專(zhuān)利名稱(chēng)：光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及半導(dǎo)體制造領(lǐng)域， OpticalProximity Correction)方法。
尤其涉及光學(xué)臨近效應(yīng)修正(OPC，
背景技術(shù)：
在半導(dǎo)體制程中，為將集成電路(IC， Integrated Circuit)的電路圖案轉(zhuǎn)移至半 導(dǎo)體芯片上，需將集成電路的電路圖案設(shè)計(jì)為掩膜版圖案，再將該掩膜版圖案從掩膜版表 面轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體芯片。 然而隨著集成電路特征尺寸縮小，以及受到曝光機(jī)臺(tái)(OET， Optical E鄧osureTool)的分辨率極限(Resolution Limit)的影響，在對(duì)高密度排列的掩膜版圖 案進(jìn)行曝光制程以進(jìn)行圖案轉(zhuǎn)移時(shí)，便很容易產(chǎn)生光學(xué)臨近效應(yīng)(0PE， opticalProximity Effect)。例如直角轉(zhuǎn)角圓形化(Right-angled corner rounded)、直線(xiàn)末端緊縮(Line End Shortened)以及直線(xiàn)線(xiàn)寬增加/縮減(Line Widthlncrease/decrease)等都是常見(jiàn)的光學(xué) 臨近效應(yīng)導(dǎo)致的掩膜版圖形轉(zhuǎn)移缺陷。 目前業(yè)界通常采用一計(jì)算機(jī)系統(tǒng)來(lái)預(yù)先對(duì)集成電路的電路圖案進(jìn)行OPC處理，再 根據(jù)OPC處理后的集成電路的電路圖案制作掩膜版圖案，然后將該掩膜版圖案從掩膜版表 面轉(zhuǎn)移至半導(dǎo)體芯片，制作集成電路。這樣即使存在上述臨近效應(yīng)，使得掩膜版圖案和轉(zhuǎn) 移至半導(dǎo)體芯片上的圖案有偏差，但由于已經(jīng)進(jìn)行OPC處理，因此減少了所述偏差對(duì)集成 電路性能和成品率的不利影響。下面以集成電路的電路圖案中常見(jiàn)的孤立線(xiàn)(Isolated Line)為例說(shuō)明現(xiàn)有OPC處理方案。 圖1為采用現(xiàn)有OPC方案對(duì)孤立線(xiàn)電路圖案進(jìn)行處理的電路圖案示意圖，結(jié)合該 圖，現(xiàn)有0PC處理方案為首先在電路圖案中，在孤立線(xiàn)11臨近處，添加與孤立線(xiàn)ll平行的 散射條12 (SB， Scattering Bar);然后對(duì)該電路圖案進(jìn)行OPC調(diào)整。其中圖中標(biāo)號(hào)13代表 孤立線(xiàn)11對(duì)應(yīng)的接觸點(diǎn)(CT， Contact)，在集成電路中，CT 13位于孤立線(xiàn)11所處疊層的上 方疊層，此處理解為其投影。 上述方案雖然調(diào)整作用較佳，但由于孤立線(xiàn)ll通常長(zhǎng)度大，寬度小，因此在顯影 工藝中容易產(chǎn)生崩塌(peeling)現(xiàn)象，此外在集成電路中，由于CT 13是從孤立線(xiàn)所屬疊層 的上方疊層打孔直至孤立線(xiàn)11上，因此CT 13對(duì)應(yīng)至孤立線(xiàn)11上的位置可能與預(yù)定位置 有偏差，造成CT覆蓋(coverage)問(wèn)題。 為避免上述peeling及CT Coverage的問(wèn)題，現(xiàn)有解決方案為在電路圖案中，在 孤立線(xiàn)每隔一定長(zhǎng)度就局部加粗，形成如圖2所示的孤立線(xiàn)21 ，圖2為采用現(xiàn)有OPC方法對(duì) 另一種孤立線(xiàn)電路圖案進(jìn)行處理的電路圖案示意圖。這個(gè)方案雖然能夠避免上述peeling 及CT Coverage的問(wèn)題，但是該方案至少存在如下問(wèn)題 —，根據(jù)圖2所示的孤立線(xiàn)21電路圖案，在掩膜版上制作相應(yīng)的掩膜圖案時(shí)，該制 作過(guò)程復(fù)雜，提高了掩膜版的制作成本； 二，由于孤立線(xiàn)21有多處局部加粗，圖案二維特征顯著，導(dǎo)致OPC矯正的精確度下降，降低OPC矯正的效果，不利于減少光學(xué)臨近效應(yīng)，從而容易降低集成電路的性能和成品 率；以及 三，由于更改孤立線(xiàn)21電路圖案通常需要電路設(shè)計(jì)方修改，而此時(shí)電路圖案已交 給電路制造方，所以修改時(shí)需要雙方耗費(fèi)大量人力物力進(jìn)行溝通交流，將降低集成電路制 造效率。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明提供OPC方法，以在避免peeling及CT coverage的問(wèn)題的基礎(chǔ)上，提高 OPC效率，降低掩膜版成本，以及提高生產(chǎn)效率。 本發(fā)明提出了 OPC方法，該方法包括在包含孤立線(xiàn)的電路圖案中，添加與孤立線(xiàn) 平行的散射條(SB);對(duì)該電路圖案進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正(OPC)處理；以及在所述平行的 散射條(SB)中最接近孤立線(xiàn)的散射條(SB)上，添加與孤立線(xiàn)垂直的散射條(SB)，其中所述 垂直散射條(SB)的一端位于所述最接近孤立線(xiàn)的散射條(SB)上，另一端指向孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng) 的接觸點(diǎn)(CT)在孤立線(xiàn)上的投影。 本發(fā)明通過(guò)在包含孤立線(xiàn)的電路圖案中，添加與孤立線(xiàn)平行的散射條；對(duì)該電路 圖案進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正處理；以及在所述平行的散射條中最接近孤立線(xiàn)的散射條上， 添加與孤立線(xiàn)垂直的散射條，其中所述垂直散射條的一端位于所述最接近孤立線(xiàn)的散射 條上，另一端指向孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的接觸點(diǎn)在孤立線(xiàn)上的投影，實(shí)現(xiàn)了在無(wú)需修改孤立線(xiàn)電路 圖案的情況下，將所述接觸點(diǎn)在孤立線(xiàn)上的對(duì)應(yīng)位置加粗，從而在解決了 peeling及CT Coverage的問(wèn)題的基礎(chǔ)上，避免了現(xiàn)有OPC方案導(dǎo)致的掩膜版成本增加、電路性能和成品 率下降及生產(chǎn)效率降低的問(wèn)題，提高了提高OPC效率，降低后續(xù)制作掩膜版的成本，以及避 免集成電路制作方與設(shè)計(jì)方討論修改孤立線(xiàn)圖案耗費(fèi)大量人力物力資源而降低生產(chǎn)效率 的問(wèn)題，提高生產(chǎn)效率。


圖1為采用現(xiàn)有OPC方案對(duì)孤立線(xiàn)電路圖案進(jìn)行處理的電路圖案示意圖；
圖2為采用現(xiàn)有OPC方法對(duì)另一種孤立線(xiàn)電路圖案進(jìn)行處理的電路圖案示意圖；
圖3為本發(fā)明實(shí)施例提出的OPC方法的流程示意圖； 圖4、圖6及圖8為本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中實(shí)施OPC方案的電路圖案示意圖；
圖5、圖7及圖9為本發(fā)明各個(gè)實(shí)施例中制作出的孤立線(xiàn)的示意圖。
具體實(shí)施例方式
根據(jù)背景技術(shù)的描述，現(xiàn)有OPC方案采用更改孤立線(xiàn)圖案的方法雖然避免了 peeling及CT coverage的問(wèn)題，但也帶來(lái)了背景技術(shù)提及的至少三個(gè)問(wèn)題，根據(jù)本申請(qǐng)發(fā) 明人的研究，解決peeling及CT coverage的問(wèn)題的實(shí)質(zhì)在于在后續(xù)顯影等工藝中需實(shí)現(xiàn) 孤立線(xiàn)局部加粗，但該局部加粗可以通過(guò)其他方式實(shí)現(xiàn)，并非一定需要改變電路圖案中孤 立線(xiàn)的圖案。通過(guò)本申請(qǐng)發(fā)明人進(jìn)一步研究發(fā)現(xiàn)，在不改變孤立線(xiàn)電路圖案的情況下，在需 要孤立線(xiàn)加粗的部位，插入相應(yīng)的垂直于孤立線(xiàn)的SB，就能夠避免peeling及CT coverage 的問(wèn)題，而且能夠避免背景技術(shù)論述至少三個(gè)問(wèn)題。下面將結(jié)合附圖，對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的于上述設(shè)想，本發(fā)明實(shí)施例提出如下OPC方法，以在避免peeling及CTcoverage 的問(wèn)題的基礎(chǔ)上，提高0PC效率，降低后續(xù)制作掩膜版的成本，以及避免集成電路制作方與 設(shè)計(jì)方討論修改孤立線(xiàn)圖案耗費(fèi)大量人力物力資源而降低生產(chǎn)效率的問(wèn)題，提高生產(chǎn)效率。 圖3為本發(fā)明實(shí)施例提出的OPC方法的流程示意圖，結(jié)合該圖，該方法包括步驟
步驟l，在包含孤立線(xiàn)的電路圖案中，添加與孤立線(xiàn)平行的SB ;
該步驟中添加的平行SB通常是成對(duì)添加的，對(duì)稱(chēng)位于孤立線(xiàn)兩側(cè)，以修正光學(xué)臨 近效應(yīng)； 步驟2 ，對(duì)該電路圖案進(jìn)行OPC處理； 步驟3，在所述平行的SB中最接近孤立線(xiàn)的SB上，添加與孤立線(xiàn)垂直的SB，其中 所述垂直SB的一端位于所述最接近孤立線(xiàn)的SB上，另一端指向孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的接觸點(diǎn)在孤 立線(xiàn)上的投影。 在添加垂直SB后，后續(xù)制作出的孤立線(xiàn)上接觸點(diǎn)投影的位置就會(huì)由于垂直SB的 存在而加粗，從而避免peeling及CT coverage的問(wèn)題，且不會(huì)產(chǎn)生現(xiàn)有方案的上述問(wèn)題。
最接近孤立線(xiàn)的平行SB通常有兩條，分別位于孤立線(xiàn)兩側(cè)，因此可以在這兩條平 行SB上均添加垂直SB，也可以在這兩條平行SB中的任意一條上添加垂直SB。
孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的接觸點(diǎn)(CT)通常有多個(gè)，為避免peeling及CT coverage,并不一定 需要在對(duì)應(yīng)每一個(gè)接觸點(diǎn)都添加垂直的SB，因此可以是對(duì)于孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的全部接觸點(diǎn)，均 對(duì)應(yīng)添加垂直的SB，也可以是對(duì)于孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的部分接觸點(diǎn)，對(duì)應(yīng)添加所述垂直的SB。
另外垂直SB的長(zhǎng)度通常根據(jù)孤立線(xiàn)需要加粗的程度來(lái)確定，而加粗的程度可以 根據(jù)孤立線(xiàn)尺寸、接觸點(diǎn)尺寸、孤立線(xiàn)所屬電路圖案及工藝狀況等因素來(lái)確定，因此垂直SB 的長(zhǎng)度就可以根據(jù)上述因素確定，其確定方式可以是給定初始長(zhǎng)度，然后通過(guò)計(jì)算機(jī)系統(tǒng) 模擬計(jì)算來(lái)判斷該初始長(zhǎng)度是否合適，在不合適的情況下繼續(xù)調(diào)整，直至合適為止；也可以 是根據(jù)經(jīng)驗(yàn)數(shù)據(jù)給定初始長(zhǎng)度，然后據(jù)此進(jìn)行制造集成電路樣品，通過(guò)判斷樣品是否合適 來(lái)調(diào)整初始長(zhǎng)度，直至合適為止。 以通過(guò)模擬計(jì)算確定垂直SB的長(zhǎng)度為例，其確定步驟可以包括
步驟al ，選定垂直SB的初始長(zhǎng)度； 步驟a2，在根據(jù)該初始長(zhǎng)度添加垂直SB后，對(duì)孤立線(xiàn)所屬電路圖案進(jìn)行相應(yīng)模擬 計(jì)算； 步驟a3，根據(jù)計(jì)算結(jié)果，判斷電路圖案是否滿(mǎn)足預(yù)定條件，所述預(yù)定條件由孤立線(xiàn) 寬度、接觸點(diǎn)尺寸、孤立線(xiàn)所屬電路圖案及工藝狀況確定；如果滿(mǎn)足，轉(zhuǎn)到步驟a4，否則轉(zhuǎn) 到步驟a5 ; 步驟a4，將該初始長(zhǎng)度作為所述垂直SB的長(zhǎng)度；
步驟a5，調(diào)整選定的初始長(zhǎng)度，轉(zhuǎn)到步驟al。 下面將參照附圖對(duì)本發(fā)明進(jìn)行更詳細(xì)的描述，其中表示了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例， 但應(yīng)該理解本領(lǐng)域技術(shù)人員可以修改在此描述的本發(fā)明而仍然實(shí)現(xiàn)本發(fā)明的有利效果。因 此，下列描述應(yīng)當(dāng)被理解為對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員的廣泛知道，而并不作為對(duì)本發(fā)明的限制。
為了清楚，不描述實(shí)際實(shí)施例的全部特征。在下列描述中，不詳細(xì)描述公知的功能
5和結(jié)構(gòu)，因?yàn)樗鼈儠?huì)是本發(fā)明由于不必要的細(xì)節(jié)而混亂。應(yīng)當(dāng)認(rèn)為在任何實(shí)際實(shí)施例的開(kāi) 發(fā)中，必須做出大量實(shí)施細(xì)節(jié)以實(shí)現(xiàn)開(kāi)發(fā)者的特定目標(biāo)，例如按照有關(guān)系統(tǒng)或有關(guān)商業(yè)的 限制，由一個(gè)實(shí)施例改變?yōu)榱硪粋€(gè)實(shí)施例。另外，應(yīng)當(dāng)認(rèn)為這種開(kāi)發(fā)工作可能是復(fù)雜和耗費(fèi) 時(shí)間的，但是對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員來(lái)說(shuō)僅僅是常規(guī)工作。 在下列段落中參照附圖以舉例方式更具體地描述本發(fā)明。根據(jù)下面說(shuō)明和權(quán)利要 求書(shū)，本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)和特征將更清楚。需說(shuō)明的是，附圖均采用非常簡(jiǎn)化的形式且均使用非 精準(zhǔn)的比率，僅用以方便、明晰地輔助說(shuō)明本發(fā)明實(shí)施例的目的。
實(shí)施例一，在最接近孤立線(xiàn)的兩條平行SB上均添加垂直SB。 圖4為本發(fā)明第一實(shí)施例中實(shí)施0PC方案的電路圖案示意圖，結(jié)合該圖，本實(shí)施例 首先在孤立線(xiàn)11兩側(cè)添加四條平行SB，然后對(duì)該電路圖案進(jìn)行OPC處理，再在最接近孤立 線(xiàn)11的SB 14及SB 15上，添加與孤立線(xiàn)11垂直的SB 16，其中SB 16的一端連接至SB 14 或SB 15上，另一端指向孤立線(xiàn)ll上的CT 13。 SB 16的長(zhǎng)度根據(jù)上述長(zhǎng)度確定方式可以 確定出來(lái)。 由于孤立線(xiàn)11上有垂直散射條SB 16指向的一側(cè)在后續(xù)工藝中會(huì)加粗，因此本實(shí) 施例中孤立線(xiàn)11上CT 13對(duì)應(yīng)的位置處，靠近垂直SB 16的兩側(cè)均會(huì)加粗，如圖5所示，圖 5為本發(fā)明第一實(shí)施例中制作出的孤立線(xiàn)11的示意圖。 實(shí)施例二，在最接近孤立線(xiàn)的兩條平行SB中的任意一條SB上添加垂直的SB。
圖6為本發(fā)明第二實(shí)施例中實(shí)施0PC方案的電路圖案示意圖，結(jié)合該圖，與實(shí)施例 一相比，本實(shí)施例只是在SB 15上添加垂直SB 18，因此本實(shí)施例中孤立線(xiàn)11上CT 13對(duì)應(yīng) 的位置處，只有靠近垂直SB 18的一側(cè)會(huì)加粗，如圖7所示，圖7為本發(fā)明第二實(shí)施例中制 作出的孤立線(xiàn)11的示意圖。與實(shí)施例一相比，在孤立線(xiàn)11某側(cè)有其他線(xiàn)路，無(wú)法加粗孤立 線(xiàn)11該側(cè)的情況下，本實(shí)施例可以只加粗孤立線(xiàn)11的另一側(cè)，同樣能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn) 題。 實(shí)施例三，對(duì)于孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的部分接觸點(diǎn)(CT)，對(duì)應(yīng)添加垂直的SB。
實(shí)施例一及實(shí)施例二中，對(duì)于孤立線(xiàn)11對(duì)應(yīng)的全部接觸點(diǎn)13(CT)均添加有垂直 的SB，實(shí)際上，也可以只是對(duì)于孤立線(xiàn)11對(duì)應(yīng)的部分接觸點(diǎn)13(CT)，對(duì)應(yīng)添加垂直的SB。
圖8為本發(fā)明第三實(shí)施例中實(shí)施OPC方案的電路圖案示意圖，結(jié)合該圖，本實(shí)施例 在添加垂直SB 19時(shí)，對(duì)于孤立線(xiàn)11對(duì)應(yīng)的部分接觸點(diǎn)13 (CT)，對(duì)應(yīng)添加垂直的SB 19，因 此在某些接觸點(diǎn)13對(duì)應(yīng)于孤立線(xiàn)11的位置處有其他電路及工藝等限制而無(wú)法加粗時(shí)，可 以加粗其他的接觸點(diǎn)13(CT)，同樣能夠解決現(xiàn)有技術(shù)的問(wèn)題，如圖ll所示，圖9為本發(fā)明第 三實(shí)施例中制作出的孤立線(xiàn)11的示意圖。 需強(qiáng)調(diào)的是，未加說(shuō)明的結(jié)構(gòu)及組成均可采用傳統(tǒng)的工藝，且設(shè)計(jì)的具體的工藝 參數(shù)根據(jù)產(chǎn)品要求及工藝條件確定。 顯然，本領(lǐng)域的技術(shù)人員可以對(duì)本發(fā)明進(jìn)行各種改動(dòng)和變型而不脫離本發(fā)明的精 神和范圍。這樣，倘若本發(fā)明的這些修改和變型屬于本發(fā)明權(quán)利要求及其等同技術(shù)的范圍 之內(nèi)，則本發(fā)明也意圖包含這些改動(dòng)和變型在內(nèi)。
權(quán)利要求
一種光學(xué)臨近效應(yīng)修正方法，其特征在于，包括在包含孤立線(xiàn)的電路圖案中，添加與孤立線(xiàn)平行的散射條；對(duì)該電路圖案進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正處理；以及在所述平行的散射條中最接近孤立線(xiàn)的散射條上，添加與孤立線(xiàn)垂直的散射條，其中所述垂直散射條的一端位于所述最接近孤立線(xiàn)的散射條上，另一端指向孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的接觸點(diǎn)在孤立線(xiàn)上的投影。
2. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述最接近孤立線(xiàn)的散射條有兩條，分別位 于孤立線(xiàn)的兩側(cè)；以及在所述兩條散射條上添加所述垂直的散射條。
3. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，所述最接近孤立線(xiàn)的散射條有兩條，分別位 于孤立線(xiàn)的兩側(cè)；以及在所述兩條散射條中任意一條散射條上添加所述垂直的散射條。
4. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)于孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的全部接觸點(diǎn)，均對(duì)應(yīng)添加 垂直的散射條。
5. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，對(duì)于孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的部分接觸點(diǎn)，對(duì)應(yīng)添加所 述垂直的散射條。
6. 如權(quán)利要求1所述的方法，其特征在于，還包括確定所述垂直散射條長(zhǎng)度的步驟。
7. 如權(quán)利要求6所述的方法，其特征在于，根據(jù)孤立線(xiàn)尺寸、接觸點(diǎn)尺寸、孤立線(xiàn)所屬 電路圖案及工藝狀況來(lái)確定所述長(zhǎng)度。
8. 如權(quán)利要求7所述的方法，其特征在于，確定所述長(zhǎng)度的步驟具體包括 選定所述垂直散射條的初始長(zhǎng)度；在根據(jù)該初始長(zhǎng)度添加垂直散射條后，對(duì)電路圖案進(jìn)行相應(yīng)模擬計(jì)算； 根據(jù)計(jì)算結(jié)果，判斷電路圖案是否滿(mǎn)足預(yù)定條件，所述預(yù)定條件由孤立線(xiàn)寬度、接觸點(diǎn) 尺寸、孤立線(xiàn)所屬電路圖案及工藝狀況確定；在滿(mǎn)足的情況下，將該初始長(zhǎng)度作為所述垂直散射條的長(zhǎng)度；以及在不滿(mǎn)足的情況下，重新執(zhí)行所述選定、計(jì)算及判斷操作，直至滿(mǎn)足所述預(yù)定條件為止。
全文摘要
本發(fā)明提供OPC方法，以在避免peeling及CT coverage的問(wèn)題的基礎(chǔ)上，提高OPC效率，降低掩膜版成本，以及提高生產(chǎn)效率。該方法包括在包含孤立線(xiàn)的電路圖案中，添加與孤立線(xiàn)平行的散射條；對(duì)該電路圖案進(jìn)行光學(xué)臨近效應(yīng)修正處理；以及在所述平行的散射條中最接近孤立線(xiàn)的散射條上，添加與孤立線(xiàn)垂直的散射條，其中所述垂直散射條的一端位于所述最接近孤立線(xiàn)的散射條上，另一端指向孤立線(xiàn)對(duì)應(yīng)的接觸點(diǎn)在孤立線(xiàn)上的投影。
文檔編號(hào)G03F1/14GK101750876SQ20081020477
公開(kāi)日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2008年12月17日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月17日
發(fā)明者王偉斌 申請(qǐng)人:中芯國(guó)際集成電路制造(上海)有限公司