專利名稱：用于評估具有重復(fù)圖形的目標物體的方法和系統(tǒng)的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明一般屬于諸如掩?；蚓陌ㄖ貜?fù)圖形(pattern)的目標物體 (object)的自動光學(xué)檢驗的領(lǐng)域。
背景技術(shù)：
由于平版印刷術(shù)正在改進并且特征(feature)越來越小，就需要在精密度、 分辨率和準確度方面的進一步改進。重要的是，己經(jīng)認識到不能再將CD預(yù)算
作為單獨控制測量來處理。例如，在亞45nrn節(jié)點中，使用雙重圖形技術(shù)(DPT), 覆蓋誤差(overlay eiror)成為全部CD預(yù)算的--部分。
由于放置誤差是影響CD的誤差之一，因此重要的是能夠在特征分辨率水 平上測量所述放置誤差。由于一些CD預(yù)算是歸因于掩模，因此重要的是能夠 測量掩模上不同位置之間(或掩模之間)的放置誤差。

發(fā)明內(nèi)容
-種用于評估(evaluating)光刻掩模中放置誤差的方法，所述方法包括 提供或接收表示基準元件(reference dement)的一對基準點之間的距離的基 準結(jié)果；對于來自與所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對點，測 量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果；其中測量結(jié)果與所述基準結(jié) 果之間的差異表示相對放置誤差；以及響應(yīng)所述基準結(jié)果與每個測量結(jié)果之間 的關(guān)系確定相對放置誤差。
一種包含計算機可讀介質(zhì)的計算機程序產(chǎn)品，所述可讀介質(zhì)存儲用于下述 方面的指令提供或接收表示基準元件時一對基準點之間的距離的基準結(jié)果對于來自與所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對點，測量所述對 點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果；其中測量結(jié)果與所述基準結(jié)果之間的 差異表示相對放置誤差；以及響應(yīng)所述基準結(jié)果與每一個所述測量結(jié)果之間的 關(guān)系確定相對放置誤差。
... 一種用于評估放置誤差的系統(tǒng)，.所述系統(tǒng)包含存儲器部件和處理器卜其中 所述存儲器部件存儲表示基準元件的一對基準點之間的距離的基準結(jié)果；并且 其中處理器適于:對于來自與所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每 對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果；其中測量結(jié)果與所 述基準結(jié)果之間的差異表示相對放置誤差；以及響應(yīng)所述基準結(jié)果與每一個所 述測量結(jié)果之間的關(guān)系確定相對放置誤差。
為了理解本發(fā)明和了解如何在實踐中實現(xiàn)本發(fā)明，現(xiàn)在將參考附圖描述僅
作為非限制性示例的實施例。在附圖中


圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的光刻掩模的分布圖(map);
圖2示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的兩個光刻掩模的兩個分布圖3示出亞元件的一個或更多個重復(fù)陣列(array)的多個交疊圖像；
圖4示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的在兩個亞圖像之間的配準處理；
圖5是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于確定放置誤差的方法的流程圖6是根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于確定預(yù)期覆蓋誤差的方法的流程圖7示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的系統(tǒng)。
具體實施例方式
本發(fā)明提供了方法、系統(tǒng)和計算機程序產(chǎn)品。計算在基準對點之間的和在 與光刻掩模的不同元件相關(guān)的每對點之間的距離的差異，并且將其用于確定相 對放置誤差。
可以在執(zhí)行全局校正處理和塊(或更加局部的)校正處理之后計算所述相 對放置誤差。雖然所述全局校正處理和更加局部的校正處理可以取決于專用 (dedicated)校正目標物體，但可以不使用這種專用校正目標物體確定所述相 對放置誤差。這些相對放置誤差表示所述光刻掩模從理想掩模的偏離。
通過比較一個接一個地施加(applied)的不同光刻掩模的相對放置，可以 探測出覆蓋誤差并且可以任選地加以補償。因此，當應(yīng)用雙重圖形工藝時，可 以預(yù)先計算覆蓋誤差并通過前饋處理加以補償。
所述方法、系統(tǒng)和計算機程序產(chǎn)品可以提供在所述光刻掩模(也稱為刻線) 的一個或更多個部分之上的、甚至在整個所述掩模之上的相對放置誤差分布 圖，甚至密集分布圖(densemap，下文稱之為密集圖)。
可以將所述相對放置誤差提供給掩模制作工藝，后者可以設(shè)法生產(chǎn)所述相 對放置誤差較小的另一個掩模。
需要指出的是，所述系統(tǒng)可以光學(xué)地獲取所述光刻掩模的圖像，但是也可 以是不能光學(xué)地獲取這種圖像的系統(tǒng)。
需要指出的是，可以產(chǎn)生多個掩模的相對放置誤差，并隨后提供給掩模制 作工藝或(使用光刻掩模的)光刻工藝。
所述相對放置誤差響應(yīng)基準結(jié)果。所述基準結(jié)果可以從數(shù)據(jù)庫、從另一個 光刻掩模、從多個其它光刻掩模、或從所評估的光刻掩模的另一個部分獲得。
通過使用一個或更多個檢測工具可以獲得所述基準結(jié)果以及，附加地或替 代地，獲得測量結(jié)果。
在作必要修正之后，可以將所述系統(tǒng)、方法和計算機程序產(chǎn)品應(yīng)用到晶片 上、晶片組(set of wafers)上、光刻掩模組(set of lithographic)上。
下面的解釋是針對光刻掩模進行描述的，但是也可以用于晶片、來自數(shù)據(jù) 庫的掩模配置圖(masklayout),或掩模、配置圖和晶片的任何組合。
通過相對距離的方法測量放置誤差
為了沿整個掩模和在整個掩模內(nèi)使用檢測機器執(zhí)行放置誤差測量，選擇一 些基準點/位置/特征。隨后，測量所述基準特征(例如，所述基準特征從其開 始到其結(jié)束的長度或基準元件(element)的周期性亞元件的幾個周期的長度) 并在相同特征(所測量的特征)上沿整個所述掩?；蜓厮鲅谀５囊粋€或更多 個預(yù)定部分重復(fù)該測量。比較在所測量元件(特征)與所述基準元件之間的差 異(相對距離)可以提供相對放置誤差。響應(yīng)與位于所述掩模之上不同位置中 的元件相關(guān)的相對放置誤差可以建立相對放置誤差分布圖(map)。
圖1示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的相對放置誤差分布圖10。分布圖10包括表示基準結(jié)果與測量結(jié)果之間的關(guān)系的曲線20。 曲線20在每個點處的斜率(slope)表示所述基準結(jié)果和與該點相關(guān)的測
量元件的測量結(jié)果之間的比值?？梢曰谒鰷y量元件的位置確定所述相關(guān)，
但并不是必須如此。 '
曲線20可以是接近所述基準結(jié)果(諸如水平線(&1， b。 -31)與所述測
量結(jié)果(諸如D (ai， b。 41)之間的關(guān)系的多項式(并且尤其是低階多項式)。
圖1還示出諸如(&， bn) 38的附加基準結(jié)果和諸如D (&， bn) 48的附加測
量結(jié)果。
需要指出的是，可以提供多個基準結(jié)果。在該情況中，可以將一個或更多 個測量結(jié)果與每個基準結(jié)果相比較。當不存在放置誤差時，基準結(jié)果應(yīng)該等于 測量結(jié)果。
根據(jù)本發(fā)明的一個實施方式，通過相對梯度計算相對放置誤差。這包括 (i)獲得導(dǎo)數(shù)變化分布圖；(ii)應(yīng)用歸一化(normalization)處理；以及(iii) 重建放置變化分布圖?；诳s放比例知識和放置變化較小的事實可以重建所述 放置變化分布圖。該分布圖可以表示在整個所述光刻掩?；蛩x部分之上的導(dǎo) 數(shù)變化。
通過下述處理可以測量所述導(dǎo)數(shù)(i)在每個幀中(在每個視場一FOV中) 獲得兩個遠離的特征(該兩個遠離的特征提供兩個點)，測量它們之間(該一 對點之間)的距離，并且或者將所述測量距離(也稱為測量結(jié)果)除以基準結(jié) 果或者將所述測量結(jié)果減去所述基準結(jié)果(該基準結(jié)果可以是所述兩個點之間 的預(yù)期距離)?？梢詮陌嗤c的基準圖像、從數(shù)據(jù)庫、從另--個掩模、或 從晶片獲得所述基準結(jié)果。所述基準結(jié)果也可以是亞元件的重復(fù)陣列的多個亞 元件之間的距離(它可以用周期數(shù)量-亞元件數(shù)量表示)。
需要指出的是，所述基準元件可以與測量元件不同(甚至沒有替代誤差 (replacement error)存在)，但是當沒有放置誤差時基準結(jié)果應(yīng)該等于測量結(jié) 果。替代地，可以預(yù)期當沒有放置誤差時在基準結(jié)果與測量結(jié)果之間保持固定 關(guān)系(例如比例系數(shù)(scalingratio))。
便利地，可以將上述方法用于測量放置誤差，甚至當將多個評估的掩模用 于制作一種產(chǎn)品時可以用于測量覆蓋誤差?？梢詫⒃撔┧鲅谀Ｓ糜谥谱飨嗤?層或不同層。在通過照明時產(chǎn)生較低密度圖形的掩模制作高密度圖形的雙藍圖
ii形工藝中，將兩個掩模用于制作所述產(chǎn)品的相同層。
為了確定預(yù)期覆蓋誤差，可以將一個掩模的相對放置誤差與另一個掩模的 相對放置誤差相比較?？梢詫⒚總€掩模的分布圖與另一個掩模的分布圖相比
較，如圖2中所示。
第一掩模的分布圖10包括表示所述第一掩模的基準結(jié)果與測量結(jié)果之間 的關(guān)系的曲線20。第二掩模的分布圖50包括表示所述第二掩模的基準結(jié)果與 測量結(jié)果之間的關(guān)系的曲線60。
可以以不同方式測量一對點之間的距離或一對測量點與所述對基準點之 間的距離之間的差異。根據(jù)本發(fā)明的實施方式，提供了交疊算法。所述交疊算 法包括獲得所述掩模的多個部分交疊圖像。在圖3中示出了這種交疊圖像。例 如，基準元件的交疊幀71-76和測量元件的交疊圖像81-86。可以將兩個相鄰 幀(圖像)之間共享的交疊區(qū)域用于將第二圖像與毗鄰(adjacent)所述第二 圖像的第一圖像非常精確地對準。
可以按照需要多次重復(fù)該對準處理，以便形成一系列具有非常精確對準的幀。
可以將所述交疊算法用于具有周期圖形的全部掩模，但是也可以在非周期 方式中執(zhí)行。
根據(jù)本發(fā)明的另一個實施方式，提供了循環(huán)模數(shù)算法。其可以解決由周期 圖形的圖像對準導(dǎo)致的模糊問題。當兩個點之間的測量距離包括所述圖形的多 個重復(fù)時，這特別確切。在這種情況中，僅考慮亞周期差異而忽略了等于所述 周期圖形的一個或更多個周期的距離變化。
例如，如果所述周期是30納米，則應(yīng)用30納米模數(shù)運算。因此，如果一 對基準點之間的距離等于Nl個周期而一對測量點之間的距離等于N2個元件 和亞周期距離d，那么，雖然距離差異是(N2-Nl:"30納米+d，但是僅考慮d。
Nl與N2之間的差異可能來自于可能遺漏周期或跳過周期的所述測量元 件的交疊圖像對準。在圖3中示出了這種差異。在圖3中，將基準元件70的 區(qū)塊長度(block length) 91與測量元件80的區(qū)塊長度92相比較。由于放置 誤差，可以用小于形成所述基準元件或所述測量元件的所述周期圖形的周期補 償所述差異。
通過在所述周期圖形(在兩個幀上的共享區(qū)域)上的位相匹配可以非常精確地進行每對毗鄰圖像的所述對準處理。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式，通過將一個點與相應(yīng)基準點對準的對準處理可以 精確測量測量元件的一對點之間的距離，并且還測量在第二測量點與另一個基 準點之間的差異。所述第二基準點與第二測量點的位置之間的差異表示所述基 .準距離與所述測量點之間的距離之間的差異。 ..-
配準處理可以包括切出(cutout)連同其緊密周圍的兩個特征一獲得每個 點及其周圍的圖像并獲得每個基準點及其周圍的圖像。在圖4中示出了這種處 理，其中通過將兩個點及其附近的兩個亞圖像(101和102)與基準元件的相 應(yīng)亞圖像相比較，處理所述兩個亞圖像。
根據(jù)本發(fā)明的實施方式，為了近似(approximate)所述基準結(jié)果與每一個 所述測量結(jié)果之間的關(guān)系，可以計算低階多項式。
當放置誤差現(xiàn)象基本是緩慢變化現(xiàn)象時可以使用所述低階多項式。所述多 項式的階數(shù)可以由所述放置誤差的采樣率(sampling rate)和放置誤差可變性 確定。樣品越多，可以使用更高階的多項式。實際上，可以使用例如立方樣條 的更加復(fù)雜的擬合。在存在許多樣品的區(qū)域中，有效多項式階數(shù)可以更高。
圖5示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的方法200。
方法200開始于步驟(stage) 210和220中的任何一個。步驟210包括提 供表示基準元件的一對基準點之間的距離的基準結(jié)果。步驟220包括接收所述 基準結(jié)果。
步驟210和220之后是步驟230，在步驟230，對于來自與所述光刻掩模 的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對點，測量在所述對點之間的距離，以便提 供多個測量結(jié)果；其中測量結(jié)果與所述基準結(jié)果之間的差異表示相對放置誤 差。
步驟230包括執(zhí)行在多對點之間的距離的多個測量。這些對點可以屬于在 整個所述掩模之上或在所述掩模的選擇部分之上分散(spread)的測量元件。
便利地，步驟230包括通過將元件與所述基準元件對準來測量在所述元件 的一對點之間的距離與在所述基準元件的對基準點之間的距離之間的差異。
步驟230之后是響應(yīng)所述基準結(jié)果與每一個所述測量結(jié)果之間的關(guān)系確 定相對放置誤差的歩驟250。
便利地，步驟250包括響應(yīng)所述基準結(jié)果與每一個所述測量纟S"果之間的差異確定相對放置誤差。
便利地，步驟250包括響應(yīng)在每個測量結(jié)果與所述基準結(jié)果之間的比值之 間的差異確定相對放置誤差。
步驟250之后可以是產(chǎn)生相對放置誤差分布圖的步驟260。所述分布圖可 以是密集的一由此其可以包括彼此相對緊密(close)的元件的多個相對放置誤 差。
元件可以包括形成陣列的多個重復(fù)亞元件。
需要指出的是，所述基準元件可以與測量元件不同。
便利地，測量元件包括具有確定(certain)周期的重復(fù)亞元件的陣列，并 且在步驟210和220之后是獲取所述陣列的多個圖像的步驟225。步驟225之 后是包括對準所述陣列的不同圖像的步驟230。步驟230之后是響應(yīng)在所述基 準結(jié)果與測量結(jié)果之間的亞周期差異確定至少一個相對放置誤差的步驟250。 步驟250可以包括在所述基準結(jié)果與測量結(jié)果之間的差異上應(yīng)用周期模數(shù)運 算。
便利地，步驟260包括計算表示所述基準結(jié)果與每一個所述測量結(jié)果之間 的關(guān)系的函數(shù)?？梢栽谒龇植紙D中表示所述函數(shù)。
便利地，步驟260包括，用低階多項式近似在所述基準結(jié)果與所述測量結(jié) 果之間的關(guān)系。
便利地，實時執(zhí)行方法200并將其結(jié)果用于校正光刻工藝。因此，步驟
250之后是響應(yīng)所述相對放置誤差執(zhí)行光刻工藝的前饋校正的步驟280。
便利地，方法200包括執(zhí)行全局對準處理的步驟202和執(zhí)行塊(die)對
準處理的步驟204。這些步驟在步驟250之前。
為了確定覆蓋誤差，可以應(yīng)用方法250的兩次重復(fù)。這在圖6屮示出。 圖6示出根據(jù)本發(fā)明的實施方式的用于確定覆蓋誤差的方法300。 方法300開始于步驟310，在步驟310，確定在產(chǎn)品的第一制作步驟期間
使用的第一光刻掩模的第一相對放置誤差集(set)。步驟310可以包括執(zhí)行方
法200。
步驟310之后是步驟320，在步驟320，確定在所述第一制作#^之后的 第二制作步驟期間使用的第二光刻掩模的第二相對放置誤差集。歩驟320可以 包括執(zhí)行方法200。步驟320之后是步驟330，在步驟330,通過比較所述第一和第二相對放 置誤差集來確定預(yù)期覆蓋誤差。
步驟330可以包括與所述光刻掩模的不同元件相關(guān)的相對梯度之間的關(guān) 系。 '
步驟330之后可以是補償所述預(yù)期覆蓋誤差的步驟340。---
圖7示出用于評估放置誤差的系統(tǒng)400，所述系統(tǒng)包括存儲器部件410和 處理器420。存儲器部件410存儲表示基準元件的一對基準點之間的距離的基 準結(jié)果。處理器420適于對于來自與所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多 對點的每對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果；其中測量 結(jié)果與所述基準結(jié)果之間的差異表示相對放置誤差；并且響應(yīng)所述基準結(jié)果與 每一個所述測量結(jié)果之間的關(guān)系確定相對放置誤差。系統(tǒng)400可以包括圖像獲 取部件430。
處理器420可以應(yīng)用方法300的任何步驟或這些步驟的任何組合。 本領(lǐng)域技術(shù)人員容易地認識到，在不偏離附屬的權(quán)利要求書中限定的和權(quán)
利要求書所限定的本發(fā)明的范圍的情況下，可以對如前所述的本發(fā)明的實施方
式作出不同修改和變化。
權(quán)利要求
1.一種用于評估光刻掩模內(nèi)的放置誤差的方法，所述方法包含、提供或接收表示基準元件的一對基準點之間的距離的基準結(jié)果；對于來自與所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果；其中測量結(jié)果與所述基準結(jié)果之間的差異表示相對放置誤差；以及響應(yīng)所述基準結(jié)果與每個測量結(jié)果之間的關(guān)系確定相對放置誤差。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含對于來自與在所述光刻掩模之上分 散的所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對點，測量所述對點之間 的距離，以便提供多個測量結(jié)果。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含對于來自與在整個所述光刻掩模之 上分散的所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對點，測量所述對點 之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含產(chǎn)生相對放置誤差分布圖。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含產(chǎn)生相對放置誤差密集圖。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基準結(jié)果表示所述基準元件的 兩個末端之間的距離。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基準結(jié)果表示形成所述基準元 件的多個重復(fù)亞元件之間的距離。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其中所述基準元件與所述光刻掩模的至 少一個元件不同。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含通過將元件對準所述基準元件測量 所述元件的一對點之間的距離與所述基準元件的所述對基準點之間的距離之 間的差異。
10. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含獲取具有確定周期的重復(fù)亞元件陣列的多個圖像；對準所述陣列的不同圖 像；以及響應(yīng)在所述基準結(jié)果與測量結(jié)果之間的亞周期差異確定至少一個相對放 置誤差。
11. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含-獲取具有確定周期的重復(fù)亞元件陣列的多個圖像；對準所述陣列的不同圖像；以及在所述基準結(jié)果與測量結(jié)果之間的差異上應(yīng)用周期模數(shù)運算。
12. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含計算表示所述基準結(jié)果與每一個所 述測量結(jié)果之間的關(guān)系的函數(shù)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含用低階多項式近似所述基準結(jié)果與 所述測量結(jié)果之間的關(guān)系。
14. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含響應(yīng)所述基準結(jié)果與每一個所述測 量結(jié)果之間的差異確定相對放置誤差。
15. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含響應(yīng)每個測量結(jié)果與所述基準結(jié)果 之間的比值之間的差異確定相對放置誤差。
16. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含響應(yīng)所述相對放置誤差執(zhí)行光刻工 藝的前饋校正。
17. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，包含在確定所述相對放置誤差之前執(zhí)行 全局對準處理和執(zhí)行塊對準處理。
18. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的方法，其包含確定在產(chǎn)品的第一制作步驟期間使用的第一光刻掩模的第一相對放置誤差集；確定在所述第一制作步驟之后的第二制作步驟期間使用的第二光刻掩模 的第二相對放置誤差集；以及通過比較所述第一和第二相對放置誤差集確定預(yù)期覆蓋誤差。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，包含補償所述預(yù)期覆蓋誤差。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的方法，包含確定與所述光刻掩模的不同元件 相關(guān)的相對梯度之間的關(guān)系。
21. —種包含計算機可讀介質(zhì)的計算機程序產(chǎn)品，所述計算機可讀介質(zhì)存 儲用于下述方面的指令提供或接收表示基準元件的一對基準點之間的距離的基準結(jié)果； 對于來自與所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果；其中測量結(jié)果與所述基準結(jié)果之間的差異表示相對放置誤差；以及響應(yīng)所述基準結(jié)果與每一個所述測量結(jié)果之間的關(guān)系確定相對放置誤差。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于，對于來自 與在所述光刻掩模之上分散的所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的 每對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果的指令的計算機可 讀介質(zhì)。
23. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于，對于來自 與在整個所述光刻掩模之上分散的所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對 點的每對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果的指令的計算 機可讀介質(zhì)。
24. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于產(chǎn)生相對放 置誤差分布圖的指令的計算機可讀介質(zhì)。
25. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于產(chǎn)生相對放 置誤差密集圖的指令的計算機可讀介質(zhì)。
26. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，其中所述基準結(jié)果表示所 述基準元件的兩個末端之間的距離。
27. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，其中所述基準結(jié)果表示形 成所述基準元件的多個重復(fù)亞元件之間的距離。
28. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，其中所述基準元件與所述 光刻掩模的至少一個元件不同。
29. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于通過將元件 對準所述基準元件測量所述元件的一對點之間的距離與所述基準元件的所述 對基準點之間的距離之間的差異的指令的計算機可讀介質(zhì)。
30. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于下述方面的 指令的計算機可讀介質(zhì)獲取具有確定周期的重復(fù)亞元件陣列的多個圖像；對準所述陣列的不同圖 像；以及響應(yīng)在所述基準結(jié)果與測量結(jié)果之間的亞周期差異確定至少一個相對放 置誤差。
31. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，其包含存儲用于下述方面 的指令的計算機可讀介質(zhì)獲取具有確定周期的重復(fù)亞元件陣列的多個圖像；對準所述陣列的不同圖 像；以及在所述基準結(jié)果與測量結(jié)果之間的差異上應(yīng)用周期模數(shù)運算。
32. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于計算表示所 述基準結(jié)果與每一個所述測量結(jié)果之間的關(guān)系的函數(shù)的指令的計算機可讀介 質(zhì)。
33. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于用低階多項 式近似所述基準結(jié)果與所述測量結(jié)果之間的關(guān)系的指令的計算機可讀介質(zhì)。
34. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于響應(yīng)所述基 準結(jié)果與每一個所述測量結(jié)果之間的差異確定相對放置誤差的指令的計算機 可讀介質(zhì)。
35. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于響應(yīng)每個測 量結(jié)果與所述基準結(jié)果之間的比值之間的差異確定相對放置誤差的指令的計算機可讀介質(zhì)。
36. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于響應(yīng)所述相 對放置誤差執(zhí)行光刻工藝的前饋校正的指令的計算機可讀介質(zhì)。
37. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于在確定所述 相對放置誤差之前執(zhí)行全局對準處理和執(zhí)行塊對準處理的指令的計算機可讀 介質(zhì)。
38. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于下述方面的 指令的計算機可讀介質(zhì)確定在產(chǎn)品的第一制作步驟期間使用的第一光刻掩模的第一相對放置誤 差集；確定在所述第一制作步驟之后的第二制作步驟期間使用的第二光刻掩模 的第二相對放置誤差集；以及通過比較所述第一和第二相對放置誤差集確定預(yù)期覆蓋誤差。
39. 根據(jù)權(quán)利要求38所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于補償所述預(yù) 期覆蓋誤差的指令的計算機可讀介質(zhì)。
40. 根 權(quán)利要求38所述的計算機程序產(chǎn)品，包含存儲用于確定與所述 光刻掩模的不同元件相關(guān)的相對梯度之間的關(guān)系的指令的計算機可讀介質(zhì)。
41. 一種用于評估放置誤差的系統(tǒng)，所述系統(tǒng)包含存儲器部件和處理器； 其中所述存儲器部件存儲表示基準元件的一對基準點之間的距離的基準結(jié)果； 并且其中處理器適于對于來自與所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點 的每對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果；其中測量結(jié)果 與所述基準結(jié)果之間的差異表示相對放置誤差；以及響應(yīng)所述基準結(jié)果與每個 測量結(jié)果之間的關(guān)系確定相對放置誤差。
42. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于光學(xué)圖像獲取部件。
43. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于對于來自與在 所述光刻掩模之上分散的所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對 點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果。
44. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于對于來自與在 整個所述光刻掩模之上分散的所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的 每對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果。
45. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于產(chǎn)生相對放置誤 差分布圖。
46, 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于產(chǎn)生相對放置誤 差密集圖。
47. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述基準結(jié)果表示所述基準元件 的兩個末端之間的距離。
48. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述基準結(jié)果表示形成所述基準 元件的多個重復(fù)亞元件之間的距離。
49. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述基準元件與所述光刻掩模的 至少一個元件不同。
50. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于通過將元件對準 所述基準元件測量所述元件的一對點之間的距離與所述基準元件的所述對基 準點之間的距離之間的差異。
51. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于 獲取具有《命定周期的重復(fù)亞元件陣列的多個圖像；對準所述陣列的不同圖像；以及響應(yīng)在所述基準結(jié)果與測量結(jié)果之間的亞周期差異確定至少一個相對放 置誤差。
52. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于 獲取具有確定周期的重復(fù)亞元件陣列的多個圖像；對準所述陣列的不同圖像；以及在所述基準結(jié)果與測量結(jié)果之間的差異上應(yīng)用周期模數(shù)運算。
53. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于計算表示所述基 準結(jié)果與每一個所述測量結(jié)果之間的關(guān)系的函數(shù)。
54. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于用低階多項式近 似所述基準結(jié)果與所述測量結(jié)果之間的關(guān)系。
55. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于響應(yīng)所述基準結(jié) 果與每一個所述測量結(jié)果之間的差異確定相對放置誤差。
56. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于響應(yīng)每個測量結(jié) 果與所述基準結(jié)果之間的比值之間的差異確定相對放置誤差。
57. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于響應(yīng)所述相對放 置誤差執(zhí)行光刻工藝的前饋校正。
58. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于在確定所述相對 放置誤差之前執(zhí)行全局對準處理和執(zhí)行塊對準處理。
59. 根據(jù)權(quán)利要求41所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于 確定在產(chǎn)品的第一制作步驟期間使用的第一光刻掩模的第一相對放置誤差集；確定在所述第一制作步驟之后的第二制作步驟期間使用的第二光刻掩模 的第二相對放置誤差集；以及通過比較所述第一和第二相對放置誤差集確定預(yù)期覆蓋誤差。
60. 根據(jù)權(quán)利要求59所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于補償所述預(yù)期覆 蓋誤差。
61. 根據(jù)權(quán)利要求59所述的系統(tǒng)，其中所述處理器適于確定與所述光刻 掩模的不同元件相關(guān)的相對梯度之間的關(guān)系。
全文摘要
一種用于評估光刻掩模中放置誤差的方法，所述方法包括提供或接收表示基準元件的一對基準點之間的距離的基準結(jié)果；對于來自與所述光刻掩模的多個分離元件相關(guān)的多對點的每對點，測量所述對點之間的距離，以便提供多個測量結(jié)果；其中測量結(jié)果與所述基準結(jié)果之間的差異表示相對放置誤差；以及響應(yīng)所述基準結(jié)果與每個測量結(jié)果之間的關(guān)系確定相對放置誤差。
文檔編號G03F1/00GK101614953SQ20091014603
公開日2009年12月30日 申請日期2009年6月10日 優(yōu)先權(quán)日2008年6月10日
發(fā)明者肖穆里克·曼根, 邁克爾·本-伊謝, 里奧·肖瓦爾 申請人:以色列商·應(yīng)用材料以色列公司