專利名稱：顯示裝置及其制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明是有關(guān)于一種顯示裝置及其制造方法，且特別是有關(guān)于一種具有 多層結(jié)構(gòu)的導(dǎo)電層的顯示裝置及其制造方法。
背景技術(shù)：
隨著液晶顯示裝置制作技術(shù)快速的進(jìn)步，以及其具有重量輕、體積小、 低耗電量及低幅射線等優(yōu)點(diǎn)，使得液晶顯示器大量地被應(yīng)用于個(gè)人數(shù)字助理器(Personal Digital Assistant, PDA)、筆記型電腦、數(shù)字相機(jī)、移動(dòng)電話、 電腦熒屏及液晶電視等各式電子產(chǎn)品中。再加上業(yè)界積極地投入研發(fā)以及采 用大型化的生產(chǎn)設(shè)備，使液晶顯示器的品質(zhì)不斷提升，且價(jià)格亦持續(xù)下降， 因此使得液晶顯示器的應(yīng)用領(lǐng)域迅速地?cái)U(kuò)大。目前業(yè)界發(fā)展出一種超高開口率(Ultra-High Aperture, UHA)的液晶顯 示面板，用以提升液晶顯示面板的開口率與其顯示亮度。此種超高開口率的 技術(shù)是于像素電極與數(shù)據(jù)線之間增設(shè)一有機(jī)光刻膠層，藉以增加像素電極的 面積，達(dá)到提升液晶顯示面板的開口率及其顯示亮度的效果。請(qǐng)參照?qǐng)D1，其 是繪示應(yīng)用已知的超高開口率技術(shù)的顯示裝置的示意圖。顯示裝置100包括 基板IIO、下導(dǎo)電層120、絕緣層130、半導(dǎo)體層141、歐姆接觸層142、多層 式導(dǎo)電層150、保護(hù)層160、有機(jī)光刻膠層170以及透明導(dǎo)電層180。保護(hù)層 160是用以保護(hù)多層式導(dǎo)電層150，以避免多層式導(dǎo)電層150受到水氣侵蝕。 多層式導(dǎo)電層150—般包括上阻障層153、中間層152及下阻障層151。透明 導(dǎo)電層180的材質(zhì)可為銦錫氧化物(Indium Tin Oxide， ITO)。上阻障層253 的材質(zhì)可為氮化鉬(molybdenum nitride)，其能提升透明導(dǎo)電層180于多層 式導(dǎo)電層150的附著能力。在顯示裝置100的制造工藝中欲形成接觸窗(contactwindow) C時(shí)，首先需針對(duì)有機(jī)光刻膠層170進(jìn)行刻蝕，以暴露出保護(hù)層160， 并接著針對(duì)保護(hù)層160進(jìn)行刻蝕，以暴露出絕緣層130。接著，針對(duì)暴露出的 絕緣層130進(jìn)行刻蝕，以形成接觸窗C。然而，在針對(duì)暴露出的絕緣層130進(jìn)行刻蝕時(shí)，常常會(huì)同時(shí)刻蝕到下方 的多層式導(dǎo)電層150，特別是位于多層式導(dǎo)電層150上層的上阻障層153。如 此一來，將會(huì)導(dǎo)致在形成透明導(dǎo)電層180時(shí)，透明導(dǎo)電層180無法有效地附 著于多層式導(dǎo)電層150上，進(jìn)而導(dǎo)致透明導(dǎo)電層180與多層式導(dǎo)電層150的 間的電性接觸品質(zhì)劣化。為了避免前述上阻障層被刻蝕掉的問題，目前業(yè)界常用的解決方案有兩 種，其一為直接增加上阻障層的厚度，另一是將前述多層式導(dǎo)電層結(jié)構(gòu)改變 為雙層結(jié)構(gòu)。然而，增加上阻障層厚度的方式會(huì)增加制造成本。將多層式導(dǎo) 電層結(jié)構(gòu)改變?yōu)殡p層結(jié)構(gòu)時(shí)(亦即僅包括金屬層及下阻障層)，金屬層的材質(zhì)可 為鋁，下阻障層的材質(zhì)則可為鈦。當(dāng)針對(duì)保護(hù)層進(jìn)行刻蝕以暴露出多層式導(dǎo) 電層時(shí)，是直接暴露出鋁材質(zhì)的金屬層。然而，接著必須更進(jìn)一步針對(duì)金屬 層進(jìn)行刻蝕，以暴露出下方的下阻障層，使得透明導(dǎo)電層可經(jīng)由下阻障層附 著于多層式導(dǎo)電層。此種方式除了改變?cè)械亩鄬邮綄?dǎo)電層結(jié)構(gòu)外，同時(shí)還 須增加額外的制造工藝步驟，故難與原有的制造工藝相容，相對(duì)地亦增加了 制造工藝的成本及復(fù)雜度。發(fā)明內(nèi)容本發(fā)明是提供一種顯示裝置及其制造方法，其是利用透明電極層同時(shí)與 多層式導(dǎo)電層中的上阻障層及中間層接觸的方式，使得透明電極層可良好地 電性接觸于多層式導(dǎo)電層。此種方式具有不需增加制造工藝步驟，以及不需 改變材料層的厚度的優(yōu)點(diǎn)，除不會(huì)增加額外的成本外，亦可相容于傳統(tǒng)的制 造方法。根據(jù)本發(fā)明的一目的所提出的一種顯示裝置包括一基板、 一多層式導(dǎo)電層、 一有機(jī)光刻膠層以及一透明導(dǎo)電層。多層式導(dǎo)電層包括一下阻障層、一 中間層及一上阻障層。下阻障層設(shè)置于基板上，中間層設(shè)置于下阻障層上， 上阻障層設(shè)置于中間層上。有機(jī)光刻膠層設(shè)置于多層式導(dǎo)電層上。透明導(dǎo)電 層設(shè)置于有機(jī)光刻膠層上，且透明導(dǎo)電層接觸于上阻障層及中間層。根據(jù)本發(fā)明的另一目的所提出的一種顯示裝置的制造方法包含下列步 驟提供一基板；形成一多層式導(dǎo)電層于基板上，此多層式導(dǎo)電層包括依序 形成于基板上的一下阻障層、 一中間層及一上阻障層；形成一有機(jī)光刻膠層 于多層式導(dǎo)電層上；以及形成一透明導(dǎo)電層于有機(jī)光刻膠層上，且透明導(dǎo)電 層是與上阻障層及中間層接觸。為讓本發(fā)明的上述目的、特征和優(yōu)點(diǎn)能更明顯易懂，下文特舉數(shù)個(gè)較佳 實(shí)施例，并配合所附圖式，作詳細(xì)說明如下。


圖1繪示已知應(yīng)用超高開口率技術(shù)的顯示裝置的示意圖； 圖2A至圖2F分別繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的制造方法的 各步驟的示意圖；圖3是繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置的示意圖； 圖4是繪示圖3中對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件區(qū)域的第一開口處的俯視圖； 圖5是繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置的示意圖；以及 圖6是繪示圖5中對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件區(qū)域的第一開口處的俯視圖。附圖標(biāo)號(hào)100、 200、200':顯示裝置110、 210:基板130、 230:絕緣層150、 250:多層式導(dǎo)電層151、 251:下阻障層152、252:中間層153、253:上阻障層160、260:保護(hù)層170、270、270、有機(jī)光刻膠層180、280、280':透明導(dǎo)電層120、220:下導(dǎo)電層141、24h半導(dǎo)體層142、242:歐姆接觸層253a:第二.開口260a:第三:開口270a、270a':第一開口C:接觸窗Dl、 Dl':第一開口的直徑 D2:第二開口的直徑 D3:第三開口的直徑 Rl:半導(dǎo)體器件區(qū)域R2:信號(hào)輸入?yún)^(qū)域具體實(shí)施方式
依照本發(fā)明顯示裝置的制造方法的實(shí)施例，首先形成一多層式導(dǎo)電層于 一基板上，并形成一有機(jī)光刻膠層于多層式導(dǎo)電層上，再形成一透明導(dǎo)電層 于有機(jī)光刻膠層上。透明導(dǎo)電層是同時(shí)與多層式導(dǎo)電層中的上阻障層及中間 層接觸，使透明導(dǎo)電層可良好地附著且電性接觸于多層式導(dǎo)電層。依照本發(fā) 明顯示裝置的實(shí)施例，不需改變材料層的厚度，亦不需更動(dòng)多層式導(dǎo)電層的 結(jié)構(gòu)，故不會(huì)增加額外的成本，并可與傳統(tǒng)制造工藝相容。以下是提出第一 實(shí)施例及第二實(shí)施例進(jìn)行詳細(xì)說明，然此些實(shí)施例僅用以作為范例說明，并不會(huì)限定本發(fā)明欲保護(hù)的范圍。此外，實(shí)施例所對(duì)應(yīng)的圖式已省略不必要的 器件，藉以清楚顯示本發(fā)明的技術(shù)特點(diǎn)。 第一實(shí)施例-請(qǐng)參照?qǐng)D2A至圖2F，其是分別繪示依照本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置 的制造方法的各步驟的示意圖。本實(shí)施例的制造方法，首先如圖2A及2B所 示，提供一基板210，基板210可以區(qū)分為半導(dǎo)體器件區(qū)域R1及信號(hào)輸入?yún)^(qū) 域R2。接著，依序在基板210上形成下導(dǎo)電層220、絕緣層230、半導(dǎo)體層 241及歐姆接觸層242，其中半導(dǎo)體層241與歐姆接觸層242皆對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體 器件區(qū)域R1。然后，再于基板210上形成多層式導(dǎo)電層250，其亦對(duì)應(yīng)于半 導(dǎo)體器件區(qū)域R1。絕緣層230是覆蓋于基板210及下導(dǎo)電層220上，用以提 供保護(hù)下導(dǎo)電層220的作用。位于半導(dǎo)體體器件區(qū)域R1的下導(dǎo)電層220可當(dāng) 作薄膜晶體管(Thin-Film Transistor, TFT)的柵極(gate electrode)。半導(dǎo)體 層241實(shí)質(zhì)上覆蓋于半導(dǎo)體器件區(qū)域R1的絕緣層230上，用以提供帶電載子 (carrier)移動(dòng)的通道。歐姆接觸層242是覆蓋于部分的半導(dǎo)體層241上。多 層式導(dǎo)電層250包括依序形成于基板210上的下阻障層(lower barrier layer) 251、中間層(middle layer) 252及上阻障層(upper barrier layer) 253，并且實(shí)質(zhì)上亦對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件區(qū)域Rl內(nèi)。以較佳的實(shí)施方式而言，下阻障層 251及上阻障層253的材質(zhì)包括鉬(molybdenum)、鈮(niobium)、鉬鈮 合金(molybdenum niobium)、氮化鉬(molybdenum nitride)、鈦(titanium)、 氮化鈦(titaniumnitride)、鉭(tantalum)、鉻(chromium)或前述木才質(zhì)的組 合，但并不以此為限。下阻障層251及上阻障層253是用以提供中間層252 與相鄰材料層之間的良好附著性，減緩中間層252的材料擴(kuò)散至相鄰的材料 層，以避免相鄰的材料層發(fā)生合金化的現(xiàn)象，以及中間層252與相鄰材料層 的間電性連接品質(zhì)劣化的問題。以較佳的實(shí)施方式而言，中間層252的材質(zhì) 包J舌牽呂(aluminum) 、 l女(neodymium)及鉛韋女合金(aluminumneodymium)， 但并不以此為限。多層式導(dǎo)電層250可當(dāng)作薄膜晶體管的源極(sourceelectrode)及漏極(drain dlectrode)。以較佳的實(shí)施方式而言，多層式導(dǎo)電層 250是暴露出一部分的半導(dǎo)體層241及歐姆接觸層242，特別是位于源極與漏 極的間的區(qū)域，但并不以此為限。接下來，如圖2C所示，形成保護(hù)層260及有機(jī)光刻膠層270。有機(jī)光刻 膠層270是覆蓋于多層式導(dǎo)電層250上，保護(hù)層260則形成于有機(jī)光刻膠層 270及多層式導(dǎo)電層250之間。本實(shí)施例中，以較佳的實(shí)施方式而言，保護(hù)層 260的材質(zhì)為氮化硅(SiNx)、氧化硅(SiOy)或氮氧化硅(SiNxOy)，用以 提供保護(hù)多層式導(dǎo)電層250的作用，但并不以前述材質(zhì)為限。再來，如圖2D所示，針對(duì)有機(jī)光刻膠層270進(jìn)行刻蝕，以于有機(jī)光刻膠 層270上形成至少一第一開口 270a。第一開口 270a是暴露出一部分的保護(hù)層 260。在本實(shí)施例中，以較佳的實(shí)施方式而言，第一并口 270a共有兩個(gè)，其 分別于對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體器件區(qū)域R1及對(duì)應(yīng)于信號(hào)輸入?yún)^(qū)域R2，但并不以此為限。接著，如圖2E所示，針對(duì)暴露出第一開口 270a的保護(hù)層260進(jìn)行刻蝕， 以于保護(hù)層260上形成至少一第三開口 260a。第三開口 260a的位置及形狀是 對(duì)應(yīng)于第一開口 270a的位置及形狀，且第三開口 260a實(shí)質(zhì)上略小于第一開口 270a。在本實(shí)施例中，以較佳的實(shí)施方式而言，第三開口 260a共有兩個(gè)，對(duì) 應(yīng)于半導(dǎo)體器件區(qū)域Ri中的第三開口 260a，其是暴露出部分的上阻障層253， 而對(duì)應(yīng)于信號(hào)輸入?yún)^(qū)域R2的第三開口 260a，則是暴露出部分的絕緣層230， 但并不以此為限。其次，如圖2F所示，在信號(hào)輸入?yún)^(qū)R2中，針對(duì)由第一開口 270a及第三 開口 260a所暴露的絕緣層230進(jìn)行刻蝕，以于絕緣層230上形成一接觸窗 (contact window) C，并且在半導(dǎo)體器件區(qū)Rl中，針對(duì)由第一開口 270a及 第三開口 260a所暴露的上阻障層253進(jìn)行刻蝕，以于上阻障層253形成一第 二開口 253a。第二開口 253a是對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件區(qū)域Rl內(nèi)的第一開口 270a 的位置，且第一開口 270a實(shí)質(zhì)上略大于第二開口 253a，且第二開口 253a亦 暴露出中間層252。此外，在本實(shí)施例中，以較佳的實(shí)施方式而言，前述針對(duì)上阻障層253進(jìn)行刻蝕的步驟，是于實(shí)質(zhì)上小于等于150 mTorrs的操作壓力 下，利用等離子體刻蝕的方式進(jìn)行，但并不以此為限。另外，接觸窗C是對(duì) 應(yīng)位于信號(hào)輸入?yún)^(qū)R2的下電極層220處。然后，形成一透明導(dǎo)電層280于有機(jī)光刻膠層270上，以完成依照本發(fā) 明第一實(shí)施例的顯示裝置。請(qǐng)參照?qǐng)D3，其繪示依照本發(fā)明顯示裝置的第一實(shí) 施例的示意圖。如圖3所示，透明導(dǎo)電層280是接觸于上阻障層253及中間 層252。更詳細(xì)地來說，透明導(dǎo)電層280是經(jīng)由第一開口 270a及第三開口 260a 而與上阻障層253接觸，并且經(jīng)由第一開口 270a、第二開口 260a及第三開口 253a而與中間層252接觸。請(qǐng)參照?qǐng)D4，其是繪示圖3中對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件區(qū)域R1的第一開口 270a 處的俯視圖。在本實(shí)施例中，以較佳的實(shí)施方式而言，第一開口 270a、第二 開口 253a及第三開口 260a是圓形，且第一開口 270a、第二開口 253a及第三 開口 260a是形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)，但并不以此為限。實(shí)際應(yīng)用上，在各個(gè)幵口的尺 寸設(shè)計(jì)上，以較佳的實(shí)施方式而言，第一開口 270a之一直徑Dl大致介于9.5 至10.5微米之間，第二開口 253a的一直徑D2大致介于7.5至8.5微米之間， 第三開口 260a的一直徑D3則界于Dl與D2之間，但并不以此為限。另外， 在上阻障層253與第一開口 270a間的相對(duì)關(guān)系上，以較佳的實(shí)施方式而言， 上阻障層253大致凸出于第一開口 270a的一邊緣0.3至2.0微米之間，使上 阻障層253具有足夠的面積以有效地與透明導(dǎo)電層280接觸，但并不以此為 限。另外，顯示裝置200可包括一對(duì)向基板、 一液晶層(liquid crystal layer) 及一背光模塊(backlight module)。對(duì)向基板是設(shè)置于基板210的一側(cè)，液 晶層則設(shè)置于基板210與對(duì)向基板之間?；?10、對(duì)向基板及液晶層是構(gòu)成 一液晶顯示面板(liquid crystal display panel)。背光模塊是設(shè)置于纟夜晶顯示面 板的另一側(cè)，用以提供液晶顯示面板所需的背光源。上述依照本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示裝置及其制造方法，是于針對(duì)有機(jī)光刻膠層270及保護(hù)層260進(jìn)行刻蝕之后，再針對(duì)信號(hào)輸入?yún)^(qū)域R2的絕緣層 230進(jìn)行刻蝕，并同時(shí)針對(duì)半導(dǎo)體器件區(qū)域R1的上阻障層253進(jìn)行刻蝕，以 形成第二開口 253a，并藉以暴露出部分的中間層252。由于第一開口 270a實(shí) 質(zhì)上略大于第二開口 253a，使得透明導(dǎo)電層280可以同時(shí)接觸于上阻障層253 及中間層252。如此一來，在不需增加上阻障層253的厚度條件下，透明導(dǎo)電 層280仍可接觸于上阻障層253，并藉以附著于多層式導(dǎo)電層250，以達(dá)到節(jié) 省成本的目的。另外，本實(shí)施例是應(yīng)用傳統(tǒng)的三層結(jié)構(gòu)的多層式導(dǎo)電層250， 并不需新增制造工藝步驟，故可相容于已用的具多層式導(dǎo)電層的顯示裝置。 第二實(shí)施例-本實(shí)施例與上述第一實(shí)施例中相同的器件，是沿用相同的圖式標(biāo)號(hào)。請(qǐng) 參照?qǐng)D5，其繪示依照本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示裝置的示意圖。本實(shí)施例的顯 示裝置200'的制造方法，首先進(jìn)行提供基板210、依序形成下導(dǎo)電層220、絕 緣層230、半導(dǎo)體層241、歐姆接觸層242、以及形成多層式導(dǎo)電層250于基 板210上的步驟。此些步驟的內(nèi)容與上述依照本發(fā)明第一實(shí)施例的制造方法 相同，故不再重復(fù)敘述。于形成多層式導(dǎo)電層250之后，本實(shí)施例的制造方法接著形成一有機(jī)光 刻膠層270'于多層式導(dǎo)電層250上。在本實(shí)施例中，有機(jī)光刻膠層270，是用 以提供多層式導(dǎo)電層250保護(hù)的作用。接著，針對(duì)有機(jī)光刻膠層270，進(jìn)行刻蝕，以于有機(jī)光刻膠層270，上形成 至少一第一開口 270a'。在本實(shí)施例中，以較佳的實(shí)施方式而言，第一開口 270a 共有兩個(gè)，是分別于對(duì)應(yīng)半導(dǎo)體器件區(qū)域R1及對(duì)應(yīng)于信號(hào)輸入?yún)^(qū)域R2'，但 并不以此為限。對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件區(qū)域R1中的第一開口 270a'是暴露出部分 的上阻障層253，對(duì)應(yīng)于信號(hào)輸入?yún)^(qū)域R2的第一開口 270a，則是暴露出部分 的絕緣層230。再來，針對(duì)半導(dǎo)體器件區(qū)Rl中暴露出第一開口 270a，之上阻障層253進(jìn) 行刻蝕，以于上阻障層253上形成一第二開口 253a。然后，形成一透明導(dǎo)電層280，于有機(jī)光刻膠層270，上，透明導(dǎo)電層280，是接觸于上阻障層253及中 間層252。更詳細(xì)地來說，透明導(dǎo)電層280，是經(jīng)由第一開口 270a'接觸于上阻 障層253，并且經(jīng)由第一開口 270a，及第二開口 253a接觸于中間層252。請(qǐng)參照?qǐng)D6，其是繪示圖5中對(duì)應(yīng)于半導(dǎo)體器件區(qū)域R1的第一開口 270a' 處的俯視圖。在本實(shí)施例中，以較佳的實(shí)施方式而言，第一開口 270a'及第二 開口 253a是圓形，且第一開口 270a，及第二開口 253a是形成環(huán)狀結(jié)構(gòu)，但并 不以此為限。第二開口 253a是對(duì)應(yīng)于第一開口 270a，設(shè)置，且第一開口 270a， 的一直徑Dl，實(shí)質(zhì)上略大于第二開口 253a的一直徑D2。上述依照本發(fā)明第一實(shí)施例及第二實(shí)施例的顯示裝置及其制造方法，是 利用刻蝕出接觸窗時(shí)，針對(duì)有機(jī)光刻膠層進(jìn)行刻蝕，以形成第一開口，并且 針對(duì)上阻障層進(jìn)行刻蝕，以形成第二開口的方式，使得透明導(dǎo)電層可同時(shí)接 觸于上阻障層及中間層，藉以提升透明導(dǎo)電層于多層式導(dǎo)電層的附著性，以 減緩中間層的材料擴(kuò)散至相鄰的材料層，避免相鄰的材料層發(fā)生合金化的現(xiàn) 象，以及提升中間層與相鄰材料層之間電性連接品質(zhì)。本發(fā)明第一實(shí)施例及 第二實(shí)施例的顯示裝置及其制造方法具有不需增加上阻障層的厚度的優(yōu)點(diǎn)， 故可節(jié)省成本。再者，由于依照本發(fā)明實(shí)施例的顯示裝置及其制造方法中， 是應(yīng)用三層結(jié)構(gòu)的多層式導(dǎo)電層，不需增加額外的刻蝕制造工藝步驟，是可 相容于已知的顯示裝置的制造方法。綜上所述，雖然本發(fā)明己以較佳的實(shí)施例揭露如上，然其并非用以限定 本發(fā)明。任何具有本發(fā)明所屬技術(shù)領(lǐng)域的通常知識(shí)者，在不脫離本發(fā)明的精 神和范圍內(nèi)，當(dāng)可作各種的更動(dòng)與潤飾。因此，本發(fā)明的保護(hù)范圍當(dāng)視前附 的權(quán)利要求所界定者為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1. 一種顯示裝置，其特征在于，該裝置包括一基板；一多層式導(dǎo)電層，該導(dǎo)電層包括一下阻障層，設(shè)置于所述的基板上；一中間層，設(shè)置于該下阻障層上；及一上阻障層，設(shè)置于該中間層上；一有機(jī)光刻膠層，設(shè)置于所述的多層式導(dǎo)電層上；以及一透明導(dǎo)電層，設(shè)置于所述的有機(jī)光刻膠層上，且該透明導(dǎo)電層接觸于所述的中間層及所述的上阻障層。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，有機(jī)光刻膠層具有一第 一開口，所述的上阻障層具有一第二幵口，該第二開口是對(duì)應(yīng)于所述的第一 開口設(shè)置，且所述的第一開口實(shí)質(zhì)上略大于所述的第二開口。
3. 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述的透明導(dǎo)電層是經(jīng)由所述的第一開口接觸于所述的上阻障層。
4. 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述的透明導(dǎo)電層是經(jīng)由所述的第一開口以及所述的第二開口接觸于所述的中間層。
5. 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述的第一開口的一直 徑大致介于9.5至10.5微米之間。
6. 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述的第二開口的一直 徑大致介于7.5至8.5微米之間。
7. 如權(quán)利要求2所述的顯示裝置，其特征在于，所述的上阻障層大致凸 出于所述的第一開口的一邊緣0.3至2.0微米之間。
8. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述的裝置另包括 一保護(hù)層，設(shè)置于所述的有機(jī)光刻膠層及所述的上阻障層之間。
9. 如權(quán)利要求8所述的顯示裝置，其特征在于，所述的保護(hù)層具有一第三開口，所述的第三開口對(duì)應(yīng)于所述的第一開口及所述的第二開口設(shè)置。
10. 如權(quán)利要求9所述的顯示裝置，其特征在于，所述的第三開口的形狀 對(duì)應(yīng)于所述的第一開口的形狀，且所述的第三開口實(shí)質(zhì)上略小于所述的第一 開口。
11.如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述的下阻障層的材質(zhì) 為鉬、鈮、鉬鈮合金、氮化鉬、鈦、氮化鈦、鉅、鉻或前述材質(zhì)的組合。
12. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述的中間層的材質(zhì)為 鋁、釹或鋁釹合金。
13. 如權(quán)利要求1所述的顯示裝置，其特征在于，所述的上阻障層的材質(zhì) 為鉬、鈮、鉬鈮合金、氮化鉬、鈦、氮化鈦、鉭、鉻或前述材質(zhì)的組合。
14. 一種顯示裝置的制造方法，該方法包括 提供一基板；形成一多層式導(dǎo)電層于該基板上，該多層式導(dǎo)電層包括依序形成于所述的基板上的一下阻障層、 一中間層及一上阻障層；形成一有機(jī)光刻膠層于所述的多層式導(dǎo)電層上；以及 形成一透明導(dǎo)電層于所述的有機(jī)光刻膠層上，其中所述的透明導(dǎo)電層是接觸于所述的上阻障層及所述的中間層。
15. 如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，該方法另包括 針對(duì)所述的有機(jī)光刻膠層進(jìn)行刻蝕，以于所述的有機(jī)光刻膠層上形成一第一開口；以及針對(duì)所述的上阻障層進(jìn)行刻蝕，以于所述的上阻障層上形成一第二開口 。
16. 如權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，針對(duì)所述的上阻障層進(jìn)行刻蝕的步驟包括于實(shí)質(zhì)上小于等于150 mTorrs的一操作壓力下，針對(duì)所述的上阻障層進(jìn)行等離子體刻蝕。
17. 如權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，于形成所述的透明導(dǎo) 電層的步驟中，所述的透明導(dǎo)電層是經(jīng)由所述的第一開口與所述的上阻障層 接觸。
18. 如權(quán)利要求15所述的制造方法，其特征在于，于形成所述的透明導(dǎo) 電層的步驟中，所述的透明導(dǎo)電層是經(jīng)由所述的第一開口以及所述的第二開 口與所述的中間層接觸。
19. 如權(quán)利要求14所述的制造方法，其特征在于，該方法另包括.-在形成所述的多層式導(dǎo)電層的步驟后，在所述的多層式導(dǎo)電層上形成一保護(hù)層。
20. 如權(quán)利要求19所述的制造方法，其特征在于，該方法另包括-針對(duì)所述的保護(hù)層進(jìn)行刻蝕，以于所述的保護(hù)層上形成一第三開口。
全文摘要
一種顯示裝置與其制造方法。此種顯示裝置包括基板、多層式導(dǎo)電層、有機(jī)光刻膠層以及透明導(dǎo)電層。多層式導(dǎo)電層包括下阻障層、中間層及上阻障層。前述顯示裝置的制造方法包括下列步驟提供基板；依序形成下阻障層、中間層及上阻障層于基板上，以形成多層式導(dǎo)電層；形成有機(jī)光刻膠層于多層式導(dǎo)電層上；以及形成透明導(dǎo)電層于有機(jī)光刻膠層上，且透明導(dǎo)電層是與中間層及上阻障層接觸。本發(fā)明具有不需增加制造工藝步驟，以及不需改變材料層的厚度的優(yōu)點(diǎn)，除不會(huì)增加額外的成本外，亦可相容于傳統(tǒng)的制造方法。
文檔編號(hào)G02F1/13GK101266970SQ20081009522
公開日2008年9月17日 申請(qǐng)日期2008年5月5日 優(yōu)先權(quán)日2008年5月5日
發(fā)明者周可仲, 張柏翎, 曾賢楷, 林漢涂, 詹勛昌 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司