專利名稱：：電子照相光電導(dǎo)體的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及可用在各種靜電復(fù)印過程和成像裝置(例如，復(fù)印機(jī)、激光打印機(jī)等)中的電子照相光電導(dǎo)體。
背景技術(shù)：
：通常，作為復(fù)印機(jī)和激光打印機(jī)的電子照相光電導(dǎo)體的光電導(dǎo)層，使用硒層、硒-碲層、硒-砷層或者非晶硅層。從感光層結(jié)構(gòu)的觀點(diǎn)來看，有機(jī)感光體分為兩種類型，即，單層感光體和多層感光體。單層感光體具有包括電荷產(chǎn)生材料和空穴傳輸材料的感光層，使得所述單層既具有電荷產(chǎn)生功能又具有電荷傳輸功能。多層感光體是功能分離型的光電導(dǎo)體并且包括層壓的電荷產(chǎn)生層(CGL)和電荷傳輸層(CTL)。單層感光體和多層感光體兩者均在實(shí)際中使用，但是需要具有高的電荷移動(dòng)性的電荷傳輸材料以實(shí)現(xiàn)優(yōu)異的靈敏度。從帶電性的觀點(diǎn)來看，有機(jī)感光體分為兩種類型，即能帶負(fù)電的感光體和能帶正電的感光體。大多數(shù)具有高的電荷移動(dòng)性的電荷傳輸材料是能帶正電的，因此對(duì)于實(shí)際使用，能帶負(fù)電的有機(jī)感光體是主要的。感光體通常通過電暈放電而帶電。由于通過放電放出大量臭氧，臭氧污染室內(nèi)環(huán)境并且感光體往往在物理上或者化學(xué)上劣化。應(yīng)用了用于捕捉臭氧的過濾器作為改進(jìn)，但是設(shè)備的尺寸變得更大并且更復(fù)雜。另一方面，嘗試了不放出臭氧的其它帶電方法，但是電子照相的過程變得復(fù)雜。在這種情況下，最近市場(chǎng)上需要放出較少臭氧的能帶正電的感光體，但是為生產(chǎn)能帶正電的感光體，需要具有高的電荷移動(dòng)性的電子傳輸材料。因此正在進(jìn)行不僅具有高的電荷移動(dòng)性而且具有低的毒性水平以及與粘合劑樹脂的良好相容性的電子傳輸材料的開發(fā)。具體來說，日本專利No.3778595所公開的聯(lián)笨醌化合物具有優(yōu)異的性能，因此具有該聯(lián)苯醌化合物的能帶正電的感光體提供了電子照相性質(zhì)方面的成就。然而，尚未提供任何當(dāng)光電導(dǎo)體反復(fù)使用時(shí)滿足耐久性和該光電導(dǎo)體的靈敏度的能帶正電的感光體。具有單個(gè)光電導(dǎo)層的能帶正電的感光體具有既傳輸電子又傳輸正空穴的功能，以及電荷產(chǎn)生的功能。因此，各種材料的組合，尤其是空穴傳輸材料和電子傳輸材料的組合是重要的。但是選擇空穴傳輸材料和電子傳輸材料的指標(biāo)并不清楚。包括苯乙烯基化合物的光電導(dǎo)體由經(jīng)審查公布的日本專利申請(qǐng)No.H05-42611(下文中稱為JOP)所公開，但是未公開與聯(lián)苯醌化合物的組合。由于這些原因，存在對(duì)滿足高靈敏度和高穩(wěn)定性的電子照相光電導(dǎo)體的需求。因此，本發(fā)明的目的是提供一種電子照相光電導(dǎo)體，該電子照相光電導(dǎo)體提供高靈敏度和高穩(wěn)定性。本發(fā)明的這些和其它目的，無論是單獨(dú)的或是以其組合，都將變得更易理解，并且可通過包括導(dǎo)電載體和設(shè)置于其上的光電導(dǎo)層的電子照相光電導(dǎo)體而實(shí)現(xiàn)，其中所述光電導(dǎo)層包括電荷產(chǎn)生材料、電子傳輸材料和空穴傳輸材料，其中所述電子傳輸材料是由下式(l)所表示的聯(lián)苯醌化合物并且所述空穴傳輸材料是由下式(2)所表示的化合物R1R2<formula>formulaseeoriginaldocumentpage6</formula>其中R1-R3獨(dú)立地表示飽和的烴基，R7-RU獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、或者取
發(fā)明內(nèi)容代或未取代的雜環(huán)基團(tuán)，d為0或1的整數(shù)，z表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、或者由下式(z)表示的基團(tuán)，或者R7和Z限定稠合到式(2)的芳環(huán)的環(huán)，R12和R13獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基，p為0或1的整數(shù)。R12CH二CHCH二CR13(z)優(yōu)選在上述電子照相光電導(dǎo)體中，所述聯(lián)苯醌化合物為由下式(la)表示的化合物<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中t-Bu表示叔丁基。優(yōu)選在上述電子照相光電導(dǎo)體中，所述空穴傳輸材料為由下式(3)所表示的化合物。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage7</formula>其中R15-R18獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。優(yōu)選在上述電子照相光電導(dǎo)體中，所述空穴傳輸材料為由下式(4)表示的化合物R19其中R19-R22獨(dú)立地表示氳原子、取代或者未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。優(yōu)選在上述電子照相光電導(dǎo)體中，所述空穴傳輸材料為由下式(5)表示的化合物其中R30-R32獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。優(yōu)選在上述電子照相光電導(dǎo)體中，所述電荷產(chǎn)生材料為鈦氧基酞菁(titanylphthalocyanine)。優(yōu)選在上述電子照相光電導(dǎo)體中，所述鈦氧基酞菁在27.3±0.2。的布拉格角(29)處具有CuKaL542A的主衍射峰。在結(jié)合附圖來考慮本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施方式的以下描述之后，本發(fā)明的這些和其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將變得明晰，在附圖中圖1為顯示本發(fā)明電子照相光電導(dǎo)體的構(gòu)造的截面圖。圖2為實(shí)施例中使用的鈦氧基酞菁的X射線衍射語圖。圖3為實(shí)施例中使用的鈦氧基酞菁的另一X射線衍射譜圖。具體實(shí)施例方式以下將參照若干實(shí)施方式和附圖具體描述本發(fā)明。本文中使用的術(shù)語"一個(gè)"和"一種"等帶有"一個(gè)(種)或者多個(gè)(種)"的含義。8單層感光體具有單個(gè)光電導(dǎo)層，該層具有既傳輸電子又傳輸正空穴的功能，因此空穴傳輸材料和電子傳輸材料兩者均應(yīng)具有優(yōu)異的性能。通常，電子傳輸材料的電荷移動(dòng)性不足，但是由式(l)表示的電子傳輸材料具有高的電荷移動(dòng)性并且其具有與粘合劑樹脂的優(yōu)異相容性，因此，其可以高密度分散或者溶解在感光層中。這就是感光層具有高的電荷移動(dòng)性的原因。輸材料的組合時(shí)，提供了具有足夠的電荷移動(dòng)性和空穴移動(dòng)性的電子照相光電導(dǎo)體。此外，所述電子照相光電導(dǎo)體具有反復(fù)使用情況下的穩(wěn)定的靜電性質(zhì)如靈敏度和帶電性。當(dāng)使用由式(1)表示的聯(lián)苯醌化合物和由式(2)表示的空穴傳輸材料的組合時(shí)，特別優(yōu)選與作為電荷產(chǎn)生材料的鈦氧基酞菁組合。具體來說使用在27.3±0.2°的布拉格角(20)處具有CuKa1.542A的主衍射峰的鈦氧基酞菁是優(yōu)選的(圖2)。并且使用在7.6±0.2°和28.6士0.2。的布拉格角(29)處具有CuKtx1.542A的寬衍射峰的鈦氧基酞菁也是優(yōu)選的(圖3)。在7,6±0.2°和28.6±0.2°的布拉格角(20)處具有寬峰的鈦氧基酞菁不具有任何其它特別的尖銳峰。取決于晶態(tài)或者測(cè)量條件，峰可為寬的、分裂的或者移位的。使用本發(fā)明的電子傳輸材料和空穴傳輸材料的組合，可提供以下性質(zhì)。(1)由于電子和空穴的傳輸是平穩(wěn)的，因此可保持靈敏度并且可防止由反復(fù)帶電和曝光所造成的劣化。(2)此外，與由作為電荷產(chǎn)生材料的例如圖2所表示的鈦氧基酞菁在一起時(shí)，由于高的電荷產(chǎn)生效率和高的空穴傳輸效率，可提供對(duì)于帶電來說具有高的靈敏度和穩(wěn)定性的感光體。本發(fā)明的空穴傳輸材料和電子傳輸材料的組合是適當(dāng)?shù)?，電荷和電子的運(yùn)動(dòng)是有效的，因此可提供反復(fù)使用情況下的高靈敏度和帶電穩(wěn)定性。因此，包括所述感光體的成像裝置滿足穩(wěn)定的圖像質(zhì)量和高速成像。圖1為顯示本發(fā)明的電子照相光電導(dǎo)體的構(gòu)造的截面圖。光電導(dǎo)層(3)在導(dǎo)電基底(2)上。用于本發(fā)明的導(dǎo)電基底2可由各種導(dǎo)電材料形成并且可為任意材料和形狀。例如，其可為包括鋁、黃銅、不銹鋼、鎳、鉻、鈦、金、銀、銅、錫、鉬、鉬和銦在內(nèi)的金屬或者金屬合金的金屬制品；其可為具有導(dǎo)電材料的塑料板或者膜，所述導(dǎo)電材料例如為上述金屬或者碳，所述導(dǎo)電材料氣相沉積或者鍍?cè)谒鏊芰习寤蛘吣ど弦再x予導(dǎo)電性；或者其可為涂覆有氧化錫、氧化銦或者碘化鋁的導(dǎo)電玻璃板。通常使用圓柱形鋁管，并且其可通過鋁陽極化進(jìn)行表面處理，或者也可不進(jìn)行表面處理。在表面處理的管的情況下，樹脂層可沉積在鋁管的表面上或者陽極化的鋁層上。本發(fā)明的光電導(dǎo)層包括電荷產(chǎn)生材料、由式(l)表示的聯(lián)苯醌化合物和由式(2)表示的空穴傳輸材料。首先，將詳細(xì)解釋電荷產(chǎn)生材料。任何已知的電荷產(chǎn)生材料都可用于本發(fā)明。合適的電荷產(chǎn)生材料的具體的優(yōu)選實(shí)例為鈥氧基酞菁，但是不限于此，還可以使用硒、硒-碲、硒-砷、非晶硅、其它酞菁顏料、單偶氮顏料、雙偶氮顏料、三偶氮顏料、多偶氮顏料、靛青類顏料、還原(threne)顏料、曱苯胺顏料、吡唑啉顏料、茈顏料、喹吖啶酮顏料、吡喃錄鹽。這些電荷產(chǎn)生材料可單獨(dú)使用或者組合使用。優(yōu)選光電導(dǎo)層中電荷產(chǎn)生材料的量為基于總重量的0.005-70重量％范圍、優(yōu)選為0.5~5重量％范圍。當(dāng)電荷產(chǎn)生材料的量在該范圍內(nèi)時(shí)，光電導(dǎo)體的靈敏度、光電導(dǎo)體的帶電性以及光電導(dǎo)體的強(qiáng)度是優(yōu)異的。接下來，將詳細(xì)解釋電荷傳輸材料。本發(fā)明的聯(lián)苯醌化合物由式(l)表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage10</formula>其中Rl-R3獨(dú)立地表示任意一種飽和烴基。作為飽和烴基，可以使用直鏈飽和烴基，例如曱基、乙基、丙基；帶支鏈的飽和烴基，例如異丙基、異丁基、仲丁基、叔丁基、叔戊基；飽和的環(huán)烴基，例如環(huán)丙基、環(huán)丁基、環(huán)戊基、環(huán)己基、環(huán)庚基；以及具有所述直鏈飽和烴基、所述帶支鏈的飽和烴基或者所述飽和的環(huán)烴基中任意一種的結(jié)構(gòu)的復(fù)合取代基。所述復(fù)合取代基中所包含的碳的數(shù)目不受限制。所述飽和烴基優(yōu)選為具有125個(gè)碳原子的飽和烴基，更優(yōu)選為具有112個(gè)碳原子的飽和烴基，并且特別優(yōu)選為具有16個(gè)碳原子的飽和烴基。通過使包含由式(8)表示的化合物的溶液與HC1氣體接觸，提供了由式(la)表示的不對(duì)稱聯(lián)苯醌化合物。t-But-But-But-Bu(8)t-But-But-BuCl(1a)其中t-Bu指叔丁基。式(1)的R1-R3不限于叔丁基。當(dāng)R1-R3為曱基時(shí)，提供了由式(lb)表示的化合物。優(yōu)選光電導(dǎo)層中聯(lián)苯醌化合物的量為基于總重量的0.1-80重量%范圍、優(yōu)選為0.5-50重量％范圍。H。CChUH3CCI(1b)由式(i)表示的聯(lián)苯醌化合物可以單獨(dú)使用或者組合使用。由式(2)表示的空穴傳輸材料具有以下結(jié)構(gòu)。(2〉11R7-R11獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基，d為0或l的整數(shù)，Z表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、或者由下式(Z)表示的基團(tuán)。R7和Z可限定稠合到式(2)的芳環(huán)的環(huán)。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(z)R12和R13獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基，p為0或l的整數(shù)。優(yōu)選由式(3)-(5)表示的空穴傳輸材料。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(3)R15-R18獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage12</formula>(4)R19-R22獨(dú)立地表示氫原子、取代或者未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>(5)R30-R32獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。在上述通式(2)、(Z)和(3)(5)中，所述烷基優(yōu)選為具有125個(gè)碳原子的烷基，更優(yōu)選為具有112個(gè)碳原子的烷基，并且特別優(yōu)選為具有16個(gè)碳原子的烷基。這樣的烷基的實(shí)例有曱基、乙基、丙基和丁基，但是，并不限于此。上述芳基優(yōu)選為具有630個(gè)碳原子的芳基，例如，苯基和萘基，但是，并不限于此。所述烷氧基優(yōu)選為具有l(wèi)-25個(gè)碳原子的烷氧基，更優(yōu)選為具有112個(gè)碳原子的烷氧基，并且特別優(yōu)選為具有16個(gè)碳原子的烷氧基。這樣的烷氧基的實(shí)例有曱氧基、乙氧基和丙氧基。上述雜環(huán)基優(yōu)選為具有6-30個(gè)碳原子的雜環(huán)基，例如，吡。秦基和喹啉基，但是，并不限于此。而且，它們還可以被以下基團(tuán)取代卣素原子，硝基，氰基，具有125個(gè)碳原子的、更優(yōu)選具有1~12個(gè)碳原子的烷基如曱基、乙基，具有125個(gè)碳原子的烷氧基如曱氧基、乙氧基，具有630個(gè)碳原子的芳氧基如苯氧基，具有630個(gè)碳原子的芳基如苯基、萘基，或具有6~30個(gè)碳原子的芳烷基如千基和苯乙基。由式(2)-(5)所表示的本發(fā)明的空穴傳輸材料的實(shí)例如下<formula>formulaseeoriginaldocumentpage13</formula>(2a)<formula>formulaseeoriginaldocumentpage14</formula><formula>formulaseeoriginaldocumentpage15</formula>(5b)(5c)(5d)這些化合物可單獨(dú)或者組合用于光電導(dǎo)層中。優(yōu)選光電導(dǎo)層中空穴傳輸材料的量為基于總重量的0.1-70重量％范圍、優(yōu)選0.5-50重量％范圍。當(dāng)空穴傳輸材料的量在該范圍內(nèi)時(shí)，光電導(dǎo)體的性能以及光電導(dǎo)層的強(qiáng)度是優(yōu)異的。本發(fā)明的光電導(dǎo)體包括由式(1)表示的聯(lián)苯醌化合物以及由式(2)表示的空穴傳輸材料，而且也可以將其它電荷傳輸材料添加到本發(fā)明的電子照相感光體中。在這種情況下，靈敏度提高并且剩余電位降低，結(jié)果，本發(fā)明的電子照相感光體的特性得以改善?？蓪⒆鳛殡姾蓚鬏敳牧系膶?dǎo)電高分子化合物添加到電子照相感光體中以改善該感光體的特性。導(dǎo)電聚合物的實(shí)例包括聚乙烯基?？ㄟ?、卣化的聚乙烯基呻唑、聚乙烯基芘、聚乙烯基吲哚并喹喔啉(polyvinylindoloquinoxaline)、聚乙烯基苯并噻吩、聚乙烯基蒽、聚乙烯基吖啶、聚乙烯基吡唑啉、聚乙炔、聚p塞吩、聚吡咯、聚亞苯基、聚亞苯亞乙烯基(polyphenylenevinylene)、聚異石克茚(polyisothianaphtene)、聚苯胺、聚二乙炔、聚庚二烯、聚吡啶二基(polypyridinediyl)、聚喹啉、聚苯硫醚、聚二茂纟失(polyferrocenylene)、聚周萘(polyperinaphthylene)、和聚酞菁。低分子量化合物也可用于此用途，所述低分子量化合物包括多環(huán)芳族化合物，如蒽、芘和菲；含氮雜環(huán)化合物，如吲咮、呼唑和咪唑；芴酮、藥、嚅二唑、喝唑、吡唑啉、腙、三苯基曱烷、三苯基胺、烯胺和芪(stilbene)化合物。還使用通過用金屬離子如Li離子對(duì)聚合物如聚氧化乙烯、聚氧化丙烯、聚丙晞腈、聚曱基丙烯酸進(jìn)行摻雜獲得的聚合物固體電解質(zhì)。此外，也可使用由電子給體化合物和電子受體化合物所組成的電子轉(zhuǎn)移有機(jī)絡(luò)合物(organicelectron-transfercomplex),所述絡(luò)合物以四石危富瓦烯-四氰基醌二曱烷為代表。這些化合物可獨(dú)立地添加或者作為兩種或更多種化合物的混合物添加以獲得所需感光特性。可用于形成感光層3的粘合劑樹脂的實(shí)例包括聚碳酸酯樹脂、苯乙烯樹脂、丙烯酸類樹脂、苯乙烯-丙烯酸類樹脂、乙烯-乙酸乙烯酯樹脂、聚丙烯樹脂、氯乙烯樹脂、氯化聚醚、氯乙烯-乙酸乙烯酯樹脂、聚酯樹脂、呋喃樹脂、腈類樹脂、醇酸樹脂、聚縮醛樹脂、聚曱基戊烯樹脂、聚酰胺樹脂、聚氨酯樹脂、環(huán)氧樹脂、聚芳酯樹脂、二芳酯樹脂、聚砜樹脂、聚醚砜樹脂、聚芳砜樹脂、有機(jī)硅樹脂、酮樹脂、聚乙烯醇縮丁醛樹脂、聚醚樹脂、酚醛樹脂、EVA(乙烯-乙酸乙蟑酯共聚物)樹脂、ACS(丙烯腈-氯化聚乙烯-笨乙烯)樹脂、ABS(丙烯腈-丁二烯-苯乙烯)樹脂和環(huán)氧芳酯。這些樹脂可單獨(dú)使用或者作為兩種或者更多種樹脂的混合物或共聚物使用。優(yōu)選地，可將具有不同分子量的樹脂混合在一起以增強(qiáng)硬度和耐磨性。用于涂布溶液的溶劑的實(shí)例包括醇，如甲醇、乙醇、l-丙醇、2-丙醇和丁醇；飽和的脂族烴，如戊烷、己烷、庚烷、辛烷、環(huán)己烷和環(huán)庚烷；芳族烴，如曱苯和二曱苯；含氯烴，如二氯甲烷、二氯乙烷、氯仿和氯苯；醚，如二甲基醚、二乙基醚、四氫呋喃(THF)和曱氧基乙醇；酮，如丙酮、曱乙酮、曱基異丁基酮和環(huán)己酮；酯，如甲酸乙酯、曱酸丙酯、乙酸曱酯、乙酸乙酯、乙酸丙酯、乙酸丁酯和丙酸曱酯；N,N-二曱基曱酰胺和二曱基亞砜。這些溶劑可單獨(dú)使用或者作為兩種或者更多種溶劑的混合物使用。為了改善本發(fā)明感光體的感光特性、耐久性或者機(jī)械性能，可將抗氧化劑、UV-吸收劑、自由基清除劑、軟化劑、硬化劑或者交聯(lián)劑添加到用于生產(chǎn)本發(fā)明的感光體的涂布溶液中，只要這些試劑不影響電子照相感光體的特性。通過進(jìn)一步添加分散穩(wěn)定劑、抗沉降劑、防浮劑、流平劑(levelingagent)、消泡劑、增稠劑和平光劑(flattingagent)來改善感光體的最終外^L和涂布溶液的壽命。將樹脂層設(shè)置在導(dǎo)電基底和感光層之間用于增強(qiáng)粘附力、起到防止電流從基底流出的阻擋物作用和覆蓋基底的表面缺陷。所述樹脂層中可使用各種類型的樹脂，包括聚乙烯樹脂、丙烯酸類樹脂、環(huán)氧樹脂、聚碳酸酯樹脂、聚氨酯樹脂、氯乙烯樹脂、乙酸乙烯酯樹脂、聚乙烯醇縮丁^樹脂、聚酰胺樹脂和尼龍樹脂。所述樹脂層可僅由單一樹脂形成，或者其可由兩種或者更多種樹脂的混合物形成。而且，可將金屬氧化物和碳分散在該樹脂層中。所述樹脂層可包含氧化鋁。此外，可在感光層3上提供表面防護(hù)層。所述表面防護(hù)層可為由聚乙烯醇縮曱醛樹脂、聚碳酸酯樹脂、氟樹脂、聚氨酯樹脂或者有機(jī)硅樹脂形成的有機(jī)膜，或者其可為由從硅烷偶聯(lián)劑的水解得到的硅氧烷結(jié)構(gòu)體形成的膜。這樣，提高了所述感光體的耐久性。所述表面防護(hù)層還可起到改善除耐久性之外的功能的作用。已經(jīng)從總體上描述了本發(fā)明，進(jìn)一步的理解可以通過參照本文中所提供的僅用于說明目的而不意圖為限制性的某些具體實(shí)施例而獲得。在以下實(shí)施例中的描述中，除非另有說明，數(shù)目表示重量份之比。實(shí)施例[聯(lián)苯醌化合物的制造實(shí)施例]聯(lián)苯醌化合物按如下獲得。將30.0g的2，6-二叔丁基苯酚溶解在300ml氯仿中，加入91.8g高錳酸鉀，并且在約5560。C下攪拌25小時(shí)。在通過過濾將無機(jī)化合物除去之后，將濾液濃縮并且過濾。將殘留物溶解在100ml氯仿中，并且通過加入少量曱醇進(jìn)行重結(jié)晶，并且以72%的產(chǎn)率得到21.5g深紅棕色的聯(lián)苯醌化合物晶體。該晶體的熔點(diǎn)為242-243。C。將3.0g該聯(lián)苯醌化合物的深紅棕色晶體溶解在含有300ml乙酸和120ml氯仿的混合液中，在室溫下在氮?dú)夥罩幸際C1氣體并且通過攪拌進(jìn)行反應(yīng)。在進(jìn)行7小時(shí)的HC1氣體引入之后，在室溫下繼續(xù)攪拌過夜，通過過濾除去沉積物。在將濾液在真空下濃縮之后，加入300ml水并且過濾，得到3.8g黃色晶體。將所述3.8g黃色晶體溶解在25ml曱醇中，然后通過加入少量水進(jìn)行重結(jié)晶，以84%的產(chǎn)率得到2.4g的淺黃色二酚晶體。該晶體的熔點(diǎn)為150~15TC。將2.4g該二酚溶解在180ml氯仿中，并且加入28.0g二氧化鉛，然后在室溫下攪拌3小時(shí)，并且通過過濾將殘留物除去。在濾液濃縮之后，加入20ml曱醇并且將晶體分離出。將該晶體過濾并用曱醇洗滌，以81%的產(chǎn)率得到1.9克紫紅色的由式(la)表示的聯(lián)苯醌化合物晶體。該聯(lián)苯醌化合物的熔點(diǎn)為155~156°C。該反應(yīng)由以下化學(xué)方程式表示t-But-But-Bu通過上述方法生產(chǎn)了用于以下實(shí)施例中的由式(la)所表示的聯(lián)苯醌化合物。[鈦氧基酞菁的制造實(shí)施例]在氮?dú)饬髦?，?.5ml四氯化鈦在5分鐘內(nèi)滴加至64.4g鄰苯二曱腈(phthalodinitrile)和150mla-氯萘的混合物中。滴加之后，將混合物在覆套式加熱器(mantleheater)中加熱至200°C2小時(shí)以完成反應(yīng)。將沉淀過濾，并且將濾餅用a-氯萘清洗，然后用氯仿清洗，并且進(jìn)一步用甲醇清洗。之后，經(jīng)清洗的濾餅通過《吏用60ml濃氨水和60ml離子交換水的混合物在沸點(diǎn)下水解10小時(shí)而處理。然后，經(jīng)水解的混合物在室溫下進(jìn)行抽濾。通過倒入離子交換水而對(duì)所得濾餅進(jìn)行清洗。持續(xù)清洗至濾液離子交換水變?yōu)橹行?。然后，所述濾餅用甲醇進(jìn)一步清洗，并且通過90。C的熱空氣千燥10小時(shí)。所得產(chǎn)物為64.6g藍(lán)紫色的結(jié)晶鈦氧基酞菁粉末。將所得粉末溶解在約為其體積IO倍的濃硫酸中，然后倒入水中以產(chǎn)生沉淀，之后對(duì)混合物進(jìn)行過濾并且得到濕濾餅。對(duì)30g濕濾餅持續(xù)清洗至濾液離子交換水變?yōu)橹行裕瑥亩玫?9g鈦氧基酞菁的濕濾餅。將10g該濕濾餅與500ml四氫呋喃一起攪拌30分鐘并且過濾。四氪呋喃的溫度為-5。C。對(duì)濾液進(jìn)行干燥并且得到9.5g鈦氧基酞菁。該鈦氧基酞菁在27.3±0.2°的布拉格角(2e)處具有CuKal.542A的主衍射峰(圖2)。對(duì)10g該濕濾餅進(jìn)行干燥。該鈦氧基酞菁在7.5°和28.8°的布拉格角(2G)處具有CuKal.542A的寬衍射峰(圖3)。實(shí)施例1將通過該制造實(shí)施例生產(chǎn)的、具有27.3±0.2°的布拉格角(26)(圖2)的0.4g該Y型鈦氧基酞菁與10ml玻璃珠和100ml四氫呋喃一起在涂料振動(dòng)器(paintshaker)上分散5小時(shí)。通過過濾除去玻璃珠并且得到90ml分散體。然后，添加并且分散9重量份的由式(3a)表示的空穴傳輸材料、6重量份的由式(la)表示的聯(lián)苯醌化合物以及15重量份的Z型聚碳酸酯，從而得到了用于涂布光電導(dǎo)層的分散溶液。將該分散溶液涂布到鋁圓柱體上并且在120。C下干燥1小時(shí)以形成3(Vm厚的光電導(dǎo)層，從而得到單層感光體。實(shí)施例2除了用由式(3b)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例2的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例3除了用由式(3c)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所迷相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例3的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例4除了用由式(4a)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例4的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例5除了用由式(4b)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例5的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例6除了用由式(4c)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例6的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例7除了用由式(2a)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例7的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例8除了用由式(2b)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例8的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例9除了用由式(5a)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例9的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例10除了用由式(5b)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例10的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例11除了用由式(5c)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例11的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例12除了用由式(5d)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例12的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例13除了用由式(lb)所表示的聯(lián)苯醌化合物代替由式(la)所表示的聯(lián)苯醌化合物和用由式(3c)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例13的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例14除了用由式(lb)所表示的聯(lián)苯醌化合物代替由式(la)所表示的聯(lián)苯醌化合物和用由式(4a)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例14的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例15除了用由式(lb)所表示的聯(lián)苯醌化合物代替由式(la)所表示的聯(lián)苯醌化合物和用由式(5a)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例15的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例16除了用由式(3b)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料和用具有由圖3所表示的X射線衍射譜的電荷產(chǎn)生材料代替具有由圖2所表示的X射線衍射譜的電荷產(chǎn)生材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例l，從而獲得實(shí)施例16的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例17除了用由式(4b)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料和用具有由圖3所表示的X射線衍射光譜圖的電荷產(chǎn)生材料代替具有由圖2所表示的X射線衍射光譜圖的電荷產(chǎn)生材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例17的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例18除了用由式(5a)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料和用具有由圖3所表示的X射線衍射光譜圖的電荷產(chǎn)生材料代替具有由圖2所表示的X射線衍射光語圖的電荷產(chǎn)生材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得實(shí)施例18的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例19除了用由式(3b)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料和用由式(10)所表示的二偶氮顏料代替具有由圖2所表示的X射線衍射譜的電荷產(chǎn)生材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例19的電子照相光電導(dǎo)體。(1o)實(shí)施例20除了用由式(5c)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料和用由式(10)所表示的二偶氮顏料代替具有由圖2所表示的X射線衍射譜的電荷產(chǎn)生材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例20的電子照相光電導(dǎo)體。實(shí)施例21除了用由式(2a)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料和用由式(10)所表示的二偶氮顏料代替具有由圖2所表示的X射線衍射譜的電荷產(chǎn)生材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得實(shí)施例21的電子照相光電導(dǎo)體。對(duì)比例1除了用由式(ll)所表示的聯(lián)苯醌化合物代替由式(la)所表示的聯(lián)苯醌化合物之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得對(duì)比例1的電子照相光電導(dǎo)體。H工t-BuH3Ct畫Bu(11)對(duì)比例2除了用由式(ll)所表示的聯(lián)苯醌化合物代替由式(la)所表示的聯(lián)苯醌化合物和用由式(5a)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得對(duì)比例2的電子照相光電導(dǎo)體。對(duì)比例3除了用由式(12)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得對(duì)比例3的電子照相光電導(dǎo)體。CH二N—NCH，(12)對(duì)比例4除了用由式(13)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得對(duì)比例4的電子照相光電導(dǎo)體。H3CCH，H3C4(13)對(duì)比例5除了用由式(14)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,乂人而獲得對(duì)比例5的電子照相光電導(dǎo)體。叫#、\<formula>formulaseeoriginaldocumentpage24</formula>)對(duì)比例6除了用由式(15)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,A^而獲得對(duì)比例6的電子照相光電導(dǎo)體。<formula>formulaseeoriginaldocumentpage25</formula>(15)對(duì)比例7除了用由式(10)所表示的二偶氮顏料代替具有由圖2表示的X射線衍射鐠的電荷產(chǎn)生材料和用由式(15)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1,從而獲得對(duì)比例7的電子照相光電導(dǎo)體。對(duì)比例8除了用由式(10)所表示的二偶氮顏料代替具有由圖2表示的X射線衍射語的電荷產(chǎn)生材料和用由式(12)所表示的空穴傳輸材料代替由式(3a)所表示的空穴傳輸材料之外，以與所述相同的方式重復(fù)實(shí)施例1，從而獲得對(duì)比例8的電子照相光電導(dǎo)體。[單層且?guī)д姷碾娮诱障喙怆妼?dǎo)體的靜電測(cè)試條件]調(diào)整電暈放電器以產(chǎn)生20pA的電暈》文電電流。在應(yīng)用實(shí)施例1到21和對(duì)比例1到8中所制備的電子照相光電導(dǎo)體在黑暗環(huán)境中通過電暈放電帶正電并且測(cè)量各個(gè)感光體的帶電電位。該電位為初始表面電位(VO)。該表面電位表明電子照相光電導(dǎo)體的帶電性。優(yōu)選該表面電位在+600~+800V范圍內(nèi)。之后，對(duì)該電暈放電器進(jìn)行調(diào)整使得電子照相光電導(dǎo)體的表面電位為700V。然后該感光體用具有780nm波長(zhǎng)的光曝光，并且測(cè)量各電子照相感光體的表面電位的絕對(duì)值從+700V減半為+350V的曝光能量。該曝光能量為半衰曝光能量(halfdecayexposure)El/2(W/cm2)。半衰曝光能量反映電子照相感光體的靈敏度。當(dāng)半衰曝光能量較小時(shí)，電子照相感光體更靈敏。優(yōu)選半衰曝光能量為0.45^J/cm2或更少，進(jìn)一步優(yōu)選半衰曝光能量為0.2pJ/cm2或更少。電子照相感光體的表面電位在電子照相感光體的表面電位為700V且以具有780nm波長(zhǎng)的光曝光(曝光能量為2(LiJ/cn^)時(shí)測(cè)量。該表面電位為剩余電位(VL)。該剩余電位表明無衰減時(shí)感光體表面上所殘留的電荷。剩余電位越小越好。優(yōu)選剩余電位為100V或者更小。為了評(píng)價(jià)成像裝置中感光體的穩(wěn)定性，將感光體用60pA電暈放電電流進(jìn)行的充電以及具有780nm波長(zhǎng)的光以2pJ/cm2的曝光能量進(jìn)行的曝光重復(fù)2000次。之后，測(cè)量所用感光體的表面電位。該表面電位為VO'。表面電位的量在VO，和VO之間變化。該變化量為AVO。AVO通過下式計(jì)算△vo=vo，-vo優(yōu)選的是△vo較小。因?yàn)檫@樣的感光體具有高的耐久性。這些性質(zhì)在25。C的溫度和40%的濕度下測(cè)量。結(jié)果示于表1和表2中。表1電子傳輸材料空穴傳輸材料電荷產(chǎn)生材料實(shí)施例1式(la)式(3a)圖2實(shí)施例2式(la)式(3b)圖2實(shí)施例3式(la)式(3c)圖2實(shí)施例4式(la)式(4a)圖2實(shí)施例5式(la)式(4b)圖2實(shí)施例6式(la)式(4c)圖2實(shí)施例7式(la)式(2a)圖2實(shí)施例8式(la)式(2b)圖2實(shí)施例9式(la)式(5a)圖2實(shí)施例10式(la)式(5b)圖2實(shí)施例11式(la)式(5c)圖2實(shí)施例12式(la)式(5d)圖2實(shí)施例13式(lb)式(3c)圖2實(shí)施例14式(lb)式(4a)圖2實(shí)施例15式(lb)式(5a)圖2實(shí)施例16式(la)式(3b)圖3實(shí)施例17式(la)式(4b)圖3實(shí)施例18式(la)式(5a)圖3實(shí)施例19式(la)式(3b)式(io)實(shí)施例20式(la)式(5c)式(io)實(shí)施例21式(la)式(2a)式(io)只十比例1式(11)式(3a)圖2只寸比侈'J2式(11)式(5a)圖2又十比例3式(la)式(12)圖2對(duì)比例4式(la)式(13)圖326<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>表2<table>tableseeoriginaldocumentpage27</column></row><table>VO表示初始表面電4立。△V0表示在vo，和vo之間變化的表面電位的量。El/2表示半衰曝光能量。VL表示剩余電位。實(shí)施例1到實(shí)施例21的光電導(dǎo)體具有小的E1/2，因此它們是靈敏的。而且它們具有小的△VO和VL。另一方面，對(duì)比例1和對(duì)比例2的光電導(dǎo)體不具有足夠的電荷傳輸，因此靈敏度不足。因?yàn)閷?duì)比例中所用的電子傳輸材料不具有對(duì)稱結(jié)構(gòu)。并且由于電荷截留，因此AVO高。對(duì)比例3到對(duì)比例8的光電導(dǎo)體不具有足夠的電荷傳輸，因此靈敏度不足。VL和AVO不夠低。在完整描述本發(fā)明后，本領(lǐng)域普通技術(shù)人員將明晰，在不偏離本文中所闡述的本發(fā)明的精神和范圍的情況下可對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種變化和修改。權(quán)利要求1.電子照相光電導(dǎo)體，包括導(dǎo)電載體和其上的光電導(dǎo)層，其中所述光電導(dǎo)層包括電荷產(chǎn)生材料、電子傳輸材料和空穴傳輸材料，其中所述電子傳輸材料為由下式(1)所表示的聯(lián)苯醌化合物和所述空穴傳輸材料為由下式(2)所表示的化合物其中R1-R3獨(dú)立地表示飽和的烴基，R7-R11獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、或者取代或未取代的雜環(huán)基團(tuán)，d為0或1的整數(shù)，Z表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基、或者由下式(Z)表示的基團(tuán)，或者R7和Z限定稠合到式(2)的芳環(huán)的環(huán)，R12和R13獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、取代或未取代的芳基，p為0或1的整數(shù)2.權(quán)利要求1的電子照相光電導(dǎo)體，其中所述聯(lián)苯醌化合物為由下式(la)表示的化合物<image>imageseeoriginaldocumentpage3</image>其中t-Bu表示叔丁基。3.權(quán)利要求l或2的電子照相光電導(dǎo)體，其中所述空穴傳輸材料為由下式(3)所表示的化合物<image>imageseeoriginaldocumentpage3</image>其中R15-R18獨(dú)立地表示氫原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。4.權(quán)利要求1或2的電子照相光電導(dǎo)體，其中所述空穴傳輸材料為由下式(4)表示的化合物<image>imageseeoriginaldocumentpage3</image>其中R19-R22獨(dú)立地表示氫原子、取代或者未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。5.權(quán)利要求1或2的電子照相光電導(dǎo)體，其中所述空穴傳輸材料為由下式(5)表示的化合物<image>imageseeoriginaldocumentpage4</image>其中R30-R32獨(dú)立地表示氬原子、取代或未取代的烷基、取代或未取代的烷氧基、或者取代或未取代的芳基。6.權(quán)利要求1-5中任一項(xiàng)的電子照相光電導(dǎo)體，其中所述電荷產(chǎn)生材料為鈦氧基酞菁。7.權(quán)利要求1-6中任一項(xiàng)的電子照相光電導(dǎo)體，其中所述鈦氧基酞菁在27.3±0.2°的布拉格(20)角處具有CuKa1.542A的主衍射峰。全文摘要本發(fā)明涉及電子照相光電導(dǎo)體，其包括導(dǎo)電載體和設(shè)置在其上的光電導(dǎo)層，其中所述光電導(dǎo)層包括電荷產(chǎn)生材料、電子傳輸材料和空穴傳輸材料，所述電子產(chǎn)生材料為由本文中所描述的式(1)表示的聯(lián)苯醌化合物，所述空穴傳輸材料為由本文中所述的式(2)表示的化合物。文檔編號(hào)G03G5/06GK101604125SQ200910145940公開日2009年12月16日申請(qǐng)日期2009年6月11日優(yōu)先權(quán)日2008年6月11日發(fā)明者下山啟介,內(nèi)田忠良,山本幸輔,栗本銳司,池上孝彰,篠原巧,鈴木一申請(qǐng)人:株式會(huì)社理光