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電極接觸構(gòu)造、具備它的液晶顯示裝置及電極接觸構(gòu)造制造方法

文檔序號:2751304閱讀:103來源:國知局
專利名稱:電極接觸構(gòu)造、具備它的液晶顯示裝置及電極接觸構(gòu)造制造方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及具備接觸孔的電極接觸構(gòu)造、和具備該構(gòu)造的液晶顯示裝置以及電極 接觸構(gòu)造制造方法,其中,上述接觸孔用于將在包括水溶性的層的上層和下層所形成的電 極之間連接。
背景技術(shù)
液晶顯示裝置為了應(yīng)對高功能化和低功耗化,正在被進(jìn)行各種研發(fā)。例如,在各像 素中具備反射自然光或者照明光等外部光的反射區(qū)域、和透射來自背光源的光的透射區(qū)域 的液晶顯示裝置正在實(shí)用化。該液晶顯示裝置在明亮的場所使用利用上述反射區(qū)域中的反 射光進(jìn)行圖像或者動(dòng)態(tài)圖像等的顯示的反射顯示模式,在黑暗的場所,使用利用來自背光 源的透射光進(jìn)行圖像或者動(dòng)態(tài)圖像等的顯示的透射顯示模式。從而,由于僅在黑暗的場所 利用背光源的光,因此能夠降低背光源的功耗。進(jìn)而,在下文揭示的專利文獻(xiàn)1中公開了在像素的反射區(qū)域中,通過設(shè)置用于使 光的偏振方向改變的偏振層,提高透射模式時(shí)的光利用效率的結(jié)構(gòu)。關(guān)于在反射區(qū)域上形 成該偏振層的方法,使用圖10的(a) (d)進(jìn)行說明。圖10的(a) (d)是表示現(xiàn)有的 液晶顯示裝置的制造方法的說明圖。如圖10的(a)所示,反射層110在基板上形成圖案。然后,如圖10的(b)所示, 在相鄰的反射層110之間配置撥水性樹脂111。進(jìn)而,如圖10的(C)所示,當(dāng)在反射層110 和撥水性樹脂111上涂敷由水溶性材料形成的偏振層112時(shí),則被撥水性樹脂111吸引,通 過其固化而形成在反射層110上。然后,如圖10的(d)所示,在其上層成膜保護(hù)層113。另外,偏振層112的材質(zhì)例示在專利文獻(xiàn)2中。專利文獻(xiàn)1 日本國專利公報(bào)「專利第3765284號公報(bào)(2006年4月12日發(fā)行」專利文獻(xiàn)2 國際公開專利公報(bào)「W0/9908140號公報(bào)(1999年2月18日公開)」

發(fā)明內(nèi)容
另外,近年來,為了提高響應(yīng)速度,實(shí)現(xiàn)高亮度和高畫質(zhì)等,在各像素中設(shè)置薄膜 晶體管(TFT)元件等的驅(qū)動(dòng)元件的結(jié)構(gòu)已被廣泛了解。TFT元件設(shè)置在玻璃基板上,TFT元 件的漏極電極與由ITO等構(gòu)成的像素電極通過用于取得接觸而形成的孔(接觸孔)連接。然而,如果依據(jù)專利文獻(xiàn)1中記載的液晶顯示裝置,則沒有考慮將TFT元件與像素 電極連接的情況,不能實(shí)現(xiàn)將TFT元件與像素電極連接的結(jié)構(gòu)。特別是,在SHA (超高孔徑) 構(gòu)造的液晶面板中,在進(jìn)行像素內(nèi)成膜的偏振層的圖案形成時(shí),實(shí)現(xiàn)接觸構(gòu)造是必不可少 的。這里,在一般的光刻工序中,進(jìn)行在顯影液中使用了堿水溶液的堿顯影。然而,如 果在進(jìn)行圖案形成的層中包含由水溶性材料形成的層,則不僅是不能高精度地進(jìn)行圖案形 成,還有水溶性的材料發(fā)生剝離的可能性。關(guān)于這一點(diǎn)使用圖11的(a) (e)進(jìn)行說明。
如圖11的(a)所示,在基板120上疊層作為偏振層的水溶性層121。接著,如圖 11的(b)所示,在水溶性層121的上層疊層由丙烯酸等形成的保護(hù)層122。并且,如圖11 的(c)所示,通過堿顯影除去接觸孔形成區(qū)域的水溶性層121和保護(hù)層122。由此,形成接 觸孔130。但是,在進(jìn)行堿顯影時(shí)使用的堿水溶液與水溶性層121接觸,如圖11的(d)所示, 在接觸孔130形成后,從水溶性層121的與堿水溶液接觸的部分開始堿水溶液逐漸地滲透 到內(nèi)部。并且,水溶性層121被蝕刻至該堿水溶液滲透了的部分。進(jìn)而,如果堿水溶液的 浸透進(jìn)一步發(fā)展,則如圖11的(e)所示,剝離在水溶性層121的上層形成的每一個(gè)保護(hù)層 122。另外,在作為顯影液不是使用堿水溶液而是使用有機(jī)溶劑的情況下,能夠防止向 偏振層102的浸透。但是,在有機(jī)溶劑顯影的情況下,與堿顯影的情況相比較,使批量生產(chǎn) 性降低。本發(fā)明是鑒于上述的問題而完成的,目的是提供防止批量生產(chǎn)性降低的電極接觸 構(gòu)造和具備該構(gòu)造的液晶顯示裝置、以及電極接觸構(gòu)造制造方法。本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造為了解決上述課題,其特征在于,包括形成在基板上的第 一電極;形成在上述第一電極上的、包含由水溶性材料形成的水溶層的中間層;和形成在 上述中間層上的第二電極,是上述第一電極和上述第二電極通過形成在上述中間層的接觸 孔連接的電極接觸構(gòu)造,在上述接觸孔的周圍形成有由撥水性材料形成的撥水圖案,上述 接觸孔與上述水溶層由上述撥水圖案分離。依據(jù)上述結(jié)構(gòu),在上述中間層形成的接觸孔的周圍形成有由撥水性材料形成的撥 水圖案,上述接觸孔與包含在上述中間層中的上述水溶層通過上述撥水圖案被分離,因此 用于將上述接觸孔進(jìn)行圖案形成的光刻工序中的顯影液不會接觸到上述水溶層。因此,即 使通過通常的光刻工序?qū)ι鲜鼋佑|孔進(jìn)行使用堿水溶液的顯影(堿顯影),也能夠防止堿 水溶液向上述水溶層浸透或者上述水溶層發(fā)生剝離。因此,依據(jù)本發(fā)明,在將接觸孔和在其周圍形成的偏振層等中間層進(jìn)行圖案形成 時(shí),即使進(jìn)行堿顯影,也能夠提供圖案形成精度高的電極接觸構(gòu)造。并且,由于能夠通過堿顯影形成上述接觸孔,因此與使用有機(jī)溶劑的顯影(有機(jī) 溶劑顯影)的情況相比較,能夠防止批量生產(chǎn)性降低。像這樣,依據(jù)上述結(jié)構(gòu),由于即使在上述中間層中包含由水溶性材料形成的水溶 層,也能夠用堿顯影將上述接觸孔進(jìn)行圖案形成,因此與進(jìn)行有機(jī)溶劑顯影的情況相比較, 能夠構(gòu)成防止批量生產(chǎn)性降低的電極接觸構(gòu)造。在本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造中,上述撥水圖案的上述接觸孔的內(nèi)側(cè)面為內(nèi)徑從上述 接觸孔的底部朝向開口部擴(kuò)展的錐形形狀。依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),上述撥水圖案的內(nèi)側(cè)面與上述接觸孔的底面形成的角度比90° 大。在構(gòu)成該角度小于90°的所謂的反錐形形狀的接觸孔的情況下,難以以連續(xù)覆蓋接觸 孔的內(nèi)側(cè)面和底面的方式形成第二電極。因此,依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),由于保證上述第二電極連續(xù)覆蓋接觸孔的內(nèi)側(cè)面和底面 的可靠性,因此能夠防止上述第二電極在接觸孔內(nèi)的斷線。在本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造中,上述錐形形狀的傾斜角度優(yōu)選為大致45°。
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這里,上述撥水圖案的占有面積小對于電極接觸構(gòu)造的精密化有利,因此為了減 小上述撥水圖案的占有面積,上述錐形形狀的傾斜角度最好接近90°。但是,上述錐形形狀 的傾斜角度接近90°,則上述第二電極在接觸孔內(nèi)的斷線的危險(xiǎn)性升高。因此,如果使上述錐形形狀的傾斜角度成為大致45°,則能夠優(yōu)化上述撥水圖案 的占有面積與斷線危險(xiǎn)性的平衡關(guān)系。在本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造中,上述撥水圖案優(yōu)選形成為與上述第一電極相接觸。依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),位于上述第一電極與上述第二電極之間的上述中間層的接觸孔 一側(cè)的側(cè)面成為被上述撥水圖案覆蓋的狀況。因此,上述中間層的接觸孔一側(cè)的側(cè)面成為 被上述撥水圖案保護(hù)的狀態(tài),因此能夠防止上述中間層的接觸孔一側(cè)的側(cè)面被蝕刻而成為 反錐形形狀。因此,能夠更可靠地防止上述第二電極的斷線。在本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造中,上述第一電極的端部優(yōu)選設(shè)置在上述接觸孔的內(nèi) 部。這里,在形成接觸孔時(shí),存在上述接觸孔內(nèi)的第一電極被蝕刻,上述撥水圖案與上 述第一電極接觸的區(qū)域被侵蝕,在該浸蝕部位形成反錐形形狀的情況。依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),構(gòu)成為在上述第一電極的下層形成的膜面露出于上述接觸孔內(nèi) 的結(jié)構(gòu)。在上述第一電極的下層為玻璃等難以被蝕刻的材質(zhì)的情況下,上述第一電極的下 層與上述撥水圖案接觸的區(qū)域不會被浸蝕而成為反錐形形狀。因此,第二電極易于可靠地 覆蓋露出于上述接觸孔內(nèi)的膜面和上述第一電極的端部,因此能夠進(jìn)一步降低第二電極斷 線的可能性。在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,包括上述任意一種電極接觸構(gòu)造;進(jìn)行像素的驅(qū)動(dòng) 控制的驅(qū)動(dòng)元件;和進(jìn)行像素的驅(qū)動(dòng)的像素電極,該液晶顯示裝置的特征在于,上述第一電 極為上述驅(qū)動(dòng)元件的漏極電極,上述第二電極為上述像素電極。依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),由于即使在上述中間層中包含由水溶性材料形成的水溶層,也 能夠用堿顯影將上述接觸孔進(jìn)行圖案形成,因此在驅(qū)動(dòng)元件與像素電極之間配置有多功能 性的中間層的類型的液晶顯示裝置中,與進(jìn)行有機(jī)溶劑顯影的情況相比較,能夠構(gòu)成防止 批量生產(chǎn)性降低的液晶顯示裝置。在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,包括在上述像素內(nèi)配置有上述驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)元 件基板;和與上述驅(qū)動(dòng)元件基板相對配置的對置基板,在上述驅(qū)動(dòng)元件基板的外側(cè)配置有 使特定的偏振方向的光透射的第一偏振板,在上述對置基板的外側(cè)配置有使與上述第一偏 振板的偏振方向垂直的偏振方向的光透射的第二偏振板,上述水溶層為透射軸的方向設(shè)定 為實(shí)質(zhì)上與上述第一偏振板的透射軸同一方向的偏振層。這里,上述第一偏振板的透射軸方向的偏振光從上述驅(qū)動(dòng)元件基板的外側(cè)向上述 驅(qū)動(dòng)元件基板內(nèi)入射,而在上述入射光透射驅(qū)動(dòng)元件基板和上述對置基板時(shí),存在偏振方 向不維持原狀(解除偏振)的情況。而依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),由于設(shè)置有上述偏振層,因此發(fā)生解除偏振的上述入射光中 通過上述偏振層的透射軸被限制的偏振方向的光透射。即,上述偏振層能夠補(bǔ)償通過驅(qū)動(dòng) 元件基板時(shí)的入射光的偏振解除。因而,能夠維持上述入射光的偏振方向與上述第二偏振 板的偏振方向成為垂直的關(guān)系。
由此,例如在以進(jìn)行暗顯示(關(guān)斷)的方式驅(qū)動(dòng)像素的情況下,能夠補(bǔ)償上述入射 光從上述第二偏振板漏泄。因此,依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),能夠防止對比度降低。在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,優(yōu)選在上述對置基板,在內(nèi)側(cè)形成有彩色濾光片,并 且,在上述彩色濾光片的內(nèi)側(cè),配置有透射軸的方向設(shè)定為實(shí)質(zhì)上與上述第二偏振板的透 射軸同一方向的其它偏振層。依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),由于在上述驅(qū)動(dòng)元件基板形成有上述偏振層,在上述對置基板 的內(nèi)側(cè)形成有上述其它的偏振層,因此能夠補(bǔ)償入射光透射驅(qū)動(dòng)元件基板時(shí)的偏振解除和 透射彩色濾光片時(shí)的偏振解除。因此,能夠構(gòu)成對比度降低的抑制效果更高的偏振板4層 構(gòu)造的液晶顯示裝置。在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,優(yōu)選形成在上述驅(qū)動(dòng)元件基板的上述中間層包括彩 色濾光片,上述中間層依次疊層有上述彩色濾光片、和上述偏振層,上述偏振層的透射軸的 方向設(shè)定為實(shí)質(zhì)上與上述第一偏振板的透射軸同一方向。依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),包含在設(shè)置于上述驅(qū)動(dòng)元件基板的上述接觸構(gòu)造中的偏振層能 夠補(bǔ)償透射彩色濾光片的透射偏振光的偏振解除。因此,即使設(shè)置在上述驅(qū)動(dòng)元件基板與 上述對置基板之間的偏振層是1層,也能夠得到良好的抑制對比度降低的效果。另外,與在驅(qū)動(dòng)元件基板與對置基板之間設(shè)置有2層偏振層的情況、即偏振板4層 構(gòu)造的情況相比較,能夠較高地保持光的透射率和批量生產(chǎn)性。因此,依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),能夠構(gòu)成偏振板3層構(gòu)造的液晶顯示裝置,其具有良好的 抑制對比度降低的效果,并且還具有抑制透射率、批量生產(chǎn)性降低的效果。在本發(fā)明的液晶顯示裝置中,上述水溶層優(yōu)選為使透射的光的相位變化的相位差膜。依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),由于能夠在上述驅(qū)動(dòng)元件基板與上述對置基板之間設(shè)置視野角 補(bǔ)償膜的功能,因此能夠構(gòu)成廣視野角的液晶顯示裝置。本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造制造方法的特征在于,包括在基板上配置第一電極的第 一電極形成工序;在上述第一電極的要形成接觸孔的區(qū)域的周圍配置由撥水性材料形成的 撥水圖案的撥水圖案形成工序;在配置有上述第一電極的上述基板上,疊層包含由水溶性 材料形成的水溶層的中間層的中間層疊層工序;除去在要形成上述接觸孔的區(qū)域中所疊層 的中間層的中間層除去工序;和配置通過上述接觸孔與上述第一電極連接的第二電極的第 二電極形成工序。依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),能夠在接觸孔的周圍配置上述撥水圖案,上述水溶層和上述接 觸孔能夠通過上述撥水圖案被分離形成。因此,即使通過堿顯影進(jìn)行上述中間層除去工序, 堿水溶液也不會與上述水溶層接觸。從而,依據(jù)上述的結(jié)構(gòu),由于能夠通過堿顯影進(jìn)行上述中間層除去工序,因此與進(jìn) 行有機(jī)溶劑顯影的情況相比較,能夠提供防止批量生產(chǎn)性降低的電極接觸構(gòu)造制造方法。本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造制造方法優(yōu)選上述中間層除去工序包括堿顯影工序。由此,與進(jìn)行有機(jī)溶劑顯影的情況相比較,能夠提供防止批量生產(chǎn)性降低的電極 接觸構(gòu)造制造方法。發(fā)明的效果
如上所述,本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造在接觸孔的周圍形成有由撥水性材料形成的撥 水圖案,上述接觸孔和水溶層分離形成。另外,本發(fā)明的電極接觸構(gòu)造制造方法包括在基板上配置第一電極的第一電極 形成工序;在上述第一電極的要形成接觸孔的區(qū)域的周圍配置由撥水性材料形成的撥水圖 案的撥水圖案形成工序;在配置有上述第一電極的上述基板上,疊層包含由水溶性材料形 成的水溶層的中間層的中間層疊層工序;除去在要形成上述接觸孔的區(qū)域中所疊層的中間 層的中間層除去工序;和配置通過上述接觸孔與上第一電極連接的第二電極的第二電極形 成工序。從而,起到能夠提供防止批量生產(chǎn)性降低的電極接觸構(gòu)造和電極接觸構(gòu)造制造方 法這樣的效果。


圖1表示本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造,是圖2的A-A’線沿箭頭方向看 的剖面圖。圖2是圖3的電極接觸構(gòu)造的周邊的放大圖。圖3是表示具備本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造的像素的平面圖。圖4(a)是表示TFT元件和絕緣膜的圖案形成情況的剖面圖,(b)是表示在(a)的 工序之后,成膜有偏振層的情況的剖面圖,(c)是表示在(b)的工序之后成膜層間絕緣膜, 將接觸孔進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖,(d)是表示在(c)的工序之后,將ITO薄膜進(jìn)行圖 案形成的情況的剖面圖。圖5(a)是表示TFT元件和絕緣膜的圖案形成的情況的剖面圖,(b)是表示在(a) 的工序之后,在接觸孔形成區(qū)域的周圍將撥水圖案進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖,(c)是表 示接著(b)的工序?qū)⑵駥映赡さ那闆r的剖面圖,(d)是表示在(c)的工序之后將層間絕 緣膜成膜,并將接觸孔進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖,(e)是表示在(d)的工序之后將ITO 膜進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖。圖6(a)是表示TFT元件和絕緣膜的圖案形成的情況的剖面圖,(b)是表示在(a) 的工序之后成膜有偏振層的情況的剖面圖,(c)是表示在(b)的工序之后成膜層間絕緣膜, 將接觸孔進(jìn)行圖案形成后的情況的剖面圖,(d)是表示在(c)的工序之后將ITO膜進(jìn)行圖 案形成后的情況的剖面圖。圖7(a)是表示TFT元件和絕緣膜的圖案形成的情況的剖面圖,(b)是表示在(a) 的工序之后,在接觸孔形成區(qū)域的周圍將撥水圖案進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖,(c)是表 示在(b)的工序之后成膜有偏振層的情況的剖面圖,(d)是表示在(c)的工序之后成膜層 間絕緣膜,將接觸孔進(jìn)行圖案形成后的情況的剖面圖,(e)是表示在(d)的工序之后將ITO 膜進(jìn)行圖案形成后的情況的剖面圖。圖8是表示具備本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造的液晶顯示面板的剖面 圖。圖9是表示具備本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造的液晶顯示面板的剖面 圖。圖10(a)是表示反射層圖案形成的情況的剖面圖,(b)是表示在(a)的并排設(shè)置的反射層之間配置有撥水性樹脂的情況的剖面圖,(C)是表示在(b)的反射層上將偏振層 進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖,(d)是表示在(C)的上層形成有保護(hù)層的情況的剖面圖。
圖11(a)是表示在基板上成膜有水溶層的情況的剖面圖,(b)是表示在(a)中成 膜有保護(hù)層的情況的剖面圖,(c)是表示在(b)中形成有接觸孔的情況的剖面圖,(d)是表 示(c)中的接觸孔的側(cè)面被蝕刻的情況的剖面圖,(e)是表示(d)的水溶層和保護(hù)層發(fā)生 剝離的情況的剖面圖。符號說明
10 像素
20 接觸孔
23:漏極電極(第一電極)
24:偏振層(中間層、水溶層)
25 層間絕緣膜(中間層)
26 撥水圖案
27 JTOII (第二電極)
29 絕緣膜
30 =TFT元件
30D:漏極電極(第一電極)
30G:柵極電極
30S 源極電極
31 接觸孔
40,46 =TFT基板(驅(qū)動(dòng)元件基板)
47 彩色濾光片(中間層)
50、56 對置基板
52 彩色濾光片
53 偏振層(其他偏振層)
60 偏振板(第一偏振板)
61 偏振板(第二偏振板)
70、80 液晶面板
具體實(shí)施例方式根據(jù)圖1 圖9說明本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施方式如下。圖1 3表示本實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造,圖3是表示具備本實(shí)施方式的電極接 觸構(gòu)造的像素的結(jié)構(gòu)的平面圖。圖2是表示圖3的電極接觸構(gòu)造的狀況的平面圖。圖1是 圖2的A-A’線沿箭頭指向方向的剖面圖。圖3中表示像素10的平面圖。圖3表示在具備驅(qū)動(dòng)元件基板和對置基板的液晶 面板中驅(qū)動(dòng)元件基板的每一個(gè)像素的結(jié)構(gòu),其中,驅(qū)動(dòng)元件基板被配置有切換像素10的導(dǎo) 通和斷開的驅(qū)動(dòng)元件(TFT元件),對置基板隔著液晶層與驅(qū)動(dòng)元件基板相對配置。另外,在本實(shí)施方式中,說明由使背光源的光透射顯示圖像等的透射區(qū)域構(gòu)成的 透射型的液晶面板,但也可以是配置有用于使外部光反射顯示圖像等的反射區(qū)域的反射型的液晶面板,進(jìn)而,還可以是在一個(gè)像素內(nèi)設(shè)置有透射區(qū)域和反射區(qū)域的反射透射復(fù)合型 的液晶面板。(像素的概略結(jié)構(gòu))如圖3所示,在像素10中,以相互平行的方式配置有源極配線11,沿著與源極配線 11交叉的方向配置有柵極配線14。包括該源極配線11和柵極配線14由它們劃分的區(qū)域 為像素10。并且,在像素10內(nèi),在源極配線11與柵極配線14交叉的區(qū)域的附近設(shè)置有用 于切換像素10的導(dǎo)通和斷開的TFT元件30 (驅(qū)動(dòng)元件)。源極配線11與TFT元件30的源 極配線30S連接。另外,柵極配線14與TFT元件30的柵極配線30G連接。并且,在像素10的大致中央附近,在沿著與柵極配線14平行的方向設(shè)置有CS總 線(輔助電容配線)21。并且,在設(shè)置有CS總線21的區(qū)域中設(shè)置有漏極配線23(第一電 極),漏極配線23與TFT元件30的漏極配線30D(第一電極)連接。在該設(shè)置有CS總線 21的區(qū)域中設(shè)置的漏極配線23起到像素10的輔助電容的作用。并且,在設(shè)置有CS總線21的區(qū)域中形成的矩形的漏極配線23上在2個(gè)位置形成 有接觸孔20,在該接觸孔20的周圍形成有由撥水性材料形成的撥水圖案26。另外,接觸孔 20也不一定必須形成在2個(gè)位置,例如也可以僅形成在1個(gè)位置。另外,像素10中,在像素10內(nèi)除去形成有接觸孔20的位置以外,形成有由水溶性 材料形成的偏振層24 (水溶層、中間層),在該偏振層24的上層形成有起到像素電極作用的 ITO膜27 (第二電極)。作為形成偏振層24的水溶性材料,能夠使用在專利文獻(xiàn)2中公開 的材料。并且,如后文所述,該ITO膜27和漏極配線23在接觸孔20的區(qū)域內(nèi)電連接。使 用圖1、圖2詳細(xì)說明形成有該接觸孔20的區(qū)域的構(gòu)造。(電極接觸構(gòu)造)圖2是表示圖3的虛線部分即區(qū)域S的平面圖。圖1是圖2的A-A’線的沿箭頭 指向的剖面圖。例如,在由玻璃等形成的基板(未圖示)上設(shè)置有CS總線21,在CS總線21上層 設(shè)置由絕緣材料形成的柵極絕緣膜22,在柵極絕緣膜22上層并排設(shè)置源極配線11、漏極配 線23。然后,在其上層設(shè)置中間層。該中間層包括由水溶性材料形成的偏振層24和疊層在 其上層的保護(hù)層。在本實(shí)施方式中,作為保護(hù)層使用能夠進(jìn)行堿顯影的作為透明樹脂的層 間絕緣膜25 (中間層)。在本實(shí)施方式中,作為層間絕緣膜25,例如使用含有丙烯酸樹脂、環(huán)氧樹脂、聚酰 亞胺樹脂、聚氨基甲酸乙酯樹脂、酚醛樹脂和硅氧烷樹脂等的有機(jī)絕緣膜。并且,在漏極配線23的上層疊層的偏振層24和層間絕緣膜25的一部分區(qū)域中形 成有開口部,該開口部是接觸孔20。在接觸孔20的周圍形成有由撥水性材料形成的撥水 圖案26,通過該撥水圖案26分離接觸孔20與偏振層24。另外,作為上述撥水性材料,例如 能夠使用由氟類丙烯酸脂材料形成的光硬化性樹脂。并且,在層間絕緣膜25的上層配置有 ITO膜27,在接觸孔20內(nèi),ITO膜27與漏極配線23連接。這樣,由于本實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造是通過形成在接觸孔20周圍的撥水圖案 26分離接觸孔20與包含在上述中間層中的偏振層24的結(jié)構(gòu),因此在將接觸孔20進(jìn)行圖案 形成時(shí),光刻工藝的顯影液不會接觸到由水溶性材料形成的偏振層24。從而即使利用一般的光刻工藝中將接觸孔20進(jìn)行堿顯影,也能夠防止在堿顯影中使用的堿水溶液向偏振層 24浸透和作為其結(jié)果的偏振層24發(fā)生剝離。這里,作為在光刻工藝中使用的堿顯影用的堿顯影液,例如能夠舉出TMAH、碳酸 鈉、苛性鈉等。進(jìn)而,由于能夠通過堿顯影形成接觸孔20,因此與進(jìn)行有機(jī)溶劑顯影的情況相比 較,能夠防止批量生產(chǎn)性降低。這樣,依據(jù)像素10,即使在上述中間層中包含由水溶性材料形成的偏振層24,也 能夠通過堿顯影將接觸孔20進(jìn)行圖案形成,因此與進(jìn)行有機(jī)溶劑顯影的情況相比較,能夠 構(gòu)成防止批量生產(chǎn)性降低的電極接觸構(gòu)造。另外,撥水圖案26的接觸孔20中的內(nèi)側(cè)面形成為內(nèi)徑從接觸孔20的底部朝向開 口部擴(kuò)展的錐形形狀。即,撥水圖案26的內(nèi)側(cè)面與接觸孔20的底面形成的角度大于90°。這里,在形成撥水圖案26的內(nèi)側(cè)面與接觸孔20的底面所成的角度小于90°的所 謂的反錐形形狀的接觸孔的情況下,難以以連續(xù)地覆蓋接觸孔20的內(nèi)側(cè)面和底面的方式 形成ITO膜27。因此,通過如上述那樣將接觸孔20的內(nèi)側(cè)面做成錐形形狀,能夠保證ITO膜27連 續(xù)地覆蓋接觸孔20的內(nèi)側(cè)面和底面的可靠性,所以能夠防止ITO膜27在接觸孔20內(nèi)的斷 線。該撥水圖案26的錐形形狀的角度沒有特別限定,但優(yōu)選成為大致45°。這里,撥水圖案26的占有面積小對于電極接觸構(gòu)造的精密化有利。為了減小撥水 圖案26的占用面積,上述錐形形狀的傾斜角度優(yōu)選接近90°。但是,上述錐形形狀的傾斜角度接近90°,則ITO膜27在接觸孔20內(nèi)斷線的危險(xiǎn)
性升高。因此,如果使上述錐形形狀的傾斜角度成為大致45°,則能夠優(yōu)化撥水圖案26的 占有面積與斷線危險(xiǎn)性的平衡關(guān)系。S卩,能夠兼顧在接觸孔20內(nèi)防止ITO膜27的斷線與撥水圖案26的占有面積的最 小化。另外,接觸孔20的平面形狀不限于四角形,根據(jù)像素10適用的液晶面板的種類, 能夠適用各種形狀。另外,如上述那樣為了實(shí)現(xiàn)精密化優(yōu)選接觸孔20的尺寸小。但是,根 據(jù)像素10適用的液晶面板的種類,所要求的尺寸多種多樣,與該所要求的尺寸相一致形成 接觸孔20。(制造方法1)(沒有撥水圖案)接著,說明接觸孔的制造方法。首先,使用圖4的(a) (d)說明在接觸孔的周圍沒有形成撥水圖案的情況。圖4的(a)是表示TFT元件和絕緣膜的圖案形成狀況的剖面圖,圖4的(b)是表示 圖4的(a)的工序之后,已成膜偏振層的情況的剖面圖,圖4的(c)是表示接著圖4的(b) 的工序成膜層間絕緣膜,并將接觸孔進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖,圖4的(d)是表示在圖 4的(c)的工序之后,將ITO膜進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖。如圖4的(a)所示,通過濺射在玻璃等基板上設(shè)置柵極配線30G。并且,通過濺射 等設(shè)置覆蓋柵極配線30G的柵極絕緣膜22 (未圖示)。并且,通過濺射覆蓋柵極絕緣膜22
11的上層、即柵極配線30G的一方的側(cè)面的一部分而設(shè)置源極配線30S,覆蓋柵極配線30G的 另一方的側(cè)面的一部分而設(shè)置漏極配線30D。并且,在源極配線30S、柵極配線30G、漏極配線30D的上層,通過光刻設(shè)置絕緣膜 29,在漏極配線30D上的接觸孔20的形成區(qū)域的絕緣膜29設(shè)置開口部。接著,如圖4的(b)所示,在上層通過例如CVD (化學(xué)氣相生長;Chemical Vapor Deposition)法或者旋轉(zhuǎn)涂覆法成膜水溶性的偏振層24作為中間層。并且,如圖4的(c)所示,在偏振層24的上層,例如通過CVD法或者旋轉(zhuǎn)涂覆法等 成膜保護(hù)層即層間絕緣膜25作為中間層。并且,通過使用堿顯影的光刻工藝除去在漏極 配線30D上的絕緣膜29的開口部所成膜的偏振層24和層間絕緣膜25。由此,形成接觸孔 100。但是,在進(jìn)行堿顯影時(shí),由于偏振層24與堿顯影液直接接觸,因此堿顯影液浸透 到由水溶性材料形成的偏振層24中,直至接觸孔100周邊的偏振層24均被除去(蝕刻)。 進(jìn)而,由于絕緣膜29也與堿顯影液接觸,因此絕緣膜29的接觸孔100內(nèi)的側(cè)面也被蝕刻, 絕緣膜29的接觸孔100內(nèi)的側(cè)面如圖4的(c)所示成為反錐形形狀。接著,如圖4的(d)所示,在層間絕緣膜25的上層將ITO膜27進(jìn)行圖案形成,雖 然成為漏極配線30D與ITO膜27在接觸孔100內(nèi)接觸的狀況,但是由于接觸孔100內(nèi)的絕 緣膜29的側(cè)壁成為反錐形形狀,因此ITO膜27覆蓋絕緣膜29的側(cè)壁的可靠性降低,ITO膜 27容易發(fā)生斷線。(有撥水圖案)接著,使用圖5的(a) (e)說明在接觸孔的周圍設(shè)置撥水圖案的情況。圖5的(a)是表示TFT元件和絕緣膜的圖案形成的情況的剖面圖,圖5的(b)是 表示在圖5的(a)的工序之后,在接觸孔形成區(qū)域的周圍將撥水圖案進(jìn)行圖案形成的情況 的剖面圖,圖5的(c)是表示接著圖5的(b)的工序?qū)⑵駥映赡さ那闆r的剖面圖,圖5的 (d)是表示在圖5的(c)的工序之后將層間絕緣膜成膜,并將接觸孔進(jìn)行圖案形成的情況的 剖面圖,圖5的(e)是表示在圖5的(d)的工序之后將ITO膜進(jìn)行圖案形成的情況的剖面 圖。如圖5的(a)所示,在TFT元件形成工序(第一電極形成工序)中,與圖4的(a) 相同,在由玻璃等構(gòu)成的基板上,通過濺射設(shè)置柵極配線30G、柵極絕緣膜22(未圖示)。并 且,在其上層通過濺射設(shè)置源極配線30S、漏極配線30D。由此配置TFT元件30。接著,在絕緣膜圖案形成工序中,在TFT元件30上通過CVD法等成膜絕緣膜29。 并且,通過光刻,與圖4的(a)相同,在漏極配線30D上,在接觸孔形成區(qū)域的絕緣膜29設(shè) 置開口部。接著,如圖5的(b)所示,在撥水圖案形成工序中,在絕緣膜29的上述開口部的周 圍通過光刻將撥水圖案26進(jìn)行圖案形成。撥水圖案26通過將氟類丙烯酸脂材料進(jìn)行掩模圖案曝光和堿顯影而形成。在本實(shí)施方式中,撥水圖案26的厚度是0. 1 μ m 1 μ m左右,寬度是2 μ m 5 μ m 左右,上述開口部內(nèi)的一條邊的長度是2 μ m 5 μ m左右。該開口部的大小為接觸孔20的大小。在撥水圖案形成工序中,優(yōu)選進(jìn)行圖案形成的對位,使撥水圖案26與露出在接觸孔20的底部的漏極配線30D接觸而形成。換句話講,優(yōu)選進(jìn)行用于撥水圖案26的圖案形 成的對位,使得撥水圖案26覆蓋上述開口部一側(cè)的絕緣膜29的側(cè)面而形成。進(jìn)而,優(yōu)選將 撥水圖案26以上述開口部一側(cè)的側(cè)面成為錐形形狀的方式進(jìn)行圖案形成。并且,接著如圖5的(C)所示,在偏振層成膜工序(中間層成膜工序)中,例如通過 CVD法或者旋轉(zhuǎn)涂覆法等,成膜偏振層24。在本實(shí)施方式中,偏振層24的厚度為0. 1 μ m 0.5μπι。這里,由于偏振層24由水溶性材料形成,因此在由撥水性材料形成的撥水圖案26 上未成膜。另外,用撥水圖案26包圍的上述開口部的表面沒有進(jìn)行撥水處理,因此成膜偏 振層24。這樣在偏振層成膜工序中選擇性地成膜偏振層24。S卩,在偏振層成膜工序中,包括上述開口部內(nèi)、在形成有撥水圖案26的區(qū)域以外 成膜偏振層24。接著,如圖5的(d)所示,在保護(hù)層成膜工序(中間層成膜工序)中,在撥水圖案 26的上層全面地成膜能夠堿顯影的保護(hù)層。在本實(shí)施方式中,例如通過CVD法或者旋轉(zhuǎn)涂 覆法等,在偏振層24上作為層間絕緣膜25將透明樹脂材料即層間絕緣膜成膜。在本實(shí)施方 式中,層間絕緣膜25的厚度為1 2μπι左右。另外,保護(hù)層不限于層間絕緣膜25,也能夠 使用其它的通常所使用的能夠堿顯影的透明樹脂。作為這種能夠進(jìn)行堿顯影的透明樹脂, 例如能夠舉出脂環(huán)族環(huán)氧樹脂、改性脂環(huán)族環(huán)氧樹脂、脂肪族類環(huán)氧樹脂、雙酚A型環(huán)氧樹 脂、雙酚F型環(huán)氧樹脂、氫化雙酚A型環(huán)氧樹脂、甲酚酚醛型環(huán)氧樹脂等。進(jìn)而,也可以在對置基板一側(cè)不形成彩色濾光片,而是包括在中間層中在驅(qū)動(dòng)元 件基板一側(cè)形成彩色濾光片(詳細(xì)情況的后面敘述)。并且,在接觸孔形成工序(中間層除去工序)中,通過使用掩模曝光和堿顯影的光 刻,除去由撥水圖案26包圍的內(nèi)部(開口部)的層間絕緣膜25和偏振層24。S卩,通過對由撥水圖案26包圍的內(nèi)部(開口部)的層間絕緣膜25進(jìn)行掩模曝光、 并進(jìn)行堿顯影,除去已被曝光的層間絕緣膜25 (掩模曝光部),并且,還除去其下層的由水 溶性材料形成的偏振層24。另外,由撥水圖案26包圍的外側(cè)部分(掩模未曝光部)由于沒 有被進(jìn)行掩模曝光,因此即使進(jìn)行堿顯影也未被除去。像這樣,在由撥水圖案26包圍的內(nèi)部(開口部)中形成接觸孔20。S卩,通過撥水 圖案26,偏振層24和接觸孔20分離而形成。由此,堿顯影液不會接觸到偏振層24,堿顯影 液不會浸透到接觸孔20的外側(cè),由水溶性材料形成的偏振層24成為被保護(hù)的狀態(tài)。進(jìn)而,在撥水圖案26覆蓋上述接觸孔20 —側(cè)的絕緣膜29的側(cè)面而形成的情況 下,成為通過撥水圖案26,絕緣膜29和接觸孔20分離而形成的狀況。由此,堿顯影液不會 接觸到絕緣膜29。從而,不會通過形成接觸孔20時(shí)的堿顯影蝕刻絕緣膜29,能夠防止形成 圖4的(c)所示那樣的反錐形形狀。接著,如圖5的(e)所示,在像素電極成膜工序中(第二電極形成工序)中,通過 濺射,在層間絕緣膜25上將ITO膜27進(jìn)行圖案形成。由此,在接觸孔20內(nèi)也成膜ITO膜 27,ITO膜27與漏極配線30D連接。這樣,能夠形成所希望的接觸構(gòu)造。這里,由于撥水圖案26的接觸孔20 —側(cè)的內(nèi)側(cè)面具有錐形形狀,因此ITO膜27 能夠可靠地覆蓋撥水圖案26的內(nèi)側(cè)面,能夠防止ITO膜27的斷線。這樣,如果依據(jù)圖5的(a) (e)的方法,則由于預(yù)先形成接觸孔20內(nèi)的不存在 撥水圖案26的區(qū)域,因此在該接觸孔20內(nèi)雖然暫時(shí)成膜偏振層24,但是在此之后的堿顯影時(shí),接觸孔20內(nèi)的偏振層24與層間絕緣膜25 —起被除去,由此能夠形成所希望的接觸構(gòu)造。這樣,能夠構(gòu)成具備本實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造的TFT基板。然后,在上述TFT基板的上層進(jìn)一步成膜取向膜,與對置基板貼合,注入液晶,由 此形成液晶顯示元件(液晶面板),使用該液晶顯示元件制造液晶顯示裝置。(制造方法2)另外,為了更可靠地防止接觸孔20內(nèi)的ITO膜27的斷線,優(yōu)選在接觸孔20內(nèi)設(shè) 置漏極配線30D的配線的端部。使用圖6的(a) (d)、圖7的(a) (e)說明這一點(diǎn)。首先,使用圖6的(a) (d),說明在接觸孔的周圍沒有形成撥水圖案,在接觸孔內(nèi) 沒有形成漏極電極的配線的端部的情況,接著,使用圖7的(a) (d)說明在接觸孔的周圍 形成有撥水圖案,并且在接觸孔內(nèi)形成有漏極電極的配線的端部的情況。圖6的(a) (d)是表示現(xiàn)有的電極間接觸的制造方法的說明圖。圖6的(a)是表示TFT元件和絕緣膜的圖案形成的情況的剖面圖,圖6的(b)是 表示在圖6的(a)中成膜有偏振層的情況的剖面圖,圖6的(c)是表示在圖6的(b)中成 膜層間絕緣膜,將接觸孔進(jìn)行圖案形成后的情況的剖面圖,圖6的(d)是表示在圖6的(c) 中將ITO膜進(jìn)行圖案形成后的情況的剖面圖。圖7的(a) (e)是表示在接觸孔的周圍形成撥水圖案,在接觸孔內(nèi)形成漏極電 極的端部時(shí)的制造方法的說明圖。圖7的(a)是表示TFT元件和絕緣膜的圖案形成的情況的剖面圖,圖7的(b)是 表示在圖7的(a)的接觸孔形成區(qū)域的周圍將撥水圖案進(jìn)行圖案形成的情況的剖面圖,圖7 的(c)是表示在圖7的(b)中成膜有偏振層的情況的剖面圖,圖7的(d)是表示在圖7的 (c)中成膜層間絕緣膜,將接觸孔進(jìn)行圖案形成后的情況的剖面圖,圖7的(e)是表示在圖 7的(d)中將ITO膜進(jìn)行圖案形成后的情況的剖面圖。首先,如圖6的(a)、(b)所示,與圖4的(a)、(b)相同,將TFT元件30進(jìn)行圖案形 成,進(jìn)而,在漏極配線30D上的要形成接觸孔的區(qū)域中設(shè)置開口部,并將絕緣膜29進(jìn)行圖案 形成,疊層偏振層24。接著,如圖6的(c)所示,與圖4的(c)相同,在偏振層24的上層成膜層間絕緣膜 25,通過使用堿顯影的光刻除去在上述開口部成膜的偏振層24和層間絕緣膜25。由此,形 成接觸孔101。但是,這時(shí)如上所述,堿顯影液不僅與接觸孔101內(nèi)的絕緣膜29的側(cè)面接觸,還與 漏極電極30D接觸。因此,存在成為接觸孔101的底面的漏極配線30D的周圍也被蝕刻的 情況,助長接觸孔101的側(cè)面的反錐形形狀。并且,如圖6的(d)所示,在將ITO膜27進(jìn)行圖案形成后的情況下,在接觸孔101 的側(cè)面部分,ITO膜27更易于斷線。接著,說明在接觸孔的周圍設(shè)置撥水圖案,并且在接觸孔內(nèi)配置有漏極電極的端 部的情況。如圖7的(a)所示,通過上述的TFT元件工序,與圖5的(a)相同,將TFT元件30 進(jìn)行圖案形成。并且,在上述的絕緣膜圖案形成工序中,在接觸孔形成區(qū)域設(shè)置開口部,將絕緣膜29進(jìn)行圖案形成。在此,以漏極配線30D的配線的端部包含在開口部內(nèi)的方式將絕 緣膜進(jìn)行圖案形成。由此,作為漏極配線30D的下層的由玻璃形成的基板露出在接觸孔的 底面。接著,如圖7的(b)所示,在撥水圖案形成工序中,通過光刻,在上述開口部的周圍 進(jìn)行撥水圖案26的圖案形成。由此,在撥水圖案26產(chǎn)生與漏極配線30D接觸的區(qū)域和與 漏極配線30D的下層的玻璃接觸的區(qū)域。并且,如圖7的(c)所示,在偏振膜成膜工序中,例如,通過CVD法或者旋轉(zhuǎn)涂覆法 等成膜偏振層24。接著,如圖7的(d)所示,在保護(hù)層成膜工序中,通過例如CVD法或者旋 轉(zhuǎn)涂覆法等,在偏振層24的上層成膜層間絕緣膜25。并且,接著在接觸孔形成工序中,通過 使用堿顯影的光刻,除去接觸孔形成區(qū)域的偏振層24和層間絕緣膜25。由此,形成接觸孔 31。這時(shí),如上述那樣,由于堿顯影液還接觸到接觸孔31內(nèi)的漏極配線30D,因此接觸 孔31內(nèi)的撥水圖案26與漏極配線30D的接觸部分也被蝕刻,存在形成反錐形形狀的情況。 但是,由于玻璃難以通過堿顯影被蝕刻,因此在漏極配線30D的下層的玻璃與撥水圖案26 接觸的區(qū)域中能夠防止形成反錐形形狀的情況。并且,如圖7的(e)所示,在像素電極成膜工序中,通過濺射等將ITO膜27進(jìn)行圖 案形成。這時(shí),在接觸孔31內(nèi)的漏極配線30D與撥水圖案26接觸的區(qū)域中,存在形成反錐 形形狀的情況,存在ITO膜27發(fā)生斷線的情況。但是,在玻璃與撥水圖案26接觸的區(qū)域中, 由于不會形成反錐形形狀,因此ITO膜27不會發(fā)生斷線。從而,能夠更可靠地將ITO膜27 與漏極配線30D連接。然后,進(jìn)一步在上層成膜取向膜,與對置基板貼合,注入液晶,由此形成液晶顯示 元件(液晶面板),使用該液晶顯示元件制造液晶顯示裝置。(液晶顯示裝置)接著,說明使用本實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造的液晶顯示裝置。另外,作為一個(gè)例 子,使用圖8說明根據(jù)上述圖5的方法制造的液晶顯示裝置。圖8是表示具備本實(shí)施方式的電極接觸構(gòu)造的液晶顯示面板的剖面的概略圖。如圖8所示,本實(shí)施方式的液晶面板70,由形成有TFT元件30的TFT基板40和對 置基板50將液晶層62夾在中間而配置形成。并且,在TFT基板40和對置基板50的各自 的外側(cè),配置以碘為主要成分的偏振板60 (第一偏振板)、偏振板61 (第二偏振板)。TFT基板40為,在玻璃基板41上如上述那樣分別設(shè)置有TFT元件30、絕緣膜29、 偏振層24、層間絕緣膜25、ITO膜27、接觸孔20和撥水圖案26。并且,在ITO膜27的上層 設(shè)置有取向膜42。在對置基板50,從外側(cè)(與設(shè)置TFT基板40的一側(cè)相反的一側(cè))向內(nèi)側(cè)(設(shè)置 TFT基板40的一側(cè)),依次設(shè)置玻璃基板51、彩色濾光片(CF) 52、偏振層53 (其它的偏振 層)、ITO膜54、取向膜55。偏振層53能夠使用與偏振層24相同材質(zhì)的材料。另外,彩色濾光片52、取向膜 55能夠使用通常所使用的材料。另外,在TFT基板40的外側(cè)(與設(shè)置有對置基板50的一側(cè)相反的一側(cè))設(shè)置有 背光源(未圖示)。
這樣,液晶面板70是,具備透射相對于液晶面板70平行并相對于紙面平行的方向 的直線偏振光的偏振板60和偏振層24、以及透射相對于液晶面板70平行并相對于紙面垂 直的方向的直線偏振光的偏振層53和偏振板61的偏振板4層構(gòu)造。S卩,偏振板60和偏振層24的透射軸的方向是相對于液晶面板70平行并相對于紙 面平行的方向。另外,偏振層53和偏振板61的透射軸的方向是相對于液晶面板70平行并 相對于紙面垂直的方向。S卩,偏振板60和偏振層24的透射軸的方向與偏振層53和偏振板61的透射軸的 方向正交。并且,偏振板60的透射軸的方向和偏振層24的透射軸的方向是同一方向,偏振 層53的透射軸的方向和偏振板61的透射軸的方向是同一方向。另外,偏振板60和偏振層24的透射軸的方向與偏振層53和偏振板61的透射軸 的方向也可以成為正交的關(guān)系,還可以是任意一方的透射軸的方向是相對于紙面平行的方 向,另一方的透射軸的方向是相對于紙面垂直的方向。S卩,偏振板60和偏振層24的透射軸的方向也可以是相對于液晶面板70平行并相 對于紙面垂直的方向,偏振層53和偏振板61的透射軸的方向也可以是相對于液晶面板70 平行并相對于紙面平行的方向。這里,在暗顯示(斷開)像素的情況下,從背光源發(fā)出的光中,相對于紙面平行的 直線偏振光透射偏振板60,被僅透射相對于紙面垂直的直線偏振光的偏振板61遮光。但 是,透射偏振板60的相對于紙面平行的直線偏振光隨著透射TFT基板40和對置基板50而 偏振方向不維持原狀(解除偏振)。因此,成為還包括與偏振板61的透射軸平行的偏振方 向的光成分,光從偏振板61漏光,成為對比度降低的原因。因此,作為液晶面板內(nèi)偏振層,通過設(shè)置偏振層24,能夠補(bǔ)償由于透射TFT基板40 而解除了偏振的偏振方向。S卩,通過設(shè)置偏振層24,透射偏振板60的相對于紙面平行的直線偏振光即使照射 到TFT元件30等解除偏振的部件上,也能夠沿著相對于紙面平行的方向補(bǔ)償偏振方向。進(jìn)而,通過設(shè)置偏振層53,能夠補(bǔ)償由于透射對置基板50而解除偏振的偏振方 向。S卩,通過設(shè)置偏振層53,能夠?qū)⑼干淦駥?4的相對于紙面平行的直線偏振光在 透射液晶層62之后,照射到作為解除偏振的部件的彩色濾光片52上的量抑制為最小。艮口, 透射偏振層24的相對于紙面平行的直線偏振光在透射彩色濾光片52之前,大部分被偏振 層53遮擋。因此,即使在暗顯示的情況下,也能夠抑制從偏振板61泄漏的光,能夠防止對比 度降低。像這樣,能夠構(gòu)成在液晶面板的內(nèi)部設(shè)置偏振層,并且,能夠通過堿顯影將用于連 接像素電極和漏極電極的開口部即接觸孔20進(jìn)行圖案形成的液晶顯示面板。進(jìn)而,也可以采用省略偏振層24或者偏振層53的任意一方的偏振板3層結(jié)構(gòu)。依 據(jù)上述的偏振板4層構(gòu)造,作為像素內(nèi)偏振板設(shè)置有偏振層24、53,因此與沒有設(shè)置偏振層 24,53的液晶面板相比較,對比度提高,但是光的透射率(白色亮度)降低。因此,通過形成偏振板3層構(gòu)造,在得到對比度提高的效果的同時(shí),能夠抑制透射 率降低。
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另外,在圖8的液晶面板70中,在對置基板一側(cè)設(shè)置有彩色濾光片,但也可以設(shè)置 在TFT元件基板一側(cè)。使用圖9說明這一點(diǎn)。圖9是表示本實(shí)施方式的液晶面板80的概略的剖面圖。如圖9所示,液晶面板80以由TFT基板46和對置基板56將液晶層62夾持的方 式設(shè)置。另外,在TFT基板46和對置基板56的各自的外側(cè)設(shè)置有偏振板60、61。在TFT基板46與TFT基板40中,在偏振層24的下層設(shè)置有彩色濾光片47 (中間 層)這一點(diǎn)有所不同。另外,在對置基板56與對置基板50中,在省略了彩色濾光片52和 偏振層53這一點(diǎn)有所不同。其它的結(jié)構(gòu)相同,因此標(biāo)注相同的部件符號,省略說明。通過在上述的撥水圖案形成工序之后設(shè)置彩色濾光片形成工序(中間層成膜工 序)而將彩色濾光片47進(jìn)行圖案形成。彩色濾光片47通過光刻,在絕緣膜29的上層在接 觸孔形成區(qū)域設(shè)置開口部并進(jìn)行圖案形成。然后,通過上述的偏振層成膜工序,成膜偏振層 24。在此之后的制造方法與上述的方法相同。將這樣制造的TFT基板46與對置基板56貼合,通過注入液晶,由此制造液晶面板 80。這樣制造的液晶面板80是在TFT元件基板一側(cè)設(shè)置彩色濾光片的構(gòu)造(CF在TFT 陣列構(gòu)造)。液晶面板80構(gòu)成為來自TFT基板46的外側(cè)(與設(shè)置對置基板56的一側(cè)相反的一 側(cè))的透射偏振板60的偏振光依次透射彩色濾光片47、偏振層24。因此,通過偏振層24, 即使由于透射彩色濾光片47而被解除偏振,也能夠沿著與偏振板60相同的方向補(bǔ)償偏振 方向。這樣,通過做成CF在TFT陣列構(gòu)造,并且在彩色濾光片47的上層設(shè)置偏振層24, 在外側(cè)具備偏振板60、61的偏振板3層構(gòu)造,設(shè)置在像素內(nèi)的偏振層24能夠相對于TFT基 板和彩色濾光片的雙方補(bǔ)償透射光的消偏性,并且,由于還能夠抑制作為偏振板4層構(gòu)造 的課題的透射率降低,因此在抑制批量生產(chǎn)性和透射率降低的同時(shí),能夠?qū)崿F(xiàn)高對比度。另外,作為本實(shí)施方式,進(jìn)行了作為包含在中間層中的由水溶性材料形成的水溶 層使用偏振層的說明,而作為水溶層不限于偏振層。即,作為水溶層能夠適用由水溶性材料 形成的具有各種功能的層。例如,代替本實(shí)施方式的偏振層,也可以在液晶面板內(nèi)設(shè)置有具 有雙折射的由透明性材料形成的相位差板。由此,能夠?qū)⒁曇敖茄a(bǔ)償膜的功能導(dǎo)入到液晶 面板內(nèi)。作為由水溶性材料形成的相位差板,能夠使用例如CRYS0PTIX公司制的1軸性相 位差板(Negative A-plate[產(chǎn)品名]、Negative C-plate[產(chǎn)品名])或者2軸性相位差板 (Biaxial BA-plate [產(chǎn)品名])。另外,本發(fā)明不限于上述的實(shí)施方式,在權(quán)利要求表示的范圍內(nèi)能夠進(jìn)行各種變 更,關(guān)于將在上述實(shí)施方式中分別公開的技術(shù)方法組合而得到的實(shí)施方式也包含在本發(fā)明 的技術(shù)范圍內(nèi)。產(chǎn)業(yè)上的可利用性由于在用于將設(shè)置在包含由水溶性材料形成的層的中間層下方的電極與設(shè)置在 上述中間層的上層的電極連接的開口部的周圍設(shè)置有撥水圖案,因此不僅能夠適用在液晶顯示裝置的像素的電極接觸器中,還能夠廣泛地適用在使用堿顯影將上述開口部進(jìn)行圖案 形成的電極接觸構(gòu)造中。
權(quán)利要求
1.一種電極接觸構(gòu)造,其特征在于,包括形成在基板上的第一電極;形成在所述第一電極上的、包含由水溶性材料形成的水溶 層的中間層;和形成在所述中間層上的第二電極,所述第一電極和所述第二電極通過形成 在所述中間層的接觸孔連接,在所述接觸孔的周圍形成有由撥水性材料形成的撥水圖案,所述接觸孔與所述水溶層 由所述撥水圖案分離。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述的電極接觸構(gòu)造,其特征在于所述撥水圖案的所述接觸孔的內(nèi)側(cè)面為內(nèi)徑從所述接觸孔的底部朝向開口部擴(kuò)展的 錐形形狀。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述的電極接觸構(gòu)造,其特征在于 所述錐形形狀的傾斜角度為大致45°。
4.根據(jù)權(quán)利要求1 3中任一項(xiàng)所述的電極接觸構(gòu)造,其特征在于 所述撥水圖案形成為與所述第一電極相接觸。
5.根據(jù)權(quán)利要求1 4中任一項(xiàng)所述的電極接觸構(gòu)造,其特征在于 所述第一電極的端部配置在所述接觸孔的內(nèi)部。
6.一種液晶顯示裝置,其特征在于,包括權(quán)利要求1 5中任一項(xiàng)所述的電極接觸構(gòu)造;進(jìn)行像素的驅(qū)動(dòng)控制的驅(qū)動(dòng)元件;和 進(jìn)行像素的驅(qū)動(dòng)的像素電極,所述第一電極為所述驅(qū)動(dòng)元件的漏極電極, 所述第二電極為所述像素電極。
7.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置,其特征在于,包括 在所述像素內(nèi)配置有所述驅(qū)動(dòng)元件的驅(qū)動(dòng)元件基板;和與所述驅(qū)動(dòng)元件基板相對配置的對置基板,在所述驅(qū)動(dòng)元件基板的外側(cè)配置有使特定的偏振方向的光透射的第一偏振板, 在所述對置基板的外側(cè)配置有使與所述第一偏振板的偏振方向垂直的偏振方向的光 透射的第二偏振板,所述水溶層為透射軸的方向設(shè)定為實(shí)質(zhì)上與所述第一偏振板的透射軸同一方向的偏振層。
8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置,其特征在于 在所述對置基板,在內(nèi)側(cè)形成有彩色濾光片,并且,在所述彩色濾光片的內(nèi)側(cè),配置有透射軸的方向設(shè)定為實(shí)質(zhì)上與所述第二偏振 板的透射軸同一方向的其它偏振層。
9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的液晶顯示裝置,其特征在于 形成在所述驅(qū)動(dòng)元件基板的所述中間層包括彩色濾光片,所述中間層依次疊層有所述彩色濾光片、和所述偏振層,所述偏振層的透射軸的方向 設(shè)定為實(shí)質(zhì)上與所述第一偏振板的透射軸同一方向。
10.根據(jù)權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置,其特征在于 所述水溶層為使透射的光的相位變化的相位差膜。
11.一種電極接觸構(gòu)造制造方法,其特征在于,包括在基板上配置第一電極的第一電極形成工序;在所述第一電極的要形成接觸孔的區(qū)域的周圍配置由撥水性材料形成的撥水圖案的 撥水圖案形成工序;在配置有所述第一電極的所述基板上,疊層包含由水溶性材料形成的水溶層的中間層 的中間層疊層工序;除去在要形成所述接觸孔的區(qū)域中所疊層的中間層的中間層除去工序;和 配置通過所述接觸孔與所述第一電極連接的第二電極的第二電極形成工序。
12. 一種化合物,其具有以下結(jié)構(gòu)12.根據(jù)權(quán)利要求11所述的電極接觸構(gòu)造制造方法,其特征在于所述中間層除去工 序包括堿顯影工序。
全文摘要
在接觸孔(20)的周圍形成有由撥水性材料形成的撥水圖案(26),接觸孔(20)與由水溶性材料形成的偏振層(24)通過撥水圖案(26)被分離,因此能夠提供防止批量生產(chǎn)性降低的電極接觸構(gòu)造、具備該構(gòu)造的液晶顯示裝置和電極接觸構(gòu)造制造方法。
文檔編號G02F1/1343GK102112913SQ20098013025
公開日2011年6月29日 申請日期2009年6月26日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月27日
發(fā)明者柴田諭, 龜江宏幸 申請人:夏普株式會社
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