專利名稱：顯示裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種具有柵極驅(qū)動電路的顯示裝置，更具體地講，涉及一種 具有改善的驅(qū)動能力并且即使在延長使用期后仍保持可靠性的柵極驅(qū)動電 路、 一種具有該柵極驅(qū)動電路的顯示裝置。
背景技術(shù)：
隨著現(xiàn)代社會迅速地朝著信息化社會改變，市場對更加輕薄的面板顯示 器的需求增加。諸如陰極射線管(CRT)的傳統(tǒng)顯示裝置并不適于這種需求。 因此，諸如等離子體顯示面板(PDP)裝置、等離子體尋址液晶顯示面板 (PALC)裝置、液晶顯示(LCD)裝置和有機發(fā)光二極管(OLED)裝置的 平板顯示(FDP)裝置正在急劇增多。具體地講，對具有諸如增強的畫面品 質(zhì)、減輕的重量和纖薄輪廓的優(yōu)良特性和優(yōu)點的顯示裝置的需求正在急劇增 加。
通常，顯示裝置包括其上布置有薄膜晶體管(TFT)的下基底、與下基 底相對的上基底及置于下基底和上基底之間的液晶材料的層，并通過調(diào)整施 加到液晶層的電場的強度來顯示圖像。顯示裝置包括用來驅(qū)動顯示面板的柵 極驅(qū)動電路和向顯示面板輸出圖像信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動電路。
用于顯示裝置的顯示面板的柵極驅(qū)動電路可以包括柵4及驅(qū)動集成電路 (IC)?？梢砸暂d帶封裝(TCP)或薄膜覆晶(COG)的形式安裝柵極驅(qū)動IC。 柵極驅(qū)動電路可以直接形成在顯示面板中。在裝置的制造成本、大小或設(shè)計 方面，正在嘗試各種有利的方法。例如，可以直接在非晶硅薄膜晶體管(a-Si TFT)的顯示面板上形成用于產(chǎn)生柵極信號的傳統(tǒng)柵極驅(qū)動電路，以代替柵 極驅(qū)動IC的^f吏用。

發(fā)明內(nèi)容
根據(jù)本發(fā)明在此已經(jīng)確定的是，在顯示面板上直接安裝^^極驅(qū)動器的嘗 試可以影響空間局限性。因此，本發(fā)明提供了一種具有這樣的柵極驅(qū)動器的 顯示裝置，即，該柵極驅(qū)動器即使在延長使用之后仍能夠確?？煽啃裕鴽] 有降低驅(qū)動能力，同時柵極驅(qū)動器占據(jù)較小的面積。
本發(fā)明還提供了一種具有這樣的柵極驅(qū)動電路的顯示裝置，即，該柵極 驅(qū)動電路具有改善的驅(qū)動能力并且即使在延長使用期后仍保持可靠性。
本發(fā)明的上述和其它特征和優(yōu)點將在以下對示例性實施例的描述中進行 描述，或者通過以下對示例性實施例的描述將變得清楚。
根據(jù)本發(fā)明的示例性實施例，提供了 一種包括移位寄存器的柵極驅(qū)動電
路，移位寄存器具有彼此級聯(lián)的多個級，所述多個級中的每個級包括上拉
單元，響應(yīng)于第一結(jié)點的信號輸出第一時鐘信號作為柵極信號，其中，向所
述第一結(jié)點施加第一輸入信號；下拉單元，如果輸入第二輸入信號，則下拉 單元將柵極信號放電到柵極截止電壓的電平；放電單元，響應(yīng)于第二輸入信 號將第一結(jié)點的信號放電到柵極截止電壓的電平；保持單元，響應(yīng)于第一時 鐘信號將第一結(jié)點的信號保持在被放電到柵極截止電壓的電平的柵極信號的 電平，其中，放電單元和保持單元中的至少一個包括彼此并聯(lián)連接的非晶硅 薄膜晶體管(TFT )和多晶硅TFT。
根據(jù)本發(fā)明的其它示例性實施例，提供了 一種包括移位寄存器的柵極驅(qū) 動電路，移位寄存器具有彼此級聯(lián)的多個級，所述多個級中的每個級包括 上拉單元，響應(yīng)于第一結(jié)點的信號輸出第一時鐘信號作為柵極信號，其中， 向所述第一結(jié)點施加第一輸入信號；下拉單元，如果輸入第二輸入信號，則 下拉單元將柵極信號放電到柵極截止電壓的電平；放電單元，響應(yīng)于第二輸 入信號將第一結(jié)點的信號放電到柵極截止電壓的電平；保持單元，響應(yīng)于第 一時鐘信號將第一結(jié)點的信號保持在被放電到柵極截止電壓的電平的柵極信 號的電平，其中，在柵極驅(qū)動電路中設(shè)置形成有非晶硅TFT的第一區(qū)和形成 有多晶硅TFT的第二區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明的其它示例性實施例，提供了 一種包括顯示面板和柵極驅(qū)動 電路的顯示裝置，顯示面板分成顯示圖像的顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)的外圍區(qū)， 柵極驅(qū)動電路設(shè)置在外圍區(qū)中并且包括移位寄存器，移位寄存器具有彼此級 聯(lián)的多個級以向柵極線輸出柵極信號，所述多個級中的每個級包括上拉單元，響應(yīng)于第一結(jié)點的信號輸出第一時鐘信號作為柵極信號，其中，向所述 第一結(jié)點施加第一輸入信號；下拉單元，如果輸入第二輸入信號，則下拉單
元將柵極信號放電到柵極截止電壓的電平；放電單元，響應(yīng)于第二輸入信號 將第一結(jié)點的信號放電到柵極截止電壓的電平；保持單元，響應(yīng)于第一時鐘 信號將第一結(jié)點的信號保持在被放電到柵極截止電壓的電平的柵極信號的電 平，其中，放電單元和保持單元中的至少一個包括彼此并聯(lián)連接的非晶硅TFT 和多晶^圭TFT。
根據(jù)本發(fā)明另外的示例性實施例，提供了 一種包括顯示面板和柵極驅(qū)動 電路的顯示裝置，顯示面板分成顯示圖像的顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)的外圍區(qū)， 柵極驅(qū)動電路設(shè)置在外圍區(qū)中并且包括移位寄存器，移位寄存器具有彼此級 聯(lián)的多個級以向柵極線輸出柵極信號，所述多個級中的每個級包括上拉單 元，響應(yīng)于第一結(jié)點的信號輸出第一時鐘信號作為柵極信號，其中，向所述 第一結(jié)點施加第一輸入信號；下拉單元，如果輸入第二輸入信號，則下拉單 元將柵極信號放電到柵極截止電壓的電平；放電單元，響應(yīng)于第二輸入信號 將第一結(jié)點的信號放電到柵極截止電壓的電平；保持單元，響應(yīng)于第一時鐘 信號將第 一 結(jié)點的信號保持在被放電到柵極截止電壓的電平的柵極信號的電 平，其中，在柵極驅(qū)動電路中設(shè)置形成有非晶硅TFT的第一區(qū)和形成有多晶 硅TFT的第二區(qū)。
根據(jù)本發(fā)明其它的示例性實施例，提供了一種制造顯示裝置的方法，該 方法包括以下步驟在顯示面板上形成包括多個非晶TFT的柵極驅(qū)動電路； 將多個非晶TFT分到第一區(qū)和第二區(qū)中；通過利用激光使第一區(qū)退火，使形 成在第一區(qū)中的非晶TFT晶化成多晶TFT。


通過參照附圖詳細(xì)描述本發(fā)明的示例性實施例，本發(fā)明的上述和其他特 征和優(yōu)點將變得更加清楚，在附圖中
圖1是示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的示例性顯示裝置的框圖2是示出了圖1中示出的示例性柵極驅(qū)動器的框圖3是圖2中示出的第j級的示例性實施例的電路圖4是對圖3中示出的第j級的操作例舉的信號圖5是在圖1中示出的示例性顯示裝置中包括的示例性顯示面板的布局圖6是在圖5中示出的示例性顯示面板中包括的示例性多晶薄膜晶體管
(TFT)的布局圖7是沿著圖6中的I-I，線截取的示例性多晶TFT的剖^見圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的示例性顯示裝置的框圖9是示出了圖8中示出的示例性柵極驅(qū)動器的框圖10是圖9中示出的第j級的示例性實施例的電路圖ll是在圖8中示出的示例性顯示裝置中包括的示例性顯示面板的布局圖。
具體實施例方式
通過參照以下示例性實施例的詳細(xì)描述和附圖，可以更容易理解本發(fā)明 和實施本發(fā)明的方法的優(yōu)點和特征。然而，本發(fā)明可以以多種不同的形式來 實施，不應(yīng)該被理解為局限于在此提出的實施例。相反，提供這些實施例使 本公開將是徹底和完全的，并將向本領(lǐng)域的技術(shù)人員充分地傳達(dá)本發(fā)明的構(gòu) 思，本發(fā)明將僅僅由權(quán)利要求書來限定。在整個說明書中，相同的標(biāo)號表示 相同的元件。在附圖中，為了清晰起見，會夸大層和區(qū)域的尺寸和相對尺寸。
應(yīng)該理解的是，當(dāng)元件或?qū)颖环Q作"在"另一元件或?qū)?上"、"連接到" 或"結(jié)合到"另一元件或?qū)訒r，該元件或?qū)涌梢灾苯釉诹硪辉驅(qū)由?、?接連接到或直接結(jié)合到另一元件或?qū)樱蛘呖梢源嬖谥虚g元件或中間層。相 反，當(dāng)元件被稱作"直接在"另一元件或?qū)?上"、"直接連接到"或"直接 結(jié)合到"另一元件或?qū)訒r，不存在中間元件或中間層。相同的標(biāo)號始終表示 相同的元件。如在這里使用的，術(shù)語"和/或"包括一個或多個相關(guān)所列的項 目的任意組合和所有組合。
應(yīng)該理解的是，盡管在這里可使用術(shù)語第一、第二、第三等來描述不同 的元件、組件、區(qū)域、層和/或部分，但是這些元件、組件、區(qū)域、層和/或部 分不應(yīng)受這些術(shù)語的限制。這些術(shù)語僅是用來將一個元件、組件、區(qū)域、層 和/或部分與另一個元件、組件、區(qū)域、層和/或部分區(qū)分開來。因此，在不脫 離本發(fā)明的教導(dǎo)的情況下，下面討論的第一元件、組件、區(qū)域、層或部分可 被命名為第二元件、組件、區(qū)域、層或部分。
在這里可使用空間相對術(shù)語，如"在...之下"、"在...下方"、"下面的"、"在...上方"、"上面的，，等，用來輕松地描述如圖中所示的一個元件或特征 與其它元件或特征的關(guān)系。應(yīng)該理解的是，空間相對術(shù)語意在包含除了在附 圖中描述的方位之外的裝置在使用或操作中的不同方位。例如，如果在附圖 中裝置被翻轉(zhuǎn)，則描述為"在"其它元件或特征"下方"或"之下"的元件 隨后將被定位為"在"其它元件或特征"上方"。因此，示例性術(shù)語"在...下 方"可包括"在...上方"和"在...下方"兩種方位。所述裝置可被另外定位 (旋轉(zhuǎn)90度或者在其它方位)，并相應(yīng)地解釋這里使用的空間相對描述符。
這里使用的術(shù)語僅為了描述具體實施例的目的，而不意圖限制本發(fā)明。 如這里所使用的，除非上下文另外明確指出，否則單數(shù)形式也意圖包括復(fù)數(shù) 形式。還將理解的是，當(dāng)在本說明書中使用術(shù)語"包含"和/或"包括"時， 說明存在所述特征、整體、步驟、操作、元件和/或組件，但不排除存在或附 加一個或多個其它特征、整體、步驟、操作、元件、組件和/或它們的組。
在此參照作為本發(fā)明的理想實施例(和中間結(jié)構(gòu))的示例性舉例說明的 圖示來描述本發(fā)明的實施例。這樣，預(yù)計會出現(xiàn)例如由制造技術(shù)和/或公差引
起的示例的形狀變化。因此，本發(fā)明的實施例不應(yīng)該#:理解為限制于在此示
出的區(qū)域的具體形狀，而應(yīng)該包括例如由制造導(dǎo)致的形狀偏差。例如，示出 為矩形的注入?yún)^(qū)域在其邊緣通常具有倒圓或曲線的特征和/或注入濃度的梯 度，而不是從注入?yún)^(qū)域到非注入?yún)^(qū)域的二元變化。同樣地，通過注入形成的 埋區(qū)可導(dǎo)致在埋區(qū)和通過其發(fā)生注入的表面之間的區(qū)域中出現(xiàn)一定程度的注 入。因此，在圖中示出的區(qū)域?qū)嶋H上是示意性的，它們的形狀并不意圖示出 裝置的區(qū)域的實際形狀，也不意圖限制本發(fā)明的范圍。
除非另有定義，否則這里使用的所有術(shù)語(包括」技術(shù)術(shù)語和科學(xué)術(shù)語) 具有與本發(fā)明所屬領(lǐng)域的普通技術(shù)人員所通常理解的意思相同的意思。將進 一步理解，除非這里明確定義，否則術(shù)語例如在通用的字典中定義的術(shù)語應(yīng) 該被解釋為具有與相關(guān)領(lǐng)域的上下文中它們的意思一致的意思，而不是將以 理想的或者過于正式的意義來解釋它們的意思。
現(xiàn)在，將在下面更詳細(xì)地參照附圖在下文中更充分地描述本發(fā)明的示例 性實施例。
將參照圖1至圖4來描述根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示裝置。圖1是 示出了根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的示例性顯示裝置的框圖，圖2是示出了圖 1中示出的示例性柵極驅(qū)動器的框圖，圖3是圖2中示出的第j級的示例性實施例的電路圖，圖4是對圖3中示出的第j級的操作例舉的信號圖。
首先參照圖1，根據(jù)本發(fā)明示例性實施例的顯示裝置包括顯示面板300、 信號提供單元100、柵極驅(qū)動器400和數(shù)據(jù)驅(qū)動器200。信號提供單元100包 括時序控制器IIO和時鐘發(fā)生器120。
再次參照圖1，顯示面板300可以分成在其中顯示圖像的顯示區(qū)DA和 在其中不顯示圖像的外圍區(qū)PA。
顯示區(qū)DA是在其上顯示圖像的區(qū)域，顯示區(qū)DA包括第一基底(未示 出)、第二基底(未示出)及置于第一基底和第二基底之間的液晶層(未示出)， 第一基底具有第一柵極線G,至第n柵極線Gn (其中，n為大于2的整數(shù))、 第一數(shù)據(jù)線D,至第m數(shù)據(jù)線Dm(其中，m為大于2的整數(shù))、開關(guān)元件(未 示出)和像素電極(未示出)，第二基底具有濾色器(未示出)和共電極(未 示出)。第一柵極線Gi至第n柵極線Gn基本上沿橫向方向(第一方向)延伸 并且彼此平行，第一數(shù)據(jù)線D!至第m數(shù)據(jù)線Dm基本上沿縱向方向(與第一 方向基本垂直的第二方向)延伸并且彼此平行。
外圍區(qū)PA位于顯示面板300的圍繞顯示區(qū)DA并且不顯示圖像的外部。
包括時序控制器110和時鐘發(fā)生器120的信號提供單元IOO從外部圖形 控制器(未示出)接收輸入圖像信號R、 G、 B和用于控制輸入圖像信號的顯 示的輸入控制信號，并向數(shù)據(jù)驅(qū)動器200輸出第一圖Y象信號DAT和數(shù)據(jù)控制 信號CONT。更詳細(xì)地講，時序控制器IIO接收包括例如垂直同步信號Vsync、 水平同步信號Hsyne、主時鐘Mw、數(shù)據(jù)使能信號DE等的輸入控制信號，并 向數(shù)據(jù)驅(qū)動器200輸出數(shù)據(jù)控制信號CONT。這里，用來控制數(shù)據(jù)驅(qū)動器200 的操作的數(shù)據(jù)控制信號CONT包括例如用來使數(shù)據(jù)驅(qū)動器200開始操作的水 平同步開始信號、指示輸出兩個數(shù)據(jù)電壓的加載信號等。
因此，數(shù)據(jù)驅(qū)動器200接收第一圖像信號DAT和數(shù)據(jù)控制信號CONT， 并將與第一圖像信號DAT對應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)電壓施加到數(shù)據(jù)線D廣Dm。數(shù)據(jù)驅(qū) 動器200產(chǎn)生預(yù)定單位的包括圖像數(shù)據(jù)信號的數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動器200可 以是以載帶封裝(TCP)的形式電連接到顯示面板300的集成電路(IC)，但 是不限于此。數(shù)據(jù)驅(qū)動器200可以形成在顯示面板300的外圍區(qū)PA上。
信號提供單元IOO從外部圖形控制器(未示出)接收垂直同步信號Vsync、 主時鐘Mdk等，從電壓發(fā)生器(未示出)接收柵極導(dǎo)通電壓Von和柵極截止 電壓Voff,并向柵極驅(qū)動器400提供第一掃描開始信號STVP、第一時鐘信號CKV、第二時鐘信號CKVB和柵極截止電壓Voff。更詳細(xì)地講，時序控制器 110向時鐘發(fā)生器120提供第二掃描開始信號STV、第一時鐘發(fā)生控制信號 OE和第二時鐘發(fā)生控制信號CPV。時鐘發(fā)生器120接收第二掃描開始信號 STV然后向4冊;〖及驅(qū)動器400輸出第一掃描開始信號STVP，并且接收第一時 鐘發(fā)生控制信號OE和第二時鐘發(fā)生控制信號CPV然后向柵極驅(qū)動器400輸 出柵極第一時鐘信號CKV和第二時鐘信號CKVB。這里，第一時鐘信號CKV 是第二時鐘信號CKVB的反相信號。
由第一掃描開始信號STVP啟用的柵極驅(qū)動器400利用第一時鐘信號 CKV、第二時鐘信號CKVB和柵極截止電壓Voff產(chǎn)生多個柵極信號，并將各 個柵極信號順序地施加給第一柵極線G！至第n 4冊極線Gn。
將參照圖2詳細(xì)地描述柵極驅(qū)動器400。棚-極驅(qū)動器400包括具有多個 級的移位寄存器。具體地講，柵極驅(qū)動器400包括彼此級聯(lián)(cascade)的多 個級ST廣ST^。除最后一級STn+1之外的級ST廣STn分別連接到柵極線G-Gn, 并分別輸出柵極信號Gout(l)-Gout(n)。向各個級ST廣STnw輸入柵極截止電壓 Voff、第一時鐘信號CKV、第二時鐘信號CKVB和初始化信號INT。這里，
如最后一級STn+1的進位信號Cout(n+l)。
級ST,-STn+1中的每個級包括第一時鐘端CK1、第二時鐘端CK2、設(shè)置 端S、重置端R、電源電壓端GV、幀重置端FR、柵極輸出端OUTl和進位 輸出端OUT2。
例如，連接到第j (j#l)柵極線Gj的第j級STj的設(shè)置端S接收前一級 STy的進位信號Cout(j-l)，重置端R接收下一級STj+1的柵極信號Gout(j+l), 第一時鐘端CK1和第二時鐘端CK2分別接收第一時鐘信號CKV和第二時鐘 信號CKVB,電源電壓端GV接收柵極截止電壓Voff，幀重置端FR接收初始 化信號INT或最后一級STn+1的進位信號Cout(n+l)。通過柵極輸出端OUT1 輸出柵極信號Gout(j),通過進位輸出端OUT2輸出進位信號Cout(j)。
向第一級SI\的設(shè)置端S輸入第一掃描開始信號STVP,而不是前一級 的進位信號；向最后一級ST。w的重置端R輸入第一掃描開始信號STVP，而 不是下一級的柵極信號。
在級ST廣STn的柵極輸出端OUT1中，向柵極輸出端OUT1輸出提供給 第一時鐘端CK1的第一時鐘信號CKV的高電平作為柵極驅(qū)動信號。也就是說，在奇數(shù)級ST,、 ST3、...中，第一柵極時鐘信號CKV的高電平提供給第 一時鐘端CK1，并通過柵極輸出端0UT1輸出。在偶數(shù)級ST2、 ST4、...的柵 極輸出端0UT1輸出第二柵極時鐘信號CKVB的高電平。因此，在各個級中 順序地輸出柵極信號Gout(l)-Gout(n+l)。
將參照圖3和圖4更詳細(xì)地描述圖2中示出的第j級STj。 首先參照圖3，第j級STj包括緩沖單元410、充電單元420、上拉單元 430、進位信號發(fā)生器470、下拉單元440、放電單元450和保持單元460。 第j級STj包括晶體管，各個晶體管T1-T14可以是非晶硅薄膜晶體管(TFT) 或多晶硅TFT。
向第j級STj提供前一級的進位信號Cout(j-l)、第一4冊極時鐘信號CKV (以下稱作第一時鐘信號CKV)和第二柵極時鐘信號CKVB (以下稱作第二 時鐘信號CKVB )。第一時鐘信號CKV包括保持時間段H1和H3及轉(zhuǎn)變(shift) 時間段H2和H4,其中，第一時鐘信號CKV在保持時間段Hl和H3保持在 低電平，第一時鐘信號CKV在轉(zhuǎn)變時間段H2和H4從低電平轉(zhuǎn)變成高電平 并且從高電平轉(zhuǎn)變成低電平。這里，轉(zhuǎn)變時間段H2或H4是指從上升沿變化 到下降沿的時間段。
首先，緩沖單元410包括晶體管T4，晶體管T4具有公共連接到設(shè)置端 S的柵電極和漏電極及連接到第一結(jié)點Nl的源電極。緩沖單元410將通過設(shè) 置端S輸入的前一級的進位信號Cout(j-l)提供給充電單元420、進位信號發(fā) 生器470和上拉單元430。
充電單元420包括電容器Cl,電容器Cl具有連接到晶體管T4的源電 極、上拉單元430和放電單元450的第一端及連接到柵極輸出端0UT1的第 二端。
上拉單元430包括晶體管Tl，晶體管Tl具有連接到第一時鐘端CK1的 漏電極、連接到第一結(jié)點N1的柵電極和連接到柵極輸出端0UT1的源電極。
進位信號發(fā)生器470包括晶體管T15和電容器C2，晶體管T5具有連接 到第一時鐘端CK1的漏電41、連接到進位輸出端OUT2的源電極和連接到緩 沖單元410的柵電極，電容器C2連接到晶體管T15的柵電極和源電極。當(dāng) 第一結(jié)點Nl的電位變高時，進位信號發(fā)生器470向進位輸出端OUT2輸出 第 一時鐘信號CKV的高電平。
下拉單元440包括多晶硅TFT TR，并將柵極信號Gout(j)降低到柵極截止電壓Voff。第一下拉晶體管T2具有連接到晶體管Tl的源電極和電容器Cl 的第二端的漏電極、連接到電源電壓端GV的源電極及連接到重置端R的柵 電極。第二下拉晶體管T14具有連接到電源電壓端GV的源電極、連接到顯 示面板300的第j柵極線Gj的漏電極和連接到重置端R的柵電極。
放電單元450包括晶體管T9a和T9b,晶體管T9a和T9b均具有連接到 重置端R的柵電極、連接到第一結(jié)點Nl的漏電極和連接到電源電壓端GV 的源電極，并且響應(yīng)于下 一級STj+1的柵極信號Gout(j+1 )使充電單元420放電。 放電單元450還包括晶體管T6,晶體管T6具有連接到幀重置端FR的柵電極、 連接到第一結(jié)點Nl的漏電極和連接到電源電壓端GV的源電極，并且響應(yīng)于 初始化信號INT使充電單元420放電。在一幀期間，不管第一時鐘信號CKV 和第二時鐘信號CKVB的電壓電平如何，包括多個晶體管T3、 T5、 T7、 T8、 T10a、 T10b、 Tll、 T12和T13的保持單元460在柵極信號Gout(j)從低電平 轉(zhuǎn)變成高電平時保持柵極信號Gout(j)處于高電平，并且在柵極信號Gout(j) 從高電平轉(zhuǎn)變成低電平后保持柵極信號Gout(j)處于低電平。
現(xiàn)在，將參照圖3和圖4詳細(xì)地描述上述各個單元的操作。 首先，將描述柵極信號Gout(j)從柵極截止電壓Voff轉(zhuǎn)變成柵極導(dǎo)通電壓 Von的過程。
向充電單元420提供前一級的進位信號Cout(j-l)，并使充電單元420充 電。例如，在第一保持時間段H1中，向充電單元420提供前一級的進位信 號Cout(j-l),并使充電單元420充電，第一結(jié)點N1的電壓緩慢增大。如果在 第一轉(zhuǎn)變時間段H2中輸入從低電平轉(zhuǎn)變成高電平的第一時鐘信號CKV,則 通過晶體管Tl和第一結(jié)點Nl的寄生電容器(未示出)使第一結(jié)點N1的電 壓再次升高。
充電單元420的電壓(即，第一結(jié)點N1的電壓)被升高到第一充電電 平(例如，正電壓)，如圖4所示；上拉單元430的晶體管Tl導(dǎo)通；經(jīng)柵極 輸出端0UT1提供通過第一時鐘端CK1輸入的第一時鐘信號CKV作為柵極 信號Gout(j)。也就是說，柵極信號Gout(j)轉(zhuǎn)變成柵極導(dǎo)通電壓Von的電平。 此外，進位信號發(fā)生器470的晶體管T15導(dǎo)通，從而通過進位輸出端OUT2 輸出第一時鐘信號CKV作為進位信號Cout(j)。
接下來，將描述柵極信號Gout(j)從柵極導(dǎo)通電壓Von轉(zhuǎn)變成柵極截止電 壓Voff的過程。當(dāng)在第一轉(zhuǎn)變時間段H2中第一時鐘信號CKV從高電平轉(zhuǎn)變成低電平 時，由于寄生電容器(未示出)而使第一結(jié)點Nl的電壓降低。這里，隨著 下一級的柵極信號Gout(j+l)變高，放電單元450的晶體管T9a和T9b導(dǎo)通， 從而向第一結(jié)點Nl提供柵極截止電壓Voff。因此，第一結(jié)點Nl的電壓降低 到柵極截止電壓Voff的電平。也就是說，當(dāng)下一級的柵極信號Gout(j+l)變高 時，上拉單元430的晶體管T1沒有截止，并且輸出保持在低電平的第一時鐘 信號CKV作為柵極信號Gout(j)。此外，當(dāng)下一級的柵極信號Gout(j+l)變高 時，下拉單元440的多晶硅TFT TR向柵極線提供柵極截止電壓Voff。由于 下拉單元440使柵極信號Gout(j)降低到柵極截止電壓Voff的電平，并且上拉 單元430提供保持在低電平的第一時鐘信號CKV作為柵極信號Gout(j)，所 以柵極信號Gout(j)的電壓電平迅速被下拉到柵極截止電壓Voff的電平。因此， 柵極信號Gout(j)不與下一級的柵極信號Gout(j+l)重疊。
接下來，將描述在柵極信號Gout(j)被下拉到柵極截止電壓Voff之后在一 幀期間保持柵極信號Gout(j)的電平處于柵極截止電壓Voff的電平的過程。
當(dāng)柵極信號Gout(j)向柵極截止電壓Voff的電平下拉時，晶體管T8和T13 導(dǎo)通。晶體管T13使晶體管T7截止，從而防止保持在高電平的第一時鐘信 號CKV被提供給晶體管T3，晶體管T8使晶體管T3截止。因此，柵極信號 Gout(j)保持在高電平。
在柵極信號Gout(j)從高電平轉(zhuǎn)變成低電平之后，晶體管T8和T13截止。 當(dāng)?shù)谝粫r鐘信號CKV處于高電平時，晶體管T7和T12使晶體管T3導(dǎo)通， 從而使柵極信號Gout(j)保持在低電平。晶體管T10a和T10b導(dǎo)通，從而將晶 體管T1的柵電極保持在低電平。因此，處于高電平的第一時鐘信號CKV沒 有輸出到柵極輸出端OUTl。如果第二時鐘信號CKVB轉(zhuǎn)變成高電平，則晶 體管T5和Tll導(dǎo)通。導(dǎo)通的晶體管T5保持柵極信號Gout(j)處于低電平，導(dǎo) 通的晶體管Tll保持電容器Cl的第一端處于低電平。因此，柵極信號Gout(j) 在一幀期間保持在低電平。
在可選擇的示例性實施例中，第j級STj可以不包括進位信號發(fā)生器470。 在這種情況下，第j級STj可以通過設(shè)置端S輸入前一級STj-!的柵極信號 Gout(j-l)代替進位信號Cout(j-l)來操作。
在下文中，將參照圖3和圖5至圖7來詳細(xì)地描述顯示面板。圖5是在 圖1中示出的示例性顯示裝置中包括的示例性顯示面板的布局圖，圖6是在圖5中示出的示例性顯示面板中包括的示例性多晶TFT的布局圖，圖7是沿 著圖6中的I-I，線截取的示例性多晶TFT的剖視圖。
如上所述，顯示面板300包括顯示圖像的顯示區(qū)DA和不顯示圖像的外 圍區(qū)PA。在顯示區(qū)DA中，多個像素PXn-PXnm按矩陣形式布置，通過由非 晶TFT形成的開關(guān)元件來控制各個像素PX -PXnm。由非晶硅(a-Si)制成的 非晶TFT用作控制各個像素PXn-PXnm的TFT。因為非晶TFT表現(xiàn)出幾乎不 泄漏電流，所以非晶TFT用來控制像素PXn-PX^是有利的。
圍繞顯示區(qū)DA的外圍區(qū)PA是不顯示圖像并且安裝有柵極驅(qū)動器400 的非顯示區(qū)。如上所述，柵極驅(qū)動器400包括彼此級聯(lián)的多個級ST廣STn+!。
同時，外圍區(qū)PA分成第一區(qū)(NA)和第二區(qū)(LA)。第一區(qū)NA是形 成包括非晶硅TFT的電路的區(qū)域，第二區(qū)LA是形成包括多晶硅TFT的電路 的區(qū)域。
此外，柵極驅(qū)動器400可以包括第一區(qū)NA和第二區(qū)LA。換言之，為了 實現(xiàn)高集成度和高度功能化的開關(guān)元件，可以使用多晶硅TFT。為了防止電 流泄漏和由于延長使用造成的劣化，可以使用非晶硅TFT。因此，在第一區(qū) NA中布置非晶硅TFT，在第二區(qū)LA中布置多晶硅TFT。
為了在顯示面板300上形成包括非晶硅TFT的第一區(qū)NA和包括多晶硅 TFT的第二區(qū)LA，可以利用激光來執(zhí)行局部退火。換言之，使用非晶硅TFT 作為包括在第一區(qū)NA和第二區(qū)LA中的TFT，且僅僅將激光局部照射到第 二區(qū)LA上。以這種方式，第二區(qū)LA中的非晶硅TFT可以轉(zhuǎn)換成多晶硅TFT, 而第一區(qū)NA中的非晶硅TFT仍為非晶硅TFT。這里，轉(zhuǎn)換后的多晶硅TFT 的遷移率可以為大約2cm"Vs至大約10cm2/Vs。多晶硅TFT的遷移率可以是 非晶硅TFT的遷移率的大約4倍至大約10倍。
具體地講，構(gòu)成柵極驅(qū)動器400的放電單元450和保持單元460的TFT T9a、 T9b、 T10a和T10b中的一些可以形成在第一區(qū)NA上，而其余晶體管 可以形成在第二區(qū)LA上。更詳細(xì)地講，在構(gòu)成;^文電單元450的晶體管中， TFT T9a和T9b彼此級聯(lián)，并且這些晶體管中的一種形成在第一區(qū)NA上， 而另一種形成在第二區(qū)LA上，TFT T9a和T9b中的每個具有輸入后一級的 柵極信號Gout(j+l)的柵電極、與第一結(jié)點Nl連接的漏電極和被施加?xùn)艠O截 止電壓Voff的源電極。換言之，非晶硅TFTT9b可以形成在第一區(qū)NA上， 多晶硅TFTT9a可以形成在第二區(qū)LA上。此外，在構(gòu)成保持單元460的晶體管中，TFT T10a和T10b彼此級聯(lián)， 并且這些晶體管中的一種形成在第一區(qū)NA上，而另一種形成在第二區(qū)LA 上，TFT T10a和T10b中的每個具有輸入第一時鐘信號的柵電極、與第一結(jié) 點Nl連接的漏電極和與柵極線GrGn連接的源電極。換言之，非晶硅TFT T10b可以形成在第一區(qū)NA上，多晶硅TFTT10a可以形成在第二區(qū)LA上。 如上所述，多晶硅TFT T9a和非晶硅TFT T9b彼此級聯(lián)而構(gòu)成放電單元 450,并且多晶硅TFT T10a和非晶硅TFT T10b 4皮此級聯(lián)而構(gòu)成保持單元 460，從而防止了由于電流泄漏造成的故障或劣化，并且與只使用非晶硅TFT 的情形相比改善了驅(qū)動能力。
如保持單元460或放電單元450 —樣，可以將多晶硅TFT和非晶硅TFT 的級聯(lián)結(jié)構(gòu)應(yīng)用于上拉單元430、下拉單元440等。
現(xiàn)在將參照圖6和圖7更詳細(xì)地描述多晶TFT的結(jié)構(gòu)。圖6和圖7中示 出的多晶TFTTR是在柵極驅(qū)動器400中采用的示例性TFT。
453和漏電極452 4皮此分隔開預(yù)定間隙，溝道形成在該預(yù)定間隙中。為了增 大溝道寬度(W)，源電極453和漏電極452呈凹凸形狀。此外，源電極453 和漏電極452可以具有按順序重復(fù)形成的多個凹凸單元451 ，以使溝道寬度 W最大化。換言之，源電極453和漏電極452均可以呈梳狀(comb shape )， 源電極453的齒可以嵌(nest)在漏電極452的齒之間。
溝道指的是形成在源電極453和漏電極452之間的通道，用于使電荷根 據(jù)施加到柵電極454的柵極信號Gout(j)來移動。這里，溝道長度(L)是源 電極453和漏電極452之間的沿水平方向的長度。溝道寬度W是溝道的與 源電極453和漏電極452平行延伸的中心線的總寬度。
在多個凹凸單元451的每個中，溝道寬度(Wl/N)是沿著源電極453的 外部單元形成的溝道的寬度之和，即W1+W2 + W3。換言之，溝道寬度W 等于多個凹凸單元451的每個的溝道寬度Wl/N (即，Wl + W2 +W3 )與凹 凸單元451的個數(shù)(n)相乘之后所得結(jié)果的值(W = Wl/Nxn)。與多晶硅 TFT —樣，在包括多個凹凸單元451的TFT中，確定晶體管性能的重要因 子是溝道寬度W與溝道長度L的比，即，W/L。
在下文中，將詳細(xì)地描述多晶硅TFTTR的結(jié)構(gòu)。
柵電極454形成在例如由透明玻璃制成的絕緣基底310上。柵電極454可以由諸如鋁(Al)和Al合金的含Al金屬、諸如銀(Ag)和Ag合金的含 Ag金屬、諸如銅(Cu)和Cu合金的含Cu金屬、諸如鉬(Mo)和Mo合 金的含Mo金屬、鉻(Cr)、鈦(Ti)或鉭(Ta)制成。此外，柵電極454 可以具有包括兩層物理特性不同的導(dǎo)電膜(未示出)的多層結(jié)構(gòu)。
優(yōu)選地由氮化硅(SiNx)制成的柵極絕緣層455形成在柵電極454上。 優(yōu)選地由多晶硅制成的半導(dǎo)體層456形成在柵極絕緣層455上。可選擇 地，半導(dǎo)體層456可以由氫化非晶硅制成，然后通過照射激光轉(zhuǎn)換成多晶硅。 優(yōu)選地由硅化物或用n型雜質(zhì)重?fù)诫s的n+氬化非晶硅制成的歐姆接觸層457 和458形成在半導(dǎo)體層456上。歐姆接觸層457和458成對地位于半導(dǎo)體層 456的上方。
源電極453和漏電極452形成在歐姆接觸層457、 458和柵極絕緣層455 上。源電極453和漏電極452中的每個的至少一部分與半導(dǎo)體層456疊置。
在下文中，將參照圖8至圖11來描述根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的柵 極驅(qū)動器和顯示裝置。圖8是示出了根據(jù)本發(fā)明另一實施例的示例性顯示裝 置的框圖，圖9是示出了圖8中示出的示例性柵極驅(qū)動器的框圖，圖10是圖 9中示出的第j級的示例性實施例的電路圖，圖11是在圖8中示出的示例性 顯示裝置中包括的示例性顯示面板的布局圖。
為了便于描述，各幅圖中的相同標(biāo)號表示具有相似結(jié)構(gòu)和功能的元件。
首先參照圖8,根據(jù)本發(fā)明另一示例性實施例的顯示裝置包括數(shù)據(jù)信號 發(fā)生器220和分配部分或分配單元210。詳細(xì)地講，數(shù)據(jù)驅(qū)動單元200一l接 收第一圖像信號DAT和數(shù)據(jù)控制信號CONT,并向各條數(shù)據(jù)線D!-Dm提供與 第一圖像信號DAT對應(yīng)的圖像數(shù)據(jù)電壓。數(shù)據(jù)驅(qū)動單元200—1包括數(shù)據(jù)信號 發(fā)生器或數(shù)據(jù)信號發(fā)生單元220與分配部分或分配單元210。這里，分配單 元210用作解復(fù)用器(demux),并包括被施加第二圖傳 f言號DOrDOi的輸入 端和連接到各條數(shù)據(jù)線D,-Dm的輸出端。輸出端可以逐一連接到各條數(shù)據(jù)線 D,-Dm,每一個輸入端可以連接到數(shù)據(jù)線D「Dm中的每三條數(shù)據(jù)線。
如上所述，數(shù)據(jù)驅(qū)動單元200—1分成將被部分地安裝到顯示面板300中 的分配單元210和數(shù)據(jù)信號發(fā)生單元220。也就是說，分配單元210安裝到 顯示面板300中，以分配數(shù)據(jù)驅(qū)動單元200_1的功能，從而減少了在顯示面 板300和外部印刷電路板(PCB,未示出)之間的連接布線的數(shù)量。
參照圖9，柵極驅(qū)動單元400—1包括彼此級聯(lián)的多個級ST廣STn+!。除最后一級STn+!之外的級ST,-STn按——對應(yīng)的關(guān)系分別連接到柵極線(在圖1
中示出的G廣Gn)，并分別輸出柵極信號Gout(l)-Gout(n)。
級STrSTn+1中的每個具有第一時鐘端CK1、第二時鐘端CK2、設(shè)置端S、重置端R、電源電壓端GV和柵極輸出端OUT。
在柵極驅(qū)動單元400—1的奇數(shù)級ST" ST3、...中，向第一時鐘端CK1施加第一時鐘信號CKV,向第二時鐘端CK2施加第二時鐘信號CKVB。這里，第一時鐘信號CKV和第二時鐘信號CKVB具有彼此相反的相位。同時，在柵極驅(qū)動單元400—1的偶數(shù)級ST2、 ST4、...中，向第一時鐘端CK1施加第二時鐘信號CKVB，向第二時鐘端CK2施加第一時鐘信號CKV。
向第j級STj的設(shè)置端S施加第一掃描開始信號STVP或前一級STj-,的柵極信號Gout(j-l)，向重置端R施加下一級STj+1的4冊極信號Gout(j+l)或第一掃描開始信號STVP。
將參照圖10詳細(xì)地描述柵極驅(qū)動單元400—1的示例性級STj。級STj包括上拉單元430—1、下拉單元440—1、緩沖單元410—1、保持單元460—l和放電單元450—1。
上拉單元430—1包括晶體管T1—1,晶體管T1—1具有被輸入第一時鐘信號CKV的漏電極、輸出柵極信號Gout(j)的源電極和與緩沖單元410—1的晶體管的源電極連接的柵電極。
下拉單元440—1包括晶體管T6_l，晶體管T6一l具有^皮施加?xùn)艠O截止電壓Voff的源電極、輸出柵極信號Gout(j)的漏電極和被輸入第二時鐘信號CKVB的柵電極。下拉單元440—1還包括晶體管T5—1,晶體管T5—1具有被施加?xùn)艠O截止電壓Voff的源電極、輸出柵極信號Gout(j)的漏電極和與晶體管T7—1的漏電極連接的柵電極。緩沖單元410一1包括晶體管T2一l，晶體管T2一l具有共同連接到設(shè)置端S的柵電極和漏電極以及與上拉單元430_1的晶體管T1—1的柵電極連接的源電極。
放電單元450J包括晶體管T3_l,晶體管T3—1具有與重置端R連接的柵電極、與上拉單元430—1的晶體管Tl_l的柵電極連接的漏電極和被施加?xùn)艠O截止電壓Voff的源電才及。
保持單元460—1包括晶體管T4一l，晶體管T4一l具有與上拉單元430—1的晶體管Tl_l的柵電極連接的漏電極、被施加?xùn)艠O截止電壓Voff的源電極和與保持單元460—1的晶體管T7_l的漏電極連接的柵電極，從而防止紋波。參照圖10和圖11,顯示面板300分成顯示圖^f象的顯示區(qū)DA和不顯示
圖像的外圍區(qū)PA。在顯示區(qū)DA中，多個像素PXu-PXnm按矩陣形式布置，
通過由非晶TFT形成的開關(guān)元件來控制各個像素PXirPXnm。由非晶硅制成的非晶TFT用作控制各個像素PX -PXnm的TFT。因為非晶TFT表現(xiàn)出幾乎
不泄漏電流，所以非晶TFT用來控制像素PXn-PXnm是有利的。
圍繞顯示區(qū)DA的外圍區(qū)PA是不顯示圖像并且安裝有柵極驅(qū)動單元400—1的非顯示區(qū)。如上所述，柵極驅(qū)動單元400—1包括彼此級聯(lián)的多個級ST廣STn。
同時，外圍區(qū)PA分成第一區(qū)NA和第二區(qū)LAp LA2。第一區(qū)NA是形成包括非晶硅TFT的電路的區(qū)域，第二區(qū)LAi和LA2是形成包括多晶硅TFT的電路的區(qū)域。
包括在分配單元210中的TFT可以設(shè)置在第二區(qū)LA2上。也就是說，用
TFT形成。因此，構(gòu)成分配單元210的所有TFT或一些TFT可以設(shè)置在第二區(qū)LA2上。
此外，柵極驅(qū)動單元400—1可以包括第一區(qū)NA和第二區(qū)LA!。換言之，為了實現(xiàn)高集成度和高度功能化的開關(guān)元件，可以使用多晶硅TFT。為了防止電流的泄漏和由于延長使用造成的劣化，可以使用非晶硅TFT。因此，在第一區(qū)NA上布置非晶硅TFT，在第二區(qū)LAi上布置多晶石圭TFT。
為了在顯示面板300上形成包括非晶硅TFT的第一區(qū)NA和包括多晶硅TFT的第二區(qū)LA,，可以利用激光來執(zhí)行局部退火。換言之，使用非晶硅TFT作為包括在第一區(qū)NA和第二區(qū)LA!中的TFT，且僅僅將激光局部照射到第二區(qū)LA!上。也就是il，第一區(qū)NA和第二區(qū)LAi和LA2中的所有TFT全部由非晶硅TFT形成，且僅僅將激光照射到第二區(qū)LA,和LA2上。這里，轉(zhuǎn)換后的多晶硅TFT的遷移率可以為大約2cm2/Vs至大約10cm2/Vs。多晶硅TFT的遷移率可以是非晶硅TFT的遷移率的大約4倍至大約10倍。
構(gòu)成柵極驅(qū)動單元400_1的上拉單元430—1的TFT Tl_l與構(gòu)成柵極驅(qū)動單元400_1的下拉單元440—1的TFT T5一l和T6—1可以形成在第二區(qū)LA!上。詳細(xì)地講，構(gòu)成4冊極驅(qū)動單元400_1的各個晶體管Tl—1至T7J可以由非晶硅TFT或多晶TFT形成。例如，多晶硅TFT可以用作連接到輸出端的TFT以提高驅(qū)動能力，非晶硅TFT可以用作連接到輸出端的TFT以防止電流的泄漏。換言之，構(gòu)成上拉單元430—1的TFT Tl—1與構(gòu)成下拉單元440—1的TFT T5—1和T6—1可以由多晶硅TFT形成在第二區(qū)LA!中。其余晶體管T2—1、 T3—1、 T4—1和T7—1可以由非晶硅TFT形成在第一區(qū)NA中。如上所述，既具有改善的驅(qū)動能力又具有可靠性的柵極驅(qū)動電路可以通過使用非晶硅TFT和多晶硅TFT的組合的柵極驅(qū)動單元400—1來實現(xiàn)。可以利用上述的局部激光退火方法由多晶硅晶體管形成柵極驅(qū)動單元400—1的一些晶體管Tl一l、 T5一l和T6_l。
雖然已經(jīng)參照本發(fā)明的示例性實施例具體示出并描述了本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)該明白，在不脫離由權(quán)利要求書限定的本發(fā)明的精神和范圍的情況下，可以在此做出形式和細(xì)節(jié)上的各種改變。因此，期望的是，不是參照前述的指明本發(fā)明的范圍，而是參照權(quán)利要求書，在所有方面以舉例說明的方式而不是限制性的方式來考慮當(dāng)前的實施例。
權(quán)利要求
1、一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板和柵極驅(qū)動電路，顯示面板分成顯示圖像的顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)的外圍區(qū)，柵極驅(qū)動電路設(shè)置在外圍區(qū)中并包括移位寄存器，移位寄存器具有彼此級聯(lián)的多個級，以向柵極線輸出柵極信號，所述多個級中的每個級包括上拉單元，響應(yīng)于第一結(jié)點的信號輸出第一時鐘信號作為柵極信號，其中，向所述第一結(jié)點施加第一輸入信號；下拉單元，如果輸入第二輸入信號，則下拉單元將柵極信號放電到柵極截止電壓的電平；放電單元，響應(yīng)于第二輸入信號將第一結(jié)點的信號放電到柵極截止電壓的電平；保持單元，響應(yīng)于第一時鐘信號將第一結(jié)點的信號保持在被放電到柵極截止電壓的電平的柵極信號的電平，其中，放電單元和保持單元中的至少一個包括彼此并聯(lián)連接的非晶硅薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管。
2、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置包括形成有非晶硅薄膜 晶體管的第一區(qū)和形成有多晶硅薄膜晶體管的第二區(qū)，其中，第一區(qū)和第二 區(qū)分開。
3、 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中，通過激光使第二區(qū)退火。
4、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，第一輸入信號是掃描開始信號 或前一級的柵極信號，第二輸入信號是掃描開始信號或下一級的柵極信號。
5、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述非晶硅薄膜晶體管和所述 多晶硅薄膜晶體管中的每個具有設(shè)置在源電極和漏電極下方的柵電極。
6、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述多晶硅薄膜晶體管的遷移 率是所述非晶硅薄膜晶體管的遷移率的4倍至10倍。
7、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，所述多晶硅薄膜晶體管的遷移 率為2 cm2/Vs至10cm2/Vs。
8、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，放電單元具有非晶硅薄膜晶體 管和多晶硅薄膜晶體管，放電單元的非晶硅薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管中的每個具有被輸入第二輸入信號的柵電極、與第一結(jié)點連接的漏電極和被施加?xùn)艠O截止電壓的源電才及。
9、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中，保持單元具有非晶硅薄膜晶體 管和多晶硅薄膜晶體管，保持單元的非晶硅薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管中的每個具有被輸入第一時鐘信號的柵電極、與第一結(jié)點連接的漏電極和與 柵極線連接的源電極。
10、 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，所述顯示裝置還包括安裝在外圍區(qū)上的分配單元，所述分配單元包括多個多晶薄膜晶體管，接收第一圖像信號 并向各條數(shù)據(jù)線分配第二圖像信號。
11、 一種顯示裝置，所述顯示裝置包括顯示面板和柵極驅(qū)動電路，顯示 面板分成顯示圖像的顯示區(qū)和圍繞顯示區(qū)的外圍區(qū)，柵極驅(qū)動電路設(shè)置在外 圍區(qū)中并包括移位寄存器，移位寄存器具有彼此級聯(lián)的多個級，以向柵極線輸出柵極信號，所述多個級中的每個級包括上拉單元，響應(yīng)于第一結(jié)點的信號輸出第一時鐘信號作為柵極信號，其 中，向所述第一結(jié)點施加第一輸入信號；下拉單元，如果輸入第二輸入信號，則下拉單元將柵極信號放電到柵極 截止電壓的電平；放電單元，響應(yīng)于第二輸入信號將第一結(jié)點的信號放電到柵極截止電壓 的電平；保持單元，響應(yīng)于第一時鐘信號將第一結(jié)點的信號保持在被放電到柵極 截止電壓的電平的柵極信號的電平，其中，柵極驅(qū)動電路包括形成有非晶硅薄膜晶體管的第 一 區(qū)和形成有多 晶硅薄膜晶體管的第二區(qū)。
12、 如權(quán)利要求11所述的顯示裝置，其中，上拉單元和下拉單元中的至 少一個形成在第二區(qū)上。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種顯示裝置。具有柵極驅(qū)動電路的顯示裝置包括具有彼此級聯(lián)的多個級的移位寄存器，多個級中的每個級包括上拉單元、下拉單元、放電單元和保持單元，其中，放電單元和保持單元中的至少一個包括彼此并聯(lián)連接的非晶硅薄膜晶體管和多晶硅薄膜晶體管，所述柵極驅(qū)動電路具有改善的驅(qū)動能力并且即使在延長使用期后仍保持可靠性。
文檔編號G02F1/1362GK101639598SQ20091016492
公開日2010年2月3日 申請日期2009年8月3日 優(yōu)先權(quán)日2008年8月1日
發(fā)明者珍 全, 李旼哲, 金炯杰 申請人:三星電子株式會社