專利名稱：灰階掩模及其缺陷修正方法、其制造方法、圖案轉(zhuǎn)印方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及液晶顯示器(Liquid Qystal Display:在下面稱為LCD)制造等 所使用的灰階掩模的缺陷修正方法、灰階掩模的希隨方法和灰階掩模，以及圖案 轉(zhuǎn)印方法，尤其涉皿合用于薄膜晶體管液晶顯示器的制造所使用的薄膜晶體管 襯底(TFT襯底)的審隨的灰階掩模的缺陷修正方法，灰階掩模的制造方法，灰 階掩模和灰階掩模轉(zhuǎn)印方法。
背景技術(shù)：
目前，在LCD的領(lǐng)域，薄膜晶體管液晶顯示器(Thin Film Transistor Liquid Qystal Display:在下面稱為TFT—LCD)與CRT (陰極射線管)相比較，具有 容易形離薄的類型，耗電量低的優(yōu)點，由此，其商品化急速i艦行。TFT—LCD 具有下述的概略結(jié)構(gòu)，即，在排列呈矩1^R的各像素排列有TFT的結(jié)構(gòu)的TFT 襯底、與對應(yīng)于各像素而排列有紅、綠、藍(lán)的像素圖案的濾色器，在介設(shè)有液晶 層的條件下被重疊。就TFT~LCD的制造而言，工序數(shù)量多，僅TFT襯底也要 使用5 6個光掩模而制造。在這樣的狀況下，提出了使用4個光掩^S行TFT 襯底的制造的方法。
該方法Mil使用具有遮光部和透光部及半透光部(灰階部)的光掩模(在下 面稱為灰階掩模)，來減少所使用的掩模數(shù)量。在這里，所謂半透光部，是指使 用掩模將圖案轉(zhuǎn)印至U被轉(zhuǎn)印體上時，將戶;fM^的曝光光的itlt量降低規(guī)定量，并 且被轉(zhuǎn)印體上的光抗t鵬的顯影后的殘膜量得到控制的部分，具有這樣的半透光 部、及遮光部和透光部的光掩模稱為灰階掩模。
圖5和圖6 (圖6是圖5的制造工序的繼續(xù)部分)表示JOT灰階掩模的TFT
襯底的制紅序的一個實例。
在玻璃襯底1上，形成柵極電極用金屬膜，M (OT光掩模的光刻工藝，形 成柵極電極2。然后，形成柵極絕緣膜3、第1半導(dǎo)體膜4 (a~Si)、第2半導(dǎo)體 膜5 (N+tSi)、源極漏極用金屬膜6、及正型光致抗蝕膜7 (圖5 (a))。接著，
使用具有遮光部11和透光部12及半透光部13的灰階掩模10，將正型光致抗1:蟲 膜7進(jìn)行曝光并將其進(jìn)行顯影，由此，按照覆蓋TFT溝道部形成區(qū)域、源極漏極 形成區(qū)fe貨卩數(shù)據(jù)線形成區(qū)域，并且覆蓋溝道部形成區(qū)域的部分比覆蓋源極漏極形 成區(qū)域的部分更薄的方式，形麟1抗蝕圖案7a (圖5 (b))。接著，將第1抗 蝕圖案7a作為掩模，對源極漏極用金屬膜6和第2、第1半導(dǎo)體膜5、 4進(jìn)行蝕 刻處理(圖5 (c))。接著，；fiil氧的灰化處理去除溝道部形成區(qū)域的較薄的抗蝕 膜，形麟2抗蝕圖案7b (圖6 (a))。然后，將第2抗蝕圖案7b作為掩模，對 源極漏極用金屬膜6進(jìn)行蝕刻處理，形^^/漏極6a， 6b，接著，對第2半導(dǎo) 體膜5謝亍蝕刻處理(圖6 (b))，將最后殘留的第2抗蝕圖案7b剝離(圖6 (c))。
作為在這里所使用的灰階掩模，公知有半透光部由細(xì)微圖案形成的結(jié)構(gòu)的掩 模。比如，圖7所示的那樣，具有與源紛漏極相對應(yīng)的遮光部lla、 lib;透 光部12;和與溝道部相對應(yīng)的半透光部(灰階部)13，半透光部13是形成有通 過使用灰P介掩模的LCD用曝光機(jī)的分辨率極限以下的細(xì)微圖案而成的遮光圖案 13a的區(qū)域。遮光部lla、 11b和遮光圖案13a通常均M由鉻、鉻化合物等的相 同材料形成的相同厚度的膜而成。4頓灰階掩模的LCD用曝光機(jī)的分辨率極限， 在大多情況下，在皿方式的曝光機(jī)中約為3jom，在反射鏡投影方式的曝光機(jī)中 約為4pm。由此，比如，在圖7中，可使半透光部13中的激才部13b的空間寬 度小于3拜，使遮光圖案13a的線寬小于曝光機(jī)的分辨率極限以下的3^m。
就上述細(xì)微圖案類型的半透光部而言，灰階部分的設(shè)計，具體來說用于具有 遮光部和透光部的中間的半色調(diào)效果的細(xì)微圖案是形成為線和空間(line and space)型、還是形成為點(網(wǎng)點)型、或還是形成為其它的圖案，這樣的選擇存 在，并且，在線和空間(line and space)型的場合，還必須考慮線寬為多少、光 激寸的部分和IM光的部分的比率是多少、整體的M"率設(shè)計為何種程度等，這 樣非常多的情況而進(jìn)行設(shè)計。另外，即使在灰階掩模的制造中，線寬的中心值的 管理、掩模內(nèi)的線寬的離散偏差管理等，也要求非常難的生產(chǎn)技術(shù)。
于是，在過去提出了將半透光部形成為半鄉(xiāng)性的半色調(diào)膜(半透光膜)的 方案。這樣的技術(shù)在例如JP2002—189280號文獻(xiàn)(專利文獻(xiàn)l)中公開?？膳?使用該半色調(diào)膜將半色調(diào)部分的曝光1M^而進(jìn)行半色調(diào)曝光。在使用半色調(diào)膜 的場合，在設(shè)計中研究整體的透射率必須為多少，并且在掩模中選擇半色調(diào)膜的 膜種類(材料)或膜厚，就可生產(chǎn)掩模。于是，在灰階掩模的制造中，僅僅進(jìn)行
半色調(diào)膜的膜厚控制，便可以，較容易進(jìn)行管理。另外，在艦灰階掩模的半透
光部形成TFT溝道部部分的場合，當(dāng)為半色調(diào)膜時可通過光刻工序容易進(jìn)行圖案 化，這樣，具有即使在TFT溝道部的形狀為復(fù)雜的圖案皿的情況下，仍可制作 的優(yōu)點。
但是，在上述這樣的專利文獻(xiàn)l中記載的灰階掩模中，在其制3t31程中，無 法避免在由半透光M^成的半透光部產(chǎn)生缺陷的情況。另外，在這里，將因膜圖 案的剩余或遮光膜成分的附著或異物，而使透射率低于規(guī)定值的缺陷稱為黑缺 陷，將因膜圖案的不足而使邀t率高于規(guī)定值的缺陷稱為白缺陷。
在使用半透光膜的灰階掩模的半透光部中，產(chǎn)生白缺陷、黑缺陷的場合，通 常，可認(rèn)為M31使用例如激光CVD法、或收斂離子束(FIB) ^it行局部的膜 修正。即，可在白缺陷的部分局部地形成修正膜，或?qū)ò兹毕莶糠帧⒑谌毕?部分的區(qū)域按照預(yù)定的面積進(jìn)行剝離，重新在局部形成修正膜。但是，在該場合， 修正膜的材判不必使用與上述半透光膜相同的材料。其原因在于:在半透光部所 使用的半透光膜并不限于適用于上述局部的成膜法。由此，必須以修正膜使用不 同于半透光膜的膜組成的膜的情況為前提。在此場合，如果膜的組成不同，則光 邀寸特性也不同。在例如半透光膜4頓硅化鉬化合物(MoSi)而修正膜f頓碳的 場合，則兩者的)fe3tl寸率特性例如在i線(365nm)和g線(436nm)就如圖8 所示的那樣而不同。
另一方面，在使用灰階掩模將圖案轉(zhuǎn)印于被轉(zhuǎn)印體上時所使用的曝光機(jī)，例 如是用于制造液晶顯示器的曝光機(jī)場合， 一般!頓i線 g線(365 436nm)的 波長區(qū)域。由于在這些曝光中， 一般而言其面積比半導(dǎo)體裝置制造用的更大的曝 光是必須的，所以為了確保光量不使用單一波長而使用具有波長區(qū)域的曝光光是 有利的。于是，在確定灰階掩模的類型時，考察曝光光所具有的曝光波長區(qū) 口 其強(qiáng)度分布，按照在使用規(guī)定的曝光光時可獲得所期望的itlt率的方式，設(shè)計半 透光部是需要的。比如，在半透光部使用半透光膜的灰階掩模的場合，按照在相 對曝光光而掩模的透明襯底(透光部)的，射率設(shè)為100%時，半透光部為20 60。/。的光itM率的方式，決定半透光膜的組成和膜厚。
在M3iJ:述這樣的半透光膜形成的半透光部中，比如，在^^莫時產(chǎn)生缺陷， 在缺陷部位形成修正膜的場合，如果所形成的修正膜沒有考察上述半透光膜的光 劍寸率而適當(dāng)?shù)卦O(shè)計，貝ij修正膜部分在實際的曝光時的分光條件下，產(chǎn)生黑缺陷
(邀寸率不足)、或白缺陷(邀寸率過大)這樣的不利情況。另一方面，就曝光機(jī)
的曝光光而言，在大多情況下在^h^置中不是一定的。比如，即使具有i線 g
線的波長區(qū)域的曝光光，也存在在分光特性曲線中i線的強(qiáng)度最大的曝光機(jī)、g 線的強(qiáng)度最大的曝光機(jī)等。另外，曝光機(jī)的光源的波長特性伴隨時間而變化，即 使為同一曝光機(jī)其分光特性仍不是一定的。另外，還具有根據(jù)Mil在掩模上的轉(zhuǎn) 印形狀等、要獲得轉(zhuǎn)印的結(jié)果的抗蝕圖案形狀等，掩模用戶有意* 擇曝光光的 分光特性的情況。于是，如果沒有考慮在實際曝光時的曝光光的波長特性而設(shè)計 半透光膜和修正膜的光邀寸特性，貝'J難以生產(chǎn)精度良好的灰階掩模。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明是針對J^t情況而提出的，本發(fā)明的第l目的在于提供一種可適合地 修正在半透光部中產(chǎn)生的缺陷的灰階掩模的缺陷修正方法。另外，本發(fā)明的第2 目的在于提供具有適合使用這樣的缺陷修正方法的缺陷修正工序的灰階掩模的
制造方法。還有，本發(fā)明的第3目的在于劍共一種在半透光部中產(chǎn)生的缺陷得到 適當(dāng)修正的灰階掩模。此外，本發(fā)明的第4目的在于提供使用上述灰階掩模的圖 案轉(zhuǎn)印方法。
為了解決上述課題，本發(fā)明具有下述的方案。
(方案l)
本發(fā)明涉及一種灰階掩模的缺陷修正方法，該灰階掩模具有遮光部、透光部 和半透光部，并且用于在被轉(zhuǎn)印體上形成膜厚階段性或^^賣性不同的抗蝕圖案， 其特征在于
上述半透光部通過在透明襯底上形成使曝光光的透射量降低的半透光膜而 成，上述灰階掩模的缺陷修正方法，具有-確定在半透光膜中產(chǎn)生的缺陷區(qū)域的工序；
在所確定的上述缺陷區(qū)域，形成不同于上述半透光膜的組成的修正膜的工
序;
并且，在上述修正膜形成工序中， 確定曝光光中所包括的規(guī)定波長；
根據(jù)預(yù)先把握的上述修正膜的光,率特性，適用相對上述所確定的規(guī)定波 長的光的上述修正膜的光透射率大致等于上述半透光膜的光透射率的條件，形成
上述修正膜。
(方案2)
本發(fā)明涉及上述方案1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，相對 上述規(guī)定波長的光的上述修正膜的光透射率大致等于上述半透光膜的光透射率
的條件，是指在上,光部的光劍寸率為100%時，上述修正膜和上述半透光膜
的光邀t率的差在1%以內(nèi)的條件。
(方案3)
本發(fā)明涉及上述方案1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，， 劍牛的適用，ffiil膜厚的選擇而進(jìn)行。
(方案4)
本發(fā)明涉及上述方案1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，在i 線 g線的波長區(qū)域，上述修正膜的光透射率與，半透光膜的光邀才率的差在 3%以內(nèi)。
(方案5)
本發(fā)明涉及上述方案1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，在上
述修正膜形成工序，預(yù)先把握具有規(guī)定的組成的戰(zhàn)修iH莫的分光翻率特性。
(方案6)
本發(fā)明涉及上述方案1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，在上 述修正膜形成工序，預(yù)先把握在形成具有規(guī)定的組成的上述修正膜時的 ^# 與相對規(guī)定的曝光光波長的3tM率的相關(guān)性。
(方案7)
本發(fā)明涉及上述方案1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，在上 述修正膜形成工序，通雌擇上述修正膜的形成斜牛中的上述修正膜的組成，來 調(diào)整光邀寸率。
(方案8)
本發(fā)明涉及上述方案1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，上述 半透光膜的劍對OTf凝寸法，并且在上述修正膜的成膜中使用收斂離子束法。
(方案9)
本發(fā)明涉及上述方案1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，半 透光膜的材料使用在硅化鉬化合物、鉻化合物、或Si、 W、 Al中的任一個，，
修正膜使用以碳(C)為主成分的材料。
(方案10)
本發(fā)明涉及上述方案9所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，上述 半透光膜的材料使用硅化鉬化合物，并且上述修正膜使用以碳(C)為主成分的 材料。
(方案ll)
本發(fā)明涉及一種灰階掩模的制造方法，其特征在于，其包括方案1 10中的
任意一項所述的缺陷修正方法的缺陷修正工序。
(方案12)
本發(fā)明涉及一種灰階掩模，該灰階掩模具有遮光部、透光部和半透光部，并 且用于在被轉(zhuǎn)印體上形劍莫厚分階段地或連續(xù)地不同的抗蝕圖案，其特征在于，
上述半透光部，通過在透明襯底上形成相對曝光光中包括的規(guī)定波長的光具 有規(guī)定的光邀寸率的半透光膜而成，并且，
在上述半透光部的規(guī)定部分，形成不同于上述半透光膜的組成的修正膜，在
相對上述規(guī)定波長的光的上自光部的，射率為100%時，上述規(guī)定的光3 率和上述修正膜的，射率的差在1%以內(nèi)。
(方案13)
本發(fā)明涉及方案12所述的灰階掩模，其特征在于，在i線 g線的波長區(qū)域， 上述半透光膜的光邀寸率和，修正膜的光慰寸率的差在3%以內(nèi)。
(方案14)
涉及一種灰階掩模，該灰階掩模具有遮光部，透光部與半透光部，用于在被 轉(zhuǎn)印體上形成膜厚分階段地或連續(xù)地不同的抗蝕圖案，其特征在于
上述半透光部，通過在透明襯底上形成相對曝光光中包括的規(guī)定波長的光具 有規(guī)定的 射率的半透光膜而成，并且，
在上述半透光部的規(guī)定部分，形成不同于上述半透光膜的組成的修正膜；
上述半透光膜和上述修正膜，在i線 g線的波長區(qū)域的，t率的波長依 賴性不同，上述半透光膜的透射率曲線和上述修正膜的透射率曲線具有在上述波 長區(qū)域內(nèi)相交叉的點。
(方案15)
本發(fā)明涉及方案14所述的灰階掩模，其特征在于，在上述波長區(qū)域，上述
半透光膜的光邀寸率和上述修正膜的光透射率的差在3%以內(nèi)。
(方案16)
本發(fā)明涉及一種圖案轉(zhuǎn)印方法，其特征在于，使用方案11戶脫的制造方法
制造的灰階掩模、或《頓方案12 15中的任意一項所述的灰階掩模和規(guī)定波長 的曝光光，對被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑進(jìn)行曝光，在上述被轉(zhuǎn)印體上形 厚階段性 或連續(xù)性不同的抗蝕圖案。
根據(jù)本發(fā)明的灰階掩模的缺陷修正方法，在半透光部中產(chǎn)生的半透光膜的缺 陷區(qū)域形成不同于半透光膜的組成的修正膜的工序中，預(yù)先把握相對曝光光波區(qū) 域中包括的規(guī)定波長光的上述修正膜的^ 率特性，根據(jù)所把握的修正膜的光 邀寸率特性，適用相對上述規(guī)定波長光的上述修IO莫的^W率大致等于上述半 透光膜的斜牛，形成修正膜。
由此，由于相對規(guī)定波長光的修正膜的繊t率與半透光膜誠相等，故在 缺陷修正后的區(qū)域中，獲得在半透光部的正常的灰階部分中允許的胃率范圍內(nèi) 的灰階效果，并且在i線 g線的曝光光波長區(qū)域，上述規(guī)定波長的兩者的膜的 透射率最接近，可適當(dāng)?shù)匦拚诎胪腹獠恐挟a(chǎn)生的缺陷。作為優(yōu)選，兩者的膜的 在i線 g線的曝光光波長區(qū)域的透射率曲線可在，規(guī)定波長相交叉或最接近。
另外，根據(jù)本發(fā)明的灰階掩模的制造方法，由于具有4柳這樣的本發(fā)明的缺 陷修正方法的缺陷修正工序，故可獲得在半透光部中產(chǎn)生的缺陷適當(dāng)?shù)匦拚蟮?灰階掩模。
此外，根據(jù)本發(fā)明的灰階掩模，在由相對規(guī)定的波長的曝光光具有規(guī)定的光 透射率的半透光膜形成的半透光部的規(guī)定部分，形成半透光膜的缺陷區(qū)域得到修 正的、不同于上述半透光膜的組成的修正膜，在適用于灰階掩模的曝光光中包括 的規(guī)定波長，半透光膜和修正膜的光邀寸率的差在1%以內(nèi)，由此，相對上述波 長的曝光光的修正膜的光邀寸率與半透光膜大致相等。其結(jié)果是，在缺陷修正后 的區(qū)域，獲得在半透光部的正常的灰階部分中允許的翻率范圍內(nèi)的灰階效果， 獲得在半透光部中產(chǎn)生的缺陷適當(dāng)修正的灰階掩模。
還有，可通過使用上述這樣在半透光部中產(chǎn)生的缺陷適當(dāng)?shù)匦拚幕译A掩 模，將圖案轉(zhuǎn)印于被轉(zhuǎn)印體上，能夠形成沒有圖案缺陷的良好的轉(zhuǎn)印圖案。


圖1為用于說明使用本發(fā)明的一個實施方式的灰階掩模的圖案轉(zhuǎn)印方法的剖
視圖2 (a)和圖2 (b)為表示半透光膜(MoSi)和修正膜(碳〉各自的iHt 率的波長依賴性的圖3為表示修正膜(碳)基于FIB法的j^i^j牛(離子劑量)與相對于規(guī)定 的曝光光波長(i線)的，射率的相關(guān)關(guān)系的圖4為FEB裝置的結(jié)構(gòu)的概略側(cè)視圖5為表示使用灰階掩模的TFT襯底的制造工序的概略剖視亂 圖6為表示使用灰階掩模的TFT襯底的制造工序(圖5的制造工序的后續(xù)) 的概略剖視圖7為表示過去的細(xì)微圖案類型的灰階掩模的一個實例的俯視圖； 圖8為表示半透光膜(MoSi)和修正膜(碳)各自相對于i線和g線的， 射率特性的圖。
具體實施例方式
下面根據(jù)附圖，對用于實施本發(fā)明的 方式進(jìn)行說明。 圖1所示的本發(fā)明的一個實施例的灰階掩模20，是例如在制造液晶顯示器 (LCD)的薄膜晶體管(TFT)、濾色器、或等離子顯示面板(PDP)等中所使用 的掩模，并且是用于在圖1所示的被轉(zhuǎn)印體30上形成膜厚階段性或連續(xù)性不同 的抗蝕圖案33的掩模。另外，在圖1中，符號32A， 32B表示在被轉(zhuǎn)印體30上 層疊于襯底31上的膜。
上述灰階掩模20具體來說包括在f頓該灰階掩模20時對曝光光進(jìn)《 擋 (邀才率基本為0%)的遮光部21;透明襯底24的表面露出的使曝光光m的透 光部22;和半透光部23，其在透光部的曝光光M:率為100%時將皿率減小到 大約20 60%、,減小到大約40 60%。半透光部23是在玻璃襯底等的透明 襯底24上形成光半透射性的半透光膜26而形成的。另外，在半透光部23中產(chǎn) 生的半透光膜26的缺陷區(qū)域(規(guī)定的區(qū)域)，形成本發(fā)明的修正膜27。另外，遮 光部21是在透明襯底24上設(shè)Si光性的遮光膜25 (和半透光膜26)而構(gòu)成的。 另外，在圖1所示的遮光部21，透光部22，與半透光部23的圖案形狀完全是代
表性的一個實例，顯然，本發(fā)明不限于此。
作為上述半透光膜26的材料，列辨鉻化合物、硅化鉬化合物、Si、 W、
Al等。其中，在鉻化合物中，包蹄化鉻(QOx)、氮化鉻(CrNx)、氮氧化鉻 (CrOxN)、氟化鉻(CrFx)、或它們中含有碳、氫的化合物。另外，作為硅化鉬 化合物，不但包括MoSix，而且包括MoSi的氮化物、氧化物、氮氧化物、碳化 物等。此外，作為上鵬光膜25的材料，列辨Cr、 Si、 W、 Al等。上^ii光 部21的透射率根據(jù)遮光膜25的膜材料和材質(zhì)與膜厚的選定而被設(shè)定。另外，上 述半透光部23的慰寸率根據(jù)半透光膜26的膜的材料和材質(zhì)和膜厚的選定而被設(shè) 定。
在使用戰(zhàn)這樣的灰階掩模20時，Milii光部21而曝光光實質(zhì)上未劍才， 通過半透光部23而使曝光光斷氏，由此，被轉(zhuǎn)印體30上所形成的抗蝕膜(正型 光致抗tM)，在轉(zhuǎn)印(曝光)且經(jīng)過顯影后，形成以下抗蝕圖案33，即在與遮 光部21相對應(yīng)的部分而膜厚增加，在與半透光部23相對應(yīng)的部分而膜厚減薄， 在與透光部22相對應(yīng)的部分而實質(zhì)上不產(chǎn)生殘留膜的抗蝕圖案(參照圖l)。在 該抗蝕圖案33中，在與半透光部23相對應(yīng)的部分而膜厚減薄的效果稱為灰階效 果。另外，在使用負(fù)型光致抗蝕齊啲場合，必須在考慮了與遮光部和透光部相對 應(yīng)的抗t鵬厚反轉(zhuǎn)的基礎(chǔ)上進(jìn)行設(shè)計，但是，這樣的場合下也可充分地獲得本發(fā) 明的效果。
另外，在圖所示的沒有抗蝕圖案33的膜的部分，對被轉(zhuǎn)印體30的比如膜 32A和膜32B進(jìn)行第1蝕刻處理，ffi31灰化處理等去除抗蝕圖案33的膜的較薄 的部分，并且在該部分對被轉(zhuǎn)印體30的比如膜32B進(jìn)行第2蝕刻處理。這樣， 使用1個灰階掩模20，就可進(jìn)行以往的2個光掩模的工序，從而削減掩模數(shù)量。
下面對本發(fā)明的灰階掩模的缺陷修正方法進(jìn)行說明。
本發(fā)明的灰階掩模的缺陷修正方法適用于以下灰階掩模，即在該灰階掩模
中，將掩模使用時所用的曝光光的3M:量斷氐規(guī)定量的半透光部，4頓相對規(guī)定
波長的光(曝光光的波長區(qū)域中包括的一個波長的光)具有規(guī)定的光 率的半 透光膜而被形成。該缺陷修正方、^a括確定在上述半透光膜中產(chǎn)生的缺陷區(qū)域的 工序、和在所確定的上述缺陷區(qū)域形成不同于半透光膜的組成的修正膜的工序。 另外，在戰(zhàn)修正膜形成工序，確定曝光光中包含的規(guī)定波長，根據(jù)預(yù)先把握的 相對上述規(guī)定波長的光的上述修正膜的^ 率特性，適用相對于上3^規(guī)定波長的光的修正膜的光透射率基本等于半透光膜的光M"率的條件，形成修正膜。
由此，在使用不同于半透光膜的組成的修正膜來修正半透光膜的缺陷區(qū)域的 場合，由于相對規(guī)定波長的光的修正膜的光透射率基本等于半透光膜的光透射 率，在缺陷修正后的區(qū)域，其結(jié)果是，可獲得半透光部的正常的灰階部分中所允 許的邀寸率范圍內(nèi)的灰階效果，由此可最佳地修正在半透光部中產(chǎn)生的缺陷。
在這里，"相對規(guī)定波長的光的上述修正膜的光透射率基本等于上述規(guī)定的
光邀t率"，是指在上3^t光部的光透射率為100%時而半透光膜和修正膜的，
射率的差在1%以內(nèi)。
上述那樣，使用灰P介掩模將圖案轉(zhuǎn)印于被轉(zhuǎn)印體上時所使用的曝光機(jī)，在例 如是液晶顯示器制造用的曝光機(jī)的場合，由于一般而言需要面積較大的曝光，并 且為了確保其光量不使用單一波長而使用具有波長區(qū)域的曝光光這一點是有利
的，由此，通常^f頓i線 g線(365 436nm)的波長區(qū)域。另外，曝光機(jī)的曝 光光，在較多的場合，在各，置中未必是一定的，即使具有比如i線 g線的 波長區(qū)域的曝光光，也存在i線的強(qiáng)度最大的曝光機(jī)，g線的強(qiáng)度最大的曝光機(jī) 等。另外，曝光機(jī)的光源的波長特性伴隨時間而變化。于是，tte按照在曝光機(jī) 的光強(qiáng)度最強(qiáng)的波長而半透光膜和修正膜的M率基本相等的方式進(jìn)行匹配，為 此，期望著上述規(guī)定的波長在考慮實際曝光時的曝光光的波長特性后而決定。比 如，在規(guī)定定的曝光機(jī)的曝光^#下，可使光強(qiáng)度最大的波長為上述規(guī)定波長。
艮P，修正膜形成工序中的規(guī)定波長的確定，可考慮此時要使用的曝光機(jī)的分 光特性等后而決定?；蛘?，顯然針對構(gòu)成修正對象的光掩模，將作為，才率指 定的基準(zhǔn)斜牛所預(yù)先指定的基準(zhǔn)波長充當(dāng)上述規(guī)定波長也可。
另外，從使掩模的樣式具有統(tǒng)一性的對掩模的品質(zhì)檢查的管理上的理由等的 觀點而言，4錢一"基準(zhǔn)波長"作為規(guī)定波長也可。
艮卩，在此場合，在上述修正膜形成工序，預(yù)先把握相對規(guī)定的基準(zhǔn)波長的光 的修正膜的光邀寸率特性，根據(jù)所把握的修正膜的光翻率特性，適用相對上述
基準(zhǔn)波長的修正膜的光iilt率與半透光膜的光iil寸率基^目等的條件，形成修正
膜。作為"基準(zhǔn)波長"，可選擇曝光光的波長區(qū)域內(nèi)的一個波長。
作為怖先，在預(yù)先把握相對于規(guī)定波長的曝光光(或基準(zhǔn)波長的光)的， 修正膜的光邀f率特性時，預(yù)先把握具有規(guī)定組成的修IOI的、光波長和光翻 率的相關(guān)。
比如，可使用圖2 (a)和圖2 (b)這樣的曲線圖，把握修正膜的光透射率 的波長依賴性(另外，相對曝光光的膜的依賴性，相對波長而基本上是線性的， 此處將表示該波長繊性的線也稱為邀才線率曲線。)。在圖2 (a)和圖2 (b) 中， 一起表示2個修正膜(碳修正膜)對曝光光波長的娜率測定后的結(jié)果與 半透光膜(MoSi膜)相對曝光光波長的透射率測定后的結(jié)果。根據(jù)這些結(jié)果， 在作為曝光光而i線具有支配的強(qiáng)度的曝光機(jī)一起使用的灰階掩模的缺陷得到修 正的場合，可按照在i線的波長(365nm)而半透光膜和修正膜的光邀t率基本 相等的方式，選擇表示圖2 (a)所示的那樣的透射率的波長依賴性的碳修正膜。 即，可按照形成表示圖2 (a)所示的那樣的 |"率的波長依賴性的碳修正膜的方 式，調(diào) 膜的^1莫^#等。由此，半透光膜和修正膜的翻率曲線可在i線的 波長相交叉或最接近。另一方面，在與g線具有支配的強(qiáng)度的曝光機(jī)一起使用的 灰階掩模的缺陷得到修正的場合，按照針對g線的波長(436nm)而半透光膜和 修正膜的光透射率基本相等的方式，可選擇表示圖2 (b)所示的那樣的 率的 波長依賴性的碳修正膜。g卩，可按照形成表示圖2 (b)所示的那樣的透射率的波 長依賴性的碳修正膜的方式，調(diào)整碳膜的成膜斜牛等。在以h線為基準(zhǔn)的情況下， 在h線的波長而半透光膜和和修正膜的透射率曲線交叉也可。
另外，在預(yù)先把握相對于規(guī)定的波長的曝光光(或基準(zhǔn)波長的光)的上述修 正膜的自寸率特性時，^^預(yù)先把握形成具有規(guī)定組成的修正膜時的成膜^f牛 與相X寸規(guī)定曝光光波長的光透射率的相關(guān)性。比如，圖3表禍擁FIB法形成修 正膜(碳)的場合的成膜條件(離子劑量)與相對曝光光波長(i線)的光邀t 率的相關(guān)性在預(yù)先測定下的結(jié)果。根據(jù)該結(jié)果，在例如作為曝光光的i線具有支 配的強(qiáng)度的曝光機(jī)一起使用的灰階掩模的缺陷得至'j修正的場合，可預(yù)先把握為了 實現(xiàn)修正膜具有所期望的光邀寸率而必需的膜厚的 斜牛。
此外，在修正膜形成工序，根據(jù)預(yù)先把握的相X朽見定的波長的曝光光(或基
準(zhǔn)波長的光)的修正膜的光邀寸率特性的結(jié)果，且mm擇例如修正膜的鵬條
件中上述修正膜的膜厚的方式，能夠調(diào)整光M"率。膜厚的調(diào)整可M公知的方 法而進(jìn)行。在形成修正膜而4頓比如FIB法的場合，可fflM^制離子劑量的方式， 調(diào)整膜厚。另外，控帶MI鄭寸間也可。
此外，也可根據(jù)預(yù)先把握的相對規(guī)定的波長的曝光光(或基準(zhǔn)波長的光)的 修正膜的光透射率特性的結(jié)果，通過選擇修正膜的成膜條件中上述修正膜的組
成，由此調(diào)整光邀寸率。比如，相對MoSi半透光膜，作為修正膜的一個實例可 使用碳膜，但是，也可使用其它的膜。在選擇修正膜的組成的場合，雌考察相
對規(guī)定的波長的曝光光的光mf率，行。
上述半透光膜的形成就一般而言可使用Wi去，作為優(yōu)選，，修正膜的形 成在本發(fā)明中使用FIB法。其原因在于FIB法適合用于局部的成膜。
作為半透光膜的材料，如前述那樣，可雌鵬MoSiON、 MoSiN、 MoSiCN 等的硅化鉬(MoSD化合物、CrN、 CrO等的鉻化合物、或Si、 W、 Al中的任意 一個。為了調(diào)整至斷期望的，寸率，除調(diào)^l莫厚外，而且可通過調(diào)整組成的方 式進(jìn)行。比如，在劍莫方法<頓 #法時，M調(diào)整作為M氣體而導(dǎo)入的氧、 氮的流量，可改刻莫內(nèi)的它們的含有率，由此，可調(diào)整^ 率。
另外，作為修正膜，可優(yōu)選4頓以碳(C)為主成分的材料。碳適合于上述 FIB法的成膜。
在本發(fā)明中，半透光膜的材料4細(xì)硅化鉬化合物，并且修正膜使用以碳(C) 為主成分的材料是特別有利的。其原因在于由于硅化鉬化合物與以碳(C)為 主成分的材料，如前述的圖2所示的那樣，相對于i線或g線的波長區(qū)域的曝光 光的劍寸率近似，并且其波長依賴性也沒有較大不同，故M31本發(fā)明的方法，在 選擇了規(guī)定的曝光波長后將半透光膜和修正膜的^ 率基本相同這一點，比較 容易實現(xiàn)。另外，作為優(yōu)選，在i線 g線的全部區(qū)域 半透光膜和修正膜的 光透射率差在3%以內(nèi)。由此，即使在曝光光源的波長特性伴隨時間而變化的情 況下，仍可使半透光膜與修正膜的M"率差始終在3%以內(nèi)。使用這樣的掩卞IM 形成的抗蝕圖案的曝光量的差異所造成的線寬變化，可低于顯影后的抗蝕劑線寬 變化允剤直。
下面對本發(fā)明的灰階掩模的缺陷修正方法的一個實施例進(jìn)行說明。 在本實施例中，4柳TTT襯底M^的以下灰階掩模，艮P，該灰階掩模M3！
在透明襯底上依次形成包括硅化鉬的半透光膜(曝光夕自率50%)、以鉻為
主成分的遮光膜，并且進(jìn)行規(guī)定的圖案化，由此具有遮光部、透光部和半透光部。
關(guān)于制造方法，將在后面描述。
對在上述灰階掩模的半透光部中產(chǎn)生的白缺陷的修正方法進(jìn)行說明。 (l)針對已審i臘的灰階掩模，4頓缺陷檢査裝置，進(jìn)行掩模圖案的缺陷檢查。
缺陷檢査可通過一邊使檢査光對灰階掩模進(jìn)行掃描一邊檢測，射率，并且與允Wf直進(jìn)行比l^iS行。另外，在半透光部中具有缺陷時，確定該缺陷區(qū)域的位置 和形狀，產(chǎn)生位置信息和形狀信息(包括尺寸信息)。該場合的缺陷，由于相對 正常的半透光部而半透光膜的膜厚小或者具有半透光膜缺落的部位，所以是曝光 光的邀才量大于正常的半透光部的部分這樣的所謂的白缺陷。
(2) 首先，決定形成修正膜用的成膜機(jī)構(gòu)和成膜材料(組成)。在本實施例
中，成膜機(jī)構(gòu)^頓FIB體。另外，就^M材料而言，從適合于Fffi裝置的^l莫， 并且與MoSi半透光膜在規(guī)定的波長而透射率吻合的觀點， 使用容易進(jìn)行光 邀寸率的控制的材料，在本實施例中，{頓碳。碳為不僅適合于FIB裝置的劍莫， 并且容易進(jìn)行光邀寸率的控制，而且耐化學(xué)品性、附著強(qiáng)度均優(yōu)良的材料。
另外，預(yù)先把握作為修正膜的翻射目對曝光光波長的光邀才率特性，以及用 于獲得規(guī)定的邀寸率的劍莫斜牛等。
(3) 考察^柳該掩模時的曝光機(jī)的波長特性，決定使MoSi半透光膜和碳修 正膜的光透射率吻合用的基準(zhǔn)波長(在這里，指包括在曝光光波長區(qū)域中的波 長)。
(4) 根據(jù)預(yù)先把握的碳膜相對曝光光波長的光邀才率特性等的結(jié)果，按照針 劉—上述基準(zhǔn)波長而半透光膜和碳修正膜的光透射率差在規(guī)定的允許范圍內(nèi)(1% 以內(nèi))的方式，確定碳修正膜的膜厚及其成膜用的成膜條件(每單位面積的劑量 等)。在使用FIB裝置的成膜的場合，控制膜厚的參數(shù)主要為離子束的每單位面 積的劑量(Dose，與] 時的電流{1^比例)。在這里，在1%以內(nèi)，是指在4OT 本發(fā)明的灰階掩模，對形成于被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑進(jìn)行曝光腿行顯影時，在抗 蝕圖案中的與半透光膜相對應(yīng)的部分和與碳修正膜對應(yīng)的部分之間實質(zhì)上不產(chǎn) 生膜厚差的量，是可將這些部分視為同一膜的量。
在這里，對上述FIB裝置進(jìn)行說明。該FIB裝置40如圖4所示的那樣，包 括產(chǎn)生Ga+離子的離子源41;電磁光學(xué)系統(tǒng)42;排放用于中和Ga+離子的 電子的電子槍43;釋放卩氣體的蝕刻用氣體槍49;和釋放芘氣體的氣體槍44。 上述電磁光學(xué)系統(tǒng)42將從離子源41產(chǎn)生的Ga+離子形成為離子束47，該離子 束47由掃描放大器46進(jìn)行掃描。
接著，在XY臺45上，放置作為被修正g的灰階掩模20，使XY臺45 移動，由此，將該灰階掩模20中的要施加修正的缺陷區(qū)繊至lJ離子束照射區(qū)域。
接著，將離子束47掃描到要施加修正的缺陷區(qū)域，M;用于檢測出此時產(chǎn)生的
二次離子的二次離子檢測器48的作用，檢觀懷施加修正的缺陷區(qū)域的位置。離
子束47經(jīng)由電磁光學(xué)系統(tǒng)42，照射到該灰階掩模20中的要施加修正的缺陷區(qū)域， 由此，進(jìn)行修正膜的形成、黑缺陷區(qū)域的半透光膜的去除。另外，離子束的束直 徑在O.lpmcp以下。
在形成修正膜的場合，在經(jīng)由電磁光學(xué)系統(tǒng)42而釋放離子束47的同時，通 過氣體槍44釋放芘氣體。由此，芘氣體與離子束47接觸而發(fā)生聚合(化學(xué)反 應(yīng))，從而在離子束47的照射區(qū)域使修正膜堆積而形成。
另外，在去除黑缺陷區(qū)域的半透光膜的場合，M31蝕刻用氣體槍49釋放(3 氣體，在該狀態(tài)下經(jīng)由電磁光學(xué)系統(tǒng)42照射離子束47，由此，去除上述半透光 膜。
(5)將用于決定修正膜的形成區(qū)域所必需的缺陷區(qū)域的位置信息等輸入到F IB裝置中，并且輸入上述^J莫^(牛，在該 條件下在成膜區(qū)域(缺陷區(qū)域)形 成碳的修正膜。
以±)(寸白缺陷的修正方法進(jìn)行了說明，但是，在半透光部存在由遮光膜部分 的附著等造成的黑缺陷的場合，首先，使用FIB裝置等僅僅去除黑缺陷也可。由 于黑缺陷的去除具有還對半透光膜造成損傷的情況，故"腿可通過FIB裝置(優(yōu) 選，F(xiàn)IB的氣懶甫助蝕刻處理)或激光等去除包括黑缺陷的區(qū)域的半透光膜，將 該所去除后的區(qū)域作為白缺陷區(qū)域，進(jìn)行與上述白缺陷的場合相同的修正?？赏?過這樣，在黑缺陷的場合也冑,進(jìn)行適宜的修正。
上述那樣，根據(jù)本實施例，由于相對規(guī)定的波長的曝光光的修正膜的 1寸 率基本等于半透光膜(光透射率在允許范圍內(nèi))，故在缺陷已修正的區(qū)域，其結(jié) 果是獲得與半透光部的正常的灰階部分所允許的透射率范圍基本相同的灰階效 果，可適當(dāng)?shù)匦拚诎胪腹獠恐挟a(chǎn)生的缺陷。
另外，在本實施例中，作為修正膜的^M機(jī)構(gòu)，i細(xì)FIB裝置，但是，劍莫 機(jī)構(gòu)并不限于FIB裝置，也可使用比如激光CVD等的其它的成膜機(jī)構(gòu)。
本發(fā)明還提供灰階掩模的制造方法，該制造方^S括以上說明的基于缺陷修 正方法的缺陷修正工序。
上述灰階掩模可通過下述的方法獲得。本發(fā)明在下述的制itil程中，用于在 半透光部的半透光膜中產(chǎn)生的缺陷的修正。
(1)準(zhǔn)備在透明襯底上依次層疊半透光膜和遮光膜的大型光^Sfc在該大型光罩基板上的與遮光部相對應(yīng)的區(qū)域，形成抗蝕圖案，并將該抗蝕圖案作為掩 模，對已露出的遮光膜進(jìn)行蝕刻處理，由此形成在半透光膜上殘留遮光膜的遮光 部。接著，在至少包括半透光部的區(qū)域，形成抗蝕圖案，并將該抗蝕圖案作為掩 模，對已露出的半透光膜進(jìn)行蝕刻處理，由此，形^a留有半透光膜的半透光部 及去除了半透光膜的透光部。這樣，可獲得以下的灰階掩模，其具有在透明襯底 上殘留有半透光膜的半透光部、在透明襯底上殘留遮光膜和半透光膜的層疊膜的 遮光部、在透明襯底上未殘留半透光膜和遮光膜中的任意者的透光部。
(2) 或者，準(zhǔn)備在透明襯底上形成遮光膜的大型光罩基板，在該大型光罩基 板上的與遮光部相對應(yīng)的區(qū)域，形成抗蝕圖案，將該抗蝕圖案用作掩模，對已露 出的遮光膜進(jìn)行蝕刻處理，由此，形成遮光膜圖案。接著，在去除抗蝕圖案之后， 在襯底的整個面上形成半透光膜。接著，在與遮光部和半透光部相對應(yīng)的區(qū)域， 形成抗蝕圖案，將該抗蝕圖案作為掩模，對已露出的半透光膜進(jìn)行蝕刻處理，由 此，形成透光部和半透光部。這樣，可獲得以下的灰階^f模，其具有在透明襯底 上殘留有半透光膜的半透光部、在透明襯底上殘留遮光膜和半透光膜的層疊膜的 遮光部、在透明襯底上未殘留半透光膜和遮光膜中的任意者的透光部。
(3) 或者，在與上述(2)相同的灰階掩模上的與遮光部和透光部相對應(yīng)的
區(qū)域，形成抗蝕圖案，將該抗蝕圖案作為掩模，對己露出的遮光膜進(jìn)行蝕刻，使 和半透光部相對應(yīng)的區(qū)域的透明襯底露出。接著，去除抗蝕圖案，然后，在襯底 的整個面上，形成半透光膜，在與遮光部和半透光部相對應(yīng)的區(qū)域，形成抗蝕圖 案，以該抗蝕圖案作為掩模，對已露出的半透光膜(和半透劃級遮光膜)進(jìn)行 蝕刻處理。由此，也可形成透光部和遮光部、及半透光部。
顯然，本發(fā)明的光掩模的制造方法不必限于上述(1) (3)。 根據(jù)本發(fā)明的灰階掩模的制造方法，由于具有適合《OT這樣的本發(fā)明的缺陷 修正方法的缺陷修正工序，可獲得適當(dāng)?shù)匦拚诎胪腹獠慨a(chǎn)生的缺陷的灰階掩
4_斗豐旲。
根據(jù)本發(fā)明，可獲得以下灰P介掩模，即，ffi31在由相對規(guī)定的波長的曝光光 具有規(guī)定的光邀寸率的半透光膜形成的半透光部的規(guī)定部分，形成修正半透光膜 的缺陷區(qū)域的、不同于上述半透光膜的組成的修正膜，獲得在適用于灰階掩模的 曝光光的規(guī)定波長，半透光膜和修正膜^ 率的差在3%以內(nèi)。艮口，由于相對
上述波長的曝光光的修正膜的光透射率特性是與半透光膜基本等于的，其結(jié)果
是，在修正了缺陷的區(qū)域，獲得半透光部的正常的灰階部分所允許的邀寸率范圍 內(nèi)的灰階效果，獲得適合修正在半透光部中產(chǎn)生的缺陷的灰階掩模。
另外，使用上述那樣在半透光部中產(chǎn)生的缺陷適當(dāng)修正的本發(fā)明的灰階掩 模，如前述的圖1所示的那樣，M將圖案轉(zhuǎn)印于被轉(zhuǎn)印體上，由此，可形成沒 有圖案缺陷的良好的轉(zhuǎn)印圖案。
權(quán)利要求
1.一種灰階掩模的缺陷修正方法，該灰階掩模具有遮光部、透光部和半透光部，并且用于在被轉(zhuǎn)印體上形成膜厚階段性或連續(xù)性不同的抗蝕圖案，上述半透光部通過在透明襯底上形成使曝光光的透射量降低的半透光膜而成，上述灰階掩模的缺陷修正方法，具有確定在半透光膜中產(chǎn)生的缺陷區(qū)域的工序；和在所確定的上述缺陷區(qū)域，形成不同于上述半透光膜的組成的修正膜的工序；并且，在上述修正膜形成工序中，確定曝光光中所包括的規(guī)定波長；根據(jù)預(yù)先把握的上述修正膜的光透射率特性，適用相對上述所確定的規(guī)定波長的光的上述修正膜的光透射率大致等于上述半透光膜的光透射率的條件，形成上述修正膜。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1戶服的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于， 相對上述規(guī)定波長的光的上述修正膜的光透射率大致等于上述半透光膜的光慰寸率的條件，是指在上3^光部的，射率設(shè)為100%時，上述修正膜和上 述半透光膜的，寸率之差在1%以內(nèi)的條件。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1戶脫的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于，上述條件的適用，通過莫厚的選擇而進(jìn)行。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1戶脫的灰階掩模的缺陷修正方法， 一其特征在于，在i線 g線的波長區(qū)域，，修正膜的光透射率與上述半透光膜的，寸 率的差在3%以內(nèi)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于， 在上述修正膜形成工序，預(yù)先把握具有規(guī)定的組成的上述修正膜的分光射率特性。
6. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于， 在上述修正膜形成工序，預(yù)先把握在形成具有規(guī)定的組成的，修正膜時的成膜割牛與相對規(guī)定的曝光光波長的光透射率的相關(guān)性。
7. 根據(jù)權(quán)利要求1 所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于， 在上述修正膜形成工序，iM^擇上述修正膜的形成條件中的上述修正膜的組成，來調(diào)整光透射率。
8. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于， 上述半透光膜的成膜JOTW^法，并且在上述修正膜的成膜中使用收斂離子束法。
9. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于， 上述半透光膜的材料使用在硅化鉬化合物、鉻化合物、或Si、 W、 Al中的任一個，上述修正膜使用以碳(C)為主成分的材料。
10. 根據(jù)權(quán)禾腰求9所述的灰階掩模的缺陷修正方法，其特征在于， 上述半透光膜的材料使用硅化鉬化合物，并且上述修正膜使用以碳(C)為主成分的材料。
11. 一種灰P介掩模的制造方法，其包括權(quán)利要求1 10中的任意一項所述的缺 陷修正方法的缺陷修正工序。
12. —種灰階掩模，具有遮光部、透光部和半透光部，并且用于在被轉(zhuǎn)印體上 形成膜厚階段性或連續(xù)性不同的抗蝕圖案，上述半透光部，通過在透明襯底上形成相對曝光光中包括的規(guī)定波長的光具 有規(guī)定的光翻率的半透光膜而成，并且，在上述半透光部的規(guī)定部分，形成不同于上述半透光膜的組成的修正膜，在 相對上述規(guī)定波長的光的上皿光部的 射率設(shè)為100%時，上述規(guī)定的， 射率和上述修，的光M"率的差在1%以內(nèi)。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的灰階掩模，其特征在于，在i線 g線的波長區(qū)域，上述半透光膜的光慰寸 吐述修正膜的^11寸 率的差在3%以內(nèi)。
14. 一種灰階掩模，具有遮光部、透光部和半透光部，并且用于在被轉(zhuǎn)印體上 形成膜厚階段性或連續(xù)性不同的抗蝕圖案，上述半透光部，通過在透明襯底上形淑目對曝光光中包括的規(guī)定波長的光具 有規(guī)定的光邀t率的半透光膜而成，并且，在上述半透光部的規(guī)定部分，形成不同于上述半透光膜的組成的修正膜， 上述半透光膜和上述修正膜，在i線 g線的波長區(qū)域的光邀寸率的波長依 賴性不同，上述半透光膜的邀寸率曲線和上述修IEM的邀寸率曲線具有在上述波 長區(qū)域內(nèi)相交叉的點。
15. 根據(jù)權(quán)利要求14所述的灰階掩模，其特征在于，在上述波長區(qū)域的上述半透光膜的光透射率和上述修正膜的光透射率的差在3%以內(nèi)。
16. —種圖案轉(zhuǎn)印方法，{頓權(quán)利要求11所述的制造方法制造的灰階掩?；?者使用權(quán)利要求12 15中的任意一項所述的灰階掩模和規(guī)定波長的曝光光，對 被轉(zhuǎn)印體上的抗蝕劑進(jìn)行曝光，在上述被轉(zhuǎn)印體上形成膜厚階段性或連續(xù)性不同 的抗蝕圖案。
全文摘要
一種灰階掩模(20)的缺陷修正方法，該灰階掩模具有遮光部(21)、透光部(22)和半透光部(23)，該半透光部將掩模(20)使用時所使用的曝光光的透射量降低規(guī)定量，半透光部(23)包括半透光膜(26)，該方法具有在半透光部(23)確定缺陷區(qū)域的工序；和在缺陷區(qū)域形成不同于半透光膜的組成的修正膜(27)的工序。在該修正膜形成工序中，預(yù)先把握相對規(guī)定波長的曝光光的修正膜的光透射率特性，根據(jù)所把握的修正膜的光透射率特性，適用相對規(guī)定波長的曝光光的修正膜(27)的光透射率與半透光膜(26)的大致相等的條件。
文檔編號G03F1/72GK101344720SQ200810214719
公開日2009年1月14日 申請日期2008年7月10日 優(yōu)先權(quán)日2007年7月12日
發(fā)明者佐野道明, 田中淳一 申請人:Hoya株式會社