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一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料及其制備方法

文檔序號(hào):2811435閱讀:288來(lái)源:國(guó)知局
專利名稱:一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料及其制備方法
-種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料及其制備方法
技術(shù)領(lǐng)域
本發(fā)明涉及含氟硅低表面能材料,具體的說(shuō),是一種用于納米壓印的含氟硅低表
面能材料及其制備方法。背景技術(shù)
納米壓印技術(shù)是為了適應(yīng)集成電路技術(shù)的迅猛發(fā)展,光學(xué)光刻很難突破分辨率極
限的情況下應(yīng)運(yùn)而生的一種制備微電子元件的新興技術(shù),其技術(shù)價(jià)格相對(duì)低廉、工藝相對(duì)
簡(jiǎn)單,可以制備特征尺寸為幾納米的極小結(jié)構(gòu),在信息存儲(chǔ)、生物傳感器和亞波長(zhǎng)光學(xué)器件
領(lǐng)域,已成為價(jià)格相對(duì)較低、性能可靠、具有量產(chǎn)能力的制備技術(shù)。在2004和2005年召開
的兩屆國(guó)際納米壓印技術(shù)大會(huì)上,納米壓印技術(shù)已經(jīng)被納入國(guó)際半導(dǎo)體藍(lán)圖。國(guó)際上原來(lái)
生產(chǎn)微米加工設(shè)備的廠商,現(xiàn)在紛紛涉足納米壓印技術(shù)和設(shè)備,搶先一步占領(lǐng)市場(chǎng)。 納米壓印技術(shù)按模板特性主要可分為熱壓印(hot embossinglithography, HEL)
及紫外壓印技術(shù)(UV imprint lithogr即hy, UV-NIL) 2種工藝,但其原理基本一致事先通
過(guò)電子束曝光和干法刻蝕等常規(guī)微電子工藝制作出一個(gè)具有納米圖形結(jié)構(gòu)的模板(或模
具),壓印時(shí)首先在基片(硅、石英玻璃等)表面涂一層壓印膠;模板與基片表面壓印膠物
理接觸并使壓印膠充滿模板的凹花紋圖案(即壓印);然后通過(guò)紫外線曝光(或冷卻)固
化壓印膠,脫模后模板上的圖形就被復(fù)制到壓印膠上;最后通過(guò)刻蝕工藝,將壓印膠上的圖
形轉(zhuǎn)移到基片上,在基片上形成所需的納米圖形結(jié)構(gòu),完成納米壓印過(guò)程。 每一種納米壓印技術(shù),本質(zhì)上都有壓印膠與模板的接觸,而模板和壓印膠之間的
粘附性能是影響壓印效果的一個(gè)重要因素,這是因?yàn)榧{米壓印中使用的模板表面排布著高
密度的納米級(jí)圖案,在壓印時(shí)模板與壓印膠之間的接觸面積大,表面能高,在脫模的過(guò)程中
壓印膠會(huì)粘附到模板表面上,這不僅降低模板的使用壽命,更嚴(yán)重的是降低圖案的轉(zhuǎn)移質(zhì)
量,導(dǎo)致圖形復(fù)制失真及處理過(guò)程的復(fù)雜化。因此解決模板與壓印膠之間的粘連問(wèn)題,成為
納米壓印技術(shù)得以進(jìn)一步應(yīng)用推廣發(fā)展的關(guān)鍵技術(shù)。 目前解決模板與壓印膠之間的粘連問(wèn)題的方法,主要是在模板表面涂上一層抗粘 層,降低模板的表面能,采用的抗粘材料主要有聚四氟乙烯,烷基氯硅烷,聚二甲基硅氧烷, 類金剛石碳膜等。 PTFE膜是通過(guò)自身的損耗來(lái)達(dá)到抗粘目的的,在多次的熱壓印過(guò)程中,氟原子會(huì)
轉(zhuǎn)移到壓印膠中,使得模板上的c-c鍵數(shù)目增加,c&數(shù)目減少,因此壓印時(shí)間越長(zhǎng)氟原子的
損失越嚴(yán)重,同時(shí),溫度越高,氟原子的損失越嚴(yán)重,因此該膜對(duì)于高分辨率和高玻璃化轉(zhuǎn) 化溫度的壓印膠有著應(yīng)用局限性(R. W. Jaszewski, H. Schift, A卯lied Surface Science, 143,1999,301-308)。 烷基氯硅烷是目前納米壓印技術(shù)中應(yīng)用最廣泛的抗粘材料,主要分為不含氟 氯硅烷(如0TS)和全氟氯硅烷(如FDTS)兩種,該類抗粘材料是通過(guò)化學(xué)鍵的形式 結(jié)合在模板上的,可以得到lnm左右的膜層,具有很好的抗粘效果(M. Bender, M. 0tto, Microelectronic Engineering 61-62 (2002) 407-413),但是,氯硅烷對(duì)水敏感,即使氣
6相沉積也很容易在濕氣作用下發(fā)生共聚結(jié)塊,影響模板表面粗糙度,難以在納米級(jí)別的模 板表面得到均一的膜,特別是當(dāng)縱橫比很高的時(shí)候,另外,在模板的使用過(guò)程(UV-NIL)中 發(fā)現(xiàn),F(xiàn)原子從膜層中脫落,原因可能是壓印過(guò)程中形成了揮發(fā)性的物質(zhì),從而對(duì)環(huán)境產(chǎn) 生了污染(Min Jung Lee, Nae Yoon Lee, Adv. Mater. 2006, 18, 3115—3119 ;F. A. Houle, C. T. Rettner,APPLIED PHYSICS LETTERS 90,213103,2007)。 PDMS材料本身具有較低的表面能,可以作為軟壓印技術(shù)的模板,但是基于軟壓印 技術(shù)分辨率較低的限制,PDMS材料也可以應(yīng)用在硬膜板上,并且得到與PDMS材料本身相 當(dāng)?shù)谋砻婺埽侵谱髂0逋繉拥倪^(guò)程比較復(fù)雜,難以控制(Mihee Kim, Kyunghoon Kim, Chem. Co匪n, 2007, 2237-2239)。 DLC是針對(duì)UV-NIL中SAM膜易破損的缺陷提出來(lái)的處理模板的新技術(shù),是用 甲烷等離子體,通過(guò)離子束沉積的方法沉積在模板表面上的,但是該膜層的表面能較大 (42mN/m),制備技術(shù)復(fù)雜(M. Grischke, A. Hieke, Diamondand Related Materials. 7, 1998.454-458)。 綜上所述,開發(fā)納米壓印技術(shù)中所需的模板修飾材料仍然是該技術(shù)有待解決的難 題之一,目前所應(yīng)用的抗粘材料仍然不能滿足納米壓印技術(shù)發(fā)展的需要,限制了納米壓印 技術(shù)的進(jìn)一步發(fā)展。

發(fā)明內(nèi)容
本發(fā)明的目的在于克服現(xiàn)有技術(shù)的不足,提供一種用于納米壓印的含氟硅低表面
能材料及其制備方法。 本發(fā)明的目的是通過(guò)以下技術(shù)方案來(lái)實(shí)現(xiàn)的 —種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料,其結(jié)構(gòu)式為式(1)到式(9)中的任意 一種;
(1 J
(2 )
R3
7<formula>formula see original document page 8</formula> 在式(1), (2), (3)中, -&, R2, R3, &和1 5選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種,其 中&或R5兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán); -R和R'選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種; -V, R2,, R3,, R4,, R5,, R6,, R7,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
一種;
<formula>formula see original document page 8</formula>(6<formula>formula see original document page 9</formula>
在式(4), (5), (6)中, 。選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種,其中&或者R4 兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán),R8或者R9兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán);
-R和R'選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種;
-Rl, , R2, , R3, , R4, , R5, , R6, , R/選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
<formula>formula see original document page 9</formula>
在式(7), (8), (9)中,
-R'、R"、 V、V、V,、V,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,卣素,或者胺基團(tuán)中的
和R2選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種; -V , R2, , R3, , R4, , R5, , R6, , R7,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
本發(fā)明的含氟硅的低表面能抗粘材料的合成化學(xué)反應(yīng)路線為,
-R, R2, R3, &和1 5選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種,其 中&或者R5兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán); -R和R'選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種;
-V, R2,, R3,, R4,, R5,, R6,, R7,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
一種;
10<formula>formula see original document page 11</formula> 。選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種,其中&或者R4 兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán),R8或者R9兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán);
-R和R'選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種;
-V, R2,, R3,, R4,, R5,, R6,, R7,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
一種;<formula>formula see original document page 11</formula>
-R' 、 R"、 V 、 R2, 、 V,、 R2"選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素,或者胺基團(tuán)中的
一種; 和R2選自氫,脂肪族,芳香族,卣代烴,硅氧烷,卣素或者胺基團(tuán)中的一種; -V, R2,, R3,, R4,, R5,, R6,, R7,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
一種;<formula>formula see original document page 12</formula><formula>formula see original document page 12</formula> -&, R2, R3, &和1 5選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,卣素或者胺基團(tuán)中的一種,其 中&或者R5兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán); -R和R'選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種;
-V, R2,, R3,, R4,, R5,, R6,, R7,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
一種;<formula>formula see original document page 13</formula> 。選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種,其中&或者R4 兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán),R8或者R9兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán);
-R和R'選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種;
-V, R2,, R3,, R4,, R5,, R6,, R7,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
一種;<formula>formula see original document page 14</formula> -R'、R"、R/、IV、R/,、IV,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素,或者胺基團(tuán)中的 一種; 和R2選自氫,脂肪族,芳香族,卣代烴,硅氧烷,卣素或者胺基團(tuán)中的一種; -V, R2,, R3,, R4,, R5,, R6,, R7,選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的
一種; 脂肪族可以為長(zhǎng)鏈烷基,支鏈烷基,不飽和烷基以及羰基等; 芳香族可以為取代苯基,取代萘基等; 卣素可以為F, Cl,Br以及I ; 鹵代烴可以為三氟甲基,對(duì)三氟甲基苯基,全氟辛基以及取代萘基等; 胺基團(tuán)可以為甲胺基,苯胺基以及酰胺基等。 本發(fā)明的含氟硅的低表面能抗粘材料的制備方法,具體步驟為, (1)將酚,伯胺和醛原料進(jìn)行混合,在有溶劑或無(wú)溶劑的條件下,60 20(TC下,
反應(yīng)10min 12小時(shí),合成苯并惡嗪?jiǎn)误w;其中,酚,伯胺,醛的摩爾比為1 : 1 : 2或
l:2:4或2:i:4; 所述的酚選自苯酚,雙酚A,對(duì)三氟甲基苯酚,對(duì)氟苯酚或者全氟雙酚A中的一種; 所述的伯胺選自甲胺,乙胺,烯丙胺,胺丙基三甲基硅氧烷,全氟己胺,全氟辛胺,
苯胺,三氟苯胺,對(duì)三氟甲基苯胺,2_三氟甲基苯胺,間氟苯胺或者對(duì)氟苯胺中的一種; 所述的醛選自甲醛或者多聚甲醛中的一種; 所述的醛優(yōu)選多聚甲醛,可以很好的減少雜質(zhì)的生成; 所述的溶劑選自二惡烷,乙酸乙酯,環(huán)己烷,甲醇或者氯仿中的一種; 所述的溶劑優(yōu)選為二惡烷; 所述的反應(yīng)溫度優(yōu)選為60 200°C ,反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選為10min 12h ;
-R
反應(yīng)器內(nèi)壓力為0. IMPa 30MPa ; (2)利用合成的單體,選擇合適的溶劑配成溶液,均勻的旋涂在玻璃片或硅片或具 有納米圖案的模板上,在60 30(TC下進(jìn)行熱固化開環(huán)交聯(lián)反應(yīng)5min 20h,得到含氟硅 低表面能材料; 所述的溶劑選自四氫呋喃,乙醚,乙酸乙酯,環(huán)己烷,甲醇或者氯仿中的一種;
所述的溶劑優(yōu)選為四氫呋喃,其對(duì)于苯并惡嗪?jiǎn)误w具有較大的溶解性,溶液的濃 度范圍是1 200mg/ml ; 所述的旋涂條件為轉(zhuǎn)速為500 5000轉(zhuǎn)/分,旋涂時(shí)間為20 60s。 本發(fā)明制備的含氟硅低表面能材料聚苯并惡嗪涂層的模板進(jìn)行納米壓印實(shí)驗(yàn),可
以得到很好的轉(zhuǎn)移圖案。 與現(xiàn)有技術(shù)相比,本發(fā)明的積極效果是
(1)本發(fā)明中采用的原料,成本低廉; (2)本發(fā)明的聚合物比較容易制備,熱固化時(shí)不需要添加催化劑,且無(wú)副產(chǎn)物的生 成; (3)本發(fā)明的涂膜厚度靈活性高,調(diào)整單體的濃度,可以得到范圍從幾納米到幾百 納米的不同厚度的涂膜; (4)本發(fā)明制備的聚合物成膜性較好,在反應(yīng)前后薄膜均良好完整; (5)本發(fā)明制備的聚合物膜的表面能比較低,抗粘性更好,可以得到更好的轉(zhuǎn)移圖案。


圖1實(shí)施例1合成單體的紅外譜圖;
圖2實(shí)施例2合成單體的紅外譜圖; 圖3實(shí)施例3合成單體在20(TC下固化所得聚合物膜層的水的靜態(tài)接觸角圖,接觸 角大小為108° 。
具體實(shí)施方式

以下提供本發(fā)明一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料及其制備方法的具體
實(shí)施方式。 實(shí)施例1 單體合成過(guò)程將胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g—次性投 入到燒瓶中,升溫至110 12(TC下,進(jìn)行攪拌反應(yīng)20 60min,得到清晰的黃色液體,趁熱 倒入培養(yǎng)皿中冷卻至室溫,得到黃色粘稠狀液體。提純后所得單體的紅外譜圖如附圖l所 示。 聚合物膜的制取將所得的產(chǎn)品配成10 50mg/ml的四氫呋喃溶液,在500
2500轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速下30 60s均勻的旋涂在玻璃片和適應(yīng)模板上,在150 24(TC下熱固
化0. 5 10h,所得聚合物膜的表面能為10 20mN/m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)
構(gòu)式為
15<formula>formula see original document page 16</formula> 實(shí)施例2 單體合成過(guò)程將苯胺18.6g,多聚甲醛12g,雙酚A22.8g—次性投入到燒瓶中,升
溫至110 12(TC下,進(jìn)行攪拌反應(yīng)20 60min,,得到清晰的黃色液體,趁熱倒入培養(yǎng)皿中
冷卻至室溫,得到黃色固體初產(chǎn)品,提純后所得單體的紅外譜圖如附圖2。聚合物膜的制取將所得的產(chǎn)品配成10 50mg/ml的四氫呋喃溶液,在500
2500轉(zhuǎn)/分的轉(zhuǎn)速下30 60s均勻的旋涂在玻璃片和適應(yīng)模板上,在150 24(TC下熱固
化0. 5 10h,所得聚合物膜的表面能為10 20mN/m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)
構(gòu)式為
<formula>formula see original document page 16</formula> 實(shí)施例3 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成胺 丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,對(duì)三氟甲基苯酚16. 2g,其合成方法與實(shí)施例1相 同,得到單體產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 24(TC下固化得聚合物膜,其水的接觸角 為95 115° ,表面能小于20mN/m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(1)為
<formula>formula see original document page 16</formula> 實(shí)施例4 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成對(duì) 三氟甲基苯胺16. lg,多聚甲醛6g,對(duì)三氟甲基苯酚16. 2g,其合成方法與實(shí)施例1相同,得 到單體產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 240°C下固化得聚合物膜,其表面能小于20mN/ m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(2)為
<formula>formula see original document page 17</formula> 實(shí)施例5 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成 1-萘胺14. 3g,多聚甲醛6g,對(duì)三氟甲基苯酚16. 2g,其合成方法與實(shí)施例1相同,得到單體 產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 24(TC下固化得聚合物膜,其表面能小于20mN/m,所得
苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(3)為
<formula>formula see original document page 17</formula> 實(shí)施例6 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成胺 丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g, 4, 4'-全氟異丙基雙苯酚6. 8g,其合成方法與實(shí)施 例1相同,得到單體產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 24(TC下固化得聚合物膜,其表面 能小于20mN/m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(4)為
<formula>formula see original document page 17</formula>
實(shí)施例7 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成對(duì) 三氟甲基苯胺16. lg,多聚甲醛6g, 4, 4'-全氟異丙基雙苯酚6. 8g,其合成方法與實(shí)施例1 相同,得到單體產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 24(TC下固化得聚合物膜,其表面能小 于20mN/m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(5)為
<formula>formula see original document page 18</formula> 實(shí)施例8 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成 1-萘胺14. 3g,多聚甲醛6g, 4, 4'-全氟異丙基雙苯酚6. 8g,其合成方法與實(shí)施例1相同,得 到單體產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 240°C下固化得聚合物膜,其表面能小于20mN/ m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(6)為
<formula>formula see original document page 18</formula>
實(shí)施例9 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成胺 丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,2,2'-亞甲基雙(4-三氟甲基苯酚)16. 8g,其合成 方法與實(shí)施例1相同,得到單體產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 240°C下固化得聚合物 膜,其表面能小于20mN/m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(7)為
<formula>formula see original document page 18</formula>
實(shí)施例10 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成對(duì) 三氟甲基苯胺16. lg,多聚甲醛6g,2,2'-亞甲基雙(4-三氟甲基苯酚)16. 8g,其合成方法 與實(shí)施例1相同,得到單體產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 24(TC下固化得聚合物膜, 其表面能小于20mN/m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(8)為
CF3 實(shí)施例11 將實(shí)施例1中的胺丙基三乙氧基硅烷22. lg,多聚甲醛6g,雙酚A11.4g替換成 1-萘胺14. 3g,多聚甲醛6g, 2, 2'-亞甲基雙(4-三氟甲基苯酚)16. 8g,其合成方法與實(shí)施 例1相同,得到單體產(chǎn)品,配成四氫呋喃溶液后,在150 24(TC下固化得聚合物膜,其表面 能小于20mN/m,所得苯并惡嗪?jiǎn)误w及其聚合物的結(jié)構(gòu)式(9)為
以上所述僅是本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施方式,應(yīng)當(dāng)指出,對(duì)于本技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人 員,在不脫離本發(fā)明構(gòu)思的前提下,還可以做出若干改進(jìn)和潤(rùn)飾,這些改進(jìn)和潤(rùn)飾也應(yīng)視為 本發(fā)明的保護(hù)范圍內(nèi)。
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權(quán)利要求
一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料,其特征在于,其結(jié)構(gòu)式為式(1)到式(9)中的任意一種,在式(1),(2),(3)中,-R1,R2,R3,R4和R5選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種,其中R1或者R5兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán);-R和R’選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種;-R1’,R2’,R3’,R4’,R5’,R6’,R7’選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的一種;在式(4),(5),(6)中,-R1-R10選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種,其中R1或者R4兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán),R8或者R9兩者中至少有一個(gè)為氫基團(tuán);-R和R’選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種;-R1’,R2’,R3’,R4’,R5’,R6’,R7’選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的一種;在式(7),(8),(9)中,-R’、R”、R1’、R2’、R1”、R2”選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素,或者胺基團(tuán)中的一種;-R1和R2選自氫,脂肪族,芳香族,鹵代烴,硅氧烷,鹵素或者胺基團(tuán)中的一種;-R1’,R2’,R3’,R4’,R5’,R6’,R7’選自氫,脂肪族,芳香族,硅氧烷,鹵素或者胺中的一種。F2008102046752C0000011.tif,F2008102046752C0000021.tif,F2008102046752C0000031.tif
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法,其特 征在于,具體步驟為,(1) 將酚,伯胺和醛原料進(jìn)行混合,在有溶劑或者無(wú)溶劑的條件下,60 20(TC下,反應(yīng) 10min 12小時(shí),合成苯并惡嗪?jiǎn)误w;其中,酚,伯胺,醛的摩爾比為1 : 1 : 2或1 : 2 : 4或2 : i : 4;所述的酚選自苯酚,雙酚A,對(duì)三氟甲基苯酚,對(duì)氟苯酚或者全氟雙酚A中的一種;所述的伯胺選自甲胺,乙胺,烯丙胺,胺丙基三甲基硅氧烷,全氟己胺,全氟辛胺,苯胺,三氟苯胺,對(duì)三氟甲基苯胺,2-三氟甲基苯胺,間氟苯胺或者對(duì)氟苯胺中的一種; 所述的醛為甲醛或者多聚甲醛中的一種;所述的溶劑選自二惡烷,乙酸乙酯,環(huán)己烷,甲醇或者氯仿中的一種; 反應(yīng)器內(nèi)壓力為0. lMPa 30Mpa ;(2) 利用合成的單體,選擇溶劑配成溶液,均勻的旋涂在玻璃片或者硅片或者具有納米 圖案的模板上,在60 30(TC下進(jìn)行熱固化開環(huán)交聯(lián)反應(yīng)5min 20h,得到含氟硅低表面 能材料;所述的溶劑選自四氫呋喃,乙醚,乙酸乙酯,環(huán)己烷,甲醇或者氯仿中的一種; 所述的旋涂條件為轉(zhuǎn)速為500 5000轉(zhuǎn)/分,旋涂時(shí)間為20 60s ;。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法,其 特征在于,所述的酚為對(duì)三氟甲基苯酚,所述的伯胺為氨丙基三乙氧基硅烷,所述的醛為甲 醛,酚,伯胺,醛的摩爾比為l : 1 : 2;所得的用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的結(jié)構(gòu) 式為權(quán)利要求1的式(1)到式(3)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法,其特征在于,所述的酚為雙酚A,所述的伯胺為氨丙基三乙氧基硅烷,所述的醛為甲醛,酚,伯胺,醛的摩爾比為i : 2 : 4;所得的用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的結(jié)構(gòu)式為權(quán)利要求1的式(4)到式(6)。
5. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法,其特 征在于,所述的酚為雙酚A,所述的伯胺為氨丙基三乙氧基硅烷,所述的醛為甲醛,酚,伯胺,醛的摩爾比為2 : i : 4;所得的用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的結(jié)構(gòu)式為權(quán)利要求1的式(7)到式(9)。
6. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法,其特 征在于,在所述的步驟(1)中,所述的醛組分優(yōu)選多聚甲醛。
7. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法,其特 征在于,在所述的步驟(1)中,所述的溶劑優(yōu)選為二惡烷。
8. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法, 其特征在于,在所述的步驟(1)中,所述的反應(yīng)溫度優(yōu)選為60 20(TC,反應(yīng)時(shí)間優(yōu)選為 10min 12h。
9. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法,其特 征在于,在所述的步驟(2)中,所述的溶劑優(yōu)選為四氫呋喃。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料的制備方法,其 特征在于,所述的四氫呋喃溶液濃度為1 200mg/ml。
全文摘要
本發(fā)明公開了一種用于納米壓印的含氟硅低表面能材料及其制備方法,采用單酚或雙酚,伯胺或二伯胺,甲醛作為原料,在有溶劑或無(wú)溶劑的條件下,酚,伯胺,醛混合,在60~200℃反應(yīng)溫度下,反應(yīng)10min~12h,壓力0.1~30MPa,得到苯并惡嗪?jiǎn)误w;利用得到的苯并惡嗪?jiǎn)误w,配成1~200mg/ml的溶液,均勻的旋涂在玻璃片或硅片或具有納米圖案的模板上,在60~300℃范圍內(nèi)進(jìn)行熱固化開環(huán)交聯(lián)反應(yīng)5min~20h,得到低表面能的聚苯并惡嗪。本發(fā)明的優(yōu)點(diǎn)原料比較低廉,成本較低;聚合物比較容易制備,熱固化時(shí)不需要添加催化劑,且無(wú)副產(chǎn)物的生成;聚合物成膜性較好,聚合物膜的表面能比較低,抗粘性更好,可以得到更好的轉(zhuǎn)移圖案。
文檔編號(hào)G03F7/075GK101750896SQ20081020467
公開日2010年6月23日 申請(qǐng)日期2008年12月16日 優(yōu)先權(quán)日2008年12月16日
發(fā)明者曲麗, 辛忠 申請(qǐng)人:華東理工大學(xué)
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