專利名稱：液晶顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示技術(shù)的發(fā)展，人們對其顯示清晰度的要求越來越高，這就要求提高 液晶面板的解析度(PPI)。然而，相同尺寸的面板解析度越高，開口率(aperture ratio)越 低。因此為了兼顧高解析度與高開口率，加入有機(jī)膜制作高開口率的面板成為一種必要的 手段。半穿半反的液晶顯示屏目前被廣泛應(yīng)用在手機(jī)、MP4等對戶外顯示效果要求較高 的電子設(shè)備。為了達(dá)到好的顯示效果，這種液晶顯示屏的液晶盒盒厚設(shè)計(jì)有兩種單盒厚和 雙盒厚。單盒厚通過在每個(gè)像素單元里采用兩個(gè)薄膜晶體管(TFT)來分別控制透射區(qū)和反 射區(qū)的像素電極的電位，進(jìn)而分別控制透射區(qū)和反射區(qū)的液晶光學(xué)延遲值，最終達(dá)到較好 的綜合顯示效果。雙盒厚通過在每個(gè)像素單元里增加有機(jī)膜來形成透射區(qū)和反射區(qū)的不同 盒厚，從而控制透射區(qū)和反射區(qū)的液晶光學(xué)延遲值，最終達(dá)到較好的綜合顯示效果。由此可見，有機(jī)膜已經(jīng)作為一種重要元件廣泛應(yīng)用于液晶顯示裝置中，通常有機(jī) 膜設(shè)置于液晶顯示裝置的鈍化層的表面?，F(xiàn)有技術(shù)中，為了保證有機(jī)膜不易從鈍化層表面 脫落，通常在有機(jī)膜層和鈍化層之間加入一層粘結(jié)層，該粘結(jié)層的材料通常為HMDS(六甲 基二硅胺；HexaMethylDiSilazane)。然而，在制作具有粘結(jié)層的液晶顯示裝置時(shí)，需要在曝 光生產(chǎn)線增加一個(gè)專門噴HMDS的設(shè)備，從而增加了生產(chǎn)液晶顯示裝置的生產(chǎn)成本。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種能夠降低生產(chǎn)成本的液晶顯示裝置。一種液晶顯示裝置，包括一基板、鈍化層、有機(jī)膜和金屬層，該鈍化層、有機(jī)膜和金 屬層設(shè)置于該基板的一側(cè)，該鈍化層的表面與該有機(jī)膜接觸，該有機(jī)膜還與該金屬層接觸 以防止該有機(jī)膜從該鈍化層脫落。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，該鈍化層設(shè)置于該有機(jī)膜和該金屬層之間，該鈍化 層包括接觸孔，該有機(jī)膜經(jīng)由該接觸孔與該金屬層接觸。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，該液晶顯示裝置還包括一覆蓋該有機(jī)膜的透明導(dǎo)電 層，該有機(jī)膜包括接觸孔，該透明導(dǎo)電層經(jīng)由該鈍化層和該有機(jī)膜的接觸孔與該金屬層接 觸。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，該液晶顯示裝置還包括設(shè)置于該基板表面的薄膜晶 體管陣列和設(shè)置于該薄膜晶體管陣列外側(cè)的靜電導(dǎo)電環(huán)，該鈍化層設(shè)置于該薄膜晶體管陣 列和該有機(jī)膜之間，該靜電導(dǎo)電環(huán)形成該金屬層。該有機(jī)膜的邊沿區(qū)域與該靜電導(dǎo)電環(huán)接 觸。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，該薄膜晶體管陣列包括掃描線和數(shù)據(jù)線，該掃描線 和該數(shù)據(jù)線的靜電保護(hù)電路設(shè)置于該靜電導(dǎo)電環(huán)的外側(cè)。
本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，該液晶顯示裝置還包括透明導(dǎo)電層，該透明導(dǎo)電層 覆蓋該有機(jī)膜的邊緣區(qū)域和該靜電導(dǎo)電環(huán)。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，該液晶顯示裝置是半穿半反液晶顯示裝置。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，該液晶顯示裝置還包括設(shè)置于該基板一側(cè)的薄膜晶 體管陣列，該薄膜晶體管陣列包括掃描線、與該掃描線相交的數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，該鈍化 層設(shè)置于該薄膜晶體管陣列和該有機(jī)膜之間，該掃描線、數(shù)據(jù)線和該薄膜晶體管的源極或 者漏極形成該金屬層。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，相鄰兩條數(shù)據(jù)線和相鄰兩條掃描線界定一像素單 元，該像素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)，該有機(jī)膜設(shè)置于該像素單元的反射區(qū)，該薄膜晶體管 的源極呈方形環(huán)，該透射區(qū)設(shè)置于該源極所圍的區(qū)域內(nèi)，該有機(jī)膜與該掃描線、數(shù)據(jù)線和該 薄膜晶體管的源極接觸。本發(fā)明優(yōu)選的一種技術(shù)方案，該鈍化層的材料為氮化硅。該金屬層的材料為鉬或
銀合金ο與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的液晶顯示裝置的鈍化層與有機(jī)膜接觸，該有機(jī)膜同時(shí) 與該液晶顯示裝置的金屬層接觸，由于有機(jī)膜與金屬層之間有良好的粘著力，使得該有機(jī) 膜不會從該鈍化層上脫落，因此，本發(fā)明的液晶顯示裝置能夠省去鈍化層與有機(jī)膜之間的 粘結(jié)層，進(jìn)而省去了制造該液晶顯示裝置的過程中所需的HMDS噴涂設(shè)備，從而降低了該液 晶顯示裝置的生產(chǎn)成本。


圖1是本發(fā)明的液晶顯示裝置的第一實(shí)施方式的像素截面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2是本發(fā)明的液晶顯示裝置的第二實(shí)施方式的平面結(jié)構(gòu)示意圖。圖3是本發(fā)明的液晶顯示裝置的第三實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖4是本發(fā)明的液晶顯示裝置的第四實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)示意圖。圖5所示為液晶顯示裝置沿V-V線的截面結(jié)構(gòu)示意圖。
具體實(shí)施例方式為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案和優(yōu)點(diǎn)更加清楚，下面結(jié)合附圖對本發(fā)明作進(jìn)一步 的詳細(xì)描述。請參閱圖1，圖1是本發(fā)明的液晶顯示裝置的第一實(shí)施方式的像素截面結(jié)構(gòu)示意 圖。該液晶顯示裝置10包括基板、設(shè)置于該基板一側(cè)的金屬層101、鈍化層102、有機(jī)膜103 和透明導(dǎo)電層104。優(yōu)選的，該金屬層101為該液晶顯示裝置10的薄膜晶體管的源極或者 漏極層，該鈍化層102的材料為氮化硅(SiNx)，該金屬層101的材料為鉬或鉬合金，該透明 導(dǎo)電層104的材料為氧化銦錫(ITO)。該鈍化層102通過化學(xué)氣相沉積、曝光、干刻等工藝形成于該金屬層101的表面。 該有機(jī)膜103涂布于該鈍化層102的表面，即該鈍化層102設(shè)置于該金屬層101和該有機(jī)膜 103之間。該鈍化層102包括接觸孔，該有機(jī)膜103通過該接觸孔與該金屬層101接觸，用 于防止該有機(jī)膜103從該鈍化層102的表面脫落。該透明導(dǎo)電層104覆蓋該有機(jī)膜103，該 透明導(dǎo)電層104通過設(shè)置于該鈍化層102和該有機(jī)膜103的接觸孔與該金屬層101接觸。
請參閱圖2，圖2是本發(fā)明的液晶顯示裝置的第二實(shí)施方式的平面結(jié)構(gòu)示意圖。該 液晶顯示裝置20包括基板201、設(shè)置于該基板201 —側(cè)表面的薄膜晶體管陣列202、鈍化 層、靜電導(dǎo)電環(huán)203、有機(jī)膜206和透明導(dǎo)電層207。該靜電導(dǎo)電環(huán)203設(shè)置于該薄膜晶體 管陣列202的外側(cè)，用于保護(hù)該薄膜晶體管陣列202免受靜電破壞。優(yōu)選的，該靜電導(dǎo)電環(huán) 203與該薄膜晶體管陣列202的薄膜晶體管的源極或者漏極在同一工序中形成，該靜電導(dǎo) 電環(huán)203的材料為鉬或鉬合金，該透明導(dǎo)電層207的材料為氧化銦錫。該薄膜晶體管陣列202包括薄膜晶體管、掃描線和數(shù)據(jù)線。該鈍化層覆蓋該薄膜 晶體管陣列202，該鈍化層用于保護(hù)該薄膜晶體管陣列202。該優(yōu)選的，該鈍化層102的材 料為氮化硅。在該薄膜晶體管陣列202區(qū)域，該有機(jī)膜206與該鈍化層接觸，即該鈍化層設(shè) 置于該有機(jī)膜206和該薄膜晶體管陣列202之間。在該薄膜晶體管陣列202的外側(cè)，該有 機(jī)膜206的邊緣區(qū)域與該靜電導(dǎo)電環(huán)203接觸。優(yōu)選的，該有機(jī)膜206的邊緣區(qū)域覆蓋該 靜電導(dǎo)電環(huán)203的內(nèi)側(cè)邊緣204而未覆蓋該靜電導(dǎo)電環(huán)203的外側(cè)邊緣205。該靜電導(dǎo)電 環(huán)203作為一金屬層，與該有機(jī)膜206接觸以防止該有機(jī)膜206從該鈍化層脫落。該透明 導(dǎo)電層207覆蓋該有機(jī)膜206的邊緣區(qū)域和該靜電導(dǎo)電環(huán)203，以保護(hù)該靜電導(dǎo)電環(huán)203不 被腐蝕。為了增加該薄膜晶體管陣列202對靜電的防護(hù)效果，通常，在該靜電導(dǎo)電環(huán)203的 外側(cè)設(shè)置有對該掃描線的靜電保護(hù)電路208和對該數(shù)據(jù)線的靜電保護(hù)電路209。由于該掃 描線的靜電保護(hù)電路208、該數(shù)據(jù)線的靜電保護(hù)電路209設(shè)置在該靜電導(dǎo)電環(huán)203的外側(cè)， 該有機(jī)膜206與該靜電導(dǎo)電環(huán)203的接觸并不會影響對該掃描線和數(shù)據(jù)線的靜電防護(hù)效果。請參閱圖3，圖3是本發(fā)明的液晶顯示裝置的第三實(shí)施方式的像素結(jié)構(gòu)示意圖。該 液晶顯示裝置30是半穿半反液晶顯示裝置，圖中僅示出該液晶顯示裝置30的一個(gè)像素單 元。該液晶顯示裝置30包括一基板、設(shè)置于該基板一側(cè)的薄膜晶體管陣列、鈍化層和有機(jī) 膜 303。該薄膜晶體管陣列包括多條相互平行的掃描線301、多條相互平行且與該掃描線 相交的數(shù)據(jù)線302和由相鄰兩條掃描線301、相鄰兩條數(shù)據(jù)線302界定的像素單元。該像 素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)，該像素單元的薄膜晶體管306設(shè)置于該反射區(qū)。該鈍化層覆 蓋該薄膜晶體管陣列，用于保護(hù)該薄膜晶體管陣列。該有機(jī)膜303設(shè)置于該鈍化層上并覆 蓋該像素單元的反射區(qū)。因此，該鈍化層的表面與該有機(jī)膜303接觸，即該鈍化層設(shè)置于該 薄膜晶體管陣列和該有機(jī)膜303之間。優(yōu)選的，該像素單元的反射區(qū)設(shè)置于該透射區(qū)的外 圍，該有機(jī)膜303對應(yīng)該穿透區(qū)的部分形成開口，因此，該有機(jī)膜303在該開口處形成內(nèi)邊 緣 305。該薄膜晶體管306的柵極307連接一掃描線301，該薄膜晶體管306的漏極308 連接一數(shù)據(jù)線302，該薄膜晶體管306的源極電連接一方形金屬環(huán)309，該像素單元的透射 區(qū)設(shè)置于金屬環(huán)309所圍的區(qū)域內(nèi)。在該像素單元的反射區(qū)，該鈍化層具有接觸孔。該有 機(jī)膜303的部分區(qū)域通過該鈍化層的接觸孔與該掃描線301和數(shù)據(jù)線302接觸，該有機(jī)膜 303的內(nèi)邊緣305通過該鈍化層的接觸孔與金屬環(huán)309接觸，即該掃描線301、數(shù)據(jù)線302 和金屬環(huán)309作為一金屬層與該有機(jī)膜303接觸以防止該有機(jī)膜303從該鈍化層脫落。優(yōu) 選的，該有機(jī)膜303的內(nèi)邊緣305覆蓋該金屬環(huán)309的外邊緣311而未覆蓋該金屬環(huán)的內(nèi)邊緣310，該鈍化層的材料為氮化硅，該掃描線301、數(shù)據(jù)線302和該薄膜晶體管306的源極 309的材料為鉬或鉬合金。請同時(shí)參閱圖4和圖5，圖4是本發(fā)明的液晶顯示裝置的第四實(shí)施方式的像素結(jié) 構(gòu)示意圖；圖5是圖4所示液晶顯示裝置沿V-V線的截面結(jié)構(gòu)示意圖。該液晶顯示裝置40 是半穿半反液晶顯示裝置，圖中僅示出該液晶顯示裝置40的一個(gè)像素單元的結(jié)構(gòu)。該像素 單元包括穿透區(qū)和反射區(qū)。該液晶顯示裝置包括基板401、薄膜晶體管402、第一金屬層403、鈍化層404、第二 金屬層405、絕緣層406和有機(jī)膜層407。該薄膜晶體管402設(shè)置于反射區(qū)。該第一金屬層403設(shè)置于該基板401 —側(cè)表面。該第一金屬層403包括通過一光 罩制程形成的該液晶顯裝置40的掃描線和與掃描線相連的該薄膜晶體管402的柵極。該 鈍化層404覆蓋該第一金屬層403和該基板401。該第二金屬層405設(shè)置于該鈍化層404 上。該第二金屬層405包括通過一光罩制程形成的該液晶顯裝置40的掃描線、該薄膜晶體 管402的源極和漏極以及圍繞該像素單元穿透區(qū)的金屬環(huán)。該絕緣層406設(shè)置于該數(shù)據(jù)線 以及薄膜晶體管402的源極和漏極上，并部分覆蓋該數(shù)據(jù)線以及薄膜晶體管402的源極和 漏極。該有機(jī)膜407設(shè)置于反射區(qū)，則該有機(jī)膜對應(yīng)穿透區(qū)具有開孔。該有機(jī)膜407覆蓋 于該絕緣層406、該第二金屬層405和該鈍化層404。該有機(jī)膜407與該未被絕緣層406覆 蓋的數(shù)據(jù)線以及該薄膜晶體管402的源極和漏極接觸。該有機(jī)膜407的開孔邊緣覆蓋該金 屬環(huán)，則該金屬環(huán)設(shè)置于該有機(jī)膜407與鈍化層之間。優(yōu)選地，該有機(jī)膜407的開孔邊緣僅 覆蓋該金屬環(huán)的外邊緣而未覆蓋該金屬環(huán)的內(nèi)邊緣。該有機(jī)膜407通過與包括數(shù)據(jù)線、薄 膜晶體管402的源極和漏極和該金屬環(huán)的第二金屬層405接觸而防止有機(jī)膜407從該鈍化 層脫落。其中，該鈍化層407和該絕緣層的材料為氮化硅，該第一金屬層405和該第二金屬 層403的材料為鉬或鉬合金。與現(xiàn)有技術(shù)相比，本發(fā)明的液晶顯示裝置的鈍化層與有機(jī)膜接觸，該有機(jī)膜同時(shí) 與該液晶顯示裝置的金屬層接觸，由于有機(jī)膜與金屬層之間有良好的粘著力，使得該有機(jī) 膜不會從該鈍化層上脫落，因此，本發(fā)明的液晶顯示裝置能夠省去鈍化層與有機(jī)膜之間的 粘結(jié)層，進(jìn)而省去了制造該液晶顯示裝置的過程中所需的HMDS噴涂設(shè)備，從而降低了該液 晶顯示裝置的生產(chǎn)成本。更進(jìn)一步的，由于本發(fā)明的液晶顯示裝置并不需要粘結(jié)層，本發(fā)明 的液晶顯示裝置結(jié)構(gòu)簡單。在本發(fā)明的液晶顯示裝置的第三和第四實(shí)施方式中，該金屬環(huán)呈方形，該金屬環(huán) 也可以呈其他形狀，如圓環(huán)形，并不限于上述實(shí)施方式所述。在本發(fā)明的液晶顯示裝置的第二實(shí)施方式中，有機(jī)膜的邊緣區(qū)域與金屬層接觸， 該有機(jī)膜也可以全部覆蓋該金屬層，并不限于上述實(shí)施方式所述。在不偏離本發(fā)明的精神和范圍的情況下還可以構(gòu)成許多有很大差別的實(shí)施例。應(yīng) 當(dāng)理解，除了如所附的權(quán)利要求所限定的，本發(fā)明不限于在說明書中所述的具體實(shí)施例。
權(quán)利要求
1.一種液晶顯示裝置，包括一基板、鈍化層、有機(jī)膜和金屬層，該鈍化層、有機(jī)膜和金屬 層設(shè)置于該基板的一側(cè)，該鈍化層的表面與該有機(jī)膜接觸，其特征在于，該有機(jī)膜還與該金 屬層接觸以防止該有機(jī)膜從該鈍化層脫落。
2.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該鈍化層設(shè)置于該有機(jī)膜和該金 屬層之間，該鈍化層包括接觸孔，該有機(jī)膜經(jīng)由該接觸孔與該金屬層接觸。
3.如權(quán)利要求2所述的液晶顯示裝置，其特征在于該液晶顯示裝置還包括一覆蓋該 有機(jī)膜的透明導(dǎo)電層，該有機(jī)膜包括接觸孔，該透明導(dǎo)電層經(jīng)由該鈍化層和該有機(jī)膜的接 觸孔與該金屬層接觸。
4.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該液晶顯示裝置還包括設(shè)置于該 基板表面的薄膜晶體管陣列和設(shè)置于該薄膜晶體管陣列外側(cè)的靜電導(dǎo)電環(huán)，該鈍化層設(shè)置 于該薄膜晶體管陣列和該有機(jī)膜之間，該靜電導(dǎo)電環(huán)形成該金屬層。
5.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于該薄膜晶體管陣列包括掃描線和 數(shù)據(jù)線，該掃描線和該數(shù)據(jù)線的靜電保護(hù)電路設(shè)置于該靜電導(dǎo)電環(huán)的外側(cè)。
6.如權(quán)利要求4所述的液晶顯示裝置，其特征在于該有機(jī)膜的邊沿區(qū)域與該靜電導(dǎo) 電環(huán)接觸。
7.如權(quán)利要求6所述的液晶顯示裝置，其特征在于該液晶顯示裝置還包括透明導(dǎo)電 層，該透明導(dǎo)電層覆蓋該有機(jī)膜的邊緣區(qū)域和該靜電導(dǎo)電環(huán)。
8.如權(quán)利要求1所述的液晶顯示裝置，其特征在于該液晶顯示裝置是半穿半反液晶 顯示裝置。
9.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于該液晶顯示裝置還包括設(shè)置于該 基板一側(cè)的薄膜晶體管陣列，該薄膜晶體管陣列包括掃描線、與該掃描線相交的數(shù)據(jù)線和 薄膜晶體管，該鈍化層設(shè)置于該薄膜晶體管陣列和該有機(jī)膜之間。
10.如權(quán)利要求9所述的液晶顯示裝置，其特征在于該數(shù)據(jù)線和掃描線相交處界定像 素單元，該像素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)，該有機(jī)膜設(shè)置于該像素單元的反射區(qū)，該薄膜晶 體管陣列還包括金屬環(huán)，該透射區(qū)設(shè)置于該金屬環(huán)所圍的區(qū)域內(nèi)，該有機(jī)膜與該掃描線、數(shù) 據(jù)線和該金屬環(huán)接觸。
11.如權(quán)利要求10所述的液晶顯示裝置，其特征在于該金屬環(huán)呈方形環(huán)狀或圓環(huán)形狀。
12.如權(quán)利要求8所述的液晶顯示裝置，其特征在于該液晶顯示裝置包括多個(gè)像素單 元，每一像素單元包括反射區(qū)和透射區(qū)，該鈍化層覆蓋發(fā)射區(qū)和透射區(qū)，該有機(jī)膜設(shè)置于鈍 化層上并覆蓋反射區(qū)，該金屬層設(shè)置于該鈍化層與該有機(jī)膜之間。
13.如權(quán)利要求12所述的液晶顯示裝置，其特征在于該金屬層包括金屬環(huán)，該透射區(qū) 設(shè)置于該金屬環(huán)的所圍的區(qū)域內(nèi)。
14.如權(quán)利要求13所述的液晶顯示裝置，其特征在于該液晶顯示裝置還包括掃描線、 與該掃描線相交的數(shù)據(jù)線和薄膜晶體管，該該掃描線和數(shù)據(jù)線界定該多個(gè)像素單元，該薄 膜晶體管設(shè)置于像素單元的反射區(qū)中。
15.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于該薄膜晶體管包括漏極，該金屬 環(huán)與該漏極電連接。
16.如權(quán)利要求14所述的液晶顯示裝置，其特征在于該金屬層還包括該數(shù)據(jù)線、該薄膜晶體管的源極和漏極，該數(shù)據(jù)線、該薄膜晶體管的源極和漏極及該金屬環(huán)在同一工藝過 程中形成。
17.如權(quán)利要求13至16中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于該有機(jī)膜覆蓋該 金屬環(huán)的外邊緣。
18.如權(quán)利要求13至16中任一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于該金屬環(huán)呈方形 環(huán)狀或圓環(huán)形狀。
19.如權(quán)利要求1到16中任意一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于該鈍化層的材 料為氮化硅。
20.如權(quán)利要求1到16中任意一項(xiàng)所述的液晶顯示裝置，其特征在于該金屬層的材 料為鉬或鉬合金。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種液晶顯示裝置。該液晶顯示裝置包括一基板、鈍化層、有機(jī)膜和金屬層，該鈍化層、有機(jī)膜和金屬層設(shè)置于該基板的一側(cè)，該鈍化層的表面與該有機(jī)膜接觸，該有機(jī)膜還與該金屬層接觸以防止該有機(jī)膜從該鈍化層脫落。本發(fā)明的液晶顯示裝置降低了生產(chǎn)成本。
文檔編號G02F1/1333GK102062967SQ200910198799
公開日2011年5月18日 申請日期2009年11月13日 優(yōu)先權(quán)日2009年11月13日
發(fā)明者凌志華, 吳天一, 時(shí)偉強(qiáng), 李忠麗, 袁劍峰, 馬駿 申請人:上海天馬微電子有限公司