專(zhuān)利名稱(chēng)：顯示器制造方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種顯示器制造方法。
背景技術(shù)：
液晶顯示器(liquid crystal display,以下簡(jiǎn)稱(chēng)LCD)是目前平面顯示器 發(fā)展的主流，其顯示原理是利用液晶分子所具有的介電各向異性以及導(dǎo)電各 向異性，于外加電場(chǎng)時(shí)使液晶分子的排列狀態(tài)轉(zhuǎn)換，造成液晶薄膜產(chǎn)生各種 光電效應(yīng)。液晶顯示器的面板結(jié)構(gòu)一般為由兩片基板疊合而成，中間留有一 定距離的空隙用以灌注液晶，而在上下兩基板上分別形成有對(duì)應(yīng)電極，用以 控制液晶分子的轉(zhuǎn)向及排列。請(qǐng)參照?qǐng)D1A,目前在液晶顯示面板中，除了三原色像素紅色像素R、 綠色像素G、藍(lán)色像素B外，另加入白色像素W，以增加面板整體的穿透 或反射亮度，進(jìn)而達(dá)到省電的功效，然而，RGBW四色混色的液晶顯示面板 的工藝仍然存在許多問(wèn)題需克服。圖1B揭示公知4支術(shù)半穿透半反射(transflective )液晶顯示組件的剖面 圖，請(qǐng)參照?qǐng)D1B,首先，提供第一基板IOO，此第一基板IOO可以為陣列基 板，第一基板100包括用以顯示畫(huà)面的像素區(qū)，而像素區(qū)還包括多個(gè)子像素 區(qū)。接下來(lái)，在第一基板IOO上形成多個(gè)薄膜晶體管108，第一基板100可 為陣列基板，每一像素對(duì)應(yīng)一薄膜晶體管108,且每一薄膜晶體管108均包 括柵極102、源極104和漏4及106。接著，提供相對(duì)于第一基板100的第二基板110,第二基板110可以吣為 彩色濾光片基板，且第二基板110可以包括相對(duì)于子像素的紅色區(qū)、藍(lán)色區(qū)、綠色區(qū)及白色區(qū)，其中在紅色區(qū)形成有紅色光致抗蝕劑R、在綠色區(qū)形成有綠色光致抗蝕劑G、在藍(lán)色區(qū)形成有藍(lán)色光致抗蝕劑B，且在白色區(qū)形成有 透明光致抗蝕劑W,以構(gòu)成具有RGBW四色混色的彩色濾光層。透明光致抗蝕劑的制作方法為在綠色光致抗蝕劑、藍(lán)色光致抗蝕劑及紅 色光致抗蝕劑形成之后，再毯式涂覆一層平坦化的另一覆蓋層112填入上述 三原色光致抗蝕劑R、 G、 B間的空隙，以制作透明光致抗蝕劑W，此外， 平坦化層還可以提供較平坦的表面，以便于進(jìn)行后續(xù)工藝。然而，因?yàn)榫G色 光致抗蝕劑G、藍(lán)色光致抗蝕劑B和紅色光致抗蝕劑R對(duì)另一覆蓋層112 的表面張力和力學(xué)關(guān)系的影響，導(dǎo)致另一覆蓋層112在白色區(qū)和其它區(qū)域產(chǎn) 生斷差d,而使面板產(chǎn)生偏黃的色偏現(xiàn)象。發(fā)明內(nèi)容根據(jù)上述問(wèn)題，本發(fā)明的主要目的為提供一種顯示組件，具有良好的穿 透和反射亮度，且可避免例如色偏的問(wèn)題，以改進(jìn)面板的光學(xué)特性。本發(fā)明提供一種半穿透半反射型顯示器。第一基板，其具有多個(gè)像素， 各像素分為多個(gè)子像素，且各子像素具有至少一穿透區(qū)和至少一反射區(qū)。第 二基板，其相對(duì)應(yīng)于該第一基板，該第二基板分為多個(gè)區(qū)域，且上述區(qū)域中 的至少三個(gè)為彩色區(qū)域以及至少一個(gè)為第四區(qū)域，而區(qū)域相對(duì)應(yīng)于子像素。 覆蓋層覆蓋在所述第一基板上，其中對(duì)應(yīng)于第四區(qū)域的穿透區(qū)的部分覆蓋層 的厚度厚于其它部分覆蓋層的厚度，且對(duì)應(yīng)于第四區(qū)域的反射區(qū)的部分覆蓋 層的厚度大體上相等于其它部分覆蓋層的厚度。液晶層設(shè)置于所述第一基板 與所述第二基板之間。'本發(fā)明提供一種半穿透半反射顯示器的制造方法。首先，提供第一基板， 其具有多個(gè)像素，各像素分為多個(gè)子像素，且各子像素具有至少一反射區(qū)以 及至少一穿透區(qū)。其后，提供第二基板，其相對(duì)應(yīng)于所述第一基板，該第二 基板分為多個(gè)區(qū)域，且所述區(qū)域中的至少三個(gè)為彩色區(qū)域以及至少一個(gè)為第 四區(qū)域，而所述區(qū)域相對(duì)應(yīng)于子像素。接著，在所述第一基板上形成覆蓋層， 對(duì)該覆蓋層進(jìn)行多次黃光工藝，其中對(duì)應(yīng)于第四區(qū)域的穿透區(qū)的部分覆蓋層 的曝光次數(shù)與對(duì)應(yīng)于彩色區(qū)域的穿透區(qū)的部分覆蓋層的曝光次數(shù)相比更少。 接著，在所述第一基板與所述第二基板之間施加液晶層。 、本發(fā)明提供一種顯示器的制造方法。首先，提供第一基板，其具有多個(gè)像素，各像素分為多個(gè)子像素。接著，提供第二基板，其相對(duì)于該第一基板, 該第二基板分為多個(gè)區(qū)域，且所述區(qū)域中的至少三個(gè)為彩色區(qū)域以及至少一 個(gè)為第四區(qū)域，而所述區(qū)域相對(duì)應(yīng)于所述子像素。后續(xù)，在所述第二基板上 形成光致抗蝕劑圖案層，并分別在所述區(qū)域中的所述至少三個(gè)彩色區(qū)域中定 義該光致抗蝕劑圖案層為彩色光致抗蝕劑圖案層且在所述至少一個(gè)第四區(qū) 域中定義該光致抗蝕劑圖案層為第四光致抗蝕劑圖層。其后，在該光致抗蝕 劑圖案層上形成覆蓋層，并在所述第一基板與所述第二基板之間施加液晶 層。


圖1A揭示四色混色液晶顯示面板的示意圖。圖IB揭示公知技術(shù)半穿透半反射液晶顯示組件的剖面圖。圖2揭示本發(fā)明一實(shí)施例的單間距半穿透半反射液晶顯示組件的剖面圖。圖3揭示本發(fā)明一實(shí)施例的雙間距半穿透半反射液晶顯示組件。圖4A 4C揭示本發(fā)明一實(shí)施例的單間距半穿透半反射液晶顯示組件的 覆蓋層的制造方法。圖5A 5C揭示本發(fā)明另一實(shí)施例的單間距半穿透半反射液晶顯示組件 的覆蓋層的制造方法。圖6A 6C揭示本發(fā)明一實(shí)施例的雙間距半穿透半反射液晶顯示組件的 覆蓋層的制造方法。圖7A 7C揭示本發(fā)明另一實(shí)施例的雙間距半穿透半反射液晶顯示組件 的覆蓋層的制造方法。圖8揭示本發(fā)明一實(shí)施例的液晶顯示組件。主要組件符號(hào)說(shuō)明R 紅色區(qū)域；B 藍(lán)色區(qū)域；R 反射區(qū)；d 斷差；202~柵極；G 綠色區(qū)域； W 白色區(qū)域； T 穿透區(qū)； 200 第一基板; 204~源極；206 漏極；210 第二基板；214 覆蓋層；302 液晶層；306 凸塊；502 開(kāi)口區(qū)域；800 第一基板；801 第二基板的相對(duì)于第802 柵極；804 源極；806 漏極；808 薄膜晶體管；830 液晶層。208 薄膜晶體管； 212~另 一覆蓋層； 216 凸出的覆蓋層; 304 覆蓋層； 402 開(kāi)口區(qū)域； 602~開(kāi)口區(qū)域；一基^反的表面； 803 平坦化層； 805 平坦化層表面; 807 覆蓋層； 810 第二基板；具體實(shí)施方式
以下將以實(shí)施例詳細(xì)說(shuō)明做為本發(fā)明的參考，且參照

本發(fā)明的 實(shí)施例。在附圖或描述中，相似或相同的部分使用相同的附圖標(biāo)記。在附圖 中，實(shí)施例的形狀或厚度可擴(kuò)大，以簡(jiǎn)化或方便標(biāo)示。圖式中各組件的部分 將分別描述說(shuō)明，值得注意的是，圖中未繪示或描述的組件，可以具有各種 本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的形式。此外，當(dāng)敘述一層位于一基板或另一層上時(shí)， 此層可直接位于基板或另 一層上，或是其間還可以有中介層。第2圖揭示本發(fā)明一實(shí)施例的單間距(single gap)半穿透半反射液晶顯 示組件的剖面圖，請(qǐng)參照第2圖，首先，提供第一基板200,此第一基板200 可以為陣列基板，該基板的材質(zhì)包括透明性材質(zhì)(例如玻璃、低堿玻璃、無(wú) 堿玻璃等)、可撓性材質(zhì)(例如塑料、聚碳酸酯、聚曱基丙醯酸曱酯等)、不 透光材質(zhì)(例如陶瓷、晶圓等)等。第一基板200包括用以顯示畫(huà)面的像素 區(qū)，而像素區(qū)還包括多個(gè)子像素區(qū)，子像素區(qū)包括反射區(qū)R及穿透區(qū)T,其 中在反射區(qū)R中，液晶顯示組件可藉由外部光線(xiàn)的反射光做為光源，另外， 在穿透區(qū)T中，液晶顯示組件可藉由背光源穿透的光線(xiàn)做為光源，如此，可、/達(dá)到較佳的使用效率及節(jié)省電源。接下來(lái)，在第一基板200上形成多個(gè)薄膜晶體管208,第一基板200可為陣列基板，在本發(fā)明一實(shí)施例中，每一像素對(duì)應(yīng)一薄膜晶體管208,且每 一薄膜晶體管208均包括柵極202、溝道層(未繪示)、歐姆接觸層(未繪示)、 源極204和漏極206，優(yōu)選地，薄膜晶體管208為底^f冊(cè)型(bottom-gate type ) 晶體管，當(dāng)然，.也可使用其它類(lèi)型的晶體管(例如頂柵型(top-gate type )、 蝕刻終止型(etching-stop type )、或其它的晶體管)，且構(gòu)成每一薄膜晶體管 208的材質(zhì)包括非晶硅、多晶硅、單晶硅、微晶硅或上述材質(zhì)的組合。也就 是說(shuō)，溝道層(未繪示)及歐姆接觸層(未繪示)的材質(zhì)包括非晶硅、多晶 硅、單晶硅、微晶硅或上述材質(zhì)的組合，并且歐姆接觸層(未繪示)還摻雜 有N型摻雜劑(例如磚、砷、或其它材質(zhì))或P型摻雜劑(例如硼或其它材 質(zhì))，使其行為類(lèi)似于歐姆特性。然后，^是供相對(duì)于第一基板200的第二基板210，第二基板210可以為 彩色濾光片基板，且第二基板210可以包括相對(duì)于子像素的三個(gè)彩色區(qū)及第 四區(qū)，其中三個(gè)彩色區(qū)可分別包括紅色區(qū)、藍(lán)色區(qū)、綠色區(qū)，而第四區(qū)可以 為白色區(qū)(也稱(chēng)為無(wú)色區(qū))，在紅色區(qū)形成有紅色光致抗蝕劑R、在綠色區(qū) 形成有綠色光致抗蝕劑G、在藍(lán)色區(qū)形成有藍(lán)色光致抗蝕劑B,且在白色區(qū) 形成有透明光致抗蝕劑W，以構(gòu)成具有RGBW四色混色的彩色濾光層。在此需注意的是，本發(fā)明的實(shí)施例以三原色R、 G、 B描述本發(fā)明的顏 色配置，然而，本發(fā)明不限于此，三原色R、 G、 B可以為任何可表現(xiàn)圖案 彩色區(qū)域，也就是說(shuō)，紅色光致抗蝕劑R、綠色光致抗蝕劑G、藍(lán)色光致抗 蝕劑B可以為其它彩色光致抗蝕劑圖案(例如黃色、棕色、藍(lán)綠色、紫色等)。 再者，本發(fā)明的彩色區(qū)域及白色區(qū)域的形狀以矩形為實(shí)施例，然而，也可以 使用其它形狀(例如圓形、多邊形、三角形、六邊形、橢圓形等)。另外， 本發(fā)明的第四區(qū)域以白色為實(shí)施例，然而，為了考量其它顏色的飽合度、對(duì) 比度的情況下，第四區(qū)域也可為彩色區(qū)域的顏色或其它色彩。在上述液晶顯示結(jié)構(gòu)中，透明光致抗蝕劑的制作方法為在形成例如包括 綠色光致抗蝕劑、藍(lán)色光致抗蝕劑和紅色光致抗蝕劑的彩色光致抗蝕劑圖案 層之后，再趙式涂覆一層平坦化的另 一覆蓋層212填入上述例如三原色光致 抗蝕劑R、 G、 B的彩色光致抗蝕劑圖案層間的空隙，以制作透明光致抗蝕 齊寸W,此外，平坦化層亦可提供較平坦的表面，以利后續(xù)工藝進(jìn)行。因，綠 色光致抗蝕劑G、藍(lán)色光致抗蝕劑B和紅色光致抗蝕劑R對(duì)另一覆蓋層212 的表面張力和力學(xué)關(guān)系的影響，導(dǎo)致另 一覆蓋層212在第四區(qū)和彩色區(qū)域產(chǎn)生斷差d。在本發(fā)明一實(shí)施例中，在第一基板200上形成覆蓋層214，覆蓋第一基 板200及其上的薄膜晶體管組件208,其中在穿透區(qū)T中，對(duì)應(yīng)于第四區(qū)的 部分覆蓋層216與彩色區(qū)的部分覆蓋層214相比有較厚的厚度，在反射區(qū)R 中，對(duì)應(yīng)于第四區(qū)的部分覆蓋層和彩色區(qū)部分覆蓋層大體上具有相等的厚 度，換言之，在穿透區(qū)T中，對(duì)應(yīng)于第四區(qū)(白色區(qū)W)的覆蓋層具有凸 塊216。這樣，在穿透區(qū)T中，此較厚厚度的覆蓋層216可補(bǔ)償白色像素W 的斷差，改善光學(xué)效率。為了形成上述結(jié)構(gòu)形狀的覆蓋層，本發(fā)明一實(shí)施例采用下列方法首先， 在第一基板上形成例如感光材料的覆蓋層214，其后，對(duì)覆蓋層214進(jìn)行多 次曝光工藝，其中穿透區(qū)上T且對(duì)應(yīng)于白色區(qū)W的部分覆蓋層216的曝光 次數(shù)與穿透區(qū)上且對(duì)應(yīng)于紅色區(qū)、藍(lán)色區(qū)、綠色區(qū)的部分的曝光次數(shù)相比更少，后續(xù)，對(duì)覆蓋層214進(jìn)行顯影。圖4A 4C揭示本發(fā)明一實(shí)施例的單間距(single gap)半穿透半反射液 晶顯示組件的覆蓋層的制造方法，首先，請(qǐng)參照?qǐng)D4A,在第一基板上(未 繪示)毯式涂覆例如光致抗蝕劑的感光材料的覆蓋層，覆蓋第一基板及其上 的薄膜晶體管組件，其中在此實(shí)施例中，覆蓋層為正光致抗蝕劑。接下來(lái)， 以掩模遮住第一基板的穿透區(qū)T，而對(duì)反射區(qū)R覆蓋層進(jìn)行曝光(曝光的部 位以斜線(xiàn)標(biāo)示)。后續(xù)，請(qǐng)參照?qǐng)D4B，以掩模遮住穿透區(qū)T的對(duì)應(yīng)于第四區(qū)(白色區(qū)W) 上的部分覆蓋層，而對(duì)穿透區(qū)T上的對(duì)應(yīng)于例如包括藍(lán)色區(qū)B、綠色區(qū)G及 紅色區(qū)R的三個(gè)彩色區(qū)的覆蓋層及反射區(qū)R上所有顏色的覆蓋層進(jìn)行曝光。 后續(xù)，請(qǐng)參照?qǐng)D4C，以掩模遮住穿透區(qū)T上所有顏色像素區(qū)的開(kāi)口區(qū)域402 以外的部分覆蓋層，而對(duì)開(kāi)口區(qū)域402位置的覆蓋層進(jìn)行曝光。根據(jù)上述方 法，由于穿透區(qū)T的第四區(qū)(白色區(qū)W)上的部分覆蓋層的曝光次數(shù)比三 個(gè)彩色區(qū)的部分覆蓋層的曝光次數(shù)少一次，因此，穿透區(qū)T的第四區(qū)上的部 分覆蓋層的厚度比其它區(qū)域的部分覆蓋層厚。在本發(fā)明的一個(gè)較佳實(shí)施例中，涂覆的覆蓋層214厚度約為2.0|im,曝 光劑量約可曝及正光致抗蝕劑的覆蓋層214約0.6^m 0.^m的深度，上迷方 法形成的穿透區(qū)T的白色區(qū)W上的部分覆蓋層216的厚度可約為 1.8 2.2(im,而其它區(qū)域的部分覆蓋層214的厚度約為1.2 1.6|im。對(duì)應(yīng)于該白色區(qū)W的部分覆蓋層216比其它部分覆蓋層214大體上厚0.1 0.3pm。圖5A 5C揭示本發(fā)明另一實(shí)施例的單間距(single gap)半穿透半反射 液晶顯示組件的覆蓋層的制造方法，請(qǐng)參照?qǐng)D5A，首先在第一基板上(未 繪示)毯式涂覆例如光致抗蝕劑的感光材料的覆蓋層，覆蓋第一基板及其上 的薄膜晶體管組件，其中在此實(shí)施例中，覆蓋層為正光致抗蝕劑。其后，用 掩模遮住穿透區(qū)T的對(duì)應(yīng)于第四區(qū)(白色區(qū)W)上的部分覆蓋層，而對(duì)穿 透區(qū)T上的對(duì)應(yīng)于例如包括藍(lán)色區(qū)B、綠色區(qū)G及紅色區(qū)R的三個(gè)彩色區(qū) 的覆蓋層及反射區(qū)R上所有顏色的覆蓋層進(jìn)行曝光。接下來(lái)，請(qǐng)參照?qǐng)D5B,以掩模遮住第一基板的穿透區(qū)T對(duì)應(yīng)于所有顏 色像素的區(qū)域，而對(duì)反射區(qū)R覆蓋層進(jìn)行曝光。后續(xù)，請(qǐng)參照?qǐng)D5C，以掩 模遮住穿透區(qū)T上對(duì)應(yīng)于所有顏色像素區(qū)的開(kāi)口區(qū)域502外的部分覆蓋層， 而對(duì)開(kāi)口區(qū)域502位置的覆蓋層進(jìn)行曝光。根據(jù)上述方法，由于穿透區(qū)T的 第四區(qū)上的部分覆蓋層的曝光次數(shù)比其它區(qū)域的部分覆蓋層的曝光次數(shù)少 一次，因此，穿透區(qū)T的第四區(qū)上的部分覆蓋層的厚度比彩色區(qū)的部分覆蓋 層厚。圖3揭示本發(fā)明一實(shí)施例雙間距(dual gap)半穿透半反射液晶顯示組 件，其結(jié)構(gòu)大體上和第2圖相似，為簡(jiǎn)潔，在此不詳加描述，兩者所不同的 是，雙間距半穿透半反射液晶顯示組件在反射區(qū)R的液晶層302的厚度Tr 比穿透區(qū)T的液晶層302的厚度Tt小，因此，如圖3所示，反射區(qū)R的覆 蓋層304的整體厚度比穿透區(qū)T的覆蓋層304的厚度大，另外，為解決上述 色偏現(xiàn)象，在穿透區(qū)T中，對(duì)應(yīng)于第四區(qū)(白色區(qū)W)的部分覆蓋層306 比其它彩色區(qū)覆蓋層304有較厚的厚度，在反射區(qū)R中，對(duì)應(yīng)于第四區(qū)(白 色區(qū)W )的部分覆蓋層304和彩色區(qū)部分覆蓋層304大體上具有相等的厚度， 換言之，在穿透區(qū)T中，對(duì)應(yīng)于第四區(qū)(白色區(qū)W)的覆蓋層具有凸塊306。為了形成上述結(jié)構(gòu)形狀的覆蓋層，本發(fā)明的一個(gè)實(shí)施利采用下列方法 首先，在第一基板上形成例如感光材料覆蓋層304，其后，對(duì)覆蓋層304進(jìn) 行多次曝光工藝，其中穿透區(qū)T的覆蓋層304的整體曝光次數(shù)比反射區(qū)R 的覆蓋層304多，另外，穿透區(qū)T上且對(duì)應(yīng)于該第四區(qū)(白色區(qū)W)的部 分覆蓋層的曝光次數(shù)比穿透區(qū)T上且對(duì)應(yīng)于例如包括紅色區(qū)R、藍(lán)色g B、 綠色區(qū)G的彩色區(qū)的部分的曝光次數(shù)少，后續(xù)，對(duì)覆蓋層304進(jìn)行顯影。圖6A 6C揭示本發(fā)明一實(shí)施例的雙間距(dual gap)半穿透半反射液晶顯示組件的覆蓋層的制造方法，首先，請(qǐng)參照?qǐng)D6A,在第一基板上(未繪 示)毯式涂覆例如光致抗蝕劑的感光材料的覆蓋層，覆蓋第一基板及其上的 薄膜晶體管組件，其中在此實(shí)施例中，覆蓋層為正光致抗蝕劑。接下來(lái)，對(duì) 所有的覆蓋層進(jìn)行全面性的曝光(曝光的區(qū)域以斜線(xiàn)標(biāo)示)。后續(xù)，請(qǐng)參照?qǐng)D6B,再一次對(duì)所有覆蓋層進(jìn)行全面性的曝光。接著， 請(qǐng)參照?qǐng)D6C，以掩模遮住穿透區(qū)T的對(duì)應(yīng)于第四區(qū)(白色區(qū)W)上開(kāi)口區(qū) 域602外的部分覆蓋層，并遮住反射區(qū)R上所有顏色的覆蓋層，而對(duì)穿透區(qū) T上的對(duì)應(yīng)于例如包括藍(lán)色區(qū)B、綠色區(qū)G及紅色區(qū)R的三個(gè)彩色區(qū)覆蓋層， 及第四區(qū)開(kāi)口區(qū)域602位置的覆蓋層進(jìn)行曝光。根據(jù)上述方法，由于穿透區(qū) T的第四區(qū)上的部分覆蓋層的曝光次數(shù)比其它區(qū)域的部分覆蓋層的曝光次數(shù) 少一次，因此，穿透區(qū)T的第四區(qū)上的部分覆蓋層的厚度比彩色區(qū)的部分覆圖7A 7C揭示本發(fā)明另一實(shí)施例的雙間距(dual gap)半穿透半反射液 晶顯示組件的覆蓋層的制造方法，首先，請(qǐng)參照?qǐng)D7A,在第一基板上(未 繪示)毯式涂覆例如光致抗蝕劑的感光材料的覆蓋層，覆蓋第一基板及其上 的薄膜晶體管組件，其中在此實(shí)施例中，覆蓋層為正光致抗蝕劑。接下來(lái)，以掩模遮住穿透區(qū)R上的部分覆蓋層，而對(duì)反射區(qū)T上的部分覆蓋層進(jìn)行曝 光。后續(xù)，請(qǐng)參照?qǐng)D7B,對(duì)所有覆蓋層進(jìn)行全面性的曝光。接著，請(qǐng)參照 圖7C,以掩模光罩遮住穿透區(qū)T的第四區(qū)(白色區(qū)W)上開(kāi)口區(qū)域702外 的部分覆蓋層，并遮住反射區(qū)R上所有顏色的覆蓋層，而對(duì)穿透區(qū)T上的例 如包括藍(lán)色區(qū)B、綠色區(qū)G及紅色區(qū)R的三個(gè)彩色區(qū)的覆蓋層，及第四區(qū) 開(kāi)口區(qū)域602位置的覆蓋層進(jìn)行曝光。根據(jù)上述方法，由于穿透區(qū)T的第四 區(qū)上的部分覆蓋層的曝光次數(shù)比其它區(qū)域的部分覆蓋層的曝光次數(shù)少一次， 因此，穿透區(qū)的第四區(qū)上的部分覆蓋層的厚度比彩色區(qū)的部分覆蓋層厚。圖8揭示本發(fā)明又另一實(shí)施例的液晶顯示組件及其制造方法。首先，提供第一基板800,此第一基板800可以為陣列基板，第一基板800的材質(zhì)包 括透明性材質(zhì)(例如玻璃、低堿玻璃、無(wú)堿玻璃等)、可撓性材質(zhì)(例如塑 料、聚碳酸酯、聚曱基丙醯酸曱酯等)、不透光材質(zhì)(例如陶瓷、晶圓,) 等。第一基板800包括用以顯示畫(huà)面的像素區(qū)。接下來(lái)，在基板上形成多個(gè)薄膜晶體管808，在本發(fā)明一實(shí)施例中，每一像素對(duì)應(yīng)一薄膜晶體管808,且每一薄膜晶體管808均包括柵極802、溝 道層(未繪示)、歐姆接觸層(未繪示)、源極804和漏極806,較佳者，薄 膜晶體管808為底柵型(bottom-gate type )晶體管，當(dāng)然，也可使用其它類(lèi) 型的晶體管(例如頂柵型(top-gate type )、蝕刻終止型(etching-stop type )、 或其它的晶體管)，且構(gòu)成每一薄膜晶體管808的材質(zhì)系包括非晶硅、多晶 硅、單晶硅、微晶硅或上述材質(zhì)的組合。也就是說(shuō)，溝道層(未繪示)及歐 姆接觸層(未繪示)的材質(zhì)包括非晶硅、多晶硅、單晶硅、微晶硅或上述材 質(zhì)的組合，并且歐姆接觸層(未繪示)還摻雜有N型摻雜劑(例如磷、砷或 其它材質(zhì))或P型摻雜劑(例如硼或其它材質(zhì))，使其行為類(lèi)似于歐姆特性。 后續(xù)，在薄膜晶體管808和基板800上形成覆蓋層807。后續(xù)，提供相對(duì)于第一基板800的第二基板810,第二基板810可以為 彩色濾光片基板，第二基板810可以包括對(duì)應(yīng)于子像素例如包括紅色區(qū)、藍(lán) 色區(qū)、綠色區(qū)的彩色區(qū)及例如白色區(qū)的第四區(qū)。接下來(lái)，在第二基板810上 形成光致抗蝕劑圖案層，并分別在這些區(qū)域中的至少三個(gè)彩色區(qū)域中定義光 致抗蝕劑圖案層為例如包括紅色光致抗蝕劑R、藍(lán)色光致抗蝕劑B和綠色光 致抗蝕劑G的彩色光致抗蝕劑圖案層及在這些區(qū)域中的至少一個(gè)第四區(qū)域 中定義光致抗蝕劑圖案層為例如透明光致抗蝕劑W的第四光致抗蝕劑圖層， 舉例來(lái)說(shuō)，以一般的微影工藝定義光致抗蝕劑，在第二基板810的相對(duì)于第 一基板面801的紅色區(qū)上形成紅色光致抗蝕劑R，接著，以一般的微影工藝 定義光致抗蝕劑，在第二基板的相對(duì)于第一基板面801的藍(lán)色區(qū)上形成藍(lán)色 光致抗蝕劑B,以一般的微影工藝定義光致抗蝕劑，在第二基板810的相對(duì) 于第一基板面801的綠色區(qū)上形成綠色光致抗蝕劑G,以一般的微影工藝定 義光致抗蝕劑，在第二基板810的相對(duì)于第一基板面801的白色區(qū)上形成透 明光致抗蝕劑W。需注意的是，例如透明光致抗蝕劑W的第四光致抗蝕劑圖層填入第一 基板上的第四區(qū)，而用微影方法移除位于例如包括紅色光致抗蝕劑R、藍(lán)色 光致抗蝕劑B及綠色光致抗蝕劑G的彩色光致抗蝕劑圖案層上的透明光致 抗蝕劑，這樣，例如透明光致抗蝕劑W的第四光致抗蝕劑圖層僅位于例如 白色區(qū)的第四區(qū)上，可克服表面張力和力學(xué)影響，導(dǎo)致另一覆蓋層在力色像 素和紅色、綠色、藍(lán)色像素產(chǎn)生斷差的問(wèn)題。接著，在例如包括紅色光致抗蝕劑W、藍(lán)色光致抗蝕劑B、綠色光致抗蝕劑G的彩色光致抗蝕劑圖案層及例如透明光致抗蝕劑W的第4光致抗蝕 劑圖層上涂覆另一層覆蓋層803,這樣，可得到具有平坦且無(wú)斷差的覆蓋層 表面805。后續(xù)，在第一基板800和第二基板810間填入液晶層830,以完 成液晶顯示面板的制作。根據(jù)上述實(shí)施例，本發(fā)明主要在單間距(single-gap)以及雙間距 (dual-gap)半穿透半反射型顯示器中，針對(duì)穿透區(qū)曝光次數(shù)做調(diào)整，使得 白色區(qū)的覆蓋層厚度大于其它顏色R、 G、 B區(qū)的覆蓋層厚度，反射區(qū)因?yàn)?需要制作凸塊，無(wú)法透過(guò)曝光來(lái)單獨(dú)提高反射區(qū)覆蓋層，因此反射區(qū)的覆蓋 層保持均勻的厚度，其可藉由例如查表(Look-Up-Table)的電路控制改變反 射特性以解決偏黃問(wèn)題。因此，根據(jù)上述實(shí)施例，本發(fā)明可解決白色區(qū)斷差過(guò)大所導(dǎo)致面板偏黃 的色偏問(wèn)題，以改進(jìn)面板的光學(xué)特性。雖然本發(fā)明已以較佳實(shí)施例揭露如上，但是其并非用以限定本發(fā)明，任 何本領(lǐng)域技術(shù)人員，在不脫離本發(fā)明的精神和范圍內(nèi)，可以做出許多更動(dòng)與 潤(rùn)飾，因此本發(fā)明的保護(hù)范圍應(yīng)當(dāng)以所附權(quán)利要求定義的范圍為準(zhǔn)。
權(quán)利要求
1.一種顯示器的制造方法，包括提供第一基板，其具有多個(gè)像素，各個(gè)所述像素分為多個(gè)子像素；提供第二基板，其相對(duì)于該第一基板，該第二基板分為多個(gè)區(qū)域，且所述區(qū)域中的至少三個(gè)為彩色區(qū)域以及至少一個(gè)為第四區(qū)域，而所述區(qū)域相對(duì)應(yīng)于所述子像素；在該第二基板上形成光致抗蝕劑圖案層，并分別定義該光致抗蝕劑圖案層在所述區(qū)域中的至少三個(gè)彩色區(qū)域中為彩色光致抗蝕劑圖案層以及在所述至少一個(gè)第四區(qū)域中為第四光致抗蝕劑圖層；在所述光致抗蝕劑圖案層上形成覆蓋層；以及在該第一基板與該第二基板之間施加液晶層。
2. 如權(quán)利要求1所述的顯示器的制造方法，其中該覆蓋層大體上具有平 坦的表面。
3. 如權(quán)利要求1所述的顯示器的制造方法，還包括 在該第 一基板上形成另 一覆蓋層。
4. 如權(quán)利要求3所述的顯示器的制造方法，其中該另一覆蓋層大體上具 有平坦的表面。
5. 如權(quán)利要求3所述的顯示器的制造方法，其中在該第一基板及該第二 基板上的所述這些覆蓋層大體上具有平坦的表面。
6. 如權(quán)利要求1所述的顯示器的制造方法，其中該光致抗蝕劑圖案層大 體上具有平坦的表面。
7. 如權(quán)利要求1所述的顯示器的制造方法，其中在該第二基板上形成光 致抗蝕劑圖案層，并分別定義該光致抗蝕劑圖案層在所述區(qū)域中的至少三個(gè) 彩色區(qū)域?yàn)椴噬庵驴刮g劑圖案層及在所述至少一個(gè)第四區(qū)域中為第四光 致抗蝕劑圖層的步驟包括在該第二基板上涂覆光致抗蝕劑層；以及圖案化該光致抗蝕劑層，用以依序定義所述區(qū)域中的至少三個(gè)彩色區(qū)域 為彩色光致抗蝕劑圖案層及所述至少 一 個(gè)第四區(qū)域?yàn)榈谒墓庵驴刮g劑圖層。
全文摘要
本發(fā)明涉及一種顯示器的制造方法，包括提供第一基板，其具有多個(gè)像素，各個(gè)所述像素分為多個(gè)子像素；提供第二基板，其相對(duì)于該第一基板，該第二基板分為多個(gè)區(qū)域，且所述區(qū)域中的至少三個(gè)為彩色區(qū)域以及至少一個(gè)為第四區(qū)域，而所述區(qū)域相對(duì)應(yīng)于所述子像素；在該第二基板上形成光致抗蝕劑圖案層，并分別定義該光致抗蝕劑圖案層在所述區(qū)域中的至少三個(gè)彩色區(qū)域中為彩色光致抗蝕劑圖案層以及在所述至少一個(gè)第四區(qū)域中為第四光致抗蝕劑圖層；在所述光致抗蝕劑圖案層上形成覆蓋層；以及在該第一基板與該第二基板之間施加液晶層。
文檔編號(hào)G02F1/1333GK101271214SQ20081000350
公開(kāi)日2008年9月24日 申請(qǐng)日期2006年5月15日 優(yōu)先權(quán)日2006年5月15日
發(fā)明者張志明, 洪國(guó)永, 胡至仁, 貝志駿 申請(qǐng)人:友達(dá)光電股份有限公司