專利名稱：光致抗蝕劑剝離組合物及使用所述組合物剝離光致抗蝕劑的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及光致抗蝕劑剝離組合物，和使用所述組合物剝離光致抗蝕劑的方法。本申請要求2008年4月7日向韓國專利局(KIPO)提交的韓國專利申請案號 10-2008-0032149的優(yōu)先權(quán)，該申請的全部內(nèi)容通過引用納入本文。
背景技術(shù)：
半導體集成電路或液晶顯示器的精細電路的制備方法包括均勻地將光致抗蝕劑 涂布于形成于基板上的導電金屬膜或絕緣膜上，其中，所述導電金屬膜例如有鋁、鋁合金、 銅、銅合金等，而所述絕緣膜例如有氧化硅膜、氮化硅膜等；選擇性地對光致抗蝕劑進行曝 光和顯影，以形成光致抗蝕劑圖案；以圖案化光致耐蝕膜作為掩模，對導電金屬膜或絕緣膜 進行濕式蝕刻或干式蝕刻，進而于光致抗蝕劑下層轉(zhuǎn)印出精細電路圖案；使用剝離劑(剝 離液)除去不必要的光致抗蝕劑層。近來，隨著液晶顯示器設備大型化，使用剝離劑處理的光致抗蝕劑的濃度也在 增加。因此，為提高剝離劑相對較低的剝離能力，已使用對于光致抗蝕劑具有大溶解度 的二甲基乙酰胺(dimethylacetamide，DMAc)代替一般用于剝離劑中的二醇，如二甘 醇單丁醚(diethyleneglycol monobutylether)、二 甘醇單乙醚(diethyleneglycol monoethylether)等。然而，與已知二醇相比，所述DMAc具有相對較低的沸點和較高的揮發(fā)性，因此不 可應用已知使用剝離劑時的70°C工藝條件，而應使用溫度范圍在50至60°C的新工藝條件。 就液晶顯示器制備方法的穩(wěn)定性而言，低溫的工藝條件較為有利，但剝離劑的剝離力可能 會下降，且由于剝離力下降，產(chǎn)量可能隨著總處理時間的增加而降低。

發(fā)明內(nèi)容
技術(shù)問題為了克服相關(guān)領(lǐng)域中的上述問題，必須開發(fā)出這樣一種光致抗蝕劑剝離組合物， 其具有出色的光致抗蝕劑剝離力，且即使其以相對少量使用，仍能夠剝離大量光致抗蝕劑， 并可適用于高溫工藝條件，不會降低產(chǎn)率，不會與組合物中的其它組分反應，且不會產(chǎn)生不 需要的副產(chǎn)物。技術(shù)方案本發(fā)明提供一種光致抗蝕劑剝離組合物，其包括1)具有光致抗蝕劑剝離力的化 合物；和2)溶劑，其包括如下式1所示的乳酰胺類化合物[式1]
權(quán)利要求
一種光致抗蝕劑剝離組合物，包含1)具有光致抗蝕劑剝離力的化合物；和2)溶劑，其包含如下式1所示的乳酰胺類化合物[式1]其中，R1為氫或具有1至3個碳原子的烷基，且R2和R3互為相同或不同，且各自獨立為氫或具有1至3個碳原子的烷基。FPA00001232687200011.tif
2.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述1)具有光致抗蝕劑剝離力的 化合物為有機胺類化合物。
3.權(quán)利要求2的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述有機胺類化合物包括一種或 多種選自伯氨基醇化合物、仲氨基醇化合物、和叔氨基醇化合物的化合物。
4.權(quán)利要求2的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述有機胺類化合物包括一種或 多種選自如下的化合物單乙醇胺(MEA)、1-氨基異丙醇(AIP)、2_氨基-1-丙醇、N-甲基 氨基乙醇(N-MAE)、3-氨基-1-丙醇、4-氨基-1-丁醇、2-(2-氨基乙氧基)-1_乙醇(AEE)、 2-(2-氨基乙基氨基)-1_乙醇、二乙醇胺(DEA)、三乙醇胺(TEA)、和羥基乙基哌嗪(HEP)。
5.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于以所述組合物的總重量計，所述1)具有光致抗蝕劑剝離力的化合物含量在1至75重量％范圍以內(nèi)。
6.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述2)乳酰胺類化合物為二甲 基乳酰胺(dimethyl lactamide，DML)、二甲基羥基丁酰胺(dimethyl hydroxybutylamide, DMHB)、或二甲基羥基乙酰胺(dimethyl glycolamide)。
7.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于以所述組合物的總重量計，所述2)溶劑的含量在25至99重量％范圍以內(nèi)。
8.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述2)溶劑還包含一種或多種 選自如下的化合物N-甲基吡咯烷酮(NMP)、1，3-二甲基-2-咪唑烷酮(DMI)、二甲亞砜 (DMSO)、二甲基乙酰胺(DMAc)、二甲基甲酰胺(DMF)、N-甲基甲酰胺(NMF)、四亞甲基砜、丁 基二甘醇(butyl diglycol，BDG)、乙基二甘醇(ethyl diglycol，EDG)、甲基二甘醇(methyl diglycol, MDG)、三甘醇(triethylene glycol, TEG)、二甘醇單乙醚(diethyleneglycol monoethylether,DEM)、二甘醇單丁醚(diethyleneglycol monobutylether)、及其混合物。
9.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述光致抗蝕劑剝離組合物還包 含抗腐蝕劑。
10.權(quán)利要求9的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述抗腐蝕劑包括一種或多種 選自下式2、式3和式4所示的化合物[式2]
11.權(quán)利要求9的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于以所述組合物的總重量計，所述 抗腐蝕劑的含量在0. 01至5重量％范圍以內(nèi)。
12.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述光致抗蝕劑剝離組合物還 包含表面活性劑。
13.權(quán)利要求12的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述表面活性劑為如下式5所 示的表面活性劑[式5]
14.權(quán)利要求12的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于以所述組合物的總重量計，所 述表面活性劑的含量在0. 01至1重量％范圍以內(nèi)。
15.權(quán)利要求1的光致抗蝕劑剝離組合物，其特征在于所述光致抗蝕劑剝離組合物適 用于60°C以上的工藝條件。
16.一種剝離光致抗蝕劑的方法，該方法包括以下步驟1)將一種光致抗蝕劑涂覆在形成于基板上的導電金屬膜或絕緣膜上；2)在所述基板上形成光致抗蝕劑圖案；3)將所述光致抗蝕劑圖案作為掩模，對所述導電金屬膜或絕緣膜進行蝕刻；以及4)使用權(quán)利要求1至15中任一項的光致抗蝕劑剝離組合物剝離所述光致抗蝕劑。
17.—種剝離光致抗蝕劑的方法，該方法包括以下步驟1)將一種光致抗蝕劑涂覆在基板的整體表面上；2)在所述基板上形成光致抗蝕劑圖案；3)在形成有所述光致抗蝕劑圖案的基板上，形成導電金屬膜或絕緣膜；以及4)使用權(quán)利要求1至15中任一項的光致抗蝕劑剝離組合物剝離所述光致抗蝕劑。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種光致抗蝕劑剝離組合物。具體而言，本發(fā)明涉及這樣一種光致抗蝕劑剝離組合物，其具有出色的光致抗蝕劑剝離力，且即使其以相對少量使用，仍可剝離大量光致抗蝕劑，并可適用于高溫工藝條件，不會與組合物中的其它組分反應，且不會產(chǎn)生不需要的副產(chǎn)物。本發(fā)明還涉及使用該組合物剝離光致抗蝕劑的方法。
文檔編號G03F7/42GK101981511SQ200980111558
公開日2011年2月23日 申請日期2009年4月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年4月7日
發(fā)明者樸珉春, 權(quán)赫俊, 金璟晙, 閔盛晙, 韓 熙 申請人:株式會社Lg化學