專(zhuān)利名稱(chēng)：雙面對(duì)準(zhǔn)裝置及其對(duì)準(zhǔn)方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種對(duì)準(zhǔn)裝置及方法，且特別是有關(guān)于一種雙面對(duì)準(zhǔn)裝置及其對(duì) 準(zhǔn)方法。
背景技術(shù)：
為了實(shí)現(xiàn)封裝器件智能化和小型化的發(fā)展要求，出現(xiàn)了對(duì)多晶片(硅片)封裝解 決方案的需要。多晶片封裝是一種將兩個(gè)或更多平面器件堆疊并連接起來(lái)的硅片級(jí)封裝方 法，該封裝方法也稱(chēng)為三維(3D)封裝。在3D封裝中，TSV封裝工藝方式被認(rèn)為是未來(lái)最有 潛力、也是最有前途的3D封裝方式之一。TSV封裝工藝方法是在半導(dǎo)體晶片的正面到背面 形成微型通孔，然后以電氣方式將上下晶片連接起來(lái)，由于采用3D垂直互聯(lián)方式，從而大 大縮短了晶片之間的互聯(lián)引線長(zhǎng)度，從而使封裝器件在體積、性能及信號(hào)傳輸速度上都有 了大幅度提高。TSV封裝工藝方式要求對(duì)硅片進(jìn)行雙面曝光，因此要求半導(dǎo)體光刻設(shè)備具有雙面 對(duì)準(zhǔn)裝置以滿足雙面曝光的工藝需求，該裝置不僅能對(duì)硅片前表面進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，而且也能對(duì) 硅片后表面進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，雙面對(duì)準(zhǔn)裝置的測(cè)量精度直接決定了硅片前后表面光刻圖形的套刻誤差。美國(guó)專(zhuān)利US6525805B2所述的雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，利用同軸對(duì)準(zhǔn)方式實(shí)現(xiàn)硅片前表面 對(duì)準(zhǔn)，利用可見(jiàn)光測(cè)量法通過(guò)離軸對(duì)準(zhǔn)裝置實(shí)現(xiàn)硅片后表面對(duì)準(zhǔn)，該實(shí)施例所述硅片后表 面對(duì)準(zhǔn)存在以下缺點(diǎn)相對(duì)于使用同軸對(duì)準(zhǔn)方式對(duì)硅片后表面進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)，增加了一整套離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)， 包括標(biāo)記照明和成像光學(xué)系統(tǒng)、成像傳感器，提高了系統(tǒng)設(shè)計(jì)復(fù)雜度及成本，同時(shí)也增加了 整機(jī)測(cè)校難度。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種雙面對(duì)準(zhǔn)裝置及其對(duì)準(zhǔn)方法，以降低雙面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的 設(shè)計(jì)成本及復(fù)雜度。為達(dá)上述目的，本發(fā)明提出一種雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，包括掩模對(duì)準(zhǔn)裝置、硅片前表面對(duì) 準(zhǔn)裝置和硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置。掩模對(duì)準(zhǔn)裝置包括掩模照明光學(xué)系統(tǒng)、掩模成像光學(xué)系統(tǒng) 和圖像傳感器，實(shí)現(xiàn)掩模標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置包括上述掩模照明光學(xué)系統(tǒng)、掩模 成像光學(xué)系統(tǒng)和圖像傳感器，借助于投影物鏡實(shí)現(xiàn)硅片前表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)和工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記 對(duì)準(zhǔn)；硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置包括底部照明光學(xué)系統(tǒng)、底部成像光學(xué)系統(tǒng)、上述掩模成像光學(xué) 系統(tǒng)和圖像傳感器，借助于投影物鏡實(shí)現(xiàn)硅片后表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。本發(fā)明另提出一種用于上述雙面對(duì)準(zhǔn)裝置的對(duì)準(zhǔn)方法，包括下列步驟(1)掩模 對(duì)準(zhǔn)裝置與工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記在圖像處理單元的圖像傳感器靶面 上的成像位置；( 掩模對(duì)準(zhǔn)裝置與掩模標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定掩模標(biāo)記在圖像處理單元的圖像 傳感器靶面上的成像位置；C3)通過(guò)步驟(1)和( 確定掩模圖案在工件臺(tái)坐標(biāo)系中的成像位置；(4)硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置與硅片前表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定硅片前表面標(biāo)記在圖像處 理單元的圖像傳感器靶面上的成像位置；( 通過(guò)步驟(1)和步驟(4)確定硅片前表面在 工件臺(tái)坐標(biāo)系中的位置；(6)根據(jù)(3)和(5)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，對(duì)準(zhǔn)當(dāng)前掩模和硅片前表面，并 對(duì)硅片前表面進(jìn)行曝光；(7)將硅片翻轉(zhuǎn)180度，對(duì)調(diào)硅片的前后表面；(8)硅片后表面對(duì) 準(zhǔn)裝置與硅片后表面對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定硅片后表面在工件臺(tái)上的位置；(9)根據(jù)(1) (3) 和(7) (8)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，對(duì)準(zhǔn)當(dāng)前掩模和硅片后表面，并對(duì)翻轉(zhuǎn)前的硅片后表面進(jìn)行曝光。綜上所述，本發(fā)明通過(guò)在工件臺(tái)底部安裝簡(jiǎn)單的光學(xué)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)硅片后表面對(duì) 準(zhǔn)，不需要額外增加一套離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，不僅可以避免掩模版的反射引入的雜散光對(duì)圖像 對(duì)比度的影響，提高了標(biāo)記圖像的對(duì)比度及對(duì)準(zhǔn)測(cè)量精度，而且整個(gè)硅片后表面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 充分利用了硅片前表面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，不需要對(duì)已有的掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和硅片前表面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn) 行改造即可以實(shí)現(xiàn)硅片后表面對(duì)準(zhǔn)，降低了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)成本及復(fù)雜度；同時(shí)由于不使用離 軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，使得在雙面對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中，不僅降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和系統(tǒng)成本，而且整機(jī) 測(cè)校的復(fù)雜度也得到降低。進(jìn)一步，掩模對(duì)準(zhǔn)和硅片對(duì)準(zhǔn)時(shí)，用圖像對(duì)準(zhǔn)的信號(hào)處理方式來(lái)獲取對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的 位置信息，使得對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記可以為任意形狀，既可以使用預(yù)先制作的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記，也可以使用前 道電路圖案作為標(biāo)記，提高了對(duì)準(zhǔn)的工藝適應(yīng)性，在半導(dǎo)體后道工藝中具有較大的優(yōu)勢(shì)。


圖1是實(shí)施例一硅片前表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)時(shí)雙面對(duì)準(zhǔn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖2是實(shí)施例一硅片后表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)時(shí)雙面對(duì)準(zhǔn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖；圖3是是實(shí)施例一中硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置安裝位置示意4是本發(fā)明實(shí)施例一的對(duì)準(zhǔn)方法的流程圖。
具體實(shí)施例方式為讓本發(fā)明的上述和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉較佳實(shí)施例， 并配合附圖，作詳細(xì)說(shuō)明如下。圖1是實(shí)施例一硅片前表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)時(shí)雙面對(duì)準(zhǔn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，圖2是實(shí)施 例一硅片后表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)時(shí)雙面對(duì)準(zhǔn)裝置的結(jié)構(gòu)示意圖，同時(shí)參考圖1至圖2。雙面對(duì)準(zhǔn)裝置用于對(duì)準(zhǔn)掩模板10和工件臺(tái)13上的硅片14。掩模板10上具有掩 模標(biāo)記11，硅片14具有前表面1 和后表面14b。掩模板10和硅片14之間設(shè)有投影物鏡 12，上述內(nèi)容對(duì)于本領(lǐng)域中具有通常知識(shí)的人來(lái)說(shuō)是現(xiàn)有技術(shù)，不再詳細(xì)描述。雙面對(duì)準(zhǔn)裝置包括掩模對(duì)準(zhǔn)裝置、硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置和硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置。掩模對(duì)準(zhǔn)裝置設(shè)置在掩模板10的上方，包括掩模照明光學(xué)系統(tǒng)、掩模成像光學(xué)系 統(tǒng)和圖像處理單元，實(shí)現(xiàn)掩模標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。掩模照明光學(xué)系統(tǒng)包括第一光源Si、第一光纖2、 第一聚光鏡組3、第一分束棱鏡8、第一反射鏡9。掩模成像光學(xué)系統(tǒng)包括第一反射鏡9、第 一分束棱鏡8、第一掩模對(duì)準(zhǔn)成像鏡組7。圖像處理單元包括圖像傳感器6、圖像采集設(shè)備 5、圖像處理設(shè)備4。掩模對(duì)準(zhǔn)時(shí)，第一光源Sl發(fā)出的光線經(jīng)光纖2導(dǎo)入到掩模照明光學(xué)系 統(tǒng)，依次通過(guò)第一聚光鏡組3、第一分束棱鏡8后，被第一反射鏡9反射到掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記11 上，均勻照明掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記11，然后光線被掩模標(biāo)記11反射后，依次通過(guò)第一反射鏡9、第一分束棱鏡8和第一成像物鏡7，將掩模標(biāo)記11清晰成像到圖像傳感器6上，經(jīng)由圖像采集 設(shè)備5和圖像處理設(shè)備4，即可以得到掩模標(biāo)記11的相關(guān)位置信息。硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置包括上述掩模照明光學(xué)系統(tǒng)、掩模成像光學(xué)系統(tǒng)和圖像處理 單元。第一光源Sl發(fā)出的光線經(jīng)第一光纖2導(dǎo)入到掩模照明系統(tǒng)，依次通過(guò)第一聚光鏡3、 第一分束棱鏡8后，被第一反射鏡9反射到掩模版10上的通光窗口 01上，然后光線穿過(guò)掩 模版10并通過(guò)投影物鏡12，均勻照明硅片1 前表面對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記15，然后光線被硅片1 反 射后，依次通過(guò)投影物鏡12和掩模版10上的通光窗口 01、第一反射鏡9、第一分束棱鏡8 和第一成像物鏡組7，將硅片前表面標(biāo)記15清晰成像到圖像傳感器6上，經(jīng)由圖像采集設(shè)備 5和圖像處理設(shè)備4，即可以得到硅片前表面標(biāo)記15的相關(guān)位置信息。硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置22包括底部照明光學(xué)系統(tǒng)、底部成像光學(xué)系統(tǒng)、上述掩模成 像光學(xué)系統(tǒng)和圖像處理單元，通過(guò)投影物鏡對(duì)準(zhǔn)硅片后表面標(biāo)記。其中底部照明光學(xué)系統(tǒng) 和底部成像光學(xué)系統(tǒng)安裝在工件臺(tái)13內(nèi)。底部照明光學(xué)系統(tǒng)包括第二光源S2、第二光纖21、第二聚光鏡組20和第二分束棱 鏡19。底部成像光學(xué)系統(tǒng)包括第二分束棱鏡19、第二成像鏡組18和第二反射鏡17。硅片后表面對(duì)準(zhǔn)時(shí)，需要將硅片1 進(jìn)行翻轉(zhuǎn)，此時(shí)已曝光好的前表面處于下方。 光源S2發(fā)出的光線經(jīng)第二光纖21導(dǎo)入到底部照明光學(xué)系統(tǒng)，依次通過(guò)第二聚光鏡組20、第 二分束棱鏡19到達(dá)硅片后表面，通過(guò)移動(dòng)工件臺(tái)13，使得硅片標(biāo)記15被均勻照明，然后光 線被硅片標(biāo)記15反射后，依次通過(guò)第二分束棱鏡19、底部成像鏡組18、第二反射鏡17后到 達(dá)投影物鏡12，穿過(guò)投影物鏡12以及掩模版10上的通光窗口 01后，經(jīng)過(guò)第一反射鏡9、第 一分束棱鏡8和第一掩模成像物鏡組7，將硅片標(biāo)記15清晰成像到圖像傳感器6上，經(jīng)由圖 像采集設(shè)備5和圖像處理設(shè)備4，即可以獲取硅片后表面標(biāo)記15的相關(guān)位置信息。所述硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置22安裝在工件臺(tái)13內(nèi)，當(dāng)工件臺(tái)13運(yùn)動(dòng)時(shí)，整個(gè)硅片 后表面對(duì)準(zhǔn)裝置22會(huì)和工件臺(tái)13—起運(yùn)動(dòng)，以實(shí)現(xiàn)硅片前表面對(duì)準(zhǔn)和硅片后表面對(duì)準(zhǔn)。在 工件臺(tái)13內(nèi)，安裝有4套硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置，如圖3所示，以滿足硅片全場(chǎng)對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中對(duì) 全局對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記數(shù)量的要求。在WM1-WM4固定位置上，需要在硅片上的對(duì)應(yīng)位置制作對(duì)準(zhǔn)標(biāo) 記，以實(shí)現(xiàn)硅片后表面對(duì)準(zhǔn)。圖4是本發(fā)明實(shí)施例一的對(duì)準(zhǔn)方法的流程圖。如圖4所示，對(duì)準(zhǔn)方法包括下列步 驟SlOl掩模對(duì)準(zhǔn)裝置與工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記在圖像傳感器靶 面上的成像位置；S103掩模對(duì)準(zhǔn)裝置與掩模標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定掩模標(biāo)記在圖像傳感器靶面上的成像位 置；S105通過(guò)步驟SlOl和S103確定掩模圖案在工件臺(tái)坐標(biāo)系中的成像位置；S107硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置與硅片前表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定硅片前表面標(biāo)記在圖像傳 感器靶面上的成像位置；S109通過(guò)步驟SlOl和步驟S107確定硅片前表面在工件臺(tái)坐標(biāo)系中的位置；Sl 11根據(jù)S105和S109的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，對(duì)準(zhǔn)當(dāng)前掩模和硅片前表面，并對(duì)硅片前表面 進(jìn)行曝光；Sl 13將硅片翻轉(zhuǎn)180度，對(duì)調(diào)硅片的前后表面；
Sl 15硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置與硅片后表面對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定硅片后表面在工件臺(tái) 上的位置；S117根據(jù)S105、S107、Sl 13和Sl 15的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，對(duì)準(zhǔn)當(dāng)前掩模和硅片后表面，并 對(duì)翻轉(zhuǎn)前的硅片后表面進(jìn)行曝光。綜上所述，本發(fā)明通過(guò)在工件臺(tái)底部安裝簡(jiǎn)單的光學(xué)系統(tǒng)來(lái)實(shí)現(xiàn)硅片后表面對(duì) 準(zhǔn)，不需要額外增加一套離軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，不僅可以避免掩模版的反射引入的雜散光對(duì)圖像 對(duì)比度的影響，提高了標(biāo)記圖像的對(duì)比度及對(duì)準(zhǔn)測(cè)量精度，而且整個(gè)硅片后表面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng) 充分利用了硅片前表面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，不需要對(duì)已有的掩模對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)和硅片前表面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)進(jìn) 行改造即可以實(shí)現(xiàn)硅片后表面對(duì)準(zhǔn)，降低了系統(tǒng)的設(shè)計(jì)成本及復(fù)雜度；同時(shí)由于不使用離 軸對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)，使得在雙面對(duì)準(zhǔn)過(guò)程中，不僅降低了系統(tǒng)設(shè)計(jì)的復(fù)雜度和系統(tǒng)成本，而且整機(jī) 測(cè)校的復(fù)雜度也得到降低。本發(fā)明中所述具體實(shí)施案例僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施案例而已，并非用來(lái)限定本發(fā) 明的實(shí)施范圍。即凡依本發(fā)明申請(qǐng)專(zhuān)利范圍的內(nèi)容所作的等效變化與修飾，都應(yīng)作為本發(fā) 明的技術(shù)范疇。
權(quán)利要求
1.一種雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，用于掩模和硅片前后表面對(duì)準(zhǔn)，其特征在于，包括掩模對(duì)準(zhǔn)裝置，位于掩模版上方，包括掩模照明光學(xué)系統(tǒng)、掩模成像光學(xué)系統(tǒng)和圖像處 理單元；硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置，包括上述掩模照明光學(xué)系統(tǒng)、上述掩模成像光學(xué)系統(tǒng)和上述圖 像處理單元，借助于投影物鏡實(shí)現(xiàn)硅片前表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)和工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置，設(shè)置在工件臺(tái)上，包括底部照明光學(xué)系統(tǒng)、底部成像光學(xué)系統(tǒng)、 上述掩模成像光學(xué)系統(tǒng)和圖像處理單元，借助于投影物鏡實(shí)現(xiàn)硅片后表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。
2.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于，其中掩模照明光學(xué)系統(tǒng)包括第一 光源、第一照明光纖、第一聚光鏡組、第一分束棱鏡、第一反射鏡，第一光源依次通過(guò)上述第 一照明光纖、第一聚光鏡組、第一分束棱鏡、第一反射鏡均勻照射至掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
3.根據(jù)權(quán)利要求2所述雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于，其中掩模成像光學(xué)系統(tǒng)包括第一 反射鏡、第一分束棱鏡和第一成像物鏡組，將掩模對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記清晰成像到圖像傳感器上。
4.根據(jù)權(quán)利要求1所述雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于，其中底部照明光學(xué)系統(tǒng)包括第二 光源、第二照明光纖、第二聚光鏡組和第二分束棱鏡，第二光源依次通過(guò)上述第二照明光 纖、第二聚光鏡組和第二分束棱鏡均勻照射至硅片后表面標(biāo)記。
5.根據(jù)權(quán)利要求4所述雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于，其中底部成像光學(xué)系統(tǒng)包括第二 分束棱鏡、底部成像鏡組和第二反射鏡，將硅片后表面標(biāo)記成像到硅片前表面。
6.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于，硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置的光源位 于工件臺(tái)底部。
7.根據(jù)權(quán)利要求1所述的雙面對(duì)準(zhǔn)裝置，其特征在于，掩模對(duì)準(zhǔn)裝置使用的對(duì)準(zhǔn)光源 波長(zhǎng)和投影物鏡的波長(zhǎng)范圍不重疊。
8.權(quán)利要求1至7中任意一項(xiàng)所述的雙面對(duì)準(zhǔn)裝置的對(duì)準(zhǔn)方法，其特征在于，包括下列 步驟(1)掩模對(duì)準(zhǔn)裝置與工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記在圖像處理單元的圖 像傳感器靶面上的成像位置；(2)掩模對(duì)準(zhǔn)裝置與掩模標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定掩模標(biāo)記在圖像處理單元的圖像傳感器靶面 上的成像位置；(3)通過(guò)步驟(1)和( 確定掩模圖案在工件臺(tái)坐標(biāo)系中的成像位置；(4)硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置與硅片前表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定硅片前表面標(biāo)記在圖像處理單 元的圖像傳感器靶面上的成像位置；(5)通過(guò)步驟(1)和步驟(4)確定硅片前表面在工件臺(tái)坐標(biāo)系中的位置；(6)根據(jù)C3)和(5)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，對(duì)準(zhǔn)當(dāng)前掩模和硅片前表面，并對(duì)硅片前表面進(jìn)行曝光；(7)將硅片翻轉(zhuǎn)180度，對(duì)調(diào)硅片的前后表面；(8)硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置與硅片后表面對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)，確定硅片后表面在工件臺(tái)上的 位置；(9)根據(jù)(1)(3)、(7) (8)的對(duì)準(zhǔn)結(jié)果，對(duì)準(zhǔn)當(dāng)前掩模和硅片后表面，并對(duì)翻轉(zhuǎn)前的硅片 后表面進(jìn)行曝光。
全文摘要
本發(fā)明提出了一種雙面對(duì)準(zhǔn)裝置及其方法。雙面對(duì)準(zhǔn)裝置包括掩模對(duì)準(zhǔn)裝置、硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置和硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置。掩模對(duì)準(zhǔn)裝置包括掩模照明光學(xué)系統(tǒng)、掩模成像光學(xué)系統(tǒng)和圖像傳感器，實(shí)現(xiàn)掩模標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；硅片前表面對(duì)準(zhǔn)裝置包括上述掩模照明光學(xué)系統(tǒng)、掩模成像光學(xué)系統(tǒng)和圖像傳感器，借助于投影物鏡實(shí)現(xiàn)硅片前表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)和工件臺(tái)基準(zhǔn)標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)；硅片后表面對(duì)準(zhǔn)裝置包括底部照明光學(xué)系統(tǒng)、底部成像光學(xué)系統(tǒng)、上述掩模成像光學(xué)系統(tǒng)和圖像傳感器，借助于投影物鏡實(shí)現(xiàn)硅片后表面標(biāo)記對(duì)準(zhǔn)。本發(fā)明的雙面對(duì)準(zhǔn)裝置及其對(duì)準(zhǔn)方法，降低了雙面對(duì)準(zhǔn)系統(tǒng)的設(shè)計(jì)成本及復(fù)雜度。
文檔編號(hào)G03F9/00GK102081312SQ20091019944
公開(kāi)日2011年6月1日 申請(qǐng)日期2009年11月26日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月26日
發(fā)明者張春蓮, 徐兵, 王端秀, 蔡巍, 陳躍飛 申請(qǐng)人:上海微電子裝備有限公司