專利名稱：液晶顯示面板及制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示領(lǐng)域，尤其涉及一種液晶顯示面板及制造方法。
技術(shù)背景液晶顯示裝置(Liquid Crystal Display, LCD)具備輕薄、節(jié)能、無輻射 等諸多優(yōu)點(diǎn)，因此已經(jīng)逐漸取代傳統(tǒng)的陰極射線管(CRT)顯示器。目前液 晶顯示器廣泛應(yīng)用于高清晰數(shù)字電視、臺(tái)式計(jì)算機(jī)、個(gè)人數(shù)字助理(PDA)、 筆記本電腦、移動(dòng)電話、數(shù)碼相機(jī)等電子設(shè)備中。現(xiàn)有技術(shù)中，液晶顯示裝置由液晶顯示面板(LCD panel)和液晶顯示 模組(Liquid Crystal Module)組成。液晶顯示面板本身不發(fā)光，需要通過設(shè) 置在液晶顯示模組中的背光組件來提供光源，照射液晶顯示面板來顯示圖 像。液晶顯示面板由相對(duì)放置的陣列基板和彩色濾光基板以及密封于該兩塊 基板之間的液晶層組成。其中，陣列基板上有若干層薄膜形成的薄膜晶體管 (Thin Film Transistor, TFT),彩色濾光基板上周期性排列有由色阻材料制 成的紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B)三種顏色的彩色濾光片。在傳統(tǒng)的液晶顯示面板的制造工藝中，陣列基板的制造工藝通常包括 成膜、曝光、顯影、刻蝕、去處光阻劑等工藝，并且該成膜、曝光、顯影、 蝕刻等工藝反復(fù)進(jìn)行五次，形成位于陣列基板上的柵極絕緣層、薄膜晶體管、 鈍化層、通孔以及透明導(dǎo)電層等膜結(jié)構(gòu)；相應(yīng)的，彩色濾光基板的制造工藝 通常包括依次形成R濾光片、G濾光片、B濾光片、黑矩陣(Black Matrix, BM)以及透明導(dǎo)電層等五道工藝。在該傳統(tǒng)的液晶顯示面板的制造過程中，工藝反復(fù)次數(shù)多、耗時(shí)長，制造成本高，這些問題已經(jīng)越來越成為影響液晶 顯示面板生產(chǎn)效率的制約因素。例如，在傳統(tǒng)的液晶顯示面板的彩色濾光基板的制造工藝中，依次形成R濾光片、G濾光片、B濾光片分別需要三道不 同的光罩(mask)，由于光罩成本較高，所以導(dǎo)致傳統(tǒng)的液晶顯示面板制造 成本較高。發(fā)明內(nèi)容有鑒于此，本發(fā)明的主要目的在于提供一種液晶顯示面板及制造方法， 能夠減少液晶顯示面板中光罩的數(shù)量，并且減少制造工藝的反復(fù)次數(shù)，提高 生產(chǎn)效率。為達(dá)到上述目的，本發(fā)明的技術(shù)方案具體是這樣實(shí)現(xiàn)的本發(fā)明公開了一種液晶顯示面板，包括夾有液晶層的上下基板，所迷下基 板包括呈周期排列的多個(gè)子像素區(qū)域，其特征在于，所述上基板包括依次在上透明基板的下表面形成的黑矩陣BM和上透明導(dǎo) 電層；所述下基板包括依次在下透明基板的上表面形成的第一金屬層、介質(zhì)層、 第二金屬層、有機(jī)層以及第一絕緣層、第三金屬層、第二絕緣層、第四金屬層、 鈍化層和下透明導(dǎo)電層。本發(fā)明還公開了一種上述液晶顯示面板的制造方法。包括步驟形成夾有 液晶層的上下基板，所述下基板包括呈周期排列的多個(gè)子像素區(qū)域，其特征在 于，所述上基板的形成包括在所述液晶顯示面板的上透明基板的下表面形成黑矩陣； 在所述黑矩陣及上基板的部分下表面形成上透明導(dǎo)電層；所述下基板的形成包括在所述液晶顯示面板的下透明基板的上表面依次形成第一金屬層、介質(zhì)層、 第二金屬層及有機(jī)層；在所述有機(jī)層的表面依次形成第一絕緣層和第三金屬層；在所述第三金屬層的表面形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層的表面形成第四金屬層；在所述第四金屬層的表面形成鈍化層；在所述鈍化層的表面形成下透明導(dǎo)電層。由上述的技術(shù)方案可見，本發(fā)明將干涉濾光片整合于該下基板中，干涉 濾光片包括在下基板上依次形成的第一金屬層、介質(zhì)層、濾光片第二金屬層 和有機(jī)層。既可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)液晶顯示面板中的彩色濾光片，達(dá)到彩色顯示的 效果，而且該干涉濾光片的制造工藝可以整合于下基板的制造工藝中，從而 省去傳統(tǒng)的依次形成R濾光片、G濾光片、B濾光片的彩色濾光片的制造工 藝，簡化了工藝步驟，大大提高了液晶面板的生產(chǎn)效率。


圖1為本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。圖2為本發(fā)明液晶顯示面^1的制造方法的流程示意圖。圖3a至3g為本發(fā)明液晶顯示面板在干涉濾光片形成之后的制造過程示意圖。圖4為本發(fā)明液晶顯示面板中干涉濾光片的制造方法的流程示意圖。 圖5a至5g為本發(fā)明液晶顯示面板中干涉濾光片的制造過程示意圖。
具體實(shí)施方式
為使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案、及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下參照附圖并舉實(shí)施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)一步詳細(xì)說明。本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行了詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為了便于 說明，表示結(jié)構(gòu)的示意圖會(huì)不依一般比例作局部放大，不應(yīng)以此作為對(duì)本發(fā) 明的限定，此外，在實(shí)際的制造中，應(yīng)包含長度、寬度及深度的三維空間尺 寸。圖1示出了本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板的剖面結(jié)構(gòu)示意圖。液晶顯示面板包括相對(duì)放置的上下基板200、 100以及密封于上基板200與下基板100 之間的液晶層300。其中，下基板(也稱之為陣列基板)100分布有呈周期 排列的多個(gè)子像素區(qū)域，在本發(fā)明實(shí)施例中，所述子像素區(qū)域包括呈周期性 排列分布的多個(gè)R、 G、 B子像素區(qū)域，下基板包括下透明基板IOI,形成 于下透明基板101上的干涉濾光片以及形成于干涉濾光片上的膜層結(jié)構(gòu)。其 中，千涉濾光片包括設(shè)置于下透明基板101上表面的第一金屬層102，覆蓋 于所述第一金屬層102上表面的介質(zhì)層103，覆蓋于所述介質(zhì)層103上表面 及其側(cè)壁的第二金屬層104,以及覆蓋于所述第二金屬層104上表面及其側(cè) 壁的有機(jī)層105。所述介質(zhì)層103對(duì)應(yīng)于R、 G、 B子像素區(qū)域分別具有不同 的區(qū)域厚度。所述膜層結(jié)構(gòu)覆蓋于該有機(jī)層105上，其由下到上依次分別為 第一絕緣層106、存儲(chǔ)電容電極線107和薄膜晶體管的柵極以及柵極線(圖 中未示)、第二絕緣層108、數(shù)據(jù)線109以及薄膜晶體管的源、漏極和有源 區(qū)(圖中未示)、鈍化層110及位于鈍化層110上的通孔(圖中未示)、下 透明導(dǎo)電層lll(其通過位于鈍化層上的通孔和薄膜晶體管的漏極電性連接) 以及下配向?qū)?12。上基板200包括上透明基板201，設(shè)置于該上透明基 板201下表面的黑矩陣202、設(shè)置于該黑矩陣202下表面及其側(cè)壁和上透明 基板201部分下表面的上透明導(dǎo)電層203、設(shè)置于該上透明導(dǎo)電層203下表 面及其側(cè)壁的上配向?qū)?04。繼續(xù)參考圖1 ，其中，該第一金屬層102是在可見光波段具有均勻的反射 光語和較低的吸收系數(shù)的金屬材料，例如可以是金屬鍺、鉬、鎳、鈮、拍、鉤 等。且該第一金屬層102的厚度可以為10 30納米。覆蓋于該第一金屬層102 上表面的介質(zhì)層103為具有較低折射率和低吸收系數(shù)的介電材質(zhì)，例如，在本 實(shí)施例中該介質(zhì)層103為二氧化硅(Si〇2)，其折射率為1.45,吸收系數(shù)趨近于 0。當(dāng)有光束垂直照射下透明基板101時(shí)，該光束直接透射過下透明基板101, 則經(jīng)過第一金屬層102和第二金屬層104，經(jīng)過兩次反射后再透過的光束之間的 光程差為S二2nd (1),其中，n為介質(zhì)層103的折射率，d為介質(zhì)層103的厚度。對(duì)于某一波長為X的 光束來講，有S二mX， (m二 1 ， 2 ， 3…) (2)， 則由公式1和2可得出介質(zhì)層103的厚度為為了使得光束透過干涉濾光片之后，能夠分別得到紅(R)、綠(G)、藍(lán)(B) 三種顏色，因此，R、 G、 B子像素區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的介質(zhì)層103厚度比等于紅、 綠、藍(lán)光的波長比，即《c/s = AR: & :人，其中《、dG 、《分別為R、 G、 B子像素區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層103的厚度，義p 4、 ^分別為紅、綠、藍(lán)光 的波長。在本發(fā)明的液晶顯示面板中，以照射該實(shí)施例的液晶顯示面板的背光以 CCFL(冷陰極熒光燈管Cold Cathode Fluorescent Lamp )為例進(jìn)行說明。例如當(dāng) 光束垂直入射時(shí)，透過率峰值R、 G、 B的波長分別為^=610納米，/lc=543納米，人二440納來，在本發(fā)明的液晶顯示面板的最佳實(shí)施例中，取公式(3) 中m二l,則可知，介質(zhì)層103中對(duì)應(yīng)R、 G、 B子4象素區(qū)域分別形成不同的區(qū)域 厚度，并且相應(yīng)的區(qū)域厚度分別為《=210納米，4=187納米，《=152納米。 當(dāng)m^時(shí)，R、 G、 B子像素區(qū)域分別對(duì)應(yīng)的介質(zhì)層103的該厚度值，可以避免 液晶顯示面板的背光光譜中其他波段波長的光混入R、 G、 B子像素區(qū)域?qū)?yīng)的 紅、綠、藍(lán)光中，從而保證干涉濾光片分離出的R、 G、 B子像素區(qū)域?qū)?yīng)的紅、 綠、藍(lán)光的純度。在該具有不同區(qū)域厚度的介質(zhì)層103的上表面及其側(cè)壁覆蓋有第二金屬層 104,優(yōu)選的，本實(shí)施例中該第二金屬層104的材質(zhì)可以為在可見光波段具有均 勻的反射光譜和較低的吸收系數(shù)的金屬材料，例如可以是金屬鍺、鉬、鎳、鈮、 鉑、鴒等。且其厚度可以為10 30納米。再在該第二金屬層104的上表面及其 側(cè)壁覆蓋有機(jī)層]05，該有機(jī)層105的上表面為平坦表面。本發(fā)明實(shí)施例通過將干涉濾光片整合于液晶顯示面板的陣列基板中，既可 以代替?zhèn)鹘y(tǒng)液晶顯示面板中的彩色濾光片，達(dá)到彩色顯示的效果，而且該干涉 濾光片的制造工藝可以整合于陣列基板的制造工藝中，從而省去傳統(tǒng)的彩色濾 光片的制造工藝。圖2為本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板的制造方法流程圖，圖3a 3g為本發(fā)明 實(shí)施例的液晶顯示面板在干涉濾光片形成之后的制造過程示意圖。下面將結(jié)合 圖2和圖3a 3g說明本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板的制造過程。步驟S21,在下透明基板101上分別依次形成第一金屬層102，介質(zhì)層 103、第二金屬層104以及有機(jī)層105。進(jìn)一步地，步驟S21又進(jìn)一步包括步驟S211 步驟S217。結(jié)合圖4以 及圖5a 5g，說明步驟S21的具體方法其中，圖4為本發(fā)明液晶顯示面板中干涉濾光片的制造方法的流程示意圖，圖5a 5g為本發(fā)明液晶顯示面板 中干涉濾光片的制造過程示意圖。步驟S211,在下透明基板101上依次形成第一金屬層102、介質(zhì)層103 以及介質(zhì)層上覆蓋一層光阻劑301;請(qǐng)參閱圖5a。首先，提供一下透明基板101，在該下透明基板101上表面依 次形成第一金屬層102和介質(zhì)層103,其中該第一金屬層102和介質(zhì)層103可以利 用PECVD(電漿輔助化學(xué)氣相沉積)法或截鍍法等公知技術(shù)的氣相沉積法形成。 進(jìn)一步地，該第一金屬層102的厚度為10 30納米，該第一金屬層102可以是金 屬鍺、鉬、鎳、鈮、4自、鴒等物質(zhì)，該介質(zhì)層103可以是例如Si02(二氧化硅)的 物質(zhì)。然后利用公知的光阻劑涂覆方式將光阻劑(photo-resister) 301涂覆于介 質(zhì)層103的上表面，更進(jìn)一步地，該光阻劑301為正型光阻劑。步驟S212:用三色調(diào)光罩進(jìn)行曝光工藝；請(qǐng)參閱圖5b。圖中所示的曝光工藝中，所使用的光罩為三色調(diào)(triple tone) 光罩302,其中該三色調(diào)光罩302進(jìn)一步包括束流敏感層310和交換層320。該 束;虎敏感層310例:l!口可以是電子束敏感3皮3離(high energy beam sensitive glass)或 激光束敏感玻璃(laser direct writing glass )，例如本實(shí)施例中以該束流敏感層為激 光束敏感玻璃為例來進(jìn)行示例性說明。交換層320為有色銀(Ag)顆粒層，該交 換層320的厚度為l 3[xm。該交換層320受到激光照射后，銀顆粒發(fā)生熱化學(xué)反 應(yīng)，金屬銀顆粒轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘巽y離子，從而改變?cè)撊{(diào)光罩302的透明度。依據(jù) 激光照射強(qiáng)度的改變，則金屬銀顆粒轉(zhuǎn)變?yōu)榻饘巽y離子的程度隨之發(fā)生改變， 則三色調(diào)光罩302產(chǎn)生不同的透明度。如圖5b中所示，依據(jù)三色調(diào)光罩302的透 明度不同，將其分成透明度不同的第一區(qū)域321、第二區(qū)域322和第三區(qū)域323。 第一區(qū)域321、第二區(qū)域322和第三區(qū)域323分別對(duì)應(yīng)于B、 G、 R子像素區(qū)域。然后，依據(jù)公知的曝光技術(shù)，例如，可以使用紫外光(UVLight) 303垂直照射該 三色調(diào)光罩302。經(jīng)過透明度不同的區(qū)域，強(qiáng)度不同的紫外光垂直照射到光阻劑 301的上表面。步驟S213:進(jìn)行顯影和第一次蝕刻工藝；請(qǐng)參閱圖5c。經(jīng)過曝光工藝，強(qiáng)度不同的紫外光垂直照射到光阻劑301的上 表面，則光阻劑301被紫外光照射的程度也不相同，應(yīng)用公知的顯影技術(shù)，光阻 劑301上對(duì)應(yīng)第一區(qū)域321 (其對(duì)應(yīng)于B子像素區(qū)域)的部分被完全融解，對(duì)應(yīng)第 二、第三區(qū)域322、 323的部分具有不同的厚度。經(jīng)過顯影工藝后，將介質(zhì)層103進(jìn)行第一次蝕刻工藝，例如可以使用公知的 干蝕刻技術(shù)，介質(zhì)層103上與第一區(qū)域?qū)?yīng)的部分(如圖5c)未^皮光阻劑301覆 蓋，則該介質(zhì)層103與第一區(qū)域321 (其對(duì)應(yīng)于B子像素區(qū)域)對(duì)應(yīng)的部分被蝕刻 掉的厚度為(《-《)，剩余的厚度為《-(《-《)。步驟S214:進(jìn)行第 一次光阻劑剝離工藝和第二次蝕刻工藝；經(jīng)過第一次蝕刻工藝后，應(yīng)用公知的光阻劑剝離技術(shù)例如采用臭氧去除方 法對(duì)光阻劑301進(jìn)行第一次光阻劑剝離，從而將光阻劑301上與第二區(qū)域322 (其 對(duì)應(yīng)于G子像素區(qū)城)對(duì)應(yīng)的部分完全去除，光阻劑301上與第三區(qū)域323 (其對(duì) 應(yīng)于R子像素區(qū)域)對(duì)應(yīng)的部分^皮部分去除，形成如圖5d中所示的對(duì)應(yīng)于第二區(qū) 城322的介質(zhì)層103上未覆蓋有光阻劑301 ，對(duì)應(yīng)于第三區(qū)域323的介質(zhì)層103上仍 覆蓋有光阻劑301。請(qǐng)參閱圖5d。經(jīng)過第一次光阻劑剝離工藝后，與步驟S213類似，使用公知 的干蝕刻技術(shù)，介質(zhì)層103上與第二區(qū)域(其對(duì)應(yīng)于G子像素區(qū)域)對(duì)應(yīng)的部分 (如圖5d)未被光阻劑301覆蓋，則該介質(zhì)層103與第二區(qū)域?qū)?yīng)的部分被蝕刻 掉的厚度為(《-《)，剩余的厚度為《-(《-A)=《，從而形成對(duì)應(yīng)于第二區(qū)域的介質(zhì)層103的厚度為^，即G子像素區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層103的厚度 為t/e 。在第二次蝕刻工藝中，對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域(其對(duì)應(yīng)于B子像素區(qū)域)的介質(zhì) 層103經(jīng)過第二次蝕刻，其第二次被蝕刻掉的厚度為(《-《)，經(jīng)過兩次蝕刻 后從而形成對(duì)應(yīng)于第一區(qū)域的介質(zhì)層103的厚度為《-(c^-《)-(《-《)=《， 即B子像素區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層l03的厚度為《。步驟S215:進(jìn)行第二次光阻劑剝離工藝；請(qǐng)參閱圖5e。經(jīng)過第二次蝕刻工藝后，與步驟S214類似，可以應(yīng)用公知的 光阻劑剝離技術(shù)例如臭氧去除方法將光阻劑301上與第三區(qū)域323對(duì)應(yīng)的部分完 全去除，形成圖5e中所示的對(duì)應(yīng)于第三區(qū)域的介質(zhì)層103上未覆蓋有光阻劑，對(duì) 應(yīng)于該第三區(qū)域的介質(zhì)層103的厚度為《，即R子像素區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層103的 厚度為《。步驟S216:形成第二金屬層；請(qǐng)參閱圖5f。經(jīng)過第二次光阻劑剝離工藝后，在該介質(zhì)層103上形成了三種 不同的區(qū)域厚度，即分別與R、 G 、 B子像素區(qū)域相對(duì)應(yīng)的介質(zhì)層103的厚度 《、《和《，并且《<《<《。當(dāng)然，按照R、 G、 B子像素區(qū)域排列的不 同，介質(zhì)層103對(duì)應(yīng)的每一 區(qū)域厚度排列還可以有多種方式。然后，在該介質(zhì)層103的對(duì)應(yīng)R、 G、 B子像素區(qū)域上表面及其側(cè)壁覆蓋第二 金屬層104,進(jìn)一步地，該第二金屬層104的厚度為10 30納米，其可以是金屬 鍺、鉬、鎳、鈮、賴、鎢等物質(zhì)。步驟S217:形成有機(jī)層。請(qǐng)參閱圖5g。形成第二金屬層104后，利用公知的旋涂工藝，在第二金屬層 104的上表面及其側(cè)壁覆蓋有機(jī)層105，該有機(jī)層105的上表面為平坦表面。經(jīng)過以上步驟S211 S217 ，即形成本發(fā)明實(shí)施例的'液晶顯示面板的干涉濾 光片，如圖5g所示。步驟S22，請(qǐng)參閱圖3a。首先在所述干涉濾光片的有機(jī)層105的平坦表 面沉積形成第一絕緣層106，然后在第一絕緣層106的表面沉積第三金屬層， 并對(duì)其構(gòu)圖形成存儲(chǔ)電容電極線107和薄膜晶體管的柵極以及柵極線(圖中 未示)。步驟S23,請(qǐng)參閱圖3b。在存儲(chǔ)電容電極線107上表面及其側(cè)壁、薄膜晶體管的柵極以及柵極線(圖中未示)上表面及其側(cè)壁覆蓋第二絕緣層108。步驟S24，請(qǐng)參閱圖3c。在第二絕緣層108上表面沉積第四金屬層，并對(duì)其構(gòu)圖形成數(shù)據(jù)線109以及薄膜晶體管的源、漏極和有源區(qū)(圖中未示)。步驟S25，請(qǐng)參閱圖3d。在形成的數(shù)據(jù)線109以及薄膜晶體管上表面及其側(cè)壁、第二絕緣層108的部分上表面覆蓋鈍化層110。并且在鈍化層110上形成通孔(圖中未示)。步驟S26，請(qǐng)參閱圖3e。在^t化層110上形成下透明導(dǎo)電層111,以及在下透明導(dǎo)電層111表面形成下配向?qū)?12。該下透明導(dǎo)電層lll通過通孔與薄膜晶體管的漏極電性相連。以上步驟S21 26形成本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板的下基板l 00 。 步驟S27，請(qǐng)參閱圖3f。在上透明基板201下表面設(shè)置黑矩陣202。 步驟S28，請(qǐng)參閱圖3g。在黑矩陣202的下表面及其側(cè)壁和上透明基板200的部分下表面設(shè)置上透明導(dǎo)電層203，以及在上透明導(dǎo)電層203下表面及其側(cè)壁設(shè)置上配向?qū)?04。以上步驟S27 28形成本發(fā)明實(shí)施例的液晶顯示面板的上基4反200 。然后，進(jìn)行步驟S29，將該上基板100和下基板200相對(duì)放置，并且在該兩塊基板之間密封并注入液晶形成液晶層300 。從上述可以看出，步驟S211至S217詳細(xì)說明了在下基板上制造干涉濾 光片的方法，本發(fā)明將干涉濾光片整合于該下基板中，既可以代替?zhèn)鹘y(tǒng)液晶 顯示面板中的彩色濾光片，達(dá)到彩色顯示的效果，而且該干涉濾光片的制造 工藝可以只通過一次光罩步驟整合于下基板的制造工藝中，從而省去傳統(tǒng)的 經(jīng)過三次光罩依次制作R濾光片、G濾光片、B濾光片的制造工藝，簡化了 工藝步驟，大大提高了液晶顯示面板的生產(chǎn)效率。本發(fā)明雖然以較佳實(shí)施例公開如上，但其并不是用來限定本發(fā)明，任何 本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，都可以做出可能的變動(dòng)和 修改，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以本發(fā)明權(quán)利要求所界定的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1、一種液晶顯示面板，包括夾有液晶層的上下基板，所述下基板包括呈周期排列的多個(gè)子像素區(qū)域，其特征在于，所述上基板包括依次在上透明基板的下表面形成的黑矩陣BM和上透明導(dǎo)電層；所述下基板包括依次在下透明基板的上表面形成的第一金屬層、介質(zhì)層、第二金屬層、有機(jī)層以及第一絕緣層、第三金屬層、第二絕緣層、第四金屬層、鈍化層和下透明導(dǎo)電層。
2、 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述子像素區(qū)域包括 R子像素區(qū)域、G子像素區(qū)域和B子像素區(qū)域，其中，R、 G、 B子像素區(qū)域分 別對(duì)應(yīng)的介質(zhì)層厚度比等于紅、綠、藍(lán)光的波長比。
3、 如權(quán)利要求2所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述R、 G、 B子像素區(qū)域?qū)?yīng)的介質(zhì)層的厚度分別為《=4^、《-41，其中，A、義c、2w^分別為光源中紅光波長、綠光波長和藍(lán)光波長，n為所述介質(zhì)層的折射率。
4、 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述介質(zhì)層為氧化硅 Si02。
5、 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一金屬層或第 二金屬層為金屬鍺、鉬、鎳、鈮、鉑、鎢中的任意一種。
6、 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述第一金屬層或第 二金屬層的厚度為10 30納米。
7、 如權(quán)利要求l所述的液晶顯示面板，其特征在于，所述有機(jī)層上表面為 平坦表面。
8、 一種液晶顯示面板的制造方法，形成夾有液晶層的上下基板，所述下基板包括呈周期排列的多個(gè)子像素區(qū)域，其特征在于，所述上基板的形成包括在所述液晶顯示面板的上透明基板的下表面形成黑矩陣； 在所述黑矩陣及上基板的部分下表面形成上透明導(dǎo)電層； 所述下基板的形成包括在所述液晶顯示面板的下透明基板的上表面依次形成第一金屬層、介質(zhì)層、 第二金屬層及有機(jī)層；在所述有機(jī)層的表面依次形成第一絕緣層和第三金屬層；在所述第三金屬層的表面形成第二絕緣層；在所述第二絕緣層的表面形成第四金屬層；在所述第四金屬層的表面形成鈍化層；在所述鈍化層的表面形成下透明導(dǎo)電層。
9、如權(quán)利要求8所述的方法，其特征在于，所述子像素區(qū)域包括R、 G和 B子j象素區(qū)域，所述形成介質(zhì)層的方法為在第一金屬層上沉積一層介質(zhì)層，所述介質(zhì)層的厚度為，，其中，、為光源中紅光波段的最大光強(qiáng)處對(duì)應(yīng)的波長，n為該介質(zhì)層的折射率； 在所述介質(zhì)層表面涂布光阻劑；對(duì)所述光阻劑進(jìn)行曝光和顯影以致對(duì)應(yīng)R、 G和B子像素區(qū)域的光阻劑分 別具有不同的厚度，其中對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的光阻劑完全去除，對(duì)應(yīng)G子像素 區(qū)域的光阻劑部分去除，對(duì)應(yīng)R子像素區(qū)域的光阻劑不被去除；蝕刻對(duì)應(yīng)B子像素區(qū)域的介質(zhì)層，其被蝕刻掉的厚度為^-^，其中，4、;is分別為光源中綠光、藍(lán)光波段的最大光強(qiáng)處對(duì)應(yīng)的波長； 去除對(duì)應(yīng)G子像素區(qū)域的光阻劑；蝕刻對(duì)應(yīng)B、 G子像素區(qū)域的介質(zhì)層，其被蝕刻掉的厚度為^-^; 去除對(duì)應(yīng)R子像素區(qū)域的光阻劑。 -
10、如權(quán)利要求9所述的方法，其特征在于，采用三色調(diào)光罩對(duì)所述光阻 劑進(jìn)行曝光。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種液晶顯示面板，包括夾有液晶層的上下基板，所述下基板包括呈周期排列的多個(gè)子像素區(qū)域，所述上基板包括依次在上透明基板的下表面形成的黑矩陣BM和上透明導(dǎo)電層；所述下基板包括依次在下透明基板的上表面形成的第一金屬層、介質(zhì)層、第二金屬層、有機(jī)層以及第一絕緣層、第三金屬層、第二絕緣層、第四金屬層、鈍化層和下透明導(dǎo)電層。本發(fā)明還公開了該液晶顯示面板的制造方法。將干涉濾光片整合于液晶顯示面板的下基板上，簡化了工藝步驟，減少了光罩次數(shù)，大大提高了液晶面板的生產(chǎn)效率，降低生產(chǎn)成本。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK101614906SQ200910161219
公開日2009年12月30日 申請(qǐng)日期2009年7月24日 優(yōu)先權(quán)日2009年7月24日
發(fā)明者崔宏青, 鐘德鎮(zhèn) 申請(qǐng)人:昆山龍騰光電有限公司