專利名稱：基板處理裝置的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種基板處理裝置，其對(duì)半導(dǎo)體基板、液晶顯示裝置用玻璃 基板、光掩模用玻璃基板、光盤用基板(以下，簡(jiǎn)單稱為"基板")進(jìn)行一 系列的處理。
背景技術(shù)：
以往，作為該種裝置是一種在基板上形成抗蝕膜，通過另外的曝光機(jī)將 形成抗蝕膜的基板曝光，并使被曝光的基板顯影的裝置。具體地說，抗蝕膜 形成用涂敷處理單元等各種藥液處理單元和熱處理單元分別與單獨(dú)的主搬 運(yùn)機(jī)構(gòu)設(shè)置在一起，從而構(gòu)成一個(gè)域，通過排列這樣的多個(gè)域而形成基板處 理裝置。在該裝置中，在向各域中搬運(yùn)基板的同時(shí)、通過各個(gè)域進(jìn)行處理(例如，公知的日本國(guó)特開2003-324139號(hào)公報(bào))。但是，對(duì)于具有這樣的結(jié)構(gòu)的以往的例子，會(huì)出現(xiàn)如下的問題。 艮口，在以往的裝置中，為了在域內(nèi)對(duì)一片基板進(jìn)行處理，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)需 要5~10個(gè)搬運(yùn)工序，各搬運(yùn)工序分別花費(fèi)數(shù)秒鐘左右的時(shí)間。假設(shè)搬運(yùn)工 序?yàn)?個(gè)，分別花費(fèi)5秒鐘的時(shí)間，則域內(nèi)的處理能力可以達(dá)到30秒一片(1小時(shí)120片)。但是，因?yàn)橐呀?jīng)沒有減少單獨(dú)的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的搬運(yùn)工序 數(shù)或者縮短各搬運(yùn)工序的所需時(shí)間的余地，所以很難進(jìn)一步提高域內(nèi)的處理 能力。因此，出現(xiàn)很難改善整個(gè)裝置的處理能力的缺陷。對(duì)此可以考慮增加 主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。但是，若增加域內(nèi)的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的臺(tái)數(shù)，則對(duì)應(yīng)于此也伴隨著 藥液處理單元和加熱部的增加，產(chǎn)生占用面積增大的缺陷。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是鑒于這樣的情況而提出的，其目的在于提供一種基板處理裝 置，在不使基板處理裝置的安裝面積增大情況下，能夠使生產(chǎn)能力提高。 本發(fā)明為了達(dá)到這樣的目的，采用了以下的結(jié)構(gòu)。一種基板處理裝置，用于對(duì)基板進(jìn)行處理，其特征在于，包含有沿著橫 向排列的多個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)和對(duì)應(yīng)于每個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)設(shè)置的、用于處理基板的 多個(gè)處理單元，從而構(gòu)成基板處理列，所述基板處理列中，各主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向 對(duì)應(yīng)的處理單元搬運(yùn)基板，并與橫向相鄰的其他的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)交接基板，并 且對(duì)基板進(jìn)行一系列的處理，該基板處理列在上下方向上設(shè)置有多個(gè)。通過本發(fā)明，因?yàn)樵谏舷路较蛏显O(shè)置了多個(gè)基板處理列，所以各基板處 理列能夠同時(shí)處理基板。由此，能夠提高基板處理裝置的處理能力。此外， 因?yàn)樵谏舷路较蛏显O(shè)置了基板處理列，所以能夠避免基板處理裝置的設(shè)置面 積增大。在此，任意配置排列在橫向的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。例如，可以以在一個(gè)方向排 列一列或者多列的方式配置主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。此外，可以將主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)配置在假 設(shè)的曲線上的各點(diǎn)上，也可以將主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)配置成"之"字形。此外，任意 配置對(duì)應(yīng)于每個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)都設(shè)置的處理單元?？梢栽跈M向排列各處理單 元，也可以在上下方向上層疊，也可以配置為橫豎的行列狀。在上述的發(fā)明中優(yōu)選從俯視看各基板處理列中的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)以及處理 單元的配置大致相同。從而能夠使裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。在上述的發(fā)明中優(yōu)選具有氣體供給口，其用于向設(shè)置了所述主搬運(yùn)機(jī) 構(gòu)的搬運(yùn)空間供給清潔的氣體；氣體排出口，其用于將氣體從所述搬運(yùn)空間 排出。從而能夠保持搬運(yùn)空間的環(huán)境清潔。在上述的發(fā)明中優(yōu)選所述搬運(yùn)空間的環(huán)境在每個(gè)基板處理列都被隔斷，所述氣體供給口以及所述氣體排出口在每個(gè)基板處理列中分別單獨(dú)設(shè) 置。從而能夠更加保持搬運(yùn)空間的環(huán)境清潔。在上述的發(fā)明中優(yōu)選有噴出單元，其形成有所述氣體供給口；排出單 元，其形成有所述氣體排出口；所述噴出單元或者排出單元中的至少任意一 個(gè)在每個(gè)基板處理列中隔斷環(huán)境。從而能夠使裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)化。在上述的發(fā)明中優(yōu)選所述氣體供給口配置在比所述氣體排出口更高的 位置上。從而能夠保持搬運(yùn)空間的環(huán)境更加清潔。 .在上述的發(fā)明中優(yōu)選所述氣體供給口配置在所述搬運(yùn)空間的上部，所述 氣體排出口配置在所述搬運(yùn)空間的下部。因?yàn)樵诎徇\(yùn)空間內(nèi)能夠形成向下的氣流，所以能夠保持搬運(yùn)空間的環(huán)境更加清潔。在上述的發(fā)明中優(yōu)選具有用于向容置多片基板的盒搬運(yùn)基板的分度器 用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在其與各基板處理列一端的主搬運(yùn)機(jī) 構(gòu)、即一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間迸行基板的交接，而且，在所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu) 與各一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)中位于上側(cè)的一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，在該一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的下 部附近的高度位置上進(jìn)行基板的交接，并且在所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與各一 端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)中位于下側(cè)的一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，在該一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的上部附近 的高度位置上進(jìn)行基板的交接。因?yàn)樯舷禄宓慕唤游恢孟嗷ム徑?，所以?夠抑制分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的升降量。由此，能夠使分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的處理 效率提高。在上述的發(fā)明中優(yōu)選具有裝載部，所述裝載部分別設(shè)置在所述分度器用 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)和各一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，用于裝載基板，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)經(jīng) 由各裝載部交接基板。因?yàn)榻?jīng)由各裝載部進(jìn)行基板的交接，所以與搬運(yùn)機(jī)構(gòu) 彼此之間直接交接基板相比，能夠提高搬運(yùn)效率。一種基板處理裝置，用于對(duì)基板進(jìn)行處理，其特征在于，沿著橫向排列有多個(gè)處理域，所述處理域具有處理單元，其設(shè)置在上下方向的每層上，用于對(duì)基板進(jìn)行處理； 主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其設(shè)置在各層上，并且向該層的處理單元搬運(yùn)基板； 在相鄰的處理域的同一層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)彼此之間交接基板并且對(duì)基板進(jìn)行一系列的處理。根據(jù)本發(fā)明，在橫向多個(gè)排列的處理域在每層同時(shí)搬運(yùn)基板。而且，在多個(gè)處理域的各層上同時(shí)對(duì)基板進(jìn)行一系列的處理。由此，能夠增加基板處理裝置的處理能力。此外，因?yàn)楦魈幚碛蚴窃谏舷路较蛏暇哂卸鄠€(gè)層的成結(jié)構(gòu)，所以能夠避免基板處理裝置的安裝面積增大。在上述的發(fā)明中優(yōu)選每個(gè)處理域都具有框體，所述框體集中容置包含在 -個(gè)處理域中的多個(gè)處理單元以及多個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。因?yàn)槟軌蛞蕴幚碛驗(yàn)閱挝贿M(jìn)行處理，所以能夠簡(jiǎn)單的制造、修補(bǔ)基板處理裝置。在上述的發(fā)明中優(yōu)選各處理域具有隔斷板，其設(shè)置在各層之間；氣體供給口，其用于向各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的搬運(yùn)空間供給清潔的氣體；氣體排出口，其用于將氣體從各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的搬運(yùn)空間排出。從而能夠防止由主 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)產(chǎn)生的塵土擴(kuò)散到其他層上。此外，能夠保持各層的搬運(yùn)空間清潔。在上述的發(fā)明中優(yōu)選具有噴出單元，其形成有所述氣體供給口；排出 華-元，其形成有所述氣體排出口；所述噴出單元或者排出單元的至少任意一 個(gè)兼用作所述隔斷板。從而能夠使裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。在上述的發(fā)明中優(yōu)選各搬運(yùn)空間的氣體供給口配置在與該搬運(yùn)空間的 氣體排出口相比更高的位置上。因?yàn)榘徇\(yùn)空間內(nèi)的氣流為所謂的垂直流式(down flow)，所以能夠保持各層的搬運(yùn)空間更加清潔。在上述的發(fā)明中優(yōu)選具有分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其向容置多片基板的盒搬 運(yùn)基板，并且在所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與在一側(cè)的處理域中的各層的主搬運(yùn) 機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接，在所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與在一側(cè)的處理域中的 各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行的基板的交接的各位置 相接近。因?yàn)槟軌蛞种品侄绕饔冒徇\(yùn)機(jī)構(gòu)的升降量，所以能夠提高分度器用 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的處理效率。在上述的發(fā)明中優(yōu)選具有裝載部，該裝載部分別設(shè)置在一側(cè)的處理域中 的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，用于裝載基板，所述分 度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)經(jīng)由各裝載部交接基板。因?yàn)樵摻Y(jié)構(gòu)，所以與搬運(yùn)機(jī)構(gòu)彼此 之間直接交接基板相比，能夠提高搬運(yùn)效率。一種基板處理裝置，用于對(duì)基板進(jìn)行處理，其特征在于，具有分度器部，其具有分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向容置多片基板的盒搬運(yùn)基板；涂覆處理域，其是與所述分度器部相鄰的涂覆處理域，具有涂覆處理單元以及熱處理單元，其在上下方向的每層都設(shè)置，用于在基板上形成抗蝕 膜；主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其在每層中設(shè)置，用于向該層的涂覆處理單元以及熱處理單元搬運(yùn)基板；顯影處理域，其是與所述涂覆處理域相鄰的顯影處理域，具有顯影處 理單元以及熱處理單元，其在上下方向的每層中設(shè)置，用于使基板顯影；主 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其在每層中設(shè)置，用于對(duì)該層的顯影處理單元以及熱處理單元搬 運(yùn)基板；接口部，其與所述顯影處理域相鄰，具有接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，所述接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向本裝置之外的曝光機(jī)搬運(yùn)基板；所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與所述涂覆處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間 進(jìn)行基板的交接，在所述涂覆處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，與所述顯影處理域中的同一 層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與所述顯影處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間 進(jìn)行基板的交接。根據(jù)本發(fā)明，分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)按順序從盒中取出基板，并且將這些基 板傳遞給涂敷處理域的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。涂敷處理域的各主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向分 別負(fù)責(zé)的涂敷處理單元和熱處理單元搬運(yùn)基板。在各處理單元中對(duì)基板進(jìn)行 規(guī)定的處理。涂敷處理域的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)將形成了抗蝕膜的基板搬運(yùn)到 與相鄰的顯影處理域處在同一層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。顯影處理域的各主搬運(yùn)機(jī)構(gòu) 將該基板傳遞給與相鄰的接口部的接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)將接收 的基板傳遞給外部裝置，即曝光機(jī)。曝光處理后的基板在此返回接口部。接n用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)將各基板傳遞給顯影處理域的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。顯影處理域的各主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向分別負(fù)責(zé)的顯影處理單元和熱處理單元搬運(yùn)基板。在各處 理單元中對(duì)基板進(jìn)行規(guī)定的處理。顯影處理域的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)將顯影處 理后基板傳遞給與相鄰的涂敷處理域位于同一層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。顯影處理域 的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)將該基板傳遞給分度器部的分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。分度器 用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)將該基板容置在規(guī)定的盒中。如上，根據(jù)該結(jié)構(gòu)，因?yàn)樵谕糠筇?理域以及顯影處理域的各層中分別同吋進(jìn)行用于形成抗蝕膜的處理和顯影 處理，所以能夠增加基板處理裝置的處理效率。此外，因?yàn)橥糠筇幚碛蚝惋@ 影處理域在上下方向上是具有多個(gè)層的層結(jié)構(gòu)，所以能夠避免基板處理裝置 的安裝面積的增大。在上述的發(fā)明中優(yōu)選具有控制部，所述控制部進(jìn)行控制，使得接口用搬 運(yùn)機(jī)構(gòu)以與分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)從盒取出基板的順序相同的順序?qū)⒒遢斔?至曝光機(jī)。從而能夠較佳的管理多個(gè)基板。在上述的發(fā)明中優(yōu)選具有緩沖部，其配備在接口部上，用于暫時(shí)容置基板，在以與分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)從盒取出基板的順序不相同的順序從顯影處理域輸出基板時(shí)，控制部進(jìn)行控制，使得接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)接收該基板并搬運(yùn) 至緩沖部。在分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)以與從盒取出基板的順序不同的順序從顯影 處理域輸出基板時(shí)，將該基板移動(dòng)到緩沖部上。由此，顯影處理域可以輸出 后續(xù)的基板。此外，能夠在接口部上將向曝光機(jī)輸送的基板的順序調(diào)整為分 度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)從盒中取出基板的順序。由此能夠以規(guī)定的順序較佳的處理在上述的發(fā)明中優(yōu)選用于在基板上形成抗蝕膜的涂覆處理單元包括抗 蝕膜用涂覆處理單元，其在基板上涂覆抗蝕膜材料；反射防止膜用涂覆處理 單元，其將反射防止膜用的處理液涂覆到基板上。從而能夠較佳的處理基板。另外，本說明書還公開了如下的與基板處理裝置相關(guān)發(fā)明。(1) 在技術(shù)方案1所記載的基板處理裝置中，在各基板處理列中進(jìn)行 的一系列的處理相同。根據(jù)所述(O所記載的發(fā)明，能夠使裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。(2) 在技術(shù)方案1所記載的基板處理裝置中，所述處理單元包含對(duì) 基板進(jìn)行液處理的液處理單元；對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理單元。(3) 在技術(shù)方案10所記載的基板處理裝置中，所述處理單元包含對(duì) 基板進(jìn)行液處理的液處理單元；對(duì)基板進(jìn)行熱處理的熱處理單元。根據(jù)所述(2) (3)所記載的發(fā)明，能夠?qū)暹M(jìn)行各種處理。(4) 在技術(shù)方案2所記載的基板處理裝置中，具有一個(gè)第二氣體供給 管，該第二氣體供給管分別向與位于上下方向的各主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)相對(duì)應(yīng)的多個(gè) 處理單元供給清潔的氣體。根據(jù)所述(4)所記載的發(fā)明，能夠減小安裝面積。(5) 在技術(shù)方案IO所記載的基板處理裝置中，在各處理域中，各層的 主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)配置在從俯視看相同的位置上。根據(jù)所述(5)所記載的發(fā)明，能夠使裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。(6) 在技術(shù)方案10所記載的基板處理裝置中，在各處理域中，在上下 方向上配設(shè)的各處理單元所進(jìn)行的處理相同。根據(jù)所述(6)所記載的發(fā)明，能夠使裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。(7) 在技術(shù)方案10所記載的基板處理裝置中，具有一個(gè)第二氣體供給 管，該第二氣體供給管向配置在上下方向上的多個(gè)處理單元供給清潔的氣根據(jù)所述(7)所記載的發(fā)明，能夠減小安裝面積。 (8)在技術(shù)方案IO所記載的基板處理裝置中，各層的處理單元層疊在一起。根據(jù)所述(8)所記載的發(fā)明，能夠使裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。


圖1是表示實(shí)施例的基板處理裝置的簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)的俯視圖。圖2是表示基板處理裝置所具有的處理單元的配置的簡(jiǎn)略 圖3是表示基板處理裝置所具有的處理單元的配置的簡(jiǎn)略 圖4是圖1的a-a剖視圖。 圖5是圖1的b-b剖視圖。 圖6是圖1的c-c剖視圖。 圖7是圖1的d-d剖視圖。 圖8A是涂敷處理單元的俯視圖。 圖8B是涂敷處理單元的剖視圖。 圖9是主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的立體圖。 圖IO是實(shí)施例的基板處理裝置的控制框圖。 圖11是對(duì)基板W進(jìn)行的一系列處理的流程圖。 圖12是表示各搬運(yùn)機(jī)構(gòu)分別反復(fù)進(jìn)行的動(dòng)作的示意圖。
具體實(shí)施方式
為了對(duì)此發(fā)明進(jìn)行說明用附圖表示了當(dāng)前較佳的幾個(gè)形式，但是此發(fā)明 不僅限于如圖所示的結(jié)構(gòu)以及對(duì)策，關(guān)于此事請(qǐng)理解。以下，基于附圖對(duì)本發(fā)明的較佳的實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明。圖1是表示實(shí)施例的基板處理裝置的簡(jiǎn)略結(jié)構(gòu)的俯視圖，圖2、圖3是 表示基板處理裝置所具有的處理單元的配置的簡(jiǎn)略側(cè)視圖，圖4至圖7分別 是圖1的a-a、 b-b、 c-c以及d-d的剖視圖。實(shí)施例是在基板(例如，半導(dǎo)體晶片)W上形成抗蝕膜等，并且使被曝 光的基板W顯影的基板處理裝置。本裝置分為分度器部(以下記載為"ID12部")1、處理部3和接口部(以下記載為"IF部")5。在處理部3的兩側(cè)相鄰設(shè)置ID部1與IF部5。在IF部5上還相鄰地設(shè)置了本裝置之外的外部 裝置、即曝光機(jī)EXP。ID部1從容置多片基板W的盒C中取出基板W，并且在盒C中存放基 板W。該ID部1具有盒裝載臺(tái)9，其用于裝載盒C; ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tro， ^向各盒C搬運(yùn)基板W。ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,d相當(dāng)于本發(fā)明的分度器部用搬運(yùn) 機(jī)構(gòu)。處理部3具有四臺(tái)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 T2、 T3、 T4。處理部3按每個(gè)主搬運(yùn) 機(jī)構(gòu)T,、 T2、 T3、 丁4分為第一至第四區(qū)11、 12、 13、 14。在第一、第三區(qū)中 在基板W上形成抗蝕膜。在第二、第四區(qū)中使基板W顯影。在這些各區(qū)11 14 中設(shè)置了多個(gè)處理單元(后述)。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 T2、 T3、 T4分別向各區(qū)11~14 的處理單元搬運(yùn)基板W。在橫向上排列的第一、第二區(qū)ll、 12被連接在一起，從而構(gòu)成連接ID 部1與IF部5之間的一個(gè)基板處理列Lu。此外，在橫向上排列的第三、第 四區(qū)13、 14被連接在一起，從而構(gòu)成連接ID部1與IF部5之間的一個(gè)基 板處理列Ld。這兩個(gè)基板處理列Lu、 Ld排列在上下方向上。換而言之，處 理部3是在上下方向上具有多個(gè)基板處理列Lu、 Ld的層構(gòu)造。此外，各基板處理列Lu、 Ld以相互相鄰的方式在上下方向上層疊。艮卩， 第一區(qū)U層疊在第三區(qū)13之上，第二區(qū)12層疊在第四區(qū)14之上。因此， 通過在橫向上排列將第一、第三區(qū)ll、 13 —體設(shè)置的處理域Ba與將第二、 第四區(qū)12、 14一體設(shè)置的處理域Bb，能夠容易地構(gòu)成處理部3。IF部5在其與曝光機(jī)EXP之間使基板W進(jìn)行交接。IF部5具有用于搬 運(yùn)基板W的IF用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TIF。 IF用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T1F具有第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TVa與第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T1FB。第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TffA與第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,ra相當(dāng)于本發(fā)明的接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。而且，ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tro用于在ID部1與相鄰的第一、第三區(qū)ll、 13 的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 丁3之間進(jìn)行基板W的交接。此外，各區(qū)11 14的主搬運(yùn) 機(jī)構(gòu)T廣T4用于在與所連接的同一層的其他區(qū)之間進(jìn)行基板W的交接。而且， IF用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)IV用于在IF部5與相鄰的第二、第四區(qū)12、 14的主搬運(yùn)機(jī) 構(gòu)T2、 丁4之間進(jìn)行基板W的交接。結(jié)果是，通過兩個(gè)基板處理列Lu、 Ld在ID部1與IF部5之間同時(shí)搬運(yùn)基板W，并且在各基板處理列Lu、 Id中 對(duì)基板W進(jìn)行一系列的處理。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 T3相當(dāng)于本發(fā)明的一端搬運(yùn) 機(jī)構(gòu)。本裝置具有用于在ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TfD與主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 T3之間使基 板進(jìn)行交接的裝載部PASS" PASS3。同樣具有用于在主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 T2彼此之間使基板進(jìn)行交接的裝載部PASS2，而且具有用于在主搬運(yùn)機(jī) 構(gòu)T3、 T4彼此之間使基板進(jìn)行交接的裝載部PASS4。此外，具有用于在 主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2、 丁4與IF用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T^與之間使基板進(jìn)行交接的裝載部 PASS5、PASS6。各裝載部PASS廣PASS6分別具有突出形成的多個(gè)支承銷， 從而可以通過這些支承銷以大致水平的姿勢(shì)裝載基板W。[ID部1]以下，對(duì)ID部1進(jìn)行說明。盒裝載臺(tái)9可裝載4個(gè)盒C并將4個(gè)盒 C排成一列。ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,D具有可動(dòng)臺(tái)21，其在盒C的排列方向 上水平移動(dòng)盒裝載臺(tái)9的側(cè)邊；升降軸23，其相對(duì)于可動(dòng)臺(tái)21在鉛垂方 向上進(jìn)行伸縮；保持臂25，其在相對(duì)于該升降軸23旋轉(zhuǎn)的同時(shí)在旋轉(zhuǎn)半 徑方向上進(jìn)退而保持基板W;該ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T^可以在各盒C、裝載 部PASS,以及裝載部PASS3之間搬運(yùn)基板W。[第一區(qū)ll]用于搬運(yùn)基板W的搬運(yùn)空間A,形成為穿過該第一區(qū)11的中央并與 第一、第二區(qū)11、 12的排列方向平行的帶狀。第一區(qū)11的處理單元包括涂覆處理單元31，其在基板W上涂覆處理液；熱處理單元41，其對(duì)基板W進(jìn)行熱處理。涂覆處理單元31配置在搬運(yùn)空間A,的一側(cè)，并 且在另一側(cè)上配置熱處理單元41。涂覆處理單元31以分別面向搬運(yùn)空間A,的方式在橫縱方向上排列 設(shè)置有多個(gè)。在本實(shí)施例中，以兩列兩層的方式設(shè)置了總共4個(gè)涂覆處 理單元31。涂覆處理單元31包含反射防止膜用涂覆處理單元BARC， 其進(jìn)行在基板W上形成反射防止膜的處理；抗蝕膜用涂覆處理單元 RESIST,其進(jìn)行在基板上形成抗蝕膜的處理。涂覆處理單元31相當(dāng)于本 發(fā)明的液處理單元。參照?qǐng)D8A、圖8B。圖8A是涂敷處理單元的俯視圖，圖8B是涂敷處理爭(zhēng)元的剖視圖。各涂覆處理單元31具有旋轉(zhuǎn)保持部32、杯部33以及供給部 34等，所述旋轉(zhuǎn)保持部32可旋轉(zhuǎn)地保持基板W，所述杯部33設(shè)置在基板 W的周圍，所述供給部34向基板W供給處理液。在各層上設(shè)置的兩組旋轉(zhuǎn) 保持部32以及杯部33在不通過切斷壁切斷的情況下被一并設(shè)置。供給部34 具有多個(gè)噴嘴35、把持部36、噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)37，所述把持部36把持一個(gè)噴 嘴35，所述噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)37移動(dòng)把持部36，并且使一個(gè)噴嘴35在基板W 的上方的處理位置與偏離基板W的上方的待機(jī)位置之間移動(dòng)。在各噴嘴35 」:分別連通連接處理液配管38的一端。處理液配管38為了允許在待機(jī)位置 ^處理位置之間移動(dòng)噴嘴35而可移動(dòng)。各處理液配管38的另一端與處理液 供給源(圖中省略)相連接。具體地說，對(duì)于反射防止膜用涂覆處理單元BARC 來說處理液供給源向各噴嘴35供給種類不同的反射防止膜用的處理液。對(duì) f抗蝕膜用涂敷處理單元RESIST來說處理液供給源向各噴嘴35供給種類不 同的抗蝕膜材料。噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)37具有第一導(dǎo)軌37a與第二導(dǎo)軌37b。第一導(dǎo)軌37a相互 、P行地配置在排在橫向上的兩個(gè)杯部33的兩外側(cè)。第二導(dǎo)軌37b可滑動(dòng)地 被兩個(gè)第一導(dǎo)軌37a支承，并且架設(shè)在兩個(gè)杯部33的上方。把持部36可滑 動(dòng)地被第二導(dǎo)軌37b支承。在此，第一導(dǎo)軌37a以及第二導(dǎo)軌37b所引導(dǎo)的 各方向都在大致水平方向上相互大致垂直。噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)37，還具有使第二 導(dǎo)軌37b滑動(dòng)、使把持部36滑動(dòng)的省略了圖示的驅(qū)動(dòng)部。而且，通過驅(qū)動(dòng) 驅(qū)動(dòng)部，由把持部36把持的噴嘴35移動(dòng)到與處理位置相當(dāng)?shù)膬蓚€(gè)旋轉(zhuǎn)保持 部32的上方位置。熱處理單元41具有多個(gè)，該多個(gè)熱處理單元41分別面向搬運(yùn)空間Aj 排列在橫豎方向上。在本實(shí)施例中，在橫向上可以配置3個(gè)熱處理單元41， 在縱向上可以層疊5個(gè)熱處理單元41。熱處理單元41分別具有裝載基板W 的板件43等。熱處理單元41包含冷卻單元CP，其用于冷卻基板W;加 熱冷卻單元PHP，其連續(xù)進(jìn)行加熱處理和冷卻處理；粘附處理單元AHL，其 為了提高基板W與保護(hù)膜之間的緊密性在六甲基二硅胺腙(HMDS)蒸汽的 環(huán)境下進(jìn)行熱處理。另外，加熱冷卻單元PHP具有兩個(gè)板件43，并且在兩 個(gè)板件43之間具有省略了圖示的用于使基板W移動(dòng)的局部搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。各種 熱處理單元CP、 PHP、 AHL分別具有多個(gè)，并且被配置在適當(dāng)?shù)奈恢蒙?。htgkl56參照?qǐng)D9。圖9是主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的立體圖。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,具有在上下方向上進(jìn)行引導(dǎo)的兩根第三導(dǎo)軌51與在橫向上進(jìn)行引導(dǎo)的第四導(dǎo)軌52。第三導(dǎo) 軌51與搬運(yùn)空間A,的一側(cè)相向而被固定。在本實(shí)施例中，位于涂敷處理單 元31的一側(cè)。第四導(dǎo)軌52可滑動(dòng)地安裝在第三導(dǎo)軌51上。在第四導(dǎo)軌52 上可滑動(dòng)地設(shè)置了基座部53?；?3在橫向上伸出到搬運(yùn)空間A,的大致 中央的位置。而且第四導(dǎo)軌52在上下方向上移動(dòng)，并且具有省略了圖示的 使基座部53在橫向上移動(dòng)的驅(qū)動(dòng)部。通過驅(qū)動(dòng)該驅(qū)動(dòng)部，使基座53在排列 在橫豎方向上的涂敷處理單元31以及熱處理單元41的各位置上移動(dòng)。在基座部53上設(shè)置了可繞縱軸心Q旋轉(zhuǎn)的旋轉(zhuǎn)臺(tái)55。在旋轉(zhuǎn)臺(tái)55上 設(shè)置了用于保持基板W的兩個(gè)保持臂57a、 57b，該兩個(gè)保持臂57a、 57b分 別在水平方向上可移動(dòng)。兩個(gè)保持臂57a、 57b配置在上下相互接近的位置 上。而且，具有使旋轉(zhuǎn)臺(tái)55旋轉(zhuǎn)、使各保持臂57a、 57b移動(dòng)的省略了圖示 的驅(qū)動(dòng)部。通過驅(qū)動(dòng)該驅(qū)動(dòng)部，使旋轉(zhuǎn)臺(tái)55相向于與各涂敷處理單元31、 各熱處理單元41以及裝載部PASS,、PASS2相向的位置，并且使保持臂57a、 57b相對(duì)于這些涂敷處理單元31進(jìn)行進(jìn)退。[第三區(qū)13]對(duì)第三區(qū)13進(jìn)行說明。另外，對(duì)于與第一區(qū)ll相同的結(jié)構(gòu)因?yàn)闃?biāo)注了 相同的附圖標(biāo)記所以省略詳細(xì)的說明。從俯視看在第三區(qū)13中的主搬運(yùn)機(jī) 構(gòu)T3以及處理單元的布局與第一區(qū)11的同一部分大致相同。因此，可以說 涂敷處理單元31在第一區(qū)11與第三區(qū)13的各層中在上下方向上層疊。同 樣，也可以說熱處理單元41也在各層進(jìn)行層疊。此外，從主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)丁3看 的第三區(qū)13的各種處理單元的配置與從主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)1、看的第一區(qū)11的各種 處理單元的配置大致相同。以下，為了區(qū)分在第一、第三區(qū)11、 13中設(shè)置的抗蝕膜用涂敷處理單 元RESIST等，分別添加了下標(biāo)"1"或者"3"(例如，將在第一區(qū)ll中設(shè) 置的抗蝕膜用涂敷處理單元RESIST標(biāo)記為"抗蝕膜用涂敷處理單元 RESIST,")。[第一區(qū)11和第三區(qū)13]對(duì)于與第一區(qū)11以及第三區(qū)13相關(guān)的結(jié)構(gòu)集中進(jìn)行說明。裝載部PASS, 配置在ID部1與第一區(qū)11之間。裝載部PASS3配置在ID部1與第三區(qū)13之間。從俯視看裝載部PASS^ PASS3分別配置在搬運(yùn)空間A,、 A3的ID部 1 --側(cè)。從剖面看裝載部PASS,配置在主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,的下部附近的高度位置 上，裝載部PASS3配置在主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T3的上部附近的高度位置上。因此， 裝載部PASS,與裝載部PASS3的位置相接近，從而ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tro能夠 在裝載部PASS,與裝載部PASS3上以很小的升降量移動(dòng)。裝載部PASS,與裝載部PASS3為多個(gè)(兩個(gè))，分別設(shè)置在上下兩層上。 在兩個(gè)裝載部PASS,中， 一個(gè)裝載部PASS,a用于將基板W從ID用搬運(yùn)機(jī) 構(gòu)T,d遞交給主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,，并且通過ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T^專門在裝載部 PASS,a上放置基板W。另一個(gè)裝載部PASS,b用于將基板W從主搬運(yùn)機(jī)構(gòu) T,遞交給ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TID，并且通過主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,專門在裝載部PASS1B —匕放置基板W。另外，后述的裝載部PASS2、 PASS4、 PASS" PASS6也同 樣各設(shè)置了兩個(gè)，并且在每個(gè)交接方向被分開使用。裝載部PASS2設(shè)置在第一區(qū)11與第二區(qū)12之間。裝載部PASS4設(shè)置在 第三區(qū)13與第四區(qū)14之間。裝載部PASS2、 PASS4配置在從俯視看相同的 位置上。在裝載部PASS2、 PASS4的上方以及下方，適當(dāng)?shù)呐渲糜糜谂R時(shí)放 置基板W的緩沖部和對(duì)基板W進(jìn)行熱處理的熱處理單元等(全都省略了圖 示)。在搬運(yùn)空間A,、 A3中，分別設(shè)置了用于噴出清潔氣體的第一噴出單元 61和用于吸入氣體的排出單元62。第 -噴出單元61和排出單元62分別是 扁平的箱狀物，其與從俯視看的搬運(yùn)空間A,的面積大致相同。在第一噴出 單元61和排出單元62的一個(gè)面上分別形成有第一噴出口 61a和排出口 62a。 在本實(shí)施例中第一噴出口 61a以及排出口 62a由多個(gè)小孔f構(gòu)成。第一噴單 元61以使第一噴出口 61a向下的姿勢(shì)配置在搬運(yùn)空間A,、八3上部。此外， 排出單元62以使排出口 62a向上的姿勢(shì)配置在搬運(yùn)空間A,、 A3的下部。搬 運(yùn)空間A,的環(huán)境與搬運(yùn)空間A3的環(huán)境被搬運(yùn)空間A,的排除單元62和搬運(yùn) 空間A3的第一噴出單元61隔斷。第一噴出口 61a相當(dāng)于本發(fā)明的氣體供給 口。排出口 62a相當(dāng)于本發(fā)明的氣體排出口。第一噴出單元61相當(dāng)于本發(fā) 明的噴出單元。搬運(yùn)空間A,、八3的各第一噴出單元61與同一個(gè)第一氣體供給管63連 通連接。第一氣體供給管63從搬運(yùn)空間A,的上部到搬運(yùn)空間A3的下部設(shè)置在裝載部PASS2、 PASS4的側(cè)邊位置，并且在搬運(yùn)空間A2的下方彎曲到水平 方向上。第一氣體供給管63的另一側(cè)與省略了圖示的氣體供給源連通連接。 同樣，搬運(yùn)空間A卜A3的排出單元62與同一個(gè)第一氣體排出管64連通連 接。第一氣體排出管64從搬運(yùn)空間A,的下部到搬運(yùn)空間A3的下部設(shè)置在裝 載部PASS2、 PASS4的側(cè)邊位置，并且在搬運(yùn)空間A3的下方彎曲到水平方向 上。而且，由于在將氣體從搬運(yùn)空間Ai、 A3的各第一噴出口 61a噴出的同 時(shí)使氣體從各排出口 62a吸入/排出，從而在搬運(yùn)空間A,、 A3上形成從上部 流向下部的氣流，使各搬運(yùn)空間A,、 A3分別保持為清潔的狀態(tài)。在第一、第三區(qū)ll、 13的各涂敷處理單元31上形成在縱向貫穿的硬孔 部PS。在該硬孔部PS上沿上下方向設(shè)置用于供給清潔氣體的第二氣體供給 管65和用于排出氣體的第二排氣管66。第二氣體供給管65和第二氣體排出 管66分別在各涂敷處理單元31的規(guī)定的高度位置分支并且在大致水平方向 從硬孔部PS被引出。分支了的多個(gè)第二氣體供給管65與向下方吹出氣體的 第二吹出單元67連接連通。此外，分支了的多個(gè)第二氣體排出管66分別與 各杯部33的底部連通連接。第二氣體供給管65的另一端在第三區(qū)13的下 方與第一氣體供給管63連通連接。第二氣體排出管66的另一端在第三區(qū)13 的下方與第一氣體排出管64連通連接。而且，在第二噴出單元67噴出氣體 的同時(shí)通過第二氣體排出管66排出氣體，因此各杯部33內(nèi)的環(huán)境一直保持 清潔，從而能夠較佳地處理保持在旋轉(zhuǎn)保持部32上的基板W。在硬孔部PS上還設(shè)置了使處理液通過的配管和電性布線(全都省略了 圖示)。如此，在硬孔部PS上能夠容置附屬于第一、第三區(qū)ll、 13的涂敷 處理單元31上的配管和布線等，因此能夠縮短配管和布線等的長(zhǎng)度。此外，第一區(qū)11以及第三區(qū)13所具有的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 1、和各處理單 元分別容置在一個(gè)框體75中。通過該框體75構(gòu)成一個(gè)處理域Ba。 一體設(shè)置 第一區(qū)11以及第三區(qū)13而形成的處理域Ba相當(dāng)于本發(fā)明的涂敷處理域。 同樣，后述的第二區(qū)12和第四區(qū)14的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)1、 T3和各處理單元分別 容置在單獨(dú)的框體75中。通過該框體75構(gòu)成其他的處理域Bb。 一體設(shè)置 第二區(qū)12以及第四區(qū)14而形成的處理域Bb相當(dāng)于本發(fā)明的顯影處理域。 如此配備框體，從而構(gòu)成一體設(shè)置在上下方向上排列的各區(qū)的處理域Ba、 Bb，因此能夠容易地制造并組裝處理部3。[第二區(qū)12]對(duì)第二區(qū)12進(jìn)行說明。對(duì)于與第一區(qū)11相同的結(jié)構(gòu)因?yàn)闃?biāo)注了相同的 附圖標(biāo)記所以省略詳細(xì)的說明。第二區(qū)12的搬運(yùn)空間A2作為搬運(yùn)空間A, 的延長(zhǎng)空間而形成。第二區(qū)12的處理單元具有顯影處理單元DEV，其使基板W顯影；熱 處理單元42，其對(duì)基板W進(jìn)行熱處理；邊緣曝光單元EEW，其將基板W的 周邊部曝光。顯影處理單元DEV配置在搬運(yùn)空間A2的一側(cè)，而且熱處理單 元42以及邊緣曝光單元EEW配置在搬運(yùn)空間八2的另一側(cè)。在此，優(yōu)選將 顯影處理單元DEV配置在與涂敷處理單元31相同的一側(cè)。此外，優(yōu)選將熱 處理單元42以及邊緣曝光單元EEW排列在與熱處理單元41相同的一側(cè)。顯影處理單元DEV具有4個(gè)，在沿搬運(yùn)空間A2的橫向上排列兩個(gè)并且 層疊在上下兩層上。各顯影處理單元DEV具有旋轉(zhuǎn)保持部77，其可旋轉(zhuǎn) 地保持在基板W上，杯部79，其設(shè)置在基板W的周圍。在一層上排列設(shè)置 的兩個(gè)顯影處理單元DEV在不通過切斷壁切斷的情況下被設(shè)置。而且，對(duì) 應(yīng)于兩個(gè)顯影處理單元DEV，設(shè)置了用于供給顯影液的供給部81。供給部 81具有兩個(gè)夾縫噴嘴81a，該夾縫噴嘴81a具有用于噴出顯影液的夾縫或者 小孔列。優(yōu)選夾縫或者小孔列的長(zhǎng)度方向的長(zhǎng)度與基板W的直徑長(zhǎng)度相當(dāng)。 此外，優(yōu)選兩個(gè)夾縫噴嘴81a噴出相互不同種類或者濃度的顯影液。供給部 81還具有用于使各夾縫噴嘴81a移動(dòng)的移動(dòng)機(jī)構(gòu)81b。由此，各夾縫噴嘴81a 分別可以可以移動(dòng)到橫向排列的兩個(gè)旋轉(zhuǎn)保持部77的上方。熱處理單元42為多個(gè)，多個(gè)熱處理單元42在沿搬運(yùn)空間A2的橫向上 排列，并且多個(gè)熱處理單元42在縱向上層疊。熱處理單元42包含用于加 熱基板W的加熱單元HP;用于冷卻基板W的冷卻單元CP。邊緣曝光單元EEW單獨(dú)為一個(gè)，其設(shè)置在固定的位置上。邊緣曝光單 元EEW具有旋轉(zhuǎn)保持部(未圖示)，其可旋轉(zhuǎn)地保持基板W;光照射部 (未圖示)，其將保持在該旋轉(zhuǎn)保持部上的基板W的周邊曝光。在面向搬運(yùn)空間A2并且與IF部5相鄰的區(qū)域內(nèi)層疊設(shè)置裝載部PASS5 和加熱冷卻單元PHP。這些裝載部PASSs和加熱冷卻單元PHP的一側(cè)與熱 處理單元42相鄰，并且以在處理單元42上排列的方式被設(shè)置。對(duì)于加熱冷 卻單元PHP，在從IF用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,[:負(fù)責(zé)搬運(yùn)這一點(diǎn)上看與第二區(qū)12的熱處理單元42有區(qū)別，但是在布局上容置在與第二、第四區(qū)12、 14相同框體 75中。而且，這些加熱冷卻單元PHP和轉(zhuǎn)載部PASS5使基板W可從面向搬 運(yùn)空間A2的前面和面向IF部5的側(cè)面搬入和搬出。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2設(shè)置在從俯視看時(shí)的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)A2的大致中央位置上。主 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)丁2與主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,的結(jié)構(gòu)相同。而且，在轉(zhuǎn)載部PASS2、各種熱 處理單元42、邊緣曝光單元EEW和裝載部PASS5之間由主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2搬運(yùn) 基板W。[第四區(qū)14]對(duì)于與第一、第二區(qū)11、 12相同的結(jié)構(gòu)因?yàn)闃?biāo)注了相同的附圖標(biāo)記所 以省略詳細(xì)的說明。在俯視看第四區(qū)14中的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T4以及處理單元時(shí) 的布局與第二區(qū)12的同一部分大致相同。此外，從主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T4看的第四 區(qū)14的各種處理單元的配置與從主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2看的第二區(qū)12的各種處理單 元的配置大致相同。因此，第二區(qū)12與第四區(qū)14的各顯影處理單元DEV 層疊在上下方向上。同樣，第二區(qū)12與第四區(qū)14的各熱處理單元42層疊 在上下方向上。[第二區(qū)12和第四區(qū)14]第二區(qū)12以及第四區(qū)14的結(jié)構(gòu)與第一、第三區(qū)11、 13的結(jié)構(gòu)大致相 同，從而簡(jiǎn)略說明。在第二、第四區(qū)12、 14的搬運(yùn)空間A2、 A4中分別設(shè)置 了與第一噴出單元61和排出單元62等相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。此外，在第二、第四區(qū) 12、 14的顯影處理單元DEV上分別設(shè)置了與第二噴出單元67和第二氣體排 出管66等相當(dāng)?shù)慕Y(jié)構(gòu)。以下，為了區(qū)分在第二、第四區(qū)12、 14中設(shè)置的顯影處理單元DEV和 邊緣曝光單元EEW等，分別添加了下標(biāo)"2"或者"4"(例如，將在第二 區(qū)12中設(shè)置的加熱單元HP標(biāo)記為"加熱單元HP2")。[IF部5等]第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T『A和第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T冊(cè)排列設(shè)置在與區(qū)11、 12(13、 14) 的排列方向垂直相交的方向上。第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)'IffA配置在第二、四區(qū)12、 14 的熱處理單元42等所位于的一側(cè)。第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T^配置在第二、四區(qū)的 顯影處理單元DEV所位于的一側(cè)。在這些第一、第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T^A、 Tn^之 間多層地層疊了用于裝載并冷卻基板W的裝載部PASS-CP;用于裝載基板W的裝載部PASS7;用于暫時(shí)容置基板W的緩沖部BF。第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tn^具有基座83，其被固定設(shè)置；升降軸85，其在基 座83上沿鉛垂方向伸縮；保持臂87，其在該升降軸85上可回旋并且在回旋 半徑方向上進(jìn)退來保持基板W。而且，在加熱冷卻單元(PHP2、 PHP4)、 裝載部(PASS" PASS6、 PASS-CP)以及緩沖部BF之間搬運(yùn)基板W、第二 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,也具有基座83、升降軸85和保持臂87。而且，在裝載部 (PASS-CP、 PASS7)和曝光機(jī)EXP之間搬運(yùn)基板W。以下對(duì)本裝置的控制系統(tǒng)進(jìn)行說明。圖10是實(shí)施例的基板處理裝置的 控制框圖。如圖所示，本裝置具有主控制器91和第一至第六控制器93、 94、95、 96、 97、 98。第一控制器93控制通過ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tm而進(jìn)行的基板搬運(yùn)。第二控 制器94控制通過主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T！而進(jìn)行的基板搬運(yùn)和通過抗蝕膜用涂覆處理 單元RESIST,、反射防止膜用涂覆處理單元BARC,、冷卻單元CP,、加熱冷 卻單元PHP,和粘附處理單元AHL,而進(jìn)行的基板處理。第三控制器95控制 通過主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2而進(jìn)行的基板搬運(yùn)和通過邊緣曝光單元EEW2、顯影單元 DEV2、加熱單元HP2和冷卻單元CP2而進(jìn)行的基板處理。第四、第五控制器96、 97的控制分別與第二、第三控制器94、 95的控制對(duì)應(yīng)。第六控制器98 控制通過第一、第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T1FA、 T,FB而進(jìn)行的基板搬運(yùn)和通過加熱冷卻 單元PHP2、 PHP4而進(jìn)行的基板處理。主控制器91，統(tǒng)一控制第一至第六控制器93 98。具體地說主控制器91控制控制各搬運(yùn)機(jī)構(gòu)使其相互協(xié)作。例如，調(diào)整各搬運(yùn)機(jī)構(gòu)進(jìn)入裝載部 PASS廣PASS6的時(shí)機(jī)。此外，通過主控制器91的控制，以與從盒C搬出的 順序相同的順序向曝光機(jī)EXP搬運(yùn)基板W。主控制器91以及第一 第六控制器93 98分別由中央處理器(CPU)和 存儲(chǔ)介質(zhì)而構(gòu)成，所述中央處理器(CPU)進(jìn)行各種處理，所述存儲(chǔ)介質(zhì)包 括作為運(yùn)算處理的工作區(qū)域的RAM (Random-Access Memory)、存儲(chǔ)預(yù)先 設(shè)定的處理方法(處理程序)等的各種信息的固定的盤等。其次，對(duì)本實(shí)施例的基板處理裝置的工作進(jìn)行說明。圖11是在對(duì)基板 W進(jìn)行的一系列處理時(shí)的流程圖，其表示了用于順次搬運(yùn)基板W的處理單 元或者裝載部等。此外，圖12是表示各搬運(yùn)機(jī)構(gòu)分別反復(fù)進(jìn)行工作的示意圖，其表明了搬運(yùn)機(jī)構(gòu)所進(jìn)入的處理單元、裝載部或者盒等的順序。以下， 分開說明每個(gè)搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。 [ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,d]ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tro移動(dòng)到與一個(gè)盒C相向的位置，將容置在盒C中的一 片未處理的基板W保持在保持臂25上并且從盒C中搬出。ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu) T,d回旋保持臂25使升降軸23升降并且向與裝載部PASS，相向的位置移動(dòng)， 而且將保持著的基板W裝載在轉(zhuǎn)載部PASSi上(對(duì)應(yīng)于圖11的步驟Sla。 以下只標(biāo)記步驟號(hào))。此時(shí)，在裝載部PASSi上通常裝載基板W，并且接收 該基板W將該基板W存放在盒C中(步驟S23)。在裝載部PASSm上沒有 基板的時(shí)候照原樣進(jìn)入盒C。而且，將在盒C中容置的基板W向裝載部 PASS3A搬運(yùn)(步驟Slb)。在此，若基板W裝載在裝載部PASS3B上，則將 該基板W容置在盒C中(步驟S23)。ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tn3反復(fù)進(jìn)行所述工作。另外，該工作通過第一控制器93 來控制。由此，從盒C中一片一片搬出的基板W在第一區(qū)11和第三區(qū)13 上交替被搬運(yùn)。[主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 T3]主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T3的工作與主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)^的工作大致相同，因此只對(duì)主搬 運(yùn)機(jī)構(gòu)T,進(jìn)行說明。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,向與裝載部PASSJ目向的位置移動(dòng)。此 時(shí)，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,將之前從裝載部PASS2B接收的基板W保持在一側(cè)的保持 臂57(例如57b)上。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,將保持著的基板W裝載在裝載部PASS1B 上(步驟S22)，而且通過另一側(cè)的保持臂57 (例如57a)保持裝載在裝載 部PASS,a上的基板W。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,進(jìn)入固定的冷卻單元CP,。在冷卻單元CP,上有己經(jīng)進(jìn)行 完規(guī)定的熱處理(冷卻)的另一個(gè)基板W。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,通過空(沒有保 持基板)的保持臂57保持另一個(gè)基板W而且將該另一個(gè)基板W從冷卻單元 CP,搬出，并且將從裝載部PASS,a接收的基板W搬入到冷卻單元CP"而 且，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,保持冷卻的基板W并向反射防止膜用涂覆處理單元 BARC,移動(dòng)。冷卻單元CP,對(duì)搬入的基板W開始進(jìn)行熱處理(冷卻)(步 驟S2)。另外，此后，在主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)^進(jìn)入各種熱處理單元41和涂覆處理 單元31時(shí)，在這些處理單元(31、 41)上有已經(jīng)進(jìn)行完規(guī)定處理的基板W。若進(jìn)入反射防止膜用涂覆處理單元BARC，則主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,將形成了反射防止膜的基板W從反射防止膜用涂覆處理單元BARd搬出，并且將冷 卻的基板W放置在反射防止膜用涂覆處理單元BARC,的旋轉(zhuǎn)保持部32上。 此后，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,保持形成了反射防止膜的基板W并且向加熱冷卻單元 PHP,移動(dòng)。反射防止膜用涂覆處理單元BARd對(duì)裝載在旋轉(zhuǎn)保持部32上的 基板W開始進(jìn)行處理(步驟S3)。具體地說，在旋轉(zhuǎn)保持部32以水平的姿勢(shì)使基板W旋轉(zhuǎn)的同時(shí)，通過 把持部36把持一個(gè)噴嘴35，并且通過驅(qū)動(dòng)噴嘴移動(dòng)機(jī)構(gòu)37將把持著的噴嘴 35移動(dòng)到基板W的上方，由此從噴嘴35向基板供給反射放置膜用的處理液。 供給的處理液擴(kuò)展到整個(gè)基板W，并且從基板W甩出。杯部33回收甩出的 處理液。如此，進(jìn)行在基板W上涂覆形成反射防止膜的處理。若主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)^進(jìn)入加熱冷卻單元PHPp則從加熱冷卻單元搬出進(jìn)行 完熱處理的基板W，并且向加熱冷卻單元PHPi投入形成了反射防止膜的基 板W。此后，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tj呆持從加熱冷卻單元PHPi搬出的基板W并且 向冷卻單元CP,移動(dòng)。在加熱冷卻單元PHP,中在兩個(gè)金屬板上順次裝載了 基板W，在一個(gè)金屬板43上對(duì)基板W進(jìn)行加熱之后在另一個(gè)金屬板43上 對(duì)基板W進(jìn)行冷卻(步驟S4)。若主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,向冷卻單元CP,移動(dòng)，則將冷卻單元CP,內(nèi)的基板W 搬出，并且將保持著的基板W搬入冷卻單元CI、。冷卻單元CP,冷卻被搬入 的基板W (步驟S5)。接著，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)^向抗蝕膜用涂覆處理單元RESISTJ多動(dòng)。而且，從 抗蝕膜用涂覆處理單元RESIST,搬出形成了抗蝕膜的基板W，并且將保持著 的基板W搬入到抗蝕膜用涂覆處理單元RESIST。抗蝕膜用涂覆處理單元 RESIST旋轉(zhuǎn)被搬入的基板W同時(shí)供給抗蝕膜材料，從而在基板W上形成 抗蝕膜(步驟S6)。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,還向加熱冷卻單元PHP,和冷卻單元CP!移動(dòng)。而且，將 形成了抗蝕膜的基板W搬入到加熱冷卻單元PHP,。在加熱冷卻單元PHP, 中將處理完的基板W移動(dòng)到冷卻單元CP,，并且該冷卻單元CP,接收處理完 的基板W。加熱冷卻單元PHP,和冷卻單元CP,分別對(duì)未處理的基板W進(jìn)行 規(guī)定的處理(步驟S7、 S8)。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,向裝載部PASS2移動(dòng)，將保持著的基板W裝載在裝載部PASSm上(步驟S9)，并且接收裝載在裝載部PASS2B上的基板W (步驟 S21)。此后，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,再次進(jìn)入裝載部PASSi反復(fù)進(jìn)行所述工作。另外， 該工作由第二控制器94控制。.由此，若接收裝載在裝載部PASS,上的基板 W，則主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,將該基板W搬運(yùn)到規(guī)定的處理單元(在本實(shí)施例中是 冷卻單元CP。并且從該處理單元取出處理完的基板W。接著順次向多個(gè)處 理單元移動(dòng)，使各處理單元的處理后的基板W在其他的處理單元上來回移 動(dòng)。在各處理單元(31、 41)中每次將處理完的基板W調(diào)換為未處理的基 板W時(shí)，進(jìn)行規(guī)定的處理。由此，在各處理單元中同時(shí)向多個(gè)基板W進(jìn)行 規(guī)定的處理。對(duì)于多個(gè)基板W順次進(jìn)行-"系列的處理工序。此時(shí)，由第二 控制器94控制使一系列的處理工序的時(shí)限統(tǒng)一。而且，優(yōu)選在基板W之間 使將基板W向各處理單元搬運(yùn)的吋機(jī)統(tǒng)一并且使由各處理單元(31、 41) 進(jìn)行處理的時(shí)間表統(tǒng)一。結(jié)果， 一系列的處理以向裝載部PASS,裝載基板W 的先后順序結(jié)束，因此以在裝載部PASS,上裝載的順序向裝載部PASS2輸出 基板。同樣，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,以從裝載部PASS2接收的順序?qū)⒒錡裝載在 裝載部PASSi上。[主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2、 T4]主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)丁4的工作與主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2的工作大致相同，因此只對(duì)主搬 運(yùn)機(jī)構(gòu)丁2進(jìn)行說明。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2向與裝載部PASS2相向的位置移動(dòng)。此時(shí)，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2保持從之前進(jìn)入的冷卻單元CP2接收的基板W。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2將保持著的基板W裝載在裝載部PASS2B上(步驟S21)，而且保持 裝載在裝載部PASS2A上的基板W (步驟S9)。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2進(jìn)入邊緣曝光單元EEW2。而且，由邊緣曝光單元EEW2 接收進(jìn)行完規(guī)定處理的基板W，并且將冷卻的基板W搬入邊緣曝光單元 m;W2。邊緣曝光單元EEW2使被搬入的基板W旋轉(zhuǎn)，同時(shí)從省略了圖示的 照射光部向基板W的周邊部照射光。由此將基板W的四周曝光(步驟S10)。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2保持從邊緣曝光單元EEW2接收的基板W并且進(jìn)入裝載 部PASSs。而且，將保持著的基板W裝載在裝載部PASSsA上，并且保持裝 載在裝載部PASS5B上的基板W (步驟S16)。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2向冷卻單元CP2移動(dòng)，并且將保持著的基板W與冷卻單 元CP2內(nèi)的基板W進(jìn)行調(diào)換。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2保持冷卻處理完的基板W并且進(jìn)入顯影處理單元DEV2。冷卻單元CP2對(duì)新搬入的基板W開始進(jìn)行處理(步 驟S17)。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2將顯影后的基板W從顯影處理單元DEV2搬出，并且將 冷卻后的基板W放置在顯影處理單元DEV2的旋轉(zhuǎn)保持部77上。顯影處理 單元DEV2使放置在旋轉(zhuǎn)保持部77上的基板W顯影(步驟S18)。具體地 說，旋轉(zhuǎn)保持部77以水平的姿勢(shì)旋轉(zhuǎn)基板W，同時(shí)從任意的夾縫噴嘴81向 基板W供給顯影液從而使基板W顯影。主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2保持被顯影的基板W并且進(jìn)入加熱單元HP2。而且，從 加熱單元HP2搬出基板W，并且將保持的基板W投入加熱單元HP2。接著， 主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2將從加熱單元HP2搬出的基板W搬運(yùn)到冷卻單元CP2，并且 從該冷卻單元CP2取出己經(jīng)處理完的基板W。加熱單元HP2和冷卻單元CP2 分別對(duì)未處理的基板W進(jìn)行規(guī)定的處理(步驟S19、 S20)。此后，主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T2再次進(jìn)入裝載部PASS2反復(fù)進(jìn)行所述工作。另外， 該工作由第三控制器95控制。由此，以在裝載部PASS2A上裝載的順序向裝載部PASS5A輸出基板。同樣，以將基板W裝載在裝載部PASS5B上的順序 向裝載部PASS2B輸出基板。[IF用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tf第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TIFA]第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tn^進(jìn)入裝載部PASS5，并且接收裝載在裝載部PASS5A 上的基板W (步驟Slla)。第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tn^保持接收后的基板W并且向 裝載部PASS-CP移動(dòng)，而且搬入裝載部PASS-CP中(步驟S12)。其次，第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TtFA從裝載部PASS7接收基板W (步驟S14)，并且向與加熱冷卻單元PHP2相向的位置移動(dòng)。而且，第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TffA從加熱冷卻單元PHP2取出已經(jīng)進(jìn)行完熱處理(PEB: Post Exposure Bake)的基 板W，并且將從裝載部PASS7接收的基板W搬入到加熱冷卻單元PHP2。加 熱冷卻單元PHP2對(duì)未處理的基板W進(jìn)行熱處理(步驟S15)。第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TIFA將從加熱冷卻單元PHP2取出的基板W搬運(yùn)到裝載部 PASS犯上。接著第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tg將裝載在裝載部PASS6a上的基板W搬運(yùn) 到裝載部PASS-CP (歩驟Sllb、 12)上。其次，第--搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TVa將基板W從裝載部PASS7搬運(yùn)到加熱冷卻單元PHP4。此吋，將已經(jīng)在加熱冷卻單 兀PHP4中進(jìn)行完的基板取出并且裝載在裝載部PASS犯上。其次，第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tn^再次進(jìn)入裝載部PASS5反復(fù)進(jìn)行所述工作。另 外，該工作由第六控制器98控制。這樣，將基板W從裝載部PASS5、 PASS6 交替搬運(yùn)到裝載部PASS-CP上，因此將以從盒C由ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Iro取出 的順序?qū)⒒錡裝載在裝載部PASS-CP上。但是，對(duì)由主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T形成的處理單元進(jìn)行的搬運(yùn)以及對(duì)各處理單元 的處理進(jìn)行的控制在區(qū)11 14的每個(gè)區(qū)上都獨(dú)立。g卩，不調(diào)整向裝載部PASS5 和裝載部PASS6輸出的各個(gè)吋機(jī)。因此，因?yàn)榛逄幚砘蛘甙徇\(yùn)的延遲等故 障，產(chǎn)生向裝載部PASS5以及裝載部PASS6雙方輸出的前后關(guān)系與從盒C 取出的順序不一致的情況。在這種情況下，基于第六控制器98的控制，使第一搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,FA進(jìn)行如下的工作。在沒有向裝載部PASS5A以及裝載部PASS6A中任意一個(gè)上輸出基板W 的情況下在另一個(gè)的裝載部上裝載著基板W時(shí)，不將在該裝載部上裝載的 基板W搬運(yùn)到裝載部PASS-CP上，而變?yōu)榘徇\(yùn)到緩沖部BF上。而且，若 在停止輸出的一個(gè)的裝載部上再次開始放置基板W，則從恢復(fù)后的一個(gè)裝載 部向裝載部PASS-CP搬運(yùn)，并且從緩沖部BF向裝載部PASS-CP搬運(yùn)。此 時(shí)，從恢復(fù)后的一個(gè)裝載部和緩沖部BF交替向裝載部PASS-CP搬運(yùn)基板W。 由此，即使產(chǎn)生在裝載部PASS5A以及裝載部PASS6A上輸出基板的時(shí)機(jī)的前 后關(guān)系與從盒C取出基板W的順序不同情況，對(duì)于搬運(yùn)到裝載部PASS-CP 上的基板W的順序來說也與從盒C取出基板W的順序相同。[IF用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tn"第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T1FB]第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T^B將基板W從裝載部PASS-CP取出搬運(yùn)到曝光機(jī)EXP。 而且，若接收從曝光機(jī)EXP輸出的,光完的基板W，則將該基板W搬運(yùn)到 裝載部PASS7上。此后，第二搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TIFB再次進(jìn)入裝載部PASS-CP反復(fù)進(jìn)行所述工作。另外，該工作也由第六控制器98控制。如此，因?yàn)榈谝弧⒌诙徇\(yùn)機(jī)構(gòu)T!FA、T,FB協(xié)作著工作，所以以從盒C取出的順序向曝光機(jī)EXP輸送基板W。如此，根據(jù)實(shí)施例的基板處理裝置，因?yàn)榫哂性谏舷屡湓O(shè)的兩個(gè)基板處 理列Lu、 Ld，所以能夠使形成反射防止膜以及抗蝕膜的處理和顯影處理的各處理能力大致增加一倍。由此，能夠大幅度地改善基板處理裝置的處理能 力。此外，在各基板處理列Lll、 Ld上設(shè)置的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T排成一列，因此 能夠抑制處理部3的安裝面積。在上下兩條基板處理列Lu (Ld)上的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)7、、 T3 (T2、 T4)以 及處理單元的配置從俯視看大致相同，因此能夠使裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。此外，構(gòu)成上下兩列主機(jī)板處理列Lu、 Ld的處理單元為同一種類，因 為使通過上下兩列基板處理列Lu、 Ld進(jìn)行的一系列的處理相同，所以能夠 裝置的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。此外，上下區(qū)11、 13 (12、 114)的各處理單元相互為層疊關(guān)系，因此 能夠使由上下兩個(gè)區(qū)構(gòu)成的處理域Ba、 Bb的結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。此外，每個(gè)處理域Ba、 Bb都具有處理域Ba、 Bb中的上下兩臺(tái)主搬運(yùn) 機(jī)構(gòu)T和支承集中的多個(gè)處理單元的框體75，因此能夠高效的制造基板處理 裝置并且能夠簡(jiǎn)單地進(jìn)行修補(bǔ)。此外，在各搬運(yùn)空間A,~A4中分別設(shè)置了第一噴出口 61a和排出口 62a， 因此能夠保持各搬運(yùn)空間A清潔。此外，第--〃噴出口 61a配置在搬運(yùn)空間A的上部，排出口62a配置在搬 運(yùn)空間A的下部，因此在搬運(yùn)空間A, A4中形成大致垂直向下的氣流。由此， 能夠防止因從各熱處理單元41發(fā)出的熱量而對(duì)搬運(yùn)空間A和涂覆處理單元 31溫度環(huán)境或者顯影處理單元DEV的溫度環(huán)境的影響。此外，在搬運(yùn)空間Ai (A2)中設(shè)置的排出單元62和在搬運(yùn)空間A3 (A4) 中設(shè)置的第一噴出單元61隔斷各搬運(yùn)空間Al、 A3 (A2、 A4)的環(huán)境，因 此能夠分別保持各搬運(yùn)空間的清潔。此外，因?yàn)椴恍枰O(shè)置專門用于隔斷環(huán) 境的構(gòu)件，所以能夠使裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。此外，因?yàn)榫哂杏糜谠贗D用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)Tro和主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T" 丁3之間交 接基板W的裝載部PASS,、 PASS3，所以能夠防止ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TID以及主 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)T,、 T3的搬運(yùn)效率的降低。同樣，因?yàn)楦靼徇\(yùn)機(jī)構(gòu)之間的基板W 的交接也經(jīng)由裝載部PASS而進(jìn)行，所以能夠防止各搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的搬運(yùn)效率變此外，裝載部PASS,和裝載部PASS3的位置相接近，所以ID用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TID能夠以更小的升降量進(jìn)入裝載部PASS,和裝載部PASS3。此外，因?yàn)榫哂兄骺刂破?1和第一至第六控制器93 98，所以使各基板W從盒C取出的順序和向曝光機(jī)EXP中投入的順序一致。由此，在不具有用于識(shí)別基板W的結(jié)構(gòu)的情況下，就能夠?qū)Ω骰錡進(jìn)行管理和追蹤調(diào)查。 在上下區(qū)11、 13 (12、 14)中分別被設(shè)置的各涂覆處理單元31 (各顯影處理單元DEV)具有共同的第二氣體供給管65，因此能夠減小配管安裝空間，并能使裝置結(jié)構(gòu)簡(jiǎn)單化。本發(fā)明不僅限于所述實(shí)施方式，也能夠進(jìn)行如下的變形實(shí)施。(1) 在所述實(shí)施例中，具備兩列基板處理列Lu、 Ld，但不僅限于此。 可以變?yōu)橛扇幸陨系幕逄幚砹袠?gòu)成并設(shè)置為上下多層的結(jié)構(gòu)。(2) 在所述事實(shí)例中，各基板處理列Lu (Ld)由兩個(gè)區(qū)ll、 12 (13、 14)連接構(gòu)成，但不僅限于此。可以由三個(gè)以上的區(qū)連接而構(gòu)成基板處理列。(3) 在所述實(shí)施例中，各基板處理列Lu、 Ld進(jìn)行在基板W上形成抗 蝕膜、反射防止膜的處理和在曝光完的基板W上顯影的處理，但不僅限于 此。基板處理列也可以變?yōu)閷?duì)基板W進(jìn)行洗凈處理等的其他的處理。由此， 各處理單元的種類、個(gè)數(shù)等被適當(dāng)?shù)剡x擇、設(shè)計(jì)。此外，可以省略IF部5 來構(gòu)成基板處理裝置。(4) 在所述實(shí)施例中，由兩列基板處理列Lu、 Ld進(jìn)行的一系列的處理 相同，但不僅限于此。可以變?yōu)橛筛骰逄幚砹蠰u、 Ld進(jìn)行不同的處理。(5) 在所述實(shí)施例中，兩列基板處理列Lu、 Ld的平面布局大致相同但 不僅限于此。可以變?yōu)樵诿總€(gè)基板處理列Lu、 Ld上配置不同的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu) T和處理單元。(6) 在所述實(shí)施例中，在上下區(qū)11、 13 (12、 14)之間從主搬運(yùn)機(jī)構(gòu) T看的處理單元的配置相同，但不僅限于此，可以變?yōu)樵谏舷聟^(qū)之間不同的 配置。(7) 在所述實(shí)施例中，各區(qū)11 14在搬運(yùn)空間A的兩側(cè)配置處理單元， 但也可以只在一側(cè)配置處理單元(8) 在所述實(shí)施例中，經(jīng)由裝載部PASS進(jìn)行搬運(yùn)機(jī)構(gòu)間的交接，但不 僅限于此。例如可以變?yōu)橹苯舆M(jìn)行交接。(9) 在所述實(shí)施例中，可以通過在各裝載部PASSi、 PASS2、 PASS3、PASS4的上側(cè)和下側(cè)配置緩沖部BF和冷卻單元CP而構(gòu)成。由此，能夠適當(dāng)?shù)臅簳r(shí)放置或者冷卻基板w。(10) 在所述實(shí)施例中，IF用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TIF由兩臺(tái)搬運(yùn)機(jī)構(gòu)TIFA、 TIFB 構(gòu)成，但不僅限于此，可以變?yōu)橛梢慌_(tái)或者三臺(tái)以上的搬運(yùn)機(jī)構(gòu)構(gòu)成。(11) 在所述實(shí)施例中，在反射防止膜用涂覆處理單元BARC和抗蝕膜 用涂覆處理單元RESIST之間不具備間隔壁，從而在各單元之間環(huán)境相連通， 但不僅限于此?？梢赃m當(dāng)?shù)馗魯鄡蓡卧沫h(huán)境。(12) 在所述實(shí)施例中，由一個(gè)第一噴出單元61和一個(gè)排出單元62隔 斷各搬運(yùn)空間A,、 A3 (A2、 A4)的環(huán)境，但不僅限于此。例如，可以由第 一噴出單元61和排出單元62中的一個(gè)隔斷環(huán)境?；蛘呖梢跃哂懈魯啾冢?與排出單元62以及第一噴出單元61不同而另外設(shè)置，并且用于隔斷存在上 下關(guān)系的各搬運(yùn)空間A的環(huán)境。(13) 在所述實(shí)施例中，在各搬運(yùn)空間A的上部配置第一噴出單元61， 下部配置排出單元62，但不僅限于此?？梢栽诎徇\(yùn)空間的側(cè)部配置第一噴出 單元61或者排出單元62。此外，可以在同一個(gè)基板處理列Lu (Ld)的搬運(yùn) 空間A,、 A3 (A2、 A4)中，使第一噴出單元61和排出單元62統(tǒng)一。本發(fā)明在不脫離該思想或者本質(zhì)的情況下能夠以其他的具體形式實(shí)施， 因此，作為本發(fā)明所表示的范圍，不僅應(yīng)該參照以上說明，還應(yīng)該參照附加 的技術(shù)方案。
權(quán)利要求
1.一種基板處理裝置，用于對(duì)基板進(jìn)行處理，其特征在于，包含有沿著橫向排列的多個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)和對(duì)應(yīng)于每個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)設(shè)置的、用于處理基板的多個(gè)處理單元，從而構(gòu)成基板處理列，所述基板處理列中，各主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向?qū)?yīng)的處理單元搬運(yùn)基板，并與橫向相鄰的其他的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)交接基板，并且對(duì)基板進(jìn)行一系列的處理，該基板處理列在上下方向上設(shè)置有多個(gè)。
2. 如權(quán)利要求l所述的基板處理裝置，其特征在于，
3. 如權(quán)利要求1所述的基板處現(xiàn)裝置，其特征在于，具有 氣體供給口 ，其用于向設(shè)置了所述主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的搬運(yùn)空間供給清潔的氣體；氣體排出口，其用于將氣體從所述搬運(yùn)空間排出。
4. 如權(quán)利要求3所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述搬運(yùn)空間的環(huán)境在每個(gè)基板處理列都被隔斷，所述氣體供給口以及所述氣體排出口在每個(gè)基板處理列中分別單獨(dú)設(shè)置。
5. 如權(quán)利要求4所述的基板處理裝置，其特征在于，具有 噴出單元，其形成有所述氣體供給口；排出單元，其形成有所述氣體排出口；所述噴出單元或者排出單元中的至少任意一個(gè)在每個(gè)基板處理列中隔 斷環(huán)境。
6. 如權(quán)利要求3所述的基板處現(xiàn)裝置，其特征在于，所述氣體供給口配置在比所述氣體排出口更高的位置上。
7. 如權(quán)利要求6所述的基板處理裝置，其特征在于， 所述氣體供給口配置在所述搬運(yùn)空間的上部，所述氣體排出口配置在所述搬運(yùn)空間的下部。
8. 如權(quán)利要求l所述的基板處理裝置，其特征在于， 具有用于向容置多片基板的盒搬運(yùn)基板的分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)， 所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)在其與各基板處理列一端的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)、即一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接，而且，在所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與各一端搬 運(yùn)機(jī)構(gòu)中位于上側(cè)的一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，在該一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的下部附近的高 度位置上進(jìn)行基板的交接，并且在所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與各一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu) 中位于下側(cè)的一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，在該一端搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的上部附近的高度位置 上進(jìn)行基板的交接。
9. 如權(quán)利要求8所述的基板處理裝置，其特征在于，具有裝載部，所述裝載部分別設(shè)置在所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)和各一端搬 運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，用于裝載基板，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)經(jīng)由各裝載部交接基板。
10. —種基板處理裝置，用于對(duì)基板進(jìn)行處理，其特征在于， 沿著橫向排列有多個(gè)處理域，所述處理域具有處理單元，其設(shè)置在上下方向的每層上，用于對(duì)基板進(jìn)行處理； 主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其設(shè)置在各層上，并且向該層的處理單元搬運(yùn)基板； 在相鄰的處理域的同一層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)彼此之間交接基板并且對(duì)基板 進(jìn)行一系列的處理。
11. 如權(quán)利要求IO所述的基板處理裝置，其特征在于， 每個(gè)處理域都具有框體，所述框體集中容置包含在一個(gè)處理域中的多個(gè)處理單元以及多個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)。
12. 如權(quán)利要求ll所述的基板處理裝置，其特征在于，各處理域具有 隔斷板，其設(shè)置在各層之間；氣體供給口，其用于向各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的搬運(yùn)空間供給清潔的氣體； 氣體排出口 ，其用于將氣體從各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)的搬運(yùn)空間排出。
13. 如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，具有 噴出單元，其形成有所述氣體供給口；排出單元，其形成有所述氣體排出口；所述噴出單元或者排出單元的至少任意一個(gè)兼用作所述隔斷板。
14. 如權(quán)利要求12所述的基板處理裝置，其特征在于，各搬運(yùn)空間的氣體供給口配置在與該搬運(yùn)空間的氣體排出口相比更高 的位置上。
15. 如權(quán)利要求IO所述的基板處理裝置，其特征在于，具有分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其向容置多片基板的盒搬運(yùn)基板，并且在所述 分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與在一側(cè)的處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板 的交接，在所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與在一側(cè)的處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之 間，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)進(jìn)行的基板的交接的各位置相接近。
16. 如權(quán)利要求15所述的基板處理裝置，其特征在于，具有裝載部，該裝載部分別設(shè)置在一側(cè)的處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu) 與所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間，用于裝載基板， 所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)經(jīng)由各裝載部交接基板。
17. --種基板處理裝置，用于對(duì)基板進(jìn)行處理，其特征在于，具有 分度器部，其具有分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向容置多片基板的盒搬運(yùn)基板；涂覆處理域，其是與所述分度器部相鄰的涂覆處理域，具有涂覆處理單元以及熱處理單元，其在上下方向的每層都設(shè)置，用于在基板上形成抗蝕膜；主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其在每層中設(shè)置，用于向該層的涂覆處理單元以及熱處理 單元搬運(yùn)基板；顯影處理域，其是與所述涂覆處理域相鄰的顯影處理域，具有顯影處 理單元以及熱處理單元，其在上下方向的每層中設(shè)置，用于使基板顯影；主 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，其在每層中設(shè)置，用于對(duì)該層的顯影處理單元以及熱處理單元搬 運(yùn)基板；接口部，其與所述顯影處理域相鄰，具有接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，所述接口用 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向本裝置之外的曝光機(jī)搬運(yùn)基板；所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與所述涂覆處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間 進(jìn)行基板的交接，在所述涂覆處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)，與所述顯影處理域中的同一 層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間進(jìn)行基板的交接，所述分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)與所述顯影處理域中的各層的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)之間 進(jìn)行基板的交接。
18. 如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，具有控制部，所述控制部進(jìn)行控制，使得接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)以與分度器用 搬運(yùn)機(jī)構(gòu)從盒取出基板的順序相同的順序?qū)⒒遢斔椭疗毓鈾C(jī)。
19. 如權(quán)利要求18所述的基板處理裝置，其特征在于， 具有緩沖部，其配備在接口部上，用于暫時(shí)容置基板，在以與分度器用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)從盒取出基板的順序不相同的順序從顯影處 理域輸出基板時(shí)，控制部進(jìn)行控制，使得接口用搬運(yùn)機(jī)構(gòu)接收該基板并搬運(yùn) 至緩沖部。
20. 如權(quán)利要求17所述的基板處理裝置，其特征在于，用于在基板上形成抗蝕膜的涂覆處理單元包括抗蝕膜用涂覆處理單元，其在基板上涂覆抗蝕膜材料；反射防止膜用涂覆處理單元，其將反射防 止膜用的處理液涂覆到基板上。
全文摘要
一種基板處理裝置，其具有設(shè)置在上下方向上的多列基板處理列。各基板處理列具有排列在橫向上的多個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)和對(duì)應(yīng)于每個(gè)主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)設(shè)置并用于處理基板的多個(gè)處理單元，各主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)向?qū)?yīng)的處理單元搬運(yùn)基板的同時(shí)，與在橫向相鄰的其他的主搬運(yùn)機(jī)構(gòu)交接基板，而對(duì)基板進(jìn)行一系列的處理。因?yàn)楦骰逄幚砹型瑫r(shí)對(duì)基板進(jìn)行處理，所以能夠使基板處理裝置的處理能力增強(qiáng)。
文檔編號(hào)G03F7/00GK101335187SQ20081012503
公開日2008年12月31日 申請(qǐng)日期2008年6月27日 優(yōu)先權(quán)日2007年6月29日
發(fā)明者三橋毅, 小椋浩之, 川松康夫, 森西健也, 福富義光, 長(zhǎng)島廣路 申請(qǐng)人:株式會(huì)社迅動(dòng)