，其特征在于，所述導熱條(56至58)徑向地圍繞中心(59)構(gòu)成，其中-在所述導熱部(37)的徑向內(nèi)連接部(60)上布置有所述導熱條(56至58)與所述支承結(jié)構(gòu)(36)或反射鏡本體(35)的連接過渡(56i至58i)，-在徑向外連接部(61)上布置有所述導熱條(56至58)與所述反射鏡本體(3 或支承結(jié)構(gòu)(36)的連接過渡(56a至58a)。
28.如權(quán)利要求27所述的光學模塊，其特征在于，所述導熱條(56至58)布置成使得多個導熱條(58至60)在所述內(nèi)連接部(60)與所述外連接部(61)之間的半徑上彼此相隨， 相鄰的導熱條(58至60)之間存在相應的中間間隔。
29.如權(quán)利要求沈至觀中任一項所述的光學模塊，其特征在于，導熱條(56至58)具有螺旋形構(gòu)造。
30.如權(quán)利要求沈至四中任一項所述的光學模塊，其特征在于，垂直于所述個體反射鏡(XT)的反射鏡平面延伸的中央電極銷G3)連接到所述反射鏡本體(35)，并且為了實現(xiàn)對所述個體反射鏡(XT)的致動，該中央電極銷G3)與連接至所述支承體(36)的至少一個對向電極(62至64)協(xié)作。
31.如權(quán)利要求30所述的光學模塊，其特征在于，具有沿周向方向圍繞所述電極銷 (43)并且彼此電絕緣的多個對向電極(62至64)。
32.一種用于控制具有多個個體反射鏡(XT)并具有各關(guān)聯(lián)的集成電子位移電路(103) 的光學模塊的方法，所述多個個體反射鏡m按行和按列地布置并且能夠以受控制的方式發(fā)生位移，所述方法具有以下步驟-指定要被激勵的個體反射鏡列，-將控制值傳送到與該個體反射鏡列相關(guān)聯(lián)的電子位移電路(103)。
33.如權(quán)利要求32所述的方法，其特征在于，所述光學模塊被劃分成多個局部個體陣列(150)，所述局部個體陣列(150)各自由按行和按列布置的個體反射鏡(XT)構(gòu)成，對要被激勵的局部個體反射鏡陣列(150)的選擇在所述指定要被激勵的個體反射鏡、2Τ)之前進行。
34.如權(quán)利要求32或33所述的方法，其特征在于，在傳送所述控制值之后，對這些傳送的控制值進行校驗。
35.用于如權(quán)利要求1至31中任一項所述的光學模塊的反射鏡(13，14；26)。
36.一種用于微光刻投射曝光系統(tǒng)(1)的照明光學系統(tǒng)G ;24)，所述照明光學系統(tǒng) (4 ；24)利用來自輻射源(3)的EUV照明光(10)來照明物場(5)，所述照明光學系統(tǒng)G ；24) 具有至少一個如權(quán)利要求1至31中任一項所述的光學模塊。
37.一種照明系統(tǒng)，所述照明系統(tǒng)具有如權(quán)利要求36所述的照明光學系統(tǒng)和用于產(chǎn)生照明光(10)的EUV輻射源(3)。
38.一種投射曝光系統(tǒng)-具有如權(quán)利要求37所述的照明系統(tǒng)(2)，-具有投射光學系統(tǒng)(7)，所述投射光學系統(tǒng)(7)用于將存在于物平面(6)中的物場 (5)成像在像平面(9)的像場(8)中。
39.一種用于產(chǎn)生結(jié)構(gòu)化部件的方法，所述方法具有以下步驟 -提供晶片，在所述晶片上至少部分地施加有光敏材料層，-提供掩模母版(30)，所述掩模母版(30)具有待成像的結(jié)構(gòu)， -提供如權(quán)利要求38所述的投射曝光系統(tǒng)(1)，-通過所述投射曝光系統(tǒng)(1)將所述掩模母版(30)的至少一部分投射到所述晶片的所述層的一個區(qū)域上。
40.通過如權(quán)利要求39所述的方法所產(chǎn)生的結(jié)構(gòu)化部件。
全文摘要
一光學模塊用于引導EUV輻射束。該光學模塊具有能被抽空的腔室(32)和容納在腔室(32)中的至少一個反射鏡。反射鏡具有多個個體反射鏡(27)，它們的反射面(34)彼此互補以形成總反射鏡反射面；支承結(jié)構(gòu)，各自通過導熱部(37)機械連到各個體反射鏡(27)的反射鏡本體(35)；反射鏡本體(35)的至少一些具有關(guān)聯(lián)致動器(50)，用于實現(xiàn)反射鏡本體(35)相對支承結(jié)構(gòu)(36)在至少一個自由度上的預定位移。導熱部(37)設(shè)計成將反射鏡本體(35)吸收的至少1kW/m2的熱功率密度散失到支承結(jié)構(gòu)(36)。在光學模塊的一方面，集成電子位移電路與空間鄰近的可發(fā)生位移的個體反射鏡(27)的每一個關(guān)聯(lián)。此變型例中，中央控制裝置與可發(fā)生位移的個體反射鏡(27)的集成電子位移電路有信號連接。結(jié)果得到一種光學模塊，可用于構(gòu)造即使個體反射鏡上有不可忽視的熱負荷也能確保高EUV輻射吞吐量的照明光學系統(tǒng)。
文檔編號G02B7/18GK102257421SQ200980151391
公開日2011年11月23日 申請日期2009年10月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月20日
發(fā)明者伊維斯.彼得蒙德, 卡格拉.阿塔曼, 塞韋林.沃爾迪斯, 威爾弗里德.諾埃爾, 洛薩.庫爾澤, 馬庫斯.豪夫, 馬科.杰斯曼 申請人:卡爾蔡司Smt有限責任公司