專利名稱：：電子照相感光構(gòu)件和電子照相設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及具有由氫化非晶碳化硅制成的表面層的電子照相感光構(gòu)件和具有該電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備。氫化非晶碳化硅在下文中也表述為"a-SiC"。由氫化非晶碳化硅制成的表面層在下文中也表述為"a-SiC表面層"。
背景技術(shù)：
：在各種電子照相感光構(gòu)件中，已周知非晶硅電子照相感光構(gòu)件，其具有基體例如金屬和形成于其上的由非晶材料制成的光導(dǎo)電層(感光層)。非晶硅電子照相感光構(gòu)件在下文中也表述為"a-Si感光構(gòu)件"。作為此類a-Si感光構(gòu)件構(gòu)成的實(shí)例，可獲得其中將光導(dǎo)電層形成于基體上并將a-SiC表面層形成于該光導(dǎo)電層上的構(gòu)成。由于a-SiC表面層具有優(yōu)良的耐磨性，所以其已主要用于具有高處理速度的電子照相設(shè)備。然而，在任何常規(guī)的a-SiC表面層中，在某些情況中出現(xiàn)當(dāng)用于具有高絕對(duì)濕度的環(huán)境中時(shí)，形成模糊字符或文字，或者不打印字符或文字，從而導(dǎo)致在圖像中的空白區(qū)域(下文中，此類現(xiàn)象也表述為"高濕圖像流(或由于高濕導(dǎo)致的圖像缺失)")。高濕圖像流是指不良圖像的現(xiàn)象在使用放置于具有高絕對(duì)濕度環(huán)境中的電子照相設(shè)備復(fù)制圖像，并在過一會(huì)之后再次復(fù)制圖像的情況下，形成模糊字符或文字，或者不打印字符或文字，從而在再次復(fù)制的圖像中導(dǎo)致空白區(qū)域。認(rèn)為高濕圖像流發(fā)生是因?yàn)殡娮诱障喔泄鈽?gòu)件在其表面上吸水時(shí)具有低表面電阻，從而導(dǎo)致其上的任意電荷橫流。因此，其更傾向于發(fā)生在其中放置電子照相設(shè)備的環(huán)境具有高絕對(duì)濕度的情況下或在沒有使用設(shè)置在a-Si感光構(gòu)件附近的感光構(gòu)件加熱器的情況下。作為防止高濕圖像流發(fā)生的技術(shù)，日本專利號(hào)3124841公開小于規(guī)定值，并形成a-SiC表面層以具有相對(duì)相4造的膜結(jié)構(gòu)，以使得制備在清潔處理中可易于磨蝕的表面層。制備可易于磨蝕的a-SiC表面層使得該表面上已吸附的任意帶電產(chǎn)物或水與在a-SiC表面層表面上形成的氧化物層一起可容易地去除，因此這樣能夠防止高濕圖像流發(fā)生。近年來，在市場(chǎng)中，電子照相設(shè)備已在高速和彩色圖像形成方面取得進(jìn)展，其處理已變成使得電子照相感光構(gòu)件表面更趨向于磨耗的電子照相處理。同時(shí)，在市場(chǎng)上，伴隨著此類高速和彩色圖像形成，還存在對(duì)于能夠穩(wěn)定復(fù)制具有高圖像質(zhì)量的圖像的電子照相設(shè)備的需求。對(duì)于此類商業(yè)需求，提供在防止高濕圖像流發(fā)生方面得到改進(jìn)同時(shí)保持良好的耐磨性的電子照相感光構(gòu)件已變得必要。在這方面，采用公開在日本專利號(hào)3124841中公開的技術(shù)要求使得電子照相感光構(gòu)件的表面在特定速度下磨蝕，因此傾向于損壞其耐久性，特別是在高速電子照相處理中。具體而言，在公開于日本專利號(hào)3124841中的技術(shù)中，為了去除形成在電子照相感光構(gòu)件表面上的氧化物層或在該氧化物層上已吸附的任何帶電產(chǎn)物或水等(即吸附物質(zhì))，必要的是電子照相感光構(gòu)件的表面設(shè)置得具有一定的磨耗容易性。此外，其還發(fā)生在某些情況中趨于磨耗的表面層變得具有壓傷(或擦傷)，從而使得電子照相感光構(gòu)件壽命受到限制。壓傷是指將機(jī)械應(yīng)力施加至電子照相感光構(gòu)件表面，從而導(dǎo)致擦傷狀的圖像缺陷例如圖像上的黑線或白線的現(xiàn)象。當(dāng)在高精度電子照相處理中復(fù)制半色調(diào)圖像時(shí)，此類壓傷趨于尤其顯著，并且是降低圖像質(zhì)量且也使得電子照相感光構(gòu)件具有短壽命的原因。即，在常規(guī)電子照相感光構(gòu)件和電子照相設(shè)備中，其難以在防止高濕圖像流發(fā)生方面同時(shí)保持良好的耐磨性方面得到改進(jìn)。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明的目的是提供具有優(yōu)良防高濕圖像流性(高濕圖像流防止作用)和耐磨性的電子照相感光構(gòu)件以及具有此類電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備。本發(fā)明為具有光導(dǎo)電層和設(shè)置于該光導(dǎo)電層上的由氫化非晶碳化硅構(gòu)成的表面層的電子照相感光構(gòu)件，其中在表面層中碳原子原子數(shù)(C)與硅原子原子數(shù)(Si)和碳原子原子數(shù)(C)的總和之比C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下，且在表面層中硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和為6.60xl0"原子/cmS以上。根據(jù)本發(fā)明，能夠提供具有優(yōu)良防高濕圖像流性和耐磨性的電子照相感光構(gòu)件以及具有此類電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備。本發(fā)明進(jìn)一步的特征將參考附圖從以下的示例性實(shí)施方案的描述變得顯而易見。圖1A為解釋充電器下方的圖像流現(xiàn)象的圖解說明，以及圖1B為解釋運(yùn)行期間的圖像流現(xiàn)象的圖解說明。圖2為用于生產(chǎn)本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的等離子體輔助CVD系統(tǒng)的示意圖。圖3A為優(yōu)選用于本發(fā)明的柵控電暈器(scorotron)充電組件的示意圖，以及圖3B為優(yōu)選用于本發(fā)明的線式電暈器(corotron)充電組件的示意圖。圖4為用于實(shí)施例中的電子照相i殳備的示意性截面圖。圖5A和5B為示出本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件層構(gòu)造的實(shí)例的圖解示圖。具體實(shí)施例方式本發(fā)明人已進(jìn)行深入的研究，以實(shí)現(xiàn)具有優(yōu)良防高濕圖像流性和耐磨性的電子照相感光構(gòu)件。作為研究結(jié)果，他們發(fā)現(xiàn)高濕圖像流能夠粗略的分成以下兩種現(xiàn)象A和B。A:現(xiàn)象當(dāng)在具有高絕對(duì)濕度的環(huán)境中復(fù)制圖像，并且在將設(shè)備原樣放置整夜后，在第二天早晨復(fù)制圖像時(shí)，發(fā)生在某些圖像中形成具有降低圖像濃度的圖像。這種圖像濃度降低發(fā)生在放置設(shè)備期間保持電子照相感光構(gòu)件和充電組件面對(duì)面的區(qū)域。此類現(xiàn)象在下文中也表述為"充電器下方的圖像流"。B:現(xiàn)象當(dāng)與以上類似在第二天早晨復(fù)制圖像時(shí)，與充電器下方的圖像流一起出現(xiàn)，發(fā)生在放置設(shè)備期間在保持電子照相感光構(gòu)件和充電組件也在不是面對(duì)面的區(qū)域處降低圖像濃度而形成圖像。這種現(xiàn)象當(dāng)在大量復(fù)制圖像(圖像連續(xù)復(fù)制很長(zhǎng)時(shí)間)時(shí)可能發(fā)生，并且發(fā)生在圖像的整個(gè)區(qū)域，這不同于在圖像上局部發(fā)生的充電器下方的圖像流。此類現(xiàn)象在下文中也表述為"運(yùn)^f亍期間的圖〗象流"。7從這兩種現(xiàn)象，已發(fā)現(xiàn)高濕圖像流為由充電器下方的圖像流和運(yùn)行期間的圖像流組成的綜合現(xiàn)象。本發(fā)明人已，ii殳如下所述機(jī)制，通過該4幾制以上兩種現(xiàn)象可能發(fā)生。假設(shè)的機(jī)制參考圖1A和1B說明。圖1A為解釋現(xiàn)象A的圖解說明，并示出已吸附在電子照相感光構(gòu)件表面上的吸附物質(zhì)的吸附量與高濕圖像流如何發(fā)生之間的關(guān)系。當(dāng)吸附物質(zhì)例如帶電產(chǎn)物或水的吸附量高于可以發(fā)生高濕圖像流的閾值時(shí)，高濕圖像流出現(xiàn)在圖像上。首先，在圖像復(fù)制前的初始階段，在電子照相感光構(gòu)件的表面上的吸附物質(zhì)為少量。接著，考慮在圖像已重復(fù)復(fù)制的情況下如何在圖像復(fù)制之后保持表面。在這種狀態(tài)下，產(chǎn)生主要由于充電的影響導(dǎo)致電子照相感光構(gòu)件表面層被氧化，并且極性基團(tuán)形成在電子照相感光構(gòu)件表面上。作為此類極性基團(tuán)形成的事實(shí)對(duì)于高濕圖像流的影響，可設(shè)想以下兩種方式作用。首先，其為使水吸附量更高以趨于導(dǎo)致使電子照相感光構(gòu)件的表面低電阻化的極性基團(tuán)本身的作用。其次，其為在極性基團(tuán)形成時(shí)，使得電子照相感光構(gòu)件的水吸收的結(jié)果，帶電產(chǎn)物使得電子照相感光構(gòu)件的表面更加速地低電阻化?？紤]到由于這兩種方式作用的任意協(xié)同作用因而吸附物質(zhì)例如帶電產(chǎn)物或水增加，從而產(chǎn)生高濕圖像流趨于發(fā)生的情況。接著，考慮在此狀態(tài)下將電子照相感光構(gòu)件放置在電子照相設(shè)備內(nèi)部的情況。在放置期間其保持面對(duì)充電組件的區(qū)域處，帶電產(chǎn)物大量存在于充電組件的周圍，除此之外，作為氧化的8的狀態(tài)。因此，出現(xiàn)帶電產(chǎn)物大量吸附在電子照相感光構(gòu)件的表面上。結(jié)果，吸附物質(zhì)例如帶電產(chǎn)物或水的吸附量超過導(dǎo)致高濕圖像流的閾值，如所認(rèn)為的。另一方面，在放置期間在其未保持面對(duì)充電組件的區(qū)域，作為氧化結(jié)果，表面處于高度吸附帶電產(chǎn)物或水，但是要在其上吸附的帶電產(chǎn)物少量存在，因此吸附物質(zhì)的吸附量未超過閾值。假設(shè)運(yùn)行期間的圖像流作為前述結(jié)果而發(fā)生。圖1B為解釋現(xiàn)象B的圖解說明，與圖1A類似，示出已吸附在電子照相感光構(gòu)件表面上的吸附物質(zhì)的吸附量與高濕圖像流如何發(fā)生之間的關(guān)系。與圖1A不同的是圖1B示出圖像形成與圖1A中示出的情況相比重復(fù)更長(zhǎng)時(shí)間的情況。因?yàn)槌潆娭貜?fù)進(jìn)行很長(zhǎng)時(shí)間的影響，所以a-SiC表面層的表面變得比圖1A中所示情況被更多地氧化，并且變得更多地吸附帶電產(chǎn)物或水。因此，發(fā)生以下情況不僅在帶電產(chǎn)物大量存在的在放置期間面對(duì)充電組件的部分，而且?guī)щ姰a(chǎn)物最初少量存在的在放置期間未保持面對(duì)帶電組件的部分，吸附物質(zhì)的吸附量超過閾值，這主要因?yàn)樗搅康脑黾?。結(jié)果，高濕圖像流也發(fā)生在放置期間在電子照相感光構(gòu)件不是保持面對(duì)充電組件的區(qū)域，如所假設(shè)的。如上，已表明在高濕圖像流方面存在兩種因素，其為充電器下方的圖像流和運(yùn)行期間的圖像流。如上所述，在任一情況下，其原因可表述為帶電產(chǎn)物或水的吸附量的增加。因此，已查明為了防止充電器下方的圖像流和運(yùn)行期間的圖像流發(fā)生，非常重要的是防止影響吸收物質(zhì)吸附性的a-SiC表面層氧化。.防止a-SiC表面層氧化能夠控制帶電產(chǎn)物或水的吸附量。這使得對(duì)于a-SiC表面層的表面，使磨耗深度大(即，使得易于磨蝕)以從其表面去除氧化物層和吸附物質(zhì)是不必要的，因此電子照相感光構(gòu)件能夠保持其良好的耐磨性。因此，本發(fā)明人認(rèn)為由于充電而防止a-SiC表面層氧化，能夠形成具有優(yōu)良耐磨性同時(shí)比任何常規(guī)情況下減少吸附物質(zhì)附著的a-SiC表面層，并且本發(fā)明人已進(jìn)行了廣泛地研究。作為結(jié)果，他們已發(fā)現(xiàn)可以將組成a-SiC表面層的碳原子原子數(shù)與硅原子原子數(shù)和碳原子原子數(shù)的總數(shù)之比設(shè)定在特定范圍內(nèi)，除此之外，可以將硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和設(shè)定得大于特定值，這在解決上述問題方面是有效的。因此，他們已完成了本發(fā)明。如上所總結(jié)的，本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件具有光導(dǎo)電層和設(shè)置于該光導(dǎo)電層上的由氬化非晶碳化硅構(gòu)成的表面層(a-SiC表面層)，其特征在于在表面層中，碳原子原子數(shù)(C)與硅原子原子數(shù)(Si)和碳原子原子數(shù)(C)的總和之比(C/(Si+C))為0.61以上至0.75以下，以及；在a-SiC表面層中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和為6.60x1022原子/cm3以上。此處，碳原子原子數(shù)與硅原子原子數(shù)和碳原子原子數(shù)的總和之比在下文中也表述為"C/(Si+C)"。硅原子的原子密度在下文中也表述為"Si原子密度"。碳原子的原子密度在下文中也表述為"C原子密度"。硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和在下文中也表述為"Si+C原子密度"。表面層將在a-SiC表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.60x1022原子/cn^以上帶來在防高濕圖像流性和耐磨性方面的巨大改進(jìn)。其原因示于以下。即，a-SiC的氧化反應(yīng)發(fā)生，這是因?yàn)樵诠柙雍吞荚又g的鍵合在a-SiC的碳原子氧化和消除時(shí)被斷開，并且氧化物質(zhì)與新形成的硅原子的懸鍵反應(yīng)。在這方面，根據(jù)本發(fā)明，使a-SiC表面層中的Si+C原子密度的值大，可以使得在硅原子和碳原子之間的鍵合不易于斷開。同樣，使得Si+C原子密度值大，導(dǎo)致a-SiC表面層具有低空隙，因此這降低碳原子與氧化物質(zhì)反應(yīng)的可能性。在電子照相處理中，認(rèn)為碳原子與通過充電步驟形成的離子性物質(zhì)反應(yīng)造成碳原子的氧化和消除。所以，可以防止此類碳原子被氧化，由此也能夠防止硅原子被氧化。根據(jù)本發(fā)明，a-SiC表面層的組成原子自身之間的距離縮短，該層能夠具有低空隙，因此防止a-SiC表面層的表面^皮氧化，并且防止任何才及性基團(tuán)形成在a-SiC表面層的表面上，如所認(rèn)為的。結(jié)果，能防止高濕圖像流發(fā)生。此外，a-SiC表面層的組成原子能夠擁有高鍵合力，因此a-SiC表面層能夠具有高硬度，因此電子照相感光構(gòu)件的耐磨性也能夠得到改進(jìn)，如所認(rèn)為的。從上述觀點(diǎn)，對(duì)于a-SiC表面層可優(yōu)選具有6.81xlO"原子/cm3"上的更高的Si+C原子密度，這使得電子照相感光構(gòu)件在其防高濕圖像流性和耐磨性方面得到更多地改進(jìn)。此處，在a-SiC中，原子密度13.0xlO"原子/cm3為SiC晶體保持最高密度的原子密度，其是Si+C原子密度的上限。除了在a-SiC表面層中的Si+C原子密度在上述范圍中的特征之外，在a-SiC表面層中的C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下。為了獲得優(yōu)良的電子照相感光構(gòu)件性能，這是必要的。在a-SiC表面層中，如果其具有C/(Si+C)低于0.61,該a-SiC可能具有低電阻，特別是在生產(chǎn)具有高原子密度的a-SiC的情況下。在這種情況下，當(dāng)形成靜電潛像時(shí)，在表面層中載流子趨于橫流。因此，當(dāng)形成孤立的點(diǎn)作為靜電潛像時(shí)，該孤立的點(diǎn)因?yàn)樵诒砻鎸又休d流子的此類橫流而可以變得很小。結(jié)果，在成像復(fù)制中，低圖像濃度不可避免的發(fā)生在特別是低濃度側(cè)上，因此，圖像可能具有低濃淡度(gradation)。為此原因，如在本發(fā)明中在具有高原子密度的a-SiC表面層中，C/(Si+C)必須為0.61以上。另一方面，如果a-SiC表面層具有C/(Si+C)高于0.75,在該層中光吸收可能突然增加，特別是在生產(chǎn)具有高原子密度的a-SiC的情況下。在這種情況下，當(dāng)形成靜電潛像時(shí)成像曝光光的必要量可能達(dá)到很大，以致造成感光度極度降低。同樣，由于感光度可以對(duì)應(yīng)于a-SiC表面層的磨一4深度而大幅變化，所以如果電子照相感光構(gòu)件磨耗不均勻，圖像濃度可能是不均勻的。為此原因，也在本發(fā)明中的在具有高原子密度的a-SiC表面層中，C/(Si+C)必須為0.75以下。由于如上原因，為了改進(jìn)a-SiC表面層的抗氧化性乂人而防止高濕圖像流發(fā)生同時(shí)保持任何優(yōu)選的電子照相感光構(gòu)件性能，在a-SiC表面層中的Si+C原子密度必須為6.60x1022原子/cm3以上，且在表面層中的C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下。在本發(fā)明中，還優(yōu)選在表面層中氬原子原子數(shù)(H)與硅原子原子數(shù)(Si)、碳原子原子數(shù)(C)和氫原子原子數(shù)(H)的總和之比H/(Si+C+H)為0.30以上至0.45以下。這使得可以獲得具有更好的電子照相感光構(gòu)件性能和更優(yōu)良的防高濕圖像流性和耐磨性的電子照相感光構(gòu)件。氫原子原子數(shù)與硅原子原子數(shù)(Si)、碳原子原子數(shù)(C)和氫原子原子數(shù)(H)的總和之比在下文中也表述為"H/(Si+C+H)"。在具有高原子密度的a-SiC表面層中，該層具有如此窄的光學(xué)帶隙(opticalbandgap),以致作為光吸收增加的結(jié)果，其可能具有低感光度。然而，由于在a-SiC表面層中的H/(Si+C+H)為0.30以上，所以該層能夠具有寬的光學(xué)帶隙，并能夠有助于感光度的提高。另一方面，如果在a-SiC表面層中的H/(Si+C+H)大于0.45,看出以下趨勢(shì)a-SiC表面層在其中具有大量的富含氳原子的端基如甲基。如果此類具有多個(gè)氫原子的端基如甲基大量存在于a-SiC表面層中，大的空間形成在a-SiC的結(jié)構(gòu)中，同時(shí)在其周圍存在的原子之間的鍵變緊。這種結(jié)構(gòu)弱化部分被認(rèn)為是不期望地用作不耐氧化的部分。同樣，將氫原子大量引入于a-SiC表面層中使得難以促進(jìn)作為a-SiC表面層骨架原子的硅原子和碳原子的網(wǎng)絡(luò)的建立。為此原因，因?yàn)镠/(Si+C+H)為0.45以下，可以促進(jìn)作為a-SiC表面層骨架原子的硅原子和碳原子的網(wǎng)絡(luò)的建立，還能減小原子之間4建合時(shí)產(chǎn)生的任何應(yīng)力，如所認(rèn)為的。結(jié)果，a-SiC表面層能夠在其抗氧化性方面得到更多的改進(jìn)，以及電子照相感光構(gòu)件能夠在其耐磨性方面得到更多的改進(jìn)。在本發(fā)明中，還優(yōu)選在a-SiC表面層的拉曼光譜中，峰強(qiáng)度1，390cm"(lD)與峰強(qiáng)度l,480cm"(lG)之比lD/lG為0.20以上至0.70以下。在拉曼光譜中峰強(qiáng)度1,390cm"與峰強(qiáng)度1，480cm"之比在下文中也表述為"Io/lG"。與類金剛石碳比較，首先描述a-SiC表面層的拉曼光譜。類金剛石碳在下文中也表述為"DLC"。觀察由sp4吉構(gòu)和sp^吉構(gòu)形成的DLC拉曼光譜作為具有在1,540cm-1附近的主峰和在1，390cnT1附近的肩峰(shoulderband)的拉曼光譜。在通過RF-CVD處理形成的a-SiC表面層中，觀察類似于DLC拉曼光譜的拉曼光i普，其具有在l，480cm"附近的主峰和在l,390cm"附近的肩峰。在a-SiC表面層的拉曼光譜中的主峰與DLC的主峰相比移至更低波數(shù)側(cè)的原因在于硅原子包含在a-SiC表面層中。乂人該事實(shí)，看出通過RF-CVD處理形成的a-SiC表面層由具有非常接近于DLC的結(jié)構(gòu)的材料形成。一般來講，已知在DLC拉曼光譜中，存在以下趨勢(shì)對(duì)13于DLC,當(dāng)?shù)筒〝?shù)帶的峰強(qiáng)度與高波數(shù)帶的峰強(qiáng)度之比更小時(shí)，具有更高的spS含量。因此，認(rèn)為同樣在具有非常接近于DLC的結(jié)構(gòu)的a-SiC表面層中，當(dāng)?shù)筒〝?shù)帶的峰強(qiáng)度與高波數(shù)帶的峰強(qiáng)度之比更小時(shí)，其顯示出更高的spS含量的趨勢(shì)。在本發(fā)明中的具有高原子密度的a-SiC表面層中，在a-SiC表面層中的Id/1G為0.70以下。這能夠更多地改進(jìn)防高濕圖像流性和耐磨性。作為其原因，本發(fā)明人認(rèn)為在spS含量方面的改進(jìn)帶來sp2二維網(wǎng)絡(luò)數(shù)目的降低和spS三維網(wǎng)絡(luò)的增加，因此骨架原子的鍵數(shù)增加，以致形成強(qiáng)結(jié)構(gòu)。因此，更優(yōu)選在a-SiC表面層中的Io/lG更小。然而，在大量生產(chǎn)水平下形成的a-SiC表面層中，不能完全去除sp4吉構(gòu)。因此，在本發(fā)明中，在a-SiC表面層中的lD/lG的下限值設(shè)定為0.2，在該值下防高濕圖像流性和耐磨性的改進(jìn)在稍后給出的實(shí)施例中已得到確認(rèn)。在本發(fā)明中，從通過清潔刮板清潔電子照相感光構(gòu)件表面的性能的觀點(diǎn)，還優(yōu)選電子照相感光構(gòu)件具有表面粗糙度Ra為10nm以上至80nm以下，更優(yōu)選10nm以上至50nm以下，如當(dāng)其表面使用原子力顯獨(dú)U竟(AFM)在1Opmx1Ojam范圍內(nèi)測(cè)量時(shí)由獲得的微觀表面輪廓確定。表面粗糙度Ra在下文中也簡(jiǎn)單地表述為"Ra"。從與如上相同的清潔性能的觀點(diǎn)，還優(yōu)選電子照相感光構(gòu)件具有算術(shù)平均斜率Aa為0.10以上至0.40以下，如當(dāng)其表面使用AFM在10fimxl0^im范圍內(nèi)測(cè)量時(shí)由獲得的微觀表面輪廓確定。算術(shù)平均斜率Aa在下文中也簡(jiǎn)單表述為"Aa"。在本發(fā)明中，以上a-SiC表面層可以通過任何方法形成，只要其為能夠形成滿足以上規(guī)定的層的方法即可。具體而言，其可以包括等離子體輔助CVD法、真空沉積法、濺射法和離子電鍍法。其中，考慮到例如進(jìn)給源材料的容易性，等離子體輔助CVD法是優(yōu)選的。當(dāng)采用等離子體輔助CVD法作為用于形成a-SiC表面層的方法時(shí)，如何形成a-SiC表面層如下所述。即，將供給硅原子用源氣體(sourcegas)和供給碳原子用源氣體以期望的氣態(tài)各自引入至內(nèi)部可以抽真空的反應(yīng)器中。然后，可以使輝光放電在反應(yīng)器中發(fā)生，以分解引入于其中的源氣體，由此由a-SiC構(gòu)成的層可以形成于放置在規(guī)定位置的基體上。作為供給硅原子用源氣體，優(yōu)選使用例如硅烷類例如硅烷(SiH4)和二硅烷(Si2H。。同樣，作為供給碳原子用源氣體，優(yōu)選使用例如曱烷(CH4)和乙炔(C2H2)等的氣體。為了控制H/(Si+C+H),氫氣(H2)也可以與以上源氣體一起使用。在形成本發(fā)明中的a-SiC表面層時(shí)，存在Si+C原子密度通過使進(jìn)給至反應(yīng)器中的氣體的流速更低、通過使高頻功率更高或通過使基體溫度更高而變得更高的趨勢(shì)。在實(shí)踐中，其可通過適當(dāng)?shù)亟M合這些條件來設(shè)定。光導(dǎo)電層在本發(fā)明中，光導(dǎo)電層可以為任意層，只要其為具有能夠滿足關(guān)于電子照相性能的性能的光導(dǎo)電性的層即可。從耐久性和穩(wěn)定性的角度，優(yōu)選由氫化非晶硅組成的光導(dǎo)電層。氬化非晶硅在下文中也表述為"a-Si"。在本發(fā)明中，在當(dāng)將由a-Si制成的光導(dǎo)電層用作光導(dǎo)電層時(shí)的情況下，除了氫原子之外可以引入卣原子以補(bǔ)償存在于a-Si中的未鍵合臂(arm)。氫原子(H)和囟素原子(X)可以優(yōu)選總含量(H+X)為10原子%以上，更優(yōu)選15原子％以上，基于硅原子(Si)、氫原子(H)和囟素原子(X)的總和(Si+H+X)。另一方面，這些可以優(yōu)選總量(H+X)為30原子。/o以下，且更優(yōu)選25原子％以下。在本發(fā)明中，可以任選地使光導(dǎo)電層中引入有用于控制電導(dǎo)率的原子。用于控制電導(dǎo)率的原子可以以均勻一致地分布狀態(tài)包含在光導(dǎo)電層中，或可以部分地以將其沿層厚度方向不均勻分布的狀態(tài)包含。用于控制電導(dǎo)率的原子可以包括用于半導(dǎo)體領(lǐng)域的所謂雜質(zhì)。更具體地，使用提供p-型導(dǎo)電性的屬于元素周期表13族的原子或者提供n-型導(dǎo)電性的屬于元素周期表15族的原子。屬于元素周期表13族的原子中，硼原子、鋁原子和鎵原子是優(yōu)選的。屬于元素周期表15族的原子中，磷原子和砷原子是優(yōu)選的。要引入至光導(dǎo)電層中的用于控制電導(dǎo)率的原子的含量可以優(yōu)選為lxlO^原子ppm以上，更優(yōu)選5xl0^原子ppm以上，且進(jìn)一步更優(yōu)選lxlO"原子ppm以上，基于硅原子(Si)。另一方面，其含量?jī)?yōu)選為1x104原子ppm以下，更優(yōu)選5x103原子ppm以下，且進(jìn)一步更優(yōu)選lxl(^原子ppm以下。在本發(fā)明中，考慮到要達(dá)到的期望的電子照相性能和經(jīng)濟(jì)優(yōu)點(diǎn)等，光導(dǎo)電層可以優(yōu)選具有層厚度15pm以上，且更優(yōu)選20pm以上。另一方面，其可以優(yōu)選具有層厚度60pm以下，優(yōu)選50(im以下，且進(jìn)一步更優(yōu)選40jim以下。如果光導(dǎo)電層具有層厚度低于15(im，將通過充電構(gòu)件的電流可能增加，從而趨于加速劣化。如果光導(dǎo)電層具有層厚度大于60pm,在a-Si中可異常生長(zhǎng)的位點(diǎn)尺寸可能變大，該尺寸可具體為沿水平方向50至150nm和沿高度方向5至20pm的尺寸，并且可能不良地?fù)p壞一些構(gòu)件(其擦傷表面)或可能導(dǎo)致圖像缺陷。光導(dǎo)電層可以由單層構(gòu)成或可由多層構(gòu)成(例如，電荷產(chǎn)生層和電荷llr送層)。作為用于形成由a-Si構(gòu)成的光導(dǎo)電層的方法，其可以包括等離子體輔助CVD法、真空沉積法、濺射法和離子電鍍法。其中，考慮到例如進(jìn)給源材料的容易性，等離子體輔助CVD法是優(yōu)選的。以下描述采用等離子體輔助CVD法的情況如何形成光導(dǎo)電層。為形成光導(dǎo)電層，將供給硅原子用源氣體(sourcegas)和供給碳原子用源氣體以期望的氣態(tài)各自引入至內(nèi)部可以抽真空的反應(yīng)器中。然后，可以使輝光放電在反應(yīng)器中發(fā)生，以分解引入于其中的源氣體，由此由a-Si構(gòu)成的層可以形成于放置在規(guī)定位置的基體上。在本發(fā)明中，作為供給硅原子用源氣體，優(yōu)選使用硅烷類例如硅烷(SiH4)和二硅烷(Si2H"。作為供給氫原子用源氣體，除了以上硅烷之外，也可以使用氫氣(H。。在使光導(dǎo)電層中引入有任意的以上鹵素原子、用于控制電導(dǎo)率的原子、碳原子、氧原子和氮原子等的情況下，可以適當(dāng)使用包含各原子的氣態(tài)或易于氣化的物質(zhì)作為材料。基體作為基體，對(duì)于其不存在特別限定，只要其為具有導(dǎo)電性且能夠在其上保持要在其表面形成的光導(dǎo)電層和表面層的基體即可，可以使用任何基體。作為基體用材料，它可能包括例如金屬如鋁和鐵以及這些的任意合金。這種具有導(dǎo)電性的基體(基體，其是導(dǎo)電性的)在下文中也表述為"導(dǎo)電性基體"。中間層在本發(fā)明中，優(yōu)選在本發(fā)明的光導(dǎo)電層和a-SiC表面層之間設(shè)置中間層。還優(yōu)選在中間層中的C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下，且在中間層中的Si+C原子密度為5.50xl022原子/cii^以上至6.45xl0"原子/cm"以下。中間層還可以優(yōu)選具有層厚度150nm以上。圖5A為示出本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的層構(gòu)造的實(shí)例的圖解示圖。如圖5A中所示，電子照相感光構(gòu)件10具有由鋁等制成的圓筒形且導(dǎo)電的導(dǎo)電性基體14,以及光導(dǎo)電層13、中間層12和表面層11,它們依次形成在基體14的表面上。以下詳細(xì)描述中間層。與a-SiC表面層組合保持的中間層起到防止光導(dǎo)電層免受作為其原因，認(rèn)為壓傷產(chǎn)生是因?yàn)榫哂懈哂捕鹊娜魏萎愇镌诠ぷ髌陂g由于^f壬意原因夾持或卡咬(nippedorbitten)在電子照相設(shè)備內(nèi)部，,人而將機(jī)械應(yīng)力施加至電子照相感光構(gòu)件的表面。然而，其并不總是電子照相感光構(gòu)件表面明顯地永久留有擦傷的情況。此外，例如也看到如下情況當(dāng)將具有曾經(jīng)明顯有壓傷的任意電子照相感光構(gòu)件在200。C下加熱l小時(shí)時(shí)，壓傷消失。因此，認(rèn)為壓傷發(fā)生是因?yàn)檫^量應(yīng)力沒有施加至電子照相感光構(gòu)件表面本身，而是通過表面層施加至光導(dǎo)電層。通過形成具有高硬度的表面層，能夠防止此類壓傷發(fā)生。然而，為了防止光導(dǎo)電層承受任何應(yīng)力，認(rèn)為對(duì)于表面層具有最小層厚度是必要的。電子照相感光構(gòu)件的表面層隨著其長(zhǎng)時(shí)間使用而磨耗至一定程度，因此對(duì)于表面層保持以上層厚度是必要的，即使是在電子照相感光構(gòu)件任何預(yù)設(shè)的壽命到期之后。此外，盡管在本發(fā)明中的a-SiC表面層為具有通過提高其Si+C原子密度改進(jìn)抗氧化性(防高濕圖像流性)和耐磨性的表面層，但是其示出具有稍低的光透過性的趨勢(shì)。所以，將中間層設(shè)置在本發(fā)明的光導(dǎo)電層和a-SiC表面層之間，以致中間層可以為與本發(fā)明的a-SiC表面層相比具有更低的Si+C原子密度的膜，并且具有相對(duì)良好的光透過性，由此能夠改進(jìn)電子照相感光構(gòu)件的靈敏度。因?yàn)閷⒃谥虚g層中的Si+C原子密度設(shè)定得低于在a-SiC表面層中的Si+C原子密度，所以還假設(shè)a-SiC表面層可能具有的任何機(jī)械應(yīng)力能夠更有效地得到釋放。因此，與沒有設(shè)置中間層的情況相比，壓傷能夠得到更有效地預(yù)防。為了獲得以上效果，中間層具有比本發(fā)明的a-SiC表面層更低的原子密度和Si+C原子密度是必要的。然而，如果其具有過低的Si+C原子密度，那么中間層的壓傷防止性可能受到破壞。這是因?yàn)闉榱酥虚g層有效地釋放應(yīng)力，最佳范圍存在于在a-SiC表面層中的Si+C原子密度和在中間層中的Si+C原子密度之間的平衡，如所認(rèn)為的。因此，在本發(fā)明中，將在中間層中的Si+C原子密度的下限值設(shè)定在5.50x1022原子/cm3,在該值下預(yù)防壓傷的效果已得5ij確認(rèn)。歸因于中間層中的C/(Si+C)的作用實(shí)質(zhì)上與本發(fā)明的a-SiC表面層中的作用相同。更具體地，當(dāng)C/(Si+C)更小時(shí)，中間層的電阻趨于降低，從而趨于引起由于點(diǎn)復(fù)制性降低導(dǎo)致的濃度減小。同樣，當(dāng)C/(Si+C)大于某一程度時(shí)，光透過性降低，從而使得通過使Si+C原子密度更小所帶來的靈敏度改進(jìn)的效果更小。所以，優(yōu)選在中間層中的C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下。如上所述，需要中間層具有最小層厚度以防止壓傷，以及在本發(fā)明中，通過使中間層具有層厚度150nm已獲得防止壓傷的顯著效果。這里，中間層的層厚度可以不具有上限值以獲得防止壓傷的效果，但是，當(dāng)中間層更厚時(shí)，出現(xiàn)其光透過性相應(yīng)地受到損害。具體而言，層厚度可以為150nm以上，其可以根據(jù)待用的電子照相處理來確定，可以優(yōu)選為約700nm以下。根據(jù)由本發(fā)明人進(jìn)行的研究，作為對(duì)于中間層光透過性的影響，C/(Si+C)和Si+C原子密度是主要的，對(duì)于H/(Si+C+H)的任何相關(guān)性沒有被發(fā)現(xiàn)如此多。這是因?yàn)橹虚g層原子密度比表面層更低，這導(dǎo)致在光透過性方面對(duì)于氬原子原子密度的低相關(guān)性，如所認(rèn)為的。氫原子原子密度在下文中也表述為"H原子密度"。如上所述，a-SiC表面層和中間層的組合帶來防高濕圖像流性和耐磨性方面的改進(jìn)，同時(shí)有效防止壓傷，進(jìn)一步實(shí)現(xiàn)靈敏度方面的改進(jìn)。同時(shí)，并不追求中間層^f象本發(fā)明的a-SiC表面層那樣改進(jìn)防高濕圖像流性和耐磨性的效果。所以，一定推測(cè)本發(fā)明的a-SiC表面層在電子照相感光構(gòu)件預(yù)定壽命已流逝的時(shí)刻保留在中間層上。另一方面，對(duì)于本發(fā)明的a-SiC表面層層厚度，考慮如上所述防止壓傷的效果是不必要的，因此認(rèn)為如果層厚度為100nm以上是足夠的，其取決于待用的電子照相處理。作為用于形成中間層的方法，可以使用與上述相同的方法，如在形成表面層的情況中。然后，例如要進(jìn)給至反應(yīng)器的氣體流速、高頻功率、反應(yīng)器內(nèi)壓和基體溫度等的條件必要時(shí)可以設(shè)定得不同于關(guān)于表面層的那些，以控制要形成的中間層的原子密度。電荷注入阻止層在本發(fā)明中，優(yōu)選將具有阻止將電荷從基體側(cè)注入的功能的電荷注入阻止層設(shè)置在基體和光導(dǎo)電層之間。更具體地，電荷注入阻止層是當(dāng)處理電子照相感光構(gòu)件表面以充電至規(guī)定極性時(shí)，具有阻止將電荷從基體注入光導(dǎo)電層中的功能的層。為20了賦予該層此類功能，除了用作基礎(chǔ)的構(gòu)成光導(dǎo)電層的材料外，以比光導(dǎo)電層相對(duì)大的量向電荷注入阻止層中引入用于控制導(dǎo)電率的原子。引入至電荷注入阻止層中的用于控制電導(dǎo)率的原子可以以均勻一致地分布狀態(tài)包含在電荷注入阻止層中，或可以部分以將其沿層厚度方向不均勻分布的狀態(tài)包含。在它們分布密度不均勻的情況下，對(duì)于它們優(yōu)選如此包含以致更多地分布在基體側(cè)上。在任意情況下，用于控制導(dǎo)電率的原子應(yīng)以沿平行于基體表面的面內(nèi)方向均勻分布來均勻地包含在電荷注入阻止層中。從實(shí)現(xiàn)性質(zhì)均勻性的角度，這也是優(yōu)選的。作為引入用于控制其電導(dǎo)率的電荷注入阻止層中的原子，根據(jù)電荷極性可以使用屬于元素周期表中13族或15族的原子。電荷注入阻止層其中可以進(jìn)一步引入至少一種選自碳原子、氮原子和氧原子的原子。這能夠改進(jìn)電荷注入阻止層和基體之間的粘合性。包含在電荷注入阻止層中的至少一種選自碳原子、氮原子和氧原子的原子，其可以以均勻一致的分布狀態(tài)包含在電荷注入阻止層中，或可以沿層厚度方向均勻^f旦部分以其分布不均勻的狀態(tài)來包含。在兩種情況下，用于控制電導(dǎo)率的原子應(yīng)以沿平行于基體表面的面內(nèi)方向均勻分布來均勻地包含在電荷注入阻止層中。從實(shí)現(xiàn)性質(zhì)均勻性的角度，這也是優(yōu)選的。從期望的要達(dá)到的電子照相性能和經(jīng)濟(jì)優(yōu)點(diǎn)等的角度，電荷注入阻止層可以優(yōu)選具有層厚度0.1(im至15^im、更優(yōu)選0.3pm至Siam，且進(jìn)一步更優(yōu)選0.5nm至3^im。因?yàn)槠渚哂袑雍穸萇.1pm以上，所以能夠充分具有阻止從基體注入電荷的能力，并且能夠賦予優(yōu)選的帶電性。另一方面，因?yàn)槠渚哂袑雍穸?nm以下，所以能夠防止由于用于形成電荷注入阻止層的時(shí)間延長(zhǎng)導(dǎo)致的生產(chǎn)成本增加。在本發(fā)明中，電荷注入阻止層也可設(shè)置在本發(fā)明的光導(dǎo)電層和a-SiC表面層之間。設(shè)置在光導(dǎo)電層下方的電荷注入阻止層在下文中也表述為"下部電荷注入阻止層"。設(shè)置在光導(dǎo)電層上方的電荷注入阻止層在下文中也表述為"上部電荷注入阻止層"。在本發(fā)明中，在將上部電荷注入阻止層設(shè)置在光導(dǎo)電層上的情況下，優(yōu)選將中間層設(shè)置在本發(fā)明的上部電荷注入阻止層和a-SiC表面層之間。在圖5B中，圖解示出形成下部電荷注入阻止層的電子照相感光構(gòu)件的層構(gòu)造。如圖5B中所示，電子照相感光構(gòu)件10具有基體14和下部電荷注入阻止層15、光導(dǎo)電層13、中間層12和表面層ll,其已依次形成在基體14上。在以上各層之間，稱為改變層(changelayers)的層可任選地設(shè)置，其使得在各層之間組成連續(xù)連接。用于本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的生產(chǎn)設(shè)備和方法圖2為示出通過使用高頻電源的RF等離子體輔助CVD生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件的設(shè)備實(shí)例的圖解示圖，該設(shè)備用于生產(chǎn)本發(fā)明的a-Si電子照相感光構(gòu)件。該生產(chǎn)設(shè)備主要由具有反應(yīng)器3110的沉積系統(tǒng)3100、源氣體進(jìn)給系統(tǒng)3200和使反應(yīng)器3110內(nèi)部抽真空的排氣系統(tǒng)(未示出)構(gòu)成。在沉積系統(tǒng)3100中的反應(yīng)器3110中，設(shè)置連接至底部(ground)的基體3112、用于加熱基體的加熱器3113和源氣體進(jìn)給管3114。高頻電源3120通過高頻匹配箱3115也連接至陰極電極3111。源氣體進(jìn)纟會(huì)系統(tǒng)3200由源氣體鋼瓶3221至3225、閥3231至3235、壓力控制器3261至3265、氣體流入閥3241至3245、氣體流出閥3251至3255和質(zhì)量流量控制器3211至3215構(gòu)成。其中裝入各源氣體的氣體鋼瓶通過輔助閥3260連4妄至反應(yīng)器3110中的源氣體進(jìn)給管3114。附圖標(biāo)號(hào)3116表示氣體管；3117,泄漏閥；和3121,絕纟彖材沖牛。接著描述如何通過4吏用該設(shè)備形成沉積膜。首先，將已脫脂和清潔的基體3112通過支架(stand)3123;改置在反應(yīng)器3110中。接著，操作排氣系統(tǒng)(未示出)以使反應(yīng)器3110內(nèi)部抽真空。然后，在觀察真空計(jì)3119的指示的同時(shí)，控制反應(yīng)器3110的內(nèi)壓，在其達(dá)到^見定壓力例如lPa以下時(shí)，將電力供纟會(huì)至用于加熱基體的加熱器3113，以加熱基體至規(guī)定溫度例如50至350。C。這里，惰性氣體例如Ar或He可以通過該氣體進(jìn)癥會(huì)系統(tǒng)3200進(jìn)給至反應(yīng)器3110中，以在惰性氣體氣氛中加熱基體。接著，將用于形成沉積膜的源氣體通過氣體進(jìn)給系統(tǒng)3200進(jìn)給至反應(yīng)器3110中。更具體地，必要時(shí)打開閥3231至3235、氣體流入閥3241至3245和氣體流出閥3251至3255,調(diào)節(jié)質(zhì)量流量控制器3211至3215以設(shè)定氣體流速。在氣體流速在各個(gè)質(zhì)量流量控制器處已變得穩(wěn)定的時(shí)刻，操作主閥3118同時(shí)觀察真空計(jì)3119的指示，以將反應(yīng)器3110的內(nèi)壓調(diào)節(jié)至期望的壓力。在已達(dá)到期望壓力時(shí)，從高頻電源3120供給高頻功率，并在同時(shí)操作高頻匹配箱3115以在反應(yīng)器3110中使等離子體放電發(fā)生。其后，立刻將高頻功率調(diào)節(jié)至期望的功率，此時(shí)沉積膜形成。在規(guī)定的沉積膜形成已經(jīng)完成時(shí)，停止高頻功率的供給，然后關(guān)閉閥3231至3235、氣體流入閥3241至3245、氣體流出閥3251至3255和輔助閥3260,從而完成源氣體的進(jìn)給。同時(shí)，主閥3118完全打開，以使反應(yīng)器31IO的內(nèi)部抽真空至壓力1Pa以下。因此，完成沉積膜的形成。當(dāng)形成多個(gè)沉積膜時(shí)，可以重23復(fù)以上步驟以形成各個(gè)層。也可以隨規(guī)定的時(shí)間將源氣體流速和壓力等改變至用于形成光導(dǎo)電層的條件，以形成結(jié)合區(qū)域。在完成所有沉積膜形成之后，關(guān)閉主閥3118,當(dāng)將惰性氣體進(jìn)給至反應(yīng)器3110中以將其內(nèi)壓回復(fù)至大氣壓力時(shí)，其后取出具有沉積膜的基體3112。在本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件中，與常規(guī)電子照相感光構(gòu)件的任何表面層相比，在更高的構(gòu)成a-SiC的Si+C原子密度下形成具有包括高原子密度的膜結(jié)構(gòu)的表面層。在當(dāng)具有高原子密度的本發(fā)明的a-SiC表面層如上所述形成的情況下，進(jìn)給至反應(yīng)器中的氣體可以優(yōu)選為更小體積，高頻功率可優(yōu)選更高且反應(yīng)器內(nèi)壓優(yōu)選更高，此外基體溫度可以優(yōu)選更高。首先，可以將源氣體以更小體積進(jìn)給至反應(yīng)器中，以及可以供給更高的高頻功率，由此加速氣體的分解。這能夠非常有效地分解用于供給碳原子的氣體，該氣體比供給硅原子用氣體更難以分解。結(jié)果，形成具有更少氫原子的活性物質(zhì)以減少形成在基體上的沉積膜中的氫原子，因此能夠形成具有高原子密度的a-SiC表面層。第二，可將反應(yīng)器設(shè)定在更高內(nèi)壓下，并且這使得進(jìn)給至反應(yīng)器中的源氣體的滯留時(shí)間更長(zhǎng)，引發(fā)由于在源氣體分解時(shí)產(chǎn)生的氫原子而提取弱鍵合氫的反應(yīng)。結(jié)果，促進(jìn)硅原子和碳原子的網(wǎng)絡(luò)形成，如所認(rèn)為的。此外，可將基體溫度加熱至更高溫度，這使得到達(dá)基體的活性物質(zhì)的表面移動(dòng)距離更長(zhǎng)，且能夠使鍵更穩(wěn)定。結(jié)果，各個(gè)原子能夠以對(duì)于a-SiC表面層結(jié)構(gòu)更加穩(wěn)定的構(gòu)造來鍵合，如所認(rèn)為的。使用本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備參考圖4描述如何通過使用a-Si電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備形成圖像。首先，旋轉(zhuǎn)電子照相感光構(gòu)件6001以4吏得電子照相感光構(gòu)件6001的表面用主充電組件6002更加均勻；也充電。其后，將電子照相感光構(gòu)件6001的表面通過靜電潛像形成裝置(成像曝光裝置)6006暴露于成像曝光光，以在電子照相感光構(gòu)件6001的表面上形成靜電潛像，其后將該潛像用顯影組件6012供給的調(diào)色劑顯影。結(jié)果，在電子照相感光構(gòu)件6001的表面上形成調(diào)色劑圖像。然后，將該調(diào)色劑圖像通過轉(zhuǎn)印充電組件6004轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印材料6010，并在將調(diào)色劑圖像通過定影裝置(未示出)定影至轉(zhuǎn)印材料6010之后，將該轉(zhuǎn)印材料6010通過分離充電組件6005從電子照相感光構(gòu)件6001分離。同時(shí)，殘留在已將調(diào)色劑圖像從其轉(zhuǎn)印至轉(zhuǎn)印材料6010的電子照相感光構(gòu)件6001表面上的調(diào)色劑使用清潔器6009去除，其后將電子照相感光構(gòu)件6001的表面暴露于光以消除在靜電潛像形成于電子照相感光構(gòu)件6001期間產(chǎn)生的任何殘留載流子。重復(fù)以上一系列步驟以連續(xù)形成圖像。附圖標(biāo)號(hào)6003表示電荷清除器；6007,磁性輥；6008，清潔刮板；和6011,輸送裝置。對(duì)于安裝本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的電子照相設(shè)備不特別限定。例如，即使在圖4中示出的常規(guī)電子照相設(shè)備中，本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件也能夠獲得在防高濕圖像流性和耐磨性方面比任何常規(guī)電子照相感光構(gòu)件更好的效果。然而，在具有非常高的絕對(duì)濕度的環(huán)境中，可能發(fā)生主要由于"充電器下方的圖像流"導(dǎo)致的高濕圖像流。在這種情況下，使用本發(fā)明的電子照相感光構(gòu)件的任意電子照相感光構(gòu)件可以在其中設(shè)置有能夠保護(hù)面對(duì)電子照相感光構(gòu)件的充電組件開口部的保護(hù)構(gòu)件。這能夠帶來防止高濕圖像流發(fā)生的更大效果。在該組成的情況下，即使在作為充電器下方的圖像流的原因之一的任何帶電產(chǎn)物已大量產(chǎn)生的情況下，在各電子照相處理完成時(shí)，通過將保護(hù)構(gòu)件插入充電組件和電子照相感光構(gòu)件之間，能夠防止此類帶電產(chǎn)物粘附至電子照相感光構(gòu)件表面。結(jié)果，通過防止本發(fā)明的a-SiC表面層的表面被氧化，不僅能夠使得其表面是低吸附性的，還能夠使得產(chǎn)生更少的帶電產(chǎn)物。因此，即使在引起帶電產(chǎn)物大量形成的電子照相處理中，在防止高濕圖像流發(fā)生方面也能夠獲得更大的效果。關(guān)于如何保護(hù)面對(duì)電子照相感光構(gòu)件的充電組件開口部和如何構(gòu)建具有保護(hù)構(gòu)件的充電組件和保護(hù)構(gòu)件，可以使用任何常規(guī)方法和結(jié)構(gòu)，只要充電組件的開口部在各個(gè)電子照相處理完成時(shí)能夠得到保護(hù)并且在各個(gè)電子照相處理開始時(shí)能夠打開即可。作為常規(guī)已知的保護(hù)構(gòu)件的實(shí)例，可以包括日本專利特開申請(qǐng)1110-104911中/>開的保護(hù)構(gòu)件。作為傳統(tǒng)已知的保護(hù)面對(duì)電子照相感光構(gòu)件的充電組件開口部的保護(hù)構(gòu)件，其采用充電裝置如此設(shè)置以致電暈充電組件設(shè)置有保護(hù)構(gòu)件的情況來描述。圖3A和3B為示出保護(hù)構(gòu)件的圖解示意圖。示于圖3A中的電暈充電裝置由柵控電暈器充電組件4102和保護(hù)構(gòu)件4103組成。；敗控電暈器充電組件4102由充電絲(chargingwire)4102a、殼體(housing)4102b和柵格線(gridwire)4102c形成，并面對(duì)電子照相感光構(gòu)件4101設(shè)置。將保護(hù)構(gòu)件4103設(shè)置在柵控電暈器充電組件4102的開口部。將保護(hù)構(gòu)件4103這樣設(shè)置以使得其通過移動(dòng)裝置(未示出)可移動(dòng)直至退避位置(escapeposition),在該位置，當(dāng)處于電暈充電狀態(tài)時(shí)其不影響電暈充電。在具有此類結(jié)構(gòu)的電暈充電裝置中，在各個(gè)打印工作完成時(shí)，保護(hù)構(gòu)件4103從退避位置移動(dòng)至關(guān)閉位置以關(guān)閉柵控電暈器充電組件4102的開口部。因此，柵控電暈器充電組件4102內(nèi)能夠防止被吸附在電子照相感光構(gòu)件表面上。如圖3A所示的此類柵控電暈器充電組件可以優(yōu)選用作例如主充電組件。同樣在圖3B中示出的電暈充電裝置由線式電暈器充電組件4202和^f呆護(hù)構(gòu)件4203組成。線式電暈器充電組件4202由充電絲4202a和殼體4202b組成，并面對(duì)電子照相感光構(gòu)件4201設(shè)置。將保護(hù)構(gòu)件4203設(shè)置在線式電暈器充電組件4202的開口部。除了將其充電系統(tǒng)由柵控式電暈器型改變?yōu)榫€式電暈器型之外，其具有與圖3A中的結(jié)構(gòu)相同的結(jié)構(gòu)。如圖3B所示的此類線式電暈器電暈充電組件可以優(yōu)選用作例如轉(zhuǎn)印充電組件。關(guān)于保護(hù)構(gòu)件用材料也不特別限定，可以使用任意材料，只要其能夠保護(hù)面對(duì)電子照相感光構(gòu)件的充電組件開口部即可。實(shí)施例以下將通過給出的實(shí)施例和比較例更加詳細(xì)地描述本發(fā)明，然而其絕不限制本發(fā)明。實(shí)施例1使用示于圖2中的釆用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，將以下層在表l中示出的條件下形成在圓筒形基體(鏡面精加工的由鋁制成的圓筒形導(dǎo)電性基體，直徑80mm,長(zhǎng)度358mm,壁厚3mm)上，從而生產(chǎn)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。將各層以電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的次序形成，將在形成表面時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在示于以下表2中的條件下。電子照相感光構(gòu)件還對(duì)于各個(gè)膜形成條件以兩個(gè)的數(shù)目來各自生產(chǎn)。在各個(gè)實(shí)施例l至6和比較例l至7中，將內(nèi)徑258mm的陰極用作陰才及3111。表l<table>tableseeoriginaldocumentpage28</column></row><table>關(guān)于在實(shí)施例l中生產(chǎn)的對(duì)于各個(gè)膜形成條件的兩個(gè)電子照相感光構(gòu)件，表面粗糙度在稍后列出的條件下測(cè)量，從而計(jì)算Ra和Aa值。其后，使用對(duì)于各個(gè)膜形成條件的一個(gè)電子照相感光構(gòu)件，根據(jù)之后描述的分析方法測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和sp3含量。然后，使用對(duì)于各個(gè)膜形成條件的剩余的一個(gè)電子照相感光構(gòu)件，在稍后列出的評(píng)價(jià)條件下進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果示于表5。比4交例1類似于實(shí)施例1，使用示于圖2中的釆用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，在以上表1中示出的條件下將類似層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)兩個(gè)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件；條件是將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在以下表3中示出的條件下。表3<table>tableseeoriginaldocumentpage29</column></row><table>關(guān)于在比較例1中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例l相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果示于表5。比壽交例2使用示于圖2中的采用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，在表4中示出的條件下將以下層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)兩個(gè)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。表4<table>tableseeoriginaldocumentpage30</column></row><table>在表4中，"電荷注入阻止層"為下部電荷注入阻止層.關(guān)于比較例2中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度值，其后全部以與實(shí)施例l相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和sp3含量。以與實(shí)施例l相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度(gradation)和靈敏度的評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果示于表5。用于在比較例2中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的膜形成條件其中記為編號(hào)6。C/(Si+C〗測(cè)量以及Si+C原子密度和H/(Si+C+H)測(cè)量首先，生產(chǎn)參比電子照相感光構(gòu)件，其中僅形成示于表l中的電荷注入阻止層和光導(dǎo)電層。然后，沿周向在任意位置沿其長(zhǎng)度方向在其中部以15mm見方的方形將其切出，/人而制備參比試樣。接著，將其中已形成電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的電子照相感光構(gòu)件類似地切出，從而制備測(cè)量用試樣。將參比試樣和測(cè)量用試樣通過橢圓光度法(spectroscopicellipsometry)(使用高速橢圓光度儀(spectroscopicellipsometer)M-2000,由J.A.WoollamCo.,Inc.制造)來測(cè)量以測(cè)定表面層的層厚度。用于通過橢圓光度法測(cè)量的具體條件為入射角60°、65。和70。；測(cè)量波長(zhǎng)195nm至700nm;和光束直4圣lmmx2mm。首先，將參比試樣通過橢圓光度法測(cè)量以得到在各入射角下的波長(zhǎng)與振幅比v)/和相位差A(yù)之間的關(guān)系。接著，設(shè)定參比試樣的測(cè)量結(jié)果作為參比，測(cè)量用試樣以與參比試樣相同的方式通過橢圓光度法測(cè)量，以測(cè)定在各入射角下的波長(zhǎng)與^展幅比ii/和相位差A(yù)之間的關(guān)系。此外，將電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層依次形成且具有粗糙層的層結(jié)構(gòu)用作計(jì)算模型，在該粗糙層中，表面層和充氣層一起存在于最外層表面，改變粗糙層的表面層和充氣層的體積比，在各入射角下的波長(zhǎng)與vi/和A之間的關(guān)系使用分析軟件通過計(jì)算得到。然后，根據(jù)由該計(jì)算得到的在各入射角下的波長(zhǎng)與v和A之間的關(guān)系和由測(cè)量測(cè)量用試樣得到的在各入射角下的波長(zhǎng)和平和A之間的關(guān)系其平均方差達(dá)到最小來選取計(jì)算模型。根據(jù)由此選出的計(jì)算模型計(jì)算表面層層厚度，并將獲得的值作為表面層層厚度。這里，得自J.A.WoollamCo.Inc.的WVASE32用作分析軟件。同樣，關(guān)于粗糙層的表面層和充氣層的體積比，將粗糙層中的充氣層的比例(表面層充氣層)以l為間隔從10:0改變至1:9來進(jìn)行計(jì)算。在以下各個(gè)膜形成條件下在本實(shí)施例中生產(chǎn)的帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件中，當(dāng)表面層和充氣層其體積比為8:2時(shí)，由計(jì)算來得到波長(zhǎng)與v)/和A之間的關(guān)系和由測(cè)量得到的波長(zhǎng)與1|/和A之間的關(guān)系其平均方差達(dá)到最小。在通過橢圓光度法進(jìn)行的測(cè)量結(jié)束后，通過RBS(Rutherfordbackscattering)(使用backscatteringanalyzerAN-2500,由NisshinHighVoltageCo.,Ltd.制造)來分析以上測(cè)量用試樣，以測(cè)量通過RBS測(cè)量區(qū)域內(nèi)表面層中的硅原子原子數(shù)和碳原子原子數(shù)。從由此測(cè)量的硅原子原子數(shù)和碳原子原子數(shù)得到C/(Si+C)。接著，對(duì)于通過RBS測(cè)量的區(qū)域確定的硅原子和碳原子，通過使用借助橢圓光度法測(cè)定的表面層層厚度來確定Si原子密度、C原子密度和Si+C原子密度。同時(shí)<吏用RBS，測(cè)量用試才羊通過HFS(hydrogenforwardscattering)(Y吏用backscatteringanalyzerAN-2500,由NisshinHighVoltageCo.，Ltd.制造)來分析，以測(cè)量在借助HFS測(cè)量的區(qū)域內(nèi)的在表面層中的氫原子原子數(shù)。根據(jù)由通過HFS測(cè)量的區(qū)域內(nèi)測(cè)定的氫原子原子數(shù)和由借助RBS測(cè)量測(cè)定的硅原子原子數(shù)和碳原子原子數(shù)來得到H/(Si+C+H)。接著，對(duì)于借助HFS測(cè)量區(qū)域內(nèi)測(cè)定的氫原子原子數(shù)，H原子密度通過使用借助橢圓光度法測(cè)定的表面層層厚度來確定。用于借助RBS和HFS測(cè)量的具體條件為入射離子4He+,入射能2.3MeV,入射角75°,試樣電流35nA和入射束直徑1mm;作為RBS用檢測(cè)器，散射角160。和光圈直徑8mm;以及作為HFS用檢測(cè)器，反沖角30。，和光圏直徑8mm+狹縫；在此條件下進(jìn)行測(cè)量。關(guān)于高濕圖像流評(píng)價(jià)l關(guān)于高濕圖像流評(píng)價(jià)1涉及如何進(jìn)行關(guān)于運(yùn)行期間的圖像流的評(píng)價(jià)。要通過關(guān)于高濕圖像流評(píng)價(jià)1評(píng)價(jià)的運(yùn)行期間的圖像流也表述為"高濕圖像流l"。準(zhǔn)備如圖4所示設(shè)置的電子照相設(shè)備作為用于關(guān)于高濕圖像流評(píng)價(jià)l的電子照相設(shè)備。更具體地說，其為數(shù)碼電子照相設(shè)備"iR-5065"(商品名)，由CANONINC.制造。將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件各自設(shè)置在以上電子照相設(shè)備中，以及在溫度25。C和相對(duì)濕度75。/o(體積絕對(duì)濕度17.3g/cm3)的高濕環(huán)境中在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制A3尺寸字符表(characterchart)(4pt,打印百分比4%)。在該階H,這在保持感光構(gòu)件加熱器處于工作狀態(tài)的條件下進(jìn)行。在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制圖像之后，進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)。當(dāng)進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)時(shí)，其在以下條件下進(jìn)行在電子照相設(shè)備保持操作以進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)時(shí)和電子照相設(shè)備保持停止時(shí)，期間感光構(gòu)件加熱器均一直保持?jǐn)嚅_狀態(tài)。具體而言，使用具有打印百分比1。/。的A4尺寸試驗(yàn)圖案，進(jìn)行每天在25,000張上的連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)10天直至達(dá)到250，000張。在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)完成之后，將電子照相設(shè)備在25。C和相對(duì)濕度75%的環(huán)境中靜置15小時(shí)。15小時(shí)之后，開始操作設(shè)備，同時(shí)感光構(gòu)件加熱器保持?jǐn)嚅_狀態(tài)，并復(fù)制A3-尺寸字符表(4pt,打印百分比4%)。在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制的圖像和在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制的圖像(即，在實(shí)驗(yàn)后放置15小時(shí)后；同時(shí)應(yīng)用在該評(píng)價(jià)項(xiàng)目中)在單色300dpi的二值條件下通過使用數(shù)碼電子照相設(shè)備"iRC-5870"(商品名)(由CANONINC制造)各自制成電子版PDF(易攜帶的文檔)。將已制成電子版的圖像通過使用圖像編輯軟件ADOBEPHOTOSHOP(商品名)(得自AdobeSystemsIncorporated)處理，從而測(cè)量它們對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件1圈(round)的圖像區(qū)域(251.3mmx273mm)中的黑色百分比。接著，得到在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制圖像的黑色百分比的比例，以進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)。在發(fā)生高濕圖像流時(shí)，在整個(gè)圖像上形成模糊字符或文字，或者不打印字符或文字而導(dǎo)致圖像中的空白區(qū)域。因此，當(dāng)與在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前形成的正常圖像相比時(shí)，復(fù)制的圖像具有更低的黑色百分比。因此，可知在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前正常圖像的黑色百分比的比例越接近于100%,防止高濕圖像流越好。另夕卜，對(duì)于關(guān)于高濕圖像流評(píng)價(jià)l，當(dāng)評(píng)價(jià)為"D"或更高時(shí)，判斷已獲得本發(fā)明帶來的效果。A:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前圖像的黑色百分比的比例為95%以上至105%以下。B:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)?驗(yàn)之前圖的黑色百分比的比例為90%以上至低于95%。C:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前圖像的黑色百分比的比例為85%以上至低于90%。D:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前圖像的黑色百分比的比例為80%以上至低于85%。E:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前圖4象的黑色百分比的比例為70%以上至低于80%。F:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后復(fù)制圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前正常圖像的黑色百分比的比例低于70%。耐磨性評(píng)丫介作為評(píng)價(jià)耐磨性的方法，對(duì)于在其生產(chǎn)之后立即保持的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件表面層的層厚度，沿周向在其任意位置沿電子照相感光構(gòu)件長(zhǎng)度方向的9個(gè)點(diǎn)處(沿其長(zhǎng)度方向距離電子照相感光構(gòu)件的中間為0mm、士50mm、士90mm、±130mm和士150mm處)和在當(dāng)將電子照相感光構(gòu)件沿周向從所述以上任意位置旋轉(zhuǎn)180°時(shí)的位置沿其長(zhǎng)度方向的9個(gè)點(diǎn)處(總共18個(gè)點(diǎn))測(cè)量，并由在18個(gè)點(diǎn)處的值的平均值來計(jì)算。作為測(cè)量方法，電子照相感光構(gòu)件的表面以光斑直徑為2mm的光來垂直照射，并通過使用分光光度計(jì)(MCPD-2000,由OtuskaElectronicsCo.,Ltd.制造)的光譜法來測(cè)定反射光?；诘玫降姆瓷洳ㄐ蝸碛?jì)算表面層的層厚度。這里，波長(zhǎng)范圍從500nm至750nm，光導(dǎo)電層具有折射率3.30,作為表面層的折射率，使用通過橢圓光度法測(cè)量而得到的值，其當(dāng)如前所述測(cè)量Si+C原子密度時(shí)進(jìn)行。在測(cè)量層厚度之后，類似于關(guān)于高濕圖像流評(píng)價(jià)l，將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件放置在數(shù)碼電子照相設(shè)備"iR-5065"(商品名)(由CANONINC.制造)，并以與在關(guān)于高濕圖^^流評(píng)價(jià)1中相同的方式在溫度25。C和相對(duì)濕度75。/。的高濕環(huán)境中進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)。在250，000張連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)完成之后，將電子照相感光構(gòu)件從電子照相設(shè)備中取出，在與生產(chǎn)之后立即測(cè)量層厚度的相同位置處測(cè)量其表面層層厚度，并以與生產(chǎn)后立即測(cè)量層厚度的相同方式計(jì)算連續(xù)進(jìn)紙之后的表面層層厚度。然后，從在生產(chǎn)之后和在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后立即保持的平均表面層層厚度得到差值，從而計(jì)算250，000張?jiān)囼?yàn)中的磨耗厚度。然后，得到在各個(gè)電子照相感光構(gòu)件的此類表面層的平均層厚度的差值與在比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件在生產(chǎn)之后和在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后立即保持的表面層的平均層厚度的差值的比例以進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)。另外，對(duì)于耐磨性評(píng)價(jià)，當(dāng)評(píng)價(jià)為"D"或更高時(shí)，判斷已獲得本發(fā)明帶來的效果。A:在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值與比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值的比例為60%以下。B:在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值與比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值的比例為高于60°/。至70%以下。C:在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值與比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值的比例為高于70%至80%以下。D:在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值與比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值的比例為高于80%至90%以下。E:在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值與比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值的比例為高于90%至100%以下。F:在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差值與比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的以上表面層的平均層厚度的差^(直的比例為100%以上。濃淡度評(píng)價(jià)使用數(shù)碼電子照相設(shè)備"iR-5065"(商品名)(由CANONINC制造)的改造機(jī)進(jìn)行濃淡度(gradation)評(píng)價(jià)。那么，首先使用通過成像曝光光在45。和1701pi線密度(每l英寸170條線)下形成的面積色階點(diǎn)屏幕(areacoveragemodulationdotscreen),制4乍;農(nóng)淡度(gradation)數(shù)據(jù)，其中整個(gè)濃淡度(gradation)范圍根據(jù)面積色階(即，成像曝光的點(diǎn)區(qū)域的面積色階)平均分布在17個(gè)階段。這里，對(duì)于濃淡度這樣分配數(shù)字以使得將數(shù)字"17"分配給最暗的濃淡度，且將數(shù)字"O"分配給最亮的濃淡度，以提供濃度度(gradation)階段。接著，將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件放置在以上改造的電子照相設(shè)備，通過使用以上濃淡度數(shù)據(jù)以文本模式在A3尺寸紙上復(fù)制圖像。這里，因?yàn)槿绻邼駡D像流發(fā)生，濃淡度的評(píng)價(jià)受到影響，所以在溫度22°C和相對(duì)濕度50%的環(huán)境中和在感光構(gòu)件加熱器處于工作狀態(tài)以保持電子照相感光構(gòu)件表面在約40。C下的條件下復(fù)制圖像。在得到的圖像上，對(duì)于各個(gè)濃淡度，用反射濃度計(jì)(reflectiondensitometer)(aspectro誦densitometerX-rite504，由X-rite,Incorporated制造)測(cè)量圖像濃度。在反射濃度測(cè)量中，對(duì)于各個(gè)濃淡度在三張紙上復(fù)制圖像，取其濃度的平均值作為評(píng)價(jià)值。計(jì)算因此得到的評(píng)價(jià)值和各個(gè)濃淡度階段之間的關(guān)聯(lián)系數(shù)，以得到其與關(guān)聯(lián)系數(shù)=1.00的差值，關(guān)聯(lián)系數(shù)=1.00是得到其中在各個(gè)濃淡度下反射濃度完全線性變化的濃淡度表示的情況。然后，將由此從由于在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件造成的關(guān)聯(lián)系數(shù)計(jì)算的差值與由此從由于在膜形成條件編號(hào)2下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件造成的關(guān)聯(lián)系數(shù)計(jì)算的差值的比例作為濃淡度指數(shù)，以進(jìn)行評(píng)價(jià)。在該評(píng)價(jià)中，顯示出數(shù)值越小，濃淡度越好，并且表示濃淡度越接近線性。另外，對(duì)于濃淡度評(píng)價(jià)，當(dāng)評(píng)價(jià)為"A"時(shí)，判斷已獲得本發(fā)明帶來的效果。A:當(dāng)從由于在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件造成的關(guān)聯(lián)系數(shù)計(jì)算的與關(guān)聯(lián)系數(shù)=1.00的差值與從由于在膜形成條件編號(hào)2下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件造成的關(guān)聯(lián)系數(shù)計(jì)算的與關(guān)聯(lián)系數(shù)=1.OO的差值的比例為1.80以下。B:當(dāng)從由于在各個(gè)膜形成條件下生產(chǎn)的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件造成的關(guān)聯(lián)系數(shù)計(jì)算的與關(guān)聯(lián)系數(shù)=1.00的差值與從由于在膜形成條件編號(hào)2下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件造成的關(guān)聯(lián)系數(shù)計(jì)算的與關(guān)聯(lián)系數(shù)=1.OO的差值的比例為高于1.80。靈敏度評(píng)價(jià)使用數(shù)碼電子照相設(shè)備"iR-5065"(商品名)(由CANONINC.制造)的改造機(jī)。在斷開成像曝光的狀態(tài)下，將高壓電源連接至其充電組件的各條電絲和柵格，其中將柵格電位設(shè)定在820V，控制流向充電組件電絲的電流，以使得將電子照相感光構(gòu)件的表面電位設(shè)定在400V。接著，在如上設(shè)置的充電條件下使電子照相感光構(gòu)件充電的狀態(tài)下，將其表面用成像曝光光照射，并控制其照射能，以將電子照相感光構(gòu)件的表面電位在其面對(duì)顯影裝置的位置處設(shè)定在100V。用于評(píng)價(jià)靈敏度的電子照相感光構(gòu)件的成像曝光的光源為具有激射波長(zhǎng)為658nm的半導(dǎo)體激光器。將評(píng)價(jià)結(jié)果表示為相對(duì)比較，假設(shè)當(dāng)安裝在比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件時(shí)施加的照射能為1.00。另外，對(duì)于靈敏度評(píng)價(jià)，當(dāng)評(píng)價(jià)為"B"或更高時(shí)，判斷已獲得本發(fā)明帶來的效果。A:照射能與用于在比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的照射能的比低于1.10。B:照射能與用于在比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的照射能的比為1.10以上至低于1.15。38C:照射能與用于在比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的照射能的比為1.15以上。s^含量評(píng)價(jià)為了評(píng)價(jià)spS含量，將通過沿周向在任意位置沿其長(zhǎng)度方向在其中間位置以10mm見方的方形切出電子照相感光構(gòu)件而制備的樣品用激光拉曼光譜儀(NRS-2000,由JASCOCorporation制造》測(cè)量。作為具體條件，在光源514.5nm的Ar+激光器，激光器強(qiáng)度20mA和物4竟50》文大倍率下測(cè)量，并將其在1，380cm"中心波長(zhǎng)下測(cè)量三次，曝光時(shí)間30秒和進(jìn)行積分五次。同樣，得到的拉曼光譜以以下方式分析。即，將拉曼肩峰帶的峰波數(shù)固定在l,390cnT1，并將拉曼主峰帶的波數(shù)設(shè)定在l，480cm"并且不固定在那里，其中使用高斯分布進(jìn)行曲線擬合。這里，通過線性近似設(shè)定基線。Id/1G值從通過曲線擬合獲得的拉曼主峰帶的峰強(qiáng)度lG和拉曼肩峰帶的峰強(qiáng)度Io得到，將對(duì)于三次的該值的平均值用于評(píng)價(jià)spS含量。表面粗糙度的測(cè)量關(guān)于兩個(gè)電子照相感光構(gòu)件，使用原子力顯微鏡(AFM)(Q-SCOPE250,版本3.181，由QuesantInstrumentCorporation制造)沿周向在任意位置沿其長(zhǎng)度方向在其中間位置測(cè)量這些，并計(jì)算Ra和Aa的值。取由此得到的Ra和Aa值的平均值作為Ra和Aa^f直。具體而言，通過啟動(dòng)"波動(dòng)模式(wavemode)",使用記錄頭帶(Tape)lO,和探針NSC16,并且在測(cè)量條件掃描速度在lOiimxlO(im范圍內(nèi)4Hz，積分增益(integralgain):600,比例增益(proportionalgain):500和掃描分辨率300下測(cè)量這些。通過Q-SCOPE250(QuesantInstrumentCorporation制造)獲4尋的AFM觀察圖像使用其分析軟件通過啟動(dòng)"傾斜移動(dòng)(TiltRemoval)"的"拋物線接著線(ParabolicLinebyLine)，，來校正。由此校正的AFM觀察圖像通過直方圖分析來處理，以計(jì)算Ra和△a的值。然而作為通過直方圖分析得到的Ra，使用由"平均偏差(MeansDeviation)，，表示的值。關(guān)于實(shí)施例l和比4交例1和2,關(guān)于C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度、sp3含量、高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度(gradation)和靈敏度的結(jié)果一起示于表5中。表5<table>tableseeoriginaldocumentpage41</column></row><table>從表5中示出的結(jié)果看出，將表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.60x1022原子/cmS以上，帶來防高濕圖像流性和耐磨性方面的改進(jìn)。還看出，將表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.81xl(p原子/cm3以上，帶來防高濕圖像流性和耐磨性方面的進(jìn)一步改進(jìn)。進(jìn)一步還看出，由于改進(jìn)防高濕圖像流性而未使用任何感光構(gòu)件加熱器，所以也能獲得節(jié)能良好的電子照相感光構(gòu)件，這是因?yàn)閷⒈砻鎸又械腟i+C原子密度設(shè)定在上述范圍內(nèi)。在實(shí)施例1中以及比較例l和2中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件具有作為Ra在32nm至36nm和作為Aa在0.13至0.16的范圍內(nèi)的表面粗糙度。此外，關(guān)于在實(shí)施例1中在膜形成條件編號(hào)2下形成的表面層和在比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下形成的表面層，測(cè)量其X-射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)的光譜(XAFS)以分析擴(kuò)展X-射線吸收精細(xì)結(jié)構(gòu)(EXAFS)。結(jié)果，在通過由SiK-邊緣(edge)EXAFS的振動(dòng)分量計(jì)算的半徑分布函數(shù)獲得的Si-C鍵之間的距離在實(shí)施例1中在膜形成條件編號(hào)2下為0.172nm,以及在比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下為0.184nm。從這些事實(shí)，確定通過使表面層中的Si+C原子密度更高而使Si-C鍵的原子間距離更短。實(shí)施例2與實(shí)施例l類似，使用示于圖2中的采用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，將層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。此處，將層以電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的次序在以上表1中示出的條件下形成，將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在以下表6中示出的條件下。表6<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>關(guān)于在實(shí)施例2中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例l中相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果示于表8。比專交例3與實(shí)施例2類似，使用示于圖2中的采用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，在以上表l中示出的條件下將類似層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在以下表7中示出的條件下。表7<table>tableseeoriginaldocumentpage43</column></row><table>關(guān)于在比較例3中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例l中相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果示于表8。關(guān)于實(shí)施例2和比較例3，關(guān)于C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度、sp3含量、高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度的結(jié)果一起示于表8中。<table>tableseeoriginaldocumentpage45</column></row><table>從表8中示出的結(jié)果看出，將表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.60xl()22原子/cm3以上，除此之外，將其中C/(Si+C)設(shè)定在0.61以上帶來濃淡度(gradation)方面的改進(jìn)。還看出，將表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.60x1022原子/cm3以上，除此之外，將C/(Si+C)設(shè)定在0.75以下，防止光吸收增加并帶來靈敏度方面的改進(jìn)。在實(shí)施例2和比較例3中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件具有作為Ra在32nm至36nm和作為Aa在0.13至0.16的范圍內(nèi)的表面粗壽造度。實(shí)施例3與實(shí)施例l類似，使用示于圖2中的采用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，將層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。此處，將層以電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的次序在上述表1中示出的條件下形成，將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在以下表9中示出的條件下。表9膜形成條件編號(hào)161718192021222324SiH4[mL/min(常態(tài))l262632262626262626CH4「ml/min(常態(tài))1150260260190260360360320400高頻功率(W)750850850750750650600550650關(guān)于在實(shí)施例3中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例l中相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度的評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果與在實(shí)施例2中在膜形成條件編號(hào)9下獲得的那些一起示于表10中。46<table>tableseeoriginaldocumentpage47</column></row><table>從表10中的結(jié)果看出，將表面層中的H/(Si+C+H)設(shè)定在0.30以上防止光吸收增加，因此帶來靈壽文度方面的改進(jìn)。還可以看出，將在表面層中的H/(Si+C+H)設(shè)定在0.45以下帶來防高濕圖像流性和耐磨性方面的進(jìn)一步改進(jìn)。進(jìn)一步還看出，由于改進(jìn)防高濕圖^f象流性而未使用任何感光構(gòu)件加熱器，所以也能獲得節(jié)能良好的電子照相感光構(gòu)件，至0.45以下)內(nèi)。在實(shí)施例3中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件具有作為Ra在32nm至36nm和作為Aa在0.13至0.16的范圍內(nèi)的表面粗并造度。實(shí)施例4與實(shí)施例l類似，使用示于圖2中的采用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，將層形成于圓筒形基體上，從而產(chǎn)生帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。此處，將層以電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的次序在以上表1中示出的條件下形成，將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在以下表ll中示出的條件下。表ll膜形成條件編號(hào)25262728293031SiH4[mL/min(常態(tài))]26262626262626CH4[ml/min(常態(tài))]150150190190320320300高頻功率(W)850800850800700650600關(guān)于在實(shí)施例4中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例1中相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度的評(píng)價(jià)。在實(shí)施例4中關(guān)于這48些獲得的結(jié)果與在實(shí)施例1中在膜形成條件編號(hào)4下和在實(shí)施例2中在膜形成條件編號(hào)8和10下獲得的那些一起示于表12中。表12<table>tableseeoriginaldocumentpage50</column></row><table>從表12中示出的結(jié)果看出，將表面層中的spS含量設(shè)定在0.70以下帶來防高濕圖像流性和耐磨性方面進(jìn)一步的改進(jìn)。然后，還看出，將表面層中的spS含量設(shè)定在0.20以上帶來防高濕圖像流性和耐磨性方面進(jìn)一步的改進(jìn)。進(jìn)一步還看出，由于改進(jìn)防高濕圖像流性而未使用任何感光構(gòu)件加熱器，所以也能獲得同樣節(jié)能良好的電子照相感光構(gòu)件，這是因?yàn)閷⒈砻鎸又械腟i+C原子密度設(shè)定在上述范圍內(nèi)。比較例4與實(shí)施例l類似，使用示于圖2中的采用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，將層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。此處，將層以電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的次序在以上表1中示出的條件下形成，將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在以下表13中示出的條件下。表13<table>tableseeoriginaldocumentpage51</column></row><table>關(guān)于在比較例4中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例1中相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度的評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果與在實(shí)施例1中在膜形成條件編號(hào)4下、在實(shí)施例2中在膜形成條件編號(hào)11下和在實(shí)施例3中在膜形成條件編號(hào)21和22下獲得的那些一起示于表14中。表14<table>tableseeoriginaldocumentpage52</column></row><table>從表14中示出的結(jié)果看出，將表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.60x1022原子/cm3以上并將其中C/(Si+C)設(shè)定在0.61以上至0.75以下，能使得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有優(yōu)良防高濕圖像流性、耐磨性、濃淡度(gradation)和靈敏度的電子照相感光構(gòu)件。還看出，將H/(Si+C+H)設(shè)定在0.30以上至0.45以下能使得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有更加優(yōu)良的防高濕圖像流性、耐磨性和靈敏度的電子照相感光構(gòu)件。進(jìn)一步還看出，將spS含量設(shè)定在0.20以上至0.70以下能^吏得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有更加優(yōu)良的耐磨性的電子照相感光構(gòu)件。在實(shí)施例4中和比較例4中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件具有作為Ra在32nm至36nm和作為Aa在0.13至0.16的范圍內(nèi)的表面粗糙度。實(shí)施例5與實(shí)施例l類似，使用示于圖2中的采用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，將層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。此處，將層以電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的次序在以上表1中示出的條件下形成，將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CEU流速設(shè)定在以下表15中示出的條件下。表15膜形成條件編號(hào)3738SiH4[mL/min(常態(tài))]3235CH4[ml/minC常態(tài))]260190高頻功率(W)650900關(guān)于在實(shí)施例5中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙53度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例l中相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度的評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果示于表17。比舉交例5與實(shí)施例l類似，使用示于圖2中的采用具有RF帶作為頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，將層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。此處，將層以電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的次序在以上表1中示出的條件下形成，將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在以下表16中示出的條件下。表16膜形成條件編號(hào)394041SiH4[mL/min(常態(tài))]263235CH4[ml/min(常態(tài))]260260190高頻功率(W)400450550關(guān)于在比較例5中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例l中相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度的評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果示于表17。關(guān)于實(shí)施例5和比較例5，關(guān)于C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度、sp3含量、高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度(gradation)和靈敏度的結(jié)果與在實(shí)施例2中在膜形成條件編號(hào)7下、在比較例3中在膜形成條件編號(hào)14下和在實(shí)施例3中在膜形成條件編號(hào)17、18和20下獲得的那些一起示于表17中。表17<table>tableseeoriginaldocumentpage56</column></row><table>從表17中示出的結(jié)果看出，將表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.60x1022原子/cm3以上并將其中C/(Si+C)設(shè)定在0.61以上至0.75以下，能使得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有優(yōu)良防高濕圖像流性、耐磨性、濃淡度(gradation)和靈敏度的電子照相感光構(gòu)件。還看出，將H/(Si+C+H)設(shè)定在0.30以上至0.45以下能使得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有更加優(yōu)良的防高濕圖像流性、耐磨性和靈敏度的電子照相感光構(gòu)件。進(jìn)一步還可看出，將spS含量設(shè)定在0.20以上至0.70以下能使得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有更加優(yōu)良的耐磨性的電子照相感光構(gòu)件。在實(shí)施例5中和比較例5中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件具有在作為Ra在32nm至36nm和作為Aa在0.13至0.16的范圍內(nèi)的表面粗糙度。比專交例6與實(shí)施例l類似，使用示于圖2中的采用具有RF帶作為高頻帶的高頻電源的等離子體輔助處理系統(tǒng)，將層形成于圓筒形基體上，從而生產(chǎn)帶正電的a-Si電子照相感光構(gòu)件。此處，將層以電荷注入阻止層、光導(dǎo)電層和表面層的次序在以上表1中示出的條件下形成，將在形成表面層時(shí)的高頻功率、SiH4流速和CH4流速設(shè)定在以下表18中示出的條件下。表18<table>tableseeoriginaldocumentpage57</column></row><table>關(guān)于在比較例6中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，計(jì)算表面粗糙度的值，其后全部以與實(shí)施例l中相同的方式測(cè)定C/(Si+C)、Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、H原子密度和spS含量。以與實(shí)施例1中相同的方式同樣進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流l、耐磨性、濃淡度和靈敏度的評(píng)價(jià)。關(guān)于這些獲得的結(jié)果與在實(shí)施例1中在膜形成條件編號(hào)1下、在實(shí)施例2中在膜形成條件編號(hào)10下和在實(shí)施例4中在膜形成條件編號(hào)26和28下獲得的那些一起示于表19中。<table>tableseeoriginaldocumentpage59</column></row><table>從表19中示出的結(jié)果看出，將表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.60xl(p原子/cm3以上并將其中C/(Si+C)設(shè)定在0.61以上至0.75以下，能使得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有優(yōu)良防高濕圖像流性、耐磨性、濃淡度(gradation)和靈敏度的電子照相感光構(gòu)件。還看出，將H/(Si+C+H)設(shè)定在0.30以上至0.45以下能使得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有更加優(yōu)良的防高濕圖像流性、耐磨性和靈敏度的電子照相感光構(gòu)件。進(jìn)一步還看出，將spS含量設(shè)定在0.20以上至0.70以下能使得要獲得的電子照相感光構(gòu)件為具有更加優(yōu)良的耐磨性的電子照相感光構(gòu)件。在比^^例6中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件具有作為Ra在32nm至36nm和作為Aa在0.13至0.16的范圍內(nèi)的表面粗4造度。實(shí)施例6使用在實(shí)施例1中在膜形成條件編號(hào)4下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，通過以下示出的關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)2和關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)3進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)。獲得的結(jié)果示于表20中。比專交例7使用在比較例2中在膜形成條件編號(hào)6下生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件，以與在實(shí)施例6中相同的方式通過關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)2和關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)3進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)。獲得的結(jié)果示于表20中。關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)2作為用于關(guān)于高濕圖像流評(píng)價(jià)2的電子照相設(shè)備，準(zhǔn)備電子照相設(shè)備其主要是電子照相設(shè)備"iR-5065"(商品名)(由CANONINC.制造)，如圖4所示設(shè)置，并出于試驗(yàn)的目的，從其移去用于主充電裝置的風(fēng)機(jī)。將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件各自設(shè)置在以上電子照相設(shè)備中，在溫度30。C和相對(duì)濕度80。/。(體積絕對(duì)濕度24.3g/cm"的高濕環(huán)境中在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制A3尺寸字符表(characterchart)(4pt,打印百分比4%)。在該階l殳，這在保持感光構(gòu)件加熱器處于工作狀態(tài)的條件下進(jìn)行。在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制圖像之后，進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)。當(dāng)進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)嚇訒r(shí)，其在以下連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)條件下進(jìn)行在電子照相設(shè)備保持操作以進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)時(shí)和電子照相設(shè)備保持停止時(shí)的期間，感光構(gòu)件加熱器均保持?jǐn)嚅_狀態(tài)。具體而言，使用具有打印百分比1%的試驗(yàn)圖案，進(jìn)行每天關(guān)于25,000張的連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)10天，以進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)直至達(dá)到250，000張。其后，在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)結(jié)束后復(fù)制A3尺寸字符表(4pt，打印百分比4%)。在由此復(fù)制圖像之后，在感光構(gòu)件加熱器保持?jǐn)嚅_狀態(tài)的狀態(tài)下，停止電子照相設(shè)備，并將其靜置15小時(shí)。15小時(shí)之后，開始操作電子照相設(shè)備，同時(shí)感光構(gòu)件加熱器保持在斷開狀態(tài)，并復(fù)制A3-尺寸字符表(4pt，打印百分比4%)。將在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制的圖像和在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像在單色300dpi的二值條件下通過使用數(shù)字電子照相設(shè)備"iRC-5870"(商品名)(由CANONINC制造)各自制成電子版PDF(可攜帶文檔)。然后，關(guān)于在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像，將已制成電子版的圖像通過使用圖像編輯軟件ADOBEPHOTOSHOP(商品名)(得自AdobeSystemsIncorporated)處理，從而測(cè)量其對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件保持面對(duì)主充電組件6002、轉(zhuǎn)印充電組件6004和分離充電組件6005的位置的圖像區(qū)域中的黑色百分比。還測(cè)量其在對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件不保持面對(duì)以上充電組件的位置的圖像區(qū)域中的黑色百分比。還進(jìn)行關(guān)于在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制的圖像的黑色百分比的類似測(cè)量。然后，得到在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制的圖像的黑色百分比的比例，以進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)。在該評(píng)價(jià)中，對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件保持面對(duì)充電組件的位置的圖^f象區(qū)域中的黑色百分比的比例涉及關(guān)于充電器下方的圖像流的評(píng)價(jià)，對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件不保持面對(duì)充電組件的位置的圖像區(qū)域中的黑色百分比的比例涉及關(guān)于運(yùn)行期間的圖像流的評(píng)價(jià)。在發(fā)生充電器下方的圖像流和運(yùn)行期間的圖像流時(shí)，在整個(gè)圖像上形成模糊字符或文字，或者不打印字符或文字而導(dǎo)致圖像中的空白區(qū)域。因此，當(dāng)與在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前形成的圖像相比時(shí)，復(fù)制的圖像具有更低的黑色百分比。因此，可知在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例越接近于100%,防止高濕圖像流越好。另外，對(duì)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)2，當(dāng)評(píng)價(jià)為"D"或更高時(shí)，判斷已獲得本發(fā)明帶來的效果。A:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為95%以上至105%以下B:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為90%以上至低于95%。:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為85%以上至^氐于90%。D:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為80%以上至低于85%。E:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為70%以上至低于80%。F:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的正常圖像的黑色百分比的比例為低于70%。關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)3作為用于關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)3的電子照相設(shè)備，準(zhǔn)備電子照相設(shè)備其主要是電子照相設(shè)備"iR-5065"(商品名)(由CANONINC.制造)，如圖4所示設(shè)置，并出于試驗(yàn)的目的，從其移去用于主充電裝置的風(fēng)機(jī)。此外，將其主充電組件6002改造為如圖3A中所示設(shè)置的充電裝置，并將其轉(zhuǎn)印充電組件6004和分離充電組件6005各自改造為如圖3B中所示i殳置的充電裝置。通過使用片厚度0.3mm的薄鋁片各自制成保護(hù)構(gòu)件4103和4203。將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件各自設(shè)置在以上電子照相設(shè)備中，在溫度30。C和相對(duì)濕度80Q/。(體積絕對(duì)濕度24.3g/cm"的高濕環(huán)境中在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制A3尺寸字符表(characterchart)(4pt,打印百分比4%)。在該階段，這在保持感光構(gòu)件加熱器處于工作狀態(tài)的條件下進(jìn)行。在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制圖像之后，進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)。當(dāng)進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)嚇訒r(shí)，在電子照相設(shè)備保持操作以進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)時(shí)和電子照相設(shè)備保持停止時(shí)的期間，感光構(gòu)件加熱器均保持?jǐn)嚅_狀態(tài)。具體而言，使用具有打印百分比1%的試驗(yàn)圖案，進(jìn)行每天關(guān)于25,000張的連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)10天，以進(jìn)4亍連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)直至達(dá)到250,000張。在該連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)結(jié)束后，停止電子照相設(shè)備同時(shí)將感光構(gòu)件加熱器保持?jǐn)嚅_狀態(tài)，其中將保護(hù)構(gòu)件4103插入在主充電組件6002和電子照相感光構(gòu)件6001之間。同樣，將保護(hù)構(gòu)件4203插入在各轉(zhuǎn)印充電組件6004和分離充電組件6005與電子照相感光構(gòu)件6001之間。將該設(shè)備在此狀態(tài)下靜置15小時(shí)。15小時(shí)之后，電子照相設(shè)備開始設(shè)備操作，同時(shí)感光構(gòu)件加熱器保持?jǐn)嚅_狀態(tài)，并復(fù)制A3-尺寸字符表(4pt,打印百分比4%)。在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制的圖像和在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像在單色300dpi的二值條件下通過使用數(shù)碼電子照相設(shè)備"iRC-5870"(商品名)(由CANONINC制造)各自制成電子版PDF(可攜帶文檔)。然后，關(guān)于在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像，將已制成電子版的圖像通過使用圖像編輯軟件ADOBEPHOTOSHOP(商品名)(得自AdobeSystemsIncorporated)處理，從而測(cè)量其對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件保持面對(duì)主充電組件6002、轉(zhuǎn)印充電組件6004和分離充電組件6005的位置的圖像區(qū)域中的黑色百分比。還測(cè)量其在對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件不<呆持面對(duì)以上充電組件的位置的圖像區(qū)域中的黑色百分比。還進(jìn)行關(guān)于在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制的圖像的黑色百分比的類似測(cè)量。然后，得到在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前復(fù)制的圖像的黑色百分比的比例，以進(jìn)行關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)。在該評(píng)價(jià)中，對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件保持面對(duì)充電組件的位置的圖像區(qū)域中的黑色百分比的比例涉及關(guān)于充電器下方的圖像流的評(píng)價(jià)，對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件不保持面對(duì)充電組件的位置的圖像區(qū)域中的黑色百分比的比例涉及關(guān)于運(yùn)行期間的圖像流的評(píng)價(jià)。在發(fā)生充電器下方的圖像流和運(yùn)行期間的圖像流時(shí)，在整個(gè)圖像上形成模糊字符或文字，或者不打印字符或文字而導(dǎo)致圖像中的空白區(qū)域。因此，當(dāng)與在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前形成的圖像相比時(shí)，復(fù)制的圖像具有更低的黑色百分比。因此，可知在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前圖像的黑色百分比的比例越接近于100%,防止高濕圖像流越好。另外，對(duì)于關(guān)于高濕圖像流的評(píng)價(jià)3，當(dāng)評(píng)價(jià)為"D，，或更高時(shí)，判斷已獲得本發(fā)明帶來的效果。A:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖〗象的黑色百分比的比例為95%以上至105%以下。B:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為90%以上至低于95%。C:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為85%以上至低于90%。D:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為80%以上至低于85%。E:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的圖像的黑色百分比的比例為70%以上至低于80%。F:在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之前的正常圖像的黑色百分比的比例為低于70%。關(guān)于實(shí)施例6和比較例7,關(guān)于高濕圖^f象流2和高濕圖<象流3的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表20中。表20<table>tableseeoriginaldocumentpage66</column></row><table>如從表20中示出的結(jié)果看出，在a-SiC表面層中，即使在移去用于主充電裝置的風(fēng)機(jī)以及在圖像復(fù)制后帶電產(chǎn)物大量存在于充電組件和電子照相感光構(gòu)件之間的情況下，對(duì)著面對(duì)充電組件的位置和不面對(duì)充電組件的位置，防高濕圖像流性均良好。從該事實(shí)看出，借助本發(fā)明的a-SiC表面層，能夠很好地防止充電器下方的圖像流和運(yùn)行期間的圖像流發(fā)生。還看出連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)結(jié)束之后將保護(hù)構(gòu)件插入充電組件之間，防止帶電產(chǎn)物在電子照相設(shè)備停止期間粘附在電子照相感光構(gòu)件表面，因此能夠更好地防止充電器下方的圖像流發(fā)生。實(shí)施例7使用作為導(dǎo)電性基體14的直徑84mm、長(zhǎng)度381mm和壁厚3mm的由鋁制成的表面被:鏡面精加工的圓筒，通過以上步驟來生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。在本實(shí)施例中，使用在圖5B中示出的電子照相感光構(gòu)件IO，其具有在基體14上的下部電荷注入阻止層15、光導(dǎo)電層13、中間層12和表面層11的層結(jié)構(gòu)。將各層在表21中示出的條件下形成。在各個(gè)實(shí)施例7至13和比較例9至10中，將內(nèi)徑230mm的陰極用作陰才及3111。表21<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>在表21中，"電荷注入阻止層"為下部電荷注入阻止層。表21中，各層的層厚度示出設(shè)計(jì)各電子照相感光構(gòu)件時(shí)的設(shè)計(jì)值。在表21中用于表面層的氣體、內(nèi)壓和高頻功率的條件也示于對(duì)于各電子照相感光構(gòu)件的表22中。表22<table>tableseeoriginaldocumentpage67</column></row><table>由此生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件通過關(guān)于Si+C原子密度、H/(Si+C+H)、C/(Si+C)和Io/lG項(xiàng)目的以下分析方法來測(cè)量。Si+C原子密度&H/(Si+C+H)在與用于在實(shí)施例和比較例中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的那些相同的條件下，各自生產(chǎn)僅將電荷注入阻止層15形成在基體14上的電子照相感光構(gòu)件和其中僅將電荷注入阻止層15和光導(dǎo)電層13形成的那些。沿其長(zhǎng)度方向在其中間部將這些各自切出15mm見方，以制備參比試樣。接著，在與實(shí)施例和比較例中的那些相同的條件下，各自生產(chǎn)其中將電荷注入阻止層15、光導(dǎo)電層13和中間層12形成在基體14上的電子照相感光構(gòu)件，作為用于測(cè)量中間層12的原子密度的那些。以與參比試樣相同的方式將這些各自切出，從而制備中間層測(cè)量用試樣。此外，將在實(shí)施例和比較例中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件以與參比試樣相同的方式切出，從而制備表面層測(cè)量用試樣。將參比試樣、中間層測(cè)量用試樣和表面層測(cè)量用試樣通過橢圓光度法(-使用高速橢圓光度^f義M-2000,由J.A.WoollamCo.,Inc.制造)來測(cè)量以測(cè)定各中間層12和表面層11的層厚度。用于通過橢圓光度法測(cè)量的具體條件與前述那些相同。首先，將參比試樣通過橢圓光度法測(cè)量以得到在各入射角下的波長(zhǎng)與振幅比V和相位差△之間的關(guān)系。接著，將參比試樣的測(cè)量結(jié)果作為參比，測(cè)量用試樣各自通過橢圓光度法類似于參比試樣測(cè)量，以確定在各入射角下的波長(zhǎng)與振幅比\|/和相位差△之間的關(guān)系。然后，將其中電荷注入阻止層以及光導(dǎo)電層、中間層和表面層依次形成且具有粗糙層的層結(jié)構(gòu)用作計(jì)算模型，在所述粗糙層中，表面層和充氣層以8:2的體積比存在于最外層表面，在各入射角下的波長(zhǎng)與振幅比ii/和相位差A(yù)之間的關(guān)系使用分析軟件WVASE32(得自J.A.WoollamCo.，Inc.)通過計(jì)算得到。此外，在由該計(jì)算得到的在各入射角下的波長(zhǎng)與振幅比v和相位差△之間的關(guān)系和由測(cè)量測(cè)量用試樣得到的在各入射角下的波長(zhǎng)與振幅比\|/和相位差A(yù)之間的關(guān)系其平均方差達(dá)到最小值處，計(jì)算表面層層厚度，并將得到的值作為表面層層厚度。通過RBS(Rutherfordbackscattering)(使用backscatteringanalyzerAN國(guó)2500,由NisshinHighVoltageCo.，Ltd.制造)來分斗斤以上測(cè)量用試樣，以測(cè)量通過RBS測(cè)量的區(qū)域內(nèi)表面層和中間層中的硅原子和碳原子的原子數(shù)。從由此獲得的值計(jì)算C/(Si+C)。對(duì)于通過RBS測(cè)量的區(qū)測(cè)定的硅原子和碳原子的原子數(shù)，通過利用借助橢圓光度法測(cè)定的表面層層厚度來計(jì)算Si原子密度、C原子密度和Si+C原子密度。同時(shí)用RBS，4吏用上述^式才羊，通過HFS(hydrogenforwardscattering)(4吏用backscatteringanalyzerAN-2500,由NisshinHighVoltageCo.,Ltd.制造)來測(cè)量在通過HFS測(cè)量的區(qū)域內(nèi)的在中間層和表面層中的氫原子原子數(shù)。對(duì)于通過HFS測(cè)量的區(qū)域內(nèi)的氫原子原子數(shù)，通過使用借助橢圓光度法測(cè)定的層厚度來確定氫原子原子密度。根據(jù)通過RBS測(cè)量的區(qū)域內(nèi)的硅原子原子數(shù)和碳原子原子數(shù)同樣測(cè)定通過HFS測(cè)量的區(qū)域內(nèi)的H/(Si+C+H)。用于通過RBS和HFS測(cè)量的具體條件與前述那些相同。另外，中間層12中的Si+C原子密度和H/(Si+C+H)還可以通過從生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件僅機(jī)械地去除表面層11來測(cè)量。然而，此時(shí)，使用以上中間層測(cè)量用試樣測(cè)量這些。為了檢測(cè)spS含量，將通過沿周向在其任意位置沿其長(zhǎng)度方向在其中間部位以10mm見方的方形切出電子照相感光構(gòu)件而制備的樣品使用激光拉曼光譜儀(NRS-2000，由JASCOCorporation制造)測(cè)量。用于使用激光拉曼光譜儀測(cè)量的具體條件和如何分析拉曼光譜儀與前述的那些相同。還以以下方式評(píng)價(jià)各個(gè)電子照相感光構(gòu)件的高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷。高濕圖像流使用數(shù)碼電子照相設(shè)備"iR-5065"(商品名)(由CANONINC.制造)的改造機(jī)。該電子照相設(shè)備為將其改造以使得處理速度為500mm/秒、-使用激射波長(zhǎng)635nm的激光光源作為成^f象曝光光和以1，200dpi分辨率復(fù)制圖像的電子照相設(shè)備。將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件各自設(shè)置在以上電子照相設(shè)備中，將放置在初始玻璃板上的A3尺寸整面字符表(4pt,打印百分比4%)在溫度22。C和相對(duì)濕度50%的環(huán)境中復(fù)制。在該階段，將初始階段圖像在感光構(gòu)件加熱器保持處于工作狀態(tài)以保持電子照相感光構(gòu)件在約40。C的條件下復(fù)制。其后進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)。具體而言，在將感光構(gòu)件加熱器保持?jǐn)嚅_狀態(tài)，并使用具有打印百分比1%的A4尺寸試驗(yàn)圖案的條件下，進(jìn)行關(guān)于每天25,000張的連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)直至達(dá)到總計(jì)250，000張。在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)結(jié)束之后，將電子照相設(shè)備在溫度25。C和相對(duì)濕度75。/。的環(huán)境中靜置15小時(shí)。15小時(shí)之后，開始設(shè)備操作，同時(shí)感光構(gòu)件加熱器保持?jǐn)嚅_狀態(tài)，并將和用于初始階段圖像復(fù)制的A3-尺寸字符表相同的A3-尺寸字符表用于復(fù)制圖像。在初始階段復(fù)制的圖像和在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像在單色300dpi的二值條件下通過使用數(shù)碼電子照相設(shè)備"iRC-5870"(商品名)(由CANONINC制造)各自制成電子版PDF(可攜帶電子文檔)。將已制成電子版的圖像通過使用ADOBEPHOTOSHOP(得自AdobeSystemsIncorporated)處理，從而測(cè)量對(duì)應(yīng)于電子照相感光構(gòu)件1圏(round)的圖<象區(qū)域(251.3mmx273mm)中顯示黑色像素的比例(下文中表述為"黑色百分比")。將由此測(cè)量的黑色百分比通過在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后靜置15小時(shí)后復(fù)制的圖像的黑色百分比與初始階段圖像的黑色百分比的比例來評(píng){介。該評(píng)價(jià)方法中，示出該數(shù)值越大，高濕圖^f象流越少。耐磨性作為評(píng)價(jià)耐磨性的方法，對(duì)于在其生產(chǎn)之后立即保持的各個(gè)電子照相感光構(gòu)件表面層的層厚度沿周向在其任意位置在沿電子照相感光構(gòu)件長(zhǎng)度方向的9個(gè)點(diǎn)處(沿其長(zhǎng)度方向距離電子照相感光構(gòu)件的中間為0mm、士50mm、士90mm、士130mm和土150mm處)和沿周向在將電子照相感光構(gòu)件從上述任意位置旋轉(zhuǎn)180°時(shí)的位置沿其長(zhǎng)度方向的9個(gè)點(diǎn)處(總共18個(gè)點(diǎn))進(jìn)行測(cè)量，并由在18個(gè)點(diǎn)處的值的平均值來計(jì)算。作為測(cè)量方法，電子照相感光構(gòu)件的表面以光斑直徑為2mm的光來垂直照射，并通過使用分光光度計(jì)(MCPD-2000，由OtuskaElectronicsCo.,Ltd.制造)的光譜法來測(cè)量反射光?；诘玫降姆瓷洳ㄐ蝸碛?jì)算表面層的層厚度。此處，波長(zhǎng)范圍從500nm至750nm，光導(dǎo)電層13具有折射率為3.30,作為各中間層和表面層的折射率，使用通過前述橢圓光度法測(cè)量而得到的值。在測(cè)量層厚度后，出于試驗(yàn)的目的，將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件設(shè)置在以上改造的電子照相設(shè)備中，并在與用于高濕圖像流的相同條件下在溫度25。C和相對(duì)濕度75%的高濕環(huán)境中進(jìn)行連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)。在250，000張連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)完成之后，將電子照相感光構(gòu)件從電子照相設(shè)備中取出，在與生產(chǎn)之后立即測(cè)量層厚度的相同位置處測(cè)量其表面層層厚度，并以與生產(chǎn)后立即計(jì)算層厚度的相同方式計(jì)算連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后的表面層層厚度。然后，從在生產(chǎn)之后和在連續(xù)進(jìn)紙?jiān)囼?yàn)之后立即保持的表面層的平均表面層層厚度得到差值，從而計(jì)算250,000張?jiān)囼?yàn)中的磨耗厚度。在本評(píng)價(jià)方法中，示出該數(shù)值越小，磨耗厚度越小。模糊圖像首先，在1,200dpi的分辨率下，使用在45。和1701pi線密度(每1英寸170條線)下形成的面積色階點(diǎn)屏幕(areacoveragemodulationdotscreen),制備濃淡度(gradation)凄史據(jù)，其中整個(gè)濃淡度(gradation)范圍才艮才居面積色階(areacoveragemodulation)平均分布在17個(gè)階段。此處，對(duì)于各濃淡度這樣分配數(shù)字以使得將數(shù)字"17"分配給最暗的濃淡度，且將數(shù)字"0"分配給最亮的濃淡度，以提供濃淡度(gradation)階段。接著，將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件放置在以上用于實(shí)驗(yàn)的改造的電子照相設(shè)備中，通過使用以上濃淡度數(shù)據(jù)以文本模式在A3尺寸紙上復(fù)制圖像。此處，因?yàn)槿绻邼駡D像流發(fā)生，模糊圖像受到影響，所以在溫度22。C和相對(duì)濕度50%的環(huán)境中和在感光構(gòu)件加熱器處于工作狀態(tài)以保持電子照相感光構(gòu)件表面在約40。C下的條件下復(fù)制圖像。在得到的圖像上，對(duì)于各個(gè)濃淡度，用反射濃度計(jì)(reflectiondensitometer)(aspectro-densitometerX-rite504,由X-rite，Incorporated制造)測(cè)量圖像濃度。在反射濃度測(cè)量中，對(duì)于各個(gè)濃淡度在三張紙上復(fù)制圖像，取其濃度的平均值作為評(píng)價(jià)值。計(jì)算由此得到的評(píng)價(jià)值和各個(gè)濃淡度階段之間的關(guān)聯(lián)系數(shù)，以確定其與關(guān)聯(lián)系數(shù)=1.00的差值，關(guān)聯(lián)系數(shù)=1.00是得到其中在各個(gè)濃淡度下反射濃度完全線性變化的濃淡度表示的情況，將其差值評(píng)價(jià)作為模糊圖像。72在本評(píng)價(jià)方法中，示出該數(shù)值越小，模糊圖像越少，并且表示濃淡度越接近線性。靈敏度將生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件設(shè)置在以上用于實(shí)驗(yàn)的改造的電子照相設(shè)備中，并在成像曝光關(guān)閉的狀態(tài)下，連接高壓電源至其充電組件的各電絲和柵格。同樣，將柵格電位設(shè)定在820V,控制流向充電組件電絲的電流以使得將電子照相感光構(gòu)件的表面電位設(shè)定在450V。接著，在如上設(shè)定的充電條件下使電子照相感光構(gòu)件充電的狀態(tài)下，將其表面用成像曝光光照射，并控制其照射能以將電子照相感光構(gòu)件的表面電位在其面對(duì)顯影組件的位置設(shè)定在IOOV。評(píng)價(jià)此處要求的成像曝光光的照射能作為靈敏度。在本評(píng)價(jià)方法中，示出該數(shù)值越小，電子照相感光構(gòu)件具有的靈敏度越好。壓傷使用表面性質(zhì)測(cè)試儀(由HEIDONCo.制造)，將具有直徑0.8mm曲率的金剛石針與其上施加恒定載荷的電子照相感光構(gòu)件表面接觸。在這種狀態(tài)下，沿電子照相感光構(gòu)件的母線方向(長(zhǎng)度方向)以50mm/分鐘的速度移動(dòng)金剛石針。移動(dòng)距離可以任意設(shè)置。此處將其設(shè)定為10mm。重復(fù)該操作，同時(shí)改變針與電子照相感光構(gòu)件表面接觸的位置，且同時(shí)將施加至金剛石針的載荷乂人50g以每5g增加。使用顯微鏡觀察由此進(jìn)行表面性質(zhì)試驗(yàn)的電子照相感光構(gòu)件的表面，以確定是否產(chǎn)生任何擦傷。其后，將電子照相感光構(gòu)件設(shè)置在以上電子照相設(shè)備中，使用具有半色調(diào)圖像打印的原稿復(fù)制給出0.5反射濃度的圖像。目視觀察通過以上步驟復(fù)制的圖像，比較開始看到壓傷處的最小載荷。在本評(píng)價(jià)方法中，示出該數(shù)值越大，壓傷可以出現(xiàn)得越少。比4交例8以與實(shí)施例7中相同的方式在表21示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。內(nèi)壓和高頻功率示于表23中表23膜形成條件編號(hào)105SiH4[mL/min(常態(tài))]26CH4[ml/min(常態(tài))]700內(nèi)壓(Pa)80高頻電源(W)450比專交例9以與實(shí)施例7中相同的方式生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件d旦在下表24示出的條件下。用于在本比較例中生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件的膜形成條件表示為膜形成條件編號(hào)106。74表24<table>tableseeoriginaldocumentpage75</column></row><table>在表24中，"電荷注入阻止層"為下部電荷注入阻止層。以與實(shí)施例7中相同的方式評(píng)價(jià)由此生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件。如上，關(guān)于實(shí)施例7和比較例8和9，將Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度、H/(Si+C+H)和Io/Icj的分析值以及關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圓像、靈敏度和壓傷的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表25中。表25<table>tableseeoriginaldocumentpage76</column></row><table>Cp.:比4交例如表25所示，在各個(gè)"膜形成條件"下的電子照相感光構(gòu)件的中間層12為在類似條件下形成的所有那些。因此，關(guān)于在中間層12中的Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度和H/(Si+C+H),從用于測(cè)量中間層原子密度的一個(gè)試樣得到的值表示所有電子照相感光構(gòu)件的值。作為各中間層12的層厚度，使用通過借助橢圓光度法測(cè)量各試樣得到的值。關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的項(xiàng)目，結(jié)果顯示為基于在實(shí)施例7中膜形成條件編號(hào)102下的值進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)的那些。在以上相對(duì)評(píng)價(jià)中，可認(rèn)識(shí)到只要高濕圖^f象流的值為0.60以上，電子照相感光構(gòu)件在實(shí)際使用中就不存在問題，且當(dāng)該值為0.95以上時(shí)，具有優(yōu)良的防高濕圖^f象流性。還可認(rèn)識(shí)到當(dāng)該值為1.02以上時(shí)，具有特別優(yōu)良的防高濕圖像流性。關(guān)于耐磨性，可認(rèn)識(shí)到只要該值為1.90以下，電子照相感光構(gòu)件在實(shí)際使用中就不存在問題，且當(dāng)該值為0.90以下時(shí)，具有特別優(yōu)良的耐磨性。關(guān)于模糊圖像，可認(rèn)識(shí)到當(dāng)該值為2.30以下時(shí)，電子照相感光構(gòu)件在幾乎全部復(fù)制的圖像上給出在實(shí)際使用中不存在問題的濃淡度(gradation),并且只要該值為1.8以下，就給出沒有可感知到圖像上任何色調(diào)跳躍的良好濃淡度。同樣，可認(rèn)識(shí)到當(dāng)該值為1.50以下時(shí)給出尤其優(yōu)良的濃淡度(gradation)表現(xiàn)，但是可認(rèn)識(shí)到示出低于1.50的值的那些給出大體上沒有可感知到圖像上任何差異的濃淡度(gradation)且在測(cè)量分散范圍內(nèi)。關(guān)于靈敏度，可認(rèn)識(shí)到只要該值為1.50以下，電子照相感光構(gòu)件在實(shí)際使用中就不存在問題，只要該值在1.10以下，就具有良好的特性。當(dāng)該值在1.05以下時(shí)，還可認(rèn)識(shí)到具有適用于寬范圍的電子照相處理的良好特性。關(guān)于壓傷，可認(rèn)識(shí)到只要該值為0.50以上，電子照相感光構(gòu)件在實(shí)際4吏用中就不存在問題，且當(dāng)該^L為0.95以上時(shí)，具有良好的給出非常低的造成壓傷可能性的特性。從表25中示出的結(jié)果看出，將表面層中的Si+C原子密度設(shè)定在6.60x1022原子/cm3以上帶來防高濕圖像流性和耐磨性方面的改進(jìn)。還可以看出，將表面層ll中的Si+C原子密度設(shè)定在6.81xlO"原子/cmS以上帶來耐磨性方面更加顯著的改進(jìn)。還進(jìn)一步看出在比較例8和9的電子照相感光構(gòu)件中，關(guān)于壓傷的評(píng)價(jià)低，這是因?yàn)樵诒砻鎸觢l中的低Si+C原子密度。實(shí)施例8以與實(shí)施例7中相同的方式在表21示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。在形成表面層ll時(shí)用于本實(shí)施例的氣體條件、內(nèi)壓和高頻功率示于表26中。表26膜形成條件編號(hào)107108109110111SiH4[mL/min(常態(tài))]3526262015CH4[ml/min(常態(tài))]190150190360400內(nèi)壓(Pa)7070707070高頻功率(W)750800700900900比壽交例10以與實(shí)施例7中相同的方式在表21示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。在形成表面層ll時(shí)用于本比較例的氣體條件、內(nèi)壓和高頻功率示于表27中。78<table>tableseeoriginaldocumentpage79</column></row><table>在實(shí)施例8和比較例10中的由此生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件以與實(shí)施例7中相同的方式評(píng)1介。關(guān)于實(shí)施例8和比較例10,將Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度、H/(Si+C+H)和I。/lG的分析值以及關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表28中。<table>tableseeoriginaldocumentpage80</column></row><table>Cp.:比較例如表28所示，在各個(gè)"膜形成條件"下的電子照相感光構(gòu)件的中間層12為在類似條件下形成的所有那些。因此，關(guān)于在中間層12中的Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度和H/(Si+C+H),從用于測(cè)量中間層原子密度的一個(gè)試樣得到的值表示所有電子照相感光構(gòu)件的值。作為各中間層12的層厚度，使用通過借助橢圓光度法測(cè)量各試樣得到的值。關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的項(xiàng)目，結(jié)果顯示為基于在實(shí)施例7中膜形成條件編號(hào)102下的值進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)的那些。從表28中示出的結(jié)果看出，將表面層ll中的C/(Si+C)設(shè)置在0.61以上至0.75以下獲得對(duì)于模糊圖像和靈敏度均良好的特性。實(shí)施例9以與實(shí)施例7中相同的方式在表29示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。表29<table>tableseeoriginaldocumentpage82</column></row><table>在表29中，"電荷注入阻止層"為下部電荷注入阻止層。在表29中，各層的層厚度示出設(shè)計(jì)各電子照相感光構(gòu)件時(shí)的設(shè)計(jì)值。在形成中間層12時(shí)在表21中的氣體條件和高頻功率也示于對(duì)于各電子照相感光構(gòu)件的表30中。表30<table>tableseeoriginaldocumentpage82</column></row><table>實(shí)施例21以與實(shí)施例7中相同的方式在表29示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。在形成表面層12時(shí)用于本實(shí)施例的氣體條件和高頻功率示于表31中。表31<table>tableseeoriginaldocumentpage83</column></row><table>實(shí)施例22以與實(shí)施例7中相同的方式在表32示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。在本實(shí)施例中，不設(shè)置中間層而生產(chǎn)具有在基體14上的下部電荷注入阻止層15、光導(dǎo)電層13和表面層11的層結(jié)構(gòu)的電子照相感光構(gòu)件。將用于在本實(shí)施例中生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件的膜形成條件表示為膜形成條件編號(hào)120。表32<table>tableseeoriginaldocumentpage83</column></row><table>在表32中，"電荷注入阻止層"為下部電荷注入阻止層。在實(shí)施例9和實(shí)施例21和22中的由此生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件以與實(shí)施例7中相同的方式評(píng)1^介。關(guān)于實(shí)施例9和實(shí)施例21和22,將Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度、H/(Si+C+H)和Io/Icj的分析值以及關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表33中。<table>tableseeoriginaldocumentpage85</column></row><table>Ex.:實(shí)施例在表33中，關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的項(xiàng)目，結(jié)果顯示為基于在實(shí)施例7中膜形成條件編號(hào)102下的值進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)的那些。從表33示出的結(jié)果看出，將在中間層12中的Si+C原子密度設(shè)定在5.5(^1022原子/(;1113以上至6.45乂1022原子/(:1113以下，證明為可以很好地防止壓傷發(fā)生的范圍。還看出，將其中Si+C原子密度設(shè)定在6.45xl0"原子/cn^以下同樣帶來靈敏度方面的改進(jìn)。特別地，與實(shí)施例22的結(jié)果比較看出，如在本發(fā)明中組合中間層12和表面層11帶來即使在基本相等的層厚度下在所有防壓傷'l"生(pressuremarresistance)牙口靈壽文度方面的？文進(jìn)。實(shí)施例10以與實(shí)施例7中相同的方式在表34示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。表34<table>tableseeoriginaldocumentpage86</column></row><table>在表34中，"電荷注入阻止層"為下部電荷注入阻止層。在表34中，各層的層厚度示出設(shè)計(jì)各電子照相感光構(gòu)件時(shí)的設(shè)計(jì)值。在形成中間層12時(shí)在表34中的氣體條件和高頻功率也示于對(duì)于各電子照相感光構(gòu)件的表35中。表35<table>tableseeoriginaldocumentpage87</column></row><table>實(shí)施例23以與實(shí)施例7中相同的方式在表34示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。在形成中間層12時(shí)用于本實(shí)施例的氣體條件和高頻功率示于表36中。表36<table>tableseeoriginaldocumentpage87</column></row><table>在實(shí)施例10和23中的由此生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件以與實(shí)施例7中相同的方式評(píng)j介。關(guān)于實(shí)施例10和23,將Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度、H/(Si+C+H)和Io/lG的分析值以及關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表37中。<table>tableseeoriginaldocumentpage88</column></row><table>Ex.:實(shí)施例在表37中，關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的項(xiàng)目，結(jié)果顯示為基于在實(shí)施例7中膜形成條件編號(hào)102下的值進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)的那些。從表37中示出的結(jié)果看出，將中間層12中的C/(Si+C)設(shè)定在0.61以上至0.75以下獲得對(duì)于模糊圖像和靈敏度都良好的特性。此處，在中間層中C/(Si+C)對(duì)于靈敏度的影響不同于表28中示出的結(jié)果。推測(cè)可能是由于發(fā)生在光導(dǎo)電層13和中間層12之間的界面處的成像曝光光反射的影響。實(shí)施例11以與實(shí)施例7中相同的方式在表38示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。表38電荷注入阻止層光導(dǎo)電層中間層表面層氣體&氣體流速SiH4[mL/min(常態(tài))]3504502626H2[mL/mhi(常態(tài))]7502，200-—B2H6(ppm)1,5001一-(基于SiH4)NO[ml/min(常態(tài))]10---CH4[ml/min(常態(tài))]--700190內(nèi)壓(Pa)40806565高頻功率(W)400800450700基體溫度(。C)260260290290層厚度Om)325承0.1在表38中，"電荷注入阻止層"為下部電荷注入阻止層。在表38中，各層的層厚度示出設(shè)計(jì)各電子照相感光構(gòu)件時(shí)的設(shè)計(jì)值。在本實(shí)施例中，中間層12的層厚度在153nm至696nm的范圍內(nèi)變化。實(shí)施例24以與實(shí)施例ll相同的方式在表38示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。在本實(shí)施例中，將中間層12的層厚度"i殳定為98nm和135nm以生產(chǎn)它們。在實(shí)施例11和24中的由此生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)〗牛以與實(shí)施例7中相同的方式評(píng)價(jià)。關(guān)于實(shí)施例11和24，將Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度、H/(Si+C+H)和Io/lG的分析值以及關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表39中。表39<table>tableseeoriginaldocumentpage91</column></row><table>如表39所示，在各個(gè)"膜形成條件"下的電子照相感光構(gòu)件的中間層12為在類似條件下形成的所有那些。因此，關(guān)于在中間層12中的Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度和H/(Si+C+H)，從用于測(cè)量中間層原子密度的一個(gè)試樣得到的值表示所有電子照相感光構(gòu)件的值。作為各中間層12的層厚度，使用通過借助橢圓光度法測(cè)量各試樣得到的值。關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的項(xiàng)目，結(jié)果顯示為基于在實(shí)施例7中膜形成條件編號(hào)102下的值進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)的那些。如上，從表39示出的結(jié)果看出，將中間層12的層厚度設(shè)定為150nm以上在防止壓傷發(fā)生方面是有效的。此外，在實(shí)施例ll中，靈敏度不依賴于中間層12的層厚度如此大地變化。所以，推斷將中間層12與表面層11組合保護(hù)表面比單獨(dú)通過表面層ll覆蓋因此需要的全部層厚度在改進(jìn)靈敏度方面是更加有效的。實(shí)施例12以與實(shí)施例7中相同的方式在表40示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。表40<table>tableseeoriginaldocumentpage93</column></row><table>在表40中，"電荷注入阻止層"為下部電荷注入阻止層。在表40中，各層的層厚度示出設(shè)計(jì)各電子照相感光構(gòu)件時(shí)的設(shè)計(jì)值。在形成表面層11時(shí)在表40中的氣體條件和高頻功率也示于對(duì)于各電子照相感光構(gòu)件的表41中。表41<table>tableseeoriginaldocumentpage93</column></row><table>以與實(shí)施例7中相同的方式評(píng)價(jià)由此生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件。關(guān)于實(shí)施例12,將Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度、H/(Si+C+H)和Io/Icj的分析值以及關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表42中。<table>tableseeoriginaldocumentpage95</column></row><table>如表42所示，在各個(gè)"膜形成條件"下的電子照相感光構(gòu)件的中間層12為在類似條件下形成的所有那些。因此，關(guān)于在中間層12中的Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度和H/(Si+C+H)，從用于測(cè)量中間層原子密度的一個(gè)試樣得到的值表示所有電子照相感光構(gòu)件的值。作為各中間層12的層厚度，使用通過借助橢圓光度法測(cè)量各試樣得到的值。關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的項(xiàng)目，結(jié)果顯示為基于在實(shí)施例7中膜形成條件編號(hào)102下的值進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)的那些。還如表41和42所示，表面層中的H/(Si+C+H)低于在氫氣(H2)流速更高的膜形成條件下的H/(Si+C+H)。推斷是由于氫自由基的碳原子消除效果。如從表42中證實(shí)，看出將表面層ll中的H/(Si+C+H)設(shè)定在0.30以上至0.45以下能夠達(dá)到耐磨性和靈敏度均在尤其有利的范圍中。實(shí)施例13以與實(shí)施例7中相同的方式在表43示出的條件下生產(chǎn)電子照相感光構(gòu)件。96表43<table>tableseeoriginaldocumentpage97</column></row><table>在表43中，"電荷注入阻止層，，為下部電荷注入阻止層。在表43中，各層的層厚度示出設(shè)計(jì)各電子照相感光構(gòu)件時(shí)的設(shè)計(jì)值。在形成表面層11時(shí)在表43中的氣體條件、內(nèi)壓和高頻功率也示于對(duì)于各電子照相感光構(gòu)件的表44中。表44<table>tableseeoriginaldocumentpage97</column></row><table>此處，如表44所示，在僅膜形成條件編號(hào)137的電子照相感光構(gòu)件中，將具有頻率20kHz的振蕩脈沖和50%任務(wù)比(dutyratio)的電源用作高頻電源。以與實(shí)施例7中相同的方式評(píng)fT由》匕生產(chǎn)的電子照相感光構(gòu)件。關(guān)于實(shí)施例13,將Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度、H/(Si+C+H)和I。/Icj的分析值以及關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的評(píng)價(jià)結(jié)果示于表45中。<table>tableseeoriginaldocumentpage99</column></row><table>如表45所示，在各個(gè)"膜形成條件"下的電子照相感光構(gòu)件的中間層12為在類似條件下形成的所有那些。因此，關(guān)于在中間層12中的Si原子密度、C原子密度、Si+C原子密度、C/(Si+C)、H原子密度和H/(Si+C+H),/人用于測(cè)量中間層原子密度的一個(gè)試樣得到的值表示所有電子照相感光構(gòu)件的值。作為各中間層12的層厚度，使用通過借助橢圓光度法測(cè)量各試樣得到的值。關(guān)于高濕圖像流、耐磨性、模糊圖像、靈敏度和壓傷的項(xiàng)目，結(jié)果顯示為基于在實(shí)施例7中在膜形成條件編號(hào)102下的值進(jìn)行相對(duì)評(píng)價(jià)的那些。如/人表45證實(shí)，看出在表面層ll中將10/10設(shè)定在0.20以上至0.70以下帶來尤其有利的耐磨性。雖然已參照示例性實(shí)施方案描述了本發(fā)明，但是應(yīng)該理解的是本發(fā)明不限于所公開的示例性實(shí)施方案。以下權(quán)利要求書的范圍應(yīng)符合最寬的解釋，以便涵蓋所有的這些改進(jìn)以及等同的結(jié)構(gòu)和功能。權(quán)利要求1.一種電子照相感光構(gòu)件，其包括光導(dǎo)電層和設(shè)置于該光導(dǎo)電層上的包含氫化非晶碳化硅的表面層；在所述表面層中，碳原子原子數(shù)(C)與硅原子原子數(shù)(Si)和碳原子原子數(shù)(C)的總和之比C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下；以及在所述表面層中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和為6.60×1022原子/cm3以上。2.#^居^1利要求1所述的電子照相感光構(gòu)件，其中在該表面層中，氫原子原子數(shù)(H)與硅原子原子數(shù)(Si)、碳原子原子數(shù)(C)和氬原子原子數(shù)(H)的總和之比H/(Si+C+H)為0,30以上至0.45以下。3.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子照相感光構(gòu)件，其中在所述表面層中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和為6.81xl()22原子/cm3以上。4.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子照相感光構(gòu)件，其中在所述表面層的拉曼光譜中，1,390cm"的峰強(qiáng)度(lD)與1，480cm"的峰強(qiáng)度(lG)之比Io/lG為0.20以上至0.70以下。5.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子照相感光構(gòu)件，其中所述光導(dǎo)電層為包含氫化非晶硅的層。6.根據(jù)權(quán)利要求l所述的電子照相感光構(gòu)件，其進(jìn)一步包含設(shè)置在所述光導(dǎo)電層和所述表面層之間的中間層；在所述中間層中，碳原子原子數(shù)(C)與硅原子原子數(shù)(Si)和碳原子原子數(shù)(C)的總和之比C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下；以及在所述中間層中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和為5.50x1022原子/cm3以上至6.45x1022原子/cm3以下。7.—種電子照相設(shè)備，其包括電子照相感光構(gòu)件和用于使電子照相感光構(gòu)件表面充電的充電組件；所述電子照相感光構(gòu)件為包括光導(dǎo)電層和設(shè)置于所述光導(dǎo)電層上的由氫化非晶碳化硅構(gòu)成的表面層的電子照相感光構(gòu)件；在所述表面層中，碳原子原子數(shù)(C)與硅原子原子數(shù)(Si)和碳原子原子數(shù)(C)的總和之比C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下；以及在所述表面層中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和為6.60x1022原子/cm3以上。8.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子照相設(shè)備，其中所述充電組件為電暈充電組件。9.根據(jù)權(quán)利要求7所述的電子照相設(shè)備，其中所述充電組件包括面對(duì)電子照相感光構(gòu)件的開口部和能夠保護(hù)該開口部的保護(hù)構(gòu)件。全文摘要本發(fā)明涉及電子照相感光構(gòu)件和電子照相設(shè)備。在具有光導(dǎo)電層和設(shè)置于光導(dǎo)電層上的包括氫化非晶碳化硅的表面層的電子照相感光構(gòu)件中，在該表面層中，碳原子原子數(shù)(C)與硅原子原子數(shù)(Si)和碳原子原子數(shù)(C)的總和之比C/(Si+C)為0.61以上至0.75以下，在該表面層中，硅原子的原子密度和碳原子的原子密度的總和為6.60×10²²原子/cm³以上。文檔編號(hào)G03G5/08GK101634817SQ20091016102公開日2010年1月27日申請(qǐng)日期2009年7月27日優(yōu)先權(quán)日2008年7月25日發(fā)明者小澤智仁,秋山和敬,西村悠申請(qǐng)人:佳能株式會(huì)社