專(zhuān)利名稱(chēng)：FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜版的方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明屬于Reticle掩膜版制作方法領(lǐng)域，尤其涉及一種用FPD掩膜版制 作設(shè)備制作IC bumping用Reticle掩膜版的方法。
背景技術(shù)：
IC bumping用Reticle掩膜版是隨IC制造技術(shù)發(fā)展而產(chǎn)生的，IC bumping 用Reticle掩膜版是由在合成石英掩膜原料上光刻圖形，然后在貼合掩膜版保護(hù) 膜(Pellicle膜)制成，其主要應(yīng)用于0.5iiim以下IC制造工藝。
IC bumping用Reticle掩膜版的主要技術(shù)指標(biāo)如下
1、 原材料性能
a. 鉻膜厚度100nm±10%
b. 光學(xué)密度(OD): 3.0 ±0.3 (波長(zhǎng)450nm),反射率10%±10%(波長(zhǎng) 436 nm)
c. 基版平整度在5 M m以?xún)?nèi)
2、 掩膜圖形技術(shù)指標(biāo)
a. 圖形處理技術(shù)，主要是GDSII文件格式的處理和按照Code 39編碼規(guī)則 的條碼
b. 圖形精度控制在± 0.25
3、 光罩護(hù)膜(Pellicle膜)貼合精度± 0.5 mm
4、 缺陷指標(biāo)關(guān)鍵區(qū)域要求缺陷<1.5pm
近年來(lái)IC封裝技術(shù)CSP BUMP ( Chip Size Packaging)工序中也開(kāi)始采用 Reticle掩膜版技術(shù)。這類(lèi)產(chǎn)品外形尺寸一般為5" 7"，其掩膜圖形精度要求高， 相當(dāng)于1.0 ja m IC制造技術(shù)。
由于IC bumping用Reticle掩膜版精度要求比較高，需要IC掩膜版制版設(shè) 備來(lái)制作，如用如電子束E-BEAM曝光機(jī)。IC掩膜版制版設(shè)備是一種精度非 常高的掩膜板制作設(shè)備，其精度一般能精確到幾納米，能滿(mǎn)足由于Reticle掩膜 版的需要。但是，使用IC掩膜版制版設(shè)備制作IC bumping用Reticle掩膜版有 以下兩個(gè)缺點(diǎn)1、 IC掩膜版制版設(shè)備非常昂貴， 一般價(jià)值幾千萬(wàn)美元，且其 對(duì)配套設(shè)施、環(huán)境等要求非?？量?，因此需要非常大的資金投入；2、使用IC 掩膜版制版設(shè)備制作IC bumping用Reticle掩膜版的周期較長(zhǎng)， 一般要48小時(shí) 左右，不利于IC bumping用Reticle掩膜版快速交貨的市場(chǎng)要求。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于提供一種利用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜版的 方法，特別是制作IC bumping用的Reticle掩膜版的方法，旨在解決用IC掩膜 版制版設(shè)備制作IC bumping用Reticle掩膜版帶來(lái)的資金投入大，制作周期長(zhǎng) 的問(wèn)題。
本發(fā)明是這樣實(shí)現(xiàn)的， 一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜版的 方法，包括以下步驟(1)將Reticle掩膜板設(shè)計(jì)的圖形通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助處理 轉(zhuǎn)化成Reticle掩膜版曝光設(shè)備識(shí)別的電子數(shù)據(jù)文件；(2 )通過(guò)Reticle掩膜版 曝光設(shè)備將步驟(1)取得的電子數(shù)據(jù)文件在Reticle掩膜板原料上進(jìn)行激光直 寫(xiě)光刻操作；(3 )將Reticle掩膜板原料進(jìn)行顯影處理；(4)將Reticle掩膜板 原料進(jìn)行蝕刻處理；(5 )將Reticle掩膜板從Reticle掩膜板原料上剝離并對(duì)其 清洗；(6 )將Reticle掩膜板保護(hù)膜貼合在Reticle掩膜板的表面上。
由于采取以上技術(shù)方案，利用精度比IC掩膜版制版設(shè)備低的FPD掩膜版 制作設(shè)備也能制作出精度要求高的ICbumping用Reticle掩膜板，F(xiàn)PD掩膜版 制作設(shè)備的價(jià)格比IC掩膜版制版設(shè)備低，生產(chǎn)IC bumping用Reticle掩膜板的 周朝比IC掩膜版制版設(shè)備的短，利用FPD掩膜版制作設(shè)備生產(chǎn)IC bumping用 Reticle掩膜板的周期為IO小時(shí)左右，比IC掩膜版制版設(shè)備生產(chǎn)IC bumping用
Reticle掩膜板需要48小時(shí)左右周期明顯縮短，所以利用FPD掩膜版制作設(shè)備 制作IC bumping用Reticle掩膜板，投入較低，生產(chǎn)周期較短，能大量節(jié)約生 產(chǎn)成本，顯著提高生產(chǎn)效率。
具體實(shí)施例方式
為了使本發(fā)明的目的、技術(shù)方案及優(yōu)點(diǎn)更加清楚明白，以下結(jié)合附圖
及實(shí) 施例，對(duì)本發(fā)明進(jìn)行進(jìn)一步詳細(xì)說(shuō)明。應(yīng)當(dāng)理解，此處所描述的具體實(shí)施例4又 僅用以解釋本發(fā)明，并不用于限定本發(fā)明。
本發(fā)明一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜版的方法，在本實(shí)施 例中是用FPD掩膜版制作設(shè)備制作IC bumping用Reticle掩膜版，所述FPD掩 膜版制作設(shè)備為Micronic MP80或HIMT MW800 ，本方法包括以下步驟
(1 )將掩膜板設(shè)計(jì)的圖形通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助處理轉(zhuǎn)化成IC bumping用Reticle 掩膜版曝光設(shè)備的電子數(shù)據(jù)文件；本實(shí)施例中是通過(guò)CAD模塊編寫(xiě)圖形設(shè)計(jì) 模型，并按照code39技術(shù)要求在CAD內(nèi)編寫(xiě)barcode生成器，這樣可以提高 計(jì)算機(jī)軟件處理速度，同時(shí)亦降低了 ICbumping用Reticle掩膜板的生產(chǎn)周期。 (2)通過(guò)Reticle掩膜版曝光設(shè)備將通過(guò)步驟(1 )取得的電子數(shù)據(jù)文件在 Reticle掩膜板原料上進(jìn)行激光直寫(xiě)光刻操作，所述Reticle掩膜版曝光設(shè)備的曝 光能量參數(shù)為4000至5000;
(3 )將Reticle掩膜板原料進(jìn)行顯影處理，所述顯影工藝的時(shí)間為45秒
手段將已經(jīng)完成光刻制作的掩膜版原料的圖形在光刻膠層進(jìn)行顯現(xiàn)處理。
(4) 將Reticle掩膜板原料進(jìn)行蝕刻處理，所述蝕刻工藝時(shí)間為45秒至 80秒；所述蝕刻處理是通過(guò)蝕刻液的化學(xué)處理過(guò)程將掩膜版的鉻層(也可稱(chēng)為 Chrome Film)進(jìn)行蝕刻，蝕刻液采用現(xiàn)有技術(shù)常用的酸性蝕刻液。
(5) 完成步驟(4)中鉻層蝕刻處理后，再通過(guò)脫膜液化學(xué)作用對(duì)掩膜版 的光刻膠層進(jìn)行剝離并清洗，完成清洗后，再對(duì)Reticle掩膜板進(jìn)行各種精度的
測(cè)量。所述測(cè)量操作中使用io倍至ioo倍的顯微鏡，脫模液采用現(xiàn)有技術(shù)常用 堿脫模液。
(6 )將對(duì)步驟(5 )中的Reticle掩膜板測(cè)量結(jié)果對(duì)比步驟(1 )所述的Reticle 掩膜板設(shè)計(jì)的圖形檢查Reticle掩膜板的缺陷，如果Reticle掩膜板有缺陷，對(duì) 缺陷進(jìn)行修補(bǔ)處理。
(7)通過(guò)化學(xué)清洗工藝對(duì)Reticle掩膜版的正反兩面進(jìn)行清洗，以除掉前 述步驟產(chǎn)生的雜質(zhì)或污漬。
(8 )將Reticle掩膜版保護(hù)膜(Pellicle膜)貼合在已經(jīng)完成清洗的Reticle 掩膜版的鉻膜面上。
以上所述僅為本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，并不用以限制本發(fā)明，凡在本發(fā) 明的精神和原則之內(nèi)所作的任何修改、等同替換和改進(jìn)等，均應(yīng)包含在本發(fā)明 的保護(hù)范圍之內(nèi)。
權(quán)利要求
1、一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜版的方法，包括以下步驟(1)將Reticle掩膜板設(shè)計(jì)的圖形通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助處理轉(zhuǎn)化成Reticle掩膜版曝光設(shè)備識(shí)別的電子數(shù)據(jù)文件；(2)通過(guò)Reticle掩膜版曝光設(shè)備將步驟(1)取得的電子數(shù)據(jù)文件在Reticle掩膜板原料上進(jìn)行激光直寫(xiě)光刻操作；(3)將Reticle掩膜板原料進(jìn)行顯影處理；(4)將Reticle掩膜板原料進(jìn)行蝕刻處理；(5)將Reticle掩膜板從Reticle掩膜板原料上剝離并對(duì)其清洗；(6)將Reticle掩膜板保護(hù)膜貼合在Reticle掩膜板的表面上。
2、 如權(quán)利要求1所述的一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜版的 方法，其特征在于所述步驟(2)中Reticle掩膜版曝光設(shè)備的曝光能量為4000 至5000，所述步驟(3)中顯影工藝的時(shí)間為45秒至80秒，所述步驟(4 )蝕 刻工藝時(shí)間為45秒至80秒。
3、 如權(quán)利要求1或2所述的一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜 版的方法，其特征在于步驟(5)和步驟(6)之間還包括以下步驟A、 測(cè)量從Reticle掩膜板原料上剝離后的Reticle掩膜板；B、 對(duì)比步驟(1)所述的Reticle掩膜板設(shè)計(jì)的圖形檢查Reticle掩膜板的 缺陷，如果Reticle掩膜板有缺陷對(duì)缺陷進(jìn)行修補(bǔ)處理；C、 清洗Reticle掩膜板。
4、 如權(quán)利要求3所述的一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜版的 方法，其特征在于所述步驟A的測(cè)量工藝操作中使用IO倍至IOO倍的顯微鏡。
5、 如權(quán)利要求1或2所述的一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜 版的方法，其特征在于所述Reticle掩膜版為IC bumping用Reticle掩膜版。
6、如權(quán)利要求1或2所述的一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜 版的方法，其特征在于所述FPD掩膜版制作設(shè)備為Micronic MP80或HIMT MW800。
全文摘要
一種用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜版的方法包括以下步驟(1)將Reticle掩膜板設(shè)計(jì)的圖形通過(guò)計(jì)算機(jī)輔助處理轉(zhuǎn)化成Reticle掩膜版曝光設(shè)備識(shí)別的電子數(shù)據(jù)文件(2)通過(guò)Reticle掩膜版曝光設(shè)備將步驟(1)取得的電子數(shù)據(jù)文件在Reticle掩膜板原料上進(jìn)行激光直寫(xiě)光刻操作(3)將Reticle掩膜板原料進(jìn)行顯影處理(4)將Reticle掩膜板原料進(jìn)行蝕刻處理(5)將Reticle掩膜板從Reticle掩膜板原料上剝離并對(duì)其清洗(6)將Reticle掩膜板保護(hù)膜貼合在Reticle掩膜板的表面上。利用FPD掩膜版制作設(shè)備制作Reticle掩膜板，投入較低，生產(chǎn)周期較短。
文檔編號(hào)G03F1/70GK101393386SQ200810217118
公開(kāi)日2009年3月25日 申請(qǐng)日期2008年10月28日 優(yōu)先權(quán)日2008年10月28日
發(fā)明者熊啟龍 申請(qǐng)人:清溢精密光電(深圳)有限公司