專(zhuān)利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
用于顯示圖像或文字信息的有源矩陣型顯示裝置廣泛地應(yīng)用于 如筆記本個(gè)人計(jì)算機(jī)或臺(tái)式計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、便攜式電話機(jī)、音樂(lè)再 生裝置、電視機(jī)、便攜式終端、數(shù)碼相機(jī)、攝像機(jī)、圖像和動(dòng)畫(huà)閱覽 專(zhuān)用的瀏覽器等的電子設(shè)備。
作為有源矩陣型顯示裝置，在成為顯示區(qū)域的像素部分中分別對(duì)
應(yīng)于各個(gè)像素并以矩陣形狀配置有源元件(例如，薄膜晶體管(TFT)) 而構(gòu)成。TFT作為開(kāi)關(guān)元件控制施加給像素的電壓，以進(jìn)行所希望的 圖像顯示。
在用作開(kāi)關(guān)元件的TFT元件之中，具有溝道停止型(也稱為溝道 保護(hù)型、蝕刻停止型)的反交錯(cuò)型TFT的元件襯底可以使用五個(gè)光掩 模制造出像素電極(參照專(zhuān)利文獻(xiàn)1)。
圖6、圖7、圖8A至8C、圖9A和9B示出現(xiàn)有的溝道停止型的 反交錯(cuò)型TFT以及具有該TFT的像素部的例子。圖6是一個(gè)像素以 及其周?chē)母┮晥D，圖7是沿著圖6的虛線B-B，切斷的截面圖。圖 8A至8C、圖9A和9B是表示到圖7為止的制作工序的截面圖。
在一個(gè)^f象素中，在襯底1101上設(shè)置有TFT區(qū)域1141、電容區(qū)域 1142、以及布線區(qū)域1143。 TFT區(qū)域1141中設(shè)置有柵極布線1102、 柵極絕緣膜1104、包含溝道形成區(qū)域的i型半導(dǎo)體層1113、由絕緣膜 形成的溝道保護(hù)膜1108、由包含賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體 層形成的源區(qū)1118和漏區(qū)1117、源極布線1122、漏電極1121、保護(hù)膜1127、以及像素電極1131。
電容區(qū)域1142中設(shè)置有電容布線1151、柵極絕緣膜1104、保護(hù) 膜U27、像素電極ii31。另外，布線區(qū)域ri43中設(shè)置有源極布線1122。
電容區(qū)域1142具有以下結(jié)構(gòu)使用與柵極布線1102相同的材料 以及相同的工序形成電容布線1151，將像素電極1131用作上下的電 極，并將夾在電極間的柵極絕緣膜1104和保護(hù)膜1127用作電介質(zhì)。
在現(xiàn)有的溝道停止型的反交錯(cuò)型TFT及像素部的制造中，首先在 襯底1101上形成第一導(dǎo)電膜1161,然后在第一導(dǎo)電膜1161上形成抗 蝕劑掩模1162(參照?qǐng)D8A)。
這里的抗蝕劑掩模是經(jīng)過(guò)涂敷抗蝕劑材料并利用光掩模進(jìn)行曝 光然后進(jìn)行顯影的工序而形成的。當(dāng)對(duì)涂敷的抗蝕劑材料從上方進(jìn)行 曝光時(shí)，為形成抗蝕劑掩模需要一個(gè)光掩才莫。也就是說(shuō)，為形成抗蝕 劑掩模1162需要第一光掩模。
將抗蝕劑掩模1162用作掩模，對(duì)第一導(dǎo)電膜1161進(jìn)行蝕刻來(lái)形 成柵極布線1102和電容布線1151。然后，在去除抗蝕劑掩模1162之 后形成柵極絕緣膜1104、半導(dǎo)體層1105、以及絕緣膜1106。接下來(lái)， 在形成溝道保護(hù)膜1108的區(qū)域中形成抗蝕劑掩模1109(參照?qǐng)D8B)。 也就是說(shuō)，為形成抗蝕劑掩模1109需要第二光掩模。
接下來(lái)，將抗蝕劑掩模1109用作掩模，對(duì)絕緣膜1106進(jìn)行蝕刻 來(lái)形成溝道保護(hù)膜1108。在去除抗蝕劑掩模1109之后，在半導(dǎo)體層 1105及溝道保護(hù)膜1108上形成包含賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半 導(dǎo)體層llll、以及第二導(dǎo)電膜1112。在第二導(dǎo)電膜1112上形成抗蝕 劑掩模1125(參照?qǐng)D8C)。也就是說(shuō)，使用第三光掩模。
將抗蝕劑掩模1125用作掩模，對(duì)第二導(dǎo)電膜1112以及半導(dǎo)體層 1111進(jìn)行蝕刻。此時(shí)，溝道保護(hù)膜1108以及柵極絕緣膜1104用作蝕 刻停止層。由此第二導(dǎo)電膜1112被分?jǐn)喽纬稍礃O布線1122以及漏 電極1121。另外，包含賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半導(dǎo)體層1111 也被分?jǐn)?，分?jǐn)喑稍磪^(qū)1118以及漏區(qū)1117。此外，半導(dǎo)體層1105也被蝕刻，其端部與漏區(qū)1117以及漏電極1121的端部相一致。接著， 在去除抗蝕劑掩4莫1125之后，在整個(gè)面上形成保護(hù)膜1127并形成抗 蝕劑掩模1128(參照?qǐng)D9A)。也就是說(shuō)，使用第四光掩模。
使用抗蝕劑掩模1128，對(duì)保護(hù)膜1127進(jìn)行蝕刻來(lái)形成接觸孔 1173。在去除抗蝕劑掩才莫1128之后，形成第三導(dǎo)電膜1129，并在第 三導(dǎo)電膜1129上形成像素電極1131的區(qū)域上形成抗蝕劑掩模1134(參 照?qǐng)D9B)。也就是說(shuō)，使用第五光掩模。
將抗蝕劑掩模1134用作掩模，第三的導(dǎo)電膜1129被蝕刻而形成 像素電極1131。然后去除抗蝕劑掩模1134,就可以完成圖7所示的像素部。
曰本專(zhuān)利申請(qǐng)公開(kāi)2002-148658號(hào)公報(bào)
發(fā)明內(nèi)容
在現(xiàn)有的像素部的制造中需要五個(gè)光掩模。若增加一個(gè)光掩模， 則除了涂敷抗蝕劑材料、使用光掩模進(jìn)行曝光、顯像等工序之外，如 曝光前的預(yù)烤、曝光后的后焙燒、剝離抗蝕劑、抗蝕劑剝離后的清洗、 清洗后的干燥等各種各樣的工序也增加，這樣就使制造時(shí)間和制造成 本增加。
此外有可能沒(méi)能剝離的抗蝕劑材料進(jìn)入到元件中，而成為產(chǎn)生缺 陷的原因。因此有可能導(dǎo)致元件或裝置的可靠性PIH氐。
此外，在圖6以及圖7所示的結(jié)構(gòu)中，存儲(chǔ)電容器的介電薄膜是 由柵極絕緣膜1104和保護(hù)膜1127兩層絕緣膜而構(gòu)成。因此，與介電 薄膜為一層絕緣膜的情況相比，介電薄膜為兩層絕緣膜時(shí)存儲(chǔ)電容器 的電容量變小。
電容與介電薄膜的膜厚度成反比，并與面積成正比。因此，為確 保得到目標(biāo)的存儲(chǔ)電容器的電容值，需要使電容區(qū)域1142的面積為 大。但是若將電容區(qū)域1142的面積設(shè)置得較大，則像素部的開(kāi)口率降低。
鑒于上述問(wèn)題，本發(fā)明的目的在于在不增加光掩模個(gè)數(shù)并且不使 開(kāi)口率降低的情況下，通過(guò)減薄介電薄膜的厚度來(lái)增加電容量。
在本發(fā)明中，為了在溝道停止型的反交錯(cuò)型TFT中獲得高開(kāi)口
形成的導(dǎo)電膜(以下稱為第二導(dǎo)電膜)來(lái)形成儲(chǔ)存電容器。并且只由一 層保護(hù)膜形成像素電極與第二導(dǎo)電膜之間的介電薄膜。因此，可以同 時(shí)得到高開(kāi)口率的像素部和電容量大的存儲(chǔ)電容器。
源極布線也使用與柵極布線相同的材料和相同的工序形成的導(dǎo) 電膜(以下稱為第一導(dǎo)電膜)而形成。此外，在源極布線和柵極布線的 交叉部，將任一方的布線在交叉部分割斷并通過(guò)第二導(dǎo)電膜連接上。
尤其是在第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜的連接中，使用用作像素電極 的材料的透光性導(dǎo)電膜。當(dāng)要連接第一導(dǎo)電膜和第二導(dǎo)電膜時(shí)，在現(xiàn) 有的技術(shù)中需要形成柵極絕緣膜的絕觸孔的工序。
但是在本發(fā)明中，通過(guò)采用下述結(jié)構(gòu)可以不進(jìn)行形成柵極絕緣膜 的接觸孔的工序。即，在第一導(dǎo)電膜上的柵極絕緣膜、半導(dǎo)體層、以 及第二導(dǎo)電膜中形成接觸孔(第 一接觸孔)，接著在保護(hù)膜中形成比第 一接觸孔更大的接觸孔(第二接觸孔)。并將與第二接觸孔相接觸的透 光性導(dǎo)電膜分別連接到部分露出在第二接觸孔內(nèi)的第二導(dǎo)電膜和露 出在第一接觸孔內(nèi)的第一導(dǎo)電膜。
在形成第一接觸孔時(shí)，由于TFT具有溝道保護(hù)膜，所以對(duì)i型半 導(dǎo)體層的蝕刻受到阻礙，而只可以對(duì)在第 一接觸孔中的半導(dǎo)體層選擇 性地進(jìn)行蝕刻。
本發(fā)明涉及一種顯示裝置，其包括薄膜晶體管，包括由第一 導(dǎo)電膜形成的柵電極，由所述第一導(dǎo)電膜上的第一絕緣層形成的柵極 絕緣膜，所述第一絕緣層上的與所述柵電極重疊的第一半導(dǎo)體層，由 設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上的第二絕緣層形成溝道保護(hù)膜，其中所述
10溝道保護(hù)膜與所述柵電極重疊，與所述第 一半導(dǎo)體層重疊且一端延伸 到溝道保護(hù)膜上且分離為源區(qū)和漏區(qū)并包含賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì) 元素的第二半導(dǎo)體層，以及由所述第二半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo)電膜形成
且對(duì)應(yīng)于所述源區(qū)及漏區(qū)而形成的源電極及漏電極；在所述第二導(dǎo)電 膜上形成的第三絕緣層；由所述第三絕緣層上的第三絕緣膜形成，且 通過(guò)在所述第三絕緣層中形成的接觸孔與所述源電極或漏電極的一
方電連接的像素電極；所述第一絕緣層上的由所述第一半導(dǎo)體層、所 述第二半導(dǎo)體層以及所述第二導(dǎo)電膜的層疊體形成的電容布線；以及
形成在所述電容布線上的所述第三絕緣層與所述像素電極重疊區(qū)域 中的存儲(chǔ)電容器。
另外，本發(fā)明涉及一種顯示裝置，其包括薄膜晶體管，包括 由第一導(dǎo)電膜形成的柵電極，由所述第一導(dǎo)電膜上的第一絕緣層形成 的柵極絕緣膜，所述第 一絕緣層上的與所述柵電極重疊的第 一半導(dǎo)體 層，由設(shè)置在所述第 一半導(dǎo)體層上的第二絕緣層形成的溝道保護(hù)膜， 其中所述溝道保護(hù)膜與所述柵電極重疊，與所述第一半導(dǎo)體層重疊且 一端延伸到溝道保護(hù)膜上且分離為源區(qū)和漏區(qū)并包含賦予一種導(dǎo)電 型的雜質(zhì)元素的第二半導(dǎo)體層，以及由所述第二半導(dǎo)體層上的第二導(dǎo) 電膜形成且對(duì)應(yīng)于所述源區(qū)及漏區(qū)而形成的源電極及漏電極；在所述 第二導(dǎo)電膜上形成的第三絕緣層；由所述第三絕緣層上的第三絕緣膜 形成，且通過(guò)在所述第三絕緣層中形成的接觸孔與所述源電極或漏電 極的一方電連接的像素電極；所述第一絕緣層上的由所述第一半導(dǎo)體 層、所述第二半導(dǎo)體層以及所述第二導(dǎo)電膜的疊層體形成的電容布 線；以及形成在所述電容布線上的所述第三絕緣層與所述像素電極重 疊區(qū)域中的存儲(chǔ)電容器；以及連接區(qū)域，包括:由所述第一導(dǎo)電膜形成 的布線；以及，由所述布線上的所述第三導(dǎo)電膜形成，并與所述源電 極或漏電極的另 一方的上表面和側(cè)面相接觸的電極。
在本發(fā)明中所述第三導(dǎo)電膜是透光性導(dǎo)電膜。
另外，本發(fā)明涉及一種顯示裝置的制造方法，其步驟如下在襯底上形成第一導(dǎo)電膜；在所述第一導(dǎo)電膜上形成第一抗蝕劑掩模；使 用所述第一抗蝕劑掩模對(duì)所述第一導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻而形成柵極布線 以及源極布線；在所述槺極布線以及源極布線上，形成成為4冊(cè)極絕緣 膜的第一絕緣膜、i型半導(dǎo)體層、以及第二絕緣膜；在所述第二絕緣 膜上形成第二抗蝕劑掩模；使用所述第二抗蝕劑掩模對(duì)所述第二絕緣 膜進(jìn)行蝕刻而形成溝道保護(hù)膜；在所述i型半導(dǎo)體層以及溝道保護(hù)膜 上形成包含有賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及第 二導(dǎo)電膜；在所述第二導(dǎo)電膜上形成第三抗蝕劑掩模；并且使用所述 第三抗蝕劑掩模對(duì)所述第二導(dǎo)電膜、所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述i型 半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，從而使所述溝道保護(hù)膜露出；通過(guò)對(duì)所述第二導(dǎo) 電膜進(jìn)行蝕刻形成源電極、漏電極、以及電容布線；通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電 型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻形成源區(qū)、漏區(qū)、以及所述電容布線的導(dǎo)電型半 導(dǎo)體層；通過(guò)對(duì)所述i型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻形成包含溝道形成區(qū)域的 i型半導(dǎo)體層、以及電容布線的i型半導(dǎo)體層；并且通過(guò)對(duì)所述第二導(dǎo) 電膜、所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述i型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，在所述源 極布線以及所述柵極絕緣膜上形成第一接觸孔。然后，以覆蓋所述源 電才及以及漏電才及、所述溝道保護(hù)膜、所述電容布線的布線的方式形成 保護(hù)膜；在所述保護(hù)膜上形成第四抗蝕劑掩模；并且使用所述第四抗 蝕劑掩模對(duì)所述保護(hù)膜以及所述柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻。從而，通iW 所述保護(hù)膜進(jìn)行蝕刻形成比所述第 一接觸孔直徑更大的第二接觸孔； 通過(guò)對(duì)所述柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻以去除所述第一接觸孔中的柵極絕 緣膜而露出所述源極布線；通過(guò)所述去除了柵極絕緣膜的第一接觸孔 以及第二接觸孔，在所述保護(hù)膜、所述源電極、所述源區(qū)、所述i型 半導(dǎo)體層、以及所述柵極絕緣膜中形成階梯狀接觸孔；并且通過(guò)對(duì)所 述保護(hù)膜進(jìn)行蝕刻，在所述保護(hù)膜中形成到達(dá)所述漏電極的第三接觸 孔。然后，以覆蓋所述保護(hù)膜、所述階梯狀接觸孔、所述第三接觸孔 的方式形成第三導(dǎo)電膜；在所述第三導(dǎo)電膜上形成第五抗蝕劑掩^^莫； 并且使用所述第五抗蝕劑掩模對(duì)所述第三導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻而形成通過(guò)所述第三接觸孔與所述漏電極電連接，且延伸到所述電容布線上的 像素電極，并且通過(guò)對(duì)所述第三導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，在所述階梯狀接觸 孔中形成與所述源極布線以及所述源電極電連接的電極。 在本發(fā)明中所述第三導(dǎo)電膜是透光性導(dǎo)電膜。
注意，半導(dǎo)體裝置是指通過(guò)利用半導(dǎo)體特性而發(fā)揮功能的如薄膜 晶體管等的元件以及具有該種元件的所有裝置。例如，使用了薄膜晶 體管的液晶顯示裝置、使用了薄膜晶體管的電子設(shè)備都包括在其范疇 內(nèi)。
根據(jù)本發(fā)明可以獲得存儲(chǔ)電容器的電容量大、開(kāi)口率高的像素部 而不增加光掩模的個(gè)數(shù)。為此，可以獲得制造成本低、所需制造時(shí)間 少且可靠性高的顯示裝置以及具有該種顯示裝置的電子設(shè)備。
圖1A至1D是說(shuō)明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖2A至2C是說(shuō)明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖3A至3C是說(shuō)明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖4是說(shuō)明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖5是本發(fā)明的像素部的俯視圖6是現(xiàn)有的像素部的俯視圖7是說(shuō)明現(xiàn)有的像素部的制造工序的截面圖8A至8C是說(shuō)明現(xiàn)有的像素部的制造工序的截面圖9A和9B是說(shuō)明現(xiàn)有的像素部的制造工序的截面圖10是說(shuō)明本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的截面圖IIA至11D是說(shuō)明本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的俯視
圖12是說(shuō)明本發(fā)明的液晶顯示裝置的制造工序的俯視圖； 圖13是示出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖； 圖14是示出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的13圖15A和15B是示出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖16A和16B是示出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖17是示出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖18A至18E是示出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖19A和19B是示出應(yīng)用有本發(fā)明的電子設(shè)備的例子的圖20是說(shuō)明本發(fā)明的像素部的制造工序的截面圖21是說(shuō)明本發(fā)明的像素部的制造工序的俯視圖22是說(shuō)明本發(fā)明的像素部的制造工序的俯視圖23是說(shuō)明本發(fā)明的像素部的制造工序的俯視圖。圖4。
具體實(shí)施例方式
下面，關(guān)于本發(fā)明的實(shí)施方式將參照附圖給予說(shuō)明。但是，所屬 技術(shù)領(lǐng)域的普通技術(shù)人員可以很容易地理解一個(gè)事實(shí)，就是本發(fā)明可 以以多個(gè)不同形式來(lái)實(shí)施，其方式和詳細(xì)內(nèi)容可以^皮變換為各種各樣 的形式而不脫離本發(fā)明的宗旨及其范圍。因此，本發(fā)明不應(yīng)該被解釋 為僅限定在本實(shí)施方式所記載的內(nèi)容中。
注意，在用來(lái)說(shuō)明實(shí)施方式的所有附圖中，使用相同的附圖標(biāo)記 來(lái)表示相同的部分或具有相同功能的部分，而省略其重復(fù)說(shuō)明。
實(shí)施方式1
在本實(shí)施方式中使用圖1A至1D、圖2A至2C、圖3A至3C、 圖4、圖5、圖20、圖21、圖22、圖23對(duì)本發(fā)明的溝道停止型的反 交錯(cuò)型TFT以及具有該溝道停止型的反交錯(cuò)型TFT的像素部的制造 方法進(jìn)行說(shuō)明。
圖5是根據(jù)本實(shí)施方式制造的像素部的俯視圖；圖4是沿著圖5 中所示的A-A，切斷的截面圖。在圖4以及圖5中，在村底101上形成 有TFT區(qū)域141、電容區(qū)域142、以及連接區(qū)域143。以下使用圖1A 至1D、圖2A至2C、圖3A至3C、圖20、圖21、圖22、圖23對(duì)到圖4為止的制造工序進(jìn)行說(shuō)明。
首先在襯底101上形成第一導(dǎo)電膜161，接著形成用來(lái)形成柵極 布線102以及源極布線103的抗蝕劑掩才莫162(參照?qǐng)DIA)。
如上所述，為形成抗蝕劑掩模162需要一個(gè)光掩模。將用來(lái)形成 抗蝕劑掩模162的光掩模作為第一光掩模。
將具有透光性的絕緣村底用作襯底，例如作為襯底101，可以使 用以康寧公司(Corning)的#7059、 #1737、以及EAGLE 2000等為典 型的鋇硼硅酸鹽玻璃、鋁硼硅酸鹽玻璃、以及鋁硅酸鹽玻璃等的透光 性玻璃襯底。另外，還可以使用具有透光性的石英襯底等。
第一導(dǎo)電膜161優(yōu)選由鋁(Al)等低電阻導(dǎo)電材料形成，然而， 當(dāng)僅采用鋁單質(zhì)時(shí)耐熱性很低且有容易腐蝕等問(wèn)題，所以優(yōu)選與耐熱 性導(dǎo)電材料組合來(lái)形成疊層膜。
耐熱性導(dǎo)電材料由選自鉬(Mo)、鈦(Ti)、鉭(Ta)、鴒(W)、 以及鉻(Cr)中的元素、以上述元素為成分的合金膜、或以上述元素 為成分的氮化物形成?；蛘?，也可以僅組合這樣的耐熱性導(dǎo)電材料來(lái) 形成。
此外，除了純鋁以外，含有0.01atomic。/。至5atomic。/。的鈧(Sc)、 鈦(Ti)、硅(Si)、銅(Cu)、鉻(Cr)、釹(Nd)、或鉬(Mo)等的 鋁也可以用于這里使用的鋁(Al)。若添加質(zhì)量大于鋁的原子，就有 抑制鋁原子當(dāng)進(jìn)行熱處理時(shí)的移動(dòng)而防止產(chǎn)生小丘的效果。
作為上述的鋁和耐熱性導(dǎo)電材料的組合實(shí)例，可以使用鉻(Cr) 及鋁(Al)的疊層膜；鉻(Cr)及含有釹的鋁(Al-Nd)的疊層膜； 鈦(Ti )、鋁(Al)以及鈦(Ti)的疊層膜；鈦(Ti )、含有釹的鋁(Al-Nd) 以及鈥(Ti)的疊層膜；鉬(Mo)、鋁(Al)以及鉬(Mo)的疊層膜； 鉬(Mo)、含有釹的鋁(Al-Nd)以及鉬(Mo)的疊層膜；鉬(Mo) 及鋁(Al)的疊層膜；鉬(Mo)及含有釹的鋁(Al-Nd)的疊層膜等。
接下來(lái)，將抗蝕劑掩模162用作掩才莫對(duì)第一導(dǎo)電膜161進(jìn)行蝕刻 而形成柵極布線102以及源極布線103,然后去除抗蝕劑掩模162(參照?qǐng)D1B)。
圖1B示出沿著俯^L21中的虛線A-A，切斷的截面。 接下來(lái)，將用作第一絕緣膜的柵極絕緣膜104、 i型半導(dǎo)體層105、 以及第二絕緣膜106在保持不與大氣接觸的真空狀態(tài)下，使用CVD 法連續(xù)地形成在襯底101、 ^H及布線102、以及源^l布線103上，。
這里，i型半導(dǎo)體層也稱作本征半導(dǎo)體層，是指半導(dǎo)體層中含有 的賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素，即賦予p型、或n型的雜質(zhì)元素的濃 度在lxlO加cm-3以下，且氧以及氮的濃度在9xl0^cm-3以下，并且光 導(dǎo)電率是暗導(dǎo)電率的一百倍以上的半導(dǎo)體。該本征半導(dǎo)體中含有包含 周期表中第13族、或第15族的雜質(zhì)元素的物質(zhì)。也就是說(shuō)，作為微 晶半導(dǎo)體層，當(dāng)不對(duì)其意圖性地添加用來(lái)控制價(jià)電子的雜質(zhì)元素時(shí)其
呈現(xiàn)弱的n型導(dǎo)電性，所以在i型微晶半導(dǎo)體膜中需要在進(jìn)行成膜的 同時(shí)或之后意圖性或非意圖性地添加賦予p型的雜質(zhì)元素.
在本實(shí)施方式中，雖然使用無(wú)摻雜非晶硅膜作為i型半導(dǎo)體層 105，但是作為半導(dǎo)體層不限定于硅膜，還可以使用鍺膜、硅鍺膜等。 另外，作為柵極絕緣膜104以及第二絕緣膜106可以使用氧化硅 膜、氮化硅膜、含有氧的氮化硅膜、以及含有氮的氧化膜中的任一個(gè) 或兩個(gè)以上的疊層膜而形成。在本實(shí)施方式中，形成氮化硅膜作為柵 極絕緣膜104以及第二絕緣膜106。
接下來(lái)，在第二絕緣膜106上形成抗蝕劑掩模109(參照?qǐng)D1C), 將抗蝕劑掩模109用作掩模進(jìn)行蝕刻而形成溝道保護(hù)膜108(參照?qǐng)D 1D)。另外，在該蝕刻工序中還可以使用半色調(diào)掩模、回流法對(duì)i型半 導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻來(lái)形成島狀半導(dǎo)體層。
圖1D示出沿著俯視22中的虛線A-A，切斷的截面。 另外，在形成抗蝕劑掩模109時(shí)使用第二光掩模。 另外，4艮據(jù)不同的蝕刻方法，還可以將溝道保護(hù)膜108、抗蝕劑 掩模109用作掩模而對(duì)i型半導(dǎo)體層105進(jìn)行蝕刻來(lái)形成具有比由第 二絕緣膜106形成的溝道保護(hù)膜108更緩坡的錐形形狀的島狀半導(dǎo)體層。
但是當(dāng)由i型半導(dǎo)體層105形成島狀半導(dǎo)體層時(shí)，島狀半導(dǎo)體層 需要具有可以與在其上形成的含有賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的半 導(dǎo)體層(以下稱作"導(dǎo)電型半導(dǎo)體層")連接的上表面。
覆蓋i型半導(dǎo)體層105、溝道保護(hù)層108地形成導(dǎo)電型半導(dǎo)體層 111、以及第二導(dǎo)電膜112。當(dāng)包含在導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111中的賦予一 種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素為賦予n型的雜質(zhì)元素時(shí)，可以使用磷(P)、或砷 (As);當(dāng)其為賦予p型的雜質(zhì)元素時(shí)，可以使用硼(B)。在本實(shí)施方式 中，因要形成n型的溝道停止型反交錯(cuò)型TFT,所以形成含有磷的非 晶硅膜作為導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111。另外，第二導(dǎo)電膜112可以使用與 第一導(dǎo)電膜161相同的材料來(lái)形成。
接下來(lái)，在第二導(dǎo)電膜112上形成抗蝕劑掩模125，將抗蝕劑掩 模125用作掩模對(duì)i型半導(dǎo)體層105、導(dǎo)電型半導(dǎo)體層lll、第二導(dǎo)電 膜112進(jìn)行蝕刻(參照?qǐng)D2A)。使用干蝕刻法對(duì)i型半導(dǎo)體層105以及 導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111進(jìn)行蝕刻，但第二導(dǎo)電膜112的蝕刻即可以利用 干蝕刻也可以利用濕蝕刻。蝕刻結(jié)束之后去除抗蝕劑掩模125(參照?qǐng)D 2B)。
為形成抗蝕劑掩模125需要第三光掩模。
在TFT區(qū)域141中，在i型半導(dǎo)體層105中的成為溝道形成區(qū)域 的區(qū)域中，溝道保護(hù)膜108用作蝕刻停止層，僅導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111 以及第二導(dǎo)電膜112被蝕刻，而i型半導(dǎo)體層105不被蝕刻。被蝕刻 的導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111以及第二導(dǎo)電膜112分別被分?jǐn)酁樵磪^(qū)118和 漏區(qū)117、以及源電極122和漏電極121。
注意，在本實(shí)施方式中，為了容易理解，對(duì)源區(qū)118和漏區(qū)117、 源電極122和漏電極121、以及源極布線103、源和漏加以區(qū)分，但 是根據(jù)電流的方向源電極和漏電極也有對(duì)調(diào)的情況。
由于在連接區(qū)域143中沒(méi)有溝道保護(hù)膜，所以i型半導(dǎo)體層105 以及導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111被蝕刻而在i型半導(dǎo)體層105以及導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111中形成第一接觸孔171。
另外，在電容區(qū)域142中通過(guò)本蝕刻工序形成由第二導(dǎo)電膜形成 的布線123、導(dǎo)電型半導(dǎo)體層116、 i型半導(dǎo)體層114的疊層體而形成 電容布線。
圖2B示出沿著俯視23的虛線A-A，切斷的截面。
接下來(lái)，在整個(gè)面上形成由第三絕緣膜形成的保護(hù)膜127(參照?qǐng)D 2C)。保護(hù)膜127可以使用與柵極絕緣膜104、第二絕緣膜106相同的 材料來(lái)形成，在本實(shí)施方式中使用氮化硅膜。
在形成保護(hù)膜127之后形成抗蝕劑掩模128，將抗蝕劑掩模128 用作掩模對(duì)保護(hù)膜127進(jìn)行蝕刻。在本實(shí)施方式中，采用干蝕刻法對(duì) 保護(hù)膜U7進(jìn)行蝕刻(參照?qǐng)D3A)。
當(dāng)形成抗蝕劑掩模128時(shí)使用第四光掩模。
在TFT區(qū)域141中，形成用來(lái)連接在之后的工序中形成的像素電 極131、 TFT的漏電極121的第三接觸孔173。當(dāng)為了形成接觸孔173 對(duì)保護(hù)膜127進(jìn)行蝕刻時(shí)，由第二導(dǎo)電膜形成的漏電極121用作蝕刻 停止層。
另 一方面，在連接區(qū)域143中，保護(hù)膜127和柵極絕緣膜104被 蝕刻而使源極布線103露出。另外，根據(jù)該蝕刻形成比通過(guò)對(duì)i型半 導(dǎo)體層105以及導(dǎo)電型半導(dǎo)體層111進(jìn)行蝕刻而形成的第一接觸孔 171更大且將第一接觸孔171完全覆蓋的第二接觸孔172。
在第一接觸孔171和第二接觸孔172互不重疊的區(qū)域中，由于存 在由第二導(dǎo)電膜形成的源電極122，所以干蝕刻停止于源電極122尤 其是源電極122的上表面。也就是說(shuō)，源電極122用作蝕刻停止層。
另外，在第一接觸孔171和第二接觸孔172互相重疊的區(qū)域中， 保護(hù)膜127下方的槺極絕緣膜104也被蝕刻而使由第一導(dǎo)電膜形成的 源極布線103露出。
通過(guò)該蝕刻工序，在連接區(qū)域143中形成階梯狀的接觸孔。如上 所述，在第一接觸孔171和第二接觸孔172互不重疊的區(qū)域中源電極
18122的上表面和側(cè)面露出。由于源電極122露出的區(qū)域?qū)⒊蔀榕c在之 后的工序中形成的由透光性導(dǎo)電膜形成的連接電極132的連接區(qū)域，
所以需要考慮接觸電阻地來(lái)設(shè)計(jì)其寬度。也就是說(shuō)，若露出面積大則 接觸電阻減??；另一方面，若露出面積小則接觸電阻增大。為此，需 要適當(dāng)?shù)貙?duì)其進(jìn)行設(shè)計(jì)。
在電容區(qū)域142中，由于保護(hù)膜127將成為形成電容器的介電薄 膜，所以不對(duì)其進(jìn)行蝕刻而將其殘留。
接下來(lái)，去除抗蝕劑掩模128之后形成透光性導(dǎo)電膜129(參照?qǐng)D 3B)。作為透光性導(dǎo)電膜129,可以使用銦錫氧化物(簡(jiǎn)稱ITO)、含氧 化硅的氧化銦鋅、氧化銦鋅(簡(jiǎn)稱IZO)、氧化鋅等的金屬氧化物或半 導(dǎo)體氧化物。在本實(shí)施方式中，將銦錫氧化物用作透光性導(dǎo)電膜129。
在透光性導(dǎo)電膜129上形成抗蝕劑掩模134,將抗蝕劑掩模134 用作掩模對(duì)透光性導(dǎo)電膜129進(jìn)行蝕刻而形成像素電極131以及連接 電極132(參照?qǐng)D3C)。
為形成抗蝕劑掩模134需要第五光掩模。
在TFT區(qū)域141中，漏電極121與^f象素電極131通過(guò)形成在保護(hù) 膜127中的接觸孔電連接。
像素電極131延伸到電容區(qū)域142,并且在像素電極131夾著保 護(hù)膜127與布線123重疊的區(qū)域中形成存儲(chǔ)電容器。
另一方面，在連接區(qū)域143中，因?yàn)樵谒鲭A梯狀的接觸孔上形 成有具有將第二接觸孔172完全覆蓋的面積的由透光性導(dǎo)電膜129形 成的連接電極132，所以連接電極132、源極布線103、源電極122電 連接。并且連接電極132和源電極122由于在露出的表面以及側(cè)面互 相連接，所以可以進(jìn)行確實(shí)地接觸。
接下來(lái)去除抗蝕劑掩模134，來(lái)完成本實(shí)施方式的像素部(參照?qǐng)D4)。
使用五個(gè)光掩模可以形成含有溝道停止型的反交錯(cuò)型TFT的TFT 區(qū)域141、電容區(qū)域142、以及連接區(qū)域143。并將這些分別對(duì)應(yīng)每個(gè)像素以矩陣形狀地設(shè)置而構(gòu)成圖像顯示部。由此可以形成用于制造使
用有有源元件TFT的有源矩陣型顯示裝置的一方的襯底。在本說(shuō)明書(shū) 中為方便起見(jiàn)將該種襯底稱為T(mén)FT村底。
另外如圖20所示，也可以將微晶半導(dǎo)體層(也稱為「半非晶半導(dǎo) 體層」)113a和非晶半導(dǎo)體層113b的疊層膜用作i型半導(dǎo)體層113。
注意，半非晶半導(dǎo)體(在本說(shuō)明書(shū)中也稱為「 Semi-amorphous Smiconductor(SAS)」)層是指具有非晶半導(dǎo)體和晶體結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體(包 括單晶、多晶)層之間的中間結(jié)構(gòu)的半導(dǎo)體的層。該半非晶半導(dǎo)體層為 具有在自由能方面上^f艮穩(wěn)定的第三狀態(tài)的半導(dǎo)體層,并且具有短程有 序且具有晶格畸變的結(jié)晶，可以以其粒徑為0.5nm至20nm使它M存 在于非單晶半導(dǎo)體膜中。注意，微晶半導(dǎo)體層(Micro Crystal Semiconductor Film)也包括在半非晶半導(dǎo)體層內(nèi)。
作為半非晶半導(dǎo)體層的一個(gè)例子，可以舉出半非晶硅層。在半
非晶硅層中，其拉曼光語(yǔ)轉(zhuǎn)移到比520cm"更低頻率一側(cè)。此外， 在進(jìn)行X射線衍射時(shí)，觀測(cè)到Si晶格所導(dǎo)致的(111 ) 、 ( 220 ) 的衍射峰值。此外，包含有至少1原子％或更多的氫或卣素，以便 終結(jié)懸空鍵。在本說(shuō)明書(shū)中，為方便起見(jiàn)，將這種硅層稱為半非晶 硅層。另外，可以通過(guò)將氦、氬、氪、氖等的稀有氣體元素包含在 半非晶半導(dǎo)體層而進(jìn)一步促進(jìn)晶格畸變來(lái)提高穩(wěn)定性以獲得良好 的半非晶半導(dǎo)體層。
此外，可以通過(guò)對(duì)包含硅的氣體進(jìn)行輝光放電分解來(lái)獲得非晶 硅層。作為包含石圭的氣體典型地可舉出SiH4，此外還可以使用 Si2H6、 SiH2Cl2、 SiHCl3、 SiCl4、 SiF4等。另外，通過(guò)用氫或?qū)⑦x自 氦、氬、氪、氖中的一種或多種稀有氣體元素添加到氫中的氣體稀 釋該包含硅的氣體來(lái)使用，可以容易地形成非晶硅層。優(yōu)選在稀釋 比率為2倍至1000倍的范圍內(nèi)稀釋包含硅的氣體。另外，可以將 CH4、 C2He等的碳化物氣體、GeH4、 GeF4等的鍺化氣體、F2等混 入在包含硅的氣體中，以將能帶寬度調(diào)節(jié)為1.5eV至2.4eV或者0.9eV至l.leV。
當(dāng)溝道形成區(qū)域由微晶半導(dǎo)體層113a和非晶半導(dǎo)體層113b的疊 層形成時(shí)，具有以下優(yōu)點(diǎn)當(dāng)處于導(dǎo)通狀態(tài)時(shí)，栽流子流過(guò)^f效晶半導(dǎo) 體層113a，所以導(dǎo)通電流增大，TFT的遷移率提高。
另一方面當(dāng)處于截止?fàn)顟B(tài)時(shí)，若泄漏電流流過(guò)^f敖晶半導(dǎo)體層，則 泄漏電流有可能增大。但是，當(dāng)溝道形成區(qū)域?yàn)槲⒕О雽?dǎo)體層113a 和非晶半導(dǎo)體層U3b的疊層時(shí)，因?yàn)樾孤╇娏髁鬟^(guò)非晶半導(dǎo)體層 113b，所以可以抑制泄漏電流。
以下分別參照?qǐng)D4、圖5、以及圖7、圖6對(duì)使用本實(shí)施方式形成 的像素部和現(xiàn)有的像素部進(jìn)行比較說(shuō)明。
存儲(chǔ)電容器的電容量與面積成正比，并與介電薄膜的膜厚度成反 比。例如，假設(shè)4冊(cè)極絕緣膜104、柵極絕緣膜1104、以及保護(hù)膜127、 保護(hù)膜1127全由膜厚度為300nm的氮化硅膜形成。本發(fā)明的存儲(chǔ)電 容器的介電薄膜的膜厚度，即保護(hù)膜127的膜厚度為300nm,而現(xiàn)有 的存儲(chǔ)電容器的介電薄膜的膜厚度，即柵極絕緣膜1104以及保護(hù)膜 1127的膜厚度的總和為600nm。
因此，本發(fā)明的存儲(chǔ)電容器可以具有現(xiàn)有存儲(chǔ)電容器的兩倍的電 容量。
再者，當(dāng)本發(fā)明的存儲(chǔ)電容器與現(xiàn)有的存儲(chǔ)電容器的電容量相同 時(shí)，與現(xiàn)有的存儲(chǔ)電容器相比本發(fā)明的存儲(chǔ)電容器的面積僅為其一 半。如此一來(lái)，由遮光材料形成的布線123的面積為電容布線1151 的面積的一半即可，由此可以比現(xiàn)有的像素部更大地提高開(kāi)口率。
由上所述，根據(jù)本發(fā)明的溝道停止型的反交錯(cuò)型TFT以及具有該 TFT的像素部，可以制造存儲(chǔ)電容器電容量大且開(kāi)口率高的像素部， 而不需增加光掩模的個(gè)數(shù)。
另外，在本發(fā)明中，因?yàn)榭梢詫型半導(dǎo)體層105的膜厚度形成 得較薄，所以可以縮短通過(guò)CVD法的成膜時(shí)間、并減少光照射時(shí)泄 漏電流的發(fā)生。
21因?yàn)楸景l(fā)明的反交錯(cuò)型TFT為溝道停止型TFT，由于有溝道保護(hù) 膜108,所以i型半導(dǎo)體層中的溝道形成區(qū)域不會(huì)暴露在大氣中。
另外，在連接區(qū)域143中，源極布線103、源電極122、以及連 接電極132通過(guò)階梯狀接觸孔電連接。另一方面， 一般來(lái)說(shuō)將由兩個(gè) 不同的層而形成的布線與其它的布線連接時(shí)，需要兩個(gè)接觸孔用來(lái)進(jìn) 行連接。而在本發(fā)明中的階梯狀接觸孔雖然與用來(lái)進(jìn)行連接而形成的 兩個(gè)接觸孔中的一個(gè)相比大小可能會(huì)略微大一些，但是與兩個(gè)接觸孔 所占的總面積相比則要小得多，因此有利于提高開(kāi)口率。此外，接觸 孔個(gè)數(shù)的減少也意味著故障發(fā)生率的降低。
實(shí)施方式2
在本實(shí)施方式中，參照?qǐng)D10、圖11A至11D、以及圖12對(duì)使用 實(shí)施方式1制造的TFT襯底來(lái)完成液晶顯示裝置的制造工序進(jìn)行說(shuō) 明。
覆蓋TFT襯底上的保護(hù)膜127及像素電極131地形成取向膜208。 注意，通過(guò)使用液滴噴出法或絲網(wǎng)印刷法或膠版印刷來(lái)形成取向膜 208即可。之后，對(duì)取向膜208的表面進(jìn)行摩擦處理。
在相對(duì)襯底211上，提供由著色層212、遮光層(黑矩陣)213、 以及外罩層214構(gòu)成的彩色濾光片，并且形成由透光性導(dǎo)電膜形成的 相對(duì)電極215，在其上形成取向膜216 (參照?qǐng)D10)。通過(guò)由透光性導(dǎo) 電膜形成相對(duì)電極215，本實(shí)施方式的液晶顯示裝置成為透過(guò)型液晶 顯示裝置。注意，若由反射電極形成相對(duì)電極215，則本實(shí)施方式的 液晶顯示裝置成為反射型液晶顯示裝置。
然后使用分配器描畫(huà)密封劑221,并使其包圍與像素部分231重 疊的區(qū)域。此處，為了滴下液晶218，示出了描畫(huà)密封劑221,并使 其包圍像素部分231的方式。然而，還可以使用浸漬法(泵浦方式)， 該方法在使用密封劑包圍像素部分231且提供開(kāi)口部分，并在貼合 TFT襯底之后，利用毛細(xì)現(xiàn)象來(lái)注入液晶(參照?qǐng)DIIA)。
其次，在減壓下不使氣泡進(jìn)入地滴落液晶218 (參照?qǐng)D11B),并且將襯底101及相對(duì)襯底211貼合在一起(參照?qǐng)D11C )。在被密封劑 221包圍的區(qū)域內(nèi)一次或多次滴落液晶218。
在很多情況下，使用TN模式作為液晶218的取向才莫式，其中， 液晶分子的排列從其入口到出口以90度扭轉(zhuǎn)取向。在制造TN模式的 液晶顯示裝置的情況下，使襯底的摩擦方向正交地貼合襯底和相對(duì)襯 底。
注意，可以通過(guò)散布球狀間隔物、形成由樹(shù)脂構(gòu)成的柱狀間隔物 或?qū)⑻盍习诿芊鈩?21中來(lái)維持一對(duì)襯底之間的間隔。上述柱狀 間隔物是以丙烯、聚酰亞胺、聚酰亞胺酰胺、環(huán)氧中的至少一個(gè)為主 要成分的有機(jī)樹(shù)脂材料；氧化硅、氮化硅、含氮的氧化硅中的任何一 種的材料；或由這些的疊層膜構(gòu)成的無(wú)機(jī)材料。
接著進(jìn)行村底的分?jǐn)?。在利用一個(gè)襯底制造多個(gè)面板的情況下， 將各個(gè)面板彼此分?jǐn)?。此外，在利用一個(gè)襯底制造一個(gè)面板的情況下， 通過(guò)將預(yù)先分?jǐn)嗔说南鄬?duì)襯底貼合在襯底上，可以省略分?jǐn)嗖襟E(參 照?qǐng)DIID)。
然后，中間夾著各向異性導(dǎo)電體層，使用已知的技術(shù)貼合FPC(柔 性印刷電路)222 (參照?qǐng)D12)。通過(guò)上述步驟來(lái)完成液晶顯示裝置。 此外，如果需要，可以貼合光學(xué)薄膜。在形成透過(guò)型液晶顯示裝置時(shí)， 將偏振片貼合在TFT襯底和相對(duì)襯底兩者上。通過(guò)上述步驟制造本發(fā) 明的液晶顯示裝置。
實(shí)施方式3
作為應(yīng)用本發(fā)明的電子設(shè)備，可以舉出電視機(jī)、攝像機(jī)、數(shù)碼相 機(jī)等、眼鏡型顯示器、導(dǎo)航系統(tǒng)、聲音再生裝置(汽車(chē)音響組件等)、 計(jì)算機(jī)、游戲機(jī)、便攜式信息終端(移動(dòng)計(jì)算機(jī)、便攜式電話機(jī)、便 攜式游戲機(jī)或電子書(shū)籍等)、以及具有記錄媒體的圖像重放裝置(具 體地說(shuō)，能夠再生數(shù)字通用光盤(pán)(DVD)等的記錄i某體并具有能夠顯 示該再生圖像的顯示器的裝置)等。
將這種電子設(shè)備的具體實(shí)例示出于圖13、圖14、圖15A和15B、圖16A和16B、圖17、圖18A至18E、以及圖19A和19B。
圖13示出組合了液晶顯示面板2001和電路襯底2011的液晶模 塊。在電路襯底2011上形成有控制電路2012、信號(hào)分割電路2013等， 并且該電路襯底2011通過(guò)連接布線2014與使用本發(fā)明而形成的液晶 顯示面板2001電連接。
所述液晶顯示面板2001具有提供有多個(gè)像素的像素部分2002、 掃描線驅(qū)動(dòng)電路2003、以及向選擇的像素供應(yīng)視頻信號(hào)的信號(hào)線驅(qū)動(dòng) 電路2004。像素部2002根據(jù)實(shí)施方式2來(lái)制造即可。掃描線驅(qū)動(dòng)電 路2003以及信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路2004由芯片形成并使用FPC等與像素部 2002、以及掃描線驅(qū)動(dòng)電3各2003及信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電3各2004連4妄即可。
通過(guò)采用圖13所示的液晶模塊，可以完成液晶電視接收機(jī)。圖 14為示出液晶電視接收機(jī)的主要結(jié)構(gòu)的框圖。調(diào)諧器2101接收?qǐng)D像 信號(hào)和音頻信號(hào)。由圖像信號(hào)放大電路2102、圖像信號(hào)處理電路2103、 以及控制電路2102處理圖像信號(hào)，其中圖像信號(hào)處理電路2103將從 圖像信號(hào)放大電路2102輸出的信號(hào)轉(zhuǎn)換成對(duì)應(yīng)于紅、綠、藍(lán)每個(gè)顏 色的彩色信號(hào)，控制電路2102將圖像信號(hào)轉(zhuǎn)換成驅(qū)動(dòng)器IC的輸入規(guī) 格?？刂齐娐?102將信號(hào)輸出至掃描線一側(cè)和信號(hào)線一側(cè)。在進(jìn)行 數(shù)字驅(qū)動(dòng)的情況下，可以采用如下結(jié)構(gòu)，即，將信號(hào)分割電路2013 設(shè)置在信號(hào)線一側(cè)，從而將輸入數(shù)字信號(hào)分割成m個(gè)。
將由調(diào)諧器2101接收的信號(hào)中的音頻信號(hào)發(fā)送給音頻信號(hào)放大 電路2105,將輸出通過(guò)音頻信號(hào)處理電路2106提供給揚(yáng)聲器2107。 控制電路2108從輸入部分2109接收接收站(接收頻率)或者音量的 控制數(shù)據(jù)，并且將信號(hào)發(fā)送到調(diào)諧器2101和音頻信號(hào)處理電路2106。
如圖15A所示，通過(guò)將液晶模塊嵌入到框體2201中，可以完成 電視接收機(jī)。使用液晶模塊來(lái)形成顯示屏幕2202。此外，適當(dāng)?shù)卦O(shè)置 揚(yáng)聲器2203、操作開(kāi)關(guān)2204等。
另夕卜，在圖15B中示出無(wú)線方式的可以只將顯示器移動(dòng)的電視j妄 收機(jī)。在框體2212中內(nèi)裝有電池及信號(hào)接收器，由該電池驅(qū)動(dòng)顯示部分2213及揚(yáng)聲器部分2217。電池可以由充電器2210重復(fù)充電。另 外，充電器2210可以收發(fā)圖像信號(hào)，并且可以將該圖像信號(hào)發(fā)送到 顯示器的信號(hào)接收器?？蝮w2212由操作鍵2216控制。另外，圖15 (B)所示的裝置，由于也可以通過(guò)對(duì)操作鍵2216進(jìn)行操作來(lái)從框體 2212將信號(hào)發(fā)送到充電器2210，所以也可以稱為圖像聲音雙向通信 裝置。另外，通過(guò)對(duì)操作鍵2216進(jìn)行操作，可以將信號(hào)從框體2212 發(fā)送到充電器2210,并且通過(guò)由其他電子設(shè)備接收充電器2210可以 發(fā)送的信號(hào)，也可以控制其他電子設(shè)備的通信，也可以說(shuō)是通用遙控 裝置。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2213。
通過(guò)在圖13、圖14、以及圖15A和15B所示的電視接收機(jī)中使 用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的電禎j接收^L。
當(dāng)然，本發(fā)明不局限于電視接收機(jī)，并且可以應(yīng)用于各種各樣的 用途，如個(gè)人計(jì)算機(jī)的監(jiān)視器、尤其是大面積的顯示媒體如火車(chē)站或 機(jī)場(chǎng)的信息顯示板或者街頭的廣告顯示板等。
圖16A示出了通過(guò)組合液晶顯示面板2301和印刷線路板2302而 形成的模塊，所述液晶顯示面板2301和印刷線路板2302是使用本發(fā) 明而形成的。液晶顯示面板2301具有提供有多個(gè)像素的像素部分 2303、第一掃描線驅(qū)動(dòng)電路2304、第二掃描線驅(qū)動(dòng)電路2305、以及 向被選擇了的像素供應(yīng)視頻信號(hào)的信號(hào)線驅(qū)動(dòng)電路2306。
在印刷線路板2302上配置有控制器2307、中央處理裝置(CPU) 2308、存儲(chǔ)器2309、電源電路2310、聲音處理電路2311、以及收發(fā) 電路2312等。印刷線路板2302和液晶顯示面板2301通過(guò)柔性印刷 線路板(FPC) 2313連接。印刷線路板2313還可以具有如下結(jié)構(gòu)， 即，設(shè)置電容元件和緩沖電路等，以防止噪音對(duì)電源電壓或信號(hào)的干 擾或使信號(hào)的啟動(dòng)延遲。另外，可以通過(guò)COG (玻璃上載芯片)方式 在液晶顯示面板2301上安裝控制器2307、聲音處理電路2311、存儲(chǔ) 器2309、 CPU 2308、電源電路2310等。通過(guò)COG方式，可以縮小 印刷線路板2302的規(guī)模。
25通過(guò)提供在印刷線路板2302上的接口 2314進(jìn)行各種控制信號(hào)的 輸入輸出。另外，在印刷線路板2302上提供有天線用端口 2315，該 天線用端口被用于進(jìn)行與天線之間的信號(hào)的收發(fā)。
圖16(B)示出圖16(A)所示的模塊的方塊圖。該模塊包括VRAM 2316、DRAM 2317、以及閃存2318等作為存儲(chǔ)器2309。在VRAM 2316 中存儲(chǔ)有顯示在顯示板上的圖像的數(shù)據(jù)，在DRAM 2317中存儲(chǔ)有圖 像數(shù)據(jù)或聲音數(shù)據(jù)，而在閃存中存儲(chǔ)有各種程序。
電源電路2310供應(yīng)使液晶顯示面板2301、控制器2307、 CPU 2308、聲音處理電路2311、存儲(chǔ)器2309、以及收發(fā)電路2312工作的 電功率。另外，根據(jù)顯示板的規(guī)格，也有在電源電路2310中設(shè)置電 流源的情況。
CPU 2308具有控制信號(hào)生成電路2320、譯碼器2321、寄存器 2322、運(yùn)算電路2323、 RAM 2324、以及用于CPU 2308的接口 2319 等。經(jīng)過(guò)接口 2319輸入到CPU 2308的各種信號(hào)，在臨時(shí)保持于寄 存器2322之后，輸入到運(yùn)算電路2323及譯碼器2321等。在運(yùn)算 電路2323中基于被輸入的信號(hào)進(jìn)行運(yùn)算，并且指定發(fā)送各種指令 的地點(diǎn)。另一方面，輸入到譯碼器2321中的信號(hào)被譯碼，并且該 被譯碼的信號(hào)輸入到控制信號(hào)生成電路2320?？刂菩盘?hào)生成電路 2320基于被輸入的信號(hào)而生成包含各種指令的信號(hào)，并且將它發(fā) 送到在運(yùn)算電路2323中指定的地點(diǎn)，具體說(shuō)是存儲(chǔ)器2309、收發(fā) 電路2312、聲音處理電路2311、以及控制器2307等。
存儲(chǔ)器2309、收發(fā)電路2312、聲音處理電路2311、以及控制器 2307分別按照接收到的指令工作。下面對(duì)其工作進(jìn)行簡(jiǎn)單的說(shuō)明。
從輸入單元2325輸入的信號(hào)，經(jīng)過(guò)接口 2314發(fā)送到安裝在印刷 線路板2302上的CPU 2308?？刂菩盘?hào)生成電路2320按照從定位設(shè)備 或鍵盤(pán)等輸入單元2325發(fā)送來(lái)的信號(hào)，將存儲(chǔ)于VRAM2316中的圖 像數(shù)據(jù)變換為預(yù)定的格式，并且將該變換了的圖像數(shù)據(jù)送交到控制器 2307。控制器2307根據(jù)面板的規(guī)格對(duì)從CPU 2308發(fā)送來(lái)的包含圖像數(shù) 據(jù)的信號(hào)實(shí)施數(shù)據(jù)處理，并且將該信號(hào)提供給液晶顯示面板2301。此 外，控制器2307,基于從電源電路2310輸入的電源電壓及從CPU 2308 輸入的各種信號(hào)，生成Hsync信號(hào)、Vsync信號(hào)、時(shí)鐘信號(hào)CLK、交 流電壓(ACCont)、以及切換信號(hào)L/R，并且將它們供給到液晶顯示 面板2301。
在收發(fā)電路2312中，在天線2328中作為電波被收發(fā)的信號(hào)被 處理，具體言之，包括隔離器、帶通濾波器、VCO(電壓控制振蕩 器；Voltage Controlled Oscillator) 、 LPF(4氐通濾波器；Low Pass Filter)、耦合器、平衡不平衡轉(zhuǎn)換器等的高頻電路。在收發(fā)電路 2312中被收發(fā)的信號(hào)中包含聲音信息的信號(hào)，按照來(lái)自CPU 2308 的指令而發(fā)送到聲音處理電路2311。
按照CPU 2308的指令發(fā)送來(lái)的包含聲音信息的信號(hào)在聲音處理 電路2311中被解調(diào)為聲音信號(hào)，然后被發(fā)送到揚(yáng)聲器2327。此外， 從麥克風(fēng)2326發(fā)送來(lái)的聲音信號(hào)，在聲音處理電路2311中被調(diào)制， 按照CPU 2308的指令，發(fā)送到收發(fā)電路2312。
控制器2307、 CPU2308、電源電路2310、聲音處理電路2311、 以及存儲(chǔ)器2309等可以作為本實(shí)施方式的封裝進(jìn)行安裝。除了高頻 電路，例如隔離器、帶通濾波器、VCO、 LPF、耦合器或平衡不平衡 轉(zhuǎn)換器等以外，本實(shí)施方式還可以應(yīng)用于任何電路。
圖17示出包括圖16A和16B所示的模塊的便攜式電話機(jī)的一種 方式。液晶顯示面板2301,以可自由裝卸的方式被組合到外殼2330 中。外殼2330可按照液晶顯示面板2301的大小適當(dāng)?shù)馗淖兤湫螤詈?尺寸。固定液晶顯示面板2301的外殼2330 ^l嵌裝在印刷襯底2331 中，而被組裝為模塊。
液晶顯示面板2301通過(guò)FPC 2313連接到印刷襯底2331。在 印刷襯底2331上形成揚(yáng)聲器2332、麥克風(fēng)2333、收發(fā)電路2334、 以及包括CPU及控制器等的信號(hào)處理電路2335。這種模塊與輸入單元2336、電池2337和天線2340組合，然后將其收容于框體2339 中。液晶顯示面板2301所包括的像素部分被布置成使其從框體 2339中提供的開(kāi)孔窗口可以看見(jiàn)。
本實(shí)施方式的便攜式電話機(jī)根據(jù)其功能和用途可以被改變?yōu)楦?種方式。例如，若采用具有多個(gè)顯示面板的結(jié)構(gòu)，或?qū)⒖蝮w適當(dāng)?shù)胤?割成多個(gè)并使用鉸鏈而使其成為開(kāi)閉式的結(jié)構(gòu)，也可以獲得上述的作 用和效果。
通過(guò)在圖16A和16B、以及圖17所示的便攜式電話機(jī)中使用本 發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的侵_攜式電話。
圖18A是液晶顯示器，由框體2401、支撐臺(tái)2402、顯示部分2403 等構(gòu)成。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分2403。
通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的液晶顯示器。
圖18B是計(jì)算機(jī)，包括主體2501、框體2502、顯示部分2503、
鍵盤(pán)2504、外部連接端口 2505、以及定位設(shè)備2506等。本發(fā)明可以
應(yīng)用于顯示部分2503。
通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的計(jì)算機(jī)。 圖18C是便攜式計(jì)算機(jī)，包括主體2601、顯示部分2602、開(kāi)關(guān)
2603、操作4定2604、以及紅外線端口 2605等。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯
示部分2602。
通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的計(jì)算機(jī)。 圖18D是便攜式游戲機(jī)，包含框體2701、顯示部分2702、揚(yáng)聲
器部分2703、操作4建2704、以及記錄媒體插入部分2705等。本發(fā)明
可以應(yīng)用于顯示部分2702。
通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的游戲機(jī)。 圖18E是具有記錄媒體的便攜式圖像重放裝置(具體說(shuō)是DVD
重放裝置)，包括主體2801、框體2802、顯示部分A2803、顯示部分
B 2804、記錄媒體(DVD等)讀取部分2805、操作鍵2806、以及揚(yáng)聲器部分2807等。顯示部分A 2803主要顯示圖傳-信息，顯示部分B 2804主要顯示文字信息。本發(fā)明可以應(yīng)用于顯示部分A2803、顯示部 分B2804以及控制用電路部分等。注意，記錄媒體是指DVD等，具 有記錄媒體的圖像重放裝置中也包括家用游戲機(jī)等。
通過(guò)使用本發(fā)明，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的圖像重放裝置。
圖19A和19B示出了將本發(fā)明的液晶顯示裝置安裝在拍攝裝置中 例如數(shù)碼相機(jī)中的實(shí)例。圖19A是當(dāng)從正面看時(shí)的數(shù)碼相機(jī)的透視 圖，而圖19B是當(dāng)從背面看時(shí)的數(shù)碼相機(jī)的透^L圖。圖19A中，該數(shù) 碼相機(jī)具有釋放按4丑2901、主開(kāi)關(guān)2902、取景器窗口 2903、閃光部 分2904、透鏡2905、照相機(jī)鏡筒2906、以及框體2907。
此外，圖19B中，提供取景器目鏡窗口 2911、監(jiān)視器2912以及 操作按鈕2913。
當(dāng)釋放按鈕2901按到一半位置時(shí)，聚焦機(jī)制和曝光機(jī)制工作， 當(dāng)釋放按鈕按到最低位置時(shí)，快門(mén)按鈕開(kāi)啟。
通過(guò)按下主開(kāi)關(guān)2902或使主開(kāi)關(guān)2902旋轉(zhuǎn)，來(lái)切換數(shù)碼相機(jī)的 電源的ON/OFF。
取景器窗口 2903配置在數(shù)碼相機(jī)的前透鏡2905的上部，它是用 于從圖19B所示的取景器目鏡窗口 2911確認(rèn)照相范圍或焦點(diǎn)位置的 裝置。
閃光部分2904配置在數(shù)碼相機(jī)的前表面的上部，當(dāng)目標(biāo)亮度低 時(shí)，通過(guò)按下釋放按鈕2901,在快門(mén)按鈕開(kāi)啟的同時(shí)發(fā)射輔助光。
透鏡2905配置在數(shù)碼相機(jī)的正面。透鏡由聚焦透鏡、變焦透鏡 等構(gòu)成，并與未圖示的快門(mén)按鈕和光圏一起構(gòu)成照相光學(xué)系統(tǒng)。此外， 在透鏡的后面提供圖像拍攝元件，例如CCD (電荷耦合裝置；Charge Couoled Device)等。
照相機(jī)鏡筒2906移動(dòng)透鏡位置以調(diào)節(jié)聚焦透鏡、變焦透鏡等的 焦點(diǎn)。當(dāng)攝影時(shí)，通過(guò)將照相機(jī)鏡筒滑出，使透鏡2905向前移動(dòng)。
29此外，當(dāng)攜帶時(shí)，將透鏡2905向后移動(dòng)成緊縮狀態(tài)。注意，本實(shí)施 例中采用可以通過(guò)滑出照相機(jī)鏡筒來(lái)縮放拍攝目標(biāo)的結(jié)構(gòu)，然而，本 發(fā)明的結(jié)構(gòu)不限于此，還可以為通過(guò)框體2907內(nèi)部的照相光學(xué)系統(tǒng) 的結(jié)構(gòu)，不滑出照相機(jī)鏡筒也可以縮放拍攝的數(shù)碼相機(jī)的結(jié)構(gòu)。
取景器目鏡窗口 2911提供在數(shù)碼相機(jī)背面的上部，該取景器目鏡 窗口是為了當(dāng)檢查拍攝范圍或焦點(diǎn)時(shí)通過(guò)它進(jìn)行查看而提供的窗口 。
操作按鈕2913是提供在數(shù)碼相機(jī)的背面的各種功能按鈕，由調(diào) 整按鈕、菜單按鈕、顯示按鈕、功能按鈕、以及選擇按鈕等構(gòu)成。
本發(fā)明的液晶顯示裝置可以安裝到圖19A和19B所示的照相機(jī)的 監(jiān)視器2912中。因此，可以獲得具有質(zhì)量好的顯示裝置的數(shù)碼相機(jī)。
注意，本實(shí)施方式所示的例子仫 f又是一個(gè)例子，本發(fā)明的用途不 局限于此。
本說(shuō)明書(shū)根據(jù)2007年12月05日在日本專(zhuān)利局受理的日本專(zhuān) 利申請(qǐng)編號(hào)2007-314123而制作，所述申請(qǐng)內(nèi)容包括在本說(shuō)明書(shū)中。
權(quán)利要求
1. 一種顯示裝置，包括薄膜晶體管，包括由第一導(dǎo)電膜形成的柵電極；由所述柵電極上的第一絕緣層形成的柵極絕緣膜；所述第一絕緣層上的第一半導(dǎo)體層，其中所述第一半導(dǎo)體層與所述柵電極重疊；由設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上的第二絕緣層形成的溝道保護(hù)膜，其中所述溝道保護(hù)膜與所述柵電極重疊；包含賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的第二半導(dǎo)體層，其中所述第二半導(dǎo)體層與所述第一半導(dǎo)體層重疊，且所述第二半導(dǎo)體層被分離為源區(qū)和漏區(qū)，并且在所述溝道保護(hù)膜上設(shè)置所述源區(qū)的一端部和所述漏區(qū)的一端部；以及所述源區(qū)上的源電極和所述漏區(qū)上的漏電極，其中所述源電極和所述漏電極由第二導(dǎo)電膜形成；在所述源電極和所述漏電極上形成的第三絕緣層；由所述第三絕緣層上的第三絕緣膜形成的像素電極，其中所述像素電極通過(guò)在第三絕緣層中形成的接觸孔與所述源電極或漏電極的一方電連接；在所述第一絕緣層上由所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層以及所述第二導(dǎo)電膜的層疊體形成的電容布線；以及由所述電容布線、所述第三絕緣層、所述像素電極的層疊體形成的存儲(chǔ)電容器。
2. —種顯示裝置，包括 薄膜晶體管，包括由第一導(dǎo)電膜形成的柵電極； 由所述柵電極上的第一絕緣層形成的柵極絕緣膜；所述第一絕緣層上的第一半導(dǎo)體層，其中所述第一半導(dǎo)體層與所述4冊(cè)電極重疊；由設(shè)置在所述第一半導(dǎo)體層上的第二絕緣層形成的溝道保護(hù) 膜，其中所述溝道保護(hù)膜與所述柵電極重疊；包含賦予一種導(dǎo)電型的雜質(zhì)元素的第二半導(dǎo)體層，其中所述第 二半導(dǎo)體層與所述第 一半導(dǎo)體層重疊，且所述第二半導(dǎo)體層^^皮分離為 源區(qū)和漏區(qū)，并且在所述溝道保護(hù)膜上設(shè)置所述源區(qū)的一端部和所述 漏區(qū)的一端部；以及所述源區(qū)上的源電極和所述漏區(qū)上的漏電極，其中所述源電極 和所述漏電極由第二導(dǎo)電膜形成；在所述源電極和所述漏電極上形成的第三絕緣層； 由所述第三絕緣層上的第三絕緣膜形成的像素電極，其中所述像 素電極通過(guò)在第三絕緣層中形成的接觸孔與所述源電極或漏電極的 一方電連才妻；在所述第一絕緣層上由所述第一半導(dǎo)體層、所述第二半導(dǎo)體層以 及所述第二導(dǎo)電膜的層疊體形成的電容布線；由所述電容布線、所述第三絕緣層、所述像素電極的層疊體形成 的存儲(chǔ)電容器；以及連接區(qū)域，包括由所述第一導(dǎo)電膜形成的布線；以及由所述布線上的所述第三導(dǎo)電膜形成，并與所述源電極或漏電 才及的另一方的上表面和側(cè)面相接觸的電才及。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其中所述第三導(dǎo)電膜是透光 性導(dǎo)電膜。
4. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其中所述第三導(dǎo)電膜是透光 性導(dǎo)電膜。
5. —種顯示裝置的制造方法，包括如下步驟 在襯底上形成第一導(dǎo)電膜；在所述第一導(dǎo)電膜上形成第一抗蝕劑掩才莫； 使用所述第一抗蝕劑掩模對(duì)所述第一導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻而形成柵丄1* Jt—人L、 — 、 ， ft 。 cE丄< Jt~入L 秋，瑪"乂鄉(xiāng)儀，a;在所述柵極布線以及源極布線上形成成為柵極絕緣膜的第一絕 緣膜、i型半導(dǎo)體層、以及第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成第二抗蝕劑掩模；使用所述第二抗蝕劑掩模對(duì)所述第二絕緣膜進(jìn)行蝕刻而形成溝 道保護(hù)膜；在所述i型半導(dǎo)體層以及溝道保護(hù)膜上形成包含有賦予一種導(dǎo)電 型的雜質(zhì)元素的導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及第二導(dǎo)電膜； 在所述第二導(dǎo)電膜上形成第三抗蝕劑掩^t; 使用所述第三抗蝕劑掩模對(duì)所述第二導(dǎo)電膜、所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層、所述i型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，通過(guò)對(duì)所述第二導(dǎo)電膜和所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻而使 所述溝道保護(hù)膜露出，通過(guò)對(duì)所述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻來(lái)形成源電極、漏電極、以及 電容布線的布線，通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻來(lái)形成源區(qū)、漏區(qū)、以及 所述電容布線的導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，以及通過(guò)對(duì)所述i型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻來(lái)形成包含溝道形成區(qū)域的 i型半導(dǎo)體層、以及電容布線的i型半導(dǎo)體層；以覆蓋所述源電極、所述漏電極、所述溝道保護(hù)膜、以及所述電容布線的布線的方式形成保護(hù)膜；在所述保護(hù)膜上形成第四抗蝕劑掩模；使用所述第四抗蝕劑掩模對(duì)所述保護(hù)膜進(jìn)行蝕刻，在所述保護(hù)膜 中形成到達(dá)所述漏電極的第三接觸孔；以覆蓋所述保護(hù)膜和所述第三接觸孔的方式形成第三導(dǎo)電膜； 在所述第三導(dǎo)電膜上形成第五抗蝕劑掩^t;以及使用所述第五抗蝕劑掩模對(duì)所述第三導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，形成通過(guò)所述第三接觸孔與所述漏電極電連接，且延伸到所 述電容布線上的'像素電才及。
6.—種顯示裝置的制造方法，包括如下步驟在襯底上形成第一導(dǎo)電膜；在所述第 一導(dǎo)電膜上形成第 一抗蝕劑掩模；使用所述第一抗蝕劑掩模對(duì)所述第一導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻而形成柵 才及布線以及源才及布線；在所述柵極布線以及源極布線上形成成為柵極絕緣膜的第一絕 緣膜、i型半導(dǎo)體層、以及第二絕緣膜；在所述第二絕緣膜上形成第二抗蝕劑掩模；使用所述第二抗蝕劑掩模對(duì)所述第二絕緣膜進(jìn)行蝕刻而形成溝 道保護(hù)膜；在所述i型半導(dǎo)體層以及溝道保護(hù)膜上形成包含有賦予一種導(dǎo)電 型的雜質(zhì)元素的導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、以及第二導(dǎo)電膜； 在所述第二導(dǎo)電膜上形成第三抗蝕劑掩^^; 使用所述第三抗蝕劑掩模對(duì)所述第二導(dǎo)電膜、所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體 層、所述i型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻，通過(guò)對(duì)所述第二導(dǎo)電膜和所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻而使 所述溝道保護(hù)膜露出，通過(guò)對(duì)所述第二導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻來(lái)形成源電極、漏電極、以及 電容布線的布線，通過(guò)對(duì)所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻來(lái)形成源區(qū)、漏區(qū)、以及 所述電容布線的導(dǎo)電型半導(dǎo)體層，通過(guò)對(duì)所述i型半導(dǎo)體層進(jìn)行蝕刻來(lái)形成包含溝道形成區(qū)域的 i型半導(dǎo)體層、以及電容布線的i型半導(dǎo)體層，以及通過(guò)對(duì)所述第二導(dǎo)電膜、所述導(dǎo)電型半導(dǎo)體層、所述i型半導(dǎo) 體層進(jìn)行蝕刻，在所述源極布線以及所述柵極絕緣膜上形成第一接觸孔；以覆蓋所述源電極、所述漏電極、所述溝道保護(hù)膜、以及所述電容布線的布線的方式形成保護(hù)膜；在所述保護(hù)膜上形成第四抗蝕劑掩模；使用所述第四抗蝕劑掩模對(duì)所述保護(hù)膜以及所述柵極絕緣膜進(jìn) 行蝕刻，通過(guò)對(duì)所述保護(hù)膜進(jìn)行蝕刻形成比所述第一接觸孔直徑更大 的第二接觸孔，通過(guò)對(duì)所述柵極絕緣膜進(jìn)行蝕刻以去除所述第一接觸孔中的 柵極絕緣膜而露出所述源極布線，通過(guò)所述去除了柵極絕緣膜的第一接觸孔以及第二接觸孔，在 所述保護(hù)膜、所述源電極、所述源區(qū)、所述i型半導(dǎo)體層、以及所述 柵極絕緣膜中形成階梯狀接觸孔，以及通過(guò)對(duì)所述保護(hù)膜進(jìn)行蝕刻，在所述保護(hù)膜中形成到達(dá)所述漏 電極的第三接觸孔；以覆蓋所述保護(hù)膜、所述階梯狀接觸孔、所述第三接觸孔的方式 形成第三導(dǎo)電膜；在所述第三導(dǎo)電膜上形成第五抗蝕劑掩模；以及 使用所述第五抗蝕劑掩模對(duì)所述第三導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，形成通過(guò)所述第三接觸孔與所述漏電極電連接，且延伸到所述 電容布線上的像素電極，以及通過(guò)對(duì)所述第三導(dǎo)電膜進(jìn)行蝕刻，在所述階梯狀接觸孔中形成 與所述源極布線以及所述源電極電連接的電極。
7. 根據(jù)權(quán)利要求5所述的顯示裝置的制造方法，其中所述第三導(dǎo) 電膜是透光性導(dǎo)電膜。
8. 根據(jù)權(quán)利要求6所述的顯示裝置的制造方法，其中所述第三導(dǎo) 電膜是透光性導(dǎo)電膜。
全文摘要
本發(fā)明的目的在于提供一種具有高開(kāi)口率且具有大容量的存儲(chǔ)電容器的顯示裝置。本發(fā)明涉及一種顯示裝置及其制造方法，所述顯示裝置包括包括柵電極；柵極絕緣膜；第一半導(dǎo)體層；溝道保護(hù)膜；分離為源區(qū)和漏區(qū)，以及源電極和漏電極的導(dǎo)電性第二半導(dǎo)體層的薄膜晶體管；在所述第二導(dǎo)電膜上形成的第三絕緣層；形成在所述第三絕緣層上且與源電極或漏電極的一方電連接的像素電極；夾著電容布線上的第三絕緣層形成在第一絕緣層上的電容布線與像素電極的重疊區(qū)域中的存儲(chǔ)電容器。
文檔編號(hào)G02F1/1368GK101452176SQ20081018698
公開(kāi)日2009年6月10日 申請(qǐng)日期2008年12月5日 優(yōu)先權(quán)日2007年12月5日
發(fā)明者細(xì)谷邦雄 申請(qǐng)人:株式會(huì)社半導(dǎo)體能源研究所