專利名稱：：柔性膜和包括該柔性膜的顯示設備的制作方法
技術領域：
：本發(fā)明涉及柔性膜，更具體地說，涉及一種柔性膜，其包括表面被改性以提供2-25%濁度(haze)的電介質膜和形成在該電介質膜上的金屬層，從而有助于耐熱性、尺寸穩(wěn)定性和拉伸強度的改進。
背景技術：
：隨著近來在平板顯示技術中的進步，己經開發(fā)出了各種類型的平板顯示設備，例如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)以及有機發(fā)光二極管(OLED)。平板顯示設備包括驅動單元和面板，通過將圖像信號從驅動單元傳輸給面板中包括的多個電極來顯示圖像。印刷電路板(PCB)可被用作平板顯示設備的驅動單元。即，PCB可向面板內包括的多個電極提供圖像信號，從而使得面板能夠顯示圖像。平板顯示設備的驅動單元可以利用玻璃上芯片(COG)方法將圖像信號傳輸給面板的多個電極。
發(fā)明內容本發(fā)明提供一種柔性膜，其包括表面改性以提供2-25%濁度的電介質膜、形成在該電介質膜上的金屬層、以及形成在該金屬層上的電路圖案，從而有助于耐熱性、尺寸穩(wěn)定性和拉伸強度的改進。根據本發(fā)明的一個方面，提供一種柔性膜，包括電介質膜；以及設置在該電介質膜上的金屬層，其中該電介質膜的濁度約為2-25%。根據本發(fā)明的一個方面，提供一種柔性膜，包括電介質膜；設置在電介質膜上并且包括形成在其上的電路圖案的金屬層；以及設置在該金屬層上的集成電路(IC)芯片，其中該電介質膜的濁度約為2-25%，并且所述IC芯片與所述電路圖案相連接。根據本發(fā)明的另一方面，提供一種顯示設備，包括面板；驅動單元；和設置在面板與驅動單元之間的柔性膜，該柔性膜包括電介質膜、設置在電介質膜上并且包括形成在其上的電路圖案的金屬層、以及設置在該金屬層上的IC芯片，其中該電介質膜的濁度約為2-25%，并且所述IC芯片與所述電路圖案相連接。通過參考附圖詳細描述本發(fā)明的優(yōu)選實施例，本發(fā)明的上述以及其它特點和優(yōu)點將變得更加明顯，其中圖la-lf示出了根據本發(fā)明實施例的柔性膜的剖視圖2a和2b示出了根據本發(fā)明實施例的包括柔性膜的帶載封裝(TCP)的示意圖3a和3b示出了根據本發(fā)明實施例的包括柔性膜的膜上芯片(COF)的示意圖4示出了根據本發(fā)明實施例的顯示設備的示意圖；圖5示出了圖4中顯示設備400的剖視圖；以及圖6示出了根據本發(fā)明實施例的顯示設備的示意圖。具體實施例方式下面將參考其中顯示了本發(fā)明具體實施例的附圖詳細描述本發(fā)明。圖la-lf分別示出了根據本發(fā)明實施例的柔性膜100a-100f的剖視圖。參照圖la-lf，柔性膜100a-100f將由載帶自動接合(TAB)型顯示設備的驅動單元提供的圖像信號傳輸給該TAB型顯示設備的面板上的電極。更具體地，柔性膜100a-100f中的每一個都可以通過在電介質膜上形成金屬層并在金屬層上印制電路圖案來形成。由此，柔性膜100a-100f可以將由顯示設備的驅動單元提供的圖像信號傳輸給該顯示設備的面板。TAB型顯示設備中所用的柔性膜的電路圖案可以與該TAB型顯示設備的驅動單元的電路連接，或者與該TAB型顯示設備的面板上的電極連接，并由此可以將驅動單元提供的信號傳輸給面板。參照圖la，柔性膜100a包括電介質膜110a和形成在電介質膜110a上的金屬層120a。參照圖lb，柔性膜100b包括電介質膜110b和分別形成在電介質膜110b的頂表面和底表面上的兩個金屬層120b。_電介質膜110a或110b是柔性膜100a或100b的基膜。電介質膜110a或110b可以由電介質聚合物材料制成，例如聚酰亞胺、聚酯、或液晶聚合物。電介質膜110a或110b可以具有15-40/ixm、尤其是35-38/mi的厚度。可以確定電介質膜110a或110b的厚度使得向電介質膜110a或110b提供相對于金屬層120a或金屬層120b的適當的剝離強度。為了改善電介質膜110a或110b相對于金屬層120a或金屬層120b的剝離強度，可以將電介質膜110a的表面115a或電介質膜110b的表面110b改性。表面115a或表面115b可以利用等離子體、離子束或堿性蝕刻改性。更具體地，表面115a或表面115b可以通過將電介質膜110a或110b放在具有預定壓力的腔室內，并向該電介質膜110a或110b施加20-1000W的電功率10-900秒來改性。替換的，表面115a或表面115b可以通過對電介質膜110a或110b照射具有幾百KeV至幾MeV能量的離子束來改性。當離子束被施加給電介質膜110a或110b時，離子束與表面115a或表面115b碰撞。因而，電介質膜110a或110b的溫度升高，并且可以在表面115a或表面115b上生成缺陷，從而將表面115a或表面115b改性。替換的，表面115a或表面115b可以通過使用含氫氧根離子(-OH)的溶液，例如氫氧化鉀(KOH)溶液或氫氧化鈉(NaOH)溶液，來蝕刻電介質膜110a或110b來改性。表1示出了從具有不同級別濁度的電介質膜獲得的測試結果。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>參照表1，表面115a或表面115b可以被改性從而使得電介質膜110a或110b能具有2-25。/。的濁度。如果電介質膜110a或110b的濁度低于2%，則該電介質膜110a或110b透光率會增加，從而測試電介質膜U0a或110b上的電路圖案的效率可能也會增加。另一方面，如果電介質膜110a或110b的濁度高于25%,則該電介質膜110a或110b的剝離強度可能增加，但是該電介質膜110a或110b的透光率可能降低，因此降低了測試電介質膜110a或110b的電路圖案的效率。電介質膜110a或110b的濁度可以根據美國材料測試協會(AmericaSocietyforTestingMaterial,ASTM)D1003標準來測量。更具體地，從電介質膜110a或110b中提取具有50mm或100mm尺寸的樣品，并根據ASTMD1003標準測量該樣品的濁度。為了方便表面115a或表面115b的改性和給電介質膜110a或llOb提供相對于金屬層120a或金屬層120b的適當的剝離強度，電介質膜110a或llOb可以由聚合物材料例如聚酰亞胺或液晶聚合物制成。液晶聚合物可以是對羥基苯甲酸(HBA)和6-羥基-2-萘甲酸(HNA)的組合。HBA是具有一個苯環(huán)的羥基苯甲酸的異構體，并且是無色的固態(tài)晶體。HNA具有兩個苯環(huán)。HBA可以由化學式(1)表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>HNA可以由化學式(2)表示:<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>HBA和HNA形成液晶聚合物的化學反應可以由化學式(3)表示:在液晶聚合物形成期間，HNA的羧基(-OH)與HBA的醋酸基團(CH3CHO)鍵合，從而形成醋酸(CH3COOH)。這種脫乙酰反應可以通過在大約200'C加熱HNA和HBA的混合物來產生。根據JISC6471標準對液晶聚合物和聚酰亞胺剝離強度的測試結果表明，液晶聚合物具有1.1kN/m的剝離強度，而聚酰亞胺具有0.3-0.9kN/m的剝離強度。因此，通過采用包括液晶聚合物或聚酰亞胺的聚合物膜來形成電介質膜110a或110b，將表面115a或表面115b改性，并形成金屬層120a或金屬層120b，能夠形成具有優(yōu)異的剝離強度的柔性膜100a或100b。金屬層120a或金屬層120b是薄的導電金屬層。在圖la和lb的實施例中，金屬層120a或金屬層120b具有單層結構。金屬層120a或金屬層120b可以通過層壓或流延(casting)形成。金屬層120a或金屬層120b可以通過流延或層壓形成。更具體地，金屬層120a或金屬層120b可以通過在金屬膜上施加液相電介質膜、并在烘箱中在高溫下干燥并硬化該金屬膜來通過流延形成。替換的，可以通過在電介質膜110a或110b上施加粘合劑、烘焙該電介質膜110a或110b從而使粘合劑固定在電介質膜110a或110b上、將金屬層120a或金屬層120b放在電介質膜U0a或110b上、并在金屬層120a或金屬層120b上進行加壓處理，利用層壓形成柔性膜100a或100b。金屬層120a或金屬層120b可以包括鎳、鉻、金或銅。金屬層120a或金屬層120b的厚度可以根據電介質膜110a或110b的厚度來確定。表1示出了從包括具有38/mi厚度的電介質膜的柔性膜獲得的測試結果。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage11</column></row><table>參照表2,如果金屬層120a的厚度小于電介質膜110a厚度的十分之一，則金屬層120a的剝離強度可能降低，且因此金屬層120a可能容易從電介質膜110a脫離，或者金屬層120a的尺寸穩(wěn)定性可能會劣化。另一方面，如果金屬層120a的厚度大于電介質膜110a厚度的三分之二，則柔性膜100a的柔性可能降低，并且進行鍍的時間可能增加，因此增加了金屬層120a被鍍液損壞的可能性。例如，金屬層120a可以形成為4-13/xm的厚度，電介質膜110a可以形成為15-40//m的厚度。從而，金屬層120a的厚度與電介質膜110a的厚度比可以是1:1.5至1:10。并且這能直接應用于雙面型柔性膜。參照圖1C，柔性膜100c包括電介質膜110c和兩個金屬層，即第一和第二金屬層120c和130c。第一金屬層120c設置在電介質膜110c上，而第二金屬層130c設置在第一金屬層120c上。參照圖ld，柔性膜100d包括電介質膜110c和四個金屬層，即兩個第一金屬層120d和兩個第二金屬層130d。兩個第一金屬層120d分別設置在電介質膜110d的頂表面和底表面上，而兩個第二金屬層130d分布設置在各第一金屬層120d上。第一金屬層120c或第一金屬層120d可以通過濺射或無電鍍形成，并且可以包括鎳、鉻、金或銅。更具體地，第一金屬層120c或第一金屬層120d可以采用鎳和鉻的合金通過濺射形成。特別是，第一金屬層120c或第一金屬層120d可以包含93-97%的鎳?？梢酝ㄟ^將電介質膜110c或110d浸在包含金屬離子的無電鍍溶液中、并向該無電鍍溶液添加還原劑以將金屬離子提取為金屬，從而利用無電鍍形成第一金屬層120c或第一金屬層120d。例如，可以通過將電介質膜110c或110d浸在硫酸銅溶液中，并向該硫酸銅溶液中添加甲醛(HCHO)作為還原劑以從硫酸銅溶液中將銅離子提取為銅，從而形成第一金屬層120c或第一金屬層120d。替換的，可以通過將電介質膜110c或110d浸在硫酸鎳溶液中，并向該硫酸鎳溶液中添加次磷酸鈉(NaH2P02)作為還原劑以從硫酸鎳溶液中將鎳離子提取為鎳，從而形成第一金屬層120c或第一金屬層120d。第二金屬層130c或第二金屬層130d可以包括金或銅。更具體地，第二金屬層130c或第二金屬層130d可以通過電鍍形成，所述電鍍包括施加電流及從而將金屬離子提取為金屬。在這種情況下，第二金屬層130c或第二金屬層130d的厚度可以通過調節(jié)所施加的電流量以及施加電流的持續(xù)時間來改變。12第一金屬層120c和第二金屬層130c的厚度之和可以占電介質膜110c厚度的十分之一至三分之二。例如，如果電介質膜110c的厚度為35-38pm，則第一金屬層120c和第二金屬層130c的厚度之和可以為4-13pm。更具體地，第一金屬層120c可以具有大約100nm的厚度，而第二金屬層130c可以具有大約9/ma的厚度。這能直接應用于雙面型柔性膜。為了改善第一金屬層120c和第二金屬層130c相對于電介質膜110c的剝離強度，或者第一金屬層120d和第二金屬層130d相對于電介質膜130d的剝離強度，電介質膜110c的表面或電介質膜110d的表面可以采用等離子體、離子束或堿性蝕刻來改性從而提供2-25%的濁度。如果電介質膜110c或110(1的濁度低于2%，則電介質膜110c或110d的透光率可能提高，因此測試柔性膜110c或110d上的電路圖案的效率也可能提高。另一方面，如果電介質膜110c或110d的濁度高于25%，則電介質膜110c或110d的剝離強度可能提高，但是電介質膜110c或110d的透光率可能降低，因此降低了測試柔性膜110a或110b的電路圖案的效率。參照圖le，柔性膜100e包括電介質膜110e和三個金屬層，即第一、第二和第三金屬層120e、130e和140e。第一金屬層120e設置在電介質膜110e上，第二金屬層130e設置在第一金屬層120e上，而第三金屬層140e形成在第二金屬層130e上。參照圖lf，柔性膜100f包括電介質膜110f和六個金屬層兩個第一金屬層120f、兩個第二金屬層130f和兩個第三金屬層140f。兩個第一金屬層120f分別設置在電介質膜110f的頂表面和底表面上，兩個第二金屬層130f分布設置在各個第一金屬層120f上，兩個第三金屬層140f分布設置在各個第二金屬層130f上。第一金屬層120e或第一金屬層120f可以通過濺射或無電鍍形成，并且可以包括鎳、鉻、金或銅。更具體地，第一金屬層120e或第一金屬層120f可以采用鎳和鉻的合金通過濺射形成。特別是，第一金屬層120e或第一金屬層120f可以包括93-97。/。的鎳?？梢酝ㄟ^將電介質膜110e或110f浸在包含金屬離子的無電鍍溶液中、并向該無電鍍溶液添加還原劑以將金屬離子提取為金屬，利用無電鍍形成第一金屬層120e或第一金屬層120f。例如，可以通過將電介質膜110e或110f浸在硫酸銅溶液中，并向該硫酸銅溶液添加甲醛(HCHO)作為還原劑以從硫酸銅溶液中將銅離子提取為銅，從而形成第一金屬層120e或第一金屬層120f。替換的，可以通過將電介質膜110e或110f浸在硫酸鎳溶液中，并向該硫酸鎳溶液中添加次磷酸鈉(NaH2P02)作為還原劑以從硫酸鎳溶液中將鎳離子提取為鎳，從而形成第一金屬層120e或第一金屬層120f。第二金屬層130e或第二金屬層130f可以通過濺射形成。如果第一金屬層120e或第一金屬層120f由鎳和鉻的合金形成，則第二金屬層130e或第二金屬層130f可由具有低電阻的金屬例如銅形成，由此改善用于形成第三金屬層140e或第三金屬層140f的電鍍的效率。第三金屬層140e或第三金屬層140f可以通過電鍍形成，并且可以包括金或銅。更具體地說，第三金屬層140e或第三金屬層140f可以通過電鍍形成，所述電鍍包括向含有金屬離子的電鍍溶液施加龜流以及從而將金屬離子提取為金屬。第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e的厚度之和與電介質膜110e厚度的比率可以為1:3至1:10。第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e的厚度之和與電介質膜110e厚度的比率可以根據柔性膜100e的特性和剝離強度來確定。一旦形成了第三金屬層140e，則可以通過蝕刻第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e來形成電路圖案，并且可以在該電路圖案上形成粘合劑層。例如，第一金屬層120e可以形成為7-40nm的厚度，第二金屬層130e可以形成為80-300nm的厚度。第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e的厚度之和可以為4-13/mi,以便第三金屬層140e具有足夠的剝離強度以及向柔性膜100e提供足夠的柔性。這也能直接應用于雙面型的柔性膜。為了改善第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e相對于電介質膜100e的剝離強度，或者第一金屬層120f、第二金屬層130f和第三金屬層140f相對于電介質膜100f的剝離強度，電介質膜110e的表面115e或電介質膜110f的表面115f可以采用等離子體、離子束或堿性蝕刻改性以提供2-25%的濁度。如果電介質膜110e或110f的濁度低于2%，則電介質膜110e或110f的透光率可能提高，因此測試柔性膜110e或110f上的電路圖案的效率也可能提高。然而，表面115e或表面115f上的缺陷的數量可能減少，并且電介質膜110e或110f的剝離強度會下降。另一方面，如果電介質膜110e或110f的濁度高于25。/。，則電介質膜110e或110f的剝離強度可能提高，但是電介質膜110e或110f的透光率會降低，因此降低了測試柔性膜110e或110f的電路圖案的效率。圖2a和2b示出了根據本發(fā)明實施例的包括柔性膜210的帶載封裝(TCP)200的示意圖。參照圖2a，TCP200包括柔性膜210，形成在柔性膜210上的電路圖案220，以及設置在柔性膜210上并且與電路圖案220相連接的集成電路(IC)芯片230。柔性膜210包括電介質膜和形成在電介質膜上的金屬層。該電介質膜是柔性膜210的基膜，并且可以包括電介質聚合物材料例如聚酰亞胺、聚酯或液晶聚合物。該電介質膜必須具有相對于金屬層的優(yōu)異的剝離強度，以在柔性膜210與顯示設備的驅動單元或面板連接時提供足夠的柔性。為了改善電介質膜相對于金屬層的剝離強度，可以在電介質膜上形成金屬層之前使電介質膜的表面改性，從而在電介質膜的表面上產生缺陷。電介質膜的表面可以改性至該電介質膜具有2-25%濁度的程度。電介質膜的濁度可以根據ASTMD1003標準來測量。如果電介質膜的濁度低于2%，則該電介質膜相對于金屬層的剝離強度會劣化。另一方面，如果電介質膜的濁度高于25%，則該電介質膜的透光率可能降低，從而測試電路圖案220的效率可能降低。因此，電介質膜表面可以被改性以使得該電介質膜可以具有2-25%的濁度。根據JISC6471標準測試聚酰亞胺和液晶聚合物剝離強度的結果顯示，聚酰亞胺相對于金屬層具有0.3-0.9kN/m的剝離強度，而液晶聚合物相對于金屬層具有1.1kN/m的剝離強度。因此，電介質膜可以由液晶聚合物制成。金屬層可以包括形成在電介質膜上的第一金屬層，以及形成在第一金屬層上的第二金屬層。第一金屬層可以通過無電鍍或濺射形成，而第二金屬層可以通過電鍍形成。第一金屬層可以包括鎳、鉻、金或銅。更具體地，第一金屬層可以由高導電率的金屬例如金或銅形成，以改善用于形成第二金屬層的電鍍的效率。例如，第一金屬層可以由鎳和鉻的合金通過濺射形成。為了改善用于形成第二金屬層的電鍍的效率，可以在第一金屬層上另外形成銅層，從而提供具有三層結構的金屬層。.替換的，可以通過將電介質膜浸在基于硫酸銅的無電鍍溶液中，16并利用還原劑從基于硫酸銅的無電鍍溶液中將銅離子提取為銅，利用無電鍍來形成第一金屬層。甲醛系材料可以用作還原劑。再或者，可以通過將電介質膜浸在基于硫酸鎳的無電鍍溶液中并使用次磷酸鈉作為還原劑將鎳離子提取為鎳，從而由鎳形成第一金屬層?？梢酝ㄟ^向基于硫酸銅的電鍍溶液施加電流以將銅離子提取為銅，來形成第二金屬層。第二金屬層的厚度可以根據所施加的電流量來確定。一旦形成了第二金屬層，則通過蝕刻第一和第二金屬層來形成電路圖案220。電路圖案220包括與IC芯片230相連接的內引線220a，和與顯示設備的驅動單元或面板相連接的外引線220b。電路圖案220的節(jié)距可以根據包括該TCP200的顯示設備的分辨率而改變。內引線220a可以具有大約40/mi的節(jié)距，而外引線220b可以具有大約60/im的節(jié)距。圖2b示出了沿圖2a的線2-2'的剖視圖。參照圖2b，TCP200包括柔性膜210、IC芯片230、以及連接柔性膜210和IC芯片230的金凸塊(bump)240。柔性膜210可以包括電介質膜212和形成在電介質膜212上的金屬層214。電介質膜212是柔性膜210的基膜并且可以包括電介質聚合物材料，例如聚酰亞胺、聚酯、或液晶聚合物。電介質膜212的表面可以被改性以便電介質膜212具有相對于金屬層214的足夠的剝離強度，并改善測試電路圖案220的效率。更具體地，電介質膜212可以由聚酰亞胺或液晶聚合物形成，電介質膜的表面可以被改性以提供2-25%的濁度。金屬層214是由導電材料例如鎳、鉻、金或銅形成的薄層。金屬層214可以具有包括第一和第二金屬層的雙層結構。第一金屬層可以由鎳、金、鉻或銅通過無電鍍形成，而第二金屬層可以由金或銅通過電鍍形成。為了改善用于形成第二金屬層的電鍍的效率，第一金屬層可以由鎳或者銅形成。IC芯片230設置在柔性膜210上并與通過蝕刻金屬層214而形成的電路圖案220連接。柔性膜210包括器件孔250，其形成在其中放置IC芯片230的區(qū)域中。在形成器件孔250之后，在與IC芯片230相連接的電路圖案220上形成飛線(flyinglead)，IC芯片230上的金凸塊與飛線相連接，從而完成TCP200的形成。飛線可以鍍錫?？梢酝ㄟ^加熱或施加超聲波而在鍍錫的飛線和金凸塊240之間形成金-錫鍵合。圖3a和3b示出了根據本發(fā)明實施例的包括柔性藤310的膜上芯片(COF)300的示意圖。參照圖3a，COF300包括柔性膜310、形成在柔性膜310上的電路圖案320，和附著在柔性膜310上并且與電路圖案320相連接的IC芯片330。柔性膜310可以包括電介質膜和形成在電介質膜上的金屬層。該電介質膜是柔性膜310的基膜，并且可以包括電介質材料例如聚酰亞胺、聚酯或液晶聚合物。該電介質膜必須具有相對于金屬層的優(yōu)異的剝離強度，以在柔性膜310與顯示設備的驅動單元或面板連接時提供足夠的柔性。為了改善電介質膜相對于金屬層的剝離強度，可以在電介質膜上形成金屬層之前將電介質膜的表面改性，從而在電介質膜的表面上產生缺陷。電介質膜的表面可以被改性至該電介質膜具有2-25%濁度的程度。電介質膜的濁度可以根據ASTMD1003標準來測量。如果電介質膜的濁度低于2%，則該電介質膜相對于金屬層的剝離強度會劣化。另一方面，如果電介質膜的濁度高于25%，則該電介質膜的透光率可能下降，從而測試電路圖案220的效率會降低。因此，電介質膜表面可以被改性以使得該電介質膜能夠具有2-25%的濁度。根據JISC6471標準測試聚酰亞胺和液晶聚合物剝離強度的結果顯示，聚酰亞胺相對于金屬層具有0.3-0.9kN/m的剝離強度，而液晶聚合物相對于金屬層具有1.1kN/m的剝離強度。因此，電介質膜可以由液晶聚合物形成。金屬層可以通過釆用濺射、無電鍍或電鍍在電介質膜上形成。電路圖案320通過蝕刻金屬層來形成。電路圖案320包括連接到IC芯片330的內引線320a，和連接到顯示設備的驅動單元或面板的外引線320b。外引線320b可以通過各向異性導電膜(ACF)與顯示設備的驅動單元或面板相連接。更具體地，外引線320b可以通過外引線接合(OLB)焊盤與顯示設備的驅動單元或面板連接，內引線320a可以通過內引線接合(ILB)焊盤與IC芯片330連接。可以通過將內引線320a鍍錫并向鍍錫的內引線320a施加熱量或超聲波從而在鍍錫的內引線320a和IC芯片330上的金凸塊之間產生金-錫鍵合，來連接IC芯片330和內引線320a。金屬層可以具有包括第一和第二金屬層的雙層結構。第一金屬層可以通過濺射或無電鍍形成，并且可以包括鎳鉻、金或銅。第二金屬層可以通過電鍍形成并且可以包括金或銅。為了改善用于形成第二金屬層的電鍍的效率，第一金屬層可以由具有低電阻的金屬例如銅或鎳來形成。圖3b示出了沿圖3a的線3-3'的剖視圖。參照圖3b，COF300包括柔性膜310，其包括電介質膜312以及形成在電介質膜312上的金屬層314:與金屬層314上的電路圖案320相連接的IC芯片330;以及連接IC芯片330和電路圖案320的金凸塊340。電介質膜312是柔性膜310的基膜，且可以包括電介質材料例如聚酰亞胺、聚酯、或液晶聚合物。為了改善電介質膜312相對于金屬層314的剝離強度，電介質膜312的表面可以采用離子束、等離子體或堿性蝕刻改性并因此可以包括缺陷。電介質膜312的表面可以改性使得該電介質膜312可以具有2-25%的濁度。金屬層314是由導電材料形成的薄層。金屬層314可以包括形成在電介質膜312上的第一金屬層，和形成在第一金屬層上的第二金屬層。第一金屬層可以通過濺射或無電鍍形成，并且可以包括鎳、鉻、金或銅。第二金屬層可以通過電鍍形成并且可以包括金或銅。第一金屬層可以通過濺射由鎳和鉻的合金形成。替換的，第一金屬層可以通過無電鍍由銅形成。當采用鎳和鉻的合金時，第一金屬層可以形成為大約30nm的厚度。當采用銅時，第一金屬層可以形成為0.1/mi的厚度。可以通過將電介質膜312浸在含有金屬離子的無電鍍溶液中，并向該無電鍍溶液添加還原劑以將金屬離子提取為金屬，從而通過無電鍍形成第一金屬層?？梢酝ㄟ^調節(jié)將電介質膜312浸在無電鍍溶液中的時間量來改變第一金屬層的厚度。第二金屬層可以通過電鍍形成，所述電鍍包括向電鍍溶液施加電流并將包含在電鍍溶液中的金屬離子提取為金屬。第二金屬層的厚度可以根據所施加的電流強度以及施加電流的持續(xù)時間來確定。第一和第二金屬層的厚度之和可以是4-13/mi。IC芯片330與電路圖案320的內引線320a相連接，并將顯示設備的驅動單元所提供的圖像信號傳輸給顯示設備的面板。內引線320a的節(jié)距可以根據與COF300相連接的顯示設備的分辨率而改變。內引線320a可以具有大約30pin的節(jié)距。IC芯片330可以通過金凸塊340與內引線320a相連接。參照圖3b，不同于TCP200,COF300不具有任何器件孔250。因此，COF300不需要使用飛線，且因此能實現精細節(jié)距。此外，COF300是非常柔韌的，因此不需要為了使COF300變柔韌而額外在COF300中形成縫。因此，COF300的制造效率能夠得到提高。例如，可以在TCP200上形成具有大約40]tmi節(jié)距的引線，而可以在COF300上形成具有大約30/mi的引線。因此，COF300適于用在具有高分辨率的顯示設備中。圖4示出了根據本發(fā)明實施例的顯示設備的示意圖。參照圖4，根據本發(fā)明實施例的顯示設備400可以包括顯示圖像的面板410,將圖像信號施加給面板410的驅動單元420和430，連接面板410以及驅動單元420和430的柔性膜440,和用于將柔性膜附著于面板410以及驅動單元420和430的導電膜450。該顯示設備400可以是平板顯示器(FPD)，例如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)或有機發(fā)光器件(OLED)。面板410包括用于顯示圖像的多個像素。多個電極可以設置在該面板410上，并且可以與驅動單元420和430相連接。像素設置在電極的交叉處。更具體地，所述電極包括多個第一電極410a，以及與第一電極410a交叉的多個第二電極410b。第一電極410a可以在行方向形成，而第二電極410b可以在列方向形成。驅動單元420和430可以包括掃描驅動器420和數據驅動器430。掃描驅動器420可以與第一電極410a相連接，數據驅動器430可以與第二電極410b相連接。掃描驅動器420向每個第一電極410a施加掃描信號，從而使得數據驅動器430能夠向每個第二電極410b傳輸數據信號。當掃描驅動器21420向每個第一電極410a施加掃描信號時，可以將數據信號施加到第一電極410a，能根據由數據驅動器430傳輸來的數據信號在面板400上顯示圖像。由掃描驅動器420和數據驅動器430傳輸的信號可以通過柔性膜440施加到面板400。柔性膜440可以具有印制在其上的電路圖案。每個柔性膜440可以包括電介質膜、形成在電介質膜上的金屬層、以及與印制在金屬層上的電路圖案相連接的IC。由驅動單元420和430施加的圖像信號可以通過每個柔性膜440的電路圖案和IC被傳輸給面板410上的第一電極410a和第二電極410b。柔性膜440可以通過導電膜450連接到面板410以及連接到驅動單元420和430。導電膜450是粘性薄膜。導電膜450可以設置在面板410和柔性膜440之間，驅動單元420和430與柔性膜440之間。導電膜450可以是各向異性導電膜(ACF)。圖5是圖4中的顯示設備沿線A-A'的剖視圖。參考圖5，顯示設備500包括顯示圖像的面板510，向面板510施加圖像信號的數據驅動器530，與數據驅動器530以及面板510相連接的柔性膜540,以及將柔性膜540電連接至數據驅動器530和面板510的導電膜550。根據本發(fā)明的該實施例，顯示設備500還可以包括密封住與導電膜550接觸的柔性膜540的部分的樹脂560。樹脂560可以包括絕緣材料，并用于防止可能被引入至柔性膜540與導電膜550接觸的部分中的雜質，從而防止與面板5110和數據驅動器530連接的柔性膜540的信號線的損壞，并延長壽命。盡管未示出，但是面板510可以包括在水平方向設置的多個掃描電極和跨掃描電極設置的多個數據電極。在A-A'方向設置的數據電極經由導電膜550與柔性膜540相連接，如圖5所示，以接收從數據驅動器530施加的圖像信號，從而顯示相應的圖像。數據驅動器530包括形成在基板530a上的驅動IC530b，和用于保護驅動IC530b的保護樹脂530c。保護樹脂530c可以由具有絕緣特性的材料形成，并且保護形成在基板530a上的電路圖案(未示出)和驅動IC530b免于受可能從外部引入的雜質的影響。驅動IC530b根據從顯示設備500的控制器(未示出)傳輸的控制信號，經由柔性膜540向面板510施加圖像信號。設置在面板510和數據驅動器530之間的柔性膜540包括聚酰亞胺膜540a，設置在聚酰亞胺膜540a上的金屬膜540b，與印制在金屬膜540b上的電路圖案相連接的IC540c，以及密封住該電路圖案和IC540c的樹脂保護層540d。圖6示出了根據本發(fā)明實施例的顯示設備的示意圖。當柔性膜640通過導電膜650附著于面板610以及驅動單元620和630時，與導電膜650附著的柔性膜640能用樹脂660密封。參照圖6，因為柔性膜640附著于導電膜650的部分能用樹脂660密封，所以能夠阻止從外部引入的雜質。盡管已經參考其示例性實施例具體示出和說明了本發(fā)明，但是本領域普通技術人員應當明白，其中可以進行各種形式和細節(jié)上的變化而不背離本發(fā)明由以下的權利要求所限定的精神和范圍。權利要求1.一種柔性膜，包括電介質膜；和設置在該電介質膜上的金屬層，其中，所述電介質膜的濁度約為2-25％。2.如權利要求l所述的柔性膜，其中，所述電介質膜包括聚酰亞胺、聚酯和液晶聚合物中的至少一種。3.如權利要求l所述的柔性膜，其中，所述金屬層包括鎳、鉻、金和銅中的至少一種。4.如權利要求l所述的柔性膜，其中，所述金屬層包括設置在所述電介質膜上的第一金屬層；和設置在所述第一金屬層上的第二金屬層。5.如權利要求l所述的柔性膜，其中，所述金屬層的厚度與電介質膜的厚度之比約為1:1.5至1:10。6.如權利要求l所述的柔性膜，其中，所述電介質膜的表面被改性。7.—種柔性膜，包括電介質膜；金屬層，其設置在該電介質膜上，并且包括形成在其上的電路圖案；禾口設置在該金屬層上的集成電路(IC)芯片，其中，所述電介質膜的濁度約為2-25%，并且所述IC芯片與所述電路圖案相連接。8.如權利要求7所述的柔性膜，其中，所述電介質膜包括聚酰亞胺、聚酯和液晶聚合物中的至少一種。9.如權利要求7所述的柔性膜，進一步包括設置在其中設置所述IC芯片的區(qū)域中的器件孔。10.如權利要求7所述的柔性膜，進一步包括金凸塊，通過該金凸塊所述IC芯片與所述電路圖案相連接。11.如權利要求7所述的柔性膜，其中，所述金屬層包括設置在所述電介質膜上的第一金屬層和設置在所述第一金屬層上的第二金屬層。12.如權利要求7所述的柔性膜，其中，所述金屬層的厚度與電介質膜的厚度之比約為1:1.5至1:10。13.如權利要求7所述的柔性膜，其中，所述金屬層包括鎳、鉻、金和銅中的至少一種。14.如權利要求7所述的柔性膜，其中，所述電介質膜的表面被改性。15.—種顯示設備，包括面板；驅動單元；和柔性膜，其設置在面板和驅動單元之間，該柔性膜包括電介質膜、設置在該電介質膜上并且包括形成在其上的電路圖案的金屬層、以及設置在金屬層上的IC芯片，其中，所述電介質膜的濁度約為2-25%,并且所述IC芯片與所述電路圖案相連接。16.如權利要求15所述的顯示設備，其中，所述電介質膜的表面被改性。17.如權利要求15所述的顯示設備，其中，所述面板包括第一電極；和與第一電極交叉的第二電極，其中，所述第一電極和第二電極與所述電路圖案相連接。18.如權利要求15所述的顯示設備，進一步包括導電膜，其將所述面板和驅動單元中的至少一個與所述柔性膜相連接。19.如權利要求18所述的顯示設備，其中，所述導電膜是各向異性導電膜(ACF)。20.如權利要求15所述的顯示設備，進一步包括樹脂，其密封住與所述導電膜接觸的所述柔性膜的部分。全文摘要本發(fā)明提供一種柔性膜。該柔性膜包括電介質膜，形成在電介質膜上的第一金屬層，和形成在第一金屬層上的第二金屬層，其中，所述電介質膜的表面被改性以提供2-25％的濁度。因此，能夠改善電介質膜相對于金屬層的剝離強度，并且便于柔性膜上的電路圖案的測試。文檔編號G02F1/13GK101470281SQ200810099959公開日2009年7月1日申請日期2008年5月29日優(yōu)先權日2007年12月27日發(fā)明者張祐赫,李相坤,金大成申請人:Lg電子株式會社