專利名稱：改進(jìn)的顯示器電極布局的制作方法
技術(shù)領(lǐng)域：
本發(fā)明涉及一種用于顯示設(shè)備的經(jīng)改進(jìn)的電極布局，特別用于平板電泳顯示設(shè)備。
背景技術(shù)：
本領(lǐng)域技術(shù)人員公知的顯示設(shè)備例如有液晶顯示器(LCD)、薄膜二極管(TFD)顯示器和電泳顯示器。顯示設(shè)備典型地包括以行和列的陣列設(shè)置的多個(gè)顯示像素，并且所述像素可以由各個(gè)控制電極控制。所需要的控制電極的總數(shù)典型地取決于將被驅(qū)動(dòng)的顯示像素的種類和
似，曰數(shù)量。
已知電泳顯示器有很多年了；例如可從美國(guó)專利US3612758中得知。電泳顯示器的基本原理是顯示器中封裝的電泳材料的表現(xiàn)可由電場(chǎng)控制。
所謂的"平板"電泳像素使用位于顯示器襯底側(cè)面的電場(chǎng)以將粒子從觀看者看不到的屏蔽區(qū)域移至有源觀察區(qū)域。移入或移出有源區(qū)域的粒子數(shù)量越大，像素的光學(xué)特征的變化也就越大。申請(qǐng)人的國(guó)際申請(qǐng)W02004 / 008238給出了典型的平板電泳顯示器的實(shí)例。
對(duì)于顯示設(shè)備的一個(gè)重要考慮是各個(gè)控制電極之間的交叉的數(shù)量。各個(gè)電極相互交叉的次數(shù)越多，這些交叉之一短路并將交叉電極連接在一起的幾率越大。
因此，隨著交叉數(shù)量的增加，制造過程的產(chǎn)量會(huì)減少，并且在顯示器投入使用后發(fā)生錯(cuò)誤的幾率會(huì)增加。
此外，交叉典型地導(dǎo)致交叉電極之間的電容耦合，這會(huì)造成在每個(gè)電極承載的信號(hào)中引入噪聲。
減少交叉數(shù)量的一種技術(shù)是在不同的襯底層上設(shè)置各個(gè)電極，從而將發(fā)生短路的風(fēng)險(xiǎn)最小化并減少電極之間的電容耦合。例如，TFD顯示器可以包括設(shè)置于第一和第二襯底層之間的像素的行和列陣列，其中行尋址電極設(shè)置于第一襯底層上，列尋址電極設(shè)置于第二襯底層上。因此，行和列電極被像素材料間隔開，所述短路和電極間的電容耦合被最小化。美國(guó)專利US 4694287討論了一種顯示器背景下的類似 方法，所述由被光學(xué)有源材料(例如LCD)間隔開的兩個(gè)襯底形成。
然而，該方法需要在兩個(gè)襯底上而非一個(gè)襯底上對(duì)電極進(jìn)行構(gòu)圖， 這增加了制造成本。
對(duì)于電極布局的另一重要考慮是，支撐電極所需的顯示器區(qū)域的 比例。如果電極占據(jù)了顯示器的較大區(qū)域，則典型地顯示器的較小區(qū) 域可以用作有源像素區(qū)域，其可以被控制以賦予顯示器其光學(xué)表現(xiàn)。 有源像素區(qū)域(其光學(xué)表現(xiàn)可以被控制的區(qū)域)與無源像素區(qū)域(其 光學(xué)表現(xiàn)不可以被控制的區(qū)域)的比例通常被看作開口率。開口率越 高，能夠被控制以改變像素的光學(xué)表現(xiàn)的像素的比例越高。高開口率 使得更亮的顯示器能夠具有更高的對(duì)比度，因此期望將每個(gè)像素的由 控制電極占據(jù)的區(qū)域最小化。

發(fā)明內(nèi)容
因此，本發(fā)明的目的是提供一種相對(duì)于現(xiàn)有技術(shù)有所改進(jìn)的電極
布局o
根據(jù)本發(fā)明的第一方面，提供一種顯示設(shè)備，包括像素的行和列 的陣列，所述陣列包括-
被共同控制的多個(gè)第一電極，用于向陣列的每個(gè)像素提供公共信 號(hào)，每個(gè)第一電極延伸經(jīng)過一行像素或沿著一行像素延伸以向該行像
素提供公共信號(hào)；
被共同控制的多個(gè)第二電極，用于向該陣列的每個(gè)像素提供另外 的公共信號(hào)，每個(gè)第二電極延伸經(jīng)過一行像素或沿著一行像素延伸以 向該行像素提供另外的公共信號(hào)；
多個(gè)像素尋址電極，用于向像素提供數(shù)據(jù)以控制像素的光學(xué)表現(xiàn);
以及
其中至少所述多個(gè)第一和第二電極設(shè)置于公共襯底上。
因此，像素陣列中被共同控制的多個(gè)第一電極和被共同控制的多
個(gè)第二電極之間的交叉被消除，通過在行方向上安排第一和第二電極
以使得它們彼此平行。
被共同控制的多個(gè)電極包括所有被相同的(公共)驅(qū)動(dòng)信號(hào)驅(qū)動(dòng)
的電極。例如，公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)中的電壓脈沖會(huì)在所有被共同控制的多個(gè)電極上產(chǎn)生電壓脈沖。影響被共同控制的多個(gè)電極中一電極的短路 通常也影響公共驅(qū)動(dòng)信號(hào)，因此也影響被共同控制的多個(gè)電極中的其 它電極。因此，影響被共同控制的多個(gè)電極中一電極的短路，特別是 被共同控制的多個(gè)電極中的一電極和被共同控制的另外多個(gè)電極中的 一電極之間的短路，通常具有典型地導(dǎo)致顯示器的表現(xiàn)出現(xiàn)最嚴(yán)重錯(cuò) 誤的深遠(yuǎn)影響。
因此，提出一種像素陣列中的電極布局，其將電極交叉的整體數(shù) 量最小化，并消除了特定電極之間的電極交叉，如果所述特定電極短 路，將對(duì)顯示器性能造成最為破壞性的影響。
此外，每一行與從該行的第一像素延伸至該行的最后像素的第一 電極相關(guān)聯(lián)，從而將公共信號(hào)提供給該行的每個(gè)像素。而且，每一行 可以與從該行的第一像素延伸至該行的最后像素的第二電極相關(guān)聯(lián)， 從而將另外的公共信號(hào)提供給該行的每個(gè)像素。
有利地，所述多個(gè)電極至少可以部分地形成用于控制顯示設(shè)備的 像素的無源矩陣?？商娲兀龆鄠€(gè)電極至少可以部分地形成有源 矩陣，并與顯示設(shè)備的像素中的有源電路相結(jié)合。
此外，所述多個(gè)電極可以用于控制平板電泳像素的陣列。
有利地，所述多個(gè)像素尋址電極可以包括多個(gè)第三電極和多個(gè)第 四電極，其中每個(gè)第三電極延伸經(jīng)過一行像素或沿著一行像素延伸， 并且其中每個(gè)第四電極延伸經(jīng)過一列像素或沿著一列像素延伸。因此， 提供一種包括第三(行)電極和第四(列)電極的顯示設(shè)備，其可以 用于對(duì)陣列中的每個(gè)像素進(jìn)行尋址。此外，由于第三電極在行方向上 延伸，因此多個(gè)第一、第二和第三電極之間的交叉可以避免。
此外，所述多個(gè)第一、第二、第三和第四電極可以設(shè)置于公共襯 底上，從而將制造成本最小化而沒有大量交叉的危險(xiǎn)。
此外，所述多個(gè)第一、第二和第三電極可以通過絕緣層而與所述 多個(gè)第四電極絕緣，從而將制造顯示設(shè)備的復(fù)雜性最小化。
此外，平板電泳顯示器可以具有這樣的像素，每個(gè)像素包括第一 顯示電極、第二顯示電極、柵電極和集電極。有利地，所述多個(gè)第一 電極可以用于將公共信號(hào)提供給第一顯示電極，所述多個(gè)第二電極可 以用于將所述另外的公共信號(hào)提供給第二顯示電極，所述多個(gè)第三電 極可以用于控制所述柵電極，所述多個(gè)第四電極可以用于控制所述集
6電極。
此外，每個(gè)第一電極可以用于將所述公共信號(hào)提供給相應(yīng)各行中 像素的第一顯示電極，每個(gè)第二電極可以用于將所述另外的公共信號(hào) 提供給相應(yīng)各行中包括的像素的第二顯示電極。
可替代地，每個(gè)第一電極可以用于將所述公共信號(hào)提供給相應(yīng)各
行中像素的第一顯示電極，每個(gè)第二電極可以用于將所述另外的公共 信號(hào)提供給每對(duì)行中包括的像素的第二顯示電極。因此，第二電極可 以連接至兩行像素(而不只是一行像素)的第二顯示電極的部分或形 成兩行像素的第二顯示電極的部分，從而將第二電極的整體數(shù)量減少。 這實(shí)現(xiàn)了較高的開口率，因?yàn)殡姌O占據(jù)了較少的顯示器區(qū)域。由于交 叉的整體數(shù)量減少，這也實(shí)現(xiàn)了較高的制造生產(chǎn)率以及在顯示器使用 過程中發(fā)生錯(cuò)誤的風(fēng)險(xiǎn)更低。


僅通過實(shí)例并參考附圖描述本發(fā)明的實(shí)施例，附圖中
圖l示出根據(jù)本發(fā)明第一實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性附圖； 圖2示出根據(jù)本發(fā)明第二實(shí)施例的顯示設(shè)備的示意性附圖； 圖3示出第二實(shí)施例的顯示設(shè)備中包括的電泳像素的示意性附圖； 圖4示出用于將第二實(shí)施例的顯示設(shè)備連接至驅(qū)動(dòng)器芯片的柔性
箔的示意性附圖5示出根據(jù)本發(fā)明第三實(shí)施例的包括十六個(gè)圖3所示像素的顯
示設(shè)備的示意性附圖；以及
圖6示出第三實(shí)施例的顯示設(shè)備中的四個(gè)圖3所示像素形成一列
的示意性附圖。
具體實(shí)施例方式
現(xiàn)在參考圖l描述本發(fā)明的第一實(shí)施例。顯示設(shè)備io包括設(shè)置于 公共襯底11上的四行和四列像素13的陣列。顯示設(shè)備IO包括多個(gè)第 一電極FE，多個(gè)第二電極SE，和用于每個(gè)像素的像素尋址電極。用于 第一列的像素尋址電極標(biāo)為AC1，用于第二列的標(biāo)為AC2，用于第三列 為AC3，用于第四列為AC4。所述多個(gè)第一電極FE全部由驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS1 (公共信號(hào))共同控制，所述多個(gè)第二電極SE全部由驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS2(另
7一公共信號(hào))共同控制。所述多個(gè)像素尋址電極AC1、 AC2、 AC3和AC4 用于向像素提供數(shù)據(jù)以控制每一個(gè)像素的光學(xué)表現(xiàn)。
顯示設(shè)備中的每個(gè)像素具有三個(gè)接點(diǎn)與第一電極FE的一個(gè)接點(diǎn) 14，與第二電極SE的一個(gè)接點(diǎn)12，和與像素尋址電極的一個(gè)接點(diǎn)16。 這些接點(diǎn)可以是與直接控制像素光學(xué)表現(xiàn)的像素電極的接點(diǎn)，或者它 們可以是與用于控制像素的有源切換電路的接點(diǎn)。
每行像素具有延伸經(jīng)過該行像素的第一電極FE，和延伸經(jīng)過該行 像素的第二電極SE。所述像素尋址電極在列方向上延伸，并且每個(gè)像 素尋址電極從一像素向該陣列的更低端延伸。
在像素陣列的邊緣和與DS1和DS2驅(qū)動(dòng)信號(hào)的接點(diǎn)之間的任何位 置，第一電極FE可以與驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS1連接在一起，第二電極SE可以 與驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS2連接在一起。例如，電極可以在像素陣列的外周連接 在一起，或者在像素陣列和驅(qū)動(dòng)器芯片之間的柔性箔上連接在一起， 或者甚至可以在驅(qū)動(dòng)器芯片自身內(nèi)部連接在一起。
第一電極FE和第二電極SE都在行方向上延伸，因此彼此平行。 這將陣列中交叉的總數(shù)最小化，并去除了被共同控制的第一電極FE和 被共同控制的第二電極SE之間的所有交叉。因此，短路的可能性特別
是第一電極和第二電極之間的短路的可能性被最小化。
第一、第二和像素尋址電極都設(shè)置在公共襯底ll上，因此不需要
在其它襯底上對(duì)這些電極中的任何一個(gè)進(jìn)行構(gòu)圖以便形成相同的顯示
設(shè)備o
為了簡(jiǎn)化，圖1的顯示設(shè)備只包括16個(gè)像素，雖然實(shí)際的顯示設(shè)
備可以包括成千上萬的像素。
現(xiàn)在參考附圖2、 3和4描述本發(fā)明的第二實(shí)施例。 請(qǐng)看圖2，平板電泳顯示設(shè)備20包括以四行和四列的陣列設(shè)置的 16個(gè)鄰接的像素30。有源區(qū)域(例如22)作為陰影區(qū)域示出，其被控 制以改變像素光學(xué)表現(xiàn)。所述電泳顯示設(shè)備還包括多個(gè)第一電極FE、 多個(gè)第二電極SE和多個(gè)像素尋址電極，所述多個(gè)像素尋址電極包括多 個(gè)第三電極TE和多個(gè)第四電極FRE。所述多個(gè)第一電極FE被共同控制，
多個(gè)第二電極SE被共同控制，多個(gè)第三和第四電極被單獨(dú)控制以便它 們可以用于尋址各獨(dú)立的像素。
在此實(shí)施例中，像素彼此鄰接，因此多個(gè)電極延伸經(jīng)過像素。然而，在其它實(shí)施例中，每個(gè)像素的邊界的限定有所不同，因此多個(gè)電 極可以被認(rèn)為在像素旁沿著像素延伸而非延伸經(jīng)過像素。例如， 一像
素可以被認(rèn)為是一有源區(qū)域22。
多個(gè)第一FE、第二SE、第三TE和第四FRE電極都設(shè)置于公共襯 底(40)上。所述多個(gè)第一、第二和第三電極在行方向上彼此平行而 設(shè)，因此在陣列中彼此不交叉。所述多個(gè)第四電極與所述多個(gè)第一、 第二和第三電極交叉，因此由絕緣層將它們與所述第一、第二和第三 電極分開。
所述多個(gè)第一FE、第二SE、第三TE和第四FRE電極共同形成用 于控制平板電泳像素30的無源矩陣。
圖3示出顯示設(shè)備20的平板電泳像素中的一個(gè)。像素30具有集 電極CLTR、柵電極GTE、第一顯示電極FVE和第二顯示電極SVE。這四 種電極用于控制有源區(qū)域22中存在的帶電粒子的數(shù)量。典型地，集電 極CLTR用于將帶電粒子遠(yuǎn)離有源區(qū)域而保存起來，柵電極GTE用于將
特定數(shù)量的帶電粒子從集電極的區(qū)域吸引至柵電極的區(qū)域，第一顯示 電極FVE用于將帶電粒子從柵電極區(qū)域拉至有源區(qū)域22，第二顯示電 極SVE用于將帶電粒子從第一顯示電極區(qū)域拉入有源區(qū)域22，從而改
變像素光學(xué)表現(xiàn)。
在顯示設(shè)備20中，每個(gè)像素的第一顯示電極FVE是第一電極FE
的一部分，它的第二顯示電極SVE是第二電極SE的一部分，它的柵電
極GTE是第三電極TE的一部分，它的集電極CLTR是第四電極FRE的
一部分。
在顯示設(shè)備20中，每個(gè)第一電極FE形成各行中像素的第一顯示 電極FVE的部分，每個(gè)第二電極SE形成各行中像素的第二顯示電極SVE 的部分，每個(gè)第三電極TE形成各行中像素的柵電極GTE的部分，每個(gè) 第四電極FRE連接24至各列中像素的集電極CLTR。
為了尋址顯示設(shè)備20，首先，像素的集電極CLTR和柵電極GTE由 所述多個(gè)第三電極TE和第四電極FRE順序地尋址，第二，像素的第一 顯示電極FVE全部由被共同控制的多個(gè)第一電極FE同時(shí)尋址，第三， 像素的第二顯示電極SVE全部由被共同控制的多個(gè)第二電極SE同時(shí)尋址。
圖4示出所述多個(gè)第一電極FE和第二電極SE如何被共同連接至
9兩個(gè)驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS1和DS2。襯底40承載著形成顯示設(shè)備20的像素和多 個(gè)第一、第二、第三和第四電極。為了簡(jiǎn)化，沒有示出顯示設(shè)備20的 細(xì)節(jié)。圍繞顯示設(shè)備20外周的是八個(gè)連接襯墊(例如44)，其連接至 顯示設(shè)備20的第一電極FE和第二電極SE。然后，這些襯墊分別連接 至柔性箔連接器42的八個(gè)連接襯墊(例如46)。柔性箔連接器將所有 第一電極FE連接至連接襯墊用于接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS1，將所有第二電極 SE連接至連接襯墊用于接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)DS2。通過將柔性箔連接至驅(qū)動(dòng) 器芯片可以接收驅(qū)動(dòng)信號(hào)。使用附加的柔性箔來將所述多個(gè)第三和第 四電極連接至驅(qū)動(dòng)器芯片。
本實(shí)施例提供的電極布局將交叉的整體數(shù)量最小化，并且特別是 在陣列中在被共同控制的多個(gè)第一電極和被共同控制的多個(gè)第二電極 之間沒有任何交叉。所述電極布局非常適用于平板電泳像素，其每個(gè) 像素均需要兩個(gè)尋址電極和兩個(gè)被共同控制的電極。
可以使用各向異性膠層(ACF)將柔性箔42粘于顯示襯底40，這 對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員是顯而易見的。典型地，柔性箔中發(fā)生短路的幾 率遠(yuǎn)小于陣列電極之間交叉處發(fā)生短路的幾率。
在可替換的實(shí)施例中，在顯示設(shè)備20的外周周圍，例如在襯底40 上，可以將第一電極連接在一起，并將第二電極連接在一起。這樣的 優(yōu)點(diǎn)在于從襯底40到柔性箔只需要兩個(gè)連接(一個(gè)用于給第一電極的 驅(qū)動(dòng)信號(hào)， 一個(gè)用于給第二電極的驅(qū)動(dòng)信號(hào))來連接驅(qū)動(dòng)器芯片。此 外，在外周電路中的第一和第二電極之間的任何交叉比在陣列中的情 況更不易造成短路，因?yàn)樵谕庵茈娐分斜汝嚵兄懈子谛纬婶敯舻慕?叉。
在另一實(shí)施例中，所有第一和第二電極可以直接連接至驅(qū)動(dòng)器芯 片。這需要與驅(qū)動(dòng)器芯片有更多的連接(每個(gè)第一/第二電極要一個(gè)連 接)，雖然由于典型地用于制造芯片的成熟工藝，在驅(qū)動(dòng)器芯片中發(fā) 生短路的風(fēng)險(xiǎn)非常低。
現(xiàn)在參考圖5和6描述本發(fā)明的第三實(shí)施例。
圖5示出平板電泳顯示設(shè)備50，其包括十六個(gè)圖3所示的平板電 泳像素30，和與第二實(shí)施例的設(shè)置有所不同的多個(gè)第一FE、第二SE、 第三TE和第四FRE電極。特別是，像素的相鄰行彼此對(duì)稱，因此每個(gè) 第二電極形成行的各個(gè)相鄰對(duì)中(而非如第二實(shí)施例情況中的每單個(gè)行中)的像素的第二顯示電極的部分。
由于這造成第二電極的數(shù)量更低，因此陣列中交叉的數(shù)量更低， 從而發(fā)生短路的幾率被減小。此外，有更多的陣列區(qū)域可以用作有源 像素區(qū)域，因此顯示器的亮度和對(duì)比度得到提高。
圖6更加詳細(xì)地示出顯示設(shè)備50的一列四個(gè)像素30。所述四個(gè)像 素分別被標(biāo)為60、 62、 64和66，并且具有各自的有源區(qū)域61、 63、 65和67。像素的第一顯示電極FVE形成顯示設(shè)備50的第一電極FE的 部分，像素的第二顯示電極SVE形成顯示設(shè)備50的第二電極SE的部 分，像素的柵電極GTE形成顯示設(shè)備50的第三電極TE的部分，像素 的集電極CLTR連接52至顯示設(shè)備50的第四電極FRE。從圖6可以看 出，第二顯示電極SVE之一在行的相鄰對(duì)的像素62和64之間被共享。 很顯然，如果行數(shù)增加，在行的相鄰對(duì)的像素之間被共享的第二顯示 電極的數(shù)量也增加。
對(duì)稱行布局也使得集電極CLTR能夠在相鄰行的像素之間被共享， 進(jìn)一步增加了陣列中可以用作有源區(qū)域的面積。
總之，公開了一種具有改進(jìn)的電極布局的顯示設(shè)備。所述顯示設(shè) 備包括像素的行和列的陣列。所述顯示設(shè)備進(jìn)一步包括被共同控制的 多個(gè)第一電極，用于向每個(gè)像素提供公共信號(hào)，被共同控制的多個(gè)第 二電極，用于向每個(gè)像素提供另外的公共信號(hào)，以及多個(gè)用于尋址各 個(gè)像素的像素尋址電極。至少多個(gè)第一電極和多個(gè)第二電極彼此平行 而設(shè)，以便消除被共同控制的電極之間的交叉。
雖然附圖中參考了行和列，但是可以理解的是這些項(xiàng)目可以互換。 例如，如果顯示器被旋轉(zhuǎn)90('，則可以將行看作列，將列看作行。實(shí)質(zhì) 上，行和列在彼此正交的方向上延伸。
落入權(quán)利要求范圍中的其它實(shí)施例對(duì)于本領(lǐng)域技術(shù)人員也是顯而 易見的。特別是，這里所述的實(shí)施例的各個(gè)特征可以進(jìn)行合并以形成 其它實(shí)施例。權(quán)利要求中的附圖標(biāo)記不構(gòu)成對(duì)權(quán)利要求范圍的限制。
權(quán)利要求
1. 一種顯示設(shè)備(10)，包括像素(13)的行和列的陣列，所述陣列包括被共同控制的多個(gè)第一電極(FE)，用于向陣列的每個(gè)像素提供公共信號(hào)(DS1)，每個(gè)第一電極延伸經(jīng)過一行像素或沿著一行像素延伸以向該行像素提供所述公共信號(hào)；被共同控制的多個(gè)第二電極(SE)，用于向陣列的每個(gè)像素提供另外的公共信號(hào)(DS2)，每個(gè)第二電極延伸經(jīng)過一行像素或沿著一行像素延伸以向該行像素提供所述另外的公共信號(hào)；和多個(gè)像素尋址電極(AC1，AC2，AC3，AC4，TE，F(xiàn)RE)，用于向像素提供數(shù)據(jù)以控制像素的光學(xué)表現(xiàn)；以及其中至少所述多個(gè)第一和第二電極設(shè)置于公共襯底(11，40)上。
2. 根據(jù)權(quán)利要求1的顯示設(shè)備，其中每一行像素與從該行的第一像素延伸至該行的最后像素的第一電極相關(guān)聯(lián)；并且每一行像素與從該行的第一像素延伸至該行的最后像素的第二電極相關(guān)聯(lián)。
3. 根據(jù)權(quán)利要求1或2的顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)電極至少部分地形成無源矩陣用于控制顯示器的像素。
4. 根據(jù)權(quán)利要求K 2或3的顯示設(shè)備，其中所述像素是平板電泳像素(30)。
5. 根據(jù)前述任一權(quán)利要求的顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)像素尋址電極包括多個(gè)第三電極(TE)和多個(gè)第四電極(FRE)，每個(gè)第三電極延伸經(jīng)過一行像素或沿著一行像素延伸，并且每個(gè)第四電極延伸經(jīng)過一列像素或沿著一列像素延伸。
6. 根據(jù)權(quán)利要求5的顯示設(shè)備，其中所述多個(gè)第一、第二、第三和第四電極都設(shè)置于公共襯底(40)上。
7. 根據(jù)權(quán)利要求6的顯示設(shè)備，其中一絕緣層將所述多個(gè)第一、第二和第三電極與所述多個(gè)第四電極絕緣。
8. 根據(jù)權(quán)利要求5到7中任意一項(xiàng)的顯示設(shè)備，其中所述像素是平板電泳像素，并且其中每個(gè)像素包括第一顯示電極(FVE)，所述第一顯示電極連接至第一電極的一部分或形成第一電極的一部分；第二顯示電極(SVE),所述第二顯示電極連接至第二電極的一部分或形成第二電極的一部分；柵電極(GTE)，所述柵電極連接至第三電極的一部分或形成第三電極的一部分；以及集電極(CLTR)，所述集電極連接至第四電極的一部分或形成第四電極的一部分。
9. 根據(jù)權(quán)利要求8的顯示設(shè)備，其中每個(gè)第一電極連接至各個(gè)行中像素的第一顯示電極的部分或形成各個(gè)行中像素的第一顯示電極的部分，每個(gè)第二電極連接至各個(gè)行中像素的第二顯示電極的部分或形成各個(gè)行中像素的第二顯示電極的部分。
10. 根據(jù)權(quán)利要求8的顯示設(shè)備，其中每個(gè)第一電極連接至各個(gè)行中像素的第一顯示電極的部分或形成各個(gè)行中像素的第一顯示電極的部分，每個(gè)第二電極連接至各對(duì)行中像素的第二顯示電極的部分或形成各對(duì)行中像素的第二顯示電極的部分。
全文摘要
一種顯示設(shè)備(10)，包括像素(13)的行和列的陣列。所述顯示設(shè)備進(jìn)一步包括被共同控制的多個(gè)第一電極(FE)，用于向陣列的每個(gè)像素提供公共信號(hào)(DS1)，被共同控制的多個(gè)第二電極(SE)，用于向陣列的每個(gè)像素提供另外的公共信號(hào)(DS2)，和多個(gè)像素尋址電極(AC1，AC2，AC3，AC4，TE，F(xiàn)RE)。至少所述多個(gè)第一和第二電極彼此平行而設(shè)，從而消除被共同控制的電極之間的交叉。
文檔編號(hào)G02F1/167GK101490613SQ200780026366
公開日2009年7月22日 申請(qǐng)日期2007年7月3日 優(yōu)先權(quán)日2006年7月11日
發(fā)明者A·R·M·弗舒?zhèn)?申請(qǐng)人:皇家飛利浦電子股份有限公司