專利名稱：具有帶粘彈性阻尼層的夾盤的光刻設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種光刻設(shè)備和用于該光刻設(shè)備的夾盤。
背景技術(shù)：
光刻設(shè)備是一種將所需圖案應(yīng)用到襯底上，通常是襯底的目標(biāo)部分上
的機(jī)器。例如，可以將光刻設(shè)備用在集成電路(ic)的制造中。在這種情
況下，可以將可選地稱為掩?；蜓谀０?reticle)的圖案形成裝置用于生成在 所述IC的單層上待形成的電路圖案?？梢詫⒃搱D案成像到襯底(例如， 硅晶片)上的目標(biāo)部分(例如，包括一部分管芯、 一個或多個管芯)上。 通常，圖案的轉(zhuǎn)移是通過把圖案成像到提供到襯底上的輻射敏感材料(抗 蝕劑)層上進(jìn)行的。通常，單獨(dú)的襯底將包含被連續(xù)形成圖案的相鄰目標(biāo) 部分的網(wǎng)絡(luò)。公知的光刻設(shè)備包括所謂的步進(jìn)機(jī)，在步進(jìn)機(jī)中，通過將 全部圖案一次曝光到所述目標(biāo)部分上來輻射每一個目標(biāo)部分；以及所謂的 掃描器，在掃描器中，通過輻射束沿給定方向("掃描"方向)掃描所述 圖案、同時沿與該方向平行或反向平行的方向掃描所述襯底來輻射每一個 目標(biāo)部分。也可能通過將圖案壓印(imprinting)到襯底的方式從圖案形成 裝置將圖案轉(zhuǎn)移到襯底上。
夾盤可以用作圖案形成裝置臺的一部分，以將圖案形成裝置保持并定 位在圖案形成裝置臺的相應(yīng)的支撐結(jié)構(gòu)上。夾盤也用作襯底臺的一部分， 以將襯底保持并定位在襯底臺的相應(yīng)的臺上。當(dāng)將要從圖案形成裝置轉(zhuǎn)移 朝向襯底的圖案變得越來越小時，對光刻設(shè)備的各種部件的要求提高了。 特別地，夾盤定位容差減小，這直接影響到用于臺的定位控制系統(tǒng)。
為了驅(qū)動和定位物體(例如圖案形成裝置，重量不大于0.5千克)，通 常希望使用大約10-15千克的夾盤。對于這樣的夾盤，期望利用大約一千 千克重的臺以精確地驅(qū)動和定位圖案形成裝置。為了以合理的成本獲得高產(chǎn)量，夾盤的重量可以減小。例如，夾盤可以構(gòu)造成內(nèi)部具有肋的盒子結(jié) 構(gòu)的玻璃塊。所得的輕量的夾盤能夠?qū)崿F(xiàn)更輕的部件設(shè)置于整個臺，顯著 地降低了成本并且提高了產(chǎn)量。
然而，通常這樣的具有高的自然頻率的極輕量的結(jié)構(gòu)具有非常差的阻 尼性質(zhì)。這種差的阻尼性質(zhì)限制了最適宜的高的臺伺服系統(tǒng)帶寬。
發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明旨在改善臺伺服系統(tǒng)帶寬，使得可以將交疊和衰落(fading) 進(jìn)一步推至物理極限。同時，期望能進(jìn)一步提高產(chǎn)量。更具體地，期望構(gòu) 造夾盤作為具有高的自然頻率并且具有良好的阻尼性質(zhì)的極輕量結(jié)構(gòu)。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，提供一種光刻設(shè)備，所述光刻設(shè)備包括構(gòu)造
成調(diào)節(jié)輻射束的照射系統(tǒng)；圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)，所述圖案形成裝置支 撐結(jié)構(gòu)構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫 截面上賦予到輻射束以形成圖案化的輻射束；襯底臺，所述襯底臺構(gòu)造成 保持襯底；投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)構(gòu)造成將圖案化的輻射束投影到襯底 的目標(biāo)部分上；和夾盤，所述夾盤構(gòu)造成將圖案形成裝置保持和定位到圖 案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)上或?qū)⒁r底保持和定位在襯底臺上，所述夾盤包括基 部和與其連接的限制層，并且其中在基部和限制層之間設(shè)置包括粘彈性材 料的阻尼層。
在本發(fā)明的另一實(shí)施例中，提供一種夾盤，所述夾盤通常構(gòu)造成保持 和定位物體，所述夾盤包括基部和與其連接的限制層，其中在基部和限制 層之間設(shè)置包括粘彈性材料的阻尼層。
下面參考示意的附圖僅以示例的方式對本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)行描述，在
附圖中對應(yīng)的附圖標(biāo)記表示對應(yīng)的部件，在附圖中 圖1示出根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的光刻設(shè)備；
圖2a示意地顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有基部、粘彈性阻尼層和 限制層的夾盤的分解圖2b是對應(yīng)于圖2a的視圖，其中基部、粘彈性阻尼層和限制層粘結(jié)
5在一起；
圖3示意地顯示了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有分塊的層的夾盤；和
圖4示意地示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的具有第一限制層、粘彈性阻尼
層和第二限制層的疊層的夾盤，其中所述疊層將要安裝在基部部分上，兩
者同處于非變形狀態(tài)或變形狀態(tài)。
具體實(shí)施例方式
圖1示意地示出了根據(jù)本發(fā)明的一個實(shí)施例的一種光刻設(shè)備。所述光 刻設(shè)備1包括配置用于調(diào)節(jié)輻射束B (例如，紫外(UV)輻射或任何其 他合適的輻射)的照射系統(tǒng)(照射器)IL，構(gòu)造用于支撐圖案形成裝置(例 如掩模)MA并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位圖案形成裝置的第 一定位裝置PM相連的圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)或支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺) MT。所述設(shè)備還包括配置用于保持襯底(例如涂覆有抗蝕劑的晶片)W 并與配置用于根據(jù)確定的參數(shù)精確地定位襯底的第二定位裝置PW相連的 襯底臺(例如晶片臺)WT或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"。所述設(shè)備還包括配置用于 將由圖案形成裝置MA賦予輻射束B的圖案投影到襯底W的目標(biāo)部分C (例如包括一根或多根管芯)上的投影系統(tǒng)(例如折射式投影透鏡系統(tǒng)) PS。
所述照射系統(tǒng)可以包括各種類型的光學(xué)部件，例如折射型、反射型、 磁性型、電磁型、靜電型或其它類型的光學(xué)部件、或其任意組合，以引導(dǎo)、 成形、或控制輻射。
所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)以依賴于圖案形成裝置的取向、光刻設(shè)備 的設(shè)計(jì)以及諸如圖案形成裝置是否保持在真空環(huán)境中等其他條件的方式 保持圖案形成裝置。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可以采用機(jī)械的、真空的、 靜電的或其他卡盤技術(shù)保持圖案形成裝置。所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可 以是框架或臺，例如，其可以根據(jù)需要成為固定的或可移動的。所述圖案 形成裝置支撐結(jié)構(gòu)可以確保圖案形成裝置位于所需的位置上(例如相對于 投影系統(tǒng))。在這里任何使用的術(shù)語"掩模版"或"掩模"都可以認(rèn)為與 更上位的術(shù)語"圖案形成裝置"同義。
這里所使用的術(shù)語"圖案形成裝置"應(yīng)該被廣義地理解為表示能夠用于將圖案在輻射束的橫截面上賦予輻射束，以便在襯底的目標(biāo)部分上形成 圖案的任何裝置。應(yīng)當(dāng)注意，賦予輻射束的圖案可能不與在襯底的目標(biāo)部 分上所需的圖案完全相符(例如如果該圖案包括相移特征或所謂輔助特 征)。通常，賦予輻射束的圖案將與在目標(biāo)部分上形成的器件中的特定的 功能層相對應(yīng)，例如集成電路。
圖案形成裝置可以是透射式的或反射式的。圖案形成裝置的示例包括
掩模、可編程反射鏡陣列以及可編程液晶顯示(LCD)面板。掩模在光刻
中是公知的，并且包括諸如二元掩模類型、交替型相移掩模類型、衰減型 相移掩模類型和各種混合掩模類型之類的掩模類型?？删幊谭瓷溏R陣列的 示例采用小反射鏡的矩陣布置，可以獨(dú)立地傾斜每一個小反射鏡，以便沿 不同方向反射入射的輻射束。所述己傾斜的反射鏡將圖案賦予由所述反射 鏡矩陣反射的輻射束。
應(yīng)該將這里使用的術(shù)語"投影系統(tǒng)"廣義地解釋為包括任意類型的投 影系統(tǒng)，包括折射型、反射型、反射折射型、磁性型、電磁型和靜電型光 學(xué)系統(tǒng)、或其任意組合，如對于所使用的曝光輻射所適合的、或?qū)τ谥T如 使用浸沒液或使用真空之類的其他因素所適合的。這里使用的任何術(shù)語 "投影透鏡"可以認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"投影系統(tǒng)"同義。
如這里所示的，所述設(shè)備是透射型的(例如，采用透射式掩模)。替 代地，所述設(shè)備可以是反射型的(例如，采用如上所述類型的可編程反射 鏡陣列，或采用反射式掩模)。
所述光刻設(shè)備可以是具有兩個(雙臺)或更多襯底臺或"襯底支撐結(jié) 構(gòu)"(和/或兩個或更多的掩模臺或"掩模支撐結(jié)構(gòu)")的類型。在這種"多 臺"機(jī)器中，可以并行地使用附加的臺或支撐結(jié)構(gòu)，或可以在將一個或更 多個其它臺用于曝光的同時，在一個或更多個臺或支撐結(jié)構(gòu)上執(zhí)行預(yù)備步 驟。
光刻設(shè)備也可以是這種類型，其中襯底的至少一部分被具有相對較高 的折射率的液體覆蓋，例如水，以充滿投影系統(tǒng)和襯底之間的空隙。浸沒 液體也可以應(yīng)用到光刻設(shè)備的其他空隙，例如在掩模和投影系統(tǒng)之間的空 隙。浸沒技術(shù)能夠用于提高投影系統(tǒng)的數(shù)值孔徑。這里用到的術(shù)語"浸沒" 并不意味著結(jié)構(gòu)(例如襯底)必須浸入到液體中，僅意味著曝光過程中液體位于投影系統(tǒng)和襯底之間。
參照圖l，所述照射器IL接收從輻射源SO發(fā)出的輻射束。該源和所述
光刻設(shè)備可以是分立的實(shí)體(例如當(dāng)該源為準(zhǔn)分子激光器時)。在這種情 況下，不會將該源考慮成光刻設(shè)備的組成部分，而是通過包括例如合適的
定向反射鏡和/或擴(kuò)束器的束傳遞系統(tǒng)BD的幫助，將所述輻射從所述源SO 傳到所述照射器IL。在其他情況下，所述源可以是所述光刻設(shè)備的組成部 分(例如當(dāng)所述源是滎燈時)?？梢詫⑺鲈碨O和所述照射器IL、以及如 果需要時的所述束傳遞系統(tǒng)BD—起稱作輻射系統(tǒng)。
所述照射器IL可以包括用于調(diào)整所述輻射束的角強(qiáng)度分布的調(diào)整器 AD。通常，可以對所述照射器的光瞳平面中的強(qiáng)度分布的至少所述外部 和/或內(nèi)部徑向范圍(一般分別稱為"-外部和a-內(nèi)部)進(jìn)行調(diào)整。此外， 所述照射器IL可以包括各種其他部件，例如積分器IN和聚光器CO。所述 照射器可以用來調(diào)節(jié)所述輻射束，以在其橫截面中具有所需的均勻度和強(qiáng) 度分布。
所述輻射束B入射到保持在圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如，掩模臺) MT上的所述圖案形成裝置(例如，掩模)MA上，并且通過所述圖案形成 裝置來形成圖案。己經(jīng)穿過圖案形成裝置MA之后，所述輻射束B通過投影 系統(tǒng)PS，所述PS將輻射束聚焦到所述襯底W的目標(biāo)部分C上。通過第二定 位裝置PW和位置傳感器IF (例如，干涉儀器件、線性編碼器或電容傳感 器)的幫助，可以精確地移動所述襯底臺WT，例如以便將不同的目標(biāo)部 分C定位于所述輻射束B的路徑中。類似地，例如在從掩模庫的機(jī)械獲取之 后，或在掃描期間，可以將所述第一定位裝置PM和另一個位置傳感器(在 圖l中未明確地示出)用于將圖案形成裝置(例如掩模)MA相對于所述輻 射束B的路徑精確地定位。通常，可以通過形成所述第一定位裝置PM的一 部分的長行程模塊(粗定位)和短行程模塊(精定位)的幫助來實(shí)現(xiàn)圖案 形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT的移動。類似地，可以采用形成所 述第二定位裝置PW的一部分的長行程模塊和短行程模塊來實(shí)現(xiàn)所述襯底 臺WT或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"的移動。在步進(jìn)機(jī)的情況下(與掃描器相反)， 所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT可以僅與短行程致動器相 連，或可以是固定的?？梢允褂醚谀?zhǔn)標(biāo)記M1、 M2和襯底對準(zhǔn)標(biāo)記P1、P2來對準(zhǔn)圖案形成裝置(例如掩模)MA和襯底W。盡管所示的襯底對準(zhǔn) 標(biāo)記占據(jù)了專用的目標(biāo)部分，但是他們可以位于目標(biāo)部分之間的空間(這 些公知為劃線對齊標(biāo)記)上。類似地，在將多于一個的管芯設(shè)置在掩模
MA上的情況下，所述掩模對準(zhǔn)標(biāo)記可以位于所述管芯之間。
可以將所述設(shè)備用于以下模式的至少一種
1. 在步進(jìn)模式中，在將賦予所述輻射束的整個圖案一次投影到目標(biāo)部
分C上的同時，將圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT或"掩模支 撐結(jié)構(gòu)"和襯底臺WT或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"保持為基本靜止(即，單一的 靜態(tài)曝光)。然后將所述襯底臺WT或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"沿X和/或Y方向 移動，使得可以對不同目標(biāo)部分C曝光。在步進(jìn)模式中，曝光場的最大尺 寸限制了在單一的靜態(tài)曝光中成像的所述目標(biāo)部分C的尺寸。
2. 在掃描模式中，在將賦予所述輻射束的圖案投影到目標(biāo)部分C上 的同時，對圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模臺)MT或"掩模支撐結(jié)構(gòu)" 和襯底臺WT或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"同步地進(jìn)行掃描(g卩，單一的動態(tài)曝光)。 襯底臺WT或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"相對于圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)(例如掩模 臺)MT或"掩模支撐結(jié)構(gòu)"的速度和方向可以通過所述投影系統(tǒng)PS的
(縮小)放大率和圖像反轉(zhuǎn)特征來確定。在掃描模式中，曝光場的最大尺 寸限制了單一的動態(tài)曝光中的所述目標(biāo)部分的寬度(沿非掃描方向)，而 所述掃描移動的長度確定了所述目標(biāo)部分的高度(沿所述掃描方向)。
3. 在另一個模式中，將用于保持可編程圖案形成裝置的圖案形成裝置 (例如掩模臺)MT保持為基本靜止?fàn)顟B(tài)，并且在將賦予所述輻射束的圖
案投影到目標(biāo)部分C上的同時，對所述襯底臺WT或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"進(jìn)行 移動或掃描。在這種模式中，通常采用脈沖輻射源，并且在所述襯底臺 WT或"襯底支撐結(jié)構(gòu)"的每一次移動之后、或在掃描期間的連續(xù)輻射脈 沖之間，根據(jù)需要更新所述可編程圖案形成裝置。這種操作模式可易于應(yīng) 用于利用可編程圖案形成裝置(例如，如上所述類型的可編程反射鏡陣列) 的無掩模光刻中。
也可以采用上述使用模式的組合和/或變體，或完全不同的使用模式。 在圖2-5中，示意地示出了通常用在光刻設(shè)備(例如，如圖1所示) 中的夾盤l。夾盤1構(gòu)造用于將圖案形成裝置保持在圖案形成裝置(例如掩模臺)MT上，或?qū)⒁r底保持在襯底臺WT上。夾盤還用于在光刻設(shè)備
中保持和定位其他物體，例如反射鏡。夾盤l包括由玻璃材料制成的基部
2?；?構(gòu)造成輕量的具有內(nèi)部肋的盒子。此外，夾盤1包括阻尼層8 和由玻璃材料制成的限制層9的疊層6。該疊層6使用(例如)合適的粘 結(jié)劑連接到基部2。疊層6的各個層彼此連接，特別地，也通過合適的粘 結(jié)劑連接。疊層6構(gòu)造成增加阻尼到那些相對于限制層9使交界基部表面 經(jīng)受高應(yīng)變、使得阻尼層8中具有高切變的模式。
根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，阻尼層8包括粘彈性材料，特別是粘彈性聚合 物層，例如橡皮。在圖2中，粘彈性阻尼層8和限制層9基本上在基部2 的整個上側(cè)延伸。然而，應(yīng)該認(rèn)識到，這些層并不需要覆蓋基部2的整個 上側(cè)。例如，在實(shí)施例中，在將要被阻尼的模態(tài)下經(jīng)受相對高的應(yīng)變的基 部的多半個表面(但少于整個表面)被覆蓋。
具有限制層9和粘彈性阻尼層8的疊層6的結(jié)構(gòu)給予基部2剛性、高 本征頻率和合適的阻尼特性。夾盤1的整個結(jié)構(gòu)現(xiàn)在是輕量的和抗彎曲的， 同時具有良好的阻尼性質(zhì)，并因此使得有可能進(jìn)一步優(yōu)化伺服系統(tǒng)帶寬。 粘彈性阻尼層8使得有可能吸收(take up)并阻尼基部表面和限制層表面 之間的相對變形差異。這將切變加載給阻尼層，為此阻尼層具有高的阻尼 性能。通過這種技術(shù)，不但能夠阻尼全面彎曲模式，也能阻尼局部板模式。 此外，發(fā)生在折疊頻率(采樣頻率的一半)之上的局部板模式可以被折疊 回到限制伺服系統(tǒng)帶寬的頻率范圍內(nèi)。
粘彈性阻尼層8具有大約10(M00(Him之間的厚度。在實(shí)施例中，粘 彈性阻尼層8接近20(Vm厚。限制層9具有大約0.5-5mm之間的厚度。 限制層9接近lmm厚?；?可以具有大約40-70mm之間的厚度。在實(shí) 施例中，基部2接近55mm厚，其內(nèi)部肋4具有2-6mm之間的厚度，并 且特別是接近3mm厚。
優(yōu)選地，限制層9的彈性模量高于粘彈性阻尼層8的彈性模量至少10 倍。如果用粘結(jié)劑來連接這些層，優(yōu)選地，限制層9的彈性模量高于粘結(jié) 劑的彈性模量，依次地粘結(jié)劑的彈性模量高于粘彈性阻尼層8的彈性模量。 期望的是，粘結(jié)劑的剪切模量足夠高，以能夠在阻尼過程中承載(load) 粘彈性阻尼層8。
10限制層9可以設(shè)置成在其頂面具有縱向的切口 12 (cut)。優(yōu)選地，切 口 12延伸穿過層9的整個厚度。如果需要的話，切口還可以一定程度延 伸到粘彈性阻尼層8中。切口 12有助于防止由于粘彈性阻尼層8的松弛 和/或蠕變帶來的夾盤1的漂移。例如，在利用熱溶化的粘結(jié)劑使各個層 彼此連接的過程中這還是有利于的，并且阻止在操作過程中由于溫度變化 帶來的夾盤變形。
如圖3所示，還有可能具有多個小塊15，每個小塊包括阻尼層和限制 層的疊層。這里的這些小塊15僅覆蓋基部的大部分重要的部分，特別地， 每個小塊15覆蓋在應(yīng)該被阻尼的模態(tài)中顯示出高應(yīng)力的表面。這己經(jīng)有 益地改善了這樣形成的整個夾盤的第一階扭轉(zhuǎn)和彎曲性質(zhì)。尤其地，粘彈 性阻尼層和限制層(的多個小塊)至少覆蓋具有相對高的應(yīng)變的基部表面 上側(cè)的一半。
如圖4所示，還有可能構(gòu)造第一上限制層20、粘彈性阻尼層21和第 二下限制層22的疊層，這些層彼此用粘結(jié)劑24連接，疊層與將要連接疊 層的基部(未示出) 一起形成夾盤。此外，在這種情形中，粘彈性阻尼層 21能夠吸收(takeup)基部和這些層的疊層之間的適量的剪切變形。
除了示出的實(shí)施例，應(yīng)該認(rèn)識到，是可能有許多不同的實(shí)施例。例如， 根據(jù)本發(fā)明的夾盤也可以用在不包括投影光學(xué)元件的光刻工具中，例如接 觸光刻工具，也用在無掩模光刻工具和具有投影光學(xué)元件設(shè)計(jì)的基本上與 本示例不同的光刻工具中。代替將限制層-粘彈性阻尼層的疊層和可能的其 他限制層連接在基部部分的頂部，還有可能直接地通過粘彈性粘結(jié)劑將限 制層(例如玻璃蓋)連接在基部部分上。在那種情況中，粘彈性粘結(jié)劑形 成能夠吸收(takeup)基部和限制層之間的適量的剪切變形的粘彈性阻尼 層。
代替玻璃，基部和/或限制層也可以由其他材料形成，類似(例如)陶 瓷材料或合適的金屬?；窟€可以以其他方式構(gòu)造成輕量，例如通過其他 類型的開口結(jié)構(gòu)，例如包括其間具有孔的多個插腳。粘彈性阻尼層還可以 由其他材料形成，例如兩面粘結(jié)的粘彈性箔片。
除了或代替在夾盤的基部部分的上側(cè)處提供本發(fā)明，粘彈性阻尼層和 限制層的組件還可以位于基部部分的其他側(cè)面。雖然在本文中詳述了光刻設(shè)備在制造ICS (集成電路)中的應(yīng)用，但 是應(yīng)該理解到這里所述的光刻設(shè)備可以有其他的應(yīng)用，例如制造集成光學(xué)
系統(tǒng)、磁疇存儲器的引導(dǎo)和檢測圖案、平板顯示器、液晶顯示器(LCDs)、
薄膜磁頭等。本領(lǐng)域技術(shù)人員應(yīng)該看到，在這種替代應(yīng)用的情況中，可以 將其中使用的任意術(shù)語"晶片"或"管芯"分別認(rèn)為是與更上位的術(shù)語"襯 底"或"目標(biāo)部分"同義。這里所指的襯底可以在曝光之前或之后進(jìn)行處 理，例如在軌道(一種典型地將抗蝕劑層涂覆到襯底上，并且對己曝光的 抗蝕劑進(jìn)行顯影的工具)、量測工具和/或檢驗(yàn)工具中。在可應(yīng)用的情況 下，可以將所述公開內(nèi)容應(yīng)用于這種和其他襯底處理工具中。另外，所述
襯底可以處理一次以上，例如為產(chǎn)生多層IC，使得這里使用的所述術(shù)語"襯
底"也可以表示已經(jīng)包含多個已處理層的襯底。
盡管以上己經(jīng)做出了具體的參考，在光學(xué)光刻的情況中使用本發(fā)明的 實(shí)施例，但應(yīng)該理解的是，本發(fā)明的實(shí)施例可以有其它的應(yīng)用，例如壓印 光刻，并且只要情況允許，不局限于光學(xué)光刻。在壓印光刻中，圖案形成 裝置中的拓?fù)湎薅嗽谝r底上產(chǎn)生的圖案?？梢詫⑺鰣D案形成裝置的拓 撲印刷到提供給所述襯底的抗蝕劑層中，在其上通過施加電磁輻射、熱、 壓力或其組合來使所述抗蝕劑固化。在所述抗蝕劑固化之后，所述圖案形 成裝置從所述抗蝕劑上移走，并在抗蝕劑中留下圖案。
這里使用的術(shù)語"輻射"和"束"包含全部類型的電磁輻射，包括
紫外(UV)輻射(例如具有約365、 248、 193、 157或126 nm的波長) 和深紫外(EUV)輻射(例如具有5-20nm范圍的波長)以及粒子束，例 如離子束或電子束。
這里使用的術(shù)語"透鏡"可以認(rèn)為是一個或多種類型的光學(xué)元件的組 合體，包括折射型、反射型、磁學(xué)型、電磁型和靜電型光學(xué)部件。
上面己經(jīng)描述了本發(fā)明的特定的實(shí)施例，但應(yīng)該理解本發(fā)明可以以除 上面所述以外的方式來實(shí)現(xiàn)。
上面描述的內(nèi)容是例證性的，而不是限定的。因而，應(yīng)該認(rèn)識到，本 領(lǐng)域的技術(shù)人員在不脫離給出本發(fā)明的權(quán)利要求的范圍，可以對上述本發(fā) 明進(jìn)行更改。
1權(quán)利要求
1.一種光刻設(shè)備，其包括照射系統(tǒng)，所述照射系統(tǒng)構(gòu)造成調(diào)節(jié)輻射束；圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)，所述圖案形成裝置支撐結(jié)構(gòu)構(gòu)造成支撐圖案形成裝置，所述圖案形成裝置能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予到輻射束以形成圖案化的輻射束；襯底臺，所述襯底臺構(gòu)造成保持襯底；投影系統(tǒng)，所述投影系統(tǒng)構(gòu)造成將圖案化的輻射束投影到所述襯底的目標(biāo)部分上；和夾盤，所述夾盤構(gòu)造用于保持和定位物體，所述夾盤包括基部和限制層，其中在所述基部和所述限制層之間設(shè)置包括粘彈性材料的阻尼層。
2. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述粘彈性材料是至少部分在 所述基部和所述限制層之間延伸并且用粘結(jié)劑連接至其上的粘彈性聚合 物層。
3. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述粘彈性材料是連接所述基 部與所述限制層的粘彈性粘結(jié)劑。
4. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述基部由所述阻尼層、或由 所述限制層或由所述阻尼層和所述限制層兩者覆蓋。
5. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述基部、或所述限制層、或 所述基部和所述限制層兩者都由玻璃或陶瓷制成。
6. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述限制層的彈性模量高于所 述阻尼層的彈性模量。
7. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述限制層包括多個切口。
8. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述阻尼層、或所述限制層、 或所述阻尼層和所述限制層兩者被分成塊。
9. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述阻尼層、或所述限制層、或所述阻尼層和所述限制層兩者覆蓋在將要被阻尼的模態(tài)下顯示高應(yīng)變 的夾盤區(qū)域的一半以上。
10. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述基部被構(gòu)造成為具有內(nèi) 部肋的盒子。
11. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述物體是所述圖案形成裝 置，并且所述夾盤構(gòu)造用于將所述圖案形成裝置保持和定位在所述圖案形 成裝置支撐結(jié)構(gòu)上。
12. 如權(quán)利要求1所述的光刻設(shè)備，其中所述物體是所述襯底，并且所述夾盤構(gòu)造用于將所述襯底保持和定位在所述襯底臺上。
13. —種構(gòu)造用于保持和定位物體的夾盤，所述夾盤包括 基部和限制層，其中在所述基部和所述限制層之間設(shè)置包括粘彈性材料的阻尼層。
14. 如權(quán)利要求13所述的夾盤，其中所述物體是構(gòu)造用于圖案化輻射束的圖案形成裝置。
15. 如權(quán)利要求13所述的夾盤，其中所述物體是構(gòu)造成用輻射束曝光 的襯底。
16. 如權(quán)利要求13所述的夾盤，其中所述粘彈性材料是至少部分在所 述基部和所述限制層之間延伸并且用粘結(jié)劑連接至其上的粘彈性聚合物 層。
17. 如權(quán)利要求13所述的夾盤，其中所述粘彈性材料是連接所述基部 與所述限制層的粘彈性粘結(jié)劑。
18. 如權(quán)利要求13所述的夾盤，其中所述基部由所述阻尼層、或所述 限制層、或所述阻尼層和所述限制層兩者覆蓋。
19. 如權(quán)利要求13所述的夾盤，其中所述基部、或所述限制層、或所 述基部和所述限制層兩者由玻璃或陶瓷制成。
20. 如權(quán)利要求13所述的夾盤，其中所述限制層的彈性模量比所述阻 尼層的彈性模量高。
全文摘要
本發(fā)明提供一種具有帶粘彈性阻尼層的夾盤的光刻設(shè)備，包括構(gòu)造用于調(diào)節(jié)輻射束的照射系統(tǒng)、構(gòu)造成支撐圖案形成裝置的支撐結(jié)構(gòu)、能夠?qū)D案在輻射束的橫截面上賦予輻射束以形成圖案化的輻射束的圖案形成裝置、構(gòu)造成保持襯底的襯底臺、構(gòu)造用于將圖案化的輻射束投影到襯底的目標(biāo)部分的投影系統(tǒng)、構(gòu)造用于保持和定位物體的夾盤，例如將圖案形成裝置保持和定位在支撐結(jié)構(gòu)上或?qū)⒁r底保持和定位在襯底臺上，所述夾盤包括基部和限制層。在基部和限制層之間設(shè)置包括粘彈性材料的阻尼層。
文檔編號G03F7/20GK101515117SQ20091000719
公開日2009年8月26日 申請日期2009年2月19日 優(yōu)先權(quán)日2008年2月21日
發(fā)明者D-J·彼杰沃埃特, P·P·赫姆皮內(nèi)斯, R·I·卡米迪, Y·K·M·德沃斯 申請人:Asml荷蘭有限公司