技術(shù)編號：2811469
提示：您尚未登錄，請點 登 陸 后下載，如果您還沒有賬戶請點 注 冊 ，登陸完成后，請刷新本頁查看技術(shù)詳細(xì)信息。本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造，特別涉及一種。背景技術(shù)在半導(dǎo)體器件的制造中，在進(jìn)行光刻工藝中，通常在將硅片經(jīng)過預(yù)處理之后，進(jìn)行涂覆光刻膠，然后進(jìn)行曝光前的烘焙使光刻膠具有一定的硬度并且均勻的附著在硅片上，之后將掩膜板上的掩模圖形投影到涂覆了光刻膠層的硅片上，經(jīng)過光源的曝光，使光刻膠層的曝光位置發(fā)生了光化學(xué)變化， 因為光強隨著波長減小越來越弱，曝光光源波長在248nm以下的制造工藝中，光強的減小使得曝光區(qū)域的邊緣的光刻膠不能充分的發(fā)生反應(yīng)，因此通常使用的光刻膠具有光酸...
注意：該技術(shù)已申請專利，請尊重研發(fā)人員的辛勤研發(fā)付出，在未取得專利權(quán)人授權(quán)前，僅供技術(shù)研究參考不得用于商業(yè)用途。
該專利適合技術(shù)人員進(jìn)行技術(shù)研發(fā)參考以及查看自身技術(shù)是否侵權(quán)，增加技術(shù)思路，做技術(shù)知識儲備，不適合論文引用。