專利名稱：光刻方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造技術(shù)領(lǐng)域，特別涉及一種光刻方法。
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體器件的制造中，在進(jìn)行光刻工藝中，通常在將硅片經(jīng)過(guò)預(yù)處理之后，進(jìn)行涂覆光刻膠，然后進(jìn)行曝光前的烘焙使光刻膠具有一定的硬度并且均勻的附著在硅片上，之后將掩膜板上的掩模圖形投影到涂覆了光刻膠層的硅片上，經(jīng)過(guò)光源的曝光，使光刻膠層的曝光位置發(fā)生了光化學(xué)變化， 因?yàn)楣鈴?qiáng)隨著波長(zhǎng)減小越來(lái)越弱，曝光光源波長(zhǎng)在248nm以下的制造工藝中，光強(qiáng)的減小使得曝光區(qū)域的邊緣的光刻膠不能充分的發(fā)生反應(yīng)，因此通常使用的光刻膠具有光酸放大作用，也就是在曝光后光刻膠中的光酸會(huì)釋放出來(lái)使光刻膠變的容易溶解，因?yàn)樵谄毓鈺r(shí)光源照在光刻膠上的光強(qiáng)分布通常是曝光區(qū)域的中央位置較強(qiáng)，然后向邊緣遞減，因此在曝光后曝光區(qū)域的光刻膠釋放出的光酸從中間向邊緣遞減，這樣在曝光區(qū)域邊緣部分的光刻膠因?yàn)楣鈴?qiáng)較弱因此不足以發(fā)生化學(xué)變化。然后進(jìn)行曝光后的烘焙，因?yàn)楣饪棠z具有光酸放大作用，在烘焙的時(shí)候光刻膠中的光酸會(huì)從曝光區(qū)域的中央逐漸向邊緣擴(kuò)散，在曝光后烘焙時(shí)間和溫度的控制下，光酸會(huì)擴(kuò)散達(dá)到曝光區(qū)域的邊緣。因?yàn)橛写罅抗馑釘U(kuò)散到了曝光區(qū)域邊緣，因此在光酸擴(kuò)散到的位置的光刻膠都會(huì)發(fā)生化學(xué)變化，變得可以溶解于顯影液。因此在顯影之后就得到了具有特定CD開(kāi)口圖形的掩膜圖形。同時(shí)在烘焙的過(guò)程中，沒(méi)有經(jīng)過(guò)曝光的光刻膠會(huì)變硬定型。 從而經(jīng)過(guò)顯影在光刻膠層中形成了掩模圖形的映像，也就是刻蝕阻擋圖形。再通過(guò)后續(xù)工藝，如刻蝕工藝，就把掩膜板上的掩模圖形轉(zhuǎn)移到硅片表面制成永久的圖形，例如形成柵極圖形。 在光刻工藝中，曝光后的烘焙對(duì)光刻膠層中形成的圖形線寬和邊界的影響很大，例如在專利號(hào)為6235439，名稱為利用加熱設(shè)備對(duì)曝光后的晶片加熱進(jìn)行堅(jiān)膜來(lái)控制集成電路圖形尺寸的方法的美國(guó)專利中，公開(kāi)了測(cè)量堅(jiān)膜(曝光后烘焙)的溫度和圖形線寬的關(guān)系，然后反饋到堅(jiān)膜(曝光后烘焙)的過(guò)程中，從而利用堅(jiān)膜(曝光后烘焙)的加熱溫度在晶片上形成目標(biāo)線寬的圖形。 但是傳統(tǒng)方法在曝光后烘焙的時(shí)候會(huì)采用一步烘焙，經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)烘焙后的掩膜圖形的開(kāi)口邊界處非常粗糙。圖1是現(xiàn)有技術(shù)中曝光后采用一步烘焙形成的光刻膠掩膜圖形，如圖1所示，這樣會(huì)造成在后續(xù)刻蝕的過(guò)程形成的圖形的邊界粗糙，從而半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性較差。

發(fā)明內(nèi)容
為了解決上述問(wèn)題，本發(fā)明提供了一種光刻方法，改善了光刻形成的開(kāi)口圖形邊界粗糙的問(wèn)題。
本發(fā)明提供了一種光刻方法，包括步驟
提供一半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板具有待刻蝕層；
在所述待刻蝕層上涂覆光酸放大型光刻膠層；
對(duì)所述光刻膠層的部分區(qū)域進(jìn)行曝光； 對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行烘焙，所述烘焙至少包括兩步，并且后一步烘焙的溫度相比前一步烘焙的溫度依次遞減； 用顯影液清洗，在光刻膠層的曝光區(qū)域形成開(kāi)口圖形，形成開(kāi)口圖形的邊界垂直于半導(dǎo)體基板。 可選的，所述烘焙包括第一步烘焙和第二步烘焙。 可選的，所述第一步烘焙的時(shí)間為tl ;所述第二步烘焙的時(shí)間為t2，其中t2大于tl。 可選的，T2和Tl的比值大于或等于3/7。 可選的，t2和tl的比值小于或等于4。 可選的，T2和Tl的比值為9/11， t2和tl的比值為2。 可選的，所述光刻膠材料為包括乙酸丙二醇單甲醚酯、聚羥基苯乙烯、光酸產(chǎn)生
劑、界面活性劑的混合物，Tl為100°C -115°C， T2為85°C -IO(TC。 可選的，所述T1為110。C，烘焙時(shí)間為30s， T2為90°C， t2為60s。 可選的，所述光刻膠為248nm波長(zhǎng)曝光光源所對(duì)應(yīng)的光刻膠。 上述技術(shù)方案的優(yōu)點(diǎn)是 將現(xiàn)有技術(shù)中的曝光后的一步烘焙改為至少兩步烘焙，并且后一步烘焙的溫度相比前一步烘焙的溫度依次遞減，這樣在前面相對(duì)較高溫度的烘焙步驟中中使光酸快速擴(kuò)散，在后面相對(duì)較低溫度的烘焙步驟中使光酸擴(kuò)散到曝光區(qū)域邊緣時(shí)較慢的均勻擴(kuò)散，從而在曝光區(qū)域邊緣光酸充分反應(yīng)，因此在顯影之后形成的開(kāi)口圖形邊界平滑。


圖1為現(xiàn)有技術(shù)中采用曝光后一步烘焙形成的光刻膠掩膜圖形；
圖2為本發(fā)明的光刻方法一實(shí)施例的流程 圖3-圖8為本發(fā)明的光刻方法一實(shí)施例的示意圖。
具體實(shí)施例方式
為使本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能夠更加明顯易懂，下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明的具體實(shí)施方式
做詳細(xì)的說(shuō)明。 在下面的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以在不違背本發(fā)明內(nèi)涵的情況下做類似推廣，因此本發(fā)明不受下面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。 其次，本發(fā)明利用示意圖進(jìn)行詳細(xì)描述，在詳述本發(fā)明實(shí)施例時(shí)，為便于說(shuō)明，表示器件結(jié)構(gòu)的剖面圖會(huì)不依一般比例作局部放大，而且所述示意圖只是實(shí)例，其在此不應(yīng)限制本發(fā)明保護(hù)的范圍。此外，在實(shí)際制作中應(yīng)包含長(zhǎng)度、寬度及深度的三維空間尺寸。
因?yàn)楣鈴?qiáng)隨著波長(zhǎng)減小越來(lái)越弱，曝光光源波長(zhǎng)在248nm以下的制造工藝中，光強(qiáng)的減小使得曝光區(qū)域的邊緣的光刻膠不能充分的發(fā)生反應(yīng)，因此，通常使用的光刻膠具有光酸放大作用，也就是在曝光后光刻膠中的光酸會(huì)釋放出來(lái)使光刻膠變的容易溶解，因?yàn)樵谄毓鈺r(shí)光源照在光刻膠上的光強(qiáng)分布通常是曝光區(qū)域的中央位置較強(qiáng)，然后向邊緣遞減，因此在曝光后曝光區(qū)域的光刻膠釋放出的光酸從中間向邊緣遞減，這樣在曝光區(qū)域邊緣部分的光刻膠因?yàn)楣鈴?qiáng)較弱因此不足以發(fā)生化學(xué)變化。然后進(jìn)行烘焙，因?yàn)楣饪棠z具有光酸放大作用，在烘焙的時(shí)候光刻膠中的光酸會(huì)從曝光區(qū)域的中央逐漸向邊緣擴(kuò)散，在特定的烘焙時(shí)間和溫度的控制下，光酸會(huì)擴(kuò)散達(dá)到曝光區(qū)域的邊緣。因?yàn)橛写罅抗馑釘U(kuò)散到了曝光區(qū)域邊緣，因此在光酸擴(kuò)散到的位置的光刻膠都會(huì)發(fā)生化學(xué)變化，變得可以溶解于顯影液。因此在顯影之后就得到了具有特定CD開(kāi)口圖形的掩膜圖形。同時(shí)在烘焙的過(guò)程中，沒(méi)有經(jīng)過(guò)曝光和光酸沒(méi)有擴(kuò)散到的位置的光刻膠會(huì)變硬定型。從而經(jīng)過(guò)顯影在光刻膠層中形成了掩模圖形的映像。 一般來(lái)說(shuō)，在烘焙的時(shí)候會(huì)采用在一個(gè)較高溫度下烘焙，經(jīng)過(guò)測(cè)試發(fā)現(xiàn)在高溫下進(jìn)行烘焙后掩膜圖形的開(kāi)口邊界處比較粗糙。發(fā)明人研究后認(rèn)為是由于烘焙溫度越高，光酸擴(kuò)散的速度較快，因此使得掩膜圖形的邊界粗糙，這樣會(huì)使得后續(xù)刻蝕步驟中形成的圖形的邊界粗糙，從而半導(dǎo)體器件的電學(xué)特性較差。
因此本發(fā)明提供了一種光刻方法，包括步驟
提供一半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板具有待刻蝕層；
在所述待刻蝕層上涂覆光酸放大型光刻膠層；
對(duì)所述光刻膠層的部分區(qū)域進(jìn)行曝光； 對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行烘焙，所述烘焙至少包括兩步，并且后一步烘焙的溫度相比前一步烘焙的溫度依次遞減； 用顯影液清洗，在光刻膠層的曝光區(qū)域形成開(kāi)口圖形，形成開(kāi)口圖形的邊界垂直于半導(dǎo)體基板。 可選的，所述烘焙包括第一步烘焙和第二步烘焙。 可選的，所述第一步烘焙的時(shí)間為tl ;所述第二步烘焙的時(shí)間為t2，其中t2大于tl。 可選的，T2和Tl的比值大于或等于3/7。 可選的，t2和tl的比值小于或等于4。 可選的，T2和Tl的比值為9/11， t2和tl的比值為2。 可選的，所述光刻膠材料為包括乙酸丙二醇單甲醚酯、聚羥基苯乙烯、光酸產(chǎn)生
劑、界面活性劑的混合物，Tl為100°C -115°C， T2為85°C -IO(TC。 可選的，所述T1為110。C，烘焙時(shí)間為30s， T2為90°C， t2為60s。 可選的，所述光刻膠為248nm波長(zhǎng)曝光光源所對(duì)應(yīng)的光刻膠。 下面結(jié)合附圖對(duì)本發(fā)明光刻方法的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說(shuō)明。 圖2本發(fā)明的光刻方法實(shí)施例的流程圖。如圖2所示，本實(shí)施例的光刻方法包括以下步驟 圖3-圖8為本發(fā)明的光刻方法一實(shí)施例的示意圖，參考圖3和圖4。 S110 :提供一半導(dǎo)體基板IOO，在半導(dǎo)體基板100上具有待刻蝕層112。 所述待刻蝕層112是需要在刻蝕的步驟中被刻蝕掉一些區(qū)域，例如待刻蝕層112
可以為多晶硅層，從而可以在刻蝕之后形成多晶硅柵。 S120 :在待刻蝕層112上涂覆光刻膠層120，所述光刻膠的材料為光酸放大型光刻
5膠。 所述光刻膠層材料可以具體為包括乙酸丙二醇單甲醚酯、聚羥基苯乙烯、光酸產(chǎn)生劑生和界面活性劑的混合物。所述光刻膠材料包括光酸產(chǎn)生劑，因此具有光酸放大作用。因?yàn)楣鈴?qiáng)隨著波長(zhǎng)減小越來(lái)越弱，曝光光源波長(zhǎng)在248nm以下的制造工藝中，光強(qiáng)的減小使得曝光區(qū)域的邊緣的光刻膠不能充分的發(fā)生反應(yīng)，因此該光刻膠材料通常應(yīng)用在248nm以下波長(zhǎng)光源曝光的半導(dǎo)體制造中?？梢圆捎帽绢I(lǐng)域技術(shù)人員熟知的方法進(jìn)行涂覆，例如旋涂法，從而在待刻蝕層112表面形成一層均勻覆蓋的光刻膠層120，該光刻膠層120起到刻蝕掩膜的作用，因此需要把待刻蝕層112需要刻蝕的區(qū)域的表面114暴露出來(lái)。在涂覆光刻膠層120之后還可以包括曝光前的烘焙步驟，使光刻膠層120定型。
S130 :對(duì)所述光刻膠層的部分區(qū)域進(jìn)行曝光。 用光源12通過(guò)所述掩膜板10對(duì)光刻膠層120曝光。將掩膜板10和半導(dǎo)體基板110的位置對(duì)應(yīng)，使掩膜板10的開(kāi)口位置21對(duì)準(zhǔn)光刻膠層120的區(qū)域116。在本實(shí)施例中曝光光源波長(zhǎng)為248nm，曝光能量為30mJ，經(jīng)過(guò)光源12曝光，光刻膠層120上的部分區(qū)域116被曝光，被曝光的區(qū)域116發(fā)生化學(xué)變化，釋放出光酸，但是由于光源曝光時(shí)能量分布不均勻，也就是在曝光區(qū)域116的中央位置能量較強(qiáng)，從而光酸充分釋放，光刻膠層120發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，變得可被顯影液軟化和溶解，但是曝光能量從曝光區(qū)域116的中央向邊緣遞減，從而在曝光區(qū)域116邊緣位置因?yàn)槠毓饽芰枯^弱，因此光酸不能充分釋放，光刻膠層120發(fā)生化學(xué)反應(yīng)較弱，不足以變得可被顯影液軟化和溶解。圖5為曝光后曝光區(qū)域的光刻膠層所釋放的光酸濃度的分布圖。如圖5所示光刻膠釋放出的光酸的濃度從曝光區(qū)域的中央向邊緣逐漸減小，圖5的中央?yún)^(qū)域黑色區(qū)域?yàn)楣馑釢舛茸畲蟮膮^(qū)域邊緣的白色區(qū)域?yàn)楣馑釢舛茸钚〉膮^(qū)域，光酸濃度從中央黑色區(qū)域向邊緣白色區(qū)域遞減。 S140:對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行烘焙，所述烘焙至少包括兩步，并且后一步烘焙的
溫度相比前一步烘焙的溫度依次遞減。 在一具體實(shí)現(xiàn)方式中包括 第一步烘焙在溫度Tl下對(duì)光刻膠層第一步烘焙。 在本實(shí)施例中，烘焙可以采用將具有光刻膠層120的半導(dǎo)體基底110放進(jìn)加熱容器內(nèi)然后加熱，或者將具有光刻膠層120的半導(dǎo)體基底IIO放在加熱基臺(tái)上，在本實(shí)施例中烘焙是在硅片軌道系統(tǒng)的熱板上或生產(chǎn)線的爐子中進(jìn)行。通過(guò)熱板的對(duì)半導(dǎo)體基底110的加熱使光刻膠層120被烘焙。不同的光刻膠曝光后使光刻膠定型，并且使光酸快速擴(kuò)散所需溫度不同，因此通常光刻膠廠家會(huì)給定光刻膠定型，并且使光酸快速擴(kuò)散所需溫度。本實(shí)施例中，使用的光刻膠定型，并且光酸快速擴(kuò)散所需溫度為IO(TC 。在本實(shí)施例中，第一烘焙溫度為IO(TC -115。C，例如105t:、108t:、ll(rC、113t:，在一種具體實(shí)現(xiàn)中，第一烘焙溫度為11(TC，烘焙時(shí)間為30s。因?yàn)榈谝徊降暮姹簻囟认啾绕渌暮姹翰襟E烘焙的溫度最高，優(yōu)選的高于光刻膠廠家會(huì)給定光刻膠定型，并且使光酸快速擴(kuò)散所需溫度，因此在第一步烘焙中，光酸迅速?gòu)钠毓鈪^(qū)域116的中央向邊緣擴(kuò)散，大量光酸擴(kuò)散到的地方會(huì)和光刻膠層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，發(fā)生化學(xué)反應(yīng)后的光刻膠層就可以被顯影液清洗。因?yàn)樵摬胶姹旱臏囟容^高，因此使得光刻膠層110中的光酸迅速擴(kuò)散，因?yàn)楣馑釘U(kuò)散速度過(guò)快，因此和光刻膠層120發(fā)生化學(xué)反應(yīng)就不均勻，使得在大量光酸擴(kuò)散到的位置邊緣可能有的地方發(fā)生了反應(yīng)，有的地方?jīng)]有，因此形成光酸擴(kuò)散到的邊界不均勻。如圖6所示為第一烘焙后曝光區(qū)域的
6光刻膠層所釋放的光酸濃度的分布圖，圖6的中央?yún)^(qū)域黑色區(qū)域?yàn)楣馑釢舛茸畲蟮膮^(qū)域邊 緣的白色區(qū)域?yàn)楣馑釢舛茸钚〉膮^(qū)域，光酸濃度從中央黑色區(qū)域向邊緣白色區(qū)域遞減。因 為該烘焙步驟的溫度較高，因此沒(méi)有被曝光區(qū)域的光刻膠材料的定型會(huì)較好，而且因?yàn)楣?酸擴(kuò)散快，因此節(jié)省時(shí)間。 第二步烘焙在溫度T2下對(duì)光刻膠層第二步烘焙，所述T2小于Tl。 在本實(shí)施例中，第二烘焙可以采用和第一烘焙相同的方法，例如本實(shí)施例中第二
烘焙是在硅片軌道系統(tǒng)的熱板上或生產(chǎn)線的爐子中進(jìn)行。通過(guò)熱板的對(duì)半導(dǎo)體基底110的
加熱使光刻膠層120被烘焙。經(jīng)過(guò)第二烘焙光酸繼續(xù)向邊緣擴(kuò)散。在該步烘焙中，大量光
酸在比第一烘焙較小的速度下擴(kuò)散到曝光區(qū)域116的邊緣，并和光刻膠層發(fā)生化學(xué)反應(yīng)，
發(fā)生化學(xué)反應(yīng)后的光刻膠層就可以被顯影液清洗。當(dāng)然第二烘焙也可以采用和第一烘焙不
同的其它方法。 T2和T1的比值大于或等于6/14，例如為10/11 、9/11 、6/11或5/11。第二烘焙的時(shí) 間t2大于第一烘焙的時(shí)間tl，t2和tl的比值小于或等于4，例如可以為l、2、3或4。在本實(shí) 施例中，T2和Tl的比值為9/11， t2和tl的比值為2，也就是第二烘焙溫度為85°C -IO(TC， 例如87t:、9(TC、95t:，在一個(gè)具體實(shí)現(xiàn)中，第二烘焙溫度為9(TC，烘焙時(shí)間為60s。因?yàn)樵?步烘焙的溫度小于第一烘焙的溫度，因此使得光刻膠層110中的光酸迅速擴(kuò)散速度也小于 第一烘焙中的速度，因?yàn)楣馑釘U(kuò)散速度較慢，因此和光刻膠層120發(fā)生化學(xué)反應(yīng)就較慢，從 而光酸的擴(kuò)散邊緣均勻性好，可以充分反應(yīng)，使在大量光酸擴(kuò)散到的曝光區(qū)域116的邊緣 時(shí)，曝光區(qū)域116的邊緣的光刻膠和光酸反應(yīng)充分。如圖7所示為第二烘焙后曝光區(qū)域的 光刻膠層所釋放的光酸濃度的分布圖，圖7的中央?yún)^(qū)域黑色區(qū)域?yàn)楣馑釢舛茸畲蟮膮^(qū)域邊 緣的白色區(qū)域?yàn)楣馑釢舛茸钚〉膮^(qū)域，光酸濃度從中央黑色區(qū)域向邊緣白色區(qū)域遞減。而 且經(jīng)過(guò)進(jìn)二步烘焙光刻膠材料沒(méi)有經(jīng)過(guò)曝光的區(qū)域被定型，變得較硬。
S150 :用顯影液清洗，在光刻膠層的曝光區(qū)域形成開(kāi)口圖形，形成開(kāi)口圖形的邊界 垂直于半導(dǎo)體基板。 用顯影液清洗，在本實(shí)施例中具體采用的顯影液為濃度為2. 38%的TMAH。因?yàn)樵?第二烘焙中采用了較低的溫度，因此光酸擴(kuò)散的緩慢，，在光酸擴(kuò)散到的曝光區(qū)域邊緣和光 刻膠材料充分反應(yīng)，因此容易被顯影液清洗，這樣在顯影液清洗之后在光刻膠層中形成的 開(kāi)口圖形邊界就比較平滑。如圖8所示的顯影之后的開(kāi)口圖形。從而利用該光刻膠層做為 掩膜圖形進(jìn)行后續(xù)刻蝕時(shí)，因?yàn)樵撻_(kāi)口圖形的邊緣平滑，因此形成的刻蝕圖形的邊緣就平 滑，從而形成的半導(dǎo)體器件的質(zhì)量高。 在上述實(shí)施例中，還可以在涂覆光刻膠步驟之后，曝光步驟之前還包括軟烘焙步 驟使涂覆的光刻膠定型，在顯影步驟之后還包括對(duì)光刻膠層進(jìn)行第三步烘焙，使光刻膠層 形成的掩膜圖形硬化定型。 在上述實(shí)施例中，將現(xiàn)有技術(shù)中的曝光后的一步烘焙改為兩步烘焙，因此可以調(diào) 整兩步烘焙的溫度，使第一烘焙的溫度高于第二烘焙的溫度，在第一烘焙中使光酸快速擴(kuò) 散，在第二烘焙的步驟中使光酸擴(kuò)散到曝光區(qū)域邊緣時(shí)較慢的均勻擴(kuò)散，從而在曝光區(qū)域 邊緣光酸充分反應(yīng)，因此在顯影之后形成的開(kāi)口圖形邊界平滑，并且形成開(kāi)口圖形的邊界 垂直于半導(dǎo)體基板。 發(fā)明人在經(jīng)過(guò)試驗(yàn)研究之后，從而得到針對(duì)248nm波長(zhǎng)的曝光光源，光刻膠材料
7為包括乙酸丙二醇單甲醚酯、聚羥基苯乙烯、光酸產(chǎn)生劑生、界面活性劑的混合物時(shí)，將現(xiàn) 有技術(shù)中的一步烘焙溫度變?yōu)榈谝缓姹簻囟葹閘l(TC，烘焙時(shí)間為30s，第二烘焙溫度為T2 為9(TC，時(shí)間t2為60s時(shí)可以得到相比現(xiàn)有技術(shù)的一步烘焙邊界更平滑的開(kāi)口圖形，并且 烘焙的總時(shí)間和現(xiàn)有技術(shù)中一步烘焙的時(shí)間相同，因此在不改變生產(chǎn)效率的前提下得到了 更好的光刻效果。 在其它實(shí)施例中，在對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行烘焙的步驟可以包括例如第一步、
第二步......第N步，其中N為大于1的自然數(shù)，每一步烘焙的方法可以和上述實(shí)施例相
同，每一在后的步驟的烘焙溫度小于在前步驟的烘焙溫度，也就是后一步烘焙的溫度相比 前一步烘焙的溫度依次遞減。 在以上的描述中闡述了很多具體細(xì)節(jié)以便于充分理解本發(fā)明。但是以上描述僅是 本發(fā)明的較佳實(shí)施例而已，本發(fā)明能夠以很多不同于在此描述的其它方式來(lái)實(shí)施，因此本 發(fā)明不受上面公開(kāi)的具體實(shí)施的限制。同時(shí)任何熟悉本領(lǐng)域技術(shù)人員在不脫離本發(fā)明技術(shù) 方案范圍情況下，都可利用上述揭示的方法和技術(shù)內(nèi)容對(duì)本發(fā)明技術(shù)方案作出許多可能的 變動(dòng)和修飾，或修改為等同變化的等效實(shí)施例。凡是未脫離本發(fā)明技術(shù)方案的內(nèi)容，依據(jù)本 發(fā)明的技術(shù)實(shí)質(zhì)對(duì)以上實(shí)施例所做的任何簡(jiǎn)單修改、等同變化及修飾，均仍屬于本發(fā)明技 術(shù)方案保護(hù)的范圍內(nèi)。
權(quán)利要求
一種光刻方法，其特征在于，包括步驟提供一半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板具有待刻蝕層；在所述待刻蝕層上涂覆光酸放大型光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層的部分區(qū)域進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行烘焙，所述烘焙至少包括兩步，并且后一步烘焙的溫度相比前一步烘焙的溫度依次遞減；用顯影液清洗，在光刻膠層的曝光區(qū)域形成開(kāi)口圖形，形成開(kāi)口圖形的邊界垂直于半導(dǎo)體基板。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的光刻方法，其特征在于，所述烘焙包括第一步烘焙和第二步烘焙。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的光刻方法，其特征在于，所述第一步烘焙的時(shí)間為tl ;所述第二步烘焙的時(shí)間為t2，其中t2大于tl。
4. 根據(jù)權(quán)利要求3所述的光刻方法，其特征在于，T2和Tl的比值大于或等于3/7。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的光刻方法，其特征在于，t2和tl的比值小于或等于4。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的光刻方法，其特征在于，T2和Tl的比值為9/11， t2和tl的比值為2。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻膠材料為包括乙酸丙二醇單甲醚酯、聚羥基苯乙烯、光酸產(chǎn)生劑、界面活性劑的混合物，Tl為IO(TC _115°C， T2為85°C -IO(TC。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的光刻方法，其特征在于，所述T1為11(TC，烘焙時(shí)間為30s，T2為90°C， t2為60s。
9. 根據(jù)權(quán)利要求l所述的光刻方法，其特征在于，所述光刻膠為248nm波長(zhǎng)曝光光源所對(duì)應(yīng)的光刻膠。
全文摘要
本發(fā)明提供了一種光刻方法，包括步驟提供一半導(dǎo)體基板，所述半導(dǎo)體基板具有待刻蝕層；在所述待刻蝕層上涂覆光酸放大型光刻膠層；對(duì)所述光刻膠層的部分區(qū)域進(jìn)行曝光；對(duì)曝光后的光刻膠層進(jìn)行烘焙，所述烘焙至少包括兩步，并且后一步烘焙的溫度相比前一步烘焙的溫度依次遞減；用顯影液清洗，在光刻膠層的曝光區(qū)域形成開(kāi)口圖形，形成開(kāi)口圖形的邊界垂直于半導(dǎo)體基板，該光刻方法改善了光刻形成的開(kāi)口圖形邊界粗糙的問(wèn)題。
文檔編號(hào)G03F7/028GK101764053SQ200810208069
公開(kāi)日2010年6月30日 申請(qǐng)日期2008年12月25日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月25日
發(fā)明者安輝 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司