專利名稱：：柔性膜和包括該柔性膜的顯示設(shè)備的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
：本發(fā)明涉及柔性膜，更具體地說，涉及一種柔性膜，其包括具有3-25ppm/。C熱膨脹系數(shù)的電介質(zhì)膜和形成在該電介質(zhì)膜上的金屬層，從而具有優(yōu)異的耐熱性、優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性和優(yōu)異的拉伸強(qiáng)度。
背景技術(shù)：
：隨著近來在平板顯示技術(shù)中的改進(jìn)，已經(jīng)開發(fā)出了多種類型的平板顯示設(shè)備，例如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)以及有機(jī)發(fā)光二極管(OLED)。平板顯示設(shè)備包括驅(qū)動單元和面板，并且通過將圖像信號從驅(qū)動單元傳輸給包括在面板內(nèi)的多個電極來顯示圖像。印刷電路板(PCB)可用作平板顯示設(shè)備的驅(qū)動單元。即，PCB可向包括在面板內(nèi)的多個電極施加圖像信號，從而使得面板能夠顯示圖像。平板顯示設(shè)備的驅(qū)動單元可以利用玻璃上芯片(chip-on-glass，COG)方法將圖像信號傳輸給面板的多個電極。
發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明提供一種柔性膜，其包括具有3-25ppm/匸熱膨脹系數(shù)的電介質(zhì)膜、和設(shè)置在該電介質(zhì)膜上的金屬層，從而具有優(yōu)異的耐熱性、優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性和優(yōu)異的拉伸強(qiáng)度。5根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種柔性膜，其包括電介質(zhì)膜；以及設(shè)置在該電介質(zhì)膜上的金屬層，其中電介質(zhì)膜具有大約3-25ppm/°C的熱膨脹系數(shù)。根據(jù)本發(fā)明的一個方面，提供一種柔性膜，其包括電介質(zhì)膜；設(shè)置在電介質(zhì)膜上并且包括在其上形成的電路圖案的金屬層；以及設(shè)置在該金屬層上的集成電路(IC)芯片，其中該電介質(zhì)膜具有3-25ppm/。C的熱膨脹系數(shù)，并且該IC芯片與所述電路圖案連接。根據(jù)本發(fā)明的另一個方面，提供一種顯示設(shè)備，其包括面板；驅(qū)動單元；和設(shè)置在面板與驅(qū)動單元之間的柔性膜，該柔性膜包括電介質(zhì)膜、設(shè)置在電介質(zhì)膜上并且包括在其上形成的電路圖案的金屬層，以及設(shè)置在該金屬層上的IC芯片，其中該電介質(zhì)膜具有3-25ppm/。C的熱膨脹系數(shù)，并且所述IC芯片與所述電路圖案連接。通過參考附圖對本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)描述，本發(fā)明的上述以及其它特點(diǎn)和優(yōu)點(diǎn)將變得更加明顯，在附圖中圖la-lf示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的柔性膜的剖視圖2a-2b示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括柔性膜的帶載封裝(TCP)的示意圖3a-3b示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括柔性膜的膜上芯片(COF)的示意圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意圖；圖5示出了圖4中顯示設(shè)備400的剖視圖；以及圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意圖。具體實(shí)施例方式以下，將參考附圖詳細(xì)描述本發(fā)明，在附圖中示出了本發(fā)明的示例性實(shí)施例。6圖la-lf分別示出了根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例的柔性膜100a-100f的剖視圖。參考圖la-lf，柔性膜100a-100f將由載帶自動接合(TAB)型顯示設(shè)備的驅(qū)動單元提供的圖像信號傳輸給該TAB型顯示設(shè)備的面板上的電極。更具體地，柔性膜100a-100f中的每一個都可以通過在電介質(zhì)膜上形成金屬層并在金屬層上印刷電路圖案來形成。因此，柔性膜100a-100f可以將由顯示設(shè)備的驅(qū)動單元提供的圖像信號傳輸給該顯示設(shè)備的面板。TAB型顯示設(shè)備中所使用的柔性膜的電路圖案可以與該TAB型顯示設(shè)備的驅(qū)動單元的電路連接，或者與該TAB型顯示設(shè)備的面板上的電極連接，從而可以將驅(qū)動單元施加的信號傳輸給面板。參考圖la，柔性膜100a包括電介質(zhì)膜110a和金屬層120a，該金屬層120a形成在電介質(zhì)膜110a上。參考圖lb，柔性膜100b包括電介質(zhì)膜110b和兩個金屬層120b，其分別形成在電介質(zhì)膜110b的頂表面和底表面上。電介質(zhì)膜110a或110b是柔性膜100a或100b的基膜，并且可以包括電介質(zhì)聚合物材料，例如聚酰亞胺、聚酯或液晶聚合物。電介質(zhì)膜110a或110b可以確定柔性膜100a或100b的物理特性，例如拉伸強(qiáng)度、體積電阻(volumeresistance)或熱縮性。因此，電介質(zhì)膜110a或110b可以由聚合物材料例如聚酰亞胺或液晶聚合物形成，從而提高柔性膜100a或懸的物理特性。電介質(zhì)膜110a或110b的熱膨脹系數(shù)是確定柔性膜100a或100b的耐熱性以及形成在柔性膜100a或100b上的電路圖案的尺寸穩(wěn)定性的最重要的因素之一。下面的表l示出了電介質(zhì)膜的熱膨脹系數(shù)與柔性膜的物理特性(例如電路圖案的尺寸穩(wěn)定性和剝離強(qiáng)度)之間的關(guān)系。表1<table>tableseeoriginaldocumentpage8</column></row><table>參考表l，電介質(zhì)膜110a或110b可以由具有2-25ppm/'C熱膨脹系數(shù)的材料來形成。如果電介質(zhì)膜110a或110b的熱膨脹系數(shù)大于25ppm/'C，則電介質(zhì)膜110a或110b可膨脹以致于柔性膜100a或100b上的電路圖案的尺寸穩(wěn)定性可能劣化。另一方面，如果電介質(zhì)膜110a或110b的熱膨脹系數(shù)小于3ppm/'C，則由于電介質(zhì)膜110a或110b的熱膨脹系數(shù)與金屬層120a或金屬層120b的熱膨脹系數(shù)之間的差異，電介質(zhì)膜110a或110b相對于具有13-20ppm/。C熱膨脹系數(shù)的金屬層120a或金屬層120b的剝離強(qiáng)度可能劣化。電介質(zhì)膜110a或110b可以由具有3-25ppm廠C熱膨脹系數(shù)的聚合物材料來形成。更具體地，電介質(zhì)膜110a或110b可以由在100-190'C溫度下具有約20ppm/'C熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺形成。能用于形成電介質(zhì)膜110a或110b的液晶聚合物，可以是對羥基苯甲酸(p-hydroxybenzoicacid,HBA)禾B6-羥基-2-萘甲酸(6-hydroxy-2-naphthoicacid,HNA)的組合。HBA是具有一個苯環(huán)的羥基苯甲酸的異構(gòu)體，并且是無色的固態(tài)晶體。HNA具有兩個苯環(huán)。HBA可以由式1表示<formula>formulaseeoriginaldocumentpage9</formula>在液晶聚合物形成期間，HNA的羧基(-OH)與HBA的乙酸基團(tuán)(CH3CHO)鍵合，從而形成乙酸(CH3COOH)。這種脫乙酰反應(yīng)可以通過在大約20(TC溫度下加熱HNA和HBA的混合物來產(chǎn)生。通過HBA和HNA的連續(xù)鍵合獲得的液晶聚合物，具有優(yōu)異的熱穩(wěn)定性和優(yōu)異的吸濕性。由在100-190'C溫度下的熱力學(xué)分析(TMA)所獲得的熱膨脹系數(shù)測量顯示，液晶聚合物具有18ppmTC的熱膨脹系數(shù)。因此，如果柔性膜110a或110b由液晶聚合物形成，則柔性膜100a或100b可以具有優(yōu)異的耐熱性。電路圖案可以通過對金屬層120a或金屬層120b進(jìn)行蝕刻來形成。為了保護(hù)電路圖案，可以在金屬層120a或金屬層120b上形成保護(hù)膜。保護(hù)膜可以包括能保護(hù)電路圖案的電介質(zhì)膜。例如，保護(hù)膜可以包括聚對苯二甲酸乙二醇酯(PET)。粘合劑層可以用于將保護(hù)膜附著在金屬層120a或金屬層120b上。粘合劑層可以包括環(huán)氧樹脂，并且可以形成為2-10/mi的厚度。如果粘合劑層具有小于2/mi的厚度，則在柔性膜100a或100b的運(yùn)輸和儲存期間，保護(hù)膜可能容易從柔性膜100a或100b脫離。如果粘合劑層具有大于10/xm的厚度，則柔性膜100a或100b的制造成本以及制造柔性膜100a或100b所需的時間可能增加，并且很難去除保護(hù)膜。金屬層120a或金屬層120b可以通過流延(casting)或?qū)訅憾”〉匦纬?。更具體地，金屬層120a或金屬層120b可以通過在金屬膜上施加液相電介質(zhì)膜，并在高溫下于烘箱中干燥并硬化該金屬膜，從而流延形成。替換的，柔性膜100a或100b可以通過在電介質(zhì)膜110a或110b上施加粘合劑，烘焙該電介質(zhì)膜110a或110b以將粘合劑固定在電介質(zhì)膜110a或110b上，將金屬層120a或金屬層120b放置在電介質(zhì)膜110a或110b上，并在金屬層120a或金屬層120b上進(jìn)行加壓處理，從而層壓形成。金屬層120a或金屬層120b可以包括鎳、銅、金或鉻，尤其是鎳和鉻的合金。更具體地，金屬層120a或金屬層120b可以由97:3的含量比的鎳和鉻的合金形成，或者由93:7的含量比的鎳和鉻的合金、形成。如果金屬層120a或金屬層120b由鎳和鉻的合金形成，則柔性膜100a或100b的耐熱性可以增加?？紤]到柔性膜100a或100b的剝離強(qiáng)度和特性，金屬層120a或金屬層120b可以形成為4-13/mi的厚度。一旦形成了金屬層120a或金屬層120b，則通過對金屬層120a或金屬層120b進(jìn)行蝕刻形成電路圖案，并在該電路圖案上形成粘合劑層。粘合劑層有助于用以將電路圖案連接至電極或集成電路(IC)芯片的焊接。粘合劑層可以包括錫。當(dāng)粘合劑層由具有300'C或更低的熔點(diǎn)的錫形成時，與粘合劑層由具有300'C或更高的熔點(diǎn)的鉛形成時相比，電路圖案與電極或IC芯片的接合可以更加容易。參考圖lc,柔性膜100c包括電介質(zhì)膜110c和兩個金屬層，即第一金屬層120c和第二金屬層130c。第一金屬層120c設(shè)置在電介質(zhì)膜110c上，而第二金屬層130c設(shè)置在第一金屬層120c上。參考圖ld，柔性膜100d包括電介質(zhì)膜110c和四個金屬層，即兩個第一金屬層120d和兩個第二金屬層130d。兩個第一金屬層120d分別設(shè)置在電介質(zhì)膜110d的頂表面和底表面上，兩個第二金屬層130d分別設(shè)置在各第一金屬層120d上。第一金屬層120c或第一金屬層120d可以通過濺射或無電鍍形成，并且可以包括鎳、鉻、金或銅。更具體地，第一金屬層120c或第一金屬層120d可以使用鎳和鉻的合金濺射形成。特別是，第一金屬層120c或第一金屬層120d可以包括93-97%的鎳。可以通過將電介質(zhì)膜110c或110d浸在包含金屬離子的無電鍍?nèi)芤褐?，并向該無電鍍?nèi)芤禾砑舆€原劑以將金屬離子提取為金屬，無電鍍地形成第一金屬層120c或第一金屬層120d。例如，可以通過將電介質(zhì)膜110c或110d浸在硫酸銅溶液中，并向該硫酸銅溶液中添加甲醛(HCHO)作為還原劑以將銅離子從硫酸銅溶液中提取為銅，形成第一金屬層120c或第一金屬層120d。替換的，可以通過將電介質(zhì)膜110c或110d浸在硫酸鎳溶液中，并向該硫酸鎳溶液中添加次磷酸鈉(NaH2P02)11作為還原劑以將鎳離子從硫酸鎳溶液中提取為鎳，形成第一金屬層120c或第一金屬層120d。第二金屬層130c或第二金屬層130d可以包括金或銅。更具體地說，第二金屬層130c或第二金屬層130d可以通過電鍍形成，所述電鍍包括施加電流從而將金屬離子提取為金屬。在這種情況下，可以通過調(diào)節(jié)所施加的電流量以及施加電流的持續(xù)時間來改變第二金屬層130c或第二金屬層130d的厚度。下面的表2示出了當(dāng)電介質(zhì)層具有38/mi的厚度時，金屬層的厚度與電介質(zhì)層的厚度之比與柔性膜的特性之間的關(guān)系。表2<table>tableseeoriginaldocumentpage12</column></row><table>參考表2，可以進(jìn)行無電鍍或電鍍，使得第一金屬層120a和第二金屬層130a的厚度之和與電介質(zhì)膜110a的厚度比在1:1.5至1:10的范圍內(nèi)。如果第一金屬層120a和第二金屬層130a的厚度之和小于電介質(zhì)膜110a的厚度的十分之一，則第一金屬層120a和第二金屬層130a的剝離強(qiáng)度可能降低，從而第一金屬層120a和第二金屬層130a可能容易從電介質(zhì)膜110a脫離，或者第一金屬層120a和第二金屬層130a上的電路圖案的尺寸穩(wěn)定性可能劣化。另一方面，如果第一金屬層120a和第二金屬層130a的厚度之和大于電介質(zhì)膜110a的厚度的三分之二，則柔性膜100a的柔性可能劣化,或者進(jìn)行電鍍所需的時間可能增加，從而增加第一金屬層120a和第二金屬層130a被鍍液損壞的可能性。例如，當(dāng)電介質(zhì)膜110c具有35-38/mi厚度時，第一金屬層120a和第二金屬層130a的厚度之和可以為4-13Mm。更具體地，第一金屬層120c可以具有100nm的厚度，而第二金屬層130c可以具有9pm的厚度。這能直接應(yīng)用于雙側(cè)型柔性膜。參考圖le，柔性膜100e包括電介質(zhì)膜110e和三個金屬層，即第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e。第一金屬層120e設(shè)置在電介質(zhì)膜110e上，第二金屬層130e設(shè)置在第一金屬層120e上，并且第三金屬層140e形成在第二金屬層130e上。參考圖lf，柔性膜100f包括電介質(zhì)膜110f和六個金屬層兩個第一金屬層120f、兩個第二金屬層130f和兩個第三金屬層140f。兩個第一金屬層120f分別設(shè)置在電介質(zhì)膜110f的頂表面和底表面上，兩個第二金屬層130f分別設(shè)置在各第一金屬層120f上，并且兩個第三金屬層140f分別設(shè)置在各第二金屬層130f上。第一金屬層120e或第一金屬層120f可以通過濺射或無電鍍形成，并且可以包括鎳、鉻、金或銅。更具體地，第一金屬層120e或第一金屬層120f可使用鎳和鉻的合金濺射形成。特別是，第一金屬層120e或第一金屬層120f可以包括93-97%的鎳。可以通過將電介質(zhì)膜110e或llOf浸在包含金屬離子的無電鍍?nèi)芤褐?，并向該無電鍍?nèi)芤褐刑砑舆€原劑以將金屬離子提取為金屬，無電鍍地形成第一金屬層120e或第一金屬層120f。例如，可以通過將電介質(zhì)膜110e或110f浸在硫酸銅溶液中，并向該硫酸銅溶液中添加甲醛0HCHOM乍為還原劑以將銅離子從硫酸銅溶液中提取為銅，形成第一金屬層120e或第一金屬層120f。替換的，可以通過將電介質(zhì)膜110e或110f浸在硫酸鎳溶液中，并向該硫酸鎳溶液中添加次磷酸鈉(NaH2P02)作為還原劑以將鎳離子從硫酸鎳溶液中提取為鎳，形成第一金屬層120e或第一金屬層120f。第二金屬層130e或第二金屬層130f可以通過濺射形成。如果第一金屬層120e或第一金屬層120f由鎳和鉻的合金形成，則第二金屬層130e或第二金屬層130f可用由具有低電阻的金屬(例如銅)形成，由此提高用于形成第三金屬層140e或第三金屬層140f的電鍍的效率。第三金屬層140e或第三金屬層140f可以通過電鍍形成，并且可以包括金或銅。更具體地，第三金屬層140e或第三金屬層140f可以通過電鍍形成，所述電鍍包括向包含金屬離子的電鍍?nèi)芤菏┘与娏?，從而將金屬離子提取為金屬。第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e的厚度之和與電介質(zhì)膜110e的厚度比可以為1:3至1:10。第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e的厚度之和與電介質(zhì)膜110e的厚度比可以根據(jù)柔性膜100e的特性和剝離強(qiáng)度來確定。第一金屬層120e可用形成為7-40nm的厚度，第二金屬層130e可以形成為80-300nm的厚度，而第三金屬層140e可以形成為4-13/mi的厚度。在形成第三金屬層140e后，可以通過對第一金屬層120e、第二金屬層130e和第三金屬層140e進(jìn)行蝕刻來形成電路圖案。這能直接應(yīng)甩于雙側(cè)型的柔性膜。圖2a和2b示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括柔性膜210的帶載封裝(TCP)200的示意圖。參考圖2a，TCP200包括柔性膜210，形成在柔性膜210上的電路圖案220，以及設(shè)置在柔性膜210上并且與電路圖案220連接的集成電路(IC)芯片230。柔性膜210包括電介質(zhì)膜和形成在電介質(zhì)膜上的金屬層。該電介質(zhì)膜是柔性膜210的基膜，并且可以包括電介質(zhì)聚合物材料,例如聚酰亞胺、聚酯或液晶聚合物。因?yàn)殡娊橘|(zhì)膜相當(dāng)影響柔性膜210的物理特性，所以電介質(zhì)膜需要具有優(yōu)異的耐熱性、熱膨脹性以及尺寸穩(wěn)定性等特性。電介質(zhì)膜可以由具有3-25ppm/'C熱膨脹系數(shù)的材料形成。如果電介質(zhì)膜的熱膨脹系數(shù)小于3ppmTC，則因?yàn)殡娊橘|(zhì)膜的熱膨脹系數(shù)與金屬層的熱膨脹系數(shù)之間的差異，電介質(zhì)膜相對于柔性膜210的一個或多個金屬層的剝離強(qiáng)度可能劣化。另一方面，如果電介質(zhì)膜的熱膨脹系數(shù)大于25ppm/。C，則電介質(zhì)膜可能膨脹使得柔性膜210上的電路圖案的尺寸穩(wěn)定性劣化。綜上所述，電介質(zhì)膜可以由具有3-25ppm/。C熱膨脹系數(shù)的聚合物材料例如聚酰亞胺或液晶聚合物來形成。金屬層可以包括形成在電介質(zhì)膜上的第一金屬層，和形成在第一金屬層上的第二金屬層。第一金屬層可以通過無電鍍或?yàn)R射形成，第二金屬層可以通過電鍍形成。第一金屬層可以包括鎳、鉻、金或銅。更具體地，第一金屬層可以由高導(dǎo)電性的金屬(例如金或銅)形成，以提高用于形成第二金屬層的電鍍的效率。例如，第一金屬層可以由鎳和鉻的合金通過濺射形成。為了提高用于形成第二金屬層的電鍍的效率，可以在第一金屬層上附加地形成銅層。15替換的，可以通過將電介質(zhì)膜浸在基于硫酸銅的無電鍍?nèi)芤褐?，并利用還原劑將銅離子從基于硫酸銅的無電鍍?nèi)芤禾崛殂~，來無電鍍地形成第一金屬層。甲醛(HCHO)系材料可以用作還原劑。可以通過向基于硫酸銅的電鍍?nèi)芤菏┘与娏饕詫~離子提取為銅，來形成第二金屬層。第二金屬層的厚度可用根據(jù)所施加的電流量來確定。一旦形成第二金屬層，則通過對第一金屬層和第二金屬層進(jìn)行蝕刻來形成電路圖案220。假定鎳和鉻的合金通常具有13-17ppm/'C的熱膨脹系數(shù)，并且銅通常具有約17ppm〃C的熱膨脹系數(shù)，則電介質(zhì)膜可以由具有3-25ppm/'C、尤其是13-20ppm/。C熱膨脹系數(shù)的材料形成。例如，電介質(zhì)膜可以由具有15-17ppmrC熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺，或者具有18ppmrC熱膨脹系數(shù)的液晶聚合物來形成。電路圖案220包括與IC芯片230連接的內(nèi)引線220a，和與顯示設(shè)備的驅(qū)動單元或面板連接的外引線220b。電路圖案220的節(jié)距可以根據(jù)包括TCP200的顯示設(shè)備的分辨率而改變。內(nèi)引線220a可以具有大約40pm的節(jié)距，而外引線220b可以具有大約60/mi的節(jié)距。圖2b示出了圖2a沿線2-2'獲得的剖視圖。參考圖2b，TCP200包括柔性膜210、IC芯片230、以及連接柔性膜210和IC芯片230的金凸塊240。柔性膜210可以包括電介質(zhì)膜212和形成在電介質(zhì)膜212上的金屬層214。電介質(zhì)膜212是柔性膜210的基膜并且可以包括電介質(zhì)聚合物材料，例如聚酰亞胺、聚酯、或液晶聚合物。為了具有相對于金屬層214的足夠的剝離強(qiáng)度，電介質(zhì)膜212可以由具有3-25ppm/'C的熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺或液晶聚合物形成。16金屬層214是由導(dǎo)電金屬(例如鎳、鉻、金或銅)形成的薄層。金屬層214可以具有包括第一金屬層和第二金屬層的雙層結(jié)構(gòu)。第一金屬層可以由鎳、金、鉻或銅通過無電鍍形成，而第二金屬層可以由金或銅通過電鍍形成。為了提高用于形成第二金屬層的電鍍效率，第一金屬層可以由鎳或者銅形成。假定金屬(例如鎳或銅)通常具有13-17ppm/'C的熱膨脹系數(shù)，則電介質(zhì)膜212可以由具有15-17ppm廠C熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺，或具有1Sppm廠C熱膨脹系數(shù)的液晶聚合物形成，從而防止柔性膜210的可靠性的劣化而不管溫度變化。IC芯片230設(shè)置在柔性膜210上并與通過蝕刻金屬層214而形成的電路圖案220連接。柔性膜210包括器件孔250，該器件孔250形成在其中設(shè)置IC芯片230的區(qū)域中。在形成器件孔250之后，在與IC芯片230連接的電路圖案220上形成飛線，IC芯片230上的金凸塊240與飛線連接，從而完成TCP200的形成。飛線可以鍍錫。通過加熱或施加超聲波，可以在鍍錫的飛線和金凸塊240之間產(chǎn)生金-錫鍵合。圖3a和3b示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的包括柔性膜310的膜上芯片(COF)300的示意圖。參考圖3a，COF300包括柔性膜310、形成在柔性膜310上的電路圖案320，和附著在柔性膜310上并且與電路圖案320連接的IC芯片330。柔性膜310可以包括電介質(zhì)膜和形成在電介質(zhì)膜上的金屬層。該電介質(zhì)膜是柔性膜310的基膜，并且可以包括電介質(zhì)材料，例如聚酰亞胺、聚酯或液晶聚合物。因?yàn)殡娊橘|(zhì)膜相當(dāng)影響柔性膜310的物理特性，所以電介質(zhì)膜需要具有優(yōu)異的耐熱性、熱膨脹性以及尺寸穩(wěn)定性等特性。電介質(zhì)膜可以由具有3-25ppm/'C熱膨脹系數(shù)的材料形成。如果電介質(zhì)膜的熱膨脹系數(shù)小于3ppm/'C，則因?yàn)殡娊橘|(zhì)膜的熱膨脹系數(shù)與金屬層的熱膨脹系數(shù)之間的差異，電介質(zhì)膜相對于柔性膜310的一個或多個金屬層的剝離強(qiáng)度可能劣化。另一方面，如果電介質(zhì)膜的熱膨脹系數(shù)大于25ppm〃C，則電介質(zhì)膜可膨脹以致于柔性膜310上的電路圖案的尺寸穩(wěn)定性可能劣化。綜上所述，電介質(zhì)膜可以由具有3-25ppm/'C熱膨脹系數(shù)的聚合物材料來形成，例如聚酰亞胺或液晶聚合物。金屬層可以通過使用濺射、無電鍍或電鍍的方式形成在電介質(zhì)膜上。電路圖案320通過對金屬層進(jìn)行蝕刻來形成。電路圖案320包括連接lC芯片330的內(nèi)引線320a，和連接顯示設(shè)備的驅(qū)動單元或面板的外引線320b。外引線320b可以通過各向異性導(dǎo)電膜(ACF)與顯示設(shè)備的驅(qū)動單元或面板連接。更具體地，外引線320b可以通過外引線接合(OLB)焊盤與顯示設(shè)備的驅(qū)動單元或面板連接，內(nèi)引線320a可以通過內(nèi)引線接合(ILB)焊盤與IC芯片330連接?？梢酝ㄟ^對內(nèi)引線320a鍍錫并向鍍錫的內(nèi)引線320a加熱或施加超聲波以便在鍍錫的內(nèi)引線320a和IC芯片330上的金凸塊之間產(chǎn)生金-錫鍵合，連接IC芯片330和內(nèi)引線320a。金屬層可以具有包括第一金屬層和第二金屬層的雙層結(jié)構(gòu)。第一金屬層可以通過濺射或無電鍍形成，并且可用包括鎳、鉻、金或銅。第二金屬層可以通過電鍍形成并且可以包括金或銅。為了提高用于形成第二金屬層的電鍍的效率，第一金屬層可以由具有低電阻的金屬(例如銅或鎳)來形成。假定金屬，例如鎳、鎳和鉻的合金、或銅，通常具有13-17ppm/°C的熱膨脹系數(shù)，則作為柔性膜310的基膜的電介質(zhì)膜可以由具有15-17ppmrC熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺，或具有約18卯m/'C熱膨脹系數(shù)的液晶聚合物形成。圖3b示出了圖3a沿線3-3'獲得的剖視圖。參考圖3b，C^)F300包括柔性膜310，該柔性膜310包括電介質(zhì)膜312以及形成在電介質(zhì)膜312上的金屬層314;與金屬層314上的電路圖案320連接的IC芯片330;以及連接IC芯片330和電路圖案320的金凸塊340。電介質(zhì)膜312是柔性膜310的基膜，且可以包括電介質(zhì)材料，例如聚酰亞胺、聚酯、或液晶聚合物。假定金屬層314具有13-17ppm廠C的熱膨脹系數(shù)，則電介質(zhì)膜312可以由具有3-25ppm廠C熱膨脹系數(shù)的材料形成。如果電介質(zhì)膜312的熱膨脹系數(shù)與金屬層314的熱膨脹系數(shù)差異太大，則電介質(zhì)膜312相對于金屬層314的剝離強(qiáng)度可能由于溫度的變化而劣化。如果電介質(zhì)膜312的熱膨脹系數(shù)太高，則電路圖案320的尺寸穩(wěn)定性可能由于溫度變化而劣化。綜上所述，電介質(zhì)膜312可以由具有18ppm廠C熱膨脹系數(shù)的液晶聚合物，或者具有15-17ppm廠C熱膨脹系數(shù)的聚酰亞胺來形成。金屬層314是由導(dǎo)電金屬形成的薄層。金屬層314可以包括形成在電介質(zhì)膜312上的第一金屬層，和形成在第一金屬層上的第二金屬層。第一金屬層可以通過濺射或無電鍍形成，并且可以包括鎳、鉻、金或銅。第二金屬層可以通過電鍍形成并且可以包括金或銅。第一金屬層可以通過濺射由鎳和鉻的合金形成。替換的，第一金屬層可以通過無電鍍由銅形成。當(dāng)使用鎳和鉻的合金時，第一金屬層可以形成為約30nm的厚度。當(dāng)使用銅時，第一金屬層可以形成為0.1jum的厚度?？梢酝ㄟ^將電介質(zhì)膜312浸在包含金屬離子的無電鍍?nèi)芤褐?，并向該無電鍍?nèi)芤禾砑舆€原劑以將金屬離子提取為金屬，來無電鍍地形成第一金屬層?？梢酝ㄟ^調(diào)節(jié)電介質(zhì)膜312浸在無電鍍?nèi)芤褐械臅r間量來改變第一金屬層的厚度。，19第二金屬層可以通過電鍍形成，所述電鍍包括向電鍍?nèi)芤菏┘与娏鞑⑹沟脤陔婂內(nèi)芤褐械慕饘匐x子提取為金屬?？梢愿鶕?jù)所施加的電流強(qiáng)度以及施加電流的持續(xù)時間來確定第二金屬層的厚度。第二金屬層可以形成為4-13pm的厚度。IC芯片330與電路圖案320的內(nèi)引線320a連接，并將顯示設(shè)備的驅(qū)動單元所提供的圖像信號傳輸給顯示設(shè)備的面板。內(nèi)引線320a的節(jié)距可以根據(jù)與COF300連接的顯示設(shè)備的分辨率而改變。內(nèi)引線320a可以具有大約30/mi的節(jié)距。IC芯片330可以通過金凸塊340與內(nèi)引線320a連接。參考圖3b，不同于TCP200，COF300不具有任何器件孔250。rarrvp2rnT雷亜乂古田"K法Rffli+臺^中T[11瞎加始紫HRjj"u,v^vy丄國'i'rraxuvj^q，j=ltu化匕口d:t^"u'rfa>whaciojj-u/i，COF300是非常柔韌的，因此不需要為了使COF300柔韌而附加地在COF300中形成縫。因此，COF300的制造效率能夠得到提高。例如，可以在TCP200上形成具有大約40/mi節(jié)距的引線，而可以在COF300上形成具有大約30/mi的引線。因此，COF300適于用在具有高分辨率的顯示設(shè)備中。圖4示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意圖。參考圖4，根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備400可以包括顯示圖像的面板410，將圖像信號施加給面板410的驅(qū)動單元420和430，連接面板410以及驅(qū)動單元420和430的柔性膜440，和用于將柔性膜440附著到面板410以及驅(qū)動單元420和430上的導(dǎo)電膜450。該顯示設(shè)備400可以是平板顯示器(FPD)，例如液晶顯示器(LCD)、等離子顯示面板(PDP)或有機(jī)發(fā)光器件(OLED)。面板410包括用于顯示圖像的多個像素。多個電極可以布置在該面板410上，并且可以與驅(qū)動單元420和430連接。像素設(shè)置在電極間的交叉點(diǎn)處。更具體地，所述電極包括多個第一電極410a，以及與第一電極410a交叉的多個第二電極410b。第一電極410a可以沿行的方向形成，第二電極410b可以沿列的方向形成。驅(qū)動單元420和430可以包括掃描驅(qū)動器420和數(shù)據(jù)驅(qū)動器430。掃描驅(qū)動器420可以與第一電極410a連接，而數(shù)據(jù)驅(qū)動器430可以與第二電極410b連接。掃描驅(qū)動器420向每個第一電極410a施加掃描信號，從而使得數(shù)據(jù)驅(qū)動器430能向每個第二電極410b傳輸數(shù)據(jù)信號。當(dāng)掃描驅(qū)動器420向每個第一電極410a施加掃描信號時，可以將數(shù)據(jù)信號施加到第一電極410a，并且能夠根據(jù)由數(shù)據(jù)驅(qū)動器430傳輸?shù)臄?shù)據(jù)信號在面板400上顯示圖像。由掃描驅(qū)動器420和數(shù)據(jù)驅(qū)動器430傳輸?shù)男盘柨梢酝ㄟ^柔性膜440施加到面板400上。柔性膜440可以具有印刷在其上的電路圖案。每個柔性膜440可以包括電介質(zhì)膜、形成在電介質(zhì)膜上的金屬層、以及與印刷在金屬層上的電路圖案連接的IC。由驅(qū)動單元420和430施加的圖像信號可以通過每個柔性膜440的電路圖案和IC傳輸給面板410上的第一電極410a和第二電極410b。柔性膜440可以通過導(dǎo)電膜450與面板410以及與驅(qū)動單元420和430連接。導(dǎo)電膜450是粘性薄膜。導(dǎo)電膜450可以被設(shè)置在面板410與柔性膜440之間，驅(qū)動單元420和430與柔性膜440之間。導(dǎo)電膜450可以是各向異性導(dǎo)電膜(ACF)。圖5是圖4中的顯示設(shè)備沿線A-A'獲得的剖視圖。參考圖5，顯示設(shè)備500包括顯示圖像的面板510，向面板510施加圖像信號的數(shù)據(jù)驅(qū)動器530，與數(shù)據(jù)驅(qū)動器530以及面板510連接的柔性膜540，以及將柔性膜540電連接至數(shù)據(jù)驅(qū)動器530和面板510的導(dǎo)電膜550。根據(jù)本發(fā)明的實(shí)施例，顯示設(shè)備500可以進(jìn)一步包括樹脂560，該樹脂560密封與導(dǎo)電膜550的接觸的柔性膜540的部分。樹脂560可以包括絕緣材料，并用于防止可能被引入至柔性膜540與導(dǎo)電膜550接觸的部分中的雜質(zhì)，從而防止與面板510和數(shù)據(jù)驅(qū)動器530連接的柔性膜540的信號線的損壞，并延長壽命。盡管未示出，但是面板510可以包括沿水平方向設(shè)置的多個掃描電極，和跨掃描電極設(shè)置的多個數(shù)據(jù)電極。如圖5所示，沿A-A'方向設(shè)置的數(shù)據(jù)電極經(jīng)由導(dǎo)電膜550與柔性膜540連接，以接收從數(shù)據(jù)驅(qū)動器530施加的圖像信號，從而顯示對應(yīng)的圖像。數(shù)據(jù)驅(qū)動器530包括形成在基板530a上的驅(qū)動IC530b，和用于保護(hù)驅(qū)動IC530b的保護(hù)樹脂530c。保護(hù)樹脂530c可以由具有絕緣特性的材料形成，并且保護(hù)形成在基板530a上的電路圖案(未示出)和驅(qū)動IC530b免于受可能從外部引入的雜質(zhì)的影響。驅(qū)動IC530b根據(jù)顯示設(shè)備500的控制器(未示出)傳輸?shù)目刂菩盘?，?jīng)由柔性膜540向面板510施加圖像信號。設(shè)置在面板510和數(shù)據(jù)驅(qū)動器530之間的柔性膜540包括聚酰亞胺膜540a，設(shè)置在聚酰亞胺膜540a上的金屬膜540b，與印刷在金屬膜540b上的電路圖案連接的IC540c，以及密封該電路圖案和IC540c的樹脂保護(hù)層540d。圖6示出了根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意圖。當(dāng)柔性膜640通過導(dǎo)電膜650附著于面板610以及驅(qū)動單元620和630時，與導(dǎo)電膜650附著的柔性膜640能用樹脂660來密封。參考圖6e，因?yàn)楦街綄?dǎo)電膜650的柔性膜640的部分能用樹脂660來密封，所以可能阻止從外部引入的雜質(zhì)。盡管已經(jīng)參考本發(fā)明的示例性實(shí)施例具體示出和描述本發(fā)明，但是本領(lǐng)域普通技術(shù)人員應(yīng)當(dāng)明白，其中能夠在形式和細(xì)節(jié)上進(jìn)行多種改變而不背離由所附的權(quán)利要求限定的本發(fā)明的精神和范圍。權(quán)利要求1.一種柔性膜，包括電介質(zhì)膜；和設(shè)置在所述電介質(zhì)膜上的金屬層，其中，所述電介質(zhì)膜具有約3-25ppm/℃的熱膨脹系數(shù)。2.如權(quán)利要求l所述的柔性膜，其中，所述電介質(zhì)膜包括聚酰亞胺、聚酯和液晶聚合物中的至少一種。3.如權(quán)利要求l所述的柔性膜，其中，所述金屬層包括鎳、鉻、金和銅中的至少一種。4.如權(quán)利要求l所述的柔性膜，其中，所述金屬層包括設(shè)置在所述電介質(zhì)膜上的第一金屬層；和設(shè)置在所述第一金屬層上的第二金屬層。5.如權(quán)利要求l所述的柔性膜，其中，所述金屬層的厚度與所述電介質(zhì)膜的厚度之比為1:1.5至1:10。6.—種柔性膜，包括電介質(zhì)膜；金屬層，其設(shè)置在所述電介質(zhì)膜上，并且包括在其上形成的電路圖案；和設(shè)置在所述金屬層上的集成電路(IC)芯片，其中，所述電介質(zhì)膜具有3-25ppm/。C的熱膨脹系數(shù)，并且所述IC芯片連接到所述電路圖案。7.如權(quán)利要求6所述的柔性膜，其中，所述電介質(zhì)膜包括聚酰亞胺、聚酯和液晶聚合物中的至少一種。8.如權(quán)利要求6所述的柔性膜，成在其中設(shè)置所述IC芯片的區(qū)域中。9.如權(quán)利要求6所述的柔性膜，塊所述IC芯片連接到所述電路圖案。進(jìn)一步包括器件孔，該器件孔形進(jìn)一步包括金凸塊，通過該金凸10.如權(quán)利要求6所述的柔性膜，其中，所述金屬層包括設(shè)置在所述電介質(zhì)膜上的第一金屬層；和設(shè)置在所述第一金屬層上的第二金屬層。11.如權(quán)利要求6所述的柔性膜，其中，所述金屬層的厚度與所述電介質(zhì)膜的厚度之比為1:1.5至1:10。12.—種顯示設(shè)備，包括面板；驅(qū)動單元；和設(shè)置在所述面板和所述驅(qū)動單元之間的柔性膜，該柔性膜包括電介質(zhì)膜、設(shè)置在所述電介質(zhì)膜上并且包括在其上形成的電路圖案的金屬層、以及設(shè)置在所述金屬層上的IC芯片，其中，所述電介質(zhì)膜具有3-25ppm/。C的熱膨脹系數(shù)，并且所述IC芯片連接到所述電路圖案。13.如權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，其中，所述面板包括第一電極；和與所述第一電極交叉的第二電極，其中，所述第一電極和所述第二電極連接到所述電路圖案。14.如權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，其中，所述金屬層包括設(shè)置在所述電介質(zhì)膜上的第一金屬層；和設(shè)置在所述第一金屬層上的第二金屬層。15.如權(quán)利要求12所述的柔性膜，其中，所述金屬層的厚度與所述電介質(zhì)膜的厚度之比為1:1.5至1:10。16.如權(quán)利要求12所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括導(dǎo)電膜，該導(dǎo)電膜將所述面板和所述驅(qū)動單元中的至少一個連接到所述柔性膜。17.如權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，其中，所述導(dǎo)電膜是各向異性導(dǎo)電膜。18.如權(quán)利要求16所述的顯示設(shè)備，進(jìn)一步包括樹脂，該樹脂密封與所述導(dǎo)電膜接觸的所述柔性膜的部分。全文摘要本發(fā)明提供一種柔性膜。該柔性膜包括電介質(zhì)膜，設(shè)置在電介質(zhì)膜上的金屬層，其中，所述電介質(zhì)膜具有約3-25ppm/℃的熱膨脹系數(shù)。該柔性膜對于溫度變化是魯棒的，并且具有優(yōu)異的耐熱性和優(yōu)異的尺寸穩(wěn)定性。文檔編號G02F1/13GK101470278SQ20081009995公開日2009年7月1日申請日期2008年5月29日優(yōu)先權(quán)日2007年12月27日發(fā)明者張祐赫,李相坤,金大成申請人:Lg電子株式會社