專利名稱：修正光學鄰近效應的方法
技術領域：
本發(fā)明關于一種制造光罩的方法，且尤其是，關于一種在制造光罩時修 正光學鄰近效應的方法。
背景技術：
由于以高集成度來開發(fā)半導體裝置，半導體裝置所需的圖案的尺寸變得 較小。因這些圖案的尺寸變得較小，于光蝕刻(photomhography)工藝期間 在相鄰圖案之間的影響造成光學鄰近效應。因此，^^行光學鄰近修正(OPC) 以修正設計師設計的布局，并抑制由光學鄰近效應所造成的圖案失真。光學鄰近修正的過程起自設計待投射在晶圓上的這些標的圖案的布局 及制造具有這些測試圖案的測試光罩。藉由使用測試光罩實施晶圓制程，在 晶圓上形成這些圖案并測量形成在晶圓上的圖案的線寬。使用關于所測量的 線寬的數據來執(zhí)行光學鄰近修正的模型校正。使用已校正的模型，編寫光學 鄰近修正所需的最佳秘訣。使用已校正的模型及秘訣，執(zhí)行光學鄰近修正， 并驗證是否適當地執(zhí)行光學鄰近修正。然后，決定于驗證過程期間所檢測的 誤差是否在誤差容許范圍內。若于驗證過程期間所檢測的誤差在誤差容許范圍外，則藉由重新執(zhí)行模 型校正及修正秘訣，在光罩的所有面積中重新執(zhí)行光學鄰近修正。此時，完 成光學鄰近修正后，僅在特定圖案或面積中，誤差可在誤差容許范圍外。然 而，依據習知的光學鄰近修正工藝，為了修正特定圖案或面積，使用新模型 或新秘訣，對整個晶圓的晶片再次重新執(zhí)行光學鄰近修正。因這些圖案變得 更細微且更復雜，故執(zhí)行光學鄰近修正使得耗時變大。因此，需要增進的光 學鄰近修正以縮減制造光罩的時間。

發(fā)明內容
在本發(fā)明的一個實施例中，可包含修正光學鄰近效應的方法制造具有 這些測試圖案的測試光罩；使用該測試光罩，在晶圓上形成這些晶圓圖案； 測量形成在晶圓上的這些晶圓圖案的線寬；使用該所測量的線寬來執(zhí)行模型 校正并使用該模型校正來編寫修正秘訣；將該晶圓整個面積分割成多數個模 板；在該多數個模板中的一個模板上執(zhí)行光學鄰近修正并驗證于執(zhí)行光學鄰 近修正期間，是否適當地執(zhí)行在相異模板上所完成的光學鄰近修正；合并在 通過該驗證的多數個模板上的數據并編寫最終數據；以及使用該最終數據來 制造光罩。可將晶圓的整個面積分割成大致上具有固定尺寸的多數個模板； 可被指定多數個模板的每個用于光學鄰近修正的執(zhí)行。亦可將個別的多數個 模板分割成多數個多邊形?？煞磸凸鈱W鄰近修正的執(zhí)行及驗證，直到由該驗 證所產生的誤差值在誤差容許范圍內。
在本發(fā)明的另一個實施例中，可包含修正光學鄰近效應的方法制造具 有這些測試圖案的測試光罩；使用該測試光罩，在晶圓上形成這些晶圓圖案； 測量形成在晶圓上的這些晶圓圖案的線寬；使用該所測量的線寬來執(zhí)行模型 校正并使用該模型校正來編寫修正秘訣；將該晶圓晶片的整個面積分割成多 數個模板；在該多數個模板中的一個模板上執(zhí)行光學鄰近修正并驗證以判定 于執(zhí)行光學鄰近修正期間，是否適當地執(zhí)行光學鄰近修正；在其中作為驗證 的結果而產生誤差的模板上重新執(zhí)行光學鄰近修正，并重新驗證以判定是否 適當地執(zhí)行光學鄰近修正；合并在通過這些驗證及重新驗證的多數個模板上 的數據；使用該合并數據來編寫最終數據；以及使用該最終數據來制造光罩。 光學鄰近修正的重新執(zhí)行及重新驗證可包含產生誤差標幟以選取其中由于 該驗證產生誤差的多數個模板，并重新執(zhí)行該光學鄰近修正并在該誤差標幟 所選取的模板上重新驗證。該方法還可包含指定任一層階數以選取其中作 為驗證的結果而產生誤差的該多數個模板；遮擋于其上適當地完成光學鄰近 修正的重新執(zhí)行的該多數個模板，以及實施光學鄰近修正的重新執(zhí)行并在由 指定的層階數所選取的模板上實施重新驗證。可反復光學鄰近修正的重新執(zhí) 行及重新驗證，直到多數個模板的驗證結果在誤差容許范圍內。例如，透過 以多邊形為基準的方法可執(zhí)行第一光學鄰近修正。例如，透過以格子為基準 或多重分割的方法可重新執(zhí)行第二光學鄰近修正。


圖1為說明依據本發(fā)明修正光學鄰近效應的方法的示意流程圖。
圖2為一個^f奮正光學鄰近效應的方法實施例的i兌明圖。
具體實施例方式
之后，本發(fā)明將通過多數個實施例加以詳細說明。這些實施例就只是用 于示例說明本發(fā)明，且本發(fā)明要保護的權利范圍并未受限于他們。
參考圖1，設計待投射在晶圓上的這些標的圖案的布局且使用該設計布
局，制造具有這些測試圖案的測試光罩S20。藉由實施在實際光罩上所執(zhí)行 的圖案投射過程，或相對應過程可形成這些測試圖案。
使用測試光罩可實施包含光蝕刻過程及蝕刻過程的晶圓制程，故能在實 際晶圓上形成這些晶圓圖案。測量形成在實際晶圓上的這些晶圓圖案的線寬 并從測量中導出關鍵的維度(CD)數據S21(Fig.1)。
可使用所測量的線寬來執(zhí)行對于光學鄰近修正的模型校正S22(Fig.1)。 例如，得到一種模型，并對所得到的模型實施仿真以得到仿真輪廓線，其中 該模型可使用關于晶圓上所執(zhí)行的這些晶圓圖案的線寬的數據，適當地表現(xiàn) 圖案投射過程。
使用校正模型可編寫光學鄰近修正(OPC)秘訣S23(Fig.1)。藉由比較該仿 真輪廓線與這些標的圖案的原始布局，可實行修正秘訣的最佳化。藉由使用 該最佳化修正秘訣可將晶圓完整晶片的整個面積分割成多數個模板 S24(Fig. 1)。該分割可在滿足設計師想要的任何條件下完成。
在多數個模板中可指定一個模板?？稍诎付０鍍鹊脑O計布局的 圖案上執(zhí)行光學鄰近修正并可驗證對另 一模板是否適當地執(zhí)行光學鄰近修 正S25(Fig.1)。利用實例，可指定第一模板并對該第一模板執(zhí)行光學鄰近修 正。當完成對第一模板的光學鄰近修正時，可執(zhí)行對第二模板的光學鄰近修 正。當執(zhí)行對第二模板的光學鄰近修正時，可驗證是否適當地執(zhí)行對第一模 板所完成的光學鄰近修正?？赏瑫r實施對一個模板的光學鄰近修正的執(zhí)行及 對另 一個模板的光學鄰近修正的驗證。
可反復指定任一模板的工藝、執(zhí)行對所指定模板的光學鄰近修正、及驗 證是否適當地執(zhí)行對另 一個模板的光學鄰近修正，直到完成對晶圓完整晶片的整個面積的光學鄰近修正及驗證。
光學鄰近修正可通過以多邊形為基準的方法來執(zhí)行。亦即，可將自指定 的模板所導出的數據分割成各種大小的多邊形，且之后可對代表這些多邊形 的所有點實施仿真。
藉由比較設計師的原始設計布局與模擬的輪廓線，可完成對光學鄰近修
正的驗證。不管誤差是否在誤差容許范圍外亦決定仿真的輪廓線S26(Fig.1)。
此時，若為驗證時所得到的誤差值是在誤差容許范圍內的情況，則可合 并多數個模板的所有數據，其中該多數個模板中的誤差值是在誤差容許范圍 內。最終數據可從已合并的數據導出S27(Fig.1)。實際光罩可使用所導出的 最終數據來制造S28(Fig.1)。
可產生誤差標幟以選取多數個模板，其誤差值在誤差容許范圍外 S29(Fig. 1)。僅對由誤差標幟所選取的多數個模板應用適當的模型及秘訣來 重新執(zhí)行光學鄰近修正。只對多數個模板完成重新驗證，其中在該多數個模 板上重新執(zhí)行光學鄰近修正S30(Fig.1)。
可在由誤差標幟所選取的多數個模板之間指定一個模板?？蓪λ付?板重新執(zhí)行光學鄰近修正并可重新驗證是否適當地重新執(zhí)行對另一個模板 所完成的光學鄰近修正?？煞磸瓦@些過程，直到由誤差標幟所選取的多數個 模板具有的誤差值在誤差容許范圍內為止。
可使用以格子為基準的方法來重新執(zhí)行光學鄰近修正。可將只從由誤差 標巾只所選取的多數個模板中導出的數據分割成多數個格子，每個格子大致上 為固定大小，且接著對代表這些格子的所有點實施仿真。而且，使用多重分 割或多重評估點的方法可重新執(zhí)行光學鄰近修正。
在將多數個模板已分割成多數個多邊形后，可在這些模板上執(zhí)行光學 鄰近修正，并在將多數個模板分割成多數個格子后，在由誤差標幟所選取的 這些模板上重新執(zhí)行光學鄰近修正。因此，這將增加光學鄰近修正的準確度。
同時，若對于其上完成重新執(zhí)行及重新驗證的多數個模板的誤差值是在 誤差容許范圍外的情況，則可指定其中由于重新驗證而產生誤差的多數個模 板?？烧趽鯇ζ溥m當地完成光學鄰近修正的多數個模板，故可僅在由指定層 階數所選定的多數個模板上選擇性地實施重新執(zhí)行及重新驗證。
在由誤差標幟所選取的多數個模板上可反復光學鄰近修正的重新執(zhí)行 及重新驗證，直到誤差是在誤差容許范圍內。結果，若所有多數個模板是在誤差容許范圍內，則可合并得自每個模板的數據，以導出最終數據。而使用 該導出數據可制造實際的光罩。
大致上同時可實施一個模板上光學鄰近修正的執(zhí)行及在另一個模板上 適當地執(zhí)行光學鄰近修正的驗證。而且，可產生誤差標幟以選取多數個模板， 在光學鄰近修正的驗證期間對該多數個模板產生誤差容許范圍外的誤差。因 此，可僅對已分類的多數個模板完成重新執(zhí)行及重新驗證。因此，可有效降 低修正光學鄰近效應所花的時間。而且，藉由只在由晶圓完整晶片面積所分 割的多數個模板上執(zhí)行光學鄰近修正，可增進光學鄰近效應修正的準確度。
參考圖2，只利用實例，指定第一模板后，第一時間tl執(zhí)行第一模板上 的光學鄰近修正。當完成第一模板上的光學鄰近修正時，第二時間t2執(zhí)行任 何第二模板上的光學鄰近修正，并驗證是否適當地執(zhí)行第 一模板上的光學鄰 近修正。產生誤差標幟以選取具有誤差容許范圍外的誤差值的多數個模板。
當完成第二模板上的光學鄰近修正時，第三時間t3執(zhí)行第三模板上的光 學鄰近修正。而且，亦驗證是否適當地執(zhí)行第二模板上的光學鄰近修正。若 誤差標幟選取第一模板，則可在該第一模板上重新執(zhí)行光學鄰近修正。當然， 只在誤差標幟選取第一模板的情況中完成重新執(zhí)行。
當完成第三模板上的光學鄰近修正時，第四時間t4執(zhí)行第四模板上的光 學鄰近修正。而且，亦—瞼證是否適當地執(zhí)行第三模板上的光學鄰近修正。而 且，若誤差標幟選取第二模板，則可在該第二模板上重新執(zhí)行光學鄰近修正， 且可重新驗證是否適當地執(zhí)行第一模板上重新執(zhí)行的光學鄰近修正。此時， 在誤差標幟未選取第二模板的情況中，則合并在由誤差標幟未選取的關于多 數個模板的數據，以導出最終數據。
如以上說明，以模板為基準來執(zhí)行及驗證光學鄰近修正，且該誤差標幟 選取個別的多數個模板。因此，只供由誤差標幟所選取的多數個模板完成重 新執(zhí)行及重新驗證。因此，可有效降低修正光學鄰近效應所花的時間。
雖然為達說明的目的，已揭露本發(fā)明的較佳實施例，這些本領域技術人 員將體會到各種的修正、附加、及替代是可能的，而不致偏離如隨附權利要 求書中所界定的本發(fā)明的范圍與精神。
權利要求
1. 一種修正光學鄰近效應的方法，包括 制造具有這些測試圖案的測試光罩； 使用該測試光罩，在晶圓上形成這些晶圓圖案； 測量形成在晶圓上的這些晶圓圖案的線寬； 使用該所測量的線寬來執(zhí)行模型校正；使用該模型校正來編寫修正秘訣； 將該晶圓整個面積分割成多數個模板；在該多數個模板中的一個模板上執(zhí)行光學鄰近修正并驗證于執(zhí)行光學 鄰近修正期間，是否適當地執(zhí)行在相異模板上所完成的光學鄰近修正； 合并在通過該驗證的多數個模板上的數據并編寫最終數據；以及 使用該最終數據來制造光罩。
2. 如權利要求1的方法，其中該晶圓整個面積的分割包括將該晶圓整個面積分割成大致上具有固定尺寸的多數個模板；以及 指定多數個模板的每個用于該光學鄰近修正的執(zhí)行。
3. 如權利要求2的方法，其中將該多數個模板分割成多數個多邊形。
4. 如權利要求1的方法，其中反復該鄰近修正的執(zhí)行及該光學鄰近修正的驗證，直到由該驗證所產生的誤差值在誤差容許范圍內。
5.一種修正光學鄰近效應的方法，包括制造具有這些測試圖案的測試光罩； 使用該測試光罩，在晶圓上形成這些晶圓圖案； 測量形成在晶圓上的這些晶圓圖案的線寬； 使用該所測量的線寬來執(zhí)行模型校正； 使用該模型校正來編寫修正秘訣； 將該晶圓整個面積分割成多數個模板；在該多數個模板中的 一 個模板上執(zhí)行光學鄰近修正并驗證以判定于執(zhí) 行光學鄰近修正期間，是否適當地執(zhí)行光學鄰近修正；在作為驗證的結果而產生誤差的模板上重新執(zhí)行光學鄰近修正，并重新 驗證以判定是否適當地重新執(zhí)行光學鄰近修正；合并在通過這些驗證及重新驗證的多數個模板上的數據；使用該合并數據來編寫最終數據；以及使用該最終數據來制造光罩。
6. 如權利要求5的方法，其中該重新執(zhí)行光學鄰近修正及重新驗證包括 產生誤差標幟以選取作為驗證的結果而產生誤差的多數個模板； 重新執(zhí)行該光學鄰近修正并在該誤差標幟所選取的模板上重新驗證。
7. 如權利要求6的方法，于重新驗證步驟后還包括 指定任一層階數以選取作為驗證的結果而產生誤差的該多數個模板； 遮擋于其上適當地完成光學鄰近修正的重新執(zhí)行的該多數個模板，以及 實施該光學鄰近修正的重新執(zhí)行并在由指定的層階數所選取的模板上實施重新驗證。
8. 如權利要求5的方法，其中反復該光學鄰近修正的重新執(zhí)行及重新驗 證，直到誤差在誤差容許范圍內。
9. 如權利要求5的方法，其中使用以多邊形為基準的方法來執(zhí)行光學鄰 近修正。
10. 如權利要求5的方法，其中使用以格子為基準的方法或多重分割來 重新執(zhí)行光學鄰近修正。
全文摘要
一種修正光學鄰近效應的方法可包含下列步驟制造具有這些測試圖案的測試光罩；使用該測試光罩，使這些圖案投射在晶圓上；測量形成在晶圓上的這些圖案的線寬；以及使用該所測量的線寬來執(zhí)行模型校正并編寫修正秘訣。可將晶圓的晶片的整個面積分割成多數個模板。可在多數個模板中的一個模板上執(zhí)行光學鄰近修正并可驗證在另一模板上適當地執(zhí)行光學鄰近修正?？珊喜⒃谕ㄟ^驗證的多數個模板上的數據并可使用該合并數據來編寫最終數據。使用該最終數據可制造光罩。
文檔編號G03F1/14GK101311825SQ20081008302
公開日2008年11月26日 申請日期2008年3月18日 優(yōu)先權日2007年5月21日
發(fā)明者崔在升 申請人:海力士半導體有限公司