專利名稱：納米壓印設(shè)備及方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明主要涉及光刻技術(shù)，更具體地說(shuō)，涉及一種與微米或納 米級(jí)的光刻結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的設(shè)備及方法。特別地，本發(fā)明涉及在大面 積基纟反或物體上的納米壓印光刻。
背景技術(shù)：
微電子技術(shù)的趨勢(shì)是朝向更小尺寸的方向發(fā)展。雖然現(xiàn)在商業(yè) 部件在尺寸上以小于一孩史米的結(jié)構(gòu)制造，但是存在著對(duì)尺寸進(jìn)一步降低到<100 nm的需要。對(duì)于納米部件的研究已經(jīng)引發(fā)了對(duì)用于尺 寸〈10nm的部4牛的商業(yè)應(yīng)用制造4支術(shù)的需求。用于孩i:米或納米結(jié)構(gòu)的最引人關(guān)注的^支術(shù)中的一些包括不同 類型的光刻技術(shù)。用于再造納米結(jié)構(gòu)(即，100nm或更小等級(jí)的結(jié) 構(gòu))的最具前途的技術(shù)中的一種是納米壓印光刻(NIL)技術(shù)。例 如美國(guó)專利No. 5,772,905中所描述的納米壓印光刻(NIL)技術(shù)已 7>開(kāi)了用于大量生產(chǎn)4妄近原子級(jí)別的結(jié)構(gòu)的基本先決條件，例如參7fec/mo/. & Ko/. 75, iVo. 6, (7997,在該主題上已提出了多個(gè)研究報(bào) 告，但是迄今為止，NIL技術(shù)仍然被限制于在小的總面積(通常僅 幾個(gè)平方厘米)部4牛上的納米壓印，例3口參見(jiàn)^ep/ze" K C7zow,尸e&r船/『w,Zj'm/zw《o"g,Jf/ao_yww5"zm iSye/ Aew K在納米壓印光刻工藝的現(xiàn)有技術(shù)中，待圖案化的基板被可模制 層覆蓋。待轉(zhuǎn)印到基板上的圖案以三維的方式預(yù)先定義于印?；蚰?板上。將印模與可模制層接觸，并且優(yōu)選地通過(guò)加熱將該層軟化。 然后通過(guò)垂直移動(dòng)將印模朝向軟化層移動(dòng)，4吏得印模按壓到軟化層 中，因而在可模制層中形成印模圖案的印記。將該層冷卻，直至其 硬化至令人滿意的程度，接著將印模分離并移除。隨后的蝕刻可以 用來(lái)將印模圖案復(fù)制于基板中。雖然該納米壓印工藝可能能夠大量 生產(chǎn)，但是迄今為止，其仍被限制于在小的總面積(通常僅幾個(gè)平 方厘米)部件上的納米壓印。納米壓印光刻4支術(shù)的一種不同形式通常凈皮稱為步進(jìn)閃光式 (step and flash)壓印光刻技術(shù)。國(guó)際專利申請(qǐng)WO 02/067055公 開(kāi)了一種用于應(yīng)用步進(jìn)閃光式壓印光刻4支術(shù)的系統(tǒng)。其中，該文獻(xiàn) 涉及步進(jìn)閃光式設(shè)備(也稱為步進(jìn)機(jī))的生產(chǎn)級(jí)別的實(shí)施。用于該 設(shè)備的才莫板具有透明材料(通常是石英)的剛性本體。該沖莫板通過(guò) 撓性件而被支撐于步進(jìn)機(jī)中，所述撓性件允許模板圍繞X和Y軸 4區(qū)轉(zhuǎn)，X和Y軸在平^f亍于4寺壓印的基4反表面的平面內(nèi)互相垂直。該 機(jī)構(gòu)還包括用于控制模板與基板之間的平行性和間隙的壓電式致 動(dòng)器。但是，該系統(tǒng)不能夠以單個(gè)壓印步驟的形式處理大面積基板。 市場(chǎng)上所提供的步進(jìn)閃光式系統(tǒng)是由Molecular Imprints, Inc., 1807-C West Braker Lane， Austin, TX 78758, U.S.A.提供的IMPRIO 100。該系統(tǒng)具有大約25 mmx25 mm的才莫板圖4象面積。雖然該系統(tǒng)能夠處理等于8英寸的基板晶片，但是必須借助于X-Y轉(zhuǎn)換步驟， 通過(guò)升高模板、將模板移動(dòng)到旁邊、并將模板再次降低到基板來(lái)重 復(fù)壓印工藝。因此，該工藝相對(duì)來(lái)說(shuō)浪費(fèi)時(shí)間，且對(duì)于大規(guī)才莫生產(chǎn) 來(lái)說(shuō)也不太有利。而且，該壓印工藝還受到不能生產(chǎn)大于所述模板 尺寸的連續(xù)基板的缺陷的影響?？傊@意味著，生產(chǎn)成本可能太 高，以至于不能引起人們的興趣將該技術(shù)用于精細(xì)基板器件的大規(guī) 模生產(chǎn)，尤其是在大面積基板或物體上。發(fā)明內(nèi)容考慮到上面和以下的描述，本發(fā)明的一個(gè)方面在于提供一種納 米壓印i殳備及方法，其致力于單個(gè)地或以4壬意組合的方式減少、減 輕或消除現(xiàn)有4支術(shù)中的 一個(gè)或多個(gè)上述缺陷以及缺點(diǎn)。本發(fā)明 一些實(shí)施例的主要目的在于提供一種納米壓印設(shè)備及 方法，以便提高包括微米或納米級(jí)三維特征的結(jié)構(gòu)的制造。具體地 說(shuō)，本發(fā)明一些實(shí)施例的目的在于提供改進(jìn)的納米壓印設(shè)備及方 法，以便將該結(jié)構(gòu)的圖案轉(zhuǎn)印到寬度大于一英寸、甚至寬度為8英 寸、寬度為12英寸、和更大的基玲反上。具體i也i兌，已研發(fā)了該i殳 備及方法的一些實(shí)施例用于基板上的結(jié)構(gòu)的納米壓印，所述基板具 有較大的總面積，通常為矩形形狀的面積，其大于大約7-20cm2。 另夕卜，已研發(fā)了該設(shè)備及方法的 一些實(shí)施例用于連續(xù)基板上的結(jié)構(gòu) 的納米壓印，所述基板具有較大的總面積，特別是顯著較大的總面 積。根據(jù)本發(fā)明的第一方面，納米壓印設(shè)備包括第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥，具有圖案化圓周表面，用于通過(guò)^f吏該圖案 化圓周表面與可變形基板相接觸而將圖案從第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥轉(zhuǎn) 印到該基板上；第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥，具有與第 一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的圖案化表面面 對(duì)的基本平滑的圓周表面，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥與第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥可轉(zhuǎn)動(dòng)地結(jié)合，以便所述輥同步轉(zhuǎn)動(dòng)；其中，基板可在所述輥之間移動(dòng)，使得當(dāng)所述輥相對(duì)于彼此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)， 第 一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的圖案化表面與所述基板接觸，從而所述圖案從 圖案化表面轉(zhuǎn)印到基板上。在一個(gè)實(shí)施例中，第一輥和第二輥中的至少一個(gè)3皮布置成當(dāng)所 述輥相對(duì)于4皮此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)向另 一個(gè)輥施加壓力。在一個(gè)實(shí)施例中，所述壓力在1-100 bar正壓范圍內(nèi)，優(yōu)選地在 10-40 bar正壓范圍內(nèi)。在優(yōu)選實(shí)施例中，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥包括用于具有一定壓力的 介質(zhì)的管狀空腔，所述空腔的壁由隔膜構(gòu)成，該隔膜的遠(yuǎn)離空腔的 一側(cè)形成所述基本平滑的圓周表面。在一個(gè)實(shí)施例中，納米壓印i殳備進(jìn)一步包括用于將所述介質(zhì)的 壓力調(diào)節(jié)至1-100 bar正壓范圍內(nèi)、優(yōu)選10-40 bar正壓范圍內(nèi)的壓 力的裝置。在一個(gè)實(shí)施例中，隔膜由柔性材料制成，優(yōu)選聚合物材料或薄 金屬，甚至更優(yōu)選塑料、橡膠或薄金屬，隔膜具有等于10mm、優(yōu) 選等于3 mm、或甚至更優(yōu)選等于1 mm的厚度。在一個(gè)實(shí)施例中，介質(zhì)包括氣體。在一個(gè)優(yōu)選實(shí)施例中，所述介質(zhì)包4舌空氣。在一個(gè)實(shí)施例中，第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有等于5m、優(yōu)選等于 2 m、甚至更優(yōu)選等于1 m的直徑。在一個(gè)實(shí)施例中，第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有等于2.5 m、優(yōu)選等 于1.5m、甚至更優(yōu)選等于lm的長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí)施例中，第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的直徑與長(zhǎng)度之間的比例 為1:2。在一個(gè)實(shí)施例中，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有等于5m、優(yōu)選等于 2m、甚至更優(yōu)選等于1 m的直徑。在一個(gè)實(shí)施例中，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有等于2.5 m、優(yōu)選等 于1.5 m、甚至更優(yōu)選等于1 m的長(zhǎng)度。在一個(gè)實(shí)施例中，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的直徑與長(zhǎng)度之間的比例 為1:2。在優(yōu)選實(shí)施例中，納米壓印設(shè)備進(jìn)一步包括用于加熱基板的加 熱裝置，其中加熱裝置設(shè)置成在所述基板在所述第 一輥與第二輥之 間移動(dòng)之前加熱基才反。在一個(gè)實(shí)施例中，力口熱裝置為加熱室，該加熱室設(shè)置成使得基 4反可移動(dòng)穿過(guò)所述加熱室，從而在，喿作期間，在所述基纟反在所述第 一輥與第二輥之間移動(dòng)之前，對(duì)基板進(jìn)行加熱。在一個(gè)實(shí)施例中，加熱裝置包括具有基本上平坦的圓周加熱表 面的至少一個(gè)其它可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝4昆，所述其它可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥;故布置成 使基板可在所述加熱表面上移動(dòng)，從而在操作期間，在所述基板在 所述第一輥與第二輥之間移動(dòng)之前通過(guò)所述加熱表面對(duì)基板進(jìn)行 力口熱。在優(yōu)選實(shí)施例中，納米壓印設(shè)備進(jìn)一步包括用于冷卻基板的冷 卻裝置，其中冷卻裝置被布置成在所述基板在所述第 一輥與第二輥 之間通過(guò)之后冷卻基4反。在一個(gè)實(shí)施例中，冷卻裝置為冷卻室，該冷卻室"i殳置成使基板可移動(dòng)穿過(guò)所述冷卻室，/人而在#:作期間，在所述基板在所述第一 輥與第二輥之間通過(guò)之后對(duì)基玲反進(jìn)4亍冷卻。在一個(gè)實(shí)施例中，冷卻裝置包括具有基本上平坦的圓周冷卻表 面的至少 一個(gè)其它可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥，所述其它可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥;陂布置成 使基板可在所述冷卻表面上移動(dòng)，從而在操作期間，在所述基板在 所述第一輥與第二輥之間移動(dòng)之后通過(guò)所述冷卻表面對(duì)基板進(jìn)4亍 冷卻。在一個(gè)實(shí)施例中，基板為連續(xù)基板。 在優(yōu)選實(shí)施例中，基板為薄片或薄膜。^^艮據(jù)本發(fā)明的另 一方面，通過(guò)具有第 一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥和第二可 轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的設(shè)備而進(jìn)行的納米壓印方法，其中，所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng) 安裝輥具有圖案化圓周表面，用于通過(guò)使該圖案化圓周表面與可變形基板相接觸而將圖案從第 一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥轉(zhuǎn)印到該基板上；第二 可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有與第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的圖案化表面面對(duì)的基本 平滑的圓周表面，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥與第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥可轉(zhuǎn)動(dòng)地 結(jié)合，以^更所述輥同步轉(zhuǎn)動(dòng)，其中，所述方法包括相對(duì)于^:此轉(zhuǎn)動(dòng)所述輥；以及在所述輥之間移動(dòng)基板，使得當(dāng)所述輥相對(duì)于;f皮此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，第 一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的圖案化表面與所述基板接觸，從而所述圖案從圖 案化表面轉(zhuǎn)印到基板上。在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括當(dāng)所述輥相對(duì)于4皮此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，向所述輥中的任一個(gè)或兩個(gè)施加 壓力。在一個(gè)實(shí)施例中，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥包括用于具有一定壓力的 介質(zhì)的管狀空腔，所述空腔的壁由隔膜構(gòu)成，該隔膜的遠(yuǎn)離空腔的 一側(cè)形成所述基本平滑的圓周表面，并且所述方法進(jìn)一步包4舌如下 步驟將所述介質(zhì)的壓力調(diào)節(jié)至1 -100 bar正壓范圍內(nèi)，伊C選地調(diào)節(jié)至 10-40 bar正壓范圍內(nèi)。在一個(gè)實(shí)施例中，介質(zhì)包括氣體。在優(yōu)選實(shí)施例中，介質(zhì)包括空氣。在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包括當(dāng)所述基板在所述第 一輥與第二輥之間移動(dòng)之前，對(duì)基板 進(jìn)行力口熱。在一個(gè)實(shí)施例中，所述方法進(jìn)一步包4舌當(dāng)所述基板在所述第一輥與第二輥之間通過(guò)之后，對(duì)基板 進(jìn)4亍冷卻。在一個(gè)實(shí)施例中，基板為連續(xù)基板。 在優(yōu)選實(shí)施例中，基4反為薄片或薄膜。根據(jù)第三方面，提供了 一種如該說(shuō)明書(shū)和附圖中所公開(kāi)的納米 壓印設(shè)備。附圖i兌明本發(fā)明的其它目的、特征和優(yōu)點(diǎn)將通過(guò)對(duì)本發(fā)明實(shí)施例的以下 詳細(xì)描述而顯而易見(jiàn)，其中，將參照附圖對(duì)本發(fā)明的實(shí)施例進(jìn)4亍更 詳細(xì)描述，附圖中
圖1是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的納米壓印設(shè)備的橫截面?zhèn)纫晥D；圖2是圖1中納米壓印設(shè)備的不同3見(jiàn)圖；圖3是在^f鼓米或納米級(jí)上示出了在將圖案從第 一輥的圖案表面 轉(zhuǎn)印到基板上時(shí)，當(dāng)?shù)谝惠?、第二輥和基板大致平行于彼此布置時(shí) 的牙黃截面?zhèn)纫灰?jiàn)圖；圖4是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的納米壓印設(shè)備的橫截面?zhèn)纫晥D，其 中納米壓印設(shè)備進(jìn)一步包括加熱室和冷卻室；圖5是根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的納米壓印設(shè)備的橫截面?zhèn)纫晥D，其 中納米壓印設(shè)備進(jìn)一步包括加熱輥和冷卻輥；圖6是圖5中納米壓印設(shè)備的不同視圖；圖7是圖5和圖6中所示的納米壓印i殳備的第一輥和第二輥的 實(shí)施例的4黃截面一見(jiàn)圖；以及圖8-10示出了納米壓印設(shè)備的不同實(shí)施例。
具體實(shí)施方式
下面將參照附圖更加全面地描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中示出 了本發(fā)明的實(shí)施例。4旦是，本發(fā)明還可以以多種不同的方式實(shí)施， 并且不應(yīng)被構(gòu)造成局限于這里所闡述的實(shí)施例。相反，提供這些實(shí) 施例，佳_得該7>開(kāi)更充分和完全，并將本發(fā)明的范圍傳達(dá)纟會(huì)本領(lǐng)域 技術(shù)人員。全文中，相同的標(biāo)號(hào)表示相同的元件。本發(fā)明主要涉及一種用于將圖案從模板上轉(zhuǎn)印到基板上的納 米壓印設(shè)備及方法。本發(fā)明基于不同于現(xiàn)有技術(shù)的納米壓印的示 例，其中，模板將以可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的形式與待圖案化的基板接觸。 與現(xiàn)有的納米壓印i殳備不同，本發(fā)明的一些實(shí)施例基于兩個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng) 安裝輥的使用，用來(lái)將微米或納米尺寸的圖案轉(zhuǎn)印到待圖案化的基 板上。圖1和2示意性地示出了根據(jù)本發(fā)明的納米壓印設(shè)備1的實(shí)施 例?，F(xiàn)在，將結(jié)合圖1和2中所示的納米壓印設(shè)備描述本發(fā)明實(shí)施 例的實(shí)際圖案轉(zhuǎn)印步驟(或壓印步驟)的功能和基本工藝步驟。納米壓印i殳備1包括第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥10。第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥 IO具有圖案化的圓周表面11,在該表面ll中，三維突起和凹槽形 成為具有高度和寬度在1 nm至幾個(gè)nm范圍內(nèi)的特4正尺寸，并且可 能更小或更大。圓柱輥10的直徑dl通常在l分米到5米之間。優(yōu) 選地，直徑dl在100-1000毫米的范圍內(nèi)。另外，輥的長(zhǎng)度通常在 1分米到5米之間。優(yōu)選地，輥10的長(zhǎng)度在1-3米的范圍內(nèi)。優(yōu)選 地，^旦不是必須地，可轉(zhuǎn)動(dòng)輥的直徑與長(zhǎng)度之間的比例大約為1:2。 在發(fā)明人于該申請(qǐng)?zhí)峤恢找阎淖顑?yōu)方式中，直徑dl可以為大 約600毫米，并且長(zhǎng)度為大約1.5米。納米壓印設(shè)備1還包括第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥30。第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝 輥30可轉(zhuǎn)動(dòng)地與第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥10結(jié)合，從而^f呆證了輥10、 30 的同步轉(zhuǎn)動(dòng)。同步轉(zhuǎn)動(dòng)的意思是，第一輥10的轉(zhuǎn)動(dòng)速度與第二輥 30的轉(zhuǎn)動(dòng)速度同步。另外，第二輥具有基本平滑的圓周表面31。 第二圓柱輥30的直徑d2通常在1分米到5米之間。優(yōu)選地，直徑 d2在100-1000毫米的范圍內(nèi)。另外，第二輥的長(zhǎng)度通常在1分米 到5米之間。優(yōu)選地，直徑在l-3米的范圍內(nèi)。優(yōu)選地，但不是必 須地，直徑與長(zhǎng)度之間的比例大約為1:2。在發(fā)明人于該申i青提交 之曰已知的最優(yōu)方式中，直徑d2可以為大約600毫米，并且長(zhǎng)度 為大約1.5米。各個(gè)輥10、 30的軸線布置成大致彼此平行，使得各個(gè)表面11、 31基本上以平行的方式面對(duì)彼此。因此，第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的圖案 化圓周表面與第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的面對(duì)該圖案化表面的基本平滑 圓周表面^皮布置成，當(dāng)這些表面11、 31 ^皮朝向^皮此按壓時(shí)基本上 彼此平行。當(dāng)輥IO、 30相對(duì)于4皮此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，基寺反20可在壽昆10、 30之間 移動(dòng)。基板20為可變形基板20,例如，可變形材料的基板或由可 變形涂層覆蓋的基板。優(yōu)選地，但不是必須地，基板具有矩形形狀。 基板20的寬度優(yōu)選地被選擇成與各個(gè)輥10、 30的長(zhǎng)度相對(duì)應(yīng)。在 優(yōu)選的公開(kāi)實(shí)施例中，基板為連續(xù)基板20。該連續(xù)基板20可以為 薄膜或薄片，例如，聚合物薄片。正如此處所使用的，術(shù)語(yǔ)"連續(xù) 基板"用于表示長(zhǎng)度相比于寬度大得多的基板，如圖中所示。連續(xù) 基板20可以從供給裝置60被供給到可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥10、 30之間。 在優(yōu)選的公開(kāi)實(shí)施例中，供給裝置60是用于容納薄膜巻或薄片巻 (例如聚合物薄片巻)的巻軸。在納米壓印設(shè)備1的才喿作期間，當(dāng)輥10、 30相對(duì)于4皮此轉(zhuǎn)動(dòng) 時(shí)，基板20在所述輥10、 30之間移動(dòng)或穿過(guò)，使得當(dāng)輥10、 30相對(duì)于彼此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥10的圖案化表面與所述基 板20相接觸，從而所述圖案從圖案化表面11被轉(zhuǎn)印到基板20上。 為了實(shí)現(xiàn)圖案均勻地壓印到基板20，各個(gè)輥IO、 30可以有利地朝 向彼此按壓。換言之，第一輥10可以按壓第二輥30，反之亦然。 第一輥10和第二輥30中的任一個(gè)或者兩者可以^皮布置成將該壓力 施加于另一輥IO、 30。納米壓印i殳備l可以包括用于控制和調(diào)節(jié)所 施加的壓力的裝置。優(yōu)選地，《旦不是必須i也，該裝置應(yīng)可以動(dòng)態(tài)地 或靜態(tài)地控制和調(diào)節(jié)壓力。另外，該裝置應(yīng)可以至少在1-100 bar 正壓的范圍內(nèi)調(diào)節(jié)所施加的壓力。為了實(shí)現(xiàn)圖案足夠均勻地壓印到 基^反20,所施加的壓力優(yōu)選地應(yīng)該在10-40 bar的范圍內(nèi)。在優(yōu)選的公開(kāi)實(shí)施例中，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥30包括用于具有 一定壓力的介質(zhì)的管狀空腔32。如圖所示，第二輥30包括內(nèi)圓筒 34。隔膜33裝配于內(nèi)圓筒34上，使得隔膜33布置在內(nèi)圓筒34的 圓周表面周?chē)Ｒ虼耍梢哉f(shuō)，管狀隔膜33的幾何轉(zhuǎn)動(dòng)軸線與內(nèi) 圓筒34的轉(zhuǎn)動(dòng)軸線重合。隔膜33通常由柔性材料制成。優(yōu)選地， 該材料為聚合物材料或薄金屬，甚至更優(yōu)選地，該材料為塑料或橡 膠。在優(yōu)選的公開(kāi)實(shí)施例中，隔膜33具有大約1 mm的厚度。但是， 其它尺寸也同樣可以。在對(duì)發(fā)明人于該申請(qǐng)?zhí)峤恢諘r(shí)的最優(yōu)方式 中，隔膜的厚度應(yīng)該在l-10mm的范圍內(nèi)。隔膜可以以多種傳統(tǒng)已 知的方式附著于內(nèi)圓筒34。作為起碼的示例，隔膜33可以通過(guò)位 于第二輥30的各端側(cè)的夾緊裝置35而夾緊于內(nèi)圓筒34。圖6中更 好地示出了該夾緊裝置35?？涨?2用來(lái)容納介質(zhì)，優(yōu)選地為可通過(guò)進(jìn)氣通道而^皮增壓的 氣體(例如，空氣、氮?dú)饣驓鍤?。進(jìn)氣通道可以為圖7所示的進(jìn) 氣通道36。因而，當(dāng)內(nèi)圓筒34與隔膜33之間的空間充滿該介質(zhì)時(shí)， 形成管狀空腔32。內(nèi)圓筒34與隔膜33之間的空間的實(shí)際尺寸不需 要太大。相反，只要該空間在使得空腔32能夠容納介質(zhì)的微米級(jí)上就足夠了。接著，例如通過(guò)動(dòng)態(tài)控制可以產(chǎn)生容納于空腔32中 的介質(zhì)的增壓，所述動(dòng)態(tài)控制用來(lái)提供變化非常小的壓力?？商鎿Q 地，容納于空腔32中的介質(zhì)的壓力可以預(yù)先i殳定為預(yù)定的壓力水 平。空腔中的介質(zhì)的壓力可以通過(guò)進(jìn)氣通道而增加/降低，使得所述 介質(zhì)的壓力處于1-100 bar范圍內(nèi)，優(yōu)選i也處于10-40 bar范圍內(nèi)。 當(dāng)空腔中的介質(zhì)的壓力增加時(shí)，隔膜33 ^皮布置成向外彎曲(flex out)。另外，在納米壓印設(shè)備1的操作期間，各個(gè)輥10、 30;f皮此按 壓，同時(shí)基板20在輥10、 30之間移動(dòng)。同時(shí)，空腔32中的介質(zhì) 的壓力可以#皮控制和/或調(diào)節(jié)得增加/降低。因此，所述輥IO、 30之 間的總壓力可以是以下兩者的合成壓力i)由輥IO、 30按壓彼此 所施加的壓力，以及ii)通過(guò)容納于空腔32中的增壓氣體所施加的 壓力。當(dāng)空腔中的介質(zhì)的壓力增加時(shí)，隔膜33向外彎曲，使得隔 膜33朝向第一輥10的圖案化表面11按壓基板20。由于通過(guò)柔性 隔膜33而來(lái)自于空腔32的壓力，當(dāng)隔膜33由于介質(zhì)的壓力而向 外彎曲時(shí)，在基板20與第一輥10的圖案化表面11之間的整個(gè)接 觸表面上獲得均勻分散的力。這使得，當(dāng)在微米或納米級(jí)觀看時(shí)， 將輥IO、基板20、和輥30布置成彼此基本平行，如圖3所示例性 地示出的。圖3是示出了在微米或納米級(jí)上，當(dāng)?shù)谝豢赊D(zhuǎn)動(dòng)安裝輥10的 圖案化表面11與基板20接觸時(shí)，基板20的一部分的橫截面圖。 如圖3所示，在圖案化表面11與基板20的上表面之間接觸的時(shí)刻， 基板20具有基本上或幾乎平行于模板(即第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥10 ) 的圖案化表面11布置的上表面。另外，隔膜33 (其形成第二輥30 的表面31)基本上或幾乎平行于基板20的下表面布置。這樣，隔 膜33可以用作基本平行的支撐件，以《更在從第 一輥10的圖案化表面11將微米或納米尺寸的圖案壓印到基板20的上表面期間按壓基 才反20的下表面。由于第一輥IO、基板20、和第二輥30 (在微米或納米級(jí)上) 相對(duì)于4皮此足夠平4于，所以可以減小或者甚至消除基板20的上表 面中或第一輥10的圖案化表面ll上的不少見(jiàn)則性的影響。另夕卜，通 過(guò)柔性隔膜33而來(lái)自于空腔32的壓力可使得微米或納米尺寸的圖 案從圖案化表面11充分地壓印到可變形的基板20上，其中所述壓 力在壓印期間朝向基^反20的下表面作用。另夕卜，已經(jīng)證明，空腔 32的介質(zhì)的壓力可使得柔性隔膜33向外彎曲，使得壓印步驟在各 個(gè)輥10、 30與基板20之間僅產(chǎn)生非常小的滑動(dòng)影響或不產(chǎn)生滑動(dòng) 影響。為了避免任何潛在的滑動(dòng)影響，還可能比較重要的是，各個(gè) 輥IO、 30相對(duì)于4皮此可轉(zhuǎn)動(dòng)地結(jié)合，從而保證了同步轉(zhuǎn)動(dòng)。圖4-6示出了圖1、2和3中所示的納米壓印設(shè)備l的各種有利 實(shí)施例，其中納米壓印設(shè)備1進(jìn)一步包括加熱裝置40和冷卻裝置 50。在圖4所示的實(shí)施例中，力o熱裝置40為加熱室，該力口熱室i殳 置成在所述基板于所述第一輥10與第二輥30之間移動(dòng)之前加熱該 基板20。因此，在當(dāng)所述輥IO、 30相對(duì)于彼此轉(zhuǎn)動(dòng)并且第一可轉(zhuǎn) 動(dòng)安裝輥10的圖案化表面11與基板20相接觸時(shí)、將微米或納米 尺寸的圖案從第一輥10的圖案化表面11隨后壓印到基板20上之 前，至少可變形基才反20的上層可纟皮軟化。在加熱室40內(nèi)部， 一個(gè) 或多個(gè)加熱器4吏優(yōu)選地處于100-200°C范圍內(nèi)、更優(yōu)選地處于 150-170°C范圍的熱空氣循環(huán)。此外，冷卻裝置50為冷卻室，該冷 卻室設(shè)置成在所述基板20已經(jīng)在壓印步驟期間通過(guò)所述第一輥10 與第二輥30之間之后冷卻該基板20。因此，在將圖案從圖案表面 11壓印到基板20之后，將基板冷卻直至其硬化至令人滿意的程度。 在冷卻室50內(nèi)部， 一個(gè)或多個(gè)冷卻器祐:i殳置成用于降4氐基4反20的溫度，使得基板被冷卻直至其硬化至令人滿意的程度。為了P爭(zhēng)低基板20的溫度，冷卻器可被布置成在冷卻室50內(nèi)循環(huán)具有130°C的 溫度或更^氐溫度的水或空氣。圖5和圖6示出了本發(fā)明的優(yōu)選實(shí)施例。在圖5和圖6所示的 實(shí)施例中，加熱裝置40包括被設(shè)置成加熱基板20的一個(gè)或多個(gè)(優(yōu) 選地為兩個(gè))力口熱輥。此外，冷卻裝置50包括4皮i殳置成冷卻基板 20的一個(gè)或多個(gè)(優(yōu)選地為兩個(gè))冷卻輥。在優(yōu)選的7>開(kāi)實(shí)施例中， 兩個(gè)力o熱輥40a、 40b和兩上冷卻輥50a、 50b分別用于基才反20的 力口熱/冷卻。圖5和圖6的納米壓印"i殳備l包括兩個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝加熱4昆40a、 40b,每個(gè)加熱輥均具有基本上平坦的圓周加熱表面41a、 41b，以及 用于將所述表面的溫度調(diào)節(jié)至100-200°C范圍內(nèi)(優(yōu)選地150-170°C 范圍內(nèi))的溫度的裝置。力o熱輥40a、 40b與第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥10 可轉(zhuǎn)動(dòng)地結(jié)合，以i"更力口熱輥40a、 40b與第一輥10同步轉(zhuǎn)動(dòng)。因而， 在才喿作期間，當(dāng)力o熱輥40a、 40b以及第一輥10和第二壽昆30相對(duì) 于4皮此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，基4反20可與加熱表面41a、41b相4妄觸。加熱4昆40a、 40b可i殳置成圖5和圖6所示。因此，在才喿作期間，在所述基^反在 所述第一輥10和第二輥30之間移動(dòng)之前，對(duì)基板20進(jìn)4亍力口熱。 另夕卜，圖5和圖6的納米壓印設(shè)備1包括兩個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝冷卻輥50a、 50b，每個(gè)冷卻輥均具有基本上平坦的圓周冷卻表面51a、 51b以及 用于將所述表面的溫度調(diào)節(jié)至130°C和更低范圍內(nèi)的溫度的裝置。 冷卻輥50a、 50b與第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥10可轉(zhuǎn)動(dòng)地結(jié)合，以l更冷卻 輥50a、 50b與第一輥10同步轉(zhuǎn)動(dòng)。因而，在才喿作期間，當(dāng)冷卻輥 50a、 50b以及第一輥10和第二輥30相對(duì)于4皮此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，基板20 可與冷卻表面51a、 51b相接觸，使得將基板2(M皮冷卻，直至其硬 化至令人滿意的程度。圖8至圖IO公開(kāi)了納米壓印設(shè)備I的其它布置或?qū)嵤├?，?基于可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的使用，用來(lái)將微米或納米尺寸的圖案轉(zhuǎn)印到待 圖案化的基板上。才艮據(jù)本發(fā)明的納米壓印設(shè)備1和方法的 一 些實(shí)施例對(duì)于在單個(gè) 壓印步驟中進(jìn)行大面積壓印來(lái)說(shuō)特別有利，并且對(duì)于在大面積基板 或物體上進(jìn)4亍納米壓印光刻來(lái)i兌，其相對(duì)于先前已知4支術(shù)具有同樣 的4交大好處。由于兩個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥，大面積基4反或物體可以呈連 續(xù)基板(例如薄膜或聚合物薄片)形式，在輥轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)該連續(xù)基板可 以在兩個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥之間移動(dòng)。這可允i午一種連續(xù)工藝，該連續(xù) 工藝具有用于生產(chǎn)制造包括微米或納米級(jí)的三維特征的結(jié)構(gòu)的較 高生產(chǎn)能力。本發(fā)明的 一些實(shí)施例可以用來(lái)將孩吏米或納米尺寸的圖 案轉(zhuǎn)印到具有400x600 mm和更大總面積的大面積基板上。例如， 具有400x600 mm和更大尺寸的完全平4反顯示器(full flat panel display )可因此通過(guò)4艮據(jù)本發(fā)明一些實(shí)施例的單個(gè)壓印而^皮圖案化。 因此，本發(fā)明的 一些實(shí)施例第 一次提供了 一種納米壓印設(shè)備和方 法，其用于在大面積基板或物體上大規(guī)模生產(chǎn)精細(xì)結(jié)構(gòu)器件是有利 的，例如，應(yīng)用于i者如完全平玲反顯示器中。前面已經(jīng)通過(guò)操作的實(shí)施例或模式的例子描述了本發(fā)明的原 理。 <旦是，本發(fā)明不局限于上述具體實(shí)施例，所述具體實(shí)施例應(yīng)該 4見(jiàn)為示例性目的而非限制目的，并且應(yīng)該理解，在不背離本發(fā)明的 由所附權(quán)利要求限定的范圍的情況下，本領(lǐng)域技術(shù)人員可以對(duì)這些 實(shí)施例^L出各種變化。
權(quán)利要求
1.一種納米壓印設(shè)備(1)，包括第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(10)，具有圖案化圓周表面(11)，用于通過(guò)使所述圖案化表面(11)與可變形基板(20)相接觸而將圖案從所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(10)轉(zhuǎn)印到所述基板(20)上；第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(30)，具有與所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(10)的所述圖案化表面(11)面對(duì)的基本平滑的圓周表面(31)，所述第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(30)與所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(10)可轉(zhuǎn)動(dòng)地結(jié)合，以便所述輥(10、30)同步轉(zhuǎn)動(dòng)；其中，所述基板(20)可在所述輥(10、30)之間移動(dòng)，使得當(dāng)所述輥(10、30)相對(duì)于彼此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(10)的所述圖案化表面(11)與所述基板(20)接觸，從而所述圖案從所述圖案化表面(11)轉(zhuǎn)印到所述基板(20)上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1所述的納米壓印設(shè)備(1 ),其中，所述第一和 第二輥(10、 30)中的至少一個(gè)^皮布置成當(dāng)所述豐昆(10、 30) 相對(duì)于彼此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)向另一個(gè)輥(10、 30)施加壓力。
3. 根據(jù)權(quán)利要求2所述的納米壓印設(shè)備(1)，其中，所述壓力在 1-100 bar正壓范圍內(nèi)，優(yōu)選地在10-40 bar正壓范圍內(nèi)。
4. 根據(jù)權(quán)利要求1至3中任一項(xiàng)所述的納米壓印設(shè)備(1 )，其中， 所述第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(30 )包括用于具有一定壓力的介質(zhì)的 管狀空腔(32),所述空腔(32)的壁由隔膜(33)構(gòu)成，所述隔膜的遠(yuǎn)離所述空月空(32 )的一側(cè)形成所述基本平滑的圓周 表面(31 )。
5. 根據(jù)權(quán)利要求4所述的納米壓印設(shè)備(1),進(jìn)一步包括用于將 所述介質(zhì)的壓力調(diào)節(jié)至1-100 bar正壓范圍內(nèi)、優(yōu)選10-40 bar 正壓范圍內(nèi)的壓力的裝置。
6. 根據(jù)權(quán)利要求4或5所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述隔膜(33 ) 由柔性材料制成，優(yōu)選由聚合物材料或薄金屬、甚至更優(yōu)選由 塑料、橡膠或薄金屬制成，所述隔膜(33)具有等于10mm、 優(yōu)選等于3 mm、或甚至更優(yōu)選等于1 mm的厚度。
7. 根據(jù)權(quán)利要求4至6中任一項(xiàng)所述的納米壓印設(shè)備，其中，所 述介質(zhì)包括氣體。
8. 根據(jù)權(quán)利要求7所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述介質(zhì)包括空 氣。
9. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述 第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(10)具有等于5m、優(yōu)選等于2m、甚至 更優(yōu)選等于1m的直徑。
10. 根據(jù)權(quán)利要求9所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng) 安裝輥(10)具有等于2.5 m、優(yōu)選等于1.5 m、甚至更優(yōu)選 等于lm的長(zhǎng)度。
11. 根據(jù)權(quán)利要求IO所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述第一可轉(zhuǎn) 動(dòng)安裝輥(10)的直徑與長(zhǎng)度之間的比例為1:2。
12. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述 第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(30)具有等于5m、優(yōu)選等于2m、甚至 更優(yōu)選等于1m的直徑。
13. 根據(jù)權(quán)利要求12所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述第二可轉(zhuǎn) 動(dòng)安裝輥(30)具有等于2.5 m、優(yōu)選等于1.5 m、甚至更優(yōu) 選等于1 m的長(zhǎng)度。
14. 根據(jù)權(quán)利要求13所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述第二可轉(zhuǎn) 動(dòng)安裝輥(30)的直徑與長(zhǎng)度之間的比例為1:2。
15. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的納米壓印設(shè)備，進(jìn)一步包括 用于加熱所述基板(20)的加熱裝置(40),其中所述加熱裝 置i殳置成在所述基4反在所述第一和第二輥(10、 30 )之間移動(dòng) 之前加熱所述基板(20)。
16. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述加熱裝置 為加熱室，所述加熱室設(shè)置成使得所述基板(20)可移動(dòng)穿過(guò) 所述加熱室，從而在操作期間，在所述基板在所述第一和第二 輥(10、 30)之間移動(dòng)之前，對(duì)所述基才反(20)進(jìn)4亍加熱。
17. 根據(jù)權(quán)利要求15所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述加熱裝置 包4舌具有基本上平坦的圓周加熱表面(41a、 41b)的至少一個(gè) 其它可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(40a、 40b),所述其它可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥^皮布 置成4吏所述基寺反(20 )可在所述加熱表面(41a、 41b )上移動(dòng)， /人而在才喿作期間，在所述基才反在所述第一和第二4昆(10、 30) 之間移動(dòng)之前通過(guò)所述加熱表面(41a、 41b )對(duì)所述基板(20 ) 進(jìn)行力口熱。
18. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的納米壓印設(shè)備，進(jìn)一步包括 用于冷卻所述基板(20)的冷卻裝置(50),其中所述冷卻裝 置(50)浮皮布置成在所述基板在所述第一和第二4昆(10、 30) 之間通過(guò)之后冷卻所述基板(20)。
19. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述冷卻裝置(50 )為冷卻室，所述冷卻室設(shè)置成使所述基板(20 )可移動(dòng) 穿過(guò)所述冷卻室，從而在操作期間，在所述基板在所述第一和 第二輥(10、 30)之間通過(guò)之后對(duì)所述基^反(20)進(jìn)行冷卻。
20. 根據(jù)權(quán)利要求18所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述冷卻裝置(50)包括具有基本上平坦的圓周冷卻表面(51a、 51b)的至 少一個(gè)其它可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥(50a、 50b),所述其它可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝 輥被布置成使得所述基板(20 )可在所述冷卻表面(51a、 51b ) 上移動(dòng)，從而在操作期間，在所述基板在所述第一和第二輥(10、 30)之間移動(dòng)之后通過(guò)所述冷卻^L面(51a、 51b)只于所 述基板(20)進(jìn)行冷卻。
21. 根據(jù)前述權(quán)利要求中任一項(xiàng)所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述 基板為連續(xù)基板。
22. 根據(jù)權(quán)利要求21所述的納米壓印設(shè)備，其中，所述基板為薄 片或薄月荑。
23. —種通過(guò)具有第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥和第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的設(shè)備 來(lái)進(jìn)行的納米壓印方法，其中，所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有圖 案化圓周表面，用于通過(guò)使所述圖案化表面與可變形基板相接 觸而將圖案從所述第 一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥轉(zhuǎn)印到所述基板上；所述 第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有與所述第 一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的所述圖案化表面面對(duì)的基本平滑的圓周表面，所述第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥與所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥可轉(zhuǎn)動(dòng)地結(jié)合，以^更所述輥同步轉(zhuǎn)動(dòng)，所述方法包4舌如下步驟相對(duì)于彼此轉(zhuǎn)動(dòng)所述輥；以及在所述輥之間移動(dòng)所述基板，使得當(dāng)所述輥相對(duì)于彼此 轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，所述第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的所述圖案化表面與所述基板 接觸，從而所述圖案從所述圖案化表面轉(zhuǎn)印到所述基板上。
24. 根據(jù)權(quán)利要求23所述的納米壓印方法，進(jìn)一步包括以下步驟當(dāng)所述4昆相只于于#:此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，向所述4昆中的^f壬一個(gè)或兩 個(gè)施力口壓力。
25. 根據(jù)權(quán)利要求23或24所述的納米壓印方法，其中，所述第二 可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥包括用于具有一定壓力的介質(zhì)的管狀空腔，所述 空腔的壁由隔膜構(gòu)成，所述隔膜的遠(yuǎn)離所述空腔的一側(cè)形成所 述基本平滑的圓周表面，所述方法進(jìn)一步包括以下步驟將所述介質(zhì)的壓力調(diào)節(jié)至1-100 bar正壓范圍內(nèi)，優(yōu)選地 調(diào)節(jié)至10-40 bar正壓范圍內(nèi)。
26. 根據(jù)權(quán)利要求25所述的納米壓印方法，其中，所述介質(zhì)包括 氣體。
27. 4艮據(jù)權(quán)利要求26所述的納米壓印方法，其中，所述介質(zhì)包括 空氣。
28. 根據(jù)權(quán)利要求23-27中任一項(xiàng)所述的納米壓印方法，進(jìn)一步包 4舌以下步驟在所述基板在所述第 一輥與所述第二輥之間移動(dòng)之前， 對(duì)基板進(jìn)行加熱。
29. 根據(jù)權(quán)利要求23-28中任一項(xiàng)所述的納米壓印方法，進(jìn)一步包 4舌以下步驟在所述基^反在所述第 一輥與第二輥之間通過(guò)之后，對(duì)所述 基4反進(jìn)4于冷卻。
30. 根據(jù)權(quán)利要求23-29中任一項(xiàng)所述的納米壓印方法，其中，所 述基板為連續(xù)基板。
31. 才艮據(jù)權(quán)利要求30所述的納米壓印方法，其中，所述基4反為薄 片或薄膜。
32. —種4艮據(jù)該i兌明書(shū)和附圖的納米壓印i殳備或方法。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種與微米或納米級(jí)的光刻結(jié)構(gòu)相關(guān)聯(lián)的設(shè)備及方法。根據(jù)本發(fā)明實(shí)施例的納米壓印設(shè)備包括用于將微米或納米尺寸的圖案轉(zhuǎn)印到待圖案化的基板上的兩個(gè)可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥。第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有圖案化圓周表面，用于通過(guò)使該圖案化圓周表面與可變形基板相接觸而將圖案從第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥轉(zhuǎn)印到該基板上。第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥具有與第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的圖案化表面面對(duì)的基本平滑的圓周表面。另外，第二可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥與第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥可轉(zhuǎn)動(dòng)地結(jié)合，以便第一和第二輥同步轉(zhuǎn)動(dòng)?；蹇稍诘谝缓偷诙佒g移動(dòng)，使得當(dāng)這些輥相對(duì)于彼此轉(zhuǎn)動(dòng)時(shí)，第一可轉(zhuǎn)動(dòng)安裝輥的圖案化表面與基板接觸，從而該圖案從圖案化表面轉(zhuǎn)印到基板上。
文檔編號(hào)G03F7/00GK101271269SQ200810082798
公開(kāi)日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2008年3月19日 優(yōu)先權(quán)日2007年3月19日
發(fā)明者巴巴克·海達(dá)里 申請(qǐng)人:奧貝達(dá)克特公司