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測(cè)量和監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法、控片和光掩模的制作方法

文檔序號(hào):2817699閱讀:256來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:測(cè)量和監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法、控片和光掩模的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及光刻工藝,特別是涉及一種測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑(Numerical Aperture, NA)的方法,以及用于此方法的控片(control wafer)及刻度尺標(biāo)記(vernier mark)。
背景技術(shù)
在圖案化工藝中,曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑(NA)是很重要的參數(shù),因其與有關(guān)圖案轉(zhuǎn) 移正確性的解析度(R = 、 A /NA)及聚焦深度(DOF = k2 A /NA2)等參數(shù)直接相關(guān)。因此,集 成電路工藝中所使用的各個(gè)曝光機(jī)臺(tái)須具有相同的數(shù)值孔徑設(shè)定,以使產(chǎn)品的特性一致。
不過(guò),由于各個(gè)曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑多少有些差異,故在使用時(shí)常須加以補(bǔ)償,以 盡量減少差異,而在進(jìn)行補(bǔ)償之前,則須先測(cè)量出各個(gè)曝光機(jī)臺(tái)各自的數(shù)值孔徑。在已知技 術(shù)中,曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑可以用LITEL公司制造的TMAP儀器測(cè)量而得。然而,此種數(shù)值 孔徑測(cè)量?jī)x器價(jià)格十分昂貴,普及率并不高。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供一種測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法。
本發(fā)明并提供一種用于上述方法的控片。 本發(fā)明亦提供一種用以制作控片的光掩模,可使控片具有多個(gè)刻度尺標(biāo),以利測(cè) 量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑(NA)。 本發(fā)明又提供一種監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其是利用本發(fā)明的測(cè)量曝光 機(jī)臺(tái)數(shù)值孔徑的方法來(lái)達(dá)成。 本發(fā)明的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法如下。首先提供控片及像差光掩模,其 中控片上有多個(gè)刻度尺標(biāo)記,像差光掩模上則有多個(gè)針孔(pinhole),每個(gè)針孔的位置對(duì)應(yīng) 一個(gè)刻度尺標(biāo)記的位置。接著使用曝光機(jī)臺(tái)與像差光掩模對(duì)控片進(jìn)行光刻工藝,以在每一 個(gè)刻度尺標(biāo)記上方形成形狀與曝光機(jī)臺(tái)光源的照光圖案相同的光致抗蝕劑圖案,再由光致 抗蝕劑圖案外緣所對(duì)應(yīng)的刻度尺標(biāo)記的刻度求得數(shù)值孔徑。 在實(shí)施例中,上述光致抗蝕劑圖案包括形成于控片上的正光致抗蝕劑層中的至少
一開(kāi)口。 在實(shí)施例中,各刻度尺標(biāo)記包括至少一有刻度線狀圖案。每個(gè)刻度尺標(biāo)記例如是 包括X向有刻度直線圖案、Y向有刻度直線圖案、45。角有刻度直線圖案及-45°角有刻度 直線圖案,四者的中點(diǎn)互相重合。在實(shí)施例中,各刻度尺標(biāo)記的尺寸為0. 1 1. Omm,且任兩相鄰刻度尺標(biāo)記的間距 (pitch)為1. 0 3. 0mm。在實(shí)施例中,各刻度尺標(biāo)記中兩刻度的間距為0. 05 0. 1 y m。
在實(shí)施例中,上述光源為面光源。在另一實(shí)施例中,上述光源為偏軸式光源,其照 光圖案例如為環(huán)狀照光圖案、X偶極照光圖案、Y偶極照光圖案或四極照光圖案。
本發(fā)明的用以制作控片的光掩模上有多個(gè)刻度尺標(biāo)記圖案,其中每一個(gè)對(duì)應(yīng)上述
4控片上的一個(gè)刻度尺標(biāo)記。 本發(fā)明的監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法如下。在依照所需數(shù)值孔徑設(shè)定曝光基 臺(tái)后,使用上述本發(fā)明的曝光機(jī)臺(tái)數(shù)值孔徑測(cè)量方法來(lái)測(cè)量曝光基臺(tái)的實(shí)際數(shù)值孔徑。接 著將實(shí)際數(shù)值孔徑與所需數(shù)值孔徑比較,并根據(jù)比較結(jié)果調(diào)整曝光機(jī)臺(tái),再建立此曝光機(jī) 臺(tái)的數(shù)值孔徑數(shù)據(jù)庫(kù)。 上述數(shù)值孔徑數(shù)據(jù)庫(kù)例如是包含以下數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)所需數(shù)值孔徑的設(shè)定參數(shù)值、實(shí) 際數(shù)值孔徑,以及上述比較與調(diào)整的結(jié)果。 使用本發(fā)明的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)數(shù)值孔徑的方法可容易地求得曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑, 而不須使用昂貴的數(shù)值孔徑測(cè)量?jī)x器。因此,如使用本發(fā)明的測(cè)量方法,即可以低成本建立 廠房中各個(gè)曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑差異的數(shù)據(jù)庫(kù),以作為工藝中機(jī)臺(tái)數(shù)值孔徑補(bǔ)償?shù)囊罁?jù)。
為讓本發(fā)明的上述和其他目的、特征和優(yōu)點(diǎn)更明顯易懂,下文特舉優(yōu)選實(shí)施例,并 配合附圖詳細(xì)說(shuō)明如下。


圖1A、2 5繪示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中圖1A 繪示該方法所使用的控片及其上的刻度尺標(biāo)記,圖2則繪示該方法所使用的像差光掩模。
圖1B繪示用以形成圖1A所示的控片的光掩模。 圖6A 6E繪示本發(fā)明其他實(shí)施例中,對(duì)應(yīng)數(shù)種偏軸光源的照光圖案的數(shù)種光致 抗蝕劑圖案位在刻度尺標(biāo)記上的情形。圖7繪示本發(fā)明實(shí)施例中,監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法的流程圖。附圖標(biāo)記說(shuō)明10 :控片12 :形成刻度尺標(biāo)記陣列的區(qū)域14 :對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記16 :光掩模的透明基板18a/b :刻度尺標(biāo)記/對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記的光掩模圖案20 :像差光掩模22 :針孔40 :曝光機(jī)臺(tái)42 :光源44 :透鏡組100 :刻度尺標(biāo)記102:有刻度直線圖案110 :光致抗蝕劑層112、112a、112b、112c、112d、112e :光致抗蝕劑圖案/開(kāi)口702 712 :步驟標(biāo)號(hào)A-A':剖面線NA工照光數(shù)值孔徑NA^ :透鏡數(shù)值孔徑
具體實(shí)施例方式
圖1A、2 5繪示本發(fā)明優(yōu)選實(shí)施例的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中圖1A 繪示該方法所使用的控片及其上的刻度尺標(biāo)記,圖2則繪示該方法所使用的像差光掩模。
請(qǐng)參照?qǐng)D1A、2,首先提供控片10及像差光掩模20,其中控片10上有排成陣列狀 的多個(gè)刻度尺標(biāo)記IOO,位于中央?yún)^(qū)域12中,像差光掩模上則有同樣排成陣列狀的多個(gè)針 孔22,其中每一個(gè)針孔22的位置對(duì)應(yīng)一個(gè)刻度尺標(biāo)記100的位置。 在實(shí)施例中,控片10上的各個(gè)刻度尺標(biāo)記100包括至少一有刻度線狀圖案,例如 是圖1A所示的有刻度直線圖案102,其材料例如為多晶硅、金屬或氮化硅。如圖1A右放大圖 所示,每一個(gè)刻度尺標(biāo)記100例如是包括X向有刻度直線圖案、Y向有刻度直線圖案、45。 角有刻度直線圖案及-45°角有刻度直線圖案,此四者的中點(diǎn)互相重合。詳言之,在平面象 限中,當(dāng)以X向有刻度直線圖案的右半指向?yàn)?°角時(shí),則其他7個(gè)半條有刻度直線圖案分 別指向45°角、90°角(Y向有刻度直線圖案的上半)、135。角、180°角(X向有刻度直線 圖案的左半)、225。角、270°角(Y向有刻度直線圖案的下半)、315。角,其起點(diǎn)并互相重 合于圖案的中心點(diǎn),而約略形成"米"字狀的刻度尺標(biāo)圖案,如圖1A所示。
另外,各刻度尺標(biāo)記100的尺寸例如為0. 1 1. Omm,優(yōu)選為1. Omm,且任兩相鄰刻 度尺標(biāo)記的間距(pitch)例如為1. 0 3. Omm,優(yōu)選為2. 5mm。各刻度尺標(biāo)記100中兩刻度 的間距例如為0. 05 0. 1 ii m,優(yōu)選為0. 1 ii m。并且,上述刻度數(shù)值亦可依不同需要而做更 動(dòng)。 此外,形成刻度尺標(biāo)記100的區(qū)域12旁邊優(yōu)選形成或多個(gè)對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14,用以對(duì)準(zhǔn) 控片10。此對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14例如具有如放大圖所示的Nikon及Canon公司所設(shè)計(jì)的"十"字加 外方框的結(jié)構(gòu),但也可以改用由多條平行線構(gòu)成的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記或其他形態(tài)的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記。
此外,本發(fā)明的控片的形成方法例如以下所述。首先在晶片上形成作為刻度尺標(biāo) 記100前身的材料層,再以具有對(duì)應(yīng)上述多個(gè)刻度尺標(biāo)記100的圖案的專用光掩模對(duì)此材 料層進(jìn)行圖案化工藝,使之形成刻度尺標(biāo)記100及對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14。此專用光掩模如圖1B所 示,包括透明基板16、對(duì)應(yīng)上述刻度尺標(biāo)記100的多個(gè)刻度尺標(biāo)記圖案18a,以及對(duì)應(yīng)上述 對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記14的對(duì)準(zhǔn)標(biāo)記圖案18b。此圖案化工藝?yán)绨ü庵驴刮g劑涂布、曝光、顯影及蝕 刻等步驟。 請(qǐng)參照?qǐng)D2,在實(shí)施例中,像差光掩模20上各針孔22直徑例如為0. 5 2. 0mm,且 任兩相鄰針孔22的間距(pitch)優(yōu)選為2. 5mm。另外,各針孔22優(yōu)選為圓形。由于有多個(gè) 針孔22排成陣列狀,所以只有零階繞射光才能通過(guò)像差光掩模20。 在優(yōu)選實(shí)施例中,本發(fā)明的控片IO上各個(gè)刻度尺標(biāo)記100的尺寸根據(jù)像差光掩模 20上各針孔22直徑的尺寸而變動(dòng),亦可視不同情況而做更動(dòng)。舉例而言,像差光掩模20上 各針孔22直徑的尺寸與控片10上各個(gè)刻度尺標(biāo)記100的尺寸約略相等。
請(qǐng)參照?qǐng)D3,接著在控片10上涂布一層光致抗蝕劑層110,此光致抗蝕劑層110可 為正光致抗蝕劑層或負(fù)光致抗蝕劑層,但在圖5、6A 6E中僅以正光致抗蝕劑層為例。
請(qǐng)參照?qǐng)D4,然后使用待測(cè)的曝光機(jī)臺(tái)40與圖2所示的像差光掩模20對(duì)圖1所示 的控片10進(jìn)行對(duì)準(zhǔn)與曝光。 一般的曝光機(jī)臺(tái)40包括光源42及透鏡組44,且其數(shù)值孔徑 (NA。)主要是由光源42的照光數(shù)值孔徑(NA》與透鏡組44的數(shù)值孔徑(NAJ決定,其關(guān)系式為"脆。=(NA工XNAJ力"。光源42為傳統(tǒng)面光源或偏軸式光源皆可,其照光圖案會(huì)經(jīng)由 各針孔22轉(zhuǎn)移到各刻度尺標(biāo)記100上方的光致抗蝕劑層110中。由于只有零階繞射光才 能通過(guò)像差光掩模20,故相鄰刻度尺標(biāo)記100上的照光圖案不會(huì)互相干擾。
請(qǐng)參照?qǐng)D5,接著進(jìn)行顯影步驟,以在每一個(gè)刻度尺標(biāo)記100上方形成形狀與前述 照光圖案相同的光致抗蝕劑圖案112。當(dāng)光源42為面光源且光致抗蝕劑層110為正光致抗 蝕劑層時(shí),光致抗蝕劑圖案112為光致抗蝕劑層110中的一個(gè)開(kāi)口。然后將控片IO移到顯 影后檢查(ADI)機(jī)臺(tái)中,觀察光致抗蝕劑圖案112外緣所對(duì)應(yīng)的刻度尺標(biāo)記100的刻度為 何,以求得曝光機(jī)臺(tái)40的數(shù)值孔徑。 舉例來(lái)說(shuō),如果刻度尺標(biāo)記100的從原點(diǎn)算起的第100個(gè)刻度對(duì)應(yīng)的數(shù)值孔徑為 1. 00,而光致抗蝕劑圖案112外緣對(duì)應(yīng)到從原點(diǎn)算起的第93個(gè)刻度,則曝光機(jī)臺(tái)40的數(shù)值 孔徑即為O. 93。 另外,在設(shè)計(jì)刻度尺標(biāo)記100時(shí),各刻度的位置可利用已知數(shù)值孔徑的曝光機(jī)臺(tái) 及相同的像差光掩模來(lái)決定。舉例來(lái)說(shuō),當(dāng)使用NA = 0. 5的曝光機(jī)臺(tái)及相同的像差光掩 模于試驗(yàn)片上的正光致抗蝕劑層中所形成的圓形開(kāi)口的半徑為O. 5mm,且設(shè)計(jì)上欲使刻 度尺標(biāo)記100的從原點(diǎn)算起的第100個(gè)刻度對(duì)應(yīng)NA = 0. 5時(shí),第n個(gè)刻度可設(shè)在離原點(diǎn) (nXO. 5/100)mm處。 此外,當(dāng)曝光機(jī)臺(tái)所使用的光源為偏軸式光源時(shí),上述光致抗蝕劑圖案的形狀依
偏軸式光源的照光圖案形狀而定。常見(jiàn)的偏軸光源的照光圖案包括環(huán)狀照光圖案、X偶極
照光圖案、Y偶極照光圖案及四極照光圖案等。圖6A 6E繪示本發(fā)明其他實(shí)施例中,對(duì)應(yīng)
數(shù)種偏軸光源的照光圖案的數(shù)種光致抗蝕劑圖案位在刻度尺標(biāo)記上的情形。 請(qǐng)參照?qǐng)D6A,其所示的光致抗蝕劑圖案為光致抗蝕劑層110中的環(huán)狀開(kāi)口 112a,
對(duì)應(yīng)具有環(huán)狀照光圖案的偏軸式光源。 請(qǐng)參照?qǐng)D6B,其所示的光致抗蝕劑圖案包括在Y方向上排列的光致抗蝕劑層110 中的兩個(gè)開(kāi)口 112b,對(duì)應(yīng)具有Y偶極照光圖案的偏軸式光源。 請(qǐng)參照?qǐng)D6C,其所示的光致抗蝕劑圖案包括在X方向上排列的光致抗蝕劑層110 中的兩個(gè)開(kāi)口 112c,對(duì)應(yīng)具有X偶極照光圖案的偏軸式光源。 請(qǐng)參照?qǐng)D6D、6E,其所示的光致抗蝕劑圖案包括在位在45度角上且對(duì)稱排列的4 個(gè)圓形開(kāi)口 112d或4個(gè)扇形開(kāi)口 112e,對(duì)應(yīng)具有四極照光圖案的偏軸式光源。
同樣地,觀察光致抗蝕劑圖案112a、112b、112c、112d或112e的外緣所對(duì)應(yīng)的刻度 尺標(biāo)記100的刻度為何,即可求得曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑。 請(qǐng)參照?qǐng)D7,其繪示本發(fā)明實(shí)施例的監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法的流程圖,此 曝光機(jī)臺(tái)的光源具有照光圖案。 步驟702是提供上有多個(gè)刻度尺標(biāo)記的控片,并提供上有多個(gè)針孔的像差光掩
模,其中每一個(gè)針孔的位置對(duì)應(yīng)一個(gè)刻度尺標(biāo)記的位置。上述控片及像差光掩模例如為圖 1A及圖2所示者,詳情請(qǐng)參照?qǐng)D1A、 2的說(shuō)明。 步驟704是依照所需數(shù)值孔徑來(lái)設(shè)定曝光機(jī)臺(tái),其所設(shè)定例如是前述的照光數(shù)值 孔徑(NA》與透鏡組的數(shù)值孔徑(NAJ。此步驟與步驟702先后順序?qū)φ{(diào)亦可。
步驟706是使用曝光機(jī)臺(tái)與前述像差光掩模對(duì)控片進(jìn)行光刻工藝,以在每一個(gè)刻 度尺標(biāo)記上方形成形狀與照光圖案相同的光致抗蝕劑圖案。此步驟例如為圖3 5所示,詳情請(qǐng)參照?qǐng)D3 5的說(shuō)明。 步驟708是由上述光致抗蝕劑圖案的外緣所對(duì)應(yīng)的刻度尺標(biāo)記的刻度,求得曝光
機(jī)臺(tái)的實(shí)際數(shù)值孔徑。此步驟例如為圖5所示,詳情請(qǐng)參照?qǐng)D5的說(shuō)明。 步驟710是將實(shí)際數(shù)值孔徑與所需數(shù)值孔徑比較,并根據(jù)比較結(jié)果調(diào)整曝光機(jī)
臺(tái),以使其數(shù)值孔徑更接近所需數(shù)值孔徑。調(diào)整的方式例如為當(dāng)曝光機(jī)臺(tái)所需數(shù)值孔徑為
0. 50 i! m,實(shí)際測(cè)得的數(shù)值孔徑為0. 48 i! m時(shí),根據(jù)比對(duì)兩者數(shù)值孔徑的結(jié)果,將0. 02 y m設(shè)
定為調(diào)整的補(bǔ)償值。 步驟712是建立此曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑數(shù)據(jù)庫(kù)。此數(shù)值孔徑數(shù)據(jù)庫(kù)例如是包含以 下數(shù)據(jù)對(duì)應(yīng)所需數(shù)值孔徑的設(shè)定參數(shù)值、實(shí)際數(shù)值孔徑,以及上述比較與調(diào)整的結(jié)果。
如上所述,使用本發(fā)明的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)數(shù)值孔徑的方法可容易地求得曝光機(jī)臺(tái)的 數(shù)值孔徑,故不須使用昂貴的數(shù)值孔徑測(cè)量?jī)x器。因此,如使用本發(fā)明的測(cè)量方法,即可以 低成本建立廠房中各個(gè)曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑差異的數(shù)據(jù)庫(kù),以作為工藝中機(jī)臺(tái)數(shù)值孔徑補(bǔ) 償?shù)囊罁?jù)。 雖然本發(fā)明以實(shí)施例披露如上,然其并非用以限定本發(fā)明,任何本領(lǐng)域的技術(shù)的 人員,在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi),當(dāng)可作些許的更動(dòng)與潤(rùn)飾,因此本發(fā)明的保護(hù)范圍 當(dāng)視所附的權(quán)利要求所界定為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
一種測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,該曝光機(jī)臺(tái)的光源具有照光圖案,該方法包括提供控片,其上有多個(gè)刻度尺標(biāo)記;提供像差光掩模,其上有多個(gè)針孔,其中每一個(gè)針孔的位置對(duì)應(yīng)一個(gè)刻度尺標(biāo)記的位置;使用該曝光機(jī)臺(tái)與該像差光掩模對(duì)該控片進(jìn)行光刻工藝,以在每一個(gè)刻度尺標(biāo)記上方形成形狀與該照光圖案相同的光致抗蝕劑圖案;以及由該光致抗蝕劑圖案外緣所對(duì)應(yīng)的該刻度尺標(biāo)記的刻度求得該曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑。
2. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中該光致抗蝕劑圖案包括 形成于該控片上的正光致抗蝕劑層中的至少一開(kāi)口。
3. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中各該刻度尺標(biāo)記包括至 少一有刻度線狀圖案。
4. 如權(quán)利要求3所述的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中各該刻度尺標(biāo)記包括X 向有刻度直線圖案、Y向有刻度直線圖案、45。角有刻度直線圖案及-45°角有刻度直線圖 案,該四有刻度直線圖案的中點(diǎn)互相重合。
5. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中該光源為面光源。
6. 如權(quán)利要求1所述的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中該光源為偏軸式光源。
7. 如權(quán)利要求6所述的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中該偏軸式光源的照光圖 案為環(huán)狀照光圖案、X偶極照光圖案、Y偶極照光圖案或四極照光圖案。
8. —種控片,用以測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑,該控片上有多個(gè)刻度尺標(biāo)記。
9. 如權(quán)利要求8所述的控片,其中各該刻度尺標(biāo)記包括至少一有刻度線狀圖案。
10. 如權(quán)利要求9所述的控片,其中各該刻度尺標(biāo)記包括X向有刻度直線圖案、Y向有 刻度直線圖案、45。角有刻度直線圖案及-45°角有刻度直線圖案,該四有刻度直線圖案的 中點(diǎn)互相重合。
11. 如權(quán)利要求8所述的控片,其中各該刻度尺標(biāo)記的大小為0. 1 lmm,且任兩相鄰 刻度尺標(biāo)記的間距為1. 0 3. Omm。
12. 如權(quán)利要求8所述的控片,其中在各該刻度尺標(biāo)記中,兩相鄰刻度的間距為0. 05 0. 1 ii m。
13. —種用以制作控片的光掩模,其上有多個(gè)刻度尺標(biāo)記圖案,而可使該控片具有多個(gè) 刻度尺標(biāo)記。
14. 如權(quán)利要求13所述的用以制作控片的光掩模,其中各該刻度尺標(biāo)記圖案包括至少 一有刻度線狀圖案。
15. 如權(quán)利要求14所述的用以制作控片的光掩模,其中各該刻度尺標(biāo)記圖案包括X 向有刻度直線圖案、Y向有刻度直線圖案、45。角有刻度直線圖案及-45°角有刻度直線圖 案,該四有刻度直線圖案的中點(diǎn)互相重合。
16. 如權(quán)利要求13所述的用以制作控片的光掩模,其中各該刻度尺標(biāo)記圖案的大小為 0. 1 lmm。
17. 如權(quán)利要求13所述的用以制作控片的光掩模,其中各該刻度尺標(biāo)記圖案中,兩相 鄰刻度的間距為0. 05 0. 1 ii m。
18. —種監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,該曝光機(jī)臺(tái)的光源具有照光圖案,該方法包括提供控片,其上有多個(gè)刻度尺標(biāo)記;提供像差光掩模,其上有多個(gè)針孔,其中每一個(gè)針孔的位置對(duì)應(yīng)一個(gè)刻度尺標(biāo)記的位置;依照所需數(shù)值孔徑來(lái)設(shè)定該曝光機(jī)臺(tái);使用該曝光機(jī)臺(tái)與該像差光掩模對(duì)該控片進(jìn)行光刻工藝,以在每一個(gè)刻度尺標(biāo)記上方 形成形狀與該照光圖案相同的光致抗蝕劑圖案;由該光致抗蝕劑圖案外緣所對(duì)應(yīng)的該刻度尺標(biāo)記的刻度求得該曝光機(jī)臺(tái)的實(shí)際數(shù)值 孔徑;將該實(shí)際數(shù)值孔徑與該所需數(shù)值孔徑比較,并根據(jù)比較結(jié)果調(diào)整該曝光機(jī)臺(tái);以及 建立該曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑數(shù)據(jù)庫(kù)。
19. 如權(quán)利要求18所述的監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法,其中該數(shù)據(jù)庫(kù)包含下述數(shù) 據(jù)對(duì)應(yīng)該所需數(shù)值孔徑的設(shè)定參數(shù)值、該實(shí)際數(shù)值孔徑,以及該比較與該調(diào)整的結(jié)果。
全文摘要
本發(fā)明公開(kāi)了測(cè)量和監(jiān)控曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法、控片和光掩模。在該測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑的方法中,首先提供控片及像差光掩模,其中控片上有多個(gè)刻度尺標(biāo)記,像差光掩模上則有多個(gè)針孔,其中每一個(gè)針孔的位置對(duì)應(yīng)一個(gè)刻度尺標(biāo)記的位置。接著使用曝光機(jī)臺(tái)與像差光掩模對(duì)控片進(jìn)行光刻工藝,以在每一個(gè)刻度尺標(biāo)記上方形成形狀與曝光機(jī)臺(tái)的光源的照光圖案相同的光致抗蝕劑圖案,再由光致抗蝕劑圖案外緣所對(duì)應(yīng)的刻度尺標(biāo)記的刻度求得曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑。使用本發(fā)明的測(cè)量曝光機(jī)臺(tái)數(shù)值孔徑的方法可容易地求得曝光機(jī)臺(tái)的數(shù)值孔徑,而不須使用昂貴的數(shù)值孔徑測(cè)量?jī)x器。
文檔編號(hào)G03F7/20GK101782720SQ20091000505
公開(kāi)日2010年7月21日 申請(qǐng)日期2009年1月21日 優(yōu)先權(quán)日2009年1月21日
發(fā)明者吳健民, 陳建志 申請(qǐng)人:鉅晶電子股份有限公司
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